TW201834261A - 顯示裝置與磊晶晶圓 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置，具有顯示基板、第一子畫素單元與第二子畫素單元。第一子畫素單元設置於顯示基板。第一子畫素單元具有第一發光面積。第二子畫素單元設置於顯示基板。第二子畫素單元具有第二發光面積。其中該第一子畫素單元與該第二子畫素單元係定義為同一顏色類型。第一子畫素單元與第二子畫素單元係形成自磊晶晶圓的磊晶結構。第一子畫素單元與第二子畫素單元係從磊晶晶圓形成後轉移至顯示基板。第一發光面積與第二發光面積的大小係至少關聯於磊晶晶圓的光致發光量測結果。
Description
本發明係關於一種顯示裝置與磊晶晶圓，特別是一種以發光二極體（light-emitting diode）提供影像的顯示裝置與發光二極體磊晶晶圓。
發光二極體的能量轉換效率高、體積小且使用壽命長，目前已廣泛地應用於各式電子產品，通常作為指示、照明或是用於顯示器以提供影像。簡要地來說，發光二極體具有發光層與至少兩種的半導體層，藉由調整發光層與半導體層所使用的材料，廠商已可製造出不同顏色的發光二極體。
但於實務上，在磊晶的過程中，同一片晶圓的同一個半導體層在不同區域的磊晶品質是有可能不同的。對於發光二極體來說，隨著磊晶品質不同，驅動發光二極體所發出的光的中心波長就有可能隨著不同的發光二極體而飄移。也就是說，原本某一批的發光二極體被預期用以發出同一色光，但卻因為不一致的磊晶品質而使得此批發光二極體的光色也不一致，甚至光色差異還可能明顯到被人眼察覺。
此外，發光二極體微型化是被寄予厚望的下一個世代的半導體技術。就目前的技術而言，發光二極體的尺寸已可被微型化至微米等級。但是由於發光二極體的尺寸更趨微小，磊晶品質的變異對於不同的發光二極體的影響更為巨大。在某些顯示面板製程中，會將同一片磊晶晶圓做晶片製程形成微型發光二極體後巨量轉移（mass transfer）到製作有驅動電路的基板。換句話說，在製程中並沒有機會另行對發光二極體作分類。當這些磊晶品質不一的發光二極體被設置於同一個顯示裝置時，勢必會影響顯示裝置提供的影像品質，而降低了產品的良率。
本發明在於提供一種顯示裝置與磊晶晶圓，以克服以往磊晶晶圓中磊晶品質不一導致發光二極體的出光顏色偏移的問題。
本發明揭露了一種顯示裝置，所述的顯示裝置具有顯示基板、第一子畫素單元與第二子畫素單元。第一子畫素單元設置於顯示基板。第一子畫素單元具有第一發光面積。第二子畫素單元設置於顯示基板。第二子畫素單元具有第二發光面積。其中第一子畫素單元與第二子畫素單元係定義為同一顏色類型。第一子畫素單元與第二子畫素單元係從磊晶晶圓形成後轉移至顯示基板。第一發光面積與第二發光面積的大小係至少關聯於磊晶晶圓的光致發光（photoluminescence, PL）量測結果。
本發明揭露了一種磊晶晶圓，所述的磊晶晶圓具有磊晶基板與設置在磊晶基板上的磊晶結構。磊晶結構包括第一子磊晶結構與第二子磊晶結構。第一子磊晶結構具有第一發光面積。第二子磊晶結構具有第二發光面積。其中第一子磊晶結構與第二子磊晶結構係定義為同一顏色類型。第一發光面積與第二發光面積的大小係至少關聯於磊晶晶圓的磊晶結構的光致發光量測結果。
綜合以上所述，本發明提供了一種顯示裝置與磊晶晶圓，以顯示裝置來說，顯示裝置具有第一子畫素單元與第二子畫素單元，第一子畫素單元的發光面積與第二子畫素單元的發光面積係關聯於相應的磊晶晶圓的光致發光量測結果。藉此，得以適度地校正來自同一片磊晶晶圓上的第一子畫素單元的出光顏色與第二子畫素單元的出光顏色類型，使第一子畫素單元的出光顏色與第二子畫素單元的出光顏色類型盡可能地趨於一致。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1A，圖1A係為根據本發明一實施例所繪示之顯示裝置的俯視示意圖。如圖1A所示，顯示裝置1具有顯示基板DS與多個畫素單元，畫素單元係設置於顯示基板DS。為求敘述簡明，在圖1中僅繪示有25個畫素單元，且畫素單元係排列成陣列，後續係以其中的畫素單元P1、P2、P3、P4、P5為例進行說明，但畫素單元的數量與排列形式並不以圖式所繪示者為限。
以畫素單元P1來說，畫素單元P1具有子畫素單元SP1、SP2、SP3。子畫素單元SP1、SP2、SP3例如用以提供不同色的激發光。從另一個角度來說，子畫素單元SP1、SP2、SP3可分別定義為不同顏色類型。在一實施例中，子畫素單元SP1用以提供紅光，子畫素單元SP2用以提供綠光，子畫素單元SP3用以提供藍光。舉其他的畫素單元來說，畫素單元P2具有的子畫素單元SP4、SP5、SP6的相對關係相仿於子畫素單元SP1、SP2、SP3。也就是說，子畫素單元SP4與子畫素單元SP1被定義為相同的顏色類型，子畫素單元SP5與子畫素單元SP2被定義為相同的顏色類型，子畫素單元SP6與子畫素單元SP3被定義為相同的顏色類型。相關重複細節則不再贅述。其中，同一顏色類型的不同子畫素單元可以被分別定義為第一子畫素單元與第二子畫素單元。舉例來說，子畫素單元SP1例如為第一子畫素單元，子畫素單元SP4例如為第二子畫素單元。
於實務上，前述的同一顏色類型的子畫素單元例如係形成自同一磊晶晶圓的磊晶結構，再轉移到顯示基板DS。請一併參照圖1B，圖1B係為根據本發明一實施例所繪示之磊晶晶圓的俯視示意圖。如圖1B所示，磊晶晶圓W包括磊晶基板ES與設置於磊晶基板ES上的磊晶結構E。磊晶結構E可包括Ⅱ-Ⅵ族材料（例如：鋅化硒（ZnSe））或Ⅲ-Ⅴ氮族化物材料（例如：氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氮化銦（InN）、氮化銦鎵（InGaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）或氮化鋁銦鎵（AlInGaN））。磊晶結構E的厚度以不超過6微米（micrometer, μm）為佳，且磊晶結構的厚度通常大於1微米，太厚或太薄都將影響後續製程的良率。磊晶基板ES例如為藍寶石基板、矽基板或是氮化鎵基板。
子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14係由磊晶晶圓W的磊晶結構E中定義出的子磊晶結構EP2、EP5、EP8、EP11、EP14經晶片製程製作後形成發光二極體晶片，再直接轉移至顯示基板DS，形成顯示裝置1的子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14；或者子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14係由磊晶晶圓W的磊晶結構E中定義出的子磊晶結構EP2、EP5、EP8、EP11、EP14經晶片製程製作後形成發光二極體晶片，先間接轉移至一暫時基板(未繪示)後再轉移至顯示基板DS中，形成顯示裝置1的子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14。之後，藉由將不同顏色類型的子畫素單元轉移到顯示基板DS而初步定義出各畫素單元。特別說明的是，於同一方向上，任相鄰兩畫素單元中同一顏色類型的子畫素單元於顯示基板DS上的間距（Pitch）相等，例如是於同一方向上，子畫素單元SP2與子畫素單元SP5的距離相等於子畫素單元 SP2與子畫素單元 SP14的距離，將使顯示裝置1可有更佳的顯示效果與人眼感受度。
此處，顯示裝置1具有多個畫素單元P1~P5，每個畫素單元具有至少一紅色子畫素單元、至少一藍色子畫素單元與至少一綠色子畫素單元。更詳細地說，多個紅色子磊晶結構例如先形成於一第一磊晶晶圓，多個綠色子磊晶結構例如先形成於一第二磊晶晶圓，多個藍色子磊晶結構例如先形成於一第三磊晶晶圓。接著，再由所述的第一磊晶晶圓、第二磊晶晶圓與第三磊晶晶圓將各子磊晶結構經晶片製程製作後形成各發光二極體晶片，再直接轉移至顯示基板、或者是先間接轉移至一暫時基板後再轉移至顯示基板形成顯示裝置的子畫素單元，以使子畫素單元與顯示基板上的驅動電路相接合。其中，以子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14來說，子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14於磊晶晶圓W形成前的的相對位置係大致上相同於子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14於顯示基板DS的相對位置。換句話說，子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14於磊晶晶圓W形成前對應的子磊晶結構EP2、EP5、EP8、EP11、EP14的相對位置係大致上相同於子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14於顯示基板DS的相對位置。簡要來說，子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14係對應子磊晶結構EP2、EP5、EP8、EP11、EP14，後續係主要以子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14為主進行敘述。
延續前述，以子畫素單元SP2、SP5來說，子畫素單元SP2具有第一發光面積，子畫素單元SP5具有第二發光面積。第一發光面積與第二發光面積的大小係關聯於磊晶基板磊晶時的光致發光量測結果。在此及後續的實施例中，為便於示意，各子畫素單元係被繪示為矩形，但亦可為圓形等其它形狀。此處，各子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14的最大寬度尺寸介於1到100微米之間，較佳是介於3到30微米之間。亦即子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14為微米等級，將可使顯示裝置的顯示解析度更佳。特別說明的是，由於各子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14的尺寸為微米級尺寸，因此透過同樣的低電流操作下，各子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14的驅動電流密度較佳落在0.001安培/平方公分至5安培/平方公分，亦即各子畫素單元SP2、SP5、SP8、SP11、SP14在低驅動電流密度時能有更佳的效率。
在製造子磊晶結構的過程中，晶圓代工廠可以適時地依據磊晶晶圓提供相關測項的量測結果，以供客戶掌握產品的狀況，並適時地作補償校正。前述的光致發光量測結果，例如係於在磊晶結構中定義出各子磊晶結構的大小之前，對磊晶晶圓的磊晶結構進行光致發光量測所取得之磊晶基板各區域的初步的發光結果。在一實施例中，光致發光量測結果具有量測中心波長分佈的相關資訊。在另一實施例中，光致發光量測結果具有量測中心發光強度分佈的相關資訊。在又一實施例中，光致發光量測結果具有量測中心發光效率分佈的相關資訊。在本實施例中更具體地來說，量測中心波長分佈例如用以指示磊晶晶圓的磊晶結構各個區域受激發而產生的激發光的中心波長。由於子磊晶結構的磊晶品質關聯於子磊晶結構於磊晶結構中的位置，使用者得以依此初步研判製程中各種變異對各子畫素單元所能提供之激發光中心波長的影響。
所述的光致發光量測結果例如是以一標準面積為單位面積對磊晶晶圓的磊晶結構進行量測而得，而廠商則可依據光致發光量測結果與標準面積定義出標準中心波長範圍以作為參考標準。亦即，理想上，具有標準面積的子磊晶結構所提供的激發光的中心波長應位於標準中心波長範圍當中。在一實施例中，更可依據量測中心波長分佈輔以標準中心波長範圍與參考發光面積而於晶圓的磊晶結構中定義出不同的區域以進行補償校正。當磊晶結構的某個區域中的量測位置對應的量測中心波長大於標準中心波長範圍的上限時，這樣的區域可以被定義為正偏離區域。當磊晶結構的某個區域中的量測位置對應的量測中心波長小於標準中心波長範圍的下限時，這樣的區域可以被定義為負偏離區域。當磊晶結構的某個區域的量測位置對應的量測中心波長不小於標準中心波長範圍的下限也不大於標準中心波長範圍的上限時，這樣的區域可以被定義為無偏離區域。
上述之正偏離區域、負偏離區域與無偏離區域的定義或數量，或者是否於正偏離區域、負偏離區域與無偏離區域之外再另行定義出其他的區域係為所屬技術領域具有通常知識者經詳閱本說明書後可依實際所需自由定義，並不以所述內容為限。
從另一個角度，假設對應於正偏離區域的子磊晶結構的發光面積、對應於無偏離區域的子磊晶結構的發光面積與對應於負偏離區域中的子磊晶結構的發光面積相等，當各子磊晶結構經晶片製程製作後，並轉移至顯示基板形成各子畫素單元，提供相同的驅動電流給對應於正偏離區域的子畫素單元、對應於無偏離區域的子畫素單元與對應於負偏離區域的子畫素單元時，致使對應於正偏離區域的子畫素單元所提供的激發光的中心波長會高於對應於無偏離區域的子畫素單元所提供的激發光的中心波長，而對應於負偏離區域的子畫素單元所提供的激發光的中心波長會高於對應於無偏離區域的子畫素單元所提供的激發光的中心波長。此情況在驅動電流的電流密度是低驅動電流密度時，差異將更明顯。
相應於此，在一實施例中，對應於正偏離區域中的子畫素單元的發光面積被定義為小於標準面積，對應於無偏離區域中的子畫素單元的發光面積被定義為相等於標準面積，對應於負偏離區域中的子畫素單元的發光面積被定義為大於標準面積。於實務上，所述的標準中心波長範圍亦可再進一步窄化成一標準中心波長，而對應的量測波長大於標準中心波長的區域即為正偏離區域，對應的量測波長等於標準中心波長的區域即為無偏離區域，對應的量測波長小於標準中心波長的區域即為負偏離區域。
請接著參照圖2A與圖2B，圖2A係為根據本發明一實施例所繪示之磊晶晶圓的光致發光量測結果示意圖，圖2B係為根據本發明一實施例所繪示之子像素單元與磊晶晶圓的光致發光量測結果的對照示意圖。具體來說，圖2A繪示了光致發光量測結果中的量測中心波長分佈。圖2A中的每一封閉曲線代表一波長值，每二封閉曲線之間的區域對應於一段波長範圍。換句話說，圖2A中的區域R1~R5分別對應於不同的波長範圍。於實務上，亦可依據光致發光量測結果中的量測發光強度分佈或發光效率分佈繪示出類似的圖表，在此並不限制所採用的參數。
在圖2A所示之實施例中，區域R1中對應的量測波長係不大於標準中心波長範圍的上限值也不小於標準中心波長範圍的下限值，即為前述的無偏離區域。區域R2中對應的量測波長係大於標準中心波長範圍的上限值，即為前述的正偏離區域。區域R3中對應的量測波長係不大於標準中心波長範圍的上限值也不小於標準中心波長範圍的下限值，即為前述的無偏離區域。區域R4中對應的量測波長係小於標準中心波長範圍的下限值，即為前述的負偏離區域。區域R5中對應的量測波長係小於標準中心波長範圍的下限值，即為前述的負偏離區域。而且，區域R5中對應的量測波長係小於區域R4中對應的量測波長，也就是說，區域R5中對應的量測波長較區域R4中對應的量測波長更加偏離標準中心波長範圍。
圖2B係為將圖2A所示的量測波長分佈與圖1A部分子像素單元的疊合對照示意圖，以便示意出子畫素單元的發光面積大小與區域R1~R5的相對關係。如圖1A至圖2B所示，畫素單元P1的子畫素單元SP2(亦即由子磊晶結構EP2形成)係對應於磊晶晶圓的區域R1。如前述地，區域R1為無偏離區域。舉顏色類型為綠光的實際例子來說，標準中心波長範圍例如為不大於536奈米且不小於534奈米，而子畫素單元SP2對應的量測中心波長例如為535奈米而落入標準中心波長範圍。也就是說，當定義子畫素單元SP2的發光面積為標準面積時，子畫素單元SP2受電流驅動所提供的激發光的中心波長係位於能接受的範圍，而不需要另行調整子畫素單元SP2的發光面積。因此，子畫素單元SP2的發光面積係被定義為相等於標準面積。相仿地，畫素單元P3的子畫素單元SP8的發光面積係被定義為相等於標準面積。
另一方面，畫素單元P2的子畫素單元SP5係對應於磊晶晶圓的區域R2。如前述地，區域R2為正偏離區域。舉實際的例子來說，標準中心波長範圍例如為不大於536奈米且不小於534奈米，而子畫素單元SP5對應的量測中心波長例如為537奈米而高於標準中心波長範圍的上限。也就是說，當定義子畫素單元SP5的發光面積為標準面積時，子畫素單元SP5受電流驅動所提供的激發光的中心波長係大於能接受的範圍上限，而需要另行調整子畫素單元SP5的發光面積。因此，子畫素單元SP5的發光面積係被定義為小於標準面積。從另一個角度來說，相較於對應於無偏離區域的子畫素單元SP2，對應於高偏離區域的子畫素單元SP5的發光面積會小於子畫素單元SP2的發光面積，此處例如子畫素單元SP5的發光面積為子畫素單元SP2的發光面積的90%，以盡可能使子畫素單元SP5提供的激發光的中心波長落於標準中心波長範圍中。
畫素單元P4的子畫素單元SP11係對應於磊晶晶圓的區域R4。如前述地，區域R4為負偏離區域。舉實際的例子來說，標準中心波長範圍例如為不大於536奈米且不小於534奈米，而子畫素單元SP11對應的量測中心波長例如為533奈米而低於標準中心波長範圍的下限。也就是說，當定義子畫素單元SP11的發光面積為標準面積時，子畫素單元SP11受電流驅動所提供的激發光的中心波長係小於能接受的範圍下限，而需要另行調整子畫素單元SP11的發光面積。因此，子畫素單元SP11的發光面積係被定義為大於標準面積。也就是說，子畫素單元SP11的發光面積會大於子畫素單元SP2的發光面積。從另一個角度來說，相較於對應於無偏離區域的子畫素單元SP2，對應於負偏離區域的子畫素單元SP11的發光面積會大於子畫素單元SP2的發光面積，此處例如子畫素單元SP11的發光面積為子畫素單元SP2的發光面積的110%。藉此，以盡可能使子畫素單元SP11提供的激發光的中心波長落於標準中心波長範圍中。
此外，相仿於子畫素單元SP11，子畫素單元SP14的發光面積亦被定義為大於標準面積。在此實施例中，子畫素單元SP14對應的子畫素單元SP14對應的量測中心波長例如為531奈米而較子畫素單元SP11對應的量測中心波長更小。也就是說，當定義子畫素單元SP14的發光面積為標準面積時，子畫素單元SP14受電流驅動所提供的激發光的中心波長係較子畫素單元SP11所提供的激發光的中心波長更加偏離於能接受的範圍下限。因此，子畫素單元SP14的發光面積除了被定義為大於標準面積之外，子畫素單元SP14的發光面積更被定義為大於子畫素單元SP11的發光面積。藉此，以使子畫素單元SP14提供的激發光的中心波長盡可能落於標準中心波長範圍中。
簡要地來說，當子畫素單元對應的量測中心波長位於標準中心波長範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為標準面積。而當子畫素單元對應的量測中心波長大於標準中心波長範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為小於標準面積。而當子畫素單元對應的量測中心波長小於標準中心波長範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為大於標準面積。而依據量測中心波長偏離標準中心波長範圍的程度，各子畫素單元的發光面積的調整幅度也不盡相同。藉由調整各子畫素單元的發光面積，得以適度地校正各子畫素單元受電流驅動時所提供之激發光的中心波長，以使各子畫素單元受電流驅動時提供的激發光的中心波長盡可能地落於標準中心波長範圍中。在另外一實施例中，亦可依據光致發光量測結果中的量測發光強度分佈或發光效率分佈適度地校正。當子畫素單元對應的量測強度分佈或發光效率位於標準強度分佈或發光效率範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為標準面積。而當子畫素單元對應的量測強度分佈或發光效率大於標準強度分佈或發光效率範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為小於標準面積。而當子畫素單元對應的量測強度分佈或發光效率小於標準強度分佈或發光效率範圍時，子畫素單元的發光面積被定義為大於標準面積。而依據量測強度分佈或發光效率偏離標準強度分佈或發光效率範圍的程度，各子畫素單元的發光面積的調整幅度也不盡相同。藉由調整各子畫素單元的發光面積，得以適度地校正各子畫素單元受電流驅動時所提供之激發光的發光強度，以使各子畫素單元受電流驅動時提供的激發光的發光強度盡可能地落於標準強度分佈或發光效率範圍中。
在一實施例中，同一顏色類型的各子畫素單元於顯示裝置1上所提供之激發光的中心波長彼此之間的差值不大於2奈米（nanometer, nm）。如前述所舉的例子，標準中心波長範圍為不大於536奈米且不小於534奈米，也就是535奈米1奈米，可使顯示裝置1的顯示畫面更為均勻，盡可能地趨於一致。至於如何依據量測中心波長相較於標準中心波長範圍的偏移量來調整各子畫素單元的發光面積的大小，係為所屬技術領域中具有通常知識者可依據所期望的中心波長與所能接受的中心波長偏移量以及其他的製程參數進行定義，在此並不加以限制。
此外，上述係舉綠色子畫素單元為例進行說明，於實務上，紅色子畫素單元與藍色子畫素單元的發光面積也可依據上述的方式被調整，以使顯示裝置的同一顏色類型的各子畫素單元發出之光的中心波長、發光強度或是發光效率都盡可能一致。反過來說，如圖1A所示，對於經由上述方式調校過或製造出的顯示裝置來說，除了各綠色子畫素單元的發光面積並不一定相同之外，各紅色子畫素單元的發光面積也並不一定相同，且各藍色子畫素單元的發光面積也並不一定相同。而各顏色類型的子畫素單元的發光面積之增減比例係為所屬技術領域具有通常知識者可依實際所需自行調整，因此也不一定相同。
在上述的實施例中，係將子畫素單元繪示為矩形，並藉由調整子畫素單元的其中一個邊長（例如為長邊）來調整子畫素單元的面積。然於實務上，在子畫素單元為矩形的情況下，也可以同時調整子畫素單元的多個邊長，例如同時調整長邊與短邊，來調整子畫素單元的面積。然所屬領域具有通常知識者當可理解在子畫素單元為不同的形狀下應該如何調整其面積。
依據上述，於實務上，廠商可依據光致發光量測結果定義出圖案化製程，再由圖案化製程於磊晶結構中定義出具有不同發光面積的子磊晶結構，再經由晶片製作製程形成具有不同發光面積的子畫素單元，而後進行巨量轉移至顯示基板上。或者，也可藉此定義圖案化製程，從而統一調整所有相同顏色類型的子畫素單元的發光面積為同一個最適合的尺寸，以簡化製程。或者，廠商可依據過往的光致發光量測結果定義出一或多個不同的通用的圖案化製程，以在成本與良率間取得平衡。上述係舉其中一個顏色類型的子畫素單元為例進行說明，然所屬技術領域具有通常知識者當可依據本說明書的內容，同時分別調整不同顏色類型的子畫素單元的發光面積。
綜合以上所述，本發明提供了一種顯示裝置與磊晶結構，以顯示裝置來說，顯示裝置具有第一子畫素單元與第二子畫素單元，第一子畫素單元的發光面積與第二子畫素單元的發光面積係關聯於相應的磊晶基板磊晶時的光致發光量測結果。藉由依據光致發光量測結果調整不同子畫素單元的發光面積，得以調整子畫素單元受電流驅動時的電流密度，從而適度地校正來自同一片磊晶晶圓上的第一子畫素單元之激發光的中心波長與第二子畫素單元的之激發光的中心波長，使第一子畫素單元的出光顏色與第二子畫素單元的出光顏色盡可能地趨於一致。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1‧‧‧顯示裝置
DS‧‧‧顯示基板
E‧‧‧磊晶結構
ES‧‧‧磊晶基板
EP1~EP15‧‧‧子磊晶結構
P1~P5‧‧‧畫素單元
SP1~SP15‧‧‧子畫素單元
W‧‧‧磊晶晶圓
圖1A係為根據本發明一實施例所繪示之顯示裝置的俯視示意圖。 圖1B係為根據本發明一實施例所繪示之磊晶晶圓的俯視示意圖。 圖2A係為根據本發明一實施例所繪示之磊晶晶圓的光致發光量測結果示意圖。 圖2B係為根據本發明一實施例所繪示之子像素單元與磊晶晶圓的光致發光量測結果的對照示意圖。
Claims (12)
- 一種顯示裝置，包括：一顯示基板；一第一子畫素單元，設置於該顯示基板，具有一第一發光面積；以及一第二子畫素單元，設置於該顯示基板，具有一第二發光面積；其中該第一子畫素單元與該第二子畫素單元係定義為同一顏色類型，該第一子畫素單元與該第二子畫素單元係從一磊晶晶圓形成後轉移至該顯示基板，該第一發光面積與該第二發光面積的大小係至少關聯於該磊晶晶圓的一光致發光量測結果。
- 如請求項1所述之顯示裝置，其中該光致發光量測結果具有一量測中心波長分佈，該磊晶晶圓定義有多個量測位置，該第一子畫素單元於該磊晶晶圓形成前對應於該些量測位置的其中之一，該第二子畫素單元於該磊晶晶圓形成前對應於該些量測位置的其中之另一，該量測中心波長分佈用以指示分別關聯於該些量測位置的多個量測中心波長，該第一子畫素單元的該第一發光面積關聯於該第一子畫素單元對應的該量測位置的該量測中心波長。
- 如請求項2所述之顯示裝置，其中當該第一子畫素單元對應的該量測中心波長大於一參考波長範圍的一上限時，該第一子畫素單元的該第一發光面積被定義為小於一標準面積，當該第一子畫素單元對應的該量測中心波長小於該參考波長範圍的一下限時，該第一子畫素單元的該第一發光面積被定義為大於該標準面積。
- 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第一子畫素單元用以受控於一驅動電流而產生一第一激發光，該第二子畫素單元用以受控於該驅動電流而產生一第二激發光，該第一激發光的中心波長與該第二激發光的中心波長的差值小於一第一預設閥值。
- 如請求項4所述之顯示裝置，其中該第一預設閥值不大於2奈米（nanometer, nm）。
- 如請求項4所述之顯示裝置，其中該第一子畫素單元與該第二子畫素單元的電流密度是介於0.001安培/平方公分至5安培/平方公分之間。
- 如請求項2所述之顯示裝置，其中該顯示裝置更包含多個畫素單元，該第一子畫素單元與該第二子畫素單元分別設置於不同的畫素單元。
- 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示裝置更包含多個畫素單元，每一該些畫素單元包含至少三種不同顏色類型的子畫素單元，於同一方向上，任兩相鄰的該些畫素單元中的同一顏色類型的該子畫素單元距離相同。
- 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一子畫素單元與該第二子畫素單元於該磊晶晶圓形成前的相對位置大致上相等於該第一子畫素單元與該第二子畫素單元於該顯示基板的相對位置。
- 一種磊晶晶圓，包括：一磊晶基板；以及一磊晶結構，設置於該磊晶基板，定義為一顏色類型，該磊晶結構包括： 一第一子磊晶結構，具有一第一發光面積；以及 一第二子磊晶結構，具有一第二發光面積；其中該第一發光面積與該第二發光面積的大小係關聯於該磊晶結構的一光致發光量測結果。
- 如請求項10所述之磊晶晶圓，其中該光致發光量測結果具有一量測中心波長分佈，該磊晶晶圓的該磊晶結構定義有多個量測位置，該第一子磊晶結構對應於該些量測位置的其中之一，該第二子磊晶結構對應於該些量測位置的其中之另一，該量測中心波長分佈用以指示關聯於該些量測位置的多個量測中心波長，該第一子磊晶結構的該第一發光面積關聯於該第一子磊晶結構對應的該量測位置的該量測中心波長。
- 如請求項11所述之磊晶晶圓，其中當該第一子磊晶結構對應的該量測中心波長大於一參考波長範圍的一上限時，該第一子磊晶結構的該第一發光面積被定義為小於一標準面積，當該第一子磊晶結構對應的該量測中心波長小於該參考波長範圍的一下限時，該第一子磊晶結構的該第一發光面積被定義為大於該標準面積。
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