TW201831859A - 光學式位移傳感器以及具備此光學式位移傳感器的系統 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠根據用戶的用途來設定最佳曝光時機的光學式位移傳感器以及系統。光學式位移傳感器具備:投光部,對工件進行投光;受光部,接收來自工件的反射光而生成受光數據;處理部,基於受光數據來算出工件的位移量;輸入部,接收時間同步信號;以及輸出部,輸出由處理部所算出的位移量。處理部響應由輸入部所接收的時間同步信號,對曝光時間進行控制,所述曝光時間是由投光部對工件進行投光的時間、與受光部接收反射光的時間的重合而定。系統具備光學式位移傳感器、及產生時間同步信號的控制設備。
Description
本發明涉及一種光學式位移傳感器(sensor)以及包含此光學式位移傳感器的系統(system)。
已知有對目標位移(移動量或者尺寸等)進行光學測定的光學式位移傳感器。例如日本專利特開2001-280951號公報(專利文獻1)揭示了一種光學式位移傳感器,其具備投光部件和受光部件與運算部件。
現有技術文獻
專利文獻1:日本專利特開2001-280951號公報
[發明所要解決的問題]
日本專利特開2001-280951號公報(專利文獻1)中揭示的光學式位移傳感器是自由運行(free run)地執行量測。根據用戶的用途,認為存在用於量測的曝光的最佳時機(timing)。然而,所述傳感器中,無法以與用戶的用途相應的適當的時機來對量測對象物進行曝光。
本發明的目的在於提供一種能夠根據用戶的用途來設定最佳曝光時機的光學式位移傳感器以及包含此種光學式位移傳感器的系統。
[解決問題的技術手段]
本發明的一方面的光學式位移傳感器包括:投光部,對量測對象物進行投光;受光部,接受來自量測對象物的反射光而生成受光數據;處理部,基於受光數據來算出量測對象物的位移量;輸入部,接收時間同步信號;以及輸出部,輸出由處理部所算出的位移量。處理部響應由輸入部所接收的時間同步信號,對曝光時間進行控制,所述曝光時間是由投光部對量測對象物進行投光的時間、與受光部接受反射光的時間的重合而定。
優選的是,處理部使曝光時間的開始時機與位移量的測定週期的開始時機一致。
優選的是,處理部使曝光時間的結束時機與位移量的測定週期的結束時機一致。
優選的是,處理部使曝光時間的中心時機與位移量的測定週期的中心時機一致。
優選的是,輸入部受理與曝光時間的控制相關的用戶設定,處理部基於設定來選擇多個控制中的一個控制,所述多個控制包含第1控制、第2控制或第3控制中的至少兩個,所述第1控制是使曝光時間的開始時機與位移量的測定週期的開始時機一致,所述第2控制是使曝光時間的結束時機與測定週期的結束時機,所述第3控制是使曝光時間的中心時機與測定週期的中心時機一致。
本發明的一方面的系統包括:根據所述任一項所述的、至少一個光學式位移傳感器;以及控制設備,產生時間同步信號。
優選的是,至少一個光學式位移傳感器包含第1光學式位移傳感器與第2光學式位移傳感器。第1光學式位移傳感器的投光部及受光部是夾著量測對象物而與第2光學式位移傳感器的投光部及受光部相向配置。第1光學式位移傳感器及第2光學式位移傳感器各自的處理部使曝光時間的中心時機與位移量的測定週期的中心時機一致。
[發明的效果]
根據本發明,可提供一種能夠根據用戶的用途來設定最佳曝光時機的光學式位移傳感器以及系統。
對於本發明的實施方式,參照附圖來進行詳細說明。另外,對於圖中的相同或相當的部分,標注相同的符號並不再重複其說明。
圖1是表示包含本發明的實施方式的光學式位移傳感器的系統的結構的圖。如圖1所示,系統100包含控制設備1、通信線2及光學式位移傳感器3。控制設備1例如可通過可程式化邏輯控制器(Programmable Logic Controller,PLC)來實現。
控制設備1在規定的測定時機,將時間同步信號送往光學式位移傳感器3。光學式位移傳感器3經由通信線2來接收時間同步信號,對置於載台(stage)5上的工件(量測對象物)51進行攝像。光學式位移傳感器3根據通過攝像所得的受光數據,算出工件51的位移,並將所述算出的位移量送往控制設備1。控制設備1經由通信線2來獲取位移量,並根據此位移量來算出工件51的厚度或者階差等測定值。
光學式位移傳感器3包含傳感器控制器11、傳感器頭(sensor head)12及電纜(cable)13。傳感器頭12通過電纜13連接於傳感器控制器11。
傳感器控制器11包含接口(interface)部31與處理部32。接口部31連接於通信線2。接口部31包含輸入部35與輸出部36。輸入部35經由通信線2而從控制設備1接收時間同步信號。輸出部36將在光學式位移傳感器3中算出的位移量經由通信線2而輸出至控制設備1。
處理部32例如可通過中央處理器(Central Processing Unit,CPU)或者現場可程式化閘陣列(Field Programmable Gate Array,FPGA)等半導體集成電路而實現。處理部32包含曝光控制部41與運算部42。
曝光控制部41響應時間同步信號而生成用於對傳感器頭12的曝光時機進行控制的控制信號,並且將此控制信號經由電纜13而發送至傳感器頭12。對於曝光控制的詳細,將在後文進行詳細說明。
運算部42接收從傳感器頭12送來的受光數據,並根據所述受光數據算出工件51當前的位移量(測定值)。所述算出的位移量是從運算部42送往輸出部36。
傳感器頭12具有投光部33及受光部34。投光部33根據控制信號來對工件51進行投光。受光部34根據控制信號接收來自工件51的反射光,並輸出表示所述受光量的受光數據。
圖2是對圖1所示的光學式位移傳感器的結構進行說明的框圖。如圖2所示,投光部33包含作為光源的發光元件43及投光電路44。受光部34包含受光元件45、放大器(amplifier)46及類比/數位(Analog/Digital,A/D)轉換器(converter)47。受光元件45例如為電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)影像傳感器、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)影像傳感器等攝像元件,具有快門(shutter)功能。
參照圖2來說明本發明的實施方式的曝光控制方法。處理部32通過用戶的設定來切換曝光控制方法。處理部32接收時間同步信號,以執行曝光控制。所謂曝光控制,具體而言,是指發光元件43的發光控制與受光元件45的快門控制。投光電路44通過處理部32的發光控制來使發光元件43點亮。具體而言,投光部33以同步時機信號為基準,在用戶所指定的時機進行投光。
進而,處理部32控制受光元件45的快門。在規定曝光週期的開始時,打開受光元件45的快門,在所述曝光週期的結束時,關閉受光元件45的快門。另外,本實施方式中,受光元件45的快門開放時間長於投光部33的投光時間。因此,受光元件45在投光部33對工件進行投光的期間,接收從工件反射的光。由此,在受光元件45中蓄積電荷。
當曝光結束時,蓄積在受光元件45中的電荷作為受光信號而從受光元件45輸出,受光信號被輸入至放大器46。放大器46對從受光元件45輸出的受光信號進行放大。A/D轉換器47將放大器46的輸出信號轉換為數字信號而生成受光數據。受光數據從受光部34輸出並輸入至處理部32。處理部32根據受光數據算出位移量。
本實施方式中,傳感器頭12與傳感器控制器11分離。然而,本發明的實施方式中,投光部及受光部也可統合在傳感器控制器11中。
圖3是對本發明的實施方式的曝光控制進行說明的波形圖。如圖3所示,例如時間同步信號的下降表示測定週期的開始時機。時間同步信號的上升也可表示測定週期的開始時機。
曝光時間相當於受光元件45(參照圖2)的快門開放時間與發光元件43(參照圖2)的投光時間的重合時間。因此,在曝光時間的期間,受光元件45接收來自工件的反射光而蓄積電荷。
本發明的實施方式中,光學式位移傳感器3可從以下說明的曝光控制模式(A)~(C)中選擇一個曝光控制模式。處理部32經由輸入部35來受理用戶的設定,由此能夠切換曝光控制模式。因此,根據本發明的實施方式,能夠選擇與用戶的用途相應的最佳曝光方法。
在選擇了曝光控制模式(A)的情況下,以曝光結束時機與測定週期的結束時機一致的方式來控制曝光。在選擇了曝光控制模式(B)的情況下,以曝光開始時機與測定週期的開始時機一致的方式來控制曝光。在選擇了曝光控制模式(C)的情況下,以曝光時間的中心與測定週期的中心一致的方式來控制曝光。
本發明的實施方式中,多個曝光控制模式也可為曝光控制模式(A)~(C)中的任意兩個。或者,多個曝光控制模式除了曝光控制模式(A)~(C)以外,也可包含其他曝光控制模式。例如,也可以從測定週期的開始經過延遲時間Td(參照曝光控制模式(C)的波形)時開始曝光的方式,來控制曝光。延遲時間Td既可為固定時間,也可由用戶來設定。
而且,本發明的另一實施方式中,光學式位移傳感器3的處理部32也可僅具有圖3所示的曝光控制模式(A)、(B)、(C)中的任一個曝光控制模式。曝光控制模式的數量並不限定為多個。
圖4是用於對本發明的實施方式的曝光控制的應用例進行說明的圖。圖4中,表示用於三維測圖(Three Dimensional mapping)的工件51(參照圖1)的位移量測的示例。
通過向光學式位移傳感器3輸入時間同步信號,測定週期開始。在每個測定週期對工件51進行攝像,光學式位移傳感器3算出位移量(測定值)。光學式位移傳感器3將此測定值輸出至外部。
例如,在曝光控制模式(A)的情況下,光學式位移傳感器3以測定週期的結束為基準,來對工件51曝光所需的時間。然而,由於工件51相對於光學式位移傳感器3的傳感器頭12而相對地移動,因此曝光開始時(攝像開始時)的工件51的位置相對於想要測定的工件51的位置發生偏離。
在通過多個光學式位移傳感器3來對工件51進行攝像時,測定值成為與曝光時間內的工件51的位置的平均相近的值。然而,若多個傳感器之間的曝光時間存在偏差,則測定值容易產生誤差。
本應用例中,適合使曝光時間的開始時機與測定週期的開始時機一致的控制(圖3所示的曝光控制模式(B))。通過選擇曝光控制模式(B),能夠減小攝像時的工件位置相對於想要測定的工件位置的偏離。
圖5是用於對本發明的實施方式的曝光控制的其他應用例進行說明的圖。圖5中,表示將工件51(參照圖1)的厚度作為位移量來進行量測的系統的結構例。系統101包含控制設備1、通信線2及光學式位移傳感器3A、3B。光學式位移傳感器3A、3B各自的結構與光學式位移傳感器3的結構(參照圖1)相同,因此以後不再重複說明。光學式位移傳感器3A的傳感器頭12與光學式位移傳感器3B的傳感器頭12是相向地配置。即,光學式位移傳感器3A的投光部及受光部是夾著工件51而與光學式位移傳感器3B的投光部及受光部相向配置。
圖6是表示圖5所示的系統的兩個光學式位移傳感器不使曝光時機同步時的、兩個光學式位移傳感器各自的曝光時機的圖。參照圖6,“傳感器(1)”表示光學式位移傳感器3A,“傳感器(2)”表示光學式位移傳感器3B(以下的圖中也同樣)。光學式位移傳感器3A、3B分別根據各自的曝光時機來對工件51進行曝光。因此,光學式位移傳感器3A、3B之間,曝光時機的偏離容易變大。曝光時機的偏離越大,測定誤差越容易變大。
圖7是表示將依據本發明的實施方式的曝光控制適用於圖5所記載的系統時的曝光時機的圖。如圖7所示,以時間同步信號為基準來決定曝光時機。光學式位移傳感器3A、3B各自的處理部32(曝光控制部41)是與時間同步信號同步地開始曝光。具體而言,光學式位移傳感器3A、3B各自的曝光控制部41使曝光開始時機與測定週期的開始一致。
根據此種控制,能夠在光學式位移傳感器3A、3B之間使曝光開始時機一致。由於能夠減小曝光時機的偏離,因此能夠減小目標位置與對工件51的位移進行測定的位置之間的偏離。因此,在圖5所示的系統101中,能夠降低工件51的厚度測定誤差。
光學式位移傳感器3A、3B是以各自需要的時間進行曝光。因此,在光學式位移傳感器3A、3B之間,曝光時間的長度有可能不同。在圖5所示的系統中對工件51的厚度進行測定時,有可能因工件51的晃動、振動等產生測定誤差。
圖8是用於對兩個光學式位移傳感器進行工件的厚度測定時所產生的誤差進行說明的圖。如圖8所示,測定值成為曝光時間內的工件位置的平均附近。在光學式位移傳感器3A、3B之間,曝光時間的長度不同。因此,若以測定週期的結束作為基準來決定光學式位移傳感器3A、3B各自的曝光時機,則測定值在光學式位移傳感器3A、3B之間有可能不同。因此,測定誤差容易變大。
圖9是表示考慮到工件位置變動時的、依據本發明的實施方式的曝光控制的曝光時機的圖。如圖9所示,光學式位移傳感器3A、3B各自的曝光控制部41以測定週期的中心與曝光時間的中心一致的方式,來設定光學式位移傳感器3A、3B各自的曝光時機。由此,即使曝光時間在光學式位移傳感器3A、3B各自之間不同的情況下,也能夠減小測定誤差。
如上所述,曝光時間是由投光元件的投光時機與受光元件的快門時機所決定。本發明的實施方式中,根據從光學式位移傳感器的外部輸入的時間同步信號來控制曝光時間。由此,能夠在任意時機進行曝光。其結果,能夠進行更準確的位移測定。
本發明的實施方式能夠廣泛適用於通過攝像元件的快門時間或光源的點亮時間來控制曝光時間的光學式位移傳感器。因此,用於量測位移的方式並無特別限定,例如,本發明能夠適用於三角測距方式的位移傳感器、同軸共焦方式的位移傳感器等。
應認為,此次揭示的實施方式在所有方面僅為例示,並非限制者。本發明的範圍是由權利要求書而非所述說明所示,且意圖包含與權利要求書均等的含義及範圍內的所有變更。
1‧‧‧控制設備
2‧‧‧通信線
3、3A、3B‧‧‧光學式位移傳感器
5‧‧‧載台
11‧‧‧傳感器控制器
12‧‧‧傳感器頭
13‧‧‧電纜
31‧‧‧接口部
32‧‧‧處理部
33‧‧‧投光部
34‧‧‧受光部
35‧‧‧輸入部
36‧‧‧輸出部
41‧‧‧曝光控制部
42‧‧‧運算部
43‧‧‧發光元件
44‧‧‧投光電路
45‧‧‧受光元件
46‧‧‧放大器
47‧‧‧A/D轉換器
51‧‧‧工件
100、101‧‧‧系統
Td‧‧‧延遲時間
圖1是表示包含本發明的實施方式的光學式位移傳感器的系統的結構的圖。 圖2是對圖1所示的光學式位移傳感器的結構進行說明的框圖。 圖3是對本發明的實施方式的曝光控制進行說明的波形圖。 圖4是用於對本發明的實施方式的曝光控制的應用例進行說明的圖。 圖5是用於對本發明的實施方式的曝光控制的其他應用例進行說明的圖。 圖6是表示圖5所示的系統的兩個光學式位移傳感器不使曝光時機同步時的、兩個光學式位移傳感器各自的曝光時機的圖。 圖7是表示將依據本發明的實施方式的曝光控制適用於圖5所記載的系統時的曝光時機的圖。 圖8是用於對兩個光學式位移傳感器進行工件的厚度測定時所產生的誤差進行說明的圖。 圖9是表示考慮到工件位置變動時的、依據本發明的實施方式的曝光控制的曝光時機的圖。
Claims (7)
- 一種光學式位移傳感器,包括: 投光部,對量測對象物進行投光; 受光部,接受來自所述量測對象物的反射光而生成受光數據; 處理部,基於所述受光數據來算出所述量測對象物的位移量; 輸入部,接收時間同步信號;以及 輸出部,輸出由所述處理部所算出的所述位移量, 所述處理部響應由所述輸入部所接收的所述時間同步信號,對曝光時間進行控制,所述曝光時間是由所述投光部對所述量測對象物進行投光的時間、與所述受光部接受所述反射光的時間的重合而定。
- 如申請專利範圍第1項所述的光學式位移傳感器,其中 所述處理部使所述曝光時間的開始時機與所述位移量的測定週期的開始時機一致。
- 如申請專利範圍第1項所述的光學式位移傳感器,其中 所述處理部使所述曝光時間的結束時機與所述位移量的測定週期的結束時機一致。
- 如申請專利範圍第1項所述的光學式位移傳感器,其中 所述處理部使所述曝光時間的中心時機與所述位移量的測定週期的中心時機一致。
- 如申請專利範圍第1項所述的光學式位移傳感器,其中 所述輸入部受理與所述曝光時間的控制相關的用戶設定, 所述處理部基於所述設定來選擇多個控制中的一個控制,所述多個控制包含第1控制、第2控制或第3控制中的至少兩個, 所述第1控制是使所述曝光時間的開始時機與所述位移量的測定週期的開始時機一致, 所述第2控制是使所述曝光時間的結束時機與所述測定週期的結束時機一致, 所述第3控制是使所述曝光時間的中心時機與所述測定週期的中心時機一致。
- 一種系統,包括: 至少一個如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的光學式位移傳感器;以及 控制設備,產生所述時間同步信號。
- 如申請專利範圍第6項所述的系統,其中 所述光學式位移傳感器包含第1光學式位移傳感器與第2光學式位移傳感器, 所述第1光學式位移傳感器的所述投光部及所述受光部是夾著所述量測對象物而與所述第2光學式位移傳感器的所述投光部及所述受光部相向配置, 所述第1光學式位移傳感器及所述第2光學式位移傳感器各自的所述處理部使所述曝光時間的中心時機與所述位移量的測定週期的中心時機一致。
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