TW201830037A - 晶粒點測設備 - Google Patents

Abstract

一種晶粒點測設備包括晶粒載台、加熱模組、感溫模組、收光模組以及點測模組。晶粒載台具有晶粒區以及測溫區，晶粒區具有至少二穿孔，適於放置晶粒。加熱模組位於晶粒區之外，用以對晶粒載台加熱。感溫模組感測晶粒載台的測溫區的溫度。收光模組設置於晶粒載台的上方，並接收晶粒所發出的光。點測模組設置於晶粒載台的下方，且穿過穿孔到晶粒的背面，並從晶粒的背面提供電訊號。

Description

晶粒點測設備

本發明是有關於一種晶粒點測設備，且特別是有關於一種具有個別配置於晶粒載台上的感溫模組的晶粒點測設備。

晶粒點測設備（prober）是一種用來檢測晶粒（例如LED晶粒或IC晶粒）的特性參數的測試設備。對於電極在背面的LED晶粒而言，可利用探針接觸晶粒背面的電極來提供電訊號，同時搭配收光器（例如積分球）來量測LED晶粒的光學特性參數。

然而，在目前一般的晶粒點測設備中，由於承載晶粒的晶粒載台上方已配置例如收光器及擋塊等多種元件。此外，晶粒載台的下方則已作為用來容置點測晶粒的相關元件的空間。因此，在一般晶粒點測設備的晶粒載台上或其周圍已無多餘且適當的空間來於配置溫度感測器。也因此，晶粒點測設備的各個晶粒載台的溫度無法有效地進行單獨的控制，而無法確保點測時的溫度正確，並使得晶粒載台的加熱器無法有效率且正確地進行加熱。

本發明提供一種晶粒點測設備，其可對各個晶粒載台單獨地進行溫度偵測，以提高各個晶粒載台的溫度量測的準確性。

本發明的一實施例的晶粒點測設備包括晶粒載台、加熱模組、感溫模組、收光模組以及點測模組。晶粒載台具有適於放置晶粒之晶粒區以及測溫區。加熱模組位於晶粒區之外，用以對晶粒載台加熱。感溫模組感測晶粒載台的測溫區的溫度。收光模組設置於晶粒載台的上方，並接收晶粒所發出的光。點測模組設置於晶粒載台的下方，並從晶粒的背面提供電訊號。

在本發明的一實施例中，上述測溫區鄰接晶粒區。收光模組位於晶粒區及測溫區的上方。點測模組設置於晶粒區的下方，感溫模組包括非接觸式感溫元件。非接觸式感溫元件設置在測溫區的下方，以感測測溫區的溫度。

在本發明的一實施例中，上述的晶粒載台具有組裝區。加熱模組固接於組裝區，且組裝區及測溫區位於晶粒區的二相鄰側邊。

在本發明的一實施例中，測溫區鄰接晶粒區。感溫模組包括接觸式感溫元件，接觸式感溫元件埋入晶粒載台的測溫區內，以感測晶粒載台的測溫區溫度。

在本發明的一實施例中，接觸式感溫元件係以無線感溫元件來體現。

在本發明的一實施例中，上述的晶粒載台的數量為多個且加熱模組的數量為多個。加熱模組分別加熱晶粒載台。在本發明的一實施例中，上述的晶粒點測設備還包括控制器。控制器耦接至加熱模組，並依照感溫模組所測得的溫度來控制加熱模組。

在本發明的一實施例中，上述的晶粒載台還包含加熱區，加熱區鄰接於晶粒區之側邊，而測溫區鄰接加熱區，加熱模組對加熱區加熱。

在本發明的一實施例中，上述的加熱模組具有加熱塊及加熱器，加熱塊係部分貼抵於晶粒載台之加熱區，加熱器對加熱塊加熱而間接地對晶粒載台的加熱區加熱。

在本發明的一實施例中，上述的晶粒載台的加熱區包含有第一加熱區以及第二加熱區，第一、二加熱區係分別位於該晶粒區之二相對側邊。上述的加熱模組的加熱塊包含有第一加熱片以及第二加熱片，第一、二加熱片分別貼抵於晶粒載台的第一、二加熱區。

在本發明的一實施例中，上述的感溫模組包括設置在測溫區的下方的非接觸式感溫元件，或者埋設於晶粒載台的測溫區內的接觸式感溫元件，以感測測溫區的溫度。

在本發明的一實施例中，上述晶粒載台還包含組裝區，加熱模組固接於組裝區，且組裝區及加熱區位於晶粒區的二相鄰側邊。

在本發明的一實施例中，上述的加熱模組對測溫區加熱。

在本發明的一實施例中，上述的加熱模組具有加熱塊及加熱器，加熱塊係部分貼抵於晶粒載台之測溫區，加熱器對加熱塊加熱而間接地對晶粒載台的測溫區加熱。

在本發明的一實施例中，感溫模組包括設置在測溫區的下方的非接觸式感溫元件，或者埋設於晶粒載台的測溫區內的接觸式感溫元件，以感測測溫區的溫度。

在本發明的一實施例中，上述的晶粒載台還包含組裝區，加熱模組固接於組裝區，且組裝區及測溫區位於晶粒區的二相鄰側邊。

基於上述，在本發明的多個實施例中，感溫模組可分別感測晶粒點測設備的各個晶粒載台的溫度，以增加晶粒載台的溫度量測的準確度。此外，收光模組可設置於晶粒載台的上方，並且接收放置於載台上的晶粒所發出的光，以防止光漏出。再者，點測模組可設置於晶粒載台的下方，以從晶粒的背面提供電訊號。在本發明的多個實施例中，感溫模組可在不影響上述元件的原本的設置位置的情形下進行設置。此外，配置於晶粒載台的上方及下方的元件的不會對感溫模組的溫度量測產生妨礙或干涉。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

請參考圖1A及圖1B，在本實施例中，晶粒點測設備100包括晶粒載台110、感溫模組120、收光模組130以及點測模組140。在本實施例中，晶粒載台110具有至少二個穿孔116（圖1B繪示兩個為例做說明），且晶粒載台110可用來放置晶粒50。感溫模組120可感測晶粒載台110的溫度。收光模組130設置於晶粒載台110的上方，且收光模組130可用來接收晶粒50所發出的光。點測模組140係可上下位移地設置於晶粒載台110的下方，藉此，點測模組140的探針（圖中未示）可穿過上述的穿孔116抵接晶粒50的背面50a，以從晶粒50的背面50a提供電訊號。

在本實施例中，晶粒點測設備100可包括多個晶粒載台110，各個晶粒載台110係藉由支撐臂（圖中未示）而連接至旋轉機構（圖中未示），藉此，各個晶粒載台110可被旋轉機構帶動而依序位移並停定於收光模組130與點測模組140之間以進行晶粒檢測。本實施例的圖1A及圖1B僅是示例性地繪示多個晶粒載台110的其中一個來做說明。晶粒點測設備100的晶粒載台110的配置數量可根據實際的應用需求來做適當的調整。

詳細而言，如圖1A及圖1B所示，在本實施例中，晶粒載台110可具有晶粒區112及測溫區114。晶粒區112可用來放置晶粒50，而測溫區114則是鄰近於晶粒區112。此外，上述的收光模組130位於晶粒區112及測溫區114的上方，而點測模組140則是可上下位移地設置於晶粒區112的下方。

晶粒載台110上另具有組裝區118，且組裝區118鄰近於晶粒區112，藉由螺栓119a以及螺栓孔119b，晶粒載台110可與諸如加熱模組之類的其他構件裝配（容後詳述）。

在本實施例中，上述的晶粒載台110的組裝區118及晶粒區112的整體形狀可排列為I字型，亦即呈線性排列。此外，晶粒載台110的組裝區118、晶粒區112以及測溫區114的整體形狀則排列例如是呈L字型或是T字型。舉例而言，晶粒載台110的測溫區114可配置於L字型或T字型載台的長端的延伸區域部分。在本實施例中，由於晶粒載台110除晶粒區112、組裝區118之外另具有測溫區114，使得感溫模組120可經由晶粒載台110的測溫區114來量測晶粒載台110的溫度。因此，感溫模組120在對晶粒載台110進行溫度量測時，不會受到位於晶粒區112上方的收光模組130、擋塊150、位於組裝區118周圍的組裝件（例如螺栓119a）以及位於晶粒載台110下方的點測模組140的妨礙或干涉。因此，本實施例的感溫模組120可在點測模組140對晶粒50進行點測的過程中，更為準確地對晶粒載台110的溫度進行量測。

相較於習知的技術內容，在本實施例中，由於每一個晶粒載台110上皆具另外設置測溫區114，並且測溫區114是獨立於用來進行點測的晶粒區112以及用來組裝其他構件的組裝區118之外，因此，每一個晶粒載台110的測溫區114上、其上方或其周圍皆具有可對應地設置感溫模組120的空間，以對各個晶粒載台110個別地進行溫度量測，使得感溫模組120的溫度量測結果可即時且準確地反映各個溫度載台110的實際溫度。同時，各個晶粒載台110的溫度也可個別地進行監控和調整。

在本實施例中，感溫模組120可使用（但不限於）諸如紅外線感測器（infrared sensor）之類的非接觸式感溫元件，且感溫模組120可設置於測溫區114的下方或是設置於測溫區114的周圍的位置上，以感測晶粒載台110的測溫區114的溫度。在本實施例中，晶粒載台110藉由外接的感溫模組120來有效地偵測、讀取並記錄晶粒載台110的測溫區114的溫度。此外，晶粒點測設備100可依各個感溫模組120所分別偵測到的晶粒載台110的溫度，來作為調整晶粒點測設備100的整體溫度、個別的晶粒載台110的溫度調整模式的依據。因此，晶粒點測設備100的各個晶粒載台110的溫度可更為準確地被偵測與調控，使得晶粒載台110的溫度更趨於穩定。

本實施例的感溫模組120的配置方式及位置可根據晶粒載台110的整體形狀及溫度量測的需求來進行適當的調整，本發明對此並不加以限制。舉例而言，感溫模組120可配置於上述的L字型或是T字型的晶粒載台110的長端延伸部分上、其上方或是其他周圍部分，以針對位於晶粒再台110的長端延伸部分的測溫區114的溫度進行量測。

請再參考圖1A，晶粒點測設備100可另外包括擋塊150，且擋塊150配置於晶粒載台110與收光模組130之間。在本實施例中，當晶粒50承載於晶粒載台110上以進行點測時，承載晶粒50的晶粒載台110的晶粒區112會與擋塊150接觸，以防止晶粒50所發出的光由其周圍漏出。因此，在本實施例中，擋塊150阻擋晶粒50所發出的光向外漏出，使得收光模組130可將晶粒50的所發出的光收集於其中，以檢測晶粒50的光學特性。

如圖1A所示。在本實施例中，晶粒點測設備100還可包括加熱模組180及控制器190。在本實施例中，加熱模組180可用來加熱晶粒載台110。在本實施例中，多個加熱模組180可分別對應地配置於上述晶粒點測設備100的多個晶粒載台110遠離其晶粒區112的位置上。此外，控制器190可分別耦接至加熱模組180，並且控制器190可依照感溫模組120所測得的溫度來控制加熱模組180對於晶粒載台110的加熱模式。一般而言，加熱模組180放置的區域並不限制在晶粒區112或是測溫區114，加熱模組180只要配置在感溫模組120可以即時量測晶粒載台110的溫度的區域即可。在本實施例中，加熱模組180係放置在測溫區114，位於晶粒區112之外，並且靠近感溫模組120。

除此之外，如圖1B所示，晶粒載台110具有真空通道115、115’在晶粒區112內，並且鄰近於穿孔116。真空通道115、115’將晶粒區112連通至真空源170，以將晶粒50穩固地吸附在晶粒區112上並覆蓋穿孔116，使得點測模組140的探針可穿過穿孔116來對吸附在晶粒區112上的晶粒50進行點測。舉例而言，多個獨立的真空電磁閥及氣壓電磁閥（未繪示）可配置於真空通道115、115’與真空源170之間，以獨立地控制各晶粒載台110的真空通道115、115’內的真空開啟與關閉。

圖2是依照本發明的另一實施例的晶粒點測設備的示意圖。本實施例與上述的圖1的實施例相似，因此，相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，並且不再重複說明。本實施例與圖1的實施例的相異之處在於：本實施例的晶粒點測設備200的感溫模組220可直接埋設於晶粒載台210中。

在本實施例中，感溫模組220可使用（但不限於）諸如熱敏電阻（thermally sensitive resistance）、熱電偶（thermocouple）、電阻式溫度檢測計（resistance temperature detector）之類的接觸式無線感溫元件。此外，在晶粒點測設備200的點測模組140進行點測的過程中，感溫模組220可將晶粒載台210的溫度量測結果，以無線的方式傳輸至上述的控制器190。控制器190可根據感溫模組220所偵測到的晶粒載台210的溫度，來控制並調整加熱模組180的加熱模式，進而控制並調整晶粒載台210的溫度，以使晶粒載台210的溫度及其加熱過程趨於穩定。控制器190的數量為至少一個，可依照加熱模組180的數量一對一配置或者一對多配置控制並調整加熱模組180。

本實施例的感溫模組220是直接埋設於晶粒載台210的測溫區110中。相較於將感溫模組220配置於晶粒載台210周圍的溫度量測方式，感溫模組220可直接接觸晶粒載台210，以獲得更準確的量測結果。此外，由於感溫模組220是直接埋設於晶粒載台210中，因此，晶粒點測設備100內無須額外預留其他的空間來容置感溫模組220。也因此，晶粒點測設備100內的元件配置空間可獲得更有效的利用。

舉例而言，本實施例的晶粒載台210也如同上述的晶粒載台110為L字型或是T字型載台。因此，感溫模組220可埋設於位於L字型或T字形載台的長端延伸部分的測溫區114中。因此，當感測模組220偵測晶粒載台210的溫度時，不會受到其他構件例如收光模組130或是點測模組140的妨礙或干涉。此外，由於感溫模組220對應地埋設於各個晶粒載台210中，可解決感溫模組220無法個別地配置於晶粒點測設備200的晶粒載台210並對其單獨地進行溫度量測的問題。

進一步而言，由於感溫模組220為無線感溫元件，其可利用無線的傳輸方式將晶粒載台210的溫度感測結果傳送至上述的控制器190。舉例來說，感溫模組220與控制器190可以是無線射頻辨識系統（RFID），並可藉由感溫模組220內部的溫度感測單元（未繪示）對晶粒載台210進行溫度感測後，再藉由例如是無線發射單元（未繪示）將感溫模組220的溫度感測結果傳輸到控制器190。因此，感溫模組220與控制器190之間無須再額外配置連接線材來傳遞訊號，以進一步減少感溫模組220所需的配置空間，並且避免感溫模組220與其他元件在配置位置上彼此互相干涉。

圖3至圖7繪製了本發明的再一實施例的晶粒點測設備300的晶粒載台310、感溫模組320和加熱模組380彼此之間的組配關係。本實施例與上述的圖1及圖2的實施例相似，因此，相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，並且不再重複說明。

本實施例中，晶粒載台310配置有晶粒區312、加熱區313以及組裝區318，其次，晶粒載台310內部設有連通至晶粒區312的穿孔316附近的真空通道315（請參閱圖4），真空通道315延伸至組裝區318並銜接一管路配接頭317，藉由管路配接頭317與配接管路（未繪示），使得真空通道315可以連通至真空源（未繪示），藉此，可將晶粒穩固地吸附在晶粒區312上並覆蓋穿孔316，使得點測模組的探針可穿過穿孔316來對吸附在晶粒區312上的晶粒進行點測。在本實施例中，組裝區318配置成鄰接晶粒區312而晶粒區312鄰接加熱區313之態樣。詳而言之，加熱區313有位於晶粒區312二相對側邊的第一加熱區313a以及第二加熱區313b，而組裝區318與第一、二加熱區313a、313b則分別位在晶粒區312的二相鄰側邊位置而被晶粒區312隔開，藉此空間配置，晶粒載台310可以利用組裝區318而與加熱模組380組裝，利用加熱模組380對晶粒載台310的加熱區313進行加熱，而於晶粒區312進行晶粒檢測。

請再參閱圖3至圖7，加熱模組380係設置於晶粒載台310的晶粒區312之外，主要包含有底座382、加熱器固定座384、加熱器386及加熱塊388。底座382可由諸如玻璃纖維、石棉之類的隔熱材料（thermal insulation material）製成或以金屬材料包覆隔熱材料製成，用以支撐其他構件並固定於連接於旋轉機構的支撐臂上，使得加熱模組380、感溫模組320以及晶粒載台310可以被旋轉機構帶動而旋轉位移至收光模組與點測模組之間以進行晶粒檢測。

加熱器固定座384可由導熱性良好的金屬材質製成，並藉由諸如螺栓之類的固定元件固定在底座382上，頂面設有容置槽384a。

加熱器386可使用（但不限於）諸如電阻式、陶瓷加熱片之類的電加熱器，加熱器386嵌置固定於加熱器固定座384的容置槽384a中，並電性連接至控制器（未繪示）。

加熱塊388係由具有高熱傳導係數的金屬（例如銅）所製成。加熱塊388具有本體388a以及自本體388a一側邊向上並向外水平延伸的加熱片388b，在此實施例中，加熱片388b具有二個間隔設置的第一加熱片388c及第二加熱片388d，本體388a的頂面388e藉由諸如螺栓之類的固定元件鎖固於晶粒載台310的組裝區318的底部，使得第一、二加熱片388c、388d分別貼抵住晶粒載台310的第一、二加熱區313a、313b。此外，藉由諸如螺栓之類的固定元件，加熱器固定座384鎖固於本體388a的底面388f，致使加熱器386的頂面386a可貼抵於本體388a的底面388f，藉此，透過加熱塊388的本體388a、加熱片388b（第一、二加熱片388c、388d）以及晶粒載台310的加熱區313（第一、二加熱區313a、313b）的熱傳導，加熱器386可對晶粒載台310的晶粒區312間接加熱。再者，本體388a內部設有安裝孔388g。

本實施例中，感溫模組320可使用（但不限於）諸如熱敏電阻、熱電偶、電阻式溫度檢測計之類的有線感溫元件。感溫模組320直接嵌設於加熱塊388本體388a的安裝孔388g中並電性連接於控制器（未繪示），以直接量測加熱塊388的溫度。由於加熱塊388具有高熱傳導係數，而且貼抵於第一、二加熱區313a、313b的第一、二加熱片388c、388d係環繞設置在晶粒區312的二相對側邊，因此感溫模組320所量測的加熱塊388的溫度實際上與晶粒區312的溫度不致有太大的落差，而且，縱使有溫度落差亦可利用實際實驗數值進行補償校正，因此仍可準確的量測到晶粒區312的溫度，以作為控制器控制加熱模組380的依據。由於感溫模組320是直接埋設於加熱塊388中，因此晶粒點測設備300內無須額外預留其他的空間來容置感溫模組320，使得晶粒點測設備300內的元件配置空間可獲得更有效的利用。此外，由於感溫模組320對應地埋設於各個固定於晶粒載台310的加熱塊388中，可解決習用感溫模組無法個別配置對各個晶粒載台單獨地進行溫度量測的問題。

在此必須說明的是，感溫模組320的設置位置以及種類並不以此實施例所揭露者為限，其可採用前述實施例所揭露的感溫模組120、220的種類以及設置位置，搭配本實施例所揭露的晶粒載台310和加熱模組380使用。例如，如圖8及圖9所揭露的本發明另二實施例所示，晶粒載台310可於鄰接加熱區313的第一加熱區313a的位置配置測溫區314，而利用圖1或圖2所揭露的實施例的方式，將感溫模組320（例如紅外線感測器之類的非接觸式感溫元件）配置該測溫區314附近，例如測溫區314的正下方（如圖8所示），或者將感溫模組320（例如熱敏電阻、熱電偶、電阻式溫度檢測計之類的有線或無線的接觸式感溫元件）直接埋設在測溫區314內部（如圖9所示），如此，可有效地偵測、讀取並記錄晶粒載台310的測溫區314的溫度，以作為調整晶粒點測設備300的整體溫度、個別的晶粒載台310的溫度調整模式的依據，而同樣能達本發明的目的。其次，在另一可行的實施態樣中，前述測溫區314與加熱區313可以重疊。再者，在另一可行的實施態樣中，直接以加熱區313的第一加熱區313a作為測溫區314，此時，使測溫區314的位置得以更加地靠近晶粒區312，在此實施例中，加熱模組380係對作為測溫區314的加熱區313加熱，並可將非接觸式感溫元件設置在該加熱區313（亦即測溫區314）下方或附近，或者將有線或無線的接觸式感溫元件埋入晶粒載台310內靠近加熱區313（亦即測溫區314）的位置或直接埋入加熱區313（測溫區314）內，而直接感測該加熱區313（亦即測溫區314）的溫度。換言之，晶粒載台310可以配置成組裝區318與加熱區313且/或測溫區314分別位於晶粒區312的二相鄰側邊位置的態樣，以有效的利用空間來設置感溫模組320以及加熱模組380。

此外，必須說明的是，圖1B中用虛線所表示的晶粒區112與圖3及圖7至圖9中用虛線所表示的晶粒區312，僅是為方便說明並與其他諸如組裝區、加熱區、測溫區等區域做區隔而示意性地繪製，其形狀及大小並非以圖式中所示者為限。實質上，本發明實施例及申請專利範圍中所描述的晶粒區，主要是指晶粒載台上用以搭載晶粒的區域，例如大致上等同於圖1B中用以搭載晶粒50的區域。而在本發明另一可行的實施例中，晶粒區除了前述晶粒載台上用以搭載晶粒的區域之外，更可涵蓋晶粒載台上實質上對應著點測模組中可朝著晶粒載台上、下移動的元件的區域，例如大致上等同於圖1B中所示的晶粒區112，或圖3及圖7至圖9中所示的晶粒區312。

綜上所述，由於習用晶粒點測設備中，晶粒載台上、下方的空間已經分別設置有收光模組和點測模組，很難再有空間配置其他元件，然而，利用本發明所提供的技術特徵可以解決前述問題。亦即，藉由設置在晶粒載台的晶粒區外部的加熱模組直接或間接地對晶粒載台加熱，並在晶粒載台上配置鄰近晶粒區的測溫區，如此一來，如同本發明的多個實施例所示，晶粒點測設備的各個晶粒載台上、中或其周圍，特別是在晶粒載台鄰近其晶粒區的測溫區的上方、下方、內部或其周圍，可以提供足夠的空間配置感溫模組，並藉由感溫模組量測晶粒載台的測溫區的溫度，使得各晶粒載台的溫度可有效且準確地被量測。因此，晶粒點測設備可確保各晶粒載台及其所承載的晶粒於點測過程中的量測溫度得正確性。此外，加熱模組可根據由感溫模組由各晶粒載台所量測到的溫度來對晶粒載台進行個別的加熱及溫度調節，使各晶粒載台的溫度及加熱模式更趨於穩定。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

50‧‧‧晶粒

50a‧‧‧背面

100、200、300‧‧‧晶粒點測設備

110、210、310‧‧‧晶粒載台

112、312‧‧‧晶粒區

114、314‧‧‧測溫區

115、115’、315‧‧‧真空通道

116、316‧‧‧穿孔

118、318‧‧‧組裝區

119a‧‧‧螺栓

119b‧‧‧螺栓孔

120、220、320‧‧‧感溫模組

30‧‧‧收光模組

140‧‧‧點測模組

150‧‧‧擋塊

170‧‧‧真空源

180、380‧‧‧加熱模組

190‧‧‧控制器

313‧‧‧加熱區

313a‧‧‧第一加熱區

313b‧‧‧第二加熱區

317‧‧‧管路配接頭

382‧‧‧底座

384‧‧‧加熱器固定座

384a‧‧‧容置槽

386‧‧‧加熱器

386a‧‧‧頂面

388‧‧‧加熱塊

388a‧‧‧本體

388b‧‧‧加熱片

388c‧‧‧第一加熱片

388d‧‧‧第二加熱片

388e‧‧‧頂面

388f‧‧‧底面

388g‧‧‧安裝孔

圖1A是依照本發明的一實施例的晶粒點測設備的示意圖。 圖1B是圖1A的晶粒點測設備的晶粒載台的俯視示意圖。 圖2是依照本發明的另一實施例的晶粒點測設備的示意圖。 圖3是依照本發明的再一實施例的晶粒點測設備的晶粒載台、感溫模組以及加熱模組從頂部方向觀視之立體組合圖。 圖4是圖3所示的晶粒點測設備的立體分解圖。 圖5是圖3所示的晶粒點測設備從底部方向觀視之立體組合圖。 圖6是圖5所示的晶粒點測設備的立體分解圖。 圖7是圖3所示的晶粒點測設備的頂視圖。 圖8是依照本發明的又一實施例的晶粒點測設備的晶粒載台、感溫模組以及加熱模組從頂部方向觀視之立體組合圖。 圖9是依照本發明的更一實施例的晶粒點測設備的晶粒載台、感溫模組以及加熱模組從頂部方向觀視之立體組合圖。

Claims (15)

1. 一種晶粒點測設備，包括： 一晶粒載台，具有一晶粒區以及一測溫區，該晶粒區具有至少二穿孔，適於放置一晶粒； 一加熱模組，位於該晶粒載台的晶粒區之外，用以對該晶粒載台加熱； 一感溫模組，感測該晶粒載台的測溫區的溫度； 一收光模組，設置於該晶粒載台的上方，並接收該晶粒所發出的光；以及 一點測模組，設置於該晶粒載台的下方，且穿過該至少二穿孔到該晶粒的一背面，並從該背面提供電訊號。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒點測設備，其中該測溫區鄰接該晶粒區，該收光模組位於該晶粒區及該測溫區的上方，該點測模組設置於該晶粒區的下方，該感溫模組包括一非接觸式感溫元件，該非接觸式感溫元件設置在該測溫區的下方，以感測該測溫區的溫度。
3. 如申請專利範圍第2項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台具有一組裝區，該加熱模組固接於該組裝區，且該組裝區及該測溫區位於該晶粒區的二相鄰側邊。
4. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒點測設備，其中該測溫區鄰接該晶粒區；該感溫模組包括一接觸式感溫元件，該接觸式感溫元件埋入該晶粒載台的測溫區內，以感測該晶粒載台的測溫區溫度。
5. 如申請專利範圍第4項所述的晶粒點測設備，其中該接觸式感溫元件係為一無線感溫元件。
6. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台的數量為多個，該加熱模組的數量為多個，且所述多個加熱模組分別加熱所述多個晶粒載台，該晶粒點測設備更包含至少一控制器，該至少一控制器耦接至所述多個加熱模組，並依照該感溫模組所測得的溫度來控制所述多個加熱模組。
7. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台更包含有一加熱區，該加熱區鄰接於該晶粒區之一側邊，而該測溫區鄰接該加熱區，該加熱模組對該加熱區加熱。
8. 如申請專利範圍第7項所述的晶粒點測設備，其中該加熱模組具有一加熱塊及一加熱器，該加熱塊係部分貼抵於該晶粒載台之加熱區，該加熱器對該加熱塊加熱而間接地對該晶粒載台的加熱區加熱。
9. 如申請專利範圍第8項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台的加熱區包含有一第一加熱區以及一第二加熱區，該第一、二加熱區係分別位於該晶粒區之二相對側邊；其中加熱模組的加熱塊包含有一第一加熱片以及一第二加熱片，該第一、二加熱片分別貼抵於該晶粒載台的第一、二加熱區。
10. 如申請專利範圍第7至9項其中任一項所述的晶粒點測設備，其中該感溫模組包括一設置在該測溫區的下方的非接觸式感溫元件或者一埋設於該晶粒載台的測溫區內的接觸式感溫元件，以感測該測溫區的溫度。
11. 如申請專利範圍第7至9項其中任一項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台更包含有一組裝區，該加熱模組固接於該組裝區，且該組裝區及該加熱區位於該晶粒區的二相鄰側邊。
12. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒點測設備，其中該加熱模組對該測溫區加熱。
13. 如申請專利範圍第12項所述的晶粒點測設備，其中該加熱模組具有一加熱塊及一加熱器，該加熱塊係部分貼抵於該晶粒載台之測溫區，該加熱器對該加熱塊加熱而間接地對該晶粒載台的測溫區加熱。
14. 如申請專利範圍第12至13項其中任一項所述的晶粒點測設備，其中該感溫模組包括一設置在該測溫區的下方的非接觸式感溫元件或者一埋設於該晶粒載台的測溫區內的接觸式感溫元件，以感測該測溫區的溫度。
15. 如申請專利範圍第12至13項其中任一項所述的晶粒點測設備，其中該晶粒載台更包含有一組裝區，該加熱模組固接於該組裝區，且該組裝區及該測溫區位於該晶粒區的二相鄰側邊。