TW201826171A - 用於積體電路裸片的自對準的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本公開描述了用於自對準積體電路(IC)裸片的裝置和技術。在一些方面中，在基板表面上形成疏水材料的圖案。該圖案可以暴露基板表面的用於放置IC裸片的區域。然後，將水基溶液施加到該區域，使得液滴形成在基板表面的暴露區域上。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，這使得IC裸片與基板表面的暴露區域對準。然後使液滴蒸發，使得經對準的IC裸片安置在基板表面的暴露區域上。

Description

用於積體電路裸片的自對準的方法和裝置 【相關申請的交叉引用】
本公開內容要求於2016年9月6日提交的美國臨時專利申請No.62/383,921的優先權，其全部內容通過引用併入本文。
本發明關於一種用於積體電路裸片的自對準的方法和裝置
本文提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的環境的目的。除非另有說明，否則本章節中描述的方法不是本公開的申請專利範圍的現有技術，並且不由於被包含在本章節中而承認是現有技術。
在大多數晶片製造工藝期間，積體電路(IC)裸片從矽晶圓被單片化(例如，被分離)並且被安裝到裸片載體以用於後續處理。然而，將IC裸片安裝到裸片載體常常需要高精度級別以確保裸片相對於彼此或裸片載體本身的正確放置。典型的IC裸片安裝設備和機器依賴於機械能力來實現這種裸片放置精度級別。由於這種對機械能力的依賴性，其時常是緩慢而耗時的，所以這些IC裸片安裝設備和機器就填充裸片載體而言具有低輸送量。這些機器的低輸送量不僅減慢了晶片製造，而且由於每個IC裸片在裸片安裝機器和相關設備中花費的延長的時間量也增加了與每個晶片相關聯的製造成本。
提供本發明內容以用於介紹在具體實施方式和附圖中進一步描述的主題。因此，本發明內容不應被視為描述基本特徵，也不應用來限制所要求保護的主題的範圍。
在一些方面中，描述了一種在基板表面上形成疏水材料的圖案的方法。該圖案可以被配置或預定義成暴露基板表面以用於積體電路(IC)裸片放置的區域。將水基溶液施加到該區域，使得液滴形成在基板表面的暴露區域上。該方法將IC裸片放置在水基溶液的液滴上，這可能致使IC裸片與基板表面的暴露區域對準。然後，使液滴蒸發，使得IC裸片安置於基板表面的暴露區域上。
在其他方面中，描述了一種包括支撐IC裸片載體的固定件(fixture)的裝置。該裝置的第一模組被配置成在IC裸片載體的表面上形成疏水材料的圖案，其暴露IC裸片載體的表面的親水區域。第二模組被配置成將水基溶液的液滴施加到IC裸片載體的表面的親水區域，以及第三模組被配置成將IC裸片放置在水基溶液的液滴上。該裝置的第四模組被配置成加熱IC裸片載體以有效地使水基溶液的液滴蒸發，使得IC裸片安置在IC裸片載體的表面的暴露區域上。
在其它方面，描述了一種在IC裸片載體的黏合劑層上形成疏水材料的圖案的方法。該圖案可以定義用於接收IC裸片的黏合劑層的區域，黏合劑層是親水的。將水施加到黏合劑層的定義區域，使得水的液滴形成在IC載體的黏合劑層的定義區域上。該方法將IC裸片放置在水滴上，使得液滴的表面張力將IC裸片與IC載體的黏合劑層的定義區域對準。然後，IC裸片載體和水滴被加熱以有效地使水滴蒸發並且使對準的IC裸片安 置在IC載體的黏合劑層的定義區域上。
在附圖和以下描述中闡述了一個或多個實現的細節。其他特徵和優點將從描述和附圖以及從申請專利範圍書中變得顯而易見。
100‧‧‧操作環境
102‧‧‧裸片接合設備
104‧‧‧矽晶圓
106‧‧‧基板
108‧‧‧處理器
110‧‧‧電腦可讀存儲介質
112‧‧‧裸片對準器
114‧‧‧機械系統
116‧‧‧疏水材料模組
118‧‧‧液體施加器
120‧‧‧熱控制器
200‧‧‧位置
202‧‧‧基板
204‧‧‧疏水材料
206‧‧‧基板
400‧‧‧位置
402‧‧‧位置
404‧‧‧基板
406‧‧‧釋放層
408‧‧‧黏合劑層
410‧‧‧位置
412-1‧‧‧區域
412-2‧‧‧區域
412-3‧‧‧區域
414-1‧‧‧區域
414-2‧‧‧區域
416‧‧‧位置
418-1‧‧‧液滴
418-2‧‧‧液滴
420‧‧‧位置
422-1‧‧‧IC裸片
422-2‧‧‧IC裸片
500‧‧‧位置
502‧‧‧位置
504‧‧‧位置
506‧‧‧位置
508‧‧‧位置
600‧‧‧方法
602‧‧‧位置
604‧‧‧位置
606‧‧‧位置
608‧‧‧位置
610‧‧‧位置
700‧‧‧位置
702‧‧‧例
704‧‧‧IC裸片
706‧‧‧位置
800‧‧‧位置
802‧‧‧位置
804‧‧‧位置
806‧‧‧位置
900‧‧‧示例性片上系統(SoC)
902‧‧‧IC裸片
904‧‧‧邏輯控制
906‧‧‧微處理器
908‧‧‧記憶體
910‧‧‧固件
在附圖和下面的詳細描述中闡述了用於實現積體電路裸片的自對準的一個或多個方面的細節。在附圖中，附圖標記的最左邊的數位表示該附圖標記首次出現的附圖。在描述和附圖中在不同情況中使用相同的附圖標記可以表示相似元件：圖1圖示了包括積體電路(IC)裸片接合設備的示例操作環境。
圖2圖示了根據一個或多個方面的基板和疏水材料層的示例。
圖3圖示了用於實現自對準IC裸片的示例方法。
圖4圖示了根據一個或多個方面配置的示例基板的橫截面。
圖5圖示了其上駐留液滴並且放置裸片的示例基板的橫截面。
圖6圖示了使用水滴使IC裸片與IC裸片載體自對準的示例方法。
圖7圖示了具有疏水材料層的基板和該基板上的IC裸片的自對準放置的示例。
圖8圖示了根據一個或多個方面的將自對準的IC裸片安置到基板上的示例。
圖9圖示了可以用IC裸片來實現的示例的片上系統(SoC)。
用於在扇出封裝中重構的常規技術通常依賴於裸片接合設備的機械能力來實現必需的精度級別。通過回顧的方式，用於在晶圓或面板級進行扇出封裝的重構工藝涉及從矽晶圓單片化積體電路(IC)裸片和通過將裸片以較低密度放置在基板上對其進行重構。在一些情況下，每個裸片增加的基板面積使得裸片尺寸收縮，同時實現了通過基板、載體或裸片封裝的相同或更多數量的互連。如上所述，用於重構的常規技術依賴於裸片處置機械的機械能力以確保在重構工藝期間裸片的高精度放置。然而，這些依賴機械的裸片接合機器是緩慢的並且具有低輸送量，這又增加了與每個IC裸片相關聯的製造時間和成本。
本公開描述了用於IC裸片的自對準的技術和裝置。在一些方面中，在基板的表面上形成疏水材料的圖案。該圖案可以暴露基板表面的區域以放置IC裸片。然後將水基溶液施加到該區域，使得水基溶液的液滴形成在基板表面的暴露區域上。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，這可以使IC裸片與基板表面的暴露區域(例如，通過表面張力)對準。然後使液滴蒸發，使得IC裸片安置在基板表面的暴露區域上。通過這樣做，可以高精度地將多個IC裸片同時對準並且安置到基板表面的預定區域上，從而增加重構工藝的輸送量。輸送量的這種增加也減少了與IC裸片相關聯的製造時間和成本，這又可以降低IC裸片後來被嵌入其中的晶片或器件的整體成本。
以下討論描述了操作環境、可以在該操作環境中採用技術， 以及可以在其中嵌入該操作環境的部件的片上系統(SoC)。在本公開的背景中，僅通過示例的方式來參考操作環境。
操作環境
圖1圖示了根據一個或多個方面的示例操作環境100，其包括示例裸片接合設備102。在該特定示例中，裸片接合設備102被配置成實現扇出晶圓或面板級的封裝工藝。在一些情況下，作為重構工藝的一部分，裸片接合設備102將積體電路(IC)裸片接合到基板或IC裸片載體。用於扇出封裝的重構工藝可以包括從矽晶圓104分離(例如，單片化)IC裸片，並通過將它們以較低密度放置在基板106上(例如，經重構的晶圓)來進行重構。通常，晶圓或面板級的重構工藝增加了每個裸片的基板區域的量，這可以實現針對IC裸片或其它先進的晶片封裝技術的增加的互連密度。
裸片接合設備102被配置成實現用於晶圓級或板級封裝的各種操作或工藝。例如，裸片接合設備102可以包括用於實現拾取和放置、化學氣相沉積、模制、模版印刷、球柵放置、單片化、檢查、測試、包裝等的模組。裸片接合設備102還可以能夠處理或處置各種晶圓面板、面板基板、IC裸片載體等。在一些情況下，裸片接合設備被配置成處理直徑達12英寸的晶圓基板或尺寸達330毫米×330毫米的面板基板。
裸片接合設備102包括處理器108和電腦可讀存儲介質110。處理器108可以是用於執行裸片接合設備102的作業系統或應用的指令或命令的任何合適類型的單核或多核的處理器。電腦可讀存儲介質110(CRM 110)包括揮發性記憶體和非揮發性記憶體，用於存儲裸片接合設備102的各種資料和指令。在本公開的上下文中，CRM 110被實現作為存儲介質， 並且因此不包括瞬態信號或載波。
裸片接合設備102的CRM 110包括裸片對準器112和其它各種裸片處理演算法和應用(未示出)。裸片對準器112可以被實現來管理或控制裸片接合設備102的其他模組。裸片處理演算法和應用可以由處理器108執行以實現裸片接合設備102的各種功能，比如本文所描述的那些功能。在一些情況下，裸片接合設備102包括顯示器，裸片接合設備102的應用和使用者介面通過該顯示器呈現或可訪問。裸片對準器112的實現和使用是變化的，並且在整個公開內容中被描述。
裸片接合設備102包括機械系統114和疏水材料模組116。機械系統114可以包括被配置成支撐晶圓或面板基板的工作表面或固定件。在一些情況下，機械系統114包括實現裸片接合設備102的拾取和放置功能的子系統，比如用於將IC裸片或裸片附接部件放置在基板上的鉸接臂或元件。疏水材料模組116能夠將疏水材料形成或施加到晶圓或面板基板。替換地或另外地，疏水材料模組116可以被配置成提供任何合適厚度的疏水材料層，比如大約1微米至20微米。機械系統114和疏水材料模組116的實現和使用是變化的，並且在整個公開內容中被描述。
裸片接合設備102還包括液體施加器118和熱控制器120。液體施加器118能夠將液體施加或放置在基板或IC裸片載體上。液體施加器118可以施加或滴塗任何合適類型的液體或流體，比如水、水基溶液、基於醇的溶液等。在一些情況下，由液體施加器118施加的液體在裸片接合設備102的工作溫度範圍內是可相變的或蒸發的。熱控制器120可以控制或更改裸片接合設備102的工作區域的溫度。熱控制器120可以被配置成實現任何 合適的溫度演算法或分佈，比如增加裸片接合設備102內的溫度以使液體蒸發。液體施加器118和熱控制器120的實現和使用是變化的，並且在整個公開內容中被描述。
圖2在200處圖示了根據一個或多個方面的基板和疏水材料層的示例。在該特定示例中，基板202被配置成大致為圓形的矽晶圓。雖然被稱為基板，但是基板202也可以被配置成部件載體、裸片附接基板、IC裸片載體等。替換地或另外地，基板可以被實現為面板或用諸如黏合劑層、釋放層、玻璃、金屬或複合物的其他材料來實現。
在一些方面中，疏水材料模組116在基板202的表面上形成疏水材料層204。疏水材料層204可以以預定義圖案被施加，預定義圖案定義了用於IC裸片放置的基板的區域或位置。如在206處所示，疏水材料204的這種圖案或層可以類似於格柵狀或華夫餅結構，其包括用於接收IC裸片的空腔。在一些情況下，疏水材料204的空腔是非圓形的，使得空腔的邊緣或角有利於對準或定向IC裸片。將疏水材料204施加到基板202對於提供被配置成實現IC裸片或其它裸片附接部件的自對準的基板可以是有效的。在整個公開內容中更詳細地描述了用於實現積體電路裸片的自對準的這些和其它方面。
用於積體電路裸片的自對準的技術
下面的討論描述了用於積體電路(IC)裸片的自對準的技術。可以使用本文所述的任何環境和實體來實現這些技術，比如裸片對準器112、疏水材料模組116、液體施加器118和/或熱控制器120。這些技術包括在圖3和圖6中圖示的若干方法，其每一種方法被示為由一個或多個實體 執行的一組操作。這些方法不一定限於所示操作的順序。相反，可以重複、跳過、替代或重新排序這些操作中的任意一個以實現本文所述的各種方面。此外，這些方法可以全部或部分地彼此結合使用，無論是由同一實體、單獨的實體或其任何組合執行。在以下討論的一部分中，將通過示例的方式參考圖1的操作環境100和圖2的實體。這種參考不應被認為是對操作環境100的限制性描述的方面，而是應作為各種示例之一的說明。
圖3描繪了用於實現自對準IC裸片的示例方法300，包括由裸片對準器112、疏水材料模組116、液體施加器118和/或熱控制器120執行的操作。
在302處，疏水材料被以一種圖案形成在基板表面上。該圖案可以被配置成暴露或定義基板表面的用於放置IC裸片的區域。因此，這些區域可以基本上是矩形或方形，或者被配置成近似IC裸片的覆蓋區(footprint)。另外，疏水材料可以被形成為任何合適的厚度，比如5微米至15微米。在一些情況下，疏水材料包括氮化矽、氧化矽、聚醯亞胺等。疏水材料的圖案可以使用任何合適的操作(例如掩蔽、蝕刻、氧化、化學氣相沉積(例如，低壓化學氣相沉積(LPCVD)或其組合)被形成或沉積在基板上。
其上形成了疏水材料的圖案的基板可以被配置作為由矽、玻璃、金屬等形成的晶圓或面板。在一些情況下，基板的表面包括釋放材料層或黏合劑材料層，這可以實現IC裸片的接合。替換地或另外地，基板的表面可以是親水性的，使得水或水基溶液被吸引到基板的表面(或駐留其上的黏合劑層)。
通過舉例的方式考慮圖4，其圖示了在400處被配置用於IC裸片的自對準若干方面的示例基板的橫截面。基板的示例配置在402處被示出，其包括基板404、釋放層406和黏合劑層408。這裡，假設基板404由裸片接合設備102的機械固定裝置支撐，並且將被用作針對用於扇出晶圓級封裝的重構工藝的IC裸片載體。在該特定示例中，基板404由玻璃形成，而黏合劑層408由親水材料形成。在方法300的上下文中並且如在410處所示，裸片對準器112可以控制疏水材料模組116以在基板404的黏合劑層408上形成疏水材料的圖案412。疏水材料的圖案412包括區域412-1、412-2和412-3，其暴露用於IC裸片放置的黏合劑層408的區域414-1和414-2。
在304處，將水基溶液施加到基板的暴露區域，使得水基溶液的液滴形成在暴露區域上。雖然被稱為水基溶液，但水基溶液可以包括水或水和其它化學物質的混合物，比如那些有利於將IC裸片接合到基板上或更改溶液沸點的混合物。水基溶液可以被噴塗、霧化或直接施加到基板表面的暴露區域。水基溶液或液滴可以被施加為任何合適的厚度，例如約5微米至30微米。在一些情況下，基板表面上的疏水材料的圖案使得水基溶液聚結或合併在暴露區域上。替換地或另外地，由於水基溶液的表面張力，液滴可以形成在暴露區域上。
在本實施例的上下文中並且如在416處所示，裸片對準器112控制液體施加器118以將水基溶液418施加到基板404的區域414。具體地，水基溶液的液滴418-1形成在黏合劑層的區域414-1上，而水基溶液的液滴418形成在親水的黏合劑層的區域414-2上。這裡注意，水基溶液的表面張力允許溶液在稍高於疏水材料的相鄰部分的高度處在相應區域中形成液滴。
在306處，IC裸片被放置在駐留於基板表面的暴露區域上的水基溶液的液滴上。下覆的基板的幾何形狀可以經由疏水材料的圖案來配置，使得液滴的幾何形狀近似IC裸片的覆蓋區。在一些情況下，水基溶液的表面張力也可以通過疏水性支持IC裸片，或使IC裸片與液滴下方的黏合劑層或基板的暴露區域對準。因此，IC裸片可以用比傳統IC放置技術低的放置精度來放置，因為液滴的表面張力可用於拉住IC裸片或將IC裸片與基板的暴露區域或目的地區域對準。可以經由裸片處理或接合設備的任何合適的系統(比如拾取和放置系統)將裸片放置在液滴上。
繼續正在進行中的示例並且如在420處所示，裸片對準器112使用裸片接合設備102的機械系統114將IC裸片422-1和422-2分別放置在水基溶液的液滴418-1和418-2上。因為水基溶液的液滴418-1和418-2的表面張力將拉住IC裸片422-1和422-2或將其與黏合劑層408的暴露區域414-1和414-2對準，所以IC裸片的放置與傳統技術相比可以不那麼精確，因此比傳統的機械放置系統更快。接下來考慮圖5，其在500處圖示了基板404和IC裸片422-1和422-2的附加橫截面。如在502處所示，水基溶液的液滴418-1和418-2的表面張力支撐IC裸片422-1和422-2。此外，暴露區域414-1和414-2的幾何形狀以及表面張力使IC裸片422-1和422-2與由疏水材料412暴露或定義的區域414-1和414-2自對準。
在308處，使水基溶液的液滴蒸發。這可以有效地使IC裸片安置在黏合劑材料層或基板表面的暴露區域上。在一些情況下，通過向基板和水基溶液的液滴施加熱量或提高其溫度，使水基溶液蒸發。在這種情況下，可以輕柔或緩慢地烘烤基板以有效地使水基溶液的液滴蒸發。還可 以控制裸片接合機器的溫度，使得液滴不起泡或沸騰，以防止IC裸片在蒸發工藝期間變得不對準或失準。例如，將裸片接合機器的溫度設置成從大約80攝氏度到99攝氏度可以在不使水基溶液沸騰的情況下有效地蒸發液滴。
在本示例的上下文中，裸片對準器112啟動裸片接合設備102的熱控制器120以加熱基板404。當水基溶液的液滴418-1和4182如在504處所示地蒸發時，自對準IC裸片422-1和422-2開始下降或安置到由疏水材料412形成的相應空腔中。一旦水基溶液的液滴418-1和418-2如在506處所示完全蒸發，自對準的IC裸片422-1和422-2就安置到黏合劑層408的暴露區域414-1和414-2上。在一些情況下，這對於將自對準的IC裸片422-1和422-2黏附到基板的暴露區域414-1和414-2以用於進一步處理是有效的。
在310處可選地，從基板的表面去除疏水材料的圖案。在一些情況下，在進行隨後的基板或扇出處理(例如，裸片向下(die-down)或裸片向上(die-up)操作)之前，從基板去除疏水材料的圖案。可以使用諸如酸浴、酸洗、蝕刻、拋光等任何合適的工藝去除疏水材料的圖案。結束本示例，如在508處所示，疏水材料區域412-1、412-2和412-3從基板被404去除，留下自對準的IC裸片422-1和422-2放置在基板404上。
圖6描繪了使用水滴使IC裸片與IC裸片載體的區域自對準的示例方法600，包括由裸片對準器112、疏水材料模組116、液體施加器118和/或熱控制器120執行的操作。
在602處，疏水材料的圖案形成在IC裸片載體的黏合劑層上。疏水材料的圖案可以定義用於接收IC裸片的黏合劑層的區域。因此， 這些區域可以基本上是矩形或方形，或者被配置成近似IC裸片的覆蓋區。此外，疏水材料可以形成為任何合適的厚度，比如10微米至20微米。在一些情況下，疏水材料包括氮化矽、氧化矽、聚醯亞胺等。疏水材料的圖案可以使用任何合適的操作(例如掩蔽、蝕刻、氧化或化學氣相沉積(例如低壓化學氣相沉積(LPCVD))的組合被形成或沉積在基板上。
通過舉例的方式，考慮圖2的被配置成矽晶圓的基板202。這裡，假設基板202被用作針對IC裸片的重構晶圓。裸片接合設備102的疏水材料模組116被用於在基板202上形成疏水材料層204，以提供具有疏水材料的圖案的基板。在該示例中，作為扇出重構工藝的一部分，疏水材料的圖案被配置成將IC裸片放置在基板202上，但其它工藝也可以通過本文所描述的方面來實現。
在604處，將水施加到由疏水材料的圖案定義的黏合劑層的區域。在沒有黏合劑的情況下施加到基板或黏合劑層的區域上的水形成可以近似疏水材料圖案中的空腔形狀的液滴。水可以經由任何合適類型的操作被施加，比如濺射、霧化、滴塗、流動、篩選、擦拭(例如，去除多餘的水)等等。在一些情況下，水滴形成為大致平齊或略高於疏水材料的高度或厚度(例如，約10微米至15微米)。替換地或另外地，疏水材料的圖案和基板或黏合劑的親水性可能導致水合並或聚集在暴露區域上以形成液滴。繼續本示例，考慮圖7，其在700處總體地圖示了具有疏水材料層的基板以及IC裸片的自對準放置。這裡，將水施加到基板202和疏水材料204，使得水滴如702所示形成在疏水材料204的圖案的空腔中和/或在基板202的暴露區域上。
在606處，IC裸片被放置在水滴上。這可以使IC裸片與由疏水材料限制的定義區域對準。因此，可以以比常規IC放置技術更低的精度來放置IC裸片，因為液滴的表面張力可用於拉住IC裸片和/或將IC裸片與基板的暴露區域(例如，目標放置區域)對準。下覆的基板的幾何形狀可以經由疏水材料的圖案配置，使得液滴的幾何形狀近似IC的覆蓋區。在一些情況下，經由裸片接合或處理設備的拾取和放置系統將裸片放置在液滴上。在正在進行的示例的上下文中，IC裸片704被放置在由基板206上的親水材料圖案形成的水滴上。如在706處所示，IC裸片704被水滴支撐並且與水滴自對準，使得它們被定位在基板202的暴露區域上方。
在608處，IC裸片載體和水滴被加熱以有效地使水滴蒸發。當水滴蒸發時，經對準的IC裸片可以安置在IC裸片載體的黏合劑層的定義區域上。可以控制所施加的熱或溫度以使得液滴不起泡或沸騰，從而防止IC裸片在蒸發工藝中變得不對準或失準。例如，將裸片接合機器的溫度設定或維持在大約從80攝氏度到99攝氏度可以有效地蒸發液滴而不使水基溶液沸騰。
考慮圖8，其在800處總體地圖示了將IC裸片704安置到基板202上。如在802處所示，IC裸片704被放置或擱置在由基板202和疏水材料204形成的水滴上。在本示例的上下文中，熱控制器120將基板202所駐留的工作區域的溫度升高到大約90攝氏度，從而使水滴蒸發。如在804處所示，當液滴蒸發時，IC裸片704安置到基板202由疏水材料204定義或暴露的區域上。
在610處，經重構的IC裸片的IC裸片載體前進到下一IC裸片 處理操作。該下一IC裸片處理操作可以包括任何合適類型的操作，比如裸片向上操作、裸片向下操作、焊球附接、單片化、在基板或IC裸片上形成重構層等。替換地或另外地，疏水材料的圖案可以在進行隨後的IC裸片處理操作之前被去除。結束本示例，在806處從基板去除疏水材料204，從而將經重構的IC裸片704留在基板202上並準備進行後續處理。
片上系統
圖9圖示了可以使用本文所述的裝置或技術提供的IC裸片902來實現的示例性片上系統(SoC)900。SoC 900可以在諸如智慧型電話、行動電話、筆記型電腦、平板電腦、伺服器、無線路由器、網路連接的存儲裝置、相機、智慧家電、印表機、機上盒或任何其他合適類型的設備上實現。儘管參考SoC描述了IC裸片902，然而IC裸片902也可以在網路介面控制器(NIC)、系統級封裝(SIP)、專用標準件(ASSP)、數位訊號處理器(DSP)、可程式設計SoC(PSoC)或現場可程式設計閘陣列(FPGA)中實現。
IC裸片902可以與電子電路、微處理器、記憶體、輸入輸出(I/O)邏輯控制、通信介面、其他硬體、固件和/或軟體集成在一起，以有利於提供諸如本文列出的任何設備之類的設備的功能。儘管示出為在單個IC裸片902上實現，然而SoC 900的部件可以在多個IC裸片上實現。SoC 900還可以包括耦合了多個IC裸片或SoC 900的各種部件以用於部件之間的資料通信的集成資料匯流排(未示出)。SoC 900的集成資料匯流排或其他部件可以通過各種外部埠或資料匯流排被暴露或訪問。
在該示例中，IC裸片902包括各種部件，比如輸入輸出(I/O) 邏輯控制904(例如，以包括電子電路)和微處理器906(例如，微控制器、處理器核、應用處理器或DSP中的任意一種)。IC裸片902還包括記憶體908，其可以是RAM、SRAM、DRAM、低時延非揮發性記憶體、ROM、一次可程式設計(OTP)記憶體和/或其他合適的電子資料存儲裝置的任何類型和/或組合。替換地或另外地，IC裸片902可以包括用於訪問諸如外部SRAM或快閃記憶體之類的附加或可擴展的片外記憶體的資料介面(未示出)。在某些情況下，SoC 900或IC裸片902包括各種應用、作業系統和/或軟體，比如固件910，其可以是由記憶體908保持並由微處理器906執行的電腦可執行指令。IC裸片902還可以包括體現為硬體、固件、軟體或其任何適當組合的其他各種記憶體介面和部件。
獨立地或與SoC 900的其他實體結合的IC裸片902可以被實現有部件或電路的任何合適組合，以實現本文所描述的實體或設備的各個方面和/或特徵。IC裸片902還可以被提供成與SoC 900的其他實體集成，比如與I/O邏輯介面、網路介面控制器或SoC 900的電力系統集成。替換地或另外地，IC 902和其他部件可以被實現為硬體、固件、固定邏輯電路或其任何組合。
雖然已經以結構特徵和/或方法操作特有的語言描述了主題，但是應當理解，在所附申請專利範圍中限定的主題不是必需限於本文描述的具體特徵或操作(包括它們被執行的次序)。

Claims (20)

  1. 一種方法，包括：在基板表面上以一種圖案形成疏水材料，所述圖案暴露所述基板表面的用於放置積體電路(IC)裸片的區域；向暴露區域施加水基溶液，使得所述水基溶液的液滴形成在所述基板表面的所述暴露區域上；將IC裸片放置在形成於所述基板表面的所述暴露區域上的所述水基溶液的所述液滴上；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸發，使得所述IC裸片安置在所述基板表面的所述暴露區域上。
  2. 根據請求項1所述的方法，其中，將所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上有效地使所述IC裸片與所述基板表面的所述暴露區域自對準。
  3. 根據請求項1所述的方法，其中，使所述水基溶液的所述液滴蒸發包括向所述基板或所述水基溶液的液滴施加熱。
  4. 根據請求項1所述的方法，其中，所述基板的所述暴露區域具有基本上為矩形或方形的形狀。
  5. 根據請求項1所述的方法，其中，所述疏水材料被施加於其中的所述圖案被配置成使得所述基板表面的所述暴露區域基本上匹配所述IC裸片的覆蓋區。
  6. 根據請求項1所述的方法，其中，形成在所述基板表面上的所述疏水材料的厚度的範圍為從約為1微米至20微米。
  7. 根據請求項1所述的方法，其中：所述基板表面包括黏合劑材料層；所述方法還包括在所述黏合劑材料層上形成所述疏水材料；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸發有效地經由所述黏合劑材料層將所述IC裸片黏附到所述基板表面的所述暴露區域。
  8. 根據請求項1所述的方法，其中，所述疏水材料包括氮化矽或氧化矽。
  9. 根據請求項1所述的方法，其中，所述基板表面或駐留在所述基板表面上的黏合劑層是親水的。
  10. 一種裝置，包括：用於支撐積體電路(IC)裸片載體的固定件；第一模組，所述第一模組被配置成在所述IC裸片載體的表面上形成疏水材料的圖案，所述圖案暴露所述IC裸片載體的所述表面的親水區域；第二模組，所述第二模組被配置成將水基溶液的液滴施加到所述IC裸片載體的所述表面的所述親水區域；第三模組，所述第三模組被配置成將所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上；以及第四模組，所述第四模組被配置成加熱所述IC裸片載體以有效地使所述水基溶液的所述液滴蒸發，使得所述IC裸片安置在所述IC裸片載體的所述表面的所述親水區域上。
  11. 根據請求項10所述的裝置，其中，將所述IC裸片放置在所述 水基溶液的所述液滴上有效地使所述IC與所述IC裸片載體的所述表面的所述親水區域自對準。
  12. 根據請求項10所述的裝置，其中：所述第一模組被進一步配置成形成具有厚度約為1微米至20微米的疏水材料的所述圖案；或者所述第二模組被進一步配置成施加水基溶液的液滴，使得所述液滴具有大約5微米至30微米的厚度。
  13. 根據請求項10所述的裝置，其中，所述IC裸片載體的所述表面的所述親水區域的形狀基本上是矩形或方形。
  14. 根據請求項10所述的裝置，其中，所述基板表面包括黏合劑材料層，並且使所述水基溶液的所述液滴蒸發有效地經由所述黏合劑材料層將所述IC裸片黏附到所述IC裸片載體的所述表面的所述親水區域。
  15. 根據請求項10所述的裝置，其中，形成在所述IC裸片載體的所述表面上的所述疏水材料包括氮化矽或氧化矽。
  16. 根據請求項10所述的裝置，其中，所述IC裸片載體包括玻璃、金屬或矽。
  17. 一種方法，包括：在積體電路(IC)裸片載體的黏合劑層上形成疏水材料的圖案，所述圖案定義所述黏合劑層的用於接收IC裸片的區域，所述黏合劑層是親水的；向所述黏合劑層的定義區域施加水，使得水滴形成在所述IC載體的所述黏合劑層的所述定義區域上； 將IC裸片放置在所述水滴上，使得所述水滴的表面張力使所述IC裸片與所述IC載體的所述黏合劑層的所述定義區域對準；以及加熱所述IC裸片載體和水滴有效地使所述水滴蒸發，並且使經對準的所述IC裸片安置在所述IC裸片載體的所述黏合劑層的所述定義區域上。
  18. 根據請求項17所述的方法，其中，由所述疏水材料的所述圖案定義的所述黏合劑層的區域近似於所述IC裸片中相應IC裸片的覆蓋區。
  19. 根據請求項17所述的方法，其中，所述疏水材料的所述圖案由包含氧化矽或氮化矽的材料形成，並且所述疏水材料的所述圖案被形成為約1微米至20微米的厚度。
  20. 根據請求項17所述的方法，其中，所述IC載體被配置成晶圓或面板，並且所述方法被實現為扇出晶圓或扇出面板裸片接合工藝的一部分。
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