TW201825652A - 液晶介質及含彼之液晶顯示器 - Google Patents

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
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Abstract

本發明係關於較佳具有向列相及0.5或以上之介電各向異性之液晶介質，其包含一或多種式Y化合物

Description

液晶介質及含彼之液晶顯示器
本發明係關於(特定而言)用於液晶顯示器中之新穎液晶介質且關於該等液晶顯示器、特定而言係關於使用IPS (平面內切換，i n-p lanes witching)或較佳地FFS (邊緣場切換，f ringef ields witching)效應之液晶顯示器，其使用介電正性液晶。FFS (邊緣場切換，f ringef ields witching)效應偶爾亦稱為SG-FFS (超控制FFS，s uperg rip FFS)效應。針對此效應使用介電正性液晶，其包含一或多種化合物，其同時具有平行於分子指向矢且垂直於分子指向矢之高介電常數，從而產生大的平均介電常數及高介電比，且較佳同時產生相對小之介電各向異性。液晶介質視情況另外包含介電負性化合物、介電中性化合物或該二者。液晶介質係以均勻(即平面)起始配向使用。本發明之液晶介質具有正介電各向異性且包含同時具有平行且垂直於分子指向矢之大介電常數之化合物。
介質之特徵在於在各別顯示器中特別高之透射率及減少之反應時間，此係由其獨特的物理性質組合、特別地由其介電性質、且尤其分別由其高介電比(ε^ / Δε)之值之其各別高(ε^ / εav. )比率引起。此亦產生其在本發明之顯示器中之優良性能。 使用介電正性液晶之IPS及FFS顯示器為領域內所熟知且已廣泛用於多種類型之顯示器中，如例如桌面監測器及電視機，而且用於可移動應用。 然而，最近廣泛採用使用介電負性液晶之IPS及(尤其) FFS顯示器。FFS顯示器有時亦或者稱為UB-FFS (超亮FFS，u ltrab right FFS)。此等顯示器揭示於(例如) US 2013/0207038 A1中。該等顯示器之特徵在於與先前所用為介電正性液晶之IPS顯示器及FFS顯示器相比顯著增加之透射率。然而，使用介電負性液晶之該等顯示器具有嚴重缺點，即相比於使用介電正性液晶之各別顯示器其需要更高之操作電壓。用於UB-FFS之液晶介質具有-0.5或以下且較佳-1.5或以下之介電各向異性。 用於HB-FFS (高亮度FFS)之液晶介質具有0.5或以上且較佳1.5或以上之介電各向異性。 包含介電負性液晶化合物及介電正性液晶化合物二者(分別係液晶原化合物)之各別介質揭示於(例如) US 2013/0207038 A1中。該等介質已以相當大之ε^ 及εav. 之值為特徵，然而其(ε^ / Δε)之比率相對小。 然而，根據本申請案，呈水平配向之具有介電正性液晶介質之IPS或FFS效應較佳。 此效應在電光顯示器元件中之工業應用需要必須滿足多種要求之LC相。此處尤其重要的是對水分、空氣及物理影響(例如，熱、紅外線、可見光及紫外區中之輻照及直流(DC)及交流(AC)電場)之化學抗性。 此外，要求工業上可用之LC相在適宜溫度範圍及低黏度下具有液晶中間相。 迄今所揭示之各系列具有液晶中間相之化合物皆不包括滿足所有該等要求之單一化合物。因此，通常製備2至25種、較佳3至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。 矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)已知。可用於個別切換個別像素之非線性元件係(例如)主動元件(即電晶體)。然後使用術語“主動矩陣”，其中通常使用薄膜電晶體(TFT)，其通常作為基板配置在玻璃板上。 在以下兩種技術之間加以區分：包含化合物半導體(例如，CdSe或如ZnO之金屬氧化物)之TFT或基於多晶矽或非晶矽之TFT。基於多晶矽或非晶矽之TFT目前在全世界具有最大的商業重要性。 將TFT矩陣施加至顯示器之一個玻璃板內部，同時另一玻璃板在其內側載有透明反電極。與像素電極之大小相比，TFT極小且對影像幾乎無不利效應。此技術亦可擴展至能顯示全色彩之顯示器，其中以使得濾色器元件位於每一可切換像素相對面之方式佈置紅色、綠色及藍色濾色器之鑲嵌。 迄今最常用之TFT顯示器通常在傳輸中利用交叉偏振器進行操作且係背光的。針對TV應用使用ECB (或VAN)單元或FFS單元，而監測器通常使用IPS單元或TN (扭曲向列型，t wistedn ematic)單元，且筆記型電腦、膝上型電腦及可移動應用通常使用TN、VA或FFS單元。 術語MLC顯示器在此涵蓋任一具有積體非線性元件之矩陣顯示器，即除主動矩陣以外，亦涵蓋具有被動元件(例如，變阻器或二極體(MIM =金屬-絕緣體-金屬))之顯示器。 此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用、監測器及筆記型電腦或適用於具有高資訊密度之顯示器，例如用於汽車製造或飛機構築中。除了涉及反差比之角度依賴性及反應時間之問題外，在MLC顯示器中亦會出現由液晶混合物之不夠高的比電阻引起之困難[TOGASHI, S.、SEKIGUCHI, K.、TANABE, H.、YAMAMOTO, E.、SORIMACHI, K.、TAJIMA, E.、WATANABE, H.、SHIMIZU, H.，Proc. Eurodisplay 84，1984年9月: A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁及下文，Paris；STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84，1984年9月: Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁及下文，Paris]。隨著電阻降低，MLC顯示器之反差比惡化。由於液晶混合物之比電阻通常會因與顯示器之內表面相互作用而在MLC顯示器壽命期間降低，因此對在長操作期內必須具有可接受電阻值之顯示器而言，高(初始)電阻極為重要。 除IPS顯示器(例如：Yeo, S.D.，論文15.3: “An LC Display for the TV Application”, SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers, XXXV, Book II，第758頁及第759頁)及長期已知之TN顯示器以外，使用ECB效應之顯示器已確立為所謂的VAN (垂直配向向列型，v erticallya lignedn ematic)顯示器作為目前最重要的三種較新類型之液晶顯示器中之一者，尤其對於電視應用而言。 最重要的設計可能在此提及：MVA (多區域垂直配向，m ulti-domainv erticala lignment，例如：Yoshide, H.等人，論文3.1: “MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ..”, SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers, XXXV, Book I，第6頁至第9頁，及Liu, C.T.等人，論文15.1: “A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...”, SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers, XXXV, Book II，第750頁至第753頁)、PVA (圖案垂直配向，p atternedv erticala lignment，例如：Kim, Sang Soo, 論文15.4: “Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV”, SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers, XXXV, Book II，第760頁至第763頁)及ASV (超視覺，a dvanceds uperv iew，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi，論文15.2: “Development of High Quality LCDTV”, SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers, XXXV, Book II，第754頁至第757頁)。VA效應之更先進形式係所謂的PAVA (光配向VA)及PSVA (聚合物穩定化VA)。 以一般形式對該等技術進行比較，例如見於Souk, Jun，2004年SID研討會，會議M-6：“Recent Advances in LCD Technology”，研討會講義M-6/1至M-6/26；及Miller, Ian，2004年SID研討會，會議M-7：“LCD-Television”，研討會講義M-7/1至M-7/32。儘管現代ECB顯示器之反應時間已藉由使用過驅動之定址方法得以顯著改良(例如：Kim, Hyeon Kyeong等人，論文9.1：“A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application”，SID 2004國際討論會，Digest of Technical Papers，XXXV，Book I，第106頁至第109頁)，但達成視訊兼容反應時間(尤其對於灰階切換)仍係尚未解決至滿意程度之問題。 ECB顯示器(例如ASV顯示器)使用具有負介電各向異性(Δε)之液晶介質，而TN及至今所有習用之IPS顯示器使用具有正介電各向異性之液晶介質。然而，目前愈加需要利用介電負性液晶介質之IPS及FFS顯示器。 在此類型之液晶顯示器中，使用液晶作為介電質，其光學性質在施加電壓時可逆地改變。 由於通常在顯示器中，即亦在依照該等所提及效應之顯示器中，操作電壓應盡可能低，故使用通常主要由液晶化合物構成之液晶介質，其皆具有相同之介電各向異性符號並具有最高可能之介電各向異性值。一般而言，採用至多相對較小比例之中性化合物且若可能，不採用介電各向異性符號與介質相反之化合物。因此在具有負介電各向異性之液晶介質之情形下，例如對於ECB或UB-FFS顯示器而言，主要採用具有負介電各向異性之化合物。所採用之各別液晶介質通常主要且通常甚至基本上由具有負介電各向異性之液晶化合物組成。 在根據本申請案所使用之介質中，通常採用大量介電正性液晶化合物且通常僅極少量介電負性化合物或甚至不用，此乃因一般而言液晶顯示器意欲具有最低可能之定址電壓。同時在一些情形下可有益地使用少量介電中性化合物。 US 2013/0207038 A1揭示用於HB-FFS顯示器之液晶介質，其經提出使用具有正介電各向異性之液晶藉由額外納入介電負性液晶來改良FFS顯示器之性能。然而，此導致需要補償該等化合物對所得介質之總介電各向異性之負貢獻。為此目的，必須增加介電正性材料之濃度，此進而為介電中性化合物作為稀釋劑在混合物中之使用留下較少空間，或者必須使用具有較強正介電各向異性之化合物。該等選擇二者具有增加顯示器中液晶之反應時間之顯著缺點。 已揭示具有正介電各向異性之液晶介質用於IPS及FFS顯示器。在下文一些實例中將給出。 CN 104232105 A揭示具有正介電各向異性之液晶介質，其具有高達0.7之介電比(ε^ / Δε)。 WO 2014/192390亦揭示具有正介電各向異性之液晶介質，其具有相當高之ε|| 值，但具有僅約0.5之介電比(ε^ / Δε)。 WO 2015/007131揭示具有正介電各向異性之液晶介質，其中一些具有約0.7及稍微更高、高達0.88之介電比(ε^ / Δε)。 顯然，液晶混合物之向列相之範圍對於顯示器之預期應用必須足夠寬。 亦必須改良、即減少顯示器中液晶介質之反應時間。此對於電視或多媒體應用之顯示器而言尤其重要。為改良反應時間，過去已重複提出最佳化液晶介質之旋轉黏度(γ1 )，即達成具有最低可能旋轉黏度之介質。然而，在此所達成之結果對許多應用而言不夠且因此使得看來可期望尋找其他最佳化方法。 介質對極端負載、尤其對UV曝光及加熱之足夠穩定性尤其重要。尤其在可移動設備(例如，移動電話)中顯示器中應用之情形下，此可係至關重要的。 除了其相對差之透射及其相對長之反應時間以外，迄今所揭示之MLC顯示器仍具有其他缺點。該等係(例如)其相當低之反差比、其相對高之視角依賴性及在該等顯示器中使灰度再現之困難(特別係當自傾斜視角觀測時)，以及其不足的VHR及其不足的壽命。需要期望地改良顯示器之透射及其反應時間，以分別改良其能量效率及其快速呈現移動圖片之能力。 因此，持續極其需要具有極高比電阻同時具有較大工作溫度範圍、較短反應時間及較低臨限電壓之MLC顯示器，借助其可產生多種灰階且其(尤其)具有良好且穩定之VHR。 本發明具有提供MLC顯示器之目標，該等MLC顯示器不僅用於監測器及TV應用，而且用於諸如電話及導航系統之可移動應用，其係基於ECB、IPS或FFS效應，不具有上文所指示之缺點或僅在較小程度上具有上文所指示之缺點，且同時具有高的比電阻值。具體而言，必須確保移動電話及導航系統亦在極高及極低溫度下工作。
令人驚訝的是，已發現若在該等顯示器元件中使用向列型液晶混合物，則可達成(尤其)在IPS及FFS顯示器中具有以下各項之液晶顯示器：低臨限電壓及短反應時間、足夠寬之向列相、有利且相對低之雙折射(Δn)及同時高透射率、對由加熱及UV曝光所致之分解良好之穩定性及穩定且高之VHR，該等向列型液晶混合物包含至少一種化合物、較佳兩種或更多種較佳選自子式Y-1、Y-2、Y-3、Y-4、Y-5及Y-6及視情況式I化合物之群之式Y化合物，該式I化合物較佳係選自子式I-1、I-2、I-3、I-4及I-5化合物之群、尤佳子式I-2及/或I-3及/或I-4、更佳I-2及/或I-4之該等；且較佳另外包含至少一種化合物、較佳兩種或更多種選自式II及III化合物之群之化合物，式II較佳為式II-1及/或II-2；及/或至少一種化合物、較佳兩種或更多種選自式IV及/或V之群之化合物；且較佳一或多種選自式VII至IX之群之化合物(所有式如下文所定義)。 此類型之介質尤其可用於具有主動矩陣之電光顯示器，該主動矩陣為IPS -或FFS顯示器定址。 本發明之介質較佳另外包含一或多種選自式II及III化合物之群之化合物、較佳一或多種式II化合物、更佳此外一或多種式III化合物且最佳另外一或多種選自式IV及V化合物之群之化合物，且更佳地一或多種選自式VI至IX化合物之群之化合物(所有式如下文所定義)。 本發明之混合物展現極寬向列相範圍，其中澄清點³ 70℃，極有利的電容臨限值，相對高之保持率值及同時在-20℃及-30℃下良好的低溫穩定性，以及極低的旋轉黏度。本發明之混合物此外之特徵在於澄清點與旋轉黏度之良好比率及相對高之正介電各向異性。 如今已令人驚訝地發現，使用特別選擇之液晶介質可實現使用具有正介電各向異性之液晶之FFS型之LC。該等介質之特徵在於物理性質之特定組合。在該等中最具決定性的是其介電性質及此時高的平均介電常數(εav. )、高的垂直於液晶分子指向矢之介電常數(ε^ )、高的介電各向異性之值(Δε)及(尤其)相對高的該後兩個值之比率：(ε^ / Δε)。
本發明之液晶介質較佳一方面具有0.5或以上、較佳1.0或以上或更佳1.5或以上之介電各向異性之值。另一方面，其較佳具有26或以下之介電各向異性。 本發明之液晶介質較佳一方面具有2或以上、更佳8或以上且另一方面較佳20或以下之垂直於指向矢之介電常數值。 本發明之液晶介質較佳具有較佳1.5或以上至20.0或以下之範圍內、更佳3.0或以上至8.0或以下之範圍內且最佳4.0或以上至7.0或以下範圍內之正介電各向異性。 本發明之液晶介質較佳具有5.0或以上、更佳6.0或以上、更佳7.0或以上、更佳8.0或以上、更佳9或以上且最佳10.0或以上之垂直於液晶分子指向矢之介電常數(ε^ )。 本發明之液晶介質較佳具有1.0或以上、更佳1.5或以上且最佳2.0或以上之介電比(ε^ / Δε)。 在本發明之較佳實施例中，液晶介質較佳包含： a) 一或多種式Y化合物，其具有高的垂直於指向矢及平行指向矢二者之介電常數，濃度較佳在1%至60%之範圍內、更佳5%至40%之範圍內、尤佳8%至35%之範圍內，其中表示或較佳地或最佳地，表示或n 表示0或1， RY1 及RY2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、鹵化烷基或鹵化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或鹵化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷基、烷氧基或烯氧基，其中鹵化較佳意指氟化或氯化且最佳氟化，且RY1 或者表示RY ，且RY2 或者表示XY ， RY 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，且 XY 表示F、Cl、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)，較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ， 及 b) 一或多種選自為介電正性之式II及III化合物之群、較佳介電各向異性各自大於3之化合物之群之化合物；其中 R2 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基， L21 及L22 表示H或F，較佳地L21 表示F， X2 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基，較佳地F、Cl、-OCF3 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CH2 、-O-CH=CF2 或-CF3 ，極佳地F、Cl、-O-CH=CF2 或-OCF3 ， m 表示0、1、2或3，較佳地1或2且尤佳1， R3 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，及在每次出現時彼此獨立地係 或較佳地或L31 及L32 彼此獨立地表示H或F，較佳L31 表示F， X3 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3 、-OCHF3 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 ，極佳地F、Cl、-O-CH=CF2 、-OCHF2 或-OCF3 ， Z3 表示-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反式- CH=CH-、反式- CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，較佳地-CH2 CH2 -、-COO-、反式- CH=CH-或單鍵且極佳地-COO-、反式- CH=CH-或單鍵，且 n 表示0、1、2或3，較佳1、2或3且尤佳1，且 c) 視情況一或多種選自為介電中性之式IV及V之群之化合物：其中 R41 及R42 彼此獨立地具有上文根據式II對R2 所指示之含義，較佳地R41 表示烷基且R42 表示烷基或烷氧基，或R41 表示烯基且R42 表示烷基，及彼此獨立地且若出現兩次， 則該等亦彼此獨立地表示 或較佳地及中之一或多者表示Z41 及Z42 彼此獨立地且若Z41 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反式- CH=CH-、反式- CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵，較佳地其一或多者表示單鍵，且 p 表示0、1或2，較佳地0或1，且 R51 及R52 彼此獨立地具有針對R41 及R42 所給出含義中之一者，且較佳表示具有1至7個C原子之烷基(較佳正烷基、尤佳具有1至5個C原子之正烷基)、具有1至7個C原子之烷氧基(較佳正烷氧基、尤佳具有2至5個C原子之正烷氧基)、具有2至7個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基(較佳烯氧基)，至若存在，則各自彼此獨立地表示 或較佳地，或較佳地，表示且若存在， 則較佳表示Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，較佳地-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-或單鍵且尤佳單鍵， i及j 各自彼此獨立地表示0或1， (i + j) 較佳表示0、1或2，更佳0或1且最佳1， d) 此外視情況或者或另外一或多種選自為介電負性之式VI至IX之群之化合物：其中 R61 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基(較佳直鏈烷基、更佳正烷基、最佳丙基或戊基)、具有2至7個C原子之未經取代之烯基(較佳直鏈烯基，其尤佳具有2至5個C原子)、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子之未經取代之烯氧基， R62 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子之未經取代之烯氧基，且 l 表示0或1， R71 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基(較佳直鏈烷基、更佳正烷基、最佳丙基或戊基)或具有2至7個C原子之未經取代之烯基(較佳直鏈烯基，其尤佳具有2至5個C原子)， R72 表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷基，具有1至6個C原子、較佳具有1、2、3或4個C原子之未經取代之烷氧基，或具有2至6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烯氧基，且表示或R81 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基(較佳直鏈烷基、更佳正烷基、最佳丙基或戊基)或具有2至7個C原子之未經取代之烯基(較佳直鏈烯基，其尤佳具有2至5個C原子)， R82 表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷基，具有1至6個C原子、較佳具有1、2、3或4個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烯氧基，表示或， 較佳地或更佳地， Z8 表示-(C=O)-O-、-CH2 -O-、-CF2 -O-或-CH2 -CH2 -，較佳地 -(C=O)-O-或-CH2 -O-，且 o 表示0或1， R91 及R92 彼此獨立地具有上文針對R72 所給出之含義， R91 較佳表示具有2至5個C原子、較佳具有3至5個C原子之烷基， R92 較佳表示具有2至5個C原子之烷基或烷氧基、更佳具有2至4個C原子之烷氧基或具有2至4個C原子之烯氧基。表示或p及q 彼此獨立地表示0或1，且 (p + q) 較佳表示0或1，且在以下情形下：表示或者較佳地p = q = 1，且 e) 此外視情況一或多種式I化合物，其具有高的垂直於指向矢及平行於指向矢二者之介電常數，濃度較佳在1%至60%之範圍內、更佳5%至40%之範圍內、尤佳8%至35%之範圍內，其中表示或，表示或n 表示0或1， R1 1 及R1 2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷基、烷氧基或烯氧基，且R1 1 或者表示R1 ，且R1 2 或者表示X1 ， R1 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，且 X1 表示F、Cl、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)，較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ，尤其對於式I-1而言，較佳為F，且在式I-3及I-5中，較佳為OCF3 或CF3 。 本發明之液晶介質較佳具有向列相。 較佳地，式Y化合物選自式Y-1至Y-6化合物之群、較佳選自式Y-1至Y-4之群且最佳選自式Y-1及Y-2：其中參數具有上文所給出之各別含義且較佳地， RY1 及RY2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷氧基或烯氧基， RY 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，且 XY 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)，較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳地CF3 或OCF3 。 較佳地，介質包含一或多種選自式I-1至I-5化合物之群之式I化合物： 其中 R1 1 及R1 2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷氧基或烯氧基， R1 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，且 X1 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)、較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ，尤其對於式I-1而言，較佳為F且對於式I-3及I-5而言，較佳為OCF3 或CF3 。 較佳地，介質包含一或多種選自式I-2及I-3化合物之群之式I化合物： 其中 R1 1 及R1 2 且 R1 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷氧基或烯氧基，且 X1 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)，較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳地CF3 或OCF3 。 較佳地，介質包含一或多種選自式I-4及I-5化合物之群之式I化合物：其中 R1 1 及R1 2 且 R1 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最佳地烷氧基或烯氧基，且 X1 表示F、Cl、CN、NCS、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基(後四種基團較佳具有1至4個C原子)，較佳地F、Cl、CF3 或OCF3 ，更佳地CF3 或OCF3 。 與式I-3化合物之合成類似，根據WO02/055463製備式I-5化合物，且含有兩個烷氧基(R1 1 =＞ R1 -O；R1 2 =＞ R1 -O)之式I-4化合物較佳係根據以下方案自鹼性化合物二苯并噻吩開始製備：(方案 1a )。-方案1a之延續- 方案 1a. 具有兩個烷氧基端基之式I-4化合物之合成 含有一個烷氧基(R1 -O)及一個烷基(R1 )之式I-4化合物(R1 1 =＞ R1 -O；R12 =＞ R2 )較佳係自鹼性化合物二苯并噻吩開始根據以下方案製備：(方案 2a )。 方案 2a. 具有一個烷基及一個烷氧基端基之式I-4化合物之合成。基團R對應於相應縮短一個碳原子之諸如R2 之基團。 含有兩個烷基(R1 1 =＞ R1 ；R1 2 =＞ R2 )之式I-4化合物較佳係自鹼性化合物二苯并噻吩開始根據以下方案製備：(方案 3a )。 方案 3a. 式I-4化合物之合成。所用醛之基團R對應於相應縮短一個碳原子之諸如R2 之基團。 式I-5化合物較佳係根據(例如)以下方案(方案 4a )製備。 方案 4a. 式I-5化合物之合成。 式I-5化合物係根據WO 02/055463製備，且含有兩個烷氧基(R1 1 =＞ R1 -O；R12 =＞ R2 -O)之式I-3化合物較佳係自鹼性化合物二苯并呋喃開始根據以下方案製備：(方案 1b )。-方案1b之延續- 方案 1b . 具有兩個烷氧基端基之式I-3化合物之合成 含有一個烷氧基(R1 -O)及一個烷基(R2 )之式I-3化合物(R1 1 =＞ R1 -O；R12 =＞ R2 )較佳係自鹼性化合物二苯并呋喃開始根據以下方案製備：(方案 2b )。 方案 2b . 具有一個烷基及一個烷氧基端基之式I-3化合物之合成。基團R對應於相應縮短一個碳原子之諸如R2 之基團。 含有兩個烷基(R1 1 =＞ R1 ；R1 2 =＞ R2 )之式I-3化合物較佳係自鹼性化合物二苯并呋喃開始根據以下方案製備：(方案 3b )。 方案 3b . 式I-3化合物之合成。所用醛之基團R對應於相應縮短一個碳原子之諸如R2 之基團。 式I-4化合物較佳係根據(例如)以下方案(方案 4b )製備。 方案 4b .式I-4化合物之合成。 根據本發明所用之式I-2至I-5化合物之尤其適宜之合成途徑在下文中參照方案 5 解釋。 方案 5. 式I-2至I-5化合物之合成。基團R、A、Z、X1 、X2 、Y及指數m具有針對式I所指示之含義。 方案5應視為僅具說明性。熟習此項技術者將能實施所提出合成之相應變化形式且亦能遵循其他適宜合成途徑，以獲得式I-2至I-5之化合物。 根據上文所繪示之合成，本發明在實施例中亦涵蓋一或多個式I-2至I-5化合物之製備方法。 本發明因此涵蓋製備式I化合物之方法，其特徵在於其包含其中在鹼之存在下將式II化合物轉化為式I-2至I-5化合物之方法步驟，如方案 6 中所顯示，且其中R、A、Z、X1 、X2 、W及m具有上文所指示之含義，且G表示-OH、-SH或SG'，且G'表示硫醇之鹼不穩定保護基團。較佳保護基團係乙醯基、二甲基胺基羰基、2-四氫吡喃基、乙氧基羰基乙基、第三丁基、甲基，尤佳地乙氧基羰基乙基。 方案 6. 製備式I-2至I-5化合物之方法. 反應混合物之方法及後續處理基本上可以分批反應或在連續反應程序中實施。連續反應程序涵蓋(例如)在連續攪拌槽反應器、攪拌反應器級聯、環流或交叉流動反應器、流管或微型反應器中之反應。視需要藉由經由固相過濾、層析、不混溶相間之分離(例如萃取)、吸附至固體支撐物上、藉由蒸餾去除溶劑及/或共沸混合物、選擇性蒸餾、昇華、結晶、共結晶或藉由在膜上奈米過濾視情況處理該等反應混合物。 本發明此外係關於本發明之液晶混合物及液晶介質在IPS及FFS顯示器中之用途，尤其在含有液晶介質之SG-FFS顯示器中之用途，其用於改良反應時間及/或透射。 本發明此外係關於含有本發明液晶介質之液晶顯示器，尤其IPS或FFS顯示器、尤佳FFS或SG-FFS顯示器。 本發明此外係關於包含液晶單元之IPS或FFS類型之液晶顯示器，該液晶單元由兩個基板(其中至少一個基板對光透明且至少一個基板具有電極層)及位於該等基板之間之液晶介質層組成，該液晶介質包含經聚合組分及低分子量組分，其中經聚合組分可藉由使一或多種液晶單元基板之間之液晶介質中之可聚合化合物聚合(較佳地在電壓之施加下)獲得，且其中低分子量組分係如上文及下文所述之本發明液晶混合物。 本發明之顯示器較佳係藉由主動矩陣(主動矩陣LCD (a ctivem atrix LCD )，縮寫為AMD)、較佳藉由薄膜電晶體(TFT)之矩陣定址。然而，本發明之液晶亦可以有利方式用於具有其他已知定址構件之顯示器中。 本發明此外係關於製備本發明液晶介質之方法，其係藉由將一或多種式I化合物(其較佳選自式Y化合物之群)視情況與一或多種式I-1至I-5化合物、與一或多種低分子量液晶化合物或液晶混合物及視情況與其他液晶化合物及/或添加劑混合。 以下含義適用於上文及下文： 除非另外指示，否則術語“FFS”用於代表FFS及SG-FFS顯示器。 術語“液晶原基團”為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中，且表示由於其吸引及排斥相互作用之各向異性基本上有助於在低分子量或聚合物質中產生液晶(LC)相之基團。含有液晶原基團之化合物(液晶原化合物)本身不必具有液晶相。液晶原化合物亦可僅在與其他化合物混合後及/或聚合後展現液晶相行為。典型液晶原基團係(例如)剛性棒形或碟形單元。Pure Appl. Chem. 73(5), 888 (2001)及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368中給出與液晶原或液晶化合物結合使用之術語及定義之綜述。 術語“間隔基團”或“間隔體”(上文及下文亦縮寫稱為“Sp”)為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中，例如參見Pure Appl. Chem. 73(5), 888 (2001)及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368。除非另外指示，否則上文及下文之術語“間隔基團”或“間隔體”表示撓性基團，其在聚合液晶原化合物中使液晶原基團與可聚合基團彼此連結。 出於本發明之目的，術語“液晶介質”意欲表示包含液晶混合物及一或多種可聚合化合物(例如，反應性液晶原)之介質。術語“液晶混合物”(或“主體混合物”)意欲表示液晶混合物，其排他性地由不可聚合之低分子量化合物組成，較佳由兩種或更多種液晶化合物及視情況其他添加劑(例如，手性摻雜劑或穩定劑)組成。 尤佳者係液晶混合物及液晶介質，其尤其在室溫下具有向列相。 在本發明之較佳實施例中，液晶介質包含一或多種介電各向異性大於3之介電正性化合物，其係選自式II-1及II-2化合物之群：其中參數具有上文根據式II所指示之各別含義，且L23 及L24 彼此獨立地表示H或F，較佳地L23 表示F，且具有針對所給出含義中之一者 且在式II-1及II-2之情形下，X2 較佳表示F或OCF3 ，尤佳為F，且在式II-2之情形中，及彼此獨立地較佳表示或及/或選自式III-1及III-2化合物之群：其中參數具有根據式III所給出之含義， 且本發明之介質或者或除式III-1及/或III-2化合物以外可包含一或多種式III-3之化合物其中參數具有上文所指示之各別含義，且參數L31 及L32 彼此獨立且獨立於其他參數表示H或F。 液晶介質較佳包含選自式II-1及II-2化合物之群之化合物，其中L21 及L22 及/或L23 及L24 皆表示F。 在較佳實施例中，液晶介質包含選自式II-1及II-2化合物之群之化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 皆表示F。 液晶介質較佳包含一或多種式II-1化合物。式II-1化合物較佳選自式II-1a至II-1e化合物之群、較佳地一或多種式II-1a及/或II-1b及/或II-1d之化合物、較佳地式II-1a及/或II-1d或II-1b及/或II-1d之化合物、最佳地式II-1d之化合物： 其中參數具有上文所指示之各別含義，且L25 及L26 彼此獨立且獨立於其他參數地表示H或F，且較佳地 在式II-1a及II-1b中， L21 及L22 皆表示F， 在式II-1c及II-1d中， L21 及L22 皆表示F及/或L23 及L24 皆表示F，且 在式II-1e中， L21 、L22 及L23 表示F。 液晶介質較佳包含一或多種式II-2之化合物，其較佳選自式II-2a至II-2k化合物之群，較佳地一或多種式II-2a及/或II-2h及/或II-2j中之每一者之化合物： 其中參數具有上文所指示之各別含義，且L25 至L28 彼此獨立地表示H或F，較佳地L27 及L28 皆表示H，尤佳地L26 表示H。 液晶介質較佳包含選自式II-1a至II-1e化合物之群之化合物，其中L21 及L22 皆表示F及/或L23 及L24 皆表示F。 在較佳實施例中，液晶介質包含選自式II-2a至II-2k化合物之群之化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 皆表示F。 式II-2之尤佳化合物係以下各式、尤佳式II-2a-1及/或II-2h-1及/或II-2k-2之化合物： 其中R2 及X2 具有上文所指示之含義，且X2 較佳表示F。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1之化合物。式III-1之化合物較佳選自式III-1a至III-1j化合物之群，較佳選自式III-1c、III-1f、III-1g及III-1j： 其中參數具有上文所給出之含義，且較佳地其中參數具有上文所指示之各別含義，參數L35 及L36 彼此獨立地且獨立於其他參數地表示H或F，且參數L35 及L36 彼此獨立地且獨立於其他參數地表示H或F。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1c化合物，其較佳係選自式III-1c-1至III-1c-5化合物之群，較佳地式III-1c-1及/或III-1c-2化合物，最佳地式III-1c-1化合物：其中R3 具有上文所指示之含義。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1f化合物，其較佳係選自式III-1f-1至III-1f-6化合物之群，較佳地式III-1f-1及/或III-1f-2及/或III-1f-3及/或III-1f-6化合物，更佳地式III-1f-3及/或III-1f-6化合物，更佳地式III-1f-6化合物：其中R3 具有上文所指示之含義。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1g之化合物，其較佳係選自式III-1g-1至III-1g-5化合物之群，較佳地式III-1g-3化合物：其中R3 具有上文所指示之含義。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1h之化合物，其較佳係選自式III-1h-1至III-1h-3化合物之群，較佳地式III-1h-3化合物：其中參數具有上文所給出之含義，且X3 較佳表示F。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1i之化合物，其較佳選自式III-1i-1及III-1i-2化合物之群，較佳地式III-1i-2化合物： 其中參數具有上文所給出之含義，且X3 較佳表示F。 液晶介質較佳包含一或多種式III-1j之化合物，其較佳係選自式III-1j-1及III-1j-2化合物之群，較佳地式III-1j-1化合物：其中參數具有上文所給出之含義。 液晶介質較佳包含一或多種式III-2之化合物。式III-2化合物較佳係選自式III-2a及III-2b化合物之群，較佳地式III-2b化合物：其中參數具有上文所指示之各別含義，且參數L33 及L34 彼此獨立且獨立於其他參數地表示H或F。 液晶介質較佳包含一或多種式III-2a之化合物，其較佳係選自式III-2a-1至III-2a-6化合物之群： 其中R3 具有上文所指示之含義。 液晶介質較佳包含一或多種式III-2b之化合物，其較佳係選自式III-2b-1至III-2b-4化合物之群，較佳地III-2b-4：其中R3 具有上文所指示之含義。 或者或除式III-1及/或III-2之化合物以外，本發明之介質可包含一或多種式III-3之化合物其中參數具有上文根據式III所指示之各別含義。 該等化合物較佳係選自式III-3a及III-3b之群：其中R3 具有上文所指示之含義。 本發明之液晶介質較佳包含一或多種介電各向異性在-1.5至3範圍內之介電中性化合物，其較佳係選自式IV及V化合物之群。 除該等以外，本發明之液晶介質較佳包含一或多種介電各向異性小於-1.5之介電負性化合物，其較佳係選自式VI、VII、VIII及IX化合物之群。 在本申請案中，元素皆包括其各別同位素。具體而言，化合物中之一或多個H可經D替代，且係在一些實施例中亦尤佳。相應化合物之氫由氘之相應高程度之取代使得能(例如)檢測及識別化合物。此在一些情形下幫助極大，尤其在式I化合物之情形下。 在本申請案中， 烷基 尤佳表示直鏈烷基，尤其CH3 -、C2 H5 -、n -C3 H7 -、n -C4 H9 -或n -C5 H11 -，且 烯基 尤佳表示CH2 =CH-、E -CH3 -CH=CH-、CH2 =CH-CH2 -CH2 -、E -CH3 -CH=CH-CH2 -CH2 -或E -(n -C3 H7 )-CH=CH-。 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種選自式VI-1及VI-2化合物之群之式VI化合物，較佳地一或多種式VI-1中每一者之化合物及一或多種式VI-2化合物，其中參數具有上文根據式VI所給出之各別含義，且較佳地 在式VI-1中 R61 及R62 彼此獨立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基，較佳地乙氧基、丁氧基或戊氧基，更佳地乙氧基或丁氧基且最佳地丁氧基。 在式VI-2中 R61 較佳表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基及正丙基或正戊基，且 R62 表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷基，或較佳地具有1至6個C原子、尤佳具有2或4個C原子之未經取代之烷氧基，且最佳地乙氧基，且 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種式VII化合物，其係選自式VII-1至VII-3化合物之群，較佳地一或多種式VII-1中每一者之化合物及一或多種式VII-2化合物， 其中參數具有上文根據式VII所給出之各別含義，且較佳地 R71 表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、正丙基或正戊基，且 R72 表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷基，或較佳地具有1至6個C原子、尤佳具有2或4個C原子之未經取代之烷氧基，且最佳地乙氧基。 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種式VI-1化合物，其係選自以下化合物之群：在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種式VI-2化合物，其係選自以下化合物之群：在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種式VII-1化合物，其係選自以下化合物之群：在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種式VII-2化合物，其係選自以下化合物之群：除式I或其較佳子式之化合物以外，本發明之介質較佳包含一或多種選自式VI及VII化合物之群之介電負性化合物，其總濃度較佳在5%或以上至90%或以下、較佳10%或以上至80%或以下、尤佳20%或以上至70%或以下之範圍內。 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質在各自情形下包含一或多種選自式VIII-1至VIII-3化合物之群之式VIII化合物，較佳一或多種式VIII-1中每一者之化合物及/或一或多種式VIII-3化合物， 其中參數具有上文根據式VIII所給出之各別含義，且較佳地 R81 表示乙烯基、1-E -丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、乙基、正丙基或正戊基、烷基，較佳地乙基、正丙基或正戊基，且 R82 表示具有1至7個C原子、較佳具有1至5個C原子之未經取代之烷基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基。 在式VIII-1及VIII-2中，R82 較佳表示具有2或4個C原子之烷氧基，且最佳地乙氧基且在式VIII-3中，其較佳表示烷基，較佳地甲基、乙基或正丙基，最佳地甲基。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式IV化合物、較佳地一或多種式IV-1化合物其中 R41 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基，較佳地尤佳具有2、3、4或5個C原子之正烷基，且 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有2至7個C原子之未經取代之烯基或具有1至6個C原子、亦較佳具有2至5個C原子之未經取代之烷氧基，具有2至7個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烯基，更佳地乙烯基或1-丙烯基且尤其乙烯基。 在尤佳實施例中，介質包含一或多種選自式IV-1-1至IV-1-4化合物之群、較佳式IV-1-1化合物之式IV-1化合物，其中 烷基及烷基’ 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基， 烯基及烯基’ 彼此獨立地表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳2個C原子之烯基， 烯基’ 表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳具有2至3個C原子之烯基，且 烷氧基 表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。 在尤佳實施例中，本發明之介質包含一或多種式IV-1化合物及/或一或多種式IV-2化合物。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式V化合物。 本發明之介質較佳包含總濃度指示為以下之以下化合物： 1 - 60重量%之一或多種選自式Y化合物之群之化合物，及 0 - 60重量%、較佳1 - 60重量%之一或多種選自式I化合物之群之化合物，及/或 5 - 60重量%之一或多種較佳選自式II-1及II-2化合物之群之式II化合物，及/或 5 - 25重量%之一或多種式III化合物，及/或 5 - 45重量%之一或多種式IV化合物，及/或 5 - 25重量%之一或多種式V化合物，及/或 5 - 25重量%之一或多種式VI化合物，及/或 5 - 20重量%之一或多種式VII化合物，及/或 5 - 30重量%之一或多種式VIII化合物，其較佳係選自式VIII-1及VIII-2化合物之群，及/或 0 - 60重量%之一或多種式IX化合物， 其中存在於介質中之式Y及式I至IX之所有化合物之總含量較佳係95%或以上且更佳地100%。 根據本申請案，後一種狀況適用於所有介質。 在另一較佳實施例中，除式Y或其較佳子式之化合物及/或式I或其較佳子式之化合物以外，且除式VI及/或VII及/或VIII及/或IX化合物以外，本發明之介質較佳包含一或多種選自式IV及V化合物之群之介電中性化合物，較佳地其總濃度在5%或以上至90%或以下、較佳10%或以上至80%或以下、尤佳20%或以上至70%或以下之範圍內。 本發明之介質在尤佳實施例中包含： 一或多種總濃度在5%或以上至50%或以下範圍內、較佳10%或以上至40%或以下範圍內之式II化合物，及/或 一或多種總濃度在5%或以上至30%或以下範圍內之式VII-1化合物，及/或 一或多種總濃度在3%或以上至30%或以下範圍內之式VII-2化合物。 較佳地，本發明介質中式Y化合物之濃度在1%或以上至60%或以下、更佳地5%或以上至40%或以下、最佳地8%或以上至35%或以下之範圍內。 較佳地，本發明介質中式I化合物(若存在)之濃度在1%或以上至60%或以下、更佳地5%或以上至40%或以下、最佳地8%或以上至35%或以下之範圍內。 在本發明之較佳實施例中，介質包含一或多種較佳選自式Y-1、Y-2、Y-3、Y-4、Y-5及Y-6之群之式Y化合物及一或多種較佳選自式I-1至I-5之群、較佳為式I-2及/或I-3及/或I-4及/或I-5、較佳為式I-2及/或I-3之式I化合物。 在本發明之較佳實施例中，介質中式II化合物之濃度在3%或以上至60%或以下、更佳地5%或以上至55%或以下、更佳地10%或以上至50%或以下且最佳地15%或以上至45%或以下之範圍內。 在本發明之較佳實施例中，介質中式VII化合物之濃度在2%或以上至50%或以下、更佳地5%或以上至40%或以下、更佳地10%或以上至35%或以下且最佳地15%或以上至30%或以下之範圍內。 在本發明之較佳實施例中，介質中式VII-1化合物之濃度在1%或以上至40%或以下、更佳地2%或以上至35%或以下或另一選擇為15%或以上至25%或以下之範圍內。 在本發明之較佳實施例中，介質中式VII-2化合物(若存在)之濃度在1%或以上至40%或以下、更佳地5%或以上至35%或以下且最佳地10%或以上至30%或以下之範圍內。 本發明亦係關於含有本發明液晶介質之電光顯示器或電光組件。較佳者係基於VA、ECB、IPS或FFS效應、較佳基於VA、IPS或FFS效應之電光顯示器，且尤其係藉助主動矩陣定址裝置定址之彼等。 因此，本發明同樣係關於本發明之液晶介質在電光顯示器中或在電光組件中之用途及製備本發明液晶介質之方法，其特徵在於將一或多種式I化合物與一或多種式II化合物、較佳地與一或多種子式II-1及/或II-2化合物及/或與一或多種式VII化合物、較佳地與一或多種子式VII-1及/或VII-2化合物混合，尤佳地一或多種來自兩種或以上、較佳來自三種或以上其不同式且極佳來自全部四種該等式II-1、II-2、VII-1及VII-2之化合物及一或多種較佳選自式IV及V化合物之群之其他化合物，更佳地與一或多種式IV及式V二者之化合物混合。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式IV-2及IV-3化合物之群之式IV化合物，烷基及烷基’ 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基， 烷氧基 表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式V-1及V-2化合物、較佳式V-1化合物之群之式V化合物，其中參數具有上文針對式V所給出之含義且較佳地， R51 表示具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基，且 R52 表示具有1至7個C原子之烷基、具有2至7個C原子之烯基或具有1至6個C原子烷氧基，較佳地烷基或烯基，尤佳地烷基。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式V-1a及V-1b化合物之群之式V-1化合物，其中 烷基及烷基’ 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基，且 烯基 表示具有2至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基。 另外，本發明係關於減少液晶介質雙折射率之波長分散之方法，該液晶介質包含一或多種式II化合物，視情況一或多種選自式VII-1及VII-2化合物之群之化合物及/或一或多種式IV化合物及/或一或多種式V化合物，該方法之特徵在於在介質中使用一或多種式I化合物。 除式I至V化合物以外，亦可存在其他成分，例如其量為作為整體之混合物之至多45%，但較佳至多35%，尤其至多10%。 本發明之介質可視情況亦包含介電正性組分，其總濃度基於全部介質係較佳20%或以下、更佳10%或以下。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質基於作為整體之混合物總計包含： 1%或以上至50%或以下、較佳2%或以上至35%或以下、尤佳3%或以上至25%或以下之式Y化合物， 1%或以上至20%或以下、較佳2%或以上至15%或以下、尤佳3%或以上至12%或以下之式I化合物。 20%或以上至50%或以下、較佳25%或以上至45%或以下、尤佳30%或以上至40%或以下之式II及/或III化合物，及 0%或以上至35%或以下、較佳2%或以上至30%或以下、尤佳3%或以上至25%或以下之式IV及/或V化合物，及 5%或以上至50%或以下、10%或以上至45%或以下、較佳15%或以上至40%或以下之式VI及/或VII及/或VIII及/或IX化合物。 本發明之液晶介質可包含一或多種手性化合物。 本發明之尤佳實施例滿足以下條件之一或多者， 其中字首語(縮寫)解釋於表A至C中且藉由表D中之實例闡釋。 較佳地，本發明之介質實現以下條件中之一或多者。 i. 液晶介質具有0.060或以上、尤佳0.070或以上之雙折射率。 ii. 液晶介質具有0.200或以下、尤佳0.180或以下之雙折射率。 iii. 液晶介質具有0.090或以上至0.160或以下、較佳至0.120或以下範圍內之雙折射率。 iv. 液晶介質包含一或多種式I-3及/或I-5之尤佳化合物。 v. 作為整體之混合物中式IV化合物之總濃度係25%或以上、較佳地30%或以上，且較佳在25%或以上至49%或以下之範圍內、尤佳在29%或以上至47%或以下之範圍內且極佳在37%或以上至44%或以下之範圍內。 vi. 液晶介質包含一或多種式IV化合物，其係選自以下各式之化合物之群：CC-n-V及/或CC-n-Vm及/或CC-V-V及/或CC-V-Vn及/或CC-nV-Vn、尤佳地CC-3-V，其濃度較佳為至多60%或以下、尤佳至多50%或以下；及視情況另外CC-3-V1，其濃度為較佳至多15%或以下；及/或CC-4-V，其濃度較佳為至多24%或以下、尤佳至多30%或以下。 vii. 介質包含式CC-n-V、較佳地CC-3-V之化合物，其濃度較佳為1%或以上至60%或以下，更佳地濃度為3%或以上至35%或以下。 viii. 作為整體之混合物中式CC-3-V化合物之總濃度較佳係15%或以下、較佳10%或以下或20%或以上、較佳25%或以上。 ix. 作為整體之混合物中式Y-nO-Om化合物之總濃度係2%或以上至30%或以下、較佳5%或以上至15%或以下。 x. 作為整體之混合物中式CY-n-Om化合物之總濃度係5%或以上至60%或以下、較佳15%或以上至45%或以下。 xi. 作為整體之混合物中式CCY-n-Om及/或CCY-n-m化合物、較佳CCY-n-Om化合物之總濃度係5%或以上至40%或以下、較佳1%或以上至25%或以下。 xii. 作為整體之混合物中式CLY-n-Om化合物之總濃度係5%或以上至40%或以下、較佳10%或以上至30%或以下。 xiii. 液晶介質包含一或多種式IV化合物、較佳地式IV-1及/或IV-2化合物，其總濃度較佳為1%或以上、尤其2%或以上且極佳3%或以上至50%或以下、較佳35%或以下。 xiv. 液晶介質包含一或多種式V化合物、較佳地式V-1及/或V-2化合物，其總濃度較佳為1%或以上、尤其2%或以上且極佳15%或以上至35%或以下、較佳至30%或以下。 xv. 作為整體之混合物中式CCP-V-n、較佳地CCP-V-1化合物之總濃度較佳為5%或以上至30%或以下、較佳地15%或以上至25%或以下。 xvi. 作為整體之混合物中式CCP-V2-n、較佳地CCP-V2-1化合物之總濃度較佳為1%或以上至15%或以下、較佳2%或以上至10%或以下。 本發明此外係關於具有基於VA、ECB、IPS、FFS或UB-FFS效應定址之主動矩陣之電光顯示器，其特徵在於其含有作為介電質之本發明之液晶介質。 液晶混合物較佳具有寬度為至少70度之向列相範圍。 旋轉黏度γ1 較佳為350 mPa×s或以下、較佳250 mPa×s或以下且尤其150 mPa×s或以下。 本發明之混合物適用於使用介電正性液晶介質之所有IPS及FFS-TFT應用，例如SG-FFS (超控制FFS)。 本發明之液晶介質較佳幾乎完全由4至18、尤其5至15且尤佳12種或以下化合物組成。該等較佳選自式Y、I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII及IX之化合物之群。 本發明之液晶介質可視情況亦包含多於18種化合物。在此情形中，其較佳包含18至25種化合物。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質主要由不包含氰基之化合物組成、較佳地基本上由其組成且最佳地幾乎完全由其組成。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質包含選自式Y、I、II及III、IV及V及VI至IX化合物之群、較佳選自式Y-1、Y-2、Y-3、Y-4、Y-5、Y-6、I-1、I-2、I-3、I-4、I-5、II-1、II-2、III-1、III-2、IV、V、VII-1、VII-2、VIII及IX化合物之群之化合物；其較佳主要由該式之化合物組成、尤佳地基本上由其組成且極佳地幾乎完全由其組成。 本發明之液晶介質較佳具有在各自情形下至少-10℃或以下至70℃或以上、尤佳地-20℃或以下至80℃或以上、極佳地-30℃或以下至85℃或以上且最佳地-40℃或以下至90℃或以上之向列相。 在此，表述“具有向列相”意指，一方面在相應溫度之低溫下觀察不到層列相及結晶，且另一方面在加熱時向列相不出現透明。在相應溫度下在流量式黏度計中實施低溫研究並藉由在具有對應於電光用途之層厚度的測試單元中儲存至少100小時來檢查。若在-20℃溫度下在相應測試單元中儲存穩定性為1000 h或更長時間，則該介質視為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別係500 h及250 h。在高溫下，澄清點係在毛細管中藉由習用方法量測。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質之特徵在於中等至低範圍內之光學各向異性值。雙折射率值較佳在0.075或以上至0.130或以下之範圍內、尤佳在0.085或以上至0.120或以下之範圍內且極佳在0.090或以上至0.115或以下之範圍內。 在此實施例中，本發明之液晶介質具有正介電各向異性及相對高之介電各向異性之絕對值Δε，其較佳在0.5或以上、較佳地1.0或以上、更佳地2.0或以上至20或以下、更佳地至15或以下，更佳地在3.0或以上至10或以下，尤佳地在4.0或以上至9.0或以下且極佳地4.5或以上至8.0或以下之範圍內。 本發明之液晶介質較佳具有相對低之臨限電壓之值(V0 )，其在1.0 V或以上至2.5 V或以下、較佳地1.2 V或以上至2.2 V或以下、尤佳地1.3 V或以上至2.0 V或以下之範圍內。 在另一較佳實施例中，本發明之液晶介質較佳具有相對高之平均介電常數之值(εav. ≡ (ε|| + 2ε^ )/3)，其較佳在8.0或以上至25.0或以下、較佳8.5或以上至20.0或以下、更佳9.0或以上至19.0或以下、尤佳10.0或以上至18.0或以下且極佳11.0或以上至16.5或以下之範圍內。 另外，本發明之液晶介質在液晶單元內具有高VHR值。 在20℃下剛充滿之單元中，在單元中該等VHR值大於或等於95%、較佳大於或等於97%、尤佳大於或等於98%且極佳大於或等於99%，在100℃下之烘箱中5分鐘後，在單元中該等大於或等於90%、較佳大於或等於93%、尤佳大於或等於96%且極佳大於或等於98%。 一般而言，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質在此具有低於具有較高定址電壓或臨限電壓之彼等之VHR且反之亦然。 該等較佳個別物理性質之值較佳亦在各自情形下藉由本發明之介質彼此組合來維持。 在本申請案中，術語“化合物”亦寫為“一或多種化合物”，除非另外明確指示，否則意指一種以及複數種化合物。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質包含： 一或多種式Y化合物及 一或多種式I化合物及/或 一或多種較佳具有以下各式之式II化合物： PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F及PGUQU-n-F，及/或 一或多種較佳具有以下各式之式III化合物： CCP-n-OT、CLP-n-T、CGG-n-F及CGG-n-OD，及/或 一或多種較佳具有以下各式之式IV化合物： CC-n-V、CC-n-Vm、CC-n-m及CC-V-V，及/或 一或多種較佳具有以下各式之式V化合物： CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n、CLP-V-n、CCVC-n-V及CGP-n-m，及/或 一或多種較佳具有以下各式之式VI化合物： Y-n-Om、Y-nO-Om及/或CY-n-Om，其係選自式Y-3-O1、Y-4O-O4、CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及CY-5-O4之化合物之群，及/或 視情況、較佳必須地一或多種式VII-1化合物，其較佳係選自式CCY-n-m及CCY-n-Om化合物之群、較佳為式CCY-n-Om化合物，該等式CCY-n-Om化合物較佳係選自式CCY-3-O2、CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O3、CCY-4-O2、CCY-3-O2及CCY-5-O2化合物之群，及/或 視情況、較佳必須地一或多種式VII-2化合物、較佳地式CLY-n-Om化合物，其較佳係選自式CLY-2-O4、CLY-3-O2、CLY-3-O3化合物之群，及/或 一或多種式VIII化合物、較佳地式CZY-n-On及CCOY-n-m化合物，及/或 一或多種式IX化合物，較佳地式PYP-n-m化合物，及/或 視情況、較佳必須地一或多種式IV化合物，其較佳係選自式CC-n-V、CC-n-Vm及CC-nV-Vm、較佳地CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V、CC-5-V及CC-V-V化合物之群、尤佳係選自CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V及CC-V-V化合物之群，極佳為CC-3-V化合物，及視情況另外地CC-4-V及/或CC-3-V1及/或CC-V-V化合物，及/或 視情況、較佳必須地，一或多種式V化合物，較佳為式CCP-V-1及/或CCP-V2-1化合物。 在本發明之特定較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種式IX化合物。 式IX化合物亦高度適宜作為液晶混合物中之穩定劑，尤其在p = q = 1及環A9 = 1,4-伸苯基之情形下。具體而言，其穩定化混合物之VHR對抗UV曝光。 在較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種式IX化合物，其係選自一或多個式IX-1至IX-4化合物、極佳地式IX-1至IX-3化合物之群之式，其中參數具有根據式IX所給出之含義。 在另一較佳實施例中，介質包含一或多種式IX-3化合物、較佳地式IX-3-a化合物，其中 烷基及烷基’ 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基。 在於本申請案之液晶介質中使用式IX化合物之情形下，其較佳以20%或以下、更佳10%或以下且最佳5%或以下之濃度存在，且對於個別、即(同源)化合物而言，較佳以10%或以下且更佳5%或以下之濃度存在。 對於本發明而言，除非在個別情形中另外指示，否則以下定義關於組合物成分之說明適用： - “包含”：組合物中所討論之成分之濃度較佳為5%或以上、尤佳地10%或以上、極佳地20%或以上， - “主要由……組成”：組合物中所討論之成分之濃度較佳為50%或以上、尤佳地55%或以上且極佳地60%或以上， - “基本上由……組成”：組合物中所討論之成分之濃度較佳為80%或以上、尤佳地90%或以上且極佳地95%或以上，且 - “幾乎完全由……組成”：組合物中所討論之成分之濃度較佳為98%或以上、尤佳地99%或以上且極佳地100.0%。 此既適用於作為具有其成分之組合物之介質，該等成分可係組分及化合物，且亦適用於具有其成分(化合物)之組件。僅就個別化合物相對於作為整體之介質之濃度而言，該術語意指：所討論化合物之濃度較佳係1%或以上、尤佳2%或以上、極佳4%或以上。 對於本發明而言，“£”意指小於或等於、較佳小於，且“³”意指大於或等於、較佳大於。 對於本發明而言，及表示反式- 1,4-伸環己基，且及表示1,4-伸苯基。 對於本發明而言，表述“介電正性化合物”意指Δε＞ 1.5之化合物，表述“介電中性化合物”意指其中-1.5 £ Δε £ 1.5之彼等，且表述“介電負性化合物”意指其中Δε ＜ -1.5之彼等。在此化合物之介電各向異性係藉由以下測定：將10%之化合物溶解於液晶主體中，並在每一情形下在至少一個具有20 μm之層厚度以及1 kHz下之垂直及均勻表面配向之測試單元中測定所得混合物之電容。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但總低於所研究各別液晶混合物之電容臨限值。 用於介電正性及介電中性化合物之主體混合物係ZLI-4792，且用於介電負性化合物之主體混合物係ZLI-2857，二者皆來自Merck KGaA, Germany。欲研究之各別化合物之值係在添加欲研究之化合物後，自主體混合物之介電常數之改變獲得，並外推至100%之所用化合物。將欲研究之化合物以10%之量溶解於主體混合物中。若物質之溶解度對於此目的而言過低，則在步驟中將濃度減半直至可在期望之溫度下實施研究為止。 若需要，本發明之液晶介質亦可包含通常量之其他添加劑，例如穩定劑及/或多色染料(例如，雙色染料)及/或手性摻雜劑。所用該等添加劑之量基於整體混合物之量，較佳總計0%或以上至10%或以下、尤佳0.1%或以上至6%或以下。所用個別化合物之濃度較佳係0.1%或以上至3%或以下。當指定液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，通常不將該等及類似添加劑之濃度考慮在內。 在較佳實施例中，本發明之液晶介質包含聚合物前體，其包含一或多種反應性化合物、較佳反應性液晶原，且若需要亦包含通常量之其他添加劑，例如聚合起始劑及/或聚合緩和劑。所用該等添加劑之量基於整體混合物之量總計0%或以上至10%或以下、較佳0.1%或以上至2%或以下。當指定液晶介質中液晶化合物之濃度及濃度範圍時，不將該等及類似添加劑之濃度考慮在內。 組合物由複數種化合物、較佳地3或以上至30或較少、尤佳地6或以上至20或較少且極佳地10或以上至16或較少種化合物組成，其係以習用方式混合。一般而言，將期望量之以較少量使用之組分溶解於構成組合物之主要成分之組分中。此在升高溫度下有利地實施。若所選溫度高於主要成分之澄清點，則溶解操作之完成特別易於觀測。然而，亦可以其他習用方式製備液晶混合物，例如使用預混合物或自所謂的“多瓶系統”製備。 本發明之混合物展現極寬向列相範圍，其具有65℃或以上之澄清點，極有利的電容臨限值，相對高之保持率值及同時在-30℃及-40℃下極佳之低溫穩定性。此外，本發明之混合物之特徵在於低旋轉黏度γ1 。 對於熟習此項技術者不言而喻的是，用於VA、IPS、FFS或PALC顯示器中之本發明介質亦可包含其中(例如) H、N、O、Cl、F由對應同位素替代之化合物。 本發明液晶顯示器之結構符合如(例如) EP-A 0 240 379中所闡述之普通幾何形狀。 藉助適宜添加劑，可以使其能用於迄今已揭示之任何類型(例如，IPS及FFS LCD)顯示器中之方式對本發明之液晶相進行改質。 下表E指示可添加至本發明混合物中之可能摻雜劑。若混合物包含一或多種摻雜劑，則其係以0.01%至4%、較佳0.1%至1.0%之量採用。 舉例而言，可較佳以0.01%至6%、尤其0.1%至3%之量添加至本發明混合物之穩定劑在下文顯示於表F中。 出於本發明之目的，除非另外明確說明，否則所有濃度係以重量%指示，且除非另外明確指示，否則係相對於作為整體之相應混合物或相對於亦作為整體之各別混合物組分。在此情況下術語“混合物”闡述液晶介質。 除非另外明確指示，否則本申請案中所指示之所有溫度值，例如熔點T(C,N)、層列(S)至向列(N)之相變T(S,N)及澄清點T(N,I)係以攝氏度(℃)指示且所有溫度差相應地以度數差(°或度)指示。 除非另外明確指示，否則對於本發明而言，術語“臨限電壓”係關於電容臨限值(V0 )，亦稱為弗裡德裡克茲(Freedericks)臨限值。 除非另外明確指示，否則在各情形下所有物理性質係並已根據“Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals”，1997年11月版測定且適用於20℃之溫度，且Δn係在436 nm、589 nm及在633 nm下測定且Δε係在1 kHz下測定。 電光性質，例如臨限電壓(V0 ) (電容量測值)如同切換行為係在Merck Japan所生產之測試單元中測定。量測單元具有鈉鈣玻璃基板且係以ECB或VA構形構築，該構形具有聚醯亞胺配向層(皆來自Nissan Chemicals, Japan之SE-1211與稀釋劑**26 (混合比率1:1))，其垂直於彼此摩擦並實現液晶之垂直配向。透明、幾乎正方形之ITO電極之表面積為1 cm2 。 除非另外指示，否則不將手性摻雜劑添加至所用之液晶混合物，但液晶混合物亦尤其適用於其中需要此類摻雜之應用。 旋轉黏度係使用旋轉永久磁鐵方法測定且流動黏度係在改進之Ubbelohde黏度計中測定。對於液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792及MLC-6608 (皆係來自Merck KGaA, Darmstadt, Germany之產品)而言，在20℃下所測定之旋轉黏度值分別係161 mPa·s、133 mPa·s及186 mPa·s，且流動黏度值(ν)分別係21 mm2 ·s-1 、14 mm2 ·s-1 及27 mm2 ·s-1 。 除非另外明確說明，否則材料折射率之分散出於實踐目的可便捷地以下列方式表徵，其在本申請案通篇中使用。雙折射率之值係在20℃之溫度下、在若干確定波長下使用改進之Abbé折射儀測定，其中在與材料接觸之棱鏡之側上具有垂直配向表面。雙折射率值係在436 nm之指定波長值(各別選擇之低壓汞燈之光譜線)、589 nm (鈉“D”線)及633 nm (HE-Ne雷射之波長)下與衰減器/擴散器組合使用測定，以防止損害觀測者的眼睛。在下表中，Δn係在589 nm下給出且Δ(Δn)係以Δ(Δn) = Δn(436 nm) - Δn(633 nm)給出。 除非另外明確指示，否則使用以下符號： V0 20℃下之臨限電壓，電容[V]， ne 在20℃及589 nm下所量測之非常折射率， no 在20℃及589 nm下所量測之尋常折射率， Δn 在20℃及589 nm下所量測之光學各向異性， λ 波長λ [nm]， Δn(λ) 在20℃及波長λ下所量測之光學各向異性， Δ(Δn) 光學各向異性之改變定義為： Δn(20℃, 436 nm) - Δn(20℃, 633 nm)， Δ(Δn*) “光學各向異性之相對改變”定義為： Δ(Δn)/Δn(20℃,589 nm)， ε^ 在20℃及1 kHz下垂直於指向矢之介電極化率， ε|| 在20℃及1 kHz下平行於指向矢之介電極化率， Δε 20℃及1 kHz下之介電各向異性， T(N,I)或clp. 澄清點[℃]， ν 在20℃下所量測之流動黏度[mm2 ·s-1 ]， γ1 在20℃下所量測之旋轉黏度[mPa×s]， k11 20℃下之彈性常數，“斜展”變形[pN]， k22 20℃下之彈性常數，“扭曲”變形[pN]， k33 20℃下之彈性常數，“彎曲”變形[pN]， LTS 在測試單元中所測定之相之低溫穩定性， VHR 電壓保持率(v oltageh oldingr atio)， ΔVHR 電壓保持率之減小，且 Srel VHR之相對穩定性， 以下實例解釋本發明而非對其加以限制。然而，其對熟習此項技術人員顯示關於較佳地欲採用之化合物及其各別濃度及其彼此之組合的較佳混合物概念。另外，實例闡釋可得到之性質及性質組合。 對於本發明而言且在以下實例中，液晶化合物之結構係以字首語之方式指示，並轉變成根據下表A至C進行之化學式。所有基團Cn H2n+1 、Cm H2m+1 及Cl H2l+1 或Cn H2n 、Cm H2m 及Cl H2l 係直鏈烷基或伸烷基，其在各自情形下分別具有n、m及l個C原子。較佳地n、m及l彼此獨立地係1、2、3、4、5、6或7。表A顯示化合物核之環要素之代碼，表B列示橋接單元，且表C列示分子左手側及右手側端基之符號。字首語係由具有可選連接基團之環要素之代碼、隨後第一連字符及左手側端基之代碼以及第二連字符及右手側端基之代碼構成。表D顯示化合物之說明性結構以及其各別縮寫。表 A ：環要素 表 B ：橋接單元 表 C ： 端基 其中n及m各自係整數，且三個點“…”係來自此表之其他縮寫之占位符。 除式I化合物以外，本發明之混合物較佳包含一或多種下文所提及化合物之化合物。 使用以下縮寫： (n、m及l各自彼此獨立地係整數、較佳地1至6，l可能亦為0且較佳為0或2)表 D 實例性較佳式Y化合物具有高的ε^ ： 實例性較佳式I化合物具有高的ε^ ： 以及 以及實例性較佳介電正性化合物 實例性較佳介電中性化合物 實例性較佳介電中性化合物 表E顯示手性摻雜劑，其較佳用於本發明之混合物中。表 E 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種選自來自表E化合物之群之化合物。 表F顯示穩定劑，其較佳可用於除式I化合物以外之本發明之混合物中。參數n在此表示1至12範圍內之整數。具體而言，所顯示之酚衍生物可用作額外穩定劑，此乃因其起抗氧化劑之作用。表 F 其中n係1、2、3、4、5、6或7且較佳係3。 在本發明之較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種選自來自表F化合物之群之化合物，特定而言一或多種選自以下兩式化合物之群之化合物 實例 下列實例解釋本發明而不以任何方式限制本發明。然而，物理性質向熟習此項技術者表明可達成何種性質及其可在何種範圍內經改良。特定而言，對於熟習此項技術者而言可充分限定較佳可達成之各種性質之組合。化合物實例 具有垂直於指向矢之高介電常數(ε^ )及高平均介電常數(εav. )之實例性化合物例示於以下化合物實例中。測定純化合物之轉變溫度。除非另外明確說明，否則推測主體混合物ZLI-4792中化合物之各別混合物之所有其他各別值。化合物實例 1 此化合物(YG-3-1)具有Tg -79℃ K -3℃之相變、0.088之Δn、-3.4之Δε及8.3之高ε^ 。化合物實例 2 至 12 式Y-1化合物係(例如)此化合物(YG-2O-F)具有69℃之熔點、0.105之Δn、4.1之Δε及13.5之高ε^ 。此化合物(YG-3O-F)具有50℃之熔點、0.094之Δn、3.3之Δε及13.0之高ε^ 。此化合物(YG-4O-F)具有37℃之熔點、0.094之Δn、2.4之Δε及12.5之高ε^ 。此化合物(YG-5O-F)具有29℃之熔點、0.089之Δn、1.9之Δε及12.1之高ε^ 。此化合物(YG-6O-F)具有25℃之熔點、0.089之Δn、1.4之Δε及11.6之高ε^ 。此化合物(YG-V2O-F)具有51℃之熔點、0.079之Δn、2.7之Δε及12.0之高ε^ 。此化合物(YG-3-F)具有Tg -82℃ K -5℃之相變、0.075之Δn、2.6之Δε及9.5之高ε^ 。此化合物(YG-5-T)具有-79℃之玻璃轉換溫度(Tg )、0.060之Δn、8.3之Δε及9.3之高ε^ 。此化合物(YG-2O-T)具有73℃之熔點、0.099之Δn、11.1之Δε及13.6之高ε^ 。此化合物(YG-5-OT)具有-86℃之玻璃轉換溫度(Tg )、0.068之Δn、5.3之Δε及8.3之高ε^ 。此化合物(YG-2O-OT)具有48℃之熔點、0.107之Δn、6.0之Δε及12.3之高ε^ 。化合物實例 13 式Y-3化合物係(例如)此化合物(YP-2O-1Cl)具有87℃之熔點、0.141之Δn、-1.8之Δε及12.7之高ε^ 。化合物實例 14 至 16 式Y-4化合物係(例如)此化合物(PY-3-F)具有7℃之熔點、0.083之Δn、2.7之Δε及8.0之相對高ε^ 。此化合物(PY-5-OT)具有-21℃之熔點、0.082之Δn、3.4之Δε及7.1之相對高ε^ 。此化合物(PY-5O-OT)具有K 39℃ SA (22℃) I之相序(即39℃之熔點)、0.108之Δn、5.5之Δε及7.3之相對高ε^ 。化合物實例 17 至 19 式Y-5化合物係(例如)此化合物(PGIY-2-O4)具有K 85℃ N 122.2℃之相序(即85℃之熔點)、0.228之Δn、2.0之Δε及6.1之相對高ε^ 。此化合物(PGIY-3-O2)具有K 106℃ N 153℃ I之相序(即106℃之熔點)、0.248之Δn、-1.4之Δε及9.9之高ε^ 。此化合物(PGIY-3-O4)具有K 74℃ N 136℃ I之相序(即74℃之熔點)、0.230之Δn、-1.5之Δε及9.4之高ε^ 。化合物實例 20 至 21 式Y-6化合物係(例如)此化合物(PGY-3-1)具有K 75℃ N 84.2℃之相序(即75℃之熔點)、0.234之Δn、1.7之Δε及6.8之相對高ε^ 。此化合物(PGY-3-O2)具有K 107℃ N 138.7℃之相序(即107℃之熔點)、0.249之Δn、-2.5之Δε及10.0之相對高ε^ 。化合物實例 22 及 23 式I-4化合物係(例如)此化合物(B(S)-2O-O4)具有79℃之熔點、0.213之Δn、-4.0之Δε及17.1之高ε^ 。此化合物(B(S)-2O-O5)具有77℃之熔點、0.196之Δn、-4.9之Δε及16.7之高ε^ 。化合物實例 24 及 25 式I-5化合物係(例如)此化合物(B(S)-5-F)具有53℃之熔點、0.129之Δn、+0.74之Δε及10.3之高ε^ 。此化合物(B(S)-5-T)具有65℃之熔點、0.139之Δn、6.8之Δε及10.7之高ε^ 。化合物實例 26 及 27 式I-2化合物係(例如)此化合物(B-2O-O5)具有57℃之熔點、0.181之Δn、-6.1之Δε及18.8之高ε^ 。此化合物(B-4O-O5)具有76℃之熔點及0.181之Δn。化合物實例 28 式I-3化合物係(例如)此化合物(B-5O-OT)具有68℃之熔點、0.136之Δn、2.3之Δε及15.7之高ε^ 。混合物實例 以下係所揭示之實例性混合物。實例 1 製備並研究以下混合物(M-1)。 此混合物(混合物M-1)具有0.82之介電比(ε^ /Δε)、4.76 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之極佳透射並顯示極短反應時間。比較實例 1 製備並研究以下混合物(C-1)。 備註： t.b.d.：在本申請案上文以及下文中意指“欲測定”。 此比較混合物(混合物C-1)具有0.85之介電比(ε^ /Δε)、5.04 mPa×s / pN之(γ1 / k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中中等良好之透射但顯示與實例1相比顯著更長之反應時間。實例 2 製備並研究以下混合物(M-2)。 此混合物(混合物M-2)具有0.47之介電比(ε^ /Δε)、6.19 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並鑒於其低臨限電壓顯示短的反應時間。實例 3 製備並研究以下混合物(M-3)。 此混合物(混合物M-3)具有(ε^ /Δε)0.45之介電比、6.42 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並鑒於其低臨限電壓顯示短的反應時間。實例 4 製備並研究以下混合物(M-4)。 此混合物(混合物M-4)具有0.51之介電比(ε^ /Δε)、7.64 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。比較實例 2 製備並研究以下混合物(C-2)。 此比較混合物(混合物C-2)具有0.78之介電比(ε^ /Δε)、7.16 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中中等良好之透射並顯示最佳可接受之短之反應時間。實例 5 製備並研究以下混合物(M-5)。 此混合物(混合物M-5)具有0.49之介電比(ε^ /Δε)、7.3 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 6 製備並研究以下混合物(M-6)。 此混合物(混合物M-6)具有0.55之介電比(ε^ /Δε)、6.74 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 7 製備並研究以下混合物(M-7)。 此混合物(混合物M-7)具有0.51之介電比(ε^ /Δε)、7.64 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 8 製備並研究以下混合物(M-8)。 此混合物(混合物M-8)具有0.49之介電比(ε^ /Δε)、7.26 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 9 製備並研究以下混合物(M-9)。 此混合物(混合物M-9)具有0.51之介電比(ε^ /Δε)、5.90 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 10 製備並研究以下混合物(M-10)。 此混合物(混合物M-10)具有0.48之介電比(ε^ /Δε)、6.19 mPa×s / pN之(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 11 製備並研究以下混合物(M-11)。 此混合物(混合物M-11)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 12 製備並研究以下混合物(M-12)。 此混合物(混合物M-12)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 13 製備並研究以下混合物(M-13)。 此混合物(混合物M-13)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 14 製備並研究以下混合物(M-14)。 此混合物(混合物M-14)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 15 製備並研究以下混合物(M-15)。 此混合物(混合物M-15)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 16 製備並研究以下混合物(M-16)。 此混合物(混合物M-16)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 17 製備並研究以下混合物(M-17)。 此混合物(混合物M-17)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-1 製備並研究以下混合物(M-18-1)。 此混合物(混合物CM-18)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-2 製備並研究以下混合物(M-18-2)。 此混合物(混合物M-18-2)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-3 製備並研究以下混合物(M-18-3)。 此混合物(混合物M-18-3)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-4 製備並研究以下混合物(M-18-4)。 此混合物(混合物M-18-4)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-5 製備並研究以下混合物(M-18-5)。 此混合物(混合物M-18-5)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-6 製備並研究以下混合物(M-18-6)。 此混合物(混合物M-18-6)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-7 製備並研究以下混合物(M-18-7)。 此混合物(混合物M-18-7)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-8 製備並研究以下混合物(M-18-8)。 此混合物(混合物M-18-8)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-9 製備並研究以下混合物(M-18-9)。 此混合物(混合物M-18-9)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-10 製備並研究以下混合物(M-18-10)。 此混合物(混合物M-18-10)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-11 製備並研究以下混合物(M-18-11)。 此混合物(混合物M-18-11)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 18-12 製備並研究以下混合物(M-18-12)。 此混合物(混合物M-18-11)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 19 製備並研究以下混合物(M-19)。 此混合物(混合物M-19)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 20 製備並研究以下混合物(M-20)。 此混合物(混合物M-20)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 21 製備並研究以下混合物(M-21)。 此混合物(混合物M-21)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 22 製備並研究以下混合物(M-22)。 此混合物(混合物M-22)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 23 製備並研究以下混合物(M-23)。 此混合物(混合物M-23)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 24 製備並研究以下混合物(M-24)。 此混合物(混合物M-24)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 25 製備並研究以下混合物(M-25)。 此混合物(混合物M-25)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 26 製備並研究以下混合物(M-26)。 此混合物(混合物M-26)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 27 製備並研究以下混合物(M-27)。 此混合物(混合物M-27)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 28 製備並研究以下混合物(M-28)。 此混合物(混合物M-28)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 29 製備並研究以下混合物(M-29)。 此混合物(混合物M-29)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 30 製備並研究以下混合物(M-30)。 此混合物(混合物M-30)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 31 製備並研究以下混合物(M-31)。 此混合物(混合物M-31)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 32 製備並研究以下混合物(M-32)。 此混合物(混合物M-32)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 33 製備並研究以下混合物(M-33)。 此混合物(混合物M-33)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 34 製備並研究以下混合物(M-34)。 此混合物(混合物M-34)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 35 製備並研究以下混合物(M-35)。 此混合物(混合物M-35)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 36 製備並研究以下混合物(M-36)。 此混合物(混合物M-36)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 37 製備並研究以下混合物(M-37)。 此混合物(混合物M-37)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 38 製備並研究以下混合物(M-38)。 此混合物(混合物M-38)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 39 製備並研究以下混合物(M-39)。 此混合物(混合物M-39)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 40 製備並研究以下混合物(M-40)。 此混合物(混合物M-40)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 41 製備並研究以下混合物(M-41)。 此混合物(混合物M-41)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 42 製備並研究以下混合物(M-42)。 此混合物(混合物M-42)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 43 製備並研究以下混合物(M-43)。 此混合物(混合物M-43)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 44 製備並研究以下混合物(M-44)。 此混合物(混合物M-44)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 45 製備並研究以下混合物(M-45)。 此混合物(混合物M-45)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 46 製備並研究以下混合物(M-46)。 此混合物(混合物M-46)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 47 製備並研究以下混合物(M-47)。 此混合物(混合物M-47)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 48 製備並研究以下混合物(M-48)。 此混合物(混合物)M-48具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 49 製備並研究以下混合物(M-49)。 此混合物(混合物M-49)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 50 製備並研究以下混合物(M-50)。 此混合物(混合物M-50)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 51 製備並研究以下混合物(M-51)。 此混合物(混合物M-51)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 52 製備並研究以下混合物(M-52)。 此混合物(混合物M-52)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 53 製備並研究以下混合物(M-53)。 此混合物(混合物M-53)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 54 製備並研究以下混合物(M-54)。 此混合物(混合物M-54)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 55 製備並研究以下混合物(M-55)。 此混合物(混合物M-55)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 56 製備並研究以下混合物(M-56)。 此混合物(混合物M-56)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 57 製備並研究以下混合物(M-57)。 此混合物(混合物M-57)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 58 製備並研究以下混合物(M-58)。 此混合物(混合物M-58)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 59 製備並研究以下混合物(M-59)。 此混合物(混合物M-59)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 60 製備並研究以下混合物(M-60)。 此混合物(混合物M-60)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 61 製備並研究以下混合物(M-61)。 此混合物(混合物M-61)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 62 製備並研究以下混合物(M-62)。 此混合物(混合物M-62)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 63 製備並研究以下混合物(M-63)。 此混合物(混合物M-63)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。實例 64 製備並研究以下混合物(M-64)。 此混合物(混合物M-64)具有良好介電比(ε^ /Δε)、良好(γ1 /k11 )比率，且其特徵在於FFS顯示器中之良好透射並顯示短的反應時間。

Claims (14)

  1. 一種液晶介質，其在20℃之溫度下具有0.5或以上之介電各向異性(Δε)，其特徵在於其包含一或多種下式Y化合物其中表示或 表示或n 表示0或1， RY1 及RY2 彼此獨立地表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且RY1 或者表示RY ，且RY2 或者表示XY ， RY 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且 XY 表示F、Cl、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基，後四個基團較佳具有1至4個C原子。
  2. 如請求項1之介質，其中其包含一或多種式Y化合物，其係選自式Y-1至Y-6化合物之群：其中參數具有請求項1中所給出之各別含義。
  3. 如請求項1或2之介質，其中其另外包含一或多種式I化合物：其中表示或 表示或n 表示0或1， R1 1 及R1 2 彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且R1 1 或者表示R1 ，且R1 2 或者表示X1 ， R1 表示較佳具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，且較佳地烷基或烯基，且 X1 表示F、Cl、氟化烷基、氟化烯基、氟化烷氧基或氟化烯氧基。
  4. 如請求項1至3中任一項之介質，其中其包含一或多種選自式II及III化合物之群、較佳介電各向異性各自大於3之化合物之群之化合物：其中 R2 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，及在每次出現時彼此獨立地表示 或L21 及L22 表示H或F， X2 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基， m 表示0、1、2或3， R3 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基及在每次出現時彼此獨立地係 或L31 及L32 彼此獨立地表示H或F， X3 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3 、-OCHF3 、-O-CH2 CF3 、-O-CH=CF2 、-O-CH=CH2 或-CF3 ， Z3 表示-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反式- CH=CH-、反式- CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，且 n 表示0、1、2或3。
  5. 如請求項1至4中任一項之液晶介質，其中其包含一或多種選自式IV及V之群之介電中性化合物：其中 R41 及R42 彼此獨立地具有如請求項4中根據式II對R2 所指示之含義，及彼此獨立地，且若出現兩次， 則該等亦彼此獨立地表示 或Z41 及Z42 彼此獨立地，且若Z41 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示-CH2 CH2 -、-COO-、反式-CH=CH-、反式- CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵， p 表示0、1或2， R51 及R52 彼此獨立地具有如請求項4中針對R41 及R42 所給出含義中之一者至若存在，則各自彼此獨立地表示 或Z51 至Z53 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，且 i及j 各自彼此獨立地表示0或1。
  6. 如請求項5之液晶介質，其中其包含一或多種選自式VI至IX之群之化合物：其中 R61 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有2至7個C原子之未經取代之烯基、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子之未經取代之烯氧基， R62 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子之未經取代之烯氧基，且 l 表示0或1， R71 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基， R72 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子之未經取代之烯氧基，表示或R81 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基， R82 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基、具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基或具有2至6個C原子、較佳具有2、3或4個C原子之未經取代之烯氧基，表示或Z8 表示-(C=O)-O-、-CH2 -O-、-CF2 -O-或-CH2 -CH2 -， o 表示0或1， R91 及R92 彼此獨立地具有上文針對R72 所給出之含義，表示或p及q 彼此獨立地表示0或1。
  7. 如請求項1至6中任一項之介質，其中作為整體之該介質中該等式Y化合物之總濃度係1%或以上至60%或以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之介質，其中其另外包含一或多種手性化合物。
  9. 一種電光顯示器或電光組件，其特徵在於其包含如請求項1至8中任一項之液晶介質。
  10. 如請求項9之顯示器，其中其係基於IPS模式或FFS模式。
  11. 如請求項9或10之顯示器，其中其含有主動矩陣定址裝置。
  12. 一種如請求項1至8中任一項之介質之用途，其用於電光顯示器或電光組件中。
  13. 如請求項9至11中任一項之顯示器，其中其係移動顯示器。
  14. 一種製備如請求項1至8中任一項之液晶介質之方法，其特徵在於將一或多種式Y化合物與一或多種其他液晶原化合物及視情況一或多種添加劑混合。
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