CN112996882A - 液晶介质和包含其的液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种液晶介质，优选具有向列相和0.5或更大的介电各向异性，其包含一种或多种式(D)的化合物
Description
本发明涉及新型的液晶介质，特别是用于液晶显示器的液晶介质，和这些液晶显示器，特别是使用利用介电正性液晶的IPS(面内切换)或优选FFS(边缘场切换)效应的液晶显示器。最后一个也偶尔被称为XB-FFS(超亮的FFS，即使用具有正介电各向异性，且含有
Reg.NR.302015038212(无大介电各向异性的极性液晶(在FFS盒中)的液晶混合物的效应)效应。对于该效应，使用包含一种或多种同时具有高的平行于分子指向矢和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物的介电正性液晶，这导致大的平均介电常数和高介电比以及优选同时导致相对小的介电各向异性。液晶介质任选额外地包含介电负性、介电中性化合物或这二者。以沿面(即平面)初始配向使用该液晶介质。根据本发明的液晶介质具有正介电各向异性并且包含同时具有大的平行于和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物。
所述介质的特征在于在各个显示器中特别高的透射率和降低的响应时间，这通过它们独特的物理性能组合，尤其是通过它们的介电性能和特别是通过它们高的(ε⊥/εav.)比或它们高的介电比(ε⊥/Δε)的值带来。此外，且特别地，它们特征在于优异的γ1/k11的比。这也导致它们在根据本发明的显示器中的优异表现。
使用介电正性液晶的IPS和FFS显示器是本领域熟知的并且已经广泛被采用用于多种类型的显示器，例如桌面监视器和电视机，而且用于移动应用。
然而，最近广泛采用使用介电负性液晶的IPS和特别是FFS显示器。后一个有时被称为UB-FFS(超亮FFS)。例如在US 2013/0207038 A1中公开了这种显示器。相比于先前使用的IPS和FFS显示器，这些显示器的特征在于显著增加的透射率，这已经是介电正性液晶。然而，使用介电负性液晶的这些显示器具有严重的缺点：相比于使用介电正性液晶的各个显示器需要更高的操作电压。用于UB-FFS的液晶介质具有-0.5或更小和优选-1.5或更小的介电各向异性。
用于HB-FFS(高亮度FFS)的液晶介质具有0.5或更大和优选1.5或更大的介电各向异性。包含介电负性和介电正性液晶化合物二者的相应介质，或介晶化合物公开于例如US2013/0207038 A1中。然而，这些介质的特征在于有相当大的ε⊥和εav值。
然而，根据本申请，其中介电正性液晶介质呈沿面配向的IPS或FFS效应是优选的。
该效应在电光显示器元件中的工业应用需要必须满足多种要求的液晶相。此处尤为重要的是对水分、空气的耐化学性和物理影响，例如热、红外线、可见光和紫外区域的辐射以及直流(DC)和交流(AC)电场。
此外，工业可用的液晶相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶中间相。
迄今已经公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作液晶相的物质。
已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于各个像素单独切换的非线性元件为，例如有源元件(即晶体管)。随后使用术语“有源矩阵”，其中通常使用薄膜晶体管(TFT)，其通常安置在作为基板的玻璃板上。
两种技术之间的区别在于：包含化合物半导体，例如CdSe或金属氧化物如ZnO的TFT，或基于多晶和尤其是无定形硅的TFT。目前后一技术在全球范围内具有最大的商业重要性。
将TFT矩阵施用于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一玻璃板在其内侧带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小且对图像几乎没有不利作用。该技术还可以推广到全色功能的显示器，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌块(mosaic)以使得滤光片元件与每个可切换的像素相对设置的方式排列。
迄今最常使用的TFT显示器通常使用透射的交叉偏振器操作并且是背光照明的。对于TV应用，使用ECB(或VAN)盒或FFS盒，而监视器通常使用IPS盒或TN(扭转向列)盒，和笔记本、笔记本电脑和移动应用通常使用TN、VA或FFS盒。
术语“MLC显示器”在此处包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，例如变阻器或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
这种类型的MLC显示器特别适用于TV应用、监视器和笔记本或用于例如在汽车制造或飞机构造中的具有高信息密度的显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外，由于液晶混合物不够高的比电阻，MLC显示器中也还产生一些问题[TOGASHI，S.，SEKI-GUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月:A 210-288Matrix LCD Controlled byDouble Stage Diode Rings，pp.141ff.，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月:Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of TelevisionLiquid Crystal Displays，pp.145ff.，Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度劣化。因为由于与显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常随MLC显示器的寿命下降，所以对于在长的操作期间必须具有可接受电阻值的显示器来说高的(初始)电阻是非常重要的。
除了IPS显示器(例如：Yeo，S.D.，Paper 15.3:“An LC Display for the TVApplication“，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.758和759)和长久已知的TN显示器之外，使用ECB效应的显示器已经确立为所谓的VAN(垂直配向向列)显示器，作为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一，特别是对于电视应用而言。
此处可以提及最重要的设计:MVA(多域垂直配向，例如:Yoshide，H.等人，Paper3.1:“MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...”，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book I，pp.6至9，和Liu，C.T.等人，Paper 15.1:“A46-inch TFT-LCD HDTV Technology...”，SID 2004International Symposium，Digest ofTechnical Papers，XXXV，Book II，pp.750至753)，PVA(图案垂直配向，例如:Kim，SangSoo，Paper 15.4:“Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV”，SID2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，Book II，pp.760至763)和ASV(高级超视觉，例如：Shigeta，Mitzuhiro and Fukuoka，Hirofumi，Paper 15.2:“Develop-ment of High Quality LCDTV”，SID 2004International Symposium，Digestof Technical Papers，XXXV，Book II，pp.754至757)。VA效应的更现代的版本是所谓的PAVA(光配向VA)和PSVA(聚合物稳定的VA)。
以一般的形式，例如在Souk，Jun，SID Seminar 2004，Seminar M-6:“RecentAdvances in LCD Technology”，Seminar Lecture Notes，M-6/1至M-6/26，和Miller，Ian，SID Seminar 2004，Seminar M-7:“LCD-Television”，Seminar Lecture Notes，M-7/1至M-7/32中比较了所述技术。虽然现代ECB显示器的响应时间已经通过使用过驱动(overdrive)的寻址方法显著地得以改善，例如Kim，HyeonKyeong等人，Paper 9.1:“A 57-in.Wide UXGATFT-LCD for HDTV Application”，SID 2004International Symposium，Digest ofTechnical Papers，XXXV，Book I，pp.106至109，实现视频兼容的响应时间，特别是在灰阶的切换中，但仍然有未满意解决的问题。
ECB显示器，如ASV显示器使用具有负性介电各向异性(Δε)的液晶介质，而TN和迄今所有常规IPS显示器使用具有正介电各向异性的液晶介质。然而，目前对于利用介电负性液晶介质的IPS和FFS显示器存在增加的需求。
在这种类型的液晶显示器中，液晶被用作当施加电压时其光学性能可逆地变化的介电材料。
因为通常在显示器中，即也在根据这些所提及效应的显示器中，操作电压应当尽可能低，所有使用通常主要由所有都具有相同符号的介电各向异性并且具有最高可能的介电各向异性值的液晶化合物组成的液晶介质。通常，最多采用相对小比例的中性化合物和如果可能不采用具有与介质的介电各向异性相反符号的介电各向异性的化合物。在例如用于ECB或UB-FFS显示器的具有负介电各向异性的液晶介质的情况下，因此主要采用具有负介电各向异性的化合物。所采用的各液晶介质通常主要由和通常甚至实质上由具有负介电各向异性的液晶化合物组成。
在根据本申请使用的介质中，通常采用显著量的介电正性液晶化合物和通常仅非常少量的介电化合物或甚至完全没有介电化合物，因为通常液晶显示器旨在具有最低可能的寻址电压。同时，在某些情形下可以有利地使用少量介电中性化合物。
US 2013/0207038 A1公开了用于HB-FFS显示器的液晶介质，提议通过额外并入介电负性液晶改善使用具有正介电各向异性的液晶的FFS显示器的性能。然而，这导致需要对所得介质的整体介电各向异性补偿这些化合物的负性贡献。为此，必须增加介电正性材料的浓度，其反过来使得在混合物中使用介电中性化合物作为稀释剂的空间变小了，或者替代性地必须使用具有更强正介电各向异性的化合物。这些替代方案均具有增加显示器中液晶的响应时间的强烈缺陷。
已经公开了用于IPS和FFS显示器的具有正介电各向异性的液晶介质。在以下将给出一些实例。
式
的化合物公开在WO 2018/141759(A)中。
明显地，液晶混合物的向列相的范围必须足够宽以用于意欲的显示器应用。
在显示器中液晶介质的响应时间必须得以改善，即降低。这对于电视或多媒体应用的显示器是特别重要的。为了改善响应时间，过去已经重复地提议优化液晶介质的旋转粘度(γ1)，即获得具有最低可能旋转粘度的介质。然而，此处所得到的结果对于许多应用是不足的，并且因此使得似乎希望找到进一步优化的方法。
介质对于极限载荷，特别对于UV曝光和加热的足够的稳定性是非常特别重要的。特别地在移动设备(例如移动电话)的显示器中的情况下，这可以是关键性的。
迄今公开的MLC显示器，除了它们相对差的透射率和它们相对长的响应时间，还具有其它的缺点。这些例如是它们相对低的对比度，它们相对高的视角依赖性和在这些显示器中灰度再生困难，尤其是当从倾斜视角观察时，以及它们不足的VHR和它们不足的寿命。需要显示器透射率和它们响应时间的所期望的改善以改善它们的能量效率或它们渲染迅速移动图片的能力。
因此对于具有非常高比电阻同时还有大的工作温度范围、短的响应时间和低的阈值电压的MLC显示器持续具有大的需求，借助该显示器可以生产多种灰阶并且其特别具有良好和稳定的VHR。
本发明的目的为提供MLC显示器，不仅用于监视器和TV应用，而且还用于移动应用，例如电话和导航系统，其基于ECB、IPS或FFS效应，不具有以上指出的缺陷，或仅以减少程度具有以上所述缺点，并且同时具有非常高的比电阻值。特别地，必须保证对于移动电话和导航系统它们还在极其高和极其低的温度下工作。
令人惊讶地，已经发现如果在这些显示元件中使用一种向列液晶混合物可以获得这样的液晶显示器，其特别是在IPS和FFS显示器中具有低的阈值电压以及短的响应时间，足够宽的向列相，有利、相对低的双折射率(Δn)和同时还有高透射率，对于通过加热和UV曝光分解的良好稳定性，和稳定的高VHR，所述向列液晶混合物包含至少一种、优选两种或更多种式D的化合物(优选选自子式D-1和D-2)，任选的式I,优选选自I-1、I-2、I-3、I-4和包含二苯并噻吩部分的I-S、特别优选子式I-2和/或I-3和/或I-4和/或I-S-1和/或I-S-2的这些，更优选I-2和/或I-4和/或I-S-2，和优选额外地包含至少一种、优选两种或更多种选自式II和III化合物的化合物(前者优选式II-1和/或II-2)，和/或包含至少一种，优选两种或更多种选自式IV和/或V的化合物，和优选包含一种或多种选自式VII至IX的化合物(所有式在文本中如以下定义)。
这种类型的介质可以特别用于具有有源矩阵寻址的电光显示器，如IPS-或FFS显示器。
根据本发明的介质优选额外地包含一种或多种选自式II和III化合物的化合物，优选一种或多种式II的化合物，更优选另外包含一种或多种式III的化合物，和最优选额外包含一种或多种选自式IV和V的化合物的化合物，和再次优选一种或多种选自式VI至IX的化合物的化合物(所有式如下定义)。
根据本发明的混合物展示出非常宽的向列相范围(清亮点≥70℃)、非常有利的电容阈值、相对高的保持率值和同时良好的-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及非常低的旋转粘度。根据本发明的混合物进一步特征在于清亮点与旋转粘度的良好比率以及相对高的正介电各向异性。
现在，已经令人意外地发现使用具有正介电各向异性的液晶的FFS类型的液晶可以通过使用特殊选择的液晶介质实现。这些介质的特征在于物理性能的特定组合。这些之中最决定性的是它们的介电性能并且此处是高平均介电常数(εav.)，高的垂直于液晶分子指向矢的介电常数(ε⊥)，高的介电各向异性值(Δε)，和特别地，相对高的这后两个值的比：(ε⊥/Δε)。
根据本发明的液晶介质优选具有正介电各向异性，优选在1.0或更大至20.0或更小的范围，更优选在1.5或更大至8.0或更小的范围，和最优选在2.0或更大至7.0或更小的范围。
在本发明的优选实施方案中，优选具有0.5或更大的介电各向异性(Δε)的液晶介质优选包含
a)一种或多种式D的化合物，优选其浓度在1％-60％的范围，更优选5％-40％的范围，特别优选8％-35％的范围，
其中
R1表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基和优选烷基或烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，
X表示F，Cl，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1至4，优选1或2个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，更优选F，CF3或OCF3，最优选CF3或OCF3，和
b)一种或多种选自式II和III化合物的化合物，其优选为介电正性的，优选各自具有3或更大的介电各向异性:
其中
R2表示具有1至7个C原子的烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基和优选烷基或烯基,
在每次出现时彼此独立地表示
L21和L22彼此独立地表示H或F，优选L21表示F，
X2表示卤素、具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基，优选F、Cl、-OCF3、-O-CH2CF3、-O-CH＝CH2、-O-CH＝CF2或-CF3，非常优选F、Cl、-O-CH＝CF2或-OCF3，
m表示0、1、2或3，优选1或2并且特别优选1，
R3表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基并且优选烷基或烯基，
在每次出现时彼此独立地为
L31和L32,彼此独立地表示H或F，优选L31表示F，
X3表示卤素，具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基，F、Cl、-OCF3、-OCHF2、-O-CH2CF3、-O-CH＝CF2、-O-CH＝CH2或-CF3，非常优选F、Cl、-O-CH＝CF2、-OCHF2或-OCF3，
Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，优选-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-或单键并且非常优选-COO-、反式-CH＝CH-或单键，和
n表示0、1、2或3，优选1、2或3和特别优选1，和
c)任选的一种或多种选自式IV和V的化合物，其优选是介电中性的：
其中
R41和R42彼此独立地具有以上在式II下对于R2所指出的含义，优选R41表示烷基和R42表示烷基或烷氧基或R41表示烯基和R42表示烷基，
彼此独立地并且如果
则这些也彼此独立地表示
优选
Z41和Z42彼此独立地并且如果Z41出现两次，则这些也彼此独立地表示-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键，优选其的一个或多个表示单键，和
p表示0、1或2，优选0或1，和
R51和R52彼此独立地具有对于R41和R42给出的含义之一并且优选表示具有1-7个C原子的烷基，优选正烷基，特别优选具有1-5个C原子的正烷基，具有1-7个C原子的烷氧基，优选正烷氧基，特别优选具有2-5个C原子的正烷氧基，具有2-7个C原子、优选具有2-4个C原子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基，优选烯氧基，
如果存在，各自彼此独立地表示
优选
优选
和如果存在，
Z51至Z53各自彼此独立地表示-CH2-CH2-、-CH2-O-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或单键，优选-CH2-CH2-、-CH2-O-或单键和特别优选单键，
i和j各自彼此独立地表示0或1，
(i+j)优选表示0、1或2，更优选0或1，和最优选1。
d)再任选地，可替代地或额外地，包含一种或多种选自式VI至IX的化合物，其优选是介电负性的：
其中
R61表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，具有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具有2-6个C原子的未取代的烯氧基，
R62表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具有2-6个C原子的未取代的烯氧基，和
l表示0或1,
R71表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，
R72表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子、优选具有1、2、3或4个C原子的未取代的烷氧基，或具有2-6个C原子、优选具有2、3或4个C原子的未取代的烯氧基，和
R81表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，
R82表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子、优选具有1、2、3或4个C原子的未取代的烷氧基，或具有2-6个C原子、优选具有2、3或4个C原子的未取代的烯氧基，
优选
更优选
Z8表示-(C＝O)-O-、-CH2-O-、-CF2-O-或-CH2-CH2-，优选
-(C＝O)-O-或-CH2-O-，和
o表示0或1,
R91和R92彼此独立地具有以上对于R72给出的含义，
R91优选表示具有2-5个C原子的烷基，优选具有3-5个C原子，R92优选表示具有2-5个C原子的烷基或烷氧基，更优选具有2-4个C原子的烷氧基，或具有2-4个C原子的烯氧基。
p和q彼此独立地表示0或1，和
(p+q)优选表示0或1，并且若
则可替代地，优选p＝q＝1，
e)再次任选地，一种或多种式I的化合物，具有垂直于指向矢和平行于指向矢的高介电常数二者，优选浓度范围为1％至60％，更优选范围为5％至40％，特别优选范围为8％至35％，
其中
n表示0或1，
R11和R12彼此独立地表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基(优选具有1至7个C原子)，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基和优选烷基，烷氧基，烯基或烯氧基，最优选烷基，烷氧基，或烯氧基，和R11替代性地表示R1和R12替代性地表示X1，
R1表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，和优选烷基或烯基，
1,3-亚环戊烯基是选自下式的基团的部分：
优选
最优选
X1表示F，Cl，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1至4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，特别是对于式I-1和I-2，优选F和对于式I-4，优选OCF3和
f)再次任选地，一种或多种式I-S0的化合物，具有垂直于指向矢和平行于指向矢的高介电常数二者，优选浓度范围为1％至60％，更优选范围为5％至40％，特别优选范围为8％至35％，
其中
RS1和RS2彼此独立地表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，和优选烷基，烷氧基，烯基或烯氧基，最优选烷基，烷氧基，或烯氧基，和RS1替代性地表示RS和RS2替代性地表示XS，
RS和XS具有在上述式I下对于R1和X1给出的含义
n表示0，和若RS2表示XS，则替代性地可表示1。
根据本申请的液晶介质优选具有向列相。
优选地，式D的化合物选自下式D-1和D-2的化合物：
其中
R1表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代和优选烷基，烷氧基，烯基或烯氧基，最优选烷氧基或烯氧基，和
X表示F，Cl，CN，NCS，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1至4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，更优选CF3或OCF3。
尤其优选的是式D-1和D-2的化合物，其选自下式D-1-1，D-1-2，D-1-3，D-2-1，D-2-2和D-2-3的化合物，最优选式D-1-2，D-1-3和D-2-2,
优选地，包含二苯并噻吩部分的式I化合物选自式I-S-1和I-S-2的化合物：
其中
RS表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代和优选烷基，烷氧基，烯基或烯氧基，最优选烷氧基或烯氧基，
XS表示F，Cl，CN，NCS，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1至4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，更优选CF3或OCF3。
包含二苯并噻吩部分的式I化合物，特别是式I-S-1和I-S-2的化合物可以通过各种合成途径制备。在所有情况下，必要步骤是通过连续的Migita偶联和由碱诱导的环的闭合形成S-杂环环体系。这些反应任选地，并且在许多情况下有益地可以作为“一锅”(或“单锅”)反应进行。
式I-S-1的化合物类似于依据WO 02/055463的式I-3化合物和含有两个烷氧基的式I-S-1化合物的合成来制备：(方案C1)。
方案C1：通用合成方案
备注:
X1＝F,CF3或OCF3；R＝乙基或2-乙基己基,R1＝烷基，或者在1,4-亚环己烯基化合物的情况下，替代性地也是烯基。
显然，也可以使用相应的环己基环己酮衍生物代替环己酮化合物。对于下列式I-S-1的丙基同系物，示例了替代性的合成路径。
方案C2：替代通用合成方案
备注:
X1＝F,CF3或OCF3；R＝乙基或2-乙基己基,R1＝烷基或烯基。
(Tf＝三氟甲磺酰基＝-SO2-CF3
此处产物也可以被氢化，产生相应的1,4-亚环己基化合物，也可以使用相应的环己基环己酮衍生物代替环己酮化合物。
下面参考方案C3解释了根据本发明使用的式I-S-1和I-S-2化合物的特别合适的合成路径。
方案C3：式I-S化合物的合成。基团R，A，Z，X1，X2，Y和下标m具有对于式I-S下的环AS1、RS、XS所述的相应含义。
方案3应仅被视为示例性的。本领域技术人员将能够根据所示合成的相应变形来实施，并也能够依照其他适合的合成路径，以获得式I-S-1和I-S-2的化合物。
根据如上下文所述合成，在一个实施方案中，本发明也包含式I-S-1和I-S-2化合物的一种或多种的制备方法。
因此本发明涵盖包含二苯并噻吩部分的式I化合物的制备方法，其特征在于其包括其中在碱的存在下将式II化合物转化为式I-S-1和I-S-2化合物，如方案C3所示，和其中R，A，Z，X1，X2，W和m具有以上所述含义和G表示-OH，-SH或SG'和G'表示碱易变硫醇保护基的处理步骤。优选的保护基为乙酰基，二甲基氨基羰基，2-四氢吡喃基，乙氧基羰基乙基，叔丁基，甲基和2-乙基己氧基羰基乙基，特别优选乙氧基羰基乙基或2-乙基己氧基羰基乙基。
方案C4.式I-S-1和I-S-2化合物的制备方法。
该方法和随后的反应混合物处理可基本上作为间歇反应进行或者以连续的反应过程进行。连续的反应过程包括，例如，在连续搅拌釜反应器、搅拌反应器级联、环管或交叉流动反应器、流动管或微型反应器中反应。反应混合物任选被处理，必要时通过固相过滤、色谱法、不混溶相之间的分离(例如萃取)、吸附于固体载体之上、通过蒸馏除去溶剂和/或共沸混合物、选择性蒸馏、升华、结晶、共结晶或通过膜纳滤。
本发明进一步涉及根据本发明的液晶混合物和液晶介质在IPS和FFS显示器中，特别是在含有液晶介质的XB-FFS显示器中，用于改善响应时间和/或透射率的用途。
本发明进一步涉及含有根据本发明的液晶介质的液晶显示器，特别是IPS或FFS显示器，特别优选FFS或XB-FFS显示器。
本发明进一步涉及包含液晶盒的IPS或FFS类型液晶显示器，所述液晶盒由两个基板(其中至少一个基板对光是透明的并且至少一个基板具有电极层)和位于所述基板之间的液晶介质的层组成，所述液晶介质包含聚合的组分和低分子量组分，其中聚合的组分可通过在液晶盒的基板之间的液晶介质中的一种或多种可聚合化合物的聚合获得，优选施加电压并且其中低分子量组分是上下文所描述的根据本发明的液晶混合物。
根据本发明的显示器优选通过有源矩阵(有源矩阵LCD，简称AMD)寻址，优选通过薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而，根据本发明的液晶也可以有利的方式在具有其它已知寻址机构的显示器中使用。
本发明进一步涉及根据本发明的液晶介质的制备方法，通过将一种或多种包含二苯并噻吩部分的式I化合物，优选选自式I-S-1和I-S-2的化合物，与一种或多种低分子量液晶化合物或液晶混合物和任选地与其它液晶化合物和/或添加剂混合。
上下文适用以下含义：
除非另有说明，术语“FFS”用于表示FFS和XB-FFS显示器。
术语“介晶基团”为本领域技术人员所已知并且描述于文献中，并且表示由于其吸引和排斥相互作用的各向异性，实质上有助于在低分子量或聚合型物质中引起液晶(LC)相的基团。含有介晶基团的化合物(介晶化合物)不必须本身具有液晶相。介晶化合物也可以仅在与其它化合物混合和/或在聚合之后展现出液晶相行为。典型的介晶基团例如为刚性棒状或盘状的单元。与介晶或液晶化合物相关使用的术语和定义的综述在PureAppl.Chem.73(5),888(2001)和C.Tschierske,G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116,6340-6368中给出。
术语“间隔基团”或简称“间隔基”(在上下文中也被称为“Sp”)为本领域技术人员所已知并描述于文献中，参见例如Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)和C.Tschierske,G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116,6340-6368。除非另有说明，上下文中术语“间隔基团”或“间隔基”表示在可聚合的介晶化合物中使介晶基团和可聚合基团彼此连接的柔性基团。
为了本发明的目的，术语“液晶介质”旨在表示包含液晶混合物和一种或多种可聚合化合物(例如反应性介晶)的介质。术语“液晶混合物”(或“主体混合物”)旨在表示仅由不可聚合的低分子量化合物，优选两种或更多种液晶化合物和任选的其它添加剂，例如手性掺杂剂或稳定剂组成的液晶混合物。
特别优选具有向列相(特别是在室温下)的液晶混合物和液晶介质。
在本发明的优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种式I化合物，优选选自式I-1至I-4和I-S-1和I-S-2的化合物，优选式I-4和/或I-S-2
优选的
优选的
其中参数具有上面给出的含义并且优选地
R11和R12彼此独立地表示烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基(优选具有1-7个C原子)，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代,具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代,和优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选烷氧基或烯氧基，
R1和RS表示烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基(优选具有1-7个C原子的)，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被环亚丙基或1,3-亚环戊基替代，和优选烷基或烯基，和
X1和XS表示F，Cl，CN，NCS，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1-4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，特别是对于式I-1和I-2优选为F，和对于式I-4优选为OCF3。
在本发明的优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种式I-SO的化合物，优选选自式I-S0-1和I-S0-2的化合物。
其中参数具有上面给出的含义并且优选地
RS1和RS2彼此独立地表示烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基(优选具有1-7个C原子)，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代,具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代,和优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选烷氧基或烯氧基，
XS表示F，Cl，CN，NCS，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1-4个C原子，优选F，Cl，CF3或OCF3，更优选CF3或OCF3。
在本发明的优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种优选介电正性化合物，其优选具有3或更大的介电各向异性，其选自式II-1和II-2化合物：
其中参数具有以上式II中所述各自含义，和L23和L24彼此独立地表示H或F，优选L23表示F，和
和在式II-1和II-2的情况下，X2优选表示F或OCF3，特别优选F，和在式II-2的情况下，
和/或选自式III-1和III-2的化合物:
其中参数具有式III中所给出的含义，
和根据本发明的介质可替代式III-1和/或III-2化合物地或除了式III-1和/或III-2化合物之外，包含一种或多种式III-3的化合物
其中参数具有以上所述各自含义，和参数L31和L32，彼此独立地和与其他参数独立地，表示H或F。
液晶介质优选包含选自式II-1和II-2化合物的化合物，其中L21和L22和/或L23和L24均表示F。
在一个优选的实施方案中，液晶介质包含选自式II-1和II-2的化合物的化合物，其中L21，L22，L23和L24所有表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式II-1的化合物。式II-1化合物优选选自式II-1a至II-1e化合物，优选一种或多种式II-1a和/或II-1b和/或II-1d的化合物，优选式II-1a和/或II-1d或II-1b和/或II-1d的化合物，最优选式II-1d的化合物：
其中参数具有以上所述的各自含义，和L25和L26，彼此独立地和与其他参数独立地，表示H或F，和优选
在式II-1a和II-1b中，
L21和L22均表示F，
在式II-1c和II-1d中，
L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F，和
在式II-1e中，
L21，L22和L23表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式II-2的化合物，其优选选自式II-2a至II-2k的化合物，优选一种或多种各为式II-2a和/或II-2h和/或II-2j的化合物：
其中参数具有以上所述各自含义，和L25至L28，彼此独立地表示H或F，优选L27和L28均表示H，特别优选L26表示H。
液晶介质优选包含选自式II-1a至II-1e化合物的化合物，其中L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F。
在一个优选的实施方案中，液晶介质包含选自式II-2a至II-2k化合物的化合物，其中L21，L22，L23和L24所有表示F。
尤其优选的式II-2化合物为以下式的化合物，特别优选式II-2a-1和/或II-2h-1和/或II-2k-2：
其中R2和X2具有以上所述含义，和X2优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1化合物。式III-1化合物优选选自式III-1a至III-1j化合物，优选选自式III-1c，III-1f，III-1g和III-1j：
其中参数具有以上所给出的含义和优选其中参数具有以上所述各自含义，参数L35和L36，彼此独立地和与其他参数独立地，表示H或F，和参数L35和L36，彼此独立地和与其他参数独立地，表示H或F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1c化合物，其优选选自式III-1c-1至III-1c-5化合物，优选式III-1c-1和/或III-1c-2，最优选式III-1c-1：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1f化合物，其优选选自式III-1f-1至III-1f-6化合物，优选式III-1f-1和/或III-1f-2和/或III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-1f-6：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1g化合物，其优选选自式III-1g-1至III-1g-5化合物，优选式III-1g-3：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1h化合物，其优选选自式III-1h-1至III-1h-3化合物，优选式III-1h-3：
其中参数具有以上所给出的含义，和X3优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1i化合物，其优选选自式III-1i-1和III-1i-2化合物，优选式III-1i-2：
其中参数具有以上所给出的含义，和X3优选表示F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-1j化合物，其优选选自式III-1j-1和III-1j-2化合物，优选式III-1j-1：
其中参数具有以上所给出的含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2化合物。式III-2化合物优选选自式III-2a和III-2b化合物，优选式III-2b：
其中参数具有以上所述各自含义，和参数L33和L34，彼此独立地和与其他参数独立地，表示H或F。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2a的化合物，其优选选自式III-2a-1至III-2a-6化合物：
其中R3具有以上所述含义。
液晶介质优选包含一种或多种式III-2b化合物，其优选选自式III-2b-1至III-2b-4化合物，优选III-2b-4：
其中R3具有以上所述含义。
替代式III-1和/或III-2化合物的或除式III-1和/或III-2化合物之外，根据本发明的介质可包含一种或多种式III-3化合物
其中参数具有以上式III中所述各自含义。
这些化合物优选选自式III-3a和III-3b：
其中R3具有以上所述含义。
根据本发明的液晶介质优选包含一种或多种优选具有-1.5至3的介电各向异性的介电中性化合物，优选选自式VI，VII，VIII和IX化合物。
本申请中，元素全部包括它们各自的同位素。特别地，化合物中的一个或多个H可被D替代，且这在某些实施方案中也是特别优选的。相应化合物的相应的高度氘化可以，例如检测和识别化合物。这在某些情况下非常有用，特别是在式I化合物的情况下。
本申请中，
alkyl特别优选表示直链烷基，特别地CH3-，C2H5-，n-C3H7-，n-C4H9-或n-C5H11-，和
alkenyl特别优选表示CH2＝CH-，E-CH3-CH＝CH-，CH2＝CH-CH2-CH2-，E-CH3-CH＝CH-CH2-CH2-或E-(n-C3H7)-CH＝CH-。
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VI化合物，其选自式VI-1和VI-2化合物，优选一种或多种各为式VI-1的化合物和一种或多种式VI-2化合物，
其中参数具有以上式VI中所给出的各自含义，和优选式VI-1中
R61和R62彼此独立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基(也或者戊氧基)，优选乙氧基、丁氧基或戊氧基，更优选乙氧基或丁氧基和最优选丁氧基；
式VI-2中
R61优选表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基和n-丙基或n-戊基和
R62表示具有1-7个C原子的未取代烷基基团，优选具有2-5个C原子的，或优选是具有1-6个C原子的未取代烷氧基基团，特别优选具有2或4个C原子的，和最优选乙氧基，和
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VII化合物，其选自式VII-1至VII-3化合物，优选一种或多种各为式VII-1的化合物和一种或多种式VII-2化合物，
其中参数具有以上式VII中所给出的各自含义，和优选
R71表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、n-丙基或n-戊基和
R72表示具有1-7个C原子的未取代烷基基团，优选具有2-5个C原子的，或优选是具有1-6个C原子的未取代烷氧基基团，特别优选具有2或4个C原子的，和最优选乙氧基。
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VI-1化合物，其选自以下化合物：
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VI-2化合物，选自以下化合物：
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VII-1化合物，其选自以下化合物：
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种式VII-2化合物，其选自以下化合物：
除了式I或其优选的子式化合物，根据本发明的介质优选包含一种或多种选自式VI和VII化合物的优选介电中性化合物，优选总浓度为5％或更大到90％或更小，优选10％或更大到80％或更小，特别优选20％或更大到70％或更小。
在本发明的优选实施方案中，各种情况下根据本发明的介质包含一种或多种选自式VIII-1至VIII-3化合物的式VIII化合物，优选一种或多种各为式VIII-1的化合物和/或一种或多种式VIII-3化合物，
其中参数具有以上式VIII中所给出的各自含义，和优选
R81表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、乙基、n-丙基或n-戊基、烷基，优选乙基、n-丙基或n-戊基和
R82表示具有1-7个C原子的未取代烷基基团，优选具有1-5个C原子的，或具有1-6个C原子的未取代烷氧基基团。
式VIII-1和VIII-2中，R82优选表示具有2或4个C原子的烷氧基和，最优选乙氧基和式VIII-3中其优选表示烷基，优选甲基、乙基或n-丙基，最优选甲基。
在进一步优选的实施方案中，介质包含一种或多种式IV化合物一种或多种式IV化合物
其中
R41表示具有1-7个C原子的未取代烷基基团或具有2-7个C原子的未取代烯基基团，优选n-烷基基团，特别优选具有2，3，4或5个C原子，和
R42表示具有1-7个C原子的未取代烷基基团，具有2-7个C原子的未取代烯基基团，或具有1-6个C原子的未取代烷氧基基团，均优选具有2-5个C原子，具有2-7个C原子的未取代烯基基团，优选具有2，3或4个C原子的，更优选乙烯基基团或1-丙烯基基团和特别地乙烯基基团。
在特别优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV-1至IV-4化合物的式IV化合物，优选式IV-1，
其中
alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的，
alkenyl和alkenyl'彼此独立地表示具有2-5个C原子的烯基基团，优选具有2-4个C原子的，特别优选2个C原子,
alkenyl'表示具有2-5个C原子的烯基基团，优选具有2-4个C原子，特别优选具有2至3个C原子，和
alkoxy表示具有1-5个C原子的烷氧基，优选具有2-4个C原子的。
在特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IV-1化合物和/或一种或多种式IV-2化合物。
在进一步优选的实施方案中，介质包含一种或多种式V化合物。
根据本发明的介质优选以所述总浓度包含以下化合物：
0-60wt％的一种或多种选自式D化合物的化合物和
0-60wt％、优选1-60wt％的一种或多种选自式I化合物的化合物和/或
5-60wt％的一种或多种式II化合物，优选选自式II-1和II-2化合物和/或
5-25wt％的一种或多种式III化合物，和/或
5-45wt％的一种或多种式IV化合物和/或
5-25wt％的一种或多种式V化合物，和/或
5-25wt％的一种或多种式VI化合物，和/或
5–20wt％的一种或多种式VII化合物，和/或
5-30wt％的一种或多种式VIII化合物，优选选自式VIII-1和VIII-2化合物和/或
0-60wt％的一种或多种式IX化合物，
其中介质中所存在的所有式D和I至IX化合物的总含量优选为95％或更大和更优选100％。
后一条件对于根据本申请的所有介质是优选的。
在进一步优选的实施方案中，除了式D或其优选子式的化合物和/或式I或其优选子式的化合物和式VI和/或VII和/或VIII和/或IX化合物之外，根据本发明的介质优选包含一种或多种选自式IV和V化合物的优选介电中性化合物，优选总浓度为5％或更大到90％或更小，优选10％或更大到80％或更小，特别优选20％或更大到70％或更小。
在特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含
一种或多种式II的化合物，其总浓度为5％或更大到50％或更小，优选10％或更大到40％或更小，和/或
一种或多种式VII-1的化合物，其总浓度为5％或更大到30％或更小，和/或
一种或多种式VII-2的化合物，其总浓度为3％或更大到30％或更小。
优选根据本发明的介质中式D化合物的浓度为1％或更大到60％或更小，更优选5％或更大到40％或更小，最优选8％或更大到35％或更小。
优选式I化合物(优选选自式I-1至I-4，优选式I-3和/或I-4和/或I-S-1和/或I-S-2)的浓度，如果存在的话，在根据本发明的介质中为1％或更大到60％或更小，更优选5％或更大到40％或更小，最优选8％或更大到35％或更小。
在本发明的优选实施方案中，所述介质包含一种或多种包含二苯并噻吩部分的式I化合物，优选选自式I-S-1和I-S-2和一种或多种式I化合物，优选选自式I-1至I-4，优选式I-3和/或I-4。
优选地，在根据本发明的介质中式I-S-1和/或I-S-2化合物的浓度为1％或更大至60％或更小，更优选5％或更大至40％或更小，最优选8％或更大至35％或更小。
在本发明的优选实施方案中，所述介质中式II化合物的浓度为3％或更大到60％或更小，更优选5％或更大到55％或更小，更优选10％或更大到50％或更小和最优选15％或更大到45％或更小。
在本发明的优选实施方案中，介质中式VII化合物的浓度为2％或更大到50％或更小，更优选5％或更大到40％或更小，更优选10％或更大到35％或更小和最优选15％或更大到30％或更小。
在本发明的优选实施方案中，介质中式VII-1化合物的浓度为1％或更大到40％或更小，更优选或者为2％或更大到35％或更小或者替代地为15％或更大到25％或更小。
在本发明的优选实施方案中，介质中式VII-2化合物，如果存在的话，浓度为1％或更大到40％或更小，更优选5％或更大到35％或更小和最优选10％或更大到30％或更小。
本发明也涉及电光显示器或电光元件，其含根据本发明的液晶介质。优选的是基于VA、ECB、IPS或FFS效应的电光显示器，优选基于VA；IPS或FFS效应，和特别地为通过有源矩阵寻址器件寻址的那些。
相应地，本发明还涉及根据本发明的液晶介质在电光显示器或电光元件中的用途，和涉及根据本发明的液晶介质的制备方法，特征在于将一种或多种式I化合物与一种或多种式II化合物，优选与一种或多种子式II-1和/或II-2化合物和/或与一种或多种式VII化合物，优选与一种或多种子式VII-1和/或VII-2化合物，特别优选一种或多种来自它们的不同式的两种或更多种、优选三种或更多种和非常特别优选选自这些式II-1，II-2，VII-1和VII-2的所有四种的化合物和一种或多种其他化合物，优选选自式IV和V的化合物，更优选与一种或多种式IV和式V的化合物混合。
在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV的化合物，其选自式IV-2和IV-3化合物，
其中
alkyl和alkyl',彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的，
alkoxy表示具有1-5个C原子的烷氧基，优选具有2-4个C原子的。
在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种选自式V-1和V-2，优选式V-1化合物的式V化合物，
其中参数具有以上式V中所给出的含义，和优选
R51表示具有1-7个C原子的烷基或具有2-7个C原子的烯基，和
R52表示具有1-7个C原子的烷基，具有2-7个C原子的烯基或具有1-6个C原子的烷氧基，优选烷基或烯基，特别优选烷基。
在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种选自式V-1a和V-1b化合物的式V-1化合物，
其中
alkyl和alkyl',彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的，和
alkenyl表示具有2-7个C原子的烯基，优选具有2-5个C原子的。
此外，本发明涉及一种降低液晶介质双折射波长色散的方法，所述液晶介质包含一种或多种式II化合物，任选的一种或多种选自式VII-1和VII-2化合物的化合物和/或一种或多种式IV化合物和/或一种或多种式V化合物，特征在于将一种或多种式I化合物用于该介质。
除了式I至V的化合物，其他成分也可能存在，例如量为最多45％，但优选最多35％，特别地最多10％，基于作为整体的混合物计。
根据本发明的介质也可任选包含介电正性成分，其总浓度优选20％或更小，更优选10％或更小，基于所有介质计。
在一个优选的实施方案中，基于作为整体的混合物计，根据本发明的液晶介质总计包含：
1％或更大到50％或更小、优选2％或更大到35％或更小、特别优选3％或更大到25％或更小的式D化合物，
1％或更大至50％或更小，优选2％或更大至35％或更小，特别优选3％或更大至25％或更小的含有二苯并噻吩部分的式I化合物，
1％或更大到20％或更小、优选2％或更大到15％或更小，特别优选3％或更大到12％或更小的式I化合物。
20％或更大到50％或更小、优选25％或更大到45％或更小、特别优选30％或更大到40％或更小的式II和/或III化合物，和
0％或更大到35％或更小、优选2％或更大到30％或更小、特别优选3％或更大到25％或更小的式IV和/或V化合物，和
5％或更大到50％或更小、10％或更大到45％或更小、优选15％或更大到40％或更小的式VI和/或VII和/或VIII和/或IX化合物。
根据本发明的液晶介质可包含一种或多种手性化合物。
本发明特别优选的实施方案符合一个或多个以下条件：
其中缩略词(缩写)解释于表A至C中并通过实例阐明于表D中。
优选本发明介质满足一个或多个以下条件。
i.该液晶介质具有0.060或更大，特别优选0.070或更大的双折射率。
ii.该液晶介质具有0.200或更小，特别优选0.180或更小的双折射率。
iii.该液晶介质具有0.090或更大至0.140或更小的双折射率。
iv.液晶介质包含一种或多种式D化合物，优选选自式DLP-n-F，DLP-n-T，DLP-n-OT，DLG-n-F，DLG-n-T和DLG-n-OT，DLU-n-F，DLU-n-OT，DLU-n-T的化合物。
v.该液晶介质包含一种或多种特别优选的式I-4的化合物。
vi.作为整体的混合物中式IV化合物的总浓度为25％或更大，优选30％或更大，和优选为25％或更大至55％或更小，特别优选29％或更大至50％或更小，和非常特别优选37％或更大至47％或更小。
vii.该液晶介质包含一种或多种选自下式化合物的式IV化合物：CC-n-V和/或CC-n-Vm和/或CC-V-V和/或CC-V-Vn和/或CC-nV-Vn，特别优选CC-3-V，优选其浓度为最多60％或更小、特别优选最多50％或更小，和任选额外的CC-3-V1，优选其浓度为最多15％或更小，和/或CC-4-V，优选浓度为最多24％或更小、特别优选最多30％或更小。
viii.该介质包含式CC-n-V、优选CC-3-V的化合物，优选浓度为1％或更大至60％或更小，更优选浓度为3％或更大至35％或更小。
作为整体的混合物中式CC-3-V化合物的总浓度优选为15％或更小，优选10％或更小或者20％或更大，优选25％或更大。
ix.作为整体的混合物中式Y-nO-Om化合物的总浓度为2％或更大至30％或更小，优选5％或更大至15％或更小。
x.作为整体的混合物中式CY-n-Om化合物的总浓度为5％或更大至60％或更小，优选15％或更大至45％或更小。
xi.作为整体的混合物中式CCY-n-Om和/或CCY-n-m化合物，优选CCY-n-Om的总浓度为5％或更大至40％或更小，优选1％或更大至25％或更小。
xii.作为整体的混合物中式CLY-n-Om化合物的总浓度为5％或更大至40％或更小，优选10％或更大至30％或更小。
xiii.该液晶介质包含一种或多种式IV化合物，优选式IV-1和/或IV-2化合物，优选总浓度为1％或更大，特别地2％或更大，和非常特别优选3％或更大至50％或更小，优选35％或更小。
xiv.该液晶介质包含一种或多种式V化合物，优选式V-1和/或V-2化合物，优选总浓度为1％或更大，特别地2％或更大，和非常特别优选15％或更大至35％或更小，优选至30％或更小。
xv.作为整体的混合物中式CCP-V-n化合物，优选CCP-V-1的总浓度，优选为5％或更大至30％或更小，优选15％或更大至25％或更小。
xvi.作为整体的混合物中式CCP-V2-n化合物，优选CCP-V2-1的总浓度，优选为1％或更大至15％或更小，优选2％或更大至10％或更小。
本发明进一步涉及具有基于VA，ECB，IPS，FFS或UB-FFS效应的有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其含有作为电介质的根据本发明的液晶介质。
液晶混合物优选具有宽度至少70度的向列相范围。
旋转粘度γ1优选200mPa·s或更小，优选150mPa·s或更小和特别地120mPa·s或更小。
本发明混合物适用于所有使用介电正性液晶介质的IPS和FFS-TFT应用，例如XB-FFS。
根据本发明的液晶介质优选实质上完全由4-18种，特别地5-15种，和特别优选12或更少种化合物组成。这些优选选自式S，I，II，III,IV，V，VI，VII，VIII和IX的化合物。
根据本发明的液晶介质也可任选包含多于18种化合物。在这种情况下，它们优选包含18-25种化合物。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质主要由，优选基本上由和最优选实质上完全由不包含氰基的化合物组成。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含选自式D，I，II和III，IV和V和VI至IX化合物的化合物，优选选自式D化合物，优选选自式D-1和D-2，I，优选选自I-1，I-2，I-3和I-4，I，其包含二苯并噻吩部分，后者优选选自I-S-1，I-S-2，I-S0，优选选自I-S0-1和I-S0-2，II，优选选自II-1和II-2，III，优选选自III-1和III-2，IV，V，VII，优选选自VII-1和VII-2，VIII和IX；它们优选主要由，特别优选基本上和非常特别优选实质上完全由所述式的化合物组成。
根据本发明的液晶介质优选在各种情况下具有至少-10℃或更小至70℃或更大，特别优选-20℃或更小至80℃或更大，非常特别优选-30℃或更小至85℃或更大和最优选-40℃或更小至90℃或更大的向列相。
此处表述“具有向列相”在一方面意指在低温下在相应的温度下未观察到近晶相和结晶，和在另一方面在相应的温度下，在从向列相加热时未发生清亮，并且通过在具有对应于电光应用的盒厚度的测试盒中储存至少100小时来检查。如果在相应的测试盒中在-20℃的温度下的储存稳定性为1000h或更长，则该介质被视为在该温度下稳定。在-30℃和-40℃的温度下，相应的时间分别为500h和250h。在高温下，通过常规方法在毛细管中测量清亮点。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质的特征在于在适中至低范围的光学各向异性值。双折射率值优选为0.075或更大至0.130或更小，特别优选0.085或更大至0.120或更小和非常特别优选0.090或更大至0.115或更小。
在该实施方案中，根据本发明的液晶介质具有正性介电各向异性和相对高的介电各向异性Δε的绝对值，其优选为0.5或更大、优选1.0或更大、更优选1.5或更大至20或更小、更优选至15或更小、更优选2.0或更大至10或更小、特别优选2.0或更大至9.0或更小和非常特别优选2.0或更大至8.0或更小。
根据本发明的液晶介质优选具有相对低的阈值电压(V0)值，其范围为1.0V或更高至2.7V或更低，优选1.2V或更高至2.5V或更低，特别优选1.3V或更高至2.2V或更低。
此外，根据本发明的液晶介质在液晶盒中具有高的VHR值。
在20℃下新鲜填充的盒中，在盒中，这些VHR值为大于或等于95％，优选大于或等于97％，特别优选大于或等于98％和非常特别优选大于或等于99％，和在100℃下于炉中5分钟之后，在盒中，这些值为大于或等于90％，优选大于或等于93％，特别优选大于或等于96％和非常特别优选大于或等于98％。
通常，此处具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质相比具有更高寻址电压或阈值电压的那些具有更低的VHR，并且反之亦然。
各物理性能的这些优选值在各种情况下也优选通过根据本发明的介质彼此结合来保持。
本申请中，术语“化合物(compound)”，也写作“一种或多种化合物(compound(s))”，既指单一的也指多种的化合物，除非另有明确说明。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含
一种或多种式S化合物和
一种或多种式I化合物和/或
一种或多种式II化合物，优选式PUQU-n-F，CDUQU-n-F，APUQU-n-F和PGUQU-n-F的化合物，和/或
一种或多种式III化合物，优选式CCP-n-OT，CLP-n-T，CGG-n-F，和CGG-n-OD的化合物，和/或
一种或多种式IV化合物，优选式CC-n-V，CC-n-Vm，CC-n-m，和CC-V-V的化合物和/或
一种或多种式V化合物，优选式CCP-n-m，CCP-V-n，CCP-V2-n，CLP-V-n，CCVC-n-V，和CGP-n-m的化合物和/或
一种或多种式VI化合物，优选式Y-n-Om，Y-nO-Om和/或CY-n-Om，选自式Y-3-O1，Y-4O-O4，CY-3-O2，CY-3-O4，CY-5-O2和CY-5-O4化合物，和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式VII-1化合物，优选选自式CCY-n-m和CCY-n-Om化合物，优选式CCY-n-Om，优选选自式CCY-3-O2，CCY-2-O2，CCY-3-O1，CCY-3-O3，CCY-4-O2，CCY-3-O2和CCY-5-O2化合物，和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式VII-2化合物，优选式CLY-n-Om，优选选自式CLY-2-O4，CLY-3-O2，CLY-3-O3化合物，和/或
一种或多种式VIII化合物，优选式CZY-n-On和CCOY-n-m和/或
一种或多种式IX化合物，优选式PYP-n-m和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式IV化合物，优选选自式CC-n-V，CC-n-Vm和CC-nV-Vm化合物，优选CC-3-V，CC-3-V1，CC-4-V，CC-5-V和CC-V-V，特别优选选自化合物CC-3-V，CC-3-V1，CC-4-V和CC-V-V，非常特别优选化合物CC-3-V，和任选额外的化合物CC-4-V和/或CC-3-V1和/或CC-V-V，和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式V化合物，优选式CCP-V-1和/或CCP-V2-1和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式B-nO-Om和/或B(S)-nO-Om化合物和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式B-nO-Om和/或CY-n-Om和/或B(S)-nO-Om和/或CY-n-Om化合物和/或
任选地，优选强制地，一种或多种式CCP-n-OT化合物。
在本发明的一个特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IX的化合物，
式IX化合物，也高度适用作液晶混合物中的稳定剂，尤其是在p＝q＝1和环A9＝1,4-亚苯基的情况下。特别地，它们稳定了混合物抵抗UV曝露的VHR。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自一种或多种式IX-1至IX-4化合物的式IX化合物，非常特别优选式IX-1至IX-3，
其中参数具有式IX中所给出的含义。
在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IX-3的化合物，优选式IX-3-a，
其中
alkyl和alkyl',彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基，优选具有2-5个C原子的。
在式IX化合物用于根据本申请液晶介质的情况下，它们优选以20％或更小的浓度存在，更优选10％或更小和最优选5％或更小和对于各个即(同系(homologous))化合物优选浓度为10％或更小和更优选5％或更小。
对于本发明，应用以下定义以说明组合物的组成，除非在各个情况下另有指明：
-“包含”：组合物中讨论中的成分浓度优选5％或更大，特别优选10％或更大，非常特别优选20％或更大，
-“主要由……组成”：组合物中讨论中的成分浓度优选50％或更大，特别优选55％或更大和非常特别优选60％或更大，
-“基本上由……组成”：组合物中讨论中的成分浓度优选80％或更大，特别优选90％或更大和非常特别优选95％或更大，和
-“实质上完全由……组成”：组合物中讨论中的成分浓度优选98％或更大，特别优选99％或更大和非常特别优选100.0％。
这既适用于作为具有其成分(其可以是组分和化合物)的组合物的介质，并且也适用于具有其成分(化合物)的组分。只有当涉及相对于作为整体的介质的各个化合物的浓度时，术语“包含”意指：讨论中的化合物的浓度优选1％或更大，特别优选2％或更大，非常特别优选4％或更大。
对于本发明，“≤”意指小于或等于，优选小于，和“≥”意指大于或等于，优选大于。
对于本发明，
表示反式-1,4-亚环己基，
表示1,4-亚环己基，优选反式-1,4-亚环己基，和
表示1,4-亚苯基。
对于本发明，表述“介电正性化合物”意指具有Δε>1.5的化合物，表述“介电中性化合物”通常意指其中-1.5≤Δε≤1.5的那些和表述“介电负性化合物”意指其中Δε<-1.5的那些。此处化合物的介电各向异性通过将10％的化合物溶解于液晶主体中并且在20℃的温度和1kHz的频率下在至少一个具有垂面表面配向和具有沿面表面配向的具有20μm盒厚度的测试盒中测量所得混合物在每种情况下的电容而测定。测量电压通常为1.0V，但总是低于所研究的各液晶混合物的电容阈值。
用于介电正性和介电中性化合物的主体混合物为ZLI-4792并且用于介电负性化合物的主体混合物为ZLI-2857，二者均来自Merck KGaA，德国。待研究各化合物的值由在添加待研究化合物之后主体混合物的介电常数的变化并且外推至100％所采用的化合物而获得。以10％的量将待研究化合物溶解于主体混合物中。如果物质的溶解度对于该目的太低，则逐步将浓度减半直到研究可在期望的温度下进行。
如果必要，根据本发明的液晶介质也可以通常的量包含其它添加剂，例如稳定剂和/或多色性染料，例如二色性染料和/或手性掺杂剂。所采用的这些添加剂的量优选总计为0％或更大至10％或更小，基于整个混合物的量计，特别优选0.1％或更大至6％或更小。所采用的各化合物的浓度优选0.1％或更大至3％或更小。当指定液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，通常不考虑这些和类似添加剂的浓度。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含聚合物前体，所述聚合物前体包含一种或多种反应性化合物，优选反应性介晶，并且如果需要也以通常的量进一步包含其他添加剂，例如聚合引发剂和/或聚合缓和剂。基于整个混合物的量计，所采用的这些添加剂的量总计为0％或更大至10％或更小，优选0.1％或更大至2％或更小。当指定液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，不考虑这些和类似添加剂的浓度。
所述组合物由多种化合物组成，优选3种或更多种至30种或更少种，特别优选6种或更多种至20种或更少种和非常特别优选10种或更多种至16种或更少种化合物，它们以常规的方式混合。通常，将所期望量的以较少量使用的组分溶解于组成混合物主要成分的组分中。这有利地在升高的温度下进行。如果所选择的温度高于主要成分的清亮点，则特别容易观察到溶解操作完成。然而，也可以其它常规的方式制备液晶混合物，例如使用预混合或由所谓的“多瓶体系”制备。
根据本发明的混合物展现出具有65℃或更高的清亮点的非常宽的向列相范围，非常有利的电容阈值，相对高的电压保持率(VHR)值以及同时在-30℃和-40℃下非常良好的低温稳定性。此外，根据本发明的混合物的特征在于低的旋转粘度γ1。
对本领域技术人员不言而喻的是用于VA、IPS、FFS或PALC显示器的根据本发明的介质还可以包含其中例如H，N，O，Cl，F已被相应同位素替代的化合物。
根据本发明的液晶显示器的结构对应于一般的几何结构，如例如EP-A 0 240 379中所描述的。
根据本发明的液晶相可通过适合的添加剂以它们可在迄今所公开的任何类型例如IPS和FFS LCD显示器中使用的方式变化。
下表E指出了可添加至根据本发明的混合物中的可能的掺杂剂。如果混合物包含一种或多种掺杂剂，则其(它们)以0.01％至4％，优选0.1％至1.0％的量采用。
例如，可以优选0.01％至6％、特别地0.1％至3％的量添加至根据本发明的混合物中的稳定剂示于下表F中。
为了本发明的目的，除非另有明确说明，所有浓度以重量百分比表示，且除非另有明确说明，所有浓度相对于作为整体的相应混合物或相对于还是作为整体的各混合物组分。上下文中，术语“混合物”描述的是液晶介质。
除非另有明确说明，本申请中所述所有温度的值，例如熔点T(C,N)，从近晶(S)相到向列(N)相的转变T(S,N)以及清亮点T(N,I)，以摄氏温度(℃)表示并且所有的温度差异相应地以差示度(°或度)表示。
对于本发明，术语“阈值电压”指的是电容性阈值(V0)，也称为Freedericks-阈值，除非另外明确说明。
所有物理性能是并且已经依据“Merck Liquid Crystals，Physical Propertiesof Liquid Crystals”，Status 1997年11月，Merck KGaA(德国)测定的，并且适用于温度20℃，且Δn在436nm、589nm和633nm下测定，和Δε在1kHz下测定，除非每种情形下另有明确说明。
电光性能，例如阈值电压(V0)(电容性测量)(这是切换行为)是在Merck Japan生产的测试盒中测量的。所述测量盒具有钠钙玻璃基板并且在具有聚酰亚胺配向层的ECB或VA配置中构造(具有稀释剂**26的SE-1211(混合比1:1)，均来自Nissan Chemicals，日本)，其已彼此垂直摩擦并且影响液晶的垂面配向。透明的、几乎正方形的ITO电极的表面积为1cm2。
除非另有说明，不将手性掺杂剂添加至所使用的液晶混合物中，但后者也特别适用于其中这种类型的掺杂是必需的应用中。
旋转粘度使用旋转永久磁体方法测量并且流动粘度在改进的乌氏粘度计中测量。对于液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792和MLC-6608(所有都是来自Merck KGaA，Darmstadt，德国的产品)，在20℃下测定的旋转粘度值分别为161mPa·s，133mPa·s和186mPa·s，和流动粘度值(ν)分别为21mm2·s-1，14mm2·s-1和27mm2·s-1。
对于实际目的，材料的折射率色散(dispersion)可方便地以以下方式表征，除非另有明确说明，其在整个申请中使用。双折射率值在20℃的温度下在几个固定波长下使用改进的阿贝折射计测定，其中垂面配向的表面在棱镜的侧面上与材料接触。双折射率值在436nm(低压汞灯的各所选光谱线)、589nm(钠“D”线)和633nm(HE-Ne激光器的波长，该激光器与衰减器/扩散器组合使用以防止对观察者的眼睛造成伤害)的特定波长值下测定。在下表中，Δn在589nm处给出和Δ(Δn)作为Δ(Δn)＝Δn(436nm)-Δn(633nm)给出。
除非另有明确说明，使用以下符号：
T(N,I)清亮点[℃]
V0阈值电压，电容性[V]，在20℃下，
ne在20℃和589nm下测量的非寻常折射率，
no在20℃和589nm下测量的寻常折射率，
Δn在20℃和589nm下测量的光学各向异性，
λ波长λ[nm]，
Δn(λ)在20℃和波长λ下测量的光学各向异性，
Δ(Δn)光学各向异性的变化，定义为：
Δn(20℃，436nm)-Δn(20℃，633nm)，
Δ(Δn*)“光学各向异性的相对变化”，定义为：
Δ(Δn)/Δn(20℃,589nm)，
ε⊥在20℃和1kHz下垂直于指向矢的电介质极化率，
ε||在20℃和1kHz下平行于指向矢的电介质极化率，
Δε在20℃和1kHz下的介电各向异性，
T(N,I)或cl.p.清亮点[℃]，
ν在20℃下测量的流动粘度[mm2·s-1]，
γ1在20℃下测量的旋转粘度[mPa·s]，
k11弹性常数，在20℃下“斜展”变形[pN]，
k22弹性常数，在20℃下“扭曲”变形[pN]，
k33弹性常数，在20℃下“弯曲”变形[pN]，
LTS在测试盒中测量的，相的低温稳定性，
VHR电压保持率，
ΔVHR电压保持率的降低，和
Srel VHR的相对稳定性，
以下实施例解释了本发明，而不是限制它。然而，它们向本领域技术人员显示了使用优选待采用的化合物和其各自浓度以及其彼此组合的优选混合物构思。此外，实施例阐明了可获得的性能和性能组合。
对于本发明和在以下实施例中，液晶化合物的结构通过缩略词表示，根据下表A至C转成化学式。所有基团CnH2n+1，CmH2m+1和ClH2l+1或CnH2n，CmH2m和ClH2l为直链烷基基团或亚烷基基团，各种情况下各自具有n，m和l个C原子。优选地，n，m和l彼此独立地为1，2，3，4，5，6或7。表A显示了化合物核的环要素的代码，表B列举了桥接单元，和表C列举了分子左手和右手端基的符号含义。缩略词由具有任选连接基团的环要素的代码，之后是第一连字符以及左手端基代码，和第二连字符以及右手端基代码组成。表D显示了化合物的示例性结构和它们各自的缩写。
表A：环要素
表B：桥接单元
表C：端基
其中n和m各为整数，和三个点“...”为来自该表的其它缩写的占位符。
除了式I化合物之外，根据本发明的混合物优选包含一种或多种以下提及的化合物的化合物。
使用以下缩写：
(n，m和l各自彼此独立地为整数，优选1-6，l也可能为0并且优选0或2)
表D
示例性的，优选的式D化合物为:
示例性的，优选的包含二苯并噻吩部分的式I化合物，其具有高的ε⊥：
示例性的，优选的式I-S-01化合物，其具有高的ε⊥:
示例性的，优选的式I-S-02化合物，其具有高的ε⊥:
示例性的，优选的式I化合物，其具有高的ε⊥:
并且还有
示例性的，优选的介电正性化合物
示例性的，优选的介电中性化合物
示例性的，优选的介电负性化合物
表E显示了优选在根据本发明的混合物中采用的手性掺杂剂。
表E
在本发明的优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表E化合物的化合物。
表F显示除了式I化合物之外，还可优选在根据本发明的混合物中采用的稳定剂。此处参数n表示1-12的整数。特别地，所显示的酚类衍生物可作为额外的稳定剂采用，因为它们充当抗氧剂。
表F
在本发明的优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表F化合物的化合物，特别地一种或多种选自以下两式化合物的化合物
实施例
以下实施例解释了本发明而不以任何方式对其进行限制。然而，物理性能使得对于本领域技术人员可以实现何种性能以及在哪些范围它们可以调整是清楚的。特别地，因此对于本领域技术人员来说可以优选实现的多种性能的组合是良好限定的。
优选使用一种或多种以下式D-1的化合物
在第二优选的实施方案中，优选使用一种或多种以下式D-2的化合物:
混合物实施例
在下文中公开了示例性的混合物。
实施例1
制备和研究了以下混合物(M-1)。
该混合物，混合物M-1，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例2
制备和研究了以下混合物(M-2)。
该混合物，混合物M-2，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例3
制备和研究了以下混合物(M-3)。
该混合物，混合物M-3，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例4
制备和研究了以下混合物(M-4)。
该混合物，混合物M-4，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例5
制备和研究了以下混合物(M-5)。
该混合物，混合物M-5，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例6
制备和研究了以下混合物(M-6)。
该混合物，混合物M-6，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例7
制备和研究了以下混合物(M-7)。
该混合物，混合物M-7，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例8
制备和研究了以下混合物(M-8)。
该混合物，混合物M-8，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例9
制备和研究了以下混合物(M-9)。
该混合物，混合物M-9，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例10
制备和研究了以下混合物(M-10)。
该混合物，混合物M-10，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例11
制备和研究了以下混合物(M-11)。
该混合物，混合物M-11，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例12
制备和研究了以下混合物(M-12)。
该混合物，混合物M-12，特征在于在FFS显示器中优异的透射率和显示低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于HB-FFS技术(HB-FFS定义:具有正介电常数的LC混合物，其含有具有负介电各向异性的材料)。
实施例13
制备和研究了以下混合物(M-13)。
该混合物，混合物M-13，特征在于在FFS显示器中优异的透射率和显示低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于HB-FFS技术。
实施例14
制备和研究了以下混合物(M-14)。
该混合物，混合物M-14，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例15
制备和研究了以下混合物(M-15)。
该混合物，混合物M-15，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于FFS技术。
实施例16
制备和研究了以下混合物(M-16)。
该混合物，混合物M-16，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例17
制备和研究了以下混合物(M-17)。
该混合物，混合物M-17，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例18
制备和研究了以下混合物(M-18)。
该混合物，混合物M-18，特征在于在FFS显示器中优异的透射率和显示低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于HB-FFS技术。
实施例19
制备和研究了以下混合物(M-19)。
该混合物，混合物M-19，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于FFS技术。
实施例20
制备和研究了以下混合物(M-20)。
该混合物，混合物M-20，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。其非常良好地适用于FFS技术。
实施例21
制备和研究了以下混合物(M-21)。
该混合物，混合物M-21，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例22
制备和研究了以下混合物(M-22)。
该混合物，混合物M-22，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例23
制备和研究了以下混合物(M-23)。
该混合物，混合物M-23，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
实施例24
制备和研究了以下混合物(M-24)。
该混合物，混合物M-24，特征在于低的γ1/k11比，其导致短的响应时间。
Claims (15)
1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式D的化合物
R1表示优选具有1至7个C原子的烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，和
X表示F，Cl，CN，NCS，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基，后四个基团优选具有1至4个C原子，优选F，CF3或OCF3。
2.根据权利要求1的介质，其特征在于其包含一种或多种式S的化合物，其选自式D-1和D-2的化合物:
其中
R1表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，和
X表示F，Cl，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基。
3.根据权利要求2的介质，其特征在于其包含一种或多种式D-1的化合物和/或一种或多种式D-2的化合物，优选一种或多种选自式D1-1至D1-3的化合物的化合物和/或一种或多种选自式D-2-1至D-2-3的化合物的化合物。
4.根据权利要求1至3中至少一项的介质，其特征在于其包含一种或多种选自式II和III的化合物的化合物:
其中
R2表示具有1至7个C原子的烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基,
在每次出现时彼此独立地表示
L21和L22表示H或F，
X2表示卤素，具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基，
m表示0，1，2或3，
R3表示具有1至7个C原子的烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基
在每次出现时彼此独立地为
L31和L32,彼此独立地表示H或F，
X3表示卤素，具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基、F、Cl、-OCF3、-OCHF2、-O-CH2CF3、-O-CH＝CF2、-O-CH＝CH2或-CF3，
Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，和
n表示0、1、2或3。
5.根据权利要求1-4中至少一项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式IV和V的化合物:
其中
R41和R42彼此独立地具有在权利要求4中在式II下针对R2所指示的含义，
彼此独立地，和如果
则这些也彼此独立地表示
Z41和Z42彼此独立地，且如果Z41出现两次，则这些也彼此独立地表示-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键，
p表示0、1或2，
R51和R52彼此独立地具有在权利要求4中针对R41和R42所给出的含义之一，
如果存在，各自彼此独立地表示
Z51至Z53各自彼此独立地表示-CH2-CH2-，-CH2-O-，-CH＝CH-，-C≡C-，-COO-或单键，和
i和j各自彼此独立地表示0或1。
6.根据权利要求5的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式VI至IX的化合物:
其中
R61表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团，具有2-7个C原子的未被取代的烯基基团，具有1-6个C原子的未被取代的烷氧基基团或具有2-6个C原子的未被取代的烯氧基基团，
R62表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团，具有1-6个C原子的未被取代的烷氧基基团或具有2-6个C原子的未被取代的烯氧基基团，和
l表示0或1，
R71表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团,或具有2-7个C原子的未被取代的烯基基团，
R72表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团，具有1-6个C原子的未被取代的烷氧基基团或具有2-6个C原子的未被取代的烯氧基基团，
R81表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团,或具有2-7个C原子的未被取代的烯基基团，
R82表示具有1-7个C原子的未被取代的烷基基团，具有1-6个C原子的未被取代的烷氧基基团或具有2-6个C原子，优选具有2、3或4个C原子的未被取代的烯氧基基团，
Z8表示-(C＝O)-O-，-CH2-O-，-CF2-O-或-CH2-CH2-，
o表示0或1，
R91和R92彼此独立地具有以上针对R72给出的含义，
p和q彼此独立地表示0或1。
7.根据权利要求1至6中至少一项的介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物
其中
n表示0或1，
R11和R12彼此独立地表示烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，优选具有1至7个C原子，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选被亚环丙基或1,3-亚环戊基替代，和R11替代性地表示R1和R12替代性地表示X1，
R1表示优选具有1至7个C原子的烷基，烷氧基，氟化烷基或氟化烷氧基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，优选具有2至7个C原子的烯基，烯氧基，烷氧基烷基或氟化烯基，其中一个-CH2-基团可以被亚环丙基，1,3-亚环丁基，1,3-亚环戊基，1,3-亚环戊烯基替代，和
X1表示F，Cl，氟化烷基，氟化烯基，氟化烷氧基或氟化烯氧基。
8.根据权利要求7的介质，特征在于作为整体的介质中式S的化合物的总浓度为1％或更大至60％或更小，优选至30％或更小。
9.根据权利要求1至8中至少一项的介质，其特征在于其还包含一种或多种手性化合物。
10.电光显示器或电光组件，其特征在于其包含根据权利要求1-9中至少一项的液晶介质。
11.根据权利要求10的显示器，其特征在于其基于IPS-，FFS，HB-FFS和XB-FFS模式。
12.根据权利要求10或11的显示器，其特征在于其包含有源矩阵寻址器件。
13.根据权利要求1-9中至少一项的介质在电光显示器或电光组件中的用途。
14.根据权利要求10-12中至少一项的显示器，其特征在于其是移动显示器。
15.制备根据权利要求1-9中一项或多项的液晶介质的方法，特征在于将一种或多种式S的化合物与一种或多种额外的介晶化合物混合。
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