TW201820188A - 用於圖案組態之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包括：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；將評估特徵置放於該等多邊形之邊界外；及基於該等評估特徵產生橫跨該等連接之多邊形之一圖案化器件圖案。

Description

用於圖案組態之方法
本文中之描述係關於微影方法及裝置，且更特定言之係關於一種用於沿著導引輪廓使用評估特徵以最佳化圖案化器件圖案之圖案化方法，且係關於一種用以應用該方法之系統。
微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如光罩)可含有或提供對應於IC之個別層(「設計佈局」)之器件圖案，且可藉由諸如將已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或多個晶粒)輻照通過圖案化器件之圖案之方法而將此圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件之圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有放大因數M (通常＜ 1)，故基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。 在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，可使基板經受其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一器件(例如IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，該等製程皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等。 因此，製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造製程來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此類層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製造多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造製程可被認為係圖案化製程。圖案化製程涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行圖案化步驟，諸如光學及/或奈米壓印微影，以將圖案化器件之圖案轉印至基板，且圖案化製程通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等。
在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；將評估特徵置放於該等多邊形之邊界外；及基於該等評估特徵產生橫跨該等連接之多邊形之一圖案化器件圖案。 在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；相對於該等多邊形來置放評估特徵；及產生橫跨該等連接之多邊形中之至少一些之一導引輪廓，其中該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。 在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；相對於該等連接之多邊形來置放評估特徵；及基於該等評估特徵產生橫越該等連接之多邊形之一連接或相交點之一圖案化器件圖案輪廓。 在一實施例中，提供一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施如本文中所描述之一方法。
作為簡要介紹，圖1說明例示性微影裝置100。主要組件為：輻射源112，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型之源(如上文所論述，微影裝置自身無需具有輻射源)；照明光學件，其界定照明之部分相干性(被表示為均方偏差)且其可包括塑形來自源112之輻射之光學件114及116；用以固持或含有圖案化器件118之支撐件；及投影系統120，其將圖案化器件圖案之影像投影(例如經由一或多個鏡面、一或多個透射或反射透鏡等)至基板平面122上。在投影系統之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑124可限定照射於基板平面122上之光束角度之範圍，其中最大可能角度界定投影系統之數值孔徑(NA) NA= n sin(Θmax)，n為投影系統之最後元件與基板之間的介質之折射率，且Θmax為自投影系統射出的仍可照射於基板平面122上之光束的最大角度。 如本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、孔隙及/或反射折射光學件。術語「投影系統」亦可包括用於集體地或單個地導向、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。 如本文中所使用之術語「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例亦包括： - 可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。 - 可程式化CCD或LCD陣列。 以上所提及之圖案化器件包含或可形成一或多個設計佈局或圖案(出於方便起見，下文為設計圖案)。可利用電腦輔助設計(computer-aided design；CAD)程式來產生設計圖案，此製程常常被稱作電子設計自動化(electronic design automation；EDA)。大多數CAD程式遵循一預定設計規則集合，以便產生功能設計圖案/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如閘、電容器等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線彼此不會以非所要方式相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱作「臨界尺寸」(CD)。電路之臨界尺寸可被定義為線或孔之最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。當然，積體電路製造中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。 在系統之最佳化製程中，可將該系統之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化製程歸結為尋找最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之系統之參數集合(設計變數)的製程。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性的偏差相對於此等特性之預期值(例如理想值)的經加權均方根(RMS) (或根均第2n冪，其中n係正整數)；成本函數亦可係此等偏差中之最大值(亦即，最差偏差)。歸因於系統之實施方案的實務性，系統之設計變數可經限制至有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置之狀況下，約束常常與硬體之實體屬性及特性(諸如可調諧範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯。 在微影裝置中，照明系統向圖案化器件提供呈照明模式形式之照明(亦即輻射)，且投影系統經由圖案化器件將照明導向至基板上且塑形該照明。照明模式界定照明之特性，諸如角度或空間強度分佈(例如習知的、偶極、環形、四極等)、照明均方偏差(σ)設定等。空中影像(AI)為基板位階處之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。 可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型係僅與抗蝕劑層之屬性(例如在曝光、PEB及顯影期間發生之化學製程之效應)相關。微影裝置之光學屬性(例如照明模式、圖案化器件及投影系統之屬性)規定空中影像。由於可改變用於微影裝置中之圖案化器件，故可需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括照明系統及投影系統的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。 圖2中說明用於模擬微影裝置中之微影的例示性流程圖。照明模型301表示提供至圖案化器件之照明的光學特性(包括輻射強度分佈及/或相位分佈)。投影系統模型302表示投影系統之光學特性(包括由投影系統造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。設計圖案模型303表示設計圖案之光學特性(包括由給定設計圖案303造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計圖案為在圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵之配置的表示。可自設計圖案模型303、投影系統模型302及設計圖案模型303模擬空中影像304。可使用抗蝕劑模型305而自空中影像304模擬抗蝕劑影像306。微影之模擬可例如預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。 更具體言之，應注意，照明模型301可表示照明模式及/或照明系統之光學特性，其包括但不限於數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定、特定照明形狀(例如離軸輻射照明，諸如環形、四極、偶極等)，等。投影系統模型302可表示投影系統之光學特性，其包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸，等。設計圖案模型303可表示實體圖案化器件之一或多個實體屬性，如例如全文以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。模擬之目標係準確地預測例如邊緣置放、空中影像強度斜率及/或CD，可接著將該等邊緣置放、空中影像強度斜率及/或CD與預期設計進行比較。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供之預光學近接校正(OPC)設計圖案。 自此設計圖案，可識別被稱為「剪輯」之一或多個部分。在一實施例中，提取剪輯集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常為約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。此等圖案或剪輯表示設計之小部分(亦即，電路、胞元或圖案)，且更具體言之，該等剪輯通常表示需要特定注意及/或驗證的小部分。換言之，剪輯可為設計圖案之部分，或可為相似的或具有設計圖案之部分的相似行為，其中一或多個臨界特徵藉由體驗(包括由例如晶片製造商之使用者提供之剪輯)、藉由試誤法或藉由執行全晶片模擬予以識別。剪輯可含有一或多個測試圖案或量規圖案。 可由使用者基於設計圖案中需要特定影像最佳化之一或多個已知臨界特徵區域而先驗地提供初始較大剪輯集合。替代地，在另一實施例中，可藉由使用識別一或多個臨界特徵區域之某種自動(諸如機器視覺)或手動演算法自整個設計圖案提取初始較大剪輯集合。 最佳化可能係關於放大設計圖案中之圖案中之一些的製程窗。圖案之製程窗為處理參數之空間，將根據其而產生符合規格之圖案。根據數學觀點，製程窗為由所有處理參數跨越之向量空間中之區。在給定圖案化製程中，圖案之製程窗係由圖案之規格及圖案化製程中所涉及之物理學規定。 將由所有處理參數跨越之向量空間中之區用作製程窗可不方便。可使用子空間之區(亦即，由少於所有處理參數跨越之空間)來代替由所有處理參數跨越之空間之區。舉例而言，在具有許多處理參數之圖案化製程中，由焦點及劑量跨越之子空間之區可用作製程窗。 處理參數係圖案化製程之參數。圖案化製程可包括圖案之實際微影轉印上游及下游的製程。處理參數可屬於數個類別。第一類別可為微影裝置或用於圖案化製程中之任何其他裝置之參數。此類別之實例包括微影裝置之照明系統、投影系統、基板載物台等之參數。第二類別可為在圖案化製程中執行之任何工序的參數。此類別之實例包括焦點、劑量、頻寬、曝光持續時間、顯影溫度、用於顯影中之化學組合物等。第三類別可為設計圖案之參數。此類別之實例可包括解析度增強技術(RET)或光學近接校正調整，諸如輔助特徵之形狀及/或部位。第四類別可為基板之參數。實例包括抗蝕劑層下方之結構的特性、抗蝕劑層之化學組合物及/或抗蝕劑層之實體尺寸。第五類別可為表示圖案化製程之一或多個參數之時間變化之特性的參數。此類別之實例可包括高頻載物台移動(例如頻率、振幅等)、高頻雷射頻寬改變(例如頻率、振幅等)及/或高頻雷射波長改變之特性。此等高頻改變或移動為高於用以調整基礎參數(例如載物台位置、雷射強度等)之機構之回應時間的高頻改變或移動。第六類別可為在曝光上游或下游之特性，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、蝕刻、沈積、抗蝕劑施加、摻雜及/或封裝。 設計圖案中之各種圖案可具有不同製程窗。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查CD、頸縮、線拉回、線薄化、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。設計圖案中之所有圖案或其一部分之製程窗可藉由合併每一個別圖案之製程窗(例如，使該等製程窗重疊)而獲得。 在一實例中，當圖案之規格僅規定圖案之邊緣置放誤差(EPE)時，圖案之製程窗可被稱為EPE製程窗(EPE-PW)。當圖案之規格僅規定圖案群組之EPE時，該圖案群組之重疊製程窗可被稱為EPE重疊製程窗(EPE-OPW)。可依據有限數目個參數(例如2個或3個參數)來指定EPE-PW或EPE-OPW。圖3A展示四個圖案中之每一者之EPE (EPE-PW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越的製程窗。圖3B展示四個圖案之EPE (EPE-OPW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越的製程窗 (由點影線區域表示)。因此，EPE-OPW為四個圖案之EPE-PW的重疊區域。如應瞭解，圖案之規格可規定不同或額外參數，諸如CD。因此，在CD之狀況下，製程窗將變為CD製程窗(CD-PW)且圖案群組之重疊製程窗可被稱為CD重疊製程窗(CD-OPW)。 如上文所陳述，可在系統之最佳化或組態製程中使用成本函數。成本函數可表示系統之一或多個優值。系統之優值可被稱為系統之度量。在某一約束下(若存在)，最佳化製程尋找系統之最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之參數之集合。當最佳化(例如最小化或最大化)成本函數時，由成本函數表示之一或多個優值得以最佳化(例如最小化或最大化)。在微影裝置中，作為一實例，可將成本函數表達為(方程式1) 其中(z1 , z2 , ⋯, zN )為N個設計變數或其值。fp (z1 , z2 , ⋯, zN )可為為設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )之函數的優值，諸如，用於(z1 , z2 , ⋯, zN )之設計變數之值集合的特性之實際值與預期值之間的差。舉例而言，fp (z1 , z2 , ⋯, zN )可為特性化製程窗(例如CD-PW或EPE-PW)之大小之度量。wp 為與fp (z1 , z2 , ⋯, zN )相關聯之權重常數。舉例而言，特性可為在邊緣上之給定點處量測的圖案之邊緣之位置。不同fp (z1 , z2 , ⋯, zN )可具有不同權重wp 。舉例而言，若特定邊緣具有所准許位置之窄範圍，則用於表示邊緣之實際位置與預期位置之間的差之fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之權重wp 可被給出較高值。當然，CF(z1 , z2 , ⋯, zN )不限於方程式1中之形式。CF(z1 , z2 , ⋯, zN )可呈任何其他合適形式。 成本函數可表示微影裝置、圖案化製程或基板之任一或多個合適特性，例如邊緣置放誤差、CD、影像移位、影像失真、影像旋轉、隨機變化、產出率、局部CD變化或其組合。在一項實施例中，設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )包含選自劑量、焦點、圖案化器件圖案之圖案之偏置、輔助特徵置放、照明之空間/角度分佈(例如諸如習知的、環形、偶極、四極等之形狀)等中之一或多者。由於抗蝕劑影像常常規定基板上之圖案，故成本函數可包括表示抗蝕劑影像之一或多個特性之函數。舉例而言，fp (z1 , z2 , ⋯, zN )可簡單地為抗蝕劑影像中之一點至彼點之預期位置之間的距離(亦即邊緣置放誤差)。另外，成本函數可包括表示在曝光之後的任何其他影像(諸如顯影後影像、蝕刻後影像等)之一或多個特性之函數。設計變數可包括任何可調整參數，諸如照明系統、圖案化器件、投影系統之可調整參數、劑量、焦點等。 微影裝置可包括可用以調整輻射光束之波前及強度分佈及/或相移之形狀的被集體地稱為「波前操控器」之組件。在一實施例中，微影裝置可調整沿著微影裝置之光學路徑之任何部位處的波前及強度分佈，諸如在圖案化器件之前、在光瞳平面附近、在影像平面附近及/或在焦平面附近。波前操控器可用以校正或補償由例如照明系統、圖案化器件、微影裝置中之溫度變化、微影裝置之組件之熱膨脹等造成的波前及強度分佈及/或相移之一或多個某些失真。調整波前及強度分佈及/或相移可改變由成本函數表示之一或多個特性之值。可自模型模擬此改變或實際上量測此改變。設計變數可包括波前操控器之參數。 設計變數可具有約束，該等約束可被表達為(z1 , z2 , ⋯, zN )∈Z，其中Z為設計變數之可能值集合。可藉由微影裝置之所要產出率來強加對設計變數之一個可能約束。在無藉由所要產出率而強加之此約束的情況下，最佳化可得到不切實際的設計變數之值集合。舉例而言，若劑量為設計變數，則在無此約束之情況下，最佳化可得到使產出率經濟上不可能的劑量值。然而，約束之有用性不應被解譯為必要性。舉例而言，產出率可受光瞳填充比影響。對於一些照明設計，低光瞳填充比可捨棄輻射，從而導致較低產出率。產出率亦可受到抗蝕劑化學反應影響。較慢抗蝕劑(例如，要求適當地曝光較高量之輻射的抗蝕劑)導致較低產出率。 可在最佳化製程期間重複計算成本函數。計算成本函數可包括計算fp (z1 , z2 , ⋯, zN )。與影像相關的fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之實例之非詳盡清單包括一或多個EPE及其函數、製程窗或特性化製程窗之度量、產率、隨機效應、缺陷之存在或機率及/或層間特性(亦即，當一結構與另一結構在不同層中時一結構相對於另一結構之特性)。 在獲得所定義之成本函數及其計算方法之情況下，在一實施例中，製程繼續進行以在約束(z1 , z2 , ⋯, zN )ÎZ下尋找最佳化成本函數的一或多個設計變數之值集合，例如尋找：(方程式2) 因此，在一實施例中，提供用於尋找最大化重疊邊緣置放誤差(EPE)製程窗以用於圖案化(例如DUV及/或EUV圖案化)之解決方案(例如照明模式及圖案(SMO)最佳化解決方案)的方法及度量。亦即，在一實施例中，解決方案最大化重疊EPE製程窗之大小，即圖案之複數個部分具有比規格(例如在CD之5%內)更佳的EPE之製程參數空間。在一實施例中，運用EPE最小化演算法找到之解決方案將給出接近最佳之重疊EPE製程窗。 在一實施例中，反覆地計算最佳化迴路內之重疊EPE製程窗可為不切實際的，因此可使用與重疊EPE製程窗具有強相關性之「捷徑度量」，且在最佳化中使用此捷徑度量。在一實施例中，度量包含上文所描述之製程窗度量。在一實施例中，該度量最小化焦點：劑量變化空間周圍之最大EPE (圖案中之所有使用者定義之量測切口當中的最大值)。此途徑將被預期最大化重疊EPE製程窗。 圖4中說明最佳化之一般方法。此方法包含定義複數個設計變數之多變數成本函數之步驟502。設計變數可包含選自表示照明之一或多個特性500A (例如光瞳填充比，即傳遞通過光瞳或孔隙之照明之輻射的百分比)、投影系統之一或多個特性500B及/或設計圖案之一或多個特性500C的設計變數之任何合適組合。舉例而言，設計變數可包括表示照明之一或多個特性500A及設計圖案佈局之一或多個特性500C (例如全域偏置)之設計變數，但不包括表示投影系統之一或多個特性500B之設計變數，此導致照明-圖案化器件圖案(例如光罩圖案)最佳化(「源-光罩最佳化」或SMO)。或者，設計變數可包括表示照明之一或多個特性500A (視情況偏振)、投影系統之一或多個特性500B及設計圖案之一或多個特性500C的設計變數，此導致照明-圖案化器件圖案(例如光罩)-投影系統(例如透鏡)最佳化(「源-光罩-透鏡最佳化」或SMLO)。在步驟504中，同時地調整設計變數，使得成本函數移動朝向收斂。在步驟506中，判定是否滿足預定義終止條件。預定終止條件可包括各種可能性，例如選自以下各者之一或多者：根據需要藉由所用之數值技術最小化或最大化成本函數，成本函數之值等於臨限值或超越臨限值，成本函數之值達到預設誤差極限內，及/或達到預設數目次反覆。若在步驟506中滿足條件，則方法結束。若在步驟506中不滿足一或多個條件，則反覆重複步驟504及506直至獲得所要結果。最佳化未必導致用於一或多個設計變數之值之單一集合，此係由於可存在由諸如光瞳填充因數、抗蝕劑化學反應、產出率等之因素造成的實體約束。最佳化可提供用於一或多個設計變數及關聯效能特性(例如產出率)之值之多個集合，且允許微影裝置之使用者拾取一或多個集合。 照明、圖案化器件圖案及投影系統可交替地進行最佳化(被稱作交替最佳化)或同時地進行最佳化(被稱作同時最佳化)。設計圖案之多個層上之圖案可同時地或交替地進行最佳化。如本文中所使用之術語「同時的」、「同時地」、「聯合的」及「聯合地」意謂表示照明、圖案化器件、投影系統之一或多個特性之一或多個設計變數及/或任何其他設計變數被允許同時地改變。如本文所使用之術語「交替的」及「交替地」意謂並非所有設計變數皆被允許同時改變。 在圖4中，同時地執行所有設計變數之最佳化。此流程可被稱為同時流程或共同最佳化流程。替代地，交替地執行所有設計變數之最佳化，如圖5中所說明。在此流程中，在每一步驟中，使一些設計變數固定，而最佳化其他設計變數以最小化成本函數；接著，在下一步驟中，使不同變數集合固定，而最佳化其他變數集合以最小化或最大化成本函數。交替地執行此等步驟，直至滿足收斂或某一終止條件為止。如圖5之非限制性實例流程圖中所展示，首先，獲得設計圖案(步驟602)，接著在步驟604中執行照明最佳化之步驟，其中使用成本函數來最佳化照明之一或多個設計變數(SO)，而使其他設計變數固定。接著在下一步驟606中，執行圖案化器件(例如光罩)最佳化(MO)，其中使用成本函數來最佳化圖案化器件之設計變數，而使其他設計變數固定。交替地執行此兩個步驟，直至在步驟608中滿足某一終止條件為止。可使用一或多個各種終止條件，諸如，成本函數之值變得等於臨限值、成本函數之值超越臨限值、成本函數之值達到預設誤差極限內、達到預設數目次反覆等。應注意，SO-MO交替最佳化係用作該替代流程之實例。該替代流程可採取許多不同形式，諸如：SO-LO-MO交替最佳化，其中交替地且反覆地執行SO、LO(投影系統最佳化)及MO；或可執行第一SMO一次，接著交替地且反覆地執行LO及MO；等等。另一替代方案為照明最佳化、偏振最佳化及圖案化器件最佳化(SO-PO-MO )。最後，在步驟610中獲得製程結果之輸出，且製程停止。 圖6展示例示性最佳化方法，其中最小化或最大化表示圖案化製程之一或多個特性之成本函數。在步驟S702中，獲得一或多個設計變數之初始值，包括一或多個關聯之調諧範圍(若存在)。在步驟S704中，設置多變數成本函數。在步驟S706中，在圍繞用於第一反覆步驟(i=0)之一或多個設計變數之起點值之足夠小鄰域內展開成本函數。在步驟S708中，將標準多變數最佳化技術應用至成本函數。應注意，最佳化問題可在S708中的最佳化製程期間或在最佳化製程後期應用約束，諸如一或多個調諧範圍。步驟S720指示針對用於成本函數所表示之特性之一或多個給定測試特徵(亦被稱為「量規」)進行每一反覆。在步驟S710中，預測微影回應(例如EPE或基於EPE之參數，諸如上文所描述之度量)。在步驟S712中，比較步驟S710之結果與步驟S722中獲得之所要或理想微影回應值。若在步驟S714中滿足終止條件，亦即，最佳化產生足夠接近於所要值之微影回應值，則在步驟S718中輸出設計變數之最終值。輸出步驟亦可包括輸出使用設計變數之最終值的一或多個其他函數，諸如輸出經最佳化照明圖、經最佳化設計圖案、光瞳平面(或其他平面)處之波前像差調整圖等。若不滿足終止條件，則在步驟S716中，用第i反覆之結果更新一或多個設計變數之值，且製程返回至步驟S706。下文詳細地闡述圖6之製程。 在例示性最佳化製程中，假定或近似設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )與fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之間無關係，惟fp (z1 , z2 , ⋯, zN )足夠平滑(例如一階導數(∂fp (z1 , z2 , ⋯, zN ))/(∂zn )，(n=1,2,⋯N)存在)，其通常在微影裝置中有效除外。可應用演算法以尋找(z 1, z 2, ⋯, z N )，該等演算法諸如離散最佳化(例如藉由像素轉換之「下坡」離散最佳化)、高斯-牛頓(Gauss-Newton)演算法、雷文柏格-馬括特(Levenberg-Marquardt)演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農(Broyden-Fletcher-Goldfarb-Shanno)演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內點演算法及遺傳演算法。 此處，將高斯-牛頓演算法用作一實例。高斯-牛頓演算法為適用於一般非線性多變數最佳化問題之反覆方法。在其中設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )採取值(z1i ,z2i ,⋯,zNi )之第i反覆中，高斯-牛頓演算法線性化(z1i ,z2i ,⋯,zNi )附近之fp (z1 , z2 , ⋯, zN )，且接著計算(z1i ,z2i ,⋯,zNi )附近之給出CF(z1 , z2 , ⋯, zN )之最小值的值(z( 1 ( i + 1 )) ,z( 2 ( i + 1 )) ,⋯,z( N ( i + 1 )) )。設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )在第(i+1)反覆中採取值(z( 1 ( i + 1 )) ,z( 2 ( i + 1 )) ,⋯,z( N ( i + 1 )) )。此反覆繼續直至收斂(亦即，CF(z1 ,z2 ,⋯,zN )不再縮減)或達到預設數目次反覆為止。 具體言之，在第i反覆中，在(z1i ,z2i ,⋯,zNi )附近，(方程式3) 在方程式3之近似下，成本函數變為：(方程式4) 其為設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )之二次函數。每一項皆恆定，惟設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )除外。 若設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )不在任何約束下，則可藉由對N個線性方程式求解來導出(z( 1 ( i + 1 )) ,z( 2 ( i + 1 )) ,⋯,z( N ( i + 1 )) )： ∂CF(z1 ,z2 ,⋯,zN )/(∂zn )=0，其中n=1,2,⋯,N。 若設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )係在呈J個不等式(例如(z1 , z2 , ⋯, zN )之調諧範圍)之形式之約束下(其中j=1, 2, ⋯, J)；及K個等式(例如設計變數之間的相互相依性)之形式之約束下(其中k = 1, 2, ⋯, K)，則最佳化製程變為經典二次規劃問題，其中Anj 、Bj 、Cnk 、Dk 係常數。可針對每一反覆來強加額外約束。舉例而言，可引入「阻尼因數」ΔD 以限制(z( 1 ( i + 1 )) ,z( 2 ( i + 1 )) ,⋯,z( N ( i + 1 )) )與(z1i , z2i , ⋯, zNi )之間的差，使得方程式3之近似成立。可將此類約束表達為可使用例如Jorge Nocedal及Stephen J.Wright (Berlin New York: Vandenberghe. Cambridge University Press)之Numerical Optimization (第2版)中所描述的方法來導出。 代替最小化fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之RMS (或根均第2n冪，其中n係正整數)，最佳化製程可最小化特性當中之最大偏差(最差缺陷)與其預期值之量值。在此途徑中，可替代地將成本函數表達為(方程式5) 其中CLp 為用於fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之最大所允許值。此成本函數表示特性當中之最差缺陷。使用此成本函數之最佳化會最小化最差缺陷之量值。反覆貪心演算法可用於此最佳化。 可將方程式5之成本函數近似為：(方程式 6) 其中q係正偶數(例如至少4，或至少10)。方程式6模仿方程式5之行為，同時允許藉由使用諸如最深下降方法、共軛梯度方法等之方法來分析上執行最佳化且使最佳化加速。 最小化最差缺陷大小亦可與fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之線性化組合。具體言之，近似fp (z1 , z2 , ⋯, zN )，與在方程式3中一樣。接著，將對最差缺陷大小之約束書寫為不等式，其中ELp 及EUp 為指定fp (z1 , z2 , ⋯, zN )之最小及最大所允許偏差的兩個常數。插入方程式3，將此等約束變換至如下方程式(其中p=1,…P)：(方程式6')及(方程式6'') 由於方程式3通常僅在(z1 , z2 , ⋯, zN )附近有效，故倘若在此附近不能達成所要約束(其可藉由該等不等式當中之任何衝突予以判定)，則可放寬常數ELp 及EUp 直至可達成該等約束為止。此最佳化製程最小化(z1 , z2 , ⋯, zN ), i附近之最差缺陷大小。接著，每一步驟逐步地縮減最差缺陷大小，且反覆地執行每一步驟直至滿足某些終止條件為止。此情形將導致最差缺陷大小之最佳縮減。 用以最小化最差缺陷之另一方式係在每一反覆中調整權重wp 。舉例而言，在第i反覆之後，若第r特性為最差缺陷，則可在第(i+1)反覆中增大wr ，使得向彼特性之缺陷大小之縮減給出較高優先級。 另外，可藉由引入拉格朗日乘數來修改方程式4及方程式5中之成本函數，以達成對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的折衷，亦即，(方程式6''') 其中λ為指定對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的取捨之預設常數。詳言之，若λ=0，則此方程式變為方程式4，且僅最小化缺陷大小之RMS；而若λ=1，則此方程式變為方程式5，且僅最小化最差缺陷大小；若0＜λ＜1，則在最佳化中考量以上兩種情況。可使用多種方法來解決此最佳化。舉例而言，相似於先前所描述之方法，可調整每一反覆中之加權。替代地，相似於自不等式最小化最差缺陷大小，方程式6'及6''之不等式可被視為在二次規劃問題之求解期間的設計變數之約束。接著，可遞增地放寬對最差缺陷大小之界限，或對最差缺陷大小之界限遞增地增大用於最差缺陷大小之權重、計算用於每一可達成最差缺陷大小之成本函數值，且選擇最小化總成本函數之設計變數值作為用於下一步驟之初始點。藉由反覆地進行此操作，可達成此新成本函數之最小化。 最佳化微影裝置可擴展製程窗。較大製程窗在製程設計及晶片設計方面提供更多靈活性。製程窗可被定義為例如使抗蝕劑影像在抗蝕劑影像之設計目標之某一極限內的焦點及劑量值集合。應注意，此處所論述之所有方法亦可延伸至可藉由除了曝光劑量及散焦以外之不同或額外基參數而建立的廣義製程窗定義。此等基參數可包括但不限於光學設定，諸如NA、照明均方偏差、光學像差、偏振、及/或抗蝕劑層之光學常數。舉例而言，如早先所描述，若製程窗(PW)亦包含不同圖案化器件圖案偏置(光罩偏置)，則最佳化包括光罩誤差增強因數(MEEF)之最小化，該光罩誤差增強因數被定義為基板邊緣置放誤差(EPE)與誘發之圖案化器件圖案邊緣偏置之間的比率。對焦點及劑量值所定義之製程窗在本發明中僅用作一實例。 根據一實施例，在下文中描述最大化將例如劑量及焦點用作其參數的製程窗之方法。在第一步驟中，自製程窗中之已知條件(f0 ,ε0 )開始(其中f0 為標稱焦點且ε0 為標稱劑量)，最小化在(f0 ±∆f,ε0 ±ε)附近下方之成本函數中之一者：(方程式7) 或(方程式7') 或(方程式7'') 若允許標稱焦點f0 及標稱劑量ε0 移位，則其可與設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )聯合地被最佳化。在下一步驟中，若可發現(z1 , z2 , ⋯, zN )之值集合使得成本函數在預設極限內，則(f0 ±∆f, ε0 ±ε)係作為製程窗之部分被接受。 若不允許焦點及劑量移位，則在焦點及劑量固定於標稱焦點f0 及標稱劑量ε0 的情況下最佳化設計變數(z1 , z2 , ⋯, zN )。在一替代實施例中，若可發現(z1 , z2 , ⋯, zN )之值集合使得成本函數在預設極限內，則(f0 ±∆f, ε0 ±ε)係作為製程窗之部分被接受。 本發明中早先所描述之方法可用以最小化方程式7、7'或7''之各別成本函數。若設計變數表示投影系統之一或多個特性，諸如任尼克係數，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數導致基於投影系統最佳化(亦即LO)之製程窗最大化。若設計變數除了表示投影系統之一或多個特性以外亦表示照明及圖案化器件之一或多個特性，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數導致基於SMLO之製程窗最大化，如圖4中所說明。若設計變數表示照明及圖案化器件之一或多個特性，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數導致基於SMO之製程窗最大化。方程式7、7'或7''之成本函數亦可包括為頻寬之函數的諸如本文中所描述之至少一個fp (z_1,z_2,⋯,z_N)。 圖8展示同時SMLO製程可如何使用高斯-牛頓演算法以用於最佳化之一項特定實例。在步驟S902中，識別一或多個設計變數之起始值。亦可識別用於每一變數之調諧範圍。在步驟S904中，使用一或多個設計變數來定義成本函數。在步驟S906中，使成本函數圍繞設計變數之起始值展開。在步驟S908中，應用合適的最佳化技術以最小化或最大化成本函數。在選用步驟S910中，執行全晶片模擬以覆蓋全晶片設計圖案中之所有臨界圖案。在步驟S914中，獲得所要微影回應度量(諸如上文所描述之CD、EPE或基於EPE之度量)，且在步驟S912中比較所要微影回應度量與彼等量之經預測值。在步驟S916中，判定製程窗。步驟S918、S920及S922相似於如關於圖8所描述之對應步驟S914、S916及S918。最終輸出可為例如經最佳化照明圖及/或經最佳化設計圖案。 圖7展示用以最佳化成本函數之例示性方法，其中設計變數(z_1,z_2,⋯,z_N)包括可僅假定離散值之設計變數。 該方法藉由界定照明之像素群組及圖案化器件之圖案化器件圖案塊而開始(步驟802)。通常，像素群組或圖案化器件圖案塊亦可被稱作圖案化製程組件之劃分部。在一種例示性途徑中，將照明劃分成每象限117個像素群組，且針對圖案化器件界定94個圖案化器件圖案塊(實質上如上文所描述)，從而引起總共211個劃分部。 在步驟804中，選擇一微影模型作為用於微影模擬之基礎。微影模擬產生用於一或多個微影度量之計算中的結果或回應。將一特定微影度量定義為待最佳化之效能度量(步驟806)。在步驟808中，設置用於照明及圖案化器件之初始(預最佳化)條件。初始條件包括用於照明之像素群組及圖案化器件之圖案化器件圖案塊的初始狀態，使得可參考初始照明形狀及初始圖案化器件圖案。初始條件亦可包括圖案化器件圖案偏置(有時被稱作光罩偏置)、NA及/或焦點斜坡範圍。儘管步驟802、804、806及808被描繪為順序步驟，但應瞭解，在其他實施例中，可以其他序列執行此等步驟。 在步驟810中，像素群組及圖案化器件圖案塊經順位。可使像素群組及圖案化器件圖案塊在順位中交錯。可使用各種順位方式，包括：依序地(例如，自像素群組1至像素群組117及自圖案化器件圖案塊1至圖案化器件圖案塊94)、隨機地、根據該等像素群組及圖案化器件圖案塊之實體部位(例如，將較接近於照明之中心之像素群組順位得較高)、及/或根據該像素群組或圖案化器件圖案塊之變更如何影響效能度量。 一旦像素群組及圖案化器件圖案塊經順位，就調整照明及圖案化器件以改良效能度量(步驟812)。在步驟812中，按順位之次序分析像素群組及圖案化器件圖案塊中之每一者，以判定像素群組或圖案化器件圖案塊之變更是否將引起效能度量改良。若判定效能度量將被改良，則相應地變更像素群組或圖案化器件圖案塊，且所得改良型效能度量及經修改照明形狀或經修改圖案化器件圖案形成基線以供比較以用於後續分析較低順位之像素群組及圖案化器件圖案塊。換言之，保持改良效能度量之變更。隨著進行及保持對像素群組及圖案化器件圖案塊之狀態之變更，初始照明形狀及初始圖案化器件圖案相應地改變，使得經修改照明形狀及經修改圖案化器件圖案由步驟812中之最佳化製程引起。 在其他途徑中，亦在812之最佳化製程內執行像素群組及/或圖案化器件圖案塊之圖案化器件多邊形形狀調整及成對輪詢。 在一實施例中，交錯式同時最佳化工序可包括變更照明之像素群組，且在發現效能度量之改良的情況下，逐步升高及/或降低劑量或強度以尋找進一步改良。在另一實施例中，可藉由圖案化器件圖案之偏置改變來替換劑量或強度之逐步升高及/或降低，以尋找同時最佳化工序之進一步改良。 在步驟814中，進行關於效能度量是否已收斂之判定。舉例而言，若在步驟810及812之最後幾次反覆中已證明效能度量之很小改良或無改良，則效能度量可被認為已收斂。若效能度量尚未收斂，則在下一反覆中重複步驟810及812，其中自當前反覆之經修改之照明形狀及經修改之圖案化器件係用作用於下一反覆之初始照明形狀及初始圖案化器件(步驟816)。 上文所描述之最佳化方法可用以增加微影裝置之產出率。舉例而言，成本函數可包括為曝光時間之函數的fp ( z1 , z2 , ⋯ , zN ) 。在一實施例中，此成本函數之最佳化受頻寬之量度或其他度量約束或影響。 如所提及，微影為在器件之製造時之重要步驟，其中形成於基板上之圖案界定器件之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。相似微影技術亦用於形成其他器件，諸如平板顯示器、微機電系統(MEMS)等。 隨著圖案化製程繼續發展，幾十年來功能元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件之功能元件(諸如電晶體)之量已穩定地增加。在目前先進水平下，使用微影裝置來製造器件層，該等微影裝置使用來自深紫外線照明源之照明將設計圖案投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於100奈米之個別功能元件，亦即，小於來自照明源(例如193奈米照明源)之輻射之波長的一半。 供印刷尺寸小於微影裝置之經典解析度極限之特徵之此製程根據解析度公式CD = k1×λ/NA通常被稱為低k1微影，其中λ係所使用輻射之波長，NA係微影裝置中之投影系統的數值孔徑，CD係「臨界尺寸」-其通常係所印刷之最小特徵大小，且k1係經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。k1之下限值常常為約0.23或約0.25。因此，需要印刷低於k1極限(下文中為「子k1極限」或「低於k1極限」)之特徵(例如在特徵之CD方面、在特徵之間距方面等)。為了克服此等困難且實現子k1極限圖案特徵，將複雜微調步驟應用至微影裝置及/或設計圖案。此等步驟包括例如但不限於：NA及光學相干性設定之最佳化、自訂照明方案、相移圖案化器件之使用、將圖案分裂至多個曝光中(下文中係指多重圖案化)、設計圖案中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。 如上文所提及，需要印刷設計圖案中之以其他方式不可印刷之特徵，亦即印刷子k1極限特徵。進行此印刷之一種方法描繪於圖9中。詳言之，圖9說明多重圖案化技術(MPT)之設計之處理情形101至106序列，其為了允許例如印刷圖9之初始設計圖案101之插圖中所展示的緊密鄰近多邊形PG。在多重圖案化技術(MPT)之設計之製程流程中，獲得初始設計圖案101。接著，進行在此項技術中被稱為著色之技術(在製程情形102中)以將初始設計圖案分裂成複數個設計圖案(在此實例中，分裂成三個設計圖案)，該複數個設計圖案中之每一者待轉印至基板以達成初始設計圖案。著色例如將間距或分離距離不小於k1極限的多邊形分組至複數個設計圖案中之一者中，以便避免例如間距或分離距離小於k1極限的緊密鄰近多邊形PG處於該圖案化器件圖案中。在此實例中，在製程情形102處，將三個不同多邊形群組按顏色分組以供進一步處理多邊形之顏色群組中之每一者。接著，在製程情形103處，在多邊形之顏色群組中之每一者中進行多邊形PG之大小偏置。接著，在製程情形104處，進行三個單獨的SMO製程以判定一或多個最佳化照明模式(製程情形104之頂部圖展示最佳化照明模式之實例)及供提供至一或多個圖案化器件之最佳化圖案(製程情形104之底部三個圖展示添加有各種輔助特徵之三個最佳化設計圖案)。如所已知，製程情形104處之圖案化器件圖案係根據微影裝置之放大因數而設定大小；舉例而言，比經曝光大小大約4倍。接著，執行圖案化製程三次，每一次皆運用三個圖案化器件圖案中之一者連同一或多個最佳化照明模式中之一者，使得在執行各種製程步驟(例如視需要重複曝光、顯影等)之後三個圖案化器件圖案之圖案實際上覆蓋在彼此上層，如製程情形105處所展示。藉由分離地圖案化三個圖案化器件圖案，避免了同時地圖案化臨界尺寸(CD)或間距低於k1極限之緊密鄰近特徵。在此實例中，製程情形105展示顯影後輪廓，其導致最終圖案之蝕刻後輪廓106。然而，此方法涉及複數個曝光(例如在一些狀況下，三個圖案化器件)及複數個最佳化製程，從而增加製造時間、成本、複雜性等。因此，舉例而言，需要獲得僅使用一個圖案化器件圖案或較少圖案化器件圖案來印刷子k1極限特徵之圖案化製程。 在一實施例中，提供用以執行調整使用自訂導引輪廓之圖案化器件圖案及照明模式以實現例如子k1極限特徵之印刷之製程的方法。在一實施例中，該方法可使用單一圖案化器件圖案經由調整具有自訂導引輪廓之圖案化器件圖案及照明模式結合適當抗蝕劑顯影後處理從而實現子k1極限圖案化。 參看圖10，展示用以設計圖案以印刷具有子k1特徵(例如特徵之臨界尺寸(CD)或分離間隙，其低於k1極限)之初始設計1001的最佳化製程，其中在此實例中，僅存在一個圖案化器件圖案且使用彼圖案化器件圖案來印刷圖案。如以下進一步論述，在製程情形1002處，可重新組態初始設計1001，且在製程情形1003處應用導引輪廓以用於最佳化(例如SMO)製程中。在最佳化之後，製程情形1003在底部圖中展示最佳化圖案化器件圖案(展示主圖案特徵及輔助特徵)且在頂部圖中展示選用最佳化照明模式。如下文所論述，在一實施例中，製程情形1002及/或製程情形1003處之製程經組態以便產生使用傳統顯影及蝕刻工序將不會得到初始設計1001的圖案。實情為，經曝光圖案化器件係使得其可經受如下文所描述之「收縮」及/或「恢復」製程。 在製程情形1004處，展示對應於使用製程情形1003處之最佳化照明模式的在製程情形1003處之經成像之最佳化圖案化器件圖案之抗蝕劑顯影後輪廓(在此狀況下為經模擬輪廓)。接著，應用「收縮」及/或「恢復」製程以達成所要圖案特徵。「收縮」涉及特徵之大小或尺寸之縮減。在一實施例中，「收縮」涉及選擇性沈積，例如可使抗蝕劑中及/或經蝕刻層中之圖案特徵「收縮」之選擇性側壁沈積。選擇性沈積可涉及嵌段共聚物之沈積以用於自組裝至單獨域/相位中。「恢復」製程涉及特徵之大小或尺寸之增大。在一實施例中，「恢復」製程涉及選擇性蝕刻，例如抗蝕劑中及/或經蝕刻層中之某一圖案特徵之選擇性蝕刻。在一實施例中，選擇性蝕刻可為使特徵(例如接觸孔或其他凹座)「收縮」成低於所要大小或尺寸之選擇性沈積且接著特徵之選擇性蝕刻將特徵「恢復」至所要大小或尺寸的組合。適當「收縮」及/或「恢復」製程模型可用以導引圖案最佳化製程(例如以幫助界定待由最佳化製程產生之設計圖案)，及/或一或多個「收縮」及/或「恢復」參數可用於最佳化製程(例如如上文所論述之聯合、交替或模擬最佳化)中。在製程情形1005處，描繪最終圖案之蝕刻後輪廓(在此狀況下為使用「收縮」及/或「恢復」製程模型之模擬之輪廓)，其對應於製程情形1003處之已經受適當「收縮」及/或「恢復」製程的抗蝕劑顯影後輪廓。 參看圖11，描繪用於使用最佳化製程及導引輪廓實現子k1極限特徵之印刷的製程流程之實施例。該製程可包括：自包含複數個多邊形之初始設計圖案開始，識別低於k1極限(例如其中臨界尺寸(CD)小於k1極限，其中相對於另一多邊形之間距低於k1極限)的目標多邊形，且有效地連接該等目標多邊形(例如使其形狀生長、擴展或偏置(下文中被稱作偏置))以便產生包括該等經識別之目標多邊形之矩形或其他形狀(步驟S1101)。若在偏置之後，一或多個經識別之目標多邊形保持分離的，則可將彼等一或多個不連接目標多邊形橋接至其他經識別之目標多邊形(步驟S1102)。可相對於經識別之目標多邊形及/或關於設計圖案之一或多個其他多邊形施加一或多個圖案置放量規(步驟S1103)。可將平滑化技術應用至經連接之目標多邊形以產生導引輪廓以使能夠置放用於導引最佳化製程之評估特徵(例如評估點、評估片段、評估區域等)，且視情況可在最佳化製程中添加容許範圍以供與評估特徵一起使用。或者，可(例如由使用者)識別用於導引最佳化製程之複數個評估特徵，且接著可應用平滑化技術以提供通過該等評估特徵之導引輪廓(步驟S1104)。接著，可進行最佳化(例如SMO)製程以產生最佳化設計圖案(且視情況產生最佳化照明模式)以在基板處印刷所要輪廓，其中該最佳化製程可為基於評估特徵之邊緣置放誤差成本函數分析(步驟S1105)。視情況，用於恢復及/或收縮製程之模型(例如蝕刻及/或沈積模型)可用以最佳化最佳化設計圖案之產生，或可用以產生對照初始設計圖案合意準確的最終經印刷圖案之表示(步驟S1106)。 圖12更詳細地說明圖11之方法之實施例，其中彎曲箭頭線指示製程之方向。在製程情形1201處，可獲得初始設計圖案以指示特徵之座標(特徵可為通孔、穿通孔、接觸孔或任何其他特徵)。特徵在本文中將被稱作多邊形。 在製程情形1202處，將分離距離或間距小於k1極限的鄰近多邊形識別為目標多邊形。舉例而言，如在製程情形1202處於1220處所標記，三個鄰近多邊形係藉由連接其之線識別以形成倒V形狀，其中該等線僅僅表示隨後多邊形將如何變得連接。當然，不需要產生彼等線。可以任何方式識別/標記多邊形。又，例如在EUV製程之狀況下，鄰近多邊形無需具有小於k1極限之分離距離或間距。 在製程情形1203處，使經識別之目標多邊形有效地連接。有效地連接意謂經識別之目標多邊形觸摸另一經識別之目標多邊形或與另一經識別之目標多邊形部分重疊，或該經識別之目標多邊形與該另一經識別之目標多邊形之分離度縮減至低於某一臨限值之距離。在一實施例中，可使經識別之目標多邊形偏置以實現連接。亦即，在一實施例中，經識別且鄰近之目標多邊形之形狀放大以便將該等經識別目標多邊形中之至少一者與另一鄰近經識別目標多邊形在至少一個頂點處進行連接。在一實施例中，使所有經識別目標多邊形均一地偏置使得形狀可在相同程度上放大。在一實施例中，可將不同偏置應用至經識別目標多邊形之不同組合以實現連接。在一實施例中，若一或多個鄰近經識別目標多邊形在偏置之後並不連接(例如，規則防止進一步偏置，一或多個經識別目標多邊形在偏置(例如均一偏置)之後已經連接等)，則可由系統自動地或由使用者手動地或經由輸入檔案或其他資源來添加相對窄「橋接線」(例如輔助或連接多邊形)，以使該等經識別目標多邊形之最接近頂點連接。在此情形中之目標多邊形之實例在製程情形1203中被標記為1222。 在製程情形1204處，可使未經識別之多邊形偏置，例如以與製程情形1203處之經識別多邊形相似之方式。然而，此處之多邊形並未經偏置成必需與一或多個其他多邊形連接，或變得足夠接近以供與一或多個其他多邊形連接。 在製程情形1205處，可視情況相對於多邊形中之一或多者施加一或多個圖案置放量規。下文將提供圖案置放量規之更多細節。 在製程情形1206處，相對於複數個多邊形來置放評估特徵(例如，此處展示為呈短線之形式)。在一實施例中，將評估特徵中之一或多者置放於多邊形之邊界外，且在一實施例中，置放於經識別且連接之目標多邊形附近。在一實施例中，可關於經識別且連接之目標多邊形產生導引輪廓，且沿著該導引輪廓來定位評估特徵；該導引輪廓基本上為圖案化器件圖案輪廓在最佳化製程中經設計成之目標。在一實施例中，可(例如由使用者)識別用於導引最佳化製程之複數個評估特徵，且接著可應用平滑化技術以提供通過該等評估特徵之導引輪廓。在一實施例中，將評估特徵置放於非經識別之多邊形上。在一實施例中，可將一或多個評估特徵提供於多邊形之邊界外及非經識別之多邊形附近。評估特徵可經使用者指定或經系統產生以用於評估圖案化器件圖案輪廓，如下文所描述。 在製程情形1207處，基於評估特徵來執行最佳化製程以獲得圖案化器件圖案，如製程情形1207處所展示。亦即，在一實施例中，基於評估特徵關於多邊形產生圖案化器件圖案輪廓(且視情況產生解析度增強技術(RET)或光學近接校正調整，諸如輔助特徵)。在一實施例中，最佳化製程為基於使用評估特徵之成本函數(諸如使用ASML迅子軟體之成本函數)之SMO。在一實施例中，最佳化製程為基於邊緣置放誤差(EPE)之SMO。在製程情形1207處獲得之最佳化照明模式之實例展示於圖22B中。視情況基於用以判定圖案置放誤差之圖案置放量規來執行最佳化製程。在一實施例中，最佳化製程為基於邊緣置放誤差(EPE)及圖案置放誤差(PPE)之SMO。藉由使用評估特徵，可模擬圖案化器件圖案輪廓以在經識別且連接之目標多邊形內延伸以及延伸至經識別且連接之目標多邊形外。在一實施例中，圖案化器件圖案輪廓借助於圖案化器件圖案輪廓及/或評估特徵在鄰近經識別且連接之目標多邊形之連接點處橫跨其之頂點。 在一實施例中，最佳化製程可得到對照導引輪廓而評估之中間圖案化器件圖案。此可例如在評估點並不高度密集的情況下有用。因此，對照導引輪廓評估中間圖案化器件圖案之一或多個部分、區域、形狀等以判定與其之偏差。基於此評估，可修改最佳化製程。舉例而言，可改變一或多個評估點之權重。作為另一實例，可在最佳化製程中考慮一或多個額外或不同定位之評估點。因此，在一實施例中，可執行反覆製程以對照導引輪廓來評估圖案化器件圖案且相應地變更最佳化製程。 在製程情形1208處，使藉由使用製程情形1207處之最佳化圖案化器件圖案輪廓而進行抗蝕劑之實際或經模擬曝光而產生的抗蝕劑圖案顯影。在製程情形1208處描繪此抗蝕劑圖案之實例。 在製程情形1209處，將收縮及/或恢復製程應用至經顯影抗蝕劑圖案。在一實施例中，收縮及/或恢復製程可為實際收縮(例如選擇性沈積)及/或恢復(例如選擇性蝕刻)製程，且將結果與初始設計圖案進行比較。在一實施例中，可模擬收縮及/或恢復製程。在一實施例中，收縮及/或恢復製程模型可用以幫助設定製程情形1207處之所要圖案，及/或可用於最佳化中以設定該收縮及/或恢復製程之一或多個參數。理想地，在收縮及/或恢復製程之後的最終圖案接近於初始設計圖案，或對於初始設計圖案係準確的。如在圖中在製程情形1209處所看到，經模擬最終圖案接近地對應於製程情形1201處之初始設計圖案。 在製程情形1210處，圖案之實例之影像被展示為鄰近於製程情形1209處之經模擬圖。在收縮及恢復製程之後的製程情形1210處之影像相當接近地匹配於製程情形1209處之經模擬影像。 圖11及圖12之步驟在下文進行進一步詳細地描述。 圖13A說明圖12之處理流程之製程情形1201處的初始設計圖案，且圖13B說明在製程情形1202處識別緊密鄰近目標多邊形之方法的實例。圖13A中展示具有特徵PG (下文為多邊形)之初始設計圖案之實例。最初可基於使用者定義之參數及/或特定或一般數學模型(寫入於諸如C或C++之電腦語言中，或使用Mathematica軟體、LabView軟體、MatLab軟體等來建構)而自非多邊形佈局供應或產生多邊形。舉例而言，在一實施例中，可將多邊形之座標儲存於輸入至系統之正文檔案中，以便在初始設計圖案中定位多邊形之確切位置。在一實施例中，可藉由軟體指定或計算每一多邊形之中心。多邊形之形狀中心之計算可基於一或多個數學模型及/或基於一或多個使用者定義參數。 參看圖13B，在該製程流程中，識別緊密鄰近多邊形，諸如多邊形PG1及PG2。在一實施例中，藉由該製程之軟體自動識別緊密鄰近多邊形。另外或替代地，使用者可識別一或多個緊密鄰近多邊形。可對照鄰近多邊形之間的最接近距離或在該最接近距離之±10%內來評估多邊形是否緊密鄰近。 為了展示緊密鄰近多邊形之識別，圖13B中描繪標記物MK。實務上，無需建構或描繪標記物MK；此處其提供緊密鄰近多邊形之容易視覺識別的便利性，且幫助符號化彼等緊密鄰近多邊形可如何變得連接，如下文所論述。圖13B展示如何藉由以標記物MK標記而將緊密鄰近多邊形PG1及PG2識別為目標多邊形。 為了將緊密鄰近多邊形識別為經識別目標多邊形，可使用一或多個不同準則。在一實施例中，諸如多邊形PG1及PG2之緊密鄰近多邊形被識別為間距或分離距離符合某一準則、例如低於某一極限(諸如小於k1極限(其中k1極限為例如0.28))的多邊形。準則(例如間距或分離距離極限)可由使用者設定或由用於該製程之軟體產生。可將準則應用至設計圖案中之所有多邊形，或準則可針對設計圖案之不同區及/或不同多邊形而發生變化。多邊形之識別可使用布林(Boolean)運算來識別目標多邊形。 另外，歸因於例如圖案化製程內之變化，可識別接近於k1極限又大於或等於k1極限(亦即，在自k1極限之某一可接受範圍內)的多邊形。在一實施例中，可由使用者指定或由軟體產生具有上限及下限之容許範圍，以識別緊密鄰近多邊形，亦即，間距、分離距離、CD等可在由使用者定義或由軟體產生之值範圍內或選自由使用者定義或由軟體產生之複數個特定值。 圖14說明在圖12之製程情形1203處連接一或多個經識別之緊密鄰近目標多邊形。在一實施例中，使經識別之緊密鄰近目標多邊形(例如多邊形PG1及PG2)偏置以擴展多邊形大小。可對設計圖案中之所有目標多邊形執行偏置，或可對特定目標多邊形或目標多邊形之區選擇性地執行偏置。大小偏置之範圍針對所有目標多邊形可為均一的，或可以一或多個不同程度之大小偏置選擇性地應用至特定目標多邊形或目標多邊形之區。可控制大小偏置之範圍以使其在不同方向上不同或在所有方向上相同(亦即，擴展之經偏置多邊形之形狀可與在偏置之前的形狀相同，但經偏置多邊形之大小與在偏置之前的多邊形之大小不同)。偏置之靈活性可由使用者控制或由軟體控制。 在一實施例中，控制偏置以連接鄰近經識別之目標多邊形。舉例而言，大小偏置之範圍可增大直至至少兩個鄰近經識別之目標多邊形連接(例如，頂點實際上觸摸(亦即，其實際上觸摸或極接近)或該等多邊形稍微重疊)為止。因此，舉例而言，偏置製程擴展多邊形1401直至其連接(例如，頂點實際上觸摸)為止。相似地，可使多邊形1220偏置直至彼等多邊形中之一或多者連接(例如，頂點實際上觸摸)為止。若一對經識別之鄰近目標多邊形在偏置期間變得連接但一或多個其他經識別之鄰近目標多邊形在彼時不連接、因為進一步偏置造成過多重疊而無法連接、由於可能違反設計規則而無法連接等，則該一或多個其他經識別之鄰近目標多邊形可由如本文中所論述之橋接連接而連接。在偏置之後變得彼此連接之經識別目標多邊形之數目可由使用者控制或由軟體控制。 如上文所強調，無論是否在偏置之後(例如在針對所有經識別目標多邊形之均一偏置之後)，一或多個經識別目標多邊形可並不連接至一或多個其他鄰近經識別之目標多邊形。然而，在大小偏置之後此等一或多個不連接目標多邊形可接近於一或多個其他鄰近之經識別目標多邊形。 在此情形下或在不存在偏置之情形下，可施加橋接線以將一或多個不連接目標多邊形連接至一或多個其他鄰近經識別之目標多邊形。橋接線可採取任何適當形狀或形式。在一實施例中，橋接線可具有矩形形狀或任何其他形狀以連接鄰近經識別之目標多邊形。在一實施例中，橋接線之形狀或形式可由使用者定義或由軟體產生。在一實施例中，橋接線自不連接目標多邊形之頂點及/或側延伸至鄰近目標多邊形之最接近頂點及/或側。通常，橋接線自不連接目標多邊形之頂點延伸至鄰近目標多邊形之最接近頂點，然而橋接線可自不連接目標多邊形之側延伸至鄰近目標多邊形之最接近側。在一實施例中，橋接線可包括目標多邊形之鄰近頂點的一或多個側之部分。在一實施例中，延伸橋接線之起點及結束橋接線之目的地點可由使用者定義或由軟體產生。在一實施例中，橋接線在垂直於橋接線之延伸方向之方向上的寬度可由使用者定義或由軟體定義。 圖15說明在圖12之製程情形1204處使非識別之目標多邊形偏置之製程。圖15展示偏置之經識別目標多邊形1501及非識別之多邊形1502。非識別之多邊形之大小偏置可具有與經識別目標多邊形之大小偏置相同的準則或不同的準則。用於使非識別之多邊形偏置之準則可由使用者控制或由軟體控制。理想地，非識別之多邊形未經偏置成與另一多邊形連接，此係由於其並不履行緊密鄰近之準則。然而，一或多個非識別之多邊形可經偏置成與經識別目標多邊形連接或連接至另一非識別之多邊形。相似地，若一或多個非識別之多邊形經偏置成接近於經識別目標多邊形或接近於另一非識別之多邊形，則可以與如本文中針對經識別目標多邊形所描述相似的方法來自動地或手動地產生橋接線。可接著在圖案化製程中實施適當收縮及/或恢復製程以便產生所要最終圖案。 如同目標多邊形之偏置一樣，可對設計圖案中之所有非識別之多邊形執行非識別之多邊形之偏置，或可對特定非識別之多邊形或非識別之多邊形之區選擇性地執行非識別之多邊形之偏置。大小偏置之範圍針對所有非識別之多邊形可為均一的，或可以一或多個不同程度之大小偏置選擇性地應用至特定非識別之多邊形或非識別之多邊形之區。可控制大小偏置之範圍以使其在不同方向上不同或在所有方向上相同(亦即，擴展之經偏置多邊形之形狀可與在偏置之前的形狀相同，但經偏置多邊形之大小與在偏置之前的多邊形之大小不同)。偏置之靈活性可由使用者控制或由軟體控制。 在一實施例中，經識別多邊形及/或非識別之多邊形的大小偏置使能夠在基板處產生相比於傳統抗蝕劑曝光、顯影及蝕刻製程而大小增大的輪廓，使得結合在曝光之後的收縮及/或恢復製程，可使最終圖案之特徵達到對應於初始設計圖案之正確大小及形狀。 圖16說明在圖12之製程情形1205處相對於多邊形提供一或多個圖案置放量規之選用步驟。如本文中進一步描述，圖案置放量規旨在控制對應於多邊形之圖案化器件圖案輪廓之質心的x及/或y位移。可相對於所有多邊形或選擇多邊形提供圖案置放量規。在一實施例中，針對至少連接之經識別目標多邊形提供圖案置放量規。雖然圖案置放量規被展示為在製程情形1205處施加，但其可被提供於製程中之其他點處。圖案置放量規1601被展示為垂直線，其用以識別使用其來「量測」之方向。圖案置放量規可在不同方向上進行量測，例如在與所展示彼等方向成對角線的一或多個方向上進行量測。另外，不同多邊形可具有在不同方向上「進行量測」之量規。舉例而言，連接之多邊形可具有相對於多邊形在對角線方向上進行量測之量規，亦即，圖案置放量規可在此多邊形之頂點之間成對角線。 圖17展示相對於製程情形1205處之多邊形來施加評估特徵，其中評估特徵被展示為與關於多邊形而界定之導引輪廓1655相交的短線1650。評估特徵係用以評估(例如)關於其關聯一或多個多邊形(例如關於該(該等)多邊形之輪廓)而界定之圖案化器件圖案輪廓之邊緣置放誤差。可將評估特徵(及導引輪廓)施加於諸如非識別之多邊形之個別多邊形內。 在一實施例中，將一或多個評估特徵施加於多邊形之邊界外，如1660處所展示。為了幫助實現此置放，可橫越連接之多邊形及/或橫越經識別評估特徵而界定導引輪廓1665 (例如使導引輪廓1665藉由一或多個適當擬合演算法而擬合)。評估特徵可沿著此導引輪廓而定位且可包括多邊形之邊界外之一或多個評估特徵。 圖18展示緊密鄰近之多邊形1701及1702之較近視圖。對於此情形，在偏置之前緊密鄰近之多邊形1701與1702之間的分離距離小於k1極限，且因此其經偏置成在各別頂點處進行連接。在此實例中，將評估特徵1703 (此處被展示為圓點而非短線)施加於多邊形1701中且施加於多邊形1702中。另外，將一或多個評估特徵1704置放於多邊形1701及1702之邊界外而處於間隙低於k1極限的部位。因此，藉由以此方式置放評估特徵，作為圖案最佳化製程之部分基於評估而產生的圖案化器件圖案輪廓可超越多邊形1701及1702之連接點。亦可在橋接線形成於該等多邊形之間的情形下執行此在多邊形外施加評估特徵。在多邊形外施加評估特徵可不限定至緊密鄰近之多邊形1701及1702。多邊形之邊界外的評估特徵之部位可由使用者控制或由軟體產生。 為了使能夠形成橫跨有效地連接之多邊形之圖案化器件圖案，可橫越該等連接之多邊形而擬合導引輪廓(例如，可橫越經識別評估點(例如由使用者識別)而擬合導引輪廓，或藉由經由經受各種擬合規則的連接之多邊形之擬合演算法而產生導引輪廓)。因此，獲得橫跨連接之多邊形之自訂導引輪廓，而非關於單個多邊形而整體界定之導引輪廓。一或多個擬合演算法或平滑化技術可用以產生自訂導引輪廓。使評估特徵沿著自訂導引輪廓而定位。圖18指示關於連接之多邊形且評估特徵將定位所沿著的自訂導引輪廓1801之實例。在一實施例中，圖案最佳化製程將基於評估特徵而產生將接近地匹配於此自訂導引輪廓之圖案化器件圖案輪廓。然而，許多因素(諸如其他附近多邊形及其成像)可使得基於評估特徵而產生之圖案化器件圖案輪廓與此自訂導引輪廓偏離。 在一實施例中，評估特徵可完全在連接之多邊形內。舉例而言，可將導引輪廓界定於連接之多邊形之本體及將多邊形進行連接之橋接線(諸如圖17中之1670)內。然而，評估特徵(及選用自訂導引輪廓)經配置使得藉由圖案最佳化製程而產生之圖案化器件圖案輪廓超越多邊形相交或以其他方式連接所處的鄰近多邊形之頂點及/或側，使得所產生之圖案化器件圖案輪廓橫跨該等連接之多邊形之連接點。 因此，歸因於評估特徵及/或導引輪廓之置放，產生橫跨以前為單獨的多邊形以實現緊密鄰近多邊形之印刷的圖案化器件圖案輪廓。使用圖案化器件圖案輪廓而產生的基板處之輪廓可使用收縮及/或恢復製程而修改以獲得對應於個別多邊形之圖案特徵。 為了使能夠產生圖案化器件圖案輪廓，可使用圖案最佳化製程以產生圖案化器件圖案輪廓及/或一或多個解析度增強技術(RET)或光學近接校正調整(例如輔助特徵)。為了實現最佳化，可執行模擬以模擬圖案化製程。模擬之目標為準確地預測例如邊緣置放、空中影像強度斜率、臨界尺寸(CD)等，可接著將將該等邊緣置放、空中影像強度斜率、臨界尺寸(CD)等與預期設計進行比較而作為最佳化之部分。 在一實施例中，最佳化包含基於邊緣置放誤差(EPE)之圖案化器件圖案最佳化。在一實施例中，最佳化包含照明模式及圖案化器件圖案最佳化(SMO)。SMO可為基於邊緣置放誤差(EPE)之SMO。 如以上所描述，可在圖案之最佳化或組態製程中使用成本函數。成本函數可表示圖案化製程之一或多個優值。在某一約束下(若存在)，最佳化製程尋找系統之最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之參數之集合。當最佳化(例如最小化或最大化)成本函數時，由成本函數表示之一或多個優值可得以最佳化(例如最小化或最大化)。成本函數可表示微影裝置、圖案化製程或基板之任一或多個合適特性，例如邊緣置放誤差、臨界尺寸(CD)、影像移位、影像失真、影像旋轉、隨機變化、產出率、局部臨界尺寸(CD)變化或其組合。設計變數可包括任何可調整參數，諸如照明模式、圖案化器件圖案、投影系統之可調整參數、劑量、焦點等。 可將用於最佳化(例如SMO)之基於EPE之成本函數表達為：(方程式8) 其中在此狀況下依據選自以下各項中之一或多者來指定成本函數CF：照明模式之一或多個變數(vsrc )、產生圖案化器件圖案之一或多個變數(vmask )、波前(例如投影系統)之一或多個變數(vwavefront )及/或預期設計圖案之一或多個變數(vdesign )。另外，pw 對應於模擬之製程窗條件(例如焦點及劑量度量)、eval 對應於置放於設計圖案內之評估特徵、w 為針對特定製程窗條件pw 及/或評估特徵eval 之加權因數、EPE 為針對製程窗條件pw 及評估特徵eval 之特定組合所評估之邊緣置放誤差、指數p 為成本函數CF 之近似值的自然數、Psidelobe 為對應於圖案之不當的側邊緣印刷(基於所施加之評估特徵經模擬輪廓之邊緣之斜率)之懲罰、Pslope 為對應於圖案影像之影像斜率(例如影像對數比率)之懲罰、PMRC 為對應於一或多個圖案化器件製造規則檢查之懲罰，且Psrc 為對應於照明模式之設計之懲罰。如應瞭解，更小(包括無)、更多或不同懲罰可適用。 參看圖20A，描繪導引輪廓1902連同評估特徵1901 (呈與導引輪廓相交之短線形式)之實例。另外，圖20B說明評估特徵1903 (展示為對應於線1901與輪廓1902之相交點的圓點)被描繪處於具有上限1906及下限1905之容許範圍1904內。容許範圍1904可由使用者指定或由軟體產生。容許範圍1904可在導引輪廓周圍發生變化使得不同評估特徵可具有不同容許範圍大小。容許範圍無需以評估特徵為中心使得容許範圍之大小可在評估特徵之相對側上發生變化，如由使用者指定或由軟體指定。容許範圍係關於最佳化製程而使用以判定圖案化器件圖案輪廓在評估特徵處是否應移位。舉例而言，若評估特徵處之邊緣置放誤差在該評估特徵處之容許範圍內，則彼邊緣置放誤差實際上並不由成本函數考慮。然而，若評估特徵處之邊緣置放誤差係在該評估特徵處之容許範圍之外，則彼邊緣置放誤差被懲罰為成本函數之部分。因此，容許範圍可實現評估特徵處之有限量的製程變化。 在一實施例中，最佳化製程可得到對照導引輪廓而評估之中間圖案化器件圖案。此可例如在評估點並不高度密集的情況下有用。因此，對照導引輪廓評估中間圖案化器件圖案之一或多個部分、區域、形狀等以判定與其之偏差。基於此評估，可修改最佳化製程。舉例而言，可改變一或多個評估點之權重。作為另一實例，可在最佳化製程中考慮一或多個額外或不同定位之評估點。因此，在一實施例中，可執行反覆製程以對照導引輪廓來評估圖案化器件圖案且相應地變更最佳化製程。 圖21A、圖21B及圖21C更詳細地說明圖案置放誤差(PPE)控制量規之置放。圖21A說明圖16。圖21B說明相對於由圖21A中之虛線框所識別之某些多邊形的圖案置放誤差(PPE)控制量規之置放。圖案置放誤差(PPE)控制量規2001係相對於關聯一或多個多邊形之理想中心或質心2002而展示。PPE控制量規可由使用者置放或由軟體置放。如上文所論述，PPE控制量規可以如所展示之垂直配置而配置，但不限於此配置(例如，PPE控制量規可沿著相對於多邊形之對角線置放)。圖21B進一步展示在施加評估特徵之前的導引輪廓。 圖21C描繪圖案置放誤差(PPE)控制量規之實施例之工作的細節。圖21C展示導引輪廓2004，其為應作為最佳化製程之部分產生圖案化器件圖案輪廓的理想輪廓。另外，展示了圖案化器件圖案輪廓或其一部分之理想中心或質心2002。希望最佳化圖案化器件圖案輪廓之中心或質心並不自理想質心或中心移動，或自理想質心或中心移動相對較小距離。因此，第一圖案置放誤差量規2007可判定質心/中心與如作為最佳化製程之部分在正X方向上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離，且第二圖案置放誤差量規2008可判定質心/中心與如作為最佳化製程之部分在負X方向上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離。用於第一圖案置放誤差量規與第二圖案置放誤差量規之值之間的差可給出在X方向上之移位。相似地，第三圖案置放誤差量規2006可判定質心/中心與如作為最佳化製程之部分在正Y方向上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離，且第四圖案置放誤差量規2005可判定質心/中心與如作為最佳化製程之部分在負Y方向上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離。用於第三圖案置放誤差量規與第四圖案置放誤差量規之值之間的差可給出在Y方向上之移位。因此，在此實例中，量規可展示如所印刷之預期圖案化器件圖案輪廓之中心或質心2003可自理想中心或質心2002移位2009。 如應瞭解，無需提供全部四個量規。舉例而言，可僅提供兩個量規。或者，可提供多於四個量規。 另外，量規無需自理想中心或質心「進行量測」。舉例而言，其可自導引輪廓(或關聯評估特徵)至圖案化器件圖案輪廓進行量測。圖21D中展示此情形之實例。圖21D描繪圖案置放誤差(PPE)控制量規之實施例之工作的細節。圖21D展示導引輪廓2004，其為應作為最佳化製程之部分產生圖案化器件圖案輪廓的理想輪廓。另外，展示了圖案化器件圖案輪廓之理想中心或質心2002。希望最佳化圖案化器件圖案輪廓之中心或質心並不自理想質心或中心移動，或自理想質心或中心移動相對較小距離。因此，呈邊緣置放誤差之形式的第一圖案置放誤差量規2007可判定導引輪廓2004與如作為最佳化製程之部分在頂部方向上(例如在正X方向上)判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離，且呈邊緣置放誤差之形式的第二圖案置放誤差量規2008可判定導引輪廓2004與如作為最佳化製程之部分在底部方向上(例如在負X方向上)判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離。用於第一圖案置放誤差量規與第二圖案置放誤差量規之值之間的差可給出在頂部及底部方向(例如X方向)上之移位。相似地，呈邊緣置放誤差之形式的第三圖案置放誤差量規2006可判定導引輪廓2004與如作為最佳化製程之部分在右方向(例如正Y方向)上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離，且呈邊緣置放誤差之形式的第四圖案置放誤差量規2005可判定導引輪廓2004與如作為最佳化製程之部分在左方向(例如負Y方向)上判定之圖案化器件圖案輪廓2010之間的距離。用於第三圖案置放誤差量規與第四圖案置放誤差量規之值之間的差可給出在左方向及右方向(例如Y方向)上之移位。因此，在此實例中，量規可展示如所印刷之預期圖案化器件圖案輪廓之中心或質心2003可自理想中心或質心2002移位2009。 因此，在一實施例中，可分析圖案置放誤差而作為圖案製程最佳化之部分(例如以最小化圖案置放誤差)。圖案置放誤差(PPE)可在圖案化製程中造成疊對誤差，從而可能導致有缺陷的器件。因此，可基於包括圖案置放誤差(PPE)之成本函數而進一步最佳化圖案化器件圖案輪廓。因此，在一實施例中，最佳化包含基於圖案置放誤差(PPE)之圖案化器件圖案最佳化。在一實施例中，最佳化包含照明模式及圖案化器件圖案最佳化(SMO)。SMO可為基於圖案置放誤差(PPE)之SMO。 在一實施例中，最佳化包含基於邊緣置放誤差(EPE)及圖案置放誤差(PPE)之圖案化器件圖案最佳化。在一實施例中，最佳化包含照明模式及圖案化器件圖案最佳化(SMO)。SMO可為基於邊緣置放誤差(EPE)及圖案置放誤差(PPE)之SMO。 舉例而言，基於邊緣置放誤差(EPE)及圖案置放誤差(PPE)之成本函數之實例可具有以下形式：(方程式9) 其中e 對應於各種評估特徵、pw 對應於各種製程窗條件、EPE 為邊緣置放誤差評估、PPE 為圖案置放誤差評估，且w 為EPE 與PPE 之間的加權因數。因此，此成本函數可調諧該等參數，以在考慮圖案置放誤差(PPE)的情況下獲得用於設計圖案之最佳圖案化器件圖案輪廓。 圖22A及圖22B說明圖案及照明模式之最佳化，其中圖22A說明最佳化圖案2202之實例，且圖22B說明最佳化照明模式2201之實例且係與圖12之製程情形1207相關。最佳化圖案2202展示自最佳化製程產生之圖案化器件圖案輪廓2203。如可看到，圖案化器件圖案輪廓未必符合早先所呈現之導引輪廓。此外，如上文所論述，圖案化器件圖案輪廓可橫跨連接之多邊形，如2203處所展示(例如，連接之多邊形之跨接之鄰近側及/或頂點)。另外，此處之圖案2202展示添加子解析度輔助特徵2204以輔助該圖案之形成。輔助特徵2204可由軟體自動地產生或由使用者經由經受設計規則之系統而手動地施加。 圖23說明對應於使用最佳化圖案化器件圖案輪廓進行之曝光的顯影後圖案輪廓之模擬，且與圖12之製程情形1208相關。參看圖23，所產生輪廓2302被展示為環繞初始設計圖案多邊形2301。 圖24說明經受如由收縮及/或恢復製程之模型(例如蝕刻及/或沈積模型)所產生的收縮及/或恢復製程之顯影後圖案輪廓之模擬，且與圖12之製程情形1209相關。收縮及/或恢復製程模型可經使用者選擇或由軟體提供。收縮及/或恢復製程模型可用以結合圖案化器件圖案輪廓之最佳化來最佳化收縮及/或恢復製程之一或多個參數。 參看圖23及圖24，描繪收縮及/或恢復製程之實例。由顯影後圖案輪廓2302產生之凹座係完全地或部分地填充有沈積材料(收縮製程)，從而得到至少部分填充之顯影後圖案輪廓2402 (為了參考起見，與經偏置多邊形2403相關聯地展示)。沈積材料可為嵌段共聚物，其隨後自組裝以造成嵌段之相分離，該等嵌段中之至少一者抗蝕刻且另一者並不抗蝕刻。沈積可為選擇性側壁沈積方法。結果為圖案輪廓之收縮。在一實施例中，收縮可得到接近於或相同於初始設計圖案特徵的最終圖案特徵凹座2401。另外，可執行恢復製程以在至少部分填充之顯影後圖案輪廓2402中擴展或產生開口。蝕刻可用以擴展部分填充之顯影後圖案輪廓2402，或蝕刻可用以產生最終圖案特徵凹座2401 (例如藉由自自組裝式嵌段共聚物蝕刻嵌段)。 圖25說明對應於圖12之製程情形1210的蝕刻後檢測(AEI)樣本影像。該影像展示在藉由一或多個適當(例如最佳化)收縮及/或恢復參數之蝕刻之後的最終圖案之多邊形，且放大之特徵指示此等最終圖案特徵具有與初始設計圖案接近相同的大小及/或形狀。因此，在一實施例中，該方法可藉由使用僅一個設計圖案或較少設計圖案而產生對照初始設計圖案高度準確的最終圖案，從而縮減製造成本、時間、複雜性等。 在一實施例中，圖案(例如設計圖案1001)之設計意圖可發生變化以使能夠達成希望輪廓(例如顯影後圖案輪廓2402)。亦即，在一實施例中，設計圖案1001可自設計圖案1001之初始輸入形式改變。 作為設計意圖之改變之實例，該改變可包括設計圖案特徵之位移，諸如在設計圖案1201之平面內移動一或多個特定特徵PG (例如對角地平移特徵PG)。設計意圖之此改變類型之實例係由圖26A及圖26B呈現。在圖26A中，描繪兩個多邊形2601及2602 (與圖18中所展示內容相似)連同評估特徵2603。在此狀況下，多邊形2601及2602可如呈設計圖案之初始輸入形式，或在偏置之後用以實現兩個或多於兩個多邊形之連接。接著，圖26B展示設計圖案特徵(在此狀況下諸如多邊形2602)之位移之實例。亦即，多邊形2602相對於其如在圖26A中所展示之位置已在X方向上移位。評估特徵2603可保持相同或可添加額外評估特徵2603 (如圖26B中所展示)，其中在任一狀況下，由評估特徵2603界定之導引輪廓可實際上發生改變。 作為另一實例，改變可包括一或多個設計圖案特徵之偏置，諸如設計圖案1201中之一或多個特定特徵PG之放大或收縮。設計意圖之此改變類型之實例係由圖27A及圖27B呈現。在圖27A中，描繪設計圖案1201之兩個多邊形2701及2702 (與圖18中所展示內容相似)連同評估特徵2703。在此狀況下，多邊形2701及2702可如呈設計圖案之初始輸入形式，或在偏置之後用以實現兩個或多於兩個多邊形之連接。接著，圖27B展示設計圖案特徵(在此狀況下諸如多邊形2702)之偏置之實例。亦即，多邊形2702相對於其如在圖27A中所展示之大小已在Y方向上放大。評估特徵2703可保持相同或可添加額外評估特徵2703(如圖27B中所展示)，其中在任一狀況下，由評估特徵2703界定之導引輪廓可實際上發生改變。 作為另一實例，改變可包括使兩個或多於兩個特定設計圖案特徵進行連接，諸如，使設計圖案1201中之特定特徵PG移位以接觸設計圖案1201中之另一特定特徵PG及/或添加橋接線以連接設計圖案1201中之兩個或多於兩個特定特徵PG。作為另一實例，改變可包括將一設計圖案特徵分裂成兩個或多於兩個子特徵，諸如分裂設計圖案1201中之一或多個特定特徵PG。 在一實施例中，設計圖案可改變之程度係藉由一或多個製程設計規則控管。舉例而言，製程設計規則可指定一或多個圖案特徵在設計圖案之總設計意圖之範疇內可移位、偏置等之量。舉例而言，若設計圖案之圖案特徵為接觸孔，則製程設計規則可指定接觸孔可移位、偏置等高達在一或多個方向上之某一臨限量之量且又仍維持其在總器件中之功能性。在一實施例中，製程設計規則指定圖案特徵之最小寬度或圖案特徵之間的最小間隔。 另外或替代地，在一實施例中，設計圖案可改變之範圍係藉由一或多個圖案化器件製造規則控管。舉例而言，圖案化器件製造規則可指定一或多個圖案特徵可移位、偏置等又仍能夠使用圖案化器件而生產(例如光罩圖案之製造)之量。舉例而言，若設計圖案之圖案特徵為接觸孔，則圖案化器件製造規則可指定對應於該接觸孔之圖案化器件圖案特徵可經移位、偏置等高達在一或多個方向上之某一臨限量且仍能夠被製造為圖案化器件之部分及/或作為圖案轉印製程之部分而轉印之量。作為圖案化器件製造規則之另一實例，該規則可指定圖案化器件特徵與輔助特徵之間的最小所准許間隔，且因此控制圖案化器件圖案特徵可經移位、偏置等且又仍准許一或多個輔助特徵鄰近於其之量。 因此，在實施設計意圖之實施例中，設計意圖可為用以基於評估特徵或導引輪廓而產生圖案化器件圖案的最佳化製程之設計變數。舉例而言，在一實施例中，設計意圖可為最佳化製程之成本函數之設計變數。 在一實施例中，最佳化製程包含諸如一或多個製程設計規則及/或一或多個圖案化器件製造規則之一或多個規則的評估。在一實施例中，一或多個規則可為對對應於設計意圖之設計變數之約束。在一實施例中，一或多個規則可為作為成本函數之部分之懲罰。 併有設計意圖作為設計變數且使用設計或製造規則作為懲罰的實例成本函數可為表達為例如方程式(8)的基於邊緣置放誤差(EPE)之成本函數，其中成本函數CF在此狀況下係依據預期設計圖案之一或多個變數(vdesign )及視情況選自以下各項中之一或多項而指定：照明模式之一或多個變數(vsrc )、產生圖案化器件圖案之一或多個變數(vmask )及/或波前(例如投影系統)之一或多個變數(vwavefront )。舉例而言，SMO可能包括照明模式之至少一或多個變數(vsrc )，及產生圖案化器件圖案之一或多個變數(vmask )。在一實施例中，使用懲罰PRC 且該懲罰PRC 對應於一或多個設計製程規則及/或一或多個圖案化器件製造規則且視情況包括選自以下各懲罰中之一或多個懲罰：Psidelobe ，其為對應於圖案之不當的側邊緣印刷之懲罰；Pslope ，其為對應於圖案影像之影像斜率(例如影像對數斜率)之懲罰，及/或Psrc ，其為對應於照明模式之設計之懲罰。如應瞭解，更小(包括無)、更多或不同懲罰可適用。 在一實施例中，具有設計意圖作為變數的最佳化製程可使用收縮及/或恢復製程模型之輸出以幫助導引最佳化(且因此改變設計意圖)。舉例而言，可使用設計意圖以校正在收縮及/或恢復製程(或其他相關製程，諸如顯影、蝕刻等)中可能發生的故障。 因此，在一實施例中，提供一種用於與製程步驟(例如收縮及/或恢復製程)組合以使光瞳(例如照明模式)能夠最佳化至該製程之希望輪廓(例如收縮及/或恢復製程之輪廓)的照明模式及圖案化器件圖案最佳化之新製程。具有最佳化圖案之最佳化光瞳可獲得具有高保真度之顯影後輪廓，其隨後可經收縮/恢復至超出曝光工具之光學解析度的設計CD/間距。顯影後輪廓可根據收縮/恢復製程模型而收縮/恢復，且該模型可用以指定收縮/恢復製程參數。 在一實施例中，可使用例如提供橫跨多邊形之自訂導引輪廓的具有座標之正文檔案來產生導引輪廓。可關於導引輪廓來施加評估特徵以實現圖案最佳化製程。因此，在一實施例中，可使用連接之多邊形直接指定導引輪廓。 另外，在一實施例中，可向評估特徵提供容許範圍，例如垂直於導引輪廓之邊緣置放誤差(EPE)容許範圍，以使能夠允許製程變化。 因此，所描述之方法可實現多重圖案化圖案之縮減以實現製程成本縮減及/或縮減MPT複雜性(例如疊對複雜性)。該等方法適用於DUV及EUV兩者。該等方法可實現改良之線邊緣粗糙度、臨界尺寸均一性及/或圓邊緣粗糙度(CER)以供較佳控制。 在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；將評估特徵置放於該等多邊形之邊界外；及基於該等評估特徵產生橫跨該等連接之多邊形之一圖案化器件圖案。 在一實施例中，該方法進一步包含橫越該等連接之多邊形中之至少一些產生一導引輪廓，且該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。在一實施例中，該方法進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整該產生該圖案化器件圖案之一參數。在一實施例中，基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生該圖案化器件圖案之一圖案化器件圖案輪廓。在一實施例中，該方法進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，且該產生該圖案化器件圖案係基於自該等圖案置放量規所判定之值。在一實施例中，該等評估特徵係以用於產生該圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。在一實施例中，該方法進一步包含使該等多邊形之大小偏置。在一實施例中，該等偏置之多邊形中之至少一些彼此連接。在一實施例中，該方法進一步包含形成一橋接線以連接多邊形。在一實施例中，該方法進一步包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以進行連接。在一實施例中，該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。在一實施例中，該產生該圖案化器件圖案包含用以產生一最佳化照明模式及一最佳化圖案化器件圖案之一最佳化製程。在一實施例中，產生該圖案化器件圖案進一步包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。在一實施例中，改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。在一實施例中，該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。在一實施例中，該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。在一實施例中，產生該圖案化器件圖案包含評估一收縮及/或恢復製程模型。 在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；相對於該等多邊形來置放評估特徵；及產生橫跨該等連接之多邊形中之至少一些之一導引輪廓，其中該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。 在一實施例中，該方法進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整產生該圖案化器件圖案之一參數。在一實施例中，基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生一圖案化器件圖案輪廓。在一實施例中，該方法進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，及基於自該等圖案置放量規所判定之值而產生一圖案化器件圖案。在一實施例中，該等評估特徵係以用於產生一圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。在一實施例中，該使該等多邊形中之該至少一些有效地連接包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以供該連接且使其偏置。在一實施例中，該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。在一實施例中，該方法進一步包含形成一橋接線以連接多邊形。在一實施例中，該方法進一步包含將圖案置放量規應用至連接之多邊形，及基於自該等圖案置放量規所判定之值而產生一圖案化器件圖案。在一實施例中，該等評估特徵係以用於產生一圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。在一實施例中，該方法進一步包含基於該等評估特徵產生一圖案化器件圖案。在一實施例中，該產生該圖案化器件圖案包含用以產生一最佳化照明模式及一最佳化圖案化器件圖案之一最佳化製程。在一實施例中，產生一圖案化器件圖案，其中該產生包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。在一實施例中，改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。在一實施例中，該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。在一實施例中，該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。在一實施例中，該方法進一步包含基於一收縮及/或恢復製程模型之一輸出而產生一圖案化器件圖案。 在一實施例中，提供一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含：獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案；使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接；相對於該等連接之多邊形來置放評估特徵；及基於該等評估特徵產生橫越該等連接之多邊形之一連接或相交點之一圖案化器件圖案輪廓。 在一實施例中，該方法進一步包含橫越該等連接之多邊形中之至少一些產生一導引輪廓，且該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。在一實施例中，該方法進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整該產生該圖案化器件圖案之一參數。在一實施例中，基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生該圖案化器件圖案之一圖案化器件圖案輪廓。在一實施例中，該方法進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，且該產生該圖案化器件圖案係基於自該等圖案置放量規所判定之值。在一實施例中，該等評估特徵係以用於產生該圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。在一實施例中，該方法進一步包含形成一橋接線以連接該等多邊形。在一實施例中，該使該等多邊形中之該至少一些有效地連接包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以供該連接且使彼等多邊形偏置。在一實施例中，該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。在一實施例中，產生該圖案化器件圖案進一步包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。在一實施例中，改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。在一實施例中，該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。在一實施例中，該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。在一實施例中，產生該圖案化器件圖案包含評估一收縮及/或恢復製程模型。 在一實施例中，提供一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施如本文中所描述之一方法。 如一般熟習此項技術者應瞭解，本申請案可體現為系統、方法或電腦程式產品。因此，本申請案之態樣可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例(包括韌體、常駐軟體、微碼等)或組合軟體與硬體態樣之實施例的形式，該等實施例在本文中一般皆可被稱作「電路」、「模組」或「系統」。此外，本申請案之態樣可採取體現於任一或多個電腦可讀媒體中之電腦程式產品之形式，該一或多個電腦可讀媒體具有體現於其上之電腦可用程式碼。 可利用一或多個電腦可讀媒體之任何組合。電腦可讀媒體可為電腦可讀信號媒體或電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體可為例如但不限於：電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統，裝置、器件，或前述各者之任何合適組合。電腦可讀媒體之更特定實例(非詳盡清單)將包括以下各者：具有一或多個電線之電連接件、攜帶型電腦軟碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)、光纖、可攜式緊密光碟唯讀記憶體(CDROM)、光學儲存器件、磁性儲存器件、或前述各者之任何合適組合。在此文件之內容背景中，電腦可讀儲存媒體可為可含有或儲存用於由指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件使用的程式之任何有形媒體。 電腦可讀信號媒體可包括其中體現有電腦可讀程式碼的傳播資料信號，例如，在基頻中或作為載波之部分。此類傳播信號可採取多種形式中之任一者，包含但不限於電磁性、光學或其任何合適組合。電腦可讀信號媒體可為並非電腦可讀儲存媒體且可傳達、傳播或輸送程式以供指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件使用的任何電腦可讀媒體。 體現於電腦可讀媒體上之電腦程式碼可使用任何適當媒體來傳輸，該等媒體包括但不限於無線、有線、光纖纜線、射頻(RF)等或其任何合適組合。 用於進行本申請案之態樣之操作的電腦程式碼可以一或多個程式設計語言之任何組合而寫入，該一或多個程式設計語言包括諸如Java™、Smalltalk™、C++或其類似者之物件導向式程式設計語言，及諸如「C」程式設計語言或相似程式設計語言之習知程序性程式設計語言。程式碼可完全在使用者之電腦上執行、部分在使用者之電腦上執行、作為單機套裝軟體執行、部分在使用者之電腦上且部分在遠端電腦上執行，或完全在遠端電腦或伺服器上執行。在後者情境中，遠端電腦可經由任一類型之網路(包括區域網路(LAN)或廣域網路(WAN))連接至使用者之電腦，或可(例如經由使用網際網路服務業者之網際網路)連接至外部電腦。 電腦程式指令亦可載入至電腦、其他可程式化資料處理裝置或其他器件上，以使在該電腦、其他可程式化裝置或其他器件上執行一系列操作步驟以產生電腦實施之處理序，使得在該電腦、其他可程式化裝置上執行之指令提供用於實施一或多個流程圖及/或方塊圖區塊中所指定之功能/動作之處理序。 如上文所提及，應瞭解，說明性實施例可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例或含有硬體元件及軟體元件兩者之實施例之形式。在一項實例實施例中，說明性實施例之機構可以軟體或程式碼來實施，軟體或程式碼包括但不限於韌體、常駐軟體、微碼等。 適合於儲存及/或執行程式碼之資料處理系統將包括經由系統匯流排直接或間接地耦接至記憶體元件之至少一個處理器。記憶體元件可包括在實際執行程式碼期間使用之本端記憶體、大容量儲存器，及提供至少某一程式碼之暫時儲存以便縮減在執行期間必須自大容量儲存器擷取程式碼之次數的快取記憶體。 輸入/輸出或I/O器件(包括但不限於鍵盤、顯示器、指標器件等)可直接地或經由介入之I/O控制器耦接至系統。網路配接器亦可耦接至系統以使資料處理系統能夠變得經由介入之私人網路或公用網路耦接至其他資料處理系統或遠端印表機或儲存器件。數據機、纜線數據機及乙太網路卡僅為少數當前可用類型之網路配接器。 已出於說明及描述之目的呈現本申請案之描述，且該描述並不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之形式。對於一般熟習此項技術者而言，許多修改及變化將為顯而易見的。選擇並描述實施例以便最佳地解釋本發明之原理、實務應用，且使其他一般熟習此項技術者能夠關於具有適合於所預期之特定用途的各種修改之各種實施例來理解本發明。 圖28為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程中的任一者之電腦系統2600之實施例的方塊圖。電腦系統2600包括用於傳達資訊之匯流排2602或其他通信機構，及與匯流排2602耦接以用於處理資訊之一處理器2604 (或多個處理器2604及2605)。電腦系統2600亦包括耦接至匯流排2602以用於儲存待由處理器2604執行之資訊及指令的主記憶體2606，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體2606亦可用於在待由處理器2604執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統2600進一步包括耦接至匯流排2602以用於儲存用於處理器2604之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 2608或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件2610，且將該儲存器件耦接至匯流排2602以用於儲存資訊及指令。 電腦系統2600可經由匯流排2602耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器2612，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件2614耦接至匯流排2602以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器2604。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器2604且用於控制顯示器2612上之游標移動的游標控制件2616，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如x )及第二軸線(例如y ))中之兩個自由度，其允許器件指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。 根據一項實施例，可由電腦系統2600回應於處理器2604執行主記憶體2606中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之製程之部分。可將此類指令自諸如儲存器件2610之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體2606中。主記憶體2606中含有之指令序列之執行致使處理器2604執行本文中所描述之製程步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體2606中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。 如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器2604以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件2610。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體2606。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排2602之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。 可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器2604以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統2600本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排2602之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排2602上。匯流排2602將資料攜載至主記憶體2606，處理器2604自該主記憶體擷取指令並執行該等指令。由主記憶體2606接收之指令可視情況在供處理器2604執行之前或之後儲存於儲存器件2610上。 電腦系統2600亦可包括耦接至匯流排2602之通信介面2618。通信介面2618提供對網路鏈路2620之雙向資料通信耦合，該網路鏈路連接至區域網路2622。舉例而言，通信介面2618可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面2618可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面2618發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。 網路鏈路2620通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路2620可經由區域網路2622向主機電腦2624或向由網際網路服務業者(ISP) 2626操作之資料設備提供連接。ISP 2626又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」) 2628而提供資料通信服務。區域網路2622及網際網路2628兩者使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路2620上且經由通信介面2618之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統2600且自電腦系統2600攜載數位資料)為輸送資訊之載波的例示性形式。 電腦系統2600可經由網路、網路鏈路2620及通信介面2618而發送訊息且接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器2630可能經由網際網路2628、ISP 2626、區域網路2622及通信介面2618而傳輸對應用程式之請求之程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供如本文中所描述之方法或其部分。所接收程式碼可在其被接收時由處理器2604執行，及/或儲存於儲存器件2610或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統2600可獲得呈載波之形式之應用程式碼。 圖29示意性地描繪可與其相關聯地利用本文中所描述之技術的例示性微影裝置。該裝置包含：照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO；該裝置包含第一物件台(例如圖案化器件台) MT，其具備用以固持圖案化器件MA (例如倍縮光罩)之圖案化器件固持器且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化器件之第一定位器；第二物件台(基板台) WT，其具備用以固持基板W (例如抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器；投影系統(「透鏡」) PS (例如折射光學系統、反射光學系統或反射折射光學系統)，其用以將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。 如本文中所描繪，裝置屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化器件)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化器件)。裝置可使用與經典光罩不同種類之圖案化器件；實例包括可程式化鏡面陣列、CCD矩陣或LCD矩陣。 源SO (例如水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 關於圖29應注意，源SO可在微影裝置之外殼內(此常常為當源SO為例如水銀燈時之狀況)，但其亦可遠離微影裝置，其產生之輻射光束經引導至裝置中(例如憑藉合適導向鏡)；此後者情境常常為源SO為準分子雷射(例如基於KrF、ArF或F2 雷射作用)時之狀況。 光束PB隨後截取被固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位構件可用以例如在自圖案化器件庫機械地擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉未在圖29中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化器件台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 所描繪工具可用於兩個不同模式中：在步進模式中，圖案化器件台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化器件影像一次性投影(亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可由光束B輻照。 在掃描模式中，基本上相同情境適用，惟單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。取而代之，圖案化器件台MT可在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及圖案化器件影像進行掃描；同時發生地，使基板台WT在相同或相對方向上以速度V = Mv同時地移動，其中M為投影系統PL之放大率(通常M = 1/4或1/5)，或在某一狀況下，放大率可為失真的(例如，在掃描方向上之M為約1/8，而在正交方向上之M為約1/4)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大目標部分C。 另外，微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個台(例如兩個或多於兩個基板台、一基板台及一量測台、兩個或多於兩個圖案化器件台等)之類型。在此類「多載物台」器件中，可並行地使用複數多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，全文以引用方式併入本文中之美國專利第5,969,441號中描述雙載物台微影裝置。 圖30示意性地描繪可與其相關聯地利用本文中所描述之技術的另一例示性微影裝置2800。該微影裝置2800包含：源收集器模組SO；照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如EUV輻射)；支撐結構(例如圖案化器件台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。 如此處所描繪，裝置2800屬於反射類型(例如使用反射圖案化器件)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化器件可具有包含例如鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生更小波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，故圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料之薄片件(例如多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定其中特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。 參看圖30，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO2 雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為單獨實體。 在此類狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如圖案化器件台) MT上之圖案化器件(例如光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩) MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩) MA及基板W。 所描繪裝置2800可用於以下模式中之至少一者中： 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如圖案化器件台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如圖案化器件台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如圖案化器件台) MT之速度及方向。 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如圖案化器件台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 圖31更詳細地展示裝置2800，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為例如10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中已知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。 收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。 隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，就形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。 比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖中所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖31中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。 如圖31中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與常常被稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。 替代地，源收集器模組SO可為如圖32中所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 將評估特徵置放於該等多邊形之邊界外；及 基於該等評估特徵產生橫跨該等連接之多邊形之一圖案化器件圖案。 2. 如條項1之方法，其進一步包含橫越該等連接之多邊形中之至少一些產生一導引輪廓，且該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。 3. 如條項2之方法，其進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整該產生該圖案化器件圖案之一參數。 4. 如條項1至3中任一項之方法，其中基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生該圖案化器件圖案之一圖案化器件圖案輪廓。 5. 如條項1至4中任一項之方法，其進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，且該產生該圖案化器件圖案係基於自該等圖案置放量規所判定之值。 6. 如條項1至5中任一項之方法，其中該等評估特徵係以用於產生該圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。 7. 如條項1至6中任一項之方法，其進一步包含使該等多邊形之大小偏置。 8. 如條項7之方法，其中該等經偏置多邊形中之至少一些彼此連接。 9. 如條項1至8中任一項之方法，其進一步包含形成一橋接線以連接多邊形。 10. 如條項1至9中任一項之方法，其進一步包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以進行連接。 11. 如條項10之方法，其中該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。 12. 如條項1至11中任一項之方法，其中該產生該圖案化器件圖案包含用以產生一最佳化照明模式及一最佳化圖案化器件圖案之一最佳化製程。 13. 如條項1至12中任一項之方法，其中產生該圖案化器件圖案進一步包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。 14. 如條項13之方法，其中改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。 15. 如條項13或條項14之方法，其中該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。 16. 如條項13至15中任一項之方法，其中該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。 17. 如條項1至16中任一項之方法，其中產生該圖案化器件圖案包含評估一收縮及/或恢復製程模型。 18. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 相對於該等多邊形來置放評估特徵；及 產生橫跨該等連接之多邊形中之至少一些之一導引輪廓，其中該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。 19. 如條項18之方法，其進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整產生該圖案化器件圖案之一參數。 20. 如條項18或條項19之方法，其中基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生一圖案化器件圖案輪廓。 21. 如條項18至20中任一項之方法，其進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，及基於自該等圖案置放量規所判定之值而產生一圖案化器件圖案。 22. 如條項18至21中任一項之方法，其中該等評估特徵係以用於產生一圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。 23. 如條項18至22中任一項之方法，其中該使該等多邊形中之該至少一些有效地連接包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以供該連接且使其偏置。 24. 如條項23之方法，其中該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。 25. 如條項18至24中任一項之方法，其進一步包含形成一橋接線以連接多邊形。 26. 如條項18至25中任一項之方法，其進一步包含將圖案置放量規應用至連接之多邊形，及基於自該等圖案置放量規所判定之值而產生一圖案化器件圖案。 27. 如條項18至26中任一項之方法，其中該等評估特徵係以用於產生一圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。 28. 如條項18至27中任一項之方法，其進一步包含基於該等評估特徵而產生一圖案化器件圖案。 29. 如條項28之方法，其中該產生該圖案化器件圖案包含用以產生一最佳化照明模式及一最佳化圖案化器件圖案之一最佳化製程。 30. 如條項18至29中任一項之方法，其進一步包含產生一圖案化器件圖案，其中該產生包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。 31. 如條項30之方法，其中改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。 32. 如條項30或條項31之方法，其中該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。 33. 如條項30至32中任一項之方法，其中該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。 34. 如條項18至33中任一項之方法，其進一步包含基於一收縮及/或恢復製程模型之一輸出而產生一圖案化器件圖案。 35. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 相對於該等連接之多邊形來置放評估特徵；及 基於該等評估特徵產生橫越該等連接之多邊形之一連接或相交點之一圖案化器件圖案輪廓。 36. 如條項35之方法，其進一步包含橫越該等連接之多邊形中之至少一些產生一導引輪廓，且該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。 37. 如條項36之方法，其進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整該產生該圖案化器件圖案之一參數。 38. 如條項35至37中任一項之方法，其中基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生該圖案化器件圖案之一圖案化器件圖案輪廓。 39. 如條項35至38中任一項之方法，其進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，且該產生該圖案化器件圖案係基於自該等圖案置放量規所判定之值。 40. 如條項35至39中任一項之方法，其中該等評估特徵係以用於產生該圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。 41. 如條項35至40中任一項之方法，其進一步包含形成一橋接線以連接該等多邊形。 42. 如條項35至41中任一項之方法，其中該使該等多邊形中之該至少一些有效地連接包含選擇彼此緊密鄰近之多邊形以供該連接且使彼等多邊形偏置。 43. 如條項42之方法，其中該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。 44. 如條項35至43中任一項之方法，其中產生該圖案化器件圖案進一步包含改變該初始設計圖案之一設計意圖使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。 45. 如條項44之方法，其中改變該設計意圖包含處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數。 46. 如條項44或條項45之方法，其中該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰。 47. 如條項44至46中任一項之方法，其中該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。 48. 如條項35至47中任一項之方法，其中產生該圖案化器件圖案包含評估一收縮及/或恢復製程模型。 49. 一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至48中任一項之方法。 本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。 儘管在本文中可特定地參考IC製造，但應明確理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為是可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。 在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV輻射，例如具有在約5奈米至100奈米之範圍內之波長)。 如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化裝置(例如微影裝置)、圖案化製程等使得結果及/或製程具有較合乎需要的特性，諸如設計圖案於基板上之較高投影準確度、較大製程窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。 雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如用於在除了矽晶圓以外之基板上之成像之微影成像系統。 以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
101‧‧‧處理情形/初始設計圖案
102‧‧‧處理情形/製程情形
103‧‧‧處理情形/製程情形
104‧‧‧處理情形/製程情形
105‧‧‧處理情形/製程情形
106‧‧‧處理情形/最終圖案之蝕刻後輪廓
112‧‧‧輻射源
114‧‧‧光學件
116‧‧‧光學件
118‧‧‧圖案化器件
120‧‧‧投影系統
122‧‧‧基板平面
124‧‧‧可調整濾光器或孔徑
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
301‧‧‧照明模型
302‧‧‧投影系統模型
303‧‧‧設計圖案模型/設計圖案
304‧‧‧空中影像
305‧‧‧抗蝕劑模型
306‧‧‧抗蝕劑影像
500A‧‧‧照明之一或多個特性
500B‧‧‧投影系統之一或多個特性
500C‧‧‧設計圖案之一或多個特性
502‧‧‧步驟
504‧‧‧步驟
506‧‧‧步驟
602‧‧‧步驟
604‧‧‧步驟
606‧‧‧步驟
608‧‧‧步驟
610‧‧‧步驟
802‧‧‧步驟
804‧‧‧步驟
806‧‧‧步驟
808‧‧‧步驟
810‧‧‧步驟
812‧‧‧步驟
814‧‧‧步驟
816‧‧‧步驟
1001‧‧‧初始設計/設計圖案
1002‧‧‧製程情形
1003‧‧‧製程情形
1004‧‧‧製程情形
1005‧‧‧製程情形
1201‧‧‧製程情形/設計圖案
1202‧‧‧製程情形
1203‧‧‧製程情形
1204‧‧‧製程情形
1205‧‧‧製程情形
1206‧‧‧製程情形
1207‧‧‧製程情形
1208‧‧‧製程情形
1209‧‧‧製程情形
1210‧‧‧製程情形
1220‧‧‧多邊形
1222‧‧‧目標多邊形
1401‧‧‧多邊形
1501‧‧‧偏置之經識別目標多邊形
1502‧‧‧非識別之多邊形
1601‧‧‧圖案置放量規
1650‧‧‧評估特徵
1655‧‧‧導引輪廓
1660‧‧‧多邊形之邊界外之評估特徵
1665‧‧‧導引輪廓
1670‧‧‧橋接線
1701‧‧‧多邊形
1702‧‧‧多邊形
1703‧‧‧評估特徵
1704‧‧‧評估特徵
1801‧‧‧自訂導引輪廓
1901‧‧‧評估特徵
1902‧‧‧導引輪廓
1903‧‧‧評估特徵
1904‧‧‧容許範圍
1905‧‧‧下限
1906‧‧‧上限
2001‧‧‧圖案置放誤差(PPE)控制量規
2002‧‧‧理想中心或質心
2003‧‧‧預期圖案化器件圖案輪廓之中心或質心
2004‧‧‧導引輪廓
2005‧‧‧第四圖案置放誤差量規
2006‧‧‧第三圖案置放誤差量規
2007‧‧‧第一圖案置放誤差量規
2008‧‧‧第二圖案置放誤差量規
2009‧‧‧移位
2010‧‧‧圖案化器件圖案輪廓
2201‧‧‧最佳化照明模式
2202‧‧‧最佳化圖案
2203‧‧‧圖案化器件圖案輪廓
2204‧‧‧子解析度輔助特徵
2301‧‧‧初始設計圖案多邊形
2302‧‧‧顯影後圖案輪廓
2401‧‧‧最終圖案特徵凹座
2402‧‧‧至少部分填充之顯影後圖案輪廓
2403‧‧‧經偏置多邊形
2600‧‧‧電腦系統
2601‧‧‧多邊形
2602‧‧‧多邊形(圖26A/26B)/匯流排(圖28)
2603‧‧‧評估特徵
2604‧‧‧處理器
2605‧‧‧處理器
2606‧‧‧主記憶體
2608‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
2610‧‧‧儲存器件
2612‧‧‧顯示器
2614‧‧‧輸入器件
2616‧‧‧游標控制件
2618‧‧‧通信介面
2620‧‧‧網路鏈路
2622‧‧‧區域網路
2624‧‧‧主機電腦
2626‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
2628‧‧‧網際網路
2630‧‧‧伺服器
2800‧‧‧微影裝置
AD‧‧‧調整構件
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧干涉量測構件(圖29)/虛擬源點/中間焦點(圖31/32)
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MK‧‧‧標記物
MT‧‧‧第一物件台/圖案化器件台/支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PG‧‧‧多邊形/特徵
PG1‧‧‧多邊形
PG2‧‧‧多邊形
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
S702‧‧‧步驟
S704‧‧‧步驟
S706‧‧‧步驟
S708‧‧‧步驟
S710‧‧‧步驟
S712‧‧‧步驟
S714‧‧‧步驟
S716‧‧‧步驟
S718‧‧‧步驟
S720‧‧‧步驟
S722‧‧‧步驟
S902‧‧‧步驟
S904‧‧‧步驟
S906‧‧‧步驟
S908‧‧‧步驟
S910‧‧‧步驟
S912‧‧‧步驟
S914‧‧‧步驟
S916‧‧‧步驟
S918‧‧‧步驟
S920‧‧‧步驟
S922‧‧‧步驟
S1101‧‧‧步驟
S1102‧‧‧步驟
S1103‧‧‧步驟
S1104‧‧‧步驟
S1105‧‧‧步驟
S1106‧‧‧步驟
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧第二物件台/基板台
圖1說明微影系統之各種子系統的方塊圖； 圖2說明對應於圖1中之子系統之模擬模型的方塊圖； 圖3A說明四個圖案中之每一者的EPE或CD (EPE-PW或CD-PW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越之製程窗； 圖3B說明四個圖案之EPE或CD(EPE-OPW或CD-OPW)的由焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)跨越之製程窗(由點影線區域表示)； 圖4說明說明聯合最佳化或共同最佳化之方法之實例之態樣的流程圖； 圖5說明根據一實施例之另一最佳化方法的實施例； 圖6、圖7及圖8說明各種最佳化製程之例示性流程圖； 圖9說明多重圖案化技術(MPT)之製程情形序列； 圖10說明一方法之實施例； 圖11說明圖10之方法之流程圖； 圖12說明圖11之方法之處理情形序列的實例； 圖13A及圖13B說明圖12之方法之製程情形1202處識別緊密鄰近目標多邊形之製程的實例； 圖14說明在圖12之製程情形1203處經識別之緊密鄰近目標多邊形的偏置且視情況形成橋接線以將在偏置之後彼此未連接的經識別且經偏置之目標多邊形進行連接的實例； 圖15說明在圖12之製程情形1204處使非識別之目標多邊形偏置之實例； 圖16說明在圖12之製程情形1205處相對於一或多個多邊形提供圖案置放量規之實例； 圖17說明在圖12之製程情形1206處用於多邊形之評估特徵(包括經識別目標多邊形外之一或多個評估特徵)之置放的實例； 圖18說明關於圖12之製程情形1206評估特徵相對於經識別目標多邊形中之一些之置放的實例； 圖19說明在圖12之製程情形1206處用於置放評估特徵之導引輪廓的實例； 圖20A說明用於置放評估特徵(由短線指定)之導引輪廓的實例，且圖20B說明與具有上限及下限之容許範圍相關聯的評估特徵； 圖21A、圖21B及圖21C更詳細地說明圖案置放誤差(PPE)控制量規之置放之實例，其中圖21A說明圖16、圖21B說明相對於多邊形之圖案置放誤差(PPE)控制量規之置放、圖21C描繪圖案置放誤差(PPE)控制量規之實施例之工作的細節，且圖21D描繪圖案置放誤差(PPE)控制量規之另一實施例之工作的細節； 圖22A及圖22B說明圖案及照明模式之最佳化之實例，其中圖22A說明最佳化圖案之實例，且圖22B說明最佳化照明模式之實例且係與圖12之製程情形1207相關； 圖23說明經產生輪廓之顯影後表示之實例且係與圖12之製程情形1208相關； 圖24說明在收縮及恢復(healing)之後的圖案之表示之實例且係與圖12之製程情形1209相關； 圖25說明對應於初始設計圖案之多邊形的圖案特徵之蝕刻後檢測(AEI)樣本影像之實例； 圖26A及圖26B示意性地說明改變設計意圖以產生圖案化器件圖案的實施例； 圖27A及圖27B示意性地說明改變設計意圖以產生圖案化器件圖案的另一實施例； 圖28說明電腦系統之實例的方塊圖； 圖29說明微影裝置之示意圖； 圖30說明另一微影裝置之示意圖； 圖31說明圖30中之裝置的更詳細視圖；及 圖32說明本申請案之圖30及圖31之裝置的源收集器模組之更詳細視圖。

Claims (15)

  1. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 將評估特徵置放於該等多邊形之邊界外；及 基於該等評估特徵產生橫跨該等連接之多邊形之一圖案化器件圖案。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含橫越該等連接之多邊形中之至少一些產生一導引輪廓，且該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包含對照該導引輪廓評估一中間圖案化器件圖案，且基於對照該導引輪廓之該評估而調整該產生該圖案化器件圖案之一參數。
  4. 如請求項1之方法，其中基於包括邊緣置放誤差及圖案置放誤差之一成本函數而產生該圖案化器件圖案之一圖案化器件圖案輪廓。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包含相對於該等多邊形施加圖案置放量規，且該產生該圖案化器件圖案係基於自該等圖案置放量規所判定之值。
  6. 如請求項1之方法，其中該等評估特徵係以用於產生該圖案化器件圖案之一容許範圍為界限。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含使該等多邊形之大小偏置，及/或 其中該等經偏置多邊形中之至少一些彼此連接。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包含： 形成一橋接線以連接多邊形；及/或 選擇彼此緊密鄰近之多邊形以進行連接，及/或 其中該等緊密鄰近多邊形具有小於為0.28之一k1值的一分離距離或間距。
  9. 如請求項1之方法，其中該產生該圖案化器件圖案包含：用以產生一最佳化照明模式及一最佳化圖案化器件圖案之一最佳化製程。
  10. 如請求項1之方法，其中產生該圖案化器件圖案進一步包含：改變該初始設計圖案之一設計意圖，使得該圖案化器件圖案實施該初始設計圖案之一改變之設計意圖。
  11. 如請求項10之方法，其中改變該設計意圖包含：處理併有設計意圖作為一設計變數的一成本函數，及/或 其中該改變該設計意圖包含一處理一成本函數，其中一設計或製造規則作為其一約束或懲罰，及/或其中該改變該設計意圖包含選自以下各者中之一或多者：使該設計圖案之一或多個特徵之一位置移位、使該設計圖案之一或多個特徵之一大小偏置、將該設計圖案之一或多個特徵分裂成兩個或多於兩個部分、及/或將該設計圖案之兩個或多於兩個特徵連接在一起。
  12. 如請求項11之方法，其中產生該圖案化器件圖案包含：評估一收縮及/或恢復製程模型。
  13. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 相對於該等多邊形來置放評估特徵；及 產生橫跨該等連接之多邊形中之至少一些之一導引輪廓，其中該等評估特徵中之至少一些位於該導引輪廓上。
  14. 一種用於最佳化一圖案化器件圖案之方法，該方法包含： 獲得具有複數個多邊形之一初始設計圖案； 使該等多邊形中之至少一些彼此有效地連接； 相對於該等連接之多邊形來置放評估特徵；及 基於該等評估特徵產生橫越該等連接之多邊形之一連接或相交點之一圖案化器件圖案輪廓。
  15. 一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1至14中任一項之方法。
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