TW201819112A - 化學機械研磨墊修整總成 - Google Patents

Abstract

揭示一種包含定位於墊修整總成之一或多個研磨區之間之一或多個支撐結構之化學機械研磨(CMP)墊修整總成。可藉由一或多個通道而使該等支撐結構與研磨區分離。該一或多個支撐結構之一頂部表面不與該墊修整總成之該等研磨區之頂部表面共面，且當量測到該墊修整總成背襯板之該墊襯面時該一或多個支撐結構之該頂部表面之高度小於當量測到該墊修整總成之該墊襯面時該等研磨區之該等頂部表面之高度。

Description

化學機械研磨墊修整總成

本發明係關於化學機械研磨墊修整器。

在微電子裝置製造製程期間，在基板之表面上形成多個積體電路。基板之實例包含矽晶圓、砷化鎵晶圓等類似物。各積體電路由與稱為互連之導電跡線電互連之微電子裝置組成。自基板之表面上形成之導電層圖案化互連。形成互連之堆疊層之能力已經允許在基板之相對小表面區域中及上實施更複雜微電子電路。隨著微電子電路之數目增加並變得更複雜，一基板之層之數目增加。相應地，基板表面之平整度變成半導體製造中之一重要態樣。 化學機械研磨(CMP)係將一基板之一層之表面平坦化之一方法。CMP組合化學蝕刻與機械研磨以自基板之表面移除材料。在CMP製程期間，基板經附接至一研磨工具之頭部且經反轉使得體現積體電路之表面可相對地面對一研磨墊。含有研磨粒子及一化學蝕刻劑之一漿液經沈積於旋轉研磨墊上。化學品可軟化或與經平坦化之基板上之經暴露表面材料反應。研磨墊經固定地附接至一轉盤或壓板。藉由在壓板上旋轉研磨墊時將旋轉基板與研磨墊接觸而研磨基板。可藉由組合經暴露表面材料之化學軟化與由研磨墊、漿液及基板之間之相對移動帶來之實體研磨之動作而移除基板之體現積體電路之表面之表面。 由於藉由研磨墊而移除基板之部分，漿液及殘渣之一組合易於阻礙並敷釉於研磨墊之表面，使得研磨墊隨時間變得對自基板移除材料不太有效。藉由一CMP墊修整總成而清潔或修整研磨墊之表面，該表面具有與研磨墊表面接合之一研磨表面。已知CMP墊修整總成可具有包含突部、台面或刀刃之一研磨表面且此等可使用如立方氮化硼、鑽石磨料或多晶鑽石之硬塗層來塗佈。墊修整總成之研磨表面本身可變得受磨損，藉此致使其對重新修整CMP研磨墊隨時間愈來愈不太有效。在CMP研磨墊之修整期間，墊修整總成磨蝕CMP墊並打開用於研磨之新孔隙及新墊表面。 CMP製程利用許多消耗品，其包含漿液及化學品、研磨墊及墊修整總成。更換消耗品可耗時且導致損失製造良率及降低機器處理量。一些CMP製程需要整個墊表面(不排除邊緣)上方之墊修整。在當修整碟掃描配方將墊修整總成延伸超過研磨墊之外徑可為困難的且可導致對墊之損害或過度磨損之此操作期間，維持具有研磨墊之一墊修整總成之共平坦度。例如，區段修整碟設計一旦修整碟延伸超過墊之外徑而可傾斜。此可導致於墊之周邊處之非均勻/過量墊磨損且甚至可導致墊之撕裂。 為了減少消耗品成本並減少研磨工具停機時間，半導體製造商已經開始利用CMP研磨墊之外邊緣。相應地持續需要可修整包含CMP墊之外邊緣之CMP墊之CMP墊修整總成。

藉由包含具有藉由一或多個通道而與一或多個支撐結構分離之研磨區之一背襯板之一CMP墊修整總成而可減少或消除在墊修整期間導致一CMP墊上之過度磨損之墊修整總成之問題。該CMP墊修整總成包含具有一第一面及一第二面之一背襯板。該背襯板包含可將該修整總成之該背襯板附接至一化學機械平坦化工具之一安裝結構。該墊修整總成進一步包含該背襯板之一第一面上之複數個研磨區，該研磨區可包括一或多個突部或刀刃。該等突部或刀刃之一頂部駐存於具有可自該背襯板之該第一面量測之一第一平均高度之一第一平面中。該CMP墊修整總成亦具有在該背襯板上或經固定至該背襯板之一或多個支撐結構。該一或多個支撐結構可定位於該等研磨區之間且可藉由一或多個通道而與該等研磨區分離。該一或多個支撐結構可具有一頂部表面、一底部表面及在該頂部與底部表面之間量測之一厚度。該一或多個支撐結構之該頂部表面駐存於具有可自該背襯板之該第一面量測之一第二平均高度之一第二平面中。該第一平面之該等突部或刀刃之該等頂部之該高度大於該(等)支撐結構之該第二平面之該頂部表面之該高度。 在該CMP墊修整總成之一些版本中，該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度25微米與200微米之間。在該CMP墊修整總成之其他版本中，該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度50微米與100微米之間。 在該墊修整總成之一些版本中，該等研磨區圍繞該背襯板等距間隔或基本上等距間隔且藉由通道而與定位於該等研磨區之間之該一或多個支撐結構分離。 在該墊修整總成之一些版本中，多晶鑽石及/或鑽石磨料之一塗層可經沈積於該等研磨區之全部或一部分上。 在該墊修整總成之一些版本中，該等研磨區可為經固定至該背襯板之區段，而在一些其他版本中，該等研磨區可與該背襯板整合地形成。亦可使用經固定及整合研磨區之一組合。 在該CMP墊修整總成之其他版本中，該總成包含一背襯板，其具有一第一面及一第二面，該背襯板包含一安裝結構且該安裝結構可用於將該修整總成緊固至一化學機械平坦化工具。該修整總成包含可具有一研磨塗層及/或一或多個突部之該背襯板之該第一面上之一或多個研磨區。該等突部之該研磨塗層或頂部當出現時可駐存於具有自該背襯板之該第一面量測之一第一平均高度之一第一平面中。在該背襯板之該第一面上之該一或多個支撐結構可經定位於該等研磨區之間且可與該等研磨區分離。該一或多個支撐結構具有一頂部表面，該一或多個支撐結構之該頂部表面駐存於具有自該背襯板之該第一面量測之一第二平均高度之一第二平面中，該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度。該一或多個支撐結構可包含在一表面中之一或多個通道及/或可形成具有一或多個研磨區之通道。 在一些版本中，該墊修整總成可具有包括該等支撐結構之一或多個通道，該等通道形成在該一或多個研磨區與該一或多個支撐結構之間。該等通道可具有平行的或非平行的側壁。 該墊修整總成可包含其中該支撐結構係一單件之版本。該支撐結構可為一聚合物材料。

如參考圖1A、圖1B、圖2A、圖2B及圖3所繪示，一CMP墊修整總成300可包含具有一第一面384及一第二面386之一背襯板380。背襯板可包含緊固或可用於固定修整總成之背襯板至一化學機械平坦化工具之一或多個安裝結構336及338。墊修整總成300進一步包含在背襯板380之第一面384之頂部上之複數個研磨區370、372及376。研磨區可包括一或多個突部或刀刃312及314。突部或刀刃之一頂部可被特徵化為駐存於具有一第一平均高度(例如316與384之間之差)之一第一平面316中，且可自背襯板380之第一面384量測第一平均高度。一或多個支撐結構340及342可經固定至背襯板，一或多個支撐結構340可定位於如370及376之研磨區之間且可藉由一或多個通道350及354而與如370及376之研磨區分離。一或多個支撐結構340具有一頂部表面344、一底部表面346及頂部與底部表面之間量測之一厚度。在圖3中繪示之墊修整總成之部分中，一或多個支撐結構340之頂部表面344駐存於具有一第二平均高度(例如344與384之間之差)之一第二平面中，且第二平均高度可自背襯板380之第一面384量測。在墊修整總成中，突部或刀刃之第一平均高度大於支撐結構之頂部表面之第二平均高度。 在墊修整總成之一些版本中，研磨區圍繞背襯板等距間隔或基本上等距間隔且一或多個支撐結構經定位於研磨區之間。 在墊修整總成之一些版本中，多晶鑽石及/或鑽石磨料之一塗層可經沈積於研磨區之一部分且支撐結構無塗佈多晶鑽石及/或鑽石磨料。 複數個研磨區段可圍繞墊間隔且共同形成具有經緊固至超過背襯板之(若干)支撐結構之頂部表面之一平均高度之一共面研磨表面。 在CMP墊修整總成之一些版本中，複數個非研磨支撐結構可在研磨區之間使用通道分離支撐結構與研磨區而間隔。在其他版本中，支撐結構可為經固定至背襯板之一單一整體件。支撐結構可具有一厚度且包含不與研磨區之頂部之平均高度平行的但共面之一頂部表面。 因為(若干)支撐結構在高度上低於研磨區之頂部之平均高度，所以支撐結構已經減小負載或在一些版本中支撐結構在墊修整製程期間不承載。來自重新修整墊之CMP墊殘渣以及漿液及液體可在支撐結構之研磨墊與頂部表面之間流動使得可自CMP墊移除墊殘渣、漿液及液體。研磨區與支撐結構之間之一或多個通道亦有助於移除墊殘渣、漿液及液體。 墊修整總成可包含經附著至一下面背襯板或使用背襯板整合地形成之研磨區或研磨區段。術語研磨區包含研磨區段及研磨區及研磨區段之組合。研磨區可具有一或多個突部或刀刃，且在一些版本中，突部或刀刃可為兩或多個不同平均高度之突部或刀刃。在CMP墊修整總成之一些版本中，可使用一黏著劑(諸如一環氧樹脂或諸如螺栓之機械裝置)接合或固定研磨區或研磨區段至背襯板。背襯板可經附接至CMP研磨工具。在PCT公開案第W0/2012/122186號(國際申請案第PCT/US2012/027916號)中揭示包含分離背襯板及修整區段之墊修整器總成之實例。在一些版本中，墊修整總成可具有整合研磨區，該等研磨區具有如突部或刀刃形成或加工成如圖6中所繪示之背襯板之特徵。 研磨區上之複數個突部可包含但不限於如在專利合作條約公開案第WO/2012/122186號中揭示之具有一幾何剖面或經不規則定形狀之突部。例如，突部可近似為具有一鈍面或錐形點或用於修整一CMP墊之其他適合形狀之一錐體、長形圓柱、各種針形狀。突部亦可指代如在專利合作條約公開案第W0/2015/143278 Al號中揭示之係長形或鋒狀結構之刀刃。研磨區或區段可包含在法向於研磨區之墊接觸面之一向前方向上突出之複數個長形突部。各長形突部包含界定一寬度及一長度之一基底，該長度大於界定長形突部之一長形軸之寬度。各長形突部進一步界定係長形的且與長度實質對準之至少一個脊部線。相應地，各脊部線在長形軸之方向上係長形的。在各種實施例中，基底長度對基底寬度之一比率係在2至20之範圍中(包含2及20)。基底寬度及基底長度之尺寸之一非限制性實例分別係150 μm及500 μm。突部及刀刃之組合亦可用於墊修整總成之研磨區或研磨區段中。突部或刀刃具有超過研磨區之頂部表面374之一高度。在一些版本中，此高度可在自約50微米至約200微米之範圍中。研磨區中之突部或刀刃之密度可變動。在一些版本中，突部或刀刃之密度係研磨區之約2至約6每平方毫米。在一些墊修整總成中，研磨區或研磨區段不存在突部且代替地可具有接合或銅焊至研磨區之鑽石磨料或其他硬陶瓷。 多晶鑽石或如多晶立方氮化硼之其他硬陶瓷之一塗層可覆蓋突部或刀刃之至少遠處極端。鑽石磨料或如立方氮化硼磨料之其他硬陶瓷磨料亦可塗佈突部或刀刃之一部分。鑽石磨料或其他硬陶瓷之一組合及多晶鑽石或塗佈如多晶立方氮化硼之其他硬陶瓷之一塗層可用於塗佈突部或刀刃之全部之一部分。硬塗層可在研磨區或突部之頂部上。 墊修整器總成包含在使用期間沿著一CMP墊研磨墊之外邊緣穩定墊修整總成之一支撐結構或一或多個支撐結構。支撐結構可由與化學機械平坦化製程化學品及漿液化學相容之一材料製成。材料可為一塑料或聚合物且可包含聚合物複合物。可用於支撐結構之一聚合物之一項實例係具有重量超過57%至重量高達70%之一種氯成分之氯化聚氯乙烯。在CMP墊修整總成之一些版本中，支撐結構係由具有重量62%至重量69%之一種氯成分之氯化聚氯乙烯製成。 支撐結構具有一頂部表面及一底部表面。底部表面經固定至墊修整器背襯板。支撐結構之頂部表面在墊修整器之使用期間最接近CMP墊。支撐結構之底部表面藉由機械螺栓或藉由使用一黏著劑而可經固定至墊修整器背襯板。支撐結構可無其頂部表面上之一硬塗層。 自背襯板之頂部表面量測之支撐結構之頂部表面(支撐結構之底部表面經固定至其之表面)之高度小於經量測到背襯板表面之突部或刀刃之頂部之高度。可藉由使一平基板跨突部或刀刃及判定至支撐結構之頂部表面之一平均距離而量測突部或刀刃之頂部與支撐結構之頂部之間之高度之差。 圖1A係具有一單支撐結構340及多個研磨區(諸如370及372)之一化學機械研磨(CMP)墊修整總成300之一俯視圖之一圖解，研磨區經固定至一背襯板380。研磨區之各者包含在修整期間稱為用於修整或磨蝕CMP墊之突部、切割區或台面312及314之凸起構件。通道(諸如350、352及354)可經定位於(若干)支撐結構340之間且允許遠離墊修整總成300及CMP墊之CMP墊殘渣、CMP漿液及液體之流動及移動。通道(諸如350、352及354)經展示為具有自背襯板之一內徑向背襯板之外徑之寬度上不同之非平行的側壁。 圖1B係具有經固定至背襯板380之多個支撐結構(諸如340及342 )及亦經固定至背襯板380之多個研磨區(諸如370及372)之一CMP墊修整總成之一俯視圖之一圖解。一或多個通道(諸如350、352及354)可經定位於支撐結構與研磨區之間。圖1B繪示其尺寸可變動且可經部分或完全使用一支撐結構(未展示)填充之一敞開中心區356。 圖2A係展示可如何製造一CMP墊修整總成之一剖面圖解，且圖2B繪示一CMP墊修整總成(剖面)之一完全部分。CMP墊修整總成包含具有用於將修整總成之背襯板380附接或固定至一CMP研磨工具(未展示)之一或多個安裝結構338之一背襯板380。一或多個研磨區段或研磨區370可經固定於研磨區段之一底部面378至背襯板之頂面384處。研磨區段或區包含370之一頂部表面374上之突部312。研磨區段或研磨區370具有可完全或部分使用如多晶鑽石之一耐磨損材料塗佈之一頂面374及一或多個突部312。可機械地或藉由區段之一底面346至背襯板之頂面384而使用一黏著劑而固定一或多個支撐結構340。一或多個支撐結構340之頂部表面可為一未處理或未塗佈表面。視情況，可處理、定形狀或塗佈一或多個支撐結構之頂部表面344，以減少磨損或改變任何支撐結構340、CMP墊或其一組合之表面能量。圖2B展示包含一支撐結構340與一相鄰研磨區370及376之間之一或多個通道350及354之一組裝CMP墊修整總成之一部分。 圖3係一CMP墊修整總成之一圖解，其展示一研磨區316之頂部之第一平面及支撐結構344之頂部表面之第二平面及相對於背襯板之第一面384之其等高度之差。突部或刀刃312之一頂部可具有一第一平均高度(例如背襯板380之研磨區316與第一面384之頂部之間之差)。一或多個支撐結構340可經固定至背襯板380。一或多個支撐結構340可定位於研磨區370之間且可藉由一或多個通道350而與研磨區370分離。一或多個支撐結構340具有一頂部表面344、一底部表面346及頂部與底部表面之間量測之一厚度。在圖3中繪示之墊修整總成之部分中，一或多個支撐結構( 340)之頂部表面344駐存於具有一第二平均高度(例如344與384之間之經量測差)之一第二平面中。第一平均高度大於第二平均高度。在一些版本中，第一平均量測高度大於第二平均量測高度25微米與250微米之間。 圖4係在具有突部或刀刃412之一個研磨區與支撐結構440之間具有用於CMP墊殘渣、漿液及液體流動之一通道450而在具有突部414及支撐結構440之另一研磨區之間不存在通道之一CMP墊修整總成之一圖解。研磨區及視情況突部或刀刃經繪示自背襯板480整合地形成，然而，類似結構可使用個別研磨區段(未展示)製造。突部412及414可使用鑽石磨料及/或多晶鑽石塗佈而支撐結構440頂部表面444可無任何研磨塗層或硬材料。 圖5係一CMP墊修整總成之一圖解，該CMP墊修整總成具有一支撐結構，該支撐結構之自支撐結構540之頂部表面544至背襯板580之第一面量測之高度大於經量測到背襯板580之第一面之高度大於量測到背襯板之第一面之研磨區段頂部表面574之高度，且其中支撐結構之頂部表面544之高度小於研磨區段570及576上之突部或刀刃512及514之平均高度之頂部之高度。 圖6係具有一單體結構之一CMP墊修整總成之一圖解，該CMP墊修整總成具有藉由一或多個通道650及654而與具有突部或刀刃612及614之研磨區分離的具有一頂部表面644之(若干)支撐區640。此版本之一CMP墊修整總成可藉由加工例如陶瓷材料之一背襯板680製成。 圖7係具有含形成於其中之通道742之一支撐結構740之一CMP墊修整總成之一圖解。自支撐結構之頂部表面744至背襯板之第一面量測之高度小於量測到背襯板之第一面之研磨區段頂部表面之高度。圖7進一步繪示藉由通道使研磨區與支撐件分離且支撐結構具有在頂部表面中之通道。可藉由使用具有經固定研磨區770及776之一背襯板780上之通道742而包覆成型支撐結構來製造圖7中之CMP墊修整總成。 突部或刀刃之頂部與支撐結構之頂部表面之間之高度上之差足夠大，使得在亦自墊修整總成下方移除墊修整期間藉由突部或刀刃而自CMP墊移除材料，同時亦當在CMP墊之外邊緣上使用修整總成時對修整總成提供傾斜穩定性。 支撐結構之頂部表面相對於突部或刀刃之頂部略凹入。在墊修整總成中，突部或刀刃之第一平均高度大於支撐結構之頂部表面之第二平均高度。在墊修整總成之一些版本中，如自背襯板之頂部平均表面量測之支撐結構之頂部表面高度或頂部平均表面高度係低於突部或刀刃之頂部之平均高度25微米至200微米。在墊修整總成之其他版本中，如自背襯板之頂部平均表面量測之支撐結構之頂部表面高度或頂部平均表面高度可低於突部或刀刃之平均高度之頂部50微米或100微米。支撐結構可包含不與(若干)研磨區之頂部共面之一頂部表面。 支撐結構可經定位於研磨區段或研磨區之間。可在背襯板中固定、整合地切割或形成支撐結構及/或研磨區段或研磨區兩者，或此等之任何組合。例如，圖4繪示其中具有突部412及414之研磨區與背襯板480及支撐結構440整合地形成之一修整總成經附接或固定至背襯板480。圖5係其中分別具有突部或刀刃512及514之研磨區段570及576經黏著性地或機械性地固定至背襯板580之一修整總成之一實例。圖6係其中具有突部(或刀刃) 612及614之研磨區或研磨區段及修整區段640與背襯板整合地形成且藉由通道650及654而分離之一修整總成之一實例。在一些版本中，支撐結構部分地不出現在如圖1B中展示之修整墊之中心中。在中心具有支撐結構可進一步幫助穩定在使用期間之修整總成。 一或多個支撐結構之形式及一或多個區段或研磨區之形式不受限於任何特定幾何或形狀。可選擇形狀以提供下面CMP墊之均勻修整且提供(若干)支撐結構與允許自CMP墊與墊修整總成之間之CMP墊殘渣、漿液及液體流動之研磨區段或區之間之通道。例如，圖1A展示以截角錐之形狀之支撐區段，而圖1B繪示以圓形區段之形狀之支撐區段。研磨區段經大致繪示為楔形形狀，然而其他形狀係可能的。其他幾何及非幾何形狀可用於(若干)支撐結構及(若干)研磨區兩者。 支撐結構可具有一厚度。在一些版本中，支撐結構厚度係在1900微米至6500微米之一範圍中或支撐厚度可為自約1900微米至約6500微米。在一些其他版本中，支撐結構厚度係在1900微米至2500微米之一範圍中或支撐厚度可自約1900微米至約2500微米。除了研磨區段或研磨區與支撐結構之間之通道之外，支撐結構之頂部表面亦可具有在其表面中之通道，以進一步促進自CMP墊與墊修整總成之間之殘渣、漿液及液體在使用期間流動。此等支撐結構表面通道可形成在支撐結構中且可為(例如)直的或彎曲的。 無關於在任何點處沿著其等長度處之通道之形狀，一或多個通道可具有如自一或多個支撐結構之頂部表面至背襯板之頂部表面量測之任何點處之一最大或最深深度。在墊修整總成之一些版本中，在任何點處沿著其長度之通道之最深深度可為6500微米或更少。在一些版本中，一或多個通道可具有如自一或多個支撐結構之頂部表面至2500微米至500微米之間或約2500微米至500微米之通道之底部量測之一最大或最深深度。 類似地，一或多個通道(諸如350)可沿著通道之長度藉由一通道寬度加以特徵化。通道可具有平行的或非平行的壁。在墊修整總成之一些版本中，通道寬度可具有100微米與2500微米之間或約100微米與約2500微米之間之一最大尺寸。在墊修整總成之一些其他版本中，通道寬度可具有1500微米與2500微米之間或約1500微米與約2500微米之間之一最大尺寸。 在墊修整總成之一些版本中，複數個非研磨支撐結構可在研磨區段之間間隔。在其他版本(例如如圖6中所展示)中，支撐結構可為一單一整體件。 在墊修整總成之一些版本中，可在研磨區與支撐結構之間形成用於墊殘渣、漿液及液體流動之通道，可在支撐結構本身中或此等之任何組合中形成用於墊殘渣、漿液及液體流動之通道。通道可具有自支撐結構之頂部表面(例如344)下至背襯板384之頂部表面之一最大深度。在一些其他版本中，通道之深度可小於2500微米(例如如圖7中藉由通道742而展示)且可包含不存在任何通道之版本。通道之寬度在其最寬處提供在使用期間遠離墊修整總成之墊殘渣、漿液及液體之流動且可為自100微米至500微米。通道不限於矩形形狀且可包含彎曲、傾斜及三角形剖面。通道可具有不同深度及寬度之一組合。 通道可具有自背襯板之內徑向背襯板之一外徑之寬度上不同之非平行的側壁。在一些版本中，通道具有基本上平行的側壁。亦可使用平行的及非平行的通道側壁之一組合。 一安裝結構將背襯板緊固至一化學機械平坦化工具。安裝結構可包含可用於使用螺栓及類似物將墊修整總成緊固至研磨工具之背襯板中之貫穿孔或部分貫穿孔。圖3展示包含可視情況經旋擰之部分貫穿孔336及338之一安裝結構之一非限制性實例。背襯板可由一金屬、金屬合金、陶瓷或聚合物製成。 一CMP工具之修整器頭部包含在CMP製程與研磨墊接觸期間之一CMP墊修整總成。CMP墊修整總成經大致定位於修整器頭部之一底部且可圍繞一軸旋轉。研磨區段上之突部或刀刃之頂部向下朝向CMP研磨墊且在修整製程期間接觸CMP研磨墊之表面。在墊修整及研磨製程期間，研磨墊及CMP墊修整總成兩者旋轉使得此等突部或刀刃相對於研磨墊之表面移動，藉此磨蝕及再紋理化研磨墊之表面。CMP墊修整總成之版本可經掃描至外徑且在一些版本中超過研磨墊之外徑而不導致在CMP墊之周邊處之非均勻/過度墊磨損。 在已經使用圖1及圖3中繪示之CMP墊修整總成且磨損研磨區及/或支撐結構之後，可自背襯板及新或重新修整研磨區及/或經緊固至背襯板之支撐結構移除研磨區及/或支撐結構。 雖然已描述各種墊修整總成，但將瞭解本發明不限於描述特定分子、組合物、設計、方法論或協定，儘管此等可變動。將瞭解，描述中使用之術語係僅為了描述特定版本或實施例之目的，且並不意欲限制將僅由隨附申請專利範圍限制之本發明之範疇。 亦必須注意，如本文中及隨附申請專利範圍中所使用，單數形式「一」、「一個」及「該」包含複數個參照物，除非內容另有清楚指示。因此，例如，參考一「支撐結構」係對熟習此項技術者已知之一或多個支撐結構及其等效物等等之一參考。除非另有定義，否則本文中使用之所有技術及科學術語具有如一般技術者之一者通常所明白之相同意義。可在實踐或測試本發明時使用類似於或等效於本文中所描述之方法及材料。本文中所提及之所有公開案以引用的方式併入本文中。「可選」或「視情況」意謂：隨後所描述之事件或情況可發生或可不發生，及描述包含其中發生該事件之例項及其中不發生該情況之例項。本文中之全部數值可藉由術語「約」而修改，無論是否明確指示。術語「約」大致指代熟習此項技術者之一者將考量等於所述值(即，具有相同功能或結果)之數目之一範圍。在一些實施例中，術語「約」指代陳述值之±10%，在其他實施例中，術語「約」指代陳述值之±2%。雖然依照「包括」各種組件或步驟(解譯為意謂「包含，但不限於」)描述組合物及方法，但組合物及方法亦可「基本上由各種組件及步驟組成」或「由各種組件及步驟組成」，此等術語應解譯為定義本質上封閉式或封閉式成員群組。亦應瞭解，為了簡單且便於理解之目的，本文中描繪之特徵、層及/或元件被圖解說明為相對於彼此之特定尺寸及/或定向，且實際尺寸及/或定向可與本文中圖解說明之尺寸及/或定向基本上不同。

300‧‧‧化學機械研磨(CMP)墊修整總成

312‧‧‧突部或刀刃/切割區或台面

314‧‧‧突部或刀刃/切割區或台面

316‧‧‧第一平面/研磨區

336‧‧‧安裝結構/部分貫穿孔

338‧‧‧安裝結構/部分貫穿孔

340‧‧‧單支撐結構

342‧‧‧支撐結構

344‧‧‧頂部表面/支撐結構

346‧‧‧底部表面/底面

350‧‧‧通道

352‧‧‧通道

354‧‧‧通道

356‧‧‧敞開中心區

370‧‧‧研磨區段或研磨區

372‧‧‧研磨區

374‧‧‧頂部表面/頂面

376‧‧‧研磨區

378‧‧‧底部面

380‧‧‧背襯板

384‧‧‧第一面/頂面/背襯板

386‧‧‧第二面

412‧‧‧突部或刀刃

414‧‧‧突部

440‧‧‧支撐結構

444‧‧‧頂部表面

450‧‧‧通道

480‧‧‧背襯板

512‧‧‧突部或刀刃

514‧‧‧突部或刀刃

540‧‧‧支撐結構

544‧‧‧頂部表面

550‧‧‧通道

554‧‧‧通道

570‧‧‧研磨區段

574‧‧‧頂部表面

576‧‧‧研磨區段

580‧‧‧背襯板

612‧‧‧突部或刀刃

614‧‧‧突部或刀刃

640‧‧‧支撐區/修整區段

644‧‧‧頂部表面

650‧‧‧通道

654‧‧‧通道

680‧‧‧背襯板

740‧‧‧支撐結構

742‧‧‧通道

744‧‧‧頂部表面

770‧‧‧研磨區

776‧‧‧研磨區

780‧‧‧背襯板

圖1A係具有一單支撐結構及多個研磨區或研磨區段之一化學機械研磨(CMP)墊修整總成之一俯視圖之一圖解。 圖1B係具有多個支撐結構及多個研磨區或研磨區段之一CMP墊修整總成之一俯視圖之一圖解。 圖2A係製造一CMP墊修整總成(剖面)之部分之製程之一圖解，且圖2B係一完整CMP墊修整總成(剖面)之一部分。 圖3係展示一研磨區之突部或刀刃之頂部、一支撐結構之頂部表面及相對於背襯板之第一面之此等之相對高度之一CMP墊修整總成之一圖解。 圖4係具有一個研磨區與一支撐結構之間之一通道且不具有另一研磨區與支撐結構之間之通道之一CMP墊修整總成之一圖解。研磨區經繪示為具有可自背襯板整合地形成之突部或刀刃，然而可使用個別研磨區段(未展示)製造類似結構。 圖5係一CMP墊修整總成之一圖解，該CMP墊修整總成具有一支撐結構，該支撐結構之自支撐結構之頂部表面至背襯板之第一面之高度大於經量測到背襯板之第一面之研磨區段頂部表面之高度，且其中支撐結構之頂部表面之高度小於研磨區段上之突部或刀刃之平均高度之頂部之高度。藉由通道而使研磨區與支撐件分離。 圖6係具有含藉由一或多個通道而與研磨區分離之(若干)支撐區之一單體結構之一CMP墊修整總成之一圖解。 圖7係一CMP墊修整總成之一圖解，該CMP墊修整總成具有一支撐結構，該支撐結構之自支撐結構之頂部表面至背襯板之第一面量測之高度小於經量測到背襯板之第一面之研磨區段頂部表面之高度之一支撐結構之一CMP墊修整總成之一圖解。圖7進一步繪示未藉由通道而使研磨區與支撐件分離且支撐結構具有在頂部表面中之通道。

Claims (10)

1. 一種化學機械研磨(CMP)墊修整總成，其包括： 一背襯板，其具有一第一面及一第二面，該背襯板包含一安裝結構；該安裝結構將該背襯板緊固至一化學機械平坦化工具； 一或多個研磨區，其在包括一或多個突部之該背襯板之該第一面上，該等突部之頂部駐存於具有自該背襯板之該第一面量測之一第一平均高度之一第一平面中； 一或多個支撐結構，其在該背襯板之該第一面上，該一或多個支撐結構經定位於該等研磨區之間且與該等研磨區分離，該一或多個支撐結構具有一頂部表面，該一或多個支撐結構之該頂部表面駐存於具有自該背襯板之該第一面量測之一第二平均高度之一第二平面中，該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度；及 一或多個通道，其包括該等支撐結構。
2. 如請求項1之墊修整總成，其中包括該等支撐結構之該一或多個通道係定位於該一或多個研磨區與該一或多個支撐結構之間之通道。
3. 如請求項1之墊修整總成，其中包括該等支撐結構之該一或多個通道係在該一或多個支撐結構中形成之通道。
4. 如請求項1之墊修整總成，其進一步包括全部或一部分該等研磨區上之一硬多晶材料之一塗層。
5. 如請求項1之墊修整總成，其中該支撐結構係一單件。
6. 如請求項1之墊修整總成，其中該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度25微米與200微米之間。
7. 如請求項1之墊修整總成，其中該第一平面之該第一平均高度大於該第二平面之該第二平均高度50微米與100微米之間。
8. 如請求項1之墊修整總成，其中自該一或多個支撐結構之該頂部表面量測之該一或多個通道具有係6500微米或更少之一最大通道深度。
9. 如請求項1之墊修整總成，其中該一或多個通道具有具有在1500微米與2500微米之間之一最大尺寸之一通道寬度。
10. 如請求項1之墊修整總成，其中該支撐結構係一聚合物材料。