TW201817104A - 用於雷射裝置之光學共振器的共振器鏡及雷射裝置 - Google Patents

用於雷射裝置之光學共振器的共振器鏡及雷射裝置 Download PDF

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Abstract

本發明涉及一種用於雷射裝置(2)之光學共振器(1)的共振器鏡(4)，該雷射裝置(2)特別是一種氣體雷射或帶狀導線雷射，此雷射裝置(2)包括：一具有結構化區域(5)的反射表面(6)，該結構化區域(5)在該反射表面(6)之以光軸(5)為中心的區塊上延伸。依據本發明之構想的一種形式，該結構化區域(5)具有至少一具反射性之表面區段(8,18,28,38,48,58,68)，其相對於該結構化區域(5)外部延伸的反射表面(6)以平行於光軸(A)且偏移一預設的波長之一半或偏移該預設的波長之一半的整數倍的方式而配置著。依據另一形式，該結構化區域(5)具有至少二個表面區段(8,18,28,38,48,58,68)，其互相之間平行於光軸(A)且偏移一預設的波長之一半或偏移該預設的波長之一半的整數倍而配置著。本發明另外亦涉及一種雷射裝置(2)，其光學共振器(1)具有以上述形式形成的共振器鏡(4)。

Description

用於雷射裝置之光學共振器的共振器鏡及雷射裝置
本發明涉及一種用於雷射裝置之光學共振器的共振器鏡。該雷射裝置特別是氣體雷射或帶狀導線(strip conductor)雷射，其具有氣體形式的光學活性介質(medium)，且本發明亦涉及一種雷射裝置，其具有以此種形式形成的共振器鏡。
形成為帶狀導線雷射或平板雷射之雷射裝置，典型上包括共振器，其由波導共振器和正分支或負分支之不穩定的光學共振器的組合所形成。在填充著氣體的帶狀導線雷射，含有二氧化碳(CO2)的氣體混合物大都用作光學活性介質，其引入至形成在二個板面形式的電極之間的放電空間中。此氣體或氣體混合物藉由位於該些電極之間的高頻電磁場來激發。在正面側，該放電空間或光學共振器係以多個反射元件為邊界，該些反射元件形成為共振器鏡且在高功率CO2雷射的情況下典型上是由金屬構成，特別是由銅構成。所構成的雷射裝置配置該些共振器鏡，使平行於電極的平面側形成不穩定的共振器，大都形成不穩定的共焦(confocal)共振器。
已為人所知的是，二氧化碳(CO2)作為光學活 性介質時具有多個可適用於雷射放大的頻帶或多個在9.3微米(μm)、9.6微米、10.3微米和10.6微米的波長範圍。通常情況下，在雷射放大時雷射通道主要在10.6微米的波長中操作。然而，對特定的應用情況而言，已顯示有利的是：使用特別是9.3微米或9.6微米頻帶之雷射束。此種波長之雷射束之產生例如由WO 2011/154272 A1中已為人所知，形成該放電空間之邊界的多個電極之至少一個電極設有一種含有二氧化矽(SiO2)之鈍化層。此外，須調整該些電極之間的距離，使10.6微米及10.3微米頻帶之雷射束經歷較9.3微米或9.6微米頻帶之雷射束還大的弱化。共振器中波長較長的模式(mode)之振盪因此可被抑制。
另一種使雷射束發生波長選擇式放大的可能方式在於：設置已塗層的透鏡，特別是已塗層的共振器鏡，其中已提高的吸收率發生在待抑制的波長範圍中。這樣所產生的損耗當然必定會在共振器鏡上造成明顯地局部化的熱載入，其須另外排出。因此，特別是在高的功率密度時，此種已塗層的共振器鏡之使用範圍須由其破壞臨界值作限制，由該破壞臨界值開始介電質層例如會發生脫層或發生火災。
另外，光學共振器之波長選擇性在原理上可藉由嵌入其它光學元件，例如，透射的光柵或法布里-珀羅標準具(Fabry-Perot-Etalons)而造成。然而，此種設計方式通常需要對共振器構造有深入理解的、概念上的改變，尤其是使用帶狀導線雷射的情況。此外，須確保 離開光軸而傳送的雷射束不會使周邊構件受損或對雷射裝置的使用者不會造成危險。
本發明的目的是提供一種共振器損耗的波長選擇式修改用之措施(means)，其特別適用於具有高功率密度的雷射裝置。
上述目的藉由具有獨立請求項1之特徵的用於光學共振器之共振器鏡來達成。本發明之有利的其它特徵是附屬請求項之主題。
雷射裝置，特別是氣體或填充著氣體的帶狀導線雷射之光學共振器用的共振器鏡，包括一具有結構化區域的反射表面，該結構化區域在該反射表面之以光軸為中心的區塊上延伸。該結構化區域具有至少一具反射性之表面區段，其相對於該結構化區域外部延伸的反射表面以平行於光軸而偏移的方式配置著，或該結構化區域具有至少二個表面區段，其互相之間平行於光軸而偏移地配置著。在上述二種情況下，至少一表面區段相對於在該結構化區域外部延伸之反射表面的偏移、或至少二個表面區段相互之間的偏移都是預設的波長之一半或該預設的波長之一半的整數倍。換言之，至少一表面區段相對於其餘的、在該結構化區域外部延伸的反射表面而凸起地或凹入地配置著。這相對應地亦適用於以下情況：當該結構化區域本身已具有至少二個具反射性之表面區段時。此處，該些表面區段相互之間亦可凹入地或凸起地配置著。
本發明所依據的原理涉及雷射放大時在光學共振器周圍運行的雷射束之多光束干擾。於此，形成該光學共振器邊界的共振器鏡之反射表面中至少引入一種步級，其高度等於待選擇的波長之一半。在互相偏移而配置的表面區段上反射的部份光束具有所期望的波長時，則該些部份光束因此可準確地以建設性方式相重疊。對其它波長而言，不存在完整的建設性干擾或反射後的球面波之傳送方向只微小地改變，使其離開光軸而擴大且最後離開該共振器或由一形成該光學共振器邊界的元件所吸收。在此種概念上，共振器鏡設有一種結構，其導入「幾何本質」之與波長相關的損耗。不期望的波長範圍之輻射因此不必由共振器鏡吸收。反之，該輻射成份係在與光軸成一角度下反射，使光學共振器對該些波長取得額外的循環損耗。
應理解的是，在所選擇的波長範圍中為了產生建設性的干擾，則「各反射表面或各表面區段之間的偏移是否等於待選擇的波長之一半或其整數倍」是不重要的。重要的是，該偏移沿著光軸或平行於光軸而發生。
由於在雷射放大時，典型上在光學共振器中會發生很多次循環，則理想方式是只需唯一的步級，以便將足夠大的損耗導入至該待抑制的波長範圍中或該些待抑制的波長範圍中，使損耗清除後的淨放大率對所選擇的波長而言大於其餘的波長範圍中者。這例如以下述方式達成：具反射性之表面區段係相對於在該結構化區域外部運行的反射表面而偏移。另一可能方式是，該結 構化區域之至少二個具反射性之表面區段互相偏移地配置著。所述反射表面或表面區段至少以近似方式互相平行而延伸，即，其可在需要時具有互相成微小偏移的曲面。在具有飽和放大率的穩定操作下，雷射裝置在每一情況下都在所期望的波長，即，所選擇的波長運行，只要淨放大率在此範圍中保持最大即可。
該反射表面較佳地由寬頻帶反射金屬構成，特別是由金、銀、鉻、鎳、鋁、銅或鉬，或由含有寬頻帶反射金屬之合金構成。除了高的反射率以外，良好的導熱性和機械穩定性亦是有決定性的。波長選擇只藉由使用反射構件來達成。透射性的構件是不需要的，以便修改光學共振器之放大特性。這促成了共振器鏡特別可使用於高功率領域的應用，其中只有高反射的共振器鏡形成光學共振器的邊界。光學共振器在此種情況下，典型方式是構成為不穩定的共振器。由寬頻帶反射金屬或金屬合金構成的共振器鏡特別適合使用在氣體雷射或帶狀導線雷射中。在一具體的實施例中，氣體雷射或帶狀導線雷射包含作為光學活性介質的二氧化碳，且正面形成該光學共振器之邊界的多個共振器鏡的至少一個共振器鏡完全由銅形成。銅在相關的中間紅外線範圍中具有良好的反射性且另外具有良好的導熱性，使在該共振器鏡上產生的熱損耗可良好地排出。其它實施例中，共振器鏡之反射表面由反射金屬塗層，例如，金、銀、鉻或鎳來形成，其施加在基板上，基板例如由矽或碳化物構成，特別是由碳化矽或碳化鎢構成。
結構化區域之範圍在較佳的實施例中限制於徑向中在光軸周圍形成邊界的區域。換言之，造成建設性干擾的結構化區域只施加在光軸附近。此種形式特別適用於不穩定的共振器。由於待放大的輻射之波長在靠近光軸的中央區域中係具有決定性地被界定，則將表面結構化限定在此區域是足夠的。這具有以下另外之優點：由於此種組態，則共振器或共振器鏡之其它區域中額外的損耗可最小化。此結構化區域之範圍在較佳的實施例中限定在光軸周圍的區域，其直徑只有數個毫米或甚至在次(sub)毫米的範圍中。相較於共振器鏡之反射表面的大小，此結構化區域只需要一很小的區域，其佔有的面積特別是小於共振器鏡之整個鏡表面的30%，較佳為小於15%，特別佳為小於5%或更小。
具反射性之表面區段及/或在該結構化區域外部延伸的反射表面可平坦地，即成平面狀延伸。在較佳的實施例中，該反射表面至少在該結構化區域外部具有凹入的或凸出的曲面。較佳的是，在此種關係上配置在該結構化區域中的表面區段之至少一個，較佳地全部具有一個曲面，其對應於該結構化區域外部之反射表面的曲面，即該結構化區域之反射表面和具反射性之表面區段的外形追隨相同的數學構造規則。換言之，該反射表面或該表面區段的外形對應於相同焦距之未結構化鏡面的鏡表面之外形，其互相在光軸的方向中偏移地配置著。在球形曲面的鏡面中，該反射表面和該具反射性之表面區段的外形因此追隨球形曲面的區段，其互相沿著 光軸而偏移。在其它實施例中，該反射表面或該具反射性之表面區段具有拋物狀的曲面。這些實施例具有以下優點：反射後的輻射之相位面恰巧在待選擇的波長中相對於傳統鏡面保持不變，傳統鏡面不具備互相偏移的表面區段。對所有其它的波長而言，共振器鏡對該相位面造成干擾，使所屬的波在共振器內部以一種不適合雷射放大的形式和方式傳送。
該結構化區域外部的反射表面，例如形成為球形，或對應於橢圓的拋物面，或旋轉式拋物面而形成。該結構化區域中的反射表面較佳是有多個區段，其對周圍的反射表面平行地偏移配置著，且具有相同的曲面外形。換言之，該結構化區域之反射表面和具反射性之表面區段，在球形的或拋物形的曲面形式的構造面上延伸，其互相平行於光軸且偏移了該待選擇的波長之一半或該待選擇的波長之一半的整數倍。
至少一表面區段或至少二個表面區段例如具有步級形式的、肋條形式的、長方形的、正方形的、圓環形的，及/或圓板形的造形。步級形式的實施方式例如可具有多個互相平行延伸的肋條。此種階梯結構之相對於光軸而達成的步級高度是該待選擇的波長之一半或其整數倍。
在較佳的實施例中，設有多個，特別是三個或更多個圓環形的及/或圓板形的表面區段，其互相成同心地配置著。該些表面區段，例如分別交替地互相偏移，使所有具反射性之表面區段只對二個對該光軸偏移的 反射面平行地延伸。因此，此種在偏移配置的表面區段上反射的部份光束之間的路徑差(path difference)是偏移值的二倍。特別的是，互相成同心而配置的、以圓環形，及/或圓板形而形成的表面區段分別在平行於光軸的方向中互相偏移了預設的波長之一半或偏移了該預設的波長之一半的整數倍而配置著。因此，此實施方式具有多個，特別是多於二個互相偏移的反射面。該結構化區域在此種情況下具有類似於步級稜錐體之形式，其具有圓形基準面。
同心地配置的、以圓環形及/或圓板形而形成的表面區段，較佳地是以光軸為中心。
在一特別的實施例中，該結構化區域具有凹入的或凸出的曲面，其對應於所有配置在該結構化區域中的表面區段之曲面。相鄰配置的表面區段之徑向範圍須依據該曲面來決定大小，使每一表面區段都描繪出一種外形，其完全位在二個互相成平面式平行的面之間的居間區中，該些平面式平行的面垂直於光軸而延伸，且互相之間具有距離，其等於預設的波長之一半或該預設的波長之一半的整數倍。表面區段之徑向範圍，在曲面形的共振器鏡中在邊緣側變小。
依據另一較佳的實施例，該結構化區域具有多個表面區段，其互相平行而延伸且形成在一方向中單調地上升的階梯結構。
在一實施例中，該結構化區域外部的反射表面具有凹入的或凸出的曲面。該結構化區域只在共振器 鏡之以光軸為中心的區域上延伸。至少一表面區段相對於該結構化區域外部延伸的反射表面，偏移地配置著，該至少一表面區段具有曲面外形，其與其餘的反射表面之曲面外形不同。特別是，不同於其餘的反射表面，配置在該結構化區域的該至少一表面區段成平面地延伸。
依據此實施例之另一形式，該結構化區域具有至少二個互相偏移的表面區段，其成曲面地或成平面地延伸。設置此種實施形式以特別用於光學共振器，其在光軸的區域中具有穩定的中央部份區域，此中央部份區域在操作時承接類似於種子(seed)雷射的功能。為了形成此種共振器，例如須配置另一共振器鏡之平坦的區段，其以平面式平行方式配置在該共振器鏡之以光軸為中心的平面區域之對面。
在另一實施例中，該結構化區域由唯一的、在該共振器鏡之整個橫向範圍上於中央延伸的、以步級形式偏移地配置的表面區段來形成。換言之，該共振器鏡具有唯一的、相對於其餘的反射表面成肋條形式而凸出的區域或具有相對於其餘的反射表面成凹槽形式而凹入的區域，其在該共振器鏡之整個寬度上延伸。
本發明另外涉及一種雷射裝置，具有用作光學活性介質的氣體或氣體混合物，其引入至共振器中，該共振器正面係以多個反射元件為邊界。至少一反射元件形成為具有前述特徵的共振器鏡。有利地使用此種共振器鏡於此種雷射裝置中可直接由目前為止的描述和以下事實得知：氣體或氣體混合物，特別是一氧化碳(CO) 或二氧化碳(CO2)或含有CO或CO2之氣體混合物通常具有多個適合用於放大的頻帶。依據本發明，與波長相關的選擇係以下述方式進行：完整的建設性干擾只對預設的波長來進行。對所有其它的波長進行一種至少部份地破壞的干擾或進行一種使傳送方向改變的干擾，使與波長有關的共振器品質藉由額外的循環損耗而導入至待抑制的波長範圍中。
特別的是，該雷射裝置是帶狀導線雷射。用作光學介質之氣體或氣體混合物引入至光學共振器中，該光學共振器在側面是以二個互相以其平面側相面對而配置的、平板形式的電極作為邊界。該光學共振器更佳方式是在其正面上以多個反射元件作為邊界，以形成不穩定的共振器。
該些電極較佳是熱耦合至一種使冷卻流體循環的冷卻系統以使熱量排出。此種擴散式冷卻的雷射裝置具有以下優點：光學介質不必翻轉。由此另外可達成一種減輕的保養需求。此外，該冷卻系統設計成用於：用作光學活性介質的氣體或氣體混合物在雷射裝置的操作期間能可靠地被冷卻。於此，幾何上帶來的損耗在待抑制的波長範圍中所造成的、額外的熱載入量在相比較下是微不足道的，使熱載入量可靠地排出。該冷卻系統之冷卻功率的另外調整於此是不需要的。
共振器鏡可不冷卻或可冷卻。特別是對高功率上的應用而言，冷卻的共振器鏡是較佳的，其具有一個或多個冷卻通道以導引一種冷卻流體。
依據多個較佳的實施例，該雷射裝置是高功率雷射，其輸出功率是至少500瓦，特別的是大於1000瓦。
在一較佳的實施例中，光學活性介質包括二氧化碳(CO2)及/或一氧化碳(CO)。在含有二氧化碳的雷射裝置中，至少一具反射性之表面區段較佳地相對於在結構化區域外部延伸的反射表面以平行於光軸且大約偏移4.65微米或偏移大約4.65微米之整數倍的方式而配置著以便在9.3微米-頻帶中支撐雷射放大作用。在另一較佳的不同形式中，至少二個表面區段以平行於光軸且大約偏移4.65微米或偏移大約4.65微米之整數倍的方式而配置著，以便在9.3微米頻帶中支撐雷射放大作用。特定的有機材料，特別是合成材料，顯示在9.3微米的範圍中具有高的吸收性，使其在使用該波長的雷射束來加工此種材料時是有利的。
在其它的應用範例中，在9.6微米或10.3微米頻帶中進行選擇性的放大。於此，相對應地該至少一具反射性之表面區段相對於在結構化區域外部延伸的反射表面以偏移大約4.8微米或5.15微米或大約4.8微米或5.15微米之整數倍的方式而配置著。另一方式是，該結構化區域之至少二個表面區段亦可對應地偏移大約4.8微米，或5.15微米，或其整數倍而配置著。
較佳方式是，二個在正面形成該光學共振器邊界的反射元件形成為具有前述特徵的共振器鏡。此二個形成該光學共振器邊界的共振器鏡之結構化區域互相 面對而配置著且具有相同的或互補的結構。
以下將參考各圖來詳述本發明之可能的實施例。
1‧‧‧光學共振器
2‧‧‧雷射裝置
3‧‧‧電極
4‧‧‧共振器鏡
5‧‧‧結構化區域
6‧‧‧反射表面
7‧‧‧耦合視窗
8‧‧‧表面區段
18‧‧‧表面區段
28‧‧‧表面區段
38‧‧‧表面區段
48‧‧‧表面區段
58‧‧‧表面區段
68‧‧‧表面區段
A‧‧‧光軸
D‧‧‧距離
I‧‧‧徑向範圍
L‧‧‧總範圍
E1‧‧‧平面
E2‧‧‧平面
K‧‧‧構造面
第1圖係一形成為帶狀導線雷射之雷射裝置的光學共振器。
第2圖係依據本發明第一實施例一共振器鏡之結構化區域的俯視圖。
第3圖係第一實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第4圖係第一實施例之另一形式的曲面形之表面區段的外形之示意細部圖。
第5圖係依據本發明第二實施例一共振器鏡之結構化區域的俯視圖。
第6圖係第二實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第7圖係依據本發明第三實施例一共振器鏡之結構化區域的俯視圖。
第8圖係第三實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第9圖係依據本發明第四實施例一共振器鏡之結構化區域的俯視圖。
第10圖係第四實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第11圖係依據本發明第五實施例一共振器鏡之結構化區域的俯視圖。
第12圖係第五實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第13圖係依據本發明第六實施例一共振器鏡之結構 化區域的立體圖。
第14圖係第六實施例之結構化區域的示意剖面圖。
第15圖係依據第七實施例一具有結構化區域的共振器鏡之立體圖。
在所有圖式中，互相對應的零件都設有相同的參考符號。
第1圖示意地顯示一由帶狀導線雷射形成的雷射裝置2的光學共振器1之構造。光學共振器1在其平面側上以二個相面對的電極3為邊界。在雷射裝置2操作時在二個電極3之間，例如存在著高頻之交變場，其使引入至電極3之間的放電空間中的氣體或氣體混合物受到激發。在另一實施例中，對該氣體或氣體混合物進行直流電流激發，雷射裝置中該氣體或氣體混合物因此用作光學活性介質。
光學共振器1是共焦不穩定共振器，其對應地在正面以二個凹入的曲面共振器鏡4為邊界。共振器鏡4須形成曲面且配置成使放大的雷射束在多次循環之後，於側面上經由虛線所示的耦合視窗7而離開光學共振器1。共振器鏡4之曲面是旋轉拋物面。此種共振器鏡4之焦距典型上是在共振器長度的一半之範圍中，此焦距在負分支之共振器中等於共振器鏡4之多個焦距的和(sum)。該些焦距於此通常是在10公分至1公尺的範圍中。圖式未依比例繪出，特別是曲面大大地放大以便在第1圖中有更佳的顯示。
此種範例顯示的實施例中，二氧化碳在雷射放大時用作光學活性介質。二氧化碳具有多個適用於雷射放大之頻帶，其是在9.3微米、9.6微米、10.3微米和10.6微米之範圍中。在所示的應用情況下，應產生波長9.3微米之雷射束。光學共振器1具有一種與波長相關的共振器品質以抑制其它波長範圍中的模式。於此，二個在正面作為光學共振器1之邊界的共振器鏡4之一設有一結構化區域5，其只在該反射表面6之靠近光軸A的一小部份上延伸。
共振器鏡4由銅構成，其在中間的紅外線範圍中具有高反射性且另外具有良好的導熱率。雷射裝置2以擴散方式冷卻，即，電極3以未詳述的形式和方式熱耦合至一種使冷卻流體循環的冷卻系統。
在較佳的實施例中，二個共振器鏡4設有結構化區域5，其互相面對而配置著。該些結構化區域5更佳方式是相同地形成或具有互補的結構。在後者的情況下，對應於其中一共振器鏡4之凸出的表面區段，須於對面配置另一共振器鏡4之凹入的表面區段。
第2圖和第3圖顯示第一實施例中具有結構化區域5之共振器鏡4的一區段之俯視圖和剖面圖。所示的剖面之走向在第2圖中以III表示。
第一實施例之共振器鏡4具有結構化區域5，其具有多個具反射性之表面區段8，其互相之間且相對於在該結構化區域5外部延伸的反射表面6都是偏移地配置著。該些表面區段8相互之間的偏移是在平行於光軸A的 方向中進行。該些表面區段8具有圓環形-或圓板形的外形且以光軸A為中心。表面區段8和表面6具有一種在第2圖和第3圖中未詳細顯示的拋物形曲面且互相之間分別偏移一距離D，其等於待選擇的波長之一半。
該反射表面6和表面區段8之曲面外形互相對應，即，該反射表面6和表面區段8追隨相同的但平行偏移的構造面K，其外形示意地顯示在第4圖中。共振器鏡4或構造面K之曲面放大地被顯示。第4圖在程度上顯示第一實施例之微小變化的另一形式，使具反射性之表面區段8互相之間或相對於該反射表面6都加深地配置著。具反射性之表面區段8互相之間的距離D是預設的波長之一半，其應可符合共振條件，或該距離D是預設的波長之一半的整數倍，使只有具有該預設的波長之雷射束才可經歷完整的建設性干擾。
第2圖和第3圖中只以範例顯示的實施例中，應在9.3微米的範圍中選擇放大率，即，在此種情況下該距離D是大約4.65微米。共振器鏡之原樣應至少是待選擇的波長之二十分之一。較佳地，在此種具體的應用情況下，製程容許誤差小於±500奈米，特別是大約±250奈米。該反射表面6和互相偏移而配置的具反射性之表面區段8之間的距離等於距離D的整數倍，因此基本上是待選擇的波長之一半的整數倍。
第一實施例中，結構化區域5之步級形式的造形只具有三個相對於該反射表面6而凸出的表面區段8。其它的實施例中，表面區段的數目與此處不同。優先的 是有2至20個互相以步級形式偏移而配置的、具反射性的表面區段8。結構化區域5只在共振器鏡4之較小的、以光軸A為中心的區域上延伸。表面區段8之徑向範圍I較小，使結構化區域5在所示的實施例中構成該共振器鏡5之具反射性的總表面的至多30%。相對應地，該共振器鏡5之具反射性的總表面之至少70%是由在該結構化區域5外部延伸的反射表面6形成。
第5圖和第6圖顯示結構化區域5之第二實施例的俯視圖和剖面圖，其具有具反射性之表面區段18。第6圖中所示的剖面之走向在第5圖中以VI來表示。表面區段18以光軸A為中心而配置著。第二實施例之結構化區域5基本上對應於第一實施例者。
不同於第一實施例，具反射性之表面區段18交替地偏移配置著，使所有的反射面都只位於二個互相偏移了該距離D而平行的構造面中。該反射表面6和表面區段18之曲面外形互相對應，即，該反射表面6和表面區段18追隨二個相同的但平行地偏移的構造面。該距離D是預設的波長之一半，其應可符合共振條件，或該距離D是預設的波長之一半的整數倍，使只有具有該預設的波長之雷射束才可經歷完整的建設性干擾。
第5圖和第6圖之第二實施例中，例如只設有二個以凹槽形式加深的表面區段18。另一圓環形的表面區段18在由該反射表面6所界定的、曲形的平面之內部中延伸。表面區段18之數目和組態可與此處不同，較佳的實施例具有2至20個以凹槽形式加深的或以肋條凸起的 表面區段18。
第7圖和第8圖顯示結構化區域5之第三實施例的俯視圖和剖面圖，其具有具反射性之表面區段28。所示之剖面之走向在第7圖中以VIII來表示。
第三實施例之結構化區域5包括多個肋條形式的表面區段28，其互相平行而延伸且由該反射表面6凸出。就像其餘的實施例那樣，步級高度等於該距離D，該距離D是待選擇的波長之一半或其整數倍。在垂直於光軸A而延伸的平面中，肋條形式的表面區段28相互之間的距離對將達成的干擾效應而言只居次要地位且例如在為高功率CO2雷射而設置的共振器鏡4中該距離可在50微米至100微米的範圍中。
第9圖和第10圖顯示結構化區域5之第四實施例的俯視圖和剖面圖，其具有具反射性之表面區段38。所示之剖面之走向在第9圖中以X來表示。
第四實施例在某種概念上可視為第一實施例的不同形式且具有多個與光軸A同心而配置的表面區段38，其具有圓環形或圓板形的造形。為了方便於圖示，將共振器鏡4之凹入的曲面放大地顯示。
結構化區域5之該反射表面6之拋物形曲面和具反射性之表面區段38之曲面互相對應。第四實施例中，該反射表面6和具反射性之表面區段38以區段方式沿著旋轉拋物面而延伸，其相互之間以該距離D相對於光軸A而偏移地配置著。此外，表面區段38之橫向範圍須變化，使每一表面區段38完全位於二個互相成平面平行而延 伸的平面E1,E2之間，平面E1,E2分別垂直於光軸A而延伸。換言之，須選擇同心配置的表面區段38之寬度，使結構化區域5之整個表面結構位於平面E1,E2之間，其相互之間的距離D是預設的波長之一半或其整數倍。由此曲面形的平面中可知：表面區段38之徑向範圍或寬度隨著至光軸A之逐漸增大的距離而減小。
第11圖和第12圖顯示結構化區域5之第五實施例的俯視圖和剖面圖，其具有具反射性之表面區段48。所示之切面之走向在第11圖中以XII來表示。
第五實施例之結構化區域5中，只設置唯一的圓板形的表面區段48，其在一於徑向中圍繞該光軸A的區域上延伸。環繞式的反射表面6具有凹入的曲面，特別是球形的或拋物形的曲面，與此反射表面6不同，該表面區段48以不同的曲面延伸，特別是以平面延伸。第五實施例之共振器鏡4較佳是用於形成共振器組態，其中在光軸A的區域中形成穩定的部份區域。
第13圖和第14圖顯示結構化區域5之第六實施例的立體圖和剖面圖，其具有具反射性之表面區段58。
第六實施例包括一結構化區域5，其構成為階梯鏡面，即，設有多個具反射性之表面區段58，其互相平行而延伸且形成階梯結構，該階梯結構在橫向，即，基本上垂直於光軸A而延伸的方向單調地上升。步級相對於光軸之高度等於該距離D。因此，就像與第2圖和第3圖之第一實施例類似那樣，設有步級結構，其具有多個互相之間平行於光軸A而偏移之表面區段58。
第15圖顯示本發明之第七實施例的立體圖。第七實施例之結構化區域5只具有唯一的、相對於反射表面6成步級形式而凸出的表面區段68。此表面區段68在共振器鏡4之整個寬度上延伸。因此，不同於其他的實施例，該結構化區域5不限於徑向中環繞該光軸A的區域，反之，第七實施例之該結構化區域5具有橫向的總範圍，其等於共振器鏡4之寬度。成步級形式而凸出的表面區段68於中央經由共振器鏡4之寬度而延伸且平行於共振器空間之平面側而延伸。
各圖中的實施例的圖式未依比例繪出。特別地，為了方便於圖示，該反射表面6或具反射性之表面區段8,18,28,38,48,58,68之可能存在的曲面未繪出或放大地繪出。
本發明以上係參考優先的實施例來描述。然而，應理解本發明不限於所示實施例之具體構成。反之，對本發明技術領域內的專家而言，可依據說明書，在不偏離本發明之主要基本構想下，導出不同形式。

Claims (15)

  1. 一種用於雷射裝置(2)之光學共振器(1)的共振器鏡(4)，該雷射裝置(2)特別是氣體雷射或帶狀導線雷射，該雷射裝置(2)包括：一具有結構化區域(5)的反射表面(6)，該結構化區域(5)在該反射表面(6)之以光軸(5)為中心的區塊上延伸，該結構化區域(5)具有至少一具反射性之表面區段(8,18,28,38,48,58,68)，其相對於該結構化區域(5)外部延伸的反射表面(6)以平行於光軸(A)且偏移一預設的波長之一半或偏移該預設的波長之一半的整數倍的方式而配置著，或該結構化區域(5)具有至少二個表面區段(8,18,28,38,48,58,68)，其互相之間平行於光軸(A)且偏移一預設的波長之一半或偏移該預設的波長之一半的整數倍而配置著。
  2. 如請求項1之共振器鏡(4)，其中該反射表面(6)由寬頻帶反射金屬構成，特別是由金、銀、鉻、鎳、鋁、銅或鉬或由含有寬頻帶反射金屬之合金構成。
  3. 如請求項1或2之共振器鏡(4)，其中該結構化區域(5)之範圍限制於徑向中在光軸(A)周圍形成邊界的區域。
  4. 如請求項1至3中任一項之共振器鏡(4)，其中該反射表面(6)具有凹入的或凸出的曲面且配置在該結構化區域(5)中的表面區段(8,18,28,38,48,58,68)之至少一個具有一曲面，該曲面對應於該結構化區域(5)外部之反射表面(6)的曲面。
  5. 如請求項1至4中任一項之共振器鏡(4)，其中至少一表面區段(8,18,28,38,48,58,68)或至少二個表面區段 (8,18,28,38,48,58,68)具有步級形式的、肋條形式的、長方形的、正方形的、圓環形的、及/或圓板形的造形。
  6. 如請求項5之共振器鏡(4)，其具有多個，特別是三個或更多個圓環形的、及/或圓板形的表面區段(8,18,38,48)，其互相成同心地配置著且相互之間分別在平行於光軸(A)的方向中互相偏移了預設的波長之一半或偏移了該預設的波長之一半的整數倍而配置著。
  7. 如請求項6之共振器鏡(4)，其中所述表面(8,18,28,38,48,58,68)具有凹入的或凸出的曲面，其對應於所有配置在該結構化區域(5)中的表面區段(38)之曲面，且互相鄰接的表面區段(38)之徑向範圍(I)須依據該曲面來決定大小，使每一表面區段(38)都描繪出一種外形，其完全位在二個互相成平面式平行的平面(E1,E2)之間的居間區中，該些平面式平行的平面(E1,E2)垂直於光軸(A)而延伸且互相之間具有一種距離(D)，其等於預設的波長之一半或該預設的波長之一半的整數倍。
  8. 如請求項3之共振器鏡(4)，其中該結構化區域(5)外部的反射表面(6)具有凹入的或凸出的曲面，且至少一表面區段(8,18,28,38,48,58,68)相對於在該結構化區域(5)外部延伸的反射表面(6)偏移地配置著，該至少一表面區段具有一曲面外形，其與反射表面(6)之曲面外形不同，或至少二個互相偏移地配置的表面區段(8,18,28,38,48,58,68)具有一曲面外形，其與反射表面(6)之曲面外形不同。
  9. 如請求項1或2之共振器鏡(4)，其中該結構化區域(5)由唯一的、在該共振器鏡(4)之整個橫向範圍上於中央延伸的、以步級形式偏移地配置的表面區段(68)來形成。
  10. 一種雷射裝置(2)，具備用作光學活性介質之氣體或氣體混合物，其引入至光學共振器(1)中，該光學共振器(1)正面係以多個反射元件為邊界，此雷射裝置(2)之特徵為：在該光學共振器(1)正面形成邊界的至少一反射元件形成為如請求項1至9中任一項之共振器鏡(4)。
  11. 如請求項10之雷射裝置(2)，其中用作光學活性介質之氣體或氣體混合物引入至光學共振器(1)中，該光學共振器(1)在側面是以二個互相以其平面側相面對而配置的、平板形式的電極(3)作為邊界。
  12. 如請求項10或11之雷射裝置(2)，其中該光學共振器在其正面上以多個反射元件作為邊界，以形成不穩定的共振器。
  13. 如請求項10至12中任一項之雷射裝置(2)，其中該光學活性介質包括一氧化碳及/或二氧化碳。
  14. 如請求項10至12中任一項之雷射裝置(2)，其中該光學活性介質包括二氧化碳且至少一具反射性的表面區段(8,18,28,38,48,58,68)相對於在結構化區域(5)外部延伸的反射表面(6)，以平行於光軸(A)且大約偏移4.65微米、4.8微米或5.15微米或偏移大約4.65微米、4.8微米或5.15微米之整數倍的方式而配置著以便 在9.3微米頻帶、9.6微米頻帶或10.3微米頻帶中支撐雷射放大作用，或至少二個表面區段(8,18,28,38,48,58,68)以平行於光軸(A)且大約偏移4.65微米、4.8微米或5.15微米或偏移大約4.65微米、4.8微米或5.15微米之整數倍的方式而配置著以便在9.3微米頻帶、9.6微米頻帶或10.3微米頻帶中支撐雷射放大作用。
  15. 如請求項10至14中任一項之雷射裝置(2)，其中二個在正面形成該光學共振器(1)邊界的反射元件形成為如請求項1至9中任一項之共振器鏡(4)，此二個共振器鏡(4)之結構化區域互相面對而配置著且具有相同的或互補的結構。
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