TW201816492A - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種用於液晶顯示器具有多域垂直排列之畫素結構，包含具有負介電異向性常數之液晶分子之多個畫素。對每個畫素而言，每個畫素電極以及每個共用電極分割為至少N個對應的區域，且每個區域係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。畫素電極之每個區域之方向性奈米線柵偏光圖案具有第一延伸方向。共用電極之每個區域之方向性奈米線柵偏光圖案具有第二延伸方向，第二延伸方向實質上垂直於對應之第一延伸方向。當畫素電極由電壓差驅動時，方向性奈米線柵偏光圖案作用為偏光片。

Description

畫素結構
本揭露係有關於液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)技術，更具體而言，係有關於具有使用方向性奈米線柵偏光圖案(nanowire grid polarizer,NWGP)並具有多域垂直排列(multiple domain vertical aligment)模式之畫素結構之液晶顯示器，其中各區域之方向性奈米線柵偏光圖案的光軸各不相同。
此處提供的先前技術，總體上乃為發表本揭露的內容。在先前技術的段落中，若描述到本揭露發明人之成果，則其相關描述不應被認定為申請日時之先前技術，於此描述並非默認或暗示其為有關本揭露之先前技術。
目前，液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)為常用的顯示裝置。液晶顯示器可以在低耗電的情形下顯示出良好的影像品質，因此常被當作使用電池之電子裝置的顯示器，諸如膝上型電腦、行動電話、數位相機以及其他可攜式裝置。
在垂直排列(vertical aligned,VA)液晶顯示器中，畫素結構係由負液晶材料(negative liquid crystal material)以及垂直配向膜形成。當未施加電壓時，液晶分子沿垂直方向排列，而液晶顯示器顯示黑屏。另一方面，當施加一預設電壓時，液晶分子沿著水平方向排列，而液晶顯示器顯示白屏。VA液晶顯示器提供之顯示對比度高於扭向(twisted nematic,TN)液晶顯示器所提供之對比度，且VA液晶顯示器之響應時間亦相對快速。VA液晶顯示器亦提供全黑或全白顯示器絕佳的可視角度。VA液晶顯示器因此成為液晶顯示器中一個備受矚目的新風尚。
然而，VA液晶顯示器之畫素結構在彩色濾光基板上需要有一層突出層(或凸塊層)將液晶層分割為多個區域，以避免在有效視角之外(off-viewing angle)出現灰階轉換(gray scale inversion)。然由於偏光片的偏光軸角度是固定的，很大部分的液晶和偏光軸夾角非較佳角度，造成液晶顯示器的低透光率。
因此，綜自古迄今本領域中之缺陷與不足，克服上述問題之需求不言可喻。
本揭露之一面向有關於一種畫素結構，包含第一基板、第二基板以及液晶層。第一基板與第二基板兩者彼此分隔。液晶層設置於第一基板以及第二基板之間，並具有複數個液晶分子。在一些實施方式中，液晶層定義出複數個畫素，其中每一畫素包含畫素電極、共用電極、薄膜電晶體以及突出物。畫素電極設置於第一基板上並面朝液晶層，其中畫素電極 分割為N個第一區域，N為大於或等於8之正整數。共用電極設置於第二基板上並面朝液晶層，其中共用電極分割為N個第二區域，共用電極之N個第二區域之每一者沿著垂直於第一基板之垂直方向對應至畫素電極之N個第一區域中之一對應者，其中畫素電極之N個第一區域之每一者以及共用電極之N個第二區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。畫素電極之N個第一區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有實質上垂直於垂直方向之第一延伸方向，其中N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向係互不相同，第一區域中之兩相鄰者各自之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向夾了約(360/N)度角。共用電極之N個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案具有實質上垂直於垂直方向之第二延伸方向，且第二延伸方向垂直於畫素電極中對應之第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。薄膜電晶體設置於第一基板上，具有閘極、源極以及汲極，其中薄膜電晶體之汲極電性連接至畫素電極之N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案。突出物設置於共用電極上，並面朝液晶層，其中共用電極之N個第二區域繞著突出物設置。當畫素電極以及共用電極由薄膜電晶體提供之電壓差驅動時，N個第一區域以及N個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案作用為複數個偏光片。
在一些實施方式中，每一畫素進一步包含彩色濾光層以及黑色矩陣。彩色濾光層設置於第二基板以及共用電極之間。黑色矩陣設置於第二基板上面朝液晶層，且黑色矩陣位於畫素之間，且於垂直第一基板方向上黑色矩陣和方向性奈米 線柵偏光圖案不重疊。
在一些實施方式中，方向性奈米線柵偏光圖案之線柵間距不大於200奈米。
在一些實施方式中，液晶層沿著垂直方向之厚度介於2~5微米，且突出物具有寬度以及高度，寬度介於5~15微米而高度介於1.0~1.4微米。
在一些實施方式中，每一畫素進一步包含：儲存電容電極以及鈍化層。儲存電容電極設置於第一基板以及畫素電極之間。鈍化層設置於儲存電容電極以及畫素電極之間，其中儲存電容電極係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。
在一些實施方式中，儲存電容電極被分為N個第三區域，儲存電容電極之N個第三區域之每一者沿著垂直方向對應至畫素電極之N個第一區域中之對應者。儲存電容電極之N個第三區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。儲存電容電極之N個第三區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第三延伸方向，第三延伸方向與畫素電極中對應之第一區域之第一延伸方向相同。
在一些實施方式中，液晶層之液晶分子具有負介電常數異向性。
在一些實施方式中，本揭露之另一面向提供一種液晶顯示器的畫素結構。在一些實施方式中，畫素結構，包含第一基板、第二基板以及液晶層。第一基板以及第二基板彼此分隔。液晶層設置於第一基板以及第二基板之間並具有複數個液晶分子。在一些實施方式中，液晶層定義出複數個畫素，且 每一畫素包含兩個次畫素，其中每一畫素包含畫素電極、共用電極、兩個薄膜電晶體以及兩個突出物。畫素電極，設置於第一基板上並面朝該液晶層，其中畫素電極包含兩個次畫素電極，且兩個次畫素電極之每一者分割為N個第一區域，使得畫素電極包含2*N個第一區域，N為大於或等於8之正整數。共用電極設置於第二基板上並面朝液晶層，其中共用電極分割為2*N個第二區域，每一共用電極之2*N個第二區域沿著實質上垂直於第一基板之垂直方向對應至畫素電極之2*N個第一電極之一對應者，其中畫素電極之2*N個第一區域之每一者以及共用電極之2*N個第二區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。畫素電極之2*N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之每一者具有實質上垂直於垂直方向之第一延伸方向，其中兩個次畫素電極中之每一者之N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向彼此不同，且對兩個該些次畫素電極之每一者之N個第一區域中之一者而言，該者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向與兩相鄰之第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向各夾約(360/N)度角。共用電極之2*N個第二區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第二延伸方向，第二延伸方向實質上垂直於垂直方向以及畫素電極之第一區域之一對應者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。兩個薄膜電晶體設置於第一基板上，各自具有閘極、源極以及汲極，其中兩個薄膜電晶體之汲極各自電性連接至兩個次畫素電極之N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案。兩個突出物設置於共用電極上並面朝液晶層，其 中共用電極之2*N個第二區域分為兩群圍繞兩個突出物設置。其中當畫素電極以及共用電極由兩個薄膜電晶體所提供之電壓差驅動時，2*N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案以及2*N個第二區域作用為偏光片，使得介於2*N個第一區域以及對應之第二區域之間之液晶分子的方向與第一延伸方向夾約360/N度角，而與第二延伸方向夾約360/N度角。
在一些實施方式中，每一畫素進一步包含儲存電容電極以及鈍化層。儲存電容電極設置於第一基板以及畫素電極之間。鈍化層設置於儲存電容電極以及畫素電極之間，其中儲存電容電極由方向性奈米線柵偏光圖案形成。儲存電容電極分割為2*N個第三區域，儲存電容電極之2*N個第三區域之每一者沿著垂直方向對應至畫素電極之2*N個第一區域之一對應者。儲存電容電極之2*N個第三區域之方向性奈米線柵偏光圖案具有第三延伸方向，第三延伸方向相同於畫素電極之第一區域之一對應者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。
本揭露之又一面向有關一種液晶顯示器之畫素結構。在一些實施方式中，畫素結構包含第一基板、第二基板以及液晶層。第一基板以及第二基板彼此分隔。液晶層設置於第一基板以及第二基板之間並具有複數個液晶分子，液晶層定義出複數個畫素，其中每一畫素包含畫素電極、共用電極以及突出物。畫素電極設置於第一基板上並面朝液晶層，其中畫素電極分割為N個第一區域，N為大於或等於8之正整數。共用電極設置於第二基板上並面朝液晶層，其中共用電極分割為N個第二區域，共用電極之每一N個第二區域沿著實質上垂直於第 一基板之垂直方向對應至畫素電極之N個第一區域之一對應者。突出物位於共用電極上並設置以引導由畫素電極以及共用電極驅動之液晶分子以使液晶分子展示出至少N個不同傾斜方向，其中畫素電極之該N個第一區域之每一者以及共用電極之N個第二區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。其中畫素電極之N個第一區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向係實質上垂直於共用電極之N個第二區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向。其中對於畫素電極之N個第一區域之每一者而言，方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向與畫素電極之每兩個相鄰之第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向夾約360/N度角。其中對於共用電極之N個第二區域之每一者而言，方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向與共用電極之每兩個相鄰之第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向各夾約360/N度角。
在一些實施方式中，突出物位於共用電極上且大略為一圓點狀。
在一些實施方式中，每一畫素進一步包含儲存電容電極以及鈍化層。儲存電容電極設置於第一基板上並面朝第二基板。鈍化層設置於儲存電容電極以及畫素電極之間，其中儲存電容電極係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。在一些實施方式中，儲存電容電極分割為N個第三區域，儲存電容電極之N個第三區域之每一者對應至畫素電極之N個第一區域之一對應者。儲存電容電極之N個第三區域之每一者係由方向性奈米 線柵偏光圖案形成。儲存電容電極之N個第三區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第三延伸方向，第三延伸方向相同於畫素電極之第一區域之一對應者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。
在一些實施方式中，對於畫素電極之N個第一區域之每一者，共用電極之第二區域之一對應者具有之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向實質上垂直於第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向，第二區域直接面朝該畫素電極之第一區域。
有關本揭露之又一面向有關於一種液晶顯示器，其使用了上述之畫素結構。在一些實施方式中，液晶顯示器可為具有多域垂直排列模式之液晶顯示裝置。
有關本揭露之以上及其他面向，配合圖式以及後續說明將顯而易懂。然可在不背離本揭露之精神與範疇下於其中做出多種變化及更動。
100、400、500、700、800、900‧‧‧畫素結構
110、410、510、710、910‧‧‧第一基板
112‧‧‧突出物
120、420、520、720、920‧‧‧第二基板
122、422、522、722、822、922‧‧‧突出物
130、530、730、930‧‧‧液晶層
132、432、532、732、932‧‧‧液晶分子
402、802‧‧‧資料線
404、804‧‧‧閘極線
415‧‧‧高開口率層
425、725、925‧‧‧彩色濾光層
432‧‧‧液晶分子
440、540、740、840、940‧‧‧畫素電極
450、550、750、850、950‧‧‧共用電極
470‧‧‧主要狹縫
480、780、880、980‧‧‧電晶體
560‧‧‧線性偏光片
562‧‧‧聚乙烯醇膜
564‧‧‧三醋酸纖維素膜
600‧‧‧方向性奈米線柵偏光圖案
660‧‧‧金屬線柵
712、912‧‧‧閘極絕緣層
715、915‧‧‧鈍化層
718、918‧‧‧平坦層
728、928‧‧‧黑色矩陣
735、935‧‧‧光間隔物
770、970‧‧‧儲存電容電極
782、982‧‧‧閘極層
784、984‧‧‧源極
786、986‧‧‧汲極
788、988‧‧‧通道層
d‧‧‧距離
w‧‧‧寬度
h‧‧‧高度
s‧‧‧空間
P‧‧‧間距
第1圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構於(a)關閉狀態以及(b)開啟狀態的立體圖。
第2圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構之剖面圖。
第3圖依據本發明之一些實施方式示意性地繪示具有多域 垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構中液晶分子方向之俯視圖。
第4A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構的俯視圖。
第4B圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構在關閉狀態之剖面圖。
第4C依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構在開啟狀態之剖面圖。
第5A圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器的畫素結構之剖面圖。
第5B圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示第5A圖中之液晶顯示器的畫素結構之液晶分子之俯視圖。
第5C圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示線性偏光片之剖面圖。
第5D圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示液晶分子與線性偏光片所夾角度為(a)45度、(b)22.5度以及(c)0度時的示意圖。
第5E圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示在第5D圖中之液晶分子之穿透率與電壓之關係圖。
第5F圖繪示依據本揭露一些實施方式之液晶顯示器之畫素結構之穿透率的照片。
第6圖依據本揭露之一些實施方式繪示方向性奈米線柵偏光圖案。
第7A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多 域垂直排列模式之液晶顯示器中採用方向性奈米線柵偏光圖案作為電極的剖面圖。
第7B圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示第7A圖中所示之液晶顯示器的畫素結構之共用電極以及畫素電極之多個區域的俯視圖。
第7C圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示第7A圖中液晶顯示器之畫素結構之液晶分子之俯視圖。
第8A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示液晶顯示器之畫素結構之畫素電極與共用電極之多個區域的俯視圖。
第8B圖為依據本揭露一些實施方式示意性地繪示液晶顯示器之畫素結構之俯視圖，其中畫素分割為兩個次畫素。
第9A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示使用方向性奈米線柵偏光圖案作為電極並具有多域垂直排列模式之液晶顯示器的畫素結構之剖面圖。
第9B圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示如第9A圖中所示之液晶顯示器的畫素結構之液晶分子之俯視圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。並且，除非有其他表示， 在不同圖式中相同之元件符號可視為相對應的元件。這些圖式之繪示是為了清楚表達這些實施方式中各元件之間的連接關係，並非繪示各元件的實際尺寸。
本揭露之一面向係有關於液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)之畫素結構。在一些實施方式中，畫素結構包含：第一基板、第二基板以及液晶層；第一基板與第二基板彼此分隔，液晶層設置於第一基板與第二基板之間，液晶層具有液晶分子，而液晶分子帶有負介電異向性常數(negative dielectric anisotropy constant)。在一些實施方式中，液晶層定義出多個畫素，且每一個畫素包括：畫素電極、共用電極、以及至少一個突出物；畫素電極設置在第一基板上並面朝液晶層，其中畫素電極分割為N個第一區域，N為大於或等於8之正整數；共用電極設置於第二基板上並面朝液晶層，其中共用電極分割為N個第二區域，共用電極之N個第二區域中之每一者沿著一實質上垂直於第一基板的垂直方向對應至畫素電極之N個第一區域中之一對應者，其中：畫素電極之N個第一區域中之每一者以及共用電極之N個第二區域中之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案(nanowire grid polarizer,NWGP)(又或稱奈米線柵偏光片)形成，畫素電極之N個第一區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有實質上垂直於該垂直方向之第一延伸方向，其中N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向彼此不同，且共用電極之N個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案具有第二延伸方向，第二延伸方向實質上垂直於該垂直方向且垂直於畫素電 極之第一區域中一對應者之第一延伸方向；至少一個突出物設置於共用電極上並面朝畫素電極，其中共用電極之N個第二區域環繞設置於該至少一個的突出物。在一些實施方式中，當由電壓差驅動畫素電極以及共用電極時，N個第一區域以及N個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案作用為偏光片，使得介於N個第一區域以及對應之N個第二區域之間之液晶分子的方向約與第一延伸方向夾360/N度角，並約與第二延伸方向夾360/N度角。於一實施例當N等於8時，即使得介於N個第一區域以及對應之N個第二區域之間之液晶分子的方向約與第一延伸方向夾45度角，並約與第二延伸方向夾45度角。
如上所述，垂直排列(vertically aligned,VA)液晶顯示器之畫素結構係由負液晶材料(negative liquid crystal material)以及垂直配向膜所形成。舉例而言，第1圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示於(a)關閉狀態以及(b)開啟狀態具有多域(multi-domain)垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構的立體圖。如第1圖所示，畫素結構100包含兩個基板，稱為第一基板110以及第二基板120，且兩者分隔形成。突出物112(或凸塊)設置於第一基板110上，突出物122(或凸塊)設置於第二基板120上。進一步而言，液晶層130設置於第一基板110以及第二基板120之間，其包含具有負介電異向性常數之液晶分子132。當液晶顯示器之畫素結構100處於關閉狀態時，如第1圖(a)所示，液晶分子132之方向實質上為垂直方向，其使得畫素結構100之顯示出黑屏。另一方面，當施加預設電壓驅動畫素結構100至開啟狀態時，如第1 圖(b)所示，液晶分子132旋轉以對齊一傾斜方向，而畫素結構100顯示出白屏。
應特別注意，突出物112以及突出物122基本上將液晶層130分割為多個區域以避免有效視角外(off-viewing axis)產生灰階轉換(gray scale inversion)。第2圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構100之剖面圖。如第2圖所示，畫素結構100中有多個區域控制參數，包含第一基板110與第二基板120間之距離d、突出物112與突出物122之寬度w與高度h、以及突出物112與突出物122間之空間s的水平距離。
第3圖依據本發明之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構100中液晶分子132方向之俯視圖。特定而言，第3圖繪示了突出物112與突出物122ㄑ字形的線對齊排列方式，使得液晶層130分割為多個區域，而位於每一該些區域中之液晶分子132可沿不同方向排列(方向A、B、C與D)。
在一些實施方式中，提出不同種用於液晶顯示器之多域畫素結構。第4A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構400的俯視圖。第4B圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構400在關閉狀態之剖面圖。第4C依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器之畫素結構400在開啟狀態之剖面圖。如第4A-4C圖所示，畫素結構400包含對應之 資料線402以及對應之閘極線404，並提供電晶體480。在一些實施方式中，電晶體480為薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)。進一步而言，畫素結構400包含兩個基板，稱為第一基板410與第二基板420，兩者彼此分隔設置。在第一基板410上(繪示於第4B、4C圖的底部)，高開口率(ultra-high aperture,UHA)層415可選擇性地設置於第一基板410上，以及多個畫素電極440可設置於高開口率層415上，並在其間形成主要狹縫470。在第二基板420上(繪示於第4B圖與第4C圖頂部)，彩色濾光層425設置於第二基板420上，並且共用電極450設置於彩色濾光層425上。多個突出物422(或凸塊)可形成於共用電極450上。在一些實施方式中，每一突出物422可位於共用電極450上，且可為圓點狀(dot shape)，或約略為圓點狀。在一些實施方式中，畫素電極440以及共用電極450可分別由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)或其他透明電極材料形成。如第4B圖所示，當畫素結構400處於關閉狀態時，液晶分子432之方向實質上為垂直方向，使得光線(第4B圖中由虛線箭號所示)無法穿過偏光片，因為液晶分子432並未將光線之偏光方向調整為適當的狀態，其造成畫素結構100顯示出黑屏。另一方面，如第4A、4C圖所示，當施加一預設電壓差V(預設電壓V大於閥值電壓Vth)以驅動畫素結構400進入開啟狀態時，液晶分子432旋轉以傾斜至一實質上水平的方向，使得光線(如第4C圖中虛線箭號所示)被液晶分子432極化為適當的狀態而得以穿過偏光片，畫素結構400因此顯示出白屏。
在一些實施方式中，液晶顯示器可使用線性偏光 膜。第5A圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器的畫素結構500之剖面圖，而第5B圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示第5A圖中之液晶顯示器的畫素結構500之液晶分子532之俯視圖。如第5A圖中所示，畫素結構500包含兩個基板，稱為第一基板510以及第二基板520，兩者彼此分隔形成。畫素電極540可設置於第一基板510上，且共用電極550可設置於第二基板520上，彼此面對。液晶層530設置於畫素電極540以及共用電極550之間。進一步而言，兩個線性偏光片560提供於第一基板510以及第二基板520兩面基板外側以控制光的偏振方向。如第5B圖所示，液晶層530之液晶分子532沿著突出物522環繞對齊。第5C圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示線性偏光片560之剖面圖。如第5C圖所示，線性偏光片560為一方向性偏光膜，其可由一個聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)膜562夾於兩個三醋酸纖維素(triacetyl cellulose,TAC)膜564之間形成。
然而，在如第5A、5B圖所示的畫素結構500中，在突出物522附近不同位置之液晶分子532可與線性偏光片560夾有不同角度。第5D圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示液晶分子532與線性偏光片560所夾角度為(a)45度、(b)22.5度以及(c)0度時的示意圖。第5E圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示在第5D圖中之液晶分子532之穿透率與電壓之關係圖。如第5D圖所示，兩個線性偏光片560可設置為彼此垂直，其中一者朝向0度，另一者朝向90度。液晶分子532之方向可以改變。如第5E圖所示，當對液晶分子532施加電壓 時，和線性偏光片560夾45度角的液晶分子532的區域穿透率較高，和線性偏光片560夾22.5度角的液晶分子532的區域穿透率較低，和線性偏光片560夾0度角的液晶分子532的區域穿透率更低。
第5F圖繪示依據本揭露一些實施方式之液晶顯示器之畫素結構500之穿透率的照片。如第5F圖所示，與偏光軸夾45、135、225以及315度的方向穿透率最好。然而，在與偏光軸夾0、90、180以及270度的方向穿透率幾乎為0，且照片在這些方向顯示出明顯暗區。換句話說，有關這些偏光軸方向之區域具有低穿透率。
為彌補此瑕疵，本揭露之特定面向係有關於一種液晶顯示器，具有使用方向性奈米線柵偏光圖案600的畫素結構並具有多域垂直排列模式，其中方向性奈米線柵偏光圖案600之光軸在各區域中不同。第6圖依據本揭露之一些實施方式繪示方向性奈米線柵偏光圖案600。如第6圖所示，方向性奈米線柵偏光圖案600由金屬線柵660形成，更明確而言可為鋁線柵，其具有間距P，且每一線柵具有高度H與寬度W。當光線入射至方向性奈米線柵偏光圖案600上時，橫向電場的光(transverse electric field,TE field，即沿著鋁線方向極化之光線)被反射，而橫向磁場的光(transverse magnetic field,TM field，即垂直鋁線方向極化之光線)則通過。鋁線之間距P須為次波長(subwavelength)級，舉例而言，當入射光波長為λ，鋁線之間距P則小於λ/2。換句話說，以可見光而言，方向性奈米線柵偏光圖案600之線柵間距P不大於200nm。
第7A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示具有多域垂直排列模式之液晶顯示器中採用方向性奈米線柵偏光圖案作為電極的剖面圖，第7B圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示第7A圖中所示之液晶顯示器的畫素結構700之共用電極750以及畫素電極740之多個區域的俯視圖，而第7C圖依據本揭露一些實施方式示意性地繪示第7A圖中液晶顯示器之畫素結構700之液晶分子732之俯視圖。
請參照第7A-7C圖，畫素結構700包含兩個基板，稱為第一基板710與第二基板720，兩者彼此分隔設置。液晶層730設置於第一基板710與第二基板720之間。如第7C圖所示，液晶層730包含具有負介電異向性常數之液晶分子732。
請再參照第7A圖，在第一基板710上，形成儲存電容電極770以及畫素電極740。特定來說，儲存電容電極770設置於第一基板710上並面朝液晶層730，鈍化層715設置於畫素電極740與儲存電容電極770之間，使得畫素電極740與儲存電容電極770電性絕緣。在一些實施方式中，平坦層718設置於鈍化層715與畫素電極740之間。於一實施例中，平坦層718可為樹脂層。於一實施例中，平坦層718可為前述之高開口率層。
進一步而言，電晶體780設置於第一基板710上。如第7A圖所示，電晶體780為薄膜電晶體，其包含閘極層782、源極784以及汲極786。閘極絕緣層712設置於閘極層782與源極784之間以及汲極786與通道層788之間。在一些實施方 式中，通道層788可為，舉例而言，非晶矽層、低溫多晶矽層(low-temperature polycrystalline silicon,LTPS)或金屬氧化物半導體層。電晶體780之汲極786電性連接至畫素電極740。於此實施例中，以底閘極薄膜電晶體為例，然不以此為限，於其他實施例中，例如亦可以為頂閘極或是雙閘及薄膜電晶體。
另一方面，第二基板720上設置有彩色濾光層725、黑色矩陣728以及共用電極750。特定而言，彩色濾光層725設置於第二基板720上朝向液晶層730，共用電極750設置於彩色濾光層725上。黑色矩陣728朝向液晶層730設置於第二基板720上，且黑色矩陣728位於液晶層730所定義出之複數個畫素之間，且於垂直第一基板710方向上黑色矩陣728和方向性奈米線柵偏光圖案不重疊。在一些實施方式中，彩色濾光層725可為紅綠藍彩色濾光層。在一些實施方式中，彩色濾光層725可設置於畫素電極740與鈍化層715之間。進一步而言，突出物722設置於共用電極750和液晶層730之間。進一步而言，光間隔物735設置於彩色濾光層725與平坦層718之間。
如第7B圖所示，每一畫素電極740以及共用電極750分割為多個區域，且每個區域由方向性奈米線柵偏光圖案形成。舉例而言，如第7B圖中所示的畫素結構700相近於第4A圖中所示者，其畫素結構700包含兩個區域。對每個區域而言，畫素電極740與共用電極750各自分割為8個環繞突出物722的對應區域，其中共用電極750之每個區域沿著畫素結構700之垂直方向(舉例而言，如第7A圖中的垂直方向)對應至畫 素電極740之一對應區域，且每一區域由方向性奈米線柵偏光圖案形成。作為區別，畫素電極740之區域稱為第一區域，共用電極750之區域稱為第二區域。如第7B圖中所示，畫素電極740之8個第一區域每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第一延伸方向，第一延伸方向實質上垂直於畫素結構700之垂直方向(舉例而言，如第7A圖中的垂直方向)。8個第一區域每一者之方向性奈米線柵偏光圖案的第一延伸方向彼此不同。舉例而言，對畫素電極740之8個第一區域之每一者而言，其方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向約與兩鄰近之第一區域之第一延伸方向各自夾有45度角。另一方面而言，共用電極750之8個第二區域每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第二延伸方向，第二延伸方向實質上垂直於畫素結構700之垂直方向，且實質上垂直於畫素電極740之對應第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案的第一延伸方向。第7C圖更清楚的繪示方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向與第二延伸方向，其中畫素電極740之每個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向標為「下」，而共用電極750之每個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向標為「上」。
如第7C圖中所示，當借由電晶體780驅動畫素電極740，使畫素電極740與共用電極750間形成電壓差時，畫素電極740之8個第一區域的方向性奈米線柵偏光圖案與共用電極750之8個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案作用，因此可驅動液晶層730之液晶分子732，使得8個第一區域及對應之第二區域之間之液晶分子732與第一延伸方向(「下」)夾約45 度角，且與第二延伸方向(「上」)夾約45度角。在此例中，液晶分子732之方向與偏光片(舉例而言，方向性奈米線柵偏光圖案)之對應光軸之間夾約22.5~45度角以使大部分區域維持高穿透率。應注意，在一些實施方式中，液晶方向係由突出物722引導且逐漸改變，而不是劇烈改變。也就是說，並不會如圖所繪一般具有絕對的液晶方向之邊界。
如上所述，對共用電極750以及畫素電極740之每個對應區域而言，共用電極750之8個第二區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向實質上垂直於畫素電極740之對應第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。應注意，「實質上垂直」此用語乃表示第一延伸方向並不須與第二延伸方向總是絕對垂直。在一些實施方式中，舉例而言，共用電極750之8個第二區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向可與畫素電極740之對應第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向形成實質上垂直的角度，且此實質上垂直的角度可介於80度至100度之間。
在一些實施方式中，畫素電極740與共用電極750之區域數目可大於8。第8A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示液晶顯示器之畫素結構800之畫素電極840與共用電極850之多個區域的俯視圖，而第8B圖為依據本揭露一些實施方式示意性地繪示液晶顯示器之畫素結構800之俯視圖，其中畫素分割為兩個次畫素。如第8A圖與第8B圖中所示，畫素結構800展示了一個畫素分割為兩個分離的次畫素，一個次畫素 在上方而另一個在下方。如第8A圖中所示，兩個次畫素共用一資料線802，且兩個次畫素皆具有一對應之電晶體880以及對應之閘極線804，且具有對應之次畫素電極840。換句話說，畫素結構800包含兩個次畫素電極840，各自可由不同之電晶體880接收資料訊號。如第8A圖所示，兩個次畫素電極840皆分割為8個第一區域，使得畫素結構800包含有一共16個第一區域。類似地，共用電極850亦包含16個對應之第二區域。畫素結構800之16個第一區域之每一者以及共用電極850之16第二區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成。畫素電極840之16個第一區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第一延伸方向，第一延伸方向實質上垂直於液晶顯示器之垂直方向(舉例而言，如第8A圖中之垂直方向)，且對於兩個次畫素電極840之每一者而言，次畫素電極840中之8個第一區域每一者之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向各自不同。更精確而言，對於兩個次畫素電極840之每一者之8個第一區域之每一者而言，第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向與兩相鄰之第一區域之第一延伸方向各自約夾45度角。共用電極850之16個第二區域每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第二延伸方向，第二延伸方向實質上垂直於垂直方向且垂直於對應之畫素電極840之第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。如第8B圖中所示，提供兩個突出物822設置於共用電極850上，且共用電極850之16個第二區域分為兩組環繞兩個突出物822設置。兩個突出物822皆可為圓點狀。
在一些實施方式中，為了增進液晶顯示器之影像品質，可提供儲存電容電極於每個畫素中以形成儲存電容。然而，因為儲存電容電極不透明，畫素之開口率(aperture ratio)會下降，造成較差之畫素品質。為了改善此瑕疵，可設置方向性奈米線柵偏光圖案為儲存電容電極，且此作為儲存電容電極之方向性奈米線柵偏光圖案具有平行於液晶顯示器底部偏光片之光軸。
第9A圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示使用方向性奈米線柵偏光圖案作為電極並具有多域垂直排列模式之液晶顯示器的畫素結構900之剖面圖，第9B圖依據本揭露之一些實施方式示意性地繪示如第9A圖中所示之液晶顯示器的畫素結構900之液晶分子932之俯視圖。更特定而言，如第9A圖中所示之畫素結構900與第7A圖中所示之畫素結構700相同，除了於第9A圖在多域結構中所示之儲存電容電極970。畫素結構700中之元件符號增加200即對應至畫素結構900中之元件符號，於此不再重複敘明。舉例而言，儲存電容電極970分割為多個第三區域，且每個儲存電容電極970之第三區域沿著畫素結構900之垂直方向(舉例而言，如第9A圖中所示之垂直方向)對應至畫素電極940之第一區域之一對應者。儲存電容電極970之第三區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成，且儲存電容電極970之第三區域之每一者之方向性奈米線柵偏光圖案具有第三延伸方向，其相同於畫素電極940之對應第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向。第9B圖中更清楚的繪示了每個方向性奈米線柵偏光 圖案之第一、第二以及第三延伸方向，其中畫素電極940之每個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第一延伸方向標示為「下」，共用電極950之每個第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第二延伸方向標示為「上」，而儲存電容電極970之每個第三區域之方向性奈米線柵偏光圖案之第三延伸方向標示為「Cst」。如第9B圖中所示，就每一個對應之區域而言，第一延伸方向(「下」)與第三延伸方向(「Cst」)相同。
在一些實施方式中，有多種參數可對液晶顯示器之區域進行控制，包含基板之間之距離d、寬度w以及突出物之高度h。舉例而言，液晶層930沿著垂直方向之厚度可為約略3.5微米，而突出物922可具有約為10微米之寬度以及1.2微米之高度。在一些實施方式中，液晶層930沿著垂直方向之厚度介於2~5微米，而突出物922可具有介於5~15微米之寬度以及1.0~1.4微米之高度。
有關本發明之前述例示性實施方式之描述僅為用以說明，而說明內容並未窮舉本發明之所有態樣，或限制本發明須與揭露內容完全一致。可鑒於上述教示做出多種更動與變化。因此，附加之請求項應依據最寬之解釋以涵蓋所有此類更動及近似佈置。

Claims (21)

  1. 一種畫素結構，包含：一第一基板以及一第二基板，兩者彼此分隔；以及一液晶層，設置於該第一基板以及該第二基板之間，並具有複數個液晶分子，該液晶層定義出複數個畫素，其中每一該些畫素包含：一畫素電極，設置於該第一基板上並面朝該液晶層，其中該畫素電極分割為N個第一區域，N為大於或等於8之正整數；一共用電極，設置於該第二基板上並面朝該液晶層，其中該共用電極分割為N個第二區域，該共用電極之該N個第二區域之每一者沿著垂直於該第一基板之一垂直方向對應至該畫素電極之該N個第一區域中之一對應者，其中：該畫素電極之該N個第一區域之每一者以及該共用電極之該N個第二區域之每一者係由一方向性奈米線柵偏光圖案形成；該畫素電極之該N個第一區域之每一者之該方向性奈米線柵偏光圖案具有實質上垂直於該垂直方向之一第一平面方向，其中該N個第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案之該些第一延伸方向係互不相同，該些第一區域中之兩相鄰者各自之該些方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向夾了約(360/N)度角；以及 該共用電極之該N個第二區域之該方向性奈米線柵偏光圖案具有實質上垂直於該垂直方向之一第二延伸方向，且該第二延伸方向垂直於該畫素電極中對應之該第一區域之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向；一薄膜電晶體，設置於該第一基板上，具有一閘極、一源極以及一汲極，其中該薄膜電晶體之該汲極電性連接至該畫素電極之該N個第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案；以及一突出物，設置於該共用電極上，並面朝該液晶層，其中該共用電極之該N個第二區域繞著該突出物設置；其中當該畫素電極以及該共用電極由該薄膜電晶體提供之一電壓差驅動時，該N個第一區域以及該N個第二區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案作用為偏光片。
  2. 如請求項第1項所述之畫素結構，其中每一該些畫素進一步包含：一彩色濾光層，設置於該第二基板以及該共用電極之間；以及一黑色矩陣，設置於該第二基板上面朝該液晶層，其中該黑色矩陣位於該些畫素之間，且於垂直該第一基板方向上該黑色矩陣和該些方向性奈米線柵偏光圖案不重疊。
  3. 如請求項第1項所述之畫素結構，其中該方向性奈米線柵偏光圖案之一線柵間距不大於200奈米。
  4. 如請求項第1項所述之畫素結構，其中該液晶層沿著該垂直方向之一厚度約介於2~5微米，且該突出物具有一寬度以及一高度，該寬度約介於5~15微米而該高度介於1.0~1.4微米。
  5. 如請求項第1項所述之畫素結構，其中每一該些畫素進一步包含：一儲存電容電極，設置於該第一基板以及該畫素電極之間；以及一鈍化層，設置於該儲存電容電極以及該畫素電極之間，其中該儲存電容電極係由該方向性奈米線柵偏光圖案形成。
  6. 如請求項第5項所述之畫素結構，其中該儲存電容電極被分為N個第三區域，該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者沿著該垂直方向對應至該畫素電極之該N個第一區域中之一對應者；該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者係由該方向性奈米線柵偏光圖案形成；以及該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者之該方向性 奈米線柵偏光圖案具有一第三延伸方向，該第三延伸方向與該畫素電極中對應之該第一區域之該第一延伸方向相同。
  7. 如請求項第1項所述之畫素結構，其中該液晶層之該些液晶分子具有一負介電常數異向性。
  8. 一種畫素結構，包含：一第一基板以及一第二基板，兩者彼此分隔；以及一液晶層，設置於該第一基板以及該第二基板之間並具有複數個液晶分子，該液晶層定義出複數個畫素，且每一該些畫素包含兩個次畫素，其中每一該些畫素包含：一畫素電極，設置於該第一基板上並面朝該液晶層，其中該畫素電極包含兩個次畫素電極，且兩個該些次畫素電極之每一者分割為N個第一區域，使得該畫素電極包含該2*N個第一區域，N為大於或等於8之正整數；一共用電極，設置於該第二基板上並面朝液晶層，其中該共用電極分割為2*N個第二區域，每一該共用電極之該2*N個第二區域沿著實質上垂直於該第一基板之垂直方向對應至該畫素電極之該2*N個第一電極之一對應者，其中：該畫素電極之該2*N個第一區域之每一者以及該共用電極之該2*N個第二區域之每一者係由方向性奈米線柵偏光圖案形成； 該畫素電極之該2*N個第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案之每一者具有實質上垂直於該垂直方向之一第一延伸方向，其中兩個該些次畫素電極中之每一者之該N個第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案之該些第一延伸方向彼此不同，且對兩個該些次畫素電極之每一者之該N個第一區域中之一者而言，該者之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向與兩相鄰之該些第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案之該些第一延伸方向各夾約(360/N)度角；以及該共用電極之該2*N個第二區域之每一者之該方向性奈米線柵偏光圖案具有一第二延伸方向，該第二延伸方向實質上垂直於該垂直方向以及該畫素電極之該些第一區域之一對應者之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向；兩個薄膜電晶體，設置於該第一基板上，各自具有一閘極、一源極以及一汲極，其中兩個該些薄膜電晶體之該些汲極各自電性連接至兩個該些次畫素電極之該N個第一區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案；以及兩個突出物，設置於該共用電極上並面朝液晶層，其中該共用電極之該2*N個第二區域分為兩群圍繞兩個該些突出物設置；其中當該畫素電極以及該共用電極由兩個該 些薄膜電晶體所提供之一電壓差驅動時，該2*N個第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案以及該2*N個第二區域作用為偏光片。
  9. 如請求項第8項所述之畫素結構，其中每一該些畫素進一步包含：一彩色濾光層，設置於該第二基板以及該共用電極之間；以及一黑色矩陣，設置於該第二基板上面朝該液晶層，其中該黑色矩陣位於該些畫素之間，且於垂直該第一基板方向上該黑色矩陣和該些方向性奈米線柵偏光圖案不重疊。
  10. 如請求項第8項所述之畫素結構，其中該些方向性奈米線柵偏光圖案之一線柵間距不大於200奈米。
  11. 如請求項第8項所述之畫素結構，其中該液晶層沿著該垂直方向之一厚度介於2~5微米，且每一該些突出物具有介於5~15微米之一寬度以及介於1.0~1.4微米之一高度。
  12. 如請求項第8項所述之畫素結構，其中每一該些畫素進一步包含：一儲存電容電極，設置於該第一基板以及該畫素電極之間；以及 一鈍化層，設置於該儲存電容電極以及該畫素電極之間，其中該儲存電容電極由該方向性奈米線柵偏光圖案形成。
  13. 如請求項第12項所述之畫素結構，其中該儲存電容電極分割為2*N個第三區域，該儲存電容電極之該2*N個第三區域之每一者沿著該垂直方向對應至該畫素電極之該2*N個第一區域之一對應者；該儲存電容電極之該2*N個第三區域之該些方向性奈米線柵偏光圖案具有一第三延伸方向，該第三延伸方向相同於該畫素電極之該些第一區域之一對應者之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向。
  14. 如請求項第8項所述之畫素結構，其中該液晶層之該些液晶分子具有一負介電異向性常數。
  15. 一種畫素結構，包含：一第一基板以及一第二基板，兩者彼此分隔；以及一液晶層，設置於該第一基板以及該第二基板之間並具有複數個液晶分子，該液晶層定義出複數個畫素，其中每一該些畫素包含：一畫素電極，設置於該第一基板上並面朝該液晶層，其中該畫素電極分割為N個第一區域，N為大於或等於8之正整數； 一共用電極，設置於該第二基板上並面朝該液晶層，其中該共用電極分割為N個第二區域，該共用電極之每一該N個第二區域沿著實質上垂直於該第一基板之一垂直方向對應至該畫素電極之該N個第一區域之一對應者；以及一突出物，位於該共用電極上並設置以引導由該畫素電極以及該共用電極驅動之該些液晶分子以使該些液晶分子展示出至少N個不同傾斜方向，其中該畫素電極之該N個第一區域之每一者以及該共用電極之該N個第二區域之每一者係由一方向性奈米線柵偏光圖案形成；其中該畫素電極之該N個第一區域之每一者之該方向性奈米線柵偏光圖案之一第一延伸方向係實質上垂直於該共用電極之該N個第二區域之每一者之該方向性奈米線柵偏光圖案之一第二延伸方向；其中對於該畫素電極之該N個第一區域之每一者而言，該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向與該畫素電極之每兩個相鄰之該些第一區域之方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向夾約360/N度角；以及其中對於該共用電極之該N個第二區域之每一者而言，該方向性奈米線柵偏光圖案之該第二延伸方向與該共用電極之每兩個相鄰之該些第二區域之方向性奈米線柵偏光圖案之該些第二延伸方向各夾約360/N度角。
  16. 如請求項第15項所述之畫素結構，其中該 突出物位於該共用電極上且大略為一圓點狀。
  17. 如請求項第15項所述之畫素結構，其中每一該些畫素進一步包含：一彩色濾光層，設置於該第二基板以及該共用電極之間；以及一黑色矩陣，設置於該第二基板上面朝該畫素電極，其中該黑色矩陣位於該些畫素之間，且於垂直該第一基板方向上該黑色矩陣和該些方向性奈米線柵偏光圖案不重疊。
  18. 如請求項第15項所述之畫素結構，其中該方向性奈米線柵偏光圖案之一線柵間距不大於200奈米，該液晶層之一厚度介於2~5微米，並且該突出物具有介於5~15微米之一寬度以及介於1.0~1.4微米之一高度。
  19. 如請求項第15項所述之畫素結構，每一該些畫素進一步包含：一儲存電容電極，設置於該第一基板上並面朝該第二基板；以及一鈍化層，設置於該儲存電容電極以及該畫素電極之間，其中該儲存電容電極係由該方向性奈米線柵偏光圖案形成。
  20. 如請求項第19項所述之畫素結構，其中： 該儲存電容電極分割為N個第三區域，該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者對應至該畫素電極之該N個第一區域之一對應者；該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者係由該方向性奈米線柵偏光圖案形成；以及該儲存電容電極之該N個第三區域之每一者之該方向性奈米線柵偏光圖案具有一第三延伸方向，該第三延伸方向相同於該畫素電極之該些第一區域之一對應者之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向。
  21. 如請求項第15項所述之畫素結構，其中：對於該畫素電極之該N個第一區域之每一者，該共用電極之該些第二區域之一對應者具有之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第二延伸方向實質上垂直於該第一區域之該方向性奈米線柵偏光圖案之該第一延伸方向，該第二區域直接面朝該畫素電極之該第一區域。
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