TW201816193A - 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置 - Google Patents

用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201816193A
TW201816193A TW106128553A TW106128553A TW201816193A TW 201816193 A TW201816193 A TW 201816193A TW 106128553 A TW106128553 A TW 106128553A TW 106128553 A TW106128553 A TW 106128553A TW 201816193 A TW201816193 A TW 201816193A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
anode
plugs
substrate
plug
carrier
Prior art date
Application number
TW106128553A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI673393B (zh
Inventor
瑞 維恩豪
Original Assignee
德商德國艾托特克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商德國艾托特克公司 filed Critical 德商德國艾托特克公司
Publication of TW201816193A publication Critical patent/TW201816193A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI673393B publication Critical patent/TWI673393B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12—Shape or form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/026—Electroplating of selected surface areas using locally applied jets of electrolyte
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，該裝置包括至少第一裝置元件及第二裝置元件，該等裝置元件依垂直方式平行於彼此配置；其中該第一裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板，其中該至少第一裝置元件進一步包括複數個插塞，其中各插塞包括至少直通通道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自該至少第一載體元件之背側延伸穿過該至少第一載體元件之直通導管且進一步穿過該至少第一陽極元件之各自前置直通導管；且其中全部該等插塞可拆卸地連接至該至少第一裝置元件。 此外，本發明大體上係關於一種用於使用此裝置垂直電流沉積金屬於基板上之方法。

Description

用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置
本發明係關於一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，該裝置包括至少第一裝置元件及第二裝置元件，該等裝置元件依垂直方式平行於彼此配置；其中該第一裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板。 本發明進一步係關於一種用於使用此裝置垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之方法。
自半導體晶圓生產半導電積體電路及其他半導電裝置通常需要在晶圓上形成多個金屬層來電互連積體電路之各種裝置。電鍍金屬通常包含銅、鎳、金及鉛。在典型電鍍設備中，該設備(可消耗或非可消耗)之陽極浸入於該設備之反應器容器內之電鍍溶液中以在工件之表面處建立所要電位以實現金屬沉積。先前採用之陽極之構形通常係大致圓盤狀，其中圍繞該陽極之周邊引導電鍍溶液，且電鍍溶液穿過大體上定位於該陽極上方之多孔擴散器板且與該陽極間隔開。電鍍溶液流動穿過擴散器板，且沖刷固持於擴散器上方之適當位置中之相關聯工件。藉由在將金屬沉積於工件之表面上時旋轉該工件來促進金屬沉積之均勻性。 在電鍍之後，典型半導體晶圓或其他工件經細分成數個個別半導體組件。為了達成電路在各組件內之所要形成，同時達成自一個組件至下一組件之所要鍍敷均勻性，可期望使各金屬層形成為一定厚度，該厚度跨工件之表面儘可能均勻。然而，因為在電鍍設備之電路中各工件通常在其周邊部分接合(其中工件通常用作陰極)，故跨工件之表面之電流密度之變動係不可避免的。過去，促進金屬沉積均勻性之努力包含了流量控制裝置，諸如擴散器及類似者，其等定位於電鍍反應器容器內以便引導及控制電鍍溶液沖刷工件。 US 2016/194776 A1揭示一種用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置，其中該裝置包括至少第一裝置元件及第二裝置元件，其等依垂直方式平行於彼此配置，其中該第一裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件，其中該至少第一陽極元件及該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；且其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板；且其中該至少第一裝置元件之該第一陽極元件與該第二裝置元件之該至少第一基板固持器之間之距離自2 mm至15 mm變動；其中該第一裝置元件之該第一載體元件之該複數個直通導管以直線形式穿過該第一載體元件，該等直線關於該載體元件上之垂線具有介於10°與60°之間之角度。 US 2012/305404 A1揭示一種用於對至少一個工件進行流體處理之設備，其包括：殼體，其經組態以固持流體；工件固持器，其安置於該殼體內且經組態以保持該至少一個工件；及電場屏蔽板，其在該殼體內安置成鄰近該至少一個工件中之各者，該電場屏蔽板具有至少一個波狀區域，其經組態以改變自該電場屏蔽板至該工件之表面之間隙，該間隙由該電場屏蔽板之該至少一個波狀區域及該工件之面向該電場屏蔽板之表面之對應部分界定。 US 2004/026257 A1揭示一種用於在半導體晶圓上電鍍導電膜之系統，其包括安置於貯液器中之陰極及陽極，該陰極及該陽極之第一者與該晶圓電相關聯；電力供應器，其與該陰極及該陽極操作地耦合以透過該貯液器中之該陰極與該陽極之間之電解流體提供電場；場調整設備，其在該貯液器中定位於該陰極與該陽極之間，該場調整設備包括板，該板包括：第一側，其大體上面向該晶圓；第二側，其大體上面向該陰極及該陽極之第二者；及複數個板孔，該等板孔延伸穿過該第一側與該第二側之間之該板；及插塞，其定位於複數個板孔中之一者中以影響該插塞附近之電場。 DE 10 2007 026633 A1揭示一種用於使用處理劑對板形產品進行電解處理之設備，該板形產品安置於該設備中且具有至少一個實質上平面處理表面，其中該設備包括：i)用於在該設備中保持該產品之裝置；ii)一或複數個流量裝置，其等各自包含至少一個噴嘴且經安置成位於產品對面；iii)一或複數個反電極，其等相對於該處理劑係惰性的且平行於至少一個處理表面安置；iv)構件，其用於在平行於處理表面之方向上在一個側上之產品與另一側上之流量裝置及/或反電極之間產生相對移動，其中用於產生該相對移動之該等構件經設計以使該產品移動，其中該相對移動係振盪移動，且其中用於產生該振盪移動之該等構件經設計使得在正交於彼此之兩個方向上發生該相對移動。 EP 2746433 A1揭示一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，其中該裝置包括：至少第一陽極元件，其具有至少一個直通導管；至少第一載體元件，其包括至少一個直通導管；至少第一流體饋送元件，其用於在該至少第一載體元件內部導送處理溶液；至少第一緊固構件及至少第一電連接元件；其中該至少第一陽極元件及該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；且其中用於固定可在適用於接納此裝置之容器內部拆卸之整個裝置之該至少第一緊固構件及用於將電流提供至該至少第一陽極元件之該至少第一電連接元件兩者皆配置於該至少第一載體元件之背側上。 然而，市場仍高度需要提供經修改裝置及使用此類新穎經修改裝置進行電流金屬沉積(特定言之，進行垂直電流金屬沉積)之方法。 通常，已知裝置及方法經受呈此類電流金屬之非均勻沉積形式之顯著缺點。此外，此類已知裝置及方法在其等在待處理之基板之互連孔中成功且有效地執行電流金屬之橋樑構築且其中隨後填充該等互連孔不產生引起已知技術缺點(如短路及類似者)之經圍封空隙、氣體、電解液體及類似者之能力方面通常受到很大限制。填充基板(如印刷電路板、晶圓或類似者)中之盲孔會遇到相同問題。 本發明之目的 鑒於先前技術，因此，本發明之目的係提供一種用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置，其將不展現已知先前技術裝置之前述缺點。 因此，需要一種依均勻方式將電流金屬沉積於基板之至少一個側上而在該基板之該至少一個側之表面之上不具有非均勻部分或厚度梯度之方式。 另外，本發明之進一步目的係提供一種裝置，其不僅能夠將電流金屬沉積於基板之一個側上，而且亦能填充該基板中之盲孔。
由具有技術方案1之所有特徵之裝置達成此等目的以及未明確闡述但可藉由介紹立即自本文論述之聯繫推導或辨別之進一步目的。在附屬技術方案2至12中保護對本發明裝置之適當修改。此外，技術方案13包括一種用於使用此裝置垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之方法，而該本發明方法之適當修改包括於附屬技術方案14中。 據此，本發明提供一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，其中該裝置包括至少第一裝置元件及第二裝置元件，其等依垂直方式平行於彼此配置；其中該第一裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件；其中該至少第一陽極元件及該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板，其特徵在於：該至少第一裝置元件進一步包括複數個插塞，其中各插塞包括至少直通通道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自該至少第一載體元件之背側延伸穿過該至少第一載體元件之直通導管且進一步穿過該至少第一陽極元件之各自前置直通導管；且其中全部該等插塞可拆卸地連接至該至少第一裝置元件。 因此，有可能依不可預見方式提供一種用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置，其不展現已知先前技術裝置之前述缺點。 另外，本發明之裝置提供一種依均勻方式將電流金屬沉積於基板之至少一個側上而在該基板之該至少一個側之表面之上不具有非均勻部分或厚度梯度之方式。 此外，本發明提供一種裝置，其不僅能夠將電流金屬沉積於基板之一個側上，而且亦能填充該基板中之盲孔。 此外，包含複數個插塞之本發明之裝置藉此提供相較於單獨使用直通導管之額外優點，即，電解體積流動通過至少直通通道，可依比該等直通導管高得多之品質來提供至少直通通道。一方面，該等直通通道提供以下可能性：藉由利用由非金屬材料製成之大規模生產之便宜注射成型插塞來節省成本。另一方面，該等插塞提供直通通道之更乾淨無顆粒內表面而無來自如通常用於生產直通導管之鑽孔或研磨製程之殘留雜質。即使在此等經鑽孔或經研磨直通導管隨後被清理時，亦將額外需要更多人力及許多加工時間來達成至少可比較之乾淨通道。 此外，其中全部插塞可拆卸地連接至至少第一裝置元件之本發明之裝置提供額外優點：電解體積流量可根據特定新客戶要求容易地經調適以適應新系統需求。有可能容易地藉由其他不同插塞取代某些插塞，諸如具有貫穿其整個長度具有不同直徑之直通通道之插塞。此外，出於維護原因，其係有利的，此係因為有可能容易地取代受損或非所要插塞。 本發明裝置用於產生(特定言之)先前技術中已知之電解溶液之合適恆定電解體積流量，此誘發自待處理之基板之表面之中心被引導至待處理之該基板之外邊緣之儘可能高之恆定電解體積流量。
如本文使用，術語「電流金屬」，在應用至根據本發明之用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置時，係指已知之適用於此垂直沉積方法之金屬。此類電流金屬包括金、鎳及銅，較佳地係銅。 必要注意，至少第一陽極元件之各直通導管必須與至少第一載體元件之至少一個各自直通導管對準，以便容許至待處理之基板之恆定電解體積流量。 如本文使用，術語「牢固地連接」係指至少第一載體元件與位於該載體元件之前部中之至少第一陽極元件之在其等之間無任何顯著距離之情況下之連接。假定在至少第一陽極元件及至少第一載體元件之各自直通導管中不存在插入之插塞，則此距離不可忽略將導致電解體積流量在通過載體元件之直通導管後到達第一陽極元件之各自直通導管前不利地變寬。 已發現牢固地連接之第一載體元件與第一陽極元件之間之此顯著距離小於50 mm，較佳地小於25 mm，且更佳地小於10 mm係有利的。 插塞由任何種類之合適非金屬材料(諸如聚合物材料)製成。如上文概述，由適於用於注射成型製程中之材料製造該等插塞係尤其有利的。 貫穿直通通道之整個長度之直通通道之直徑自0.1 mm至5 mm，較佳地自0.2 mm至3 mm，且更佳地自0.35 mm至1.5 mm變動。 在較佳實施例中，至少第一裝置元件之直通通道之多於50%，更佳地多於80%，且最佳地多於90%，包括具有至少直通通道之各自插塞。 在其之替代實施例中，至少第一裝置元件之所有直通導管包括具有至少直通通道之各自插塞。 已發現，有利的是，利用至少第一裝置元件之第一陽極元件與第二裝置元件之至少第一基板固持器之間之自2 mm至15 mm (較佳地自3 mm至11 mm，且更佳地自4 mm至7 mm)變動之距離。 如本文使用，第一陽極元件與對置基板固持器之間之距離測量為自該第一陽極元件之表面延伸至該基板固持器之對置表面垂線之長度。 在一項實施例中，至少第一陽極元件係包括塗佈有鈦或氧化銥之材料之不溶陽極。 在本發明之背景內容中，待處理之至少第一基板可係圓的(較佳地係圓形)或有角的(較佳地係多角的，諸如矩形、方形或三角形)、或圓結構元件與有角結構元件之混合，諸如半圓形。假定係圓結構，則待處理之至少第一基板可具有自50 mm至1000 mm，較佳地自100 mm至700 mm，且更佳地自120 mm至500 mm變動之直徑；或者，假定係有角結構，較佳地係多角結構，則該基板可具有自10 mm至1000 mm，較佳地自25 mm至700 mm，且更佳地自50 mm至500 mm變動之側長度。待處理之至少第一基板可係印刷電路板、印刷電路箔、半導體晶圓、晶圓、太陽能電池、光電電池、平板顯示器或監視器胞。待處理之第一基板可由一種材料組成或由不同材料(諸如玻璃、塑膠、模製化合物或陶瓷)之混合組成。 本發明可進一步希望第一裝置元件之至少第一陽極元件及/或至少第一載體元件之大致形狀定向成待處理之基板及/或第二裝置元件之基板固持器之大致形狀。藉此，可仍使電流金屬沉積更高效，且藉由減少所需裝置構造條件來節省成本。此尤其適用於待處理之圓形、矩形或方形基板。 在一項實施例中，第一陽極元件包括至少兩個片段，其中各陽極元件片段可彼此獨立電受控及/或調節。 在進一步實施例中，包括陽極片段，較佳地最外陽極片段、陽極片段內之最外區域(較佳地在最外陽極片段之內部)及/或第一陽極元件之中心處之區域，而不包括直通導管及插塞。 特定言之，電流之控制及/或調節可係有利的，以便減小待處理之基板之表面之所要位點處(諸如第一裝置元件之至少第一陽極元件之陽極片段內部之最外片段及/或最外區域中)之金屬(特定言之，銅)沉積。 第一裝置元件之至少第一陽極元件之最外陽極片段內部之最外陽極片段及/或陽極區域可包括總陽極元件表面積之至少5% (較佳地至少10%，且更佳地至少15%)之表面積百分比。 第一裝置元件之至少第一陽極元件之最內陽極片段內部之最內陽極片段及/或陽極區域可包括總陽極元件表面積之至少30% (較佳地至少50%，且更佳地至少70%)之表面積百分比。 第一裝置元件之至少第一陽極元件包括穿過第一裝置元件之該至少第一陽極元件及至少第一載體元件之至少一個緊固元件。假定在第一裝置元件中提供了一個以上陽極元件及/或一個以上陽極片段，則可希望針對第一裝置元件之各陽極元件及/或陽極片段單獨提供至少一個緊固元件。此外，在本發明之意義中可期望，此等緊固元件同時提供第一裝置元件之至少一個陽極元件及/或一個陽極片段之電接觸元件。 在一項實施例中，插塞之至少一部分(較佳地，所有插塞)之端與至少第一陽極元件之表面對準。 替代地，在本發明之背景內容中亦有可能的是，插塞自至少第一載體元件之背側延伸穿過至少第一載體元件之各自直通導管且進一步穿過至少第一陽極元件之各自前置直通導管使得插塞之各自端自具有插塞之端之各自至少第一陽極元件之表面略微突出，較佳地係自0 mm至0.50 mm變動，更佳地係自0.10 mm至0.40 mm，且最佳地係自0.24 mm至0.32 mm。此藉由避免各自至少第一陽極元件之表面對電解體積流量及由此引起之電解噴射圖案之任何邊緣效應來增強電解體積流量之品質。 受消極影響之電解噴射圖案之此上述缺點可例示性地係由於插塞太短而不能到達至少第一陽極元件之表面。 在本發明之背景內容中，第一陽極元件表面意謂第一陽極元件之表面，其係關於待處理之基板之對置表面。 在本發明之背景內容中，第一載體元件表面意謂第一載體元件之表面，其係關於第一陽極元件之前置表面。 然而，理想情況可係：插塞之端與至少第一陽極元件之表面對準，意謂插塞之總長度依此方式經調整使得插塞精確地在至少第一陽極元件之表面處終止。 在一項實施例中，複數個插塞均勻分佈(較佳地呈點矩陣形式)於至少第一陽極元件之上。 此具體實施例提供一種產生均勻電解體積流量且藉此均勻電流沉積金屬於待處理之基板上之方法。 在前述實施例之替代實施例中，複數個插塞較佳地依此方式非均勻分佈於至少第一陽極元件之上，使得每經界定區域之插塞之數目自至少第一陽極元件之中心至各自陽極元件之最外區域減小。 此提供自至少第一裝置元件之中心流動至外邊緣之總電解體積流量不會因為額外電解體積流量經過更靠外定位之插塞而連續擴大太多之優點。 在一項實施例中，各插塞之直通通道貫穿直通通道之整個長度包括相同恆定直徑。 在另一實施例中，插塞之直通通道貫穿直通通道之整個長度包括恆定直徑，該直徑在複數個插塞之中不同。 在此前述實施例之較佳實施例中，貫穿各自插塞之直通通道之整個長度之直通通道之恆定直徑自至少第一裝置元件之中心至在各自第一裝置元件中配置在更靠外處之插塞減小。 此提供以下優點：自至少第一裝置元件之中心流動至外邊緣之總電解體積流量不會因為額外電解體積流量經過更靠外定位之插塞而連續擴大太多。貫穿插塞之直通通道之整個長度之直通通道之直徑愈小，電解體積流量流過插塞之速度愈高。藉此，有可能支援總電解體積流量自至少第一裝置元件之中心至外邊緣之更快流動。 在替代實施例中，貫穿各自插塞之直通通道之整個長度之直通通道之恆定直徑自至少第一裝置元件之中心中之插塞至在各自第一裝置元件中配置在更靠外處之插塞減小。 此提供以下可能性：依此方式調適插塞系統以使使用者能夠在特定位點處產生特定電解體積流量，諸如藉由貫穿各自第一裝置元件之第一子區域中之直通通道及各自第一裝置元件之第二子區域中之另一直通通道之整個長度選擇不同恆定直徑。此為使用者提供最大調整可能性以便能夠針對待處理之各基板依獨特方式調適裝置。 在一項實施例中，至少第一裝置元件進一步包括複數個虛設插塞，其中該等虛設插塞並不擁有任何種類直通通道。 在本文中，可提供除具有至少直通通道之插塞外之虛設插塞，且/或虛設插塞可替代具有至少直通通道之部分插塞。此提供有前途方法，其依所要方式影響電解體積流量以便依賴於某些不同客戶需求調整引導至待處理之基板之表面之電解體積流量。例示性地替代在至少第一裝置元件之經界定表面區域中具有至少直通通道之特定數目個插塞之虛設插塞愈多，該區域中之總電解體積流量愈少。反之亦然。 在一項實施例中，第一陽極元件之複數個直通導管以呈關於第一陽極元件表面上之垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過第一陽極元件。 在本文中，該等直通導管通常包括圓橫截面或橢圓橫截面。替代地，可提供長橢圓形孔之橫截面，較佳地，其中可提供具有自第一陽極元件之中心至外部之定向之長橢圓形孔。 在一項實施例中，第一載體元件之複數個直通導管以關於第一陽極元件表面上之垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過第一載體元件。 在本文中，該等直通導管通常包括圓橫截面，較佳地係圓形橫截面。 在一項實施例中，第一陽極元件之複數個直通導管以關於第一陽極元件表面上之垂線具有角度α之直線之形式穿過第一陽極元件，其中第一載體元件之複數個直通導管以關於第一載體元件表面上之垂線具有角度β之直線之形式穿過第一載體元件，且其中α與β基本上相同。 根據本發明，片語「α與β基本上相同」係指α與β基本上完全相同之情況。較佳地，α自β偏離小於5°，更佳地小於3°，甚至更佳地小於1°。通常，較佳的是，α與β係完全相同的。 在本文中，0°角度尤其係較佳的。然而，若期望引導至待處理之基板之外邊緣之受控電解體積流量，則替代地介於10°與60°之間之角度係較佳的。 在一項實施例中，第一載體元件之複數個直通導管以圍繞第一載體元件之中心之同心圓之形式配置於該第一載體元件之表面上。 在本文中，更佳的是，圍繞第一載體元件之中心之同心圓內部之直通導管包括不同角度，較佳地包括同心圓之部分，其中各第二直通導管包括各自在前直通導管關於載體元件表面上之垂線之對角。甚至更佳的是，同心圓之各第二直通導管包括各自在前直通導管關於載體元件表面上之垂線之對角。 替代地，接近第一載體元件之中心周圍配置之第一同心圓內部之直通導管包括較比圍繞第一載體元件之中心之第一同心圓更靠外之至少第二同心圓內部之直通導管更小之角度，較佳地，其中第一載體元件之直通導管之所有更靠外同心圓內部之直通導管包括更大角度，特定言之，皆具有同一更大角度。 在一項實施例中，至少第一陽極元件至少部分由至少第一載體元件環繞，其中該至少第一載體元件之經引導朝向該至少第一陽極元件之側具有腔以依此方式接納該至少第一陽極元件，使得至少第一載體元件之上邊緣與至少第一陽極元件之上邊緣對準或不對準，較佳地對準。 此裝置提供第一裝置元件基於第一載體元件之上邊緣與第一陽極元件之上邊緣之較佳對準之高度緊密配置。因此，第一陽極元件並非係與此項技術中已知之第一載體元件間隔開之裝置之分離零件，然其表示均勻裝置單元，從而導致節省成本之更小裝置，其中第一陽極元件同樣支援整個第一裝置元件之穩定性。 本發明提供一種保證處理溶液之恆定體積流速之裝置，其中體積流速自0.1 m/s至30 m/s，較佳地自0.5 m/s至20 m/s，且更佳地自1 m/s至10 m/s變動。 自待處理之基板之中心之表面流動至待處理之基板之外邊緣之處理溶液之總體積不斷增加，此歸因於額外體積流量透過第一裝置元件之至少第一載體元件及至少第一陽極元件之直通導管到達基板表面且與已在其自基板之中心至外邊緣之路上通過基板表面之體積流量組合之事實。 第一裝置元件之至少第一載體元件之總厚度自4 mm至25 mm，較佳地自6 mm至18 mm，且更佳地自8 mm至12 mm變動；而第一裝置元件之至少第一陽極元件之總厚度自1 mm至20 mm，較佳地自2 mm至10 mm，且更佳地自3 mm至5 mm變動。 第一裝置元件之至少第一載體元件之上邊緣與至少第一陽極元件之上邊緣之對準支援第一裝置元件之至少第一陽極元件之總厚度之上述限制，此歸因於第一裝置元件之至少第一載體元件及至少第一陽極元件之側(其與第二裝置元件之待處理之基板之各自側相對)應擁有均勻平坦表面而呈在第一裝置元件之至少第一載體元件與至少第一陽極元件之間之高度差形式之任何障礙之事實。 在其替代實施例中，第一裝置元件進一步包括可拆卸地連接至至少第一陽極元件(且較佳地亦連接至至少第一載體元件)之第二載體元件。在本文中，至少第一陽極元件，且較佳地亦至少第一載體元件，較佳地，至少部分由該第二載體元件環繞，其中第二載體元件之上邊緣與經引導朝向第二裝置元件之第一陽極元件之上邊緣對準或不對準，較佳地對準。在本文中，該第二載體元件亦可係至少部分環繞配置於至少第一陽極元件之前表面上之元件，特定言之，環。 在較佳實施例中，裝置進一步包括第三裝置元件，其依垂直方式平行於第一裝置元件及第二裝置元件依此方式配置使得第二裝置元件配置於該第一裝置元件與該第三裝置元件之間。在本文中，第三裝置元件較佳地相同於第一裝置元件。 在本文中之更佳實施例中，與第三裝置元件之第一載體元件之直通導管相對之第一裝置元件之第一載體元件之直通導管之角度相同或不同，較佳地相同。 在本文中之另一更佳實施例中，第三裝置元件依此方式配置使得第一裝置元件之第一載體元件之複數個直通導管依相同或不同於第三裝置元件之第一載體元件之複數個直通導管之方式分佈。 在本文中之另一更佳實施例中，第一裝置元件與第三裝置元件彼此抵靠地在垂直配置之平行平面內部旋轉以便設定第一裝置元件之第一載體元件之直通導管相對於第三裝置元件之第一載體元件之直通導管之特定定向。 在一項實施例中，第一裝置元件及/或第三裝置元件進一步包括具有複數個直通導管之遮罩元件，其可拆卸地連接至第一裝置元件及/或第三裝置元件之至少第一陽極元件，且較佳地亦連接至第一裝置元件及/或第三裝置元件之至少第一載體元件。在本文中，複數個直通導管在該遮罩元件之表面上之分佈可係均質或非均質的。 配置於第一裝置元件及/或第三裝置元件之各自第一陽極元件之前部中之此遮罩元件在其至待處理之基板之路上影響來自第一陽極元件之電場之分佈及形成。因此，依賴於希望使用之待處理之基板之種類，遮罩元件提供以下可能性：依此方式影響該電場使得產生最高效所要均勻電場分佈，其隨後再次導致待處理之基板之表面上之最高效均勻電流金屬沉積。 亦有可能的是，在電流金屬沉積程序期間產生不同所要電流金屬沉積密度區域以便能夠處置待處理之基板，該等基板包括具有不同盲孔及/或連接通孔之不同密度之不同區域。因此，遮罩元件可依賴於待處理之基板之表面及/或結構組成或佈局經個別地設計。 此個別設計可由遮罩元件之直通導管之所希望特定分佈產生，其因此擁有某種個別穿孔結構。為了係高效的，遮罩元件應必須具有與第一陽極元件之尺寸至少相同之大小以避免非所要電場邊緣效應。 此外，本發明之目的亦藉由以下用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之方法解決，該方法由以下方法步驟特性化： i)提供此本發明裝置， ii)透過插塞之直通通道將電解體積流量導引至由第二裝置元件之至少第一基板固持器接納之待處理之至少第一基板之側，其中至少第一基板之該側經引導至第一裝置元件之第一陽極元件之陽極表面， iii)在平行於待處理之至少第一基板之經處理側之兩個方向上移動第二裝置元件，其中該兩個方向(待處理之至少第一基板移動至其中)正交於彼此，及/或其中基板依振盪方式移動，較佳地在平行於待處理之至少第一基板之經處理側之圓形路徑上移動。 已發現，在本發明中有利的是，傳入電解體積流量應(若可能)以相同或至少相對類似之壓力到達至少第一載體元件之背側上之插塞之開口，以保證恆定電解體積流量透過插塞自至少第一載體元件之背側延伸穿過插塞之直通通道而到達具有相同或至少相對類似電解體積流量及電解體積流速之第二裝置元件之待處理之基板之表面。 在該方法之較佳實施例中，該方法之特徵在於：在方法步驟i)中：本發明裝置進一步包括第三裝置元件，其中第二裝置元件配置於第一裝置元件與第三裝置元件之間，且其中該第三裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件牢固地連接至彼此；其中第三裝置元件進一步包括複數個插塞，其中各插塞包括至少直通通道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自至少第一載體元件之背側延伸穿過至少第一載體元件之直通導管且進一步穿過至少第一陽極元件之各自前置直通導管；及 在方法步驟ii)中：透過插塞之直通通道將第二電解體積流量導引至由第二裝置元件之至少第一基板固持器接納之待處理之至少第一基板之側，其中至少第一基板之該側經引導至第三裝置之第一陽極元件之陽極表面；及 在方法步驟iii)中：第二裝置元件在第一裝置元件與第三裝置元件之間在平行於待處理之至少第一基板之經處理側之兩個方向上移動，其中該等兩個方向(待處理之至少第一基板移動至其中)正交於彼此，及/或其中基板依振盪方式移動，較佳地在平行於待處理之至少第一基板之經處理側之圓形路徑上移動。 因此，本發明解決以下問題：提供用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置；及使用此裝置之成功地克服先前技術之上述缺點之方法。 提供以下非限制性實例來繪示本發明之較佳實施例，其中第一裝置元件之第一陽極元件完全由第一裝置元件之第一載體元件環繞，其中該第一載體元件之經引導朝向該第一陽極元件之側具有腔以依此方式接納該第一陽極元件，使得第一載體元件之上邊緣與第一陽極元件之上邊緣對準。該較佳實施例應促進對本發明之理解，然不意欲限制由其附隨申請專利範圍定義之本發明之範疇。 現轉至圖式，圖1展示根據本發明之較佳實施例之裝置之示意性前視圖。 在本文中，展示包括第一裝置元件1之用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，其中第一裝置元件1包括具有複數個直通導管之第一陽極元件及具有複數個直通導管之第一載體元件10。 在本文中，第一陽極元件與第一載體元件10牢固地連接至彼此。 第一裝置元件1進一步包括複數個插塞7，其中各插塞包括直通通道，且其中各插塞依此方式配置使得各插塞自第一載體元件10之背側延伸穿過第一載體元件10之直通導管且進一步穿過至少第一陽極元件之各自前置直通導管。 在本文中，所有插塞7之端與第一陽極元件之表面對準，其中全部插塞7可拆卸地連接至第一裝置元件1。 在圖1中展示之此較佳實施例中，所有插塞7依點矩陣形式均勻分佈於第一陽極元件之上，其中各插塞7之直通通道貫穿直通通道(12)之整個長度包括相同恆定直徑。 在本文中，第一陽極元件之所有直通導管以關於第一陽極元件表面上之垂線具有角度0°之直線之形式穿過第一陽極元件。 在本文中，第一載體元件10之全部直通導管亦以關於第一載體元件表面上之垂線具有角度0°之直線之形式穿過第一載體元件10。 藉此，在此較佳情況中，第一陽極元件及第一載體元件10之直通導管擁有相同角度0°。 此外，第一陽極元件完全由第一載體元件10環繞，其中該第一載體元件10之經引導朝向該第一陽極元件之側具有腔以依此方式接納該第一陽極元件，使得第一載體元件10之上邊緣與第一陽極元件之上邊緣對準。 圖1中展示之較佳實施例進一步包括第一陽極片段2、第二陽極片段3、及第一陽極元件之該第一陽極片段2與該第二陽極片段3之間之中間間隔4。在此較佳實施例中，將第一陽極元件之第三陽極片段展示為最外陽極區域9。 此外，圖1展現第一陽極片段2內部之第一陽極元件之第一陽極片段2之四個不同緊固及電接觸元件5，同時展示第一陽極元件之第三陽極片段9內部之四個不同緊固及電接觸元件6。藉此，此等四個不同緊固及電接觸元件6定位於第一陽極元件之圓形第二陽極片段3之外部。最後，存在第一載體元件10之緊固元件11。 另外，圖1展示第一陽極元件之第一陽極片段2中之第一裝置元件1之複數個插塞7，插塞7圍繞第一裝置元件1之中心8圓形配置。 圖2展示圖1中展示之裝置之截面透視圖。在本文中，認為圖2藉由在複數個插塞7之放大圖中進行繪示促進對本發明之理解。 在本文中，將一系列插塞7劃分成兩半之截面透視圖應促進認知各插塞7包括直通通道12，且所有插塞7之端與第一陽極元件之表面對準，其中全部插塞7可拆卸地連接至第一裝置元件1。在此放大圖中，亦更佳認知，各插塞7之直通通道12貫穿該直通通道(12)之整個長度包括相同恆定直徑。 圖3展示圖1中展示之第一裝置元件1之另一截面透視圖，而圖4展示相同於圖3中展示之第一裝置元件1之相同截面透視圖，然不具有第一陽極元件，已出於圖解目的移除了該第一陽極元件。藉此，即使在日常實踐中當然必須包含陽極元件時亦可甚至更佳地認知插塞7之幾何形狀及配置。 雖然已關於某些特定實施例解釋了本發明之原理，且出於圖解目的提供了該等原理，然應理解，一旦熟習此項技術者閱讀了本說明書便將明白各種修改。因此，應理解，本文揭示之本發明意欲涵蓋如落於隨附申請專利範圍之範疇內之此類修改。本發明之範疇僅受隨附申請專利範圍之範疇限制。
1‧‧‧第一裝置元件
2‧‧‧第一陽極元件之第一陽極片段
3‧‧‧第一陽極元件之第二陽極片段
4‧‧‧第一陽極元件之第一陽極片段與第二陽極片段之間之中間間隔
5‧‧‧第一陽極元件之第一陽極片段之緊固元件及電接觸元件
6‧‧‧第一陽極元件之第三陽極片段之緊固元件及電接觸元件
7‧‧‧第一裝置元件之插塞
8‧‧‧第一裝置元件之中心
9‧‧‧第一陽極元件之最外陽極區域
10‧‧‧第一裝置元件之第一載體元件
11‧‧‧第一載體元件之緊固元件
12‧‧‧插塞之直通通道
一旦連同圖式閱讀了以下描述，亦將明白本發明之目的、特徵及優點，其中： 圖1展示包括牢固地連接至本發明之較佳實施例之第一裝置元件之第一載體元件之第一陽極元件之裝置之示意性前視圖； 圖2展示圖1中展示之裝置之截面透視圖； 圖3展示牢固地連接至圖1中展示之裝置之第一裝置元件之第一載體元件之第一陽極元件之截面透視圖；且 圖4展示圖3中展示之裝置之第一裝置元件之第一載體元件之截面透視圖。

Claims (20)

  1. 一種用於垂直電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之裝置，其中該裝置包括至少第一裝置元件(1)及第二裝置元件，該等裝置元件依垂直方式平行於彼此配置；其中該第一裝置元件(1)包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件(10)；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件(10)牢固地連接至彼此；其中該第二裝置元件包括至少第一基板固持器，其經調適以接納待處理之至少第一基板，其中該至少第一基板固持器在接納待處理之該至少第一基板後沿著其外框架至少部分環繞該至少第一基板，其特徵在於： 該至少第一裝置元件(1)進一步包括複數個插塞(7)，其中各插塞(7)包括至少直通通道(12)，且其中各插塞(7)依此方式配置使得各插塞(7)自該至少第一載體元件(10)之背側延伸穿過該至少第一載體元件(10)之直通導管且進一步穿過該至少第一陽極元件之各自前置直通導管；且其中全部該等插塞(7)可拆卸地連接至該至少第一裝置元件(1)。
  2. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之端與該至少第一陽極元件之表面對準。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該複數個該等插塞(7)均勻分佈(較佳地，呈點矩陣形式)於該至少第一陽極元件之上。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該複數個該等插塞(7)較佳地依此方式非均勻分佈於該至少第一陽極元件之上，使得每經界定區域之插塞(7)之數目自該至少第一陽極元件之中心(8)至該各自陽極元件之更靠外區域減小。
  5. 如請求項1或2之裝置，其中各插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之整個長度包括相同恆定直徑。
  6. 如請求項1或2之裝置，其中該等插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之該整個長度包括恆定直徑，該直徑在該複數個該等插塞(7)之中不同。
  7. 如請求項6之裝置，其中貫穿該各自插塞(7)之該直通通道(12)之該整個長度之該直通通道(12)之該恆定直徑自該至少第一裝置元件(1)之該中心(8)中之插塞(7)至在該各自第一裝置元件(1)中配置在更靠外處之插塞(7)減小。
  8. 如請求項1或2之裝置，其中該至少第一裝置元件(1)進一步包括複數個虛設插塞，其中該等虛設插塞並不擁有任何種類之直通通道(12)。
  9. 如請求項1或2之裝置，其中該第一陽極元件之該複數個直通導管以關於該第一陽極元件表面上之垂線具有自0°至80°，較佳地自10°至60°，且更佳地自25°至50°變動，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一陽極元件。
  10. 如請求項1或2之裝置，其中該第一載體元件(10)之該複數個直通導管以關於該第一載體元件表面上之垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一載體元件(10)。
  11. 如請求項1或2之裝置，其中該第一陽極元件之該複數個直通導管以關於該第一陽極元件表面上之該垂線具有角度α之直線之形式穿過該第一陽極元件，其中該第一載體元件之該複數個直通導管以關於該第一載體元件表面上之該垂線具有角度β之直線之形式穿過該第一載體元件，且其中α與β基本上相同。
  12. 如請求項1或2之裝置，其中該至少第一陽極元件至少部分由該至少第一載體元件(10)環繞，其中該至少第一載體元件(10)之經引導朝向該至少第一陽極元件之側具有腔以依此方式接納該至少第一陽極元件，使得該至少第一載體元件(10)之上邊緣與該至少第一陽極元件之上邊緣對準或不對準，較佳地對準。
  13. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；各插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之該整個長度包括相同恆定直徑；且該第一陽極元件之該複數個直通導管以關於該第一陽極元件表面上之該垂線具有自0°至80°，較佳地自10°至60°，且更佳地自25°至50°變動，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一陽極元件。
  14. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；各插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之該整個長度包括相同恆定直徑；且該第一載體元件(10)之該複數個直通導管以關於該第一載體元件表面上之該垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一載體元件(10)。
  15. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；該等插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之該整個長度包括恆定直徑，該直徑在該複數個該等插塞(7)之中不同；且該第一陽極元件之該複數個直通導管以關於該第一陽極元件表面上之該垂線具有自0°至80°，較佳地自10°至60°，且更佳地自25°至50°變動，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一陽極元件。
  16. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；該等插塞(7)之該直通通道(12)貫穿該直通通道(12)之該整個長度包括恆定直徑，該直徑在該複數個該等插塞(7)之中不同；且該第一載體元件(10)之該複數個直通導管以關於該第一載體元件表面上之該垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一載體元件(10)。
  17. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；貫穿該各自插塞(7)之該直通通道(12)之該整個長度之該直通通道(12)之該恆定直徑自該至少第一裝置元件(1)之該中心(8)中之插塞(7)至在該各自第一裝置元件(1)中配置在更靠外之插塞(7)減小；且該第一陽極元件之該複數個直通導管以關於該第一陽極元件表面上之該垂線具有自0°至80°，較佳地自10°至60°，且更佳地自25°至50°變動，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線之形式穿過該第一陽極元件。
  18. 如請求項1之裝置，其中該等插塞(7)之至少一部分(較佳地，所有該等插塞(7))之該端與該至少第一陽極元件之該表面對準；貫穿該各自插塞(7)之該直通通道(12)之該整個長度之該直通通道(12)之該恆定直徑自該至少第一裝置元件(1)之該中心(8)中之插塞(7)至在該各自第一裝置元件(1)中配置在更靠外處之插塞(7)減小；且該第一載體元件(10)之該複數個直通導管以關於該第一載體元件表面上之該垂線具有介於0°與80°之間，較佳地介於10°與60°之間，且更佳地介於25°與50°之間，或替代地，自0°至20°，較佳地自0°至10°，且更佳地自0°至5°變動之角度之直線形式穿過該第一載體元件(10)。
  19. 一種用於電流沉積金屬(較佳地，銅)於基板上之方法，其特徵在於以下方法步驟： i)提供如請求項1之裝置； ii)透過插塞(7)之直通通道(12)將電解體積流量導引至由該第二裝置元件之至少第一基板固持器接納之待處理之至少第一基板之側，其中該至少第一基板之該側經引導至該第一裝置元件(1)之第一陽極元件之陽極表面； iii)在平行於待處理之該至少第一基板之該經處理側之兩個方向上移動該第二裝置元件，其中該等兩個方向(待處理之該至少第一基板移動至其中)正交於彼此，及/或其中該基板依振盪方式移動，較佳地在平行於待處理之該至少第一基板之該經處理側之圓形路徑上移動。
  20. 如請求項19之方法，其中： 在方法步驟i)中：如請求項1之該裝置進一步包括第三裝置元件，其中該第二裝置元件配置於該第一裝置元件(1)與該第三裝置元件之間，且其中該第三裝置元件包括具有複數個直通導管之至少第一陽極元件及具有複數個直通導管之至少第一載體元件(10)；其中該至少第一陽極元件與該至少第一載體元件(10)牢固地連接至彼此；其中該第三裝置元件進一步包括複數個插塞(7)，其中各插塞(7)包括至少直通通道(12)，且其中各插塞(7)依此方式配置使得各插塞(7)自該至少第一載體元件(10)之背側延伸穿過該至少第一載體元件(10)之直通導管且進一步穿過該至少第一陽極元件之各自前置直通導管；且 在方法步驟ii)中：透過該等插塞(7)之該等直通通道(12)將第二電解體積流量導引至由該第二裝置元件之該至少第一基板固持器接納之待處理之該至少第一基板之該側，其中該至少第一基板之該側經引導至該第三裝置元件之該第一陽極元件之該陽極表面；且 在方法步驟iii)中：該第二裝置元件在該第一裝置元件(1)與該第三裝置元件之間在平行於待處理之該至少第一基板之該經處理側之兩個方向上移動，其中該等兩個方向(待處理之該至少第一基板移動至其中)正交於彼此，及/或其中該基板依振盪方式移動，較佳地在平行於待處理之該至少第一基板之該經處理側之圓形路徑上移動。
TW106128553A 2016-08-23 2017-08-23 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置 TWI673393B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16185396.5A EP3287550B1 (en) 2016-08-23 2016-08-23 Device for vertical galvanic metal deposition on a substrate
??16185396.5 2016-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201816193A true TW201816193A (zh) 2018-05-01
TWI673393B TWI673393B (zh) 2019-10-01

Family

ID=56802294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106128553A TWI673393B (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10604861B2 (zh)
EP (1) EP3287550B1 (zh)
JP (1) JP6650072B2 (zh)
KR (1) KR101978627B1 (zh)
CN (1) CN109477236B (zh)
PH (1) PH12019500357A1 (zh)
PT (1) PT3287550T (zh)
SG (1) SG11201811673YA (zh)
TW (1) TWI673393B (zh)
WO (1) WO2018036924A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759193B (zh) * 2019-11-26 2022-03-21 奧地利商勝思科技有限公司 用於針對一基板之化學及/或電解表面處理之一處理流體之分散式系統
TWI813678B (zh) * 2018-06-27 2023-09-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746231B (zh) 2020-10-27 2021-11-11 財團法人工業技術研究院 重布線結構及其形成方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6811669B2 (en) * 2002-08-08 2004-11-02 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for improved current density and feature fill control in ECD reactors
EP1391540A3 (en) 2002-08-08 2006-10-04 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for improved current density and feature fill control in ECD reactors
US20040084318A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-06 Uri Cohen Methods and apparatus for activating openings and for jets plating
DE10345376B4 (de) * 2003-09-30 2009-04-16 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum automatischen Steuern einer Stromverteilung einer Mehrfachanodenanordnung während des Plattierens eines Metalls auf eine Substratoberfläche
US20120305404A1 (en) * 2003-10-22 2012-12-06 Arthur Keigler Method and apparatus for fluid processing a workpiece
US7517642B2 (en) 2004-12-30 2009-04-14 Intel Corporation Plane waves to control critical dimension
DE102007026633B4 (de) * 2007-06-06 2009-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
KR20120129125A (ko) * 2011-05-19 2012-11-28 삼성전자주식회사 반도체 기판의 전기 도금 장치 및 방법
JP2015518520A (ja) * 2012-04-11 2015-07-02 ティーイーエル ネックス，インコーポレイテッド 試料を流体処理するための方法および機器
EP2746433B1 (en) * 2012-12-20 2016-07-20 ATOTECH Deutschland GmbH Device for vertical galvanic metal, preferably copper, deposition on a substrate and a container suitable for receiving such a device
EP2746432A1 (en) * 2012-12-20 2014-06-25 Atotech Deutschland GmbH Device for vertical galvanic metal deposition on a substrate
CN104233410A (zh) 2013-06-24 2014-12-24 马悦 在衬底上电化学沉积金属的装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813678B (zh) * 2018-06-27 2023-09-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器
TWI814691B (zh) * 2018-06-27 2023-09-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器
TWI759193B (zh) * 2019-11-26 2022-03-21 奧地利商勝思科技有限公司 用於針對一基板之化學及/或電解表面處理之一處理流體之分散式系統
TWI823330B (zh) * 2019-11-26 2023-11-21 奧地利商勝思科技有限公司 用於針對一基板之化學及/或電解表面處理之一處理流體之分散式系統

Also Published As

Publication number Publication date
PH12019500357B1 (en) 2019-11-11
US10604861B2 (en) 2020-03-31
EP3287550A1 (en) 2018-02-28
SG11201811673YA (en) 2019-03-28
TWI673393B (zh) 2019-10-01
CN109477236A (zh) 2019-03-15
JP6650072B2 (ja) 2020-02-19
EP3287550B1 (en) 2019-02-13
JP2019528378A (ja) 2019-10-10
WO2018036924A1 (en) 2018-03-01
US20190292679A1 (en) 2019-09-26
KR101978627B1 (ko) 2019-05-14
PH12019500357A1 (en) 2019-11-11
PT3287550T (pt) 2019-05-30
CN109477236B (zh) 2019-12-27
KR20190025725A (ko) 2019-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101613406B1 (ko) 기판상의 수직방향 갈바닉 금속 성막을 위한 디바이스
US9243341B2 (en) Device and method for producing targeted flow and current density patterns in a chemical and/or electrolytic surface treatment
TWI673393B (zh) 用於垂直電流沉積金屬於基板上之裝置
EP2746433B1 (en) Device for vertical galvanic metal, preferably copper, deposition on a substrate and a container suitable for receiving such a device
KR102553009B1 (ko) 기판의 화학적 및/또는 전해 표면 처리를 위한 공정 유체 및 전류를 위한 분배 시스템
KR20120129125A (ko) 반도체 기판의 전기 도금 장치 및 방법
US11105014B2 (en) Distribution system for chemical and/or electrolytic surface treatment
TWI759514B (zh) 用於化學及／或電解表面處理之分配系統
US20020000383A1 (en) Electroplating cell based upon rotational plating solution flow
KR102166198B1 (ko) 갈바닉 금속 디포지션을 위한 방법
KR100964132B1 (ko) 전기도금 프로세스용 웨이퍼 지지 장치 및 그것을 사용하는방법
KR20100011853A (ko) 기판도금장치
JP2001316867A5 (ja) 電解メッキ装置、電解メッキ方法及び液処理方法
TW202146713A (zh) 用於可旋轉基板之化學及/或電解表面處理之製程流體之分配系統
KR20230028713A (ko) 기판의 화학적 표면 처리 및/또는 전해 표면 처리를 위한 공정 유체용 차폐체 시스템
JP2003119590A (ja) 基板面上に電気メッキ層を形成するための方法及び装置