TW201814030A - 介電正性液晶组合物 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種介電正性液晶組合物,液晶組合物包含一種或多種通式I所示的液晶化合物組成的組分A,包含一種或多種通式II所示的液晶化合物組成的組分B,包含一種或多種通式III所示的液晶化合物組成的組分C,還包含一種或多種通式S-1所示的化合物組成的添加劑組分D,本發明在受到高溫以及紫外光輻射的情況下,本身不發生變化,從而提升液晶品質,適用於主動矩陣電光學元件和液晶顯示器中,可用民用以及特殊惡劣條件下實用的TFT-LCD。

Description

介電正性液晶组合物
本發明涉及液晶材料領域,尤其是一種介電正性液晶組合物。
液晶顯示元件根據顯示方式分為下列模式:扭曲向列型(TN)模式、超扭曲向列型(STN)模式、共面模式(IPS)、垂直配向(VA)模式。無論何種顯示模式均需要液晶組合物有以下特性:
(1)化學,物理性質穩定;
(2)黏度低;
(3)具有合適的△ε;
(4)合適的拆射率△n;
(5)與其他液晶化合物的相溶性好。
隨著九十年代初TFT技術的成熟,彩色液晶平板顯示器迅速發展,不到10年的時間,TFT-LCD迅速成長為主流顯示器,這與它具有的優點是分不開的。其優點主要分為5點:
一、使用特性好。低壓應用,低驅動電壓;平板化,又輕薄,節省了大量原材料和使用空間;低功耗;顯示品質從最簡單的單色字元圖形到高解析度,高彩色保真度,高亮度,高對比,高回應速度的各種規格型號的視頻顯示器;其顯示方式有直視型,投影型,透視式和反射式等多種顯示方式。
二、環保特性好。TFT-LCD無輻射、無閃爍,對使用者的健康無損害,特別是TFT-LCD電子書刊的出現,將把人類帶入無紙辦公、無紙印刷時代,引發人類學習、傳播和記載文明方式的革命。
三、適用範圍寬:從-20℃到50℃的溫度範圍內都可以正常使用,經過溫度加固處理的TFT-LCD低溫工作溫度可達到零下80℃。既可作為移動終端顯示,台式終端顯示,又可以作大螢幕投影電視,是性能優良的全尺寸視頻顯示終端機。
四、製造技術的自動化程度高。
五、TFT-LCD易於集成化和更新換代。
由上所述液晶平板顯示器的主要特點,因此對液晶平板顯示器所用的液晶材料品質特性也提出了更高的要求,液晶組合物本身應具有高電荷保持率、高電阻率、低離子濃度、低功耗、低旋轉黏度。
作為液晶材料,需要具有良好的化學和熱穩定性以及對電場和電磁輻射的穩定性。而作為薄膜電晶體技術(TFT-LCD)用液晶材料,不僅需要具有如上穩定性外,還應具有較寬的向列型溫度範圍、合適的雙折射率異方性、非常高的電阻率、良好的抗紫外線性能、高電荷保持率以及低蒸汽壓等性能。
對於薄膜電晶體技術(TFT-LCD)應用領域,近年來市場雖然已經非常巨大,技術也逐漸成熟,與此同時,由於液晶材料技術的不斷進步,人們對顯示技術的要求也在不斷的提高,尤其是在實現快速回應,降低驅動電壓以降低功耗等方面。
液晶材料作為液晶顯示器重要的光電子材料之一,對改善液晶顯示器的性能發揮重要的作用。任何的顯示用液晶組合物都要求有較寬的液晶態溫度,較高的穩定性,比較適合的黏度,對電場有較快的回應速度。但是目前為止還沒有任何單一的液晶材料單獨用在液晶顯示器中,而不用開發其它性能特性的組合物就能夠滿足性能要求。因此,不斷開發新的性能優異的液晶材料對液晶顯示發展具有重要的意義。液晶在使用過程中,會不斷受到光輻射以及熱輻射的影響,同時其在製作過程中也不可避免的受到光與熱的接觸,這種接觸會造成液晶分子在雜質方面的變化,從而影響到液晶錨定能力的變化,進而影響面板的顯示效果,雖則面板技術的突飛猛進,OLED較LCD在這方面有著突出的優勢,本發明針對液晶在生產製作以及使用過程受到光以及熱的影響,提出了相應的解決方案,經過實驗表明,藉由改善,其信賴性程度大幅提升,可以避免液晶材料在接觸不同波段以及高溫時受到的不良影響。
本發明需要解決的技術問題是提供一種介電正性液晶組合物,在受到高溫以及紫外光輻射的情況下,本身不發生變化,從而提升液晶品質,適用於主動矩陣電光學元件和液晶顯示器中,可用於民用以及特殊惡劣條件下實用的TFT-LCD。
為解決上述技術問題,本發明所採用的技術方案是:
一種介電正性液晶組合物,所述液晶組合物包含一種或多種通式I所示的液晶化合物組成的組分A,包含一種或多種通式II所示的液晶化合物組成的組分B,包含一種或多種通式III所示的液晶化合物組成的組分C,還包含一種或多種通式S-1所示的化合物組成的添加劑組分D,I,Ⅱ,III,S-1,
其中,
Cyclealkyl選自環戊基,環丁基,環丙基中的任意一種。
R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種。
①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5
②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基。
③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團。
④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種。
R2 選自H、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基、碳原子為2~10的直鏈烯基或者碳原子為3~8直鏈烯氧基,其中的任意H可被F取代。
R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種。
X1 、X2 、X3 、X4 分別選自H、F中的任意一種。
Y1 選自F、碳原子數為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數為2~6的直鏈烯基中的任意一種,其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代。
Z1 、Z2 分別選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-CF2 O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種。
Z3 選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-OCH2 -、-CH2 O-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種。
分別選自單鍵、 基團中的任意一種。
選自下列(a)、(b)所示基團中的任意一種;
(a)反式1,4-亞環己基、1,4-環己烯基基團,其中一個或多個不相鄰的-CH2 -基團被-O-或-S-取代或未取代。
(b)1,4-亞苯基基團,其中一個或兩個-CH-被N取代或未取代,一個或兩個H被F取代或未取代。
n表示3、4、5、6、9、10。
a、b分別表示0、1、2、3,c表示1或2,d表示0、1、2,並且a+b+c≤5。
本發明技術方案的進一步改進在於:所述液晶組合物中,組分A的重量百分含量為1~50%,組分B的重量百分含量為1~60%,組分C的重量百分含量為1~50%。
較佳地,所述液晶組合物中,組分A的重量百分含量為5~50%,組分B的重量百分含量為10~60%,組分C的重量百分含量為5~50%。
進一步較佳地,所述液晶組合物中,組分A的重量百分含量為15~45%,組分B的重量百分含量為20~60%,組分C的重量百分含量為15~35%。
本發明技術方案的進一步改進在於:所述液晶組合物中添加劑組分D的含量為100~3000ppm。
較佳地,所述液晶組合物中添加劑組分D的含量為100~1000ppm。
進一步較佳地,所述液晶組合物中組分D的含量為100~500ppm。
最佳為100~300ppm。
本發明技術方案的進一步改進在於:所述通式I所示的化合物具體為下列式I-1 ~式I-3所示的化合物,
I-1,
I-2,
I-3,
其中,
R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種,
①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5
②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基,
③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團,
④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種。
X1 、X2 分別選自H、F中的任意一種。
Z1 、Z2 分別選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-CF2 O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種。
分別選自單鍵、基團中的任意一種。
n表示3、4、5、6、9、10。
a、b分別表示0、1、2、3,c表示1或2,並且a+b+c≤5。
本發明技術方案的進一步改進在於:所述通式I所示的化合物具體為下列式I-1-a~式I-3-t所示的化合物,I-1-a、I-1-b、I-1-c、I-1-d、I-1-e、I-1-f、I-1-g、I-1-h、I -1-i、I-1-j、I-1-k、I-1-l、I-1-m、I-1-n、I-1-o、I-1-p、I-1-q、I-1-r、I-1-s、I-1-t、I-2-a、I-2-b、I-2-c、I-2-d、I-2-e、I-2-f、I-2-g、I-2-h、I-2-i、I-2-j、I-2-k、I-2-l、I-2-m、I-2-n、I-2-o、I-2-p、I-2-q、I-2-r、I-2-s、I-2-t、I-3-a、I-3-b、I-3-c、I-3-d、I-3-e、I-3-f、I-3-g、I-3-h、I-3-i、I-3-j、I-3-k、I-3-l、I-3-m、I-3-n、I-3-o、I-3-p、I-3-q、I-3-r、I-3-s、I-3-t、
其中,
R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種。
①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5
②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基。
③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團。
④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種;
(F)表示H或F中的任意一種;
(O)表示O或-CH2 -中的任意一種。
較佳地,所述通式I所示的化合物具體為下列式I-1-a-1~式I-3-t-6所示的化合物,I-1-a-1、I-1-a-2、I-1-a-3、I-1-a-4、I-1-a-5、I-1-b-1、I-1-b-2、I-1-b-3、I-1-c-1、I-1-c-2、I-1-c-3、I-1-d-1、I-1-d-2、I-1-d-3、I-1-d-4、I-1-d-5、I-1-d-6、I-1-d-7、I-1-e-1、I-1-e-2、I-1-e-3、I-1-f-1、I-1-g-1、I-1-h-1、I-1-h-2、I-1-h-3、I-1-h-4、I-1-i-1、I-1-i-2、I-1-i-3、I-1-j-1、I-1-k-1、I-1-k-2、I-1-l-1、I-1-l-2、I-1-m-1、I-1-n-1、I-1-n-2、I-1-o-1、I-1-o-2、I-1-o-3、I-1-p-1、I-1-p-2、I-1-p-3、I-1-q-1、I-1-q-2、I-1-q-3、I-1-r-1、I-1-r-2、I-1-r-3、I-1-s-1、I-1s-2、I-1-s-3、I-1-t-1、I-1-t-2、I-1-t-3、I-2-a-1、I-2-a-2、I-2-a-3、I-2-a-4、I-2-a-5、I-2-b-1、I-2-b-2、I-2-b-3、I-2-b-4、I-2-b-5、I-2-b-6、I-2-c-1、I-2-c-2、I-2-c-3、I-2-d-1、I-2-d-2、I-2-d-3、I-2-d-4、I-2-d-5、I-2-d-6、I-2-d-7、I-2-e-1、I-2-e-2、I-2-e-3、I-2-f-1、I-2-g-1、I-2-h-1、I-2-h-2、I-2-h-3、I-2-h-4、I-2-i-1、I-2-i-2、I-2-i-3、I-2-j-1、I-2-k-1、I-2-k-2、I-2-l-1、I-2-l-2、I-2-m-1、I-2-n-1、I-2-n-2、I-2-o-1、I-2-o-2、I-2-o-3、I-2-p-1、I-2-p-2、I-2-p-3、I-2-q-1、I-2-q-2、I-2-q-3、I-2-r-1、I-2-r-2、I-2-r-3、I-2-s-1、I-2-s-2、I-2-s-3、I-2-t-1、I-2-t-2、I-2-t-3、I-3-a-1、I-3-a-2、I-3-a-3、I-3-a-4、I-3-a-5、I-3-b-1、I-3-b-2、I-3-b-3、I-3-b-4、I-3-b-5、I-3-b-6、I-3-c-1、I-3-c-2、I-3-c-3、I-3-d-1、I-3-d-2、I-3-d-3、I-3-d-4、I-3-d-5、I-3-d-6、I-3-d-7、I-3-e-1、I-3-e-2、I-3-e-3、I-3-f-1、I-3-g-1、I-3-h-1、I-3-h-2、I-3-h-3、I-3-h-4、I-3-i-1、I-3-i-2、I-3-i-3、I-3-j-1、I-3-k-1、I-3-k-2、I-3-l-1、I-3-l-2、I-3-m-1、I-3-n-1、I-3-n-2、I-3-o-1、I-3-o-2、I-3-o-3、I-3-p-1、I-3-p-2、I-3-p-3、I-3-q-1、I-3-q-2、I-3-q-3、I-3-r-1、I-3-r-2、I-3-r-3、I-3-s-1、I-3-s-2、I-3-s-3、I-3-t-1、I-3-t-2、I-3-t-3。
本發明技術方案的進一步改進在於:所述通式Ⅲ所示的化合物具體為下列式Ⅲ-a~式Ⅲ-u所示的化合物,(Ⅲ-a)、(Ⅲ-b)、(Ⅲ-c)、(Ⅲ-d)、(Ⅲ-e)、(Ⅲ-f)、(Ⅲ-g)、(Ⅲ-h)、(Ⅲ-i)、(Ⅲ-j)、(Ⅲ-k)、(Ⅲ-l)、(Ⅲ-m)、(Ⅲ-n)、(Ⅲ-o)、(Ⅲ-p)、(Ⅲ-q)、(Ⅲ-r)、(Ⅲ-s)、(Ⅲ-t)、(Ⅲ-u)、
其中,
R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種;
Y1 選自F、碳原子數為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數為2~6的直鏈烯基中的任意一種,其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代;
(F)表示H或F中的任意一種。
較佳地,所述通式Ⅲ所示的化合物具體為下列式Ⅲ-a-1~式Ⅲ-m-1所示的化合物,Ⅲ-a-1、Ⅲ-a-2、Ⅲ-b-1、Ⅲ-c-1、Ⅲ-d-1、Ⅲ-e-1、Ⅲ-f-1、Ⅲ-g-1、Ⅲ-m-1、
其中,
R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種。
本發明還公開了上述的一種介電正性液晶組合物應用於液晶顯示元件和液晶顯示器中。
由於採用了上述技術方案,本發明取得的技術進步是:
本發明的一種介電正性液晶組合物,具有高電荷保持率、低功耗、低旋轉黏度、回應時間快的特點,適用於主動矩陣電光學元件和液晶顯示器,且尤其是扭曲向列(TN)、面內切換(IPS)或邊緣場切換(FFS)類型的顯示器。
本發明提供的介電正性液晶組合物性能優異,可以滿足高信賴性要求,具有抗氧化穩定性、抗紫外穩定性以及抗高低溫穩定性。也具有非常低的總回應時間,具有較低的電壓,高的電阻率及電壓保持率。藉由對各個組分含量的調整,本發明所述的向列型型液晶組合物可以具有不同閾值電壓和雙折射特性,可以做成客戶通常所用的各個體系,便於在不同液晶盒厚和不同驅動電壓下使用。且液晶混合物在高溫後仍能表現出高的電阻率,此液晶混合物表現出優異的具有優異的高溫和紫外穩定性能。同時,本發明中液晶混合物還表現出低黏度、快回應時間、適當的光學異方性和適當的介電異方性,因此可應具有主動矩陣定址的光電顯示器。
本發明的介電正性液晶組合物,可以用於主動矩陣顯示器,較佳藉由薄膜電晶體(TFT)的矩陣定址,特別適用於製造快速回應的主動矩陣TN-TFT,IPS-TFT液晶顯示元件和液晶顯示器,也屬於本發明的保護範圍。
本發明公開了一種介電正性液晶組合物,其特徵在於:所述液晶組合物包含一種或多種通式I所示的液晶化合物組成的組分A,包含一種或多種通式II所示的液晶化合物組成的組分B,包含一種或多種通式III所示的液晶化合物組成的組分C,還包含一種或多種通式S-1所示的化合物組成的添加劑組分D,I、Ⅱ、III、S-1、
其中,
Cyclealkyl選自環戊基,環丁基,環丙基中的任意一種,
R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種,
①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5
②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基,
③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團,
④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種;
R2 選自H、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基、碳原子為2~10的直鏈烯基或者碳原子為3~8直鏈烯氧基,其中的任意H可被F取代;
R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種;
X1 、X2 、X3 、X4 分別選自H、F中的任意一種;
Y1 選自F、碳原子數為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數為2~6的直鏈烯基中的任意一種,其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代;
Z1 、Z2 分別選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-CF2 O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種;
Z3 選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-OCH2 -、-CH2 O-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種;
分別選自單鍵、 基團中的任意一種;
選自下列(a)、(b)所示基團中的任意一種,
(a)反式1,4-亞環己基、1,4-環己烯基基團,其中一個或多個不相鄰的-CH2 -基團被-O-或-S-取代或未取代;
(b)1,4-亞苯基基團,其中一個或兩個-CH-被N取代或未取代,一個或兩個H被F取代或未取代;
n表示3、4、5、6、9、10;
a、b分別表示0、1、2、3,c表示1或2,d表示0、1、2,並且a+b+c≤5。
本發明還公開了液晶組合物中,組分A的重量百分含量為1~50%,組分B的重量百分含量為1~60%,組分C的重量百分含量為1~50%。
本發明還公開了液晶組合物中,組分D的含量為100~3000ppm。
本發明的液晶組合物可採用一般方法將兩種或多種液晶化合物混合進行生產,如在高溫下混合不同組分並彼此溶解的方法製備,其中,將液晶組合物溶解在用於該化合物的溶劑中並混合,然後在減壓下蒸餾出該溶劑;或者本發明的液晶組合物可按照一般的製備方法製備。
本發明中符號的具體意義及測試條件如下:
%:重量百分含量;
℃:溫度單位,攝氏度;
Cp:表示液晶的清亮點(℃)。
S-N:表示液晶的晶態到向列型的熔點(℃)。
△n:為光學異方性,no為尋常光的折射率,ne為非尋常光的折射率,測試條件為,589nm,25℃。
△ε:為介電異方性,△ε=ε ,其中,ε 為平行於分子軸的介電常數,ε 為垂直於分子軸的介電常數,測試條件為25℃;1KHz;HP4284A;4.0微米TN左旋盒。
γ1 :旋轉黏度[mPa·s],測試條件為25±0.5℃。
ρ:電阻率[Ω·cm],電阻率值越大,液晶組合物品質越好。
VHR:電壓保持率[%],可以表徵液晶組合物的品質及其在高溫和紫外條件下的穩定性,電壓保持率值越大,液晶組合物品質越優、穩定性越好。
※:表示不屬於A類、B類、C類、D類單體。
低溫儲存:低溫儲存時間越長,代表混晶材料的互溶性越好;
下面結合具體實施例對本發明作進一步闡述,但下面的實施例為本發明的示例,本發明並不限於以下實施例。在不偏離本發明主旨或範圍的情況下,藉由在本發明的液晶組合物內還可以藉由對各組分含量的調整,修改或改良出具有不同閾值,清亮點,雙折射特性的液晶混合物,這對本領域技術人員是顯而易見的。所述方法如無特別說明均為一般方法。所述材料如無特別說明均能從公開商業途徑而得。
在以下的實施例中所採用的各成分,均可以藉由習知的方法進行合成,或者藉由商業途徑獲得。這些合成技術是一般的,所得到的各液晶化合物經測試符合電子類化合物標準。
按照以下實施例規定的各液晶組合物的配比,製備液晶組合物。所述液晶組合物的製備是按照本領域的一般方法進行的,如採取加熱,超聲波,懸浮等方式按照規定比例混合製得。
取以下重量百分含量的液晶化合物配置液晶組合物,製備並研究下列實施例中給出的液晶組合物。下面顯示了各液晶組合物的組成和其性能參數測試結果。
本發明申請實施例液晶單體結構用代碼表示,液晶環結構、端基、連接基團的代碼表示方法見下表(一)、表(二)
表(一):環結構的對應代碼
表(二):端基與連結基團的對應代碼
舉例:
H(5)HHV1
3B B(3F) B(3F,5F)CF2OB(3F,4F,5F)
實施例1
實施例2
實施例3
實施例4
實施例5
對比例1
對比例2
對比例3
對比例4
對比例5
對比例6
對比例7
實施例1-5及對比例1-5的基本性能參數測試結果
實施例1-5的信賴性能參數測試結果
對比例1-7的信賴性能參數測試結果
實施例1-5及對比例1-7的低溫儲存結果
藉由實施例1與對比例1對比,實施例2與對比例2對比,實施例3與對比例3對比,實施例4與對比例4對比,實施例5與對比例5對比可以看出,本專利所指的混合物電阻率及VHR均有較大提升,特別是耐光熱能力顯著提升;對比實施例1與對比例6的信賴性測試資料可以看出,實施例1所代表的混晶組合物在初始、紫外、高溫條件下的電阻率及VHR均優於對比例6,說明本專利所指的混合物信賴性更優異;對比實施例3與對比例7的低溫儲存結果可以看出,實施例3所代表的混晶組合物在-50℃可存活30天,而對比例7所代表的混晶組合物在-20℃僅能存活25天,說明本專利所指的混合物低溫互溶性更好。
本發明雖然僅僅列舉了上述5個實施例的具體物質和配比質量百分比,並對組成的液晶組合物的性能進行了測試,但是本發明的液晶組合物可以在上述實施例的基礎上,利用本發明所涉及的通式I、II、III所代表的化合物、以及通式I、II、III的較佳的化合物進行進一步拓展和修改,均能達到本發明的目的。

Claims (8)

  1. 一種介電正性液晶組合物,其中,該液晶組合物包含一種或多種通式I所示的液晶化合物組成的組分A、一種或多種通式II所示的液晶化合物組成的組分B、一種或多種通式III所示的液晶化合物組成的組分C、還包含一種或多種通式S-1所示化合物組成的添加劑組分D,I、Ⅱ、III、S-1、 其中, Cyclealkyl選自環戊基,環丁基,環丙基中的任意一種, R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種, ①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5 , ②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基, ③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團, ④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種; R2 選自H、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基、碳原子為2~10的直鏈烯基或者碳原子為3~8直鏈烯氧基,其中的任意H可被F取代; R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種; X1 、X2 、X3 、X4 分別選自H、F中的任意一種; Y1 選自F、碳原子數為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數為2~6的直鏈烯基中的任意一種,其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代; Z1 、Z2 分別選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-CF2 O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種; Z3 選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-OCH2 -、-CH2 O-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種;分別選自單鍵、 基團中的任意一種;選自下列(a)、(b)所示基團中的任意一種, (a)反式1,4-亞環己基、1,4-環己烯基基團,其中一個或多個不相鄰的-CH2 -基團可被-O-或-S-取代或未取代; (b)1,4-亞苯基基團,其中一個或兩個-CH-被N取代或未取代,一個或兩個H可被F取代或未取代; n表示3、4、5、6、9、10; a、b分別表示0、1、2、3,c表示1或2,d表示0、1、2,並且a+b+c≤5。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的介電正性液晶組合物,其中,該液晶組合物中,組分A的重量百分含量為1~50%,組分B的重量百分含量為1~60%,組分C的重量百分含量為1~50%。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的介電正性液晶組合物,其中,該液晶組合物中添加劑組分D的含量為100~3000ppm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的介電正性液晶組合物,其中,該通式I所示的化合物具體為下列式I-1~式I-3所示的化合物,(I-1)、(I-2)、(I-3)、 其中, R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種, ①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5 , ②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基, ③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團, ④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種; X1 、X2 分別選自H、F中的任意一種; Z1 、Z2 分別選自單鍵、-CH2 -、-CH2 -CH2 -、-(CH23 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、-CF2 O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C2 F4 -或-CF=CF-中的任意一種;分別選自單鍵、基團中的任意一種; n表示3、4、5、6、9、10; a、b分別表示0、1、2、3,c表示1或2,並且a+b+c≤5。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的介電正性液晶組合物,其中,該通式I所示的化合物具體為下列式I-1-a~式I-3-t所示的化合物:(I-1-a)、(I-1-b)、(I-1-c)、(I-1-d)、(I-1-e)、(I-1-f)、(I-1-g)、(I-1-h)、(I -1-i)、(I-1-j)、(I-1-k)、(I-1-l)、(I-1-m)、(I-1-n)、(I-1-o)、(I-1-p)、(I-1-q)、(I-1-r)、(I-1-s)、(I-1-t)、(I-2-a)、(I-2-b)、(I-2-c)、(I-2-d)、(I-2-e)、(I-2-f)、(I-2-g)、(I-2-h)、(I-2-i)、(I-2-j)、(I-2-k)、(I-2-l)、(I-2-m)、(I-2-n)、(I-2-o)、(I-2-p)、(I-2-q)、(I-2-r)、(I-2-s)、(I-2-t)、(I-3-a)、(I-3-b)、(I-3-c)、(I-3-d)、(I-3-e)、(I-3-f)、(I-3-g)、(I-3-h)、(I-3-i)、(I-3-j)、(I-3-k)、(I-3-l)、(I-3-m)、(I-3-n)、(I-3-o)、(I-3-p)、(I-3-q)、(I-3-r)、(I-3-s)、(I-3-t)。 其中, R1 選自下列①、②、③、④所示基團中的任意一種, ①H、Cl、F、CN、OCN、OCF3 、CF3 、CHF2 、CH2 F、OCHF2 、SCN、NCS、SF5 , ②碳原子數為1~15的直鏈烷基、碳原子數為1~15的直鏈烷氧基、碳原子數為2~15的直鏈烯基或碳原子數為2~15的直鏈烯氧基, ③上述②中的一個或多個-CH2 -可以各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、環丁烷、環戊烷、-O-或-S-替代且替代後以氧原子不直接相連的形式所形成的基團, ④上述②中的一個或多個H各自獨立地被F、Cl取代所形成的基團中的至少一種; (F)表示H或F中的任意一種; (O)表示O或-CH2 -中的任意一種。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的介電正性液晶組合物,其中,該通式Ⅱ所示的化合物具體為下列式Ⅱ-a~式Ⅱ-b所示的化合物,Ⅱ-a、Ⅱ-b。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的一種介電正性液晶組合物,其中,該通式Ⅲ所示的化合物具體為下列式Ⅲ-a~式Ⅲ-u所示的化合物:(Ⅲ-a)、(Ⅲ-b)、(Ⅲ-c)、(Ⅲ-d)、(Ⅲ-e)、(Ⅲ-f)、(Ⅲ-g)、(Ⅲ-h)、(Ⅲ-i)、(Ⅲ-j)、(Ⅲ-k)、(Ⅲ-l)、(Ⅲ-m)、(Ⅲ-n)、(Ⅲ-o)、(Ⅲ-p)、(Ⅲ-q)、(Ⅲ-r)、(Ⅲ-s)、(Ⅲ-t)、(Ⅲ-u)、 其中, R3 選自、碳原子數為1~10的直鏈烷基、碳原子數為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數為2~10的直鏈烯基中的任意一種; Y1 選自F、碳原子數為1~6的直鏈烷基、直鏈烷氧基或碳原子數為2~6的直鏈烯基中的任意一種,其中的H為未被取代或被F單取代或被F多取代; (F)表示H或F中的任意一種。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的介電正性液晶組合物,其應用於液晶顯示元件和液晶顯示器中。
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