TW201812850A - 監控製程裝置的方法與裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板，其包括：一基板層；及該基板層上之一可蝕刻層，該可蝕刻層於其上或於其中包括一經圖案化區且包括一空白區，該空白區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻該空白區的一蝕刻工具之一主體蝕刻速率。

Description

監控製程裝置的方法與裝置
本描述係關於一種用於監控及/或調整與處理基板相關的一或多個製造變量的方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)或經設計為功能性的其他器件之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於經設計為功能性的器件之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
諸如半導體器件之製造器件通常涉及使用數個製作製程來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵且常常形成該等器件之多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及/或特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造製程可被認為係圖案化製程。圖案化製程涉及圖案化步驟，諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影，以在基板上提供圖案且通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻裝置蝕刻圖案等等。此外，在圖案化製程中涉及一或多個度量衡製程。 在圖案化製程期間在各種步驟下使用度量衡製程以監控及/或控制該製程。舉例而言，度量衡製程係用以量測基板之一或多個特性，諸如，在圖案化製程期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如，對齊、疊對、對準等等)或尺寸(例如，線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等等)，使得例如可自該一或多個特性判定圖案化製程之效能。若該一或多個特性係不可接受的(例如，在特性之預定範圍之外)，則可例如基於該一或多個特性之量測變更圖案化製程之一或多個變量，使得藉由圖案化製程製造之另外基板具有可接受的特性。 幾十年來，隨著微影及其他圖案化製程技術之推進，功能性元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件功能性元件(諸如電晶體)之量已穩定地增加。同時，對在疊對、臨界尺寸(CD)等等方面之準確度要求已變得愈來愈嚴格。諸如疊對誤差、CD誤差等等之誤差將不可避免地在圖案化製程中產生。舉例而言，可自光學像差、圖案化器件加熱、圖案化器件誤差及/或基板加熱產生成像誤差，且可依據例如疊對誤差、CD誤差等等來特性化成像誤差。另外或替代地，可在圖案化製程中之其他部分中(諸如在蝕刻、顯影、烘烤等等中)引入誤差，且類似地，可依據例如疊對誤差、CD誤差等等來特性化該等誤差。該誤差可直接造成在器件之運行方面之問題，包括器件運行之故障，或運行器件之一或多個電氣問題。 微影基線系統可用於監控微影裝置隨時間推移之效能。當微影裝置之效能偏離可接受的標準時，可採取措施，諸如重新校準、修復、中斷等等。此外，微影基線系統可藉由例如調節微影裝置之一或多個設定(變量)來實現對微影裝置之及時控制。因此，微影基線系統可在高量製造(HVM)中實現例如穩定效能。 微影基線系統可實際上旨在將微影裝置保持在某一基線。為此，在一實施例中，微影基線系統獲得使用度量衡工具(諸如以繞射為基礎之光學量測工具)對監控晶圓進行之量測。在一實施例中，監控晶圓可使用包含適於度量衡工具之標記的某一圖案化器件圖案而曝光。根據該等量測，微影基線系統判定微影裝置已自其基線漂移了多遠。在一實施例中，微影基線系統接著計算例如基板層級疊對及/或聚焦校正集合。微影裝置接著使用此等校正集合來進行特定校正以用於曝光後續產生晶圓。 對於非微影製程裝置，例如，塗佈顯影系統、蝕刻工具、沈積工具、化學機械平坦化(CMP)工具等等，需要類似基線。因此，需要提供一種可較佳監控及/或控制非微影製程裝置之效能的方法及/或裝置。 在一實施例中，提供一種基板，其包含：一基板層；及該基板層上之一可蝕刻層，該可蝕刻層於其上或於其中包含一經圖案化區且包含一空白區，該空白區具有足夠大小以使得能夠判定一蝕刻工具之一主體蝕刻速率。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：在藉由一微影工具上游或下游之一製程工具處理一基板之後評估該基板上之一圖案，以判定該經評估圖案之一特性之一值；判定該經評估圖案之該特性之該值是否符合該特性之一目標值；以及回應於該經評估圖案之該特性之該值不符合該特性之該目標值之一判定而藉由一硬體電腦系統且至少部分地基於該判定來產生且輸出關於該該製程工具之資訊。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：提供包括一基板層及該基板層上之一可蝕刻層之一基板，該可蝕刻層於其上或於其中具有一第一經圖案化區；運用一蝕刻工具蝕刻該經圖案化區之至少部分以在該可蝕刻層中形成一第二經圖案化區；評估該第二經圖案化區之一特性，其中該評估包含判定該第二經圖案化區之該經評估特性之一值與該特性之一目標值之間的一偏差；以及藉由一硬體電腦系統且基於該偏差產生且輸出修改資訊，以調整該蝕刻工具及/或調整該蝕刻工具上游或下游之一製程裝置。 在一態樣中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器系統引起本文中所描述之一方法之執行。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其經組態以儲存機器可讀指令，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該硬體處理器系統執行如本文中所描述之一方法。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含： - 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； - 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上，該投影系統被支撐於參考框架(RF)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件的方式來支撐圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用可被視為均與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在基板之目標部分中賦予圖案之任何器件。在一實施例中，圖案化器件為可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要之圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之諸如積體電路的器件中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般之術語「投影系統」同義。 投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉移函數。對於非偏振輻射，此等效應可由兩個純量映圖相當良好地描述，該兩個純量映圖描述依據射出投影系統PS之輻射之光瞳平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可被稱作透射率映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基底函數之全集之線性組合。一特別適宜的集合為任尼克(Zernike)多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。每一純量映圖之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，故可藉由依次計算經量測純量映圖與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數之平方來判定任尼克係數。 透射映圖及相對相位映圖係場及系統相依的。亦即，一般而言，每一投影系統PS將針對每一場點(亦即，針對投影系統PS之影像平面中之每一空間部位)具有一不同任尼克展開式。可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源之輻射投影通過投影系統PS且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計係共同路徑干涉計且因此，有利的是，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含：一繞射光柵，例如，投影系統之影像平面(亦即，基板台WT)中之二維柵格；及一偵測器，其經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案係與輻射之相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標的導數相關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如，電荷耦合器件(CCD)。 微影裝置之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此，可使用諸如移動繞射光柵之相位步進技術來增強波前判定之準確度。可在繞射光柵之平面中及在垂直於量測之掃描方向的方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，每一掃描量測係針對在x方向上之一不同位置予以執行。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。 可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源之輻射投影通過投影系統PS且使用偵測器來量測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差的偵測器同一個的偵測器。 投影系統PS可包含複數個光學(例如，透鏡)元件且可進一步包含調整機構AM，該調整機構經組態以調整該等光學元件中之一或多者以便校正像差(橫越貫穿場之光瞳平面之相位變化)。為了達成此校正，調整機構可操作而以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有其光軸在z方向上延伸的座標系。調整機構可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常在垂直於光軸之平面之外藉由圍繞在x及/或y方向上之軸線旋轉而進行，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，像散)及/或高頻形狀(例如，自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(橫越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影裝置LA之圖案化器件(例如，光罩) MA時使用投影系統PS之透射映圖。使用計算微影技術，圖案化器件MA可經設計為用以至少部分地校正變跡。 如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化器件台、在無專用於例如促進量測及/或清潔等之基板的投影系統下方之基板台WTa及基板台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可使用對準感測器AS進行對準量測及/或可使用位階感測器LS進行位階(高度、傾斜等等)量測。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作s外部及s內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉式器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT例如以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位以使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。 2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可採用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。 如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同製程裝置之間移動且將其遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱為塗佈顯影系統(track)之此等裝置受塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如，後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)、焦點偏移、材料屬性等等。因此，微影製造單元LC位於其中之製造設施亦通常包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中經處理之基板W中之一些或全部。度量衡系統MET可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影裝置LA之部分。 可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測以使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或對經曝光基板之後續曝光進行調整。又，已曝光之基板可經剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。 在度量衡系統MET內，檢測裝置係用於判定基板之一或多個屬性，且尤其判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在不同層間如何變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為實現快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有低對比度-在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感性來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，PEB通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能對經顯影之抗蝕劑影像進行量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分抑或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後一可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。 為了實現度量衡，可將一或多個目標提供於基板上。在一實施例中，目標經專門設計且可包含週期性結構。在一實施例中，目標為器件圖案之一部分，例如為器件圖案之週期性結構。由習知散射計使用之目標包含相對大週期性結構佈局(例如，包含一或多個光柵)，例如，40微米乘40微米。在彼狀況下，量測光束通常具有小於週期性結構佈局之光點大小(亦即，佈局填充不足，使得週期性結構中之一或多者並未完全由光點覆蓋)。此情形簡化目標之數學重建構，此係因為可將目標視為無限的。然而，舉例而言，因此可將目標定位於產品特徵當中而非切割道中，目標之大小已縮減例如至20微米乘20微米或更小，或縮減至10微米乘10微米或更小。在此情形下，可使週期性結構佈局小於量測光點(亦即，週期性結構佈局填充過度)。通常使用暗場散射量測來量測此目標，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射），且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中找到暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文特此以引用方式併入。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文特此以引用方式併入。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對使能夠對較小目標進行疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。在一實施例中，可在一個影像中量測多個目標。 在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。 在一實施例中，光柵之圖案對於圖案化製程之一或多個處理特質(例如，色像差、焦點、劑量等)敏感且此一或多個特質之存在將顯現在印刷光柵之變化上。舉例而言，在一實施例中，光柵之圖案對於微影投影裝置之一或多個處理特質(例如，色像差、焦點、劑量等等)敏感且此一或多個特質之存在將顯現在印刷光柵之變化上；光柵之量測接著可用於判定曝光期間之焦點、曝光期間之劑量等等。在一實施例中，光柵之圖案對於一或多個非微影製程特質(例如，沈積之特質、蝕刻之特質、平坦化之特質等等)敏感且此一或多個特質之存在將顯現在印刷光柵之變化上；光柵之量測接著可用於判定例如膜厚度均一性(針對沈積)、蝕刻速率均一性(針對蝕刻)、蝕刻傾斜角均一性(針對蝕刻)及/或平坦化凹陷(針對諸如CMP平坦化之平坦化)。 因此，印刷光柵之經量測資料可用於重新建構圖案化製程之光柵及一或多個特性。根據印刷步驟及/或其他量測製程之知識，1D光柵之參數，諸如線寬或形狀或3D剖面特性，或2D光柵之參數，諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀或3D剖面特性，可輸入至由處理單元PU執行之重建構製程。 圖3A中展示適合用於實施例中之度量衡裝置。圖3B中更詳細地說明目標T (包含諸如光柵之週期性結構)及繞射射線。暗場度量衡裝置可為單機器件或(例如)在量測站處併入微影裝置LA或併入微影製造單元LC中。具有貫穿裝置之若干分支的光軸係由點線O表示。在此裝置中，由輸出件11 (例如，諸如雷射或氙氣燈之源，或連接至源之開口)發射之輻射係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由稜鏡15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上。 在一實施例中，透鏡配置允許取用中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，此選擇可例如藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N自僅出於描述起見而經指定為「北」之方向提供離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S用於提供類似照明，但類似照明來自被標註為「南」之相對方向。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要輻射可干涉所要量測信號。 如圖3B中所展示，目標T經置放為使得基板W實質上垂直於物鏡16之光軸O。與軸線O成一角度而照射於目標T上之照明射線I產生零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。在運用填充過度之小目標T的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，故入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，週期性結構間距及照明角度可經設計或經調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3A及圖3B所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被較容易地區分。由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被返回導向通過稜鏡15。 返回至圖3A，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來施加第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。相比而言，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。因此，在一實施例中，藉由在某些條件下量測目標兩次(例如，在使目標旋轉或改變照明模式或改變成像模式以分別獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度之後)來獲得量測結果。比較給定目標之此等強度提供目標不對稱性之量測，且目標之不對稱性可用作之微影製程之參數(例如，疊對誤差)的指示符。在上文所描述之情形下，改變照明模式。 光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多量測目的，其未在此處被詳細描述。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上的目標之影像DF係由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至處理器及控制器PU，該處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成週期性結構特徵(例如，光柵線)之影像。 圖3所展示之孔徑板13及光闌21之特定形式純粹為實例。在另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦在量測中使用二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)。 為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，使用孔徑板13N或13S以量測在一個方向(取決於設置為X或Y)上定向之目標之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖3C及圖3D展示不同孔徑板。圖3C說明離軸照明模式之兩種另外類型。在圖3C之第一照明模式中，孔徑板13E提供來自僅出於描述起見而相對於先前所描述之「北」指明為「東」之方向的離軸照明。在圖3C之第二照明模式中，孔徑板13W用以提供類似照明，但提供來自被標註為「西」之相對方向的照明。圖3D說明離軸照明模式之兩種另外類型。在圖3D之第一照明模式中，孔徑板13NW提供來自被指定為如先前所描述之「北」及「西」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13SE係用以提供類似照明，但提供來自被標註為如先前所描述之「南」及「東」之相對方向之照明。舉例而言，上文所提及之先前公佈之專利申請公開案中描述裝置之此等及眾多其他變化及應用的使用。 圖4描繪形成於基板上之實例複合度量衡目標。該複合目標包含緊密定位在一起之四個週期性結構(在此狀況下，光柵) 32、33、34、35。在一實施例中，該等週期性結構足夠緊密地定位在一起，使得其皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。在彼狀況下，該四個週期性結構因此皆被同時照明且同時成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之一實例中，週期性結構32、33、34、35自身為藉由上覆週期性結構而形成之複合週期性結構(例如，複合光柵)，亦即，週期性結構在形成於基板W上之器件之不同層中經圖案化且使得一個層中之至少一個週期性結構與一不同層中之至少一個週期性結構疊對。此目標可具有在20微米×20微米內或在16微米×16微米內之外部尺寸。此外，所有週期性結構皆用以量測特定對之層之間的疊對。為了促進目標能夠量測多於單一層對，週期性結構32、33、34、35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合週期性結構之不同部分的不同層之間的疊對之量測。因此，用於基板上之目標之所有週期性結構將用以量測一層對，且用於基板上之另一相同目標之所有週期性結構將用以量測另一層對，其中不同偏置促進區分層對。 返回至圖4，週期性結構32、33、34、35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便使入射輻射在X及Y方向上繞射。在一個實例中，週期性結構32及34為分別具有+d、-d之偏置的X方向週期性結構。週期性結構33及35可為分別具有偏移+d及-d之Y方向週期性結構。雖然說明四個週期性結構，但另一實施例可包括更大矩陣以獲得所要準確度。舉例而言，九個複合週期性結構之3×3陣列可具有偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之分離影像。 圖5展示在使用來自圖3D之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測到的影像之實例。雖然感測器19不能解析不同個別週期性結構32至35，但感測器23可解析不同個別週期性結構32至35。暗矩形表示感測器上之影像之場，在該場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此場內，矩形區域42至45表示週期性結構32至35之影像。若週期性結構位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見產品特徵。處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像以識別週期性結構32至35之單獨影像42至45。以此方式，該等影像不必在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此極大地改良量測裝置整體上之產出率。 一旦已識別週期性結構之單獨影像，就可(例如)藉由平均化或求和經識別區域內之經選擇像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影製程之不同參數。疊對效能為此參數之一實例。 圖10描繪實例檢測裝置(例如，散射計)。其包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。經重新導向輻射傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜10 (依據波長而變化的強度)，如例如在左下方的曲線圖中所展示。根據此資料，可藉由例如嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與圖10之右下方所展示之經模擬光譜之庫的比較由處理器PU重新建構導致偵測到之光譜的結構或剖面。一般而言，對於重新建構，結構之一般形式為吾人所知，且根據藉以製造結構之製程之知識來假定一些變數，從而僅留下結構之幾個變數以根據經量測資料予以判定。此檢測裝置可經組態作為正入射檢測裝置或斜入射檢測裝置。 圖11中展示可使用之另一檢測裝置。在此器件中，由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統120而準直且透射通過干涉濾光器130及偏振器170、由部分反射表面160反射且經由物鏡150而聚焦至基板W上之光點S中，物鏡150具有高數值孔徑(NA)，理想地為至少0.9或至少0.95。浸潤檢測裝置(使用相對高折射率流體，諸如水)甚至可具有大於1之數值孔徑。 如在微影裝置LA中一樣，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。該等基板台可在形式上與圖1之基板台WT類似或相同。在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至為相同基板台。可將粗略定位器及精細定位器提供至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器例如以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至物鏡150下方之位置中。通常將對橫越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。可在X及Y方向上移動基板支撐件以獲取不同目標，且可在Z方向上移動該基板支撐件以獲得目標相對於光學系統之聚焦之所要部位。舉例而言，當實務上光學系統可保持實質上靜止(通常在X及Y方向上但可能亦在Z方向上)且僅基板移動時，考慮且描述操作如同物鏡被帶入至相對於基板之不同部位為方便的。倘若基板及光學系統之相對位置正確，則原則上無關緊要的係，基板與光學系統中之哪一者在真實世界中移動，或其兩者皆移動，抑或光學系統之一部分之組合移動(例如，在Z方向及/或傾斜方向上)，其中光學系統之剩餘部分靜止且基板移動(例如，在X及Y方向上，且視情況亦在Z方向及/或傾斜方向上)。 由基板W重新導向之輻射接著通過部分反射表面160傳遞至偵測器180中以便使光譜被偵測到。偵測器180可位於背向投影式焦平面110處(亦即，位於透鏡系統150之焦距處)或平面110可運用輔助光學件(圖中未繪示)重新成像至偵測器180上。該偵測器可為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角度散射光譜。偵測器180可為例如CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為例如每圖框40毫秒之積分時間。 參考光束可用以例如量測入射輻射之強度。為進行此量測，當輻射光束入射於部分反射表面160上時，將輻射光束之部分作為參考光束通過部分反射表面160而透射朝向參考鏡面140。接著將參考光束投影至同一偵測器180之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。 一或多個干涉濾光器130可用於選擇在為(比如) 405奈米至790奈米或甚至更低(諸如，200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。該干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器集合。可使用光柵代替干涉濾光器。孔徑光闌或空間光調變器(圖中未繪示)可提供於照明路徑中以控制輻射在目標上之入射角之範圍。 偵測器180可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之經重新導向輻射之強度、分別在多個波長下之經重新導向輻射之強度，或遍及一波長範圍而積分之經重新導向輻射之強度。此外，偵測器可分別量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。 基板W上之目標30可為1D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2D光柵，其經印刷以使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可經蝕刻至基板中或基板上(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。(例如長條、導柱或通孔之)圖案對在圖案化製程中之處理之改變(例如，微影投影裝置(特別是投影系統PS)中之光學像差、聚焦改變、劑量改變等等)敏感，且將顯現在經印刷光柵之變化上。因此，印刷光柵之量測資料係用於重新建構光柵。可根據印刷步驟及/或其他檢測製程之知識，將1D光柵之一或多個參數，諸如線寬及/或形狀，或2D光柵之一或多個參數，諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀，輸入至由處理器PU執行之重新建構製程。 除了藉由重新建構進行參數之量測以外，角度解析散射量測亦適用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性之量測。不對稱性量測之一特定應用係針對疊對量測，其中目標30包含一個週期性特徵集合，其疊置於另一週期性特徵集合上。使用圖10或圖11之儀器之不對稱性量測之概念係例如在美國專利申請公開案US2006-066855中描述，該公開案之全文併入本文中。簡單地陳述，雖然目標之繞射光譜中之繞射階之位置係僅藉由目標之週期性予以判定，但繞射光譜中之不對稱性指示構成該目標之個別特徵中之不對稱性。在圖11之儀器中(其中偵測器180可為影像感測器)，繞射階中之此不對稱性直接顯現為由偵測器180記錄之光瞳影像中的不對稱性。可藉由單元PU中之數位影像處理來量測此不對稱性，且相對於已知疊對值來校準此不對稱性。 圖12說明典型目標30之平面圖，及圖11之裝置中之照明光點S的範圍。為獲得擺脫來自環繞結構之干涉的繞射光譜，在一實施例中，目標30為大於照明光點S之寬度(例如，直徑)之週期性結構(例如，光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標係由照明「填充不足」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者之任何信號。照明配置2、120、130、170可經組態以提供橫越接物鏡150之背焦平面的具有均一強度之照明。替代地，藉由例如使在照明路徑中包括孔徑，照明可限於同軸或離軸方向。 圖13示意性地描繪基於使用度量衡所獲得之量測資料而進行目標圖案30'之一或多個所關注變數之值之判定的實例製程。由偵測器180偵測到之輻射提供用於目標30'之經量測輻射分佈108。 對於給定目標30'，可使用例如數值馬克士威求解程序210自經參數化模型206計算/模擬輻射分佈208。經參數化模型206展示構成目標及與該目標相關聯的各種材料之實例層。經參數化模型206可包括用於在考慮中的目標之部分之特徵及層之變數中的一或多者，其可變化且被導出。如圖13中所展示，變數中之一或多者可包括一或多個層之厚度t 、一或多個特徵之寬度w (例如，CD)、一或多個特徵之高度h ，及/或一或多個特徵之側壁角α 。儘管圖中未繪示，但變數中之一或多者可進一步包括但不限於：層中之一或多者之折射率(例如，真折射率或複折射率、折射率張量等等)、一或多個層之消光係數、一或多個層之吸收率、在顯影期間之抗蝕劑損失、一或多個特徵之基腳，及/或一或多個特徵之線邊緣粗糙度。該等變數之初始值可為針對經量測之目標所預期的值。接著在212處比較經量測輻射分佈108與經計算輻射分佈208以判定兩者之間的差。若存在差，則可變化經參數化模型206之變數中之一或多者之值，計算新的所計算輻射分佈208且將其與經量測輻射分佈108比較直至在經量測輻射分佈108與所計算輻射分佈208之間存在足夠匹配為止。彼時，經參數化模型206之變數之值提供實際目標30'之幾何形狀的良好或最佳匹配。在一實施例中，當經量測輻射分佈108與所計算輻射分佈208之間的差在容許度臨限值內時存在足夠匹配。 目標之量測準確度及/或敏感度可相對於提供至目標上之輻射光束之一或多個特質(例如，輻射光束之波長、輻射光束之偏振，及/或輻射光束之強度分佈(亦即，角強度分佈或空間強度分佈))而變化。在一實施例中，輻射光束之波長範圍限於選自一範圍(例如，選自約400奈米至900奈米之範圍)之一或多個波長。此外，可提供輻射光束之不同偏振之選擇，且可使用例如複數個不同孔徑來提供各種照明形狀。 為了監控包括至少一個圖案化步驟(例如，光學微影步驟)之圖案化製程(例如，器件製造製程)，檢測經圖案化基板且量測經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個參數可包括：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差、例如形成於經圖案化基板中或上之特徵之臨界尺寸(CD) (例如，臨界線寬)、光學微影步驟之焦點或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差，等等。可對產品基板自身之目標及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在圖案化製程中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之量測或檢測工具及/或各種特殊化工具。如上文所論述，特殊化度量衡和/或檢測工具之快速且非侵入性形式是其中輻射光束被導向至基板之表面上之目標上且量測散射(繞射/反射)光束之屬性的形式。藉由比較光束在其已由基板散射之前及之後的一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可被稱為以繞射為基礎之度量衡或檢測。此以繞射為基礎之度量衡或檢測之一個此應用係在週期性目標內之特徵不對稱性之量測中。此量測可用作例如疊對誤差之量度，但其他應用亦為已知的。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)而量測不對稱性。此操作可簡單地如例如全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中所描述來進行。 用以啟用圖案化製程之顯著態樣包括使該製程自身顯影、設置該製程以用於監視及控制，且接著實際上監視及控制該製程自身。在假定圖案化製程之基本原理之組態(諸如圖案化器件圖案、抗蝕劑類型、微影後製程步驟(諸如顯影、蝕刻等等)等等)的情況下，需要設置圖案化製程中之裝置以用於將圖案轉印至基板上、顯影一或多個度量衡目標以監控製程、設置度量衡製程以量測度量衡目標，且接著實施基於量測而監視及控制該製程之製程。 可使用表層膜測試基板來監控蝕刻工具之效能。表層膜測試基板包含基板層(例如，裸矽晶圓)，其具有提供於其上之平坦、平滑、未經圖案化可蝕刻層。表層膜測試基板之可蝕刻層係由蝕刻工具蝕刻以判定蝕刻工具之主體蝕刻速率，確切而言，評估歸因於蝕刻工具在某一時間段內之蝕刻的可蝕刻層之厚度之改變以獲得蝕刻速率。因此，可基於該經判定主體蝕刻速率來調整蝕刻工具。 因此，在一實施例中，提供一種基於根據監控基板判定之特性(除蝕刻工具之蝕刻速率之外或作為蝕刻工具之蝕刻速率的替代方案)來監控及/或控制蝕刻工具之監控及/或控制系統。 在一實施例中，提供一種使用經圖案化監控基板來監控及/或控制微影工具上游或下游的製程工具(例如，蝕刻工具)之效能的監控及/或控制系統。上文所描述之表層膜測試基板可能不會準確地監控及/或控制此製程工具，此係由於其不具有圖案。 參看圖6，在實例製造環境中示意性地展示實例製程裝置基線系統600。製造環境包含微影前製程工具610、微影系統620、微影後製程工具630以及度量衡裝置640。在一實施例中，微影前製程工具610包含塗佈顯影系統(諸如塗佈顯影系統之抗蝕劑塗覆組件)、沈積工具等等。在一實施例中，微影後製程工具630包含塗佈顯影系統(諸如塗佈顯影系統之顯影組件及/或塗佈顯影系統之烘烤板組件)、蝕刻工具、沈積工具等等。沈積工具可為化學氣相沈積(CVD)工具及/或物理氣相沈積(PVD)工具。該蝕刻工具可為原子層蝕刻(ALE)工具。 如應瞭解，製造環境無需描繪所有裝置。此外，裝置中之一或多者可組合成一個。舉例而言，度量衡裝置640可為微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630之一部分。 該製程裝置基線系統600包含軟體應用程式650。在一實施例中，該製程裝置基線系統600可使用現有度量衡裝置640或包含度量衡裝置640。例如在該製程裝置基線系統600包含度量衡裝置640的情況下，軟體應用程式650可具備度量衡裝置640 (例如，在與度量衡裝置640相關聯之電腦中)。選自微影前製程工具610、微影系統620、微影後製程工具630及/或度量衡裝置640中之一或多者係與軟體應用程式650通信，使得適用微影前製程工具610、微影系統620、微影後製程工具630及/或度量衡裝置640之結果、設計資料等等可由軟體應用程式650同時或在不同時間儲存且分析。 參看圖7A至圖7D，描繪用於製程裝置基線系統600之監控基板605、615、635之實施例的橫截面側視圖。在平面中，監控基板可與習知基板具有相同形狀(例如，圓形圓盤形狀)且可與習知基板具有相當橫向尺寸(例如，約200毫米、約300毫米、或約450毫米)。如圖7A中示意性地展示，監控基板605包括基板層705 (例如，裸矽層)。另外，如圖7B示意性地展示，監控基板615包括基板層705及基板層705上之可蝕刻層710 (例如，沈積層)。可蝕刻層710可為例如二氧化矽、氮化矽等等之一或多種合適材料的層。在一實施例中，微影前製程工具610可經組態以將可蝕刻層施加至一或多個監控基板605之基板層705，例如，施加在複數個基板層中之每一者上，以形成監控基板615之群組。在一實施例中，用以提供可蝕刻層710之微影前製程工具610為用以藉助於例如原子層沈積(ALD)、化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)將沈積層施加為可蝕刻層710之沈積工具。 如圖7C中示意性地展示，抗蝕劑層715 (例如，光致抗蝕劑)可提供於監控基板615之可蝕刻層710上。在一實施例中，微影前製程工具610可經組態以將抗蝕劑層715施加至一或多個監控基板605之基板層705，例如施在複數個可蝕刻層中之每一者上以形成監控基板615之群組。在一實施例中，用以提供抗蝕劑層715之微影前製程工具610為塗佈顯影系統之抗蝕劑塗佈組件。 參看圖7D，監控基板635包括基板層705 (例如，裸矽層)及可蝕刻層710。此外，監控基板635包括一或多個圖案化區720、730。在一實施例中，監控基板635包括抗蝕劑層715且抗蝕劑層715包括一或多個圖案化區720、730。下文描述一或多個圖案化區720、730如何被提供至抗蝕劑層715之實施例。在一實施例中，可蝕刻層710於其中包含一或多個圖案化區720、730。舉例而言，可藉由使用圖案化器件625圖案化抗蝕劑且使用經圖案化抗蝕劑以將一或多個圖案化區720、730蝕刻至可蝕刻層710中來提供該一或多個圖案化區720、730。 視情況，抗蝕劑層715包括具有例如零厚度之區725，使得曝光下方的可蝕刻層710之空白區。區725在平行於基板層之伸長方向的維度上具有足夠大小，以使得能夠在蝕刻可蝕刻層期間判定蝕刻工具之主體蝕刻速率。在另一實施例中，區725在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少5微米之尺寸。在一實施例中，區725在平行於基板層705之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，區725在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少10毫米之尺寸。下文將更詳細地論述關於區725及/或蝕刻速率量測之更多細節。如圖7D之實施例所展示，抗蝕劑層715包括兩個經圖案化區720、730以及其間的區725。然而，區725無需在兩個經圖案化區720、730之間。此外，經圖案化區720、730可定位於監控基板635之中心周圍；經圖案化區720、730無需圍繞中心連續地延伸。 經圖案化區720、730中之每一者可具有自如上文所描述之圖案化器件625轉印之一或多個圖案。在一實施例中，該一或多個圖案包含週期性結構(例如，光柵)。在一實施例中，該一或多個圖案包含對應於功能性器件之特徵。在一實施例中，一或多個圖案包含對應於度量衡目標之特徵，該度量衡目標用於量測中以供功能性器件圖案化。 在一實施例中，一或多個圖案為具有與功能性器件CD (例如，10奈米節點的10奈米)相關之CD的臨界圖案。在一實施例中，該一或多個圖案包括不同間距，例如，密集間距及疏鬆間距。因此，在一實施例中，監控密集間距與疏鬆間距之間的CD之差(有時被稱作孤立-密集偏置(iso-dense bias))。在一實施例中，監控微影蝕刻偏置。微影蝕刻偏置為顯影後CD與蝕刻後CD之間的差。在一實施例中，經圖案化區720、730中之圖案之特徵的寬度、經圖案化區720、730中之圖案之鄰近特徵之間的間隔及/或經圖案化區720、730中之圖案之間距可介於若干奈米至數百奈米之範圍內。 在一實施例中，一或多個圖案為用於量測中以供功能性器件圖案化之疊對或對準度量衡目標(例如，諸如光柵之週期性結構)或係與該疊對或對準度量衡目標相關。在一實施例中，監控一個或特徵之置放。在一實施例中，監控側壁不對稱性(例如，特徵之一個側壁之角度與特徵之另一側壁之角度之間的差)。此等度量衡目標相比於功能性器件類型圖案通常具有較大CD及間距。在一實施例中，經圖案化區720、730中之圖案之特徵的寬度、經圖案化區720、730中之圖案之鄰近特徵之間的間隔及/或經圖案化區720、730中之圖案之間距可介於幾百奈米至數十奈米之範圍內。在一實施例中，寬的CD (例如，在微米範圍內)可經分段成類似於功能性器件圖案特徵之尺寸的尺寸。 抗蝕劑層715可具有任何數目及/或大小之經圖案化區(但至少一個)。舉例而言，抗蝕劑層715可具有一個經圖案化區、兩個經圖案化區、三個經圖案化區等等。在一實施例中，限定經圖案化區之數目及/或大小，使得區725具有足夠大小以使得能夠判定蝕刻工具之蝕刻速率。 在一實施例中，微影系統620經組態以在施加在一或多個監控基板615上之抗蝕劑層715中產生一或多個圖案以形成一或多個經圖案化監控基板635 (例如，經圖案化監控基板635之群組)。微影系統620可包括諸如關於圖1所描述之光學微影裝置、奈米壓印微影工具等等。舉例而言，微影系統620之光學微影裝置可曝光一或多個監控基板615之抗蝕劑層715以將圖案自圖案化器件625轉印至一或多個監控基板615上之抗蝕劑層715以產生例如複數個經圖案化監控基板635。圖案化器件625可用於產生基板615上之功能性器件之圖案或僅僅出於度量衡目的而產生圖案設計。舉例而言，圖案化器件625可用於產生週期性結構，諸如間距光柵。在一實施例中，在微影系統620進行圖案化之後，微影後製程工具630可用於顯影(亦即，移除)抗蝕劑之部分以形成包含基板635之抗蝕劑7715中之一或多個凹槽的圖案。在一實施例中，呈塗佈顯影系統形式之微影後製程工具630用於在微影系統620之圖案轉印之後顯影抗蝕劑。 在一實施例中，由如上文所描述的使用具有一或多個圖案化區720、730之監控基板635之微影基線監控及/或控制微影系統620。舉例而言，可量測經圖案化基板635之一或多個特性(例如，臨界尺寸)。若一或多個特性之量測值自一或多個特性之目標值變化(例如，在臨限值範圍外)，則微影基線可調整微影系統620之一或多個變數(例如，劑量、焦點等等)。以此方式，可針對自操作基線之漂移監控及/或控制微影系統620。 在一實施例中，根據製程裝置基線系統600藉由微影前製程工具610及/或藉由微影後製程工具630處理具有一或多個圖案化區720、730之監控基板635。在一實施例中，微影前製程工具610及/或微影後製程工具630經組態以處理經圖案化監控基板635中之每一者以形成經處理監控基板645之群組。 在一實施例中，監控基板635係由微影後製程工具630處理。在一實施例中，微影後工具630包含蝕刻工具，其經組態以蝕刻經圖案化基板635之可蝕刻層710且因此將可蝕刻層710之一或多個圖案進一步轉印至可蝕刻層710中或將抗蝕劑層715中之一或多個圖案轉印至可蝕刻層710，以形成經處理基板645。 圖7E示意性地展示蝕刻之後的經處理基板645之橫截面側視圖。如所展示，蝕刻不由抗蝕劑層715 (具體言之，抗蝕劑層715之經圖案化區720、730)覆蓋之可蝕刻層710之一部分，因為抗蝕劑至少部分地阻止蝕刻。 在一實施例中，未經圖案化空白區745形成於可蝕刻層710中。空白區745可在平行於基板層之伸長方向之方向上與抗蝕劑層715中之區725具有類似尺寸。在一實施例中，可蝕刻層710中之空白區745可具有足夠大小以使得能夠量測蝕刻工具之主體蝕刻速率。舉例而言，可蝕刻層710中之空白區745可在平行於基板層705之伸長方向的方向上具有至少5微米之尺寸。在一實施例中，可蝕刻層710中之空白區745可在平行於基板層705之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，空白區可在平行於基板層705之伸長方向的方向上具有至少10毫米之尺寸。在一實施例中，度量衡裝置640可經組態以監控可蝕刻層710中之空白區745之厚度；在一實施例中，蝕刻工具包括度量衡模組，其經組態以監控可蝕刻層710中之空白區745之厚度735以導出蝕刻速率。為獲得蝕刻速率，在可蝕刻層710之蝕刻製程之前或期間的第一時間量測空白區745之第一厚度。在可蝕刻層710之蝕刻製程期間或之後的第二時間量測空白區745之第二厚度。可藉由將第一厚度與第二厚度之間的差除以第一時間與第二時間之間的時間長度來判定蝕刻工具之蝕刻速率，在該時間長度期間，可蝕刻層710係由蝕刻工具處理。在一實施例中，可蝕刻層之空白區745可具有零蝕刻後厚度。然而，在其他實施例中，可蝕刻層可另外具有剩餘厚度，圖7E至圖7G中展示之實施例即為該狀況。如圖7F中所展示，視需要自經處理基板645移除抗蝕劑層715。 參看圖7F，在完成蝕刻之後，經處理監控基板645僅僅包括基板層705及可蝕刻層710。可蝕刻層710包括一或多個經圖案化區740、750。在一實施例中，可蝕刻層710包括空白區745。類似於一或多個經圖案化區720、730，可蝕刻層710可具有任意數目個經圖案化區740、750。舉例而言，可蝕刻層710可具有一個經圖案化區、三個經圖案化區、五個經圖案化區、八個經圖案化區等等。在一實施例中，限定經圖案化區740、750之數目及/或大小，使得空白區745具有足夠大小以使得能夠判定蝕刻工具之蝕刻速率。經圖案化區740、750中之每一者可自經圖案化基板635之經圖案化區720、730轉印之一或多個圖案。一或多個圖案可經組態以由度量衡裝置640量測。在一實施例中，對於如圖案之功能性器件，經圖案化區720、730中之圖案之特徵的寬度、經圖案化區720、730中之圖案之鄰近特徵之間的間隔及/或經圖案化區720、730中之圖案之間距可介於若干奈米至數百奈米之範圍內。在一實施例中，對於如圖案之度量衡目標，經圖案化區720、730中之圖案之特徵的寬度、經圖案化區720、730中之圖案之鄰近特徵之間的間隔及/或經圖案化區720、730中之圖案之間距可介於幾百奈米至數十微米之範圍內。 如圖7G中示意性地展示，度量衡裝置640可經組態以評估經處理基板645之至少一個特性。舉例而言，度量衡裝置640可經組態以評估經處理基板645之經圖案化區740、750之至少一個特性。在一實施例中，特性包含選自以下各者中之一或多者：經圖案化區740及/或經圖案化區750中之至少一個圖案之臨界尺寸、疊對、側壁角度(亦即，圖案特徵之側壁之角度）、底部表面傾斜(亦即，圖案中之間隙之底部表面的傾斜)、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位(例如，在兩個正交方向上)、幾何不對稱性(例如，用於特徵之側壁角度的差)及/或一或多個其他幾何參數。如上所指出，光柵之圖案對於一或多個非微影製程(例如，沈積、蝕刻、平坦化等等)敏感且此等特性之存在將會自身顯現在印刷光柵之變化上。因此，至少一個特性可為膜厚度均一性、蝕刻速率均一性、蝕刻傾斜角均一性及/或平坦化凹陷。 在一實施例中，度量衡裝置640可為光學(例如，以繞射為基礎之)度量衡工具，其可量測特性。在一些實例中，可蝕刻層710可包括橫越基板之複數個經圖案化區(例如，相同經圖案化區)。因此，度量衡裝置640可量測橫越經處理基板645之複數個經圖案化區之特性。因此，在一實施例中，判定橫越經處理基板645之至少一個特性之空間分佈。在一實施例中，度量衡裝置640為位階感測器，其量測表面之位置，例如，經處理基板645之表面之高度及/或旋轉位置。 軟體應用程式650可經組態以使用來自度量衡裝置640之量測資料(例如，臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案移位、幾何不對稱性等等)來產生修改資訊。舉例而言，軟體應用程式650可經組態以判定由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值是否符合至少一個特性之目標值(其可包括容差範圍)。在一實施例中，軟體應用程式650判定由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值與至少一個特性之目標值之間的偏差(例如，差)。在一實施例中，偏差可為臨界尺寸誤差、疊對誤差、側壁角度誤差、底部表面傾斜誤差、圖案移位誤差等等。在一實施例中，軟體應用程式650判定由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值是否符合橫越經處理基板645之至少一個特性之目標值的空間分佈。 在步驟830處，回應於由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值不符合至少一個特性之目標值(其可包括容差範圍)之判定而採取措施。在一實施例中，軟體應用程式650可通知使用者此判定。在一實施例中，軟體應用程式650經組態以產生修改資訊以修改微影後製程工具630之操作，從而例如校正由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值與至少一個特性之目標值之間的偏差(例如，消除該偏差或使該偏差降低至在容差範圍內)。 在一實施例中，可至少部分地基於該偏差(例如，差)產生修改資訊以調整微影後製程工具630。具體言之，可產生修改資訊以調整微影後製程工具630之一或多個變數。舉例而言，當微影後製程工具630為蝕刻工具時，修改資訊可用於在空間上基於該偏差或至少一個特性之量測值之空間分佈而修改一或多個蝕刻變數(例如，蝕刻速率、蝕刻類型等等)。此外，在一實施例中，使用空白區745判定之主體蝕刻速率可用於將橫越基板之全域改變應用於蝕刻變數(例如，蝕刻速率之改變)。在一實施例中，該製程工具可具有複數個區帶(例如，10個或更多、20個或更多、30個或更多區帶)等等以提供對適用製程之不同控制。舉例而言，蝕刻工具可具有複數個區帶，其各自相對於蝕刻之特質(例如，蝕刻速率、蝕刻角度等等)之特質提供單獨控制。因此，在一實施例中，修改資訊可實現對該製程工具之一或多個區帶的微分控制。 在一實施例中，可產生修改資訊以匹配兩個或多於兩個微影後製程工具630或同一微影後工具630之不同組件或不同微影後製程工具630的效能。因此，藉以評估偏差之目標值為用於另一工具及/或組件之特性之值。舉例而言，當圖案化製程工具630係蝕刻工具時，可藉由使用蝕刻工具之第一蝕刻腔室、使用蝕刻工具之第二蝕刻腔室或兩者來蝕刻可蝕刻層710而形成經處理基板645。為了匹配第一蝕刻腔室與第二蝕刻腔室之間的效能，軟體應用程式650可經組態以判定由蝕刻工具之第一蝕刻腔室處理之第一圖案之特性的值與由蝕刻工具之第二蝕刻腔室處理之第二圖案之特性的值之間的偏差。軟體應用程式650可經進一步組態以產生修改資訊以調整第一蝕刻腔室及/或第二蝕刻腔室之一或多個變數(例如，蝕刻速率或蝕刻類型)以便校正由第一蝕刻腔室及第二蝕刻腔室處理之圖案之間的特性之值之間的偏差。因此，在一實施例中，修改資訊可使得用於第一蝕刻腔室之特性之空間分佈匹配在用於第二蝕刻腔室之特性的空間分佈之容差範圍內。 雖然論述專注於蝕刻工具，但在一實施例中，微影後製程工具630可為塗佈顯影系統(或其組件，諸如顯影工具或烘烤工具)、沈積工具、化學機械拋光/平坦化(CMP)工具或改變經處理基板645之物理特性之其他微影後製程工具。在一或多個此等工具之狀況下，層710無需為可蝕刻的，且當然，基板之處理無需涉及蝕刻(例如，在處理中微影後製程工具630為顯影工具或烘烤工具)。在一實施例中，製程裝置基線系統600評估微影前製程工具610 (而非微影後製程工具630或除微影後製程工具630之外)。微影前製程工具610可為塗佈顯影系統（或其組件，諸如抗蝕劑塗覆工具)、沈積工具或改變經處理基板645之物理特性之其他微影前製程工具。在一或多個此等工具之狀況下，層710無需為可蝕刻的，且當然，基板之處理無需涉及蝕刻(例如，在處理中，微影前製程工具610為抗蝕劑塗覆工具)。 因此，當經評估工具為塗佈顯影系統時，一或多個變數可為一或多個塗佈顯影系統變數，諸如塗佈顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度(例如，全域改變或在空間上分佈之改變)，及/或塗佈顯影系統之顯影工具之顯影變數。當經評估工具為沈積工具時，一或多個變數可為一或多個沈積變數(例如，沈積速率之全域或空間改變、沈積之空間變化等等)。當經評估工具為CMP工具時，一或多個變數可為一或多個平坦化變數(例如，平坦化速率之全域或空間改變、平坦化之空間變化等等)。 在一實施例中，量測值及/或修改資訊可特定針對於特定裝置，例如，特定針對於蝕刻工具之蝕刻腔室，特定針對於複數個蝕刻工具當中之蝕刻工具，等等。因此，監控及/或控制可特定針對於工具及/或其部分。因此，舉例而言，基於在功能性器件之特定圖案化製程中所使用之工具及/或其部分，可將適當修改資訊應用於正用於在圖案化製程中處理一或多個基板之該(等)工具及/或其部分。 此外，可在例如微影前製程工具之另一工具或微影系統中校正微影後工具之偏差，或反之亦然。因此，修改資訊無需用於經評估之工具。舉例而言，可調整微影系統620之一或多個微影變數。在一實施例中，一或多個微影變數包括劑量及/或焦點。作為一實例，可產生修改資訊以例如藉由使用用以校正或應用光學像差之調整機構AM、藉由使用用以校正或修改照明強度分佈之調整器AD、藉由使用用以校正或修改圖案化器件支撐結構MT之位置之圖案化器件支撐結構MT的定位器PM、藉由使用用以校正或修改基板台WT之位置的基板台WT之定位器PW等等來調整微影裝置之一或多個修改裝置。 因此，在對微影後製程工具630之評估之一實例中，可產生修改資訊以修改微影後製程工具630及/或微影後製程工具630上游或下游的一或多個製程裝置之一或多個變數。一或多個製程裝置可包括例如微影前製程工具610、微影系統620及/或另一微影後製程工具630。 在一實施例中，軟體應用程式650使用一或多個數學模型以判定可由選自以下各者之一或多者校正之至少一個特性的偏差：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630。軟體應用程式650可經進一步組態以提供實現對選自以下各者之一或多者之組態的修改資訊：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630，從而校正偏差(例如，消除該偏差或將該偏差降低至容差範圍內)。在一實施例中，數學模型中之一或多者界定一旦經參數化就擬合資料之基底函數之集合。在一實施例中，該模型指定選自以下各者之一或多者可進行之一系列修改：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630，且判定該可校正偏差是否在該範圍內。亦即，該範圍可指定微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630可進行之修改之量的上限、下限及/或兩者。舉例而言，在一實施例中，可藉由以下等式模型化座標(x,y)處之在x方向上之可校正偏差∆x： ∆x = k1 +k3 x+k5 y+k7 x2 +k9 xy+k11 y2 +k13 x3 +k15 x2 y+k17 xy2 +k19 y3 (1) 其中k1為參數(其可恆定)，且k3、k5、k7、k9、k11、k13、k15、k17及k19分別為用於項x、y、x2 、xy、y2 、x3 、x2 y、xy2 及y3 之參數(其可恆定)。k1、k3、k5、k7、k9、k11、k13、k15、k17及k19中之一或多者可為零。相關地，在一實施例中，可藉由以下等式模型化座標(x,y)處之在y方向上之可校正偏差∆y： ∆y = k2 +k4 y+k6 x+k8 y2 +k10 yx+k12 x2 +k14 y3 +k16 y2 x+k18 yx2 +k20 x3 (2) 其中k2 為參數(其可恆定)，且k4 、k6 、k8 、k10 、k12 、k14 、k16 、k18 及k20 分別為用於項y、x、y2 、yx、x2 、y3 、y2 x、yx2 及x3 之參數(其可恆定)。k2 、 k4 、k6 、k8 、k10 、k12 、k14 、k16 、k18 及k20 中之一或多者可為零。 在一實施例中，提供藉由選自以下各者之兩者或多於兩者對偏差校正之共同最佳化：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630。在一實施例中，組合用以判定可由選自以下各者之兩者或多於兩者校正之誤差的一或多個數學模型：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630，以實現共同最佳化。 在一實施例中，針對不同類型的誤差單獨地或在組合的基礎上執行共同最佳化，諸如針對臨界尺寸誤差、疊對誤差、圖案移位誤差等等單獨地或在組合的基礎上執行共同最佳化。在一實施例中，微影前製程工具610、微影系統620或微影後製程工具630可能夠較佳地校正某些類型的誤差且因此在選自以下各者之兩者或多於兩者之合適不同變數當中對誤差校正進行適當地權衡或分配：微影前製程工具610、微影系統620及/或微影後製程工具630。 因為在一實施例中，同一基板具有空白區725、745及經圖案化區720、730、740以及750兩者，所以可執行使用空白區745對蝕刻工具(用於蝕刻可蝕刻層710)之蝕刻速率的判定及對經圖案化區740、750之一或多個特性的量測(以及對其相關聯偏差之判定)而無需使用用於彼等功能之不同基板。具體言之，可使用可蝕刻層710之空白區745判定主體蝕刻速率，而對經圖案化區之量測可用於判定經圖案化區之特性之量測值與目標值之偏差且因此進行校正(例如，在空間上不同的校正)。 在一實施例中，軟體應用程式650經組態以識別用於施加至基板635、645且用於與製程裝置基線系統進行量測之一或多個圖案目標，且開發用於一或多個目標之度量衡配方。度量衡配方在此內容背景中為與用以量測一或多個度量衡目標之度量衡裝置640自身及/或量測製程相關聯之一或多個變數(及一或多個關聯值)，諸如，量測光束之一或多個波長、量測光束之偏振之一或多個類型、量測光束之一或多個劑量值、量測光束之一或多個頻寬、供量測光束使用之檢測裝置之一或多個孔徑設定、用以將量測光束定位於目標上之對準標記、所使用之對準方案、複數個目標之取樣方案、目標之佈局，用以量測目標及/或目標之所關注點之移動方案，等等。 在一實施例中，一或多個目標可經設計及經檢核以用於圖案化製程。舉例而言，可評估複數個目標設計以識別最小化殘差變異(系統性及/或隨機)之一或多個目標。在一實施例中，可評估複數個目標設計以識別效能匹配功能性器件之一或多個目標，例如，識別臨界尺寸、疊對、圖案移位等等之量度匹配器件之臨界尺寸、疊對、圖案移位等等之目標。可設計目標例如以用於量測目標之臨界尺寸(CD)、疊對、圖案移位、側壁角度、底部表面傾斜、幾何不對稱性等等或選自其之任何組合。 參看圖8，描繪調整一或多個基板製造變數之方法的實例流程圖。在步驟810處，在已藉由製程工具(例如，微影後製程工具630)處理基板之後評估基板(例如，經處理基板645)上之圖案。在一實施例中，藉由製程工具對基板之處理包含藉由蝕刻形成圖案之至少部分。在一實施例中，藉由製程工具對基板之處理包含將層沈積在基板之圖案之至少部分上。在一實施例中，藉由製程工具對基板之處理包含顯影基板上之抗蝕劑中之圖案的至少部分。在一實施例中，藉由製程工具對基板之處理包含平坦化基板上之圖案之至少部分。在一實施例中，藉由製程工具對基板之處理包含烘烤基板上之圖案之至少部分。 在一實施例中，藉由獲得對對基板上之圖案之至少一個特性的量測來評估經處理基板上之圖案。在一實施例中，圖案之至少一個特性包含圖案之臨界尺寸、圖案之疊對誤差、圖案之側壁角度、圖案之底部表面、圖案之圖案移位、圖案之幾何不對稱性等等。 在一實施例中，該基板包含基板層(例如，基板層705)及基板層上之層(例如，可蝕刻層710)，且該層於其中或於其上具有經圖案化區(例如，經圖案化區720、730)。該圖案係在經圖案化區中。在一實施例中，該基板層包含裸矽。在一實施例中，基板層上之層於其上包含呈經圖案化抗蝕劑層形式之經圖案化區(例如，經圖案化區720、730)。在一實施例中，該基板包含基板層上之層之空白區(例如，空白區745）。空白區經設定大小以使得能夠判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。 在步驟820處，判定由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值是否符合至少一個特性之目標值(其可包括容差範圍)。舉例而言，可判定經量測圖案與目標圖案之間是否存在誤差。在一實施例中，目標值可為經量測至少一個特性之先前值。在一實施例中，該目標值可為與至少一個特性(例如，至少一個特性之先前經量測值、統計值之使用者指定值等等)相關之統計值(例如，平均值、標準偏差等等)。在一實施例中，判定由度量衡裝置640量測之至少一個特性之量測值與至少一個特性之目標值之間的偏差(例如，差)。在一實施例中，偏差可為臨界尺寸誤差、疊對誤差、側壁角度誤差、底部表面傾斜誤差、圖案移位誤差等等。在一實施例中，判定橫越經處理基板之至少一個特性之量測值之空間分佈或至少一個特性之量測值是否符合至少一個特性之目標值。在一實施例中，判定橫越基板之誤差之空間分佈。 在步驟830處，可回應於至少一個特性之量測值不符合至少一個特性之目標值(其可包括容差範圍)之判定而採取措施。在一實施例中，可通知使用者此判定。在一實施例中，藉由硬體電腦系統產生修改資訊，以調整製程工具(例如，微影後製程工具630)及/或調整該製程工具上游或下游之一或多個處理裝置。在一實施例中，至少部分地基於至少一個特性之量測值與至少一個特性之目標值之間的偏差(例如，差)產生修改資訊。在一實施例中，該製程工具為蝕刻工具、塗佈顯影系統工具、CMP工具或沈積工具。在一實施例中，製程工具上游或下游之一或多個處理裝置為選自以下各者之一或多個製程裝置：沈積工具、塗佈顯影系統工具、CMP工具、蝕刻工具及/或微影裝置。 在一實施例中，可隨時間推移重複步驟810至步驟830以使得能夠監控及/或控制製程工具。舉例而言，監控基板645可在處理產生基板之間穿過製程工具以判定製程工具之效能(例如，以識別製程工具之漂移)且採取適當措施(例如，產生修改資訊、通知使用者等等)。類似地，可評估不同處理工具及/或同一製程工具之不同部分之間的效能。舉例而言，監控基板645可在處理產生基板之間穿過不同處理工具及/或同一製程工具之不同部分以判定不同處理工具及/或同一製程工具之不同部分的效能(例如，以識別一個製程工具相對於另一製程工具之漂移、識別製程工具之一個部分相對於同一製程工具之另一部分的漂移等等)且採取適當措施(例如，產生修改資訊、通知使用者等等)。 參看圖9，描繪調整一或多個基板製造變數之另外方法的實例流程圖。在步驟910處，提供經圖案化基板(例如，經圖案化基板635)。經圖案化基板包括基板層(例如，基板層705)及基板層上之可蝕刻層(例如，可蝕刻層710)。在一實施例中，經圖案化基板包括可蝕刻層上之抗蝕劑層(例如，抗蝕劑層715)。基板層可包括裸矽。在一實施例中，可蝕刻層可包括二氧化矽、氮化矽或任何其他合適材料。可蝕刻層於其上或於其中具有至少一個第一經圖案化區(例如，經圖案化基板635之經圖案化區720、730)，以及空白區(例如，經圖案化基板635之空白區725)。在一實施例中，曝光空白區以實現藉由蝕刻工具之直接蝕刻。在一實施例中，至少一個第一經圖案化區包含可蝕刻層上之抗蝕劑層(例如，抗蝕劑層715)之經圖案化部分。在存在抗蝕劑層的情況下，抗蝕劑層可具有開放式區以使得能夠曝光可蝕刻層之空白區。空白區具有足夠大小以使得能夠判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。 在步驟920處，運用蝕刻工具蝕刻可蝕刻層。在一實施例中，在蝕刻之後，可蝕刻層於其中具有至少一個第二經圖案化區(例如，經處理基板645之經圖案化區740、750)。在一實施例中，在蝕刻之後，已經蝕刻空白區以形成厚度經縮減的空白區(例如，經處理基板645之空白區745)。 在步驟930處，例如，在可蝕刻層之空白區處量測蝕刻工具之蝕刻速率。具體言之，在蝕刻之前或期間之第一時間量測空白區之第一厚度。在蝕刻期間或之後之第二時間量測空白區之第二厚度。接著可基於第一厚度與第二厚度之間的差以及第一時間與第二時間之間的藉由蝕刻工具處理可蝕刻層時的時間長度來判定蝕刻工具之蝕刻速率。 在一實施例中，提供一種基板，其包含：基板層；及基板層上之可蝕刻層，可蝕刻層於其上或於其中包含經圖案化區且包含空白區，該空白區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻空白區之蝕刻工具之蝕刻速率。 在一實施例中，基板進一步包含可蝕刻層上之抗蝕劑層，該抗蝕劑層包含經圖案化區。在一實施例中，經圖案化區包含使用蝕刻工具自抗蝕劑層轉印至可蝕刻層之圖案。在一實施例中，抗蝕劑層包含用以將空白區曝光至蝕刻工具之蝕刻劑的開放式區，該開放式區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻空白區之蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，空白區具有零蝕刻後厚度。在一實施例中，基板層包含裸矽。在一實施例中，經圖案化區包含待由度量衡裝置量測之圖案。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：在藉由微影工具上游或下游之製程工具處理基板之後評估該基板上之圖案，以判定該經評估圖案之特性之值；判定該經評估圖案之該特性之該值是否符合該特性之目標值；以及回應於該經評估圖案之該特性之該值不符合該特性之該目標值之判定而藉由硬體電腦系統且至少部分地基於該判定來產生且輸出關於該該製程工具之資訊。 在一實施例中，該判定包含判定經評估圖案之特性之值與該特性之目標值之間的偏差，且該產生及輸出包含至少部分地基於該偏差產生修改資訊以調整製程工具及/或該製程工具上游或下游之另一製程裝置。在一實施例中，製程工具上游或下游之製程裝置包含選自以下各者之一或多者：沈積工具、塗佈顯影系統工具、蝕刻工具、化學機械平坦化(CMP)工具及/或微影工具。在一實施例中，修改資訊係用於修改製程工具及/或該製程工具上游或下游之另一製程裝置的變數，且其中該變數包含沈積工具之沈積變數、塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數、微影裝置之微影變數、蝕刻工具之蝕刻變數及/或CMP工具之平坦化變數。在一實施例中，該變數包含塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含塗佈顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度或塗佈顯影系統之顯影工具之顯影變數。在一實施例中，該變數包含微影裝置之微影變數，該微影變數包含劑量或焦點。在一實施例中，該變數包含蝕刻工具之蝕刻變數，該蝕刻變數包含蝕刻工具之蝕刻類型或蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，該判定包含判定橫越基板的經評估圖案之特性之值之空間分佈或經評估圖案之特性之值與特性之目標值之間的偏差之空間分佈。在一實施例中，產生修改資訊包含產生修改以調整與製程工具之第二組件分離之該製程工具的第一組件之變數。在一實施例中，該製程工具為蝕刻工具，該圖案已由蝕刻工具之第一蝕刻腔室處理，且目標值係用於蝕刻工具之第二蝕刻腔室。在一實施例中，製程工具為蝕刻工具、塗佈顯影系統、化學機械平坦化(CMP)工具或沈積工具。在一實施例中，該製程工具包含蝕刻工具。在一實施例中，該基板包含基板層及可蝕刻層，且其中該可蝕刻層於其中或於其上包含經圖案化區及空白區，該空白區經設定大小以使得能夠判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，該方法進一步包含運用蝕刻工具蝕刻可蝕刻層之至少空白區；及使用經蝕刻空白區判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，判定蝕刻工具之蝕刻速率包含：在第一時間量測空白區之第一厚度；在第二時間量測空白區之第二厚度；及基於第一厚度與第二厚度之間的差及第一時間與第二時間之間的藉由蝕刻工具處理基板時之時間長度判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，該方法包含至少部分地基於該經判定蝕刻速率產生修改資訊以調整製程工具。在一實施例中，評估基板上之圖案包含獲得對基板上之圖案之特性的值之量測。在一實施例中，圖案之特性包含選自以下各者之一者或：臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位、幾何不對稱性及/或一或多個其他幾何參數。 在一實施例中，提供一種方法，其包含提供包括基板層及基板層上之可蝕刻層之基板，該可蝕刻層於其上或於其中具有第一經圖案化區及空白區；運用蝕刻工具蝕刻經圖案化區之至少部分以在可蝕刻層中形成第二經圖案化區；及評估第二經圖案化區之特性；以及藉由硬體電腦系統基於經評估特性產生且輸出關於蝕刻工具之資訊。 在一實施例中，該評估包含判定第二經圖案化區之經評估特性之值與特性之目標值之間的偏差，且其中產生且輸出包含基於該偏差產生修改資訊以調整蝕刻工具及/或調整蝕刻工具上游或下游之製程裝置。在一實施例中，蝕刻工具上游或下游之製程裝置包含選自以下各者之一或多者：沈積工具、另一蝕刻工具、塗佈顯影系統工具、化學機械平坦化(CMP)工具及/或微影工具。在一實施例中，修改資訊係用於修改蝕刻工具及/或該蝕刻工具上游或下游之另一製程裝置的變數，且其中該變數包含沈積工具之沈積變數、塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數、微影裝置之微影變數、另一蝕刻工具之蝕刻變數及/或CMP工具之平坦化變數。在一實施例中，該變數包含塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含塗佈顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度或塗佈顯影系統之顯影工具之顯影變數。在一實施例中，該變數包含微影裝置之微影變數，該微影變數包含劑量或焦點。在一實施例中，該變數包含蝕刻工具之蝕刻變數，該蝕刻變數包含蝕刻工具之蝕刻類型或蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，該評估包含判定橫越基板的經評估圖案之特性之值之空間分佈或經評估圖案之特性之值與特性之目標值之間的偏差之空間分佈。在一實施例中，產生修改資訊包含產生修改以調整與蝕刻工具之第二蝕刻腔室分離的蝕刻工具之第一蝕刻腔室的變數。在一實施例中，藉由蝕刻工具之第一蝕刻腔室產生第二經圖案化區，且目標值係用於蝕刻工具之第二蝕刻腔室。在一實施例中，評估第二經圖案化區之特性包含獲得對第二經圖案化區中之圖案之特性的值之量測。在一實施例中，第二經圖案化區之特性包含選自以下各者之一者或：臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位、幾何不對稱性及/或一或多個其他幾何參數。在一實施例中，空白區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，第一經圖案化區包含可蝕刻層上之抗蝕劑層中之圖案。在一實施例中，該方法進一步包含基於對可蝕刻層之空白區之至少部分的蝕刻判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，該方法包含至少部分地基於蝕刻速率產生修改資訊，以調整蝕刻工具及/或調整蝕刻工具上游或下游之製程裝置。在一實施例中，判定蝕刻速率包含：在第一時間量測空白區之第一厚度；在第二時間量測空白區之第二厚度；及基於第一厚度與第二厚度之間的差及第一時間與第二時間之間的藉由蝕刻工具處理可蝕刻層時之時間長度來判定蝕刻工具之蝕刻速率。 在一實施例中，提供一種基板，其包含：基板層；及基板層上之沈積層，該沈積層於其中包含空白區及經圖案化區，且該空白區具有足夠大小以使得能夠判定其蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，空白區具有零蝕刻後厚度。在一實施例中，基板層包含裸矽。在一實施例中，經圖案化區包含待由度量衡裝置量測之圖案。 在一實施例中，提供一種基板，其包含：基板層；基板層上之沈積層；及沈積層上之抗蝕劑層，其中該抗蝕劑層包含經圖案化區及未經圖案化區，該未經圖案化區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻沈積層之蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，未經圖案化區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，在抗蝕劑層之未經圖案化區中曝光沈積層之一部分。在一實施例中，基板層包含裸矽。在一實施例中，經圖案化區包含使用蝕刻工具自抗蝕劑層轉印至沈積層之圖案。 在一實施例中，提供一種調整一或多個基板製造變數之方法，其包含：在已經藉由微影後製程工具處理基板之後評估基板上之圖案，其中該基板包含基板層及沈積層，且其中該沈積層包含經圖案化區及空白區，該空白區經設定大小以使得能夠在蝕刻沈積層期間判定其蝕刻速率；判定圖案與目標圖案之間的誤差；及藉由硬體電腦系統至少部分地基於該誤差產生修改資訊以調整微影後製程工具及/或調整微影後製程工具上游或下游之製程裝置。 在一實施例中，該方法進一步包含：運用蝕刻工具蝕刻沈積層；及使用空白區判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，判定蝕刻工具之蝕刻速率包含：在第一時間量測空白區之第一厚度；在第二時間量測空白區之第二厚度；及基於第一厚度與第二厚度之間的差及第一時間與第二時間之間的藉由蝕刻工具處理基板時之時間長度判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，修改資訊係進一步至少部分地基於蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，空白區在平行於基板層之伸長方向的方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，空白區具有零蝕刻後厚度。在一實施例中，評估基板上之圖案包含獲得對基板上之圖案之至少一個特性之量測。在一實施例中，圖案之至少一個特性包含圖案之臨界尺寸或圖案之疊對誤差。在一實施例中，圖案位於基板上之沈積層之經圖案化區處。在一實施例中，判定誤差包含判定橫越基板之誤差之空間分佈。在一實施例中，誤差為臨界尺寸誤差。在一實施例中，該誤差係疊對誤差。在一實施例中，微影後製程工具係蝕刻工具、塗佈顯影系統、化學機械平坦化(CMP)工具或沈積工具。在一實施例中，微影後製程工具係蝕刻工具，該圖案已由蝕刻工具之第一蝕刻腔室處理，且該目標圖案已由蝕刻工具之第二蝕刻腔室處理。在一實施例中，修改資訊包含用於調整第一蝕刻腔室或第二蝕刻腔室之至少一個變數之資訊。在一實施例中，至少一個變數包含蝕刻類型或蝕刻速率。在一實施例中，微影後製程工具上游或下游之製程裝置包含選自以下各者之製程裝置：沈積工具、塗佈顯影系統工具及/或微影裝置。在一實施例中，修改資訊係用於修改微影後製程工具及/或該微影後製程工具上游或下游之製程裝置的變數，且其中該變數包含沈積工具之沈積變數、塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數、微影裝置之微影變數、蝕刻工具之蝕刻變數及/或CMP工具之平坦化變數。在一實施例中，該變數包含塗佈顯影系統之塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含塗佈顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度或塗佈顯影系統之顯影工具之顯影變數。在一實施例中，該變數包含微影裝置之微影變數，該微影變數包含劑量或焦點。在一實施例中，該變數包含蝕刻工具之蝕刻變數，該蝕刻變數包含蝕刻工具之蝕刻類型或蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，基板層包含裸矽。 在一實施例中，提供一種調整一或多個基板製造變數之方法，其包含：提供經圖案化基板，該經圖案化基板包括基板層、基板層上之沈積層及沈積層上之抗蝕劑層，該抗蝕劑層具有第一經圖案化區及第一空白區；運用蝕刻工具蝕刻沈積層；及基於對沈積層之蝕刻判定蝕刻工具之蝕刻速率。 在一實施例中，沈積層在蝕刻之後包含第二經圖案化區及第二空白區。在一實施例中，該方法進一步包含在蝕刻之後移除光致抗蝕劑層及評估第二經圖案化區之至少一個特性。在一實施例中，該方法進一步包含判定第二經圖案化區之至少一個特性與至少一個目標之間的誤差，及運用電腦系統基於該誤差及該蝕刻速率產生修改資訊以用於調整蝕刻工具及/或調整蝕刻工具上游之一或多個製程裝置。在一實施例中，判定蝕刻工具之蝕刻速率包含：在第一時間量測第二空白區之第一厚度；在第二時間量測第二空白區之第二厚度；及基於第一厚度與第二厚度之間的差及第一時間與第二時間之間的藉由蝕刻工具處理沈積層時之時間長度來判定蝕刻工具之蝕刻速率。在一實施例中，第一空白區及第二空白區在平行於沈積層下方之基板層之方向上具有至少1毫米之尺寸。在一實施例中，基板層包含裸矽。在一實施例中，第一空白區具有零厚度。在一實施例中，第二空白區具有零蝕刻後厚度。在一實施例中，評估第二經圖案化區之至少一個特性包含獲得對第二經圖案化區中之圖案之至少一個特性的量測。在一實施例中，圖案之至少一個特性包含圖案之臨界尺寸或圖案之疊對。在一實施例中，判定誤差包含判定橫越經圖案化基板之誤差之空間分佈。在一實施例中，誤差為臨界尺寸誤差。在一實施例中，該誤差係疊對誤差。在一實施例中，經圖案化區已由蝕刻工具之第一蝕刻腔室處理，且至少一個目標為由蝕刻工具之第二蝕刻腔室處理之另一經圖案化區的至少一個特性。在一實施例中，修改資訊包含用於調整第一蝕刻腔室或第二蝕刻腔室之至少一個變數之資訊。在一實施例中，至少一個變數包含蝕刻類型或蝕刻速率。在一實施例中，蝕刻工具上游或下游之一或多個製程裝置包含選自以下各者之一或多者：沈積工具、塗佈顯影系統工具及/或微影裝置。在一實施例中，修改資訊係用於修改蝕刻工具及/或該蝕刻工具上游或下游之一或多個製程裝置之一或多個變數，且其中該一或多個變數包含沈積工具之一或多個沈積變數、塗佈顯影系統之一或多個塗佈顯影系統變數、微影裝置之一或多個微影變數及蝕刻工具之一或多個蝕刻變數。在一實施例中，一或多個變數包含塗佈顯影系統之一或多個塗佈顯影系統變數，該一或多個塗佈顯影系統變數包含塗佈顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度或塗佈顯影系統之顯影工具之顯影變數。在一實施例中，一或多個變數包含微影裝置之一或多個微影變數，該一或多個微影變數包含劑量或焦點。在一實施例中，一或多個變數包含蝕刻工具之一或多個蝕刻變數，該一或多個蝕刻變數包含蝕刻工具之蝕刻類型或蝕刻工具之蝕刻速率。 雖然本申請案中之論述將考慮經設計以量測形成於基板上之器件之一或多個層之間的疊對之度量衡製程及度量衡目標之實施例，但本文中之實施例同樣適用於其他度量衡製程及目標，諸如用以量測對準(例如，在圖案化器件與基板之間)之製程及目標、用以量測臨界尺寸之製程及目標等等。因此，本文中對疊對度量衡目標、疊對資料等等之參考應被認為經合適修改以啟用其他種類之度量衡製程及目標。 參看圖14，展示電腦系統1000。電腦系統1000包括用於傳達資訊之匯流排1002或其他通信機構，及與匯流排1002耦接以供處理資訊之處理器1004 (或多個處理器1004及1005)。電腦系統1000亦包括耦接至匯流排1002以用於儲存待由處理器1004執行之資訊及指令的主記憶體1006，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體1006亦可用於在待由處理器1004執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統1000進一步包括耦接至匯流排1002以用於儲存用於處理器1004之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 1008或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1010，且儲存器件1010耦接至匯流排1002以用於儲存資訊及指令。 電腦系統1000可經由匯流排1002耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器1012，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件1014耦接至匯流排1002以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器1004。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1004且用於控制顯示器1012上之游標移動的游標控制件1016，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線--第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y)--上之兩個自由度，其允許器件指定在平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。 電腦系統1000可響應於處理器1004執行主記憶體1006中所含有的一或多個指令之一或多個序列而適合於充當圖10中之軟體應用程式650。可將此等指令自諸如儲存器件1010之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體1006中。主記憶體1006中所含有的之指令序列之執行致使處理器1004執行由如本文中所描述之軟體應用程式650實施之製程。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體1006中含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路。因此，實施例不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。 如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1004以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。舉例而言，非揮發性媒體包括光碟或磁碟，諸如，儲存器件1010。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體1006。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，其包括包含匯流排1002之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。 可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1004以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1000本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1002之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1002上。匯流排1002將該資料攜載至主記憶體1006，處理器1004自其擷取指令且執行指令。由主記憶體1006接收之指令可視情況在供處理器1004執行之前或之後儲存於儲存器件1010上。 電腦系統1000亦可包括耦接至匯流排1002之通信介面1018。通信介面1018提供對網路鏈路1020之雙向資料通信耦合，網路鏈路1020連接至區域網路1022。舉例而言，通信介面1018可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機，以提供至對應類型的電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面1018可為區域網路(LAN)卡以提供至相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面1018發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。 網路鏈路1020通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路1020可經由區域網路1022而向主機電腦1024或向由網際網路服務業者(ISP) 1026操作之資料設備提供連接。ISP 1026又經由現在通常被稱作「網際網路」1028之全球封包資料通信網路而提供資料通信服務。區域網路1022及網際網路1028兩者皆使用攜載數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1020上且經由通信介面1018之信號為輸送資訊的例示性載波形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統1000及自電腦系統1000攜載數位資料。 電腦系統1000可經由網路、網路鏈路1020及通信介面1018發送訊息及接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器1030可能經由網際網路1028、ISP 1026、區域網路1022及通信介面1018傳輸用於應用程式之經請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供例如本文中所揭示之方法。所接收程式碼可在其被接收時由處理器1004執行，及/或儲存於儲存器件1010或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統1000可獲得呈載波之形式之應用程式碼。 本發明之一實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。此外，可以兩個或多於兩個電腦程式來體現機器可讀指令。兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該等控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。儘管在本文中可特定地參考檢測裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之檢測裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用可被視為分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已含有多個經處理層之基板。 儘管在上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，奈米壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在奈米壓印微影之狀況下，圖案化器件為壓印模板或模具。本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束，諸如，離子束或電子束。 術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 本文中對超越或超過臨限值之參考可包括具有低於特定值或低於或等於特定值之某物、具有高於特定值或高於或等於特定值之某物、基於例如參數而排名高於或低於其他某物(通過例如分類)的某物，等等。 本文中對校正誤差或誤差之校正之參考包括消除誤差或將誤差減小至容差範圍內。 如本文中所使用之術語「最佳化」係指或意謂調整微影裝置、圖案化製程等等，使得微影或圖案化處理之結果及/或製程具有較理想特性，諸如設計佈局在基板上的投影之較高準確度、較大製程窗等等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化」係指或意謂識別用於一或多個變數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於用於彼等一或多個變數之一或多個值之初始集合提供在至少一個相關度量方面的改良，例如局部最佳。因此，「最佳」及其他相關術語應予以解釋。在一實施例中，最佳化步驟可反覆應用，以提供一或多個度量之進一步改良。 在系統之最佳化製程中，可將該系統或製程之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化製程歸結為尋找最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數之系統或製程之參數集(設計變數)之製程。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何適合的形式。舉例而言，成本函數可為系統或製程之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統或製程之任何特性。歸因於系統或製程之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置或圖案化製程之狀況下，約束常常與硬體之諸如可調諧範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則之物理屬性及特性相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。 以下經編號條項中揭示本發明之另外態樣： 1. 一種基板，其包含： 一基板層；及 該基板層上之一可蝕刻層，該可蝕刻層於其上或於其中包含一經圖案化區且包含一空白區，該空白區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻該空白區之一蝕刻工具之一蝕刻速率。 2. 如條項1之基板，其進一步包含該可蝕刻層上之一抗蝕劑層，該抗蝕劑層包含該經圖案化區。 3. 如條項2之基板，其中該經圖案化區包含使用該蝕刻工具自該抗蝕劑層轉印至該可蝕刻層之一圖案。 4. 如條項2或條項3之基板，其中該抗蝕劑層包含一開放式區以將該空白區曝光至該蝕刻工具之一蝕刻劑，該開放式區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻該空白區之該蝕刻工具之該蝕刻速率。 5. 如條項1至4中任一項之基板，其中該空白區在平行於該基板層之一伸長方向之一方向上具有至少1毫米之一尺寸。 6. 如條項1至5中任一項之基板，其中該空白區具有一零蝕刻後厚度。 7. 如條項1至6中任一項之基板，其中該基板層包含裸矽。 8. 如條項1至7中任一項之基板，其中該經圖案化區包含待由一度量衡裝置量測之一圖案。 9. 一種方法，其包含： 提供包括一基板層及該基板層上之一可蝕刻層之一基板，該可蝕刻層於其上或於其中具有一第一經圖案化區及一空白區； 運用一蝕刻工具蝕刻該經圖案化區之至少部分以在該可蝕刻層中形成一第二經圖案化區；及 評估該第二經圖案化區之一特性；以及 藉由一硬體電腦系統基於該經評估特性產生且輸出關於該蝕刻工具之資訊。 10. 如條項9之方法，其中該評估包含判定該第二經圖案化區之該經評估特性之一值與該特性之一目標值之間的一偏差，且其中該產生且輸出包含基於該偏差產生修改資訊以調整該蝕刻工具及/或調整該蝕刻工具上游或下游之一製程裝置。 11. 如條項10之方法，其中該蝕刻工具上游或下游之該製程裝置包含選自以下各者之一或多者：一沈積工具、另一蝕刻工具、一塗佈顯影系統工具、一化學機械平坦化(CMP)工具及/或一微影工具。 12. 如條項10或條項11之方法，其中該修改資訊係用於修改該蝕刻工具及/或該蝕刻工具上游或下游之另一製程裝置之一變數，且其中該變數包含一沈積工具之一沈積變數、一塗佈顯影系統之一塗佈顯影系統變數、一微影裝置之一微影變數、另一蝕刻工具之一蝕刻變數及/或一CMP工具之一平坦化變數。 13. 如條項12之方法，其中該變數包含該塗佈顯影系統之該塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含該塗佈顯影系統之一烘烤工具之一烘烤溫度或該塗佈顯影系統之一顯影工具之一顯影變數。 14. 如條項12或條項13之方法，其中該變數包含該微影裝置之該微影變數，該微影變數包含一劑量或一焦點。 15. 如條項12至14中任一項之方法，其中該變數包含該蝕刻工具之該蝕刻變數，該蝕刻變數包含該蝕刻工具之一蝕刻類型或該蝕刻工具之一蝕刻速率。 16. 如條項10至15中任一項之方法，其中該產生修改資訊包含產生修改以調整與該蝕刻工具之一第二蝕刻腔室分離之該蝕刻工具之一第一蝕刻腔室的一變數。 17. 如條項10至16中任一項之方法，其中該評估包含判定橫越該基板的該經評估圖案之該特性之該值之一空間分佈或該經評估圖案之該特性之該值與該特性之一目標值之間的一偏差之一空間分佈。 18. 如條項9至17中任一項之方法，其中該第二經圖案化區係由該蝕刻工具之一第一蝕刻腔室產生，且該目標值係用於該蝕刻工具之一第二蝕刻腔室。 19. 如條項9至18中任一項之方法，其中該評估該第二經圖案化區之該特性包含獲得對該第二經圖案化區中之一圖案之該特性之一值的一量測。 20. 如條項9至19中任一項之方法，其中該第二經圖案化區之該特性包含選自以下各者之一者或：臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位、幾何不對稱性及/或一或多個其他幾何參數。 21. 如條項9至20中任一項之方法，其中該空白區在平行於該基板層之一伸長方向之一方向上具有至少1毫米之一尺寸。 22. 如條項9至21中任一項之方法，其中該第一經圖案化區包含該可蝕刻層上之一抗蝕劑層中之一圖案。 23. 如條項9至22中任一項之方法，其進一步包含基於對該可蝕刻層之該空白區之至少部分之蝕刻判定該蝕刻工具之一蝕刻速率。 24. 如條項23之方法，其包含至少部分地基於該蝕刻速率產生修改資訊以調整該蝕刻工具及/或調整該蝕刻工具上游或下游之一製程裝置。 25. 如條項23或條項24之方法，其中判定該蝕刻速率包含： 在一第一時間量測該空白區之一第一厚度； 在一第二時間量測該空白區之一第二厚度；及 基於該第一厚度與該第二厚度之間的一差及該第一時間與該第二時間之間的藉由該蝕刻工具處理該可蝕刻層時之一時間長度判定該蝕刻工具之該蝕刻速率。 26. 一種方法，其包含： 在已藉由一微影工具上游或下游之一製程工具處理一基板之後評估該基板上之一圖案，以判定該經評估圖案之一特性之一值； 判定該經評估圖案之該特性之該值是否符合該特性之一目標值；及 回應於該經評估圖案之該特性之該值不符合該特性之該目標值的一判定而藉由一硬體電腦系統且至少部分地基於該判定產生且輸出關於該製程工具之資訊。 27. 如條項26之方法，其中該判定包含判定該經評估圖案之該特性之該值與該特性之該目標值之間的一偏差，且該產生且輸出包含至少部分地基於該偏差產生修改資訊以調整該製程工具及/或該製程工具上游或下游之另一製程裝置。 28. 如條項27之方法，其中該製程工具上游或下游之該製程裝置包含選自以下各者之一或多者：一沈積工具、一塗佈顯影系統工具、一蝕刻工具、一化學機械平坦化(CMP)工具及/或該微影工具。 29. 如條項27或條項28之方法，其中該修改資訊係用於修改該製程工具及/或該製程工具上游或下游之另一製程裝置之一變數，且其中該變數包含一沈積工具之一沈積變數、一塗佈顯影系統之一塗佈顯影系統變數、一微影裝置之一微影變數、一蝕刻工具之一蝕刻變數及/或一CMP工具之一平坦化變數。 30. 如條項29之方法，其中該變數包含該塗佈顯影系統之該塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含該塗佈顯影系統之一烘烤工具之一烘烤溫度或該塗佈顯影系統之一顯影工具之一顯影變數。 31. 如條項29或條項30之方法，其中該變數包含該微影裝置之該微影變數，該微影變數包含一劑量或一焦點。 32. 如條項29至31中任一項之方法，其中該變數包含該蝕刻工具之該蝕刻變數，該蝕刻變數包含該蝕刻工具之一蝕刻類型或該蝕刻工具之一蝕刻速率。 33. 如條項27至32中任一項之方法，其中該判定包含判定橫越該基板的該經評估圖案之該特性之該值之一空間分佈或該經評估圖案之該特性之該值與該特性之該目標值之間的一偏差之一空間分佈。 34. 如條項27至33中任一項之方法，其中該產生修改資訊包含產生修改以調整與該製程工具之一第二組件分離之該製程工具之一第一組件之一變數。 35. 如條項26至34中任一項之方法，其中該製程工具為一蝕刻工具，該圖案已由該蝕刻工具之一第一蝕刻腔室處理，且該目標值係用於該蝕刻工具之一第二蝕刻腔室。 36. 如條項26至35中任一項之方法，其中該製程工具為一蝕刻工具、一塗佈顯影系統、一化學機械平坦化(CMP)工具或一沈積工具 37. 如條項36之方法，其中該製程工具包含一蝕刻工具。 38. 如條項37之方法，其中該基板包含一基板層及一可蝕刻層，且其中該可蝕刻層於其中或於其上包含一經圖案化區及一空白區，該空白區經設定大小以使得能夠判定該蝕刻工具之一蝕刻速率。 39. 如條項38之方法，其進一步包含： 運用一蝕刻工具蝕刻該可蝕刻層之至少空白區；及 使用該經蝕刻空白區判定該蝕刻工具之該蝕刻速率。 40. 如條項39之方法，其中該判定該蝕刻工具之該蝕刻速率包含： 在一第一時間量測該空白區之一第一厚度； 在一第二時間量測該空白區之一第二厚度；及 基於該第一厚度與該第二厚度之間的一差及該第一時間與該第二時間之間的藉由該蝕刻工具處理該基板時之一時間長度判定該蝕刻工具之該蝕刻速率。 41. 如條項38至40中任一項之方法，其中該空白區在平行於該基板層之一方向上具有至少1毫米之一尺寸。 42. 如條項38至41中任一項之方法，其包含至少部分地基於該經判定蝕刻速率產生修改資訊以調整該製程工具。 43. 如條項26至42中任一項之方法，其中評估該基板上之該圖案包含獲得對該基板上之該圖案之該特性之該值的一量測。 44. 如條項26至43中任一項之方法，其中該圖案之該特性包含選自以下各者之一者或：臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位、幾何不對稱性及/或一或多個其他幾何參數。 45. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器系統引起如條項9至44中任一項之方法之執行。 46. 一種系統，其包含： 一硬體處理器系統；及 一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其經組態以儲存機器可讀指令，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該硬體處理器系統執行如條項9至44中任一項之方法。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。 以上之描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
2‧‧‧輻射源/寬頻帶(白光)輻射投影儀/照明配置
4‧‧‧光譜儀偵測器
10‧‧‧光譜
11‧‧‧輸出件
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧稜鏡
16‧‧‧物鏡
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧感測器
30‧‧‧基板目標
30'‧‧‧目標/目標圖案
31‧‧‧量測光點
32‧‧‧週期性結構
33‧‧‧週期性結構
34‧‧‧週期性結構
35‧‧‧週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
108‧‧‧經量測輻射分佈
110‧‧‧背向投影式焦平面
120‧‧‧透鏡系統/照明配置
130‧‧‧干涉濾光器/照明配置
140‧‧‧參考鏡面
150‧‧‧物鏡/透鏡系統
160‧‧‧部分反射表面
170‧‧‧偏振器/照明配置
180‧‧‧偵測器
206‧‧‧經參數化模型
208‧‧‧輻射分佈
210‧‧‧數值馬克士威求解程序
600‧‧‧實例製程裝置基線系統
605‧‧‧監控基板
610‧‧‧微影前製程工具
615‧‧‧監控基板
620‧‧‧微影系統
625‧‧‧圖案化器件
630‧‧‧微影後製程工具/圖案化製程工具
635‧‧‧監控基板/經圖案化監控基板
640‧‧‧度量衡裝置
645‧‧‧經處理監控基板
650‧‧‧軟體應用程式
705‧‧‧基板層
710‧‧‧可蝕刻層
715‧‧‧抗蝕劑層
720‧‧‧圖案化區
725‧‧‧空白區
730‧‧‧圖案化區
735‧‧‧厚度
740‧‧‧經圖案化區
745‧‧‧空白區
750‧‧‧經圖案化區
810‧‧‧步驟
820‧‧‧步驟
830‧‧‧步驟
910‧‧‧步驟
920‧‧‧步驟
930‧‧‧步驟
1000‧‧‧電腦系統
1002‧‧‧匯流排
1004‧‧‧處理器
1005‧‧‧處理器
1006‧‧‧主記憶體
1008‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
1010‧‧‧儲存器件
1012‧‧‧顯示器
1014‧‧‧輸入器件
1016‧‧‧游標控制件
1018‧‧‧通信介面
1020‧‧‧網路鏈路
1022‧‧‧區域網路
1024‧‧‧主機電腦
1026‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
1028‧‧‧網際網路
1030‧‧‧伺服器
AD‧‧‧調整器
AM‧‧‧調整機構
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
DF‧‧‧影像
h‧‧‧高度
I‧‧‧照明射線/入射射線
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理單元/處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
S‧‧‧照明光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標
t‧‧‧厚度
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
w‧‧‧寬度
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
α‧‧‧側壁角
現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中： 圖1示意性地描繪微影裝置之一實施例； 圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之一實施例； 圖3A為用於使用提供某些照明模式之第一對照明孔徑來量測根據一實施例之目標的量測裝置之示意圖； 圖3B為用於給定照明方向之目標之繞射光譜的示意性細節； 圖3C為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式之第二對照明孔徑的示意性說明； 圖3D為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式的組合第一對孔徑與第二對孔徑之第三對照明孔徑的示意性說明； 圖4示意性地描繪基板上的多重週期性結構(例如，多重光柵)目標之的形式及量測光點之的外形； 圖5示意性地描繪圖3之裝置中獲得的圖4之目標之影像； 圖6示意性地描繪製程裝置基線系統之一實施例； 圖7A至圖7F示意性地描繪在基板上形成圖案且蝕刻可蝕刻層中之圖案之製程； 圖7G示意性地描繪使用度量衡裝置量測經處理基板之製程； 圖8描繪根據本發明之一實施例之調整一或多個基板製造變量之方法的實例流程圖； 圖9描繪根據本發明之一實施例之調整一或多個基板製造變量之方法的實例流程圖； 圖10示意性地描繪實例檢測裝置及度量衡技術； 圖11示意性地描繪實例檢測裝置； 圖12說明檢測裝置之照明光點與度量衡目標之間的關係； 圖13示意性地描繪基於量測資料導出複數個所關注變量之製程；且 圖14示意性地描繪可實施本發明之實施例之電腦系統。

Claims (15)

  1. 一種基板，其包含： 一基板層；及 該基板層上之一可蝕刻層，該可蝕刻層於其上或於其中包含一經圖案化區且包含一空白區，該空白區具有足夠大小以使得能夠判定一蝕刻工具之一主體蝕刻速率。
  2. 如請求項1之基板，其進一步包含該可蝕刻層上之一抗蝕劑層，該抗蝕劑層包含該經圖案化區。
  3. 如請求項2之基板，其中該經圖案化區包含使用該蝕刻工具自該抗蝕劑層轉印至該可蝕刻層之一圖案。
  4. 如請求項2之基板，其中該抗蝕劑層包含一開放式區以將該空白區曝光至該蝕刻工具之一蝕刻劑，該開放式區具有足夠大小以使得能夠判定用於蝕刻該空白區之該蝕刻工具之該蝕刻速率。
  5. 如請求項1之基板，其中該空白區在平行於該基板層之一伸長方向之一方向上具有至少1毫米之一尺寸。
  6. 一種方法，其包含： 提供包括一基板層及該基板層上之一可蝕刻層之一基板，該可蝕刻層於其上或於其中具有一第一經圖案化區； 運用一蝕刻工具蝕刻該經圖案化區之至少部分以在該可蝕刻層中形成一第二經圖案化區； 評估該第二經圖案化區之一特性，其中該評估包含判定該第二經圖案化區之該經評估特性之一值與該特性之一目標值之間的一偏差；以及 藉由一硬體電腦系統基於該偏差產生且輸出修改資訊以調整該蝕刻工具及/或調整該蝕刻工具上游或下游之一製程裝置。
  7. 如請求項6之方法，其中該蝕刻工具上游或下游之該製程裝置包含選自以下各者之一或多者：一沈積工具、另一蝕刻工具、一塗佈顯影系統工具、一化學機械平坦化(CMP)工具及/或一微影工具。
  8. 如請求項7之方法，其中該修改資訊係用於修改該蝕刻工具及/或該蝕刻工具上游或下游之另一製程裝置之一變數，且其中該變數包含一沈積工具之一沈積變數、一塗佈顯影系統之一塗佈顯影系統變數、一微影裝置之一微影變數、另一蝕刻工具之一蝕刻變數及/或一CMP工具之一平坦化變數。
  9. 如請求項8之方法，其中該變數包含該塗佈顯影系統之該塗佈顯影系統變數，該塗佈顯影系統變數包含該塗佈顯影系統之一烘烤工具之一烘烤溫度或該塗佈顯影系統之一顯影工具之一顯影變數。
  10. 如請求項8之方法，其中該變數包含該微影裝置之該微影變數，該微影變數包含一劑量或一焦點。
  11. 如請求項8之方法，其中該變數包含該蝕刻工具之該蝕刻變數，該蝕刻變數包含該蝕刻工具之一蝕刻類型或該蝕刻工具之一蝕刻速率。
  12. 如請求項6之方法，其中該評估包含：判定橫越該基板的該經評估圖案之該特性之該值之一空間分佈，或該經評估圖案之該特性之該值與該特性之一目標值之間的一偏差之一空間分佈。
  13. 如請求項6之方法，其中該第二經圖案化區之該特性包含選自以下各者之一者或：臨界尺寸、疊對、側壁角度、底部表面傾斜、圖案特徵高度、層厚度、圖案移位、幾何不對稱性及/或一或多個其他幾何參數。
  14. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器系統引起如請求項6之方法之執行。
  15. 一種系統，其包含： 一硬體處理器系統；及 一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其經組態以儲存機器可讀指令，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該硬體處理器系統執行如請求項6之方法。
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