TW201812208A - 發光條結構 - Google Patents
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Abstract
一種發光條結構包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽極區域以及複數個元件區域。元件區域分別用以供一發光元件設置。該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分。陽極部分連接於第一陽極區域。第二基板包含一接地區域以及一第二陽極區域。陽極部分與接地區域對應設置。節點部分與第二陽極區域對應設置。絕緣層設置於第一基板與第二基板之間。
Description
本揭露係有關於一種發光技術，且特別是有關於一種發光條結構。
近年來，隨著顯示技術的發展與普遍，顯示裝置已被應用至各式的電子裝置，例如：個人桌上型電腦、平板電腦、筆記型電腦或其他可攜式電子裝置。
以筆記型電腦為例，筆記型電腦的顯示裝置中包含有背光單元(back light unit；BLU)。背光單元中包含有發光條(light-bar)。然而，在筆記型電腦的組裝過程中，為了隨時地確認背光單元的亮度，發光條需維持在點亮的狀態。在這種情況下，發光條上的發光元件很有可能會因為靜電放電(electrostatic discharge；ESD)而受損。
因此，如何提高發光條的抵抗靜電放電(ESD)之能力已成為此領域亟欲解決的問題之一。
有鑒於此，本揭露內容提出一種發光條結構，藉以解決先前技術所述及的問題。
本揭露內容之一實施例係關於一種發光條結構。發光條結構包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽極區域以及複數個元件區域。元件區域分別用以供一發光元件設置。該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分。陽極部分連接於第一陽極區域。第二基板包含一接地區域以及一第二陽極區域。陽極部分與接地區域對應設置。節點部分與第二陽極區域對應設置。絕緣層設置於第一基板與第二基板之間。
本揭露內容之一實施例係關於一種發光條結構。發光條結構包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽極區域以及複數個元件區域。該些元件區域分別用以供一發光元件設置。該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分。第一陽極區域以及陽極部分電性連接以形成第一基板的一陽極。第二基板包含一接地區域以及一第二陽極區域。第一基板的陽極與接地區域之間形成一第一電容。第二陽極區域與地端之間形成一第二電容。節點部分與第二陽極區域之間形成一第三電容。絕緣層設置於第一基板與第二基板之間。
本揭露內容之一實施例係關於一種發光條結構。發光條結構包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含複數個元件區域。元件區域分別用以供一發光元件設置。各元件區域包含一節點部分。第二基板包含一接地區域以及一陽極區域。接地區域與該些節點部分對應設置。接地區域與該些節點部分之間的對應面積沿 一方向逐漸遞增。陽極區域與該些節點部分對應設置。陽極區域與該些節點部分之間的對應面積沿該方向逐漸遞減。絕緣層設置於第一基板與第二基板之間。
綜上所述，透過應用上述一實施例，可提高發光條結構的抵抗靜電放電之能力。
100、200、300、400、500、600、700、800‧‧‧發光條結構
TS1、TS2、TS3、TS4、TS5、TS6、TS7、TS8‧‧‧第一基板
BS1、BS1、BS3、BS4、BS5、BS6、BS7、BS8‧‧‧第二基板
INS‧‧‧絕緣層
A0、122、222、322、422、522、622、722、822‧‧‧陽極區域
111~118、211~218、311~318、411~418、511~518、611~618、711~718、811~818‧‧‧元件區域
G0、120、220、320、420、520、620、720、820‧‧‧接地區域
X、Y、Z‧‧‧方向
d1~d4、y11、y12、y21、y22‧‧‧寬度
A1~A8‧‧‧陽極部分
N1~N8‧‧‧節點部分
G1~G8‧‧‧接地部分
C0、CB、Cna1~Cna8、Cled1~Cled8、C2~C8‧‧‧電容
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；第1B圖是第1A圖的發光條結構的側視圖；第1C圖是第1A圖的發光條結構的等效電路圖；第2A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；第2B圖是第2A圖的發光條結構的等效電路圖；第3A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；第3B圖是第3A圖的發光條結構的等效電路圖；第4A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；第4B圖是第4A圖的發光條結構的等效電路圖；第5圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖； 第6圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；第7圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖；以及第8圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構的示意圖。
下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所提供之實施例並非用以限制本揭露所涵蓋的範圍，而結構運作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本揭露所涵蓋的範圍。另外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為使便於理解，下述說明中相同元件或相似元件將以相同之符號標示來說明。
在全篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』、『第三』....等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本揭露，其僅僅是為了區別以相同技術用語描述的元件或操作而已。
請參考第1A圖以及第1B圖。第1A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構100的示意圖。第 1B圖是第1A圖的發光條結構100的側視圖。發光條結構100包含第一基板TS1、第二基板BS1以及絕緣層INS。為了簡化圖示內容，第1A圖省略絕緣層INS。第一基板TS1與第二基板BS1對應設置。在一些實施例中，第一基板TS1為上基板且第二基板BS1為下基板。絕緣層INS設置於第一基板TS1與第二基板BS1之間。在其他實施例中，第一基板TS1與第二基板BS1於空間上的相對關係不限於如第1A圖所繪示。
以第1A圖示例而言，第一基板TS1包含陽極區域A0以及複數個元件區域111~118。第一基板TS1沿方向X依序配置有陽極區域A0以及元件區域111~118。元件區域111~118分別用以供一發光元件設置。換句話說，發光條結構100可供八個發光元件設置於其上，以形成發光條(light bar)。此數量僅用於舉例之目的，本揭露並不以此數量為限。發光元件例如是發光二極體(light emitting diode；LED)，本揭露亦不以此為限。當發光條結構100被點亮時，電流將從陽極區域A0流入發光條結構100。電流接著流經元件區域111~118，並從後端的陰極(未繪示)流出，以點亮元件區域111~118上的發光元件。
元件區域111沿方向Y被區隔成陽極部分A1以及節點部分N1。方向Y與方向X為垂直。陽極部分A1連接於陽極區域A0。換句話說，陽極區域A0與陽極部分A1電性連接。陽極區域A0與陽極部分A1共同形成第一基板TS1的陽極。節點部分N1用以供一發光元件設置。元件區域 112~118分別配置有節點部分N2~N8。節點部分N2~N8分別用以供一發光元件設置。
第二基板BS1之部分沿方向Y被區隔成接地區域120以及陽極區域122。如第1A圖所示，第二基板BS1的左側部分僅配置有接地區域120。而其餘部分則沿方向Y被區隔成接地區域120以及陽極區域122。換句話說，接地區域120大致呈L型。
陽極部分A1的寬度d1與接地區域120的寬度d3相同。也就是說，陽極部分A1只對應於接地區域120，而不對應於陽極區域122。節點部分N1的寬度d2與陽極區域122的寬度d4相同。也就是說，節點部分N1只對應於陽極區域122，而不對應於接地區域120。
簡言之，陽極區域A0以及陽極部分A1對應於接地區域120。節點部分N1對應於陽極區域122。節點部分N2~N8的上半部對應於接地區域120，而節點部分N2~N8的下半部對應於陽極區域122。
「對應」是指兩者在方向Z上至少部分對齊，或者是指任何可以形成電容的配置方式。另外，「上半部」或「下半部」是以圖面的方向為例，而非用以限制本揭露之內容。
接著，請同時參考第1A圖以及第1C圖。第1C圖是第1A圖的發光條結構100的等效電路圖。第一基板TS1的陽極(陽極區域A0以及陽極部分A1)與接地區域120之間形成第一電容C0。陽極區域122與地端(或接地之鐵件)之間 形成第二電容CB。由於陽極區域A0與陽極區域122電性連接，因此第一電容C0的第一端與第二電容CB的第一端電性連接。第一電容C0的第二端與第二電容CB的第二端皆電性連接至地端。節點部分N1與陽極區域122之間形成第三電容Cna1。節點部分N2~N8的下半部與陽極區域122之間分別形成第三電容Cna2~Cna8。節點部分N2~N8的上半部與接地區域120之間分別形成第四電容C2~C8。而八個發光元件本身的節電容則為電容Cled1~Cled8。上述該些電容的耦接關係如第1C圖所示。
於發光條結構100中，元件區域111中的陽極部分A1與陽極區域A0共同形成第一基板TS1的陽極，使得第一基板TS1的陽極面積變大。如此，可使第一基板TS1的陽極與接地區域120之間的電容C0的電容值變大。電容C0可用以儲存更多的電荷，以降低流經後方的發光元件(節電容Cled1~Cled8)的電量。在這種情況下，發光元件將可受到保護，進而提高發光條結構100的抵抗靜電放電(ESD)之能力。
於發光條結構100中，第二基板BS1上配置有陽極區域122，使得陽極區域122與地端(或接地之鐵件)之間形成電容CB。電容CB亦可用以儲存電荷，以降低流經發光元件之節電容Cled1~Cled8的電量。如此，可提高發光條結構100的抵抗靜電放電之能力。
於發光條結構100中，第二基板BS1上配置有陽極區域122，使得節點部分N1~N8與陽極區域122之間分 別形成電容Cna1~Cna8。電容Cna1~Cna8可用以旁路部分電量，以降低流經發光元件之節電容Cled1~Cled8的電量。如此，可提高發光條結構100的抵抗靜電放電之能力。
於發光條結構100中，第二基板BS1上配置有陽極區域122，且接地區域120的面積對應地被縮小。在這種情況下，節點部分N2~N8與接地區域120在方向Z上的對應面積變小，使得電容C2~C8的電容值變小。當電容C2~C8的電容值變小，可降低流經發光元件之節電容Cled2~Cled8的電量，進而提高發光條結構100的抵抗靜電放電之能力。
另外，以發光條結構100為例，設置於節點部分N2的發光元件其所承受的電壓最大。這個發光元件最容易因為靜電放電而受損。藉由增加電容C0的電容值，使得電容C0的電容值大於這個發光元件的節電容Cled2的電容值，可改善發光條結構100的抵抗靜電放電之能力。當電容C0的電容值相較於電容Cled2的電容值的比值愈大時，發光條結構100抵抗靜電放電之能力的改善將更為明顯。
請參考第2A圖。第2A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構200的示意圖。發光條結構200相似於發光條結構100。發光條結構200包含第一基板TS2、第二基板BS2以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS2包含陽極區域A0以及複數個元件區域211~218。具體而言，第一基板TS2沿方向X依序配置有陽極區域A0以及元件區域211~218。
元件區域211沿方向Y被區隔成陽極部分A1以及節點部分N1。元件區域212沿方向Y被區隔成陽極部分A2以及節點部分N2。元件區域213沿方向Y被區隔成陽極部分A3以及節點部分N3。元件區域214沿方向Y被區隔成陽極部分A4以及節點部分N4。而元件區域215~218則分別配置有節點部分N5~N8。所有節點部分N1~N8分別用以供一發光元件設置。
陽極區域A0與陽極部分A1~A4沿方向X串接。換句話說，陽極區域A0與陽極部分A1~A4電性連接。陽極區域A0與陽極部分A1~A4共同形成第一基板TS2的陽極。第2A圖中的第二基板BS2相似於第1A圖中的第二基板BS1，故於此不再贅述。
陽極部分A1~A4的寬度d1與接地區域220的寬度d3相同。也就是說，陽極部分A1~A4只對應於接地區域220，而不對應於陽極區域222。節點部分N1~N4的寬度d2與陽極區域222的寬度d4相同。也就是說，節點部分N1~N4只對應於陽極區域222，而不對應於接地區域220。
簡言之，陽極區域A0以及陽極部分A1~A4對應於接地區域220。節點部分N1~N4對應於陽極區域222。節點部分N5~N8的上半部對應於接地區域220，而節點部分N5~N8的下半部對應於陽極區域222。
接著，請同時參考第2A圖以及第2B圖。第2B圖是第2A圖的發光條結構200的等效電路圖。第一基板TS2的陽極(陽極區域A0以及陽極部分A1~A4)與接地區域220 之間形成第一電容C0。陽極區域222與地端(或接地之鐵件)之間形成第二電容CB。節點部分N1~N4與陽極區域222之間分別形成第三電容Cna1~Cna4。節點部分N5~N8的下半部與陽極區域222之間分別形成第三電容Cna5~Cna8。節點部分N5~N8的上半部與接地區域220之間分別形成第四電容C5~C8。而八個發光元件本身的節電容則為電容Cled1~Cled8。上述該些電容的耦接關係如第2B圖所示。
相較於發光條結構100，於發光條結構200中，第一基板TS2更配置有陽極部分A2~A4，使得第一基板TS2的陽極面積大於第一基板TS1的陽極面積。換句話說，第一基板TS2的陽極與接地區域220之間的電容C0的電容值大於發光條結構100的電容C0的電容值。在這種情況下，發光條結構200的電容C0可用以儲存更多的電荷，以降低流經發光元件之節電容Cled1~Cled8的電量。如此，可提高發光條結構200的抵抗靜電放電之能力。
相較於發光條結構100，於發光條結構200中，接地區域220是對應於陽極部分A2~A4，而未對應於節點部分N2~N4。因此發光條結構200不具有電容C2~C4。在這種情況下，流經發光元件之節電容的電量Cled2~Cled4將會減少，以提高發光條結構200的抵抗靜電放電之能力。
請參考第3A圖。第3A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構300的示意圖。發光條結構300相似於發光條結構200。發光條結構300包含第一基板TS3、第二基板BS3以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS3包含陽極區域A0以及複數個元件區域311~318。具體而言，第一基板TS3沿方向X依序配置有陽極區域A0以及元件區域311~318。
第一基板TS3的所有元件區域311~318沿方向Y分別被區隔成陽極部分A1~A8以及節點部分N1~N8。陽極區域A0與陽極部分A1~A8沿方向X串接。換句話說，陽極區域A0與陽極部分A1~A8電性連接。陽極區域A0與陽極部分A1~A8共同形成第一基板TS3的陽極。第3A圖中的第二基板BS3相似於第1A圖中的第二基板BS1，故於此不再贅述。
陽極部分A1~A8的寬度d1與接地區域320的寬度d3相同。也就是說，陽極部分A1~A8只對應於接地區域320，而不對應於陽極區域322。節點部分N1~N8的寬度d2與陽極區域322的寬度d4相同。也就是說，節點部分N1~N8只對應於陽極區域322，而不對應於接地區域320。
接著，請同時參考第3A圖以及第3B圖。第3B圖是第3A圖的發光條結構300的等效電路圖。第一基板TS3的陽極(陽極區域A0以及陽極部分A1~A8)與接地區域320之間形成第一電容C0。陽極區域322與地端(或接地之鐵件)之間形成第二電容CB。節點部分N1~N8與陽極區域322之間形成第三電容Cna1~Cna8。而八個發光元件本身的節電容則為電容Cled1~Cled8。上述該些電容的耦接關係如第3B圖所示。
相較於發光條結構200，於發光條結構300中， 第一基板TS3上更配置有陽極部分A5~A8，使得第一基板TS3的陽極面積大於第一基板TS2的陽極面積。換句話說，第一基板TS3的陽極與接地區域320之間的電容C0的電容值大於發光條結構200的電容C0的電容值。在這種情況下，發光條結構300的電容C0可用以儲存更多的電荷，以降低流經發光元件之節電容Cled1~Cled8的電量。如此，可提高發光條結構300的抵抗靜電放電之能力。
相較於發光條結構100，於發光條結構200中，接地區域320是對應於陽極部分A2~A8，而未對應於節點部分N2~N8。因此發光條結構300不具有電容C2~C8。在這種情況下，流經發光元件Cled2~Cled8的電量將會減少，以提高發光條結構300的抵抗靜電放電之能力。
請參考第4A圖。第4A圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構400的示意圖。發光條結構400相似於發光條結構300。發光條結構400包含第一基板TS4、第二基板BS4以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS4包含陽極區域A0以及複數個元件區域411~418。具體而言，第一基板TS4沿方向X依序配置有陽極區域A0以及元件區域411~418。
相似於第3A圖的第一基板TS3，第4A圖的第一基板TS4的所有元件區域411~418沿方向Y分別被區隔成陽極部分A1~A8以及節點部分N1~N8。陽極區域A0與陽極部分A1~A8沿方向X串接。換句話說，陽極區域A0與陽極部分A1~A8電性連接。陽極區域A0與陽極部分A1~A8共 同形成第一基板TS4的陽極。
如第4A圖所示，陽極部分A1~A8的面積沿方向X逐漸遞減。舉例而言，陽極部分A2的面積小於陽極部分A1的面積，陽極部分A3的面積小於陽極部分A2的面積，以此類推。另一方面，節點部分N1~N8的面積沿方向X逐漸遞增。舉例而言，節點部分N2的面積大於節點部分N1的面積，節點部分N3的面積大於節點部分N2的面積，以此類推。
第二基板BS4之部分沿方向Y被區隔成接地區域420以及陽極區域422。具體而言，第二基板BS4的左側部分僅配置有接地區域420。而其餘部分則沿方向Y被區隔成接地區域420以及陽極區域422。
陽極區域422於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。以第4A圖示例而言，位於右側的寬度y12小於位於左側的寬度y11，使得陽極區域422大致呈楔型。而部分的接地區域420於方向Y上的寬度沿方向X對應地逐漸遞增。以第4A圖示例而言，位於右側的寬度y22大於位於左側的寬度y21。
接著，請同時參考第4A圖以及第4B圖。第4B圖是第4A圖的發光條結構400的等效電路圖。第一基板TS4的陽極(陽極區域A0以及陽極部分A1~A8)與接地區域420之間形成第一電容C0。陽極區域422與地端(或接地之鐵件)之間形成第二電容CB。
由於節點部分N1~N8的部分面積對應至陽極區域422，因此節點部分N1~N8與陽極區域422之間將會形 成第三電容Cna1~Cna8。由於陽極區域422於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減，因此陽極區域422與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，電容Cna1~Cna8將會沿方向X逐漸遞減。舉例而言，陽極區域422與節點部分N2之間的電容Cna2會小於陽極區域422與節點部分N1之間的電容Cna1。陽極區域422與節點部分N3之間的電容Cna3會小於陽極區域422與節點部分N2之間的電容Cna2。以此類推。
由於節點部分N1~N8的部分面積對應至接地區域420，因此節點部分N1~N8與接地區域420之間將會分別形成第四電容C1~C8。由於接地區域420於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區域420與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，電容C1~C8將會沿方向X逐漸遞增。舉例而言，接地區域420與節點部分N2之間的電容C2大於接地區域420與節點部分N1之間的電容C1。接地區域420與節點部分N3之間的電容C3大於接地區域420與節點部分N2之間的電容C2。以此類推。
簡言之，電容Cna1至電容Cna8的電容值為逐漸遞減，而電容C1至電容C8的電容值為逐漸遞增。
在一些實施例中，由於所有的發光元件為相同，因此發光元件的節電容Cled1~Cled8具有相同的電容值。藉由將電容Cna1~Cna8沿方向X逐漸遞減搭配上電容C1~C8沿方向X逐漸遞增，可將電量平均分配到每個節電容 Cled1~Cled8上，進而使得各節電容Cled1~Cled8的兩端的電壓差變得相近或相等。
以下以第一顆發光元件以及第八顆發光元件為例進行說明。由於電流是從陽極區域A0流入且依序流經元件區域411~418，因此在傳統結構中，第一顆發光元件(節電容Cled1)所承受的電量為最多，而第八顆發光元件(節電容Cled8)所承受的電量為最少。
當電容Cna1的電容值較大，電容Cna1可旁路掉較多的電量，使得較少電量流經第一顆發光元件的節電容Cled1。另一方面，當電容C1越小，流經第一顆發光元件的節電容Cled1的電量就越小。因此增大電容Cna1的電容值且減小電容C1的電容值，可使得原先需承受較大電量的第一顆發光元件的節電容Cled1不需承受那麼大的電量。而減小電容Cna8的電容值且增大電容C8的電容值，可使得第八顆發光元件的節電容Cled8所承受的電量被提升，甚至使得第八顆發光元件的節電容Cled8所承受的電量與第一顆發光元件的節電容Cled1所承受的電量相同。
基於上述原理，藉由將電容Cna1~Cna8沿方向X逐漸遞減搭配上電容C1~C8沿方向X逐漸遞增，可使得電量被平均分配到各個電容Cled1~Cled8上，進而使得各電容Cled1~Cled8的兩端的電壓差變得相近或相等。此時，發光條結構400的抵抗靜電放電之能力將可達到最大。
第5圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構500的示意圖。發光條結構500包含第一基板TS5、 第二基板BS5以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS5包含複數個元件區域511~518。元件區域511~518分別包含節點部分N1~N8。第二基板BS5包含接地區域520以及陽極區域522。
在發光條結構500的配置下，由於接地區域520於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區域520與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區域520與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞增。另外，由於陽極區域522於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽極區域522與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽極區域522與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞減。相似於前述實施例，透過這作法可使得電量被平均分配到各個發光元件的電容上。
第6圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構600的示意圖。發光條結構600包含第一基板TS6、第二基板BS6以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS6包含陽極區域A0以及複數個元件區域611~618。元件區域611~618分別包含節點部分N1~N8。第二基板BS6包含接地區域620以及陽極區域622。部分的接地區域620(例如：接地區域620的上半部)對應於陽極區域A0。其他部分的接地區域620(例如：接地區域620的下半部)對應於節點部分N1~N8。陽極區域622對應於節點部分N1~N8。
在發光條結構600的配置下，由於接地區域620於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區域620與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區域620與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞增。另外，由於陽極區域622於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽極區域622與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽極區域622與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞減。相似於前述實施例，透過這作法可使得電量被平均分配到各個發光元件的電容上。
第7圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構700的示意圖。發光條結構700包含第一基板TS7、第二基板BS7以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS7包含接地區域G0以及複數個元件區域711~718。元件區域711~718分別包含節點部分N1~N8。第二基板BS7包含接地區域720以及陽極區域722。部分的陽極區域722(例如：陽極區域722的上半部)對應於接地區域G0。其他部分的陽極區域722(例如：陽極區域722的下半部)以及接地區域720對應於節點部分N1~N8。
在發光條結構700的配置下，由於接地區域720於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區域720與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區域720與該些節點部分N1~N8之間的電 容將會沿方向X逐漸遞增。另外，由於陽極區域722於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽極區域722與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽極區域722與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞減。相似於前述實施例，透過這作法可使得電量被平均分配到各個發光元件的電容上。
第8圖是依照本揭露一些實施例所繪示的一種發光條結構800的示意圖。發光條結構800包含第一基板TS8、第二基板BS8以及絕緣層(未繪示)。
第一基板TS8包含複數個元件區域811~818。元件區域811~818分別包含接地部分G1~G8以及節點部分N1~N8。接地部分G1~G8沿方向X串接。第二基板BS8包含接地區域820以及陽極區域822。接地部分G1~G8對應於陽極區域822。節點部分N1~N8對應於接地區域820以及部分的陽極區域822。
在發光條結構800的配置下，由於接地區域820於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區域820與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區域820與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞增。另外，由於陽極區域822於方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽極區域822與節點部分N1~N8之間的對應面積將會沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽極區域822與該些節點部分N1~N8之間的電容將會沿方向X逐漸遞減。相似於前述實施例，透過這作法可使得 電量被平均分配到各個發光元件的電容上。
綜上所述，透過應用上述一實施例，可提高發光條結構的抵抗靜電放電之能力。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何本領域具通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (13)
- 一種發光條結構，包含：一第一基板，包含一第一陽極區域以及複數個元件區域，該些元件區域分別用以供一發光元件設置，該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分，該陽極部分連接於該第一陽極區域；一第二基板，包含一接地區域以及一第二陽極區域，該陽極部分與接地區域對應設置，且該節點部分與該第二陽極區域對應設置；以及一絕緣層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光條結構，其中該第一陽極區域以及該些元件區域沿一第一方向依序設置，該第二基板之部分沿一第二方向被區隔成該第二陽極區域以及該接地區域。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光條結構，其中該至少一元件區域沿該第二方向被區隔成該節點部分以及該陽極部分。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光條結構，其中該第二方向與該第一方向垂直。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光條結 構，其中該些元件區域之任一者包含該陽極部分以及該節點部分，該些陽極部分與該第一陽極區域沿該第一方向串接。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光條結構，其中該些陽極部分與該接地區域於一第三方向上對應設置，且該些節點部分與該第二陽極區域於該第三方向上對應設置。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光條結構，其中該些陽極部分的面積沿該第一方向逐漸遞減，而該些節點部分的面積沿該第一方向逐漸遞增。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光條結構，其中該接地區域之部分於該第二方向上的寬度沿該第一方向逐漸遞增，而該第二陽極區域於該第二方向上的寬度沿該第一方向逐漸遞減。
- 一種發光條結構，包含：一第一基板，包含一第一陽極區域以及複數個元件區域，該些元件區域分別用以供一發光元件設置，該些元件區域之至少一包含一陽極部分以及一節點部分，該第一陽極區域以及該陽極部分電性連接以形成該第一基板的一陽極； 一第二基板，包含一接地區域以及一第二陽極區域，該第一基板的該陽極與該接地區域之間形成一第一電容，該第二陽極區域與地端之間形成一第二電容，該節點部分與該第二陽極區域之間形成一第三電容；以及一絕緣層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之發光條結構，其中該第一陽極區域以及該些元件區域沿一第一方向依序設置，該些元件區域之任一者包含該陽極部分以及該節點部分，該第一陽極區域以及該些陽極部分電性連接以形成該第一基板的該陽極。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光條結構，其中該些第三電容沿該第一方向逐漸遞減。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光條結構，其中該些節點部分與該接地區域之間分別形成一第四電容，該些第四電容沿該第一方向逐漸遞增。
- 一種發光條結構，包含：一第一基板，包含複數個元件區域，該些元件區域分別用以供一發光元件設置，該些元件區域之每一者包含一節點部分；一第二基板，包含一接地區域以及一陽極區域，該接 地區域與該些節點部分對應設置，該接地區域與該些節點部分之間的對應面積沿一方向逐漸遞增，該陽極區域與該些節點部分對應設置，該陽極區域與該些節點部分之間的對應面積沿該方向逐漸遞減；以及一絕緣層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
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