CN106439563A - 发光条结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 240000001439 Opuntia Species 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
一种发光条结构包含一第一基板、一第二基板以及一绝缘层。第一基板包含一第一阳极区域以及多个元件区域。元件区域分别用以供一发光元件设置。该多个元件区域的至少一包含一阳极部分以及一节点部分。阳极部分连接于第一阳极区域。第二基板包含一接地区域以及一第二阳极区域。阳极部分与接地区域对应设置。节点部分与第二阳极区域对应设置。绝缘层设置于第一基板与第二基板之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光技术,且特别是有关于一种发光条结构。
背景技术
近年来,随着显示技术的发展与普遍,显示装置已被应用至各式的电子装置,例如:个人台式电脑、平板电脑、笔记本电脑或其他可携式电子装置。
以笔记本电脑为例,笔记本电脑的显示装置中包含有背光单元(back lightunit;BLU)。背光单元中包含有发光条(light-bar)。然而,在笔记本电脑的组装过程中,为了随时地确认背光单元的亮度,发光条需维持在点亮的状态。在这种情况下,发光条上的发光元件很有可能会因为静电放电(electrostatic discharge;ESD)而受损。
因此,如何提高发光条的抵抗静电放电(ESD)的能力已成为此领域亟欲解决的问题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种一种发光条结构,借以解决现有技术所述及的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种发光条结构。发光条结构包含一第一基板、一第二基板以及一绝缘层。第一基板包含一第一阳极区域以及多个元件区域。元件区域分别用以供一发光元件设置。该多个元件区域的至少一包含一阳极部分以及一节点部分。阳极部分连接于第一阳极区域。第二基板包含一接地区域以及一第二阳极区域。阳极部分与接地区域对应设置。节点部分与第二阳极区域对应设置。绝缘层设置于第一基板与第二基板之间。
为了更好地实现上述目的,本发明还提供了一种发光条结构。发光条结构包含一第一基板、一第二基板以及一绝缘层。第一基板包含一第一阳极区域以及多个元件区域。该多个元件区域分别用以供一发光元件设置。该多个元件区域至少之一包含一阳极部分以及一节点部分。第一阳极区域以及阳极部分电性连接以形成第一基板的一阳极。第二基板包含一接地区域以及一第二阳极区域。第一基板的阳极与接地区域之间形成一第一电容。第二阳极区域与地端之间形成一第二电容。节点部分与第二阳极区域之间形成一第三电容。绝缘层设置于第一基板与第二基板之间。
为了实现上述目的,本发明提供了一种发光条结构。发光条结构包含一第一基板、一第二基板以及一绝缘层。第一基板包含多个元件区域。元件区域分别用以供一发光元件设置。各元件区域包含一节点部分。第二基板包含一接地区域以及一阳极区域。接地区域与该多个节点部分对应设置。接地区域与该多个节点部分之间的对应面积沿一方向逐渐递增。阳极区域与该多个节点部分对应设置。阳极区域与该多个节点部分之间的对应面积沿该方向逐渐递减。绝缘层设置于第一基板与第二基板之间。
本发明的技术效果在于:
综上所述,通过本发明可提高发光条结构的抵抗静电放电的能力。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
图1A是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图1B是图1A的发光条结构的侧视图;
图1C是图1A的发光条结构的等效电路图;
图2A是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图2B是图2A的发光条结构的等效电路图;
图3A是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图3B是图3A的发光条结构的等效电路图;
图4A是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图4B是图4A的发光条结构的等效电路图;
图5是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图6是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;
图7是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图;以及
图8是依照本发明一实施例所绘示的一种发光条结构的示意图。
其中,附图标记
100、200、300、400、500、600、700、800:发光条结构
TS1、TS2、TS3、TS4、TS5、TS6、TS7、TS8:第一基板
BS1、BS1、BS3、BS4、BS5、BS6、BS7、BS8:第二基板
INS:绝缘层
A0、122、222、322、422、522、622、722、822:阳极区域
111~118、211~218、311~318、411~418、511~518、611~618、711~718、811~818:元件区域
G0、120、220、320、420、520、620、720、820:接地区域
X、Y、Z:方向
d1~d4、y11、y12、y21、y22:宽度
A1~A8:阳极部分
N1~N8:节点部分
G1~G8:接地部分
C0、CB、Cna1~Cna8、Cled1~Cled8、C2~C8:电容
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
下文举实施例配合所附图式作详细说明,但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围,而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序,任何由元件重新组合的结构,所产生具有均等功效的装置,皆为本发明所涵盖的范围。另外,图式仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。为使便于理解,下述说明中相同元件或相似元件将以相同的符号标示来说明。
在全篇说明书与权利要求所使用的用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此发明的内容中与特殊内容中的平常意义。
关于本文中所使用的第一、第二、第三等,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本发明,其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的元件或操作而已。
请参考图1A以及图1B。图1A是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构100的示意图。图1B是图1A的发光条结构100的侧视图。发光条结构100包含第一基板TS1、第二基板BS1以及绝缘层INS。为了简化图示内容,图1A省略绝缘层INS。第一基板TS1与第二基板BS1对应设置。在一些实施例中,第一基板TS1为上基板且第二基板BS1为下基板。绝缘层INS设置于第一基板TS1与第二基板BS1之间。在其他实施例中,第一基板TS1与第二基板BS1于空间上的相对关系不限于如图1A所绘示。
以图1A示例而言,第一基板TS1包含阳极区域A0以及多个元件区域111~118。第一基板TS1沿方向X依序配置有阳极区域A0以及元件区域111~118。元件区域111~118分别用以供一发光元件设置。换句话说,发光条结构100可供八个发光元件设置于其上,以形成发光条(light bar)。此数量仅用于举例的目的,本发明并不以此数量为限。发光元件例如是发光二极管(light emitting diode;LED),本发明亦不以此为限。当发光条结构100被点亮时,电流将从阳极区域A0流入发光条结构100。电流接着流经元件区域111~118,并从后端的阴极(未绘示)流出,以点亮元件区域111~118上的发光元件。
元件区域111沿方向Y被区隔成阳极部分A1以及节点部分N1。方向Y与方向X为垂直。阳极部分A1连接于阳极区域A0。换句话说,阳极区域A0与阳极部分A1电性连接。阳极区域A0与阳极部分A1共同形成第一基板TS1的阳极。节点部分N1用以供一发光元件设置。元件区域112~118分别配置有节点部分N2~N8。节点部分N2~N8分别用以供一发光元件设置。
第二基板BS1的部分沿方向Y被区隔成接地区域120以及阳极区域122。如图1A所示,第二基板BS1的左侧部分仅配置有接地区域120。而其余部分则沿方向Y被区隔成接地区域120以及阳极区域122。换句话说,接地区域120大致呈L型。
阳极部分A1的宽度d1与接地区域120的宽度d3相同。也就是说,阳极部分A1只对应于接地区域120,而不对应于阳极区域122。节点部分N1的宽度d2与阳极区域122的宽度d4相同。也就是说,节点部分N1只对应于阳极区域122,而不对应于接地区域120。
简言之,阳极区域A0以及阳极部分A1对应于接地区域120。节点部分N1对应于阳极区域122。节点部分N2~N8的上半部对应于接地区域120,而节点部分N2~N8的下半部对应于阳极区域122。
“对应”是指两者在方向Z上至少部分对齐,或者是指任何可以形成电容的配置方式。另外,“上半部”或“下半部”是以图面的方向为例,而非用以限制本发明的内容。
接着,请同时参考图1A以及图1C。图1C是图1A的发光条结构100的等效电路图。第一基板TS1的阳极(阳极区域A0以及阳极部分A1)与接地区域120之间形成第一电容C0。阳极区域122与地端(或接地的铁件)之间形成第二电容CB。由于阳极区域A0与阳极区域122电性连接,因此第一电容C0的第一端与第二电容CB的第一端电性连接。第一电容C0的第二端与第二电容CB的第二端皆电性连接至地端。节点部分N1与阳极区域122之间形成第三电容Cna1。节点部分N2~N8的下半部与阳极区域122之间分别形成第三电容Cna2~Cna8。节点部分N2~N8的上半部与接地区域120之间分别形成第四电容C2~C8。而八个发光元件本身的节电容则为电容Cled1~Cled8。上述该多个电容的耦接关系如图1C所示。
于发光条结构100中,元件区域111中的阳极部分A1与阳极区域A0共同形成第一基板TS1的阳极,使得第一基板TS1的阳极面积变大。如此,可使第一基板TS1的阳极与接地区域120之间的电容C0的电容值变大。电容C0可用以储存更多的电荷,以降低流经后方的发光元件(节电容Cled1~Cled8)的电量。在这种情况下,发光元件将可受到保护,进而提高发光条结构100的抵抗静电放电(ESD)的能力。
于发光条结构100中,第二基板BS1上配置有阳极区域122,使得阳极区域122与地端(或接地的铁件)之间形成电容CB。电容CB亦可用以储存电荷,以降低流经发光元件的节电容Cled1~Cled8的电量。如此,可提高发光条结构100的抵抗静电放电的能力。
于发光条结构100中,第二基板BS1上配置有阳极区域122,使得节点部分N1~N8与阳极区域122之间分别形成电容Cna1~Cna8。电容Cna1~Cna8可用以旁路部分电量,以降低流经发光元件的节电容Cled1~Cled8的电量。如此,可提高发光条结构100的抵抗静电放电的能力。
于发光条结构100中,第二基板BS1上配置有阳极区域122,且接地区域120的面积对应地被缩小。在这种情况下,节点部分N2~N8与接地区域120在方向Z上的对应面积变小,使得电容C2~C8的电容值变小。当电容C2~C8的电容值变小,可降低流经发光元件的节电容Cled2~Cled8的电量,进而提高发光条结构100的抵抗静电放电的能力。
另外,以发光条结构100为例,设置于节点部分N2的发光元件其所承受的电压最大。这个发光元件最容易因为静电放电而受损。借由增加电容C0的电容值,使得电容C0的电容值大于这个发光元件的节电容Cled2的电容值,可改善发光条结构100的抵抗静电放电的能力。当电容C0的电容值相较于电容Cled2的电容值的比值愈大时,发光条结构100抵抗静电放电的能力的改善将更为明显。
请参考图2A。图2A是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构200的示意图。发光条结构200相似于发光条结构100。发光条结构200包含第一基板TS2、第二基板BS2以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS2包含阳极区域A0以及多个元件区域211~218。具体而言,第一基板TS2沿方向X依序配置有阳极区域A0以及元件区域211~218。
元件区域211沿方向Y被区隔成阳极部分A1以及节点部分N1。元件区域212沿方向Y被区隔成阳极部分A2以及节点部分N2。元件区域213沿方向Y被区隔成阳极部分A3以及节点部分N3。元件区域214沿方向Y被区隔成阳极部分A4以及节点部分N4。而元件区域215~218则分别配置有节点部分N5~N8。所有节点部分N1~N8分别用以供一发光元件设置。
阳极区域A0与阳极部分A1~A4沿方向X串接。换句话说,阳极区域A0与阳极部分A1~A4电性连接。阳极区域A0与阳极部分A1~A4共同形成第一基板TS2的阳极。图2A中的第二基板BS2相似于图1A中的第二基板BS1,故于此不再赘述。
阳极部分A1~A4的宽度d1与接地区域220的宽度d3相同。也就是说,阳极部分A1~A4只对应于接地区域220,而不对应于阳极区域222。节点部分N1~N4的宽度d2与阳极区域222的宽度d4相同。也就是说,节点部分N1~N4只对应于阳极区域222,而不对应于接地区域220。
简言之,阳极区域A0以及阳极部分A1~A4对应于接地区域220。节点部分N1~N4对应于阳极区域222。节点部分N5~N8的上半部对应于接地区域220,而节点部分N5~N8的下半部对应于阳极区域222。
接着,请同时参考图2A以及图2B。图2B是图2A的发光条结构200的等效电路图。第一基板TS2的阳极(阳极区域A0以及阳极部分A1~A4)与接地区域220之间形成第一电容C0。阳极区域222与地端(或接地的铁件)之间形成第二电容CB。节点部分N1~N4与阳极区域222之间分别形成第三电容Cna1~Cna4。节点部分N5~N8的下半部与阳极区域222之间分别形成第三电容Cna5~Cna8。节点部分N5~N8的上半部与接地区域220之间分别形成第四电容C5~C8。而八个发光元件本身的节电容则为电容Cled1~Cled8。上述该多个电容的耦接关系如图2B所示。
相较于发光条结构100,于发光条结构200中,第一基板TS2更配置有阳极部分A2~A4,使得第一基板TS2的阳极面积大于第一基板TS1的阳极面积。换句话说,第一基板TS2的阳极与接地区域220之间的电容C0的电容值大于发光条结构100的电容C0的电容值。在这种情况下,发光条结构200的电容C0可用以储存更多的电荷,以降低流经发光元件的节电容Cled1~Cled8的电量。如此,可提高发光条结构200的抵抗静电放电的能力。
相较于发光条结构100,于发光条结构200中,接地区域220是对应于阳极部分A2~A4,而未对应于节点部分N2~N4。因此发光条结构200不具有电容C2~C4。在这种情况下,流经发光元件的节电容的电量Cled2~Cled4将会减少,以提高发光条结构200的抵抗静电放电的能力。
请参考图3A。图3A是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构300的示意图。发光条结构300相似于发光条结构200。发光条结构300包含第一基板TS3、第二基板BS3以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS3包含阳极区域A0以及多个元件区域311~318。具体而言,第一基板TS3沿方向X依序配置有阳极区域A0以及元件区域311~318。
第一基板TS3的所有元件区域311~318沿方向Y分别被区隔成阳极部分A1~A8以及节点部分N1~N8。阳极区域A0与阳极部分A1~A8沿方向X串接。换句话说,阳极区域A0与阳极部分A1~A8电性连接。阳极区域A0与阳极部分A1~A8共同形成第一基板TS3的阳极。图3A中的第二基板BS3相似于图1A中的第二基板BS1,故于此不再赘述。
阳极部分A1~A8的宽度d1与接地区域320的宽度d3相同。也就是说,阳极部分A1~A8只对应于接地区域320,而不对应于阳极区域322。节点部分N1~N8的宽度d2与阳极区域322的宽度d4相同。也就是说,节点部分N1~N8只对应于阳极区域322,而不对应于接地区域320。
接着,请同时参考图3A以及图3B。图3B是图3A的发光条结构300的等效电路图。第一基板TS3的阳极(阳极区域A0以及阳极部分A1~A8)与接地区域320之间形成第一电容C0。阳极区域322与地端(或接地的铁件)之间形成第二电容CB。节点部分N1~N8与阳极区域322之间形成第三电容Cna1~Cna8。而八个发光元件本身的节电容则为电容Cled1~Cled8。上述该多个电容的耦接关系如图3B所示。
相较于发光条结构200,于发光条结构300中,第一基板TS3上还配置有阳极部分A5~A8,使得第一基板TS3的阳极面积大于第一基板TS2的阳极面积。换句话说,第一基板TS3的阳极与接地区域320之间的电容C0的电容值大于发光条结构200的电容C0的电容值。在这种情况下,发光条结构300的电容C0可用以储存更多的电荷,以降低流经发光元件的节电容Cled1~Cled8的电量。如此,可提高发光条结构300的抵抗静电放电的能力。
相较于发光条结构100,于发光条结构200中,接地区域320是对应于阳极部分A2~A8,而未对应于节点部分N2~N8。因此发光条结构300不具有电容C2~C8。在这种情况下,流经发光元件Cled2~Cled8的电量将会减少,以提高发光条结构300的抵抗静电放电的能力。
请参考图4A。图4A是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构400的示意图。发光条结构400相似于发光条结构300。发光条结构400包含第一基板TS4、第二基板BS4以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS4包含阳极区域A0以及多个元件区域411~418。具体而言,第一基板TS4沿方向X依序配置有阳极区域A0以及元件区域411~418。
相似于图3A的第一基板TS3,图4A的第一基板TS4的所有元件区域411~418沿方向Y分别被区隔成阳极部分A1~A8以及节点部分N1~N8。阳极区域A0与阳极部分A1~A8沿方向X串接。换句话说,阳极区域A0与阳极部分A1~A8电性连接。阳极区域A0与阳极部分A1~A8共同形成第一基板TS4的阳极。
如图4A所示,阳极部分A1~A8的面积沿方向X逐渐递减。举例而言,阳极部分A2的面积小于阳极部分A1的面积,阳极部分A3的面积小于阳极部分A2的面积,以此类推。另一方面,节点部分N1~N8的面积沿方向X逐渐递增。举例而言,节点部分N2的面积大于节点部分N1的面积,节点部分N3的面积大于节点部分N2的面积,以此类推。
第二基板BS4的部分沿方向Y被区隔成接地区域420以及阳极区域422。具体而言,第二基板BS4的左侧部分仅配置有接地区域420。而其余部分则沿方向Y被区隔成接地区域420以及阳极区域422。
阳极区域422于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减。以图4A示例而言,位于右侧的宽度y12小于位于左侧的宽度y11,使得阳极区域422大致呈楔型。而部分的接地区域420于方向Y上的宽度沿方向X对应地逐渐递增。以图4A示例而言,位于右侧的宽度y22大于位于左侧的宽度y21。
接着,请同时参考图4A以及图4B。图4B是图4A的发光条结构400的等效电路图。第一基板TS4的阳极(阳极区域A0以及阳极部分A1~A8)与接地区域420之间形成第一电容C0。阳极区域422与地端(或接地的铁件)之间形成第二电容CB。
由于节点部分N1~N8的部分面积对应至阳极区域422,因此节点部分N1~N8与阳极区域422之间将会形成第三电容Cna1~Cna8。由于阳极区域422于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减,因此阳极区域422与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递减。在这种情况下,电容Cna1~Cna8将会沿方向X逐渐递减。举例而言,阳极区域422与节点部分N2之间的电容Cna2会小于阳极区域422与节点部分N1之间的电容Cna1。阳极区域422与节点部分N3之间的电容Cna3会小于阳极区域422与节点部分N2之间的电容Cna2。以此类推。
由于节点部分N1~N8的部分面积对应至接地区域420,因此节点部分N1~N8与接地区域420之间将会分别形成第四电容C1~C8。由于接地区域420于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递增,因此接地区域420与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递增。在这种情况下,电容C1~C8将会沿方向X逐渐递增。举例而言,接地区域420与节点部分N2之间的电容C2大于接地区域420与节点部分N1之间的电容C1。接地区域420与节点部分N3之间的电容C3大于接地区域420与节点部分N2之间的电容C2。以此类推。
简言之,电容Cna1至电容Cna8的电容值为逐渐递减,而电容C1至电容C8的电容值为逐渐递增。
在一些实施例中,由于所有的发光元件为相同,因此发光元件的节电容Cled1~Cled8具有相同的电容值。借由将电容Cna1~Cna8沿方向X逐渐递减搭配上电容C1~C8沿方向X逐渐递增,可将电量平均分配到每个节电容Cled1~Cled8上,进而使得各节电容Cled1~Cled8的两端的电压差变得相近或相等。
以下以第一颗发光元件以及第八颗发光元件为例进行说明。由于电流是从阳极区域A0流入且依序流经元件区域411~418,因此在传统结构中,第一颗发光元件(节电容Cled1)所承受的电量为最多,而第八颗发光元件(节电容Cled8)所承受的电量为最少。
当电容Cna1的电容值较大,电容Cna1可旁路掉较多的电量,使得较少电量流经第一颗发光元件的节电容Cled1。另一方面,当电容C1越小,流经第一颗发光元件的节电容Cled1的电量就越小。因此增大电容Cna1的电容值且减小电容C1的电容值,可使得原先需承受较大电量的第一颗发光元件的节电容Cled1不需承受那么大的电量。而减小电容Cna8的电容值且增大电容C8的电容值,可使得第八颗发光元件的节电容Cled8所承受的电量被提升,甚至使得第八颗发光元件的节电容Cled8所承受的电量与第一颗发光元件的节电容Cled1所承受的电量相同。
基于上述原理,借由将电容Cna1~Cna8沿方向X逐渐递减搭配上电容C1~C8沿方向X逐渐递增,可使得电量被平均分配到各个电容Cled1~Cled8上,进而使得各电容Cled1~Cled8的两端的电压差变得相近或相等。此时,发光条结构400的抵抗静电放电的能力将可达到最大。
图5是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构500的示意图。发光条结构500包含第一基板TS5、第二基板BS5以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS5包含多个元件区域511~518。元件区域511~518分别包含节点部分N1~N8。第二基板BS5包含接地区域520以及阳极区域522。
在发光条结构500的配置下,由于接地区域520于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递增,因此接地区域520与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递增。在这种情况下,接地区域520与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递增。另外,由于阳极区域522于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减。因此阳极区域522与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递减。在这种情况下,阳极区域522与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递减。相似于前述实施例,通过这作法可使得电量被平均分配到各个发光元件的电容上。
图6是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构600的示意图。发光条结构600包含第一基板TS6、第二基板BS6以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS6包含阳极区域A0以及多个元件区域611~618。元件区域611~618分别包含节点部分N1~N8。第二基板BS6包含接地区域620以及阳极区域622。部分的接地区域620(例如:接地区域620的上半部)对应于阳极区域A0。其他部分的接地区域620(例如:接地区域620的下半部)对应于节点部分N1~N8。阳极区域622对应于节点部分N1~N8。
在发光条结构600的配置下,由于接地区域620于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递增,因此接地区域620与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递增。在这种情况下,接地区域620与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递增。另外,由于阳极区域622于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减。因此阳极区域622与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递减。在这种情况下,阳极区域622与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递减。相似于前述实施例,通过这作法可使得电量被平均分配到各个发光元件的电容上。
图7是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构700的示意图。发光条结构700包含第一基板TS7、第二基板BS7以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS7包含接地区域G0以及多个元件区域711~718。元件区域711~718分别包含节点部分N1~N8。第二基板BS7包含接地区域720以及阳极区域722。部分的阳极区域722(例如:阳极区域722的上半部)对应于接地区域G0。其他部分的阳极区域722(例如:阳极区域722的下半部)以及接地区域720对应于节点部分N1~N8。
在发光条结构700的配置下,由于接地区域720于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递增,因此接地区域720与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递增。在这种情况下,接地区域720与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递增。另外,由于阳极区域722于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减。因此阳极区域722与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递减。在这种情况下,阳极区域722与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递减。相似于前述实施例,通过这作法可使得电量被平均分配到各个发光元件的电容上。
图8是依照本发明一些实施例所绘示的一种发光条结构800的示意图。发光条结构800包含第一基板TS8、第二基板BS8以及绝缘层(未绘示)。
第一基板TS8包含多个元件区域811~818。元件区域811~818分别包含接地部分G1~G8以及节点部分N1~N8。接地部分G1~G8沿方向X串接。第二基板BS8包含接地区域820以及阳极区域822。接地部分G1~G8对应于阳极区域822。节点部分N1~N8对应于接地区域820以及部分的阳极区域822。
在发光条结构800的配置下,由于接地区域820于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递增,因此接地区域820与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递增。在这种情况下,接地区域820与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递增。另外,由于阳极区域822于方向Y上的宽度沿方向X逐渐递减。因此阳极区域822与节点部分N1~N8之间的对应面积将会沿方向X逐渐递减。在这种情况下,阳极区域822与该多个节点部分N1~N8之间的电容将会沿方向X逐渐递减。相似于前述实施例,通过这作法可使得电量被平均分配到各个发光元件的电容上。
综上所述,通过应用上述一实施例,可提高发光条结构的抵抗静电放电的能力。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (13)
1.一种发光条结构,其特征在于,包含:
一第一基板,包含一第一阳极区域以及多个元件区域,该多个元件区域分别用以供一发光元件设置,该多个元件区域的至少之一包含一阳极部分以及一节点部分,该阳极部分连接于该第一阳极区域;
一第二基板,包含一接地区域以及一第二阳极区域,该阳极部分与接地区域对应设置,且该节点部分与该第二阳极区域对应设置;以及
一绝缘层,设置于该第一基板与该第二基板之间。
2.如权利要求1所述的发光条结构,其特征在于,该第一阳极区域以及该多个元件区域沿一第一方向依序设置,该第二基板的部分沿一第二方向被区隔成该第二阳极区域以及该接地区域。
3.如权利要求2所述的发光条结构,其特征在于,该至少一元件区域沿该第二方向被区隔成该节点部分以及该阳极部分。
4.如权利要求2所述的发光条结构,其特征在于,该第二方向与该第一方向垂直。
5.如权利要求2所述的发光条结构,其特征在于,该多个元件区域的任一包含该阳极部分以及该节点部分,该多个阳极部分与该第一阳极区域沿该第一方向串接。
6.如权利要求5所述的发光条结构,其特征在于,该多个阳极部分与该接地区域于一第三方向上对应设置,且该多个节点部分与该第二阳极区域于该第三方向上对应设置。
7.如权利要求5所述的发光条结构,其特征在于,该多个阳极部分的面积沿该第一方向逐渐递减,而该多个节点部分的面积沿该第一方向逐渐递增。
8.如权利要求5所述的发光条结构,其特征在于,该接地区域的部分于该第二方向上的宽度沿该第一方向逐渐递增,而该第二阳极区域于该第二方向上的宽度沿该第一方向逐渐递减。
9.一种发光条结构,其特征在于,包含:
一第一基板,包含一第一阳极区域以及多个元件区域,该多个元件区域分别用以供一发光元件设置,该多个元件区域的至少之一包含一阳极部分以及一节点部分,该第一阳极区域以及该阳极部分电性连接以形成该第一基板的一阳极;
一第二基板,包含一接地区域以及一第二阳极区域,该第一基板的该阳极与该接地区域之间形成一第一电容,该第二阳极区域与地端之间形成一第二电容,该节点部分与该第二阳极区域之间形成一第三电容;以及
一绝缘层,设置于该第一基板与该第二基板之间。
10.如权利要求9所述的发光条结构,其特征在于,该第一阳极区域以及该多个元件区域沿一第一方向依序设置,该多个元件区域的任一包含该阳极部分以及该节点部分,该第一阳极区域以及该多个阳极部分电性连接以形成该第一基板的该阳极。
11.如权利要求10所述的发光条结构,其特征在于,该多个第三电容沿该第一方向逐渐递减。
12.如权利要求11所述的发光条结构,其特征在于,该多个节点部分与该接地区域之间分别形成一第四电容,该多个第四电容沿该第一方向逐渐递增。
13.一种发光条结构,其特征在于,包含:
一第一基板,包含多个元件区域,该多个元件区域分别用以供一发光元件设置,该多个元件区域的每一个包含一节点部分;
一第二基板,包含一接地区域以及一阳极区域,该接地区域与该多个节点部分对应设置,该接地区域与该多个节点部分之间的对应面积沿一方向逐渐递增,该阳极区域与该多个节点部分对应设置,该阳极区域与该多个节点部分之间的对应面积沿该方向逐渐递减;以及
一绝缘层,设置于该第一基板与该第二基板之间。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610792613.2A CN106439563B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 发光条结构 |
TW105135266A TWI620890B (zh) | 2016-08-31 | 2016-10-31 | 發光條結構 |
US15/472,366 US10299340B2 (en) | 2016-08-31 | 2017-03-29 | Light-bar structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610792613.2A CN106439563B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 发光条结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106439563A true CN106439563A (zh) | 2017-02-22 |
CN106439563B CN106439563B (zh) | 2019-01-25 |
Family
ID=58164719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610792613.2A Active CN106439563B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 发光条结构 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10299340B2 (zh) |
CN (1) | CN106439563B (zh) |
TW (1) | TWI620890B (zh) |
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- 2016-08-31 CN CN201610792613.2A patent/CN106439563B/zh active Active
- 2016-10-31 TW TW105135266A patent/TWI620890B/zh active
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2017
- 2017-03-29 US US15/472,366 patent/US10299340B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20180063904A1 (en) | 2018-03-01 |
CN106439563B (zh) | 2019-01-25 |
US10299340B2 (en) | 2019-05-21 |
TWI620890B (zh) | 2018-04-11 |
TW201812208A (zh) | 2018-04-01 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |