TW201811693A - 玻璃物品之製造方法及玻璃物品 - Google Patents

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Abstract

本製造方法包括如下步驟：(1)於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，藉由自玻璃板之第1主表面之側照射雷射，而於第1主表面形成排列有複數個孔隙之面內孔隙區域，並且形成自面內孔隙區域朝向第2主表面而排列有1個或2個以上之孔隙之複數個內部孔隙行；(2)於玻璃板之第1主表面或第2主表面，形成有機膜；及(3)於玻璃板之形成有有機膜之主表面之側，沿面內孔隙區域，以特定之條件照射、掃描與上述雷射不同之雷射，而自玻璃板分離出玻璃物品。

Description

玻璃物品之製造方法及玻璃物品
本發明係關於一種具有有機膜之玻璃物品之製造方法、及具有有機膜之玻璃物品。
於各種玻璃物品之製造之過程中，經常存在必須進行自大張玻璃板分離、提取1個或2個以上之玻璃物品之步驟、所謂分離步驟之情形。 於此種分離步驟中，多實施如下操作：預先於玻璃板之主表面之特定之位置，藉由機械加工而形成劃線之後，沿該劃線對玻璃板施加彎曲力矩，而將玻璃板分斷。 又，最近，提出有如下方法：對玻璃板照射作為氣體雷射之CO2 雷射，藉由來自CO2 雷射之入射熱，而將玻璃板熔融斷開為特定之尺寸，從而分離、提取玻璃物品(例如專利文獻1)。再者，作為此種分離、提取玻璃物品之其他方法，有使用如準分子雷射、Ar雷射、或He-Ne雷射般之氣體雷射、如YAG(Yttrium-Aluminum Garnate，釔鋁石榴石)雷射般之固體雷射、半導體雷射、或自由電子雷射之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2012-526721號公報
[發明所欲解決之問題] 如上所述，已知有藉由對玻璃板照射雷射而將玻璃板於特定之位置熔融斷開，從而自玻璃板分離出玻璃物品之方法。 然而，大量玻璃物品之主表面具有各種有機膜。例如，於製造用於可攜式電子機器之覆蓋玻璃時，存在於玻璃板上設置有防指紋附著膜(AFP)等有機膜之情形。若對此種具有有機膜之玻璃板實施如專利文獻1般之分離步驟，則尤其是於端面，可能產生因來自雷射之入射熱而令有機膜受到損傷之問題。 再者，為了應對該問題，考慮到自玻璃板分離出玻璃基板之後，於分離出之各玻璃基板進行有機膜之形成。 然而，於此種方法中，於成膜步驟中，需要處理大量玻璃基板，步驟變得繁雜，因此玻璃物品之製造效率降低。因此，該方法無法成為上述問題之根本之解決對策。 本發明係鑒於此種背景而完成者，於本發明中，目的在於提供一種於自玻璃板分離出玻璃物品時，能夠有意地抑制對存在於主表面之有機膜之損傷之玻璃物品之製造方法。又，於本發明中，目的在於提供一種有機膜之損傷被有意地抑制之玻璃物品。 [解決問題之技術手段] 於本發明中，提供一種製造方法，該製造方法係具有有機膜之玻璃物品之製造方法，且包括如下步驟： (1)於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板，藉由自該玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射，而於上述第1主表面形成排列有複數個孔隙之面內孔隙區域，並且形成自上述面內孔隙區域朝向上述第2主表面而排列有1個或2個以上之孔隙之複數個內部孔隙行； (2)於上述玻璃板之上述第1主表面或第2主表面，形成有機膜；及 (3)於上述玻璃板之形成有上述有機膜之主表面之側，沿上述面內孔隙區域或其附近照射、掃描與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板沿上述面內孔隙區域分離出1個或2個以上之玻璃物品；且 於上述(3)之步驟中，以滿足以下之條件之方式照射上述另一雷射，上述條件係指： 於在上述分離出之玻璃物品之上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於上述玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS，X-ray photoelectron spectroscopy，X射線光電子光譜)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 又，於本發明中，提供一種製造方法，該製造方法係具有有機膜之玻璃物品之製造方法，且包括如下步驟： (1)於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，於該玻璃板之上述第1主表面形成有機膜； (2)藉由自上述玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射，而於上述第1主表面形成排列有複數個孔隙之面內孔隙區域，並且形成自上述面內孔隙區域朝向上述第2主表面而排列有1個或2個以上之孔隙之複數個內部孔隙行；及 (3)於上述玻璃板之上述第1主表面之側，沿上述面內孔隙區域或其附近照射、掃描與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板沿上述面內孔隙區域分離出1個或2個以上之玻璃物品；且 於上述(3)之步驟中，以滿足以下之條件之方式照射上述另一雷射，上述條件係指： 於在上述分離出之玻璃物品之上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於上述玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 進而，於本發明中，提供一種玻璃物品，該玻璃物品係具有有機膜者，且 該玻璃物品包括： 玻璃基板，其具有彼此相反之第1主表面及第2主表面、以及端面；及 有機膜，其配置於該玻璃基板之上述第1主表面上；且 於在上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述端面之一個點設為MP時(其中，於上述第1主表面為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 [發明之效果] 於本發明中，可提供一種於自玻璃板分離出玻璃物品時，能夠有意地抑制對存在於主表面之有機膜之損傷之玻璃物品之製造方法。又，於本發明中，可提供一種有機膜之損傷被有意地抑制之玻璃物品。
以下，參照圖式，對本發明之一實施形態進行說明。 (本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法) 參照圖1～圖11，對本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法進行說明。 於圖1中，模式性地表示本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法(以下稱為「第1製造方法」)之流程。 如圖1所示，第1製造方法包括： (1)雷射照射步驟，其係於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，自該玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射(步驟S110)； (2)成膜步驟，其係於上述玻璃板之上述第1主表面或第2主表面形成有機膜(步驟S120)；及 (3)分離步驟，其係於上述玻璃板之形成有上述有機膜之主表面之側照射與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板分離出1個或2個以上之玻璃物品(步驟S130)。 以下，參照圖2～圖11，對各步驟進行說明。再者，圖2～圖11分別係概略性地表示第1製造方法之一步驟之圖。 (步驟S110) 首先，準備具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板。 玻璃板之玻璃組成並無特別限定。玻璃板亦可為例如鈉鈣玻璃、及鹼鋁矽酸鹽玻璃等。 玻璃板之厚度並無特別限定，亦可為例如0.03 mm～6 mm之範圍。 於圖2中，模式性地表示玻璃板110之形態之一例。玻璃板110具有彼此相反之第1主表面112及第2主表面114、以及端面116。 再者，玻璃板110之形態並無特別限定。例如，玻璃板110係除了如圖2所示般之大致矩形狀以外，亦可具有多邊形狀、橢圓狀(包含圓狀)等各種形態。 其次，對玻璃板110照射雷射。雷射被照射於玻璃板110之一主表面(此處，作為一例而設為第1主表面112)之側。再者，需注意此處使用之雷射係與以後之分離步驟(步驟S130)中使用之CO2 雷射不同者。 藉由雷射之照射，而於玻璃板110之第1主表面112形成面內孔隙區域。又，自該面內孔隙區域朝向下側、即第2主表面114之側，形成複數個內部孔隙行。 此處，所謂「面內孔隙區域」係指複數個表面孔隙以特定之配置排列而形成之線狀區域。又，所謂「內部孔隙行」係指於玻璃板之內部，1個或2個以上之孔隙自第1主表面112朝向第2主表面114排列而形成之線狀區域。 以下，使用圖3，對「面內孔隙區域」及「內部孔隙行」之形態更詳細地進行說明。於圖3中，模式性地表示形成於玻璃板之面內孔隙區域及內部孔隙行。 如圖3所示，於該玻璃板110，形成有一個面內孔隙區域130、及對應於該面內孔隙區域130之複數個內部孔隙行150。 如上所述，面內孔隙區域130係指複數個表面孔隙138以特定之配置排列而成之線狀區域。例如，於圖3之例中，於玻璃板110之第1主表面112，沿固定之方向(X方向)排列有複數個表面孔隙138，藉此形成面內孔隙區域130。 各表面孔隙138係對應於第1主表面112上之雷射之照射位置，且具有例如1 μm～5 μm之間之直徑。但是，表面孔隙138之直徑係根據雷射之照射條件及玻璃板110之種類等而變化。 相鄰之表面孔隙138彼此之中心間距離P可基於玻璃板110之組成及厚度、以及雷射加工條件等而任意地規定。例如，中心間距離P亦可為2 μm～10 μm之範圍。再者，表面孔隙138彼此之中心間距離P無需於所有位置均相等，亦可根據場所而不同。即，表面孔隙138亦可以不規則之間隔排列。 另一方面，如上所述，內部孔隙行150係指於玻璃板110之內部，由1個或2個以上之孔隙158自第1主表面112朝向第2主表面114地排列而形成之線狀區域。 孔隙158之形狀、尺寸、及間距並無特別限定。關於孔隙158，例如自Y方向觀察時，亦可為圓形、橢圓形、矩形、或三角形等形狀。又，自Y方向觀察時之孔隙158之最大尺寸(於通常之情形時，相當於沿內部孔隙行150之延伸方向之孔隙158之長度)亦可為例如0.1 μm～1000 μm之範圍。 構成面內孔隙區域130之各表面孔隙138具有對應於各者之內部孔隙行150。例如，於圖3所示之例中，形成有對應於18個表面孔隙138之各者之合計18條內部孔隙行150。 再者，於圖3之例中，構成一個內部孔隙行150之各孔隙158係沿玻璃板110之厚度方向(Z方向)排列。即，各內部孔隙行150係於Z方向上延伸。然而，其僅為一例，構成內部孔隙行150之各孔隙亦可於相對於Z方向傾斜之狀態下，自第1主表面112排列至第2主表面114。 又，於圖3之例中，各內部孔隙行150分別為，除了表面孔隙138以外，藉由合計3個孔隙158之排列而構成。然而，其僅為一例，各內部孔隙行150亦可包含1個或2個孔隙158、或者4個以上之孔隙158。又，於各個內部孔隙行150中，所包含之孔隙158之個數亦可不同。進而，幾個孔隙158亦可與表面孔隙138連結而形成「長」的表面孔隙138。 進而，各內部孔隙行150可具有於第2主表面114開口而成之孔隙(第2表面孔隙)，亦可不具有。 再者，如以上之說明所明示般，需注意面內孔隙區域130並非以實際上連續之「線」之形式形成之區域，而是表示於連結各表面孔隙138時形成之假想之線狀區域。 同樣地，需注意內部孔隙行150並非以實際上連續之「線」之形式形成之區域，而是表示於連結各孔隙158時形成之假想之線狀區域。 進而，一個面內孔隙區域130未必要被識別為1條「線」(表面孔隙138之行)之形式，一個面內孔隙區域130亦可以於相互極為接近之狀態下配置之平行之複數個「線」之集合體之形式形成。 於圖4中，表示此種以複數個「線」之集合體之形式被識別之面內孔隙區域130之一例。於該例中，於玻璃板110之第1主表面112，形成有相互平行之2條表面孔隙行138A、138B，藉由該等構成一個面內孔隙區域130。兩表面孔隙行138A及138B之距離例如為5 μm以下，較佳為3 μm以下。 再者，於圖4之例中，面內孔隙區域130包含2條表面孔隙行138A及138B，但面內孔隙區域130亦可包含更多之表面孔隙行。 以下，將此種包含複數個表面孔隙行之面內孔隙區域特稱為「多線面內孔隙區域」。又，將如圖3所示般之包含一個表面孔隙行之面內孔隙區域130特稱為「單線面內孔隙區域」，而與「多線面內孔隙區域」相區分。 如以上所說明般之面內孔隙區域130及內部孔隙行150可藉由在玻璃板110之第1主表面112，於特定之條件下照射雷射而形成。 更具體而言，首先，於玻璃板110之第1主表面112之第1位置，藉由照射雷射而自第1主表面112貫穿至第2主表面114地形成包含第1表面孔隙之第1內部孔隙行。其次，改變對於玻璃板110之雷射之照射位置，於玻璃板110之第1主表面112之第2位置，藉由照射雷射而自第1主表面112貫穿至第2主表面114地形成包含第2表面孔隙之第2內部孔隙行。藉由反覆進行該操作，可形成面內孔隙區域130、及對應於其之內部孔隙行150。 再者，亦可於藉由1次雷射照射無法形成具有充分地接近於第2主表面114之孔隙158之內部孔隙行之情形、即孔隙158之中最接近於第2主表面114之孔隙依然位於距第2主表面114很遠之位置之情形時(例如，最接近於第2主表面114之孔隙中，距第1主表面112之距離為玻璃板110之厚度之1/2以下之情形)等實質上相同之照射位置，進行2次以上之雷射照射。此處，所謂「實質上相同之(照射)位置」係指除了2個位置完全一致之情形以外，還包含稍微偏移之情形(例如最大3 μm之偏移)。 例如，亦可於沿平行於玻璃板110之第1主表面112之第1方向，進行複數次雷射照射，而形成第1面內孔隙區域130及對應於其之內部孔隙行150(第1通路)之後，於與第1通路大致相同之方向及大致相同之照射位置進行雷射照射(第2通路)，藉此形成對應於第1面內孔隙區域130之更「深」之內部孔隙行150。 雖亦取決於玻璃板110之厚度，但自構成內部孔隙行150之孔隙158中之、位於距第2主表面114最近之位置之孔隙之中心至第2主表面114為止之距離較佳為0 μm～10 μm之範圍。 作為可用於此種處理之雷射，例如可列舉脈衝寬度為飛秒級～奈米秒級、即1.0×10-15 ～9.9×10-9 秒之短脈衝雷射。就效率良好地形成內部孔隙之方面而言此種短脈衝雷射光進而較佳為突發脈衝(burst pulse)。又，此種短脈衝雷射之照射時間內之平均輸出例如為30 W以上。於短脈衝雷射之該平均輸出未達10 W之情形時，存在無法形成充分之孔隙之情形。作為突發脈衝之雷射光之一例，可列舉藉由脈衝數為3～10之突發雷射(burst laser)形成1個內部孔隙行，雷射輸出為額定(50 W)之90%左右，突發脈衝之頻率為60 kHz左右，突發脈衝之時間寬度為20微微秒～165奈米秒。作為突發脈衝之時間寬度，作為較佳之範圍可列舉10奈米秒～100奈米秒。 又，作為雷射之照射方法，存在利用基於克爾效應(Kerr-Effect)之光束之自聚焦之方法、一併利用高斯-貝塞爾光束(Gaussian Bessel beam)與轉向鏡透鏡之方法、及利用像差透鏡之線焦點形成光束之方法等。總之，只要能夠形成面內孔隙區域及內部孔隙行，則可為任意方法。 例如，於使用突發雷射裝置之情形時，可藉由適當變更雷射之照射條件，而使構成內部孔隙行150之各孔隙之尺寸、及內部孔隙行150所包含之孔隙158之個數等以某種程度變化。 再者，於以下之記載中，將包含面內孔隙區域130、及對應於該面內孔隙區域130之內部孔隙行150之平面(於圖3中，藉由影線而表示之平面165)稱為「假想端面」。該假想端面165實質上與藉由第1製造方法而製造之玻璃物品之端面對應。 於圖5中，作為一例，模式性地表示於玻璃板110之第1主表面112形成有複數個面內孔隙區域130之狀態。 於圖5之例中，於玻璃板110之第1主表面112，以橫方向(X方向)上5條且縱方向(Y方向)上5條之方式形成有面內孔隙區域130。又，雖自圖5無法視認，但於各面內孔隙區域130之下側、即第2主表面114之側，形成有1個或2個以上之孔隙朝向第2主表面114斷續地排列而成之複數個內部孔隙行。 於圖5中，將藉由玻璃板110之縱方向上相鄰之2個面內孔隙區域130、橫方向上相鄰之2個面內孔隙區域130、及由對應於該等之內部孔隙行而隔開之立體部分、即藉由4個假想端面包圍之假想之立體之最小單位稱為玻璃片。 面內孔隙區域130之形狀、進而是玻璃片160a之形狀實質上對應於步驟S130後所獲得之玻璃物品之形狀。例如，於圖5之例中，自玻璃素材110，最終可製造16個矩形狀之玻璃物品。又，如上所述，包含各面內孔隙區域130及對應於其之內部孔隙行150之假想端面165係對應於步驟S130後所製造之玻璃物品之一個端面。 再者，圖5所示之玻璃片160a之形狀及配置態樣僅為一例，該等可根據最終玻璃物品之形狀而以特定之形狀及配置形成。 於圖6及圖7中，模式性地表示假定之面內孔隙區域、進而是玻璃片之另一形態之一例。 於圖6之例中，各面內孔隙區域131係以大致矩形狀之一條閉合之線(環)之方式配置，且於轉角部具有曲線部分。因此，由面內孔隙區域131及內部孔隙行(無法視認)所包圍之玻璃片160b成為於轉角部具有曲線部分之大致矩形板狀之形態。 又，於圖7之例中，各面內孔隙區域132係以大致橢圓形之一條閉合之線(環)之方式配置。因此，玻璃片160c成為大致碟片狀之形態。 又，於該等例中，藉由一個假想端面形成玻璃物品之連續之端面，因此，獲得之玻璃物品之端面均成為一個。 如此，面內孔隙區域130、131、132亦可以直線狀、曲線狀、或兩者之組合形成。又，玻璃片160a、160b、160c可由單一之假想端面包圍，亦可由複數個假想端面包圍。 (化學強化處理) 於玻璃板110含有鹼金屬之情形時，亦可於步驟S110之後，且於步驟S120之前，對玻璃板110實施化學強化處理。 化學強化處理係使玻璃板浸漬於包含鹼金屬之熔鹽中，而將存在於玻璃板110之表面之原子徑更小之鹼金屬離子置換為存在於熔鹽中之原子徑更大之鹼金屬離子之製程。 化學強化處理之條件並無特別限定。化學強化處理亦可藉由例如將玻璃板110浸漬於430℃～500℃之熔鹽中1分鐘～2小時之間而實施。 作為熔鹽，亦可使用硝酸鹽。例如，於將玻璃板110所包含之鋰離子置換為更大之鹼金屬離子之情形時，亦可使用包含硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銣、及硝酸銫中之至少一個之熔鹽。又，於將玻璃板110所包含之鈉離子置換為更大之鹼金屬離子之情形時，亦可使用包含硝酸鉀、硝酸銣、及硝酸銫中之至少一個之熔鹽。進而，於將玻璃板110所包含之鉀離子置換為更大之鹼金屬離子之情形時，亦可使用包含硝酸銣及硝酸銫中之至少一個之熔鹽。 藉由對玻璃板110進行化學強化處理，可於玻璃板110之第1主表面112及第2主表面114形成壓縮應力層，藉此能夠提高第1主表面112及第2主表面114之強度。壓縮應力層之厚度係對應於置換用之鹼金屬離子之滲入深度。例如，於使用硝酸鉀將鈉離子置換為鉀離子之情形時，於鈉鈣玻璃中可將壓縮應力層之厚度設為8 μm～27 μm，於鋁矽酸鹽玻璃中可將壓縮應力層之厚度設為10 μm～100 μm。於鋁矽酸鹽玻璃之情形時，鹼金屬離子滲入之深度較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。 此處，於化學強化處理之前之玻璃板110中，藉由上述雷射照射步驟(步驟S110)，而形成有如上述般之面內孔隙區域130、131、132及內部孔隙行150。因此，若對玻璃板110實施化學強化處理，則使熔鹽經由表面孔隙138及孔隙158而導入至玻璃板110之內部。 其結果，藉由化學強化處理，不僅於玻璃板110之露出面(第1主表面112、第2主表面114、及端面116)能夠提高強度，而且於假想端面亦能夠提高強度。 圖8係模式性地表示假想端面之「面內(in-plane)方向」(玻璃板110之厚度方向，參照圖3之Z方向)上之導入離子之濃度分佈之圖。 此處，所謂「導入離子」係指藉由化學強化處理而被導入至玻璃板110之鹼金屬離子、即用以對玻璃板110之第1主表面112及第2主表面114賦予壓縮應力層而提高該等主表面之強度的鹼金屬離子。 於圖8中，橫軸係玻璃板110之厚度方向之相對位置t(%)，第1主表面112之側對應於t＝0%，第2主表面114之側對應於t＝100%。縱軸係導入離子之濃度C。其中，該濃度C係將玻璃板110之第1主表面112、第2主表面114、及端面116以外之部分、即玻璃板110之總體部分所包含之與導入離子同種之鹼金屬離子之濃度去除而算出。 如圖8所示，於假想端面中，沿玻璃板110之厚度方向之導入離子之濃度C係於假想端面全體大於總體部分之濃度(總體濃度)之分佈，於該例中表示大致拋物線狀之分佈。即，導入離子之濃度C具有如下傾向：於第1主表面112之側(t＝0%)及第2主表面114之側(t＝100%)表示最大值Cmax ，於深度方向之中央部分(t＝50%)表示最小值Cmin 。此處為最小值Cmin ＞0。 再者，導入離子之濃度分佈之形狀會根據玻璃板110之厚度及材質、以及化學強化處理之條件等而變化，但於任一情形時均為於假想端面全體大於總體部分所包含之濃度，作為一例，產生此種大致拋物線狀之分佈。但是，因化學強化處理之方法等之影響，多認為，第1主表面112之側(t＝0%)與第2主表面114之側(t＝100%)之導入離子之濃度C不嚴格地一致。即，多認為，僅某一個主表面中之濃度C成為Cmax 。又，此處之大致拋物線狀之分佈係與拋物線之數學上之定義不同，係指導入離子之濃度C為相對於厚度方向之中央部分，而於第1主表面之側及第2主表面之側變大，且該濃度分佈中之導入離子濃度較玻璃物品之總體濃度更高的分佈。因此，於該大致拋物線狀之分佈中，包含導入離子濃度較玻璃物品之總體濃度更高之分佈，且為於厚度方向之中央部分導入離子C相對較平緩地變化之大致梯形形狀之分佈。 如此，於第1製造方法中，假想端面亦可進行化學強化處理。 再者，該化學強化處理係視需要而實施之步驟，亦可省略。又，化學強化處理亦可於上述雷射照射步驟(步驟S110)之前實施。但是，於該情形時，需注意藉由化學強化處理而被強化之區域係限於露出面(第1主表面112、第2主表面114、及端面116)，假想端面未被強化。 (步驟S120) 其次，於玻璃板110之第1主表面112或第2主表面114，形成有機膜。此處，作為一例，以於玻璃板110之第1主表面112形成有機膜之情形為例進行說明。 於圖9～圖11中，模式性地表示於玻璃板110之第1主表面112形成有有機膜170之情況。 有機膜170係以至少覆蓋各玻璃片之表面區域(對應於玻璃板110之第1主表面112之表面)之方式設置。 例如，於圖9所示之例中，有機膜170係以覆蓋各玻璃片160a之表面區域，且於第1主表面112中僅周圍部分呈框狀地露出之方式設置。 又，於圖10中，有機膜170係以覆蓋各玻璃片160c之各者之表面區域，且僅周圍部分呈框狀地露出之方式設置。再者，圖10與圖9之態樣不同在於：在玻璃板110之第1主表面112中，有機膜170亦設置於除玻璃片160c以外之區域。 進而，於圖11中，有機膜170係以於複數個區域僅覆蓋各玻璃片160c之各者之表面區域之方式設置。 再者，圖9～圖11所示之有機膜170之設置態樣僅為一例，有機膜170只要覆蓋各玻璃片160a～160c之表面區域，則亦可以任何態樣設置。尤其是，有機膜170較佳為遍及第1主表面112之整個面地形成。於該情形時，無需遮蔽步驟。 有機膜170亦可為例如具有矽氧烷鍵作為主骨架且含有F(氟)之聚合物。 於以下之(1)式中，表示此種有機膜170之化學式之一例。 [化1]此處，反應基R1 及R2 分別獨立地自由F(氟)、H(氧)、C(碳)、及Cn H2n-1 (n＝1～100)所組成之群中選定。 於使用具有此種反應基之有機膜之情形時，可使玻璃板110之第1主表面112表現出撥水性。 有機膜170之厚度並非限定於此，例如為1 nm～1 μm之範圍，於F(氟)系之有機膜之情形時，更佳為1 nm～10 nm。 有機膜170之形成方法並無特別限定。有機膜170亦可藉由例如濺鍍法、蒸鍍法、及塗佈法等先前之成膜技術而成膜。 再者，於玻璃板110之第1主表面112，亦可於形成有機膜170之前，形成另外之1個或2個以上之功能膜。例如，於玻璃板110之第1主表面112，亦可形成抗反射膜。抗反射膜通常係藉由交替地積層折射率不同之複數個氧化物層而構成。或者，亦可設置抗反射膜以外之功能膜。 (步驟S130) 其次，自玻璃板110分離出玻璃物品。 於該分離步驟中，使用與步驟S110之雷射不同之雷射(以下稱為「另一雷射」)。再者，另一雷射係於上述成膜步驟(步驟S120)中，照射於玻璃板110之形成有有機膜170之主表面(以下稱為「成膜面」)之側。再者，另一雷射之照射面亦可為並非成膜面之側之面。例如，於在並非成膜面之側之面形成有黑色之膜等之情形時，較佳為照射於成膜面之側。 作為另一雷射，例如可列舉固體雷射、氣體雷射、半導體雷射、或自由電子雷射等。作為固體雷射之例，可列舉YAG雷射等。作為氣體雷射之例，可列舉CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射及He-Ne雷射等。 於上述步驟(步驟S110)中形成於玻璃板110之假想端面165係於其面內具有面內孔隙區域130及對應之內部孔隙行150所包含之複數個表面孔隙138及孔隙158。因此，於分離步驟中，該等表面孔隙138及孔隙158發揮如可謂「折頁線(perforation)」般之作用。 即，若於面內孔隙區域130(或其附近，以下相同)照射另一雷射，則藉由來自該另一雷射之熱，而使位於照射位置附近之構成內部孔隙行150之孔隙158彼此相連，從而形成於玻璃板110之深度方向上貫通之切斷線。因此，若沿面內孔隙區域130掃描此種另一雷射，則於各內部孔隙行150，孔隙158彼此相連，而內部孔隙行150變為切斷線。進而，構成各面內孔隙區域130之表面孔隙138亦彼此連接，而於第1主表面112之面內亦產生切斷線。 其結果，玻璃板110變為於上述假想端面165被分斷，藉此自玻璃板110分離出玻璃物品。 如以上般，於第1製造方法中，可經由步驟S110～步驟S130，而自玻璃板110製造1個或2個以上之玻璃物品。 此處，於如專利文獻1所記載般之方法中，於將另一雷射照射於玻璃板，而將玻璃板熔融斷開之情形時，即便能夠分離出玻璃物品，此時亦有有機膜170受到損傷之虞。 相對於此，於第1製造方法中，於利用另一雷射進行分離之前，已藉由步驟S110而於玻璃板110形成有面內孔隙區域130及內部孔隙行150。因此，於第1製造方法中，即便不照射如將玻璃板110熔融斷開般之高能量之另一雷射，亦能夠相對較容易地分離出玻璃物品。 具體而言，於第1製造方法中，步驟S130中使用之另一雷射係於滿足以下之條件之照射條件下被照射於成膜面，上述條件係指： 於在分離出之玻璃物品之有機膜中，將面內之中央部設為MC，且將俯視下之玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 再者，關於點徑之中之照射能量，於點徑之中未必相同，例如，亦存在點徑之範圍之中央部分之能量低於周邊部分之能量之情形，亦存在相反之情形。因此，於上述MP之端面，不僅包含端面，而且包含端面附近之另一雷射於有機膜上之點徑之範圍，IMP (F)表示端面及該點徑之範圍內之最小值。以下記載之MP及IMP (F)亦相同。 於以此種照射條件，對玻璃板110照射另一雷射之情形時，能夠有意地抑制對有機膜170造成之影響。 其結果，於第1製造方法中，藉由對玻璃板110之成膜面照射另一雷射，並使另一雷射沿面內孔隙區域130掃描，能夠不對有機膜170造成顯著之影響地自玻璃板110分離出玻璃物品。 為了獲得如上述般之照射條件，只要調整雷射之種類、雷射照射之輸出、掃描速度、及點徑等即可。例如，於另一雷射為YAG雷射之情形時，因對於玻璃之雷射能量之吸收率較CO2 雷射更低，故相應地，需要更多能量。 (本發明之一實施形態之另一玻璃物品之製造方法) 其次，參照圖12，對本發明之一實施形態之另一玻璃物品之製造方法進行說明。 於圖12中，模式性地表示本發明之一實施形態之另一玻璃物品之製造方法(以下稱為「第2製造方法」)之流程。 如圖12所示，第2製造方法包括： (1)成膜步驟，其係於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，於該玻璃板之上述第1主表面形成有機膜(步驟S210)； (2)雷射照射步驟，其係自上述玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射(步驟S220)；及 (3)分離步驟，其係自上述玻璃板之上述第1主表面之側掃描與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板分離出1個或2個以上玻璃物品(步驟S230)。 以下，對各步驟進行說明。再者，為了明確化，於以下之說明中，於表示各構件及部分時，亦使用於上述第1製造方法之說明中所使用之圖2～圖11所示之參照符號。 (步驟S210) 首先，準備具有彼此相反之第1主表面112及第2主表面114之玻璃板110。 玻璃板110亦可具有如上述圖2所示般之形態。 其次，視需要，亦可對玻璃板110實施化學強化處理。但是需注意，於第2製造方法中，藉由化學強化處理而被強化之區域係限於露出面(第1主表面112、第2主表面114、及端面116)，於下述之步驟(步驟S120)中獲得之假想端面未被強化。 其次，於玻璃板110之第1主表面112，形成有機膜170。 再者，有機膜170之規格、成膜方法、及成膜位置等已於上述第1製造方法中詳細地記載。因此，此處，省略詳細之記載。 如上所述，有機膜170較佳為遍及玻璃板110之第1主表面112之整個面地形成。以下，亦將玻璃板110之形成有有機膜170之主表面稱為「成膜面」。 (步驟S220) 其次，對玻璃板110之成膜面照射雷射。再者，需注意此處使用之雷射係與於以後之分離步驟(步驟S230)中使用之雷射不同者。 藉由雷射之照射，而於玻璃板110之成膜面、即第1主表面112，形成面內孔隙區域130。又，自該面內孔隙區域130朝向下側、即第2主表面114地形成複數個內部孔隙行150。 如上所述，將包含面內孔隙區域130、及對應於該面內孔隙區域130之內部孔隙行150之平面稱為假想端面165。該假想端面165係實質上對應於藉由第2製造方法而製造之玻璃物品之端面。 (步驟S230) 其次，實施自玻璃板110分離出玻璃物品之分離步驟。 於該分離步驟中，使用與上述雷射不同之雷射(以下稱為「另一雷射」)。再者，該另一雷射被照射於玻璃板110之成膜面之側。 如上所述，藉由另一雷射之照射及掃描，而使玻璃板110於上述假想端面165被分斷，從而自玻璃板110分離出1個或2個以上之玻璃物品。 於第2製造方法中，亦於利用另一雷射進行分離之前，已藉由步驟S220而於玻璃板110形成有面內孔隙區域130及內部孔隙行150。因此，於第2製造方法中，即便不照射如將玻璃板110熔融斷開般之高能量之雷射，亦能夠相對較容易地分離出玻璃物品。 具體而言，於第2製造方法中，步驟S230中使用之另一雷射係以滿足以下之條件之照射條件被照射於成膜面，上述條件係指： 於在分離出之玻璃物品之有機膜中，將面內之中央部設為MC，且將俯視下之玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 於以此種照射條件，對玻璃板110照射另一雷射之情形時，能夠有意地抑制對有機膜170造成之影響。 其結果，於第2製造方法中，藉由對玻璃板110之成膜面照射另一雷射，並將該另一雷射沿面內孔隙區域130掃描，能夠不對有機膜170造成顯著之影響地自玻璃板110分離出玻璃物品。 又，於自玻璃板110分離出玻璃物品時，較佳為以如下方式照射另一雷射，即，於將上述MP之有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMP ，且 將上述點MC之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMC 時，滿足 TMP /TMC ≧0.90。 於以此種照射條件對玻璃板110照射另一雷射之情形時，能夠不損害有機膜170之撥水性地分離出玻璃物品。 以上，以第1及第2製造方法為例對本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法進行了說明。然而，該等僅為一例，於本發明中，亦可進而應用另一製造方法。例如，於第1及第2製造方法中，一部分步驟亦可被修正或變更，及/或於第1及第2製造方法中，亦可追加其他步驟。 再者，於第1及第2製造方法中，於玻璃板形成有複數個面內孔隙，因此於自玻璃板分離出玻璃物品時，無需如先前般之較高之能量。因此，存在可不利用雷射，僅藉由使上述玻璃板接觸熱風便能將玻璃物品分離之情形。但是，於該情形時，用以依照玻璃物品之形狀而進行分離之熱風之控制與雷射相比變難。其原因在於，於利用熱風之情形時，玻璃板之利用熱風時之溫度分佈與利用雷射之情形相比較廣。 (本發明之一實施形態之玻璃物品) 其次，參照圖13及圖14，對本發明之一實施形態之玻璃物品進行說明。 於圖13中，表示本發明之一實施形態之玻璃物品(以下稱為「第1玻璃物品」)之概略性立體圖。又，於圖14中，表示沿圖13之A-A線之第1玻璃物品之概略性剖視圖。 如圖13及圖14所示，第1玻璃物品300具有彼此相反之第1主表面302及第2主表面304、以及連接兩者之端面。 於圖13之例中，第1玻璃物品300具有大致矩形狀之形態，且具有4個端面306-1～306-4。又，各端面306-1～306-4係與第1玻璃物品300之厚度方向(Z方向)平行地延伸。 如圖14所明確地表示般，第1玻璃物品300具有玻璃基板320及有機膜370。玻璃基板320具有彼此相反之第1主表面322及第2主表面324、以及連接兩者之端面326。有機膜370係配置於玻璃基板320之第1主表面322之側。 第1玻璃物品300之第1主表面302係對應於有機膜370之表面，第1玻璃物品300之第2主表面304係對應於玻璃基板320之第2主表面324。又，第1玻璃物品300之4個端面306-1～306-4分別包含玻璃基板320之一個端面326、及有機膜370所對應之端面372。 再者，於圖13及圖14所示之例中，第1玻璃物品300具有大致矩形狀之形態。 然而，其僅為一例，作為第1玻璃物品300之形態，可假定各種形態。例如，第1玻璃物品300之形狀係除了矩形狀以外，亦可為三角形、五邊形以上之多邊形、圓形、或橢圓形等形狀。又，於為多邊形之情形時，各轉角部亦可進行弧度處理。 又，第1玻璃物品300之端面之個數亦可根據第1主表面302及第2主表面304之形態而為例如1個、3個、或4個以上。進而，第1玻璃物品300之端面亦可相對於Z方向傾斜(即，於不與Z方向平行之方向上)地延伸。於該情形時，可獲得「傾斜」端面。 第1玻璃物品300之厚度並無特別限定。第1玻璃物品300之厚度亦可為例如0.03 mm～6 mm之範圍。 此處，於第1玻璃物品300中特徵為，於俯視下，於第1玻璃物品300之端面306-1～306-4之位置上均適當地存在有機膜370。即，具有如下特徵：於俯視下，端面306-1～306-4之位置上之有機膜370之厚度雖與第1玻璃物品300之中央部相比較薄，但並非零。 其係藉由如將玻璃板利用高能量之雷射熔融斷開而分離出玻璃物品般之先前之製造方法無法獲得之有意之特徵。其原因在於：於藉由先前之方法而製造之玻璃物品中，有機膜因來自雷射之熱而受到損傷，從而基本不殘存於分斷面即端面。 關於第1玻璃物品300，例如可藉由使用上述第1製造方法或第2製造方法製造其，而獲得此種特徵。 尤其是，有機膜370係於在俯視下將大致中央部設為MC(參照圖13)，將第1玻璃物品300之端面306-1～306-4上之一個點設為MP(參照圖13，其中，於第1玻璃物品300為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於點MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。 此處為 比RMP /RMC ＜1。 如此，於第1玻璃物品300中，有機膜370之切斷部分之損傷較少，且能夠遍及第1玻璃物品300之第1主表面302之全體地配置有機膜370。 (其他特徵) (有機膜370) 有機膜370之聚合物之構成、化學式、及膜之厚度等係與上述有機膜170相同。於使用有機膜370之情形時，可使第1玻璃物品300之第1主表面302表現出撥水性。 尤其是，為了不損害撥水性，較佳為以如下方式照射另一雷射，即，於將上述MP之有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMP ，且 將上述點MC之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMC 時，滿足 TMP /TMC ≧0.90。 (化學強化) 於第1玻璃物品300中，玻璃基板320亦可為經化學強化者。於該情形時，亦可除了第1主表面322及第2主表面324以外，端面326亦被化學強化。 但是，於該情形時，於玻璃基板320之第1主表面322及第2主表面324、與端面326，化學強化之狀態、即導入離子(藉由化學強化處理而導入之鹼金屬離子)之分佈之狀態不同。 例如，於玻璃基板320中，端面326亦可具有如上述圖8所示般之自第1主表面322朝向第2主表面324呈大致拋物線狀之導入離子之濃度分佈。 此種導入離子之濃度分佈可於在上述第1製造方法中，於步驟S110與步驟S120之間實施化學強化處理而製造第1玻璃物品300之情形時獲得。 相對於此，如上所述，於在大張玻璃板之階段實施化學強化處理之情形時，雖玻璃基板320之第1主表面322及第2主表面324被強化，但端面326未被強化。 以上，參照圖13及圖14，對第1玻璃物品300之構成例進行了說明。 第1玻璃物品300可應用於例如電子機器(例如，智慧型電話、顯示器等資訊終端機器)、相機或感測器之覆蓋玻璃、建築用玻璃、產業輸送機用玻璃、及活體醫療用玻璃機器等。 例如，於第1玻璃物品300為覆蓋玻璃之情形時，有機膜370亦可為防指紋附著膜(AFP)。又，於該情形時，於玻璃基板320與有機膜370之間，亦可包含如抗反射膜般之追加層。抗反射膜亦可具有複數個氧化物層之重複構造。 [實施例] 以下，對本發明之實施例進行說明。 (實施例I) 於以下之說明中，例1～例5係實施例，例11～例12係比較例。 (例1) 為了製備評價用之樣品，實施上述第1製造方法中之步驟S120及步驟S130。 再者，未實施步驟S110。其原因在於，若實施步驟S110～步驟S130之全部，而自玻璃板分離出玻璃物品，則以後之有機膜之評價(撥水性評價及XPS分析)必須於玻璃物品之端面部分之前端實施，從而分析操作變為繁雜。相反，若為僅實施有步驟S120及步驟S130之玻璃板，則由於玻璃板尚未被分離，故而只要對在步驟S130中經雷射照射之有機膜之區域進行評價即可，能夠更簡便地實施有機膜之評價。再者，可明確，藉由此種評價而獲得之結果與於藉由第1製造方法而分離出之玻璃物品之端部獲得之結果實質上相同。 首先，作為玻璃板，準備鋁矽酸鹽玻璃之Dragontrail(註冊商標)之化學強化前之素板。玻璃板之尺寸係縱100 mm×橫100 mm×厚度0.8 mm。 其次，於玻璃板之一主表面(第1主表面)之全體依序形成有抗反射膜及有機膜。 抗反射膜係設為Nb2 O5 (目標厚度15 nm)/SiO2 (目標厚度35 nm)/Nb2 O5 (目標厚度120 nm)/SiO2 (目標厚度80 nm)之4層構造，且藉由濺鍍法而形成。 有機膜係防指紋附著膜(KY185：信越化學公司製造)，且藉由蒸鍍法而形成。有機膜之目標厚度係設為4 nm。 其次，於玻璃板之第1主表面之側照射CO2 雷射。該CO2 雷射係相當於上述第1製造方法中之「分離步驟」(步驟S130)中所使用之「另一雷射」。 CO2 雷射之照射條件係如以下般： 輸出Q＝38.7 W， 點徑＝3 mm， 掃描速度v＝30 mm/秒， 再者，該點徑係於對5 mm厚之丙烯酸系樹脂板，以輸出38.7 W、雷射掃描速度70 mm/秒照射雷射時產生之加工痕之寬度。此時，自雷射聚光透鏡距丙烯酸系樹脂板為止之距離係較點徑變為最小之距離更遠，而使焦點相對於丙烯酸系樹脂板之表面偏移。於不同之點徑之情形時，點徑均設為以特定之輸出及掃描速度所得之5 mm厚之丙烯酸系樹脂板之加工痕之寬度。 藉此，製造評價用之樣品。 (評價) 使用藉由上述方法而製造之樣品(以下稱為「例1之樣品」)，進行以下之評價。 (有機膜之撥水性評價) 對例1之樣品之有機膜之表面之撥水性進行評價。撥水性之評價係藉由使體積為1～3 μL之水滴滴至有機膜之上，並測定該水滴之接觸角而實施。於測定時，使用協和界面科學公司製造之DMo-701。 評價係於有機膜之大致中央部分(以下稱為「中央區域」)、及有機膜之被照射CO2 雷射之一區域(以下稱為「對象被照射區域」)之2個部位實施。 測定之結果，於有機膜之中央區域，撥水性過強而水滴被排斥，而無法測定接觸角。另一方面，於有機膜之對象被照射區域，接觸角亦表示作為足夠大之值即113.2°。 根據該情況，可確認於例1之樣品中，於CO2 雷射照射區域，有機膜之功能亦未受損。 (有機膜之XPS分析) 其次，於例1之樣品中，進行有機膜之X射線光電光譜(XPS)分析。分析係自有機膜之對象被照射區域，沿有機膜之中央區域，以特定之間隔實施。於測定中，使用PHI公司製造之Quantera SXM，且設為探針直徑2 mm、測定時間0.2分鐘/週期、通能(pass energy)224.0 eV、步進能量0.4 eV、試樣角度45°。 於圖15中，表示XPS分析結果之一例。 於圖15中，橫軸表示距有機膜之對象被照射區域之距離，距離0係對應於有機膜之對象被照射區域。即，橫軸表示有機膜之對象被照射區域與中央區域連成之直線之方向上之距對象被照射區域之距離。另一方面，圖15之縱軸表示F(氟)與Si(矽)之計數值之比F/Si。 如圖15所示，計數值之比F/Si係於距離0之附近最低(12.8)，且表現出伴隨距離之增加而逐漸上升之傾向。根據圖15，若距離超過4 mm，則比F/Si以自距離10至20為止之平均值計為25.9之值。 如此，即便於距離0之地點，比F/Si亦並非0，因此可確認於例1之樣品中，即便於對象被照射區域，亦存在有機膜。 此處，將對象被照射區域中之氟之計數值設為IAP (F)，將矽之計數值設為IAP (Si)，將IAP (F)/IAP (Si)表示為RAP 。又，將中央區域中之氟之計數值設為IAC (F)，將矽之計數值設為IAC (Si)，將IAC (F)/IAC (Si)表示為RAC 。 若基於該表記而進行計算，則於例1之樣品中，比RAP /RAC 變為0.49。 再者，應明瞭，於假定自玻璃板分離出玻璃物品之情形時，該比RAP /RAC 實質上相當於上述比RMP /RMC 。 (例2～例5) 藉由與例1相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該等例2～例5中，作為CO2 雷射之照射條件，選定與例1不同之照射條件。 使用所獲得之樣品(例2～例5之樣品)，實施與例1之情形相同之評價。 (例11～例12) 藉由與例1相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該等例11～例12中，作為CO2 雷射之照射條件，選定與例1不同之照射條件。 使用所獲得之樣品(例11～例12之樣品)，實施與例1之情形相同之評價。 於以下之表1中，彙總表示各例中之CO2 雷射之照射條件、及於各例之樣品中所獲得之評價結果。 [表1] 根據表1之結果，已知於例1～例5中，比RAP /RAC 超過0.3，於樣品之被照射CO2 雷射之區域，亦實質上殘存有相當量之有機膜。該結果亦對應於在樣品之對象被照射區域中，亦獲得超過100°之較大之接觸角之結果(參照表1之接觸角(°)「TAP 」欄)。 如此，可確認於例1～例5之樣品中，於CO2 雷射照射時，有機膜基本未損傷、消失。根據該情況，可謂於上述第1製造方法中，能夠於分離步驟之實施後，適當地分離出玻璃物品。 另一方面，於例11～例12之樣品中，已知比RAP /RAC 低於0.3，於CO2 雷射之照射區域基本未殘存有機膜。該結果亦對應於在樣品之對象被照射區域內，接觸角大幅降低(變為未達100°)之現象。 如此，可認為於例11～例12之樣品中，於假定第1製造方法之情形時，當利用CO2 雷射照射之分離步驟時，有機膜之端部損傷且消失，而無法於有機膜適當之狀態下分離出玻璃物品。 此處，若將上述對象被照射區域內之有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TAP ，將上述中央區域內之有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TAC ，則於例2～例5之樣品中，TAP /TAC 變為0.90以上。另一方面，於例11～例12之樣品中，TAP /TAC 變為未達0.90。 再者，應明瞭，於假定自玻璃板分離出玻璃物品之情形時，該比TAP /TAC 實質上相當於上述比TMP /TMC 。 (例15) 於以上之例中，於第1製造方法中，未實施步驟S110。因此，為了確認藉由第1製造方法之實施能夠自玻璃板分離出玻璃物品，而進行了以下之實驗。 對玻璃板之第1主表面照射雷射，而於玻璃板形成複數個面內孔隙區域及對應之內部孔隙行。玻璃板係使用與上述例1中所使用之玻璃板相同者。 裝置係使用可出射微微秒級之短脈衝雷射之Rofin公司(德國)之突發雷射(脈衝數為3)。雷射之輸出係設為額定(50 W)之90%。雷射之1個突發之頻率為60 kHz，脈衝寬度為15微微秒，1個突發寬度為66奈米秒。各面內孔隙係設為「單線面內孔隙區域」。又，面內孔隙區域之配置係設為如上述圖5所示般之大致格子狀。構成面內孔隙區域之各面內孔隙之中心間距離係設為4 μm～6 μm左右。 其次，於與例1中之CO2 雷射之照射條件相同之條件下，沿面內孔隙區域照射CO2 雷射。 再者，於該例15中，未實施有機膜之形成。但是，根據上述例1之樣品之評價結果，可確認藉由CO2 雷射照射，於有機膜基本未產生損傷。 可於CO2 雷射之照射後，自玻璃板分離出玻璃物品。 其次，將CO2 雷射之照射條件變為於例2～例5中所採用之各個條件，並實施相同之實驗。其結果，可確認，於任一CO2 雷射之照射條件下，均可於CO2 雷射之照射後，自玻璃板分離出玻璃物品。 (實施例II) 於以下之說明中，例21～例25及例31～34係實施例，例26、例35及例36係比較例。 (例21) 為了製備評價用之樣品，如以下般，實施上述第1製造方法中之步驟S110～步驟S130。 首先，作為玻璃板，準備與上述實施例I相同之玻璃板。玻璃板之尺寸係縱100 mm×橫100 mm×厚度0.8 mm。 其次，自玻璃板之一主表面(第1主表面)，於以下之條件下照射雷射，而於玻璃板形成複數個面內孔隙區域及內部孔隙行。 雷射裝置係使用可出射微微秒級之短脈衝雷射之Rofin公司(德國)之突發雷射(脈衝數為3)。雷射之輸出係設為額定(50 W)之90%。雷射之1個突發之頻率為60 kHz，脈衝寬度為15微微秒，1個突發寬度為66奈米秒。 各面內孔隙區域係設為「單線面內孔隙區域」。又，面內孔隙區域之配置係設為如上述圖5所示般之大致格子狀。構成面內孔隙區域之各表面孔隙之中心間距離係設為4 μm～6 μm左右。 其次，於玻璃板之第1主表面之全體，依序形成有抗反射膜及有機膜。 抗反射膜係設為Nb2 O5 (目標厚度15 nm)/SiO2 (目標厚度35 nm)/Nb2 O5 (目標厚度120 nm)/SiO2 (目標厚度80 nm)之4層構造，且藉由濺鍍法而形成。 有機膜係設為防指紋附著膜(Afuid S550：旭硝子公司製造)，且藉由蒸鍍法而形成。有機膜之目標厚度係設為4 nm。 其次，對玻璃板之第1主表面之側照射CO2 雷射。該CO2 雷射係相當於上述第1製造方法中之「分離步驟」(步驟S130)中所使用之「另一雷射」。 CO2 雷射之照射條件係如以下般： 輸出Q＝38.7 W， 點徑＝3 mm， 掃描速度v＝50 mm/秒， 再者，該點徑係與實施例I之情形相同，為於對5 mm厚之丙烯酸系樹脂板以輸出38.7 W、雷射掃描速度70 mm/秒照射雷射時產生之加工痕之寬度。 於CO2 雷射之照射後，玻璃物品自玻璃板被分離。回收所獲得之一個玻璃物品，並設為以下之評價用樣品(稱為「例21之樣品」)。 (例22～例25) 藉由與例21相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該等例22～例25中，作為CO2 雷射之照射條件，分別選定與例21不同之照射條件。 將所獲得之樣品分別稱為「例22～例25之樣品」。 (例26) 藉由與例21相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該例26中，作為CO2 雷射之照射條件，選定與例21不同之照射條件。 將所獲得之樣品稱為「例26之樣品」。 (例31) 藉由與上述例21相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該例31中，使設置於玻璃板之第1表面之有機膜與例21之情形相比發生變化。具體而言，有機膜係設為防指紋附著膜(Afuid S550：旭硝子公司製造)，且藉由噴霧法而形成。有機膜之目標厚度係設為5 nm。 於CO2 雷射之照射後，玻璃物品自玻璃板被分離。回收所獲得之一個玻璃物品，並設為以下之評價用樣品(稱為「例31之樣品」)。 (例32～例34) 藉由與例31相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該等例32～例34中，作為CO2 雷射之照射條件，分別選定與例31不同之照射條件。 將所獲得之樣品分別稱為「例32～例34之樣品」。 (例35及例36) 藉由與例31相同之方法，製造評價用之樣品。 但是，於該等例35及例36中，作為CO2 雷射之照射條件，分別選定與例31不同之照射條件。 將所獲得之樣品分別稱為「例35及例36之樣品」。 (評價) 使用藉由上述方法而製造之各樣品，進行以下之評價。 (有機膜之撥水性評價) 對例21～例26及例31～例36之樣品之有機膜之表面之撥水性進行了評價。撥水性之評價方法係與實施例I之情形相同。 但是，於實施例II中，撥水性係對樣品之第1表面中之有機膜之中央部分、及將有機膜之距一個雷射切斷端面僅500 μm之內側之位置(對應於上述「對象被照射區域」)視為端面進行測定。將各個位置上之接觸角藉由「TAP 」及「TAC 」表示。 (有機膜之XPS分析) 於各樣品中，進行有機膜之X射線光電光譜(XPS)分析。分析方法係與實施例I之情形相同。 但是，於實施例II中，將距雷射切斷端面僅500 μm之內側之位置(對應於上述「對象被照射區域」)視為端面，自該位置沿有機膜之中央部分，以特定之間隔實施XPS分析。 此處，將對象被照射區域中之氟之計數值設為IAP (F)，將矽之計數值設為IAP (Si)，將IAP (F)/IAP (Si)表示為RAP 。又，將中央部分中之氟之計數值設為IAC (F)，將矽之計數值設為IAC (Si)，將IAC (F)/IAC (Si)表示為RAC 。 於表2中，彙總表示例21～例26之樣品中之CO2 雷射之照射條件、及於各例之樣品中所獲得之評價結果。 [表2] 根據表2之結果，已知於例21～例25中，比RAP /RAC 超過0.3，於樣品之被照射CO2 雷射之區域，亦實質上殘存有相當量之有機膜。該結果亦對應於在例21～例25之情形時，於樣品之對象被照射區域亦獲得超過89.5°之較大之接觸角之結果。 如此，可確認，於例21～例25之樣品中，於CO2 雷射照射時，有機膜基本未被損傷、消失。根據該情況，可謂於上述第1製造方法中，可於分離步驟之實施後，適當地分離出玻璃物品。 另一方面，已知於例26之樣品中，比RAP /RAC 大幅低於0.3，於CO2 雷射之照射區域基本未殘存有機膜。該結果亦對應於在樣品之對象被照射區域內，接觸角降低至約80°之現象。 於表3中，彙總表示例31～例36之樣品中之CO2 雷射之照射條件、及於各例之樣品中所獲得之評價結果。 [表3] 根據表3之結果，已知於例31～例34中，比RAP /RAC 超過0.3，於樣品之被照射CO2 雷射之區域，亦實質上殘存有相當量之有機膜。該結果亦對應於在例31～例34中，於樣品之對象被照射區域內，獲得超過100°之接觸角之結果。 如此，可確認，於例31～例34之樣品中，於CO2 雷射照射時，有機膜基本未被損傷、消失。根據該情況，可謂於上述第1製造方法中，可於分離步驟之實施後，適當地分離出玻璃物品。 另一方面，已知於例35～例36之樣品中，比RAP /RAC 低於0.3，於CO2 雷射之照射區域內基本未殘存有機膜。該結果亦對應於在樣品之對象被照射區域內，接觸角降低(變為88.9°以下)之現象。 本案係主張基於2016年9月1日提出申請之日本專利申請案2016-171296號之優先權者，且藉由參照而將該日本申請案之全部內容引用至本案。
110‧‧‧玻璃板
112‧‧‧第1主表面
114‧‧‧第2主表面
116‧‧‧端面
130‧‧‧面內孔隙區域
131‧‧‧面內孔隙區域
132‧‧‧面內孔隙區域
138‧‧‧表面孔隙
138A、138B‧‧‧表面孔隙行
150‧‧‧內部孔隙行
158‧‧‧孔隙
160a‧‧‧玻璃片
160b‧‧‧玻璃片
160c‧‧‧玻璃片
165‧‧‧假想端面
170‧‧‧有機膜
300‧‧‧第1玻璃物品
302‧‧‧第1主表面
304‧‧‧第2主表面
306-1～306-4‧‧‧端面
320‧‧‧玻璃基板
322‧‧‧第1主表面
324‧‧‧第2主表面
326‧‧‧端面
370‧‧‧有機膜
372‧‧‧有機膜之端面
P‧‧‧中心間距離
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係模式性地表示本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法之流程之圖。 圖2係模式性地表示於本發明之一實施形態之玻璃物品之製造方法中可使用之玻璃板之形態之圖。 圖3係用以對面內孔隙區域及內部孔隙行之形態進行說明之模式圖。 圖4係模式性地表示面內孔隙區域之一形態之圖。 圖5係模式性地表示於玻璃板之第1主表面形成有複數個面內孔隙區域之狀態之圖。 圖6係模式性地表示面內孔隙區域之一例之圖。 圖7係模式性地表示面內孔隙區域之另一例之圖。 圖8係模式性地表示本發明之一實施形態之假想端面之面內方向(對應於玻璃板之厚度方向)上之導入離子之濃度分佈之圖。 圖9係模式性地表示於玻璃板之第1主表面形成有有機膜之情況之圖。 圖10係模式性地表示於玻璃板之第1主表面形成有有機膜之情況之圖。 圖11係模式性地表示於玻璃板之第1主表面形成有有機膜之情況之圖。 圖12係模式性地表示本發明之一實施形態之另一玻璃物品之製造方法之流程之圖。 圖13係本發明之一實施形態之玻璃物品之概略性立體圖。 圖14係沿圖13之A-A線之玻璃物品之概略性剖視圖。 圖15係表示例1之樣品之有機膜之XPS分析結果之一例之圖。

Claims (12)

  1. 一種製造方法，其係具有有機膜之玻璃物品之製造方法，且包括如下步驟： (1)於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，藉由自該玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射，而於上述第1主表面形成排列有複數個孔隙之面內孔隙區域，並且形成自上述面內孔隙區域朝向上述第2主表面而排列有1個或2個以上之孔隙之複數個內部孔隙行； (2)於上述玻璃板之上述第1主表面或第2主表面，形成有機膜；及 (3)於上述玻璃板之形成有上述有機膜之主表面之側，沿上述面內孔隙區域或其附近照射、掃描與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板沿上述面內孔隙區域分離出1個或2個以上之玻璃物品；且 於上述(3)之步驟中，以滿足以下之條件之方式照射上述另一雷射，上述條件係指： 於在上述分離出之玻璃物品之上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於上述玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。
  2. 如請求項1之製造方法，其中進而於上述(1)之步驟之後，且於上述(2)之步驟之前，包括如下步驟： (4)對上述玻璃板進行化學強化。
  3. 一種製造方法，其係具有有機膜之玻璃物品之製造方法，且包括如下步驟： (1)於具有彼此相反之第1主表面及第2主表面之玻璃板中，於該玻璃板之上述第1主表面，形成有機膜； (2)藉由自上述玻璃板之上述第1主表面之側照射雷射，而於上述第1主表面形成排列有複數個孔隙之面內孔隙區域，並且形成自上述面內孔隙區域朝向上述第2主表面而排列有1個或2個以上之孔隙之複數個內部孔隙行；及 (3)於上述玻璃板之上述第1主表面之側，沿上述面內孔隙區域或其附近照射、掃描與上述雷射不同之雷射，而自上述玻璃板沿上述面內孔隙區域分離出1個或2個以上之玻璃物品；且 於上述(3)之步驟中，以滿足以下之條件之方式照射上述另一雷射，上述條件係指： 於在上述分離出之玻璃物品之上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述玻璃物品之端面之一個點設為MP時(其中，於上述玻璃物品為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。
  4. 如請求項1至3中任一項之製造方法，其中於上述面內孔隙區域，相鄰之孔隙彼此之間隔係3 μm～10 μm之範圍。
  5. 如請求項1至4中任一項之製造方法，其中上述有機膜係具有矽氧烷鍵作為主骨架且含有F(氟)之聚合物。
  6. 如請求項1至5中任一項之製造方法，其中於上述(3)之步驟中，以滿足以下之條件之方式照射上述另一雷射，上述條件係指： 於將上述MP之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMP ，且 將上述點MC之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMC 時，滿足 TMP /TMC ≧0.90。
  7. 一種玻璃物品，其係具有有機膜之玻璃物品，且 該玻璃物品包含： 玻璃基板，其具有彼此相反之第1主表面及第2主表面、以及端面；及 有機膜，其配置於該玻璃基板之上述第1主表面上； 於在上述有機膜中，將上述第1主表面之側之中央部設為MC，且將俯視下之上述端面之一個點設為MP時(其中，於上述第1主表面為大致多邊形之情形時，MP係自排除兩邊之交點部之點選定)，且 於在上述MP，將藉由X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMP (F)，將矽之計數值設為IMP (Si)，將IMP (F)/IMP (Si)設為RMP ，且 於上述點MC，將藉由上述X射線光電光譜(XPS)法而獲得之氟之計數值設為IMC (F)，將矽之計數值設為IMC (Si)，將IMC (F)/IMC (Si)設為RMC 時，滿足 比RMP /RMC ≧0.3。
  8. 如請求項7之玻璃物品，其中上述玻璃基板之端面被化學強化。
  9. 如請求項8之玻璃物品，其中於上述經化學強化之端面，自上述第1主表面貫穿至上述第2主表面之特定之鹼金屬離子之濃度分佈具有越往上述第1主表面之側及上述第2主表面之側則上述鹼金屬離子之濃度越高之分佈， 上述特定之鹼金屬離子係用以對上述第1主表面及上述第2主表面賦予壓縮應力層而提高兩主表面之強度的鹼金屬離子， 於上述端面，上述濃度分佈中之上述特定之鹼金屬離子之濃度係較該玻璃物品之總體濃度更高。
  10. 如請求項8或9之玻璃物品，其中於上述經化學強化之端面，自上述第1主表面貫穿至上述第2主表面之特定之鹼金屬離子之濃度分佈具有越往上述第1主表面之側及上述第2主表面之側則濃度越高之大致拋物線狀之分佈， 上述特定之鹼金屬離子係用以對上述第1主表面及上述第2主表面賦予壓縮應力層而提高兩主表面之強度的鹼金屬離子， 於上述端面，上述濃度分佈中之上述特定之鹼金屬離子之濃度係較上述玻璃基板之總體濃度更高。
  11. 如請求項7至10中任一項之玻璃物品，其中上述有機膜係具有矽氧烷鍵作為主骨架且含有F(氟)之聚合物。
  12. 如請求項7至11中任一項之玻璃物品，其中於上述有機膜中， 於將上述MP之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMP ， 將上述點MC之上述有機膜之對於水滴之接觸角之值設為TMC 時，滿足 TMP /TMC ≧0.90。
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