TW201801138A - 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法 - Google Patents

用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法

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Abstract

描述用於在批次處理腔室中處理複數個基板的設備與方法。該設備包含基座組件、升降組件、及旋轉組件。基座組件具有頂表面與底表面，而在頂表面中具有複數個凹部。每一凹部在凹部底部中具有升降口袋。升降組件包括具有用於接觸基板的頂表面的升降板。升降板係連接至升降軸，升降軸延伸通過基座組件，並連接至升降摩擦墊。旋轉組件具有旋轉摩擦墊，以接觸升降摩擦墊。旋轉摩擦墊係連接至旋轉軸，並可以與升降摩擦墊垂直對準。

Description

用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法
本揭示一般係關於用於在處理腔室中處理一或更多個基板的設備及方法。更特定言之，本揭示係關於增加批次處理腔室中的處理均勻性的方法。
半導體元件形成一般在包含多個腔室的基板處理系統或平台中進行，該等系統或平台亦可稱為群集工具。在一些情況中，多腔室處理平台或群集工具之目的係用以在經控制環境中依序在基板上執行二或更多個處理。然而，在其他情況中，多個腔室處理平台僅可在基板上執行單一處理步驟。可採用額外的腔室，以最大化處理基板的速率。在後者的情況中，在基板上執行的處理通常為批次處理，其中在給定腔室中同時處理相對大數目的基板（例如，25個或50個）。批次處理對於以經濟上可行的方式在獨立基板上執行係過於耗時的處理為特別有利的，例如原子層沉積（ALD）處理及一些化學氣相沉積（CVD）處理。
許多高溫CVD/ALD腔室具有更小的單晶圓載體，其在沉積時提供已知的膜均勻性。因為晶圓係相對於基座的旋轉而為離軸，所以在使用環繞由雙軸馬達驅動的中心台座旋轉的多晶圓旋轉料架基座的大型旋轉料架式批次處理腔室中提供熱與膜均勻性更具挑戰。熱與膜厚度圖指示在4與8點鐘位置存在熱點柄部（弧），而在晶圓邊緣周圍的其他位置存在冷點。因此，在該領域中需要改良的設備及方法，以在批次處理腔室中沉積均勻膜。
本揭示的一或更多個實施例係關於包含基座組件、升降組件、及旋轉組件的設備。基座組件具有定義厚度的頂表面與底表面。基座組件包括頂表面中的複數個凹部。每一凹部具有凹部底部，凹部底部與基座組件的頂表面間隔一距離。每一凹部具有升降口袋，升降口袋具有升降口袋底表面，升降口袋底表面與凹部底部間隔一距離，以定義升降口袋的深度。升降組件包括具有定義厚度的頂表面與底表面的升降板。升降軸沿著與頂表面相對的方向從升降板延伸。具有底表面的升降摩擦墊位於升降軸的一端。升降板係位於升降口袋內，而升降軸係位於基座的開口內，並從基座的底部延伸一距離。旋轉組件包含具有頂表面的旋轉摩擦墊與從旋轉摩擦墊延伸的旋轉軸。旋轉摩擦墊的頂表面係與升降摩擦墊的底表面垂直對準。
本揭示的另外的實施例係關於包含處理腔室的設備，該處理腔室包括定義其內部的處理區域的底部、頂部、及側壁。基座組件係在處理腔室內部，並具有定義厚度的頂表面與底表面。基座組件包括頂表面中的複數個凹部。每一凹部具有凹部底部，凹部底部與基座組件的頂表面間隔一距離。每一凹部在凹部內的大致中心處具有升降口袋，而每一升降口袋具有升降口袋底表面，升降口袋底表面與凹部底部間隔一距離，以定義升降口袋的深度。升降組件係位於複數個凹部中之每一者內。升降組件包括具有頂表面與底表面的升降板，頂表面與底表面定義升降口袋的深度的±2mm內的厚度。升降軸從升降板的底表面延伸。升降軸具有足以穿過基座的長度，並在凹部底部上方大於或等於約1mm的距離延伸升降板。升降組件包括升降摩擦墊，升降摩擦墊在升降軸的端部處具有底表面。升降板係位於升降口袋內，而升降軸係位於基座的開口內，並從基座的底部延伸一距離。複數個旋轉組件包含具有頂表面的旋轉摩擦墊。旋轉組件包括從旋轉摩擦墊延伸的旋轉軸。旋轉摩擦墊的頂表面係與升降摩擦墊的底表面垂直對準。旋轉組件進一步包括凸緣，凸緣具有經調整以允許旋轉軸穿過的開口以及具有複數個螺栓孔穿過其中的底表面。凸緣係定位成與處理區域外部的處理腔室的底部相鄰並連接。滑輪連接至每一旋轉組件的旋轉軸。旋轉馬達具有經調整以接觸每一旋轉組件上的滑輪的傳動帶，而使得所有旋轉組件同時旋轉。
本發明的進一步實施例係關於處理方法。複數個基板係位於處理腔室內的基座組件上。每一基板係位於基座組件的頂表面中的凹部內。至少一些基板係暴露於來自氣體分配組件的活性氣體流，氣體分配組件係位於基座組件的頂表面上方，並與基座組件的頂表面間隔。旋轉基座組件，同時將至少一些基板暴露至活性氣體流。停止基座組件的旋轉。藉由降低基座組件以升高基板，直到凹部內的升降組件接觸基座組件下方的旋轉組件，而造成基板從凹部升起。升降組件包含連接至延伸通過基座組件的升降軸的升降板與基座組件下方的升降摩擦墊。旋轉組件包含旋轉摩擦墊，以接觸升降摩擦墊。旋轉軸連接至旋轉摩擦墊，並延伸通過處理腔室的底部。藉由利用旋轉馬達轉動旋轉軸以旋轉基板。旋轉馬達係利用傳動帶連接至旋轉軸上的滑輪。旋轉馬達旋轉與升降摩擦墊接觸的旋轉摩擦墊，而造成升降摩擦墊的旋轉。升降軸與升降板係與基板接觸，而造成基板的旋轉。藉由升高基座組件將基板降低至凹部中，以將升降組件與旋轉組件分離。
在描述本揭示的幾個示例性實施例之前，應理解，本揭示並不限於在以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭示能夠具有其他實施例，並能夠以各種方式實踐或執行。
如本文所使用的「基板」係指稱在製造處理期間在其上執行膜處理的基板上所形成的任何基板或材料表面。舉例而言，取決於應用，可以在其上執行處理的基板表面包括材料，例如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體矽（SOI）、摻碳氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石，以及任何其他材料，例如金屬、金屬氮化物、金屬合金、及其他導電材料。基板包括但不限於半導體晶圓。基板可以暴露於預加工處理，以研磨、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上的膜處理之外，在本揭示中，所揭示的任何膜處理步驟亦可在基板上所形成的底層上執行，如下面更詳細揭示，而術語「基板表面」意欲包括如上下文所指示的此類底層。因此，舉例而言，當膜/層或部分膜/層已沉積至基底表面時，新沉積的膜/層的暴露表面變成基板表面。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用的術語「前驅物」、「反應物」、「活性氣體」、及類似物可互換使用，用以指稱可以與基板表面反應的任何氣體物質。
第1圖圖示處理腔室100之橫截面圖，處理腔室100包括氣體分配組件120（亦稱為噴射器或噴射器組件）與基座組件140。氣體分配組件120係為用於處理腔室中的任何類型的氣體遞送裝置。氣體分配組件120包括面向基座組件140的前表面121。前表面121可具有任何數目或種類的開口，以傳遞流動朝向基座組件140的氣體。氣體分配組件120亦包括外周邊緣124，其在所示實施例中基本上為圓形。
所使用的氣體分配組件120的具體類型可以取決於所使用的特定處理而變化。本揭示之實施例可用於控制基座與氣體分配組件之間的間隙的任何類型的處理系統。儘管可採用各種類型的氣體分配組件（例如，噴淋頭），本揭示之實施例可以特別有用於具有複數個基本上平行的氣體通道的空間氣體分配組件。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上平行」意指氣體通道的細長軸在大致相同的方向上延伸。在氣體通道的平行中可以存在輕微的缺陷。在二元反應中，複數個基本上平行的氣體通道可包括至少一個第一活性氣體A通道、至少一個第二活性氣體B通道、至少一個淨化氣體P通道、及/或至少一個真空V通道。將來自第一活性氣體A通道、第二活性氣體B通道、及淨化氣體P通道的氣體流引導朝向晶圓的頂表面。氣體流中之一些者跨越整個晶圓的表面水平移動，並水平移動出淨化氣體P通道的處理區域。從氣體分配組件的一端移動到另一端的基板將依序暴露於處理氣體之每一者，以形成基板表面上的層。
在一些實施例中，氣體分配組件120係為由單一噴射器單元製成的剛性固定主體。在一或更多個實施例中，如第2圖所示，氣體分配組件120係由複數個獨立扇區（例如，噴射器單元122）製成。單件體或多扇區體皆可用於本揭示的各種實施例。
基座組件140係定位於氣體分配組件120下方。基座組件140包括頂表面141以及頂表面141中的至少一個凹槽142。基座組件140亦具有底表面143與邊緣144。取決於所處理基板60之形狀及大小，凹槽142可以是任何合適的形狀及大小。在第1圖所示的實施例中，凹槽142具有平坦底部，以支撐晶圓的底部；然而，凹槽的底部可以變化。在一些實施例中，凹槽具有環繞凹槽的外周邊緣的階段區域，並調整其大小以用於支撐晶圓的外周邊緣。舉例而言，取決於晶圓之厚度與晶圓背側上呈現的特徵之存在，可變化由階段所支撐的晶圓之外周邊緣的量。
在一些實施例中，如第1圖所示，調整基座組件140的頂表面141中的凹槽142之大小，而使得支撐於凹槽142中的基板60具有與基座組件140之頂表面141實質上共面的頂表面61。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上共面」意指晶圓的頂表面及基座組件的頂表面係在±0.2mm內共面。在一些實施例中，頂表面係在±0.15mm、±0.10mm、或±0.05mm內共面。
第1圖之基座組件140包括能夠提起、降低、及旋轉基座組件140的支撐柱160。基座組件可包括加熱器、或氣體接線、或在支撐柱160之中心內的電氣部件。支撐柱160可以是增加或減少在基座組件140與氣體分配組件120間的間隙之主要構件，以移動基座組件140至合適的位置。基座組件140亦可包括微調諧致動器162，可對基座組件140微調整，以建立基座組件140與氣體分配組件120之間的預定間隙170。
在一些實施例中，間隙170之距離係在約0.1mm至約5.0mm之範圍中、在約0.1mm至約3.0mm之範圍中、在約0.1mm至約2.0mm之範圍中、或在約0.2mm至約1.8mm之範圍中、或在約0.3mm至約1.7mm之範圍中、或在約0.4mm至約1.6mm之範圍中、或在約0.5mm至約1.5mm之範圍中、或在約0.6mm至約1.4mm之範圍中、或在約0.7mm至約1.3mm之範圍中、或在約0.8mm至約1.2mm之範圍中、或在約0.9mm至約1.1mm之範圍中、或約1mm。
圖式所示的處理腔室100係為旋轉料架型腔室，其中基座組件140可托持複數個基板60。如第2圖所示，氣體分配組件120可包括複數個分離的噴射器單元122，每一噴射器單元122能夠在晶圓於噴射器單元下方移動時，在晶圓上沉積膜。二個派形噴射器單元122係圖示為位於基座組件140上方的大約相對側上。噴射器單元122之此數目係僅用於說明目的而顯示。應理解可包括更多或更少噴射器單元122。在一些實施例中，有足夠數目的派形噴射器單元122以形成適合於基座組件140形狀的形狀。在一些實施例中，獨立派形噴射器單元122之每一者可獨立地移動、移除及/或置換而不影響其他噴射器單元122之任一者。舉例而言，可提高一個區段，以允許機器人到達基座組件140與氣體分配組件120之間的區域，以裝載/卸載基板60。
具有多個氣體噴射器之處理腔室可用以同時處理多個晶圓，而使得晶圓經歷相同的處理流程。舉例而言，如第3圖所示，處理腔室100具有四個氣體噴射器組件與四個基板60。在處理的開端處，基板60可定位於氣體分配組件120之間。以45°旋轉17基座組件140將導致氣體分配組件120之間的每一基板60移動到用於膜沉積的氣體分配組件120，如氣體分配組件120下方的虛線圓形所示。額外的45°旋轉將讓基板60從氣體分配組件120移動離開。基板60與氣體分配組件120的數目可以相同或不同。在一些實施例中，正在處理的晶圓與氣體分配組件具有相同數目。在一或更多個實施例中，正在處理的晶圓數目係為氣體分配組件之數目的一小部分或整數倍數。舉例而言，若有四個氣體分配組件，則有4x個正在處理的晶圓，其中x係為大於或等於一的整數值。在示例性實施例中，氣體分配組件120包括藉由氣體簾幕分離的八個處理區域，而基座組件140可容納六個晶圓。
第3圖所示的處理腔室100僅為一個可能配置的代表，且不應視為限制本揭示之範疇。此處，處理腔室100包括複數個氣體分配組件120。在所示實施例中，具有以均勻間隔環繞處理腔室100的四個氣體分配組件120（亦稱為噴射器組件）。所示處理腔室100係為八角形；然而，該領域具有通常知識者將瞭解此係為一個可能形狀，且不應視為限制本揭示之範疇。所示氣體分配組件120係為梯形的，但可以是單一圓形部件或由複數個派形區段組成，如第2圖所示。
第3圖所示的實施例包括裝載閘腔室180，或輔助腔室，如緩衝站。此裝載閘腔室180連接到處理腔室100的一側，以允許例如讓基板（亦稱為基板60）從處理腔室100裝載/卸載。晶圓機器人可位於裝載閘腔室180中，以將基板移動到基座上。
旋轉料架（例如，基座組件140）的旋轉可以連續或間歇（不連續）。在連續處理中，晶圓持續旋轉，而使得晶圓輪流暴露至噴射器之每一者。在非連續處理中，可將晶圓移動至噴射器區域並停止，而接著到噴射器之間的區域84並停止。舉例而言，旋轉料架可旋轉而使得晶圓從噴射器間區域移動而橫跨噴射器（或相鄰於噴射器而停止），且接著繼續到旋轉料架可再次暫停的下一個噴射器間區域。噴射器之間的暫停可提供在每一層沉積之間的額外處理步驟（例如，對電漿之暴露）的時間。
第4圖圖示氣體分配組件220之扇區或部分，其可稱為噴射器單元122。噴射器單元122可獨立使用或與其他噴射器單元組合使用。舉例而言，如第5圖所示，第4圖的四個噴射器單元122經組合以形成單一氣體分配組件220。（為了清楚而未顯示分離四個噴射器的接線。）儘管第4圖的噴射器單元122除了淨化氣體埠155與真空埠145之外亦具有第一活性氣體埠125與第二氣體埠135二者，然而噴射器單元122不需要所有這些部件。
參照第4圖與第5圖二者，根據一或更多個實施例的氣體分配組件220可包含複數個扇區（或噴射器單元122），且每一扇區係為相同或不同。氣體分配組件220係位於處理腔室內，且在氣體分配組件220之前表面121中包含複數個細長氣體埠125、135、155與真空埠145。複數個細長氣體埠125、135、155與真空埠145從相鄰於內周邊緣123之區域延伸朝向相鄰於氣體分配組件220之外周邊緣124之區域。所示複數個氣體埠包括第一活性氣體埠125、第二氣體埠135、真空埠145、及淨化氣體埠155，該真空埠145環繞第一活性氣體埠與第二活性氣體埠之每一者。
參照第4圖或第5圖所示之實施例，當埠從至少大約內周區域延伸到至少大約外周區域時，然而，埠之延伸可較僅在徑向上從內至外區域更多。埠可在切線上延伸，如真空埠145環繞活性氣體埠125與活性氣體埠135。在照第4圖或第5圖所示之實施例中，楔形活性氣體埠125、135在所有邊緣上由真空埠145環繞，包括與內周邊緣與外周邊緣相鄰處。
參照第4圖，隨著基板沿著路徑127移動，基板之每一部分係暴露於各種活性氣體。沿著路徑127，基板暴露至（或「看到」）淨化氣體埠155、真空埠145、第一活性氣體埠125、真空埠145、淨化氣體埠155、真空埠145、第二氣體埠135、及真空埠145。因此，在第4圖所示之路徑127之端點處，基板已暴露至第一活性氣體與第二活性氣體以形成一層。所示噴射器單元122形成四分之一圓，但可更大或更小。第5圖所示的氣體分配組件220可視為串聯連接的第4圖的四個噴射器單元122之組合。
第4圖的噴射器單元122圖示分離活性氣體的氣體簾幕150。術語「氣體簾幕」係用於描述任何分離活性氣體以免混合的氣流或真空的組合。第4圖所示之氣體簾幕150包含第一活性氣體埠125旁邊的真空埠145之一部分、在中間的淨化氣體埠155、及第二氣體埠135旁邊的真空埠145之一部分。氣流及真空的此組合可用以防止或最小化第一活性氣體與第二活性氣體之氣相反應。
參照第5圖，來自氣體分配組件220之氣流及真空的組合形成對複數個處理區域250的分離。處理區域大致定義為環繞獨立氣體埠125、135，且在250之間具有氣體簾幕150。第5圖所示的實施例構成之間具有八個分離的氣體簾幕150的八個分離的處理區域250。處理腔室可具有至少二個處理區域。在一些實施例中，至少具有三、四、五、六、七、八、九、十、十一、或十二個處理區域。
在處理期間，基板可在任何給定時間暴露至一個以上的處理區域250。然而，暴露至不同處理區域的部分將具有分離二者的氣體簾幕。舉例而言，若基板之領先邊緣進入包括第二氣體埠135的處理區域，則基板之中間部分將在氣體簾幕150下方，而基板之落後邊緣將在包括第一活性氣體埠125的處理區域中。
工廠介面280（舉例而言，可為裝載閘腔室）係圖示為連接至處理腔室100。基板60係圖示為疊加於氣體分配組件220之上，以提供參考框架。基板60通常可坐落於基座組件上，而托持在氣體分配組件120的前表面121附近。基板60係經由工廠介面280裝載進入處理腔室100至基板支撐件或基座組件上（見第3圖）。基板60可圖示為位於處理區域內，因為基板係定位為與第一活性氣體埠125相鄰，且在二個氣體簾幕之間。沿著路徑127旋轉基板60將使基板以逆時針方向環繞處理腔室100。因此，基板60將暴露至第一處理區域250a到第八處理區域250h，並包括之間的所有處理區域。
本揭示之實施例係關於包含處理腔室100的處理方法，處理腔室100具有複數個處理區域250a-250h，其中每一處理區域係藉由氣體簾幕150與相鄰區域分離。舉例而言，第5圖所圖示的處理腔室。取決於氣流的佈置，處理腔室中的氣體簾幕與處理區域的數目可以是任何適當的數目。第5圖所示的實施例具有八個氣體簾幕150與八個處理區域250a-250h。氣體簾幕的數目通常等於或大於處理區域的數目。
複數個基板60係位於基板支撐件上，例如，第1圖與第2圖所示之基座組件140。環繞處理區域旋轉複數個基板60，以用於處理。通常，在整個處理中密合（氣流與真空）氣體簾幕150，包括沒有活性氣體流入腔室期間。
將第一活性氣體A流入一或更多個處理區域250，而將惰性氣體流入沒有第一活性氣體A流入的任何處理區域250。舉例而言，若第一活性氣體流入處理區域250b到處理區域250h，則惰性氣體將流入處理區域250a。惰性氣體可以流經第一活性氣體埠125或第二氣體埠135。
處理區域內的惰性氣流可以恆定或變化。在一些實施例中，活性氣體與惰性氣體共流。惰性氣體將作為載體與稀釋劑。由於相對於載體氣體，活性氣體的量較小，共流可藉由減少相鄰區域之間的壓力差而讓處理區域之間的氣體壓力更容易均衡。
本揭示的一些實施例係關於可以與基座旋轉串聯操作的多個晶圓旋轉/分度設備及方法，以用於膜厚度/電阻率的晶圓內的均勻性。一些實施例有利地增加晶圓內（WiW）膜厚度。一些實施例有利地增加WiW膜電阻率。一些實施例藉由提供用於多個基板處理的可重複處理條件以增加晶圓到晶圓（WtW）的均勻性。
本揭示的一些實施例使用位於每一凹部位置（基座下方）並與銷升降與基座升降-旋轉（雙軸）馬達同步的摩擦墊。
第6圖至第13圖圖示本揭示的各種實施例。參照第6圖，設備400包括處理腔室410。處理腔室410具有底部412、頂部414、及側壁416，以定義其內部的處理區域418。處理腔室410包括氣體分配組件420與基座組件440。基座組件440與氣體分配組件420間隔一距離，以形成間隙470。氣體分配組件420與基座組件440之間的間隔允許來自氣體分配組件420的一或更多個氣體流，以流入間隙470。
基座組件440係在處理腔室410內部。基座組件440具有定義厚度T的頂表面441與底表面443。基座組件440包括在頂表面441中的複數個凹部442。每一凹部442具有凹部底部446，凹部底部446與基座組件440的頂表面441間隔一距離。凹部442中之至少一者在其內部具有升降口袋448。在一些實施例中，每一凹部442具有升降口袋448。在一或更多個實施例中，每一升降口袋448係位於凹部442內的大致中心。如此處所使用的術語「大致中心」意指升降口袋448係在與凹部442同心的±10mm內。每一升降口袋448具有口袋底表面449，口袋底表面449與凹部底部446間隔一距離，並定義升降口袋448的深度。
第7圖所示的實施例具有凹部442，凹部442具有包括複數個孔隙447的平坦底部446。孔隙447可透過例如支撐柱160連接至真空源（未圖示）。孔隙447可以用於在基座組件的旋轉與處理期間適當地真空夾持基板。孔隙447亦可透過例如支撐柱160連接至淨化氣體源（未圖示）。淨化氣體可以作為背側淨化，以防止在基板的背面上的反應或在處理後解除夾持基板。
第11圖所示的實施例具有凹部442，凹部442具有階段區域521。階段區域521提供凸出部522，凸出部522可以支撐基板60的外周邊緣，並在基板60的背側62與凹部442的底部446之間留下間隙523。儘管未圖示，但該領域具有通常知識者將理解，如第7圖所示的複數個孔隙447可以併入至基座組件440，並連接至凹部446的底部446。
參照第8圖與第9圖，該設備包括升降組件550，升降組件550係位於至少一個凹部442中的升降口袋448內。升降組件550可位於任何數量的凹部442內。在一些實施例中，每一凹部442包括升降口袋448與其中的升降組件550。
升降組件550包括具有定義厚度TLP 的頂表面562與底表面564的升降板560。在一些實施例中，升降板560的厚度TLP 係與基座組件440中的升降口袋448的深度DP 大約相同。在一些實施例中，升降板560的厚度TLP 係在±4mm、3mm、2mm、1mm、或0.5mm的升降口袋448的深度DP 內。
可以取決於例如所處理的基板的尺寸與凹部442的尺寸，而變化升降板560的尺寸。一些實施例的升降板560為圓形，其中外周邊緣566的最大寬度在約20mm至約150mm的範圍內、或在約25mm至約100mm的範圍內、或在約30mm至約70mm的範圍內。在一些實施例中，升降板560係為圓形之外的形狀，並具有大於或等於約10mm、20mm、或30mm的最小寬度，以及小於或等於約200mm、150mm、或100mm的最大寬度。
升降組件550具有連接至升降板560的升降軸570。升降板560與升降軸570可以是單件，或者可以是連接在一起的分離件。升降軸570沿著相對於升降板560的頂表面562的方向從升降板560延伸。升降軸570延伸從升降板560的底表面564至升降摩擦墊580的頂表面583的距離DLS 。
升降摩擦墊580係位於升降軸570的底端574處。升降軸的底端574可以是能夠連接至升降摩擦墊580的任何合適的形狀。在第9圖與第10圖所示的實施例中，升降軸的底端574具有能夠鎖定至升降摩擦墊580中的互補突起的凹入區域或開口576。在一些實施例中，升降摩擦墊580包含延伸通過升降摩擦墊的厚度TLFP 的開口，開口576具有呈喇叭形張開的下部577，呈喇叭形張開的下部577經調整以與升降軸570的底端574處的互補的呈喇叭形張開的下部協作地互相作用。
升降摩擦墊580可以是單件部件或多件式部件。圖式中所示的實施例具有二件式升降摩擦墊580。第一件581與第二件582可以是相同材料或不同材料。
如第8圖所示，升降板560可位於基座組件440的凹部442中所形成的升降口袋448內。升降軸570係位於基座組件440中的開口445內，並從基座組件440的底表面443延伸一距離DSS （第6圖所示）。升降軸570具有足以穿過基座組件440的長度，並在凹部442的底部446上方將升降板560延伸大於或等於約1mm的距離。在一些實施例中，升降軸570的長度足以將升降板569升高至凹部442的底部446上方大於或等於約2mm、3mm、4mm、5mm、 6mm、7mm、8mm、9mm、或10mm的距離。
升降摩擦墊580的尺寸可以變化，並可調整成與另一部件上的互補摩擦墊互相作用。在一些實施例中，升降摩擦墊580基本上為圓形，並具有約20mm至約50mm的範圍內的最大寬度WLFP 。在各種實施例中，升降摩擦墊580具有圓形之外的形狀，並具有大於或等於約10mm、20mm、或30mm的最小寬度。
現在參照第8圖、第10圖、及第11圖，本揭示的一些實施例包括旋轉組件600。旋轉組件600可用於對升降組件550施加向上定向力，以將基板60升出凹部442。旋轉組件600亦可用於圍繞中心軸線以任何數量的角度旋轉基板60。基板60的中心軸線垂直於基板的主平面，而使得圍繞軸線的旋轉不會顯著地改變基板的主平面，並使基板的外周邊緣上的點以圓形路徑移動，其中軸線係為路徑的中心。
旋轉組件600包括具有頂表面612的旋轉摩擦墊610。旋轉摩擦墊610的厚度TRFP 可以是任何合適的厚度。在一些實施例中，旋轉摩擦墊的厚度係在約1mm至約50mm的範圍內、或在約2mm至約40mm的範圍內、或在約3mm至約30mm的範圍內、或在約4mm至約20mm的範圍內。
旋轉摩擦墊610的寬度WRFP 可以是任何合適的寬度。旋轉摩擦墊610的寬度WRFP 可以變化，並可調整成與升降摩擦墊580互相作用。在一些實施例中，旋轉摩擦墊610基本上為圓形，並具有約20mm至約50mm的範圍內的最大寬度WRFP 。在各種實施例中，旋轉摩擦墊610具有圓形之外的形狀，並具有大於或等於約10mm、20mm、或30mm的最小寬度。
在一些實施例中，旋轉摩擦墊610的頂表面612可以與升降摩擦墊580的底表面589垂直對準。在基座組件440的旋轉期間，基座組件440上的一或更多個升降組件550可以相對於旋轉組件600旋轉，而使得升降組件550的旋轉摩擦墊610有時候與升降組件550的升降摩擦墊580的底表面589垂直對準。此外，在基座組件440的旋轉期間，升降摩擦墊480與旋轉摩擦墊510可能並未垂直對準。在一些實施例中，至少一個旋轉組件600與基座組件440一起旋轉，而使得升降摩擦墊480保持與旋轉摩擦墊510垂直對準。
升降軸620沿著相對於旋轉摩擦墊610的頂表面612的方向從旋轉摩擦墊610延伸。旋轉軸620具有定義長度LRS 的頂端622與底端624。一些實施例的旋轉軸620的長度LRS 足以允許旋轉組件600的垂直移動（衝程），而使得旋轉軸620能夠穿過處理腔室410的底部412。在一些實施例中，旋轉組件500係完全位於處理腔室410內。在一些實施例中，如第8圖所示，旋轉組件500係部分位於處理腔室410的外部。
旋轉軸620的衝程（軸件620可造成旋轉摩擦墊610移動的距離）可以取決於例如處理腔室410的尺寸以及處理腔室410的底部412與基座組件440之間的空間413而變化。如請求項11所述之設備，其中旋轉軸具有足夠的長度，以允許在約10mm至約50mm的範圍中的衝程。
旋轉軸620的頂部623可以藉由任何合適的方式連接至旋轉摩擦墊610。在一些實施例中，如第8圖所示，旋轉軸620與旋轉摩擦墊610為整合形成。換言之，旋轉軸620與旋轉摩擦墊610係由單一部件形成。旋轉摩擦墊610可以具有相鄰於頂表面612的塗層或層，以增加摩擦。
在一些實施例中，如第10圖與第11圖所示，旋轉軸620係為與旋轉摩擦墊610分離的部件。第10圖圖示旋轉軸620與旋轉摩擦墊610的前視圖。第11圖圖示與第10圖相同的部件的側視圖，而圖示一種可能的配置。在此實施例中，旋轉軸620的頂部623具有突舌625，而旋轉摩擦墊610的底部616具有對應切口618。該領域具有通常知識者將理解，這僅代表一種用於將旋轉摩擦墊610附接至旋轉軸620的可能配置，且不應視為限制本揭示的範圍。
在一些實施例中，存在複數個旋轉組件600。每一旋轉組件600可處於固定位置或為可移動。當旋轉組件600處於固定位置時，基座組件440的旋轉造成升降組件550與旋轉組件600垂直對準。此處所使用的術語「垂直對準」及類似者係意指對準旋轉摩擦墊610的頂表面612，而使得旋轉軸620的垂直移動造成旋轉摩擦墊610與升降摩擦墊580的底表面589接觸。第8圖所示的實施例圖示旋轉組件600與升降組件550的垂直對準。
在一些實施例中，存在複數個升降組件550與複數個旋轉組件600。在一些實施例中，複數個旋轉組件600中之每一者係處於處理腔室410中的固定位置。在基座組件440的旋轉期間，每一升降組件550移動至與每一旋轉組件600垂直對準，以及移動至不與每一旋轉組件600垂直對準。
再次參照第8圖與第10圖，旋轉組件600的一些實施例包括凸緣650，以允許旋轉組件600連接至另一部件。所示凸緣650包括垂直部分652與水平部分654。凸緣650中的開口656允許旋轉軸620穿過。開口656可經調整以允許旋轉軸620垂直移動，並與一或更多個O形環657、658一起旋轉。如圖所示，O形環657係位於水平部分654與相鄰部件之間，而O形環658係位於垂直部分652與相鄰部件之間。
一些實施例的凸緣650包括在水平部分654的底表面653中的複數個螺栓孔659。螺栓孔659可經調整以允許凸緣650以螺栓固定或連接至表面。在第8圖所示的實施例中，旋轉組件600連接至處理腔室410的底部412，並穿過處理腔室410的底部412。凸緣650藉由通過螺栓孔659的複數個螺栓定位成相鄰並連接至處理腔室410的底部412。
參照第10圖與第12圖，旋轉組件600的一些實施例包括連接到旋轉軸620的底部621的滑輪660。滑輪660可連接至複數個旋轉組件中之任一者或全部。第10圖的滑輪660具有凹槽662，凹槽662可用於為傳動帶665提供垂直支撐（見第12圖），而可連接至馬達，以使旋轉軸620旋轉。
第12圖圖示一實施例，其中存在旋轉馬達670，旋轉馬達670具有旋轉馬達滑輪672與傳動帶665，傳動帶665經調整成接觸旋轉組件600上的滑輪660。在一些實施例中，每一旋轉組件600具有分離的旋轉馬達670，而可以是傳動帶驅動或是直接驅動馬達（見第8圖）。在一些實施例中，每一旋轉組件600具有分離的旋轉馬達670，其中傳動帶665連接其上，而使得每一旋轉組件600可以獨立於任何其他旋轉組件600旋轉。
第13圖圖示處理腔室410的底部412的視圖，其中存在複數個旋轉組件600。每一旋轉組件600的凸緣650與滑輪660圍繞處理腔室410佈置。每一旋轉組件600係連接至單一旋轉馬達670，而使得所有旋轉組件600同時旋轉。在一或更多個實施例中，旋轉組件係在約2至約12個的範圍內，或者旋轉組件係在約4至約8個的範圍內。在一些實施例中，存在六個旋轉組件600，其中每一旋轉軸具有連接其上的滑輪660，而每一滑輪660係由單一傳動帶665連接，以允許旋轉軸620同步旋轉。在一些實施例中，一個旋轉馬達670具有經調整以接觸每一旋轉組件600上的滑輪660的傳動帶665，而使得所有旋轉組件600同時旋轉。在第13圖所示的實施例中，額外的滑輪668係位於基座組件440的底部412上或在放大的凸緣（未圖示）上，而使得傳動帶665可以圍繞可能存在的額外部件669（例如昇降銷馬達）。
返回參照第8圖，一些實施例具有旋轉組件600，旋轉組件600進一步包含與旋轉軸620接觸並經配置以使旋轉軸620旋轉的直接驅動旋轉馬達671。直接驅動旋轉馬達671並不使用傳動帶665或滑輪660，而直接連接到旋轉軸620或透過凸緣673連接至旋轉軸620。
在一些實施例中，z軸馬達690經配置以垂直地移動旋轉組件600。如第8圖所示，直接驅動旋轉馬達671與z軸馬達690可以耦接在一起，而使得馬達的組合允許旋轉軸620的上下移動與旋轉軸620的旋轉。在一些實施例中，存在六個旋轉組件600與六個升降組件550，而每一旋轉組件具有分離的直接驅動旋轉馬達671與z軸馬達690。
參照第14A圖至第14C圖，本揭示的一些實施例係關於處理方法。複數個基板60係位於基座組件440上，基座組件440在其頂表面441中包括複數個凹部442。為了便於描述，第14A圖至第14C圖圖示基座組件440上的單一凹部442中的單一基板60。然而，該領域具有通常知識者將理解，任何數量的凹部442中可以存在任何數量的基板60，而這不應視為限制本揭示的範圍。
基座組件440中之每一凹部442具有形成於其中的升降口袋448。升降組件550係位於升降口袋448內，而使得升降板560停靠在升降口袋448內，而升降軸570穿過基座組件440。在第14A圖所示的位置中，升降組件550係處於最低位置，而使得升降板560停靠在升降口袋448的口袋底表面449。升降摩擦墊580並不與旋轉摩擦墊610接觸，並與旋轉摩擦墊610間隔一距離。
可藉由將至少一些基板60暴露至來自氣體分配組件420（見第6圖）的活性氣體流以處理基板60，氣體分配組件420在基座組件440的頂表面441上方，並與基座組件440的頂表面441間隔。在處理期間，可旋轉基座組件440，以將至少一些基板60暴露至活性氣體流。停止基座組件440的旋轉。
可以減少凹部442內的升降組件550與旋轉組件600之間的距離，直到升降摩擦墊580接觸旋轉摩擦墊610。可藉由例如利用支撐柱160降低基座組件440，或利用z軸馬達升高旋轉組件600的高度（參見第8圖），以減少升降組件550與旋轉組件600之間的距離。
一旦升降摩擦墊580與旋轉摩擦墊610接觸，z軸馬達或支撐柱160中之任一者的連續移動將造成向上定向力施加至升降摩擦墊580。向上定向力將升降軸570與升降板560向上推動，而使得升降板560不再與口袋底表面449接觸，而基板60係升高於凹部底部446上方。所有基板60可以同時升起，或者一些基板可以保持在凹部442內。可以藉由升高升降組件550或藉由降低基座組件440以實現將基板從凹部升高。任一處理都導致基板舉起於凹部底部446上方。
可藉由轉動旋轉軸620以旋轉基板60。可藉由使用具有滑輪的傳動帶驅動馬達或上述直接驅動馬達以轉動旋轉軸。該領域具有通常知識者將理解，存在使旋轉軸620旋轉的其他方式，而本揭示並不限於傳動帶驅動馬達與直接驅動馬達。可旋轉所有的基板60，或者可旋轉一些基板，而不旋轉其他基板。
旋轉軸620的旋轉造成旋轉摩擦墊610的旋轉。旋轉摩擦墊610與升降摩擦墊580之間的接觸造成升降摩擦墊580、升降軸570、升降板560、及基板60的旋轉。旋轉量可以從小於1°到359°。在一些實施例中，基板的旋轉量係在約10°至約350°的範圍內、或在約20°至約340°的範圍內、或在約30°至約330°的範圍內、或在約40°至約320°的範圍內、或在約50°至約310°的範圍內、或在約60°至約300°的範圍內、或在約70°至約290°的範圍內、或在約80°至約280°的範圍內、或在約90°至約270°的範圍內、或在約100°至約260°的範圍內、或在約110°至約250°的範圍內、或在約120°至約240°的範圍內、或在約130°的範圍內約230°的範圍內、或在約140°至約220°的範圍內、或在約150°至約210°的範圍內、或在約160°至約200°的範圍內、或在約170°至約190°的範圍內。在一些實施例中，基板旋轉的量係在約40°至約50°的範圍內、或在約85°至約95°的範圍內、或在約130°至約140°的範圍、或在約175°至約185°的範圍內。
在基板60已經旋轉之後，隨後將基板60降低至基座組件440上的凹部442中。在一些實施例中，升高基座組件440，而使得基板60定位於凹部442中。可以藉由降低升降組件550或藉由升高基座組件440以實現將基板降低至凹部。這兩個處理導致基板移動以接觸凹部442的凹部底部446。
根據一或更多個實施例，處理設備可包含與轉移站連通的多個腔室。此種類的設備可指稱為「群集工具」或「群集系統」及類似者。
一般而言，群集工具係為模組化系統，該模組化系統包含執行多種功能的多個腔室，該等功能包括基板之中心找尋及定向、退火、退火、沉積、及/或蝕刻。根據一或更多個實施例，群集工具至少包括第一腔室與中央轉移腔室。中央轉移腔室可容納機器人，該機器人可在處理腔室及裝載閘腔室之間梭運基板。轉移腔室通常維持在真空條件下，並提供中繼階段，該中繼階段用於從一個腔室梭運基板至位於群集工具之前端的另一腔室及/或裝載閘腔室。可調配用於本揭示的二個眾所週知的群集工具係為Centura®與Endura®，兩者均可得自Calif的Santa Clara的Applied Materials, Inc.。然而，腔室之組合與精確佈置可經修改以用於執行如本文中所描述之處理的特定步驟。其他可使用的處理腔室包括但不限於循環層沉積（CLD）、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、預清洗、化學清洗、熱加工（如RTP）、電漿氮化、退火、定向、羥基化反應、及其他基板處理。藉由在群集工具上實現在腔室中的處理，可在沉積後續膜之前，在無氧化下防止基板表面受到大氣雜質的汙染。
根據一或更多個實施例，基板係連續地在真空下或「裝載閘」條件下，且在從一個腔室移動到下一腔室時不暴露至周圍空氣。因此，轉移腔室係在真空下，且在真空壓力下為「泵降」。惰性氣體可存在於處理腔室或轉移腔室中。在一些實施例中，惰性氣體係作為淨化氣體，以移除一些或全部的反應物。根據一或更多個實施例，將淨化氣體噴射於沉積腔室之出口處，用以避免反應物從沉積腔室移動至轉移腔室及/或額外的處理腔室。因此，惰性氣體之流動在腔室的出口處形成簾幕。
可在單一基板沉積腔室中處理基板，其中在處理另一基板之前裝載、處理、及卸載單一基板。亦可利用類似於輸送系統的連續方式處理基板，其中將多個基板獨立裝載至腔室的第一部分，移動通過腔室，並且從腔室的第二部分卸載。腔室與相關聯的輸送器系統的形狀可以形成直線路徑或彎曲路徑。此外，處理腔室可以是旋轉料架，其中多個基板環繞中心軸線移動，並暴露於整個旋轉料架路徑的沉積、蝕刻、退火、清洗等的處理。
在處理期間，基板可經加熱或冷卻。此類加熱或冷卻可藉由任何合適的手段達成，包括但不限於改變基板支撐的溫度、及將經加熱或經冷卻的氣體流至基板表面。在一些實施例中，基板支撐包括加熱器/冷卻器，該加熱器/冷卻器可經控制用以利用傳導方式改變基板溫度。在一或更多個實施例中，所採用氣體（活性氣體或惰性氣體）經加熱或冷卻以局部改變基板溫度。在一些實施例中，加熱器／冷卻器係位於鄰近於基板表面的腔室內，以利用傳導方式改變基板溫度。
基板在處理期間亦可靜止或旋轉。旋轉的基板可連續地或以離散步進方式旋轉。舉例而言，基板可在整個處理過程中旋轉，或基板可在對不同活性或淨化氣體之暴露之間小量旋轉。在處理期間旋轉基板（連續或步進式)可以有助於藉由最小化例如氣流幾何的局部可變性的效應，而產生更均勻的沉積或蝕刻。
在原子層沉積型腔室中，基板可以在空間或時間上分離的處理中暴露於第一與第二前驅物。時間ALD為傳統處理，其中第一前驅物流入腔室中而與表面反應。在第二前驅物流動之前，從腔室淨化第一前驅物。在空間ALD中，第一與第二前驅物同時流至腔室，但在空間上分離，而使得在流動之間存在防止前驅物混合的區域。在空間ALD中，基板相對於氣體分配板移動，或反之亦然。
在該等方法的一或更多個部分在一個腔室中進行的實施例中，該方法可以是空間ALD處理。儘管上述一或更多個化學品可能不相容（亦即，導致基底表面上及/或腔室上的沉積之外的反應），但空間分離確保試劑並未暴露於氣相中之每一者。舉例而言，時間ALD係關於淨化沉積腔室。然而，在實施中，有時候不可能在額外試劑流入之前將過量試劑從腔室中淨化。因此，腔室中的任何剩餘試劑可能反應。利用空間分離，不需要淨化過量試劑，並讓交叉污染受到限制。此外，淨化腔室會使用大量時間，而因此藉由消除淨化步驟可以增加產量。
參照整個本說明書的「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」、或「實施例」意指結合實施例描述的特定特徵、結構、材料、或特性係包括在本揭示的至少一個實施例中。因此，整個本說明書的各處中出現的如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在實施例中」的短語不一定指稱本揭示的相同實施例。此外，在一或更多個實施例中，特定特徵、結構、材料、或特性可以利用任何合適的方式組合。
儘管已參照特定實施例而描述本揭示，但應理解，這些實施例僅為本揭示之原理與應用的說明。而該領域具有通常知識者將理解，在不悖離本揭示的精神與範圍的情況下，可以對本揭示的方法與設備進行各種修改及變化。因此，本揭示意欲包括在隨附專利請求範圍及其等同物的範圍內的修改及變化。
17‧‧‧旋轉
60‧‧‧基板
61‧‧‧頂表面
62‧‧‧背側
84‧‧‧區域
100‧‧‧處理腔室
120‧‧‧氣體分配板
121‧‧‧前表面
122‧‧‧噴射器單元
123‧‧‧內周邊緣
124‧‧‧外周邊緣
125‧‧‧第一活性氣體埠
127‧‧‧路徑
135‧‧‧第二氣體埠
140‧‧‧基座組件
141‧‧‧頂表面
142‧‧‧凹槽
143‧‧‧底表面
144‧‧‧邊緣
145‧‧‧真空埠
150‧‧‧氣體簾幕
155‧‧‧淨化氣體埠
160‧‧‧支撐柱
162‧‧‧微調諧致動器
170‧‧‧間隙
180‧‧‧腔室
250‧‧‧處理區域
250a‧‧‧第一處理區域
250b‧‧‧第二處理區域
250c‧‧‧第三處理區域
250d‧‧‧第四處理區域
250e‧‧‧第五處理區域
250f‧‧‧第六處理區域
250g‧‧‧第七處理區域
250h‧‧‧第八處理區域
280‧‧‧工廠介面
400‧‧‧設備
410‧‧‧處理腔室
412‧‧‧底部
413‧‧‧空間
414‧‧‧頂部
416‧‧‧側壁
418‧‧‧處理區域
420‧‧‧氣體分配組件
440‧‧‧基座組件
441‧‧‧頂表面
442‧‧‧凹部
443‧‧‧底表面
445‧‧‧開口
446‧‧‧底部
447‧‧‧孔隙
448‧‧‧升降口袋
449‧‧‧口袋底表面
470‧‧‧間隙
521‧‧‧階段區域
522‧‧‧凸出部
523‧‧‧間隙
550‧‧‧升降組件
560‧‧‧升降板
562‧‧‧頂表面
564‧‧‧底表面
566‧‧‧外周邊緣
570‧‧‧升降軸
574‧‧‧底端
576‧‧‧開口
577‧‧‧呈喇叭形張開的下部
580‧‧‧升降摩擦墊
581‧‧‧第一件
582‧‧‧第二件
583‧‧‧頂表面
589‧‧‧底表面
600‧‧‧旋轉組件
610‧‧‧旋轉摩擦墊
612‧‧‧頂表面
616‧‧‧底部
618‧‧‧切口
620‧‧‧旋轉軸
621‧‧‧底部
622‧‧‧頂端
623‧‧‧頂部
624‧‧‧底端
625‧‧‧突舌
650‧‧‧凸緣
652‧‧‧垂直部分
653‧‧‧底表面
654‧‧‧水平部分
656‧‧‧開口
657‧‧‧O形環
658‧‧‧O形環
659‧‧‧螺栓孔
660‧‧‧滑輪
662‧‧‧凹槽
665‧‧‧傳動帶
668‧‧‧滑輪
669‧‧‧額外部件
670‧‧‧旋轉馬達
671‧‧‧直接驅動旋轉馬達
672‧‧‧旋轉馬達滑輪
673‧‧‧凸緣
690‧‧‧z軸馬達
為使本揭示的上述特徵可詳細地被理解，本揭示（簡短概要如上）的更特定描述可參照實施例而得，該等實施例之一些係繪示於隨附圖式中。然而，應注意隨附圖式僅圖示本揭示之典型實施例，而非視為限定本揭示的保護範疇，本揭示可接納其他等效實施例。
第1圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的橫截面圖；
第2圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的局部透視圖；
第3圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；
第4圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的用於批次處理腔室中的楔形氣體分配組件的一部分的示意圖；
第5圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；
第6圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的處理腔室的示意性前視圖；
第7圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的基座組件之透視圖；
第8圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的處理腔室的局部透視圖；
第9圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的升降組件的示意性前視圖；
第10圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的旋轉組件的示意性前視圖；
第11圖圖示第10圖的旋轉組件的局部示意性側視圖；
第12圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的處理腔室的局部橫截面示意圖；
第13圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的基座組件之底部示意圖；以及
第14A至14C圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的處理腔室的局部橫截面示意圖與處理方法。
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60‧‧‧基板
61‧‧‧頂表面
62‧‧‧背側
412‧‧‧底部
416‧‧‧側壁
440‧‧‧基座組件
441‧‧‧頂表面
442‧‧‧凹部
443‧‧‧底表面
446‧‧‧底部
449‧‧‧口袋底表面
521‧‧‧階段區域
522‧‧‧凸出部
523‧‧‧間隙
550‧‧‧升降組件
580‧‧‧升降摩擦墊
600‧‧‧旋轉組件
620‧‧‧旋轉軸
660‧‧‧滑輪
665‧‧‧傳動帶
670‧‧‧旋轉馬達
672‧‧‧旋轉馬達滑輪

Claims (20)

  1. 一種設備，包含： 一基座組件，具有定義一厚度的一頂表面與一底表面，該基座組件包括在該頂表面中的複數個凹部，該等凹部中之每一者具有與該基座組件的該頂表面間隔一距離的一凹部底部，該等凹部中之每一者具有一升降口袋，該升降口袋具有與該凹部底部間隔一距離的一升降口袋底表面，以定義該升降口袋的一深度； 一升降組件，包括一升降板、一升降軸、及一升降摩擦墊，該升降板具有定義一厚度的一頂表面與一底表面，該升降軸相對於該頂表面從該升降板延伸，該升降摩擦墊具有在該升降軸的一端部處的一底表面，該升降板係位於該升降口袋內，而該升降軸係位於該基座的一開口內，並從該基座的該底部延伸一距離；以及 一旋轉組件，包含具有一頂表面的一旋轉摩擦墊與從該旋轉摩擦墊延伸的一旋轉軸，該旋轉摩擦墊的該頂表面係與該升降摩擦墊的該底表面垂直對準。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該升降板的該厚度係在該升降口袋的該深度的±2mm內。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該升降板具有一外周邊緣，而具有一最大寬度在約30mm至約70mm的範圍內。
  4. 如請求項1所述之設備，其中該升降口袋係位於該凹部的大致中心。
  5. 如請求項1所述之設備，其中該升降摩擦墊包含延伸通過該升降摩擦墊的一厚度的一開口，該開口具有一呈喇叭形張開的下部，該呈喇叭形張開的下部經調整以與該升降軸的一互補的呈喇叭形張開的下部協作地互相作用。
  6. 如請求項1所述之設備，其中該升降軸具有足以穿過該基座的一長度，並在該凹部的該底表面上方延伸該升降板大於或等於約1mm的一距離。
  7. 如請求項1所述之設備，其中該升降摩擦墊具有約20mm至約50mm的範圍中的一最大寬度。
  8. 如請求項1所述之設備，其中每一凹部具有一升降組件。
  9. 如請求項1所述之設備，其中該旋轉摩擦墊具有約20mm至約50mm的範圍中的一最大寬度。
  10. 如請求項1所述之設備，其中該旋轉組件進一步包含一凸緣，該凸緣具有經調整以允許該旋轉軸穿過的一開口以及具有複數個螺栓孔穿過其中的一底表面，以允許該凸緣以螺栓固定至一表面。
  11. 如請求項1所述之設備，其中該旋轉軸具有足以穿過一處理腔室的一底部的一長度，並允許足夠的垂直移動，以接觸升降摩擦墊並垂直移動升降摩擦墊。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該旋轉軸具有一足夠的長度，以允許在約10mm至約50mm的範圍中的一衝程。
  13. 如請求項1所述之設備，其中該旋轉組件進一步包含連接至該旋轉軸的一滑輪。
  14. 如請求項13所述之設備，進一步包含一旋轉馬達，該旋轉馬達具有連接至該旋轉組件的該滑輪的一傳動帶。
  15. 如請求項14所述之設備，其中存在六個旋轉組件，其中每一旋轉軸具有連接其上的一滑輪。
  16. 如請求項15所述之設備，其中每一旋轉組件具有一分離的旋轉馬達，其中一傳動帶連接其上，而使得每一旋轉組件可以獨立於任何其他旋轉組件旋轉。
  17. 如請求項15所述之設備，其中存在一個旋轉馬達具有經調整以接觸該等旋轉組件中之每一者上的該滑輪的一傳動帶，而使得所有該等旋轉組件同時旋轉。
  18. 如請求項1所述之設備，其中該旋轉組件進一步包含一直接驅動旋轉馬達與一z軸馬達，該直接驅動旋轉馬達與該旋轉軸接觸，並經配置以使該旋轉軸旋轉，該z軸馬達經配置以垂直移動該旋轉組件。
  19. 一種設備，包含： 一處理腔室，包括一底部、一頂部、及一側壁，以定義其內部的一處理區域； 一基座組件，位於該處理腔室內部，該基座組件具有定義一厚度的一頂表面與一底表面，該基座組件包括在該頂表面中的複數個凹部，該等凹部中之每一者具有與該基座組件的該頂表面間隔一距離的一凹部底部，該等凹部中之每一者具有一升降口袋，該升降口袋係位於該凹部的大致中心，每一升降口袋具有與該凹部底部間隔一距離的一升降口袋底表面，以定義該升降口袋的一深度； 一升降組件，位於該等複數個凹部中之每一者內，該升降組件包括一升降板與一升降軸，該升降板具有定義在該升降口袋的一深度的±2mm內的一厚度的一頂表面與一底表面，該升降軸從該升降板的該底表面延伸，該升降軸具有足以穿過該基座的一長度，並在該凹部底部上方延伸該升降板大於或等於約1mm的一距離，該升降組件包括一升降摩擦墊，該升降摩擦墊在該升降軸的一端部處具有一底表面，該升降板係位於升降口袋內，而該升降軸係位於該基座中的一開口內，並從該基座的該底部延伸一距離； 複數個旋轉組件，每一旋轉組件包含具有一頂表面的一旋轉摩擦墊與從該旋轉摩擦墊延伸的一旋轉軸，該旋轉摩擦墊的該頂表面係與該升降摩擦墊的該底表面垂直對準， 一凸緣，該凸緣具有經調整以允許該旋轉軸穿過的一開口以及具有複數個螺栓孔穿過其中的一底表面，該凸緣係相鄰並連接至該處理區域外部的該處理腔室的該底部； 一滑輪，該滑輪連接至該等旋轉組件中之每一者的該旋轉軸；以及 一旋轉馬達，該旋轉馬達具有經調整以接觸該等旋轉組件中之每一者上的該滑輪的一傳動帶，而使得所有該等旋轉組件同時旋轉。
  20. 一種處理方法，包含以下步驟： 將複數個基板定位於一處理腔室內部的一基座組件上，該等基板中之每一者係定位於該基座組件的一頂表面中的一凹部內； 將該等基板的至少一些暴露於來自一氣體分配組件的一活性氣體流，該氣體分配組件係位於該基座組件的該頂表面上方，並與該基座組件的該頂表面間隔； 旋轉該基座組件，同時將該等基板的至少一些暴露至該活性氣體流； 停止該基座組件的旋轉； 藉由降低該基座組件以升高該等基板，直到該凹部內的一升降組件接觸該基座組件下方的一旋轉組件，而造成該基板從該凹部升起，該升降組件包含連接至延伸通過該基座組件的一升降軸的一升降板與該基座組件下方的一升降摩擦墊，該旋轉組件包含一旋轉摩擦墊與一旋轉軸，該旋轉摩擦墊用於接觸該升降摩擦墊，該旋轉軸連接至該旋轉摩擦墊，該旋轉軸延伸通過該處理腔室的一底部； 藉由利用一旋轉馬達轉動該旋轉軸以旋轉該等基板，該旋轉馬達利用一傳動帶連接至該旋轉軸上的一滑輪，以旋轉與該升降摩擦墊接觸的該旋轉摩擦墊，而造成該升降摩擦墊、該升降軸、及與該等基板接觸的該升降板的旋轉，以造成該等基板的旋轉；以及 藉由升高該基座組件而將該基板降低至該凹部中，以將該升降組件與該旋轉組件分離。
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