TW201800556A - 含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質 - Google Patents

含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質 Download PDF

Info

Publication number
TW201800556A
TW201800556A TW106105150A TW106105150A TW201800556A TW 201800556 A TW201800556 A TW 201800556A TW 106105150 A TW106105150 A TW 106105150A TW 106105150 A TW106105150 A TW 106105150A TW 201800556 A TW201800556 A TW 201800556A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
weight
composite
diisocyanate
matrix
Prior art date
Application number
TW106105150A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI733758B (zh
Inventor
法蘭克 戈洛
帕茲 卡爾拉斯
約瑟夫 倫德特 米納爾
坎諾 伊麗莎白 托瑞斯
佛亞德 薩爾希
馬可 艾斯盧卡
艾利克斯 卡爾瑞特
丹尼斯 羅德古茲
丹尼爾 史密斯
寇特司 喬狄 瑪奎德
培瑞茲 羅莎 瑪麗亞 賽巴斯汀
岡薩羅 古拉多
門迪薩保 萊菈金 朱倫 迪
Original Assignee
亨克爾股份有限及兩合公司
漢高智慧財產控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 亨克爾股份有限及兩合公司, 漢高智慧財產控股公司 filed Critical 亨克爾股份有限及兩合公司
Publication of TW201800556A publication Critical patent/TW201800556A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI733758B publication Critical patent/TWI733758B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00—Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/38—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen
    • C08G18/3855—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having sulfur
    • C08G18/3876—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having sulfur containing mercapto groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/77—Polyisocyanates or polyisothiocyanates having heteroatoms in addition to the isocyanate or isothiocyanate nitrogen and oxygen or sulfur
    • C08G18/78—Nitrogen
    • C08G18/7806—Nitrogen containing -N-C=0 groups
    • C08G18/7818—Nitrogen containing -N-C=0 groups containing ureum or ureum derivative groups
    • C08G18/7831—Nitrogen containing -N-C=0 groups containing ureum or ureum derivative groups containing biuret groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/77—Polyisocyanates or polyisothiocyanates having heteroatoms in addition to the isocyanate or isothiocyanate nitrogen and oxygen or sulfur
    • C08G18/78—Nitrogen
    • C08G18/7875—Nitrogen containing heterocyclic rings having at least one nitrogen atom in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/77—Polyisocyanates or polyisothiocyanates having heteroatoms in addition to the isocyanate or isothiocyanate nitrogen and oxygen or sulfur
    • C08G18/78—Nitrogen
    • C08G18/79—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/791—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates containing isocyanurate groups
    • C08G18/792—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates containing isocyanurate groups formed by oligomerisation of aliphatic and/or cycloaliphatic isocyanates or isothiocyanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/621—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/621—Chalcogenides
    • C09K11/623—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/014—Additives containing two or more different additives of the same subgroup in C08K
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

一種奈米晶體複合物，其包含複數個奈米晶體，該等奈米晶體包含核心及至少一種配位體，該核心包含金屬或半導體化合物或其混合物，其中該核心由至少一種配位體包圍；以及聚硫代胺基甲酸酯基質，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質藉由熱或UV誘發的具有至少兩個異氰酸酯基之聚異氰酸酯與具有至少兩個硫醇基之聚硫醇的親核加成形成。本發明之複合物為該等奈米晶體提供改良之熱穩定性及光熱穩定性。

Description

含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質
本發明係關於一種奈米晶體複合物，其包含聚硫代胺基甲酸酯基質中之奈米晶體。本發明之複合物為該等奈米晶體提供改良之熱穩定性及光熱穩定性。
半導體奈米晶體可用作光降頻轉換器，亦即，將較短波長之光轉換成較長波長之光。奈米晶體(NC)複合物用於大範圍之應用中，包括顯示器、照明、安全防偽油墨、生物標記及太陽能聚光器。在所有情況下，NC複合物暴露於一定之光通量及溫度中。NC複合物在空氣及濕氣之存在下暴露於光子及溫度中使複合物之光學特性降低。 NC複合物用於光降頻轉換應用。隨時間推移，最先進之NC複合物藉由暴露於溫度及光子中而降解。為改良NC之穩定性，複合物需要針對氧氣及濕氣之額外保護，例如藉由高效能阻擋膜或玻璃封裝來保護。為避免空氣及濕氣存在於封裝NC複合物中，製造必須在惰性氛圍下進行。 NC於溶液中合成，且可進一步嵌入在充當載體及第一保護層之聚合物基質中。NC溶液與聚合物溶液或交聯調配物之物理混合係一種用於此項技術中以獲得NC-聚合物複合材料的常用方法。 最常見的用於降頻轉換之NC複合物的基質係基於丙烯酸酯或環氧樹脂。由UV照射及/或高溫引發之快速固化速度使其易於加工用於大規模膜製造。嵌入在丙烯酸酯類或環氧樹脂類基質中之NC傾向於在操作條件下降解。因此，需要額外之阻擋膜，以防止氧氣及濕氣滲透至黏著劑內，其增加了最終產品之成本及厚度。 為解決與NC之熱及光子降解相關的問題，已使用及報導了兩種方法。在第一種方法中，將含有NC之環氧胺樹脂置放在阻擋層之間。然而，此方法得到較厚之產品且使生產較昂貴。增加之成本係由於阻擋層，其係複雜的有機-無機多層，且產品需要在不含氧氣及/或濕氣之環境下製造。儘管使用阻擋層，但氧氣及濕氣仍穿透產品之無保護的邊緣，且導致在此等區域中之降解。在第二種方法中，NC嵌入在丙烯酸可聚合調配物中且隨後將NC複合物進一步封裝於玻璃管內。製程需要處於不含氧氣及/或濕氣之環境下的複雜製造管線。此外，此類易碎產品需要對產品架構及製造製程之改進。 在另一方法中，使用了硫醇作為量子點(QD)複合材料的黏合基質之一部分。已發現硫醇有益於其熱穩定性，拓寬基質化學之範圍，且提供良好QD分散性。然而，在與最先進之聚合物基質組合的情況下，由光子導致之降解仍無法得到完全防止。 因此，仍需要一種奈米晶體複合物，其為奈米晶體提供改良之熱穩定性及光熱穩定性。
本發明係關於一種奈米晶體複合物，其包含複數個奈米晶體，該等奈米晶體包含核心及至少一種配位體，該核心包含金屬或半導體化合物或其混合物，其中該核心由至少一種配位體包圍；以及聚硫代胺基甲酸酯基質，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質藉由熱或UV誘發的具有至少兩個異氰酸酯基之聚異氰酸酯與具有至少兩個硫醇基之聚硫醇的親核加成形成，其中該等聚硫醇係選自由以下組成之群：
Figure TW201800556AD00001
其中n係2至10，R1 及R2 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH(SH)CH3 及-CH2 -CH2 -SH；
Figure TW201800556AD00002
其中R3 、R4 、R5 及R6 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-CH2 -C(-CH2 -O-C(O)-CH2 -CH2 -SH)3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；
Figure TW201800556AD00003
其中R7 、R8 及R9 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-[CH2 -CH2 -O-]o -C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 且o係1至10；
Figure TW201800556AD00004
其中m係2至10，R10 、R11 及R12 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH2 SH、-CH2 -CH(SH)CH3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 及其混合物，且其中該等聚異氰酸酯係選自基於選自由以下組成之群之異氰酸酯的聚異氰酸酯
Figure TW201800556AD00005
其中p、q及r係相同的或不同的且具有2至10之值；
Figure TW201800556AD00006
其中s、t及u係相同的或不同的且具有2至10之值；
Figure TW201800556AD00007
其中v具有2至10之值；
Figure TW201800556AD00008
其中x、y及z係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地4至6之值，且更佳地x、y及z係6； 基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物，基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物及其混合物；且其中該等奈米晶體係嵌入至該聚合物基質中。 此外，本發明係關於一種固化的根據本發明之奈米晶體複合物。 本發明涵蓋一種產品，其包含根據本發明之NC複合物，其中該產品係選自由以下組成之群：顯示裝置、發光裝置、光電電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射器、感測器、熱電裝置、安全防偽油墨、照明裝置以及催化或生物醫學應用中。 本發明進一步涵蓋根據本發明之NC複合物的用途，其用作光致發光或電致發光之來源。
本發明更詳細地描述於以下段落中。除非清楚地指示相反，否則如此描述之各態樣可與任何其他一或多個態樣相結合。特定言之，指示為較佳或有利之任何特徵可與任何其他一或多個指示為較佳或有利之特徵結合。 在本發明之上下文中，除非上下文另有指示，否則所用術語係將根據以下定義解釋。 如本文所用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括單數及複數個指示對象兩者。 如本文所用之術語「包含(comprising/comprises/comprised of)」係與「包括(including/includes)」或「含有(containing/contains)」同義，且係包含的或開放的且並不排除額外的未列舉之成員、要素或方法步驟。 數值端點之列舉包括歸於相應範圍內之所有數值及分數，以及所列舉之端點。 當量、濃度或其他值或參數形式以範圍，較佳範圍，或較佳上限值與較佳下限值之形式表示時，應理解為具體揭示藉由將任何上限或較佳值與任何下限值或較佳值組合而獲得之任何範圍，而不考慮上下文中是否清楚地提到該等所獲得之範圍。 在本發明書中所引用之所有參考文獻特此以全文引用之方式併入。 除非另外定義，否則所揭示之本發明中所用的所有術語(包括技術及科學術語)均具有如一般熟習本發明所屬之此項技術者所通常理解之含義。藉助於進一步指導，包括術語定義以更好地理解本發明之教示。 本發明闡述一類聚合物基質，其自身充當對NC之保護。因此，材料及製造成本可減少。此外，在光降頻轉換器中使用NC複合物需要較少空間。 本發明提供一種NC複合物，其包含a)複數個NC，該等NC包含核心及至少一種配位體，該核心包含金屬或半導體化合物或其混合物，其中該核心由至少一種配位體包圍，及b)聚硫代胺基甲酸酯基質，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質藉由熱或UV誘發的具有至少兩個異氰酸酯基之聚異氰酸酯與具有至少兩個硫醇基之聚硫醇的親核加成形成，其中該等聚硫醇係選自由以下組成之群
Figure TW201800556AD00009
其中n係2至10，R1 及R2 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH(SH)CH3 及-CH2 -CH2 -SH；
Figure TW201800556AD00010
其中R3 、R4 、R5 及R6 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-CH2 -C(-CH2 -O-C(O)-CH2 -CH2 -SH)3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；
Figure TW201800556AD00011
其中R7 、R8 及R9 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-[CH2 -CH2 -O-]o -C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 且o係1至10；
Figure TW201800556AD00012
其中m係2至10，R10 、R11 及R12 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH2 SH、-CH2 -CH(SH)CH3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 及其混合物且其中該等聚異氰酸酯係選自基於選自由以下組成之群之異氰酸酯的聚異氰酸酯
Figure TW201800556AD00013
其中p、q及r係相同的或不同的且具有2至10之值；較佳地p、q及r係相同的且具有4之值；
Figure TW201800556AD00014
其中s、t及u係相同的或不同的且具有2至10之值；較佳地s、t及u係相同的且具有4之值；
Figure TW201800556AD00015
其中v具有2至10之值；較佳地v具有4至6之值，且更佳地v係6；
Figure TW201800556AD00016
其中x、y及z係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地4至6之值，且更佳地x、y及z係6； 基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物，基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物及其混合物；且其中該等奈米晶體係嵌入至該聚合物基質中。 將詳細論述本發明之所有特徵。 一種根據本發明之NC複合物包含複數個NC，該等NC包含核心，該核心包含金屬或半導體化合物或其混合物。 根據本發明之NC的核心具有單獨包括核心或包括核心及一或多個環繞該核心之殼的結構。各殼可具有包含一或多個層之結構，意謂各殼可具有單層或多層結構。各層可具有單一組合物或合金或濃度梯度。 在一個實施例中，根據本發明之NC的核心具有包含一個核心及至少一個單層殼或多層殼之結構。然而，在另一實施例中，根據本發明之奈米晶體的核心具有包含一個核心及至少兩個單層殼及/或多層殼之結構。 較佳地，根據本發明之NC之核心的尺寸係小於100 nm，更佳地小於50，更佳地小於10，然而，較佳地核心係大於1 nm。粒度係藉由使用透射電子顯微鏡(TEM)量測。 奈米晶體之形狀可選自大範圍幾何形狀。較佳地,根據本發明之NC之核心的形狀係球形、長方體(薄片狀)、棒狀或三角(四面體)形狀。 該等NC之核心係由金屬或半導體化合物或其混合物構成。此外，金屬或半導體化合物係一或多種選自週期表一或多個不同族之組合的元素的組合。 較佳地，金屬或半導體化合物係以下之組合：一或多種選自IV族之元素；一或多種選自II族及VI族之元素；一或多種選自III族及V族之元素；一或多種選自IV族及VI族之元素；一或多種選自I族及III族及VI族之元素或其組合。 更佳地，該金屬或半導體化合物係選自由以下組成之群：Si、Ge、SiC、SiGe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb3 、InN3 、InP、InAs、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS2 、CuInSe2 、CuGaS2 、CuGaSe2 、AgInS2 、AgInSe2 、AgGaS2 及AgGaSe2 。 較佳金屬或半導體化合物提供更好的光學特性。 較佳地，根據本發明之NC的粒徑(例如最大粒徑，包括核心及殼)介於1 nm至100 nm，較佳地1 nm至50 nm且更佳地1 nm至15 nm範圍內。粒度係藉由使用透射電子顯微鏡(TEM)量測。 NC之核心係由至少一種配位體圍繞。較佳地，NC之整個表面係由配位體覆蓋。理論上咸信當NC之整個表面係由配位體覆蓋時，NC之光學效能係更好的。 適合用於本發明中之配位體係烷基膦、烷基膦氧化物、胺、硫醇、聚硫醇、羧酸、及其類似化合物及混合物。 適合在本發明中用作配位體之烷基膦的實例係三正辛基膦、三羥丙基膦、三丁基磷、三(十二烷基)膦、亞磷酸二丁酯、亞磷酸三丁酯、亞磷酸三(十八烷)酯、亞磷酸三(月桂)酯、亞磷酸三(十三烷)酯、亞磷酸三異癸酯、磷酸雙（2-乙基己）酯、磷酸三(十三烷)酯及其混合物。 適合在本發明中用作配位體之烷基膦氧化物的實例係三正辛基氧化膦。 適合在本發明中用作配位體之胺的實例係油胺、十六烷基胺、十八烷基胺、雙(2-乙基己基)胺、二辛胺、三辛胺、辛胺、十二烷基胺/月桂胺、二(十二烷基)胺、三(十二烷基)胺、二(十八烷基)胺、三(十八烷基)胺及其混合物。 適合在本發明中用作配位體之硫醇的實例係1-十二硫醇。 適合在本發明中用作配位體之硫醇的實例係異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯)、異戊四醇肆(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯）、三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯、二異戊四醇六(3-巰基丙酸酯)、乙氧基化之三羥甲基丙烷三-3-巰基-丙酸酯及其混合物。 硫醇亦可以脫質子化形式用於本發明中。 適合在本發明中用作配位體之羧酸及膦酸的實例係油酸、苯基膦酸、己基膦酸、十四烷基膦酸、辛基膦酸、十八烷基膦酸、伸丙基二膦酸、苯基膦酸、胺基己基膦酸及其混合物。 羧酸及膦酸亦可以脫質子化形式用於本發明中。 適合用於本發明中之其他配位體的實例係二辛基醚、二苯醚、肉豆蔻酸甲酯、辛酸辛酯、辛酸己酯、吡啶及其混合物。 適合及所選擇之配位體在溶液中使NC穩定化。 用於本發明中之市售NC係例如來自Sigma Aldrich之CdSeS/ZnS。 根據本發明之NC複合物包含以複合物之總重量計0.01至10重量%，較佳地0.05至7.5重量%，更佳地0.1至5重量%之NC。 NC複合物亦可製備為具有更高NC量，然而，若量＞10%，則QD之光學特性將因其之間的相互作用而受到負面影響。另一方面，若量＜0.01%，則所形成之膜將呈現極低亮度。 根據本發明，NC係嵌入至聚合基質中。適合於本發明之聚合基質係聚硫代胺基甲酸酯基質。 根據本發明之聚硫代胺基甲酸酯基質係藉由熱或UV誘發的具有至少兩個異氰酸酯基聚之異氰酸酯與具有至少兩個硫醇基之聚硫醇的親核加成形成。 本申請人已發現聚硫代胺基甲酸酯基質為NC提供改良之熱穩定性及光熱穩定性。 根據本發明之聚硫代胺基甲酸酯基質係由具有至少兩個硫醇基之聚硫醇形成。較佳地，聚硫醇之官能度為2至6，較佳為2至4。等於或大於2且較佳地介於2與4之間的官能度為聚合物提供理想交聯度。 適合用於本發明中之聚硫醇係選自由以下組成之群
Figure TW201800556AD00017
其中n係2至10，R1 及R2 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH(SH)CH3 及-CH2 -CH2 -SH；
Figure TW201800556AD00018
其中R3 、R4 、R5 及R6 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-CH2 -C(-CH2 -O-C(O)-CH2 -CH2 -SH)3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；
Figure TW201800556AD00019
其中R7 、R8 及R9 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-[CH2 -CH2 -O-]o -C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 且o係1至10；
Figure TW201800556AD00020
其中m係2至10，R10 、R11 及R12 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH2 SH、-CH2 -CH(SH)CH3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 及其混合物。 更佳地，聚硫醇係選自由以下組成之群：乙二醇二(3-巰基丙酸酯)、異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯)、1,3,5-三(3-巰基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯、異戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丁酸酯)、乙氧基化之三羥甲基丙烷三-3-巰基丙酸酯、二異戊四醇六(3-巰基丙酸酯)及其混合物。 較佳硫醇由於其提供適當黏度及熱固化速度(在數分鐘至1小時內)之事實而為所希望的。此外，較佳硫醇與所選擇的聚異氰酸酯及NC組合產生具有所希望之機械特性的膜-不太脆或太有彈性之膜。 適合用於本發明中之市售聚硫醇係來自Showa Denko之KarenzMTTM PE1及來自Bruno Bock之Thiocure®PETMP。 根據本發明之聚硫代胺基甲酸酯基質係由具有至少兩個異氰酸酯基之聚異氰酸酯形成。較佳地，聚異氰酸酯之官能度為2至4，較佳為2至3。大於2且較佳地介於2與3之間的官能度為聚合物提供理想交聯度。 適合用於本發明中之聚異氰酸酯係基於選自由以下組成之群之異氰酸酯的聚異氰酸酯
Figure TW201800556AD00021
其中p、q及r係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地p、q及r係相同的且具有4之值；
Figure TW201800556AD00022
其中s、t及u係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地s、t及u係相同的且具有4之值；
Figure TW201800556AD00023
其中v具有2至10之值，較佳地v具有4至6之值，且更佳地v係6；
Figure TW201800556AD00024
其中x、y及z係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地4至6之值，且更佳地x、y及z係6； 基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物，基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物及其混合物。 較佳地，適合之聚異氰酸酯係基於選自由以下組成之群的異氰酸酯：2,2'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二異氰酸酯基二環己基甲烷、1,6'-六亞甲基二異氰酸酯、2,4'-二異氰酸酯基甲苯、2,6'-二異氰酸酯基甲苯及其混合物。尤其較佳二異氰酸酯係1,6'-六亞甲基二異氰酸酯。 基於六亞甲基二異氰酸酯(HDI) (其中v係6之式(8)及其中x、y、z係6之式(9))之聚異氰酸酯係較佳的，因為基於HDI之聚異氰酸酯係無溶劑的，具有低黏度，提供較快固化速度及所希望的機械特性。此外，基於HDI之聚異氰酸酯係透明的，且因此，係適合用於奈米晶體膜且所希望的，在該等奈米晶體中良好的光學特性係所需的。 適合用於本發明中之市售聚異氰酸酯係來自Covestro (原Bayer MaterialScience)之Desmodur N3200。 根據本發明之聚合基質包含以聚合基質之總重量計10至90重量%，較佳地30至70重量%之聚硫醇。 根據本發明之聚合基質包含以聚合基質之總重量計10至90重量%，較佳地30至70重量%之聚異氰酸酯。 聚異氰酸酯與聚硫醇之間的較佳比率係按重量計大約50:50。具有過量聚異氰酸酯或聚硫醇將降低基質之奈米晶體穩定性。然而，比率根據所用聚硫醇及聚異氰酸酯官能基之官能度而變化。若聚合基質之兩種成分中之一者少於10%，則所得材料將為液體或極軟且具黏性之固體，且因此不符合聚合基質之所需的機械特性。 根據本發明之NC複合物包含以複合物之總重量計90至99.99重量%，較佳地92.5至99.95重量%，更佳地95至99.9重量%之聚合物基質。若基質量少於90%，NC之量超過10%，則QD之光學特性將因其之間的相互作用而受到負面影響。 根據本發明之NC複合物可藉由熱引發劑 (其較佳係鹼)或藉由光引發劑(其在由光激發時釋放鹼)固化。 根據本發明之NC複合物可進一步包含光引發劑或熱引發劑。 適合用於本發明中之熱引發劑係諸如二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、三乙胺以及其他之有機鹼。 根據本發明之NC複合物可包含以複合物之總重量計0至5重量%，較佳地0.001至5重量%，更佳地0.01至3重量%且更佳地0.01至2重量%之熱引發劑。 適合用於本發明中之光引發劑係例如1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯·氫四苯基硼酸鹽(TBD·HBPh4 )、2-甲基-4-(甲硫基)-2-(N-嗎啉基)苯丙酮、2-(9-側氧基𠮿-2-基)丙酸-1,5,7三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯及異丙基9-氧硫𠮿(ITX)及其混合物。 根據本發明之NC複合物可進一步包含以複合物之總重量計0至5重量%，較佳地0.01至5重量%，更佳地0.01至3重量%且更佳地0.01至2重量%之光引發劑。 根據本發明之NC複合物在固化之後與室溫下係固體。 根據本發明之NC複合物具有嵌入至聚合物基質中之NC。NC係網絡結構之堅實及不可分割的一部分。該結構允許維持NC之光學特性。此外，此結構允許實現高負荷，歸因於NC與硫代胺基甲酸酯基質之較高相容性。除上述之外，該結構提供改良之熱穩定性及濕氣穩定性。聚硫代胺基甲酸酯基質提供較好的針對氧化及/或其他降解過程之防護。 適合用於本發明中之NC係藉由使用由文獻已知之製程製備或市售獲取。適合之NC可以將所有反應物混合在一起之若干方法來製備。根據本發明之NC複合物可由多種NC與多種不同種類之配位體產生。本發明並不涉及配位體交換。 根據本發明之NC複合物可以將所有成分混合在一起之若干方法來製備。 在一個實施例中，根據本發明之NC複合物的製備包含以下步驟： 1) 混合NC及聚異氰酸酯單體及/或寡聚物； 2) 添加聚硫醇以形成聚合物基質且攪拌； 3) 用UV光及/或電子束及/或溫度固化。 在另一實施例中，根據本發明之NC複合物的製備包含以下步驟： 1) 混合NC及聚硫醇； 2) 添加聚異氰酸酯單體及/或寡聚物以形成聚合物基質且攪拌； 3) 用UV光及/或電子束及/或溫度固化。 然而，在另一實施例中，根據本發明之NC複合物的製備包含以下步驟： 1) 混合聚異氰酸酯單體及/或寡聚物及聚硫醇以形成聚合基質； 2) 添加NC且攪拌； 3) 用UV光及/或電子束及/或溫度固化。 在較佳實施例中，將NC添加至聚硫醇中。 熱固化溫度較佳係20℃至250℃，更佳地80℃至125℃。此外，熱固化時間較佳係1分鐘至24小時，更佳地5分鐘至2小時。 光固化UV強度較佳係1至1000 mW/cm2 ，更佳地50至500 mW/cm2 。此外，光固化時間較佳係1秒至500秒，更佳地1秒至60秒。 基質之聚合在NC存在的情況下發生且同時將該等NC固定至基質中。以此方式，向NC提供樹脂基質之益處。 如下文實例中所示，當與現有技術相比較時，聚硫代胺基甲酸酯基質提供改良之熱穩定性及光熱穩定性。此可歸因於其針對加速操作條件下之氧化的較好穩定性，提供無阻擋配置之可能性。 本發明亦涵蓋一種固化的根據本發明之NC複合物。 根據本發明之NC複合物可用於多種產品中。一些實例係例如顯示裝置、發光裝置、光電電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射器、感測器、熱電裝置、安全防偽油墨、照明裝置以及催化或生物醫學應用中。 根據本發明之NC複合物可用作光致發光或電致發光之來源。實例 實例 1 聚硫代胺基甲酸酯 基質中之 CdSeS/ZnS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSeS/ZnS)的1.15 g (57.5重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及0.85 g (42.5重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化1小時。獲得固態半導體NC複合物。在不同實驗條件下研究NC複合物之光致發光量子產率(QY)演變： 在設定為85℃之箱式爐中使NC複合物老化。追蹤正規化之QY 3週且示出於下表1中：表 1 在定製之光熱老化室中於75℃下以1 W/cm2 使另一個NC複合物樣本老化。激發波長係460 nm。追蹤QY演變3週。量測值指示於下表2中：表 2 實例 2 聚硫代胺基甲酸酯 基質對比聚胺基甲酸酯基質對比丙烯酸酯 - 硫醇基質中之 CdSeS/ZnS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSeS/ZnS)的1.0 g (50重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur® N3200)及1.0 g (50重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化1小時。獲得所基於之固態半導體NC複合物。 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSeS/ZnS)的0.42 g (21重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur® N3200)及1.58 g (79重量%)多元醇(Desmophen® C1100) 2分鐘。隨後，將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化2小時。獲得固態半導體NC複合物。 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSeS/ZnS)及0.05 g 2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(Darocur 1173)的0.9 g (45重量%)聚酯丙烯酸酯寡聚物(Sartomer CN2505)及0.1 g (5重量%)甲基丙烯酸酯單體(三乙二醇二甲基丙烯酸酯A)及1.0 g (50.0重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，將混合物分配至鋁杯中，且藉由暴露在120 mW/cm2 (UV-A劑量)之UV輻射中60秒時間來光固化。然後，在90℃下對樣本進行後固化2小時。獲得固態半導體NC複合物。 在不同實驗條件下研究NC複合物之光致發光量子產率(QY)演變： 在設定為85℃之箱式爐中使NC複合物老化。追蹤正規化之QY 3週且示出於下表3中：表 3 在定製之光熱老化室中於75℃下以1 W/cm2 使NC複合物老化。激發波長係460 nm。追蹤QY演變3週。量測值指示於下表4中：表 4 實例 3 聚硫代胺基甲酸酯 基質中之 CdSe/CdS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.0015 g半導體NC (CdSe/CdS)的1.0 g (50重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g (50重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化1小時。獲得固態半導體NC複合物。在不同實驗條件下研究NC複合物之光致發光QY演變： 在設定為85℃之箱式爐中使NC複合物老化。追蹤正規化之QY 1週且示出於下表5中：表 5 在定製之光熱老化室中於75℃下以1 W/cm2 使另一個NC複合物樣本老化。激發波長係460 nm。追蹤QY演變1週。量測值指示於下表6中：表 6 實例 4 聚硫代胺基甲酸酯 基質對比丙烯酸酯 - 硫醇基質中之 CuInS/ZnS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.003 g半導體NC (CuInS/ZnS)的1.0 g (50重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g (50重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化1小時。獲得固態半導體NC複合物。 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.003 g半導體NC (CuInS/ZnS)及0.05 g 2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(Darocur 1173)的0.9 g (45重量%)聚酯丙烯酸酯寡聚物(Sartomer CN2505)及0.1 g (5重量%)甲基丙烯酸酯單體(三乙二醇二甲基丙烯酸酯A)及1.0 g (50.0重量%)異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) (KarenzMTTM PE1) 2分鐘。隨後，將混合物分配至鋁杯中，且藉由暴露在120 mW/cm2 (UV-A劑量)之UV輻射中60秒時間來光固化。然後，在90℃下對樣本進行後固化2小時。獲得固態半導體NC複合物。 在設定為85℃之箱式爐中使NC複合物老化。追蹤正規化之QY 1週且示出於下表7中：表 7 在定製之光熱老化室中於75℃下以1 W/cm2 使另一個NC複合物樣本老化。激發波長係460 nm。追蹤QY演變1週。量測值指示於下表8中：表 8 實例 5 聚硫代胺基甲酸酯 基質中之 CdSeS/ZnS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.01 g半導體NC (CdSeS/ZnS)的1.0 g (50重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g (50重量%)異戊四醇四(3-巰基丁酸酯) (Thiocure® PETMP) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物塗佈於鋁基板上，且在100℃下熱固化15分鐘。獲得厚度為100 µm之固態半導體NC複合物。在不同實驗條件下研究NC複合物之光致發光QY演變： 在設定為85℃之箱式爐中使NC複合物老化。追蹤正規化之QY 3週且示出於下表9中：表 9 在定製之光熱老化室中於75℃下以1 W/cm2 使另一個NC複合物樣本老化。激發波長係460 nm。追蹤QY演變3週。量測值指示於下表10中：表 10 實例 6 用光潛鹼形成之 聚硫代胺基甲酸酯 基質 中之 CdSe/ZnS 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)及0.01 g TBD·HBPh4 光潛鹼引發劑的1.0 g (50重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g (50重量%)乙二醇二(3-巰基丙酸酯) (GDMP) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且藉由暴露在120 mW/cm2 (UV-A劑量)之UV輻射中140秒時間來光固化。獲得固態半導體NC複合物。實例 7 用 不同聚硫醇形成之 聚硫代胺基甲酸酯 基質中之 CdS e/ZnS 實例 7.1 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及0.99 g乙二醇二(3-巰基丙酸酯) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化120分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 7.2 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g三羥甲基丙烷三(3-巰基丁酸酯)2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化90分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 7.3 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g異戊四醇四(3-巰基丙酸酯) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化10分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 7.4 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.0 g異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化15分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 7.5 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及0.96 g二異戊四醇六(3-巰基丙酸酯) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化60分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 7.6 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌包括0.002 g半導體NC (CdSe/ZnS)的0.99 g脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200)及1.32 g三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化45分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 8 用不同 聚異氰酸酯形成之 聚硫代胺基甲酸酯 基質 實例 8.1 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌0.50 g (Cu:ZnInS/ZnS/ZnS-TEMPIC)、0.5 g三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯((TEMPIC)及1.0 g脂族聚異氰酸酯HDI縮二脲(Desmodur N3200) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化60分鐘。獲得固態半導體NC複合物。實例 8.2 在調節用攪拌器中以2000 rpm攪拌0.50 g (Cu:ZnInS/ZnS/ZnS-TEMPIC)、0.5 g三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯((TEMPIC)及1.0 g脂族聚異氰酸酯HDI三聚體(Desmodur N3300) 2分鐘。隨後，在環境條件下將混合物分配至鋁杯中，且在100℃下熱固化60分鐘。獲得固態半導體NC複合物。
無

Claims (15)

  1. 一種奈米晶體複合物，其包含 a) 複數個奈米晶體，該等奈米晶體包含核心及至少一種配位體，該核心包含金屬或半導體化合物或其混合物，其中該核心由至少一種配位體包圍， b) 聚硫代胺基甲酸酯基質，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質藉由熱或UV誘發的具有至少兩個異氰酸酯基之聚異氰酸酯與具有至少兩個硫醇基之聚硫醇的親核加成形成， 其中該等聚硫醇係選自由以下組成之群其中n係2至10，R1 及R2 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH(SH)CH3 及-CH2 -CH2 -SH；其中R3 、R4 、R5 及R6 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-CH2 -C(-CH2 -O-C(O)-CH2 -CH2 -SH)3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；其中R7 、R8 及R9 係相同的或不同的且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-[CH2 -CH2 -O-]o -C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 且o係1至10；其中m係2至10，R10 、R11 及R12 係相同的或不同的且獨立地選自-CH2 -CH2 SH、-CH2 -CH(SH)CH3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 及其混合物 且其中該等聚異氰酸酯係選自基於選自由以下組成之群之異氰酸酯的聚異氰酸酯其中p、q及r係相同的或不同的且具有2至10之值；較佳地p、q及r係相同的且具有4之值；其中s、t及u係相同的或不同的且具有2至10之值；較佳地s、t及u係相同的且具有4之值；其中v具有2至10之值；較佳地v具有4至6之值，且更佳地v係6；其中x、y及z係相同的或不同的且具有2至10之值，較佳地4至6之值，且更佳地x、y及z係6； 基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於二苯基甲烷二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物，基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物及其混合物；且 其中該等奈米晶體係嵌入至該聚合物基質中。
  2. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中包含金屬或半導體化合物或其混合物之該核心係由選自週期表一或多個不同族之組合的元素形成。
  3. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該核心包含一個核心及至少一個單層殼或多層殼，或其中該核心包含一個核心及至少兩個單層殼及/或多層殼。
  4. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該金屬或半導體化合物係以下之組合：一或多種選自IV族之元素；一或多種選自II族及VI族之元素；一或多種選自III族及V族之元素；一或多種選自IV族及VI族之元素；一或多種選自I族及III族及VI族之元素或其組合，較佳地，該金屬或半導體化合物係選自由以下組成之群：Si、Ge、SiC及SiGe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb3 、InN3 、InP、InAs、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS2 、CuInSe2 、CuGaS2 、CuGaSe2 、AgInS2 、AgInSe2 、AgGaS2 及AgGaSe2 。
  5. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚硫醇之官能度為2至6，較佳為2至4。
  6. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚硫醇係選自由以下組成之群：乙二醇二(3-巰基丙酸酯)、異戊四醇肆(3-巰基丁酸酯)、1,3,5-三(3-巰基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、三[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯、異戊四醇肆(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丁酸酯)、乙氧基化之三羥甲基丙烷三-3-巰基丙酸酯、二異戊四醇六(3-巰基丙酸酯)及其混合物。
  7. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚異氰酸酯之官能度為2至4，較佳為2至3。
  8. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚異氰酸酯係選自由以下組成之群：2,2'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二異氰酸酯基二環己基甲烷、1,6'-六亞甲基二異氰酸酯、2,4'-二異氰酸酯基甲苯、2,6'-二異氰酸酯基甲苯及其混合物。
  9. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其包含以該複合物之總重量計0.01至10重量%，較佳地0.05至7.5重量%，更佳地0.1至5重量%之該等奈米晶體。
  10. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其包含以該複合物之總重量計90至99.99重量%，較佳地92.5至99.95重量%，更佳地95至99.9重量%之聚合物基質。
  11. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質係藉由UV誘發之親核加成而形成，該基質進一步包含以該聚硫代胺基甲酸酯基質之總重量計0.01至5重量%，較佳地0.01至3重量%，且更佳地0.01至2重量%之光引發劑。
  12. 如請求項1或2之奈米晶體複合物，其中該聚硫代胺基甲酸酯基質係藉由熱誘發之固化而形成，該基質進一步包含以該聚硫代胺基甲酸酯基質之總重量計0.01至5重量%，較佳地0.01至3重量%，更佳地0.01至2重量%之熱引發劑。
  13. 一種固化的如請求項1至12中任一項之奈米晶體複合物。
  14. 一種產品，其包含如請求項1至12中任一項之奈米晶體複合物，其中該產品係選自由以下組成之群：顯示裝置、發光裝置、光電電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射器、感測器、熱電裝置、安全防偽油墨、照明裝置以及催化或生物醫學應用中。
  15. 一種如請求項1至12中任一項之奈米晶體複合物之用途，其用作光致發光或電致發光之來源。
TW106105150A 2016-02-16 2017-02-16 含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質 TWI733758B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16155918.2 2016-02-16
EP16155918 2016-02-16
??16155918.2 2016-02-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201800556A true TW201800556A (zh) 2018-01-01
TWI733758B TWI733758B (zh) 2021-07-21

Family

ID=55411227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106105150A TWI733758B (zh) 2016-02-16 2017-02-16 含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180346718A1 (zh)
EP (1) EP3417031B1 (zh)
JP (1) JP2019508550A (zh)
KR (1) KR20180109908A (zh)
CN (1) CN108603104B (zh)
TW (1) TWI733758B (zh)
WO (1) WO2017140490A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2017234286B2 (en) 2016-03-15 2020-12-24 Adaptive 3D Technologies Thiourethane polymers, method of synthesis thereof and use in additive manufacturing technologies
EP3414273B1 (en) * 2016-03-15 2020-12-23 Board of Regents, The University of Texas System Thiourethane polymers, method of synthesis thereof and use in additive manufacturing technologies
WO2019038731A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Sabic Global Technologies B.V. COMPOSITION COMPRISING RETICULATED QUANTIC POINTS
CN110396164A (zh) * 2018-04-25 2019-11-01 锜远科技顾问有限公司 量子点聚合物
CN110627981B (zh) * 2018-06-22 2022-01-07 万华化学集团股份有限公司 一种光学树脂组合物、光学树脂材料及其制备方法和用途
CN111518537A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点分散体系、彩膜以及显示装置
WO2021065782A1 (ja) * 2019-10-03 2021-04-08 Ｎｓマテリアルズ株式会社 量子ドット、及び、その製造方法
JP7439585B2 (ja) * 2020-03-13 2024-02-28 ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社 光電変換素子及び光電変換層形成用組成物
JP2023552260A (ja) * 2020-09-28 2023-12-15 昭栄化学工業株式会社 ペンダント型可溶化部分を有する熱安定性ポリチオールリガンド
EP4180499A1 (en) * 2022-10-27 2023-05-17 Avantama AG Color conversion film with separation layer

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040138401A1 (en) * 2002-11-05 2004-07-15 Nina Bojkova High impact poly (urethane urea) polysulfides
JPWO2006103908A1 (ja) * 2005-03-28 2008-09-04 出光興産株式会社 半導体ナノクリスタル用有機配位子
US7524746B2 (en) * 2006-03-13 2009-04-28 Evident Technologies, Inc. High-refractive index materials comprising semiconductor nanocrystal compositions, methods of making same, and applications therefor
DE102007017651B4 (de) * 2006-04-12 2010-05-27 Schott Ag Transparenter duroplastischer Komposit aus organischer Matrix mit nanoskaligen Glaspartikeln, Verfahren zur Herstellung desselben und dessen Verwendung
DE102007007914A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Giesecke & Devrient Gmbh Prägelack für mikrooptische Sicherheitselemente
JP4988067B2 (ja) * 2009-11-06 2012-08-01 三井化学株式会社 ポリチオウレタン系光学材料用内部離型剤の製造方法、ポリチオウレタン系光学材料用内部離型剤およびそれを含む重合性組成物
US9382470B2 (en) * 2010-07-01 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Thiol containing compositions for preparing a composite, polymeric composites prepared therefrom, and articles including the same
US20120001217A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite
KR20120076329A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 주식회사 케이오씨솔루션 우레탄계 광학재료용 수지의 제조방법과 이를 위한 수지 조성물 및 제조된 광학재료
KR101812120B1 (ko) * 2013-08-14 2017-12-26 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 발광 소자, 및 발광 소자의 제조 방법
CN103408984A (zh) * 2013-08-22 2013-11-27 广东普加福光电科技有限公司 光学涂层组合物、荧光光学膜片及其制备方法
CN105778887B (zh) * 2014-12-22 2018-10-26 Tcl集团股份有限公司 一种密封量子点的方法、量子点复合物粒子及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108603104B (zh) 2021-10-26
WO2017140490A1 (en) 2017-08-24
EP3417031B1 (en) 2020-04-15
TWI733758B (zh) 2021-07-21
JP2019508550A (ja) 2019-03-28
EP3417031A1 (en) 2018-12-26
KR20180109908A (ko) 2018-10-08
CN108603104A (zh) 2018-09-28
US20180346718A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI733758B (zh) 含奈米晶體之聚硫代胺基甲酸酯基質
US10808174B2 (en) Process for preparing a quantum dot, a quantum dot prepared therefrom, and an electronic device including the same
US11015115B2 (en) Curable quantum dot compositions and articles
US11634627B2 (en) Method for manufacturing quantum dot film comprising encapsulated quantum dots uniformly dispersed therein, quantum dot film manufactured thereby and wavelength conversion sheet and display comprising same
TW201910487A (zh) 含奈米晶體的聚硫胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯基質
US20210269709A1 (en) Method for preparing quantum dot film, quantum dot film prepared thereby, and wavelength conversion sheet and display comprising same
US20190218453A1 (en) Fluorescent nanoparticles stabilized with a functional aminosilicone
US20200262979A1 (en) Hydroxyl-functional polyamine silicone ligand suitable for quantum dot compositions and articles
US20180346809A1 (en) Nanocrystal epoxy thiol composite material and nanocrystal epoxy thiol composite film
KR20180109925A (ko) 나노결정 에폭시 티올 (메트)아크릴레이트 복합 물질 및 나노결정 에폭시 티올 (메타크릴레이트) 복합 필름
CN108026444B (zh) 添加剂稳定的复合纳米粒子
TWI788392B (zh) 含奈米晶體的環氧-聚硫胺甲酸酯基質
CN111094417A (zh) 适用于量子点组合物和制品的羟基官能化不饱和多胺有机硅配体
KR20210113943A (ko) 양자점, 양자점 분산액, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광변환 경화성 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성되는 경화막 및 상기 경화막을 포함하는 화상표시장치
CN111448289A (zh) 半导体性发光纳米颗粒
KR20210099515A (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 분산체, 경화성 조성물, 경화막 및 화상표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees