TWI788392B - 含奈米晶體的環氧-聚硫胺甲酸酯基質 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種奈米晶體複合物，其包含包埋於聚合基質中之奈米晶體，該聚合基質藉由使至少一種具有2至4之官能度的環氧化合物及具有2至10之官能度的聚硫醇化合物及具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物聚合而形成。根據本發明之複合物向該等奈米晶體提供改良之熱及光熱穩定性。

Description

含奈米晶體的環氧-聚硫胺甲酸酯基質
本發明係關於一種奈米晶體複合物，其包含包埋於由環氧-硫胺甲酸酯聚合物形成之基質中之奈米晶體。本發明之複合物向奈米晶體提供改良之熱及光熱穩定性。
半導體奈米晶體可用作光降頻轉換器，亦即，較短波長光轉換為較長波長光。奈米晶體(NC)複合物用於寬範圍應用，包括顯示器、照明、安全油墨、生物標記及太陽能集中器。在所有情況下，NC複合物曝露於一定光通量及溫度。NC複合物在空氣及濕氣存在下曝露於光子及溫度造成複合物之光學特性減弱。
NC複合物用於光降頻轉換應用。目前先進技術NC複合物因曝露於溫度及光子而隨時間推移降解。為改良NC之穩定性，複合物需要例如藉由高效能障壁膜或玻璃囊封針對氧氣及濕氣進行額外防護。為避免在經囊封NC複合物中存在空氣及濕氣，製造必須在惰性氛圍下進行。
在一種方法中，NC包埋於環氧-胺樹脂中，該樹脂置於障壁層之間。然而，此方法產生較厚產品且引發額外成本，因為障壁層為複雜的有機-無機多層且產品需要在無氧氣/濕氣環境中製造。儘管有障壁層，但氧氣及濕氣仍滲透通過產品之未受保護邊緣，導致此等區域中之降解。
在另一方法中，NC包埋於丙烯酸可聚合調配物中，且隨後，形成之NC複合物囊封於玻璃管內。此製程需要在無氧氣/濕氣環境下操作的複雜生產線。該等易碎產品需要對顯示器架構進行修改，此進一步增加成本。
降頻轉換中之NC複合物中的常用聚合基質係基於(甲基)丙烯酸酯、烯丙基或環氧樹脂。藉由UV輻照引發之聚合物系統對於大規模膜製造而言較佳。然而，此項技術中描述的基於(甲基)丙烯酸酯、烯丙基或環氧樹脂之基質中無一者在操作條件(光子通量、高溫、環境氣氛)下向NC提供充足穩定性。在大多數情況下，需要一額外高效能障壁膜以防止氧氣及濕氣滲透於聚合基質內，此增加該等NC複合物產品之成本及厚度。
在另一方法中，已使用硫醇作為NC複合物之聚合基質的一部分。已發現硫醇有益於基質之熱穩定性，拓寬可獲得的基質化學物質之範圍。此外，硫醇實現良好NC分散。然而，由光子所導致之降解無法與目前先進技術聚合基質組合而完全預防。
因此，仍需要如下聚合基質，其向NC提供改良之熱及光熱穩定性，同時降低製造成本，及減小在光降頻轉換裝置中建構NC複合物所需要之空間。
本發明係關於一種奈米晶體複合物，其包含複數個奈米晶體，其包括包含金屬或半導電化合物或其混合物之核心及至少一個配位子，其中該核心由至少一個配位子包圍，及聚合基質，其中該聚合基質藉由使至少一種具有2至4之官能度的環氧化合物、具有2至10之官能度的聚硫醇化合物及具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物聚合而形成。
本發明亦關於一種經固化的根據本發明之奈米晶體複合物。
本發明涵蓋一種產品，其包含根據本發明之奈米晶體複合物，其中該產品選自由以下組成之群：顯示裝置、發光裝置、光伏打電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射、感測器、熱電裝置、安全油墨、照明裝置及催化或生物醫學應用。
本發明亦涵蓋一種根據本發明之奈米晶體複合物的用途，其用作光致發光之來源。
本發明更詳細地描述於以下段落中。除非相反地明確指示，否則如此描述之各態樣可與任何其他態樣組合。具體而言，任何指示為較佳或有利之特徵可與任何其他指示為較佳或有利之特徵組合。
在本發明之情形下，除非上下文另外規定，否則根據以下定義解釋所使用之術語。
除非上下文另外明確地規定，否則如本文所使用之單數形式「一(a/an)」及「該」包括單數個及複數個參照物。
如本文所使用，術語「包含(comprising/comprises/comprised of)」與「包括(including/includes)」或「含有(containing/contains)」同義，且為包含性或開放性的,，且不排除其他未敍述成員、要素或方法步驟。
數值端點之列舉包括包含於各別範圍內之所有數字及分數，以及所敍述端點。
除非另外指示，否則本文提及之所有百分比、份數、比例等係以重量計。
當以範圍、較佳範圍或較佳上限值及較佳下限值之形式表示量、濃度或其他值或參數時，應理解，在不考慮所獲得之範圍是否明確地在上下文中提及之情況下，特定地揭示藉由將任何上限或較佳值與任何下限或較佳值組合所獲得之任何範圍。
在本說明書中所引用之所有參考文獻均以全文引用之方式併入本文中。
除非另外定義，否則用於揭示本發明之所有術語(包括技術性及科學性術語)均具有如一般熟習本發明所屬技術者通常所理解之含義。藉助於進一步導引，將術語定義包括在內以更好地理解本發明之教示內容。
本發明係關於一種NC複合物，其包含環氧-聚硫胺甲酸酯基質，該基質本身充當對NC之保護。另外，在一些實施例中，本發明使用較薄的低效能障壁膜，以便進一步增強熱及光熱特性。使用低效能障壁膜替代高效能障壁膜導致材料及製造成本降低。此外，在光降頻轉換裝置中建構NC複合物將需要較小空間。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質之使用向NC提供改良之熱及光熱穩定性且其可在空氣中製備。
根據本發明之NC複合物包含奈米晶體複合物，該奈米晶體複合物包含：複數個奈米晶體，其包括包含金屬或半導電化合物或其混合物之核心及至少一個配位子，其中該核心由至少一個配位子包圍，及聚合基質，其中該聚合基質藉由使至少一種具有2至4之官能度的環氧化合物、具有2至10之官能度的聚硫醇化合物及具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物聚合而形成。
根據本發明之NC之核心具有如下結構，該結構包括單獨的核心或核心及一或多個包圍核心之外殼。各外殼可具有包含一或多個層之結構，意謂各外殼可具有單層或多層結構。各層可具有單一組成或合金或濃度梯度。
根據本發明之NC之核心的尺寸較佳小於100 nm、更佳小於50 nm、更佳小於10 nm，然而，核心較佳大於1 nm。粒度係藉由使用透射電子顯微法(TEM)來量測。
NC之形狀可選自寬範圍之幾何形狀。根據本發明之NC之核心的形狀較佳為球形、矩形、棒形或三角形。
NC之核心包含金屬或半導電化合物或其混合物，由選自元素週期表之一或多個不同族之組合的元素構成。
金屬或半導電化合物較佳為一或多種選自IV族之元素、一或多種選自II族及VI族之元素、一或多種選自III族及V族之元素、一或多種選自IV族及VI族之元素、一或多種選自I族及III族及VI族之元素、或其組合的組合。
金屬或半導電化合物更佳選自由以下組成之群：Si、Ge、SiC、SiGe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb3 、InN3 、InP、InAs、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS2 、CuInSe2 、CuGaS2 、CuGaSe2 、AgInS2 、AgInSe2 、AgGaS2 、AgGaSe2 及其混合物。金屬或半導電化合物甚至更佳選自由以下組成之群：CdSe、InP及其混合物。
以上提及之較佳金屬或半導電化合物提供更佳光學特性。
根據本發明之NC較佳具有1 nm至100 nm、較佳1 nm至50 nm且更佳1 nm至15 nm範圍內之粒徑(例如最大粒徑，包括核心及外殼)。粒度係藉由使用透射電子顯微法(TEM)來量測。
在一個實施例中，根據本發明之NC之核心具有包含核心及至少一個單層或多層外殼之結構。
又，在另一實施例中，根據本發明之NC之核心具有包含核心及至少兩個單層及/或多層外殼之結構。
外殼亦包含金屬或半導體材料，且因此，上文所列的適用作核心之所有材料亦適用作外殼材料。在一個較佳實施例中，外殼包含ZnS、ZnSe或CdS。
在根據本發明之一個實施例中，NC可進一步囊封於無機氧化物外殼(諸如二氧化矽或氧化鋁)中以保護NC免受空氣及濕氣影響。
NC之核心(包括外殼層(若存在))由至少一個配位子包圍。較佳地，NC之整個表面由配位子覆蓋。理論上相信，當NC之整個表面由配位子覆蓋時，NC之光學效能更佳。
適用於本發明之配位子為烷基膦、烷基氧化膦、胺、硫醇、聚硫醇、羧酸及類似化合物及其混合物。
本發明中適用作配位子之烷基膦之實例為三-正辛基膦、參羥基丙基膦、三丁基膦、三(十二烷基)膦、亞磷酸二丁基酯、亞磷酸三丁基酯、亞磷酸三(十八烷基)酯、亞磷酸三月桂基酯、亞磷酸參(十三烷基)酯、亞磷酸三異癸基酯、磷酸雙(2-乙基己基)酯、磷酸參(十三烷基)酯及其混合物。
本發明中適用作配位子之烷基氧化膦之實例為三-正辛基氧化膦。
本發明中適用作配位子之胺之實例為油胺、十六烷胺、十八烷胺、雙(2-乙基己基)胺、二辛胺、三辛胺、辛胺、十二烷胺/月桂胺、二(十二烷基)胺、三(十二烷基)胺、二(十八烷基)胺、三(十八烷基)胺、聚(丙二醇)雙(2-胺基丙基醚)及其混合物。
本發明中適用作配位子之硫醇之實例為1-十二烷硫醇。
本發明中適用作配位子之聚硫醇之實例為季戊四醇肆(3-巰基丁酯)、季戊四醇肆(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯、二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)、乙氧基化的三-羥甲基丙烷三-3-巰基-丙酸酯及其混合物。
硫醇亦可以其去質子化形式用於本發明中。
本發明中適用作配位子之羧酸及膦酸之實例為油酸、苯基膦酸、己基膦酸、十四烷基膦酸、辛基膦酸、十八烷基膦酸、伸丙基二膦酸、苯基膦酸、胺基己基膦酸及其混合物。
羧酸及膦酸亦可以其去質子化形式用於本發明中。
其他適用於本發明之配位子之實例為二辛醚、二苯醚、豆蔻酸甲酯、辛酸辛酯、辛酸己酯、吡啶及其混合物。
適合且所選之配位子使NC於溶液中穩定。
適用於本發明之NC係藉由使用自文獻已知或商業上獲得之方法製備。適合NC可以將所有反應物混合在一起之若干方式製備。根據本發明之NC可自單獨或與各種外殼材料及各種不同種類之配位子組合的各種核心材料製造。
適用於本發明之市售NC包括但不限於來自Sigma Aldrich之CdSeS/ZnS。
根據本發明之NC複合物包含NC複合物之總重量的0.01至10重量%、較佳0.05至7.5%、更佳0.1至5%之NC。
根據本發明之NC複合物亦可製備成較高NC量，然而，若量＞10%，則QD之光學特性將歸因於其之間的相互作用而受消極影響。另一方面，若量＜0.01%，則形成之膜將展現極低亮度。
根據本發明，NC包埋至聚合基質中。適用於本發明之聚合基質為環氧-聚硫胺甲酸酯基質。根據本發明之聚合基質藉由使至少一種具有2至4之官能度的環氧化合物、具有2至10之官能度的聚硫醇化合物及具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物聚合而形成。
聚合物之硫胺甲酸酯組分藉由使聚硫醇熱或UV親核加成至聚異氰酸酯而形成。聚合物之環氧-硫醇組分藉由熱或UV硫醇-環氧開環偶合反應形成。使用硫胺甲酸酯基質向奈米晶體(NC)提供改良之熱及光熱穩定性。此外，將聚環氧化物併入至聚合物基質中使得能夠改變其機械特性。兩種UV聚合反應均藉由使用(光潛)鹼催化劑誘發。主要聚合反應說明於以下流程中：
Figure 02_image001
流程 1
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質由具有2至4之官能度、較佳2至3之官能度的環氧化合物形成。
2至3之官能度為較佳的，因為此提供理想生長及交聯且此等環氧化合物提供極佳熱穩定性。
適用於本發明之環氧化合物選自由以下組成之群：
Figure 02_image003
其中R1 選自由以下組成之群：經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之C7-C30烷芳基、經取代或未經取代之C3-C30雜環烷基及經取代或未經取代之C1-C30雜烷基、
Figure 02_image005
及
Figure 02_image007
；
Figure 02_image009
其中R2 選自由以下組成之群：經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之C7-C30烷芳基、經取代或未經取代之C3-C30雜環烷基及經取代或未經取代之C1-C30雜烷基；且n為1至30之整數；
Figure 02_image011
其中a為2-10、較佳4-6，且R3 選自
Figure 02_image013
Figure 02_image015
及
Figure 02_image017
；
Figure 02_image019
其中b為2-10、較佳4-6，b更佳為4；
Figure 02_image021
其中R4 獨立地選自由以下組成之群：氫、鹵素、烷基及烯基；且n為1至10之整數；
Figure 02_image023
其中R5 獨立地選自由以下組成之群：氫、羥基、鹵素、C1-C30烷基及C2-C30烯基；
Figure 02_image025
其中R6 及R7 為經取代或未經取代之單價烴基或烷氧基，且n為0至16之整數；及其混合物。
較佳地，適合環氧化合物選自由以下組成之群：1,4-環己烷二甲醇二縮水甘油醚、二丙二醇二縮水甘油醚、聚甘油-3-聚縮水甘油醚、間胺基苯酚之三縮水甘油醚、對胺基苯酚之三縮水甘油醚、表氯醇與二丙二醇之反應產物、表氯醇與聚丙二醇之反應產物、聚乙二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚及其混合物。
適用於本發明之市售環氧化合物包括但不限於來自CVC Thermoset Specialties之Erisys G-22、Erisys G-23、Erisys G-38及Erisys EDGE；來自Huntsman之Araldite MY 0610及Araldite MY 0510；來自Sigma-Aldrich之DER 732及DER 736；及來自Sigma-Aldrich之diepoxy PEG。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質包含聚合基質之總重量的5至50重量%、較佳7.5至45%且更佳10至40%之環氧化合物。
當環氧化合物之量在5與50%之間時，提供理想機械、熱及光熱特性。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質由具有2至10、較佳2至6、更佳2至4之官能度的聚硫醇化合物形成。2與4之間的官能度向聚合物提供理想交聯程度。
適用於本發明之聚硫醇化合物選自由以下組成之群：
Figure 02_image027
其中n為2-10，R8 及R9 相同或不同且獨立地選自CH2 -CH(SH)CH3 及-CH2 -CH2 -SH；
Figure 02_image029
其中R10 、R11 、R12 及R13 相同或不同且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-CH2 -C(-CH2 -O-C(O)-CH2 -CH2 -SH)3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；
Figure 02_image031
其中R14 、R15 及R16 相同或不同且獨立地選自-C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -CH(SH)CH3 、-[CH2 -CH2 -O-]o -C(O)-CH2 -CH2 -SH、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ，且o為1-10；
Figure 02_image033
其中j為2-10，R17 、R18 及R19 相同或不同且獨立地選自-CH2 -CH2 SH、-CH2 -CH(SH)CH3 、-C(O)-CH2 -SH、-C(O)-CH(SH)-CH3 ；及其混合物。
聚硫醇更佳選自由以下組成之群：二醇二(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇肆(3-巰基丁酯)、1,3,5-參(3-巰基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、1,4-雙(3-巰基丁氧基)丁烷、參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷參(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷參(3-巰基丁酸酯)、乙氧基化三羥甲基丙烷三-3-巰基丙酸酯、二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)及其混合物。
較佳之硫醇化合物因其提供適當黏度及固化速度(在數分鐘至3小時內)之事實而為所需。另外，與所選聚異氰酸酯及NC組合的較佳之聚硫醇化合物產生具有所需機械特性之膜：不會過於脆性或橡膠性之膜。
適用於本發明之市售聚硫醇化合物包括但不限於來自Showa Denko之KarenzMTTM PE1及來自Bruno Bock之Thiocure®PETMP。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質包含聚合基質之總重量的30至80重量%、較佳40至75%且更佳50至70%之聚硫醇化合物。
當聚硫醇化合物之量在30與80%之間時，提供理想機械、熱及光熱特性。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質由具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物形成。
適用於本發明之聚異氰酸酯化合物選自基於異氰酸酯化合物之聚異氰酸酯，異氰酸酯化合物選自由以下組成之群：
Figure 02_image035
其中k、l及m相同或不同且具有值2-10；
Figure 02_image037
其中n、p及q相同或不同且具有值2-10，n、p及q較佳為6；
Figure 02_image039
Figure 02_image041
其中r具有值2-10；
Figure 02_image043
其中s、t及u相同或不同且具有值2-10、較佳值4-6，且s、t及u更佳為6； 基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於亞甲基二苯基二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於亞甲基二苯基二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物；基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物；及其混合物。
較佳地，適合聚異氰酸酯化合物係基於選自由以下組成之群的異氰酸酯：2,2'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二異氰酸基二環己基甲烷、1,6'-六亞甲基二異氰酸酯、2,4'-二異氰酸基甲苯、2,6'-二異氰酸基甲苯及其混合物。尤其較佳之二異氰酸酯為1,6'-六亞甲基二異氰酸酯。
以上提及之異氰酸酯為較佳的，因為其透明且無色且不會隨時間流逝而趨於變成黃色。
基於六亞甲基二異氰酸酯(HDI)之聚異氰酸酯化合物(式(28)，其中r為6)為較佳的，因為基於HDI之聚異氰酸酯為無溶劑的、具有低黏度、提供快速固化速度及所需機械特性。另外，基於HDI之聚異氰酸酯為透明的，且因此，對於用於NC複合物(其中需要良好光學特性)為適合且所需的。
適用於本發明之市售聚異氰酸酯化合物包括但不限於來自Covestro(以前的Bayer MaterialScience)之Desmodur N3200、Desmodur N3900及Desmodur XP2860。
根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質包含聚合基質之總重量的5至50重量%、較佳7.5至45%且更佳10至40%之聚異氰酸酯化合物。
當聚異氰酸酯化合物之量大於50%時，適用期將受消極影響，而當量小於5%時，穩定性受消極影響。
在一較佳實施例中，根據本發明之聚合基質中的聚硫胺甲酸酯:環氧-硫醇:過量硫醇之最終莫耳%比率為60:30:10。
根據本發明之NC複合物包含複合物之總重量的90至99.99重量%、較佳92.5至99.95%、更佳95至99.9%之聚合物基質。
本申請人已發現，所選聚硫醇及聚異氰酸酯化合物之組合提供良好效能聚硫胺甲酸酯。所選環氧基充當反應性稀釋劑且對黏度及表面張力具有積極效果。另外，其改良經固化的聚合基質之機械特性。根據本發明之聚合基質中使用的所選組分之總體組合向NC提供良好機械特性及良好熱及光熱穩定性。
根據本發明之NC複合物可藉由UV固化而固化。在一個實施例中，NC複合物經由在光潛鹼存在下UV固化而固化。
根據本發明之NC複合物可進一步包含光潛鹼。
適用於本發明之光潛鹼為例如1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯·四苯基硼酸氫(TBD·HBPh4 )、2-苯甲基-2-(二甲胺基)-1-(4-甲氧基苯基)丁-1-酮、2-苯甲基-2-二甲胺基-4'-N-嗎啉基苯丁酮或2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮。
適用於本發明之市售光潛鹼包括但不限於2-苯甲基-2-(二甲胺基)-1-(4-甲氧基苯基)丁-1-酮(Pix 15-080)、2-苯甲基-2-二甲胺基-4'-N-嗎啉基苯丁酮(Omnirad 369)或2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮(Omnirad 379)，均來自IGM。
根據本發明之NC複合物可包含NC複合物之總重量的0至5重量%、較佳0.01至5%、更佳0.01至3%且更佳0.01至2%之光潛鹼。
根據本發明之NC複合物可進一步包含促進劑以促進聚合反應。
適用於本發明之促進劑為鹼，較佳有機鹼，諸如二乙胺及三乙胺。
適用於本發明之市售促進劑包括但不限於來自Sigma-Aldrich之二乙胺或三乙胺。
根據本發明之NC複合物可包含NC複合物之總重量的0至5重量%、較佳0.001至5%、更佳0.01至3%且更佳0.01至2%之促進劑。
根據本發明之NC複合物可以將所有成分混合在一起之若干方式製備。
在一個實施例中，製備根據本發明之NC複合物包含以下步驟： 1) 將NC及聚異氰酸酯化合物混合； 2) 添加聚硫醇及環氧化合物且混合； 3) 用UV光及/或溫度固化。
在另一實施例中，製備根據本發明之NC複合物包含以下步驟： 1) 將NC、環氧基及聚硫醇化合物混合； 2) 添加聚異氰酸酯化合物且混合； 3) 用UV光及/或溫度固化。
又，在另一實施例中，製備根據本發明之NC複合物包含以下步驟： 1) 將聚異氰酸酯、環氧基及聚硫醇化合物混合； 2) 添加NC且混合； 3) 用UV光及/或溫度固化。
在較佳實施例中，添加NC至環氧基、聚硫醇及聚異氰酸酯化合物之混合物且藉由UV光固化。
光固化UV強度較佳為1至1000 mW/cm2 、更佳50至500 mW/cm2 。另外，光固化時間較佳為1秒至500秒、更佳1秒至60秒。
若溫度用於固化根據本發明之組合物，則熱固化溫度較佳為20℃至250℃、更佳80℃至125℃。另外，熱固化時間較佳為1分鐘至48小時、更佳1分鐘至24小時且甚至更佳5分鐘至3小時。
如以下實例中所示，環氧-聚硫胺甲酸酯基質當與先前技術相比時提供改良之熱及光熱穩定性。此可歸於其在經促進之操作條件期間更佳的抗氧化穩定性，使得可能降低障壁需求朝向無障壁組態。
在根據本發明之一個實施例中，NC複合物可與障壁膜一起形成分層膜，意謂NC複合物包埋於兩個障壁膜之間。替代如先前技術中所描述使用高品質、複雜障壁膜，本申請人已發現，根據本發明之NC複合物藉由低效能障壁膜(諸如PET障壁膜)表現得很好。食品級PET障壁膜因其足夠薄之事實而為適合且較佳的。普通PET障壁膜可使用但因其厚度而不為所需。使用薄的食品級PET障壁膜降低材料及製造成本。此外，在光降頻轉換裝置中建構NC複合物將需要較小空間。
本發明亦涵蓋一種經固化的根據本發明之NC複合物。
根據本發明之NC複合物在固化之後在室溫下為固體。
根據本發明之NC複合物具有包埋至聚合物基質中之NC。NC為網狀結構之固體且一體部分。該結構允許維持NC之光學特性。另外，該結構提供改良之熱及光熱穩定性。一般而言，根據本發明之環氧-聚硫胺甲酸酯基質對比文獻中描述之聚合基質提供改良之針對氧化及/或其他降解過程之防護。
根據本發明之NC複合物可用於各種產品。一些實例為例如顯示裝置、發光裝置、光伏打電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射、感測器、熱電裝置、安全油墨、照明裝置及催化或生物醫學應用。
根據本發明之NC複合物可用作光致發光之來源。
實例實例 1 - 含 CdSe / ZnS 的 具有四官能環氧化物之環氧 - 硫胺甲酸酯基質 1.1具有(CdSe/ZnS λem ：626 nm)之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.11 g (7.14重量%)半導體NC(來自Sigma Aldrich之CdSe/ZnS λem ：626 nm)、1.19 g (56.7重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.71 g (33.81重量%)山梨糖醇縮水甘油醚(Erysis G-60，來自CVC Thermoset Specialties)、0.2 g (9.52重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3900，來自Covestro)、0.021 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加100℃下2小時之熱固化步驟以使複合物充分固化。隨後，藉由移開PET膜獲得100 µm無障壁NC複合物。
1.2具有(CdSe/ZnS λem ：525 nm)之環氧-硫胺甲酸酯基質： 程序與1.1相同，但使用在525 nm下發射之CdSe/ZnS作為NC來源。
使所有NC複合物(樣品直徑1.9 cm)熱及光熱老化以追蹤其光致發光QY演化。藉由將NC複合物樣品置於定製光熱老化腔室中在350 mW/cm2 下14天進行光熱老化。量測值展示於下表1中。
絕對量子產率藉由使用來自Hamamatsu Photonics之絕對量子產率光譜儀C9920-02G來量測。 表1
Figure 107127011-A0304-0001
藉由將NC樣品置於烘箱中在85℃下14天使另一(片膜)NC複合物熱老化。量測值展示於下表2中。 表2
Figure 107127011-A0304-0002
實例 2 - 環氧基對環氧 - 硫胺甲酸酯基質之熱穩定性之影響 2.1 具有二官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.11 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (59.4重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.16 g (10重量%)乙二醇二縮水甘油醚(Erisys EDGE，來自CVC Thermoset Specialties)、0.5 g (31.25重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.016 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
2.2 具有三官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.12 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (56.5重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.24 g (14.3重量%)聚甘油-3-聚縮水甘油醚(Erisys G-38，來自CVC Thermoset Specialties)、0.5 g (29.8重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.017 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
2.3 具有二官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.13 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (50.53重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.43 g (22.87重量%)環氧樹脂(DER 732，來自Sigma Aldrich)、0.5 g (26.6重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.019 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
2.4 具有短分支鏈二官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.12 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (59重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.17 g (10.5重量%)環氧樹脂(DER 736，來自Sigma Aldrich)、0.5 g (31重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.016 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加80℃下10分鐘之熱固化步驟以使複合物充分固化。隨後，藉由移開PET膜獲得100 µm無障壁NC複合物。
使所有NC複合物(樣品直徑1.9 cm)熱老化以追蹤其光致發光QY演化。藉由將NC複合物樣品置於烘箱中85℃下20天進行熱老化。量測值展示於下表3中。 表3
Figure 107127011-A0304-0003
實例 3 - 含 CdSE / ZnS 的 具有四官能及二官能環氧化物之環氧 - 硫胺甲酸酯基質 3.1具有短分支鏈二官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.12 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (59重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.5 g (30.67重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.17 g (10.56重量%)環氧樹脂(DER 736，來自Sigma Aldrich)、0.016 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
3.2具有二及四官能環氧化物之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.12 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (59重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.5 g (30.67重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.13 g (7.97重量%)環氧樹脂(DER 736)、0.05 g (3.1重量%)山梨糖醇縮水甘油醚(Erysis G-60，來自CVC Thermoset Specialties)、0.016 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加100℃下10分鐘之熱固化步驟以使複合物充分固化。隨後，藉由移開PET膜獲得100 µm無障壁NC複合物。使所有NC複合物(樣品直徑1.9 cm)熱及光熱老化以追蹤其光致發光QY演化。
藉由將樣品置於定製光熱老化腔室中在350 mW/cm2 下7天進行光熱老化。量測值展示於下表10中。 表10
Figure 107127011-A0304-0004
藉由將NC複合物樣品置於烘箱中85℃下7天進行熱老化。量測值展示於下表11中。 表11
Figure 107127011-A0304-0005
實例 4 - 無障壁對 PET 保護環氧 - 硫胺甲酸酯 NC 複合物 4.1具有(CdSe/ZnS λem ：626 nm)之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.12 g (7.14重量%)半導體NC (CdSe/ZnS λem ：626 nm，來自Sigma Aldrich)、0.95 g (59重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.5 g (31重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3200，來自Covestro)、0.17 g (10.56重量%)環氧樹脂(DER 736，來自Sigma Aldrich)、0.016 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.001 g (0.05 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。
4.2 具有 (CdSe/ZnS λ em ： 525 nm) 之環氧 - 硫胺甲酸酯基質 ： 程序與4.1相同，但使用在525 nm下發射之CdSe/ZnS作為NC來源。
將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加80℃下10分鐘之熱固化步驟以使複合物充分固化。在使NC複合物固化之後容易移開PET膜。使無障壁及PET保護NC複合物(樣品直徑1.9 cm)光熱及熱老化以追蹤其光致發光QY演化。藉由將樣品置於定製光熱老化腔室中在350 mW/cm2 下14天進行光熱老化。量測值展示於下表4及5中。 表4無障壁NC複合物
Figure 107127011-A0304-0006
 表5 PET保護NC複合物
Figure 107127011-A0304-0007
藉由將NC複合物樣品置於烘箱中85℃下7天進行熱老化。量測值展示於下表6及7中。 表6無障壁NC複合物
Figure 107127011-A0304-0008
 表7 PET保護NC複合物
Figure 107127011-A0304-0009
以上結果說明於圖1-4中，展示紅色(4.1)及綠色(4.2) NC在光熱及熱老化期間的量子產率。PET保護與無障壁之間的比較亦說明於圖中。
以上結果亦說明於圖5-12中。圖5及6說明具有紅色NC (4.1)之無障壁NC複合物的發射峰(光熱老化(圖5)及熱老化(圖6))。圖7及8說明具有綠色NC (4.2)之無障壁NC複合物的發射峰(光熱老化圖7及熱老化(圖8))。圖9及10說明具有紅色NC (4.1)之PET保護NC複合物的發射峰(光熱老化(圖9)及熱老化(圖10))。圖11及12說明具有綠色NC (4.2)之PET保護NC複合物的發射峰(光熱老化圖11及熱老化(圖12))。
實例 5 - 無障壁環氧 - 硫胺甲酸酯對環氧 - 硫醇 NC 複合物 5.1具有CdSe/ZnS (λem ：525 nm)之環氧-硫胺甲酸酯基質： 將0.11 g (5 phr)含半導體NC之IBOA (CdSe/ZnS λem ：525 nm，來自Sigma Aldrich)、1.19 g (54.0重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.71 g (32.1重量%)山梨糖醇縮水甘油醚(Erysis G-60，來自CVC Thermoset Specialties)、0.2 g (9.1重量%)脂族聚異氰酸酯(Desmodur N3900，來自Covestro)、0.021 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.003 g (0.15 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加100℃下3小時之熱固化步驟以使複合物充分固化。隨後，藉由移開PET膜獲得100 µm無障壁NC複合物。
5.2具有CdSe/ZnS (λem ：525 nm)之環氧-硫醇基質： 將0.11 g (5 phr)含半導體NC之IBOA (CdSe/ZnS λem ：525 nm，來自Sigma Aldrich)、1.19 g (54.3重量%)參[2-(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰尿酸酯(ThiocureTEMPIC，來自Bruno Bock)、0.90 g (40.9重量%)山梨糖醇縮水甘油醚(Erysis G-60，來自CVC Thermoset Specialties)、0.021 g (1 phr)微粉化ZnS (Sachtolith HD-S，來自Sachtleben)及0.003 g (0.15 phr)光潛鹼(IGM PIX 15-080，來自IGM)在調節混合器中在3500 rpm下混合6分鐘。將混合物澆鑄於PET膜(CT4，來自MacDermit)之間以形成100 μm之膜，隨後藉由使用UVALOC 1000腔室(UVA 400 mJ/cm2 、UVB 360 mJ/cm2 及UVC 90 mJ/cm2 )使其UV固化。施加100℃下3小時之熱固化步驟以使複合物充分固化。隨後，藉由移開PET膜獲得100 µm無障壁NC複合物。
使無障壁NC複合物(樣品直徑1.9 cm)光熱及熱老化以追蹤其光致發光QY演化。
藉由將樣品置於定製光熱老化腔室中在350 mW/cm2 + 75℃下7天進行光熱老化。量測值展示於下表8中。 表8
Figure 107127011-A0304-0010
藉由將NC複合物樣品置於烘箱中85℃下7天進行熱老化。量測值展示於下表9中。 表9
Figure 107127011-A0304-0011
實例5例證，根據本發明之環氧-硫胺甲酸酯比環氧-硫醇表現得(略微)更佳。
圖 1 - 4 說明呈無障壁及PET保護組態之含有CdSe/ZnS NC的奈米複合物(實例4)之效能。圖 5 - 8 說明含有CdSe/ZnS NC之無障壁奈米複合物(實例4)在光熱及熱老化期間的發射峰。圖 9 - 12 說明含有CdSe/ZnS NC之PET保護奈米複合物(實例4)在光熱及熱老化期間的發射峰。

Claims (25)

  1. 一種奈米晶體複合物，其包含a)複數個奈米晶體，其包括包含金屬或半導電化合物或其混合物之核心及至少一個配位子，其中該核心由至少一個配位子包圍，其中該包含金屬或半導電化合物或其混合物之核心由選自元素週期表之一或多個不同族之組合的元素構成，該金屬或半導電化合物為一或多種選自IV族之元素、一或多種選自II族及VI族之元素、一或多種選自III族及V族之元素、一或多種選自IV族及VI族之元素、一或多種選自I族及III族及VI族之元素、或其組合的組合，及該配位子為烷基膦、烷基氧化膦、胺、硫醇、聚硫醇、羧酸及類似化合物及其混合物，b)聚合基質，其中該聚合基質藉由使至少一種具有2至4之官能度的環氧化合物、具有2至10之官能度的聚硫醇化合物及具有2至4之官能度的聚異氰酸酯化合物聚合而形成，其中以該聚合物基質總重量計，該環氧化合物占5至50重量%，該聚硫醇化合物占30至80重量%，以及該聚異氰酸酯化合物占5至50重量%，其中該奈米晶體複合物包含該複合物之總重量的0.01至10重量%的奈米晶體，及包含該複合物之總重量的90至99.99重量%的聚合物基質，及該奈米晶體複合物係包埋於兩個障壁膜之間，且所述障壁膜為食品級PET障壁膜。
  2. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該金屬或半導電化合物係選自由以下組成之群：Si、Ge、SiC、SiGe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、 ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb3、InN3、InP、InAs、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、AgInS2、AgInSe2、AgGaS2、AgGaSe2及其混合物。
  3. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該金屬或半導電化合物係選自由以下組成之群：CdSe、InP及其混合物。
  4. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該核心包含核心及至少一個單層或多層外殼或其中該核心包含核心及至少兩個單層及/或多層外殼。
  5. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該環氧化合物選自由以下組成之群：
    Figure 107127011-A0305-02-0033-1
     其中R1選自由以下組成之群：經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之C7-C30烷芳基、經取代或未經取代之C3-C30雜環烷基及經取 代或未經取代之C1-C30雜烷基、
    Figure 107127011-A0305-02-0033-2
    、
    Figure 107127011-A0305-02-0033-3
    、
    Figure 107127011-A0305-02-0033-4
    及
    Figure 107127011-A0305-02-0033-5
    ；
    Figure 107127011-A0305-02-0034-6
     其中R2選自由以下組成之群：經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之C7-C30烷芳基、經取代或未經取代之C3-C30雜環烷基及經取代或未經取代之C1-C30雜烷基；且n為1至30之整數；
    Figure 107127011-A0305-02-0034-7
     其中a為2-10，且R3選自
    Figure 107127011-A0305-02-0034-8
    、
    Figure 107127011-A0305-02-0034-9
    、
    Figure 107127011-A0305-02-0034-10
    及
    Figure 107127011-A0305-02-0034-11
    ；
    Figure 107127011-A0305-02-0034-12
     其中b為2-10；
    Figure 107127011-A0305-02-0035-14
     其中R4獨立地選自由以下組成之群：氫、鹵素、烷基及烯基；且n為1至10之整數；
    Figure 107127011-A0305-02-0035-15
     其中R5獨立地選自由以下組成之群：氫、羥基、鹵素、C1-C30烷基 及C2-C30烯基；
    Figure 107127011-A0305-02-0036-18
    Figure 107127011-A0305-02-0036-17
     其中R6及R7為經取代或未經取代之單價烴基或烷氧基，且n為0至16之整數；及其混合物。
  6. 如請求項5之奈米晶體複合物，其中a為4-6及/或b為4-6。
  7. 如請求項5之奈米晶體複合物，其中b為4。
  8. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該環氧化合物具有2至3之官能度。
  9. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該聚硫醇化合物選自由以下組成之群：
    Figure 107127011-A0305-02-0037-19
     其中n為2-10，R8及R9相同或不同且獨立地選自-CH2-CH(SH)CH3及-CH2-CH2-SH；
    Figure 107127011-A0305-02-0037-20
     其中R10、R11、R12及R13相同或不同且獨立地選自-C(O)-CH2-CH2-SH、-C(O)-CH2-CH(SH)CH3、-CH2-C(-CH2-O-C(O)-CH2-CH2-SH)3、-C(O)-CH2-SH、-C(O)-CH(SH)-CH3；
    Figure 107127011-A0305-02-0037-21
     其中R14、R15及R16相同或不同且獨立地選自-C(O)-CH2-CH2-SH、-C(O)-CH2-CH(SH)CH3、-[CH2-CH2-O-]o-C(O)-CH2-CH2-SH、-C(O)-CH2-SH、-C(O)-CH(SH)-CH3，且o為1-10；
    Figure 107127011-A0305-02-0037-22
     其中j為2-10，R17、R18及R19相同或不同且獨立地選自-CH2-CH2SH、-CH2-CH(SH)CH3、-C(O)-CH2-SH、-C(O)-CH(SH)-CH3；及其混合物。
  10. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該聚硫醇化合物具有2至6之官能度。
  11. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該聚硫醇化合物具有2至4之官能度。
  12. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該等聚異氰酸酯選自基於異氰酸酯化合物之聚異氰酸酯，該等異氰酸酯化合物選自由以下組成之群：
    Figure 107127011-A0305-02-0038-23
     其中k、l及m相同或不同且具有值2-10；
    Figure 107127011-A0305-02-0039-24
    Figure 107127011-A0305-02-0039-25
     其中n、p及q相同或不同且具有值2-10；
    Figure 107127011-A0305-02-0039-26
    Figure 107127011-A0305-02-0039-27
     其中r具有值2-10；
    Figure 107127011-A0305-02-0039-28
     其中s、t及u相同或不同且具有值2-10；基於甲苯二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於亞甲基二苯基二異氰酸酯 之聚異氰酸酯；基於異佛爾酮二異氰酸酯之聚異氰酸酯；基於甲苯二異氰酸酯之預聚物；基於亞甲基二苯基二異氰酸酯之預聚物；基於異佛爾酮二異氰酸酯之預聚物；基於六亞甲基二異氰酸酯之預聚物；及其混合物。
  13. 如請求項12之奈米晶體複合物，其中n、p及q為6，及/或s、t及u為4-6。
  14. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中s、t及u為6。
  15. 如請求項1之奈米晶體複合物，其中該異氰酸酯化合物具有2至3之官能度。
  16. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其包含該複合物之總重量的0.05至7.5重量%之該等奈米晶體。
  17. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其包含該複合物之總重量的0.1至5重量%之該等奈米晶體。
  18. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其包含該複合物之總重量的92.5至99.95重量%之聚合基質。
  19. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其包含該複合物之總重量的95至99.9重量%之聚合基質。
  20. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其中該聚合基質在該聚合基質之總重量的0.01至5重量%之光潛鹼存在下形成。
  21. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其中該聚合基質在該聚合基質之總重量的0.01至3重量%之光潛鹼存在下形成。
  22. 如請求項1至9中任一項之奈米晶體複合物，其中該聚合基質在該聚合基質之總重量的0.01至2重量%之光潛鹼存在下形成。
  23. 一種經固化的如請求項1至22中任一項之奈米晶體複合物。
  24. 一種如請求項1至22中任一項之奈米晶體複合物之用途，係用於製備顯示裝置、發光裝置、光伏打電池、光偵測器、能量轉換裝置、雷射、感測器、熱電裝置、安全油墨、照明裝置及催化或生物醫學應用之產品。
  25. 一種如請求項1至22中任一項之奈米晶體複合物的用途，其用作光致發光之來源。
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