TW201742695A - 卷對卷雷射再流焊裝置及再流焊方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及可照射均勻化的雷射光束，並可簡單調節照射區域，用於提高生產性的卷對卷雷射再流焊方法。本發明實施例提供卷對卷雷射再流焊方法，上述卷對卷雷射再流焊方法包括：步驟a)，使捲繞成卷形態的基板開卷並向一側移送；步驟b)，在上述基板形成焊接部；步驟c)，在上述焊接部放置照射對象器件，在上述基板放置非照射對象器件；步驟d)，向放置有上述照射對象器件的焊接部以面照射方式照射雷射光束而使上述照射對象器件附著於上述基板；步驟e)，對通過上述步驟d)製造的基板結構體進行檢查；以及步驟f)，將上述基板結構體捲繞成卷形態。

Description

卷對卷雷射再流焊裝置及再流焊方法
本發明涉及卷對卷雷射再流焊裝置及再流焊方法。
通常，為了在基板固定半導體器件而實施再流焊工序。批量回流(mass reflow)包括如下工序，即，將附著有焊接物質的基板放置於輸送帶上，並借助輸送帶來使基板經過具有紅外線加熱器(infrared heater)或陶瓷加熱器的加熱空間。紅外線加熱器或陶瓷加熱器設置於輸送帶的上側和下側，藉由向基板上的焊接物質施加熱量來將半導體器件附著於基板。在批量回流工序中，紅外線加熱器或陶瓷加熱器向焊接物質施加熱量來使半導體器件與基板相緊貼的過程最少需要數分鐘左右的時間，因而並不經濟。
最近，使基板和半導體器件相緊貼的基板結構體的厚度變薄，並且使用膜(Film)基板，在一個膜基板附著被動元件、IC元件等半導體器件。在進行批量回流工序期間，會發生膜基板的熱變形(膨脹及損傷)，因而在批量回流工序之後，IC元件很難正常的被焊接在規定的位置。並且，在批量回流工序中，可能在基板的下部面和輸送帶的上部面之間產生氣隙(air gap)。因此，由於從紅外線加熱器施加的熱量的一部分被氣隙所困並殘留在氣隙當中，因此基板會發生熱變形。
韓國公開專利第2012-0037543號中公開了利用雷射模組的再流焊裝置及再流焊方法。根據韓國公開專利第2012-0037543號，利用形成有錫球(Solder Ball)的印刷電路板來對紅外線(IR)燈進行預熱，並向經過預熱的基板照射雷射光束來使錫球熔融。韓國公開專利第2012-0037543號中公開的利用雷射模組的再流焊裝置及再流焊方法無法調節雷射光束照射區域，因此，在一個基板附著被動元件、IC元件等半導體器件的情況下，IC元件會受到熱衝擊，從而會發生不良。
中國公開專利第101533482號中公開了利用雷射來對晶片進行焊接的方法。根據中國公開專利第101533482號，利用雷射，將各向異性導電膜的切割片焊接在基材的凹凸部之後，在基材的凹凸部裝載晶片，之後利用雷射來對晶片和基材進行焊接。但是，中國公開專利第101533482號中完全沒有記載調節雷射光束照射區域的方法。
美國公開專利第2003-0084563中公開了用於運送加工物的上料卷及下料卷的焊接裝置。但是，美國公開專利第2003-0084563號中也未記載調節雷射光束照射區域的方法。
本發明提供一種可通過向基板照射均勻的雷射光束來將照射對象器件焊接在基板的卷對卷雷射再流焊技術。
進一步地，本發明提供一種可根據照射對象器件的形狀及位置調節被均勻化的雷射光束的照射區域的形狀及大小的卷對卷雷射再流焊技術。
本發明的其他目的可經由對以下實施例所進行的說明來易於理解。
為了實現上述技術問題，本發明一實施例的卷對卷雷射再流焊方法包括：步驟a)，使捲繞成卷形態的基板開卷並向一側移送；步驟b)，在基板形成焊接部；步驟c)，在上述焊接部放置照射對象器件，在上述基板放置非照射對象器件；步驟d)，向放置有上述照射對象器件的焊接部以面照射方式照射雷射光束而使上述照射對象器件附著於上述基板；步驟e)，對通過上述步驟d)製造的基板結構體進行檢查；以及步驟f)，將上述基板結構體捲繞成卷形態。
本發明另一實施例的卷對卷雷射再流焊裝置包括：第一卷盤，用於使捲繞成卷形態的基板開卷；移送部，用於對通過上述第一卷盤開卷的基板進行移送；第二卷盤，用於控制上述基板的移動；焊接形成部，用於在上述基板形成焊接部；器件放置部，用於在上述焊接部上放置照射對象器件，在上述基板放置非照射對象器件；光學部，以僅向放置於上述焊接部上的照射對象器件照射均勻化雷射光束的方式調節雷射光束的調節區域；檢查部，用於檢查附著有照射對象器件的基板結構體，上述照射對象器件放置於上述焊接部；以及第三卷盤，用於以卷形態捲繞經過上述檢查部的基板結構體。
本發明的卷對卷雷射再流焊工序可藉由向基板照射均勻化雷射光束而將照射對象器件焊接在基板。
並且，本發明的卷對卷雷射再流焊工序可根據照射對象器件的形狀及位置來簡單調節雷射光束的照射區域的形狀及大小。
並且，本發明的卷對卷雷射再流焊工序可藉由向照射對象器件照射1~2秒鐘的雷射光束而將照射對象器件附著在基板，因此，與以往的批量回流工序相比，縮減了工序時間。
並且，在移送體和基板之間不產生氣隙，因此，可防止基板因所殘留的熱能量而受損。
210‧‧‧基板
211‧‧‧照射對象器件
212‧‧‧非照射對象器件
220a‧‧‧第一卷盤
220b‧‧‧第二卷盤
220c‧‧‧第三卷盤
230‧‧‧移送部
231‧‧‧移送體
232‧‧‧移送模組
233‧‧‧真空模組
234‧‧‧加熱模組
235‧‧‧加熱模組
240‧‧‧加壓緊貼部
241‧‧‧加壓桿
242‧‧‧加壓控制模組
250‧‧‧光束整形器
260‧‧‧光學部
261‧‧‧凸透鏡
262‧‧‧柱面透鏡
263‧‧‧第一柱面透鏡
264‧‧‧第二柱面透鏡
265‧‧‧聚焦透鏡
266‧‧‧升降模組
270‧‧‧溫度測定部
280‧‧‧基板結構體
A1‧‧‧第一照射區域
A2‧‧‧第二照射區域
A3‧‧‧第三照射區域
A4‧‧‧第四照射區域
S‧‧‧焊接部
圖1為本發明一實施例的卷對卷雷射再流焊方法的流程圖。
圖2為示出本發明一實施例的卷對卷雷射再流焊方法的整體工序流程的例示圖。
圖3為示出使放置有照射對象器件及非照射對象器件的基板緊貼於移送體的主要結構的例示圖。
圖4為示出將照射對象器件附著於基板的步驟的流程圖。
圖5為示出將照射對象器件附著於基板的主要結構的例示圖。
圖6及圖7為示出第一柱面透鏡及第二柱面透鏡的例示圖。
參照圖1及圖2，本發明實施例的卷對卷雷射再流焊方法包括使捲繞成卷形態的基板開卷並向一側移送的步驟(步驟S110)。基板210的柔性印刷電路板(FPCB)可呈卷形態。基板210的厚度可以為0.03mm至0.15mm。第一卷盤220a使基板210開卷，借助第一卷盤220a開卷的基板210向第三卷盤220c移送。
在圖1中，在步驟S110之後，卷對卷雷射再流焊方法包括在基板210形成焊接部S的步驟(步驟S120)。焊接部S包括焊球、焊膏等。步驟S120可藉由在基板210上絲網印刷焊膏的步驟來實現。可在圖2的B1區間在基板210上進行絲網印刷。
參照圖1，本發明的卷對卷雷射再流焊方法包括在焊接部S放置照射對象器件211，在基板放置非照射對象器件212的步驟(步驟S140)。照射對象器件211是指藉由照射雷射光束而將要附著於基板210的半導體器件，作為一例，可包括被動元件。非照射對象器件212是指由於可能因雷射光束而發生熱變形，從而以額外的裝置附著於基板210的半導體器件，作為一例，可包括IC元件。IC元件包括觸控IC(Touch IC)、驅動器IC(Driver IC)。照射對象器件211及非照射對象器件212可在圖2的B2區間藉由器件放置部(未圖示)而放置於基板210上。
參照圖1，本發明的卷對卷雷射再流焊方法在步驟S140之前或之後，還可包括使基板210的下部面與用於移送基板210的移送體231的上部面相互緊貼的步驟(步驟S130)。在基板210並未緊貼於移送體231的情況下，可能在基板210的下部面與移送體231的上部面之間存在氣隙。
作為一例，在圖2的B3區間，圖3及圖5所示的第二卷盤220b設置於移送體231的兩側，並用於控制基板210的移動。第二卷盤220b可與後述的移送模組232連動而使基板210移動或停止，使得雷射光束依次照射照射對象器件211。第二卷盤220b可與第一卷盤220a及第三卷盤220c的移動連動而以相同的方式移動。由於基板210在移送體231的兩側被第二卷盤220b所按壓， 因而無法使基板210與移送體231完全相緊貼，而可能在基板210與移送體231之間發生氣隙。若向焊接部S照射雷射光束，則通過基板210的雷射光束的能量中的一部分無法完全通過基板210，而是殘留在氣隙中。基板210可能因殘留的能量而發生熱變形。
在圖1的步驟S130中，基板210以緊貼與移送體231的狀態借助移送部230向雷射光束的照射位置移送。參照圖3，移送部230包括：移送體231，可在上部面放置基板210；以及移送模組232，用於向第二卷盤220b提供動力，使得基板210向一側移動。
移送體231可以指放置有基板210，並向雷射光束的照射位置移送基板210的移送部230的本體。移送部230還可包括以使移送體231的上部面與基板210的下部面相緊貼的方式提供真空壓的真空模組233。真空模組233與移送體231相連接，能夠以基板210的下部面與移送體231相緊貼的方式提供真空壓。移送體231可以由陶瓷(Ceramic)材料形成的多孔真空吸盤(porous vaccum chuck)來實現。由多孔真空吸盤形成的移送體231中存在多個微小裂紋，因此，在移送體231的內部借助真空模組233來處於真空狀態的情況下，移送體231的上部面的空氣可經過移送體231的內部向下部移動。可藉由空氣的流動來使基板210進一步緊貼於移送體231的上部面。
在製造過程中，基板210可能發生彎曲等變形。因此，當基板210放置於移送體231時，發生變形的基板210的下部面中的一部分有可能未完全緊貼於移送體231。加壓緊貼部240可使基板210緊貼於移送體231。加壓緊貼部240包括加壓桿241及 加壓控制模組242。加壓桿241可在移送體231的上部設置有一個以上，加壓桿241可呈向上下方向延伸的柱形狀。加壓桿241的形狀並不局限於一實施例。只要是向基板210的上部面暫時施加壓力來使基板210緊貼於移送體231的形狀，就均可使用。加壓控制模組242可使加壓桿241向水平方向移動，使得加壓桿241位於基板210與移送體231未緊貼的部分的上側。加壓控制模組242與加壓桿241相連接來使加壓桿241向下側移動。加壓控制模組242在使基板210與移送體231相緊貼之後，可使加壓桿241向上側移動。加壓控制模組242可使加壓桿241向未形成焊接部S的基板210的上部面施加壓力。
在基板210的下部面緊貼於移送體231的上部面的狀態下，在向焊接部S照射雷射光束的情況下，由於移送體231與基板210之間不產生氣隙，因此可防止基板210因殘留能量而受損。
移送部230還可包括設置於移送體231的加熱模組234及冷卻模組235。加熱模組234及冷卻模組235可藉由調節移送體231的溫度來有效防止基板210發生熱變形。加熱模組234可以由紅外線加熱器形成，冷卻模組235可以由具有製冷劑的製冷器形成。冷卻模組235也可由熱電(TE)製冷器(Thermoelectric Cooler)形成。
移送模組232以使各個基板210依次位於照射位置的方式移動移送體231。移送模組232能夠以使位於照射位置的基板210在被雷射光束照射的預設時間內停留在照射位置的方式控制第二卷盤220b。
參照圖1及圖5，本發明的卷對卷雷射再流焊方法包 括向放置有照射對象器件211的焊接部S照射四角形雷射光束而使照射對象器件211附著於基板210的步驟(步驟S160)。步驟S160可在圖2的B3區間實施。在圖4中，步驟S160包括使雷射光束的能量均勻化的步驟(步驟S161)。通常，雷射光束具有越遠離照射區域中心，則能量越減少的高斯分佈。因此，在向放置有照射對象器件211的焊接部S照射具有高斯函數分佈的雷射光束的情況下，照射區域的中心部因過度的熱能量而發生熱變形，照射區域的邊緣因再流焊所需的能量不足而可能使照射對象器件221無法固定於基板210。因此，在步驟S161中，可使照射雷射光束的照射區域內的能量變得均勻。以下，對使具有高斯函數分佈的雷射的能量均勻化的方法進行說明。
在本發明中，為了將高斯形態的雷射轉換為具有均勻化能量分佈的光源而使用光束整形器(beam shaper)(圖5的附圖標記250)。有關光束整形器的實施例公開在韓國專利授權號第10-1017848號中。作為一例，光束整形器可包括用於形成光纖維和均勻化的四角形雷射光束的方光管(Square Light Pipe)。
在圖4中，在步驟S161之後，可實施調節雷射光束的照射區域的步驟(步驟S162)。固定於基板210的照射對象器件211的大小及形狀可根據半成品發生變化。除照射對象器件211之外，在基板210還放置有非照射對象器件212，非照射對象器件212可通過雷射的能量易於發生熱變形。因此，在步驟S162中，為了照射與放置於基板210的照射對象器件211的形狀及大小相對應的雷射光束，可調節雷射光束的照射區域。照射區域可以指在向照射對象器件211照射雷射光束時，所要照射雷射光束的面積。以下， 對使用光學部260來調節雷射光束的照射區域的方法進行說明。
參照圖5，光學部260可包括凸透鏡261、柱面透鏡262及聚焦透鏡265。光學部260位於光束整形器250的出口側，當向位於照射對象器件211的焊接部S照射雷射光束時，光學部260可調節照射區域。凸透鏡261能夠以與光束整形器250的出口側相鄰的方式設置，上述光束整形器250用於使雷射光束均勻化，以對進行面照射的雷射光束進行聚光。雷射光束在經過光束整形器250的出口側時可能因散射而分散。因此，凸透鏡261進行聚光，以防止被均勻化的光束散射，並可向柱面透鏡262傳遞經過聚光的雷射光束。以凸透鏡261聚光的雷射光束的照射區域可呈與為了使雷射光束得到均勻化而經過的線圈251的形狀相同的形狀。經過凸透鏡261的雷射光束的照射區域可形成第一照射區域A1。只要是可對從光束整形器250的出口側散射的雷射光束進行聚光的透鏡，則可代替凸透鏡261。
柱面透鏡262包括第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264，柱面透鏡262能夠以使經過凸透鏡261的雷射光束的照射區域具有預設形狀的方式進行調節。第一柱面透鏡263可對經過凸透鏡261的雷射光束的第一軸向長度進行調節。第一柱面透鏡263可呈在使圓柱站立的狀態下，向縱軸方向進行切割的形狀，第一柱面透鏡263設置於凸透鏡261的下部，第一柱面透鏡263的凸面可朝向上側。透過第一柱面透鏡263的雷射光束的照射區域可縮短第一軸向長度。透過第一柱面透鏡263的雷射光束的照射區域因照射區域的第一軸向長度的縮短而可從第一照射區域A1變形為第二照射區域A2。
第二柱面透鏡264可對經過第一柱面透鏡263的雷射光束的第二軸向長度進行調節。第二軸向長度與第一軸向長度相互正交，第二柱面透鏡264可呈與第一柱面透鏡263相同的形狀。第二柱面透鏡264設置於第一柱面透鏡263的下部，並且能夠以使凸面朝向上側，且使其方向與第一柱面透鏡263的方向相正交的方式配置。透過第二柱面透鏡264的雷射光束的照射區域可使第二軸向長度縮短。透過第二柱面透鏡264的雷射光束的照射區域因照射區域的第二軸向長度縮短而可從第二照射區域A2變形為第三照射區域A3。
第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264可簡單調節雷射光束的照射區域的形狀。第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264並不局限於一實施例，只要是可簡單調節雷射光束的照射區域的第一軸向長度及第二軸向長度的結構，就均可包含在一實施例。第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264的凸面可朝向下部，上部面凹陷的透鏡可設置於第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264的位置。雷射光束的照射區域能夠以使第一軸向長度和第二軸向長度增加的方式得到調節。第一柱面透鏡263及第二柱面透鏡264只要可通過調節雷射光束的照射區域的第一軸向長度和第二軸向長度來調節照射區域的橫向及縱向長度，則均可包含於一實施例。
第一柱面透鏡263和第二柱面透鏡264的位置可以互換。即，使透過凸透鏡261的雷射光束在透過第二柱面透鏡264之前先透過第一柱面透鏡263，由此，可在調節照射區域的第二軸向長度之後，調節第一軸向長度。
聚焦透鏡265可使經過柱面透鏡262的雷射光束的照 射區域具有預設寬度。聚焦透鏡265維持由柱面透鏡262所形成之照射區域的形狀，並可增加或減小照射區域的寬度。聚焦透鏡265在通過維持由柱面透鏡262所形成之照射區域的第一軸向長度與第二軸向長度之比來維持形狀的狀態下，可增加或減小照射區域的寬度。可利用聚焦透鏡265對作為透過第二柱面透鏡264的雷射光束照射區域的第三照射區域A3進行放大來具有第四照射區域A4的寬度。聚焦透鏡265也可減小第三照射區域A3的寬度。聚焦透鏡265能夠以可更換的方式設置。
在圖5中，光學部260還包括升降模組266，升降模組266可藉由使第一柱面透鏡263、第二柱面透鏡264及聚焦透鏡265單獨上升或下降來調節雷射光束的照射區域。當藉由使第一柱面透鏡263上升或下降來使第一照射區域A1變形為第二照射區域A2時，升降模組266可調節第一軸向長度。第一柱面透鏡263越上升，第二照射區域A2的第一軸向長度則越大幅度縮短，第一柱面透鏡243越下降，第二照射區域A2的第二軸向長度縮短幅度則越小。當藉由使第二柱面透鏡264上升或下降來使第二照射區域A2變形為第三照射區域A3時，升降模組266可調節第二軸向長度。當藉由使聚焦鏡頭265上升或下降來使第三照射區域A3變形為第四照射區域A4時，升降模組266可調節第四照射區域A4的寬度。基於第二柱面透鏡264的上升或下降而對第二軸向長度進行的調節和基於聚焦鏡頭265的上升或下降而對照射區域的寬度進行的調節與上述第一柱面透鏡263類似。
在圖4中，在步驟S162之後，可實施以雷射光束使位於照射區域內的焊接部S再流焊，從而使照射對象器件211固定 於基板210的步驟(步驟S163)。在步驟S161中均勻化的雷射光束的照射區域在步驟S162中經過光學部260的過程中得到調節，照射區域得到調節的雷射光束在步驟S163中向放置有照射對象器件211的焊接部S照射來固定基板210和照射對象器件211。照射於照射對象器件211的雷射光束經過照射對象器件211和基板210，並使焊接部S再流焊。若焊接部S再流焊，則照射對象器件211附著於基板210，並可使基板210與照射對象器件211電連接。
在本發明的卷對卷雷射再流焊方法中，若向照射對象器件211照射1秒鐘至2秒鐘的雷射光束，則可使照射對象器件211附著於基板210。因而可比以往更加快速地生產出基板結構體280，從而提高生產性。
在以往，需要以分離的方式將照射對象器件211和非照射對象器件212分別附著於各個不同的基板210，並使附著有照射對象器件211的基板和附著有非照射對象器件212的基板相結合，因此存在基板結構體280的厚度變厚，且半成品的厚度也變厚的問題。但是，在本發明的卷對卷雷射再流焊方法中，可在一個基板210上附著照射對象器件211和非照射對象器件212，從而可減小基板結構體280的厚度。
在步驟S163中，可在照射區域內指定一個以上的測定位置。可即時對位於測定位置的焊接部S的溫度進行測定。作為一例，可藉由位於移送部230的上部的溫度測定部270來即時測定焊接部S的溫度，溫度測定部270可由紅外線攝像機或熱感攝像機等形成。溫度測定部270能夠以使位於測定位置的焊接部S維持預設正常溫度範圍的方式控制雷射光束的能量照射強度。在位於測定 位置的焊接部S的溫度脫離預設正常溫度範圍的情況下，可通過向使用人員通知發生不良來降低半成品的不良率。
圖1中，在步驟S160之前或之後，還可實施將非照射對象器件212附著於基板210的步驟(步驟S150)。在以往的批量回流工序中，在將非照射對象器件212附著於基板210的狀態下向基板210照射雷射光束的情況下，存在非照射對象器件212發生熱變形的問題。並且，在將照射對象器件211附著於基板210之後附著非照射對象器件212的情況下，因在基板210發生的熱變形而存在非照射對象器件212在尚未具有最佳間距的狀態下附著於基板210的問題。但是，本發明的卷對卷雷射再流焊方法可以僅向照射對象器件211所在的部分照射雷射光束，因此，即使在向照射對象器件211照射雷射光束之前或之後的任何時點在基板210附著非照射對象器件212，也不會發生不良。因此，根據情況，在步驟S160之前或之後，步驟S150可通過額外的焊接裝置(未圖示)進行。並且，當照射對象器件211附著於基板210時，非照射對象器件212可同時附著於基板210。
在圖1中，本發明可實施對通過步驟S160製造的基板結構體280進行檢查的步驟(步驟S170)。基板結構體280包括基板210和附著於基板210的照射對象器件211及非照射對象器件212。當基板結構體280被雷射光束照射時，可檢查是否發生熱變形，也可檢查附著於基板結構體280的照射對象器件211及非照射對象器件212是否附著於規定位置。並且，可對判斷為發生不良的基板結構體280進行標記。被標記的基板結構體280可在之後的後續工序中排除。
在圖1中，在步驟S170之後，本發明可包括將基板結構體280捲繞成卷形態的步驟(步驟S180)。第三卷盤220c設置於圖2的B4區間的下側，第三卷盤220c可將基板結構體280捲繞成卷形態。本發明的卷對卷雷射再流焊方法從第一卷盤220a至第三卷盤220c連續執行各個步驟，最終使基板結構體280呈卷形態，從而在縮短工序時間且便於運送方面非常經濟。
(產業上之可利用性)
本說明書的技術可用於雷射再流焊裝置。
210‧‧‧基板
211‧‧‧照射對象器件
212‧‧‧非照射對象器件
220b‧‧‧第二卷盤
230‧‧‧移送部
231‧‧‧移送體
250‧‧‧光束整形器
260‧‧‧光學部
261‧‧‧凸透鏡
262‧‧‧柱面透鏡
263‧‧‧第一柱面透鏡
264‧‧‧第二柱面透鏡
265‧‧‧聚焦透鏡
266‧‧‧升降模組
270‧‧‧溫度測定部
A1‧‧‧第一照射區域
A2‧‧‧第二照射區域
A3‧‧‧第三照射區域
A4‧‧‧第四照射區域
S‧‧‧焊接部

Claims (13)

  1. 一種卷對卷雷射再流焊方法，其中，包括：步驟a)，使捲繞成卷形態的基板開卷並向一側移送；步驟b)，在上述基板形成焊接部；步驟c)，在上述焊接部上放置照射對象器件，在上述基板上放置非照射對象器件；步驟d)，向放置有上述照射對象器件的焊接部以面照射方式照射雷射光束而使上述照射對象器件附著於上述基板；步驟e)，對通過上述步驟d)製造的基板結構體進行檢查；以及步驟f)，將上述基板結構體捲繞成卷形態。
  2. 如請求項1之卷對卷雷射再流焊方法，其中，上述步驟b)係藉由在上述基板上絲網印刷焊膏來在基板形成焊接部的步驟。
  3. 如請求項1之卷對卷雷射再流焊方法，其中，在上述步驟c)之前或之後，還包括使上述基板的下部面與用於移送上述基板的移送體的上部面相互緊貼的步驟。
  4. 如請求項3之卷對卷雷射再流焊方法，其中，上述使上述基板的下部面與用於移送上述基板的移送體的上部面相互緊貼的步驟還包括向上述基板的上部面暫時施加壓力，使得上述基板與上述移送體相互緊貼的步驟。
  5. 如請求項1之卷對卷雷射再流焊方法，其中，在上述步驟d)之前或之後，還包括將上述非照射對象器件附著在上述基板的步驟。
  6. 如請求項1之卷對卷雷射再流焊方法，其中，上述步驟d)包括： 步驟d1)，使上述雷射光束的能量均勻化；步驟d2)，調節上述雷射光束的照射區域；以及步驟d3)，藉由上述雷射光束，使位於上述照射區域內的上述焊接部再流焊而使上述照射對象器件固定在上述基板。
  7. 一種卷對卷雷射再流焊裝置，其中，包括：第一卷盤，用於使捲繞成卷形態的基板開卷；移送部，用於對通過上述第一卷盤開卷的基板進行移送；第二卷盤，用於控制上述基板的移動；焊接形成部，用於在上述基板形成焊接部；器件放置部，用於在上述焊接部上放置照射對象器件，在上述基板放置非照射對象器件；光學部，以僅向放置於上述焊接部上的照射對象器件照射均勻化雷射光束的方式調節雷射光束的調節區域；檢查部，用於檢查附著有照射對象器件的基板結構體，上述照射對象器件放置於上述焊接部；以及第三卷盤，用於以卷形態捲繞經過上述檢查部的基板結構體。
  8. 如請求項7之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，上述移送部包括：移送體，放置有上述基板；移送模組，用於向上述第二卷盤提供動力，使得上述基板向一側移動；以及真空模組，以使上述基板的下部面緊貼於上述移送體的上部面的方式提供真空壓。
  9. 如請求項8之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，上述移送部還包括用於調節上述移送體的溫度的加熱模組和冷卻模組。
  10. 如請求項7之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，還包括以使上述基板緊貼於移送部的方式施加壓力的加壓緊貼部。
  11. 如請求項10之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，上述加壓緊貼部包括：加壓桿，設置於上述移送體的上部；以及加壓控制模組，以使上述加壓桿向上、下、左、右方向移動的方式進行控制。
  12. 如請求項7之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，上述焊接形成部由用於在上述基板絲網印刷焊膏的絲網印刷機形成。
  13. 如請求項7之卷對卷雷射再流焊裝置，其中，上述光學部包括：光束整形器，用於使從雷射部照射的高斯形態的雷射轉換為具有均勻化的能量分佈的面光源；凸透鏡，用於對從上述光束整形器輸出的雷射光束進行聚光；第一柱面透鏡，用於對經過上述凸透鏡的雷射光束的第一軸向長度進行調節；第二柱面透鏡，用於對經過上述第一柱面透鏡的雷射光束的第二軸向長度進行調節；聚焦透鏡，用於使經過上述第二柱面透鏡的雷射光束的照射區域具有預設寬度；升降模組，藉由使上述第一柱面透鏡、第二柱面透鏡和聚焦透鏡單獨上升或下降來調節雷射光束的照射區域。
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