TW201742129A - 加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明應解決的課題為提供一種可以在不將加工設備做成大型化，又不使分割成一個個的器件之抗折強度降低的情況下，有效率地施行加工之加工裝置。解決手段為根據本發明提供一種加工裝置，其至少由下述所構成：保持設備，具有保持晶圓的保持面；腔室，收容該保持設備且與該保持面相向而形成有透光性遮蔽窗；雷射光線照射設備，通過該透光性遮蔽窗來對保持於該保持設備之晶圓照射雷射光線；移動設備，將從該雷射光線照射設備照射之雷射光線與該保持設備相對地移動；蝕刻氣體供給設備，將可藉由雷射光線的照射而被激發之對分割預定線進行蝕刻之蝕刻氣體，供給至該腔室內；及排出設備，從該腔室內排出蝕刻完畢氣體。

Description

加工裝置
發明領域 本發明是有關於一種對晶圓的表面照射雷射光線來蝕刻分割預定線之加工裝置。
發明背景 於以分割預定線所劃分之正面形成有IC、LSI等複數個器件之晶圓，可藉由具備可旋轉之切削刀來對分割預定線進行切削之切割裝置、對分割預定線施行燒蝕加工、或內部加工來沿著分割預定線進行分割之雷射加工裝置等，而被分割成一個個器件並利用於行動電話、個人電腦等電器機器上。
然而，已知的是，在藉由上述切割裝置、雷射加工裝置所進行之加工上，會由於在分割為一個個的器件的外周產生應變，且該加工所造成的應變殘留於外周之情形，因而有導致器件的抗折強度下降之問題，並使對於藉由上述加工裝置而分割成的一個個器件的外周施行蝕刻而將該殘留應變去除等的處理變得必要(例如，參照專利文獻1)。
又，為了回避於使用上述加工裝置進行加工之時器件的抗折強度降低之情形，雖然也有藉由電漿蝕刻將晶圓分割為一個個器件之技術之方案被提出(例如，參照專利文獻2)，但為了藉由電漿蝕刻來沿著分割預定線進行分割，變得必須在晶圓的正面被覆防護膜，並進行將分割預定線曝光來去除之步驟，不僅加工設備變得大型化，還有導致加工效率低落之問題。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-105211號公報 專利文獻2：日本專利特開2002-093749號公報
發明概要 發明欲解決之課題 本發明是有鑒於上述事實而作成的發明，其主要的技術課題為提供一種可以在不使加工設備大型化，又不降低已分割成一個的器件之抗折強度的情況下，有效率地施行加工之加工裝置。 用以解決課題之手段
為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種加工裝置，其為將以分割預定線劃分而於正面形成有複數個器件之晶圓分割成一個個的器件之加工裝置，且至少由下述所構成：保持設備，具有保持晶圓的保持面；腔室，收容該保持設備且與該保持面相向而形成有透光性遮蔽窗；雷射光線照射設備，通過該透光性遮蔽窗來對保持於該保持設備之晶圓照射雷射光線；移動設備，將從該雷射光線照射設備照射之雷射光線與該保持設備相對地移動；蝕刻氣體供給設備，將可藉由雷射光線的照射而被激發之對分割預定線進行蝕刻之蝕刻氣體，供給至該腔室內；及排出設備，從該腔室內排出蝕刻完畢氣體。
較理想的是，該蝕刻氣體供給設備是構成為可供給對應於積層於分割預定線之素材的種類之2種以上的蝕刻氣體。 發明效果
關於本發明之加工裝置，是至少由下述所構成：具有保持晶圓之保持面的保持設備、收容該保持設備且與該保持面相向而形成有透光性遮蔽窗之腔室、通過該透光性遮蔽窗對保持於該保持設備之晶圓照射雷射光線之雷射光線照射設備、將從該雷射光線照射設備照射之雷射光線與該保持設備相對地移動之移動設備、將可藉由雷射光線的照射而被激發之對分割預定線進行蝕刻之蝕刻氣體供給到該腔室內的蝕刻氣體供給設備、與從該腔室內排出蝕刻完畢氣體之排出設備；藉此，在藉由相對於晶圓的雷射光線的照射而施行蝕刻之時，不需要設置對晶圓表面被覆防護膜、進行曝光等行程，因而可以在不使加工效率降低的情形下分割成一個個的器件，並且可以得到抗折強度優異的器件。
又，只要將該蝕刻氣體供給設備構成為可供給對應於積層於分割預定線之素材的種類之2種以上的蝕刻氣體，就可以藉由同時供給對應於晶圓上的複數種素材之蝕刻氣體，並且照射雷射光線的方式，謀求加工效率的進一步提升。
用以實施發明之形態 以下，將參照附加之圖式，針對依照本發明所構成之加工裝置的較佳的實施形態，更詳細地進行說明。
於圖1中所示為以本發明所提供之加工裝置，且為了方便說明，是將構成該加工裝置1的一部分之覆蓋靜止基台2上的保持設備的上方之腔室7分離來顯示。
圖1所示之雷射加工裝置1具備有：靜止基台2、可於該靜止基台2上在箭頭X所示之X軸方向上及箭頭Y所示之Y軸方向上移動地配設且作為保持被加工物之保持設備的保持台機構3、以及配設於靜止基台2上且具備有雷射光線照射設備5之雷射光線照射單元4。
上述保持台機構3具備：在靜止基台2上沿著X軸方向平行地配設的一對導軌31、31、可在該導軌31、31上於X軸方向上移動地配設的第1滑塊32、可在該第1滑塊32上於與X軸方向正交之箭頭Y所示之Y軸方向上移動地配設的第2滑塊33、及在該第2滑塊33上藉由由圓筒形狀構成且於內部具備脈衝馬達之圓筒構件34而可旋轉地被支撐的支撐台35，於該支撐台35上具備工作夾台36，且於該工作夾台36上載置有作為被加工物之於正面形成有器件之半導體晶圓10。
該工作夾台36具備有由多孔性材料所形成之吸附夾頭361，並形成為可藉由圖未示之吸引設備的作用將作為被加工物之圓形的半導體晶圓10保持在吸附夾頭361的為上表面之保持面上。如此所構成的工作夾台36是藉由配設於圓筒構件34內的脈衝馬達而使其可調整地旋轉至所期望的角度。再者，於工作夾台36上配設有用於將透過保護膠帶T支撐半導體晶圓10之環狀的框架F(參照圖4)固定的夾具362。
上述第1滑塊32，於下表面設有與上述一對導軌31、31嵌合的一對被導引溝321、321，並且設置有於上表面沿Y軸方向平行地形成的一對導軌322、322。如此所構成的第1滑塊32是藉由將被導引溝321、321嵌合於一對導軌31、31，而構成為可沿一對導軌31、31在X軸方向上移動。圖示之保持台機構3具備有構成使第1滑塊32沿一對導軌31、31在X軸方向上移動之設備的X軸方向移動設備37。X軸方向移動設備37包含有在上述一對導軌31和31之間平行地配設的公螺桿371、和用於旋轉驅動該公螺桿371之脈衝馬達372等驅動源。公螺桿371，其一端受到固定於上述靜止基台2之軸承塊373支撐成旋轉自如，其另一端則被上述脈衝馬達372的輸出軸傳動連結。再者，是將公螺桿371螺合於突出於第1滑塊32之中央部下表面而設置之圖未示的母螺塊上所形成之貫通螺孔中。因此，藉由以脈衝馬達372將公螺桿371正轉及逆轉驅動，可使第1滑塊32沿導軌31、31在X軸方向上移動。
上述第2滑塊33，於下表面設置有可與設置於上述第1滑塊32之上表面的一對導軌322、322嵌合的一對被導引溝331、331，並藉由將此被引導溝331、331嵌合於一對導軌322、322，而構成為可在與上述X軸正交之Y軸方向上移動。圖示之保持台機構3具備有構成使其往Y軸方向移動之設備的Y軸方向移動設備38，該Y軸方向移動設備38是用於使第2滑塊33沿設置於第1滑塊32上之一對導軌322、322移動。Y軸方向移動設備38包含有在上述一對導軌322、322之間平行地配設的公螺桿381、和用於旋轉驅動該公螺桿381之脈衝馬達382等驅動源。公螺桿381為一端受到固定於上述第1滑塊32的上表面之軸承塊383支撐成旋轉自如，另一端則被上述脈衝馬達382的輸出軸傳動連結。再者，公螺桿381是藉由使螺合在突出於第2滑塊33之中央下表面而設置之圖未示的母螺塊上所形成之貫通螺孔中的公螺桿381正轉及逆轉，以使第2滑塊33可沿導軌322、322在Y軸方向上移動。
上述第1滑塊32、第2滑塊33分別具備有圖未示之檢測X軸方向位置之X軸方向位置檢測設備、檢測Y軸方向位置之Y軸方向位置檢測設備，並藉由圖未示之控制設備，根據所檢測出之各第1、第2滑塊之位置，對上述各驅動源發送驅動訊號，而變得可將工作夾台36控制到所期望之位置。
上述雷射光線照射單元4具備有配設於上述靜止基台2上之支撐構件41、被該支撐構件41所支撐之實質上水平延伸之套殼42、配於該套殼42內之雷射光線照射設備5、以及配設於該套殼42之前端部且用於檢測應雷射加工之加工區域並實施校準的校準設備6。
校準設備6具備照明被加工物的照明設備、捕捉以該照明設備所照明的區域的光學系統、以及拍攝以該光學系統所捕捉到的影像之攝像元件(CCD)等，並將所拍攝到的圖像訊號傳送至圖未示的控制設備。
上述雷射光線照射設備5，如圖2所示，為了可輸出不同波長之雷射光線，而具備有第1雷射光線照射設備53與第2雷射光線照射設備54。第1雷射光線照射設備53是藉由下述設備所構成：振盪產生紅外光之波長的雷射光線的第1雷射光線振盪設備531、調整從該第1雷射光振盪設備531所振盪產生之雷射光線的輸出之第1輸出調整設備532、與將從第1雷射光線振盪設備531所振盪產生之雷射光線LB1朝向工作夾台36上的被加工物並聚光之第1聚光設備51a。又，第2雷射光線照射設備54是藉由下述設備所構成：振盪產生紫外光之波長的雷射光線的第2雷射光線振盪設備541、調整從該第2雷射光振盪設備所振盪產生之雷射光線的輸出之第2輸出調整設備542、與將從第2雷射光線振盪設備541所振盪產生之雷射光線LB2朝向工作夾台36上的被加工物並聚光之第2聚光設備51b。並且，藉由該第1聚光設備51a、第2聚光設備51b及反射鏡51c而構成聚光器51。以該雷射光線照射設備5照射之該雷射光線的聚光點位置Pa，是控制為可相對於保持台之為上表面之保持面調整至所期望的位置。
本實施形態中的雷射加工裝置1具備有圖未示之控制設備，該控制設備是由電腦所構成，並具備有依照控制程式進行演算處理之中央處理裝置(CPU)、可儲存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)、可將演算結果等隨時保存之可讀寫的隨機存取記憶體(RAM)、輸入介面與輸出介面。對該控制設備的該輸入介面除了可輸入來自上述校準設備6的檢測訊號之外，還可輸入圖未示之來自檢測第1滑塊32的X軸方向位置之X軸方向位置檢測設備、與檢測第2滑塊33的Y軸方向位置之Y軸方向位置檢測設備之位置訊號等。並且，可從該輸出介面將訊號輸出至內置於圓筒構件34之脈衝馬達、X軸方向移動設備37、Y軸方向移動設備38、雷射光線照射設備5、校準設備6等。
如圖1所示，本實施形態的雷射加工裝置具備有用於覆蓋包含作為保持設備之保持台機構3之區域整體的腔室7。該腔室7是在做成箱型形狀，且設置於靜止基台2上的情況下，構成為使透光性遮蔽窗71位於照射雷射光線以實施蝕刻加工之加工區域位置的上方。再者，作為該透光性遮蔽窗71而採用的有光透過度優異之石英玻璃。又，於相對於保持台機構3的工作夾台36上進行半導體晶圓10的搬出搬入之搬出搬入區域的上方配設有搬出搬入門72。
圖3中所示為已將該腔室7載置於本實施形態中的雷射加工裝置1之狀態。該腔室7是構成為將上述之保持台機構3、及用於移動該保持台機構3的工作夾台36之X軸方向移動設備37、Y軸方向移動設備38、及導軌31、31等，在加工之時保持台機構3移動之整體區域由外部完全地遮蔽，並藉由圖未示的閂扣(例如，所謂的搭扣)而相對於靜止基台2固定。又，於腔室7的加工區域側的側壁上，配設有導入蝕刻氣體用之供給口73，在與設置有該供給口73之該側壁相向之搬出搬入區域側的側壁上，配設有用於排出蝕刻完畢氣體之排出口74。
如圖3所示，於該腔室7的供給口73透過配管而連接有氯氣(Cl2 )貯氣瓶81、鹽酸(HCl)貯氣瓶82，於該配管上配設有可藉由圖未示的控制設備調整其開度之調量閥91、92。又，在該調量閥91、92與供給口73之間，連接有大氣導入用的配管，於該大氣導入用的配管上配設有藉由控制設備進行之可調整開度的調量閥93、及作用成不使氣體從腔室7朝向大氣開放口的方向流動之逆止閥94。又，於排出口74上透過配管而連接有廢棄槽83，且該配管上配設有用於將腔室7內的蝕刻完畢氣體吸引並加壓到該廢棄槽儲存之吸引幫浦84、及遮斷廢棄槽83與該配管之流通的開關閥95。再者，於該吸引幫浦84的下游側亦可設置有逆止閥以免所吸引的氣體逆流。
本實施形態的雷射加工裝置大致是如以上所述地被構成，以下將說明其作用。
於圖4中所示為實施以雷射光線進行的蝕刻之狀態的半導体晶圓10。在本實施形態中，作為被加工物之該半導體晶圓10，是在由矽(Si)所構成的基板的表面上將複數條分割預定線11形成為格子狀，並且在以該複數條分割預定線11所劃分出的複數個區域中形成器件12，如在局部放大圖所示地，沿著分割預定線11配設有複數個用來測試器件之特性之由銅(Cu)所構成之測試元件群組(TEG)13，並且於該半導體晶圓10的整個正面上被覆有作為用於保護各器件之保護膜的二氧化矽(SiO2 )膜。再者，在圖4中雖然是省略的，但是會在雷射光線照射設備5的聚光器51、與半導體晶圓10之間配設上述之腔室7的透光性遮蔽窗71。
針對在本實施形態中沿著上述半導體晶圓10的分割預定線11照射雷射光線並且施行蝕刻之方法作說明。
首先，在開始加工之前，開啟搬出搬入門72，並將透過保護膠帶T被保持於框架F之半導體晶圓10載置於工作夾台36的保持面上。然後，作動圖未示的吸引設備，而隔著保護膠帶T將半導體晶圓10吸引保持於工作夾台36。然後，將裝設有貼附半導體晶圓10之保護膠帶T之環狀的框架F以夾具362固定。只要將半導體晶圓10固定於工作夾台36上，即可將搬出搬入門72關閉，並藉由圖未示的鎖定設備鎖上，而將腔室7內的空間與外界完全地遮斷。
吸引保持有半導體晶圓10之工作夾台36，在藉由X軸方向移動設備37朝校準設備6的下方移動，而將工作夾台36定位於校準設備6的正下方時，會執行校準步驟，該校準步驟是藉由校準設備6及控制設備進行應實施半導體晶圓10之蝕刻的加工區域、與雷射光線照射設備5的聚光器51之對位。若實施校準步驟後，即可實施以雷射光線的照射進行的蝕刻。
如上述，半導體晶圓10會於形成在矽(Si)基板的表面之分割預定線11上設置由銅(Cu)所構成的TEG13，並將該基板的表面以二氧化矽(SiO2 )膜被覆。因此，當將該半導體晶圓10沿著分割預定線11照射雷射光線而進行蝕刻時，必須分別蝕刻矽(Si)、銅(Cu)、二氧化矽(SiO2 )。再者，所謂藉由雷射光線的照射進行的蝕刻，指的是在照射雷射光線之聚光點Pa的位置上，供給作為反應氣體之蝕刻氣體，而在所照射之雷射光線的聚光點Pa上將Si、Cu、SiO2 激發，而蝕刻半導體晶圓10上的該聚光點位置之情形。於此，在照射雷射光線並進行蝕刻的情況下，必須供給因應進行蝕刻之對象的素材的適當的蝕刻氣體，並且因應蝕刻對象之素材與蝕刻氣體的組合，而存在使其良好地產生激發的雷射光線(以下，亦稱為「激發雷射光線」)之波長範圍。
以下，示出在本實施形態中作為蝕刻對象之素材、對應於其之蝕刻氣體、激發雷射光線、及藉由蝕刻程序而產生之蝕刻完畢氣體。 素材 ：蝕刻氣體＋激發雷射波長範圍：蝕刻完畢氣體 SiO2 ：HCl＋紅外光 ：SiCl4 ＋H2 O Cu ：Cl2 ＋紫外光 ：CuCl2 Si ：Cl2 ＋紫外光 ：SiCl4
如可由以上理解的，藉由以雷射光線進行的蝕刻來分割本實施形態的半導體晶圓10的情況下，只要供給2種(HCl、Cl2 )蝕刻氣體，並照射對應於其之紅外光波長範圍的雷射光線、及紫外光波長範圍的雷射光線即可。
在本實施形態中，於實施上述已說明之蝕刻時，首先，是藉由控制設備將調量閥91、92打開，將作為蝕刻氣體之氯氣、鹽酸氣體導入至腔室7內。若已將預定量的該氯氣、鹽酸氣體導入至腔室7內之後，即可使保持半導體晶圓10的工作夾台36移動至雷射光線照射設備5的聚光器51的下方之加工區域，並且將聚光點Pa定位於半導體晶圓10的分割預定線11的端部。
然後，將半導體晶圓10加工進給，並且使雷射光照射設備5作動，以隔著透光遮蔽窗71對半導體晶圓10進行雷射光線的照射。在此，如上述，本實施形態的雷射光線照射設備5具備有照射紅外光之波長的雷射光線的第1雷射光線照射設備53、照射紫外光之波長的雷射光之第2雷射光線照射設備54，又，由於具備有如圖2所示之第1、第2聚光設備51a、51b，所以可以在加工進給半導體晶圓10時，同時照射二種雷射光線，使藉由對分割預定線11的一次的照射來同時對構成半導體晶圓10的基板的Si、構成TEG13的Cu、及作為保護膜而形成的SiO2 的全部均進行蝕刻之作法可行，且可以沿著分割預定線11分割半導體晶圓10。
再者，上述雷射光線的照射條件是設定為例如以下之形式。 ＜第1雷射光線(紅外光)＞ 雷射光線 ：CO2 雷射(CW、或脈衝雷射) 波長 ：10000nm 平均輸出 ：0.5W 進給速度 ：100mm/秒 ＜第2雷射光線(紫外光)＞ 雷射光線 ：YAG雷射(CW、或脈衝雷射) 波長 ：355nm 平均輸出 ：0.5W 進給速度 ：100mm/秒
又，如上述，因為執行以照射雷射光線進行的蝕刻的情況下，會產生蝕刻完畢氣體，所以若蝕刻開始之後，會以吸引幫浦84從排出口74吸引腔室7內的完畢氣體，並儲存到廢棄槽內83。又，由於會藉由執行該蝕刻而減少腔室7內的蝕刻氣體，為了補充減少的量，會調整調量閥91、92，而控制成供給新的蝕刻氣體。
藉由使X軸方向移動設備37、Y軸方向移動設備38作動，並將上述雷射光線LB1、LB2對所有的分割預定線11進行照射，以完成蝕刻，並在保護膠帶T上，將半導體晶圓10分割成一個個的器件。當完成該分割步驟後，會在仍原樣繼續進行幫浦84的作動的狀態下，關閉調量閥91、92，而停止蝕刻氣體的供給，並且將大氣導入用的調量閥93逐漸地打開。藉此，可將蝕刻氣體及蝕刻完畢氣體在不逸漏到腔室7的外部的情形下儲存於廢棄槽83，並將腔室7內的空間由蝕刻氣體替換成大氣，而完成蝕刻步驟。
當完成蝕刻步驟後，將大氣導入用的調量閥93關閉，且停止吸引幫浦84並且將開關閥95關閉。其後，在確認腔室7內的空間已替換成大氣後，將搬出搬入門72開放，取出保持於工作夾台36上之已分割成一個個的器件的半導體晶圓10，並搬送至從保護膠帶T將已分割成一個個的器件取出的拾取步驟。
再者，在本實施形態中，雖然藉由同時供給2種蝕刻氣體，並同時照射2種波長的雷射光線之作法，來藉由一次的掃描將半導體晶圓10蝕刻並分割為一個個的器件，但本發明並不限定於此。例如，將對應於分割預定線11上的素材之蝕刻氣體按種類逐一地供給，並將使該Si、Cu、SiO2 等激發之波長的雷射光線按種類逐一地照射，而將對分割預定線11的蝕刻分成複數次來進行亦可。
在本實施形態中，雖然為了將作為保護半導體基板的表面的氧化膜而形成之SiO2 膜蝕刻，而將HCl作為蝕刻氣體來供給，並照射紅外光的雷射光線來進行蝕刻，但並不限定於此。在藉由照射雷射光線來進行蝕刻的情況下，會使可依照素材的溫度條件來施行蝕刻之蝕刻氣體變化。例如，由於若對分割預定線11上的SiO2 膜以其他雷射光線的照射等進行加熱的話，則即使作為蝕刻氣體而供給Cl2 ，也可以激發SiO2 ，因此，在該情況下，僅需供給Cl2 之1種蝕刻氣體，即可將構成半導體晶圓10的SiO2 、Cu、Si的全部，藉由以該雷射光線的照射所進行的蝕刻而去除。
再者，在本實施形態中，雖然是以藉由Si、Cu、SiO2 構成半導體晶圓10的分割預定線之情形為前提來設定蝕刻條件，但本發明並不限定於此，並可以因應被蝕刻之地點的晶圓的素材，而適宜選擇導入腔室內的蝕刻氣體、照射之雷射光線的照射條件。又，雷射光線照射設備的具體的構成亦不限定為本實施形態，也可應用習知的雷射光線照射設備。
1‧‧‧加工裝置
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧保持台機構
4‧‧‧雷射光線照射單元
5‧‧‧雷射光線照射設備
6‧‧‧校準設備
7‧‧‧腔室
10‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧分割預定線
12‧‧‧器件
13‧‧‧測試元件群組(TEG)
31、322‧‧‧導軌
32‧‧‧第1滑塊
321、331‧‧‧被導引溝
33‧‧‧第2滑塊
34‧‧‧圓筒構件
35‧‧‧支撐台
36‧‧‧工作夾台
361‧‧‧吸附夾頭
362‧‧‧夾具
37‧‧‧X軸方向移動設備
371、381‧‧‧公螺桿
372、382‧‧‧脈衝馬達
373、383‧‧‧軸承塊
38‧‧‧Y軸方向移動設備
41‧‧‧支撐構件
42‧‧‧套殼
51‧‧‧聚光器
51a‧‧‧第1聚光設備
51b‧‧‧第2聚光設備
51c‧‧‧聚光器
53‧‧‧第1雷射光線照射設備
531‧‧‧第1雷射光線振盪設備
532‧‧‧第1輸出調整設備
54‧‧‧第2雷射光線照射設備
541‧‧‧第2雷射光線振盪設備
542‧‧‧第2輸出調整設備
71‧‧‧透光性遮蔽窗
72‧‧‧搬出搬入門
73‧‧‧供給口
74‧‧‧排出口
81‧‧‧氯氣(Cl2)貯氣瓶
82‧‧‧鹽酸(HCl)貯氣瓶
83‧‧‧廢棄槽
84‧‧‧吸引幫浦
91、92、93‧‧‧調量閥
94‧‧‧逆止閥
95‧‧‧開關閥
F‧‧‧框架
LB1、LB2‧‧‧雷射光線
Pa‧‧‧聚光位置
T‧‧‧保護膠帶
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是用於說明藉由本發明所構成之加工裝置的構成之分解立體圖。 圖2為裝備於圖1之加工裝置的雷射光線照射設備的方塊構成圖。 圖3是圖1所示之加工裝置的整體立體圖。 圖4是用於說明以圖3所示之加工裝置來加工被加工物之情形的說明圖。
1‧‧‧加工裝置
2‧‧‧靜止基台
4‧‧‧雷射光線照射單元
5‧‧‧雷射光線照射設備
6‧‧‧校準設備
7‧‧‧腔室
41‧‧‧支撐構件
51‧‧‧聚光器
71‧‧‧透光性遮蔽窗
73‧‧‧供給口
74‧‧‧排出口
81‧‧‧氯氣(Cl2)貯氣瓶
82‧‧‧鹽酸(HCl)貯氣瓶
83‧‧‧廢棄槽
84‧‧‧吸引幫浦
91、92、93‧‧‧調量閥
95‧‧‧開關閥

Claims (2)

  1. 一種加工裝置，為將以分割預定線劃分而於正面形成有複數個器件之晶圓分割成一個個的器件之加工裝置，其至少由下述所構成： 保持設備，具有保持晶圓的保持面； 腔室，收容該保持設備且與該保持面相向而形成有透光性遮蔽窗； 雷射光線照射設備，通過該透光性遮蔽窗來對保持於該保持設備之晶圓照射雷射光線； 移動設備，將從該雷射光線照射設備照射之雷射光線與該保持設備相對地移動； 蝕刻氣體供給設備，將可藉由雷射光線的照射而被激發之對分割預定線進行蝕刻之蝕刻氣體，供給至該腔室內；及 排出設備，從該腔室內排出蝕刻完畢氣體。
  2. 如請求項1的加工裝置，其中，該蝕刻氣體供給設備是構成為可供給對應於積層於分割預定線之素材的種類之2種以上的蝕刻氣體。
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