TW201740557A - 光電裝置、電子機器 - Google Patents

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Abstract

本發明之光電裝置具備：元件基板，其包含呈矩陣狀排列有複數個發光元件之顯示區域、及於上述顯示區域之外側配置有安裝端子之端子區域；保護基板，其與上述元件基板之上述複數個發光元件側對向；及接合基板，其與上述元件基板之端子區域接合，且具有連接端子。於上述元件基板之上述端子區域，亦形成有密封上述複數個發光元件之密封膜。上述安裝端子連接於上述連接端子。於上述光電裝置中，存在上述密封膜被除去且與上述接合基板接合之部分。

Description

光電裝置、電子機器
本發明係關於一種光電裝置、電子機器。
作為光電裝置之一例，提出有一種有機電致發光(EL:Electro Luminescence)裝置，其於元件基板之顯示區域呈矩陣狀配置有使用有機EL元件之像素(例如，參照專利文獻1)。 具體而言，於專利文獻1中，揭示有一種頂部發光構造之有機EL裝置，其具有依序積層有反射層、第1電極(像素電極)、發光層及第2電極(對向電極)之有機EL元件。 然而，於專利文獻1所記述之有機EL裝置中，於顯示區域外側之周邊區域，排列有包含用以安裝資料線驅動電路或掃描線驅動電路等之安裝端子、及外部連接用端子等之複數個端子。該等端子具有積層有與上述反射層於同一製程中成膜之鋁(Al)等反射導電材料、及與第1電極於同一製程中成膜之氧化銦錫(ITO:Indium Tin Oxide)等透明導電材料之構造。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-089803號公報
[發明所欲解決之問題] 於專利文獻1中，於藉由密封膜密封發光元件且於該密封膜之上表面形成有濾光片之所謂頂部發光方式之OCCF(On-chip Collor Filter:晶載彩色濾光片)構造中，將彩色濾光片或絕緣層用作遮罩，而進行安裝端子上之密封膜之蝕刻。於該情形時，若過度蝕刻跨及複數個安裝端子之區域，則安裝端子之側面等會被蝕刻，而有可能使位於安裝端子之下層之反射電極(Al膜)露出。另一方面，於針對每個安裝端子逐一進行密封膜之蝕刻之情形時，存在於密封膜與下層之絕緣膜之界面於安裝外部連接基板後產生剝離之情形。 本發明係鑒於上述先前技術之問題點而完成者，其目的之一在於提供一種可防止於密封膜與下層之絕緣膜之界面產生背離，且可提高外部連接基板之接合強度之光電裝置、電子機器。 [解決問題之技術手段] 本發明之光電裝置之一態樣具備：元件基板，其包含呈矩陣狀排列有複數個發光元件之顯示區域、及於上述顯示區域之外側配置有複數個安裝端子之端子區域；保護基板，其與上述元件基板之上述複數個發光元件側對向；及外部連接基板，其與上述元件基板之端子區域接合；且於上述元件基板之上述端子區域，亦形成有密封上述複數個發光元件之密封膜，各安裝端子之至少一部分自上述密封膜露出，於上述端子區域中與上述外部連接基板對向之區域，除上述安裝端子之上以外亦存在無上述密封膜之部分。 據此，於端子區域之無密封膜之部分，可提高外部連接基板之安裝強度。藉此，可長期維持外部連接基板相對於元件基板之接合。 又，於本發明之光電裝置之一態樣中，亦可設定為於上述複數個安裝端子之間存在無上述密封膜之部分之構成。 據此，藉由消除有助於外部連接基板之接合之部分(安裝端子之間)之密封膜，可提高外部連接基板之接合強度。 又，於本發明之光電裝置之一態樣中，亦可設定為於上述安裝端子之上述顯示區域側存在無上述密封膜之部分之構成。 據此，即使無密封膜之部分為安裝端子之顯示區域側，亦可提高外部連接基板之接合強度。 又，於本發明之光電裝置之一態樣中，亦可設定為於無上述密封膜之部分，設置於較該密封膜靠下層側之層間絕緣膜之至少一部分露出之構成。 據此，藉由使層間絕緣膜之一部分露出，可增加接合外部連接基板時相對於接著劑之元件基板側之表面積。 本發明之電子機器之一態樣具備上述光電裝置。 據此，藉由具備元件基板與外部連接基板之接合強度較高之光電裝置，可長期維持電子機器之品質。 本發明之光電裝置之製造方法之一態樣包含如下步驟：於元件基板之顯示區域形成複數個發光元件；於上述元件基板之上述顯示區域之外側之端子區域形成複數個安裝端子；以覆蓋上述複數個發光元件及上述複數個安裝端子之方式形成密封膜；去除上述安裝端子之上之上述密封膜；及去除存在於上述端子區域之上述密封膜中除上述安裝端子之上以外之部分之上述密封膜。 又，於本發明之光電裝置之製造方法之一態樣中，具有於上述元件基板連接外部連接基板之步驟，且於去除上述密封膜之步驟中，為於上述端子區域中與上述外部連接基板對向之區域形成不存在上述密封膜之部分，而去除特定部分之上述密封膜。 又，於本發明之光電裝置之製造方法之一態樣中，為於上述端子區域之與上述外部連接基板對向之區域中之上述安裝端子之上述顯示區域側形成不存在上述密封膜之部分，而去除特定部分之上述密封膜。 又，於本發明之光電裝置之製造方法之一態樣中，於去除上述密封膜之步驟中，使設置於較上述密封膜靠下層側之層間絕緣膜之至少一部分露出。 又，於本發明之光電裝置之製造方法之一態樣中，具有於上述顯示區域形成濾光片之步驟，且使用與上述濾光片相同之材料、或與劃分上述濾光片之絕緣層相同之材料於上述端子區域形成抗蝕圖案，並將該抗蝕圖案作為遮罩而去除上述密封膜。
(有機EL裝置) 首先，對作為本發明之一實施形態而示於圖1之有機EL裝置(光電裝置)100進行說明。 有機EL裝置100係作為本發明之「光電裝置」之一例而表示之自發光型之顯示裝置。再者，圖1係模式性表示有機EL裝置100之構成之俯視圖。 有機EL裝置100如圖1所示，具有元件基板10、及密封用基板(保護基板)70。元件基板10與密封用基板70係以相互對向之狀態，藉由省略圖示之接著劑而接合。再者，接著劑可使用例如環氧樹脂或丙烯酸樹脂等。 元件基板10具有呈矩陣狀排列有子像素20B、子像素20G、及子像素20R之顯示區域E1，上述子像素20B配置有發藍色(B)光之有機EL元件(發光元件)30B作為發光元件，上述子像素20G配置有發綠色(G)光之有機EL元件30G作為發光元件，上述子像素20R配置有發紅色(R)光之有機EL元件30R作為發光元件。 於有機EL裝置100中，子像素20B、子像素20G、及子像素20R成為顯示單位而提供全彩之顯示。再者，於以後之說明中，有時會將子像素20B、子像素20G、及子像素20R統括作為像素20而處理，有時會將有機EL元件30B、有機EL元件30G、及有機EL元件30R統括作為有機EL元件30而處理。 於顯示區域E1，設置有濾光片50。濾光片50中，於子像素20B之有機EL元件30B之上配置有藍色之著色層50B，於子像素20G之有機EL元件30G之上配置有綠色之著色層50G，於子像素20R之有機EL元件30R之上配置有紅色之著色層50R。自子像素20B之有機EL元件30B發出之光透過藍色之著色層50B，且於綠色之著色層50G及紅色之著色層50R被遮光。同樣地，自子像素20G之有機EL元件30G發出之光透過綠色之著色層50G，且於藍色之著色層50B及紅色之著色層50R被遮光，自子像素20R之有機EL元件30R發出之光透過綠色之著色層50R，且於藍色之著色層50B及綠色之著色層50G被遮光。因此，可根據各有機EL元件30之位置及濾光片50之各著色層之位置而規定自有機EL裝置100擷取之光之方向。 於本實施形態中，可獲得相同顏色之發光之像素20排列於Y方向(第1方向)上，可獲得不同顏色之發光之像素20排列於與Y方向交叉(正交)之X方向(第2方向)上。因此，像素20之配置成為所謂條紋方式。根據該像素之排列，有機EL元件30B、有機EL元件30G、及有機EL元件30R分別配置為條紋狀，藍色之著色層50B、綠色之著色層50G、及紅色之著色層50R亦配置為條紋狀。再者，像素20之配置並不限定於條紋方式，亦可為馬賽克方式、或三角形方式。 有機EL裝置100具有頂部發光構造。因此，由有機EL元件30發出之光透過元件基板10之濾光片50自密封用基板70之側作為顯示光而射出。 由於有機EL裝置100為頂部發光構造，故而元件基板10之基材除透明之石英基板或玻璃基板等以外，亦可使用不透明之陶瓷基板或半導體基板等。於本實施形態中，使用矽基板(半導體基板)作為元件基板10之基材。 於顯示區域E1之外側，設置有排列有安裝端子103之周邊區域F。於周邊區域F，沿元件基板10之長邊側之一邊排列有複數個安裝端子103。又，於複數個安裝端子103與顯示區域E1之間，設置有資料線驅動電路101。又，於元件基板10之短邊側之兩邊與顯示區域E1之間，設置有掃描線驅動電路102。再者，於以後之說明中，將沿元件基板10之長邊之方向設為X方向，將沿元件基板10之短邊之方向設為Y方向，將自密封用基板70朝向元件基板10之方向設為Z(+)方向。 密封用基板70小於元件基板10，且係以安裝端子103露出之方式與元件基板10對向而配置。密封用基板70係透光性之基板，可使用石英基板或玻璃基板等。密封用基板70具有保護配置於顯示區域E1之有機EL元件30不受損傷之作用，且設置為大於顯示區域E1。 圖2係表示元件基板10之構成之電路圖。如圖2所示，於元件基板10，沿X方向延伸而設置有m列掃描線12，沿Y方向延伸而設置有n行資料線14。又，於元件基板10，沿資料線14每行均沿Y方向延伸而設置有電源線19。 於元件基板10，與m列掃描線12及n行資料線14之交叉部對應而設置有像素電路110。像素電路110形成像素20之一部分。於顯示區域E1，呈矩陣狀排列有m列×n行像素電路110。 對電源線19供給(饋電)初始化用之重設電位Vorst。進而，雖省略圖示，但與掃描線12並行而設置有供給控制信號Gcmp、Gel、Gorst之3根控制線。 掃描線12電性連接於掃描線驅動電路102。資料線14電性連接於資料線驅動電路101。對掃描線驅動電路102供給用以控制掃描線驅動電路102之控制信號Ctr1。對於資料線驅動電路101供給用以控制資料線驅動電路101之控制信號Ctr2。 掃描線驅動電路102遵照控制信號Ctr1而產生用以於幀時間逐列掃描掃描線12之掃描信號Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。進而，掃描線驅動電路102除掃描信號Gwr以外，亦將控制信號Gcmp、Gel、Gorst供給至控制線。再者，所謂幀時間係指有機EL裝置100中顯示1個分鏡(一個畫面)之圖像之時間，例如若同步信號中所包含之垂直同步信號之頻率為120 Hz，則幀時間為約8.3毫秒。 資料線驅動電路101相對於位於掃描線驅動電路102所選擇之列之像素電路110，將與該像素電路110之灰階資料對應之電位之資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)供給至第1、2、…、n行之資料線14。 圖3係表示像素電路110之構成之電路圖。像素電路110如圖3所示，具有P通道MOS(Metal Oxide Semiconductor，金氧半導體)型之電晶體121、122、123、124、125、有機EL元件30、及電容21。對像素電路110，供給上述掃描信號Gwr及控制信號Gcmp、Gel、Gorst等。 有機EL元件30具有由相互對向之像素電極(第1電極)31與對向電極(第2電極)33夾持發光功能層(發光層)32之構造。 像素電極31係將電洞供給至發光功能層32之陽極，藉由具有光透過性之導電材料而形成。於本實施形態中，作為像素電極31而形成例如膜厚為200 nm之ITO(Indium Tin Oxide)膜。像素電極31電性連接於電晶體124之汲極及電晶體125之源極或汲極中之一者。 共通電極33係將電子供給至發光功能層32之陰極，藉由例如鎂(Mg)與銀(Ag)之合金等具有光透過性及光反射性之導電材料而形成。共通電極33係跨及複數個像素20而設置之共通電極，電性連接於電源線8。向電源線8供給於像素電路110中成為電源之低位側之電位Vct。 發光功能層32具有自像素電極31之側依序積層之電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層、及電子輸送層等。於有機EL元件30中，自像素電極31供給之電洞與自共通電極33供給之電子於發光功能層32之中耦合，藉此發光功能層32發光。 又，於元件基板10，與各電源線19交叉並沿X方向延伸而設置有電源線6。再者，電源線6亦可沿Y方向延伸而設置，亦可沿X方向及Y方向兩者延伸而設置。電晶體121之源極電性連接於電源線6，汲極分別電性連接於電晶體123之源極或汲極中之另一者、以及電晶體124之源極。又，向電源線6供給於像素電路110中成為電源之高位側之電位Vel。又，於電源線6，電性連接有電容21之一端。電晶體121作為流通與電晶體121(T)之閘極及源極間之電壓相應之電流之驅動電晶體而發揮功能。 電晶體122之閘極電性連接於掃描線12，源極或汲極中之一者電性連接於資料線14。又，電晶體122之源極或汲極中之另一者分別電性連接於電晶體121之閘極、電容21之另一端、及電晶體123之源極或汲極中之一者。電晶體122電性連接於電晶體121之閘極與資料線14之間，作為控制電晶體121之閘極與資料線14之間之電性連接之寫入電晶體而發揮功能。 電晶體123之閘極電性連接於控制線，供給控制信號Gcmp。電晶體123作為控制電晶體121之閘極及汲極之間之電性連接之閾值補償電晶體而發揮功能。 電晶體124之閘極電性連接於控制線，供給控制信號Gel。電晶體124之汲極分別電性連接於電晶體125之源極或汲極中之一者及有機EL元件30之像素電極31。電晶體124作為控制電晶體121之汲極與有機EL元件30之像素電極31之間之電性連接之發光控制電晶體而發揮功能。 電晶體125之閘極電性連接於控制線，供給控制信號Gorst。又，電晶體125之源極或汲極中之另一者電性連接於電源線19，供給重設電位Vorst。電晶體125作為控制電源線19與有機EL元件30之像素電極31之間之電性連接之初始化電晶體而發揮功能。 再者，於以下之說明中，電晶體122、123、124、125有時亦簡稱為電晶體T。 圖4係沿圖1所示之有機EL裝置之E-E線之剖視圖。 圖5係沿圖1所示之有機EL裝置之F-F線之剖視圖。 再者，於圖4及圖5中，圖示有複數個導電體分別作為1層金屬層或2～3層金屬層之積層膜。 有機EL裝置100如圖4及圖5所示，具備元件基板10、及密封用基板70，其中元件基板10包含基材11、於基材11上依序形成之、含有像素電路110之電路層5、有機EL元件30、密封複數個有機EL元件30之密封層34、濾光片50、及填充劑42。 密封用基板70包含例如石英玻璃等相對於可見光區域透明之基板，且為了保護於元件基板10中形成於密封層34上之濾光片50，經由填充劑42而與元件基板10對向配置。 來自子像素20R、20G、20B(圖1)之發光功能層32之發光係由下述導電體71反射，且穿過濾光片50而自密封用基板70之側提取。即，有機EL裝置100為頂部發光型之發光裝置。 因有機EL裝置100為頂部發光型，故基板11不僅可使用石英玻璃等透明基板，亦可使用矽(Si)或陶瓷等不透明基板。以下，以使用矽基板(半導體基板)作為基材11且像素電路110中使用電晶體之情形為例進行說明。 如圖4所示，基材11之表面中，於顯示區域E1內形成有像素電路110之電晶體T，於端子區域E2內形成有資料線驅動電路(未圖示)之電晶體(未圖示)。電晶體T係包含形成於基材11表面之主動區域(源極/汲極區域)、被覆基材11表面之層間絕緣膜L0 (閘極絕緣膜)、及形成於層間絕緣膜L0 上之閘極G而構成。主動區域(未圖示)包含於基材11內注入有雜質離子之離子注入區域。像素電路110之電晶體T之通道區域存在於源極區域與汲極區域之間。於通道區域注入與主動區域不同種類之離子，但圖示省略。各電晶體T之閘極G隔著層間絕緣膜L0 而配置於與通道區域對向之位置。 如圖4所示，於形成有各電晶體T之閘極G之層間絕緣膜L0 上，形成有由複數個層間絕緣膜(LA ～LE )與複數個配線層(WA ～WE )交替積層而成之多層配線層。各層間絕緣膜LA ～LE 包括例如矽化合物(典型為氮化矽或氧化矽)等絕緣性無機材料。各配線層WA ～WE 包括含有鋁或銀等之低電阻導電材料。 於層間絕緣膜LE 之上表面中之顯示區域E1之像素區域內，設置有包含(Ti)/AlCu(鋁-銅合金)之積層膜之導電體71。導電體71電性連接於構成像素電路110之電晶體T之一電極。 於層間絕緣膜LE 之上表面中之端子區域E2，設置有包含與導電體71相同之光反射性材料之導電體72。導電體72與構成資料線驅動電路101之電晶體T之一電極電性連接。 於層間絕緣膜LE之上表面，以覆蓋導電體71、72之方式，形成有包含SiN之Cav調整層61。於Cav調整層61之上，形成有包含SiO2 之平坦化層37及包含TiN之遮光層39。第1光學調整層62及第2光學調整層63以覆蓋平坦化層37及遮光層39之方式積層於Cav調整層61之上。第1光學調整層62及第2光學調整層63係依序積層於Cav調整層61上，且各自包含SiO2 。 像素電極31形成於第2光學調整層63之上表面。安裝端子103形成於導電體72之上表面。安裝端子103藉由導電體72、及較該導電體72更靠下層側之複數個配線層，而作為相對於外部連接基板104之連接端子發揮功能。 於包含像素電極31之第2光學調整層63之上表面，形成有使像素電極31之一部分露出且使相鄰之子像素20R、20G、20B(圖1)分離之像素分離層38。像素分離層38亦形成於端子區域E2，經由開口孔35A而使安裝端子103之表面之一部分露出。 發光功能層32係以與像素電極31相接之方式，使用真空蒸鍍法等氣相製程而形成，且亦覆蓋像素分離層38之表面之一部分。再者，只要於由像素分離層38劃分之區域形成有發光功能層32即可。 發光功能層32具有例如電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層、電子輸送層、及電子注入層。於本實施形態中，相對於像素電極31，分別使用氣相製程成膜電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層、電子輸送層、及電子注入層並將該等依序積層，藉此形成發光功能層32。再者，發光功能層32之層構成並不限定於此，亦可進而包含控制載子即電洞或電子之移動之中間層，亦可例如使有機發光層具有電子輸送層之功能而使層數減少。有機發光層只要為可獲得白色發光之構成即可，例如可採用將可獲得紅色發光之有機發光層、可獲得綠色發光之有機發光層、及可獲得藍色發光之有機發光層組合之構成。 共通電極33係複數個有機EL元件30之共通陰極，覆蓋發光功能層32而形成。共通電極33係藉由以可獲得光透過性及光反射性之程度之膜厚(例如10 nm～30 nm)成膜例如Mg與Ag之合金而形成。於本實施形態中，共通電極33之光透過率較佳為20%以上，更佳為30%以上，共通電極33之光反射率較佳為20%以上，更佳為50%以上。藉此，複數個有機EL元件30完成。 藉由將共通電極33形成為具有光透過性及光反射性之狀態，亦可於每個子像素20R、20G、20B之導電體71與共通電極33之間構成光學共振器。光學共振器係藉由使導電體71與共通電極33之間之光學距離於每個子像素20R、20G、20B均不同而提取特定之共振波長之光者。藉此，可提高來自各子像素20R、20G、20B之發光之色純度。上述光學距離可藉由構成光學共振器之導電體71與共通電極33之間所夾之各種功能膜之折射率與膜厚之積之合計而求出。因此，作為使上述光學距離於每個子像素20R、20G、20B均不同之方法，有使像素電極31之膜厚於每一顏色中均不同之方法、以及使導電體71與像素電極31之間之第1光學調整層62及第2光學調整層63之膜厚不同之方法。於如上所述有機EL元件30具有共振構造之情形時，自有機EL元件30發出之光係自共通電極33出射至下述密封層34側之光，且係光譜與由發光功能層32之內部發出之光之光譜不同之光。 其次，形成覆蓋複數個有機EL元件30之密封層34以防水或氧等浸入。本實施形態之密封層34係自共通電極33側依序積層有第1密封膜(密封膜)34a、緩衝膜34b、及第2密封膜(密封膜)34c者。 再者，作為密封層34之氣體阻隔性，只要為可保護有機EL元件30不被大氣中之氧及水等浸入之程度便不特別限定，但氧透過度較佳為0.01 cc/m2 /天以下，水蒸氣透過度較佳為7×10-3 g/m2 /天以下，更佳為5×10-4 g/m2 /天以下，尤佳為5×10-6 g/m2 /天以下。密封層34之光之透過率較佳為相對於來自共通電極33之射出光為80%以上。 作為第1密封膜34a及第2密封膜34c，較佳為具有光透過性且具有優異之氣體阻隔性之無機材料，例如氧化矽膜(SiO)、氮化矽膜(SiX NY )、氮氧化矽膜(SiOX NY )及以該等為主成分者。 作為第1密封膜34a及第2密封膜34c之形成方法，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍敷法等。第1密封膜34a或第2密封膜34c之膜厚越厚，則可實現越高之氣體阻隔性，但另一方面，由於因膜之膨脹或收縮而產生之膜應力，易於產生裂痕。因此，較佳為分別控制為200 nm～1000 nm左右之膜厚，於本實施形態中，藉由使第1密封層34a與第2密封層34c夾著緩衝膜34b重疊而實現較高之氣體阻隔性。 緩衝膜34b可使用熱穩定性優異之例如環氧系樹脂或塗佈型之無機材料(氧化矽等)而形成。又，若藉由網版等印刷法或定量噴出法等塗佈形成緩衝膜34b，則可將緩衝膜34b之表面平坦化。即，可使緩衝膜34b作為緩和第1密封層34a之表面之凹凸之平坦化層而發揮功能。緩衝膜34b之厚度為1 μm～5 μm，更佳為1.5 μm～2.0 μm之範圍。 於本實施形態中，如圖4所示，端子區域E2之密封構造主要由第1密封膜34a及第2密封膜34c構成，而並未如顯示區域E1般形成為第1密封層34a與第2密封膜34c夾著緩衝膜34b之構成。其原因在於：於顯示區域E1，由於像素電路110或有機EL元件30等構造物，會產生不少凹凸，故而必須藉由夾著緩衝膜34b來使凹凸緩和。另一方面，於端子區域E2，不存在有機EL元件30等，故而不必過多考慮基底之凹凸。 於存在於端子區域E2之第1密封膜34a及第2密封膜34c之與複數個安裝端子103分別對應之位置，形成有開口孔35A。經由該等設置於第1密封膜34a及第2密封膜34c之開口孔35A，各安裝端子103之至少一部分之表面露出於外部。 於密封層34上，形成有與各色子像素20R、20G、20B對應之著色層50R、50G、50B。作為包含著色層50R、50G、50B之濾光片50之形成方法，可列舉如下方法：塗佈由與各色對應之染料或顏料等色料分散於溶劑中而製成之感光性樹脂，形成感光性樹脂層，並藉由光微影法使之曝光、顯影，從而形成。 著色層50R、50G、50B之膜厚既可為任何顏色均相同，亦可為至少一種顏色與其他顏色不同。無論如何，均設定為於來自有機EL元件30之發光穿過各著色層(50R、50G、50B)時可獲得適當之色度或白平衡之膜厚。 密封用基板70於元件基板10之顯示區域E1經由填充劑42而與元件基板10貼合。作為填充劑42之功能，必須使密封用基板70與元件基板10之潤濕性及接著性良好，且相對於來自有機EL元件30之發光而透明。因此，作為填充劑42，例如可列舉胺基甲酸酯系、丙烯酸系、環氧系、聚烯烴系等樹脂材料。填充劑42之厚度例如為10 μm～100 μm。 外部連接基板104係與元件基板10之端子區域E2對向而配置，且經由各向異性導電接著劑(ACF:Anisotropic Conductive Film,導電性接著膜)106而固定於元件基板10。或者，亦可使用膏狀之各向異性導電接著劑(ACP:Anisotropic conductive paste，導電性接著膏)。各向異性導電接著劑106係於熱硬化性樹脂106a中混合微細之金屬粒子106b而成者，經由該等金屬粒子106b，元件基板10側之安裝端子103與外部連接基板104之外部連接端子108電性連接。 其次，對本實施形態之特徵部分進行敍述。 圖6係沿圖1所示之有機EL裝置之E-E線之元件基板之剖視圖。 圖7係沿圖1所示之有機EL裝置之F-F線之元件基板之剖視圖。 如圖6及圖7所示，於本實施形態之有機EL裝置100中，於端子區域E2，除安裝端子103之上以外亦存在無第1密封膜34a及第2密封膜34c之部分。具體而言，於端子區域E2之沿X方向並列排列之多個安裝端子103彼此之間設置有開口孔35B。 開口孔35B係與於端子區域E2之第1密封膜34a及第2密封膜34c形成開口孔35A同時形成。開口孔35B係不僅包含第1密封膜34a及第2密封膜34c，而且包含較其等靠下層側之複數層而構成。開口孔35B包含凹狀之槽，該槽係自第2密封膜34c跨及構成電路層5之層間絕緣膜LD 而形成，且包含位於電路層5之上層側之層間絕緣膜LE 及層間絕緣膜LD 之一部分。 開口孔35B之槽深較開口孔35A深，且充填有較開口孔35A側更多之各向異性導電接著劑106。 適當設定自元件基板10之面法線方向觀察時之開口孔35B之大小，且較佳為使其沿安裝元件103之長度方向而形成。開口孔35B之長度方向(Y方向)長度既可與安裝端子103相同，亦可具有較安裝端子103長之長度。 再者，於本實施形態中，於相鄰之安裝端子103之間設置有開口孔35B，但並不限定於該構成，只要於端子區域E2中與外部連接基板104對向之區域存在無密封膜(34a、34c)之部分即可。例如，亦可於安裝端子103之顯示區域E1側且顯示區域E1與安裝端子103之間之區域設置無密封膜(34a、34c)之部分(例如，開口孔35B)。 ＜有機EL裝置之製造方法＞ 其次，對本實施形態之有機EL裝置之製造方法進行說明。 此處，詳細地對本發明之特徵部分即開口孔35B之形成方法進行說明。 圖8係表示有機EL裝置100之製造方法之流程圖。 圖9～圖18係表示有機EL裝置100之製造方法之概略剖視圖。 再者，圖9、圖11、圖13、圖15、圖17係與圖4對應之區域之概略剖視圖。又，圖10、圖12、圖14、圖16、圖18係與圖5對應之區域之概略剖視圖。 如圖8所示，本實施形態之有機EL裝置100之製造方法包含密封層形成步驟S1、濾光片形成步驟S2、填充劑塗佈步驟S3、基板貼合步驟S4、密封膜蝕刻步驟S5、灰化步驟S6、及外部連接基板貼合步驟S7。 再者，於基材11上形成包含像素電路110、其他周邊電路、信號配線等之電路層5、像素電極31及像素分離層38之方法可採用公知之成膜技術、埋孔技術、平坦化技術、及其他附隨之製程。如此，如圖9及圖10所示，於基材11上之顯示區域E1及端子區域E2形成電路層5至像素電極31及像素分離層38。 其後，如圖11所示，於各子像素內形成有機EL元件30。 ＜密封層形成步驟S1＞ 如圖11及圖12所示，首先，形成覆蓋顯示區域E1(共通電極33)及端子區域E2(安裝端子103)之第1密封膜34a。作為形成第1密封膜34a之方法，例如可列舉藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、離子鍍敷法等成膜氧化矽膜(SiO)、氮化矽膜(SiX NY )或氮氧化矽物(SiOX NY )之方法。第1密封膜34a之膜厚較理想為大致200 nm～1000 nm之範圍，於該情形時，設定為400 nm。 其次，形成覆蓋第1密封膜34a之緩衝膜34b。緩衝膜34b較理想為以不觸及顯示區域E1與端子區域E2之邊界而收攏於顯示區域E1之方式形成。作為緩衝膜34b之形成方法，例如可使用包含具有透明性之環氧樹脂、及環氧樹脂之溶媒之溶液，藉由印刷法或定量噴出法塗佈該溶液，並使之乾燥，藉此形成包含環氧樹脂之緩衝膜34b。緩衝膜34b之膜厚較佳為1 μm～5 μm，更佳為1.5 μm～2.0 μm。於該情形時，設定為2 μm。 再者，緩衝膜34b並不限定於使用環氧樹脂等有機材料而形成。例如，亦可藉由印刷法塗佈塗佈型之無機材料，並將其乾燥、焙燒，藉此形成膜厚為大致2 μm之氧化矽膜作為緩衝膜34b。 繼而，於顯示區域E1及端子區域E2形成覆蓋緩衝膜34b之第2密封膜34c。第2密封膜34c之形成方法與第1密封膜34a相同，例如可列舉藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、離子鍍敷法等成膜氧化矽膜(SiO)、氮化矽膜(SiX NY )或氮氧化矽物(SiOX NY )之方法。第2密封膜34c之膜厚較理想亦為大致200 nm～1000 nm之範圍，於該情形時，設定為800 nm。 ＜濾光片形成步驟S2＞ 首先，如圖13及圖14所示，於第2密封膜34c之表面形成絕緣層43。絕緣層43係區分不同顏色之著色層50R、50G、50B者。絕緣層43包含不含色料之感光性樹脂材料。首先，使用旋轉塗佈法等將不含色料之感光性樹脂材料遍及基材11之整面塗佈而形成感光性樹脂層，並將該感光性樹脂層曝光、顯影，藉此形成絕緣層43。此時，於俯視時與形成於基材11上之安裝端子103重疊之區域圖案形成開口部43A。於本實施形態中，以形成使與安裝端子103對應之區域露出之開口部43A之方式，將感光性樹脂層圖案化。如此而形成絕緣層43。 其次，如圖13所示，於顯示區域E1內形成濾光片50。 首先，以覆蓋絕緣層43之方式，藉由旋轉塗佈法塗佈例如包含綠色之色料之感光性樹脂並使之乾燥，藉此形成感光性樹脂層。繼而，藉由將該感光性樹脂層曝光、顯影而如圖13所示形成綠色(G)之著色層50G。於本實施形態中，將著色層50G之膜厚設定為1.0 μm～2.0 μm之範圍，以可獲得適當之光學特性。又，雖未圖示，但關於紅色及藍色，亦同樣地塗佈包含各色之色料之感光性樹脂，並進行曝光顯影，從而如圖13所示形成著色層50R、50G、50B。即，必須以與所使用之濾光片之色數相應之次數進行塗佈～曝光顯影處理。 ＜填充劑塗佈步驟S3＞ 如圖13所示，以覆蓋著色層50G(50)之方式塗佈填充劑42。對於填充劑42，考慮到自有機EL元件30發出之光之透過性及濾光片50與密封用基板70之接著性而使用熱硬化型之環氧系樹脂。此外，藉由例如胺基甲酸酯系、丙烯酸系、聚烯烴系等樹脂材料亦可獲得相同之效果。藉由緩衝膜34b之效果，例如有機EL元件30等構造物之凹凸得以降低，故而可於濾光片50或第2密封膜34c之表面上流動性較佳地塗佈填充劑42。再者，填充劑42之最終厚度為大致10～100 μm。 ＜密封基板貼合步驟S4＞ 如圖13所示，相對於塗佈有填充劑42之基材11，藉由例如真空抽吸等將密封用基板70對向配置於特定之位置。對於密封用基板70，考慮到光透過性、操作性、及之後之密封膜蝕刻步驟所產生之反應生成物之影響而使用石英玻璃。密封用基板70之厚度較佳為0.5 mm～1.2 mm。於本實施形態中使用0.7 mm之基板。 以特定之按壓壓力對於對向配置之密封用基板70加壓，將由基材11與密封用基板70所夾、尚未固化之填充劑42壓擴至俯視所及之各個角落。此時，亦擔心填充劑42自密封用基板70之端部(與端子區域E2之邊界面)溢出，波及端子區域E2，而連安裝端子103亦覆蓋。因此，較佳為藉由填充劑42之塗佈量之調整、密封用基板70之平面積、及加壓之程度，以填充劑42不溢出於端子區域E2之方式進行管理。另外，若填充劑42之內部存在氣泡之殘留則有可能引起顯示不良，故更佳為於真空(大氣壓以下)環境下進行按壓壓力作業。 上述作業之後，以成為填充劑42之硬化條件之溫度及時間將填充劑42固化，並將元件基板10與密封用基板70接著。再者，由於會藉由對密封用基板70加壓而使填充劑42平面延伸，故而並不特別要求於上述填充劑塗佈步驟S3中將填充劑42塗佈至顯示區域E1整體。 ＜密封膜蝕刻步驟S5＞ 將圖13及圖14所示之絕緣層43作為遮罩，藉由蝕刻而將開口部43A內之第1密封膜34a及第2密封膜34c去除。如此，如圖15及圖16所示，將安裝端子103上之第1密封膜34a及第2密封膜34c部分去除，而形成使安裝端子103露出之開口孔35A，並形成使層間絕緣膜LD 露出之開口孔35B。 作為選擇性蝕刻包含氧化矽膜(SiO)、氮化矽膜(SiX NY )及氮氧化矽膜(SiOX NY )等無機膜之第1密封膜34a及第2密封膜34c之方法，可列舉使用CHF3 (三氟甲烷)、CF4 (四氟化碳)、NF3 (三氟化氮)、SF6 (六氟化硫)等氟系處理氣體之乾式蝕刻。 乾式蝕刻係藉由於特定之氣體流量、及腔室壓力之下施加高頻電壓而進行。藉由將與氣體種類相應之電漿粒子照射至密封膜(34a、34c)或密封用基板70等，電漿粒子與被照射物即密封膜(34a、34c)等發生化學反應而產生揮發性物質，藉此削除被照射物。 於端子區域E2中之與安裝端子103對應之區域、及相鄰之安裝端子103之間之區域，第1密封膜34a與第2密封膜34c重疊。而且，兩者之密封膜(34a、34c)均可為氧化矽膜(SiO)、氮化矽膜(SiX NY )及氮氧化矽膜(SiOX NY )中之任一者，且以Si或SiO為主成分。因此，可藉由同種蝕刻氣體將第1密封膜34a與第2密封膜34c一併去除。 對於安裝端子103，如先前所述使用鋁(Al)或氧化銦錫(ITO)。因此，於選擇性去除覆蓋安裝端子103之密封膜(34a、34b)後，安裝端子103自身成為良好之蝕刻終止材料，從而安裝端子103面對密封膜蝕刻步驟受到保護。 其次，於相對於第1密封膜34a及第2密封膜34c形成開口孔35A及開口孔35B之後，將密封用基板70作為遮罩進行蝕刻，從而將存在於端子區域E2內之絕緣層43全部去除。 ＜外部連接基板貼合步驟S7＞ 於上述製程中使元素基板10之第2密封膜34c之表面露出後，如圖17及圖18所示，經由各向異性導電接著劑106，相對於元件基板10之端子區域E2而貼合並固定外部連接基板104。藉此，元件基板10側之安裝端子103與外部連接基板104之連接端子105經由開口孔35A內之各向異性導電接著劑106而電性連接。於本實施形態中，於複數個開口孔35B內亦填充有各向異性導電接著劑106。由於開口孔35B之深度較開口孔35A深，故而填充有較開口孔35A更多之各向異性導電接著劑106。 如此，有機EL裝置100完成。 於有機EL裝置100中，元件基板10之端子區域E2之安裝端子103間之區域大大有助於外部連接基板104之接合強度。即，若安裝端子103之間之區域之接著性較弱，則外部連接基板104會自元件基板10偏離。於利用與像素電路110相同之膜構成形成安裝端子103之構成之情形時，存在於安裝端子103之間之區域，易於產生外部連接基板104之剝離之問題。具體而言，於安裝外部連接基板104之後，於用以提高元件基板10之密封性而形成之第1密封膜34a、及較其靠下層側之像素分離層38之界面易產生背離。像素分離層38之表面因有機EL元件30形成步驟中之蝕刻液等所致之有機污染而變得不穩定，與積層於像素分離層38上之第1密封膜34a之接著性變弱。尤其，於端子區域E2中外部連接基板104所對向之區域，伴隨外部連接基板104之安裝而產生之負載變大，易產生界面背離。 與於相對地，於本實施形態中，設為如下構成：於元件基板10之安裝端子103之間之區域形成複數個開口孔35B，於外部連接基板104貼合後去除易產生界面背離之積層構成。藉由選擇性去除會引起外部連接基板104剝離之構成要素而使之減少，可提高外部連接基板104之接合強度。 又，藉由於元件基板10之最表面設置複數個開口孔35B，可增加與各向異性導電接著劑106相接之表面積，且可提高外部連接基板104相對於元件基板10之接著性。於本實施形態中，將構成開口孔35B之凹部下挖至電路層5之絕緣膜但並不限定於此。由於在像素分離層38與第1密封膜34a之界面易產生背離，故而亦可僅去除特定區域之第1密封膜34a及第2密封膜34c。但去除積層有多個薄膜之部分而下挖至膜厚較大之絕緣膜之方法可提高外部連接基板104之接合強度。 再者，實際上於開口孔35B側不存在如安裝端子103般作為蝕刻終止膜發揮功能之膜，故而可蝕刻至電路層5之絕緣層。 又，藉由設置開口孔35B，第1密封膜34a及第2密封膜34c之膜應力變低，從而不易產生使外部連接基板104之接合強度降低之矛盾。因此，可長期維持外部連接基板104之固定狀態。 再者，於本實施形態之製造方法中，將絕緣層43作為遮罩而進行第1密封膜34a及第2密封膜34c之蝕刻，但亦可使用與濾光片50相同之材料形成抗蝕劑遮罩。例如，亦可使用形成濾光片50時之感光性樹脂層於端子區域E2形成抗蝕圖案，將該抗蝕圖案作為遮罩而進行第1密封膜34a及第2密封膜34c之蝕刻。 [電子機器] 其次，對本發明之電子機器之實施形態進行說明。 圖19係表示作為電子機器之頭戴式顯示器(HMD)之概略圖。 如圖19所示，作為本實施形態之電子機器之頭戴式顯示器(電子機器)1000具有與左右眼對應而設置之2個顯示部1001。觀察者M藉由將頭戴式顯示器1000如眼鏡般佩戴於頭部，可觀察顯示於顯示部1001之文字及圖像等。例如，若於左右之顯示部1001顯示已考慮到視差之圖像，則亦可觀看欣賞立體之影像。 於顯示部1001搭載有上述實施形態之有機EL裝置100。因此，可提供一種具有優異之顯示品質、且因具有較高之生產性故成本績效優異、小型、輕量之頭戴式顯示器1000。 頭戴式顯示器1000並不限定於具有2個顯示部1001，亦可設為具備與左右之任一者對應之1個顯示部1001之構成。 再者，搭載有上述有機EL裝置100之電子機器並不限定於頭戴式顯示器1000。例如，可列舉個人電腦或便攜式資訊終端、導航裝置、觀察器、抬頭顯示器等具有顯示部之電子機器。 以上，一面參照附圖一面對本發明之較佳實施形態進行了說明，當然本發明並不限定於該例。若為業者，則應明瞭，於申請專利範圍所記載之技術思想之範疇內可設想到各種變更例或修正例，應瞭解該等當然亦屬於本發明之技術範圍。 (變化例) 例如，於上述實施形態中，對使用濾光片50來表現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之有機EL裝置100進行了記述，但並不限定於此。例如，對於具有使用進行3原色(R、G、B)發光之有機EL元件30之RGB分塗方式、及自藍色(B)發光穿過螢光體之色轉換層而獲得紅色(R)、綠色(G)發光之色轉換方式等其他多種顏色表現方法之有機EL裝置，亦可應用本發明。
5‧‧‧電路層
6‧‧‧電源線
8‧‧‧電源線
10‧‧‧元件基板
11‧‧‧基材
12‧‧‧掃描線
14‧‧‧資料線
19‧‧‧電源線
20‧‧‧像素
20B‧‧‧子像素
20G‧‧‧子像素
20R‧‧‧子像素
21‧‧‧電容
30‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30B‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30G‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30R‧‧‧有機EL元件(發光元件)
31‧‧‧像素電極
32‧‧‧發光功能層
33‧‧‧對向電極
34‧‧‧密封層
34a‧‧‧第1密封膜(密封膜)
34b‧‧‧緩衝膜
34c‧‧‧第2密封膜(密封膜)
35A‧‧‧開口孔
35B‧‧‧開口孔
37‧‧‧平坦化層
38‧‧‧像素分離層
39‧‧‧遮光層
42‧‧‧填充劑
43‧‧‧絕緣層
43A‧‧‧開口部
50‧‧‧濾光片
50B‧‧‧著色層
50G‧‧‧著色層
50R‧‧‧著色層
62‧‧‧第1光學調整層
63‧‧‧第2光學調整層
70‧‧‧密封用基板(保護基板)
71‧‧‧導電體
72‧‧‧導電體
100‧‧‧有機EL裝置(光電裝置)
101‧‧‧資料線驅動電路
102‧‧‧掃描線驅動電路
103‧‧‧安裝端子
104‧‧‧外部連接基板
105‧‧‧連接端子
106‧‧‧各向異性導電接著劑
106a‧‧‧熱硬化性樹脂
106b‧‧‧金屬粒子
108‧‧‧外部連接端子
110‧‧‧像素電路
121‧‧‧電晶體
122‧‧‧電晶體
123‧‧‧電晶體
124‧‧‧電晶體
125‧‧‧電晶體
1000‧‧‧頭戴式顯示器(電子機器)
1001‧‧‧顯示部
Ctr1‧‧‧控制信號
Ctr2‧‧‧控制信號
E1‧‧‧顯示區域
E2‧‧‧端子區域
L0~LE‧‧‧層間絕緣膜
M‧‧‧觀察者
S1～S7‧‧‧步驟
T‧‧‧電晶體
WA ～WE‧‧‧配線層
圖1係模式性表示有機EL裝置100之構成之俯視圖。 圖2係表示元件基板10之構成之電路圖。 圖3係表示像素電路110之構成之電路圖。 圖4係沿圖1顯示之有機EL裝置之E-E線之剖視圖。 圖5係沿圖1所示之有機EL裝置之F-F線之剖視圖。 圖6係沿圖1所示之有機EL裝置之E-E線之元件基板之剖視圖。 圖7係沿圖1所示之有機EL裝置之F-F線之元件基板之剖視圖。 圖8係表示有機EL裝置100之製造方法之流程圖。 圖9係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖10係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖11係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖12係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖13係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖14係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖15係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖16係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖17係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖18係表示有機EL裝置100之製造方法之步驟圖。 圖19係表示作為電子機器之頭戴式顯示器(HMD)之概略圖。
5‧‧‧電路層
10‧‧‧元件基板
11‧‧‧基材
35A‧‧‧開口孔
35B‧‧‧開口孔
103‧‧‧安裝端子
104‧‧‧外部連接基板
106‧‧‧各向異性導電接著劑
L0‧‧‧層間絕緣膜
LA‧‧‧層間絕緣膜
LB‧‧‧層間絕緣膜
LC‧‧‧層間絕緣膜
LD‧‧‧層間絕緣膜
LE‧‧‧層間絕緣膜

Claims (9)

  1. 一種光電裝置，其具備： 元件基板，其包含呈矩陣狀排列有複數個發光元件之顯示區域、及於上述顯示區域之外側配置有複數個安裝端子之端子區域； 保護基板，其與上述元件基板之上述複數個發光元件側對向；及 外部連接基板，其與上述元件基板之端子區域接合；且 於上述元件基板之上述端子區域，亦形成有密封上述複數個發光元件之密封膜， 各安裝端子之至少一部分自上述密封膜露出， 於上述端子區域中與上述外部連接基板對向之區域，除上述安裝端子之上以外亦存在無上述密封膜之部分。
  2. 如請求項1之光電裝置，其中於上述複數個安裝端子之間存在無上述密封膜之部分。
  3. 如請求項1或2之光電裝置，其中於上述安裝端子之上述顯示區域側存在無上述密封膜之部分。
  4. 如請求項1至3中任一項之光電裝置，其中於無上述密封膜之部分，設置於較該密封膜靠下層側之層間絕緣膜之至少一部分露出。
  5. 一種光電裝置，其具備： 元件基板，其包含呈矩陣狀排列有複數個發光元件之顯示區域、及於上述顯示區域之外側配置有安裝端子之端子區域； 保護基板，其與上述元件基板之上述複數個發光元件側對向；及 接合基板，其與上述元件基板之端子區域接合，且具有連接端子；且 於上述元件基板之上述端子區域，亦形成有密封上述複數個發光元件之密封膜， 上述安裝端子連接於上述連接端子， 存在上述密封膜被除去且與上述接合基板接合之部分。
  6. 如請求項5之光電裝置，其中於上述端子區域具備複數個上述安裝端子，且 上述部分存在於上述複數個安裝端子之間。
  7. 如請求項5之光電裝置，其中於上述安裝端子之上述顯示區域側存在上述部分。
  8. 如請求項5之光電裝置，其中於上述部分，設置於較該密封膜靠下層側之層間絕緣膜之至少一部分與上述接合基板接合。
  9. 一種電子機器，其具備如請求項1至8中任一項之光電裝置。
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