TW201736854A - 用於在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的探針系統、儲存媒體和方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示用於在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的探針系統、儲存媒體和方法。所述方法係配置以測試出現在一基板上的複數個待測裝置(DUT)。所述探針系統係程式化以執行所述方法。所述儲存媒體包括電腦可讀取指令其指示一探針系統以執行所述方法。

Description

用於在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的探針系統、儲存媒體和方法

本揭示大致有關用於在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的探針系統、儲存媒體和方法。

晶圓級可靠性測試可以包括大量之待測裝置(DUT)的同時測試，所述大量之DUT係出現在一晶圓，或基板上。利用來執行晶圓級可靠性測試的探針頭組件可以包括複數個探針頭，其中各探針頭包括一或多個探針尖端配置以接觸一相對應的DUT之一相對應的接觸墊。

晶圓級可靠性測試經常可以被執行在升高的溫度及/或一測試溫度範圍上。一般而言，所述探針頭組件之一熱膨脹係數可以不匹配，或相等地匹配至所述基板之一熱膨脹係數。如此，當相較於，或相對於所述DUT，或其接觸墊之一間距，在測試溫度的改變可以導致在所述探針頭，或其探針尖端之一間距的差異。此外，在其中的加熱及/或冷卻期間，所述基板也可以扭曲、扭轉及/或變形，藉此改變相對於一介於所述探針頭組件之一部位及所述基板之間的距離之一介於所述探針頭組件之另一部位及所述基板之間的距離。

為了允許測試，儘管此間距差異，探針頭組件可以被設計成 在一個溫度，例如一設計溫度使得所述探針頭之所述間距匹配所述DUT之所述間距。此外，所述DUT之所述接觸墊可以被加大以適應至少一臨界值間距差異，例如可以在一給定測試溫度範圍被預期及/或遭遇的。

儘管此一方法在允許所述晶圓級可靠性測試被執行可能是有效的，所述加大的接觸墊會耗費在所述DUT之所述表面上寶貴的空間，並且減少所述接觸墊之所述大小是所想要的。附加地或二擇一地，允許在一想要的溫度範圍測試所需的一接觸墊大小可以是過份地大，特別是用於可以被定位在介於相鄰DUT之間的切割線內的測試結構。如此，用於在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的改良的探針系統、儲存媒體和方法是有需要的。

在延伸溫度範圍上之晶圓級測試的探針系統、儲存媒體和方法係揭示於此。所述方法係配置以一探針頭組件其包括複數個探針頭來測試出現在一基板上的複數個待測裝置(DUT)。在所述複數個DUT中之各DUT包括一相對應的接觸墊並且所述複數個探針頭之各者包括一探針尖端配置以與所述相對應的接觸墊通連。所述複數個DUT係安排在一DUT陣列內，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距並且所述複數個探針頭係安排在一探針頭陣列內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距。所述平均探針頭陣列間距在所述探針頭組件之一設計溫度係匹配至所述平均DUT陣列間距。

所述方法包括在一測試溫度平衡所述基板及一探針頭組件並且將所述複數個探針頭之一第一子集中之各探針尖端對準所述複數個 DUT中之一相對應的DUT之一相對應的接觸墊。所述方法進一步包括促使所述複數個探針頭之所述第一子集中之各探針尖端接觸所述複數個DUT之一第一子集中之一相對應的DUT之所述相對應的接觸墊。所述方法也包括測試所述複數個DUT之所述第一子集的所述操作並且重複所述方法以測試所述複數個DUT之一第二子集。

所述探針系統係程式化以執行所述方法。所述儲存媒體包括電腦可讀取指令其指示一探針系統以執行所述方法。

10‧‧‧探針系統

18‧‧‧探針頭組件

20‧‧‧探針頭

22‧‧‧探針尖端

26‧‧‧平均探針頭陣列間距

30‧‧‧卡盤

32‧‧‧支撐表面

40‧‧‧定位-調節結構

44‧‧‧對準子集

46‧‧‧未對準子集

51‧‧‧第一子集

52‧‧‧第二子集

53‧‧‧隨後的子集

60‧‧‧控制器

62‧‧‧儲存媒體

70‧‧‧外殼

72‧‧‧封閉的容積

80‧‧‧溫度-調節結構

85‧‧‧接觸-偵測結構

90‧‧‧基板

92‧‧‧DUT

94‧‧‧接觸墊

95‧‧‧寬度

96‧‧‧平均DUT陣列間距

100‧‧‧方法

圖1係在延伸溫度範圍上晶圓級可靠性測試之一先前技術方法的一示意的圖示。

圖2係在延伸溫度範圍上晶圓級可靠性測試之一先前技術方法的另一示意的圖示。

圖3係在延伸溫度範圍上晶圓級可靠性測試之一先前技術方法的另一示意的圖示。

圖4係根據本揭示之一探針系統之範例之一示意的圖示。

圖5係描繪根據本揭示之測試複數個待測裝置之方法的一流程圖。

圖6係圖5之所述方法之一部分在不同於一設計溫度的一測試溫度被執行之一示意的圖示。

圖7係圖5之所述方法之一部分在所述測試溫度被執行之另一示意的圖示。

圖8係圖5之所述方法之一部分在所述測試溫度被執行之另一示意的 圖示。

圖9係圖5之所述方法之一部分在所述測試溫度被執行之另一示意的圖示。

圖10係圖5之所述方法之一部分在所述測試溫度被執行之另一示意的圖示。

圖11係圖5之所述方法之一部分在所述測試溫度被執行之另一示意的圖示。

圖12係圖5之所述方法之一部分在不同於所述測試溫度及所述設計溫度的一中間溫度被執行之一示意的圖示。

圖13係圖5之所述方法之一部分在所述中間溫度被執行之一示意的圖示。

圖14係圖5之所述方法之一部分在所述設計溫度被執行之一示意的圖示。

圖15係圖5之所述方法之一部分在所述設計溫度被執行之另一示意的圖示。

圖4提供根據本揭示之探針系統10之範例，圖4提供根據本揭示之方法100之範例，而圖6-15提供可以在方法100中被利用之探針頭20及/或在方法100中可以被測試之包括待測裝置(DUT)92的基板90的範例。作為一類似，或至少實質地類似的目的之組件係以相似的符號標示在圖4-15，並且這些組件可以不在此參照圖4-15的各者被詳細討論。類似地，所有的組件可以不被標示在圖4-15的各者，但與其相關的元件符號 可以因為一致性在此被利用。在此討論而參照圖4-15之一或多個的組件、構件及/或特性可以被包含在且/或利用於圖4-15之任意者而未脫離本揭示之範圍。一般而言，可能被包含在一特定的實施例的組件係以實線說明，而視需要選用的組件其係以虛線說明。然而，以實線展示的組件可以不是必要的並且，在某些實施例中，可以被省略而不脫離本揭示之範圍。

圖1-3係在延伸溫度範圍上之晶圓級測試之一先前技術方法之示意的圖示。特定地，圖1-3說明一基板90之測試，其包括在三個溫度之複數個DUT92及一相對應的複數個接觸墊94。更特定地，圖1說明探針頭組件18及基板90在一溫度其係小於用於所述探針頭組件之一設計溫度，圖2說明所述探針頭組件及所述基板在所述設計溫度，並且圖3說明所述探針頭組件及所述基板在一溫度其係大於所述設計溫度。

所述測試係以一探針頭組件18包括複數個探針頭20來執行。各探針頭20包括一或多個探針尖端22。探針尖端22係彼此相對定向以接觸DUT92之相對應的接觸墊94。

在圖1-3所說明的所述系統中，探針頭20之熱致膨脹及/或收縮以相較於基板90之熱致膨脹及/或收縮的一不同的速率發生。就此而論，如所說明的，探針尖端22相對於接觸墊94之一定位隨溫度而變化。

換句話說，DUT92係安排在一DUT陣列中之基板90上，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距96。所述DUT陣列可以包括複數個DUT列，其界定一平均DUT列間距，以及複數個DUT欄，其界定一平均DUT欄間距。所述平均DUT陣列間距可以包括所述平均DUT列間距及/或所述平均DUT欄間距。舉例而言，所述平均DUT陣列間距可以包括一列值， 其係沿著所述複數個DUT列所量測，及/或一不同的及/或分開的欄值，其係沿著所述複數個DUT欄所量測。

類似地，探針頭20及/或其中的探針尖端22係安排在一探針頭陣列中之探針頭組件18內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距26。所述探針頭陣列可以包括一或多個探針頭列，其界定一平均探針頭列間距。所述探針頭陣列附加地或二擇一地可以包括一或多個探針頭欄，其界定一平均探針頭欄間距。類似於所述平均DUT陣列間距，所述平均探針頭陣列間距可以包括所述平均探針頭列間距，其係沿著所述一或多個探針頭列所量測，及/或所述平均探針頭欄間距，其係沿著所述一或多個探針頭欄所量測。

平均DUT陣列間距96及平均探針頭陣列間距26兩者可以隨溫度變化，並且此變化可以不同於所述DUT陣列及所述探針頭陣列兩者，例如可以是由於其間之一熱膨脹係數的差異。就此而論，介於探針尖端22及接觸墊94之間的所述相對的間距可以隨溫度變化。

舉例而言，探針頭組件18可以被配置使得探針頭陣列間距26在所述設計溫度匹配，或至少實質地匹配，DUT陣列間距96，如在圖2中所說明。然而，探針頭陣列間距26可能在其它的溫度不同於DUT陣列間距96，例如在圖1及3中所說明的。在圖1之所述範例中，平均探針頭陣列間距26在低於所述設計溫度的溫度時係小於平均DUT陣列間距96。在圖3之所述範例中，平均探針頭陣列間距26在高於所述設計溫度的溫度時係大於平均DUT陣列間距96。換句話說，一探針頭組件18之熱膨脹係數係大於一基板90之熱膨脹係數。

然而，此特定的相對的行為是不需要的。舉例而言，所述平均探針頭陣列間距在低於所述設計溫度的溫度時可以是大於所述平均DUT陣列間距並且在高於所述設計溫度的溫度時小於所述平均DUT陣列間距。換句話說，所述探針頭組件18之熱膨脹係數可以是小於所述基板90之熱膨脹係數。

為了適應所述上述介於所述平均探針頭陣列間距及所述平均DUT陣列間距之間的變化，同時允許在一寬廣的測試溫度範圍測試，圖1-3之基板90包括比可能所需要更大的接觸墊94以允許在一單一溫度時介於探針頭組件18之探針尖端22及DUT92之接觸墊94之間的對準。舉例而言，接觸墊94之一寬度95可以被選擇以允許在所述寬廣的測試溫度範圍上探針頭組件18之探針尖端22與所述接觸墊維持接觸而不在乎熱致介於所述平均探針頭陣列間距及所述平均DUT陣列間距之間的差異。在以傳統的探針系統所測試的DUT中，寬度95可以是數百微米的等級，以200微米乘200微米的接觸墊為常見。儘管此一配置可以允許在一延伸溫度範圍上測試，接觸墊94可以耗費基板90上寶貴的空間，可能太大以致不能被包含在一些基板上，且/或一些DUT配置可能限定、限制且/或減少可以被製造在基板90上的一些DUT92。

圖4係根據本揭示之探針系統10之範例之一示意的圖示。探針系統10係配置以同時地測試出現在一基板90上的複數個DUT92。DUT92包括相對應的接觸墊94並且係安排在一DUT陣列中之所述基板上，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距96，如本文所討論並參照至圖1-3。

探針系統10包括一探針頭組件18、一卡盤30以及一控制 器60。探針頭組件18包括複數個探針頭20，並且所述探針頭之各者包括至少一探針尖端22。探針尖端22係配置以電性地接觸及/或與相對應的DUT92上相對應的接觸墊94通連。所述複數個探針頭20係安排，在所述探針頭組件內，在一探針頭陣列中，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距26，如本文所討論並參照至圖1-3。所述平均探針頭陣列間距可以針對所述探針系統在一設計溫度時被匹配，或至少實質地匹配，至所述平均DUT陣列間距。

探針頭組件18可以包括任何適當數目之探針頭20。作為範例，所述探針頭組件可以包括至少2、至少4、至少6、至少8、至少10、至少15、至少20、至少25、至少30、至少40、至少50及/或至少60個探針頭。換句話說，在所述探針頭組件內的一些探針頭可以是在基板90上之一數目之DUT之至少一臨界值分數。所述數目之DUT之所述臨界值分數的範例包括至少10%、至少20%、至少30%、至少40%、至少50%、至少60%、至少70%、至少80%、至少90%或100%。

卡盤30界定一支撐表面32。支撐表面32可以是一平坦的，或至少實質地平坦的，支撐表面32並且可以被配置以接觸且/或支撐基板90及/或其中的DUT92。

如圖4中的虛線所說明，探針系統10進一步可以包括一定位-調節結構40。定位-調節結構40可以被調適、配置、設計且/或建造以調節，控制且/或界定介於探針頭組件18及支撐表面32及/或基板90之間之一相對的定位。定位-調節結構可以是以任何適當的方式關聯於、操作地附接至、配置以平移且/或配置以旋轉探針系統10之任何適當的部分及/或結構。

此可包括探針頭組件18及/或卡盤30作為一單元之平移及/或旋轉。舉例而言，定位-調節結構40可以被配置以在一對準平面內相對於所述支撐表面操作地平移所述探針頭組件相，例如圖4之所述X-Y平面，其係平行，或至少實質地平行，於所述支撐表面。作為另一個範例，定位-調節結構40可以被配置以沿著一接觸軸線相對於所述支撐表面操作地平移所述探針頭組件，例如圖4之所述Z-軸線，其係垂直，或至少實質地垂直，於所述支撐表面。作為再另一個範例，所述定位-調節結構可以被配置以繞著所述接觸軸線相對於所述支撐表面操作地旋轉所述探針頭組件。作為另一個範例，所述定位-調節結構可以被配置以在所述對準平面內操作地平移所述卡盤關於所述探針頭組件。作為再另一個範例，所述定位-調節結構可以被配置以沿著所述接觸軸線相對於所述探針頭組件操作地平移所述卡盤。作為另一個範例，所述定位-調節結構可以被配置以繞著所述接觸軸線相對於所述探針頭組件操作地旋轉所述卡盤。此介於所述探針頭組件及所述卡盤之間之相對的運動可以促進在所述對準平面內探針尖端22與接觸墊94之對準。

此也可包括探針頭組件18及/或卡盤30沿著所述接觸軸線之平移。此相對的運動沿著所述接觸軸線可以允許探針系統10以建立且/或停止介於所述探針頭組件及所述基板之間的接觸。

此也可包括探針頭組件18之一部分，或部位，相對於所述探針頭組件之另一個部分，或部位之平移。舉例而言，定位-調節結構40可以被配置以沿著所述接觸軸線相對於所述複數個探針頭之一第二子集操作地平移所述複數個探針頭20之至少一第一子集。此介於所述複數個探針 頭之所述第一子集及所述複數個探針頭之所述第二子集之間之相對的運動可以促進在基板90不是平坦的情況下介於所有探針尖端及基板90之間的接觸，其中基板90係變形的，且/或其中所有接觸墊94並未在一單一接觸墊平面內，或至少實質地在一單一接觸墊平面內延伸。

也如圖4中虛線所說明的，探針系統10可以包括一外殼70其界定一封閉的容積72。當支撐表面32、至少一部分之探針尖端22及/或基板90出現時，可以延伸且/或被定位在所述封閉的容積內。外殼70可以被配置以控制且/或調節在封閉的容積72內之一環境。此可包括限制電磁輻射之傳播進入及/或在所述封閉的容積內傳播、限制磁場之傳播進入及/或在所述封閉的容積內傳播及/或限制電場之傳播進入及/或在所述封閉的容積內傳播。此也可以包括控制且/或調節延伸在所述封閉的容積內之一氣體的一化學組成物、控制且/或調節所述氣體之一濕氣內容及/或控制且/或調節所述氣體之一溫度。

也如圖4中虛線所說明的，探針系統10進一步可以包括一溫度-調節結構80。當溫度-調節結構80出現時，可以被調適、配置、設計且/或建造以控制且/或調節卡盤30之一溫度、支撐表面32之一溫度、基板90之一溫度、探針頭組件18之一溫度、探針頭20之一溫度及/或探針尖端22之一溫度。此可以包括控制且/或調節在一測試溫度範圍上之所述溫度，使得探針系統10可以在所述測試溫度範圍內之複數個不同的測試溫度測試基板90。作為範例，所述測試溫度範圍可以具有至少-100℃、至少-80℃、至少-60℃、至少-40℃、至少-20℃、至少0℃、至少20℃、至少40℃及/或至少60℃之一較低的溫度。作為另外的範例，所述測試溫度範圍可以具有 至多600℃、至多550℃、至多500℃、至多450℃、至多400℃、至多350℃、至多300℃、至多250℃及/或至多200℃之一較高的溫度。換句話說，所述測試溫度範圍可以包含、涵蓋且/或延伸橫跨至少100℃、至少150℃、至少200℃、至少250℃、至少300℃、至少350℃、至少400℃、至少450℃、至少500℃、至少550℃、至少600℃、至少650℃及/或至少700℃之一範圍。

也如圖1中虛線所說明的，探針系統10可以包括一或多個接觸-偵測結構85其配置以偵測且/或決定介於探針尖端22及相對應的接觸墊94之間的接觸。接觸-偵測結構85之一範例包括一光學的接觸-偵測結構，例如一相機、一電荷耦合裝置、一光學的組件及/或一顯微鏡。此一光學的接觸-偵測結構可以被配置以視覺地且/或光學地偵測介於一或多個探針尖端22及一或多個相對應的接觸墊94之間的對準及/或接觸，例如藉由觀察所述對準及/或所述接觸。一接觸-偵測結構85之另一個範例包括一電性的接觸-偵測結構，例如一連續性偵測電路。此一電性的接觸-偵測結構可以被配置以電性地偵測介於一或多個探針尖端22及一或多個相對應的接觸墊94之間的接觸，例如藉由偵測在一電路中電性的連續性其係經由介於所述一或多個探針尖端及所述一或多個相對應的接觸墊之間的接觸所形成。

控制器60可以包括且/或係任何適當的結構、裝置及/或多個裝置其可以被調適、配置、設計、建造且/或程式化以執行在此所討論的所述功能。此可以包括控制探針系統10之至少一部分的所述操作，例如探針頭組件18，卡盤30、定位-調節結構40及/或溫度-調節結構80。根據，或使得所述探針系統執行方法100之任何適當的部分或子集，附加地或二擇 一地，控制器60可以被程式化以控制探針系統10之所述操作，其係更詳細地於此討論。控制器60之範例包括一電子的控制器、一專用的控制器、一特殊用途控制器、一個人電腦、一特殊用途電腦、一顯示器裝置、一邏輯裝置、一記憶體裝置及/或一具有電腦可讀取儲存媒體62之記憶體裝置的一或多個。

當出現所述電腦可讀取儲存媒體時，也可以被參照於此作為非暫態電腦可讀取儲存媒體。此非暫態電腦可讀取儲存媒體可以包括、界定、安置且/或儲存電腦可執行指令、程式及/或代碼；並且這些電腦可執行指令可以指示探針系統10及/或其中的控制器60以執行方法100之任何適當的部分或子集。此非暫態電腦可讀取儲存媒體之範例包括CD-ROM、磁片、硬碟、閃存記憶體等。如本文所使用，根據本揭示之具有電腦可執行指令的儲存、記憶體、裝置及/或媒體，以及電腦-建置方法及其它的方法，係認在根據美國專利法第101節視為可專利之標的之所述範圍內。

基板90可以包括且/或係任何適當的基板其可以支撐，或具有其上所界定的，DUT92。作為範例，基板90可以包括一晶圓、一半導體晶圓、一矽晶圓及/或一III-V族半導體晶圓之一或多個。當基板90包括所述半導體晶圓，所述半導體晶圓可以包括且/或係一傳統的、圓形的、或至少實質地圓形的半導體晶圓。所述圓形的半導體晶圓可以具有且/或界定25毫米(mm)、50mm、75mm、100mm、150mm、200mm、300mm及/或450mm之一直徑或一標稱直徑。

圖5係描繪根據本揭示，測試複數個待測裝置，之方法100的一流程圖。圖6-11係圖之5所述方法之部份之示意的圖示，執行在不同 於一探針頭組件之一設計溫度的一測試溫度，而圖12-13係圖5之所述方法之一部分之示意的圖示，執行在所述探針頭組件之所述設計溫度。圖13-15進一步說明一些探針其可以在不同的溫度接觸相對應的接觸墊。在圖6-15中，DUT92之接觸墊94係小於圖1-3中之DUT92之相對應的接觸墊94，並且圖5-15中之方法100可以允許在一寬廣的測試溫度範圍上測試，其範例係揭示於此，不需要揭示於此而參照至圖1-3之所述加大的接觸墊。

方法100包括在步驟110在所述測試溫度平衡、在步驟120操作地對準、在步驟130促使進行通連、在步驟140測試並且在步驟150在所述測試溫度重複所述方法之至少一部分。方法100進一步可以包括在步驟160在一中間溫度重複所述方法之至少一部分及/或在步驟170在所述設計溫度重複所述方法之至少一部分。

在步驟110在所述測試溫度平衡可以包括平衡一基板，其包括安排在一DUT陣列的複數個待測裝置，以及一探針頭組件，其包括在所述測試溫度安排在一探針頭陣列之複數個探針頭。所述測試溫度可以是不同於所述探針頭組件之所述設計溫度。就此而論，在步驟110的所述平衡之後，所述探針頭陣列可以界定一平均探針頭陣列間距其不同於所述DUT陣列之一平均DUT陣列間距，如本文所討論而參照至圖1-3。所述平均探針頭陣列間距可以在一對準平面中被量測，所述對準平面係平行，或至少實質地平行，於包括所述DUT之所述基板的一表面。

所述在步驟110平衡可以包括在所述測試溫度平衡，使得所述平均探針頭陣列間距係在所述平均DUT陣列間距之一臨界值間距差異範圍內係在本揭示之所述範圍內。作為範例，所述臨界值間距差異範圍可以 是至少0.1微米、至少0.2微米、至少0.4微米、至少0.6微米、至少0.8微米、至少1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5微米、至少10微米、至少20微米及/或至少30微米。附加地或二擇一地，所述臨界值間距差異範圍可以是至多100微米、至多80微米、至多60微米、至多40微米、至多20微米、至多15微米、至多10微米、至多8微米、至多6微米、至多4微米及/或至多2微米。介於所述平均探針頭陣列間距及所述平均DUT陣列間距之間的所述差異(亦即，所述臨界值間距差異範圍)可以是介於所述基板之一熱膨脹係數或一有效熱膨脹係數及所述探針頭組件之一熱膨脹係數或一有效熱膨脹係數之間之一差異的一結果。

在步驟120操作地對準可以包括操作地對準所述複數個探針頭之各探針尖端之一第一子集與所述複數個DUT之一第一子集之一相對應的接觸墊。此可以包括操作地對準使得至少一探針頭之至少一探針尖端係未對準所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊。所述操作的對準可以是在所述對準平面內、或平行於所述對準平面且/或可以是垂直於所述對準平面。

在步驟120所述操作地對準係示意性地說明在圖6-7並且指出在51。如圖6所說明，在所述第一子集內的探針尖端22及接觸墊94係操作地對準一另一個使得所述探針尖端可以接觸且/或與所述接觸墊通連。然而，在所述第一子集外的探針尖端22係未對準、未必接觸且/或未必與所述相對應的接觸墊通連。換句話說，在步驟120所述操作地對準可以包括對準使得在所述複數個探針頭之一未對準子集46(例如，在所述第一子集外之探針頭)中之各探針尖端係未對準所述相對應的接觸墊，然而在一對 準子集44(例如，在第一子集51內之探針尖端)之各探針尖端係對準所述相對應的接觸墊。

圖7以實心矩形說明對準子集44並且以空心矩形說明未對準子集46。如圖7所說明，基板90可以包括一二維陣列之DUT 92，並且未對準子集46可以包括在所述二維陣列內之各方向(例如圖7之所述X及Y方向)中所量測之DUT的一子集，或少於所有所量測之DUT。

所述複數個探針頭之所述第一子集可以包括所述複數個探針頭之任何適當數目，或分數係在本揭示之所述範圍內。舉例而言，所述複數個探針頭之所述第一子集可以包括所述複數個探針頭之至少5%、至少10%、至少15%及/或至少20%。附加地或二擇一地，所述複數個探針頭之所述第一子集可以包括所述複數個探針頭之至多50%、至多40%、至多30%、至多20%及/或至多10%。換句話說，所述複數個探針頭之所述第一子集可以包括一或多個探針頭，包括至少1、至少2、至少3、至少4、至少6、至少8、至少10、至少15、至少20、至少25及/或至少30個探針頭。

類似地，所述複數個探針頭之所述未對準子集可以包括所述複數個探針頭之任何適當數目，或分數也在本揭示之所述範圍內。舉例而言，所述複數個探針頭之所述未對準子集可以包括所述複數個探針頭之至少10%、至少20%、至少30%、至少40%、至少50%、至少60%、至少70及/或至少80%。附加地或二擇一地，所述複數個探針頭之所述未對準子集可以包括所述複數個探針頭之至多95%、至多90%、至多80%、至多70%、至多60%、至多50%、至多40%及/或至多30%。換句話說，所述複數個探針頭之所述未對準子集可以包括至少1、至少2、至少3、至少4、至少6、 至少8、至少10、至少15、至少20、至少25及/或至少30個而少於所述複數個探針頭中之一合計數目之探針頭。

在步驟120所述操作地對準可以以任何適當的方式被完成。舉例而言，在步驟120所述操作地對準可以包括相對於所述探針頭組件操作地平移且/或旋轉所述基板。附加地或二擇一地，在步驟120所述操作地對準可以包括相對於所述基板操作地平移且/或旋轉所述探針頭組件。此可以包括在一平面內操作地平移且/或旋轉，所述平面係平行，或至少實質地平行，於所述基板之一表面，所述基板包括且/或支撐所述複數個DUT，例如圖4之所述X-Y平面。

作為另一個範例，在步驟120所述操作地對準可以包括相對於所述複數個探針頭中之至少一探針頭操作地平移所述複數個探針頭中之至少一其它的探針頭。此可以包括沿著一接觸軸線操作地平移所述至少一探針頭，所述接觸軸線係垂直，或至少實質地垂直，於所述對準平面。換句話說，在步驟120所述操作地對準可以包括沿著所述接觸軸線操作地平移一或多個探針頭(相對於另一個)使得介於所述複數個探針頭中之各探針頭及所述複數個DUT中之各相對應的DUT之間的一距離係常數，係至少實質地常數，且/或係在一臨界值距離範圍內。此一配置可以在所述基板可能是變形的及/或可能是不平坦的情況下促進介於所述探針頭及所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊之間的接觸。

在步驟130促使進行通連可以包括促使所述複數個探針頭之所述第一子集之各探針尖端之各探針頭與所述複數個DUT之所述第一子集之所述相對應的接觸墊進行通連。此可以包括促使所述複數個探針頭之 所述第一子集之各探針尖端與所述相對應的接觸墊進行實際的接觸，與所述相對應的接觸墊進行電性的通連，與所述相對應的接觸墊進行光學的通連且/或與所述相對應的接觸墊進行電磁的通連。

作為一更特定的範例，在步驟130所述促使進行通連可以包括實際地將所述複數個探針頭之所述第一子集中之各探針尖端與所述複數個接觸墊之所述第一子集中之所述相對應的接觸墊接觸。同時地，在步驟130所述促使進行通連也可以包括將所述複數個探針頭之所述未對準子集之各探針頭之各探針尖端與不包括所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊之所述相對應的DUT之一部分實際地接觸。此係說明於圖6的46，其中在第一子集51外(例如，其係在未對準子集46中)的探針尖端22接觸相對應的DUT 92但未對準其接觸墊94。

在步驟140測試可以包括測試所述複數個DUT之所述第一子集之所述操作並且可以以任何適當的方式被完成。舉例而言，所述測試在步驟140可以包括提供一個別的測試信號給所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT，例如經由接觸各DUT之所述相對應之接觸墊的一個別的探針尖端。作為另一個範例，在步驟140所述測試可以包括從所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT接收一個別的合成信號，例如經由接觸所述DUT及/或其接觸墊之所述，或另一個，探針尖端。

在步驟150，在所述測試溫度重複所述方法的至少所述部分可以包括重複方法100之任何適當的部分以且/或利用所述複數個探針頭之一第二子集之探針尖端來測試所述複數個DUT之一第二子集。舉例而言，在步驟150所述重複可以包括重複在步驟120所述操作地對準以將所述複數 個探針頭之所述第二子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第二子集之相對應的接觸墊對準。所述複數個探針頭之所述第二子集可以是至少部分地，或甚至完全地，不同於所述複數個探針頭之所述第一子集。類似地，所述第二子集之所述複數個DUT可以是至少部分地，或甚至完全地，不同於所述複數個DUT之所述第一子集。

作為另一個範例，在步驟150所述重複可以包括重複在步驟130所述促使進行通連以促使所述複數個探針頭之所述第二子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第二子集之所述相對應的接觸墊進行通連。作為再另一個範例，在步驟150所述重複可以包括重複在步驟140所述測試以測試所述複數個DUT之所述第二子集之所述操作。

在步驟150所述重複係示意性地說明於圖8-11。如圖8在52所指出，探針頭組件18係對準基板90使得所述複數個探針頭20之一第二子集之探針尖端22係對齊所述複數個DUT 92之一第二子集之相對應的接觸墊94。換句話說，在對準子集44內的探針尖端22接觸相對應的接觸墊，然而在未對準子集46內的探針尖端並未接觸相對應的接觸墊。圖9說明對準子集44及未對準子集46可以再次二維延伸。

在步驟150所述重複可以被重複任何適當次數以測試所述複數個DUT之任何適當數目之子集。此係說明於圖10-11。如圖10在53所指出，所述複數個探針頭20之一隨後的子集之探針尖端22係對準所述複數個DUT之一隨後的子集之接觸墊94以允許所述複數個DUT之所述隨後的子集之測試。圖11再次說明對準子集44及未對準子集46可以二維延伸。

在步驟160在所述中間溫度重複所述方法之至少所述部分 可以包括在一或多個中間溫度重複方法100之任何適當的部分，所述中間溫度係不同於，或介於所述測試溫度及所述設計溫度之間，。舉例而言，在步驟160所述重複可以包括重複在步驟110所述平衡以在所述中間溫度平衡所述探針頭組件及所述基板。作為另一個範例，在步驟160所述重複可以包括重複在步驟120所述操作地對準以操作地對準所述複數個探針頭之一第三子集之各探針尖端與所述複數個DUT之一第三子集之一相對應的接觸墊。作為再另一個範例，在步驟160所述重複可以包括重複在步驟130所述促使進行通連以促使所述複數個探針頭之所述第三子集之各探針尖端與所述相對應的接觸墊進行通連。作為另一個範例，在步驟160所述重複可以包括重複在步驟140所述測試以測試所述複數個DUT之所述第三子集之所述操作。作為再另一個範例，在步驟160所述重複可以包括重複在步驟150所述重複以在所述中間溫度測試所述複數個DUT之一隨後的子集。

所述中間溫度可以是不同於所述設計溫度，比所述測試溫度至所述設計溫度更接近所述設計溫度，且/或比所述測試溫度離所述設計溫度更遠離所述設計溫度。就此而論，所述複數個探針頭之所述第三子集可以相較於在所述複數個探針頭之所述第一子集及/或在所述複數個探針頭之所述第二子集之一數目之探針頭而包括一不同的數目、一更大數目及/或更少之探針頭。此係示意性地說明於圖12-13。圖12說明一情況，其中在所述中間溫度，在對準子集44中之所述數目之探針頭係多於圖6-11之對準子集44中之所述數目之探針頭(亦即，在所述測試溫度)。相較之下，圖13說明一情況，其中在所述中間溫度，在對準子集44中之所述數目之探針頭係少於圖6-11之對準子集44中之所述數目之探針頭(亦即，在所述測試溫度)。

所述複數個探針頭之所述第三子集可以包括來自所述複數個探針頭之所述第一、第二及/或隨後的子集的一或多個探針頭。類似地，所述複數個DUT之所述第三子集可以包括來自所述複數個DUT之所述第一、第二及/或隨後的子集的一或多個DUT。然而，所述複數個探針頭之所述第三子集仍無法包括所述複數個探針頭中之每個探針頭。換句話說，當所述探針頭組件係在所述中間溫度時所述平均探針頭陣列間距可能不同於當所述基板係在所述中間溫度時所述平均DUT陣列間距且/或可以是充分地不同以排除介於所有探針尖端及所有相對應的接觸墊之間的接觸。然而，在所述中間溫度介於所述平均探針頭陣列間距及所述平均DUT陣列間距之間的一差異可以小於在所述測試溫度之一相對應的差異。

在步驟170，在所述設計溫度重複所述方法之至少所述部分可以包括在所述設計溫度重複方法100之任何適當的部分。舉例而言，在步驟170所述重複可以包括在所述設計溫度重複在步驟110所述平衡以平衡所述基板及所述探針頭組件。作為另一個範例，在步驟170所述重複可以包括重複在步驟120所述操作地對準以操作地將所述複數個探針頭中之各探針頭的各探針尖端對準所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊。作為再另一個範例，在步驟170所述重複可以包括重複在步驟130所述促使進行通連以促使所述複數個探針頭中之各探針頭的各探針尖端與所述相對應的接觸墊進行通連。作為另一個範例，在步驟170所述重複可以包括重複在步驟140所述測試以測試所述複數個DUT之各DUT的所述操作。

如所討論，所述探針頭組件可以被配置使得，在所述設計溫 度，所述平均探針頭陣列間距匹配，或至少實質地匹配，所述平均DUT陣列間距。就此而論，在步驟170所述重複可以包括同時地接觸各探針頭之各探針尖端與所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊。此係說明於圖14-15，其中探針頭組件18之各探針尖端22接觸DUT 92之一相對應的接觸墊94。換句話說，在所述設計溫度，所述探針頭組件中之各探針頭係包含於對準子集44。

在步驟170所述重複可以包括同時地且/或循序地測試所述複數個DUT之各DUT係在本揭示之所述範圍內。附加地或二擇一地，在步驟170所述重複可以包括在所述複數個DUT之所述測試期間維持介於所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端及所述複數個DUT之各相對應的接觸墊之間的通連。

所述複數個探針頭中之一些探針頭可以對應，或等於，所述基板上之一合計數目之DUT係在本揭示之所述範圍內。換句話說，所述複數個DUT可以包括所述基板上之各個，或每個，DUT係在本揭示之所述範圍內。然而，此並非需要，並且所述複數個DUT可以包括所述基板上之一部分、一子集或更少於全部之所述合計數目之DUT。

如所討論，傳統的DUT一般來說具有寬度在數百毫米等級的接觸墊，並且為了在一寬廣的測試溫度範圍上允許傳統的探針系統來測試所述傳統的DUT，這些大接觸墊經常是必須的。相較之下，揭示於此之所述探針系統、儲存媒體和方法允許所述接觸墊之所述寬度顯著地減少，例如至50微米的寬度，或更小。

在本揭示中，幾個所述解說性的、非專屬的範例已經被討論 且/或呈現在所述流程表或流程圖的上下文中，其中所述方法係展示且描述為一系列之方塊，或步驟。除非在所述附帶的描述特定地提出，所述方塊的所述順序可以從所述流程圖之所述說明的順序變化，包括所述方塊(或步驟)之二或多個在一不同的順序及/或同時地發生係在本揭示之所述範圍內。所述方塊，或步驟，可以被建置為邏輯，其也可以被描述為建置所述方塊，或步驟為邏輯，也是在本揭示之所述範圍內。在某些應用，所述方塊，或步驟，可以代表表達式及/或動作用以藉由功能等效的電路或其它的邏輯裝置來執行。所述說明的方塊可以，但非必要，代表可執行指令其引起一電腦、處理器及/或其它的邏輯裝置回應，以執行一動作，來改變狀態，而產生一輸出或顯示，且/或做決定。

如本文所使用，置於一第一實體及一第二實體之間的所述術語“及/或”(或“且/或”)表示(1)所述第一實體，(2)所述第二實體以及(3)所述第一實體及所述第二實體之一者。以“及/或”(或“且/或”)列出的多個實體應以相同的方式解釋，亦即，所述實體之“一或多個”如此結合。其它的實體可以不同於所述藉由所述“及/或”(或“且/或”)語句所特定地識別的實體而選擇性地出現，無論相關或不相關於那些特定地識別的實體。如此，作為一非限制範例，一參照至“A及/或B，”當結合開放性語言使用時，例如“包括”可以在一個實施例，僅參照至A(選擇性地包括不同於B的實體)；在另一個實施例，僅參照至B(選擇性地包括不同於A的實體)；再另一個實施例，參照至兩者A及B(選擇性地包括其它的實體)。這些實體可以參照至組件、動作、結構、步驟、操作及值之類。

如本文所使用，在參照至一列表之一或多個實體的所述片語 “至少一者”應當被理解是指選自所述列表之實體中之所述實體之任何一或多個的至少一實體，但不必然包括特定地列在所述列表之實體內之各個及每個實體之至少一者，並且不排除所述列表之實體中之實體的任何組合。此定義也容許實體可以選擇性地出現而不同於所述片語“至少一”所參照的所述列表之實體內所特定地識別的所述實體，無論相關於或不相關於那些特定地識別實體。如此，作為一非限制範例，“A及B之至少一者”(或，相等地，“A或B之至少一者”或，相等地“A及/或B之至少一者”)可以，在一個實施例，參照為至少一，選擇性地包括多於一個A而沒有B出現(並且選擇性地包括不同於B的實體)；在另一個實施例中，參照為至少一，選擇性地包括多於一個B而沒有A出現(並且選擇性地包括不同於A的實體)；再另一個實施例，參照為至少一，選擇性地包括多於一個A，以及至少一，選擇性地包括多於一個B(並且選擇性地包括其它的實體)。換言之，所述片語“至少一”、“一或多個”以及“及/或”(或“且/或”)係開放性表達式其係結合的與分離的兩者在運作。舉例來說，所述表達式“A、B及C之至少一者”、“A、B或C之至少一者”“A、B及C之一或多者”、“A、B或C之一或多者”以及“A、B及/或C”的各者可以表示單獨A、單獨B、單獨C、A及B一起、A及C一起，B及C一起、A、B及C一起，以及選擇性地前述之任意者與至少一其它的實體組合。

如本文所使用，所述術語“調適”及“配置”表示所述[組件、構件或其它的標的係設計且/或意欲來執行一給定功能。如此，所述術語“調適”及“配置”的使用不應被解釋為表示一給定組件、構件或其它的標的係僅“能”執行一給定功能，而是所述組件、構件及/或其它的標的 係特定地選擇、創造、建置、利用、程式化且/或設計用於所述執行所述功能的目的。被敘述為被調適以執行一特定的功能的組件、構件及/或其它的敘述的標的可以附加地或二擇一地被描述作為係配置以執行其功能，並且反之亦然也是在本揭示之所述範圍內。

如本文所述，當與根據本揭示參照至一或多個構件、特性、細節、結構、實施例及/或方法使用時，所述片語，“舉例來說”、所述片語，“舉例而言”及/或簡單的所述術語“範例”係想要傳遞根據本揭示所述描述構件、特性、細節、結構、實施例及/或方法係構件，特性，細節，結構，實施例及/或方法之一解說性的、非專屬的範例。如此，所述描述的構件、特性、細節、結構、實施例及/或方法並非想要被限制、要求或專屬的/窮盡的；並且其它的構件、特性、細節、結構、實施例及/或方法，包括結構性且/或功能性類似的及/或相等的構件、特性、細節、結構、實施例及/或方法，係在本揭示之所述範圍內。

根據本揭示之解說性的、非專屬的範例係在下列編號的段落中說明。敘述於此之一方法之一個別的步驟，包括在下列編號的段落，可以附加地或二擇一地被參照為執行所敘述的動作之一“用於...步驟”，係在本揭示之所述範圍內。

A1、一種測試複數個待測裝置(DUT)之方法，所述複數個DUT係出現在一基板上，具有一探針頭組件，其包括複數個探針頭，其中所述複數個DUT的各者包括一接觸墊，其中所述複數個探針頭之各者包括一探針尖端配置以與所述複數個DUT之一相對應的DUT之一相對應的接觸墊通連，其中所述複數個DUT係安排在一DUT陣列中之所述基板上，所 述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距，其中所述複數個探針頭係安排在一探針頭陣列中之所述探針頭組件內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距，並且進一步其中所述平均探針頭陣列間距在一設計溫度係匹配至所述平均DUT陣列間距，所述方法包括：平衡所述基板及所述探針頭組件至一測試溫度其係不同於所述設計溫度，其中，在所述測試溫度，所述平均探針頭陣列間距不同於所述平均DUT陣列間距；操作地對準所述複數個探針頭之一第一子集之各探針尖端與所述複數個DUT之一第一子集之所述相對應的接觸墊，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之至少一探針頭之至少一探針尖端係未對準所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之所述第一子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第一子集之所述相對應的接觸墊進行通連；測試所述複數個DUT之所述第一子集之所述操作；並且重複所述操作地對準、所述促使及所述測試以：(i)對準各所述複數個探針頭之一第二子集之探針尖端，其係不同於所述複數個探針頭之所述第一子集，與不同於所述複數個DUT之所述第一子集之所述複數個DUT之一第二子集之所述相對應的接觸墊；(ii)促使所述複數個探針頭之所述第二子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第二子集之所述相對應的接觸墊進行通連；並且(iii)測試所述複數個DUT之所述第二子集之所述操作。

A2、如段落A1所述之方法，其中所述平衡包括平衡使得， 在所述測試溫度，所述平均探針頭陣列間距，如在一/所述對準平面內量測，所述對準平面係平行，或至少實質地平行，於包括所述複數個DUT之所述基板之一/所述表面，係在所述平均DUT陣列間距之一臨界值間距差異範圍內。

A3、如段落A2所述之方法，其中所述臨界值間距差異範圍係下列之至少一者：(i)至少0.1微米、至少0.2微米、至少0.4微米、至少0.6微米、至少0.8微米、至少1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5微米、至少10微米、至少20微米或至少30微米；以及(ii)至多100微米、至多80微米、至多60微米、至多40微米、至多20微米、至多15微米、至多10微米、至多8微米、至多6微米、至多4微米或至多2微米。

A4、如段落A2-A3中之任一者所述的方法，其中所述臨界值間距差異範圍係介於所述基板之一熱膨脹係數及所述探針頭組件之一熱膨脹係數之間之一差異之一結果。

A5、如段落A1-A4中之任一者所述的方法，其中所述複數個探針頭之所述第一子集包括下列之至少一者：(i)所述複數個探針頭之至少5%、至少10%、至少15%或至少20%；以及(ii)所述複數個探針頭之至多50%、至多40%、至多30%、至多20%或至多10%。

A6、如段落A1-A5中之任一者所述的方法，其中所述複數 個探針頭之所述第一子集包括至少1、至少2、至少3、至少4、至少6、至少8、至少10、至少15、至少20、至少25或至少30個探針頭。

A7、如段落A1-A6中之任一者所述的方法，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之一未對準子集中之各探針尖端係未對準所述相對應的接觸墊。

A8、如段落A7所述之方法，其中所述複數個探針頭之所述未對準子集包括下列之至少一者：(i)所述複數個探針頭之至少10%、至少20%、至少30%、至少40%、至少50%、至少60%、至少70%、或至少80%；以及(ii)所述複數個探針頭之至多95%、至多90%、至多80%、至多70%、至多60%、至多50%、至多40%或至多30%。

A9、如段落A1-A8中之任一者所述的方法，其中所述操作地對準包括相對於所述基板及所述探針頭組件之至少一者而操作地平移所述基板及所述探針頭組件之另一者。

A10、如段落A9所述之方法，其中所述操作地平移包括在一/所述對準平面內操作地平移，所述對準平面係平行，或至少實質地平行，於包括所述DUT之所述基板之一/所述表面。

A11、如段落A1-A10中之任一者所述的方法，其中所述操作地對準包括相對於所述基板及所述探針頭組件之至少一者而在一/所述對準平面內操作地旋轉所述基板及所述探針頭組件之另一者所述對準平面係平行，或至少實質地平行，於包括所述DUT之所述基板之一/所述表面以旋轉地對準所述複數個探針頭與所述複數個DUT。

A12、如段落A1-A11中之任一者所述的方法，其中所述操作地對準包括相對於所述複數個探針頭中之至少一探針頭，沿著垂直，或至少實質地垂直，於所述基板之一/所述表面的一接觸軸線而操作地平移所述複數個探針頭中之至少一其它的探針頭，基板之一/所述表面包括所述複數個DUT使得介於所述複數個探針頭中之各探針頭及所述複數個DUT中之各相對應的DUT之間的一距離係常數、至少實質地常數或在一臨界值距離範圍內。

A13、如段落A1-A12中之任一者所述的方法，其中所述操作地對準包括下列之至少一者：(i)在平行，或至少實質地平行，於一/所述對準平面其係平行，或至少實質地平行，於包括所述複數個DUT之所述基板之所述表面的方向中操作地對準；以及(ii)沿著垂直，或至少實質地垂直，於所述對準平面的一/所述接觸軸線操作地對準。

A14、如段落A1-A13中之任一者所述的方法，其中所述促使包括促使所述複數個探針頭之所述第一子集中之各探針尖端進行下列之至少一者：與所述相對應的接觸墊實際的接觸、與所述相對應的接觸墊電性的通連、與所述相對應的接觸墊光學的通連以及與所述相對應的接觸墊電磁的通連。

A15、如段落A1-A14中之任一者所述的方法，其中所述促使包括實際地使所述複數個探針頭之所述第一子集中之各探針尖端接觸所述相對應的接觸墊。

A16、如段落A1-A15中之任一者所述的方法，其中所述促使包括實際地使所述複數個探針頭之一/所述未對準子集之各探針尖端接觸不包括所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊之所述相對應的DUT的一部分。

A17、如段落A1-A16中之任一者所述的方法，其中所述測試包括下列之至少一者：(i)提供一測試信號至所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT；以及(ii)從所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT接收一合成信號。

A18、如段落A1-A17中之任一者所述的方法，其中所述重複包括重複複數次以利用所述複數個探針頭之各探針頭來測試所述複數個DUT之各相對應的DUT。

A19、如段落A1-A18中之任一者所述的方法，其中所述方法進一步包括：在所述設計溫度平衡所述基板及所述探針頭組件；操作地對準所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端與所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端與所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊進行通連；以及測試所述複數個DUT之各DUT之所述操作。

A20、如段落A19所述之方法，其中所述測試所述複數個 DUT之各DUT之所述操作包括同時地測試及循序地測試之至少一者。

A21、如段落A19-A20中之任一者所述的方法，其中所述測試所述複數個DUT之各DUT之所述操作包括測試同時維持介於所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端及所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊之間的所述通連。

A22、如段落A1-A21中之任一者所述的方法，其中所述方法進一步包括：在一中間溫度平衡所述基板及所述探針頭組件，選擇性地所述中間溫度係不同於且介於所述測試溫度及所述設計溫度之間的至少一者；操作地對準所述複數個探針頭之一第三子集之各探針尖端與所述複數個DUT之一第三子集之所述相對應的接觸墊，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之至少一探針頭之至少一探針尖端係未對準所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之所述第三子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第三子集之所述相對應的接觸墊進行通連；以及測試所述複數個DUT之所述第三子集之所述操作；其中所述複數個探針頭之所述第三子集中之一數目的探針頭係大於所述複數個探針頭之所述第一子集中之一數目的探針頭但小於所述複數個探針頭中之一數目的探針頭。

A23、如段落A1-A22中之任一者所述的方法，其中所述DUT陣列包括複數個DUT列，其界定一平均DUT列間距，以及複數個DUT欄，其界定一平均DUT欄間距，並且進一步其中所述平均DUT陣列間距包括所 述平均DUT列間距及所述平均DUT欄間距。

A24、如段落A1-A23中之任一者所述的方法，其中所述探針頭陣列包括下列之至少一者：(i)一探針頭列，或複數個探針頭列，其界定一平均探針頭列間距；以及(ii)一探針頭欄，或複數個探針頭欄，其界定一平均探針頭欄間距。

A25、如段落A24所述之方法，其中所述平均探針頭陣列間距包括所述平均探針頭列間距及所述平均探針頭欄間距之至少一者，以及選擇性地兩者。

B1、一種探針系統，配置以同時地測試複數個待測裝置(DUT)，所述複數個DUT係出現在一基板上，其中所述複數個DUT之各者包括一接觸墊，並且進一步其中所述複數個DUT係安排在一DUT陣列中之所述基板上，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距，所述探針系統包括：一探針頭組件包括複數個探針頭，其中：(i)所述複數個探針頭之各者包括一探針尖端配置以電性地接觸，並且與一相對應的DUT之一相對應的接觸墊通連；(ii)所述複數個探針頭係安排在一探針頭陣列中之所述探針頭組件內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距；以及(iii)選擇性地，所述平均探針頭陣列間距在所述探針系統之一設計溫度係至少實質地匹配至所述平均DUT陣列間距；一卡盤，界定一支撐表面配置以支撐所述基板；[以及/並且] 一控制器，程式化以根據段落A1-A25中之任一者所述的方法來控制所述探針系統之所述操作。

B2、如段落B1所述之方法，其中所述探針系統包括所述基板。

B3、如段落B1-B2中之任一者所述的方法，其中所述探針系統進一步包括一定位-調節結構配置以調節介於所述探針頭組件及所述基板之間的一相對的定位。

B4、如段落B3所述之方法，其中所述定位-調節結構係配置以執行下列之至少一者：(i)在平行，或至少實質地平行，於所述支撐表面的一對準平面內相對於所述支撐表面操作地平移所述探針頭組件；(ii)沿著垂直，或至少實質地垂直，於所述支撐表面的一接觸軸線相對於所述支撐表面操作地平移所述探針頭組件；(iii)繞著所述接觸軸線相對於所述支撐表面操作地旋轉所述探針頭組件；(iv)在所述對準平面內相對於所述探針頭組件操作地旋轉所述卡盤；(v)沿著所述接觸軸線相對於所述探針頭組件操作地平移所述卡盤；以及(vi)繞著所述接觸軸線相對於所述探針頭組件操作地旋轉所述卡盤。

B5、如段落B3-B4中之任一者所述的方法，其中所述定位- 調節結構係配置以沿著垂直，或至少實質地垂直，於所述支撐表面的一/所述接觸軸線相對於所述複數個探針頭之一第二子集操作地平移所述複數個探針頭之至少一第一子集。

B6、如段落B1-B5中之任一者所述的方法，其中所述探針系統進一步包括一外殼其界定一封閉的容積。

B7、如段落B6所述之方法，其中下列之至少一者成立：(i)所述支撐表面係定位在所述封閉的容積內；以及(ii)所述複數個探針頭之各者之所述探針尖端至少部分地延伸在所述封閉的容積內。

B8、如段落B1-B7中之任一者所述的方法，其中所述探針系統進一步包括一溫度-調節結構配置以調節下列至少一者之一溫度：(i)所述卡盤；(ii)所述支撐表面；(iii)所述基板；以及(iv)所述探針頭組件。

C1、一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，包括電腦可執行指令，當所述電腦可執行指令被執行時，指示一探針系統以執行段落A1-A25中之任一者所述的方法。

產業利用性

揭示於本文之所述探針系統、儲存媒體和方法係可利用於所述半導體製造及測試產業。

如前所述，咸信所述揭露內容包含多個具有獨立效用的不同 發明。儘管這些發明的各者已被揭示在它的較佳形式，如所揭示且說明於此之所述特定的實施例並不以一限制觀念被考慮，因為各種的變化是可能的。本發明之所述標的包括揭示於本文之所述各種組件、特徵、功能及/或特性之所有新穎的及非顯而易見的組合及次組合。類似地，當所述揭示內容，所述先前的編號段落，或隨後申請的申請專利範圍敘述“一”或“一第一”組件或其對等者，此申請專利範圍應被理解為包括一或多個此組件的併入，既不需要也不用排除二或多個此組件。

申請人保留針對某些組合及次組合提交申請專利範圍的權利，所述組合及次組合係針對所述揭示發明之一者並且相信是新穎的及非顯而易見的。具體化在其它的組合及次組合之特徵、功能、組件及/或特性的發明可以經由那些申請專利範圍之修正或在其或一相關的申請中之新的申請專利範圍之陳述被主張。此修正或新的申請專利範圍，無論它們係針對一不同的發明或針對相同的發明，無論相對所述原始的申請專利範圍在範圍上是不同的，較寬的，較窄的或相等的，也視為包含在本揭示之本發明之所述標的內。

10‧‧‧探針系統

18‧‧‧探針頭組件

20‧‧‧探針頭

22‧‧‧探針尖端

26‧‧‧平均探針頭陣列間距

30‧‧‧卡盤

32‧‧‧支撐表面

40‧‧‧定位-調節結構

60‧‧‧控制器

62‧‧‧儲存媒體

70‧‧‧外殼

72‧‧‧封閉的容積

80‧‧‧溫度-調節結構

85‧‧‧接觸-偵測結構

90‧‧‧基板

92‧‧‧DUT

94‧‧‧接觸墊

95‧‧‧寬度

96‧‧‧平均DUT陣列間距

Claims (21)

1. 一種測試複數個待測裝置(DUT)之方法，所述DUT係出現在一基板上，具有一探針頭組件，其包括複數個探針頭，其中所述複數個DUT之各者包括一接觸墊，其中所述複數個探針頭之各者包括一探針尖端配置以與所述複數個DUT之一相對應的DUT之一相對應的接觸墊通連，其中所述複數個DUT係安排在一DUT陣列中之所述基板上，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距，其中所述複數個探針頭係安排在一探針頭陣列中之所述探針頭組件內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距，並且進一步其中在一設計溫度所述平均探針頭陣列間距係匹配至所述平均DUT陣列間距，所述方法包括：平衡所述基板及所述探針頭組件至一測試溫度其係不同於所述設計溫度，其中，在所述測試溫度，所述平均探針頭陣列間距不同於所述平均DUT陣列間距；操作地將所述複數個探針頭之一第一子集之各探針尖端與所述複數個DUT之一第一子集之所述相對應的接觸墊對準，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之至少一探針頭之至少一探針尖端係未對準所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之所述第一子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第一子集之所述相對應的接觸墊進行通連；測試所述複數個DUT之所述第一子集之所述操作；並且重複所述操作地對準，所述促使及所述測試以：(i)將不同於所述複數個探針頭之所述第一子集之所述複數個探針 頭之一第二子集之各探針尖端，與不同於所述複數個DUT之所述第一子集之所述複數個DUT之一第二子集之所述相對應的接觸墊對準；(ii)促使所述複數個探針頭之所述第二子集之各探針尖端與所述複數個DUT之所述第二子集之所述相對應的接觸墊進行通連；並且(iii)測試所述複數個DUT之所述第二子集之所述操作。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述平衡包括平衡使得，在所述測試溫度，所述平均探針頭陣列間距，如在一對準平面內所量測，所述對準平面係至少實質地平行於包括所述複數個DUT之所述基板之一表面，係在所述平均DUT陣列間距之一臨界值間距差異範圍內，其中所述臨界值間距差異範圍係至少0.1微米且至多100微米。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述複數個探針頭之所述第一子集包括所述複數個探針頭之至少5%且至多50%。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述複數個探針頭之所述第一子集包括至少1探針頭。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之一未對準子集中之各探針尖端係未對準所述相對應的接觸墊。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中所述複數個探針頭之所述未對準子集包括所述複數個探針頭之至少50%且至多95%。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述複數個探針頭之所述未對準子集包括比所述複數個探針頭中之一合計數目至少一更少的數目之探針頭。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述操作地對準包括相對於所述基板及所述探針頭組件之至少一者操作地平移所述基板及所述探針頭組件之另一者，其中所述操作地平移包括在至少實質地平行於包括所述DUT之所述基板之一表面的一對準平面內操作地平移。
9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述操作地對準包括在至少實質地平行於包括所述DUT之所述基板之一表面的一對準平面內相對於所述基板及所述探針頭組件之所述至少一者操作地旋轉所述基板及所述探針頭組件之另一者以旋轉地對準所述複數個探針頭與所述複數個DUT。
10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述操作地對準包括沿著至少實質地垂直於包括所述複數個DUT之所述基板之一表面的一接觸軸線，相對於所述複數個探針頭中之至少一其它的探針頭，操作地平移所述複數個探針頭中之至少一探針頭，，使得介於所述複數個探針頭中之各探針頭及所述複數個DUT中之各相對應的DUT之間的一距離係在一臨界值距離範圍內。
11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述促使包括實際地使所述複數個探針頭之所述第一子集中之各探針尖端接觸所述相對應的接觸墊。
12. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述促使包括實際地使所述複數個探針頭之一未對準子集之各探針尖端接觸不包括所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊之所述相對應的DUT的一部分。
13. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述測試包括下列之至少一者： (i)提供一測試信號給所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT；以及(ii)接收一合成信號從所述複數個DUT之所述第一子集中之各DUT。
14. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述重複包括重複複數次以利用所述複數個探針頭之各探針頭來測試所述複數個DUT之各相對應的DUT。
15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述方法進一步包括：在所述設計溫度平衡所述基板及所述探針頭組件；操作地對準所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端與所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之各探針頭之各探針尖端與所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊進行通連；以及測試所述複數個DUT之各DUT之所述操作。
16. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述方法進一步包括：在不同於所述測試溫度及所述設計溫度之一中間溫度平衡所述基板及所述探針頭組件；操作地對準所述複數個探針頭之一第三子集之各探針尖端與所述複數個DUT之一第三子集之所述相對應的接觸墊，其中所述操作地對準包括操作地對準使得所述複數個探針頭之至少一探針頭之至少一探針尖端係未對準所述複數個DUT之所述相對應的DUT之所述相對應的接觸墊；促使所述複數個探針頭之所述第三子集之各探針尖端與所述複數個 DUT之所述第三子集之所述相對應的接觸墊進行通連；以及測試所述複數個DUT之所述第三子集之所述操作；其中所述複數個探針頭之所述第三子集中之一數目的探針頭係大於所述複數個探針頭之所述第一子集中之一數目的探針頭但小於所述複數個探針頭中之一數目的探針頭。
17. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述DUT陣列包括複數個DUT列，其界定一平均DUT列間距，以及複數個DUT欄，其界定一平均DUT欄間距，並且進一步其中所述平均DUT陣列間距包括所述平均DUT列間距及所述平均DUT欄間距，並且進一步其中所述探針頭陣列包括下列之至少一者：(i)一探針頭列，或複數個探針頭列，其界定一平均探針頭列間距；以及(ii)一探針頭欄，或複數個探針頭欄，其界定一平均探針頭欄間距。
18. 一種探針系統，配置以同時地測試複數個待測裝置(DUT)，其係出現在一基板上，其中所述複數個DUT的各者包括一接觸墊，並且進一步其中所述複數個DUT係安排在一DUT陣列中之所述基板上，所述DUT陣列界定一平均DUT陣列間距，所述探針系統包括：一探針頭組件包括複數個探針頭，其中：(i)所述複數個探針頭之各者包括一探針尖端配置以電性地接觸，並且與一相對應的DUT之一相對應的接觸墊通連；(ii)所述複數個探針頭係安排在一探針頭陣列中之所述探針頭組件內，所述探針頭陣列界定一平均探針頭陣列間距；並且 (iii)所述平均探針頭陣列間距係在所述探針系統之一設計溫度至少實質地匹配至所述平均DUT陣列間距；一卡盤，界定一支撐表面配置以支撐所述基板；以及一控制器，程式化以根據如申請專利範圍第1項所述之方法控制所述探針系統之所述操作。
19. 如申請專利範圍第18項所述之探針系統，其中所述探針系統進一步包括一定位-調節結構配置以調節介於所述探針頭組件及所述基板之間的一相對的定位。
20. 如申請專利範圍第18項所述之探針系統，其中所述探針系統進一步包括一溫度-調節結構配置以調節下列至少一者之一溫度：(i)所述卡盤；(ii)所述支撐表面；(iii)所述基板；以及(iv)所述探針頭組件。
21. 一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，包括電腦可執行指令，當所述指令被執行時指示一探針系統以執行如申請專利範圍第1項所述之方法。