TW201735298A - R鏈結-用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽技術 - Google Patents

R鏈結-用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽技術 Download PDF

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Abstract

一垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。此等減少了資料訊號接點、附接結構及垂直「訊號」互連件間之串擾。該等接地屏蔽附接結構可包括焊料凸塊及/或表面接點之圖案。該陰影孔洞可環繞接地平面中之孔洞且比資料訊號焊料凸塊更大。該等垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之接地屏蔽互連件之圖案。該屏蔽柵欄可包括接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之圖案。用於該電光模組之該接地屏蔽可包括接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。

Description

R鏈結-用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽技術
本發明之實施例大致上係有關於半導體封裝裝置，及特別地，係有關於一積體電路(IC)晶片可附接其上的基體封裝件及印刷電路板(PCB)基體，及其製造方法。此種基體封裝裝置可具有延伸貫穿一封裝裝置的垂直層級之垂直資料訊號發射互連件。
積體電路(IC)晶片(例如，「晶片」、「晶粒」、「IC」或「IC晶片」)諸如微處理器、共處理器、圖形處理器及其它微電子裝置常使用半導體封裝裝置(「封裝件」)來將該IC晶片實體上及/或電子上附接至電路板，諸如主機板(或主機板介面)。IC晶片(例如，「晶粒」)典型地安裝於微電子基體封裝件或封裝裝置內部，使其能在晶粒與插座、主機板、或其它下個層級組件間作電氣連結等其它功能。此等封裝裝置之若干實例為於其上可附接積體電路(IC)晶片或其它封裝裝置的基體封裝件、中介件、及印刷電路板(PCB)基體。
業界需要有價廉且高產出量的此等封裝裝置之製造方法。此外，該方法可導致高封裝裝置產率及高機械穩定性的封裝裝置。業界也需要具有較佳組件的封裝裝置來提供穩定及俐落功率、接地、及其頂面與封裝裝置的或附接至封裝裝置的其它組件高頻發射及接收資料訊號，諸如自垂直資料訊號發射互連件的不同垂直位置延伸貫穿封裝裝置的垂直層級。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種經垂直屏蔽之垂直資料訊號互連件封裝裝置，其包含：一第一互連件層級，具有：上層級接收資料訊號接點之接收接點及接地隔離接點之隔離接點於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案；上層級發射資料訊號接點之發射接點及接地隔離接點之隔離接點於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案；以及接地隔離接點之隔離接點於一第三區段中形成一第三屏蔽圖案，其中該第三區段係位在該第一區段及該第二區段旁側且介於該第一區段與該第二區段之間。
現在將參照附圖解釋若干本發明之實施例。當實施例中描述的部件之形狀、相對位置及其它面向係未經明確地界定時，本發明之實施例的範圍並非受限於顯示的部件，其僅係用於例示目的。又，雖然陳述無數細節，但須瞭解若干本發明之實施例可無此等細節而予實施。於其它情況下，眾所周知的電路、結構、及技術未曾以細節顯示以便不遮掩對本文揭示的瞭解。
隨著積體電路(IC)晶片或晶粒大小的縮小及互連件密度的增加，實體及電氣連結要求較佳組件用以提供垂直資料訊號發射互連件的不同垂直位置間或垂直長度的穩定及俐落高頻發射及接收資料訊號，該等互連件延伸貫穿一個封裝裝置或兩個實體上附接封裝裝置的垂直層級，於其上安裝IC晶片或通訊該等資料訊號。此等封裝裝置之若干實例為下列中之一者(或兩者實體上附接)：基體封裝件、中介件(例如，矽中介件)、矽橋接器、有機中介件(例如，或其技術)、及積體電路(IC)晶片或其它封裝裝置可附接其上或附接至其上的印刷電路板(PCB)基體。
於有些情況下，IC晶片可安裝於封裝裝置內部，諸如用於「覆晶」接合或封裝。於有些情況下，IC晶片可安裝於一個封裝裝置上，其也實體上及電子上連結至另一封裝裝置或IC晶片，使得封裝裝置可提供IC晶片與另一封裝裝置間之或兩個IC晶片間之資料訊號移轉。於許多情況下，該等封裝裝置中之任一者須路由在該(等)IC晶片及/或其它封裝裝置間之數百個或甚至數千個高頻資料訊號。
依據此等實施例，藉由涵括垂直接地隔離結構(例如，導體材料)用於封裝裝置之垂直資料訊號互連件其減少(例如，改良或緩和)了垂直資料訊號互連件串擾、訊號型叢集對叢集串擾、及叢集內訊號型串擾，垂直接地隔離封裝裝置可能在安裝於封裝裝置之頂互連件層級上的IC晶片與下列間提供更高頻及更準確的資料訊號移轉：(1)較低層級之封裝裝置，(2)封裝裝置之下個層級組件，及/或(3)安裝至封裝裝置底部的下個層級組件或另一封裝裝置。此種封裝件可被描述為「垂直接地隔離封裝裝置」(例如，裝置、系統、及形成方法)。
於若干實施例中，垂直接地隔離結構可包括用於封裝裝置之垂直資料訊號互連件的頂互連件層級的不同類型資料訊號表面接點之接地屏蔽附接結構。接地屏蔽附接結構可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接，諸如焊料球或球柵陣列(BGA)及/或用於隔離附接的固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點。接地屏蔽附接結構可定位或配置旁側及在展開於封裝裝置之頂互連件層級的一區上方的不同型資料訊號表面接點間。不同型資料訊號表面接點可包括晶粒-凸塊場域(例如，區段或叢集)或用於焊接至另一裝置的第一層級晶粒凸塊設計的「上」發射及接收資料訊號接點；及藉由位在其間及電氣屏蔽上發射及接收資料訊號接點之分開場域，接地屏蔽附接結構可減少訊號型叢集對叢集串擾。於有些情況下，如本文描述(例如，參考圖5A-9)，有封裝件的額外下層級(第一層級正方)帶有額外垂直接地隔離結構。
於有些情況下，頂互連件層級可以是上(例如，頂或第一)互連層帶有上(例如，頂或第一)層級接地接點、形成於上方且連結至相同互連件層級下層的通孔接點或線跡之上層級(例如，頂或第一)資料訊號接點。
於有些情況下，接地屏蔽附接結構可提供較佳組件，其係用於IC晶片或安裝於其上或安裝至垂直接地隔離封裝裝置的其它封裝裝置間之實體及電氣連結。於有些情況下，其可提高接地的穩定性及俐落性，及高頻發射與接收在封裝件之頂面上的資料信號接點與透過通孔接點至封裝件的較低層級接點或線跡而電氣連結至在頂面上的資料信號接點之封裝件的、或附接至封裝件的其它組件間發射的資料信號。
於有些情況下，資料訊號接點、通孔接點、及下層級接點乃封裝裝置的垂直資料訊號互連件的部件。於有些情況下，比較不具有該等結構之一封裝件，接地屏蔽附接結構可提高在封裝件頂面及封裝件的或附接至封裝件的其它組件上的資料訊號接點間發射的發射及接收資料訊號的可用頻率。此種提高頻率可包括具有7至25每秒十億移轉(GT/s)之速度的資料訊號。於有些情況下，GT/s可指於某個給定資料移轉通道諸如由區段102或104提供的通道中每秒出現的移轉資料操作次數(例如，數位資料諸如本文中之資料訊號的傳輸)；或可指取樣率，亦即每秒擷取的資料樣本數目，各個樣本通常出現在時鐘緣。1 GT/s為每秒109 或十億移轉。
於有些情況下，接地屏蔽附接結構改良(例如，減少)來自極低頻移轉諸如50每秒百萬移轉(MT/s)至大於40 GT/s(或高達40至50 GT/s)的串擾(例如，與相同封裝件但不含該等結構中之任一者作比較)。
圖1A為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。圖1A顯示封裝裝置100具有第一互連件層級L1(帶有數字「1」而非字母「l」)與上層210，該上層210具有一列上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120、具有上層接收資料訊號接點130、及具有由介電層103，諸如非導電或隔離材料，所環繞的上層發射資料訊號接點140。層級L1(或上層210)可被視為「頂」層諸如頂層、最頂層或暴露層(例如，最終堆積(BU)層、BGA、LGA、或類似晶粒後端層)，IC晶片(例如，微處理器、共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、組織控制器晶片、網路介面晶片、開關晶片、加速器晶片、現場可程式閘陣列(FPGA)晶片、特定應用積體電路(ASIC)晶片裝置、通訊輸出訊號晶片裝置、或其它微電子晶片裝置)、插座、中介件、主機板、其它封裝裝置或其它下一層級組件將安裝其上或直接附接其上。
於某些情況下，裝置100可表示基體封裝件、中介件、印刷電路板(PCB)、PCB中介件、「封裝件」、封裝裝置、插座、中介件、主機板、或於其上可附接積體電路(IC)晶片或其它封裝裝置的另一基體(例如，微處理器、共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、組織控制器晶片、網路介面晶片、開關晶片、加速器晶片、現場可程式閘陣列(FPGA)晶片、特定應用積體電路(ASIC)晶片裝置、通訊輸出訊號晶片裝置、或其它微電子晶片裝置)。
圖1A顯示封裝裝置100具有頂面106，諸如電介質103之表面，於其上或於其中形成(或配置)一列接地接點120、接收訊號接點130、及發射接點140。接地接點120係顯示於沿區段107之第五列182中之長度LE1的位置。
接收訊號接點130顯示於區段102中具有圖案105。區段102具有寬度WE1及長度LE1。圖案105可包括具有接收訊號接點130於第一列174、第二列176、第三列178、及第四列180，該等列於區段102中彼此為水平等距。圖案105可包括具有接收訊號接點130於列176及180中於列174及178之縱向下方偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL。於某些情況下，圖案105可包括具有接點130於列176及180中沿間距長度PL縱向在列174與178間縱向偏位(例如，沿LE1)。
於某些情況下，區段102可被描述為形成於4-列深晶粒-凸塊圖案105中的接收或「RX」訊號叢集。於某些情況下，區段102及圖案105只包括接點130，但不包括其它接點(例如，沒有接點120或140中之任一者)。區段102及圖案105顯示具有18個垂直資料訊號互連件堆疊，各自帶有暴露資料訊號上接點130，其可透過層級L1的接點而形成於一資料訊號上方或上。須瞭解可有更多或更少的堆疊及接點130。於某些情況下，區段102中可有20個堆疊及接點130。於某些情況下可有8、10、12、16、32或64個。
於區段104中發射訊號接點140顯示具有圖案108。區段104具有寬度WE1及長度LE1。圖案108可包括具有發射訊號接點140於第六列184、第七列186、第八列188、及第九列190，該等列於區段104中彼此為水平等距。圖案108可包括具有發射訊號接點140於列186及190中於列184及188之縱向下方偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL。於某些情況下，圖案108可包括具有接點140於列186及190中沿間距長度PL縱向在列184與188間縱向偏位(例如，沿LE1)。
於某些情況下，區段104可被描述為形成於4-列深晶粒-凸塊圖案108中的接收或「TX」訊號叢集。於某些情況下，區段104及圖案108只包括接點140，但不包括其它接點(例如，沒有接點120或130中之任一者)。區段104及圖案108顯示具有18個垂直資料訊號互連件堆疊，各自帶有暴露資料訊號上接點140，其可透過層級L1的接點而形成於一資料訊號上方或上。須瞭解於區段104及圖案108中可有更多或更少的堆疊及接點140。於某些情況下，其可有20個堆疊及接點140。於某些情況下可有8、10、12、16、32或64個。
接地訊號接點120顯示於區段107中具有圖案110。區段107具有寬度WE3及長度LE1。圖案110可包括具有接地訊號接點120在區段107中的第五列182。於某些情況下，區段107可被描述為形成於1-列深晶粒-凸塊圖案110中的接地訊號叢集。於某些情況下，區段107及圖案110(或圖1B及2B的區段109及圖案111)只包括接點120，但沒有其它接點(例如，沒有接點130或140)。圖案110可包括具有接點120中之一者(列182中之一者)直接位在接點130中之各者間(例如，並排、水平相鄰、或相對於圖1A-2A之寬度WE3為橫向相鄰)及橫向相鄰接點140中之一者(例如，並排，或相對於圖1A-2A之寬度WE3為橫向相鄰)。區段107及圖案110可具有9個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有接地隔離上接點120，其可形成於層級L1的接地隔離通孔接點上方或上。須瞭解於區段107及圖案110中可有多於或少於9個堆疊及接點120。於某些情況下，可有10個堆疊及接點120。於某些情況下可有4、5、6、8、16或32個。
區段102可描述為接收接點的四列寬區段，諸如形成圖案105。區段104可描述為接收接點的四列寬區段，諸如形成圖案108。列182可被描述為位在或形成於區段102與區段104間之一列寬接地隔離區段107，諸如形成圖案110。區段107可具有橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段102之邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段104之對邊183(例如，與邊181相對)。須瞭解雖然區段102及104係以相同寬度及長度顯示，但其可具有不同的寬度及/或長度。
圖2A為圖1A之封裝件的示意剖面側視圖，顯示形成於區段107的上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120、上層接收資料訊號接點130、及上層發射資料訊號接點140上的焊料凸塊。於層級L1(及同理適用於若干其它層級)，裝置100具有形成於其上或實體上附接至通孔接點132頂面的區段102之接點130，形成於其上或實體上附接至通孔接點122頂面的區段107之接地隔離接點120，及形成於其上或實體上附接至通孔接點142頂面的區段104之接點140。
圖2A顯示形成於第二層級互連件層級L2上方的，該層級係形成於第三互連件層級L3上方，其係形成於裝置的其它互連件層級上方，封裝裝置100之頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1(具有頂層210及底層212)。裝置100層210具有電介質103、區段107之接地隔離接點120、區段102之接點130、及區段104之接點140。
裝置100之若干實施例(例如，圖2A)具有層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，及形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144。裝置100之若干實施例可能沒有(例如，尚未具有)層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，或形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144。
WE1、WE3、WE4及LE1的確切大小可取決於各區段內部採用的接點數目(例如，區段102中之接點130數目、區段104中之接點140數目、及區段107(或109)內部採用之接點數目)(例如，參考圖1A-B及圖3A-B)。於有些情況下，WE1、WE3、WE4及LE1的大小也可取決於封裝裝置上的區段102、104、及107(或109)之數目。於有些情況下，區段102、104、及107(或109)之數目將為該等區段各自屬於「單一胞元」或「單位胞元」通訊區(例如，包括區段102、104、及107(或109))的一部分，且在封裝件表面上有2-20個此種單一胞元(及因此區段102、104、及107(或109)各自有2-20)。
於有些情況下，WE1、WE3、WE4及LE1的大小也可取決於形成接點及封裝件的技術能力。於有些情況下，通常，WE1及LE1的大小可跨據一百至數百微米(xE-6米-「um」或「微米」)。於有些情況下，LE1為80至250微米。於有些情況下為50至300微米。於有些情況下，WE1為70至150微米。於有些情況下為40至200微米。於有些情況下，通常，WE3的大小可跨據數十微米至超過一百微米。於有些情況下，WE3為15至30微米。於有些情況下為8至40微米。於有些情況下，WE1、WE3、WE4及LE1的大小可按比例縮放或取決於製造或處理間距(例如，接點的間距)。
接點120、130及140可沿頂面106或其下方形成。接點120、130及140可具有高度H5(例如，延伸入頁面內部的厚度)及寬度W5(例如，參考圖2A-B)。於某些情況下，高度H5可以約為15微米(15xE-6米-「um」)及寬度W5為75至85微米。於某些情況下，高度H5為10至20微米(um)。於有些情況下其為5至30微米。於某些情況下，寬度W5為70至90微米(um)。於有些情況下其為60至110微米。須瞭解高度H5可以是形成於封裝裝置頂面上或其內部的傳導材料接點之適當高度，該高度可小於或大於前述者。
於某些情況下，形成(或配置)上接點120、130及140具有頂面為表面106的一部分或水平面，諸如藉由形成有或作為具有導體之層210的一部分(1)包括層級L1的上接點120、130及140；及(2)介於其間存在有層210(具有頂面106)的電介質103。於某些情況下，上接點120、130及140係形成(或配置)於頂面106上方，諸如導體層形成於電介質或其它材料層上或上方之處。於有些情況下，上接點120、130及140係形成(或配置)於頂面106下方，諸如當進一步一層電介質、焊料抗蝕劑、或其它材料係形成於層級L1上，於上接點120、130及140上方時。
圖1B為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體裝置之示意頂視透視圖。圖1B顯示具有第一互連件層級L1的封裝裝置101，帶有上層210具有兩列之上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120，具有上層接收資料訊號接點130，及具有上層發射資料訊號接點140。
接地隔離接點120顯示為於區段109中具有圖案111。區段109具有寬度WE4及長度LE1。寬度WE4可以是寬度WE3的兩倍。於某些情況下，區段109可被描述為形成於2-列深晶粒-凸塊圖案111的接地訊號叢集。於有些情況下，區段109及圖案111只包括接點120，但無其它接點(例如，無接點130或140)。圖案111可包括具有接點120中之二者(列182及185各一者)直接位在接點130中之各者間(例如，並排、水平相鄰、或相對於寬度WE4為橫向相鄰)及橫向相鄰接點140中之一者(例如，並排，或相對於圖1B-2B之寬度WE4為橫向相鄰)。區段109及圖案111可具有18個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有接地隔離上接點120，其可形成於層級L1的接地隔離通孔接點上方或上。須瞭解於區段109及圖案111中可有多於或少於18個堆疊及接點120。於某些情況下，可有20個堆疊及接點120。於某些情況下可有8、10、12、16、32或64個。
更明確言之，圖1B顯示具有頂面106的封裝裝置101，諸如電介質的表面，於其上或於其中形成(例如，配置)兩列接地接點120位在區段109之第五列及第五列182及185中沿長度LE1的位置。接點120中之二者(列182及185各一者)直接位在接點130中之各者間(例如，並排；水平相鄰；或相對於圖1B之頂視圖的寬度WE1或WE4為橫向相鄰)及水平相鄰接點140中之一者(例如，並排；水平相鄰；或相對於圖1B之頂視圖的寬度WE1或WE4為橫向相鄰)。
於圖1B中，層級L1；接點120、130及140；電介質103；列174-190、表面106；裝置101的寬度WE1及長度LE1可與裝置100的各者相似，但於具有寬度WE4的區段109中有兩列(列182及185)接點120及122，而非於具有寬度WE3的區段107中有一列182接點120。
列182及185可被描述為位在或形成於區段102與區段104間的兩列寬接地隔離區段109，諸如形成圖案111。區段109可具有橫向相鄰於(例如，沿寬度WE4)或面對區段102的邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度WE4)或面對區段104的對邊183(例如，與邊181相對)。
圖2B為圖1B之封裝件的示意剖面側視圖，顯示形成於區段109的上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120、上層接收資料訊號接點130、及上層發射資料訊號接點140上的焊料凸塊。於層級L1(及同理適用於若干其它層級)，裝置101具有形成於其上或實體上附接至通孔接點132頂面的區段102之接點130，形成於其上或實體上附接至通孔接點122頂面的區段107之接地隔離接點120，及形成於其上或實體上附接至通孔接點142頂面的區段104之接點140。
圖2B顯示具有頂層210形成於第二層級互連件層級L2上方或其上的封裝裝置101之頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1。裝置101層210具有電介質103、區段109之接地隔離接點120、區段102之接點130、及區段104之接點140。
裝置101之若干實施例(例如，圖2B)具有層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，及形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144。裝置101之若干實施例可能沒有(例如，尚未具有)層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，或形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144。
於圖2B中，層級L1；接點120、130及140；通孔接點122、132及142；電介質103；列174-190、表面106；裝置101的寬度WE1、長度LE1及高度H5可與裝置100相似，但於具有寬度WE4的區段109中有兩列(列182及185)接點120及122，而非於具有寬度WE3的區段107中有一列182接點120。
於某些情況下，列174-190(例如，圖1A-2B的)中之各者可沿寬度WE1之方向彼此水平地(例如，沿寬度)等距，及於各列中之該等接點中之各者可沿長度LE1之方向彼此垂直地(例如，沿長度)等距。
於有些情況下，接點120為位在第一層級第一型資料訊號接點130與第一層級第二型資料訊號接點140旁側及其間的第一層級L1接地接點。接點120可以是或包括縱向相鄰(例如，沿長度LE1)的或頂至底定位的固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點，諸如分別於區段107或109中之一列(例如，參考圖1A)或兩列(例如，參考圖1B)。接點120(例如，於區段107或109中)可以位在其間或具有相鄰(例如，橫向相鄰)於或面對區段102的邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度)或面對區段104的對邊183(例如，與邊181相對)。
圖3A為半導體封裝裝置的示意剖面側視圖，於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置。圖3A顯示封裝裝置400具有頂面106，諸如電介質103之表面，於其上或於其中形成(例如，配置)接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140。圖3A顯示封裝裝置400具有第一互連件層級L1，帶有上層210具有於區段107中形成屏蔽圖案410的一列之上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120，具有於區段102中形成屏蔽圖案405之上層接收資料訊號接點130及額外隔離接點120，及具有於區段104中形成屏蔽圖案408之上層發射資料訊號接點140及額外隔離接點120。由於圖案405列中具有接點120，區段102(例如，圖案405)具有圖3A-6B的接點120及接點130，具有PL/2之間距長度(例如，圖1A-2B之區段102之間距長度PL之半)。由於圖案408列中具有接點120，區段104(例如，圖案408)具有圖3A-6B的接點120及接點140，具有PL/2之間距長度(例如，圖1A-2B之區段104之間距長度PL之半)。接點120、130及140係由介電層103包圍，諸如非導電的或絕緣的材料。
於區段102中接收訊號接點130及接點120顯示具有圖案405。圖案405可包括於區段102中於第一列174、第二列176、第三列178、及第四列180具有接收訊號接點130及接點120。圖案405可包括具有接收訊號接點130及接點120在列174及178的接點下方縱向偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL/2的列176及180中。於某些情況下，圖案405可包括具有於列176及180中的接點130及接點120在列174及178的接點間沿間距長度PL縱向偏位(例如，沿LE1)。
於某些情況下，屏蔽圖案405包括具有沿長度LE1縱向相鄰的下列接點圖案之交錯列：第一列接點120、130、130、120、130、130、120、130(例如，於交錯列174及178)與第二列接點130、120、130、130、120、130、130、120交錯，第二列為在第一列下方半個間距長度PL向下延伸之列(例如，於交錯列176及180)。如於圖3A中例示，此種順序可始於列174，及繼續通過列180。於有些情況下，屏蔽圖案405包括各個接點120以六角形(具有一個角隅至梢端指向沿長度LE1縱向向上)由六個接點130環繞，或由與區段102(例如，匹配)的相等數目之接點130環繞。於有些情況下，圖案包括具有兩個訊號接點130縱向相鄰於各對接點120間。於有些情況下，該圖案包括兩個縱向相鄰訊號接點130具有在兩個訊號接點130縱向上方及下方的一個接地接點120；及具有橫向相鄰於且在兩個訊號接點130縱向距離(PL/2)間偏位的兩個接地接點120。
於某些情況下，區段102可被描述為具有形成於4-列深晶粒-凸塊圖案405中之接收接點130及隔離接點120的接收或「RX」訊號叢集。於有些情況下，圖案405只包括接點130及接點120，但不含其它接點(例如，無接點140)。圖案405顯示為具有20個垂直資料訊號互連件堆疊及12個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號上接點130及120，其可形成於層級L1分別的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點上方或其上。須瞭解可有更多或更少個堆疊及接點130及120。於有些情況下，於圖案405中可有18個堆疊及接點130；及10個堆疊及接點120。於某些情況下，於圖案405中可有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點130及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
其次，沿寬度WE3之方向，列182包括沿長度LE1具有接點120的圖案410。圖案410將就區段102及104進一步討論如後。
其次，沿寬度WE1之方向，發射訊號接點140及接點120顯示於區段104中具有圖案408。圖案408可包括於區段104中具有發射訊號接點140及接點120於第六列184、第七列186、第八列188、及第九列190。圖案408可包括具有於列186及190中之發射訊號接點140及接點120於列184及188的接點上方縱向偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL/2。於某些情況下，圖案408可包括具有於列186及190中之接點140及接點120在列184及188的接點間沿間距長度PL縱向偏位(例如，沿LE1)。
於某些情況下，屏蔽圖案408包括具有沿長度LE1縱向相鄰的下列接點圖案之交錯列：第一列接點140、120、140、140、120、140、140、120(例如，於交錯列184及188)與第二列接點120、140、140、120、140、140、120、140交錯，第二列為在第一列上方半個間距長度PL向下延伸之列(例如，於交錯列186及190)。如於圖3A中例示，此種順序可始於列184，及繼續通過列190。於有些情況下，屏蔽圖案408包括各個接點120以六角形(具有一個角隅至梢端指向沿長度LE1縱向向上)由六個接點140環繞，或由與區段104(例如，匹配)的相等數目之接點130環繞。於有些情況下，圖案包括具有兩個訊號接點140縱向相鄰於各對接點120間。於有些情況下，該圖案包括兩個縱向相鄰訊號接點140具有在兩個訊號接點140縱向上方及下方的一個接地接點120；及具有橫向相鄰於且在兩個訊號接點140縱向距離(PL/2)間偏位的兩個接地接點120。
於某些情況下，區段104可被描述為具有形成為垂直偏位4-列深晶粒-凸塊圖案408之發射接點140及隔離接點120的發射或「TX」訊號叢集。於有些情況下，圖案408只包括接點140及接點120，但不含其它接點(例如，無接點130)。圖案408顯示為具有20個垂直資料訊號互連件堆疊及12個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號上接點140及120，其可形成於層級L1分別的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點上方或其上。須瞭解可有更多或更少個堆疊及接點140及120。於有些情況下，於圖案408中可有18個堆疊及接點140；及10個堆疊及接點120。於某些情況下，於圖案408中可有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點140及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
於區段107中接地訊號接點120顯示具有圖案410。區段107具有寬度WE3及長度LE1。圖案410可包括具有於區段107中接地訊號接點120於第五列182。於有些情況下，區段107可被描述為形成為垂直偏位1-列深晶粒-凸塊圖案410的接地訊號叢集。於有些情況下，圖案410(或圖3B之圖案411)只包括接點120，但不含其它接點(例如，沒有接點130或140)。
於某些情況下，如圖顯示，圖案410可包括具有第一水平相鄰列(列182中之一者)的接點120中之一者位在其間水平等距及於上方縱向偏位(例如，沿LE1)，橫向緊鄰相鄰列(例如，列180及184)的接點達半個間距長度PL/2。於某些情況下，如圖顯示，圖案410可包括具有(列182中之一者)的接點120中之一者位在其間水平等距及縱向定位水平相鄰(例如，並排，或相對於圖3A之寬度WE3為橫向相鄰)區段102及104的(例如，列178及186的)每第二個橫向相鄰成對(例如，每隔一個)接點(例如，並排，或相對於圖3A之寬度WE3為橫向相鄰)。圖案410可具有8個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有可形成於層級L1之接地隔離通孔接點上方或上的接地隔離上接點120。須瞭解圖案410中可具有多於或少於8個堆疊及接點120。於有些情況下，可有7個堆疊及接點120。於有些情況下4、5、6、8、16或32個。
圖案405可被描述為接收接點及隔離接點的垂直偏位4-列寬區段。圖案408可被描述為發射接點及隔離接點的垂直偏位4-列寬區段。圖案410可被描述為位在或形成於區段102與區段104間的垂直偏位1-列寬接地隔離區段107。圖案410可具有橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段102的邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段104的對邊183(例如，與邊181相對)。須瞭解雖然圖案405及408以相同寬度及長度顯示，但其可具有不同的寬度及/或長度。
於某些情況下，各列174-190可沿寬度WE1之方向彼此水平(例如，橫向)等距，及於各列中之接點各自可沿長度LE1彼此垂直(例如，縱向)等距。
於某些情況下，替代圖案410，裝置400可具有接點120之雙寬度圖案，諸如針對圖1B及2B之區段109描述。於此等情況下，圖案可包括具有接點120中之兩者(如針對圖1B及2B之區段109顯示)直接位在接點130中之各者間(例如，並排、水平相鄰、或相對於圖3A之寬度WE4為橫向相鄰)及橫向相鄰接點140中之一者(例如，並排，或相對於圖3A之寬度WE3為橫向相鄰)。此圖案可具有16個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有接地隔離上接點120，其可形成於層級L1的接地隔離通孔接點上方或上。須瞭解於區段107及圖案110中可有多於或少於16個堆疊及接點120。於某些情況下，可有18個堆疊及接點120。於某些情況下可有8、10、12、16、32或64個。
圖3B為半導體封裝裝置的示意剖面側視圖，於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置。圖3B顯示封裝裝置401具有頂面106，諸如電介質103之表面，於其上或於其中形成(例如，配置)接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140。圖3B顯示封裝裝置401具有第一互連件層級L1，帶有上層210具有於區段107中形成屏蔽圖案460的一列之上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120，具有於區段102中形成屏蔽圖案455之上層接收資料訊號接點130及額外隔離接點120，及具有於區段104中形成屏蔽圖案458之上層發射資料訊號接點140及額外隔離接點120。接點120、130及140係由介電層103包圍，諸如非導電的或絕緣的材料。
接收訊號接點130及接點120顯示於區段102中具有圖案455。圖案455可包括於區段102中具有接收訊號接點130或接地接點120於第一列474、第二列475、第三列476、第四列477、第五列478、第六列479、及第七列480。圖案455可包括具有接地接點120(例如，只有接點120，但無其它接點(例如，無接點130或140))於第一列474、第四列477、及第五列478；及具有接收訊號接點130(例如，只有接點130，但無其它接點(例如，無接點120或140))於第二列475、第三列476、第六列479、及第七列480。圖案455可包括具有於列475、477及479的接收訊號接點130或接點120在列474、476、478及480上方縱向偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL。於某些情況下，圖案455可包括具有於列475、477及479的接點130或接點120縱向偏位(例如，沿LE1)而沿間距長度PL縱向在列474、476、478及480的接點間。
於某些情況下，區段102可被描述為具有形成於垂直偏位7-列深晶粒-凸塊圖案455中之接收接點130及隔離接點120的接收或「RX」訊號叢集。於有些情況下，圖案455只包括接點130及接點120，但不含其它接點(例如，無接點140)。圖案455顯示為具有20個垂直資料訊號互連件堆疊及15個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號上接點130及120，其可形成於層級L1分別的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點上方或其上。須瞭解可有更多或更少個堆疊及接點130及120。於有些情況下，於圖案455中可有18個堆疊及接點130；及13個堆疊及接點120。於某些情況下，於圖案405中可有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點130及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
其次，沿寬度WE3之方向，列481及482包括沿長度LE1具有接點120的圖案460。圖案460將於後文就區段102及104進一步討論。
其次，沿寬度WE1之方向，發射訊號接點140及接點120顯示於區段104中具有圖案458。圖案458可包括於區段104中具有發射訊號接點140或接地接點120於第10列483、第11列484、第12列485、第13列486、第14列487、第15列488、及第16列489。圖案458可包括具有接地接點120(例如，只有接點120，但無其它接點(例如，無接點130或140))於第12列485、第13列486、及第16列489；及具有接收訊號接點130(例如，只有接點140，但無其它接點(例如，無接點120或130))於第10列483、第11列484、第14列487、及第15列488。圖案458可包括具有發射訊號接點140或接點120在列483、485、487及489的接點下方縱向偏位(例如，沿LE1)達半個間距長度PL的列484、486及488。圖案458可包括具有接點140或接點120在縱向列483、485、487及489的接點間縱向偏位(例如，沿LE1)沿間距長度PL的列484、486及488。
於某些情況下，區段104可被描述為具有形成於垂直偏位7-列深晶粒-凸塊圖案458中之發射接點140及隔離接點120的發射或「TX」訊號叢集。於有些情況下，圖案458只包括接點140及接點120，但不含其它接點(例如，無接點130)。圖案458顯示為具有20個垂直資料訊號互連件堆疊及15個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號上接點140及120，其可形成於層級L1分別的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點上方或其上。須瞭解可有更多或更少個堆疊及接點140及120。於有些情況下，於圖案458中可有18個堆疊及接點140；及13個堆疊及接點120。於某些情況下，於圖案405中可有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點140及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
接地訊號接點120顯示為於區段107具有圖案460。區段107具有寬度WE3及長度LE1。圖案460可包括於區段107中具有接地訊號接點120於第八列481及第九列482。於某些情況下，區段107可被描述為形成於垂直偏位2-列深晶粒-凸塊圖案460中的接地訊號叢集。於某些情況下，圖案460只包括接點120，但不含其它接點(例如，無接點130或140)。
於某些情況下，如圖顯示，圖案460可包括具有第一水平相鄰列的接點120中之一者(列481之一個接點)位在其間水平等距及於上方縱向偏位(例如，沿LE1)，橫向緊鄰相鄰列(例如，列480及482)的接點達半個間距長度PL；具有第二水平相鄰列的接點120中之一者(列482之一個接點)位在其間水平等距及於下方縱向偏位(例如，沿LE1)，橫向緊鄰相鄰列(例如，列481及483)的接點達半個間距長度PL。於某些情況下，如圖顯示，圖案460可包括具有二橫向相鄰列(列481及列482中之一個接點)的接點120中之一者位在其間水平等距及，縱向定位水平相鄰(例如，並排，或相對於圖3B之寬度WE3為橫向相鄰)區段102及104的(例如，分別為列479及483；及列480及484)每第二個橫向相鄰成對(例如，每隔一個)接點(例如，並排，或相對於圖3B之寬度WE3為橫向相鄰)。圖案460可具有10個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有可形成於層級L1之接地隔離通孔接點上方或上的接地隔離上接點120。須瞭解圖案410中可具有多於或少於10個堆疊及接點120。於有些情況下，可有9個堆疊及接點120。於有些情況下4、5、6、8、16或32個。
圖案455可被描述為垂直偏位七列寬區段之接收接點及隔離接點。圖案458可被描述為垂直偏位七列寬區段之發射接點及隔離接點。圖案460可被描述為位在或形成於區段102與區段104間的垂直偏位二列寬接地隔離區段107。圖案460可具有橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段102的邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度WE3)或面對區段104的對邊183(例如，與邊181相對)。須瞭解雖然圖案455及458以相同寬度及長度顯示，但其可具有不同的寬度及/或長度。
於某些情況下，列474-489中之各者可沿寬度WE1之方向彼此水平(例如，橫向)等距，及於各列中之各個接點可沿長度LE1彼此垂直(例如，縱向)等距。
類似圖2A之描述，焊料凸塊可形成於圖案410及460的上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120；圖案405及455的上層接收訊號接點130及隔離接點120；及圖案408及458的上層發射訊號接點140及隔離接點120。類似圖2A之描述，於層級L1(及同理針對若干其它層)中，裝置400及401可具有接點130形成於其上或實體上附接至通孔接點132的頂面，接地隔離接點120形成於其上或實體上附接至通孔接點122的頂面，及接點140形成於其上或實體上附接至通孔接點142的頂面。
裝置400及401之若干實施例可具有頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1，其具有形成於第二層級互連件層級L2上方或其上的頂層210。類似圖2A之描述，裝置400及401層210具有電介質103環繞接地隔離接點120、接點130及接點140。
裝置400及401之若干實施例(例如，圖3A或3B)可具有層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，及形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144(例如，類似圖2A及2B之描述)。裝置400及401之若干實施例可沒有(例如，尚未具有)層210之形成於其上或實體上附接至接點130頂面的焊料凸塊134，形成於其上或實體上附接至接點120頂面的焊料凸塊124，及形成於其上或實體上附接至接點140頂面的焊料凸塊144。
於有些情況下，焊料凸塊124、134及144(例如，於本文中)可被描述為「實體附接」或「固體傳導材料接地隔離屏蔽附接」附接到接點120、130及140。其也可被描述為「實體附接」或「固體傳導材料接地隔離屏蔽附接」附接(例如，實體及電氣附接)到接點120、130及140；或裝置100、101、400或401附接到另一封裝裝置或下一層級組件。
於有些情況下，焊料凸塊124、134及144被彈射至基體表面上，及於焊料凸塊124、134及144上進行焊料再流處理，以使得焊料使用焊料凸塊124、134及144附接下一層級組件至層210。
裝置100、101、400及401之頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1可形成於第二層級互連件層級L2上，其係形成於其它互連件層上方。於圖1A-3B中，列174-190及474-489之資料訊號互連件接點130及140可表示封裝裝置的垂直資料訊號互連件(例如，各層中之多層的上表面接點)。於圖1A-3B中，接地互連件接點120可表示封裝裝置的固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點(例如，各層中之多層的上表面接點)。
如半導體裝置封裝件業界已知，在層級L1下方，封裝裝置100、101、400及401可包括各種互連件層、封裝件層、傳導特徵(例如，電子裝置、具有傳導線跡之層、具有傳導通孔之層)、具有介電材料之層、及其它層。於有些情況下，封裝件可以有核心或無核心。於有些情況下，封裝件包括根據標準封裝件基體形成方法及工具形成的特徵，諸如包括或使用下列者：介電層諸如味之素(Ajinomoto)堆積膜(ABF)之積層，雷射或機械鑽孔以於介電膜中形成通孔，乾膜抗蝕劑(DFR)之積層及微影術製作圖案，傳導線跡(CT)諸如銅(Cu)線跡的鍍覆，及其它堆積層及表面精加工處理以於基體面板或可撕離核心面板的一或二表面(例如，頂面及底面)上形成電子傳導線跡、電子傳導通孔、及介電材料層。基體可以是使用於電子裝置封裝件或微處理器封裝件的基體。於有些情況下，層級L1也可包括前文針對封裝裝置100敘述的此等結構，但未顯示於圖2A。於某些情況下，層級L1的接點及/或線跡電氣連結至(例如，實體上附接至或形成於其上)前文對封裝裝置100所記的傳導結構。
裝置100、101、400及401之接點120、130及140可以是形成為層級L1之上層210的一部分的傳導材料之上(例如，頂或第一)層之區。於某些情況下，接點120、130及140為傳導材料之上層的一部分，其係於用來形成層級L1的其它傳導材料的相同沈積或鍍覆期間形成。於有些情況下，接點120、130及140各自為於寬度W5延伸的一層固體電氣導體材料，及於其間配置環繞層210之接點120、130及140的電介質部分103。
依據若干實施例，列182、185、481或482中之接點120(例如，及焊料凸塊124)中之一、二或三者可以電力接點置換，諸如使用來發射或提供電力訊號給附接到層級L1之電力接點的IC晶片或其它封裝裝置的接點。於某些情況下，電力接點使用來提供交流電(AC)或直流電(DC)電力訊號(例如，Vdd)。於某些情況下，訊號具有0.5至2.0伏特的電壓。於有些情況下為0.4至7.0伏特。於有些情況下為0.5至5.0伏特。於某些情況下為不同電壓位準。於某些情況下，於列182、185、481或482中央(例如，非在LE1的縱向末端上)的接點120(例如，及焊料凸塊124)中之一至三者可由電力接點置換。於某些情況下，於列182、185、481或482中央的接點120(例如，及焊料凸塊124)中之兩者可由電力接點置換。於有些情況下，於列182或481中央的接點120(例如，及焊料凸塊124)中之兩者可由電力接點置換。
區段102、104及107(或109)(及層級L1)可具有特徵其具有如半導體晶粒封裝件、晶片封裝件；或典型地連結晶粒(例如，IC、晶片、處理器、或中央處理單元)至插座、主機板、或其它下個層級組件的其它裝置(例如，介面、PCB、或中介件)已知之標準封裝件間距。相鄰接點的間距寬度(PW)顯示為兩個相鄰接點之中點間之寬度距離。圖1A-B及3A-B顯示列174-190及474-489的間距寬度(PW)、間距對角線(PD)及間距長度(PL)(或PL/2)。可知相同間距寬度可施加至列174-190及474-489中之相鄰列中之各者。於某些情況下，間距PW為約153微米(153xE-6米-「um」)。於有些情況下，間距PW為約160微米。於有些情況下其為140至175微米。相鄰接點的對角間距(PD)為兩個相鄰接點的中心。於某些情況下，間距PD為約110微米(110xE-6米-「um」)。於有些情況下，間距PD為約130微米。於有些情況下其為100至140微米(um)。於有些情況下其為60至200微米。兩相鄰接點的間距長度(PL)(或PL/2)為兩個相鄰接點的中心間之長度距離。於有些情況下，間距PL為約158微米。於有些情況下，間距PL為約206微米。於有些情況下其為130至240微米(um)。於有些情況下，間距PD為約110微米，PL為約158微米，及PW為約153微米。於某些情況下，間距PD為約130微米，PL為約206微米，及PW為約160微米。於以上情況下，「約」可表示於所陳述數字的+或-5%以內的差。於其它情況下，其可表示於所陳述數字的+或-10%以內的差。
依據若干實施例，以上間距用於(例如，施加至)BGA 812、818及/或819之接點120、130及/或140(及選擇性地焊料凸塊124、134及144)間之PD、PL及PW。須瞭解不同間距PD、PL及PW可存在於BGA 814、816、916或接點965之接點120、130及/或140(及選擇性地焊料凸塊124、134及144)間，容後於圖9之後描述。
於有些情況下，「橫向相鄰」可指就寬度WE3之方向為並排的接點附接。於某些情況下，也可包括就寬度WE3或WE4之方向為橫向相鄰或並排的附接或接點之縱向上方或下方(例如，相對於圖1A-B之長度LE1於列174-190之不同欄)的附接或接點。
於有些情況下，接點120(例如，及凸塊124)使用來發射或提供接地(例如，隔離)訊號給附接到層級L1之接點120的IC晶片或其它封裝裝置。於有些情況下，其係使用來提供零電壓直流電(DC)接地訊號(例如，GND)。於有些情況下，訊號具有0.0至0.2伏特之電壓。於有些情況下，其為不同的但接地的電壓位準。
於有些情況下，接點130及140(例如，及凸塊134及144)使用來分別發射或提供接收資料訊號或發射資料訊號自附接到層級L1之接點130及140的IC晶片或其它封裝裝置。於有些情況下，其係使用來提供交流電(AC)或高頻(HF)接收資料訊號(例如，RX及TX)。於某些情況下，訊號具有7至25 GT/s之速度(例如，頻率)；及0.5至2.0伏特之電壓。於某些情況下，訊號具有6至15 GT/s之速度。於某些情況下，訊號具有0.4至5.0伏特之電壓。於有些情況下其為不同的速度及/或電壓位準。
於某些情況下，固體傳導材料接地隔離屏蔽附接諸如焊料球或球柵陣列(BGA)實體上附接至(例如，焊接至或接觸)第一層接地接點120。於某些情況下，固體傳導材料資料訊號附接諸如焊料球或球柵陣列(BGA)實體上附接至(例如，焊接至或接觸)第一層級資料訊號接點130及140。
於某些情況下，焊料凸塊(或球)124、134及144形成至接點120、130及140上(例如，參考圖1A-3B)。如本文所記，其可在形成於層210上的一層焊料抗蝕劑中形成開口之後形成。其可形成於貫穿焊料抗蝕劑(未顯示於圖1A-3B中)的開口中。其可藉形成此等凸塊的適當方法形成。於此等情況下，接地屏蔽附接結構可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接，諸如焊料凸塊124、134及144的焊料球或球柵陣列(BGA)實體上附接至固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點120用於形成隔離附接於其上(例如，參考圖1A-3B)。
於某些情況下，層210為「頂」層，諸如頂層或暴露層(例如，終堆積(BU)層、BGA層、LGA層、或似晶粒後端層)，IC晶片、插座、中介件、主機板、或其它下個層級組件將使用焊料凸塊124、134及144安裝至或直接附接其上。於某些情況下，焊料凸塊124、134及144具有寬度W6及高度H6。於某些情況下，焊料凸塊124、134及144的寬度W6可在100至600微米間。於有些情況下其為300至400微米間。於某些情況下，焊料凸塊124、134及144的高度H6可在100至400微米間。於有些情況下其為200至300微米間。
於有些情況下，焊料抗蝕劑層(未顯示於圖1A-4中)形成於層級L1上方。此種抗蝕劑可具有固體非傳導或電氣絕緣體焊料抗蝕劑材料之高度(例如，厚度)。此種材料可以是或可包括環氧樹脂、墨水、樹脂材料、乾抗蝕劑材料、纖維基底材料、玻璃纖維基底材料、氰酸酯樹脂及/或其預聚物；環氧樹脂、苯氧樹脂、咪唑樹脂、芳基烯類型環氧樹脂等用於此種焊料抗蝕劑為已知者。於有些情況下可以是環氧樹脂或樹脂。於有些情況下，其為絕緣有機材料、積層材料、光敏材料、或其它已知之焊料抗蝕劑材料。
抗蝕劑可以是全面舖蓋層，其經遮罩及蝕刻(例如，如業界已知藉製作圖案及顯影)而形成開口，於該處焊料可形成及附接到上接點(例如，接點120、130及140)，或於該處另一裝置(例如，晶片)的接點可被焊接至上接點。另外，抗蝕劑可以是形成於遮罩上的一層，及然後去除遮罩而形成開口。於某些情況下，抗蝕劑可以是材料(例如，環氧樹脂)液體，其經網印通過或噴霧至形成於封裝件上的圖案(例如，遮罩)上；及然後去除遮罩而形成開口。於某些情況下，抗蝕劑可以是噴霧至封裝件上的液體可光成像焊料遮罩(LPSM)墨水或乾膜可光成像焊料遮罩(DFSM)全面舖蓋層；及然後經遮罩及曝光至圖案，及顯影而形成開口。此種顯影過程可以是選擇性來去除焊料凸塊指定位置(例如，開口)中的抗蝕劑，抗蝕劑經暴露出或經遮罩免於透過光刻法曝光，取決於是否使用正或負調性抗蝕劑，同時維持於其餘位置的固體抗蝕劑層完好。再者，顯影過程可以是選擇性使其不致於去除電介質103或接點120、130及140。於某些情況下，焊料抗蝕劑可具有5至50微米之高度。於有些情況下，在開口(例如，圖案)經界定之後，抗蝕劑通過某型熱固化。於有些情況下，抗蝕劑經雷射雕刻而形成開口。於有些情況下，抗蝕劑可藉形成此種封裝件之抗蝕劑的已知方法形成。
於有些情況下，焊料凸塊(或球)124、134及144形成於接點120、130及140上(例如，參考圖1A-2B)。如前記，可於形成於層210上的一層焊料抗蝕劑中形成開口之後形成。其可形成於貫穿焊料抗蝕劑(未顯示於圖1A-2B中)的開口中。其可藉用於形成此等凸塊的適當方法形成。於此等情況下，接地屏蔽附接結構可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接，諸如焊料凸塊124、134及144的焊料球或球柵陣列(BGA)實體上附接至固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點120用於形成隔離附接於其上(例如，參考圖1A-2B)。
如對圖1A-4所記，接地屏蔽附接結構可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接124，諸如焊料球或球柵陣列(BGA)；及/或用於隔離附接的固體傳導材料接地隔離表面接點120。
於某些情況下，區段107及109的固體傳導材料接地隔離屏蔽附接結構(例如，區段107、區段109、圖案410及圖案460的表面接點120及/或凸塊124)提供層級L1之區段102與104間之電氣接地隔離屏蔽，藉由位在層級L1之區段(例如，場或叢集)102與104間而減少封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)的頂層級L1或層210的或上的不同類型(例如，RX及TX)資料訊號表面接點(例如，接點130及140)與焊料凸塊(例如，凸塊134及144)之全部橫向相鄰者間之「晶粒凸塊場域」串擾。於某些情況下，「晶粒凸塊場域」串擾可以是「晶粒凸塊區段」串擾、「晶粒凸塊叢集」串擾、或區段102與104間之串擾。此處「橫向相鄰」可以是就圖1A-B及3A-B而言沿寬度WE3或WE4，及也可描述為「水平相鄰」諸如就圖2A-B及4而言。
於某些情況下，(諸如區段107、區段109、圖案410及圖案460的)(例如，接地屏蔽附接結構的)區段107及109之固體傳導材料接地隔離屏蔽附接124提供形成於其上或實體上附接至封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)的頂層級L1或頂層210的資料訊號表面接點(例如，接點130及140)的不同類型(例如，RX及TX)資料訊號附接結構(例如，凸塊134及144)的二場域(例如，區段)間之電氣接地隔離屏蔽。
於有些情況下，區段107、區段109、圖案410及圖案460的接地屏蔽附接結構124提供層級L1之區段102與104間之電氣接地隔離屏蔽，其藉由位在層級L1上方之區段102與104間而減少凸塊134及144之全部橫向相鄰者間之「晶粒凸塊場域」串擾。
於某些情況下，區段102之資料訊號附接結構134與區段104之144間的(例如，區段107、區段109、圖案410及圖案460的)附接124可各自提供層級L1上方區段102與104之結構134與144間之電氣接地隔離屏蔽，其減少附接124位在其間的結構134及144(例如，於層210上方)中之全部橫向或以其它方式相鄰者間之「晶粒凸塊場域」串擾(例如，藉由附接124係在區段107或109中或在層級L1上方)。
於某些情況下，(諸如區段107、區段109、圖案410及圖案460的)(例如，接地屏蔽附接結構的)區段107及109之固體傳導材料接地屏蔽附接結構120提供封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)的頂層級L1或頂層210的不同類型(例如，RX及TX)的資料訊號表面接點(例如，接點130及140)的二場域(例如，區段)間之電氣接地隔離屏蔽。
於有些情況下，區段107、區段109、圖案410及圖案460的接地屏蔽附接接點120提供層級L1之區段102與104間之電氣接地隔離屏蔽，其藉由位在層級L1之區段102與104間而減少(例如，層210的)接點130及140之全部橫向相鄰者間之「晶粒接點場域」串擾。
於某些情況下，區段102之資料訊號接點130與區段104之140間的(例如，區段107、區段109、圖案410及圖案460的)結構120可各自提供層級L1之區段102與104之接點130及140間之電氣接地隔離屏蔽，其減少接點120位在其間的接點130及140(例如，層210的)中之全部橫向或以其它方式相鄰者間之「晶粒接點場域」串擾(例如，藉由附接120係在層級L1之區段107或109中)。
於有些情況下，區段102及104內部的固體傳導材料接地屏蔽附接結構(例如，區段102、區段104、圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的表面接點120及/或凸塊124)在層級L1之區段102與104內部提供電氣接地隔離屏蔽，其藉由係在層級L1之區段(或場域或叢集)102與104的兩個資料訊號接點間而減少封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)的頂層級L1或層210的或其上的相同類型(例如，RX或TX)資料訊號表面接點(例如，接點130或140)及焊料凸塊(例如，凸塊134或144)之全部相鄰者間之「晶粒凸塊場域內」串擾。於某些情況下，「晶粒凸塊場域內」串擾可以是「晶粒凸塊區段內」串擾、「晶粒凸塊叢集內」串擾、或區段102及104內部之串擾。此處，「相鄰」就圖1A-B及3A-B而言可以是橫向相鄰、縱向相鄰、對角相鄰，及諸如就圖2A-B及4而言也可描述為水平相鄰或垂直相鄰。
於某些情況下，(諸如圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的)(例如，接地屏蔽附接結構的)區段102及104之固體傳導材料接地屏蔽附接124提供，在形成於其上或實體上附接至一封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)之頂層級L1或頂層210的資料訊號表面接點(例如，接點130或140)的一個類型(例如，RX或TX)之資料訊號附接結構(例如，凸塊134或144)的一個場域(例如，區段)內部之，兩個資料訊號接點間的電氣接地隔離屏蔽。
於有些情況下，區段102、區段104、圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的接地屏蔽附接結構124提供層級L1之區段102與104之各個資料訊號接點間的電氣接地隔離屏蔽，其藉由位在層級L1上方凸塊134或144之該等相鄰者間而減少凸塊134或144之全部相鄰者間之「晶粒凸塊場域內」串擾。
於某些情況下，區段102中之資料訊號附接結構134或區段104中之144間之(例如，區段102、區段104、圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的)附接124各自可提供層級L1上方區段102與104之結構134或144間的電氣接地隔離屏蔽，其(例如，藉由該等附接124係在區段102或104中且在層級L1上方)減少了附接124係在其間的(例如，高於層210)結構134或144之全部相鄰者間之「晶粒凸塊場域內」串擾。
於有些情況下，區段102及104(例如，接地屏蔽附接結構的)(諸如圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的)固體傳導材料接地屏蔽附接結構120提供一封裝裝置(例如，裝置100、101、400及401)之頂層級L1或頂層210的一個類型(例如，RX或TX)之資料訊號表面接點(例如，接點130或140)的一個場域(例如，區段)內部兩個資料訊號接點間的電氣接地隔離屏蔽。
於有些情況下，區段102、區段104、圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的接地屏蔽附接接點提供層級L1之區段102與104之各個資料訊號接點間的電氣接地隔離屏蔽，其藉由位在層級L1的接點130及140之該等相鄰者間而減少(例如，層210之)接點130及140之全部相鄰者間之「晶粒接點場域內」串擾。
於某些情況下，區段102中之資料訊號接點130或區段104中之144間之(例如，區段102、區段104、圖案405、圖案408、圖案455及圖案458的)結構120各自可提供層級L1之區段102與104之接點130或140間的電氣接地隔離屏蔽，其(例如，藉由該等接點120係在層級L1之區段102或104中)減少了接點120係在其間的(例如，層210的)接點130或140之全部相鄰者間之「晶粒接點場域內」串擾。
舉例言之，藉由傳導材料電氣連結接地，區段107及109的附接124及接點120可提供電氣接地結構，因接地傳導材料量及相鄰於(例如，介於其間)134或接點130中之一者及附接144或接點140中之橫向相鄰者的傳導接地材料之所在位置故，其吸收或屏蔽了由(例如，區段102的或超出邊181)附接134或接點130中之一者所產生的電磁串擾訊號，免於到達附接144或接點140中之橫向相鄰者(例如，區段104的或超出邊183)。
於有些情況下，附接124及接點120減少了電氣串擾，該電氣串擾是由通過其中(或存在於其上)之附接134或接點130中之一者接收的或發射的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)之附接144或接點140中之一者接收的或發射的第二訊號的非期望電容、電感、或電導耦合所引起。此種電氣串擾可包括因攜載訊號的接點(例如，傳導材料)間之電磁(電感)或靜電(電容)耦合所致而由兩個訊號變成彼此部分重疊所引起的干擾。此種電氣串擾可包括來自附接134或接點130中之一者中的第一資料訊號之電流改變的磁場感應了附接144或接點140中之一者中的第二資料訊號之電流。須瞭解前文描述用於通過附接144或接點140的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)之附接134或接點130的第二訊號亦為真。
於若干實施例中，如前記，附接124及接點120中之任一者或各者減少電氣串擾(1)不會增加(a)區段102之相鄰接點130或附接134；或(b)區段104之接點140或附接144中之任一者間的水平距離或間隔，(2)不會增加層級L1-L3中之任一者間的水平距離或間隔，(3)不會重新排序如前記接點(或線跡)層級L1-L3中之任一者。
於某些情況下，裝置100、101、400及401包括位在接點120、130及140垂直下方的一固體傳導材料接地平面。該平面具有位在下述之垂直下方且水平環繞(環繞下列之垂直「陰影」)的開口：(1)第一層級第一型資料訊號接點130，及(2)第一層級第二型資料訊號接點140達寬度W4，該寬度W4可與資料訊號附接134或144的寬度至少一般大。開口可減少由接地平面與附接134及144之垂直重疊所引起的寄生電容，諸如電容係在附接134及144與接地平面間形成。開口也可最小化由接地平面與附接134及144之垂直重疊所引起的資料訊號反射及串擾，諸如於該處反射及串擾係在附接134及144與接地平面間形成。
舉例言之，如本文中所記，圖2A為封裝裝置100的示意剖面側視圖，顯示頂互連件層級的頂或上層接點；及層級L1下方封裝件的接地隔離平面結構160之典型層。圖2A顯示具有凸塊124、134及144實體上附接至頂互連件層級L1的接點120、130及140之層210；及平面160表示層級L1下方層級L3的接地隔離平面的典型一層。
圖4為圖1A及2A之封裝件的示意剖面頂視圖，顯示頂或典型互連件層級的頂或上層接點；及影線表示層級L1下方封裝件的接地隔離平面結構之典型一層。圖4顯示層210具有(未顯示於圖中，實體上附接的凸塊124、134及144)頂互連件層級L1的接點120、130及140；及影線160表示層級L1下方封裝件的接地隔離平面結構160之一層。圖4顯示封裝裝置100具有區段102帶有成列174-180的接點130。其顯示區段104帶有成列184-190的接點140。其顯示區段107具有接點120，帶有成列182的圖案110。
於某些情況下，層級L2為或包括介電材料103。於某些情況下，其也包括實體上附接至通孔接點132、122及/或142的頂層接點、通孔接點、線跡或其它組件。
平面160可以是在層210垂直下方(例如，垂直相鄰且在正下方，諸如在下方的一層級中)位在層級L3的固體傳導材料接地平面(例如，裝置100之一層的一部分其為接地平面)。平面160具有位在下述之垂直下方且水平環繞(例如，從下列之垂直「陰影」形成的)的開口495：(1)第一層級第一型資料訊號接點130，及(2)第一層級第二型資料訊號接點140達寬度W4，該寬度W4至少與附接124、134或144的寬度一般大。於某些情況下，寬度W4比寬度W6大0%至20%。
於某些情況下，接地平面160連結至電氣接地以減少裝置100之水平層級(例如，層級L2與L4)間之串擾，及開口495減少下列間之寄生電容：(1)第一層級第一型資料訊號附接134(及選擇性地也在接點130間)及接地平面160，及(2)第一層級第二型資料訊號附接144(及選擇性地也在接點140間)及接地平面160。開口495可藉由使得附接134及144(及選擇性地也接點130及140)不會垂直重疊接地平面160而減少寄生電容。
於某些情況下，接地平面160連結至電氣接地以減少裝置100之水平層級(例如，層級L2與L4)間之串擾，及開口495減少下列間之資料訊號反射及串擾：(1)第一層級第一型資料訊號附接134(及選擇性地也在接點130間)及接地平面160，及(2)第一層級第二型資料訊號附接144(及選擇性地也在接點140間)及接地平面160。開口495可藉由使得附接134及144(及選擇性地也接點130及140)不會垂直重疊接地平面160而減少反射及串擾。
須瞭解於其它實施例中，平面160可位在層級L3以外的層級，諸如層級L2、L4或L5。須瞭解針對平面160的描述可應用至具有多個類似平面160的接地平面之實施例，諸如多個平面係在層級L2-L5中之二或多者上。
須瞭解前文針對圖1A、2A及4之實施例描述的概念也可應用至圖1B及2B及圖3A-B之實施例，諸如藉將針對單一寬接地接點及焊料凸塊區段107的描述應用至雙寬度接地接點及焊料凸塊區段109。
更明確言之，平面160具有位在下述之垂直下方且水平環繞(例如，從下列之垂直「陰影」形成的)的開口495：(1)第一層級第一型資料訊號接點130，及(2)第一層級第二型資料訊號接點140達寬度W4，該寬度W4至少與附接124、134或144的寬度一般大，也可存在於裝置101、400及401之實施例中。
於有些情況下，圖1A-2B及4之區段102、107(或109)及104沿LE1縱向延伸，使得上接點120；列176及180的130；及列186及190之接點140中之另一者係在所顯示者下方縱向形成。於此等情況下，各有20個接點130及140，及10個區段107的接點120(或20個區段109)。
須瞭解前文針對圖1A-4之實施例描述的概念顯示層級L1為頂或暴露層級，層210為頂或暴露層，及表面103為頂或暴露表面也適用於實施例，於該處裝置100、101、400及401為顛倒(例如，相對於圖1A-4之剖面側視圖為上下顛倒，諸如於該處L1為最低層級或底層級；層210為最低層或層；及表面106為裝置的底面)。依據此等實施例，裝置100、101、400及401可附接到置放於表面106下方的另一個封裝裝置(例如，使用焊料凸塊134、124及144)。
於若干實施例中，垂直接地隔離結構可包括用於封裝裝置之不同類型垂直資料訊號互連件(例如，參考圖1A-4之垂直資料互連件堆疊)的垂直接地屏蔽結構。垂直接地屏蔽結構可包括固體傳導材料接地屏蔽互連件(例如，參考圖1A-3B的垂直接地隔離訊號互連件堆疊)，及固體傳導材料垂直接地屏蔽柵欄結構，諸如如本文描述(參考圖1-4)實體上附接至接地屏蔽附接結構的接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)(參考圖5-7)。垂直資料訊號互連件可定位或置放在旁側及不同類型垂直資料訊號互連件間，該等訊號互連件係展開於封裝裝置的一區及延伸貫穿垂直互連件層級。不同類型垂直資料訊號互連件可包括垂直延伸的發射及接收資料訊號互連件；及垂直接地屏蔽結構藉由位在其間且電氣屏蔽垂直延伸發射及接收垂直資料訊號互連件的分開單一者而減少訊號類型(例如，相同類型或單一訊號類型RX或TX)叢集間串擾。
於有些情況下，垂直接地屏蔽結構可延伸貫穿封裝件微通孔互連件層級及PTH互連件層級，而上層接地接點、上層資料訊號接點形成於其上方及連接到相同的微通孔互連件層級及PTH互連件層級之下層的通孔接點或線跡。
於某些情況下，垂直接地屏蔽結構可提供安裝於其上或安裝於垂直接地隔離封裝裝置的IC晶片或其它封裝裝置間之實體及電氣連結的較佳的組件。於有些情況下，其可提高接地的穩定性及俐落性，及在該封裝件的微通孔互連件層級及PTH互連件層級與透過封裝件頂面上的資料訊號接點而電氣連結至微通孔互連件層級及PTH互連件層級的該封裝件之其它組件或附接至該封裝件之其它組件間發射的高頻發射及接收資料訊號。
於某些情況下，微通孔互連件層級及PTH互連件層級為封裝裝置的垂直資料訊號互連件之部分。於有些情況下，比較不具有該等結構的封裝件，垂直接地屏蔽結構可提高通過該封裝件的微通孔互連件層級及PTH互連件層級及該封裝件之其它組件或附接至該封裝件之其它組件間發射的發射及接收資料訊號的有用頻率。此種提高的頻率可包括具有7至25每秒十億移轉(GT/s)之速度的資料訊號。於某些情況下，GT/s可指在某個給定資料移轉通道諸如由區段102或104提供的通道中，每秒出現的移轉資料操作次數(例如，數位資料諸如本文中之資料訊號的發射)；或可指取樣率，亦即每秒擷取的資料樣本數目，各個樣本通常出現在時鐘邊緣。1 GT/s為每秒109 或十億移轉。
於某些情況下，垂直接地屏蔽結構改良(例如，減少)串擾(例如，比較相同封裝件但沒有該等結構中之任一者)自極低頻移轉諸如自50每秒百萬移轉(MT/s)至大於40 GT/s(或高達40至50 GT/s)。
圖5A為圖3A之半導體封裝裝置的示意剖面頂視圖，顯示在層級L1下方的互連件層級帶有隔離互連件及相鄰隔離經鍍覆的貫穿孔(PTH)於不同區段中形成屏蔽圖案。圖5A顯示封裝裝置500為自上方第一互連件層級L1的剖面圖，上層210具有上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120，具有上層接收資料訊號接點130，及具有上層發射資料訊號接點140。接點120、130及140顯示由介電層103諸如電氣非傳導或絕緣材料所環繞。裝置500具有頂面106，諸如電介質103表面，於其上或於其中形成(例如，配置)接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140。
於某些情況下，裝置500為圖3A之封裝裝置400。於其它情況下，裝置400具有在層級L1或L2下方之層，其係與裝置500的層不同，諸如不具有結構570及580。
於某些情況下，裝置500或501的接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140可表示裝置100、101、400及401中之任一者的接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140。於此等情況下，裝置100、101、400及401中之任一者的接點120可具有在層級L1或L2下方之層包括如針對裝置500描述的結構570及580(例如，呈圖案且實體上附接至接點120或其通孔接點)。
圖5A顯示封裝裝置500具有第一互連件層級L1，上層210具有一列之上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120形成區段107中之圖案410；具有上層接收資料訊號接點130及額外隔離接點120形成區段102中之屏蔽圖案405；及具有上層發射資料訊號接點140及額外隔離接點120形成區段104中之屏蔽圖案408，諸如針對圖3A之裝置400描述。
諸如針對圖3A之裝置400描述，焊料凸塊可形成於裝置500的圖案410之上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120；圖案405之上層接收資料訊號接點130及隔離接點120；及圖案408之上層發射資料訊號接點140及隔離接點120上。
於某些情況下，諸如針對圖3A之裝置400之區段109描述，替代圖案410，裝置500可具有接點120的雙寬度圖案。
諸如針對圖3A之裝置400描述，裝置500可具有形成於其上或實體上附接至通孔接點132頂面的接點130，形成於其上或實體上附接至通孔接點122頂面的接點120，及形成於其上或實體上附接至通孔接點142頂面的接點140。
圖5A也顯示裝置500具有固體傳導材料垂直(例如，垂直延伸貫穿層級L1下方的裝置500之層級)接收資料訊號互連件530，固體傳導材料垂直發射資料訊號互連件540，固體傳導材料垂直接地訊號互連件520，固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570，及固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580。
於某些情況下，互連件530為於層級L1之下方層中形成之垂直延伸的互連件傳導材料，其延伸於接點130(及通孔接點132)下方。舉例言之，層級L1可形成於(例如，實體上連結至)第二下層級L2上，如針對接點130及132描述，具有頂層互連件接點(其寬度可比頂面接點寬度W5更小)及下層通孔接點。於某些情況下，互連件530包括接點130及132以及形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。
層級L1之此種通孔接點可形成於層級L2之頂互連件接點上。類似層級L1形成於層級L2上，層級L2可形成於裝置500的另一下層級L3上。層級L3可形成於裝置500的多個額外互連件層級上。裝置500中可有5至50個層級。於某些情況下，有3至100個層級。
於某些情況下，諸如前文針對互連件530描述，互連件540為形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料，其延伸於接點140(及通孔接點142)下方。於某些情況下，互連件540包括接點140及142以及形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。
於某些情況下，互連件520為形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料，其延伸於接點120(及通孔接點122)下方。舉例言之，層級L1可形成於(例如，實體上連結至)第二下層級L2上，如針對接點120及122描述，具有頂層互連件接點(其寬度可比頂面接點寬度W5更小)及下層通孔接點。於某些情況下，互連件520包括接點120及122以及形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。諸如前文針對互連件530描述，層級L1之此等通孔接點可形成於層級L2之頂互連件接點上，其可形成於裝置500之另一下層級L3上。
於某些情況下，PTH 570為形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。舉例言之，層級L1可形成於(例如，實體上連結至)第二下層級L2上，如針對接點120及122描述，具有頂層PTH接點(其可具有寬度W51其係比頂面接點寬度W5更小)及下層PTH通孔接點。於某些情況下，PTH 570不包括於層級L1上或於層級L1的任何接點，反而只是形成於L1之下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。於某些情況下，PTH 570係透過配置於L1之下方層級中的水平接地平面而實體上及電氣上連結至互連件520。
於某些情況下，PTH 570始於形成於層級L3的頂互連件PTH接點上的層級L2的PTH通孔接點。類似層級L2形成於層級L3上，層級L3的PTH接點可形成於裝置500之另一個下層級L4的PTH接點上。層級L4可形成於裝置500之多個額外互連件層級上。
於某些情況下，uVia 580為形成於層級L1下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。舉例言之，層級L1可形成於(例如，實體上連結至)第二下層級L2上，如針對接點120及122描述，具有頂層uVia接點(其可具有寬度W52其係比頂面接點寬度W51更小)及下層uVia通孔接點。於某些情況下，uVia 580不包括於層級L1上或於層級L1的任何接點，反而只是為形成於層級L1下方層級中之垂直延伸的互連件傳導材料。於某些情況下，uVia 580係透過配置於L1之下方層級中的水平接地平面而實體上及電氣上連結至互連件520。
於某些情況下，uVia 580始於形成於層級L3的頂互連件uVia接點上的層級L2的uVia通孔接點。類似層級L2形成於層級L3上，層級L3的uVia接點可形成於裝置500之另一個下層級L4的uVia接點上。層級L4可形成於裝置500之多個額外互連件層級上。
互連件520各自也具有至少一個橫向相鄰(但不接觸)及/或縱向相鄰(但不接觸)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570。各個PTH 570可以橫向相鄰(例如，於頂視圖中之上方或下方)互連件520；或縱向相鄰(例如，於頂視圖中之左邊或右邊)互連件520。舉例言之，於某些情況下，只有一個相鄰PTH 570橫向相鄰於互連件520上方或下方；或兩個縱向相鄰於互連件520左邊或右邊。於有些情況下，如針對一個描述，有二或三個相鄰。於有些情況下，有4個相鄰PTH 570，兩個橫向相鄰於互連件520上方或下方；及兩個縱向相鄰於互連件520左邊或右邊。
此外，圖5A顯示分開的(例如，不相鄰互連件520中之任一者)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570，及分開的(例如，不相鄰互連件520中之任一者)固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580。分開的PTH 570及uVia 580可不會橫向相鄰(但不接觸)或縱向相鄰(但不接觸)互連件520中之任一者。
PTH 570顯示為具有寬度(例如，直徑)W51，可以是60至400微米。於有些情況下其可以是180至270微米。PTH 570可具有高度(例如，厚度)，可以是50至800微米。於有些情況下其可以是300至500微米。uVia 580顯示為具有寬度(例如，直徑)W52，可以是60至100微米。於有些情況下其可以是70至90微米。uVia 580可具有高度(例如，厚度)，可以是10至45微米。於有些情況下其可以是25至30微米。
圖5A顯示封裝件結構500具有於層級L1下方之互連件層級(及包括層級L1)，帶有於區段102中形成屏蔽圖案505的互連件530、互連件520(含相鄰PTH 570)、分開PTH 570及分開uVia 580。該圖也顯示裝置500具有於層級L1下方之互連件層級(及包括層級L1)，帶有於區段104中形成屏蔽圖案508的互連件540、互連件520(含相鄰PTH 570)、分開PTH 570及分開uVia 580。該圖也顯示裝置500具有於層級L1下方之互連件層級(及包括層級L1)，帶有於區段107中形成屏蔽圖案510的互連件520(含相鄰PTH 570)。互連件520、530、及540；PTH 570及uVia 580可由介電層103諸如電氣非傳導或絕緣材料所環繞，但其實體上附接至接地平面、線跡、訊號線或其它接點之處除外。
於某些情況下，屏蔽圖案505包括具有各個互連件520(含相鄰PTH 570)(1)由六個互連件530或由區段102中具有的(例如，嵌合的)互連件530數目環繞成「第一」六角形(一個角隅至梢端沿長度LE1縱向指向上)。如此可包括六個互連件530各自配置於六角形的角隅至梢端。於此等情況下，圖案505也可包括具有互連件520(含相鄰PTH 570)中之各者(2)由六個分開uVia 580(或六個分開PTH 570及分開uVia 580)或由區段102中具有的(例如，嵌合的)分開PTH 570及分開uVia 580數目，環繞成「第二」六角形(一個角隅至梢端沿寬度WE1橫向指向邊)。如此可包括分開PTH 570及/或分開uVia 580沿六角形的長度或線配置。此外，屏蔽圖案505包括具有於圖案405的各個互連件520(含相鄰PTH 570)及各個互連件530。
於某些情況下，屏蔽圖案505包括具有區段102之互連件520中之各者具有兩個相鄰PTH橫向相鄰(例如，於頂視圖的上方及下方)互連件520；兩個相鄰PTH縱向相鄰(例如，於頂視圖的左邊及右邊)互連件520；六個互連件530(或如於區段102中之數目)環繞互連件520於六角形的角隅(一個角隅至梢端沿長度LE1縱向指向上)；及六個分開PTH 570及/或分開uVia 580(或如於區段102中之數目相等)環繞互連件520於六角形的邊。此外，於有些情況下，屏蔽圖案505也包括具有於圖案405中之各個互連件520(含相鄰PTH 570)及各個互連件530。
於某些情況下，圖案505只包括互連件530、互連件520(含相鄰PTH 570)、分開PTH 570及分開uVia 580；但不含其它互連件(例如，無互連件540)。圖案505顯示為具有20個互連件530，12個互連件520(含48個相鄰PTH 570)，3個分開PTH 570，及21個分開uVia 580形成於區段102中的屏蔽圖案505。須瞭解可以有更多個或更少個，諸如藉由使用分開PTH 570取代分開uVia 580；或反之亦然。
其次，沿寬度WE1之方向，區段107包括圖案510，具有沿長度LE1的互連件520。後文將就區段102及104討論圖案510。
於某些情況下，屏蔽圖案508包括具有各個互連件520(含相鄰PTH 570)(1)由六個互連件540(替代530)等，如針對圖案505之描述但使用互連件540替代互連件530，環繞成「第一」六角形(一個角隅至梢端沿長度LE1縱向指向上)。於某些情況下，圖案508包括具有互連件520(含相鄰PTH 570)中之各者(1)，如針對圖案505之描述但使用互連件540替代互連件530，環繞成「第二」六角形。此外，於某些情況下，屏蔽圖案508包括具有於圖案408的各個互連件520(含相鄰PTH 570)及各個互連件540。
於某些情況下，屏蔽圖案508包括具有區段104之互連件520中之各者具有兩個相鄰PTH橫向相鄰(例如，於頂視圖的上方及下方)互連件520；兩個相鄰PTH縱向相鄰(例如，於頂視圖的左邊及右邊)互連件520；六個互連件540(替代530)等，如針對圖案505之描述但使用互連件540替代互連件530。此外，於有些情況下，屏蔽圖案508也包括具有於圖案408中之各個互連件520(含相鄰PTH 570)及各個互連件540。
於有些情況下，圖案508只包括互連件540、互連件520(含相鄰PTH 570)、分開PTH 570及分開uVia 580；但不含其它互連件(例如，無互連件530)。圖案508顯示為具有20個互連件540，12個互連件520(含48個相鄰PTH 570)，3個分開PTH 570，及21個分開uVia 580形成區段104中之屏蔽圖案508。須瞭解可以有更多或更少個，諸如藉使用分開PTH 570替代分開uVia 580；或反之亦然。
於有些情況下，互連件520中之任一者、相鄰PTH 570、分開PTH 570、或分開uVia 580各自可被描述為「垂直延伸接地結構」，其係水平相鄰於(並排，及環繞六角形的至少四邊)垂直延伸資料訊號互連件(例如，互連件530及540)。此處，垂直延伸接地結構及垂直延伸資料訊號互連件係沿裝置500的互連件層級垂直延伸。於有些情況下，屏蔽圖案505包括具有區段102之互連件530中之各者，具有相鄰PTH 570、分開PTH 570、或分開uVia 580中之至少四者環繞互連件530於五角形的角隅及沿五角形的一個長度。於某些情況下，屏蔽圖案508包括具有區段104之互連件540中之各者，具有相鄰PTH 570、分開PTH 570、或分開uVia 580中之至少四者環繞互連件540於五角形的角隅及沿五角形的一個長度。
接地訊號互連件520顯示具有於區段107中的圖案510。圖案510可包括具有接地訊號互連件520於區段107中的第五列182。於某些情況下，屏蔽圖案510包括具有互連件520中之各者含一至三個相鄰PTH 570。
於某些情況下，屏蔽圖案510包括具有縱向第一(例如，最頂上)互連件520其具有兩個橫向相鄰PTH 570，一個在左及一個在右；縱向第二(例如，在最頂上的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件上方(例如，在第二與第一互連件間)；縱向第三(例如，在第二者的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件下方(例如，在第三與第四互連件間)且在第二與第三互連件間不具有相鄰PTH 570；縱向第四(例如，在第三者的下方)互連件520其具有兩個橫向相鄰PTH 570，一個在左及一個在右；縱向第五(例如，在第四者的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件上方(例如，在第五與第四互連件間)；縱向第六(例如，在第五者的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件下方(例如，在第六與第七互連件間)且在第五與第六互連件間不具有相鄰PTH 570；縱向第七(例如，在第六者的下方)互連件520其具有兩個橫向相鄰PTH 570，一個在左及一個在右；縱向第八(例如，在第七者的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件上方(例如，在第七與第八互連件間)。此外，於有些情況下，屏蔽圖案510包括具有於圖案410中之互連件520(含相鄰PTH 570)中之各者。
於某些情況下，屏蔽圖案510包括具有縱向第一(例如，最頂上)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件下方(例如，在第一與第二互連件間)；縱向第二(例如，在最頂上的下方)互連件520其具有兩個橫向相鄰PTH 570，一個在左及一個在右；縱向第三(例如，在第二者的下方)互連件520其具有一個縱向相鄰PTH 570在該互連件上方(例如，在第二與第三互連件間)；及然後重複此順序直到區段107之長度LE1充滿互連件520為止。此外，屏蔽圖案510此處也包括具有圖案410中之互連件520中之各者(含相鄰PTH 570)。
於有些情況下，圖案510只包括互連件520(含相鄰PTH 570)；但不含其它互連件(例如，無互連件530或140)，且無分開PTH 570或分開uVia 580。圖案510顯示為於區段107中具有8個互連件520(含11個相鄰PTH 570)。須瞭解可以有更多或更少個，諸如藉於全部互連件520間縱向增加相鄰PTH 570。
於有些情況下，互連件520中之任一者及相鄰PTH 570各自可被描述為「垂直延伸接地結構」，其係水平相鄰於(並排，及環繞六角形的1至3邊)垂直延伸資料訊號互連件(例如，區段102及104的互連件530及540)。此處，垂直延伸接地結構及垂直延伸資料訊號互連件係沿裝置500的互連件層級垂直延伸。於有些情況下，屏蔽圖案510包括具有區段107之互連件520中之各者其具有1至2個相鄰PTH 570，沒有分開PTH 570，及沒有分開uVia 580橫向介於區段102之全部互連件530與區段104之橫向相鄰互連件540中之一者間。
於某些情況下，取代圖案510，裝置500可具有雙寬度互連件520圖案，如針對圖1B及2B之區段109描述。於此等情況下，圖案可包括具有兩個橫向相鄰的互連件520，如前記，各自含1至3個相鄰PTH 570。此外，於某些情況下，此圖案也包括互連件520中之各者(含相鄰PTH 570)呈雙寬度互連件520圖案，如針對圖1B及2B之區段109描述。
圖5B為圖3B之半導體封裝裝置的示意剖面頂視圖，顯示在層級L1下方的互連件層級帶有隔離互連件及相鄰隔離經鍍覆的貫穿孔(PTH)於不同區段中形成屏蔽圖案。圖5B顯示封裝裝置501具有在層級L1下方(及含層級L1)的互連件層級，帶有互連件530、互連件520(含相鄰PTH 570)形成區段102中的屏蔽圖案555。該圖也顯示裝置501具有在層級L1下方(及含層級L1)的互連件層級，帶有互連件540、互連件520(含相鄰PTH 570)形成區段104中的屏蔽圖案558。該圖也顯示裝置500具有在層級L1下方(及含層級L1)的互連件層級，帶有互連件520(含相鄰PTH 570)形成區段107中的屏蔽圖案560。互連件520、530、及540；PTH 570及uVia 580可由介電層103諸如電氣非傳導或絕緣材料環繞，但其實體上附接至接地平面、線跡、訊號線或其它接點處除外。
於有些情況下，屏蔽圖案555包括具有互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)橫向相鄰且介於互連件530中之二者間。此點可包括互連件520中之各者具有如區段102中具有的(例如，嵌合的)兩個橫向相鄰PTH 570(例如，一在左及一在右)之數目。如此可包括圖案555中沒有分開PTH 570或分開uVia；又圖案555之互連件520沒有縱向相鄰PTH 570。此外，於某些情況下，屏蔽圖案555包括具有於圖案455中之互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)及互連件530中之各者。
於有些情況下，屏蔽圖案555包括互連件530中之各者由四個相鄰PTH 570呈菱形(一個角隅至梢端沿長度LE1縱向指向上)環繞，或由區段102中具有的(例如，嵌合的)相鄰PTH 570數目環繞。如此可包括配置於菱形的角隅至梢端的四個相鄰PTH 570中之各者。此外，於某些情況下，屏蔽圖案555包括具有於圖案455中之互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)及互連件530中之各者。
於有些情況下，屏蔽圖案555只包括互連件530，及互連件520(含相鄰PTH 570)；但不包括其它互連件(例如，無互連件540)，無分開PTH 570及無分開uVia 580。圖案555顯示於區段102形成屏蔽圖案555的20個互連件530及15個互連件520(含30個相鄰PTH 570)。須瞭解可有更多個或更少個，諸如藉由排除或不具有列474中互連件520的左邊橫向相鄰PTH 570。於此等情況下，只有25個相鄰PTH 570。
其次，沿寬度WE1之方向，區段107包括沿長度LE1具有互連件520的圖案560。圖案560將就區段102及104進一步討論如後。
於有些情況下，屏蔽圖案558包括具有互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)橫向相鄰且介於互連件540(替代530)中之二者間等，如針對圖案555之描述但具有互連件540取代互連件530。此外，於某些情況下，屏蔽圖案558包括具有圖案458中之互連件520中之各者(含相鄰PTH 570)及互連件540中之各者。
於有些情況下，屏蔽圖案558包括互連件540中之各者由四個相鄰PTH 570呈菱形(一個角隅至梢端沿長度LE1縱向指向上)環繞，或由區段104中具有的(例如，嵌合的)相鄰PTH 570數目環繞。如此可包括配置於菱形的角隅至梢端的四個相鄰PTH 570中之各者。此外，於某些情況下，屏蔽圖案558包括具有於圖案458中之互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)及互連件540中之各者。
於有些情況下，屏蔽圖案558只包括互連件540，及互連件520(含相鄰PTH 570)；但不包括其它互連件(例如，無互連件530)，無分開PTH 570及無分開uVia 580。圖案558顯示於區段102形成屏蔽圖案558的20個互連件540及15個互連件520(含30個相鄰PTH 570)。須瞭解可有更多個或更少個，諸如藉由排除或不具有列489中互連件520的右邊橫向相鄰PTH 570。於此等情況下，只有25個相鄰PTH 570。
於有些情況下，互連件520中之任一者、相鄰PTH 570各自可被描述為「垂直延伸接地結構」，其係水平相鄰於(並排，及環繞菱形的至少三邊)垂直延伸資料訊號互連件(例如，互連件530及540)。此處，垂直延伸接地結構及垂直延伸資料訊號互連件係沿裝置501的互連件層級垂直延伸。於有些情況下，屏蔽圖案555包括具有區段102之互連件530中之各者，具有相鄰PTH 570中之至少三者環繞互連件530於菱形的角隅(例如，具有一點或角隅縱向指向上)。於某些情況下，屏蔽圖案558包括具有區段102之互連件540中之各者，具有相鄰PTH 570中之至少三者環繞互連件540於菱形的角隅(例如，具有一點或角隅縱向指向上)。
接地訊號互連件520顯示具有於區段107中之圖案560。圖案560可包括具有互連件520中之各者(含兩個橫向相鄰PTH 570)橫向相鄰且介於區段102的互連件530中之一者與橫向相鄰區段104的互連件540中之一者間。此點可包括互連件520中之各者具有如區段107中具有的(例如，嵌合的)兩橫向相鄰PTH 570(例如，一在左及一在右)之數目。於某些情況下，此點可包括列481之互連件520中之各者具有左橫向相鄰PTH 570延伸入區段102內(例如，選擇性地延伸入圖案555內)。於某些情況下，此點可包括列482之互連件520中之各者具有右橫向相鄰PTH 570延伸入區段104內(例如，選擇性地延伸入圖案558內)。此點可包括於圖案560中沒有分開PTH 570或分開uVia 580；及圖案560之互連件520沒有任何縱向相鄰PTH 570。此外，於某些情況下，屏蔽圖案560包括具有圖案460中之互連件520中之各者(含相鄰PTH 570)。
於某些情況下，圖案560只包括互連件520(含相鄰PTH 570)；但無其它互連件(例如，無互連件530或140)，且無分開PTH 570或分開uVia 580。圖案560顯示於區段107中具有10個互連件520(含20個相鄰PTH 570)。須瞭解可有更多個或更少個，諸如藉在全部互連件520間縱向增加相鄰PTH 570。
於有些情況下，互連件520中之任一者及相鄰PTH 570各自可被描述為「垂直延伸接地結構」，其係水平相鄰於(並排，及環繞菱形的1至3邊)垂直延伸資料訊號互連件(例如，區段102及104的互連件530及540)。此處，垂直延伸接地結構及垂直延伸資料訊號互連件係沿裝置501的互連件層級垂直延伸。於有些情況下，屏蔽圖案560包括具有區段107之互連件520中之各者其具有2個相鄰PTH 570，沒有分開PTH 570，及沒有分開uVia 580橫向介於區段102之全部互連件530與區段104之橫向相鄰互連件540中之一者間。
圖6A為圖5A之封裝件的示意剖面側視圖，顯示垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、垂直延伸分開PTH、垂直延伸分開uVia 580、及垂直延伸資料訊號互連件在不同區段中形成不同的屏蔽圖案。圖6A顯示封裝件結構500為自圖5A視角X-X’的剖面圖。圖6A顯示封裝件結構500(例如，垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置)其具有多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級610、層級620及層級630)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、垂直延伸分開PTH 570、垂直延伸分開uVia 580、及垂直延伸發射資料訊號互連件540(例如，含接點140)在區段104中形成屏蔽圖案508。須瞭解針對在區段104具有屏蔽圖案508的多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級610、層級620及層級630)也適用於多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級610、層級620及層級630)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、垂直延伸分開PTH 570、垂直延伸分開uVia 580、及垂直延伸發射資料訊號互連件530(例如，含接點130)在區段102中形成屏蔽圖案505。同理，須瞭解針對在區段104具有屏蔽圖案508的多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級610、層級620及層級630)也適用於多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級610、層級620及層級630)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570於位在區段102與區段104旁側及其間的區段107中形成屏蔽圖案510。
圖6A顯示封裝件結構500之頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1係形成於第二層級互連件層級L2上方(例如，於其上且實體上連結至)，層級L2係形成於第三互連件層級L3上方，層級L3係形成於第三互連件層級L4上方，其係形成於uVia上層級610上方，其係形成於PTH中層級620上方，其係形成於uVia下層級630上方。
於有些情況下，相鄰的及分開PTH 570及分開uVia 580為形成於(例如，延伸)層級L1下方層級中的互連件傳導材料的垂直互連件，及在至一邊(或2或3或4)上水平環繞互連件520，為互連件520(例如，延伸於接點120及通孔接點122下方)。舉例言之，層級L2(及層級L3)可包括(頂或第一層級的)uVia 580(或選擇性地PTH 570)形成於(例如，實體上連結至)較低層較(例如，層級L3及其後)，其具有頂層uVia(或選擇性地PTH 570)互連件接點或較低層uVia(或選擇性地PTH 570)互連件接點(例如，針對接點120及122描述)。
此種層級L2之通孔接點可形成於層級L3的頂層uVia(或選擇性地PTH 570)互連件接點上，其可形成於裝置500之另一個下層級L4上，諸如前文針對互連件520描述。於層級L2下方或該層，PTH 570及uVia 580可透過或藉由固體傳導材料水平接地平面(例如，圖中未顯示但諸如針對平面160描述)中之一或多者而實體上連結至互連件520(及接點120及選擇性地凸塊124)。須瞭解此等平面可包括平面160，及位在層級L3以外之層級的平面，諸如層級L4、層級610、層級620及層級630。須瞭解平面可只存在於部分平面諸如層級L4、層級610、層級620及層級630。
於有些情況下，圖6A顯示封裝件結構500具有垂直頂層級L1(例如，層210)，其包括接地隔離訊號互連件520的表面接點120，及發射資料訊號互連件540的表面接點140(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件530的表面接點130)。圖6A顯示實體上附接至(形成於其上方且傳導式電氣附接到諸如帶有零電阻)下垂直延伸(置放)微通孔上層級610(例如，含層級L2-L4)的層級L1。
圖6A顯示微通孔上層級610其包括接地隔離訊號互連件520的uVia上層級、發射資料訊號互連件540的uVia上層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件530的uVia上層級)、相鄰PTH 570的uVia上層級、分開PTH 570的uVia上層級、及分開uVia 580的uVia上層級。
圖6A顯示實體上附接至下垂直資料訊號互連件經鍍覆的貫穿孔(PTH)中層級620的微通孔上層級610。圖6A顯示PTH中層級620其包括接地隔離訊號互連件520的PTH中層級、發射資料訊號互連件540的PTH中層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件530的PTH中層級)、相鄰PTH 570的PTH中層級、分開PTH 570的PTH中層級、但不包括分開uVia 580的PTH中層級。
圖6A顯示實體上附接至下垂直延伸微通孔下層級630的PTH中層級620。圖6A顯示微通孔下層級630其包括接地隔離訊號互連件520的uVia下層級、發射資料訊號互連件的uVia下層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件的uVia下層級)、相鄰PTH 570的uVia下層級、分開PTH 570的uVia下層級、及分開uVia 580的uVia下層級。
雖然於圖6A中未顯示，但於某些情況下，上、中及下層級相鄰PTH 570、分開PTH 570及分開uVia 580藉由上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面而實體上附接至(形成有或在相同層上；且傳導式電氣附接到諸如帶有零電阻)接地隔離訊號互連件520(例如，針對層160描述)。此種接地平面可水平地延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置500的2或更多個層級。於有些情況下，其延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置500的10至30個層級。於有些情況下，其延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置500的15至25個層級。
圖6B為圖5B之封裝件的示意剖面側視圖，顯示垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸資料訊號互連件在不同區段中形成不同的屏蔽圖案。圖6B顯示封裝件結構501為自圖5B視角Y-Y’的剖面圖。圖6B顯示封裝件結構501(例如，垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置)其具有多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級660、層級670及層級680)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，圖中未顯示但形成於下方且含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、及垂直延伸發射資料訊號互連件540(例如，含接點140)在區段104中形成屏蔽圖案558。須瞭解針對在區段104具有屏蔽圖案558的多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級660、層級670及層級680)也適用於多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級660、層級670及層級680)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，圖中未顯示但形成於下方且含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、及垂直延伸發射資料訊號互連件530(例如，含接點130)在區段102中形成屏蔽圖案555。圖6B也顯示封裝件結構501具有多個垂直互連件層級(例如，層級L1、層級660、層級670及層級680)具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括至少一個垂直延伸相鄰PTH 570於位在區段102與區段104旁側及其間的區段107中形成屏蔽圖案560。
圖6B顯示封裝裝置501之頂或最頂(例如，第一層級)互連件層級L1係形成於第二層級互連件層級L2上方，其係形成於第三互連件層級L3上方，其係形成於第四互連件層級L4上方，其係形成於uVia上層級660上方，其係形成於PTH中層級670上方，其係形成於uVia下層級680上方。於某些情況下，如針對圖6A描述，相鄰的及分開PTH 570及分開uVia 580為形成於(例如，延伸)層級L2、L3、L4中的互連件傳導材料之垂直互連件。
如針對圖6A描述，於層級L2下方或於L2，PTH 570及uVia 580可透過或藉固體傳導材料水平接地平面(例如，圖中未顯示但諸如針對平面160描述)中之一或多者而實體上連結至互連件520(及接點120及選擇性地凸塊124)。
於某些情況下，如針對圖6A描述，圖6B顯示封裝裝置501具有垂直頂層級L1(例如，層210)，其包括訊號互連件520、530及540的表面接點120、130及140。如針對圖6A之附接到層級610的層級L1之描述，層級L1可實體上附接至微通孔上層級660。
圖6B顯示微通孔上層級660其包括接地隔離訊號互連件520的uVia上層級(未顯示於圖中但形成於接點120下方，諸如針對圖6A所示)、發射資料訊號互連件540的uVia上層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件530的uVia上層級)、及相鄰PTH 570的uVia上層級。
圖6B顯示實體上附接至下垂直資料訊號互連件經鍍覆的貫穿孔(PTH)中層級670的微通孔上層級660。圖6B顯示PTH中層級620包括接地隔離訊號互連件520的PTH中層級(未顯示於圖中但形成於接點120下方，諸如針對圖6A所示)、發射資料訊號互連件的PTH中層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件530的PTH中層級)、及相鄰PTH 570的PTH中層級。
圖6B顯示實體上附接至下垂直延伸微通孔下層級680的PTH中層級670。圖6B顯示微通孔下層級680其包括接地隔離訊號互連件520的uVia下層級(未顯示於圖中但形成於接點120下方，諸如針對圖6A所示)、發射資料訊號互連件的uVia下層級(其於某些情況下可表示接收資料訊號互連件的uVia下層級)、及相鄰PTH 570的uVia下層級。
雖然於圖6B中未顯示，但於某些情況下，上、中及下層級相鄰PTH 570、分開PTH 570及分開uVia 580，藉由上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面，而實體上附接至(形成有或在相同層上；且傳導式電氣附接到諸如帶有零電阻)接地隔離訊號互連件520(例如，針對層160描述)。此種接地平面可水平地延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置501的2或更多個層級。於有些情況下，其延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置501的8至28個層級。於有些情況下，其延伸貫穿且形成實體連結於層級L1下方裝置501的12至20個層級。
須瞭解雖然圖6B顯示各對水平相鄰發射資料訊號互連件540(於某些情況下，可表示接收資料訊號互連件530的PTH中層級)之左邊者相對於該對的右邊者(其為遠端)為近端，於自視角Y-Y’於實際視圖中，該對的右邊者為近端而左邊者為遠端。然而如對圖5B所記，考慮兩種圖案以及其它圖案。
於有些情況下(但未顯示於圖6A-B中)，類似針對圖2A及3A(及2B及3B)之描述，焊料凸塊124可形成於(例如，實體上附接至)圖案510(及560)的上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120上；凸塊134可形成於圖案505(及555)之上層接收資料訊號接點130及隔離接點120上；及凸塊144及124可形成於圖案508(及558)之上層發射資料訊號接點140及隔離接點120上。
於有些情況下(但未顯示於圖6A中)，圖6A的焊料凸塊124、134及144係附接到於區段102、104及107中形成不同的屏蔽圖案505、508及510的另一經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置(例如，在位置807的中介件806)之接點120、130及140，該另一經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置具有垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、垂直延伸分開PTH(但不含垂直延伸分開uVia 580)、及垂直延伸資料訊號互連件。另一個封裝裝置可具有在區段104中形成屏蔽圖案508的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級620；但不含層級610或層級630)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、垂直延伸分開PTH 570(但不含垂直延伸分開uVia 580)、及垂直延伸發射資料訊號互連件540(例如，含接點140)。須瞭解針對在區段104具有圖案508的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級620；但不含層級610或層級630)也適用於在區段102中形成屏蔽圖案505的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級620；但不含層級610或層級630)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570、垂直延伸分開PTH 570(但不包括垂直延伸分開uVia 580)、及垂直延伸發射資料訊號互連件530(例如，含接點130)。同理，須瞭解針對在區段104具有圖案508的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級620；但不含層級610或層級630)也適用於位在區段102與區段104旁側及其間的區段107中形成屏蔽圖案510的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級620；但不含層級610或層級630)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括多個垂直延伸相鄰PTH 570。
於有些情況下(但未顯示於圖6B中)，圖6B的焊料凸塊124、134及144係附接到於區段102、104及107中形成不同的屏蔽圖案555、558及560的另一經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置(例如，在位置813的中介件806)之接點120、130及140，該另一經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置具有垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸資料訊號互連件。另一個封裝裝置可具有在區段104中形成屏蔽圖案558的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級670；但不含層級660或層級680)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括兩個垂直延伸相鄰PTH 570、及垂直延伸發射資料訊號互連件540(例如，含接點140)。須瞭解針對在區段104具有圖案558的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級670；但不含層級660或層級680)也適用於在區段102中形成屏蔽圖案555的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級670；但不含層級660或層級680)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括兩個垂直延伸相鄰PTH 570、及垂直延伸發射資料訊號互連件530(例如，含接點130)。同理，須瞭解針對在區段104具有圖案558的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級670；但不含層級660或層級680)也適用於位在區段102與區段104旁側及其間的區段107中形成屏蔽圖案560的多個垂直互連件層級(例如，層級L1及層級670；但不含層級660或層級680)，其具有垂直延伸接地隔離訊號互連件520(例如，含接點120)各自包括兩個垂直延伸相鄰PTH 570。
須瞭解前文針對於圖6A-B的不同區段中形成不同屏蔽圖案的垂直延伸接地隔離訊號互連件520、垂直延伸相鄰PTH 570、垂直延伸分開PTH 570、垂直延伸分開uVia 580、及垂直延伸資料訊號互連件530及540描述的概念，也可適用於裝置100、101、400及401的互連件或互連件堆疊。於有些情況下，裝置500的接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140可表示裝置100、101、400及401中之任一者的垂直延伸接地隔離訊號互連件520(具有垂直延伸相鄰PTH 570)、垂直延伸接收資料訊號互連件530、及垂直延伸發射資料訊號互連件530及540。
於某些情況下，固體傳導材料垂直接地訊號互連件520、(相鄰及/或分開)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570、及分開固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580，提供在層級L1、610、620、630、660、670及680的區段102與104間之電氣接地隔離屏蔽，其減少了層級L1、610、620、630、660、670及680的區段102及104的固體傳導材料垂直接收資料訊號互連件530與固體傳導材料垂直發射資料訊號互連件540間之「晶粒凸塊場域」串擾。於有些情況下，其藉由介於其間、環繞、由層級L1、610、620、630、660、670及680(或如可能存在的層級數目)的區段(例如，場域或叢集)102及104的一型資料訊號接點所環繞，而減少了層級L1、610、620、630、660、670及680的全部(例如，各對)同型(例如，RX或TX)固體傳導材料垂直接收資料訊號互連件530或固體傳導材料垂直發射資料訊號互連件540之相鄰者間的「晶粒凸塊場域內」串擾。此處「相鄰」可相對於圖5A-B及6A-B的WE1為水平相鄰(或橫向相鄰)，或相對於LE1為縱向相鄰。
於有些情況下，如針對圖1A-B及2A-B之區段102的接點130及區段104的接點140之描述，其減低「晶粒凸塊場域」串擾，但係在(例如，層級L1、610、620、630、660、670及680的)區段102之互連件530與區段104之互連件540間。於有些情況下，如針對圖3A-B及5A-B之區段102的接點130或區段104的接點140之描述，其減低「晶粒凸塊場域內」串擾，但係在(例如，層級L1、610、620、630、660、670及680的)區段102之互連件530或區段104之互連件540間。
舉例言之，藉由傳導材料電氣連結接地，固體傳導材料垂直接地訊號互連件520、(相鄰及/或分開)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570、及分開固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580可提供電氣接地結構，其因接地傳導材料量及相鄰於(例如，介於其間)互連件530及互連件530或540中之一者的傳導接地材料之位置故，吸收或屏蔽由(例如，區段102的或超出邊181)固體傳導材料垂直接收資料訊號互連件530中之一者產生的電磁串擾訊號免於到達(例如，區段102或區段104的)互連件530或互連件540之(水平、縱向、或橫向)相鄰者。
於某些情況下，固體傳導材料垂直接地訊號互連件520、(相鄰及/或分開)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570、及分開固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580減少了電氣串擾，此電氣串擾是由通過其中(或存在於其上)互連件530中之一者接收的或發射的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)互連件540中之一者接收的或發射的第二訊號的非期望電容、電感、或電導耦合所引起。此種電氣串擾可包括因攜載訊號的接點(例如，傳導材料)間之電磁(電感)或靜電(電容)耦合所致而由兩個訊號變成彼此部分重疊所引起的干擾。此種電氣串擾可包括來自互連件530中之一者中的第一資料訊號之電流改變的磁場感應了互連件540中之一者中的第二資料訊號之電流。須瞭解前文描述用於通過互連件的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)互連件530的第二訊號亦為真。
於若干實施例中，如前記，固體傳導材料垂直接地訊號互連件520、(相鄰及/或分開)固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)570、及分開固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)580中之任一者或各者減少電氣串擾(1)不會增加(a)區段102之相鄰互連件530；或(b)區段104之互連件540中之任一者間的水平距離或間隔，(2)不會增加層級L1、610、620、630、660、670及680中之任一者間的水平距離或間隔，(3)不會重新排序如前記接點(或線跡)層級L1、610、620、630、660、670及680中之任一者。
圖7A為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。圖7A顯示封裝裝置700具有頂面106諸如電介質103的表面，於其上或於其中形成(例如，配置)接地接點120、接收訊號接點130及發射接點140。圖7A顯示封裝裝置700具有第一互連件層級L1帶有上層210，其具有於區段107中形成屏蔽圖案710的一列上(例如，頂或第一)層接地隔離接點120；具有於區段102中形成屏蔽圖案705的上層接收資料訊號接點130及額外隔離接點120；及具有於區段104中形成屏蔽圖案705的上層發射資料訊號接點140及額外隔離接點120。接點120、130及140係由介電層103諸如電氣非傳導或絕緣材料環繞。於若干實施例中，裝置700可以是封裝裝置，可使用且可包括如針對裝置100描述的接點，但裝置700具有接點(例如，屏蔽)圖案705、708及710而非圖案105、108及110。
接收訊號接點130及接點120顯示為於區段102中具有圖案705。圖案705可包括於第一列174、第二列176、及第三列178中具有接收訊號接點130及接點120。圖案705可包括於列174-178中具有接收訊號接點130及接點120之1:1比。其可包括於區段102中具有非橫向(例如，沿WE71)及非縱向偏位(例如，沿LE71)偏位接點，諸如具有於該等區段中之接點排列成彼此橫向相鄰(例如，沿WE71)及縱向相鄰(例如，如圖顯示)。
於有些情況下，屏蔽圖案705包括沿長度LE1縱向相鄰的下列接點圖案：第一列174具有接點130、120、130、120、130、120、及無接點(或選擇性地，接點130)；第二列176具有接點120、130、120、130、120、130、120；及第三列178具有接點130、120、130、120、130、120、及接點130(或選擇性地，無接點)。
於有些情況下，區段102可被描述為接收或「RX」訊號叢集，具有形成為3-列深晶粒-凸塊圖案705的縱向及橫向柵格圖案(例如，帶有交錯接點的正方柵格)的交錯接收接點130及隔離接點120。於有些情況下，圖案705只包括接點130及接點120，但不含其它接點(例如，無接點140)。圖案705顯示為具有10個垂直資料訊號互連件堆疊及10個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號互連件上接點130及120，其可形成於層級L1的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點分別的上方或上。須瞭解可有更多或更少的堆疊及接點130及120。於有些情況下，圖案705中可有20個堆疊及接點130及20個堆疊及接點120。於有些情況下，圖案705中可有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點130及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
其次，沿寬度WE73之方向，列182包括沿長度LE71具有接點120的圖案710。將就區段102及104進一步討論圖案710如後。
其次，沿寬度WE71之方向，發射訊號接點140及接點120顯示為於區段104中具有圖案708。圖案708可包括於第五列184、第六列186、及第七列188中具有發射訊號接點140及接點120。圖案708可包括於列184-178中具有發射訊號接點140及接點120之1:1比。圖案708可包括於區段104中具有非橫向(例如，沿WE71)及非縱向偏位(例如，沿LE71)偏位接點，諸如具有於該等區段中之接點排列成彼此橫向相鄰(例如，沿WE71)及縱向相鄰(例如，如圖顯示)。
於有些情況下，屏蔽圖案708包括沿長度LE1縱向相鄰的下列接點圖案：第五列184具有接點140、120、140、120、140、120、及無接點(或選擇性地，接點140)；第六列186具有接點120、140、120、140、120、140、120；及第七列188具有接點140、120、140、120、140、120、及接點140(或選擇性地，無接點)。
於有些情況下，區段104可被描述為發射或「TX」訊號叢集，具有形成為3-列深晶粒-凸塊圖案708的縱向及橫向柵格圖案(例如，帶有交錯接點的正方柵格)的交錯發射接點140及隔離接點120。於有些情況下，圖案708只包括接點140及接點120，但不含其它接點(例如，無接點130)。圖案708顯示為具有10個垂直資料訊號互連件堆疊及10個垂直接地隔離訊號互連件堆疊，各自具有暴露資料訊號互連件上接點140及120，其可形成於層級L1的資料訊號通孔接點及接地訊號通孔接點分別的上方或上。須瞭解可有更多或更少的堆疊及接點140及120。於有些情況下，圖案708中可具有20個堆疊及接點140及20個堆疊及接點120。於有些情況下，圖案705中可具有8、10、12、16、32或64個堆疊及接點140及4、5、6、8、16或32個堆疊及接點120。
接地訊號接點120顯示為於區段107中具有圖案710。區段107具有寬度WE73及長度LE71。圖案710可包括於區段107中之第四列182中具有接地訊號接點120。於有些情況下，區段107可被描述為形成為垂直偏位1-列深晶粒-凸塊圖案710的接地訊號叢集。於有些情況下，圖案710只包括接點120，但不含其它接點(例如，無接點130或140)。
於某些情況下，如圖顯示，圖案710可包括位在橫向等距、直接介於且非縱向偏位(例如，沿LE71)相鄰列(例如，列178及184的)的橫向緊鄰接點的第一水平相鄰列(列182中之一者)的接點120中之一者。
圖案710可具有7個垂直接地隔離互連件堆疊，各自具有一接地隔離上接點120，其可形成於層級L1的接地隔離通孔接點的上方或上。須瞭解圖案410中可有多於或少於7個堆疊及接點120。於有些情況下，可有14個堆疊及接點120。於有些情況下有4、5、6、8、16或32個。
圖案705可被描述為橫向與縱向交錯接收接點及隔離接點的三列寬區段。圖案708可被描述為橫向與縱向交錯發射接點及隔離接點的三列寬區段。圖案710可被描述為定位或形成於區段102與區段104間之一列寬接地隔離區段107。圖案710可具有橫向相鄰於(例如，沿寬度WE73)或面向區段102的邊181，及橫向相鄰於(例如，沿寬度WE73)或面向區段104的對邊183(例如，邊181的對邊)。須瞭解雖然圖案705及708顯示具有相等寬度及長度，但其可具有不同的寬度及/或長度。
圖案705、708及710可包括於區段102、107及104具有非橫向(例如，沿WE71)及非縱向偏位(例如，沿LE71)偏位接點，諸如具有於該等區段中之接點排列成彼此橫向相鄰(例如，沿WE71)及縱向相鄰(例如，如圖顯示)。於有些情況下，列174-188中之各者可沿寬度WE71之方向彼此水平(例如，橫向)等距，及於各列中之該等接點中之各者可沿長度LE71之方向彼此垂直(例如，縱向)等距。
於某些情況下，替代圖案710，裝置700可具有接點120的雙寬度圖案，諸如針對圖1B及2B的區段109描述。
封裝裝置700可表示補塊804或中介件806中之任一者。裝置700可以是電光連接器將實體上附接(例如，直接安裝，諸如使用焊料凸塊)於其上的中介件部分或封裝裝置。
圖7B為其上(例如，實體上附接至其頂面)可安裝至少一個封裝裝置的電光(EO)連接器702的示意三維剖面透視圖。於有些情況下，積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或電光(EO)模組或裝置(例如，EO模組908)可被安裝(例如，實體上附接至其頂面)封裝裝置(例如，圖9之封裝件910)，該封裝裝置係安裝於連接器702上。於有些情況下，連接器702可安裝於(例如，實體上附接至其頂面)另一個封裝裝置(例如，中介件806)上。
圖7B顯示連接器702具有寬度WE71、長度LE7、及高度H7。其顯示連接器702具有3交錯縱向列174、176及178，各自具有交錯接地隔離接點針腳720及接收資料訊號接點針腳730(例如，於區段102中形成屏蔽圖案705)。各個針腳(例如，針腳720或730)係在介電材料703(例如，諸如材料103成形為殼體，如圖顯示)的殼體內部(例如，參考殼體701，諸如表示連接器單元或胞元)，且係實體上附接至或安裝至焊料凸塊(例如，724或734)上。針腳及焊料凸塊可配置於形成於介電材料中的開放空間(例如，圓柱形開口725或735)內部。
其顯示殼體(例如，參考殼體701)在電介質703內部的開放空間735底部具有焊料凸塊734。又於開放空間735中為可撓性接點730。其顯示殼體(例如，參考殼體701)在電介質703內部的開放空間725底部具有焊料凸塊724。又於開放空間725中為可撓性接點720。類似裝置700的區段102之接點120及130，連接器702的接點針腳720及730具有圖案705。
圖7C為圖7B之電光(EO)連接器的殼體或胞元的示意三維剖面透視圖。圖7C顯示裝置702之殼體(例如，胞元)701。殼體701(例如，及連接器702)可使用來或可實體上及電氣上連接於不同封裝裝置的兩個表面接點730間(例如，如於本文中描述)。殼體701係針對訊號針腳730顯示，但可表示用於針腳720、730或740的胞元。
胞元701係顯示具有焊料凸塊134實體上附接至或形成於封裝裝置(例如，中介件806)的接點130(例如，頂面的)上方。圖7C也顯示實體上觸摸或接觸封裝裝置(例如，封裝件910)的表面接點130’(例如，底面的)之接點針腳730。於有些情況下，積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或電光(EO)模組或裝置(例如，EO模組908)可安裝(例如，實體上附接至頂面)安裝於連接器殼體701(例如，及連接器702)上的封裝裝置(例如，封裝件910)的頂面。
針腳720及730可以是導體材料針腳，諸如金屬製。其可由如對接點120所記材料製成。其可以是可撓性接點針腳。其可於開口725及735內部彎曲。殼體701可給各個殼體之針腳720及730及凸塊123及134提供機械支持。殼體701可提供各個殼體的針腳720及730(及凸塊123及134)之電氣分開，諸如電氣隔離該殼體的針腳及凸塊與相鄰殼體的針腳及凸塊。
雖然圖7B-C顯示連接器702具有針對裝置700之區段102的列174-178及連接器針腳730(例如，RX)及720，針對該等圖式顯示及描述的概念可應用至針對裝置700之區段104具有列184-188及連接器針腳740(例如，TX)及720的連接器702版本。又，雖然圖7B-C顯示連接器702具有針對裝置700之區段102的列174-178及連接器針腳730(例如，RX)及720，針對該等圖式顯示及描述的概念可應用至針對裝置700之區段107具有列182及只有連接器針腳720(例如，接地隔離GND)的連接器702版本。
連接器702之列174、176及178可安裝於裝置700的列174、176及178上。連接器702可附接至形成於封裝裝置700之區段102或區段104的接點120及130上。於有些情況下，連接器702中之一者可附接至封裝裝置700之區段102或區段104兩者。此外，於有些情況下，部分連接器，諸如接地連接器胞元的單一列178附接至封裝裝置700之區段107。於某些情況下，連接器702包括(1)如圖顯示附接至裝置700之區段102中的接點120及130的連接器702中之單一者，(2)如圖顯示附接至裝置700之區段104中的接點120及140的702中之第二者，及(3)一列胞元諸如如圖顯示的列178，但有全部且只有接點針腳720附接至裝置700之區段107中的接點120。
圖7A-B顯示間距PT為裝置700之接點及連接器702之接點針腳的縱向相鄰者間之間距長度及橫向相鄰者間之間距寬度。間距PT可以是0.25至1.0毫米(mm)之距離。可以是0.4至0.6 mm。於有些情況下可以是0.5 mm。
圖7A-C顯示連接器702具有寬度WE71、長度LE7、及高度H7。於有些情況下，高度H7為於其上安裝連接器702(例如，中介件806)的封裝裝置頂面與安裝於連接器702頂部及於其上安裝晶片或EP模組的另一封裝裝置(例如，封裝件910)底面間之高度。高度H7可以是0.5至1.5毫米(mm)之距離。可以是0.8至1.2 mm。於有些情況下可以是1.0 mm。於有些情況下，連接器702被視為「低輪廓」連接器，諸如具有小於1.5 mm之高度H7。
於有些情況下，寬度WE71為三列接點或針腳(例如，區段102或104)之寬度。寬度WE71可以是2.5至3.5毫米(mm)之距離。可以是2.8至3.2 mm。於有些情況下可以是3.0 mm。
於有些情況下，寬度WE73為1列接點或針腳(例如，區段107)之寬度。寬度WE73可以是0.5至1.5毫米(mm)之距離。可以是0.8至1.2 mm。於有些情況下可以是1.0 mm。
於有些情況下，長度LE7為7個接點或針腳(區段102、104及107)之長度。寬度LE7可以是6.0至8.0毫米(mm)之距離。可以是6.5至7.5 mm。於有些情況下可以是7.0 mm。
至於圖7A-C，如針對圖1A-4所記，接地屏蔽附接結構可包括用於裝置700的隔離附接之固體傳導材料接地隔離屏蔽附接124，諸如焊料球或球柵陣列(BGA)；及/或固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點120。 在資料訊號區段/場域/叢集間之區段107屏蔽的一般效果
於某些情況下，裝置700之區段107及109的固體傳導材料接地隔離屏蔽附接結構(例如，區段107或圖案710之表面接點120及/或凸塊124)提供層級L1之區段102及104間之電氣接地隔離屏蔽，其減少了「晶粒凸塊場域」串擾，如前文針對裝置100(例如，針對區段107之表面接點120及/或凸塊124)所記。
於某些情況下，裝置700之區段107的固體傳導材料接地隔離屏蔽附接124(例如，接地屏蔽附接結構的)(諸如區段107及圖案710的)提供形成於其上或實體上附接至裝置700之頂層級L1或頂層210的資料訊號表面接點(例如，接點130及140)的不同型(例如，RX及TX)資料訊號附接結構(例如，凸塊134及144)的兩個場域(例如，區段)間之電氣接地隔離屏蔽，如前文針對裝置100(例如，針對區段107之表面接點120及/或凸塊124)所記。
於某些情況下，區段107及109的固體傳導材料接地屏蔽附接結構120(例如，接地屏蔽附接結構的)(諸如區段107、區段109、圖案410及圖案460的)提供封裝裝置700之頂層級L1或頂層210的不同型(例如，RX及TX)資料訊號表面接點(例如，接點130及140)的兩個場域(例如，區段)間之電氣接地隔離屏蔽，如前文針對裝置100(例如，針對區段107之表面接點120及/或凸塊124)所記。
於有些情況下，區段107的接地屏蔽附接結構120提供層級L1之區段102及104間之電氣接地隔離屏蔽，其減少了「晶粒接點場域」串擾，如前文針對裝置100(例如，針對區段107之表面接點120及/或凸塊124)所記。
於某些情況下，針腳720為固體傳導材料垂直接地訊號接點針腳，其提供連接器702的層級之區段102及104間之電氣接地隔離屏蔽，其減少了連接器702的層級之區段102及104的固體傳導材料垂直接收資料訊號接點針腳730與固體傳導材料垂直接收資料訊號接點針腳740間之「晶粒接點場域」串擾。於有些情況下，其藉由在其間、環繞或被連接器702的層級之區段(例如，場域或叢集)102及104的一型資料訊號接點針腳所環繞，而減少連接器702的層級之同類型(例如，RX或TX)固體傳導材料垂直接收資料訊號接點針腳730或固體傳導材料垂直接收資料訊號接點針腳740之全部(例如，各對)相鄰者間之「晶粒接點場域內」串擾。此處「相鄰」可以是相對於WE71為水平相鄰(或橫向相鄰)，或相對於LE71為縱向相鄰。
於某些情況下，如針對圖1A-B及2A-B之區段102的接點130及區段104的接點140描述，其減少「晶粒接點場域」串擾，但係在區段102的接點針腳730及區段104的接點針腳740間。於某些情況下，如針對圖3A-B及5A-B之區段102的接點130及區段104的接點140描述，其減少「晶粒接點場域」串擾，但係在區段102的接點針腳730及區段104的接點針腳740間。
舉例言之，作為電氣接地的傳導材料，因接地傳導材料量及相鄰於(例如，介於其間)接點針腳730及接點針腳730或740中之一者的傳導接地材料之位置故，固體傳導材料垂直接地訊號接點針腳720可提供電氣接地結構，其吸收或屏蔽由(例如，區段102的或超出邊181)固體傳導材料垂直接收資料訊號接點針腳730中之一者產生的電磁串擾訊號免於到達(例如，區段102或區段104的)接點針腳730或接點針腳740之(水平、縱向、或橫向)相鄰者。
於某些情況下，固體傳導材料垂直接地訊號接點針腳720減少了電氣串擾，此電氣串擾是由通過其中(或存在於其上)接點針腳730中之一者接收的或發射的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)接點針腳740中之一者接收的或發射的第二訊號的非期望電容、電感、或電導耦合所引起。此種電氣串擾可包括因攜載訊號的接點(例如，傳導材料)間之電磁(電感)或靜電(電容)耦合所致而由兩個訊號變成彼此部分重疊所引起的干擾。此種電氣串擾可包括來自接點針腳730中之一者中的第一資料訊號之電流改變的磁場感應了接點針腳740中之一者中的第二資料訊號之電流。須瞭解前文描述用於通過互連件的第一訊號被執行或鏡射於通過其中(或存在於其上)接點針腳730的第二訊號亦為真。
於若干實施例中，如前記，固體傳導材料垂直接地訊號接點針腳720中之任一者或各者減少電氣串擾(1)不會增加(a)區段102之相鄰接點針腳730；或(b)區段104之接點針腳740中之任一者間的水平距離或間隔，及/或(2)不會增加裝置700之該等層級中之任一者間的水平距離或間隔。
於若干實施例中，接點120、130及140；通孔接點122、132及142；焊料凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740係由固體傳導(例如，純質導體)材料製成。於某些情況下，各自可具有固體傳導材料之高度(例如，厚度)、寬度及長度。
於若干實施例中，經鍍覆的貫穿孔(PTH)570可以是環繞中空軸(例如，空氣或真空軸)的固體導體之外寬度W51之垂直圓柱體(例如，沿層級620及670之高度)。於若干實施例中，經鍍覆的貫穿孔微通孔(uVia)580可以是環繞中空軸(例如，空氣或真空軸)的固體導體之外寬度W52之垂直圓柱體(例如，沿層級610及630；或660及680之高度)。
傳導(例如，導體)材料可以是純質導體(例如，金屬或純質傳導材料)。此種材料可以是或包括針對此種接點已知之銅(Cu)、金、銀、青銅、鎳、銀、鋁、鋁、合金等。於有些情況下全部皆是銅。
於某些情況下，一層級或一層的接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740(全部可一起描述為「導體材料特徵」)之形成可藉典型晶片封裝件製法(例如，於半導體封裝裝置業界已知)。於有些情況下，此等導體材料特徵係根據標準封裝件基體形成方法及工具形成，諸如包括或使用下列者：介電層諸如味之素(Ajinomoto)堆積膜(ABF)之積層，固化，雷射或機械鑽孔以於介電膜中形成通孔，種子導體材料之除膠渣，乾膜抗蝕劑(DFR)之積層及微影術製作圖案，傳導線跡(CT)諸如銅(Cu)線跡的鍍覆，及其它堆積層及表面精加工處理以於基體面板或可撕離核心面板的一或二表面(例如，頂面及底面)上形成電子傳導線跡、電子傳導通孔、及介電材料層。基體可以是使用於電子封裝裝置或微處理器封裝件的基體。
於有些情況下，此等導體材料特徵係形成為導體材料(例如，純質傳導材料)的全面舖蓋層或鍍覆，其係經遮罩(例如，ABF及/或乾膜抗蝕劑)及經蝕刻以於介電材料將被沈積、生長或成形之處形成開口(及留下部分導體材料，於該處現在形成接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740)。另外，導體材料可以是一層，其通過製作圖案的遮罩中存在的開口成形或鍍覆，及然後去除遮罩(例如，溶解或燃燒)而形成接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740。此種形成可包括導體材料鍍覆或生長，諸如藉由鍍覆電解金屬層，或自一種子層之非電解金屬或導體生長的導體來形成接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740。
於某些情況下，接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740可藉已知用以形成封裝件或晶片封裝裝置之此等裝置或特徵的方法製成。
介電層103(例如，及材料703)可各自為固體半傳導材料之高度(例如，厚度)、寬度及長度。介電材料可以是純質非導體(例如，純質非導體材料)。此種材料可以是或包括，如針對此種電介質已知味之素堆積膜(ABF)、固化樹脂、乾膜積層、陶瓷、玻璃、塑膠等。於某些情況下其為味之素堆積膜(ABF)及/或乾膜積層。
於有些情況下，電介質可以是介電材料(例如，非傳導絕緣體材料)之全面舖蓋層，其經鑽孔、或經遮罩及經蝕刻而形成開口，於該處接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740係藉典型晶片封裝件製法(例如，半導體封裝裝置業界已知)已知方法沈積、生長或成形(例如，剩餘材料為「非導體材料特徵」)。於某些情況下，此等非導體材料特徵係根據標準封裝件基體形成方法及工具形成，諸如包括或使用下列者：介電層諸如味之素堆積膜(ABF)之積層，固化，雷射或機械鑽孔以於介電膜中形成通孔，種子導體材料之除膠渣，乾膜抗蝕劑(DFR)之積層及微影術製作圖案，傳導線跡(CT)諸如銅(Cu)線跡的鍍覆，及其它堆積層及表面精加工處理以於基體面板或可撕離核心面板的一或二表面(例如，頂面及底面)上形成電子傳導線跡、電子傳導通孔、及介電材料層。基體可以是使用於電子封裝裝置或微處理器封裝件的基體。
另外，電介質可以是一層，其形成於已製作圖案的遮罩上，然後去除(例如，溶解或燃燒)遮罩而形成開口，於該處接點120、130及140；通孔接點122、132及142；凸塊124、134及144；互連件520、530及540；經鍍覆的貫穿孔(PTH)570；微通孔(uVia)580；及針腳720、730及740經沈積、生長或形成。此種介電層或部分之形成可包括或沈積介電材料，諸如藉ABF之真空積層，或乾膜積層，諸如自或於介電材料(例如，可以是同型材料或不同型介電材料)下表面上積層以形成該層或部分。於有些情況下，介電層、介電結構之部分、或介電層中之開口可藉已知形成封裝件或晶片封裝裝置之此種電介質之方法製成。
於某些情況下，使用的遮罩可以是形成於表面(例如，層表面)上的材料；及然後去除(例如，溶解、顯影或燃燒)遮罩的圖案而形成開口，於該處欲形成導體材料(或電介質)。於有些情況下，遮罩可使用微影術製作圖案。於有些情況下，遮罩可以是液體可光成像「濕」遮罩或乾膜可光成像「乾」遮罩全面舖蓋層噴灑於該表面上；及然後經遮罩及曝光至光圖案(例如，遮罩經曝光，於該處置於遮罩上方的圖案之模板不會阻擋光線)及顯影而形成開口。取決於遮罩類型，經曝光或未經曝光區被去除。於某些情況下，開口(例如，圖案)經界定之後，遮罩通過某個類型的熱固化。於某些情況下，遮罩可藉已知形成晶片封裝件的此種遮罩之方法，或使用晶片封裝裝置POR形成的裝置形成。
於有些情況下，「封裝裝置」可被界定為兩個實體上附接至(例如，一者及另一者)封裝裝置。於有些情況下，此等資料訊號互連件(例如，來自一IC晶片或其它封裝裝置)可接收自或發射至(或存在於其上)將電氣連結至封裝裝置的垂直資料訊號發射互連件的封裝裝置(例如，100、101、400、401、500、501及700)的頂面或底面上的接點。依據實施例，垂直資料訊號發射互連件可以是或包括一個封裝裝置之接點及通孔接點的垂直堆疊或垂直相鄰(例如，垂直對齊)接點及通孔接點。於有些情況下，垂直資料訊號發射互連件也可包括(1)兩個封裝裝置之相對表面上的垂直相鄰表面接點及(2)兩個封裝裝置的垂直相鄰表面接點間之實體附接(例如，焊料球)。於有些情況下，垂直資料訊號發射互連件也可包括附接至第一封裝裝置的第二封裝裝置之垂直資料訊號發射互連件。於此等情況下，「封裝裝置」可包括前述垂直資料訊號發射互連件，及因而可以是或包括第一及第二封裝裝置中之一或二者的垂直相鄰接點、通孔接點、表面接點、實體附接。
於某些情況下，此等資料訊號可接收自或發射至(或存在於其上)(1)第一封裝裝置之垂直資料訊號發射互連件，(2)第一封裝裝置與第二封裝裝置間之實體連結(例如，其上之表面接點及其間之焊料凸塊)，及(3)附接至第一封裝裝置之第二封裝裝置的垂直資料訊號發射互連件。
於某些情況下，第一封裝裝置(例如，在其上安裝至少一個IC晶片的補塊、插座或封裝件)可安裝於第二封裝裝置(或中介件)上或安裝至一個位置，及第三封裝裝置(例如，在其上安裝至少另一個IC晶片的補塊、插座或封裝件)可安裝於第二封裝裝置(或中介件)上或安裝至另一個位置，故第二封裝裝置可提供第一與第三封裝裝置間之資料訊號移轉。於有些情況下，垂直資料訊號發射互連件可延伸貫穿(例如，及包括)附接於兩個(例如，第一及第二；或第二及第三)附接封裝裝置的頂面與底面間之焊料凸塊或球柵陣列(BGA)接點。
圖8為包括垂直接地隔離封裝裝置的計算系統之示意剖面側視及縱視圖。圖8顯示計算系統800(例如，自電腦處理器或晶片諸如晶片802路由訊號至另一個裝置諸如晶片808、或晶片809之系統)之示意剖面側視圖，包括垂直接地隔離封裝裝置，諸如補塊804、中介件806及封裝件810。於有些情況下，系統800具有安裝於補塊804上的CPU晶片802，補塊804係於第一位置807安裝於中介件806上。也顯示CLR晶片808於第一位置801安裝於封裝件810上；及MNH晶片809於第二位置811安裝於晶片810上。封裝件810於第二位置813安裝於中介件806上。
舉例言之，晶片802的底面使用焊料凸塊或球柵陣列(BGA)812安裝於補塊804之頂面805上。補塊804的底面使用焊料凸塊或BGA 814安裝於中介件806之頂面805上第一位置807。又，晶片808的底面使用焊料凸塊或BGA 818安裝於封裝件810之頂面803上第一位置801。晶片809的底面使用焊料凸塊或BGA 819安裝於封裝件810之表面803上的位置811。封裝件810的底面使用焊料凸塊或BGA 816安裝於中介件806之表面805上第二位置813。
於某些情況下，裝置804、806或810可表示(例如，垂直接地隔離封裝裝置)基體封裝件(例如，100、101、400、401、500及501)、中介件、印刷電路板(PCB)、PCB中介件、「封裝件」、封裝裝置、插座、中介件、主機板、或積體電路(IC)晶片或其它封裝裝置可附接其上的其它基體(例如，微處理器、共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、或其它微電子晶片裝置)。
於某些情況下，晶片802、晶片808及晶片809可各自表示積體電路(IC)晶片或「晶粒」，諸如電腦處理單元(CPU)、微處理器、共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、或其它微電子晶片裝置。於有些情況下，晶片802為積體電路(IC)晶片電腦處理單元(CPU)、微處理器、共處理器。於某些情況下，晶片808為積體電路(IC)晶片其為共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、組織控制器晶片、網路介面晶片、開關晶片、加速器晶片、現場可程式閘陣列(FPGA)晶片、或特定應用積體電路(ASIC)晶片裝置。於有些情況下，晶片809為積體電路(IC)晶片共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、通訊輸出訊號晶片裝置、組織控制器晶片、網路介面晶片、開關晶片、加速器晶片、現場可程式閘陣列(FPGA)晶片、或特定應用積體電路(ASIC)晶片裝置。
圖8也顯示源自於晶片802中且垂直向下延伸貫穿凸塊812，及進入補塊804的垂直層級的補塊垂直「訊號」(例如，此處「訊號」包括資料訊號互連件RX及TX線路或線跡；功率訊號線路或線跡；及接地訊號線路或線跡)發射線路820。於有些情況下，線路820可源自(例如，包括其上的訊號及接地接點)晶片802的底面，向下延伸貫穿凸塊812(例如，包括部分凸塊812)，向下延伸貫穿(例如，包括其上的訊號及接地接點)補塊804的頂面，及向下延伸至補塊804的層級Lj-Ll(字母「l」而非數字「1」)於補塊804的第一水平位置821(例如，包括補塊804的垂直層級Ltop-Ll內部的垂直訊號及接地線路，於該處層級Ltop為補塊104的最頂或最上層級且具有暴露的頂面106；及層級Ll(字母「l」而非數字「1」)係低於層級Ltop)。
圖8也顯示於補塊804的層級Lj-Ll中源自於第一水平位置821且沿層級Lj-Ll長度，水平地延伸貫穿層級Lj-Ll至於補塊804的層級Lj-Ll中之第二水平位置823的補塊水平「訊號」發射線路822。「訊號」線路822可實體上附接至及/或電氣連接(例如，帶有零電阻)至於補塊804的層級Lj-Ll中於位置821的「訊號」線路820。
其次，圖8顯示源自於補塊804且沿高度H81垂直向下延伸貫穿凸塊814及進入中介件806之垂直層級的垂直「訊號」發射線路824。高度H81可以是0.5至2.5 mm。於有些情況下可以是1至2 mm。於某些情況下，其可表示等於兩個封裝裝置之高度(例如，補塊804加中介件806之高度)的20%至90%。於某些情況下，線路824可源自於(例如，來自於其中的水平資料訊號及接地發射線路)補塊804之第二水平位置823之層級Lj-Ll，向下延伸至在補塊804之底面860上的表面接點，向下延伸貫穿凸塊814(例如，在位置807於補塊804之底面860及部分凸塊814上的訊號及接地接點)，向下延伸貫穿中介件806的頂面805(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向下延伸至在中介件806之第一水平位置825的中介件806之層級Lj-Ll(例如，包括中介件806之層級L1-Ll內部的垂直訊號線路或互連件)。
於有些情況下，線路824包括或為源自於補塊804及垂直向下延伸至凸塊824，或貫穿凸塊824及進入中介件806的垂直資料訊號互連件及垂直接地隔離結構(例如，如圖1-6顯示)。於有些情況下，補塊804之底面860表示基體封裝件(例如，裝置100、101、400、401、500或501)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106(例如，圖1-6顯示之反向或上下顛倒，諸如相對於高度諸如圖2之高度H6反向)。於有些情況下，中介件806之頂面862或805表示基體封裝件(例如，裝置100、101、400、401、500或501)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106。於某些情況下，補塊804之底面860表示表面106(顛倒)，及中介件806之頂面862表示表面106。於若干實施例中，線路824表示如針對裝置100、101、400、401、500或501描述的互連件、PTH、uVia、焊料凸塊、表面接點、及層級。
於某些情況下，如針對裝置100、101、400、401、500或501之描述，於補塊804之第二水平位置823的層級Lj-Ll表示低於層級L1的層級(例如，層級630或680；含圖案505、508、及510的層級；或含圖案555、558、及560的層級)；底面860上的表面接點表示接點120、130及140(例如，於圖案105、108及110；於圖案105、108及111；於圖案405、408及410；或於圖案455、458及460)；凸塊814表示焊料凸塊124、134及144。
於某些情況下，如針對裝置100、101、400、401、500或501之描述，凸塊814表示焊料凸塊124、134及144；中介件806之頂面862(例如，表面805)上的表面接點表示接點120、130及140(例如，於圖案105、108及110；於圖案105、108及111；於圖案405、408及410；或於圖案455、458及460)；於中介件806之第一水平位置825的中介件806之層級Lj-Ll表示低於層級L1的層級(例如，層級630或680；含圖案505、508、及510的層級；或含圖案555、558、及560的層級)。
於某些情況下(但未顯示於圖中)，焊料凸塊814實體上附接至於位置807的經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件中介件806的接點120、130及140，於該處中介件806具有層級L1及620帶有於區段102、104及107形成不同的屏蔽圖案505、508、及510的垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸資料訊號互連件。「訊號」線路824可於補塊804之層級Lj-Ll於位置823實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路822。
圖8也顯示源自於中介件806之層級Lj-Ll於第一水平位置825的中介件水平「訊號」發射線路826，及沿層級Lj-Ll之縱向水平延伸貫穿層級Lj-Ll至於中介件806之層級Lj-Ll於第二水平位置827。「訊號」線路826可於中介件806之層級Lj-Ll於位置825實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路824。
其次，圖8顯示源自於中介件806且沿高度H82垂直向上延伸貫穿凸塊816及進入封裝件810的垂直層級的垂直「訊號」發射線路828。高度H82可以是0.5至2.5 mm。於有些情況下可以是1至2 mm。於某些情況下，其可表示等於兩個封裝裝置之高度(例如，封裝件810加中介件806之高度)的20%至90%。於某些情況下，線路828可源自於中介件806之第二水平位置827(例如，來自水平資料及接地訊號發射線路於)之層級Lj-Ll，向上延伸貫穿凸塊816(例如，在位置813於中介件806之頂面805及部分凸塊816上的訊號及接地接點)，向上延伸貫穿封裝件810的底面(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向上延伸至在封裝件810之第一水平位置829的封裝件810之層級Lj-Ll(例如，包括封裝件810之垂直層級Llast-Ll內部的垂直訊號及接地線路)。
於某些情況下，線路828包括或為源自於封裝件810且垂直向下延伸至凸塊816，或貫穿凸塊816及進入中介件806的垂直資料訊號互連件及垂直接地隔離結構(例如，如於圖1-6中顯示)。於某些情況下，補塊804之底面864表示基體封裝件(例如，裝置100、101、400、401、500或501)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106(例如，圖1-6顯示之反向或上下顛倒，諸如相對於高度諸如圖2之高度H6反向)。於有些情況下，中介件806之頂面866(例如，或表面805)表示基體封裝件(例如，裝置100、101、400、401、500或501)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106。於某些情況下，封裝件810之底面864表示表面106(顛倒)，及中介件806之頂面866表示表面106。於若干實施例中，線路824表示如針對裝置100、101、400、401、500或501描述的互連件、PTH、uVia、焊料凸塊、表面接點、及層級。
於某些情況下，如針對裝置100、101、400、401、500或501之描述，於封裝件810之第一水平位置830的層級Lj-Ll表示低於層級L1的層級(例如，層級630或680；含圖案505、508、及510的層級；或含圖案555、558、及560的層級)；底面860上的表面接點表示接點120、130及140(例如，於圖案105、108及110；於圖案105、108及111；於圖案405、408及410；或於圖案455、458及460)；凸塊814表示焊料凸塊124、134及144。
於某些情況下，如針對裝置100、101、400、401、500或501之描述，凸塊816表示焊料凸塊124、134及144；中介件806之頂面866(例如，表面805)上的表面接點表示接點120、130及140(例如，於圖案105、108及110；於圖案105、108及111；於圖案405、408及410；或於圖案455、458及460)；於中介件806之第一水平位置825的中介件806之層級Lj-Ll表示低於層級L1的層級(例如，層級630或680；含圖案505、508、及510的層級；或含圖案555、558、及560的層級)。
於某些情況下(但未顯示於圖中)，焊料凸塊816實體上附接至於位置813的經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件中介件806的接點120、130及140，於該處中介件806具有層級L1及620帶有於區段102、104及107形成不同的屏蔽圖案555、558、及560的垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸資料訊號互連件。「訊號」線路828可於中介件806之層級Lj-Ll於位置827實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路826。
圖8也顯示源自於封裝件810之層級Lj-Ll於第一水平位置825的中介件水平「訊號」發射線路830，及沿層級Lj-Ll之縱向水平延伸貫穿層級Lj-Ll至於封裝件810之層級Lj-Ll於第二水平位置831。「訊號」線路830可於中介件806之層級Lj-Ll於位置827實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路828。
其次，圖8顯示源自於封裝件810且垂直向上延伸貫穿凸塊818及進入晶片808的垂直「訊號」發射線路832。於某些情況下，線路832可源自於(例如，來自水平資料及接地訊號發射線路)封裝件810之第二水平位置831之層級Lj-Ll，向上延伸貫穿凸塊818(例如，在位置801於封裝件810之頂面803及部分凸塊818上的訊號及接地接點)，向上延伸貫穿晶片808的底面(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向上延伸至及止於(例如，包括其上的訊號及接地接點)晶片808的底面。「訊號」線路832可於封裝件810之層級Lj-Ll於位置831實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路830。
於某些情況下，線路820、822、824、828、830及832之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的資料發射訊號源自於(例如，由其產生或提供)晶片802及晶片808。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或晶片802及晶片808的或附接其上的其它組件產生。
於某些情況下，線路820、822、824、828、830及832之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的接地訊號源自於(例如，由其產生或提供)補塊804或中介件806。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或補塊804或中介件806的或附接其上的其它組件產生。
圖8也顯示源自於晶片808且垂直向下延伸貫穿凸塊818及進入封裝件810的垂直層級的垂直「訊號」發射線路833。於某些情況下，線路833可源自於(例如，包括其上的訊號及接地接點)晶片808之底面，向下延伸貫穿凸塊818(例如，包括若干凸塊818)，向下延伸貫穿(例如，包括其上的訊號及接地接點)封裝件810之頂面，及向下延伸到在封裝件810之第一水平位置834的封裝件810之層級Lj-Ll(例如，包括於封裝件810之層級L1-Ll內部的垂直訊號及接地線路)。
圖8也顯示源自於封裝件810之層級Lj-Ll於第三水平位置834的封裝裝置水平「訊號」發射線路835，及沿層級Lj-Ll之縱向水平延伸貫穿層級Lj-Ll至於封裝件810之層級Lj-Ll於第二水平位置836。「訊號」線路835可於封裝件810之層級Lj-Ll於位置834實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路833。
其次，圖8顯示源自於封裝件810且垂直向上延伸貫穿凸塊819及進入晶片809的垂直層級的垂直「訊號」發射線路837。於某些情況下，線路837可源自於封裝件810之第四水平位置836(例如，來自水平資料及接地訊號發射線路於)之層級Lj-Ll，向上延伸貫穿凸塊819(例如，在位置811於封裝件810之頂面803及部分凸塊819上的訊號及接地接點)，向上延伸貫穿晶片809的底面(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向上延伸至及止於(例如，包括其上的訊號及接地接點)晶片809的底面。「訊號」線路837可於封裝件810之層級Lj-Ll於位置836實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路835。
於某些情況下，線路833、835及837之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的資料發射訊號源自於(例如，由其產生或提供)晶片808及晶片809。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或晶片808及晶片809的或附接其上的其它組件產生。
於某些情況下，線路833、835及837之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的接地訊號源自於(例如，由其產生或提供)補塊804或中介件806。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或補塊804或中介件806的或附接其上的其它組件產生。
圖9為包括垂直接地隔離封裝裝置的計算系統之示意剖面側視及縱視圖。圖9顯示計算系統900(例如，自電腦處理器或晶片諸如晶片802，通過電光(EO)模組連接器702及封裝件910，路由訊號至另一個裝置諸如電光(EO)模組、或晶片908之系統)之示意剖面側視圖，包括垂直接地隔離封裝裝置，諸如補塊804、中介件806、連接器700及封裝件910。於有些情況下，系統900具有安裝於補塊804上的CPU晶片802(如對圖8所記)，該補塊804係安裝於中介件806上的第一位置807(如對圖8所記)。也顯示電光(EO)晶片908安裝於封裝件910上的第一位置901。封裝件910係安裝於EO模組連接器702上。EO模組連接器702係安裝於中介件806頂上於第二位置813(例如，諸如安裝於裝置700上)。於某些情況下，EO模組908將欲發送或發射到另一裝置的電子資料通訊訊號轉換成光訊號用於發射到其它裝置。此等光訊號可被發送至輸出埠，該輸出埠能將光訊號輸出至插入該輸出埠內的纜線之連接器。
舉例言之，晶片908之底面使用焊料凸塊或BGA 918安裝於封裝件910之頂面903上於第一位置901處。此外，封裝件910之底面964使用連接器702之可撓性接點針腳965(例如，針腳720、730及740)及封裝件910之表面接點(例如，參考如針對圖7C所記接點130’；接點針腳接點120、130及140)安裝於EO連接器702之頂面上。連接器702之底面係使用中介件806之焊料凸塊或BGA 916而安裝於中介件806之頂面866(例如，表面805)上於第二位置813處(例如，如對圖7A-C所記，裝置700之焊料凸塊124、134及144實體上附接至連接器702之接點120、130及140)。
於某些情況下，裝置804、806或910可表示基體封裝件(例如，100、101、400、401、500、501及700的)(例如，垂直接地隔離封裝裝置版本)、中介件、印刷電路板(PCB)、PCB中介件、「封裝件」、封裝裝置、插座、中介件、主機板、EO連接器、或於其上可附接積體電路(IC)晶片或其它封裝裝置(例如，諸如微處理器、共處理器、圖形處理器、記憶體晶片、數據機晶片、或其它微電子晶片裝置)的另一基板。
圖9也顯示諸如對圖8所記，補塊垂直及水平「訊號」(例如，此處「訊號」包括資料訊號RX及TX線路或線跡；功率訊號線路或線跡；及接地訊號線路或線跡)發射線路820-826。
其次，圖9顯示源自於中介件806且沿高度H92垂直向下延伸貫穿凸塊916，貫穿連接器702，及貫穿接接點針腳965及進入封裝件910之垂直層級的垂直「訊號」發射線路928。高度H92可以是1.5至3.5 mm。於有些情況下可以是2至3 mm。於某些情況下，其可表示等於兩個封裝裝置之高度加連接器702之高度(例如，封裝件910加中介件806加連接器702之高度)的20%至90%。於某些情況下，線路928可源自於(例如，來自其中的水平資料訊號及接地發射線路)中介件806之第二水平位置827之層級Lj-Ll，向上延伸貫穿在中介件806之頂面866(表面805)上於位置913處的凸塊916，向上延伸貫穿(例如，貫穿焊料凸塊及接點針腳)連接器702，向上延伸貫穿連接器702之針腳965，向上延伸貫穿封裝件910之底面964(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向上延伸至封裝件910之層級Lj-Ll(例如，包括於封裝件910之垂直層級Llast-Ll內部的垂直訊號及接地接點)。
於有些情況下，線路928包括或為源自於封裝件910及垂直向下延伸至針腳965，或進入中介件806的垂直資料訊號互連件及垂直接地隔離結構(例如，如圖7A-C顯示)。於有些情況下，封裝件910之底面964表示基體封裝件(例如，裝置700)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106(例如，圖7A-C顯示之反向或上下顛倒，諸如相對於高度諸如圖2之高度H7反向)。於有些情況下，中介件806之頂面866(或表面805)表示基體封裝件(例如，裝置700)之垂直接地隔離封裝裝置版本的表面106。於某些情況下，封裝件910之底面964表示裝置700的表面106(顛倒)，及中介件806之頂面866表示裝置700的表面106。於若干實施例中，線路924表示如針對裝置700及連接器702描述的互連件、接點針腳、焊料凸塊、表面接點、及層級。
於某些情況下，如對裝置700之描述，於封裝件910之第一水平位置929的層級Lj-Ll表示低於層級L1的層級(例如，諸如含圖案705、708及710的層級)；底面964上的表面接點表示接點120、130及140(例如，諸如於圖案705、708及710)；及凸塊916表示凸塊124、134及144(例如，諸如於圖案705、708及710)。
於有些情況下，凸塊916表示連接器702的凸塊124、134及144(例如，諸如於圖案705、708及710)，及針腳965表示連接器702的針腳720、730及740(例如，諸如於圖案705、708及710)。
於某些情況下(但未顯示於圖中)，焊料凸塊916實體上附接至於位置813的經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件中介件806的接點120、130及140，於該處中介件806具有層級L1及620帶有於區段102、104及107形成不同的屏蔽圖案705、708、及710的垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸資料訊號互連件。「訊號」線路928可於中介件806之層級Lj-Ll於位置827實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路826。
圖9也顯示源自於封裝件910之層級Lj-Ll於第一水平位置929的封裝件水平「訊號」發射線路930，及沿層級Lj-Ll之縱向水平延伸貫穿層級Lj-Ll至於封裝件910之層級Lj-Ll於第二水平位置931。「訊號」線路930可於封裝件910之層級Lj-Ll於位置929實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路928。
其次，圖9顯示源自於封裝件910且垂直向上延伸貫穿凸塊918及進入晶片908的垂直「訊號」發射線路932。於某些情況下，線路932可源自於(例如，來自水平資料及接地訊號發射線路)封裝件910之第二水平位置931之層級Lj-Ll，向上延伸貫穿凸塊918(例如，在位置901於封裝件910之頂面903及部分凸塊918上的訊號及接地接點)，向上延伸貫穿晶片908的底面(例如，包括其上的訊號及接地接點)，及向上延伸至及止於(例如，包括其上的訊號及接地接點)晶片908的底面。「訊號」線路932可於封裝件910之層級Lj-Ll於位置931實體上附接及/或電氣連接(例如，具有零電阻)至「訊號」線路930。
於某些情況下，線路820、822、824、928、930及932之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的資料發射訊號源自於(例如，由其產生或提供)晶片802及晶片908。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或晶片802及908的或附接其上的其它組件產生。
於某些情況下，線路820、822、824、928、930及932之資料訊號發射線路發射及接收(或存在於其上)的接地訊號源自於(例如，由其產生或提供)補塊804或中介件806。於有些情況下，此等資料訊號發射訊號可由主動電路、電晶體、發射器電路、或補塊804或中介件806的或附接其上的其它組件產生。
於某些情況下，線路820、822、824、826、828、830、832、833、835、837、928、930及/或932之資料訊號發射訊號為或包括到IC晶片(例如，晶片802、808、809或908)、補塊804、中介件806、封裝件810、EO連接器702、封裝件910、EO模組910；或附接其上的其它裝置的資料訊號發射訊號。於有些情況下，線路820、822、824、826、828、830、832、833、835、837、928、930及/或932之資料訊號發射訊號為或包括來自於或由晶片802、晶片808、晶片809、晶片908、EO模組908；或附接其上的其它裝置所產生的資料訊號發射訊號。
於某些情況下，本文描述的資料訊號發射訊號為高頻(HF)資料訊號(例如，RX及TX資料訊號)。於有些情況下，訊號為有待通訊至或用於通訊至下列的訊號：另一個裝置其為系統800或900的部分；或具有裝置100、裝置101、裝置400、裝置401、裝置500、裝置501、裝置700、晶片802、晶片808、晶片809、補塊804、中介件806、封裝件810、EO連接器702、或EO模組910的系統。於此等情況下，該等訊號可以是有待通訊至或用於通訊至另一裝置的訊號，或藉晶片809或EO模組908或附接至晶片809或EO模組908的有線、無線或光學連接器通訊的訊號。
於有些情況下，訊號具有每秒4至10十億位元之速度。於有些情況下，訊號具有每秒6至8十億位元之速度。於有些情況下，訊號具有每秒4至5十億位元之速度。於有些情況下，訊號具有至多每秒10十億位元之速度。於有些情況下，訊號具有4至12每秒十億移轉(GT/s)之速度。於有些情況下，訊號具有30至50 GT/s，或7至25 GT/s之速度；及0.5至2.0伏特之電壓。於有些情況下，訊號具有6至15 GT/s之速度。於有些情況下，訊號具有0.4至5.0伏特之電壓。於有些情況下，其為適合用於接收或發射資料訊號通過或於封裝裝置內部的不同的速度及/或電壓位準。於有些情況下，其係於極低速移轉之範圍，諸如50每秒百萬移轉(MT/s)至1 GT/s移轉程度，諸如大於40 GT/s(或高達40至50 GT/s)。
於某些情況下，L1為頂層級；層210為頂層；及裝置100、裝置101、裝置400、或裝置500之表面106為中介件806的頂(例如，暴露)表面862。於某些情況下，L1為頂層級；層210為頂層；及裝置100、裝置101、裝置401、裝置501、或裝置700之表面106為中介件806的頂面866。
須瞭解對圖1A-7B之實施例前文描述的概念顯示層級L1為頂或暴露層級，層210為頂或暴露層級，及表面106為頂或暴露表面也可應用至實施例其中裝置100、裝置101、裝置400、裝置401、裝置500、裝置501、或裝置700相對於圖1A-7B的剖面側視圖為顛倒(例如，上下顛倒)，諸如其中L1為最低層級或底層級；層210為最低層或層；及表面106為裝置之底(例如，暴露)表面。依據此等實施例，裝置100、裝置101、裝置400、裝置401、裝置500、裝置501、裝置700可附接至配置於表面106下方的另一封裝裝置(例如，使用凸塊134、124及144)。於若干此等情況下，L1為最低層級或底層級；層210為最低層；及裝置100、裝置101、裝置400、或裝置500之表面106為補塊804之底(例如，暴露)表面860。於若干此等情況下，L1為最低層級或底層級；層210為最低層；及裝置100、裝置101、裝置401、或裝置501之表面106為封裝件810之底面864。
於有些情況下，(1)L1表示頂層級；層210表示頂層；及裝置100、裝置101、裝置400、或裝置500之表面106表示中介件806的頂面862；及(2)L1表示最低層級或底層級；層210表示最低層；及裝置100、裝置101、裝置400、或裝置500之表面106表示補塊804之底(例如，暴露)表面860。於有些情況下，(1)L1表示頂層級；層210表示頂層；及裝置100、裝置101、裝置401、裝置501、或裝置700之表面106表示中介件806的頂面866；及(2)L1表示最低層級或底層級；層210表示最低層；及裝置100、裝置101、裝置401、或裝置500之表面106表示封裝件810之底(例如，暴露)表面864。若干實施例組合前述兩句的描述。
於有些情況下，用於表面860或862(例如，圖8及9)區段102、104及107(或109)之垂直互連件中之兩個互連件(自層級L2或低於L1之層級且延伸至封裝裝置的層級Lj-Ll的互連件520、530及540)中之任一者間相鄰互連件的對角間距(PD)(例如，以相等橫向及縱向方式分開，其為兩個對角相鄰互連件中心間之對角距離)為約450微米。於有些情況下，此間距PD為350至550微米(um)。
於有些情況下，前述數字適用於表面860或862的區段102、104及107(或109)中之兩個接點120、130及140中之任一者間之PD。於有些情況下，前述數字適用於表面860或862間區段102、104及107(或109)中之兩個焊料凸塊124、134及144(例如，其可藉由BGA 824被表示)中之任一者間之PD。
於某些情況下，具有此種PD的圖案之對應間距長度(例如，PL)及間距寬度(例如，PW)係從此PD根據直角三角形為基準計算，於該處直角在邊PL與PW之間，及三角形斜邊為2xPD間(例如，針對450 um之PD；若PL=PW，則PL與PW可以是約636 um)。
於某些情況下，前文描述於此段落中適用於裝置100、裝置101、裝置400(但注意接點的縱向間距實際上為PL/2)及裝置500。於若干此等情況下，WE1為5xPD±40%，寬度WE3為PD±40%，及長度LE1為10xPD±40%。於若干此等情況下，WE1為5xPD±20%，寬度WE3為PD±20%，及長度LE1為10xPD±20%。於若干此等情況下，WE1為約2250 um，寬度WE3為約450 um，及長度LE1為約4500 um。於若干此等情況下，WE1為1350 um至3150 um；寬度WE3為300 um至600 um；及長度LE1為3000 um至6000 um。
於有些情況下，用於表面864或866(例如，圖8及9)，區段102、104及107(或109)之垂直互連件中之兩個互連件(自層級L2或低於L1之層級且延伸至封裝裝置的層級Lj-Ll的互連件520、530及540)中之任一者間相鄰互連件的對角間距(PD)(例如，以相等橫向及縱向方式分開，其為兩個對角相鄰互連件中心間之對角距離)為約650微米。於有些情況下，間距PD為550至750微米(um)。
於有些情況下，前述數字適用於表面864或866的區段102、104及107(或109)中之兩個接點120、130及140中之任一者間之PD。於有些情況下，前述數字適用於表面864或866間區段102、104及107(或109)中之兩個焊料凸塊124、134及144(例如，其可藉由BGA 824被表示)中之任一者間之PD。
於某些情況下，具有此種PD的圖案之對應間距長度(例如，PL)及間距寬度(例如，PW)係從此PD根據直角三角形為基準計算，於該處直角在邊PL與PW之間，及三角形斜邊為2xPD間(例如，針對650 um之PD；若PL=PW，則PL與PW可以是約919 um)。
於某些情況下，前文描述於此段落中適用於裝置100、裝置101、裝置401及裝置501。於若干此等情況下，WE1為5xPD±40%，寬度WE3為PD±40%，及長度LE1為10xPD±40%。於若干此等情況下，WE1為5xPD±20%，寬度WE3為PD±20%，及長度LE1為10xPD±20%。於若干此等情況下，WE1為約3250 um，寬度WE3為約650 um，及長度LE1為約6500 um。於若干此等情況下，WE1為1950 um至4550 um；寬度WE3為400 um至900 um；及長度LE1為4000 um至9000 um。
於前述情況下，「約」可表示在所述數字之正或負5%以內之差。於其它情況下，其可表示在所述數字之正或負10%以內之差。
針對若干實施例，不包括晶片102、108及/或109。若干實施例只包括如本文描述的補塊104、中介件106及封裝件110。若干實施例只包括如本文描述的補塊504、中介件506及封裝件510。若干實施例只包括如本文描述的補塊904、中介件906及封裝件910。
針對若干實施例，只包括補塊804(例如，不含晶片802及中介件806)。針對若干實施例，只包括中介件806(例如，不含補塊804及封裝件810或910)。針對若干實施例，只包括封裝件810或910(例如，不含晶片808、809及909；及中介件806)。若干實施例只包括如本文描述的封裝裝置100、裝置101、裝置400、裝置401、裝置500、裝置501、或裝置700中之一者。針對若干實施例只包括如本文描述的封裝裝置100、裝置101、裝置400、裝置401、裝置500、裝置501、或裝置700中之二者。針對若干實施例包括該等裝置中之任三者。針對若干實施例包括該等裝置中之任四者。
於某些情況下，本文中針對一特徵中之「各者」或「各個」之描述，諸如「於區段107中之各個接點120」、「於區段102中之各個接點120」、「於區段107中之各個凸塊124」、「於區段102中之各個凸塊124」等用於區段102或104中之接點130或140，或其類用於區段102或104中之凸塊134或144可以是針對該區段中之大半該等特徵或少於全部該等特徵。於有些情況下，可指該區段中存在的該等特徵之80%至90%。
於某些情況下，本文中針對一特徵中之「各者」之描述，諸如「於區段107中之各個互連件520」、「於區段102中之各個互連件520」、於區段102、104或107中之「各個相鄰PTH 570」、於區段102或104中之「各個相鄰PTH 570」、於區段102或104中之「各個分開uVia PTH 580」等用於區段102或104中之互連件530或140可以是針對在該區段中之大半該等特徵與少於全部該等特徵間。於有些情況下，可指該區段中存在的該等特徵之80%至90%。
於有些情況下，長度LE1及LE7中之任一者或全部可以是比本文描述者更少或更多3%至5%。於有些情況下，其可以是比本文描述者更少或更多5%至10%。
於有些情況下，寬度WE1、WE3、WE4、WE71、WE73、W4、W5、W7、W8、W9、W10、W51、及W52中之任一者或全部可表示圓形直徑，或卵形、矩形、方形、三角形、菱形、梯形、或多角形的最大寬度(從上方自一緣至另一最遠緣的最大距離)。於有些情況下，寬度WE1、WE3、WE4、WE71、WE73、W4、W5、W7、W8、W9、W10、W51、及W52中之任一者或全部可以是比本文描述者更少或更多3%至5%。於有些情況下，其可以是比本文描述者更少或更多5%至10%。
於有些情況下，高度H5、H6、H7、H81、H82及H93中之任一者或全部可以是比本文描述者更少或更多3%至5%。於有些情況下，其可以是比本文描述者更少或更多5%至10%。
於有些情況下，間距PL、PH、PW、PT中之任一者或全部可以是比本文描述者更少或更多3%至5%。於有些情況下，其可以是比本文描述者更少或更多5%至10%。
於某些情況下，垂直接地隔離封裝裝置的實施例(例如，封裝件、系統及形成方法)，諸如針對圖1-9之描述，藉由包括用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽，其減少凸塊場域訊號型叢集對叢集串擾，減少凸塊場域叢集內訊號型串擾，減少垂直「訊號」線訊號型叢集對叢集串擾，減少垂直「訊號」線叢集內訊號型串擾，而提供附接至封裝裝置的兩個IC間更快速且更準確的資料訊號移轉。
用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽(例如，頂互連件層級，及其它垂直層級)藉由水平環繞發射及接收資料垂直「訊號」線或互連件而可形成有或連接至上接地接點以減少垂直層級中之凸塊場域串擾、訊號型叢集對叢集串擾、及叢集內訊號型串擾。
於某些情況下，垂直接地隔離封裝裝置之形成方法之實施例或垂直接地隔離封裝裝置之實施例提供具有較佳組件的封裝裝置用於提供穩定且俐落的接地(例如，自接點120)，及在其頂面106(或層210)與下列組件間提供高頻發射(例如，自接點130)及接收(例如，自接點140)資料訊號：(1)附接至封裝裝置的其它組件，諸如於存在有相似的接地織帶結構之處的封裝件頂面上的其它接點，或(2)封裝件之下垂直層級的其它組件，其將經由封裝裝置的通孔接點、垂直「訊號」線(或互連件)、或水平「訊號」線而電氣連接至該等接點。該等組件可能較佳原因在於添加傳導材料故，封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽其減少了資料移轉接點與垂直「訊號」線路或互連件間之串擾。
於有些情況下，垂直接地隔離封裝裝置之形成方法之實施例或垂直接地隔離封裝裝置之實施例提供了以高體積製作的電腦系統架構特徵及介面中具體實施的效果。於有些情況下，此等方法及裝置之實施例提供了解決極高頻資料移轉互連件問題的全部效果，諸如兩個IC晶片或晶粒間(例如，二晶粒間必須路由的數百個或甚至數千個訊號)，或用於單晶片系統(SoC)內部的高頻資料移轉互連件(例如，參考圖8-9)。於有些情況下，此等方法及裝置之實施例提供了跨前述區段要求低成本高頻資料移轉互連件解決方案。此等效果可能係由於加入用於封裝裝置的資料訊號接點之傳導材料接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽，因而減少資料移轉接點及垂直「訊號」線路或互連件間之串擾。
於有些情況下，垂直接地隔離封裝裝置之形成方法之實施例或垂直接地隔離封裝裝置之實施例提供了於標準封裝件內的超高頻資料移轉互連件，諸如覆晶x格柵陣列(FCxGA)，於該處「x」可以是球、針腳、或接點，或覆晶晶片級封裝件(FCCSP等)，原因在於加入用於封裝裝置的資料訊號接點之傳導材料接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽而減少資料移轉接點及垂直「訊號」線路或互連件間之串擾。
除此之外，此等方法及裝置可提供直接及本地接地及資料訊號遞送給兩個晶片。於有些情況下，此等方法及裝置提供直接附接彼此的兩個晶片或板IC含記憶體、數據機、圖形、電光模組、及其它功能間之通訊(例如，參考圖8-9)。此等方法及裝置提供以較低成本提高輸入/輸出(IO)頻率資料移轉。此等提供及提高可能的原因在於加入用於封裝裝置的資料訊號接點之傳導材料接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽而減少資料移轉接點及垂直「訊號」線路或互連件間之串擾。
於某些情況下，因用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽故，此等封裝裝置能夠提供具有4至10 GT/s之速度的訊號之超高頻資料移轉互連件(例如，於本文描述的封裝裝置中)。於有些情況下，訊號具有6至8 GT/s之速度。於有些情況下，訊號具有4至5 GT/s之速度。於有些情況下，訊號具有高達10 GT/s之速度。於有些情況下，訊號具有4至12每秒十億移轉之速度。於有些情況下，訊號具有30至50 GT/s或7至25 GT/s之速度；及0.5至2.0伏特之電壓。於有些情況下，訊號具有6至15 GT/s之速度。於有些情況下，訊號具有0.4至5.0伏特之電壓。於某些情況下，其為適合用於接收或發射資料訊號通過或於封裝裝置內部的不同速度及/或電壓位準。於有些情況下，其係於極低速移轉諸如自50每秒百萬移轉至GT/s移轉程度諸如大於40 GT/s(或高達40至50 GT/s)之範圍。
依據此等實施例，垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。(1)接地屏蔽附接結構可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接的圖案，諸如焊料球或球柵陣列(BGA)，及/或用於隔離附接的固體傳導材料接地隔離屏蔽表面接點之圖案。陰影孔洞可以是環繞且比封裝裝置的資料訊號接點上的焊料凸塊更大的封裝裝置之接地平面區。(2)垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之固體傳導材料垂直接地屏蔽互連件。垂直資料訊號互連件之屏蔽柵欄可包括實體上附接至接地屏蔽附接結構的垂直經鍍覆的貫穿孔(PTH)之圖案及垂直微通孔(uVia)之圖案。(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽可包括固體傳導材料接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。垂直接地隔離封裝裝置電氣隔離了及減少了訊號接點、附接結構與垂直「訊號」互連件(例如，線路)間之串擾，如此提供了附接至此等封裝裝置中之一或多者的裝置諸如積體電路(IC)晶片間之更高頻及更準確資料訊號移轉。
圖10例示依據一個實施例之計算裝置。圖10例示依據一個實施例之計算裝置1000。計算裝置1000罩住板1002。板1002可包括多個組件，含但非僅限於處理器1004及至少一個通訊晶片1006。處理器1004為實體上及電氣上耦合至板1002。於若干實施例中，至少一個通訊晶片1006也實體上及電氣上耦合至板1002。於進一步實施例中，通訊晶片1006為處理器1004的部分。
取決於其應用，計算裝置1000可包括其它組件，其可或可不實體上及電氣上耦合至板1002。此等其它組件包括，但非限制性，依電性記憶體(例如，DRAM)、非依電性記憶體(例如，ROM)、快閃記憶體、圖形處理器、數位訊號處理器、密碼處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音訊編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器、全球定位系統(GPS)裝置、羅盤、加速度計、迴轉儀、揚聲器、相機、及大容量儲存裝置(諸如硬碟驅動裝置、光碟(CD)、數位影音碟(DVD)等)。
通訊晶片1006使得無線通訊能傳輸資料至及自計算裝置1000。術語「無線」及其衍生詞可被使用來描述電路、裝置、系統、方法、技術、通訊通道等，其可透過非固體媒體經由調諧電磁輻射的使用而通訊資料。該術語並非暗示相關聯的裝置不含任何導線，但於若干實施例中其可能不含。通訊晶片1006可實施多種無線標準或協定中之任一者，包括但非僅限於Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE 802.16家族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍牙、其衍生協定，以及標示為3G、4G、5G及其後的任何其它無線協定。計算裝置1000可包括多個通訊晶片1006。例如，第一通訊晶片1006可專用於短程無線通訊諸如Wi-Fi及藍牙；及第二通訊晶片1006可專用於長程無線通訊諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO及其它。
計算裝置1000之處理器1004包括封裝於處理器1004內部的積體電路晶粒。於若干實施例中，處理器的積體電路晶粒包括一或多個裝置，諸如電晶體或金屬互連件。於若干實施例中，積體電路晶粒或處理器1004之封裝件包括如本文描述的用於形成「接地織帶結構封裝件」之方法之實施例或「接地織帶結構封裝件」之實施例。「處理器」一詞可指處理得自暫存器及/或記憶體之電子資料以將該電子資料轉換成可儲存於暫存器及/或記憶體中之其它電子資料的任何裝置或裝置部分。
通訊晶片1006也包括封裝於通訊晶片1006內部的積體電路晶粒。依據另一實施例，通訊晶片的積體電路晶粒包括一或多個裝置，諸如電晶體或金屬互連件。於若干實施例中，積體電路晶粒或晶片1006之封裝件包括如本文描述的用於形成「接地織帶結構封裝件」之方法之實施例或「接地織帶結構封裝件」之實施例。
於進一步實施例中，罩在計算裝置1000內部的另一組件可含有積體電路晶粒其包含一或多個裝置，諸如電晶體或金屬互連件。於若干實施例中，其它積體電路晶粒或晶片之封裝件包括如本文描述的用於形成「接地織帶結構封裝件」之方法之實施例或「接地織帶結構封裝件」之實施例。
於各種實施例中，計算裝置1000可以是膝上型電腦、小筆電、筆記型電腦、超筆電、智慧型電話、平板、個人數位助理器(PDA)、超行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、列印器、掃描器、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位相機、可攜式音樂播放器、或數位視訊紀錄器。於進一步實施例中，計算裝置1000可以是處理資料的任何其它電子裝置。 實例
下列實例係有關於實施例。
實例1為一種經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置包括一第一互連件層級具有上層級接收資料訊號接點接收接點及接地隔離接點隔離接點於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案；上層級發射資料訊號接點發射接點及接地隔離接點隔離接點於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案；及接地隔離接點隔離接點於一第三區段中形成一第三屏蔽圖案，其中該第三區段係位在旁側且介於該第一區段與該第二區段間。
於實例2中，該主旨可選擇性地包括實例1之裝置，其中該第一圖案包含第一及第二交錯列具有沿一長度縱向延伸之第一及第二接點序列；其中該第一序列包含一列之下列接點：隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點；其中該第二序列包含一列之下列接點：接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點；其中該第二序列之該等接點係配置於該第一序列之該等接點下方向下四分之一間距長度；其中該第二圖案包含第三及第四交錯列具有沿該長度縱向延伸之第三及第四接點序列；其中該第三序列包含一列之下列接點：發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點；其中該第四序列包含一列之下列接點：隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點；其中該第四序列之該等接點係配置於該第三序列之該等接點上方向上四分之一間距長度；及該第三圖案包含一列之接地隔離接點中之各個接點水平等距直接地位在其間且在該等第一與第二屏蔽圖案之橫向緊鄰接點上方橫向偏位四分之一間距長度。
於實例3中，該主旨可選擇性地包括實例1之裝置，其中該第一圖案包含(1)於一第一列、一第四列、及一第五列中之接地隔離接點；及(2)於一第二列、一第三列、一第六列、及一第七列中之接收訊號接點，於該處於該等第二列、第四列、及第六列中之該等接收接點或隔離接點係於該等第一列、第三列、第五列、及第七列中之前述接點上方縱向偏位達半個間距長度；其中該第二圖案包含(1)於一第十三列、一第十四列、及一第十七列中之接地隔離接點；及(2)於一第十列、一第十一列、一第十五列、及一第十六列中之接收訊號接點；及該第三圖案包含(1)一第一列之接地接點中之各個接地接點，其水平等距直接地位在其間且在相鄰列之橫向緊鄰接點上方縱向偏位半個間距長度；及(2)水平相鄰該第一列之接地接點的一第二列之接地接點中之各個接地接點，其水平等距直接地位在其間且在相鄰列之橫向緊鄰接點下方縱向偏位半個間距長度。
於實例4中，該主旨可選擇性地包括實例1之裝置，其中該等第一層級接地接點、接收資料訊號接點及該等發射資料訊號接點係經組配用於焊接至另一個裝置；及進一步包含實體上附接至該等第一層級接地接點、接收資料訊號接點及該等發射資料訊號接點的焊料凸塊。
於實例5中，該主旨可選擇性地包括實例4之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地接點係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號接點與該等第一層級發射資料訊號接點而減少訊號型叢集對叢集串擾；及(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地接點係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號接點彼此及藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號接點彼此而減少叢集內部訊號串擾。
於實例6中，該主旨可選擇性地包括實例4之裝置，其進一步包含安裝於該垂直資料訊號互連件封裝裝置上的一第二封裝裝置；該第二封裝裝置的該等接收及發射資料訊號接點透過該等焊料凸塊附接至該垂直資料訊號互連件封裝裝置的該等接收及發射資料訊號接點以7至25每秒十億移轉之一速度通訊資料。
於實例7中，該主旨可選擇性地包括實例1之裝置，其進一步包含位在該等隔離屏蔽表面接點垂直下方之一固體傳導材料接地平面，該平面具有開口，其在水平地環繞(1)該第一層級第一型資料訊號接點，及(2)該第一層級第二型資料訊號接點的開口垂直下方達至少與該等隔離屏蔽附接件之一寬度相等大小的一寬度。
於實例8中，該主旨可選擇性地包括實例7之裝置，其中該接地平面係連結至電氣接地以減少該裝置之水平層級間之串擾及該等開口減少(1)該第一層級第一型資料訊號接點，及(2)該第一層級第二型資料訊號接點與該接地平面間之寄生電容。
於實例9中，該主旨可選擇性地包括實例1之裝置，其中該第一圖案為橫向及縱向交錯接收接點與隔離接點的一三列寬區段；其中該第二圖案為橫向及縱向交錯發射接點與隔離接點的一三列寬區段；及其中該第三圖案為位在該第一圖案與該第二圖案間之一列寬接地隔離區段。
實例10為一種經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置包括多個垂直互連件層級具有(1)垂直延伸接收資料訊號互連件及垂直延伸接地隔離訊號互連件於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案，(2)垂直延伸發射資料訊號互連件及垂直延伸接地隔離訊號互連件於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案，及(3)垂直延伸接地隔離訊號互連件於位在旁側且介於該第一區段與該第二區段間之一第三區段中形成一第三屏蔽圖案。
於實例11中，該主旨可選擇性地包括實例10之裝置，其中該第一圖案包含接地隔離訊號互連件中之各者，其包括多個相鄰經鍍覆的貫穿孔(PTH)，(1)由四至六個該等接收資料訊號接點環繞於一第一六角形；及(2)由二至六個分開微通孔(uVia)或分開PTH環繞於一第二六角形；其中該第二圖案包含接地隔離訊號互連件中之各者，其包括多個相鄰PTH，(1)由四至六個該等發射資料訊號接點環繞於一第一六角形；及(2)由二至六個分開uVia或分開PTH環繞於一第二六角形；及該第三圖案包含互連件中之各者，其包括一至三個相鄰PTH。
於實例12中，該主旨可選擇性地包括實例10之裝置，其中該第一圖案包含互連件中之各者(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該等接收資料訊號互連件中之二者間；該第二圖案包含互連件中之各者(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該等接收資料訊號互連件中之二者間；及該第三圖案包含互連件中之各者(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該第一區段之該等接收資料訊號互連件中之一者與該第二區段之該等發射資料訊號互連件中之橫向相鄰一者間。
於實例13中，該主旨可選擇性地包括實例10之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件而減少訊號型叢集對叢集串擾；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此而減少叢集內部訊號串擾；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度通訊資料。
實例14為一種經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置包括多個垂直互連件層級具有(1)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案的多個垂直延伸相鄰經鍍覆的貫穿孔(PTH)、垂直延伸分開PTH、垂直延伸分開微通孔(uVia)、及垂直延伸接收資料訊號互連件，(2)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案的多個垂直延伸相鄰PTH、垂直延伸分開PTH、垂直延伸分開uVia、及垂直延伸發射資料訊號互連件，及(3)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於位在旁側且在該第一區段與該第二區段間之一第三區段中形成一第三屏蔽圖案的至少一個垂直延伸相鄰PTH。
於實例15中，該主旨可選擇性地包括實例14之裝置，其中該等多個垂直互連件層級包括一垂直頂層級包括該等接地隔離訊號互連件之表面接點、該等接收資料訊號互連件之表面接點、及該等發射資料訊號互連件之表面接點；其中該垂直頂層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔上層級；該等多個微通孔上層級包括該等接地隔離訊號互連件之微通孔(uVia)層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、該等相鄰PTH之uVia層級、該等分開PTH之uVia層級、及該等分開uVia之uVia層級，其中該等微通孔上層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的經鍍覆的貫穿孔(PTH)中層級；該等多個PTH中層級包括該等接地隔離訊號互連件之PTH層級、該等接收資料訊號互連件之PTH層級、該等發射資料訊號互連件之PTH層級、該等相鄰PTH之PTH層級、及該等分開PTH之PTH層級，但不包括該等分開uVia之PTH層級，其中該等PTH中層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔下層級；該等多個微通孔下層級包括該等接地隔離訊號互連件之uVia層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、該等相鄰PTH之uVia層級、該等分開PTH之uVia層級、及該等分開uVia之uVia層級；及其中該等上、中及下層級相鄰PTH、分開PTH、及分開uVia係藉該等上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面而實體上附接至該等接地隔離訊號互連件。
於實例16中，該主旨可選擇性地包括實例14之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件而減少訊號型叢集對叢集串擾；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此而減少叢集內部訊號串擾；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度通訊資料。
實例17為一種經垂直屏蔽的垂直資料訊號互連件封裝裝置包括多個垂直互連件層級具有(1)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案的多個垂直延伸相鄰經鍍覆的貫穿孔(PTH)、及垂直延伸接收資料訊號互連件，(2)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案的多個垂直延伸相鄰PTH、及垂直延伸發射資料訊號互連件，及(3)垂直延伸接地隔離訊號互連件各自包括於位在旁側且在該第一區段與該第二區段間之一第三區段中形成一第三屏蔽圖案的垂直延伸相鄰PTH。
於實例18中，該主旨可選擇性地包括實例17之裝置，其中該等多個垂直互連件層級包括一垂直頂層級包括該等接地隔離訊號互連件之表面接點、該等接收資料訊號互連件之表面接點、及該等發射資料訊號互連件之表面接點；其中該垂直頂層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔上層級；該等多個微通孔上層級包括該等接地隔離訊號互連件之微通孔(uVia)層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、及該等相鄰PTH之uVia層級，其中該等微通孔上層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的經鍍覆的貫穿孔(PTH)中層級；該等多個PTH中層級包括該等接地隔離訊號互連件之PTH層級、該等接收資料訊號互連件之PTH層級、該等發射資料訊號互連件之PTH層級、及該等相鄰PTH之PTH層級，其中該等PTH中層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔下層級；該等多個微通孔下層級包括該等接地隔離訊號互連件之uVia層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、及該等相鄰PTH之uVia層級；及其中該等上、中及下層級相鄰PTH、分開PTH、及分開uVia係藉該等上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面而實體上附接至該等接地隔離訊號互連件。
於實例19中，該主旨可選擇性地包括實例17之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件而減少訊號型叢集對叢集串擾；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至電氣接地藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由位在其間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此而減少叢集內部訊號串擾；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度通訊資料。
於實例20中，該主旨可選擇性地包括實例17之裝置，其中該第三圖案具有橫向相鄰該第一圖案之一第一邊，及橫向相鄰該第二圖案之一相對第二邊。
前文例示性實施例之描述包括於摘要說明部分中描述者並非意圖為排它性或將本發明限制於所揭示的精確形式。如熟諳技藝人士將瞭解雖然為了例示性目的於本文中描述本發明之特定實施例及其實例，但於該範圍以內各種相當修改為可能。鑑於前文詳細說明部分可對本發明做此等修改。舉例言之，雖然前文描述只顯示封裝裝置(例如，裝置100、101、400、401、500、501、及700)之區段102、104及107(或109)，但該等描述能適用於更多個或不同數目的區段102、104及107(或109)。不同的此等區段102、104及107(或109)之實施例可以是諸如其中不存在有區段102、104、或107(或109)中之任一者或二者。更多個此等區段之實施例可以是其中如所示一第一集合之區段102、104、(及107(或109))係連結或電氣耦合至相同封裝裝置(例如，裝置804、806、810、702或910)的一第二集合之對應區段102、104、(及107(或109))，諸如透過垂直及水平「訊號」線路。於此等情況下，第一集合之區段102及104可分別地連結或電氣耦合至一第二集合之對應區段104及102，使得如所示第一集合之發射訊號區段102係連結至第二集合之接收訊號區段104，及反之亦然。於此等情況下，透過一或多個垂直接地隔離封裝裝置，第一集合之區段可連結至第一IC晶片或裝置(例如，於層級L1)，及第二集合之區段可連結至第二不同的IC晶片或裝置(例如，於層級L1)，使得第一及第二IC晶片或裝置可使用該等一或多個垂直接地隔離封裝裝置之區段102及104而交換資料(例如，如前記，使用發射資料訊號及接收資料訊號)。由於或基於使用該等一或多個垂直接地隔離封裝裝置故，如此提供了如本文所記增加電子隔離及減少串擾的效果。於此等情況下，該等一或多個垂直接地隔離封裝裝置可操作以鏈接該等第一及第二IC晶片。
如下申請專利範圍中使用的術語不應解譯為將本發明限制於說明書及申請專利範圍各項中揭示的特定實施例。反而該範圍係完全由如下申請專利範圍決定，如下申請專利範圍係根據已確立的申請專利範圍之解譯原則加以解讀。
100、101、400、401、500、501、700、810、910‧‧‧封裝裝置、封裝件
102、104、107、109‧‧‧區段
103、703‧‧‧介電層、電介質、介電材料
105、108、110、111、405、408、410、455、458、460、505、508、510、555、558、560、705、708、710‧‧‧屏蔽圖案
106‧‧‧頂面、表面
120‧‧‧接地隔離接點
122、132、142‧‧‧通孔接點
124、134、144、724、734、914、916、918‧‧‧焊料凸塊
130‧‧‧接收資料訊號接點
130’‧‧‧表面接點
140‧‧‧發射資料訊號接點
160‧‧‧接地平面
174、176、178、180、182、184、186、188、190、474-489‧‧‧列
181、183‧‧‧邊
210‧‧‧頂層
212‧‧‧底層
495‧‧‧開口
520‧‧‧固體傳導材料垂直接地訊號互連件
530‧‧‧固體傳導材料垂直接收資料訊號互連件
540‧‧‧固體傳導材料垂直發射資料訊號互連件
570‧‧‧固體傳導材料垂直接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)
580‧‧‧固體傳導材料垂直接地微通孔(uVia)
610、620、630、660、670、680、L1-4‧‧‧層級
701‧‧‧殼體、胞元、單元
702‧‧‧電光(EO)連接器
720、730、740、965‧‧‧接點針腳
725、735‧‧‧開口、開放空間
800、900‧‧‧計算系統
801、807、811、813、821、823、825、827、829、831、834、836、901、913、929、931‧‧‧位置
802‧‧‧CPU晶片
803、805、903、905‧‧‧表面
804‧‧‧補塊
806‧‧‧中介件
808‧‧‧CLR晶片
809‧‧‧MNH晶片
812、814、816、818、819、916、918‧‧‧球柵陣列(BGA)、凸塊
820、822、824、826、828、830、832、833、835、837、924、928、930、932‧‧‧線路
860、864、964‧‧‧底面
862、866、903‧‧‧頂面
908‧‧‧EO模組、晶片
1000‧‧‧計算裝置
1002‧‧‧主機板
1004‧‧‧處理器
1006‧‧‧通訊晶片
H1-7、H81-93‧‧‧高度
LE1-7‧‧‧長度
PD、PH、PL、PT、PW‧‧‧間距
W1-10、W51-52、WE1-4、WE71-73‧‧‧寬度
本發明之實施例係藉附圖之圖式舉例說明而非限制性，附圖中類似的元件符號指示相似的元件。須注意於本文揭示中述及「一」或「一個」本發明之實施例並非必然指相同實施例，其係表示至少一個。
圖1A為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。
圖1B為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。
圖2A為圖1A之封裝件的示意剖面側視圖，顯示形成於上層接地隔離接點及資料訊號接點的區段上之焊料凸塊。
圖2B為圖1B之封裝件的示意剖面側視圖，顯示形成於上層接地隔離接點及資料訊號接點的區段上之焊料凸塊。
圖3A為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。
圖3B為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。
圖4為圖1A及2A之封裝裝置的示意剖面頂視圖，顯示頂或典型互連件層級的頂或上層接點；及影線表示層級L1下方封裝件的接地隔離平面結構之典型一層。
圖5A為圖3A之半導體封裝裝置的示意剖面頂視圖，顯示在層級L1下方的互連件層級帶有隔離互連件及相鄰隔離經鍍覆的貫穿孔(PTH)於不同區段中形成屏蔽圖案。
圖5B為圖3B之半導體封裝裝置的示意剖面頂視圖，顯示在層級L1下方的互連件層級帶有隔離互連件及相鄰隔離經鍍覆的貫穿孔(PTH)於不同區段中形成屏蔽圖案。
圖6A為圖5A之封裝件的示意剖面側視圖，顯示垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰經鍍覆的貫穿孔(PTH)、垂直延伸分開PTH、垂直延伸分開微通孔(uVia)、及垂直延伸資料訊號互連件在不同區段中形成不同的屏蔽圖案。
圖6B為圖5B之封裝件的示意剖面側視圖，顯示垂直延伸接地隔離訊號互連件、垂直延伸相鄰經鍍覆的貫穿孔(PTH)、及垂直延伸資料訊號互連件在不同區段中形成不同的屏蔽圖案。
圖7A為於其上可附接至少一個積體電路(IC)晶片(例如，「晶粒」)或其它封裝裝置的一半導體封裝裝置之示意頂視透視圖。
圖7B為於其上可安裝至少一個封裝裝置的電光(EO)連接器的示意三維剖面透視圖。
圖7C為圖7B之電光(EO)連接器的殼體或胞元的示意三維剖面透視圖。
圖8為包括垂直接地隔離封裝裝置的計算系統之示意剖面側視及縱視圖。
圖9為包括垂直接地隔離封裝裝置的計算系統之示意剖面側視及縱視圖。
圖10例示依據一個實施例之計算裝置。
100‧‧‧封裝裝置
102、104、107‧‧‧區段
103‧‧‧介電材料
105、108、110‧‧‧圖案
106‧‧‧頂面
120‧‧‧接地隔離接點
130‧‧‧接收訊號接點
140‧‧‧發射訊號接點
174、176、178、180、182、184、186、188、190‧‧‧列
181、183‧‧‧邊
210‧‧‧層
L1‧‧‧層
LE1‧‧‧長度
PD、PL、PW‧‧‧間距
W5、WE1、WE3‧‧‧寬度

Claims (20)

  1. 一種經垂直屏蔽之垂直資料訊號互連件封裝裝置，其包含： 一第一互連件層級，具有： 上層級接收資料訊號接點之接收接點及接地隔離接點之隔離接點於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案； 上層級發射資料訊號接點之發射接點及接地隔離接點之隔離接點於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案；以及 接地隔離接點之隔離接點於一第三區段中形成一第三屏蔽圖案，其中該第三區段係位在該第一區段及該第二區段旁側且介於該第一區段與該第二區段之間。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一圖案包含第一及第二交錯列，其具有沿著一長度縱向延伸之第一及第二接點序列； 其中該第一序列包含一列之下列接點：隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點； 其中該第二序列包含一列之下列接點：接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點、接收接點、接收接點、隔離接點；且 其中該第二序列之該等接點係配置於該第一序列之該等接點下方向下的四分之一間距長度； 其中該第二圖案包含第三及第四交錯列，其具有沿著該長度縱向延伸之第三及第四接點序列； 其中該第三序列包含一列之下列接點：發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點； 其中該第四序列包含一列之下列接點：隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點、發射接點、隔離接點、發射接點；且 其中該第四序列之該等接點係配置於該第三序列之該等接點上方向上的四分之一間距長度；且 該第三圖案包含一列之接地隔離接點中之各個接點水平等距的直接位在中間且在該等第一及第二屏蔽圖案之一橫向緊鄰接點上方縱向偏位四分之一間距長度。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第一圖案包含(1)於一第一列、一第四列、及一第五列中之接地隔離接點；及(2)於一第二列、一第三列、一第六列、及一第七列中之接收訊號接點，其中於該等第二列、第四列、及第六列中之該等接收接點或隔離接點係於該等第一列、第三列、第五列、及第七列中之前述接點上方縱向偏位達半個間距長度； 其中該第二圖案包含(1)於一第十三列、一第十四列、及一第十七列中之接地隔離接點；及(2)於一第十列、一第十一列、一第十五列、及一第十六列中之接收訊號接點；且 該第三圖案包含(1)一第一列之接地接點中之各個接地接點，其水平等距的直接位在中間且在相鄰列之橫向緊鄰接點上方縱向偏位達半個間距長度；及(2)水平相鄰於該第一列之接地接點的一第二列之接地接點中之各個接地接點，其水平等距的直接位在中間且在相鄰列之橫向緊鄰接點下方縱向偏位達半個間距長度。
  4. 如請求項1之裝置，其中該等第一層級接地接點、接收資料訊號接點及該等發射資料訊號接點係經組配用於焊接至另一個裝置；且進一步包含實體上附接至該等第一層級接地接點、接收資料訊號接點及該等發射資料訊號接點的焊料凸塊。
  5. 如請求項4之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地接點係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號接點與該等第一層級發射資料訊號接點以減少訊號型叢集對叢集串擾之電氣接地；及(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地接點係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號接點彼此及藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號接點彼此以減少叢集內部訊號串擾之電氣接地。
  6. 如請求項4之裝置，其進一步包含： 安裝於該垂直資料訊號互連件封裝裝置上的一第二封裝裝置；該第二封裝裝置的該等接收及發射資料訊號接點透過該等焊料凸塊附接至該垂直資料訊號互連件封裝裝置的該等接收及發射資料訊號接點以7至25每秒十億移轉之一速度來傳遞資料。
  7. 如請求項1之裝置，其進一步包含位在該等隔離屏蔽表面接點垂直下方之一固體傳導材料接地平面，該平面具有開口，其在水平地環繞(1)該第一層級第一型資料訊號接點，及(2)該第一層級第二型資料訊號接點的開口垂直下方達至少與該等隔離屏蔽附接件之一寬度相等大的一寬度。
  8. 如請求項7之裝置，其中該接地平面係連結至電氣接地以減少在該裝置之水平層級之間的串擾且該等開口減少在(1)該第一層級第一型資料訊號接點、及(2)該第一層級第二型資料訊號接點與該接地平面之間的寄生電容。
  9. 如請求項1之裝置， 其中該第一圖案為橫向及縱向交錯接收接點與隔離接點的一三列寬區段； 其中該第二圖案為橫向及縱向交錯發射接點與隔離接點的一三列寬區段；及 其中該第三圖案為位在該第一圖案與該第二圖案之間的一列寬接地隔離區段。
  10. 一種經垂直屏蔽之垂直資料訊號互連件封裝裝置，其包含： 多個垂直互連件層級，具有(1)垂直延伸的接收資料訊號互連件及垂直延伸的接地隔離訊號互連件於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案、(2)垂直延伸的發射資料訊號互連件及垂直延伸的接地隔離訊號互連件於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案、及(3)垂直延伸的接地隔離訊號互連件於位在該第一區段及該第二區段旁側且介於該第一區段與該第二區段之間的一第三區段中形成一第三屏蔽圖案。
  11. 如請求項10之裝置，其中該第一圖案包含接地隔離訊號互連件中之各者，其包括多個相鄰經鍍覆貫穿孔(PTH)，(1)由四至六個該等接收資料訊號互連件環繞於一第一六角形；及(2)由二至六個分開微通孔(uVia)或分開PTH環繞於一第二六角形； 其中該第二圖案包含接地隔離訊號互連件中之各者，其包括多個相鄰PTH，(1)由四至六個該等發射資料訊號互連件環繞於一第一六角形；及(2)由二至六個分開uVia或分開PTH環繞於一第二六角形；及 該第三圖案包含互連件中之各者，其包括一至三個相鄰PTH。
  12. 如請求項10之裝置，其中該第一圖案包含互連件中之各者，其(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該等接收資料訊號互連件中之二者之間； 其中該第二圖案包含互連件中之各者，其(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該等接收資料訊號互連件中之二者之間；及 該第三圖案包含互連件中之各者，其(1)包括兩個橫向相鄰PTH，及(2)橫向相鄰定位且在該第一區段之該等接收資料訊號互連件中之一者與該第二區段之該等發射資料訊號互連件中之一橫向相鄰者之間。
  13. 如請求項10之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件以減少訊號型叢集對叢集串擾之電氣接地；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此以減少叢集內部訊號串擾之電氣接地；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度來傳遞資料。
  14. 一種經垂直屏蔽之垂直資料訊號互連件封裝裝置，其包含： 多個垂直互連件層級，具有(1)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案的多個垂直延伸的相鄰經鍍覆貫穿孔(PTH)、垂直延伸的分開PTH、垂直延伸的分開微通孔(uVia)、及垂直延伸的接收資料訊號互連件，(2)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案的多個垂直延伸的相鄰PTH、垂直延伸的分開PTH、垂直延伸的分開uVia、及垂直延伸的發射資料訊號互連件，及(3)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於位在該第一區段及該第二區段旁側且介於該第一區段與該第二區段之間的一第三區段中形成一第三屏蔽圖案之至少一個垂直延伸的相鄰PTH。
  15. 如請求項14之裝置，其中該等多個垂直互連件層級包含： 一垂直頂層級，其包括該等接地隔離訊號互連件之表面接點、該等接收資料訊號互連件之表面接點、及該等發射資料訊號互連件之表面接點； 其中該垂直頂層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔上層級； 該等多個微通孔上層級包括該等接地隔離訊號互連件之微通孔(uVia)層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、該等相鄰PTH之uVia層級、該等分開PTH之uVia層級、及該等分開uVia之uVia層級， 其中該等微通孔上層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的經鍍覆貫穿孔(PTH)中層級； 該等多個PTH中層級包括該等接地隔離訊號互連件之PTH層級、該等接收資料訊號互連件之PTH層級、該等發射資料訊號互連件之PTH層級、該等相鄰PTH之PTH層級、及該等分開PTH之PTH層級，但不包括該等分開uVia之PTH層級， 其中該等PTH中層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔下層級； 該等多個微通孔下層級包括該等接地隔離訊號互連件之uVia層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、該等相鄰PTH之uVia層級、該等分開PTH之uVia層級、及該等分開uVia之uVia層級；且 其中該等上、中及下層級相鄰PTH、分開PTH、及分開uVia係藉由該等上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面而實體上附接至該等接地隔離訊號互連件。
  16. 如請求項14之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件以減少訊號型叢集對叢集串擾之電氣接地；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此以減少叢集內部訊號串擾之電氣接地；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度來傳遞資料。
  17. 一種經垂直屏蔽之垂直資料訊號互連件封裝裝置，其包含： 多個垂直互連件層級，具有(1)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於一第一區段中形成一第一屏蔽圖案的垂直延伸的相鄰經鍍覆貫穿孔(PTH)、及垂直延伸的接收資料訊號互連件，(2)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於一第二區段中形成一第二屏蔽圖案的垂直延伸的相鄰PTH、及垂直延伸的發射資料訊號互連件，及(3)垂直延伸的接地隔離訊號互連件各自包括於位在該第一區段及該第二區段旁側且介於該第一區段與該第二區段之間的一第三區段中形成一第三屏蔽圖案之垂直延伸的相鄰PTH。
  18. 如請求項17之裝置，其中該等多個垂直互連件層級包含： 一垂直頂層級，其包括該等接地隔離訊號互連件之表面接點、該等接收資料訊號互連件之表面接點、及該等發射資料訊號互連件之表面接點； 其中該垂直頂層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔上層級； 該等多個微通孔上層級包括該等接地隔離訊號互連件之微通孔(uVia)層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、及該等相鄰PTH之uVia層級， 其中該等微通孔上層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的經鍍覆貫穿孔(PTH)中層級； 該等多個PTH中層級包括該等接地隔離訊號互連件之PTH層級、該等接收資料訊號互連件之PTH層級、該等發射資料訊號互連件之PTH層級、及該等相鄰PTH之PTH層級， 其中該等PTH中層級係實體上附接至多個下方垂直延伸的微通孔下層級； 該等多個微通孔下層級包括該等接地隔離訊號互連件之uVia層級、該等接收資料訊號互連件之uVia層級、該等發射資料訊號互連件之uVia層級、及該等相鄰PTH之uVia層級；且 其中該等上、中及下層級相鄰PTH係藉由該等上、中及下層級之水平相鄰接地隔離平面而實體上附接至該等接地隔離訊號互連件。
  19. 如請求項17之裝置，其中(1)該第三圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件與該等第一層級發射資料訊號互連件以減少訊號型叢集對叢集串擾之電氣接地；(2)該第一及第二圖案的該等第一層級接地互連件係連結至藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級接收資料訊號互連件彼此及藉由被位在中間及電氣屏蔽該等第一層級發射資料訊號互連件彼此以減少叢集內部訊號串擾之電氣接地；及(3)該等第一層級接收資料訊號互連件及第一層級發射資料訊號互連件係經配置以7至25每秒十億移轉之一速度來傳遞資料。
  20. 如請求項17之裝置，其中該第三圖案具有橫向相鄰該第一圖案之一第一邊、及橫向相鄰該第二圖案之一相對的第二邊。
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