TW201732855A - 熔絲元件 - Google Patents

Abstract

本發明之熔絲元件即便小型化亦可確保發熱體之形成區域，穩定地熔斷可熔導體，並且確保構裝電極之連接面積，從而確保與構裝基板之連接強度。本發明具備：絕緣基板10；第1電極11及第2電極12，其形成於絕緣基板10之表面10a；可熔導體13，其跨接於第1、第2電極11、12間；發熱體14，其形成於絕緣基板10之背面10b，藉由通電發熱以熔斷可熔導體13；及背面電極15，其形成於絕緣基板10之背面10b。發熱體14與背面電極15透過絕緣層17重疊。

Description

熔絲元件

本發明係關於一種藉由遮斷電源線或訊號線而保護電路之熔絲元件。本申請案以2015年12月18日於日本提出之日本特願2015-247288及2016年6月1日於日本提出之日本特願2016-110506為基礎主張優先權，參照該等申請案並援用於本申請案。

例如作為適於鋰離子蓄電池之保護電路所使用之熔絲元件，存在跨及形成於絕緣基板之第1電極、與發熱體連接之發熱體引出電極、第2電極間而連接可熔導體從而形成電流路徑之一部分，藉由過電流引起之自發熱來熔斷該電流路徑上之可熔導體、或藉由來自外部之訊號對設於熔絲元件內部之發熱體通電以在電路側依所欲之時間點熔斷可熔導體。

於圖30中顯示熔絲元件之一例。圖30~圖32中所示之熔絲元件80，具備：絕緣基板85；第1、第2電極81、82，其形成於絕緣基板85表面85a之兩端；發熱體84，其積層於絕緣基板85之背面85b並被絕緣層86覆蓋；中間電極88，其積層於絕緣基板85之表面85a上並與發熱體84電性連接；及可熔導體83，其兩端分別連接於第1、第2電極81、82， 中央部連接於中間電極88。

第1、第2電極81、82透過通孔90與設於絕緣基板85之背面85b之第1、第2構裝電極91、92連接。又，發熱體84之一端與設於絕緣基板85之背面85b之發熱體引出電極87連接，另一端與設於絕緣基板85之背面85b之發熱體電極93連接。發熱體引出電極87透過通孔94與中間電極88連接。又，可熔導體83係由可藉發熱體84之發熱而迅速熔斷之材料構成，例如由焊料或以Sn為主成分之無Pb焊料等低熔點金屬構成。

於熔絲元件80，當偵測到過量充電、過量放電等異常時，即由與外部電路連接之發熱體電極93對發熱體84通電。熔絲元件80藉由發熱體84發熱使可熔導體83熔融，將該熔融導體集中於第1、第2電極81、82及中間電極88，藉此遮斷第1及第2電極81、82間之電流路徑。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第2790433號公報

因搭載鋰離子蓄電池之機器之小型化要求、或伴隨為了因應電動工具或電動汽車之類的大電流用途必須搭載複數個鋰離子蓄電池之省空間化之要求等，熔絲元件被要求進一步小型化。

如圖32所示，熔絲元件80於絕緣基板85之背面85b形成有發熱體84、發熱體引出電極87及第1、第2構裝電極91、92。然而，當 推進熔絲元件80之小型化時，可推測存在以下風險：因第1、第2構裝電極91、92可配置發熱體84之區域狹窄，即便藉由通電發熱亦無法迅速熔斷可熔導體83，或局部過熱而於可熔導體83熔斷前發熱體84自身燒光，無法穩定地熔斷可熔導體83。例如，若假定將熔絲元件之絕緣基板之尺寸減小至3mm×2mm之情形，則發熱體84之尺寸縮小為0.8mm×0.8mm，可穩定地熔斷之可熔導體之尺寸受到限制，難以因應大電流用途。

另一方面，若欲在某種程度上確保發熱體84之形成區域，則發熱體引出電極87或第1、第2構裝電極91、92變小，獲取與形成於絕緣基板85之表面85a之中間電極88或第1、第2電極81、82之經由城堡形接點(castellation)或通孔之導通之空間不足。或者因第1、第2構裝電極91、92變窄，而產生對構裝基板之連接面積不足，無法確保充足之連接強度。

因此，本發明之目的在於提供一種熔絲元件，其即便小型化亦可確保發熱體之形成區域而穩定地熔斷可熔導體，並且確保構裝電極之連接面積，從而確保與構裝基板之連接強度。

為了解決上述課題，本發明之熔絲元件具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其形成於上述絕緣基板之表面；可熔導體，其跨接於上述第1、第2電極間；發熱體，其形成於上述絕緣基板之背面，藉由通電發熱而熔斷上述可熔導體；及背面電極，其形成於上述絕緣基板之背面。其中上述發熱體與上述背面電極透過絕緣層而重疊。

根據本發明，即便於將元件小型化之情形時，亦可將發熱體之有效面積與構裝電極這兩者最大化。因此，發熱體之發熱亦自透過絕緣層而重疊之電極傳熱，故而可熔導體之熔斷更加迅速化、穩定化。又，可充分確保構裝電極之面積，可提高與電路基板之連接強度，又，防止熔絲電阻之上升。

1‧‧‧熔絲元件

10‧‧‧絕緣基板

11‧‧‧第1電極

12‧‧‧第2電極

13‧‧‧可熔導體

14‧‧‧發熱體

15‧‧‧發熱體引出電極

16‧‧‧中間電極

17‧‧‧絕緣層

18‧‧‧第1構裝電極

18a‧‧‧下層部

18b‧‧‧上層部

19‧‧‧第2構裝電極

19a‧‧‧下層部

19b‧‧‧上層部

20‧‧‧通孔

21‧‧‧通孔

23‧‧‧發熱體電極

24‧‧‧蓋

30‧‧‧電池組

31~34‧‧‧電池單元

35‧‧‧電池堆

36‧‧‧檢測電路

37‧‧‧電流控制元件

40‧‧‧充放電控制電路

41、42‧‧‧電流控制元件

43‧‧‧控制部

45‧‧‧充電裝置

50‧‧‧熔絲元件

51‧‧‧第1絕緣層

52‧‧‧第2絕緣層

53‧‧‧城堡形接點

55‧‧‧熔絲元件

60‧‧‧熔絲元件

61‧‧‧第3絕緣層

62‧‧‧第4絕緣層

63‧‧‧城堡形接點

65‧‧‧熔絲元件

70‧‧‧熔絲元件

71‧‧‧城堡形接點

72‧‧‧外部電路基板

73‧‧‧填料

74‧‧‧城堡形接點

75‧‧‧第1獨立端子

76‧‧‧第2獨立端子

77‧‧‧城堡形接點

圖1係表示應用本發明之熔絲元件之絕緣基板之表面側之俯視圖。

圖2(A)係表示應用本發明之熔絲元件之絕緣基板背面側之仰視圖，圖2(B)係圖2(A)之A-A'剖面圖。

圖3係表示使用應用本發明之熔絲元件之電池電路之一構成例之電路圖。

圖4係應用本發明之熔絲元件之電路圖。

圖5(A)係表示應用本發明之另一熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖，圖5(B)係圖5(A)之A-A'剖面圖。

圖6係表示圖5所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板之背面形成發熱體引出電極、第1、第2構裝電極之下層部及發熱體電極，於下層部上形成第1絕緣層之狀態之仰視圖。

圖7係表示圖5所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示藉由於第1絕緣層上形成發熱體，而使發熱體與下層部重疊之狀態之仰視圖。

圖8係表示圖5所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於發熱體 上形成第2絕緣層之狀態之仰視圖。

圖9係表示圖5所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於第2絕緣層之上形成第1、第2構裝電極之上層部之狀態之仰視圖。

圖10(A)係表示應用本發明之另一熔絲元件之絕緣基板之表面側之俯視圖，圖10(B)係圖10(A)之A-A'剖面圖。

圖11係表示圖10所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板之背面形成發熱體引出電極及發熱體電極之狀態之仰視圖。

圖12係表示圖10所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板之背面形成發熱體之狀態之仰視圖。

圖13係表示圖10所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於發熱體上形成第2絕緣層之狀態之仰視圖。

圖14係表示圖10所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於第2絕緣層之上形成第1、第2構裝電極之上層部之狀態之仰視圖。

圖15(A)係表示應用本發明之另一熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖，圖15(B)係圖15(A)之A-A'剖面圖。

圖16係表示圖15所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板之背面形成發熱體引出電極、第1、第2構裝電極之下層部及發熱體電極，於發熱體引出電極及下層部上形成第3絕緣層之狀態之仰視圖。

圖17係表示圖15所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於第3絕緣層上形成發熱體之狀態之仰視圖。

圖18係表示圖15所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於發熱體上形成第4絕緣層之狀態之仰視圖。

圖19係表示圖15所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於第4絕緣層之上形成第1、第2構裝電極之上層部之狀態之仰視圖。

圖20(A)係表示應用本發明之另一熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖，圖20(B)係圖20(A)之A-A'剖面圖。

圖21係表示圖20所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板背面形成發熱體引出電極發熱體電極之狀態之仰視圖。

圖22係表示圖20所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於絕緣基板背面形成發熱體之狀態之仰視圖。

圖23係表示圖20所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於發熱體上形成第4絕緣層之狀態之仰視圖。

圖24係表示圖20所示之熔絲元件之製造步驟之圖，且係表示於第4絕緣層之上形成第1、第2構裝電極之上層部之狀態之仰視圖。

圖25(A)係省略蓋而表示變化例之熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖，圖25(B)係圖25(A)之A-A'剖面圖。

圖26為圖25(A)之B-B'剖面圖。

圖27係表示構裝至外部電路之狀態之剖面圖。

圖28係省略蓋而表示另一變化例之熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖。

圖29(A)係省略蓋而表示變化例之熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖，圖29(B)係圖29(A)之B-B'剖面圖。

圖30係表示參考例之熔絲元件之絕緣基板表面側之俯視圖。

圖31係圖30之A-A'剖面圖。

圖32係表示圖30所示之熔絲元件之絕緣基板背面側之仰視圖。

以下，一面參照圖式一面詳細地說明應用本發明之熔絲元件。再者，當然本發明並不僅限定於以下之實施形態，可於不脫離本發明之主旨範圍內進行各種變更。又，圖式僅為示意，存在各尺寸之比率等與實際不同之情形。具體尺寸等應參照以下之說明進行判斷。又，當然圖式相互間亦包含相互之尺寸關係或比率不同之部分。

應用本發明之熔絲元件具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其形成於絕緣基板之表面；可熔導體，其跨接於第1、第2電極間；發熱體，其形成於絕緣基板之背面，藉由通電發熱而熔斷可熔導體；及背面電極，其形成於絕緣基板之背面。其中發熱體與背面電極透過絕緣層而重疊。

於絕緣基板之背面與發熱體重疊之背面電極例如為與發熱體連接而構成向發熱體之通電路徑之發熱體引出電極。又，背面電極為與第1、第2電極連接且構裝於電路基板之第1、第2構裝電極。或背面電極為發熱體引出電極及第1、第2構裝電極。另外，背面電極亦可為不以通電為目的之散熱用或對於電路基板之接著用電極。

[第1實施形態]

圖1及圖2中例示有使作為背面電極之發熱體引出電極與發熱體重疊之熔絲元件1。圖1所示之熔絲元件1具備：絕緣基板10；第1電極11及第2電極12，其形成於絕緣基板10之表面10a；中間電極16，其形成於絕 緣基板10之表面10a，並且與形成於背面10b之發熱體14電性連接；可熔導體13，其兩端分別連接於第1、第2電極11、12，中央部連接於中間電極16；發熱體引出電極15，其積層於絕緣基板10之背面10b，並與中間電極16及發熱體14連接；發熱體14，其透過絕緣層17而積層於發熱體引出電極15；及第2構裝電極19，其形成於絕緣基板10之背面10b，並與和第1電極11電性連接之第1構裝電極18及第2電極12電性連接。

絕緣基板10例如藉由氧化鋁、氧化鋁陶瓷、玻璃陶瓷、莫來石、氧化鋯等具有絕緣性之構件形成為大致方形。絕緣基板10亦可使用環氧玻璃基板、苯酚基板等印刷配線基板所使用之材料。又，熔絲元件1根據伴隨所搭載之電氣機器之小型化等之要求實現小型化，例如將絕緣基板10之尺寸設為3mm×2mm、厚度0.3mm。

[第1、第2電極]

第1、第2電極11、12藉由分別隔開配置於絕緣基板10之表面10a上相對向之側緣附近而開放，且藉由搭載下述可熔導體13而透過可熔導體13電性連接。又，第1、第2電極11、12，係藉由熔絲元件1中流動超過額定值之大電流，可熔導體13因自發熱(焦耳熱)而熔斷，或發熱體14伴隨通電而發熱，使可熔導體13熔斷而被遮斷。

如圖2(A)所示，第1、第2電極11、12分別透過貫通絕緣基板10之通孔20而與設於背面10b之第1、第2構裝電極18、19連接。因連接第1、第2電極11、12及第1、第2構裝電極18、19間之通孔20構成熔絲元件1之通電路徑之一部分，成為確定電流額定值之要素，故而具有既定尺寸(例如0.3mm φ)，內部形成有連接第1電極11與第1構裝電 極18、第2電極12與第2構裝電極19之導電層。

第1、第2構裝電極18、19為連接於構裝有熔絲元件1之保護電路等之電路基板之外部連接電極，於絕緣基板10之背面10b，隔開而形成於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側。熔絲元件1透過該等第1、第2構裝電極18、19而與形成有外部電路之電路基板連接，跨及第1構裝電極18、通孔20、第1電極11、可熔導體13、第2電極12、通孔20、第2構裝電極19之路徑構成該外部電路之通電路徑之一部分。

再者，關於第1、第2構裝電極18、19，亦可於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d設置城堡形接點代替通孔20或透過該城堡形接點與通孔20一起與第1、第2電極11、12導通。又，第1、第2構裝電極18、19為了確保透過通孔20或城堡形接點獲取導通之空間，並且擴大對於電路基板之連接面積，確保連接強度或既定額定值，而具備充足之面積，又，實現元件整體之熔絲電阻之低電阻化(例如7mΩ)。

第1、第2電極11、12或第1、第2構裝電極18、19可使用Cu或Ag等一般之電極材料形成，例如，可藉由印刷Ag-Pd膏，並以850℃燒成30min以形成。又，較佳為藉由鍍覆處理等公知之手法於第1、第2電極11、12或第1、第2構裝電極18、19之表面上塗覆Ni/Au鍍層、Ni/Pd鍍層、Ni/Pd/Au鍍層等被膜。藉此，熔絲元件1可防止第1、第2電極11、12或第1、第2構裝電極18、19之氧化，防止伴隨導通電阻上升之額定值之變動。又，於對熔絲元件1進行回焊構裝之情形時，可藉由連接可熔導體13之連接用焊料或形成可熔導體13之低熔點金屬熔融而防止熔蝕(焊料侵蝕)第1、第2電極11、12，又，可藉由將第1、第2構裝電極連接於電 路基板之電極之連接用焊料熔融而防止熔蝕第1、第2構裝電極18、19。

又，於絕緣基板10之表面10a，第1、第2電極11、12間積層有中間電極16。中間電極16透過通孔21而與積層於絕緣基板10之背面10b之發熱體引出電極15連接。通孔21之內部亦形成有連接發熱體引出電極15與中間電極16之導電層。

[可熔導體]

跨及熔絲元件1之第1電極11、中間電極16、第2電極12連接有可熔導體13。可熔導體13由可藉由發熱體14之發熱而迅速熔斷之材料構成，例如可較佳地使用焊料或以Sn為主成分之無Pb焊料等低熔點金屬。作為一例，可熔導體13可設計成Sn：Sb=95：5、液相點240℃、尺寸1mm×2mm。

又，可熔導體13亦可使用以In、Pb、Ag、Cu或該等中之任一者為主成分之合金等高熔點金屬，或亦可使用內層為低熔點金屬，外層為高熔點金屬之積層體。藉由含有高熔點金屬與低熔點金屬，於對熔絲元件1進行回焊構裝之情形時，即便回焊溫度超過低熔點金屬之熔融溫度，低熔點金屬熔融，亦可抑制低熔點金屬流出外部，維持可熔導體13之形狀，可維持既定額定值，並且抑制遮斷特性之變動。又，熔斷時亦可藉由低熔點金屬熔融，而溶蝕(焊料侵蝕)高熔點金屬，藉此利用高熔點金屬之熔點以下之溫度迅速熔斷。

可熔導體13向中間電極16及第1、第2電極11、12連接。可熔導體13可藉由回流焊容易地連接。作為連接可熔導體13之連接材料，可較佳地使用焊料，例如，可使用Sn/Ag/Cu=96.5/3/0.5、熔點219℃之連接焊料膏。

又，為了抗氧化、提高潤濕性等，可熔導體13較佳為塗佈有助焊劑。

絕緣基板10之背面10b形成有發熱體14、發熱體引出電極15、第1、第2構裝電極18、19、及發熱體電極23，發熱體14與發熱體引出電極15透過絕緣層17重疊。

[發熱體引出電極]

發熱體引出電極15於絕緣基板10之背面10b自絕緣基板之第3側緣10e向中央形成。又，發熱體引出電極15可使用Cu或Ag等一般之電極材料形成，例如，可藉由印刷Ag-Pd膏，並以850℃燒成30min形成。又，發熱體引出電極15與發熱體14之一端連接，並且透過通孔21與形成於絕緣基板10之表面10a之中間電極16連接。

再者，亦可於絕緣基板10之第3側緣10e設置城堡形接點代替通孔21或透過該城堡形接點與通孔21一起使發熱體引出電極15與中間電極16導通。

[發熱體]

發熱體14為若通電則發熱之具有導電性之構件，例如由W、Mo、Ru、Cu、Ag或以該等為主成分之合金等構成。發熱體14可藉由以下方式形成：使用網版印刷技術使將該等合金或組成物、化合物之粉狀體與樹脂黏合劑等混合，製成膏狀而成者形成圖案，並進行燒成(例如850℃ 30min)等。形成圖案之發熱體14之電阻值例如設為1Ω。又，發熱體14之一端與發熱體引出電極15連接，另一端與發熱體電極23連接。

發熱體14，藉由熔絲元件1構裝於電路基板而透過發熱體 電極23與形成於電路基板之外部電路連接。而且，發熱體14可藉由於遮斷外部電路之通電路徑之既定時點透過發熱體電極23通電、發熱，而熔斷連接第1、第2電極11、12之可熔導體13。又，因發熱體14藉由可熔導體13熔斷，自身之通電路徑亦被遮斷，故而停止發熱。

此處，熔絲元件1以覆蓋發熱體引出電極15之一部分之方式配設有絕緣層17，發熱體14透過該絕緣層17而重疊於發熱體引出電極15上。作為構成絕緣層17之絕緣材料，例如可使用導熱效率較佳之玻璃，可藉由於形成發熱體引出電極15後，對玻璃漿進行印刷、燒成(例如850℃ 30min)而形成。於形成絕緣層17後，發熱體14積層於絕緣基板10之背面10b上及絕緣層17上，並且透過絕緣層17與發熱體引出電極15重疊，與發熱體引出電極15之未被絕緣層17被覆之一部分連接。

熔絲元件1可藉由發熱體14與發熱體引出電極15透過絕緣層17重疊，從而於小型化之絕緣基板10上確保較大之發熱體14之形成空間。因此，熔絲元件1可使發熱體14之有效面積最大化，可迅速且穩定地熔斷可熔導體13。例如，若假定將熔絲元件1之絕緣基板之尺寸減小至3mm×2mm之情形，則可將發熱體14之尺寸增大為例如0.8mm×1.2mm。再者，當然本發明可於所有尺寸之絕緣基板上形成所有尺寸之發熱體。

再者，較佳為發熱體14與形成於發熱體引出電極15之通孔21之一部分或全部重疊。藉由發熱體14與通孔21重疊，發熱體14之熱亦可透過通孔21傳至中間電極16及搭載於中間電極16上之可熔導體13，而迅速熔斷可熔導體13。

又，熔絲元件1亦可進一步設置保護發熱體14之保護層(未 圖示)。保護層可較佳地使用玻璃等絕緣構件。藉此，熔絲元件1可防止與周邊機器等之短路，並且可防止發熱體14之磨耗或損傷，提高操作性。

再者，如圖2(B)所示，熔絲元件1於絕緣基板10之表面10a上搭載有保護內部之蓋24。藉此，熔絲元件1可防止熔融之可熔導體13之飛散，並且防止與周邊機器等之短路。蓋24可藉由尼龍或LCP樹脂(液晶聚合物)等合成樹脂形成。再者，蓋24之尺寸根據絕緣基板10之尺寸形成，例如將其尺寸設為2.8×1.8、厚度0.5mm。

[熔絲元件之使用方法]

如圖3所示，此種熔絲元件1例如組入鋰離子蓄電池之電池組30內之電路中使用。電池組30例如具有由共計4個鋰離子蓄電池之電池單元31~34所構成之電池堆35。

電池組30具備：電池堆35；充放電控制電路40，其控制電池堆35之充放電；應用本發明之熔絲元件1，其於電池堆35異常時遮斷充電；檢測電路36，其檢測各電池單元31~34之電壓；及電流控制元件37，其根據檢測電路36之檢測結果控制熔絲元件1之動作。

電池堆35係需要用於進行保護以避免處於過量充電及過量放電狀態之控制之電池單元31~34串聯連接而成者，其經由電池組30之正極端子30a、負極端子30b可裝卸地連接於充電裝置45，被施加來自充電裝置45之充電電壓。藉由將藉由充電裝置45充電之電池組30之正極端子30a、負極端子30b連接於利用電池進行動作之電子機器，可使該電子機器動作。

充放電控制電路40具備於自電池堆35流至充電裝置45之 電流路徑上串聯連接之2個電流控制元件41、42、以及控制該等電流控制元件41、42之動作之控制部43。電流控制元件41、42例如藉由場效電晶體(以下稱FET)構成，藉由控制部43控制閘極電壓，藉此控制電池堆35之電流路徑之充電方向及/或放電方向之導通與遮斷。控制部43以自充電裝置45接收電力供給而進行動作，並根據基於檢測電路36之檢測結果，於電池堆35過量放電或過量充電時遮斷電流路徑之方式控制電流控制元件41、42之動作。

熔絲元件1例如連接於電池堆35與充放電控制電路40之間之充放電電流路徑上，其動作藉由電流控制元件37控制。

檢測電路36與各電池單元31~34連接，檢測各電池單元31~34之電壓值，並將各電壓值供給至充放電控制電路40之控制部43。又，檢測電路36於電池單元31~34中之任一者變為過量充電電壓或過量放電電壓時輸出控制電流控制元件37之控制訊號。

電流控制元件37例如藉由FET構成，以藉由自檢測電路36輸出之檢測訊號，於電池單元31~34之電壓值變為超過既定過量放電或過量充電狀態之電壓時，使熔絲元件1動作，不依靠電流控制元件41、42之切換動作而遮斷電池堆35之充放電電流路徑之方式進行控制。

於以上構成所構成之電池組30中，應用本發明之熔絲元件1，具有圖4所示之電路構成。即，熔絲元件1之電路構成，係由透過中間電極16串聯之可熔導體13與經由發熱體引出電極15、中間電極16及可熔導體13通電而發熱據以使可熔導體13熔融之發熱體14構成。又，於熔絲元件1中，例如，可熔導體13串聯於充放電電流路徑上，發熱體14透過發 熱體電極23與電流控制元件37連接。熔絲元件1之2個電極11、12中之一者連接於電池堆35之一開放端，另一者連接於電池組30之正極端子30a側。

由此種電路構成所構成之熔絲元件1，藉由發熱體14之發熱而熔斷可熔導體13，藉此可確實地遮斷電流路徑。

再者，本發明之保護元件不僅限於用於鋰離子蓄電池之電池組之情形，當然亦能夠應用於需要透過電氣訊號來進行電流路徑之遮斷的各種用途。

[第2實施形態]

接著接著，說明應用本發明之熔絲元件之另一實施例。應用本發明之熔絲元件亦可使作為背面電極之第1、第2構裝電極與發熱體重疊。再者，於以下所說明之熔絲元件50、55中，對與上述熔絲元件1相同之構件係賦予相同元件符號，省略其詳細說明。圖5(A)、(B)所示之熔絲元件50於發熱體14與第1、第2構裝電極18、19透過第1、第2絕緣層51、52而重疊之方面與熔絲元件1不同。

熔絲元件50之第1、第2構裝電極18、19分別具有積層於絕緣基板10之背面10b之下層部18a、19a與積層於第2絕緣層52上之上層部18b、19b。下層部18a、19a於絕緣基板10之背面10b隔開而形成於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側。下層部18a、19a可使用Cu或Ag等一般之電極材料形成，例如，可藉由印刷Ag-Pd膏，並以850℃燒成30min形成。又，下層部18a、19a分別透過貫通絕緣基板10之通孔20與第1、第2電極11、12連接。

又，下層部18a、19a係除絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分外被第1絕緣層51被覆。作為構成第1絕緣層51之絕緣材料，例如可使用導熱效率較佳之玻璃，可藉由對玻璃漿進行印刷、燒成(例如850℃ 30min)來形成。

而且，熔絲元件50之第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a與發熱體14透過該第1絕緣層51重疊。發熱體14積層於絕緣基板10之背面10b上，並且與形成於絕緣基板10之背面10b之發熱體引出電極15及發熱體電極23連接。又，發熱體14積層有第2絕緣層52。第2絕緣層52具有發熱體14之面積以上之面積，被覆發熱體14之整體。作為構成第2絕緣層52之絕緣材料，例如可使用導熱效率較佳之玻璃，可藉由對玻璃漿進行印刷、燒成(例如850℃ 30min)來形成。而且，熔絲元件50之第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b透過該第2絕緣層52重疊於發熱體14上。發熱體14藉由透過第1、第2絕緣層51、52與第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a及上層部18b、19b重疊，從而與第1、第2構裝電極18、19絕緣。

上層部18b、19b與自第1絕緣層51露出之下層部18a、19a連接。又，上層部18b、19b係連接於構裝有熔絲元件50之保護電路等之電路基板之外部連接電極。熔絲元件50透過該等第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b與形成有外部電路之電路基板連接，跨及上層部18b、下層部18a、通孔20、第1電極11、可熔導體13、第2電極12、通孔20、下層部19a、上層部19b之路徑構成該外部電路之通電路徑之一部分。

此種熔絲元件50可藉由發熱體14與第1、第2構裝電極18、 19之上下層部18a、18b、19a、19b透過第1、第2絕緣層51、52重疊，而於小型化之絕緣基板10上確保較大之發熱體14之形成空間。因此，熔絲元件50可使發熱體14之有效面積最大化，可迅速且穩定地熔斷可熔導體13。又，熔絲元件50可確保第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b之充足之面積，可最大限地擴大對於電路基板之構裝面積，具備連接強度或既定額定值。

再者，較佳為發熱體14與形成於下層部18a、19a之通孔20之一部分或全部重疊。藉由發熱體14與通孔20重疊，發熱體14之熱以可透過通孔20傳至第1、第2電極11、12及搭載於第1、第2電極11、12上之可熔導體13，迅速熔斷可熔導體13。

又，關於第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a，亦可於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d設置城堡形接點代替通孔20或透過該城堡形接點與通孔20一起與第1、第2電極11、12導通。

再者，對於熔絲元件50，如圖5(B)所示第1絕緣層51分別設於下層部18a、19a，發熱體14跨於各第1絕緣層51間而重疊，但亦可將一個第1絕緣層51跨設於下層部18a、19a間，發熱體14之整體形成於第1絕緣層51上。藉由亦於絕緣基板10之背面10b與發熱體14之間設置第1絕緣層51，而可高效率地使發熱體之熱傳熱至絕緣基板10側。

此種熔絲元件50可藉由圖6~圖9所示之步驟製造。首先，如圖6所示，於絕緣基板10之背面10b形成發熱體引出電極15、第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a及發熱體電極23。接著，於下層部18a、19a上除絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分外形成第1絕 緣層51。

接著，如圖7所示形成發熱體14。發熱體14藉由形成於第1絕緣層51上與下層部18a、19a重疊。又，發熱體14與發熱體引出電極15及發熱體電極23連接。

接著，如圖8所示於發熱體14上形成第2絕緣層52。第2絕緣層52覆蓋發熱體14之整體，並且除絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分外使下層部18a、19a露出。

然後，如圖9所示於第2絕緣層52之上形成第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b。上層部18b、19b於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分與下層部18a、19a連接。

[第3實施形態]

又，如圖10(A)(B)所示，熔絲元件亦可不設置第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a，而透過城堡形接點53連接第1、第2電極11、12與上層部18b、19b。圖10所示之熔絲元件55相對於熔絲元件50，在不具備第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a之方面不同。此時，無需設置使發熱體14與下層部18a、19a絕緣之第1絕緣層51，但亦可於絕緣基板10之背面10b與發熱體14之間設置絕緣層。

此種熔絲元件55，可藉由圖11~圖14所示之步驟製造。首先，如圖11所示於絕緣基板10之背面10b形成發熱體引出電極15及發熱體電極23。接著，如圖12所示形成發熱體14。發熱體14與發熱體引出電極15及發熱體電極23連接。

接著，如圖13所示於發熱體14上形成第2絕緣層52。第2 絕緣層52覆蓋發熱體14之整體。然後，如圖14所示於第2絕緣層52之上形成第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b。上層部18b、19b透過形成於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d之城堡形接點53與形成於絕緣基板10之表面10a之第1、第2電極11、12連接。

[第4實施形態]

又，應用本發明之熔絲元件亦可使作為背面電極之發熱體引出電極及第1、第2構裝電極與發熱體重疊。再者，於以下說明之熔絲元件60中，對與上述熔絲元件1及熔絲元件50相同之構件係賦予相同元件符號，省略其詳細說明。圖15(A)(B)所示之熔絲元件60於發熱體14與發熱體引出電極15透過第3絕緣層61重疊，發熱體14與第1、第2構裝電極18、19透過第3、第4絕緣層61、62重疊之方面與熔絲元件1不同。

熔絲元件60之第1、第2構裝電極18、19分別具有積層於絕緣基板10之背面10b之下層部18a、19a、及積層於第4絕緣層62上之上層部18b、19b。

發熱體引出電極15及下層部18a、19a上積層有第3絕緣層61。藉此，發熱體引出電極15除絕緣基板10之第3側緣10e側之一部分外由第3絕緣層61被覆，下層部18a、19a除絕緣基板10之第1、第2側面10c、10d側之一部分外由第3絕緣層61被覆。作為構成第3絕緣層61之絕緣材料，例如可使用導熱效率較佳之玻璃，可藉由對玻璃漿進行印刷、燒成(例如850℃ 30min)來形成。而且，熔絲元件60之發熱體引出電極15及第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a與發熱體14透過該第3絕緣層61而重疊。

發熱體14積層於第3絕緣層61上，並且與未被第3絕緣層61被覆之發熱體引出電極15及形成於絕緣基板10之背面10b之發熱體電極23連接。又，發熱體14積層有第4絕緣層62。第4絕緣層62防止發熱體14與第1、第2構裝電極18、19之短路，至少被覆形成有第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b之區域上之發熱體14，較佳為被覆發熱體14之整體。作為構成第4絕緣層62之絕緣材料，例如可使用導熱效率較佳之玻璃，可藉由對玻璃漿進行印刷、燒成(例如850℃ 30min)來形成。

而且，熔絲元件60之第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b透過該第4絕緣層62重疊於發熱體14上。發熱體14透過第3、第4絕緣層61、62與第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a及上層部18b、19b重疊，藉此於與第1、第2構裝電極18、19絕緣之狀態下重疊。

上層部18b、19b與自第3絕緣層61露出之下層部18a、19a連接。又，上層部18b、19b係連接於構裝有熔絲元件60之保護電路等之電路基板之外部連接電極。熔絲元件60透過該等第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b與形成有外部電路之電路基板連接，跨及上層部18b、下層部18a、通孔20、第1電極11、可熔導體13、第2電極12、通孔20、下層部19a、上層部19b之路徑構成該外部電路之通電路徑之一部分。

此種熔絲元件60可藉由發熱體14與發熱體引出電極15透過第3絕緣層61重疊，並且透過第3、第4絕緣層61、62與第1、第2構裝電極18、19之上下層部18ab、19ab重疊，從而於小型化之絕緣基板10上確保較大之發熱體14之形成空間。因此，熔絲元件60可使發熱體14之有效面積最大化，可迅速且穩定地熔斷可熔導體13。例如，若假定將熔絲 元件60之絕緣基板之尺寸減小至3mm×2mm之情形，則可將發熱體14之尺寸增大為例如2.5mm×1.4mm。又，熔絲元件60可確保第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b之充足之面積，可最大限度地擴大對於電路基板之構裝面積，以獲得連接強度或既定額定值。

再者，較佳為發熱體14與形成於發熱體引出電極15及下層部18a、19a之通孔20、21之一部分或全部重疊。藉由發熱體14與通孔20、21重疊，發熱體14之熱亦可透過通孔20、21傳至第1、第2電極11、12、中間電極16及搭載於第1、第2電極11、12、中間電極16上之可熔導體13，迅速熔斷可熔導體13。

又，關於發熱體引出電極15及第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a，亦可於絕緣基板10之第1~第3側緣10c~10e設置城堡形接點代替通孔20、21或與透過該城堡形接點與通孔20、21一起與第1、第2電極11、12、中間電極16導通。

此種熔絲元件60可藉由圖16~圖19所示之步驟製造。首先，如圖16所示於絕緣基板10之背面10b形成發熱體引出電極15、第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a及發熱體電極23。接著，除下層部18a、19a上之絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分及發熱體引出電極15上之絕緣基板10之第3側緣10e側之一部分外，形成第3絕緣層61。

接著，如圖17所示形成發熱體14。發熱體14藉由形成於第3絕緣層61上與發熱體引出電極15及下層部18a、19a重疊。又，發熱體14與未被第3絕緣層61被覆之發熱體引出電極15之一部分及發熱體電 極23連接。

接著，如圖18所示於發熱體14上形成第4絕緣層62。第4絕緣層62覆蓋發熱體14之整體，並且除絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分外使下層部18a、19a露出。

然後，如圖19所示於第4絕緣層62之上形成第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b。上層部18b、19b於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d側之一部分與下層部18a、19a連接。

[第5實施形態]

又，如圖20(A)、(B)所示，熔絲元件亦可不設置第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a，透過城堡形接點63連接第1、第2電極11、12與上層部18b、19b。圖20所示之熔絲元件65相對於熔絲元件60於不具備第1、第2構裝電極18、19之下層部18a、19a之方面不同。此時，無需設置使發熱體14與下層部18a、19a絕緣之第3絕緣層61，但亦可於絕緣基板10之背面10b與發熱體14之間設置絕緣層。

此種熔絲元件65可藉由圖21~圖24所示之步驟製造。首先，如圖21所示於絕緣基板10之背面10b形成發熱體引出電極15及發熱體電極23。接著，如圖22所示形成發熱體14。發熱體14與發熱體引出電極15及發熱體電極23連接。

接著，如圖23所示，於發熱體14上形成第4絕緣層62。第4絕緣層62覆蓋發熱體14之整體。然後，如圖24所示於第4絕緣層62之上形成第1、第2構裝電極18、19之上層部18b、19b。上層部18b、19b透過形成於絕緣基板10之第1、第2側緣10c、10d之城堡形接點63與形成 於絕緣基板10之表面10a之第1、第2電極11、12連接。

[變化例]

此處，為了因應大電流而謀求熔絲元件額定值之提高，不僅要求可熔導體13本身之低電阻化，亦要求自形成於絕緣基板10之表面10a之第1、第2電極11、12至形成於絕緣基板10之背面10b之第1、第2構裝電極18、19之電流路徑之低電阻化。

而且，於透過設於絕緣基板10之側面之城堡形接點連接第1、第2電極11、12與第1、第2構裝電極18、19之方法，會產生難以充分獲得形成於城堡形接點之鍍層之厚度，熔絲元件整體之額定值由自第1、第2電極11、12至第1、第2構裝電極18、19之電流路徑規定，難以因應大電流。

因此，如上所述，於應用本技術之熔絲元件中第1、第2電極11、12分別透過貫通絕緣基板10之通孔20與設於背面10b之第1、第2構裝電極18、19連接。因連接第1、第2電極11、12及第1、第2構裝電極18、19間之通孔20構成熔絲元件1、50、60之通電路徑之一部分，成為確定電流額定值之要素，故而具有既定尺寸(例如0.3mm φ)，內部形成有連接第1電極11與第1構裝電極18、第2電極12與第2構裝電極19之導電層。

[熔絲元件70]

又，作為形成有具有導電層之導電通孔20之熔絲元件，除可應用於發熱體14形成於絕緣基板10之背面之上述熔絲元件1、50、60外，如圖25、圖26所示，亦可應用於絕緣基板之表面形成有發熱體之熔絲元件70。再者， 於以下所述之熔絲元件70之說明中，對與上述熔絲元件1、50、60相同之構件賦予相同元件符號，省略其詳細說明。

熔絲元件70，具備：絕緣基板10；發熱體14，其積層於絕緣基板10，被絕緣層17覆蓋；第1電極11及第2電極12，其形成於絕緣基板10之兩端；中間電極16，其以與發熱體14重疊之方式積層於絕緣層17上；及可熔導體13，其兩端分別連接於第1、第2電極11、12，中央部連接於中間電極16。

[第1、第2電極]

第1、第2電極11、12分別透過貫通絕緣基板10之通孔20與設於背面10b之作為外部連接電極之第1、第2構裝電極18、19連接。因連接第1、第2電極11、12及第1、第2構裝電極18、19間之通孔20構成熔絲元件70之通電路徑之一部分，為確定電流額定值之要素，故而具有既定尺寸(例如0.3mm φ)，內部形成有連接第1電極11與第1構裝電極18、第2電極12與第2構裝電極19之導電層。

[發熱體]

發熱體14可藉由於絕緣基板10之表面10a上使用網版印刷技術形成圖案，並進行燒成等形成。又，發熱體14之一端與發熱體引出電極15連接，另一端與發熱體電極23連接。

熔絲元件70以覆蓋發熱體14之方式配設有絕緣層17，以透過該絕緣層17與發熱體14對向之方式形成有中間電極16。為了將發熱體14之熱高效率地傳至可熔導體13，亦可於發熱體14與絕緣基板10之間積層絕緣層17。作為絕緣層17，例如可使用玻璃。

中間電極16之一端與自絕緣層17露出之發熱體引出電極15之一部分連接，並且透過發熱體引出電極15與發熱體14之一端連續。再者，發熱體引出電極15形成於絕緣基板10之第3側面10e側，發熱體電極23形成於絕緣基板10之第4側面10f側。又，發熱體電極23透過形成於第4側面10f之城堡形接點71與形成於絕緣基板10之背面10b之外部連接電極23a連接。

發熱體14，藉由熔絲元件70構裝於電路基板2，而透過外部連接電極23a與形成於電路基板2之外部電路連接。而且，發熱體14可藉由於遮斷外部電路之通電路徑之既定時點經由外部連接電極23a通電、發熱，而熔斷連接第1、第2電極11、12之可熔導體13。又，因發熱體14藉由可熔導體13熔斷，自身之通電路徑亦被遮斷，故而停止發熱。

再者，於熔絲元件70中，絕緣基板10之表面10a上亦搭載有保護內部之蓋24。

根據此種熔絲元件70，因第1、第2電極11、12分別透過導電通孔20與第1、第2構裝電極18、19連接，故與透過習知城堡形接點進行連接之情形相比，可充分確保導電層之厚度，實現第1、第2電極11、12與第1、第2構裝電極18、19之間之通電路徑之低電阻化。因此，熔絲元件70可不妨礙該通電路徑之額定值之提高，因應大電流用途。

又，於熔絲元件70，作為對發熱體14之通電路徑之發熱體電極23，透過城堡形接點71與形成於絕緣基板10之背面10b之外部連接電極23a連接。藉此，如圖27所示，熔絲元件70，在焊接至外部電路基板72時，於城堡形接點71形成填料73，故與使外部連接電極23a面連接之情 形相比，可提高對於外部電路基板72之構裝強度。又，藉由於熔絲元件70之對於外部電路基板72之構裝製程中確認填料73，可藉由目測或畫面檢查等輕易於判別是否已確實地連接熔絲元件70。

進而，熔絲元件70藉由利用城堡形接點71形成發熱體電極23與外部連接電極23a之通電路徑，與形成導電通孔之情形相比可實現發熱體電極23之狹小化，實現元件整體之小型化。

又，熔絲元件70亦可透過以印刷等方式形成於絕緣基板10側面之側面電極，將發熱體電極23與外部連接電極23a加以連接。此時，與透過城堡形接點71連接之情形同樣的，亦可藉由形成填料73而實現提高連接強度、或易於進行連接確認。進而，與形成導電通孔之情形相比可實現發熱體電極23之狹小化，實現元件整體之小型化。

再者，因對發熱體14之通電路徑與可熔導體13之通電路徑不同，並非確定熔絲元件70之額定值之要素，故與可熔導體13之通電路徑相比，可以是高電阻(例如數Ω級)。因此，熔絲元件70即便使用城堡形接點71或側面電極亦不損害額定值之提高。再者，一般而言形成城堡形接點71與藉由印刷等於絕緣基板10側面形成側面電極之情形相比構裝強度較高，又，製造步驟簡單，於製造成本方面亦有利。另一方面，為了形成城堡形接點71必須於發熱體電極23與外部連接電極23a設置凹部，與此相對側面電極可以所需最小限之面積形成發熱體電極23與外部連接電極23a，易於進一步實現小型化。

[城堡形接點]

再者，如圖28所示，熔絲元件70根據小型化之要求或製造成本等條件， 亦可於第1、第2電極11、12進一步形成城堡形接點74。此時，為了確保強度，較佳為相距既定間隔(例如導電通孔20之開口直徑之一半以上)設置城堡形接點74與導電通孔20。熔絲元件70藉由除導電通孔20外於第1、第2電極11、12設置城堡形接點74，可進一部降低導通電阻，並且可藉由填料之形成提高構裝強度，又，藉由確認填料可易於進行對於外部電路基板72之構裝確認。

[獨立電極]

又，如圖29所示，熔絲元件70為了提高對於外部電路基板72之構裝強度，於絕緣基板10之表面10a設置與第1、第2電極11、12及發熱體14之導通無關之第1獨立端子75，並且於絕緣基板10之背面10b設置與第1、第2電極11、12及發熱體14之導通無關之第2獨立端子76，並透過城堡形接點77連接此等第1、第2獨立端子75、76。

藉由設置透過城堡形接點77連接之第1、第2獨立端子75、76，形成至少1個填料，故熔絲元件70可提高對於外部電路基板72之構裝強度。

再者，熔絲元件70亦可藉由設於絕緣基板側面之側面電極連接第1、第2獨立端子75、76，沿該側面電極形成填料。

1‧‧‧熔絲元件

10‧‧‧絕緣基板

10a‧‧‧絕緣基板10之表面

10c、10d‧‧‧絕緣基板10之第1、第2側緣

11‧‧‧第1電極

12‧‧‧第2電極

13‧‧‧可熔導體

16‧‧‧中間電極

20‧‧‧通孔

21‧‧‧通孔

Claims (25)

1. 一種熔絲元件，其具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其形成於上述絕緣基板之表面；可熔導體，其跨接於上述第1、第2電極間；發熱體，其形成於上述絕緣基板之背面，藉由通電發熱以熔斷上述可熔導體；及背面電極，其形成於上述絕緣基板之背面；上述發熱體與上述背面電極透過絕緣層重疊。
2. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，上述背面電極係與上述發熱體連接之發熱體引出電極。
3. 如申請專利範圍第2項之熔絲元件，其中，上述發熱體引出電極透過貫通上述絕緣基板之導電通孔與形成於上述絕緣基板之表面且與上述可熔導體連接之中間電極連接。
4. 如申請專利範圍第3項之熔絲元件，其中，上述發熱體與上述導電通孔之一部分或全部重疊。
5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之熔絲元件，其中，上述發熱體引出電極透過設於上述絕緣基板之側面之城堡形接點與上述中間電極連接。
6. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之熔絲元件，其中，自上述絕緣基板之背面依序積層有上述發熱體引出電極、上述絕緣層、上述發熱體。
7. 如申請專利範圍第6項之熔絲元件，其中，上述發熱體被保護層被覆。
8. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，上述背面電極係與上述第1、第2電極連接、且構裝於電路基板之第1、第2構裝電極。
9. 如申請專利範圍第8項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極分別透過貫通上述絕緣基板之導電通孔，與形成於上述絕緣基板之表面之上述第1、第2電極連接。
10. 如申請專利範圍第9項之熔絲元件，其中，上述發熱體與上述導電通孔之一部分或全部重疊。
11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極透過設於上述絕緣基板之側面之城堡形接點與上述第1、第2電極連接。
12. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極具有設於上述絕緣基板之背面與上述發熱體之間之下層部、及與上述下層部連接且構裝於上述電路基板之上層部；自上述絕緣基板之背面依序積層有上述第1、第2構裝電極之上述下層部、第1絕緣層、上述發熱體、第2絕緣層、上述第1、第2構裝電極之上述上層部。
13. 如申請專利範圍第12項之熔絲元件，其中，上述第1絕緣層跨及上述第1、第2構裝電極之上述下層部間形成；上述發熱體形成於上述第1絕緣層上。
14. 如申請專利範圍第11項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極係由與上述第1、第2電極連接、且構裝於上述電路基板之上層部構成； 自上述絕緣基板之背面依序積層有上述發熱體、第2絕緣層、上述上層部。
15. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，上述背面電極係與上述發熱體連接之發熱體引出電極、及與上述第1、第2電極連接且構裝於電路基板之第1、第2構裝電極。
16. 如申請專利範圍第15項之熔絲元件，其中，上述發熱體引出電極透過貫通上述絕緣基板之導電通孔，與形成於上述絕緣基板之表面且與上述可熔導體連接之中間電極連接；上述第1、第2構裝電極分別透過貫通上述絕緣基板之導電通孔，與形成於上述絕緣基板之表面之上述第1、第2電極連接。
17. 如申請專利範圍第16項之熔絲元件，其中，上述發熱體與上述導電通孔之一部分或全部重疊。
18. 如申請專利範圍第16或17項之熔絲元件，其中，上述發熱體引出電極透過設於上述絕緣基板之側面之城堡形接點與上述中間電極連接；上述第1、第2構裝電極透過設於上述絕緣基板之側面之城堡形接點與上述第1、第2電極連接。
19. 如申請專利範圍第15至17項中任一項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極具有設於上述絕緣基板之背面與上述發熱體之間之下層部、及與上述下層部連接且構裝於上述電路基板之上層部；自上述絕緣基板之背面依序積層有上述發熱體引出電極及上述第1、第2構裝電極之上述下層部、第3絕緣層、上述發熱體、第4絕緣層、上述第1、第2構裝電極之上述上層部。
20. 如申請專利範圍第18項之熔絲元件，其中，上述第1、第2構裝電極係由與上述第1、第2電極連接、且構裝於上述電路基板之上層部構成；自上述絕緣基板之背面依序積層有發熱體引出電極、上述發熱體、第4絕緣層、上述上層部。
21. 一種熔絲元件，其具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其形成於上述絕緣基板之表面；可熔導體，其跨接於上述第1、第2電極間；發熱體，其形成於上述絕緣基板，藉由通電發熱以熔斷上述可熔導體；及第1外部連接電極及第2外部連接電極，其形成於上述絕緣基板之背面；且上述第1電極與上述第1外部連接電極、及上述第2電極與上述第2外部連接電極中之任一者或兩者透過貫通上述絕緣基板之導電通孔連接。
22. 如申請專利範圍第21項之熔絲元件，其中，上述第1電極與上述第1外部連接電極、及上述第2電極與上述第2外部連接電極中之任一者或兩者透過城堡形接點或設於上述絕緣基板之側面之側面電極連接。
23. 如申請專利範圍第21或22項之熔絲元件，其中，上述發熱體形成於上述絕緣基板之表面；上述熔絲元件，具備：發熱體引出電極，其設於上述絕緣基板之表面，與上述發熱體連 接；及中間電極，其於上述第1、第2電極間透過絕緣層而與上述發熱體重疊，並與上述發熱體引出電極及上述可熔導體連接；上述發熱體引出電極設有跨及上述絕緣基板之背面之城堡形接點。
24. 如申請專利範圍第21或22項之熔絲元件，其中，上述發熱體形成於上述絕緣基板之背面；上述熔絲元件，具備：中間電極，其設於上述第1、第2電極間，與上述可熔導體連接；及發熱體引出電極，其設於上述絕緣基板之背面，與上述發熱體連接；上述中間電極與上述發熱體引出電極透過貫通上述絕緣基板之導電通孔、城堡形接點或設於上述絕緣基板之側面之側面電極連接。
25. 如申請專利範圍第21或22項之熔絲元件，其中，於上述絕緣基板之表面設有與上述第1、第2電極及上述發熱體之導通無關之第1獨立端子；於上述絕緣基板之背面設有與上述第1、第2電極及上述發熱體之導通無關之第2獨立端子；上述第1、第2獨立端子透過城堡形接點或設於上述絕緣基板之側面之側面電極連接。