TW201723668A - 微影裝置、器件製造方法及控制程式 - Google Patents

Abstract

計算用於支撐一浸潤微影裝置中之一基板的一基板支撐件之一路線以滿足以下約束： 在該基板之邊緣首先接觸浸潤空間之後，該基板保持與該浸潤空間接觸直至曝光所有目標部分為止； 在該基板在一掃描方向上移動的同時執行目標部分之曝光；及 在曝光之間的該基板之所有移動在平行於其上部表面之一平面中彎曲或僅在該等掃描方向或橫向方向中之一者中進行。

Description

微影裝置、器件製造方法及控制程式

本發明係關於一種微影裝置、一種使用微影裝置來製造器件之方法，及一種用於微影裝置之控制程式。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 已將浸潤技術引入至微影系統中以使能夠改良較小特徵之解析度。在浸潤微影裝置中，具有相對高折射率之液體之液體層插入於該裝置之投影系統(經圖案化光束係通過該投影系統而朝向基板投影)與基板之間的空間中。液體最後覆蓋投影系統之最終透鏡元件下方的晶圓之部分。因此，經歷曝光的基板之至少部分浸潤於液體中。浸潤液體之效應係使能夠對較小特徵進行成像，此係因為曝光輻射在液體中相比於在氣體中具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。 在商用浸潤微影中，液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至浸潤空間之前經歷額外處理步驟。除了可使用水作浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。此外，已設想將除了液體以外之其他流體用於浸潤微影中。 在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中被限制至最終透鏡元件與面向該最終元件之表面之間的空間。對向表面為基板之表面或與基板表面共面的支撐載物台(或基板台)之表面。(請注意，除非另有明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦係指基板台之表面；且反之亦然)。存在於投影系統與載物台之間的流體處置結構用以將浸潤限制至浸潤空間。由液體填充之空間在平面圖上小於基板之頂部表面，且該空間相對於投影系統保持實質上靜止，而基板及基板載物台在下方移動。

施加至基板之圖案中之缺陷不理想，此係因為其縮減良率，亦即，每基板可用器件之數目。因為製造器件需要許多圖案化步驟，所以每曝光甚至極低缺陷速率亦可顯著縮減良率。存在為浸潤微影裝置所特有的兩種類型之缺陷。缺陷之速率可在基板相對於浸潤空間之移動速度增加的情況下而增加。 來自浸潤空間之液體小滴或液體膜(在下文中對小滴之參考亦涵蓋膜；膜為覆蓋較大表面積之小滴)可在目標部分之曝光之後留在基板上。若小滴與抗蝕劑接觸歷時一顯著時段，則其可使抗蝕劑降解。若小滴蒸發，則其可留下碎屑。由小滴留在基板上引起的缺陷(無論是藉由抗蝕劑降解抑或蒸發)在本文中被稱作尾隨缺陷。 若氣泡形成於浸潤液體中，則發生為浸潤微影裝置所特有的第二形式之缺陷。若氣泡移動至用以將圖案化器件之影像投影至基板上之投影光束之路徑中，則經投影影像將失真。由氣泡造成之缺陷在本文中被稱作曝光缺陷。 舉例而言，需要提供一種用以縮減為浸潤微影裝置所特有的缺陷之效應及/或增加浸潤液體裝置之產出率之系統。 根據本發明之一態樣，提供一種用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上之微影裝置，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間； 一定位器件，其經組態以定位該基板支撐件且藉此定位該基板；及 一控制器，其經組態以控制該定位器件使得該基板支撐件遵循包含如下各者之一路線： 一第一曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在一第一方向上移動； 一第一轉變運動，在此期間該基板在正交於該第一方向之一第二方向上加速且在該第一方向上減速； 一第二轉變運動，在此期間該基板之在含有該第一方向及該第二方向之一平面中的運動僅在該第二方向上進行； 一第三轉變運動，在此期間該基板在該第一方向上加速且在該第二方向上減速； 一第四轉變運動，其中該基板在含有該第一方向及該第二方向之該平面中的移動僅平行於該第一方向；及 一第二曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在平行於該第一方向之一方向上移動。 根據本發明之一態樣，提供一種使用一微影裝置來製造一器件之方法，該微影裝置用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間；及 一定位器件，其經組態以定位該基板支撐件且藉此定位該基板；該方法包含： 一第一曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在一第一方向上移動； 一第一轉變運動，在此期間該基板在正交於該第一方向之一第二方向上加速且在該第一方向上減速； 一第二轉變運動，在此期間該基板在含有該第一方向及該第二方向之一平面中的移動僅在該第二方向上進行； 一第三轉變運動，在此期間該基板在該第一方向上加速且在該第二方向上減速； 一第四轉變運動，其中該基板在含有該第一方向及該第二方向之一平面中的移動僅平行於該第一方向；及 一第二曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在平行於該第一方向之一方向上移動。 根據本發明之一態樣，提供一種用於計算用於在一微影裝置中支撐一基板的一基板支撐件之一路線之電腦程式，該微影裝置具有：一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至鄰近於該基板之一浸潤空間；及一驅動系統，其用於在第一方向至第四方向上定位該基板，該第一方向垂直於該第二方向，該第三方向與該第一方向相反且該第四方向與該第二方向相反，該路線使複數個目標部分能夠曝光於該基板上，且該電腦程式包含程式碼，該程式碼在由一處理器執行時計算滿足以下約束之一路線： 在該基板之邊緣首先接觸浸潤空間之後，該基板保持與該浸潤空間接觸直至曝光所有目標部分為止； 在該基板在該第一方向上或該第三方向上移動時執行目標部分之曝光；及 在曝光之間的該基板之所有移動在含有該第一方向及該第二方向之一平面中彎曲或僅在該第一方向至該第四方向中之一者上進行。 根據本發明之一態樣，提供一種用於計算用於在一微影裝置中支撐一基板的一基板支撐件之一路線之電腦程式，該微影裝置具有：一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至鄰近於該基板之一浸潤空間；及一定位系統，其用於在第一方向至第四方向上定位該基板，該第一方向垂直於該第二方向，該第三方向與該第一方向相反且該第四方向與該第二方向相反，該路線使複數個目標部分能夠曝光於該基板上，且該電腦程式包含程式碼，該程式碼在由一處理器執行時計算滿足以下約束之一路線： 在該基板在該第一方向上或該第三方向上移動時執行目標部分之曝光； 在曝光之間的該基板之所有移動在含有該第一方向及該第二方向之一平面中彎曲或僅在該第一方向至該第四方向中之一者上進行；且 該基板在平行於其上部表面之一平面中之所有移動限於小於或等於一預定最大速度的一速度，而無關於其方向。 根據本發明之一態樣，提供一種用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上之微影裝置，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間； 一定位器件，其經組態以在第一方向至第四方向上定位該基板支撐件且藉此定位該基板，該第一方向垂直於該第二方向，該第三方向與該第一方向相反且該第四方向與該第二方向相反；及 一控制器，其經組態以控制該定位器件使得該基板支撐件遵循包含如下各者之一路線： 一第一延伸型線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動； 一第一彎曲運動，在此期間該基板沿著一彎曲路徑移動； 一第一短線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動，該第二短線性運動短於該第一延伸型線性運動； 一第二彎曲運動，在此期間該基板沿著一彎曲路徑移動； 一第二短線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動，該第二短線性運動短於該第一延伸型線性運動； 一第三彎曲運動，在此期間該基板沿著一彎曲路徑移動；及 一第二延伸型線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動，該第二延伸型線性運動長於該第一短線性運動及該第二短線性運動中之每一者； 其中在該第一彎曲運動及該第二彎曲運動中之每一者之至少一部分期間該基板之該速度大於在該第一延伸型線性運動與該第二延伸型線性運動期間之該基板之該速度。  一種用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上之微影裝置，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間； 一定位器件，其經組態以在第一方向至第四方向上定位該基板支撐件且藉此定位該基板，該第一方向垂直於該第二方向，該第三方向與該第一方向相反且該第四方向與該第二方向相反；及 一控制器，其經組態以控制該定位器件使得該基板支撐件遵循包含如下各者之一路線： 一第一延伸型線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動； 一第二延伸型線性運動，在此期間該基板以一恆定速度在該第一方向至該第四方向中之一者上移動； 在該第一延伸型線性運動及該第二延伸型線性運動、一系列彎曲運動(在此期間基板沿著各別彎曲路徑移動)之間，在彎曲運動中之每一者之至少一部分期間之基板之速度大於在第一及第二延伸型線性運動期間之基板之速度。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台) WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於導引、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。光罩支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。光罩支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。光罩支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或多於兩個光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可對一或多個台或支撐件進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導引鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱為輻射系統。 照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。 一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。 控制器500控制微影裝置之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影裝置之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係係不必要的。一個電腦可控制多個微影裝置。多個經網路連接之電腦可用以控制一個微影裝置。控制器500亦可經組態以控制微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)中之一或多個關聯程序器件及基板處置器件，微影裝置形成該微影製造單元或叢集之部件。控制器500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。 用於在投影系統PS之最終透鏡元件與基板之間提供液體之配置可被分類成三個一般類別。此等類別為浴型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。本發明特定言之係關於局域化浸潤系統。 在已針對局域化浸潤系統所提議之配置中，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終透鏡元件與面向投影系統的載物台或台之對向表面之間的浸潤空間之邊界之至少一部分而延伸。台之對向表面如此被提及，此係因為台在使用期間移動且很少靜止。通常，台之對向表面為基板W、環繞該基板之基板台WT或此兩者的表面。 在一實施例中，如圖1所說明之液體限制結構12可沿著投影系統PS之最終透鏡元件100與基板台WT或基板W之間的浸潤空間之邊界之至少一部分而延伸。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W/基板台WT之表面之間。密封件可為非接觸式密封件，諸如氣體密封件16，或浸潤液體密封件。(全文據此以引用方式併入之歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之系統)。 液體限制結構12經組態以將浸潤液體供應及限制至浸潤空間。可藉由液體入口而使液體進入至浸潤空間中，且可藉由液體出口而移除液體。 液體可由氣體密封件限制於浸潤空間中。在使用中，氣體密封件形成於液體限制結構12之底部與台之對向表面(亦即，基板W之表面及/或基板台WT之表面)之間。氣體密封件中之氣體在壓力下經由入口而提供至液體限制結構12與基板W及/或基板台WT之間的間隙。該氣體經由與出口相關聯之通道被抽取。氣體入口上之過壓、出口上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置使得在內部存在限制液體之高速氣體流。液體限制結構12與基板W及/或基板台WT之間的液體上之氣體之力將液體限制於浸潤空間10中。全文據此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。 其他浸潤液體限制結構12可供本發明之實施例使用，諸如圖3中所描繪之配置。 圖2及圖3展示可存在於液體限制結構12之變化中之不同特徵。圖2所說明及下文所描述之配置可應用於上文所描述及圖1所說明之微影裝置。每一圖展示分別在該圖之底部左側及底部右側之液體限制結構之特徵的兩個不同配置。除非另有提及，否則該兩個設計共用共同特徵。除非有不同描述，否則該等設計可共用與上文所描述之特徵相同的特徵中之一些。可如所展示或根據需要而個別地或組合地選擇本文中所描述之特徵。 圖2展示圍繞最後透鏡元件之底部表面的限制結構12。最後透鏡元件100具有倒截頭圓錐形形狀。截頭圓錐形形狀具有平面底部表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平面表面突起且具有底部平面表面。底部平面表面為最後透鏡元件之底部表面的光學活性部分，投影光束可傳遞通過該光學活性部分。限制結構環繞截頭圓錐形形狀之至少部分。限制結構具有面朝向截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面及圓錐形表面具有互補形狀。限制結構之頂部表面實質上為平面。限制結構可圍繞最後透鏡元件之截頭圓錐形形狀而配合。液體限制結構之底部表面實質上為平面，且在使用中，底部表面可平行於台及/或晶圓之對向表面。底部表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內。 液體限制結構12延伸為相比於最後透鏡元件100較接近於晶圓W及晶圓台WT之對向表面。因此，浸潤空間10界定於液體限制結構12之內部表面、截頭圓錐形部分之平面表面與對向表面之間。在使用期間，浸潤空間10被填充有液體。液體填充透鏡與液體限制結構12之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中填充互補內部表面與圓錐形表面之間的浸潤空間10之至少部分。 通過形成於液體限制結構12之表面中的開口將液體供應至浸潤空間10。可通過液體限制結構之內部表面中的供應開口20供應液體。替代地或另外地，自形成於液體限制結構12之下表面中的下方供應開口23供應液體。下方供應開口可環繞投影光束之路徑，且其可由呈陣列形式之一系列開口形成。液體經供應以填充浸潤空間10，使得在投影系統下方通過該空間之流為層狀。在液體限制結構12下方自下方供應開口23供應液體會另外防止氣泡進入至浸潤空間10中。液體之此供應充當液體密封件。 可自形成於內部表面中之回收開口21回收液體。通過回收開口21的液體之回收可藉由施加負壓而進行；通過回收開口21之回收可由於通過空間之液體流的速度；或該回收可由於此兩者之結果。當以平面圖進行檢視時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外或替代地，可通過位於液體限制結構12之頂部表面上的溢流開口24回收液體，如右側配置中所展示。應注意，(若存在)溢流可圍繞液體限制結構之頂部、圍繞投影光束之路徑而延伸。 另外或替代地，可通過底部回收開口25、32自液體限制結構12下方回收液體。彎液面33形成於液體限制結構12與對向表面之間，且其充當液體空間與氣態外部環境之間的邊界。底部回收開口可為可以單相流回收液體之多孔板25。彎液面可在對向表面相對於液體限制結構之相對移動期間遍及多孔板之表面自由地移動。替代地，底部回收開口25可用以將液體彎液面33固持(或「牽制」)至液體限制結構12。底部回收開口可為回收液體所通過之一系列牽制開口32。牽制開口32可以雙相流回收液體。 氣刀開口26相對於液體限制結構12之內部表面視情況徑向地向外。可通過氣刀開口26以高速度供應氣體以輔助將浸潤液體限制於浸潤空間12中。經供應氣體可含濕氣且其可含有二氧化碳。經供應氣體可基本上由二氧化碳及水蒸氣組成。用於回收通過氣刀開口26所供應之氣體的氣體回收開口18自氣刀開口26徑向地向外。 圖3描繪液體限制結構12之另外兩個配置。分別針對該圖之底部左側及底部右側上之特徵來展示兩個不同配置。除非另有提及，否則該兩個設計共用共同特徵。為圖2所共有的圖3所展示之兩個配置之特徵共用相同元件符號。液體限制結構12具有與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補的內部表面。液體限制結構12之下表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平面表面較接近於對向表面。 通過形成於液體限制結構12之內部表面中的供應開口將液體供應至浸潤空間10。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口34位於內部表面上，在投影光束之路徑周圍隔開。 自浸潤空間10通過液體限制結構12之下表面中的回收開口25回收液體。隨著對向表面在液體限制結構12下方移動，彎液面33可在與對向表面之移動相同的方向上遍及回收開口25之表面而遷移。回收開口25可由多孔部件形成。可以單相回收液體。在一實施例中，以二相流回收液體。在液體限制結構12內之腔室35中接收二相流，其中將二相流分離成液體及氣體。通過單獨通道36、38自腔室35回收液體及氣體。 液體限制結構12之下表面的內部周邊39延伸至遠離內部表面之空間中以形成板40。內部周邊形成可經定大小以匹配於投影光束之形狀及大小的小孔徑。該板可用以在其任一側隔離液體。經供應液體朝向孔徑向內流動、流動通過內部孔徑，且接著在板下方朝向周圍回收開口25徑向地向外流動。 在一實施例中，液體限制結構12可呈兩個部分：內部部分12a及外部部分12b。出於方便起見，在圖3之右側部分中展示此配置。兩個部分可在平行於對向表面之平面中彼此相對地移動。內部部分可具有供應開口34且內部部分可具有溢流回收件24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分可具有用於回收在兩個部分之間流動之液體的中間回收件42。 為了縮減或最小化微影裝置之所有權成本，需要最大化產出率(亦即，曝光基板之速率)及良率(亦即，正確地運行之曝光器件之比例)。因為為產生器件可需要許多曝光步驟，所以每曝光之甚至低缺陷速率亦可引起良率之顯著縮減。 尾隨缺陷及曝光缺陷兩者之出現頻率傾向於隨著基板台WT與液體限制結構12之間的相對運動速度增加而增加。在掃描曝光期間之相對運動速度被稱作掃描速度。為增加產出率，需要掃描速度之增加。掃描速度之增加可導致缺陷增加，此係因為較難以將浸潤液體有效地限於浸潤空間10。尾隨缺陷及曝光缺陷傾向於並不橫越經曝光基板之區域隨機地或均一地分佈，而是在某些部位中以較高機率發生尾隨缺陷及曝光缺陷。尾隨缺陷及曝光缺陷之分佈可根據曝光配方(特別根據目標部分之曝光次序)而變化。為了縮減缺陷之發生率，可在曝光基板之某些目標部分時縮減掃描速度。然而，掃描速度之縮減不理想，此係因為掃描速度之縮減會縮減產出率。 應注意，在微影裝置中，通常基板台WT移動，而投影系統PS及液體限制結構12靜止。然而，常常方便的是將基板台WT之運動描述為好像基板台WT靜止且投影系統PS及液體限制結構12移動一樣。無論基板台WT及/或投影系統PS/液體限制結構12是否移動，本發明之實施例皆適用。 微影裝置可具備用以防止氣泡形成、防止氣泡雜散至投影光束之路徑中或自浸潤空間10移除氣泡之措施。此等措施可並非完全有效。將及時自浸潤空間10移除氣泡，或浸潤空間10內之氣體可溶解成浸潤液體，但氣泡仍可在曝光期間雜散至投影光束中且造成缺陷。可在氣泡形成之後曝光之前幾個目標部分中之任一者中的不可預測部位處發生缺陷。因此，難以判定曝光缺陷之原因；詳言之，可難以判定何時產生造成特定曝光缺陷的氣泡。 為了曝光一系列目標部分，通常預先計算曝光路線。曝光路線包括針對待曝光之每一目標部分進行之基板台WT之掃描運動，及針對下一掃描運動為了與基板台WT排成行在掃描運動之間的轉移運動。通常，依次曝光在非掃描方向(例如，X方向)上延伸的目標部分行中之每一目標部分。在曝光期間，基板台在實質上垂直於非掃描方向之掃描方向(例如，+Y方向)上移動，或在反轉掃描方向(例如，-Y方向)上移動。以序列形式之曝光在掃描方向與反轉掃描方向之間交替。因此，曝光運動及轉移運動一起形成曲折路線。曝光路線亦可包括供在曝光序列之前、期間或之後執行量測之運動。在曝光路線期間，基板W可自液體限制結構12之下方完全移出，使得浸潤液體不與基板W重疊。特別在曝光邊緣目標部分時發生此情形。為了將基板W帶入浸潤空間10下方之基板台WT之移動(亦即，基板邊緣超越彎液面17之移動)被稱作進入運動。 邊緣目標部分為與基板邊緣相交使得目標部分並非完整之目標部分。當矩形目標部分經疊對於圓形基板上時，不可避免的是將存在與基板邊緣相交且不完整的一些目標部分。通常出於兩個原因曝光邊緣目標部分。首先，若待曝光之圖案包括複數個器件，亦即，器件小於目標部分，則有可能使邊緣目標部分將包括整個器件。其次，若未曝光邊緣目標部分，則可經由諸如蝕刻或沈積之程序步驟而出現未經曝光邊緣目標部分與經曝光非邊緣目標部分之間的位準差。此位準差意謂緊接於未經曝光邊緣目標部分之目標部分在程序步驟期間經歷與不緊接於未經曝光邊緣部分之目標部分經歷之環境不同的環境，且因此，器件可未正確地形成。又，可在基板中出現應力。 在微影裝置中，可定義速度限度，其在本文中被稱作最大浸潤速度v_max 。可在產生供基板之曝光之路線期間應用最大浸潤速度。可在已產生路線之後應用最大浸潤速度。最大浸潤速度被定義為基板與浸潤空間之間的相對移動速度，在該速度下缺陷(尤其是尾隨缺陷)之風險變得不可接受。可理論上或憑經驗判定最大浸潤速度。最大浸潤速度可為針對給定微影裝置之預設值。最大浸潤速度可為取決於微影裝置之一或多個參數或曝光配方(諸如液體限制系統之一部分之操作速率，或在使用中之輻射敏感層(例如，抗蝕劑)之類型)之變數。最大浸潤速度可為經使用者判定之值。最大浸潤速度可大於在曝光期間所使用之掃描速度使得僅在轉移在諸曝光之間移動期間應用限速。 微影裝置可具有兩個獨立驅動器以用於在兩個正交方向(例如，平行於X軸及平行於Y軸)上定位基板支撐件。Y軸可為供執行曝光掃描之方向且可被稱作掃描方向。為了縮減所需之計算之量，可在X及Y方向上獨立產生界定路線之設定點。可使用如文件全文藉此以引用方式併入之US 7,679,719 B2中所描述的座標變換程序來應用限速。 圖4描繪經疊對於基板W上之110個目標部分之配置。目標部分之其他配置係可能的。將看到，42個目標部分Ce與基板邊緣WE相交；此等目標部分為邊緣目標部分。為了最小化缺陷，以較慢掃描速度曝光約30個目標部分(包括一些邊緣目標部分)。此等目標部分被表示為Cs且由較不緻密影線指示。較慢掃描速度可為曝光其他目標部分Cf之掃描速度的約50%。因此，可看到，以較慢掃描速度執行曝光以縮減缺陷之形成可造成產出率之顯著縮減。 曝光缺陷之較高速率係與造成浸潤空間10完全離開基板之基板運動相關聯。若在浸潤空間離開基板時浸潤空間之後邊界(例如，浸潤液體之彎液面)近似平行於基板邊緣WE，則缺陷之速率可特別高。可在邊緣目標部分之曝光之後在習知轉回運動中發生此情形，其中基板在一方向上移動使得在必須在彼方向上進一步移動基板時基板自浸潤空間下方移出以排成行用於下一目標部分之曝光。在習知轉回運動中，基板繼續在曝光方向(例如，+Y)上移動，直至其已幾乎離開直到有必要為了下一曝光排成行為止，接著其在Y方向上減速同時在垂直方向(例如，-X)上加速，以便橫越過供進行下一曝光。在Y方向上已達到速度0的情況下，基板以直線在-X方向上移動直至其接近下一曝光之線為止。基板接著在X方向上減速，同時在下一曝光之方向上加速。可藉由最大化加速度及減速度之量值而最佳化此移動之速度。所得路線類似於柵格規劃：基板主要在平行於X軸及Y軸之方向上移動，其中在移動方向之間具有緊密彎曲轉變(在本文中被稱作彎曲運動)。 為了避免浸潤空間10離開基板，已提議經修改轉回運動。圖5中由點鏈線展示之轉回運動R21避免將基板W自浸潤空間10下方完全移出。轉回運動R21確保基板W之一部分在轉回運動期間始終與浸潤空間10部分地重疊。可在路由程式中藉由強加對基板台之所允許移動範圍之約束來計算合適經修改轉回R21。約束可為環繞基板位置之多邊形51。 圖6說明另一經修改轉回運動R21'，其中基板台進行轉彎且接著進行直線對角運動而非如圖5所展示之彎曲運動。圖6亦展示用於曝光複數個目標部分之曝光路線R30。 然而，本發明人已發現，儘管在一些情況下存在對習知轉回運動之改良，但經修改轉回運動R21及R21'並不在所有情況下最佳。詳言之，基板沿著延伸型曲線移動或以直線以與X及Y方向成一角度而移動之經修改轉回運動之部分係與較高程度之缺陷相關聯。據信此係因為當基板在近似垂直於浸潤空間10之後邊緣之方向上移動時存在液體損耗至基板上之較高風險。可藉由在基板在與液體損耗之較高風險相關聯之方向上移動時縮減基板之速度而減輕液體損耗之此風險。當然，縮減基板之速度會縮減產出率。 圖7描繪針對接近於基板之邊緣的兩個目標部分之曝光之間的轉移運動之若干選項。在圖7中，由線型I至IV指示之線描繪浸潤空間之質心相對於基板之移動，但如上文所提及，在大多數狀況下浸潤空間靜止且基板移動。點鏈線表示一邊界，該邊界若由浸潤空間之質心超越則意謂基板邊緣將失去與浸潤空間的接觸，亦即，浸潤空間移動偏離基板。 在圖7中，被標註為II之點線表示習知「柵格規劃」路線之一部分，其中在完成曝光移動E1之後，基板在同一方向(例如，+Y)上繼續移動直至其已在彼方向上移動幾乎足夠遠以針對下一曝光移動E2排成行為止。基板支撐件接著開始在掃描方向上減速且在橫向方向(例如，+X)上加速且因此進行彎曲運動或轉彎。當基板支撐件已在掃描方向上達到速度0時，其在橫向方向上以直線繼續移動直至與待曝光之下一目標部分之中心線幾乎對準為止。此時，基板支撐件在適當方向上為了下一目標部分之經掃描曝光而加速，該方向在此實例中與曝光移動E1之掃描方向相反；且在橫向方向上減速。因此，基板支撐件進行另一彎曲運動或轉彎至待曝光之下一目標部分之中心線上。基板支撐件可在開始曝光運動E2之前進行短「起動(run-up)」運動。起動運動允許基板支撐件加速至掃描速度且其速度在曝光運動開始之前完全穩定。 藉由使加速度及減速度儘可能地高，使得彎曲運動儘可能緊密且轉移運動儘可能快速而針對產出率最佳化習知「柵格規劃」路線。「柵格規劃」路線可受速度限制。儘管「柵格規劃」路線可提供最高產出率，但可看到，浸潤空間之質心超越邊界且基板邊緣將失去與浸潤空間的接觸，亦即，浸潤空間移動偏離基板。因此，「柵格規劃」路線呈現缺陷之增加之風險。 為了避免基板失去與浸潤空間的接觸，可使用虛線路線III及長虛線路線I。虛線路線III在本文中被稱作「對角」路線，且涉及基板台在曝光運動E1結束之後不久在橫向方向上進行快加速，使得其遵循對角線以到達至曝光運動E2之起動開始之位置。長虛線路線I在本文中被稱作「長曲線」路線，且涉及較低加速及減速使得在第一曝光運動結束之後且在起動運動之前執行較輕微彎曲運動。對角路線行進為較接近基板之中心，且因此縮減浸潤空間移動偏離基板之機會，但缺陷之風險可歸因於對角移動之速度增加而較高。 在本發明之一實施例中，提議在本文中被稱作「內部曲線」路線之新路線。一實例在圖7中由實線IV描繪。在本發明之一實施例中，在第一曝光運動E1結束之後直接執行第一彎曲運動。接著執行橫向運動，其中基板支撐件在橫向方向(亦即，垂直於掃描方向)上移動。第一橫向運動以第二彎曲運動結束以將基板帶入至正確線上以用於第二曝光運動E2且在轉移方向上靜止。在具有或不具有起動運動的情況下，執行第二橫向運動，其中基板台在掃描方向上移動至適當位置以開始第二曝光運動。第一彎曲運動、第二彎曲運動、第一橫向運動及第二橫向運動一起形成轉移運動。可藉由路線產生器藉由應用如下約束而產生內部曲線路線：在朝向基板邊緣運用掃描方向曝光邊緣目標部分之後，就在彼邊緣目標部分之曝光之後儘可能快地發生朝向基板內部之彎曲運動或轉彎。相反，在遠離基板邊緣運用掃描方向曝光邊緣目標部分之後，應儘可能遲地發生彎曲運動。 理想地，在曝光運動結束之後直接地(亦即，儘可能快地)執行第一彎曲運動。曝光運動之結束可被定義為器件層及任何鄰近切割道標記之曝光之結束。可能藉由投影光束在基板位階處之截止來標記曝光運動之結束。可藉由停止光束源來截止投影光束。替代地或另外，可在基板位階處藉由封閉控制圖案化器件之照明之遮蔽葉片(例如，REMA葉片)來截止光束。可在曝光運動結束時提供短後續通過(follow-through)運動，其中基板台以掃描速度繼續在掃描方向上移動。後續通過運動確保後續運動之起始不干擾曝光運動之結束。 在一實施例中，在曝光運動結束之後儘可能快地執行第一彎曲運動以確保基板在整個諸曝光運動期間之間的轉移運動保持與浸潤空間接觸。自圖7應理解，第一曝光運動結束相對於基板邊緣之位置(其係藉由各別目標部分之位置而判定)判定可在基板並未失去與浸潤空間之接觸的情況下在第一彎曲運動開始之前在掃描方向上行進的距離之量。然而，需要在曝光運動結束之後儘可能快地開始彎曲運動，以便最小化離開基板之浸潤空間之區域。 在一實施例中，在針對整個目標部分之曝光運動所花費之時間的1%內、5%內或10%內(例如，在10毫秒內)開始第一彎曲運動。在一實施例中，在基板已行進多於整個目標部分之長度的1%、多於該長度的5%或多於該長度的10%之前(例如，不超過3毫米)開始第一彎曲運動。 在其他情況下，在下一曝光運動E2之前儘可能遲地執行第一彎曲運動。一般而言，第一彎曲運動之定時經選擇為確保基板並不失去與浸潤空間的接觸。換言之，基板之邊緣並不自浸潤液體下方移出。儘可能遲地執行第一彎曲運動仍可允許在下一掃描之前在掃描方向上之恆定速度運動，以允許伺服控制系統之穩定。 在一實施例中，使在掃描方向及橫向方向上之加速及減速時段之開始及結束同步。舉例而言，在橫向方向上之加速與在掃描方向上之減速同時地開始及結束。 在本發明之一實施例中，基板支撐件可在六個自由度(例如，X、Y、Z、Rx、Ry、Rz)中藉由第二定位器PW定位。自由度Rn表示圍繞平行於方向N之軸線之旋轉。本發明之路線僅關於基板在X-Y平面(亦即，含有X及Y方向之平面)中之定位。在其他自由度中之移動可疊置於本發明之路線上，(例如)以補償基板及/或投影系統之最佳聚焦平面之失真。 第二定位器PW可劃分成實現相對長範圍但在X及Y方向上之相對低精度移動的長衝程模組，及實現相對短然為但在所有六個自由度中之相對高精度移動的短衝程模組。可藉由長衝程模組運用藉由疊置之短衝程模組之校正性移動來實現本發明之路線。 長衝程模組可劃分成掃描方向驅動(亦被稱作Y驅動)及橫向方向驅動(亦被稱作X驅動)。在一實施例中，線性馬達用於被稱為H驅動之配置中。在一實施例之路線中，可藉由僅啟動掃描方向驅動而執行被描述為「在掃描方向上」之運動。相似地，可藉由僅啟動橫向方向驅動而執行被描述為「在橫向方向上」之運動。 在一實施例中，長衝程模組包含平面馬達，其具有與X及Y方向成一角度之複數個線圈集合，該複數個線圈集合相對於磁體之二維陣列起作用。可將線圈提供於移動部分(壓力器)中，且將磁體提供於靜態部分(定子)中，或反之亦然。藉由控制不同線圈中之電流之相位來控制在不同方向上之移動，使得並不可能將平面馬達分離至負責實現在不同方向上之移動的部分中。因此，整個平面馬達將為作用中的，即使執行僅在一個方向上之運動亦如此。 在本發明之一實施例中，在一指定方向上之移動應被認為涵蓋在指定方向5度內、理想地2度內之方向上之移動。 圖8描繪用於目標部分C001至C107曝光於基板上之路線R40。以編號次序來曝光該等目標部分。以緻密影線(例如，C104)描繪之目標部分為以低速度曝光之邊緣目標部分。以輕影線(例如，C085)描繪之目標部分為以低速度但快於密集加影線之目標部分而曝光的邊緣目標部分。曝光邊緣目標部分，但曝光運動僅涵蓋與基板重疊的目標部分之部分，而非邊緣目標部分之全長。已藉由最佳化產出率來計算路線R40，且路線R40包括長對角運動R41、R42。對角運動R41、R42為在一列結束時之目標部分之曝光與在下一列開始時之目標部分之曝光之間的轉移移動。對角運動R41出現在邊緣目標部分C104之曝光之後，且重新定位基板以用於邊緣目標部分C105之曝光。對角運動R42出現在邊緣目標部分C003之曝光之後，且重新定位基板以用於邊緣目標部分C004之曝光。 當最佳化產出率時，對角運動R41、R42包括以比最大浸潤速度更高的速度移動，從而導致歸因於浸潤液體損耗至基板上的缺陷之風險增加。需要在此等運動期間限制基板之移動速度，從而導致產出率損耗。 圖9描繪根據本發明之一實施例的用於曝光如圖8中之目標部分之相同配置的路線R50。藉由應用如下約束來產生路線R50： ● 直線運動必須在掃描(+/-Y)方向或橫向(+/-X)方向上 ● 直線運動由彎曲運動接合 ● 不應用方向相依速度約束。 因此，路線R50用L形運動R51、R52替換一列結束與下一列開始之間的長對角移動，L形運動R51、R52基本上由在掃描及橫向方向上由曲線運動接合之運動組成。路線R50提供最大產出率與歸因於自浸潤空間之液體損耗之缺陷之最小風險。應注意，在路線R50中，在邊緣目標部分之曝光之後之轉回移動符合一般「柵格規劃」，且因此可涉及基板W損失與浸潤空間的接觸。若是，則可應用在邊緣目標部分之曝光之後(如上文參看圖7所論述)儘可能快地發生彎曲運動或轉彎朝向基板內部之額外約束。 圖10描繪供曝光已藉由應用根據本發明之約束而產生之整個基板的路線R60。應用如用於圖9中相同之習用影線，亦即，緻密影線指示針對彼目標部分之較慢曝光速度。 將看到，路線R60包括在一列結束時之邊緣目標部分之曝光與下一列開始時之邊緣目標部分之曝光之間的長橫向運動。參見(例如)目標部分C104與目標部分C105之間的移動R66。 「儘可能快的」橫向運動之若干實例在路線R60中：目標部分C004與C005之間的R61；目標部分C010與C011之間的R62；目標部分C012與C013之間的R63；及目標部分C085與C086之間的R65。 在處於同一行之目標部分C023與C024之間，不必需橫向運動。取而代之，在目標部分C023之曝光之後，基板保持在掃描方向(+Y)上橫越目標部分C024之整個寬度且超出該整個寬度移動。基板接著在R64處反轉方向以曝光目標部分C024。 以上約束亦可應用於並不涉及基板與浸潤空間之間的接觸的基板支撐件之移動。下文參看圖11描述一實例。 在基板之曝光之前及/或之後，常常需要進行投影光束之量測。舉例而言，兩個影像感測器(例如，透射影像感測器)可用以量測投影系統之最佳聚焦平面與基板支撐件之間的關係以便將基板對準至經投影影像。為了進行此量測，移動基板支撐件以在投影系統之最佳聚焦平面中定位第一影像感測器61且進行量測。接著移動基板支撐件以在最佳聚焦平面中定位第二影像感測器62且進行第二量測。第一影像感測器61及第二影像感測器62可處於基板W之相對側上。在第一影像感測器61與第二影像感測器62之間移動時，需要使浸潤空間不接觸基板W以便避免浸潤液體留在基板上之可能性。因此，必須移動基板支撐件WT使得浸潤空間圍繞基板W。 如圖11中所展示，基板支撐件WT為大體上矩形，其具有截止隅角。因此，簡單L形移動無法用以自第一影像感測器61轉至第二影像感測器62。R70展示第一路線，其避免浸潤空間離開基板支撐件之邊緣，但此引起浸潤空間開始與基板W接觸。因此，在一實施例中使用替代移動R71。此替代移動在掃描方向及橫向方向上具有彎曲運動及線性運動之序列，因此滿足以上約束同時維持高產出率。 在一實施例中，電腦程式計算路由指令之最佳集合，其包括經縮減速度掃描、經修改轉回運動、清潔移動及掃描方向改變中之任一者或全部，此考量液體損耗之機率以最大化良率。 可藉由併入於微影裝置中之控制系統或電腦或藉由一或多個分離電腦執行浸潤液體損耗之預測、額外清潔移動之產生及經修改路由指令之產生。可在生產曝光之前或適時地在曝光期間執行方法之此等步驟。經修改路由指令可被產生一次且應用於待運用相同配方而曝光之複數個基板。 在一實施例中，用以計算或執行曝光路線之指令可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。電腦程式可作為升級而應用於現有微影裝置。 儘管在此文字中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或約436奈米、405奈米、365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中之任一者或組合。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。 本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此等媒體之硬體。因此，該(等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。 應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將浸潤液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。該液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個流體開口(包括一或多個液體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口)之組合。該等開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制浸潤液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。 上文之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

10‧‧‧浸潤空間
100‧‧‧最後透鏡元件
12‧‧‧液體限制結構
12a‧‧‧內部部分
12b‧‧‧外部部分
17‧‧‧彎液面
18‧‧‧氣體回收開口
20‧‧‧供應開口
21‧‧‧回收開口
23‧‧‧下方供應開口
24‧‧‧溢流開口/溢流回收件
25‧‧‧底部回收開口/多孔板
26‧‧‧氣刀開口
32‧‧‧底部回收開口/牽制開口
33‧‧‧液體彎液面
34‧‧‧供應開口
36‧‧‧通道
38‧‧‧通道
39‧‧‧內部周邊
40‧‧‧板
42‧‧‧中間回收件
500‧‧‧控制器
51‧‧‧多邊形
61‧‧‧第一影像感測器
62‧‧‧第二影像感測器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
C001至C107‧‧‧目標部分
Ce‧‧‧目標部分
Cf‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
Cs‧‧‧目標部分
E1‧‧‧曝光移動
E2‧‧‧曝光移動/曝光運動
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M₁‧‧‧光罩對準標記
M₂‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩支撐結構/光罩台
P₁‧‧‧基板對準標記
P₂‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
R21‧‧‧轉回運動
R21'‧‧‧轉回運動
R30‧‧‧曝光路線
R40‧‧‧路線
R41‧‧‧對角運動
R42‧‧‧對角運動
R50‧‧‧路線
R51‧‧‧L形運動
R52‧‧‧L形運動
R60‧‧‧路線
R61‧‧‧橫向運動
R62‧‧‧橫向運動
R63‧‧‧橫向運動
R64‧‧‧橫向運動
R65‧‧‧橫向運動
R66‧‧‧移動
R70‧‧‧第一路線
R71‧‧‧移動
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板/晶圓
WE‧‧‧基板邊緣
WT‧‧‧基板台/晶圓台

現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1示意性地描繪根據一實施例之微影裝置； 圖2示意性地描繪根據一實施例的用於微影投影裝置中之兩個浸潤液體限制結構； 圖3為根據一實施例的示意性地描繪用於微影投影裝置中之另外兩個浸潤液體限制結構配置的側橫截面圖； 圖4描繪基板上之目標部分之配置及所應用之不同掃描速度； 圖5描繪基板在邊緣目標部分之曝光之間轉回之曝光路線的部分； 圖6描繪基板台之移動受約束使得浸潤液體之部分與基板持續重疊之曝光路線的一部分； 圖7描繪鄰近於基板之邊緣之曝光路線之一部分的各種選項； 圖8描繪用於發生尾隨缺陷風險的整個基板之曝光路線； 圖9描繪根據本發明之一實施例的用於整個基板之曝光路線； 圖10描繪根據本發明之一實施例的用於整個基板之另一曝光路線；及 圖11描繪用於感測器之間的基板之路線。

C001至C107‧‧‧目標部分

R50‧‧‧路線

R51‧‧‧L形運動

R52‧‧‧L形運動

W‧‧‧基板/晶圓

Claims (10)

1. 一種用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上之微影裝置，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間； 一定位器件，其經組態以定位該基板支撐件且藉此定位該基板；及 一控制器，其經組態以控制該定位器件使得該基板支撐件遵循包含如下各者之一路線： 一第一曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在一第一方向上移動； 一第一轉變運動，在此期間該基板在正交於該第一方向之一第二方向上加速且在該第一方向上減速； 一第二轉變運動，在此期間該基板在含有該第一方向及該第二方向之一平面中的運動僅在該第二方向上進行； 一第三轉變運動，在此期間該基板在該第一方向上加速且在該第二方向上減速； 一第四轉變運動，其中該基板在含有該第一方向及該第二方向之該平面中的移動僅平行於該第一方向；及 一第二曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在平行於該第一方向之一方向上移動。
2. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經組態以在該第一曝光運動之結束之後直接開始該第一轉變運動，或其中該控制器經組態以在該第一曝光運動之該結束之後之一預定持續時間內開始該第一轉變運動，該預定持續時間為用於使一曝光運動曝光一整個目標部分所花費之時間的不到1%、不到5%或不到10%，或其中該控制器經組態以在該基板已移動多於與該第一曝光運動之該結束相隔之一預定距離之前開始該第一轉變運動，該預定距離為一整個目標部分之長度的不到1%、不到5%或不到10%。
3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該控制器經組態以在整個該第一轉變運動期間以一彎曲路徑移動該基板，及/或其中該控制器經組態以在整個該第三轉變運動期間以一彎曲路徑移動該基板。
4. 如請求項3之微影裝置，其中該基板在沿著該彎曲路徑移動時之速度大於該基板在該第一方向或該第二方向上移動時之該速度，或其中該基板在沿著該彎曲路徑移動時之該速度不大於該基板在該第一方向或該第二方向上移動時之該速度。
5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該控制器經組態以在該第二曝光運動期間在第三方向上移動該基板，該第三方向與該第一方向相反。
6. 一種使用一微影裝置來製造一器件之方法，該微影裝置用於將一經圖案化光束曝光至一基板之目標部分上，該裝置包含： 一投影系統，其經組態以投影一經圖案化光束且具有一最終光學元件； 一基板支撐件，其經組態以在該經圖案化光束中支撐一基板； 一液體限制結構，其經組態以將一液體限制至該最終光學元件與該基板之間的一浸潤空間；及 一定位器件，其經組態以定位該基板支撐件且藉此定位該基板；該方法包含： 一第一曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在一第一方向上移動； 一第一轉變運動，在此期間該基板在正交於該第一方向之一第二方向上加速且在該第一方向上減速； 一第二轉變運動，在此期間該基板在含有該第一方向及該第二方向之一平面中的移動僅在該第二方向上進行； 一第三轉變運動，在此期間該基板在該第一方向上加速且在該第二方向上減速； 一第四轉變運動，其中該基板在含有該第一方向及該第二方向之該平面中的移動僅平行於該第一方向；及 一第二曝光運動，在此期間該基板以一恆定速度在平行於該第一方向之一方向上移動。
7. 如請求項6之方法，其中該控制器經組態以在該第一曝光運動之結束之後直接開始該第一轉變運動，或其中該控制器經組態以在該第一曝光運動之該結束之後之一預定持續時間內開始該第一轉變運動，該預定持續時間為用於使一曝光運動曝光一整個目標部分所花費之時間的不到10%，或其中該控制器經組態以在該基板已移動多於與該第一曝光運動之該結束相隔之一預定距離之前開始該第一轉變運動，該預定距離為一整個目標部分之長度的不到10%。
8. 如請求項6或7之方法，其中該控制器經組態以在整個該第一轉變運動期間以一彎曲路徑移動該基板，及/或其中該控制器經組態以在整個該第三轉變運動期間以一彎曲路徑移動該基板。
9. 如請求項8之方法，其中該基板在沿著該彎曲路徑移動時之速度大於該基板在該第一方向或該第二方向上移動時之該速度，或其中該基板在沿著該彎曲路徑移動時之該速度不大於該基板在該第一方向或該第二方向上移動時之該速度。
10. 如請求項6或7之方法，其中該控制器經組態以在該第二曝光運動期間在第三方向上移動該基板，該第三方向與該第一方向相反。