JP2015204323A - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大型化した基板を露光するのに適した露光技術を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上のショットの配列情報に基づいて、ウエハＷ上の複数のショットＳＡに対して液浸領域ＩＡを介して露光する露光方法であって、その配列情報中の行Ｒ１に属する左側の行ＲＬ１の複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第１露光工程と、その第１露光工程の後に、行Ｒ１と異なる行Ｒ１７に属する複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第２露光工程と、その第２露光工程の後に、行Ｒ１に属するショットであってその第１露光工程で露光したショットと異なる右側の行ＲＲ１のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光する第３露光工程と、を含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板の表面に配列された複数の領域を露光する露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。

半導体素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を生産するためのフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置として、解像力をより高めるために、投影光学系と露光対象の基板との間の局所的な領域に液体を供給して液浸領域を形成し、露光光によってその液浸領域を介して基板を露光する、いわゆる液浸方式の露光装置が使用されている。また、電子デバイスを製造する際のスループット（生産性）を高めるために、露光対象の基板としての円板状の半導体ウエハ（以下、単にウエハと言う。）の直径のＳＥＭＩ(Semiconductor Equipment and Materials International)規格(SEMI standards)は、数年ごとに１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍとほぼ１．２５〜１．５倍の割合で大きくなってきている。

従来の液浸方式の露光装置において、直径が３００ｍｍのウエハの表面に複数行にわたって配列された複数のショット領域を露光する場合、そのウエハの一端側の行のショット領域から他端側の行のショット領域に向かって順に露光が行われていた（例えば、特許文献１参照）。

米国特許出願公開第２００８／９４５９３号明細書

最近、電子デバイスを製造する際のスループットをより高めるために、ＳＥＭＩ規格では、直径４５０ｍｍのウエハの規格化が行われている。このように大型化したウエハでは、単にそのウエハの一端側の行のショット領域から他端側の行のショット領域に向かって順に露光を行うと、露光後にウエハをアンローディング位置まで移動するための距離が長くなり、露光工程のスループットが低下する恐れがある。

さらに、大型化したウエハに対して液浸方式で露光を行う場合、ウエハと液浸領域とが接触している時間が長くなるため、ウエハの表面（ウエハのエッジ部及びこの近傍の表面を含む）において液浸領域が通過した後の残水、及び／又は液浸領域中に混入した異物の残留等が生じやすくなる恐れがある。このようなウエハの表面の残水及び／又は異物の残留が多くなると、最終的に製造される電子デバイスの歩留まりが低下する恐れがある。

本発明の態様は、このような事情に鑑み、大型化した基板を露光するのに適した露光技術を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様によれば、複数のショット領域の配列を規定する配列情報に基づいて、基板上の複数の領域に対して液浸領域を介して露光する露光方法であって、その配列情報に含まれる第１配列に属する複数の領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光を行う第１露光工程と、その第１露光工程の後に、その第１配列と異なる第２配列に属する複数の領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光を行う第２露光工程と、その第２露光工程の後に、その第１配列に属する領域であってその第１露光工程で露光した領域と異なる領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光する第３露光工程と、を含む露光方法が提供される。

第２の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して走査して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の行のうちの一の行に属する複数のその領域に対する露光が、その基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、その一の行で最後に露光されるその領域に対して、その一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光されるその領域が、その最後に露光されるその領域に対してその第２方向にずれているときに、その最初に露光されるその領域に対する露光時のその基板に対するその液浸領域の相対的な走査方向が、その基板の外側からその基板に向かう露光方法が提供される。

第３の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して走査して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の行のうちの一の行に属する複数のその領域に対する露光が、その基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、その一の行で最後に露光されるその領域に対して、その一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光されるその領域が、その最後に露光されるその領域に対してその第２方向にずれているときに、その第２方向に沿ってその基板の内側から外側に向かう方向に、その領域のその第２方向における幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）だけずれているとき、その一の行のその最後に露光されるその領域に隣接してダミー領域を（Ｎ−１）個付加し、（Ｎ−１）個のそのダミー領域に対してその液浸領域を介して走査する動作を行った後、その二の行の領域でその最初に露光される領域に対する露光を行う露光方法が提供される。

第４の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域のうち、第１方向に配列された複数行のその領域を含む第１群の領域に関して順次露光することと、その複数の領域のうち、その第１群の領域に隣接するとともに、その第１方向に配列された複数行のその領域を含む第２群の領域に関して順次露光することと、を含み、その第１群の領域とその第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が、少なくとも一部のその分割線により同一の行におけるその第１群に属する領域の数とその第２群に属する領域の数とが異なるように、設定されている露光方法が提供される。

第５の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と交差する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の領域のうち、その第１方向に配列された複数行のその領域を含む第１群の領域に関して順次露光を行うことと、その複数の領域のうち、その第１群の領域に隣接するとともに、その第１方向に配列された複数行のその領域を含む第２群の領域に関して順次露光を行うことと、を含み、その第１群に属する行の数と、その第２群に属する行の数が異なるように、その第１群の領域とその第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が設定されている露光方法が提供される。

第６の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域のうち最後に露光する領域におけるその液浸領域の相対的な走査方向がその基板の外側から内側に向かう方向となるように、その最後に露光する領域が属する行の最初または最後にダミー領域を付加する露光方法が提供される。

第７の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の行のうちの一の行に属する複数のその領域に対する露光が、その基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、その一の行で最後に露光されるその領域に対して、その一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光されるその領域が、その最後に露光されるその領域に対してその第２方向にずれているとき、その一の行で最後にその液浸領域が走査される領域と、その二の行の最初にその液浸領域で走査される領域とがその第２方向に沿って同じ位置になるように、その一の行のいずれかの位置にダミー領域が配置される露光方法が提供される。

第８の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の領域うち一の行に属する複数のその領域に対する露光が、その基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、その一の行で最後に露光されるその領域でのその液浸領域の相対的な走査方向と、その一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光されるその領域でのその液浸領域の相対的なその走査方向とが同一の方向となる場合に、その最後に露光されるその領域とその最初に露光される領域との間にダミー領域が配置される露光方法が提供される。

第９の態様によれば、基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、その複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、その第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、その複数の領域のうち一の行に属する複数のその領域に対する露光が、その基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、その一の行に属するその領域のその第２方向における幅と、その一の行に隣接する二の行に属するその領域のその第２方向における幅とが異なるとき、その一の行のうち最後に露光される領域に隣接する第１ダミー領域と、その二の行のうち最初に露光される領域に隣接する第２ダミー領域とが、それぞれ配置される露光方法が提供される。

第１０の態様によれば、本発明の態様の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

第１１の態様によれば、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び液浸領域を介して、基板上の複数の領域を順次露光する露光装置において、その基板を保持して移動するステージと、複数のショット領域の配列を規定する配列情報を記憶する記憶部と、その配列情報に従ってそのステージを駆動して、その基板とその液浸領域とを相対移動させながら複数のその領域の露光を制御する制御部と、を備え、その配列情報に含まれる第１配列に属する複数の領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光を行う第１露光処理と、その第１露光処理の後に、その第１配列と異なる第２配列に属する複数の領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光を行う第２露光処理と、その第２露光処理の後に、その第１配列に属する領域であってその第１露光処理で露光した領域と異なる領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光する第３露光処理と、を行う露光装置が提供される。

第１２の態様によれば、本発明の態様の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、基板が大型の場合のスループットの低下を抑制することができるか、又は大型の基板を液浸方式で露光する際に、基板の表面における残水及び／又は液浸領域中に混入した異物の残留を抑制することができる。このため、大型化した基板を露光するのに適した露光方法又は露光装置を提供できる。

実施形態の一例に係る露光装置の概略構成を示す図である。 図１中のウエハステージ等を示す平面図である。 図１の露光装置の制御系等を示すブロック図である。 （Ａ）はウエハの複数行のショット配列を２つの群に分ける方法の一例を示す図、（Ｂ）はその２つの群のショットを露光する順序の一例を示す図である。 分割露光による露光方法の一例を示すフローチャートである。 レチクルマーク計測時のウエハステージ及び計測ステージを示す平面図である。 全部のショットの露光が終わった後のウエハステージ及び計測ステージを示す平面図である。 （Ａ）は、ウエハの奇数行のショット配列を２つの群に分ける方法の他の例を示す平面図、（Ｂ）はα型の行替えの一例を示す図、（Ｃ）はＣ型の行替えの一例を示す図である。 ショットマップの作成方法を含む露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）はウエハの奇数行のショット配列の最初の分割線を示す図、（Ｂ）は奇数行のショット配列におけるα型の行替えの第１の例を示す図である。 （Ａ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図、（Ｂ）は階段状の分割線の一例を示す図である。 （Ａ）は複数対の行（複数個の行カップル）の配置の一例を示す図、（Ｂ）はα型の行替えの第２の例を示す図である。 （Ａ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図、（Ｂ）はα型の行替えの第３の例を示す図である。 （Ａ）は分割線の複数の選択肢を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）はα型の行替えの第４の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）はα型の行替えの第５の例を示す図、（Ｂ）は分割線の変更方法の一例を示す図、（Ｃ）は分割線の変更方法の他の例を示す図である。 （Ａ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図、（Ｂ）はα型の行替えの第６の例を示す図である。 （Ａ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図、（Ｂ）はα型の行替えの第７の例を示す図である。 （Ａ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図、（Ｂ）はα型の行替えの第８の例を示す図である。 （Ａ）は最後に露光されるショットが内外走査であることを示す図、（Ｂ）はダミーショットを付加した状態を示す図である。 （Ａ）はウエハの偶数行のショット配列を２つの群に分ける方法の一例を示す図、（Ｂ）はその偶数行のショット配列を２つの群に分ける方法の他の例を示す図である。 （Ａ）はウエハの偶数行のショット配列にダミーショットを付加した状態を示す図、（Ｂ）はＩ型の行替えグループの一例を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第１の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第２の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第３の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第４の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第５の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は奇数行のショット配列の一例を示す図、（Ｂ）は偶数行のショット配列の一例を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第６の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第７の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列におけるα型の行替えの第８の例を示す図、（Ｂ）はＩ型の行替えに変更された状態を示す図である。 （Ａ）は偶数行のショット配列において最後に露光されるショットが内外走査であることを示す図、（Ｂ）はダミーショットを付加した状態を示す図である。 （Ａ）はα型の行替えの他の例を示す図、（Ｂ）はＣ型の行替えの他の例を示す図である。 電子デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態につき図１〜図７を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略構成を示す。露光装置ＥＸは、スキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型で、液浸方式の投影露光装置である。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬ（投影ユニットＰＵ）を備えている。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面内で後述のレチクルＲ（マスク）とウエハ（半導体ウエハ）Ｗとが相対走査される方向にＹ軸を、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向にＸ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の回りの回転方向をθｘ、θｙ、及びθｚ方向とも称する。本実施形態では、Ｚ軸に直交する平面（ＸＹ平面）はほぼ水平面に平行である。

露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示される照明系ＩＬＳと、照明系ＩＬＳからの露光用の照明光（露光光）ＩＬ（例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光、又は固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波など）により照明されるレチクルＲ（マスク）を保持して移動するレチクルステージＲＳＴとを備えている。さらに、露光装置ＥＸは、レチクルＲから射出された照明光ＩＬでウエハＷ（基板）を露光する投影光学系ＰＬを含む投影ユニットＰＵと、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、必要に応じてウエハステージＷＳＴの−Ｙ方向の端部に連結される計測ステージＭＳＴと、装置全体の動作を制御するコンピュータよりなる主制御装置２０（図３参照）等とを備えている。

レチクルＲはレチクルステージＲＳＴの上面に真空吸着等により保持され、レチクルＲのパターン面（下面）のパターン領域には回路パターンが形成され、そのパターン領域をＸ方向に挟むように１対（複数対でもよい）のアライメント用のレチクルマーク（不図示）が形成されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む図３のレチクルステージ駆動系２５によって、不図示のレチクルベース上のＸＹ平面内で微少駆動可能であると共に、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能である。

レチクルステージＲＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計２４によって、移動鏡２２（又は鏡面加工されたステージ端面）を介して例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計２４の計測値は、図３の主制御装置２０に送られる。主制御装置２０は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系２５を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。

図１において、レチクルステージＲＳＴの下方に配置された投影ユニットＰＵは、不図示のフレームに保持された鏡筒４０と、鏡筒４０内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系ＰＬとを含む。投影光学系ＰＬは、例えば両側（又はウエハ側に片側）テレセントリックで所定の投影倍率β（例えば１／４倍、１／５倍などの縮小倍率）を有する。投影光学系ＰＬは、例えば屈折系でもよいが、反射屈折系でもよい。

照明系ＩＬＳからの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＲＬＡ内の回路パターンの像が、ウエハＷの一つのショット領域の露光領域ＥＡ（照明領域ＲＬＡと光学的に共役な領域）に形成される。
本実施形態では、ウエハＷの複数のショット領域は種々の形状に変更することが可能である。そして、目標とするショット領域の形状に合わせて、照明系ＩＬＳ内の固定及び可動の視野絞り（レチクルブラインド）のうちの例えば固定の視野絞りの開口の長手方向の幅及び短手方向（走査方向に対応する方向）の幅を調整することによって、照明領域ＩＡＲ（ひいては露光領域ＥＡ）のＸ方向（非走査方向）の幅及びＹ方向の幅（いわゆるスリット幅）が調整される。

ウエハＷは、一例としてシリコン等の半導体よりなる直径が４５０ｍｍの大型の円板状の基材に、フォトレジスト（感光材料）を数１０〜２００ｎｍ程度の厚さで塗布したものである。すなわち、一例としてウエハＷは４５０ｍｍウエハである。直径４５０ｍｍの基材の厚さは、現在では例えば９００〜１１００μｍ程度（例えば９２５μｍ程度）と想定されている。

図１の露光装置ＥＸにおいて、液浸方式で露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子である先端レンズ９１を保持する鏡筒４０の下端部の周囲を取り囲むように、局所液浸機構８の一部を構成するリング状のノズル部材３２が設けられている。ノズル部材３２は、露光用の液体Ｌｑ（例えば純水）を供給するための供給管３１Ａ及び回収管３１Ｂを介して、液体供給装置３４及び液体回収装置３６（図３参照）に接続されている。

一例として、ノズル部材３２は、先端レンズ９１の先端部が配置されて、照明光ＩＬが通過する開口部３２ａと、開口部３２ａを囲むようにウエハ面に対向するように、ウエハ面に平行に設けられた平坦なランド部３２ｂと、ランド部３２ｂを囲むように次第にウエハ面から離れるように設けられた傾斜部とを有する。この傾斜部に、回収される液体Ｌｑ中の異物（レジスト残滓等）を付着させるための多孔部材（例えばメッシュフィルタ）３３が埋め込まれている。供給管３１Ａから開口部３２ａ内に供給された液体Ｌｑは、開口部３２ａの内面の排出穴（不図示）及び回収管３１Ｂを介して回収されるとともに、ランド部３２ｂの外側に漏れ出た液体Ｌｑは、多孔部材３３及び回収管３１Ｂを介して回収される。なお、ノズル部材３２を含む局所液浸機構８としては、例えば米国特許出願公開第２００７／２４２２４７号明細書等に開示されている機構を使用することができる。

また、本実施形態において、ノズル部材３２と、これに対向する部材の表面（例えばウエハ面）との間の液体Ｌｑが供給及び回収される局所的な空間を液浸領域ＩＡと称する。液浸領域ＩＡは局所液浸空間又は液体部(liquid body)と称することもできる。この液浸領域ＩＡの中央部に照明光ＩＬ（露光光）が照射される露光領域ＥＡが位置している。このため、ウエハＷは、照明光ＩＬによって液浸領域ＩＡ（又は液体部）を介して露光されるとも言うことができる。一例として、ウエハＷのフォトレジスト層の表面には、液体Ｌｑに対して撥液性の保護膜（トップコート）が形成されており、液浸方式で走査露光する際に、通常はウエハ面に残水等が生じにくいようになっている。

また、露光装置ＥＸは、ウエハＷのアライメントを行うために使用される例えば画像処理方式（ＦＩＡ系）のアライメント系ＡＬと、照射系９０ａ及び受光系９０ｂよりなりウエハＷの表面の例えばアライメント系ＡＬの視野を含む領域内の複数箇所のＺ位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦ系と言う）９０（図２参照）と、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴの位置情報を計測するためのエンコーダシステム６（図３参照）と、を備えている。アライメント系ＡＬは、ウエハＷの２層目以降のレイヤに露光する際に、ウエハＷの各ショット領域に付設されたウエハマーク（アライメントマーク）のうちから選択された所定のウエハマークの位置を検出するために使用される。ＡＦ系９０及びアライメント系ＡＬの計測結果は主制御装置２０に供給される。

図２に示すように、本実施形態では、アライメント系ＡＬ及びＡＦ系９０は、ウエハステージＷＳＴに関して計測ステージＭＳＴと反対側の−Ｙ方向側に配置されている。また、アライメント系ＡＬに対してほぼ＋Ｘ方向側にローディング位置ＬＰ（ウエハをロードするときのウエハステージＷＳＴの中心位置）が設定され、ローディング位置ＬＰに対して−Ｙ方向側にアンローディング位置ＵＰ（ウエハをアンロードするときのウエハステージＷＳＴの中心位置）が設定されている。

図１において、ウエハステージＷＳＴは、不図示の複数の例えば真空予圧型空気静圧軸受（エアパッド）を介して、ベース盤ＷＢのＸＹ面に平行な上面に非接触で支持されている。ウエハステージＷＳＴは、例えば平面モータ、又は直交する２組のリニアモータを含むステージ駆動系１８（図３参照）によってＸ方向及びＹ方向に駆動可能である。ウエハステージＷＳＴは、Ｘ方向、Ｙ方向に駆動されるステージ本体３０と、ステージ本体３０上に搭載されたＺステージ部としてのウエハテーブルＷＴＢと、ステージ本体３０内に設けられて、ステージ本体３０に対するウエハテーブルＷＴＢのＺ位置、及びθｘ方向、θｙ方向のチルト角を相対的に微小駆動するＺステージ駆動部とを備えている。ウエハテーブルＷＴＢの中央の開口の内側には、ウエハＷを真空吸着等によってほぼＸＹ平面に平行な載置面上に保持するウエハホルダ（不図示）が設けられている。

本実施形態では、一例として、ウエハステージＷＳＴのウエハテーブルＷＴＢを含む部分（Ｚステージ部）は、ステージ駆動系１８によって、ステージ本体３０に対してθｚ方向に指定された角度だけ回転可能に構成されている。なお、ウエハステージＷＳＴ全体のθｚ方向の回転角を所定範囲内で調整可能としてもよい。
また、計測ステージＭＳＴは、一例としてＸ方向を長手方向とする長方形で、ウエハステージＷＳＴとほぼ同じ高さの本体部６３と、本体部６３内に組み込まれて、投影光学系ＰＬの結像特性を計測する結像特性計測部（不図示）と、ウエハステージＷＳＴ側から送られてくる光の光量を検出することによって、ウエハステージＷＳＴ上に投影されるマーク（例えばレチクルマーク等）の像の位置を検出するための空間像計測部６４（図２参照）と、を有する。計測ステージＭＳＴは、例えば平面モータ、又は直交する２組のリニアモータを含む計測ステージ駆動系２６（図３参照）によってＸ方向及びＹ方向に駆動可能である。

さらに、計測ステージＭＳＴの本体部６３の＋Ｙ方向の端部には、ウエハステージＷＳＴのウエハテーブルＷＴＢと密着して連結可能な凸の連結部６３ａが設けられている。なお、このような計測ステージＭＳＴ、空間像計測部６４、及び計測ステージＭＳＴとウエハステージＷＳＴとの連結機構は、例えば米国特許出願公開第２００８／９４５９３号明細書に記載されている。計測ステージＭＳＴの上面は、液体Ｌｑに対して撥液化処理が施されている。

また、ウエハステージＷＳＴのウエハテーブルＷＴＢの上面には、ウエハ面とほぼ同一面となる、液体Ｌｑに対して撥液化処理された表面を有し、かつ外形（輪郭）が矩形でその中央部にウエハＷの載置領域よりも一回り大きな円形の開口２８ａが形成された高平面度の平板状のプレート体２８が設けられている。開口２８ａ内にウエハＷが載置されており、開口２８ａの外形とウエハＷの外形との間のギャップ領域ｇａは、液浸方式で露光する際に、残水等が生じやすい領域である。プレート体２８は、図２に示すように、その円形の開口２８ａを囲む、外形（輪郭）がほぼ正方形で、表面に撥液化処理が施されたプレート部（撥液板）２８ｂを有する。なお、プレート体２８は必ずしも必須ではなく、例えばウエハテーブルＷＴＢに一体的となっていてもよい。この場合には、ウエハテーブルＷＴＢの上面が、載置されるウエハＷの上面と面一となっていることや、ウエハテーブルＷＴＢの上面が撥液処理されていることが好ましい。

プレート部２８ｂの−Ｙ方向の端部で、Ｘ方向の中央の位置に、計測プレート６０が固定されている。計測プレート６０の中央部に、アライメント系ＡＬによってウエハマークの位置を検出する際の位置の基準となる２次元の基準マークＦＭが形成され、基準マークＦＭをＸ方向に挟むように、一例としてそれぞれＸ方向及びＹ方向に細長いスリットを含む１対のスリット部ＳＬＡ，ＳＬＢが形成されている。スリット部ＳＬＡ，ＳＬＢの中心のＸ方向の間隔は、レチクルＲの１対のレチクルマーク（不図示）の投影光学系ＰＬによる像のＸ方向の間隔にほぼ等しくなるように設定されている。

計測ステージＭＳＴの連結部６３ａをウエハステージＷＳＴの−Ｙ方向の端部に連結した状態で、計測ステージＭＳＴ及びウエハステージＷＳＴを一体的にＸ方向及びＹ方向に移動しながら、スリット部ＳＬＡ，ＳＬＢを通過する１対のレチクルマークの像の光量を計測ステージＭＳＴ内の空間像計測部６４で検出する。この検出結果より、１対のレチクルマークの像の位置を計測することができる。この動作を繰り返すことによって、複数対のレチクルマークの像の位置を計測することもできる。また、レチクルＲをレチクルステージＲＳＴにロードしたときに、空間像計測部６４で計測される例えば１対のレチクルマークの像の位置が目標位置になるように、レチクルステージＲＳＴを介してレチクルＲの位置を調整することで、レチクルＲのアライメントを行うこともできる。

また、プレート体２８のプレート部２８ｂをＸ方向に挟むように配置された１対の周辺部の上面に、それぞれＹ方向に細長い１対の２次元の回折格子１２Ａ，１２Ｂが固定されている。また、ウエハステージＷＳＴのステージ本体３０中をＹ方向に貫通するようにＸ方向に広がった開口部３０ａが形成され（図１参照）、この開口部３０ａの上部にも回折格子１２Ａと同様の２次元の回折格子１２Ｄが固定されている。

さらに、計測ステージＭＳＴの上面の＋Ｘ方向の端部にも、回折格子１２Ａと同様の２次元の回折格子１２Ｃが固定されている。回折格子１２Ａ〜１２Ｄは、それぞれＸ方向、Ｙ方向を周期方向とする周期が１μｍ程度の２次元の格子パターンが形成された反射型の回折格子である。
図２において、投影光学系ＰＬをほぼＸ方向に挟むように、回折格子１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに計測用のレーザ光よりなる計測光を照射して、回折格子に対するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の３次元の相対位置を計測するための複数の３軸の検出ヘッド１４が配置されている。また、計測ステージＭＳＴが移動する経路に沿っても、複数の検出ヘッド１４が配置されている。これらの検出ヘッド１４は、一例として投影光学系ＰＬを支持しているフレーム（不図示）によって支持されている。さらに、複数の検出ヘッド１４にレーザ光（計測光及び参照光）を供給するための一つ又は複数のレーザ光源（不図示）も備えられている。

また、ウエハステージＷＳＴのステージ本体３０の開口部３０ａ（図１参照）をＹ方向に挟むように、Ｙ方向に平行な細長い先端部６１ａ及び６２ａを有する第１の支持部材６１及び第２の支持部材６２が配置されている。支持部材６１，６２は、一例としてそれぞれ投影光学系ＰＬを支持しているフレーム（不図示）に固定されている。そして、支持部材６１，６２の先端部６１ａ及び６２ａに、それぞれ検出ヘッド１４と同様に、ステージ本体３０内の回折格子１２Ｄに計測光を照射して、回折格子に対するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の３次元の相対位置を計測する３軸の検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂが設けられている。ウエハＷの露光中にウエハステージＷＳＴを−Ｙ方向に移動すると、支持部材６１の先端部の検出ヘッド１５ＡがウエハステージＷＳＴ内の開口３０ａに差し込まれて、検出ヘッド１５Ａによって回折格子１２Ｄの位置を検出可能となる。さらに、ウエハＷのアライメント中にウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に移動すると、支持部材６２の先端部の検出ヘッド１５ＢがウエハステージＷＳＴ内の開口３０ａに差し込まれて、検出ヘッド１５Ｂによって回折格子１２Ｄの位置を検出可能となる。

図２において、投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光している期間では、複数の検出ヘッド１４中の少なくとも２つの検出ヘッド１４は、ウエハステージＷＳＴ上の回折格子１２Ａ又は１２Ｂに計測光を照射し、回折格子１２Ａ，１２Ｂから発生する回折光と参照光との干渉光の検出信号を対応する計測演算部４２（図３参照）に供給する。同様に、支持部材６１，６２の先端部の検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂで回折格子１２Ｄに計測光を照射している期間では、検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂは、回折格子１２Ｄから発生する回折光と参照光との干渉光の検出信号を対応する計測演算部４２（図３参照）に供給する。また、例えば計測ステージＭＳＴを計測ステージＭＳＴに連結させた状態（図７参照）では、複数の検出ヘッド１４中の少なくとも２つの検出ヘッド１４は、計測ステージＭＳＴ上の回折格子１２Ｃに計測光を照射し、回折格子１２Ｃから発生する回折光と参照光との干渉光の検出信号を対応する計測演算部４２（図３参照）に供給する。

これらの複数の検出ヘッド１４及び検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂ用の計測演算部４２では、それぞれ検出ヘッド（ひいては投影光学系ＰＬ）と対応する回折格子（ウエハステージＷＳＴ又は計測ステージＭＳＴ）とのＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の相対位置（相対移動量）を例えば０．５〜０．１ｎｍの分解能で求め、求めた計測値を切り替え部４４に供給する。計測値の切り替え部４４は、回折格子１２Ａ，１２Ｂに対向している検出ヘッド１４、及び回折格子１２Ｄに対向している検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂに対応する計測演算部４２から供給される相対位置の情報から、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びθｚ方向の回転角等の情報を求め、これらの位置情報を主制御装置２０に供給する。さらに、切り替え部４４は、回折格子１２Ｃに対向している検出ヘッド１４に対応する計測演算部４２から供給される相対位置の情報から、計測ステージＭＳＴのＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びθｚ方向の回転角等の情報を求め、これらの位置情報を主制御装置２０に供給する。

回折格子１２Ａ〜１２Ｄ、複数の検出ヘッド１４、検出ヘッド１５Ａ，１５Ｂ、レーザ光源（不図示）、複数の計測演算部４２、及び切り替え部４４から、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴの３次元の位置情報を計測するエンコーダシステム６が構成されている。このようなエンコーダシステム６に使用される回折格子及び検出ヘッドの詳細な構成については、例えば米国特許出願公開第２００８／０９４５９３号明細書に開示されている。主制御装置２０は、エンコーダシステム６から供給されるウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴの位置情報に基づいて、ステージ駆動系１８及び計測ステージ駆動系２６を介してウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを駆動する。

また、主制御装置２０には、磁気記憶装置等からなる記憶部２７が接続されており、記憶部２７には、ウエハＷの複数のショット領域の配列情報、並びに各ショット領域に対する露光順序及び走査露光時の走査方向の情報を含むショットマップ（露光マップ）が記録されたショットマップファイルＳＭＦが記憶されている。主制御装置２０は、そのショットマップに基づいて、液浸方式及び走査露光方式でウエハＷの全部のショット領域を順次露光する。

そして、露光装置ＥＸを使用した露光時には、基本的な動作として液浸領域ＩＡに対する液体Ｌｑの供給及び回収が開始され、レチクルＲ及びウエハＷのアライメントが行われる。その後、レチクルＲへの照明光ＩＬの照射を開始して、投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパターンの一部の像をウエハＷの一つのショット領域に投影しつつ、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを投影光学系ＰＬの投影倍率βを速度比としてＹ方向に同期して移動（同期走査）する走査露光動作によって、そのショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。その後、ウエハステージＷＳＴを介してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向に移動する動作（ステップ移動）と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、液浸方式でかつステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。この場合、液浸領域ＩＡの中心は、ウエハＷに対して相対的に、図２に示すＸ方向に蛇行するような軌跡ＴＲ１に沿って移動する。

（分割露光による基本的な露光方法）
次に、本実施形態の露光装置ＥＸを用いた露光方法につき詳細に説明する。
図４（Ａ）は、本実施形態で露光対象となるウエハＷの複数のショット領域（以下、単にショットと言う）ＳＡの配列の一例を示す。図４（Ａ）及び以下で参照する図面中のウエハＷは、図１のウエハステージＷＳＴに載置された状態を示している。また、図４（Ａ）及び以下で参照する図面中の座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、図１における座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）と同じであり、Ｙ方向が走査露光時のウエハＷの走査方向である。

また、ウエハＷの直径は４５０ｍｍであるとする。４５０ｍｍウエハの場合、ウエハの回転角は、ウエハの裏面に設けられる凹凸のマーク、及び／又はウエハのエッジ部に設けられるノッチ等の切り欠き部によって検出される。例えばウエハＷを図１のウエハステージＷＳＴに載置する前に行われるプリアライメントによってウエハＷの回転角が検出され、この回転角が予め定められた角度になるように、ウエハステージＷＳＴに載置されたウエハＷの角度が設定されている。

このようにしてウエハステージＷＳＴに載置されたウエハＷの表面は、図４（Ａ）に示すように、Ｙ方向（ウエハＷの走査方向：第１方向）に沿って複数の行に配列され、かつＹ方向と交差（直交）するＸ方向（非走査方向：第２方向）に沿って複数の列に配列された多数の例えばＹ方向に細長いショットＳＡ（区画領域）に区分けされている。ウエハＷの表面（ウエハ面）において、隣接する複数のショットＳＡは、Ｘ方向又はＹ方向に沿って配列される複数の所定幅のスクライブライン領域ＳＬによって区分されている。

本実施形態においては、ショットＳＡの形状は、Ｘ方向の幅及びＹ方向の長さがそれぞれ所定の最大値（例えばそれぞれ２６ｍｍ及び３３ｍｍ程度）以下となる範囲内で、製造対象の電子デバイス（例えば半導体デバイス）の形状、及びショットＳＡ内に含める半導体デバイスの個数（いわゆるマルチ・チップ取りの場合）に応じて任意の大きさに設定可能である。このため、ショットＳＡの形状は、Ｘ方向に細長い長方形でもよく、さらに正方形であってもよい。

また、例えばマルチ・チップ取りの場合、ウエハＷのエッジ部によって一部が欠けるショット（いわゆる欠けショット）にも、少なくとも一つの完全な半導体デバイスを形成できることがある。この場合には、そのような欠けショットにもレチクルＲの全体のパターンの像が露光される。このため、図４（Ａ）等では、欠けショットも完全なショットであるように表示している。なお、ウエハＷの１回目の露光に際しては、ウエハ面は複数のショットには区画されていないため、仮想的に区分けされた複数のショットＳＡにそれぞれレチクルＲのパターンの像が露光されることになる。

図４（Ａ）において、ウエハＷの複数のショットＳＡ（欠けショットを含む）は、一例としてＹ方向に１７行で、かつＸ方向に２４列で配列されている。以下の説明では、ウエハＷの−Ｙ方向の端部の行を１番目の行Ｒ１、＋Ｘ方向の端部の列を１番目の列として、＋Ｙ方向にｉ番目の行Ｒｉで（ｉは１以上の整数）、−Ｘ方向にｊ番目の列にあるショットＳＡを位置（ｉ，ｊ）のショットとも言う（ｊは１以上の整数）。本実施形態では、１番目の行Ｒ１は、ウエハステージＷＳＴの計測プレート６０（スリット部ＳＬＡ，ＳＬＢ）（図２参照）に最も近い位置にある。また、説明の便宜上、複数のショットＳＡを互いに識別するために、互いに異なる位置にある複数のショットＳＡをそれぞれショットＳＡａ，ＳＡｂ等とも称することがある。

本実施形態では、まず最も簡単な露光方法として、図４（Ａ）のウエハＷ上の複数のショットＳＡを、計測プレート６０に近いＸ方向の中央にあり、かつＹ方向（走査方向）に平行なスクライブライン領域ＳＬ上にある仮想的な分割線４８によって、＋Ｘ方向の半面側の複数行のショットＳＡを含む左群ＧＬ、及び−Ｘ方向の半面側の複数行のショットＳＡを含む右群ＧＲに分ける。この場合、第ｉ番目の行Ｒｉ中で（ここではｉ＝１〜１７）、分割線４８よりも＋Ｘ方向の行ＲＬｉ中のショットＳＡが左群ＧＬに属し、分割線４８よりも−Ｘ方向の行ＲＲｉ中のショットＳＡが右群ＧＲに属する。図４（Ａ）の状態では、左群ＧＬ中のショットＳＡの個数と、右群ＧＲ中のショットＳＡの個数とは互いに等しい。実際には、以下で説明するように、分割線４８は、必ずしもＸ方向に中央にある直線である必要はなく、階段状に折れ曲がっていてもよく、左群ＧＬ中のショットＳＡの個数と、右群ＧＲ中のショットＳＡの個数とが異なっていてもよい。さらに、左群ＧＬ中の行（ＲＬ１〜ＲＬ１７）の個数と、右群ＧＲ中の行（ＲＲ１〜ＲＲ１７）の個数とが異なっていてもよい。また、一つの行中のショットは１つでもよい。

本実施形態では、一例として、まず左群ＧＬ中の複数のショットＳＡを露光した後、右群ＧＲ中の複数のショットＳＡを露光する。このような露光方法は、分割露光と言うことができる。また、ウエハＷ上の複数のショットＳＡを３個以上のグループに分けて、これらのグループ毎に露光することも可能である。そして、図４（Ａ）のように、ウエハＷ上の複数のショットＳＡを２つのグループ（左群ＧＬ及び右群ＧＲ）に分けて露光する場合の分割露光は、ハーフ・アンド・ハーフ露光（以下、Ｈ＆Ｈ露光とも言う。）とも言うことができる。

以下、分割露光による基本的な露光方法の一例につき、図５のフローチャートを参照して説明する。この露光方法の動作は主制御装置２０によって制御される。また、露光時には、実際には静止している液浸領域ＩＡ（露光領域ＥＡ）に対して、ウエハステージＷＳＴを駆動することによって、ウエハＷがＸ方向及び／又はＹ方向に移動する。しかしながら、以下の説明では、分かり易いように、図２の軌跡ＴＲ１で示したように、ウエハＷに対して相対的に、液浸領域ＩＡ及び露光領域ＥＡが移動しているように表すものとする。

まず、レチクルＲのアライメントが行われているものとして、図５のステップ１０２において、ウエハステージＷＳＴの中心を図２のローディング位置ＬＰに移動し、不図示のウエハ搬送ロボットによって、フォトレジストが塗布されたウエハＷをウエハステージＷＳＴにロードする。次のステップ１０４において、ウエハステージＷＳＴをアライメント系ＡＬの下方でＸ方向、Ｙ方向に移動しながら、アライメント系ＡＬを用いて、例えば基準マークＦＭを基準として、ウエハＷの全部のショットＳＡから選択された所定個数のショット（アライメントショット）に付設されたウエハマークの位置を検出する。その検出結果を例えばＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）方式で処理してウエハＷの全部のショットの配列座標を算出して記憶する。このウエハＷのアライメント工程では、投影光学系ＰＬの下方に図６の経路Ｂ１に沿って計測ステージＭＳＴが移動しており、液浸領域ＩＡは計測ステージＭＳＴの上面で維持されている。このため、常に液浸方式の露光を開始できる。

その後、ステップ１０６において、レチクルＲの例えば１対のレチクルマークの像の位置を計測する。このため、図６に示すように、ウエハステージＷＳＴに計測ステージＭＳＴを連結し、ウエハステージＷＳＴの計測プレート６０のスリット部ＳＬＡ，ＳＬＢを投影光学系ＰＬの露光領域（液浸領域ＩＡ内にある）内に移動する。そして、上述のように、スリット部ＳＬＡ，ＳＬＢでその１対のレチクルマークの像を走査することで、空間像計測部６４によってその１対のレチクルマークの像の位置を計測する。基準マークＦＭとスリット部ＳＬＡ，ＳＬＢとの既知の位置関係及びその計測結果に基づいて、主制御装置２０は、レチクルＲのパターンの像の中心（露光中心）と、基準マークＦＭとの位置関係（Ｘ方向、Ｙ方向の位置ずれ量）を求めることができる。この位置関係を用いて、ステップ１０４で求められたウエハＷの各ショットの配列座標を補正することで、これ以降の走査露光時に、ウエハＷの各ショット領域とレチクルＲのパターンの像との位置合わせを高精度に行うことができる。その後、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを一体的に−Ｙ方向に移動して、液浸領域ＩＡを完全にウエハステージＷＳＴ上に移動した後、計測ステージＭＳＴを分離する。計測ステージＭＳＴは経路Ｂ４に沿って位置Ａ１に移動して待機する。

そして、ステップ１０８において、ウエハＷの左群ＧＬの複数のショットＳＡを順に露光する。ここでは、左群ＧＬ中の１番目の行ＲＬ１中で、計測プレート６０に最も近い位置（１，１２）にあるショットＳＡａから走査露光を開始し、１番目の行ＲＬ１の露光が終了した後、順次、２番目、３番目、…１７番目の行ＲＬ２〜ＲＬ１７のショットＳＡを露光する。この際に、図４（Ｂ）に示すように、１番目のショットＳＡａの露光時には、液浸領域ＩＡは、ウエハＷの外側から内側に移動して、ショットＳＡａをウエハＷの外側から内側に相対的に走査する。

その１番目のショットＳＡａの露光時のように、液浸領域ＩＡをウエハＷのあるショットに対して相対的にウエハＷの外側から内側に向けて走査することを、外内走査と称する。逆に、液浸領域ＩＡをウエハＷのあるショットに対して相対的にウエハＷの内側から外側に向けて走査することを、内外走査と称する。
ウエハＷの１番目のショットを外内走査で露光することには以下のような利点がある。すなわち、例えば図２において、液浸領域ＩＡのうちでウエハ面に接している部分（点線で囲まれた部分）の大きさは、ノズル部材３２のランド部３２ｂ（図１参照）の輪郭で囲まれた範囲とほぼ同じである。また、ウエハ面には撥液性の保護膜がコーティングされているが、走査露光時に液浸領域ＩＡとウエハＷとが相対移動する際に、相対移動する方向と反対側の液浸領域ＩＡの端部（メニスカス）ＩＡａが尾を引くように広がる傾向がある。特に走査露光の開始時に、液浸領域ＩＡに対向している部材（ウエハＷ等）に対する相対速度がほぼ０から次第に速くなるときに、その端部ＩＡａが長くなりロングテイルを形成することがある。このようなロングテイル中の液体Ｌｑは、ノズル部材３２のランド部３２ｂの周囲の多孔部材３３及び回収管３１Ｂを介して回収される。しかしながら、そのようなロングテイルは、残水及び／又は液体Ｌｑ中の異物が残留する要因となる場合がある。

また、図４（Ｂ）において、１番目のショットＳＡａを露光する際には、外内走査であるため、液浸領域ＩＡの移動方向と反対側の端部ＩＡａには点線で示すようにロングテイルが生じる。ところが、このロングテイルが生じる部分は、ウエハ面ではなく、ウエハＷを囲むプレート体２８（図２参照）の表面である。従って、そのロングテイルによって残水及び／又は異物の残留があっても、ウエハ面には影響がないことになる。

１番目のショットＳＡａの露光後、液浸領域ＩＡの中心は、図４（Ｂ）の実線で示す軌跡ＴＲ３に沿って、＋Ｘ方向である移動方向ＳＴＸＡにショットＳＡのＸ方向の幅分だけ移動してから、次のショットを逆の走査方向に走査するという動作を繰り返す。
なお、液浸領域ＩＡのＸ方向に隣接するショットの方向への移動（Ｘ方向へのステップ移動）は、実際には、ウエハステージＷＳＴの振動を抑制するために、Ｙ方向の移動成分を含む円弧状の軌跡（軌跡ＴＲ３の一部）に沿って行われる。同様に、ある行の最後のショットの露光からＹ方向に離れた次の行の最初のショット（その最後のショットと異なる列にあるとする）に移動する際の液浸領域ＩＡの移動も、Ｙ方向の移動成分の他にＸ方向の移動成分を含む円弧状の軌跡に沿って行われる。

そして、１番目の行ＲＬ１の全部のショットが走査露光された後、液浸領域ＩＡは、ウエハＷに対して相対的に＋Ｙ方向である移動方向ＳＴＹＡに、ほぼショットＳＡのＹ方向の長さ分だけ移動（ステップ移動）する。そして、液浸領域ＩＡは、点線で示す軌跡ＴＲ４に沿ってＹ方向への走査と−Ｘ方向である移動方向ＳＴＸＢへの移動とを繰り返しながら、次の行ＲＬ２の各ショットＳＡを走査するという動作が繰り返される。

この場合、ある行の走査露光中には、図４（Ａ）の軌跡ＴＲ２で示すように、液浸領域ＩＡ（及び露光領域ＥＡ）はウエハＷに対して、あるショットＳＡを＋Ｙ方向である方向ＳＹＡに走査したときには、次のショットＳＡを逆の−Ｙ方向である方向ＳＹＢに走査する。このようにショット毎にＹ方向の走査方向が反転するのは、レチクルＲが、レチクルステージＲＳＴによってＹ方向に沿って往復移動するためである。このため、液浸領域ＩＡがある行の最後のショットを例えば方向ＳＹＡに走査するときには、図４（Ｂ）の軌跡ＴＲ４で示すように、液浸領域ＩＡは、次の行の最初のショットを逆の方向ＳＹＢに走査することになる。

言い換えると、分割線４８が固定され、左群ＧＬ及び右群ＧＲの各ショットに対する露光順序が決定されて、左群ＧＬの１番目に露光されるショットに対する液浸領域ＩＡ（露光領域ＥＡ）の走査方向が方向ＳＹＡ又はＳＹＢに設定されると、それ以降に露光されるショットＳＡに対する液浸領域ＩＡの走査方向は決定されたことになる。すなわち、露光順序に従って、次のショットＳＡに移行する毎に走査方向は反転される。このような図４（Ｂ）のウエハＷの全部のショットＳＡの配列、各ショットＳＡに対する露光順序、及び各ショットＳＡの露光時の液浸領域ＩＡ（露光領域ＥＡ）の走査方向を記録したショットマップが図３の記憶部２７のショットマップファイルＳＭＦに記憶されている。主制御装置２０は、そのショットマップに記録された露光順序及び走査方向に基づいて、ウエハＷの全部のショットＳＡに対する露光を制御する。

左群ＧＬの各行のショットは、露光順序を示す経路Ｃ１に沿って順次露光され、最後に１７番目の行ＲＬ１７のショットＳＡｂが走査露光される。その後、液浸領域ＩＡは、ほぼ経路Ｃ３に沿って、右群ＧＲ中で最初に露光される１７番目の行ＲＲ１７中で、最初に露光される位置（１７，１３）のショットＳＡｃの手前に移動する。
その後、ステップ１１０において、ウエハＷの右群ＧＲの複数のショットＳＡを経路Ｃ２に沿って順に露光する。すなわち、１７番目の行ＲＲ１７の複数のショットＳＡの露光が終了した後、順次、１６番目、１５番目、…１番目の行ＲＲ１６〜ＲＲ１のショットＳＡを露光する。また、右群ＧＲにおいては、例えば行ＲＲ１５の複数のショットＳＡを露光するために液浸領域ＩＡが実線の軌跡ＴＲ４に沿って移動した後、液浸領域ＩＡは、−Ｘ方向である移動方向ＳＴＸＢにショットＳＡのＸ方向の幅分だけ移動（ステップ移動）する。そして、次の行ＲＲ１４の複数のショットＳＡを露光するために液浸領域ＩＡは点線の軌跡ＴＲ５に沿って移動し、これ以降もこの動作が繰り返される。

そして、右群ＧＲの最後に露光される１番目の行ＲＲ１は、ウエハステージＷＳＴの計測プレート６０に最も近い位置にある。その行ＲＲ１においては、液浸領域ＩＡは点線の軌跡ＴＲ６に沿って移動し、最後に位置（１，１７）のショットＳＡｚが、外内走査で露光される。これによって、ウエハＷの全部のショットＳＡの露光が完了したことになる。また、１番目のショットＳＡａの露光時と同様に、最後のショットＳＡｚに対しても外内走査であることが好ましい。これは、全部の露光が終了すると、次の計測ステージＭＳＴに対する液浸領域ＩＡの受け渡しに備えて、ウエハステージＷＳＴの速度が遅くなり、液浸領域ＩＡは、点線の軌跡ＴＲ７に沿って低速で、一度ウエハＷの内側に移動した後、ウエハＷの外側に移動することによる。この場合、液浸領域ＩＡは低速であっても往復して移動して、液浸領域ＩＡはほぼノズル部材３２（特にランド部３２ｂ）の動きに合わせて移動し、ロングテイルが生じにくくなり、残水及び／又は異物の残留が低減される。

これに対して、最後のショットＳＡｚが内外走査の場合、ショットＳＡｚの露光後に液浸領域ＩＡの移動速度が急激に遅くなるため、ウエハＷの内側及びウエハＷとプレート体２８とのギャップ領域ｇａ（図２参照）に液浸領域ＩＡのロングテイルが生じ、これらの部分に残水及び／又は異物の残留が生じやすくなることがある。
次のステップ１１２でウエハＷのアンロードを行う。このため、図７に示すように、計測ステージＭＳＴを位置Ａ１から移動させて、計測ステージＭＳＴの−Ｙ方向の端部に計測ステージＭＳＴを連結する。この状態で、矢印Ｂ５で示すように、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを一体的に＋Ｙ方向に移動し、矢印Ｂ６で示すように、液浸領域ＩＡを計測ステージＭＳＴの上面に受け渡す。この後、計測ステージＭＳＴからウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に分離すると、ウエハステージＷＳＴの中心Ｗｂは位置Ａ３に移動する。その後、ウエハステージＷＳＴの中心を経路Ｂ７に沿って移動して、アンローディング位置ＵＰに移動する。そして、不図示のウエハ搬送ロボットによって露光済みのウエハＷをアンロードする。

このとき、この分割露光によって、ウエハＷの最後のショットＳＡｚが終了したときに、ウエハステージＷＳＴは走査露光時の移動範囲中で最も＋Ｙ方向の位置、すなわち本実施形態では最もアンローディング位置ＵＰに近い位置に達している。このため、例えば右群ＧＲのうちで最後のショットＳＡｚを含む行の露光中に、ウエハステージＷＳＴと支持部材６１との間に計測ステージＭＳＴを移動し、最後のショットＳＡｚの露光終了の直後に、計測ステージＭＳＴとウエハステージＷＳＴとを連結して、液浸領域ＩＡを計測ステージＭＳＴに受け渡すことができる。さらに、位置Ａ３からアンローディング位置ＵＰまでの距離は短いため、ウエハステージＷＳＴの移動距離が短くなり、露光終了からウエハＷのアンロードまでの時間を大幅に短縮することができ、ウエハＷが大型の場合に、露光工程のスループットを大幅に高めることができる。

これに対して、従来のように、単に図７のウエハＷの１番目の行Ｒ１から最後の行Ｒ１７まで順に走査露光する場合、最後の行Ｒ１７の最後のショット（例えばショットＳＡｂ）の露光終了後に、ウエハステージＷＳＴの中心は、走査露光時の移動範囲中で最も−Ｙ方向の位置、すなわち支持部材６１の先端部６１ａの検出ヘッド１５Ａが開口部３０ａ内に差し込まれた位置Ａ５に達している。この状態からウエハＷをアンロードするためには、まず、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に経路Ｂ８に沿って移動し、ウエハステージＷＳＴと支持部材６１との間に計測ステージＭＳＴを移動してから、上記の実施形態のように液浸領域ＩＡの移動等を行う必要がある。

また、ウエハＷの全部のショットの露光中のウエハステージＷＳＴの移動量（ひいては走査及びステップ移動の時間の合計）は、上記の実施形態の分割露光でも、従来のように単に一端側から他端側に露光する方法でもほぼ同じである。このため、従来の露光方法では、上記の実施形態の分割露光に比べて、露光終了後の位置からアンローディング位置ＵＰまでのウエハステージＷＳＴの移動距離がかなり長くなる。さらに、従来の露光方法では、例えばウエハＷの最後の行のショットの露光中には、ウエハステージＷＳＴの−Ｙ方向の端部に計測ステージＭＳＴを移動できないため、別途、計測ステージＭＳＴの移動時間が加算されるため、ウエハＷのアンロードに要する時間が大幅に増加してしまう。

その後、次のウエハを露光する場合には（ステップ１１４）、ステップ１０２〜１１２の動作が繰り返される。
このように本実施形態の露光方法（分割露光方法）は、複数のショット領域の配列を規定するショットマップ（露光マップ）の情報（配列情報）に基づいて、ウエハＷ（基板）上の複数のショットＳＡ（領域又は区画領域）に対して液浸領域ＩＡを介して露光する露光方法である。そして、その露光方法は、そのショットマップ中の行Ｒ１（第１配列）に属する左側の行ＲＬ１の複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第１露光工程（ステップ１０８）と、その第１露光工程の後に、行Ｒ１と異なる行Ｒ２〜Ｒ１７（第２配列）に属する複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第２露光工程（ステップ１１０の前半）と、その第２露光工程の後に、行Ｒ１に属するショットであってその第１露光工程で露光したショットと異なる右側の行ＲＲ１のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光する第３露光工程（ステップ１１０の後半）と、を含んでいる。

また、その露光方法は、ウエハＷの表面の複数のショットＳＡ（領域又は区画領域）を、照明光ＩＬ（露光光）によってレチクルＲのパターン、投影光学系ＰＬ、及び液浸領域ＩＡを介して順次露光する露光方法でもある。そして、この露光方法（分割露光方法）は、複数のショットＳＡのうち、Ｙ方向（第１方向）に配列された複数行のショットＳＡを含む左群ＧＬ（第１群）のショットＳＡに関して、一行のショットＳＡを露光し、液浸領域ＩＡをウエハＷに対して相対的に、少なくともＹ方向に平行な第１の移動方向ＳＴＹＡに移動し、その一行のショットＳＡに対して移動方向ＳＴＹＡに隣接する他の行のショットＳＡを露光することを繰り返して、左群ＧＬのショットＳＡを露光するステップ１０８を有する。

さらに、この露光方法は、その複数のショットＳＡのうち、左群ＧＬのショットＳＡに隣接するとともに、Ｙ方向に配列された複数行のショットＳＡを含む右群ＧＲ（第２群）のショットＳＡに関して、一行のショットＳＡを露光し、液浸領域ＩＡをウエハＷに対して相対的に、少なくとも第１の移動方向ＳＴＹＡと逆の第２の移動方向ＳＴＹＢに移動し、その一行のショットＳＡに対して移動方向ＳＴＹＢに隣接する他の行のショットＳＡを露光することを繰り返して、右群ＧＲのショットＳＡを露光するステップ１１０を有する。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光ＩＬ（露光光）でレチクルＲのパターンを照明し、照明光ＩＬでそのパターン、投影光学系ＰＬ、及び液浸領域ＩＡを介して、ウエハＷ上の複数のショットＳＡ（領域又は区画領域）を露光する露光装置である。そして、露光装置ＥＸは、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、ウエハＷ上に配列された複数のショットＳＡに対する露光順序及びウエハＷと液浸領域ＩＡとの相対移動の方向（方向ＳＹＡ又はＳＹＢ）を示すショットマップ（露光マップ）の情報（配列情報）を記憶する記憶部２７と、そのショットマップに従ってウエハステージＷＳＴを駆動して、ウエハＷと液浸領域ＩＡとを相対移動させながら複数のショットＳＡの露光を制御する主制御装置２０（制御部）と、を備えている。

そして、露光装置ＥＸの主制御装置２０は、そのショットマップ中の行Ｒ１（第１配列）に属する左側の行ＲＬ１の複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第１露光処理（ステップ１０８）と、その第１露光工程の後に、行Ｒ１と異なる行Ｒ２〜Ｒ１７（第２配列）に属する複数のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光を行う第２露光処理（ステップ１１０の前半）と、その第２露光処理の後に、行Ｒ１に属するショットであってその第１露光処理で露光したショットと異なる右側の行ＲＲ１のショットＳＡに対し、液浸領域ＩＡを介して順次走査して露光する第３露光処理（ステップ１１０の後半）と、を行っている。
また、そのショットマップには、一例として、図４（Ｂ）の経路Ｃ１，Ｃ２に沿って、かつ最初のショットＳＡａに対する液浸領域ＩＡの相対的な走査方向がＳＹＡ（ここでは外内走査）となるように、左群ＧＬ及び右群ＧＲのショットＳＡを順に露光するように、露光順序及び走査方向が規定されている。

本実施形態の分割露光方法又は露光装置ＥＸによれば、ウエハＷの最初に露光するショットＳＡａと、最後に露光するショットＳＡｚとがウエハＷの端部の同じ行Ｒ１内にあり、その行Ｒ１は、ウエハＷの全部の行Ｒ１〜Ｒ１７のうちでウエハステージＷＳＴの計測プレート６０に最も近い位置にある。このため、計測プレート６０を用いてレチクルマーク像の位置（露光中心）を計測した後、ウエハステージＷＳＴを短い距離だけ移動するだけで、最初のショットＳＡａを露光できる。さらに、最後にショットＳＡｚを露光した後に、ウエハステージＷＳＴを短い経路Ｂ７に沿って移動することで、ウエハステージＷＳＴをアンローディング位置ＵＰに移動できる。このため、ウエハＷが４５０ｍｍウエハのように大型の場合に、ウエハの大型化によるスループットの向上と、ウエハステージＷＳＴの移動距離の短縮によるスループットの向上とによって、極めて高い露光工程のスループットが得られる。

なお、上述の露光方法では、左群ＧＬの複数のショットＳＡを露光した後、右群ＧＲの複数のショットＳＡを露光しているが、まず右群ＧＲ中の複数のショットＳＡを露光した後、左群ＧＲ中の複数のショットＳＡを露光してもよいことは言うまでもない。
また、上記の実施形態では、ウエハ面にはＹ方向に奇数行のショットが配列されているが、偶数行のショットが配列されていてもよい。

また、上述の実施形態では、最初に露光するショットＳＡａ及び最後に露光するショットＳＡｚは、いずれも液浸領域ＩＡがウエハＷに対して相対的に外内走査となるため、ウエハ面における残水及び／又は異物の残留を低減できる。このため、ウエハＷを大型にして高いスループットを得ることができるとともに、最終的に製造される電子デバイス（半導体デバイス）の歩留まりを高くできる。ただし、ウエハの撥液性の保護膜の改良等によって、ウエハ面に対する残水等が少なくなった場合には、例えば最後に露光されるショットＳＡｚに対する液浸領域ＩＡの走査が内外走査であってもよい。

また、上述の実施形態における、最初に露光するショットＳＡａ及び／又は最後に露光するショットＳＡｚを液浸領域ＩＡで外内走査とすることは、分割露光以外の通常の露光方法（１番目から最後の行まで順に露光する方法）にも適用することができる。これによって、ウエハ面に対する残水及び／又は異物の残留を低減できる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態につき、図８（Ａ）〜図２０（Ｂ）を参照して説明する。本実施形態においても図１の露光装置ＥＸを用いて露光が行われる。なお、以下で参照する図において図４（Ａ）及び（Ｂ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
（奇数行のショットに対する分割露光の一例）
上述の第１の実施形態では、最初に露光するショット及び最後に露光するショットに関して、残水及び／又は異物の残留が少なくなるように、ショットに対する液浸領域ＩＡの相対的な走査方向を設定していた。以下で説明する分割露光方法では、最初と最後に露光されるショットの間に露光されるショットに関しても、さらに、液浸領域ＩＡを次の行又は群（右群ＧＲ）に移動するためのステップ移動に関しても、ウエハ面及び／又はウエハＷとプレート体２８との間のギャップ領域ｇａに対する残水及び／又は異物の残留が低減されるようにする。なお、ギャップ領域ｇａ（図２参照）に残水又は異物の残留があると、ウエハＷをアンロードする際にその残水又は異物がウエハＷのエッジ部及びこの近傍の領域に付着して、最終的に製造される電子デバイスの歩留まりが低下する恐れがある。

まず、図４（Ａ）のウエハＷのように、ショットＳＡがウエハ面でＹ方向に奇数行（図４（Ａ）では行Ｒ１〜Ｒ１７の１７行）に渡って配置されている場合につき説明する。この配置の複数のショットＳＡは、最終的に一例として、図８（Ａ）に示すように、ウエハＷのＸ方向のほぼ中心に沿って階段状に折れ曲がる仮想的な分割線４８Ａによって、ウエハ面のほぼ＋Ｘ方向側の左群ＧＬＡと、ウエハ面の−Ｘ方向側の右群ＧＲＡとに分けられる。分割線４８Ａは、ショットＳＡ間のスクライブライン領域ＳＬに沿って設定される。これは以下の例でも同様である。左群ＧＬＡは１６個の行ＲＬ１〜ＲＬ１６のショットＳＡを含み、右群ＧＲＡは１７個の行ＲＲ１７〜ＲＲ１のショットＳＡを含んでいる。

図８（Ａ）において、分割線４８Ａは途中でＸ方向に折れ曲がっているが、そのＸ方向の段差の幅は、常にショットＳＡのＸ方向の幅以下である。また、元の図４（Ａ）の複数のショットＳＡに対して付加された斜線を施したショットＤＳ１，ＤＳ２，ＤＳ３，ＤＳ４，ＤＳ５（大きさはショットＳＡと同じである）は、露光光を照射することなく、ショットＳＡの露光時と同様に、液浸領域ＩＡを相対的に移動する領域である。このようなショットＤＳ１〜ＤＳ５等を以下ではダミーショットＤＳ１〜ＤＳ５等と称する。なお、ダミーショットＤＳ１等は、実際には露光されないため、その大きさはほぼショットＳＡと同じ程度でよい。

また、左群ＧＬＡにおいては、最初に位置（１，１３）のショットＳＡｄが走査方向ＳＡＹ（ここでは外内走査）で露光され、その後、経路ＣＡ１に沿って第１の行ＲＬ１のショットＳＡｄ〜ＳＡｅの露光、及び行ＲＬ１に付加されたダミーショットＤＳ１，ＤＳ２の液浸領域ＩＡによる走査が行われる。その後、第２の行から第１６の行ＲＬ１６の最後のショットＳＡｊまで順次、液浸領域ＩＡの走査方向を反転しながら露光が行われる。なお、図８（Ａ）及び以下で参照する図において、各行内のショットＳＡ（例えば行ＲＬｉ）に付された矢印は、液浸領域ＩＡの走査方向が方向ＳＹＡ又はＳＹＢのいずれであるかを表している。また、矢印が付されていないショットに対する走査方向は、同じ行内で隣接するショットの走査方向と逆の方向である。

そして、液浸領域ＩＡを経路ＣＡ３に沿って右群ＧＲＡの１番目に露光する行ＲＲ１７の最初に露光されるショットＳＡｂの手前に移動する。さらに、右群ＧＲＡにおいて、経路ＣＡ２に沿って行ＲＲ１７のショットＳＡｂ等の露光、及び行ＲＲ１７に付加されたダミーショットＤＳ３，ＤＳ４の液浸領域ＩＡによる走査が行われる。その後、第１６の行ＲＲ１６から第１の行ＲＲ１の最後のショットＳＡｚまで順次、液浸領域ＩＡの走査方向を反転しながら露光が行われる。最後に、行ＲＲ１に付加されたダミーショットＤＳ５に対して液浸領域ＩＡが方向ＳＹＡ（ここでは外内走査）に走査された後、液浸領域ＩＡが図４（Ｂ）の軌跡ＴＲ７と同様の軌跡に沿って低速でウエハＷの外部に移動して、ウエハＷの全部のショットＳＡに対する露光が終了する。これ以外の露光動作は図５の露光方法と同様である。図８（Ａ）の複数のショットＳＡの配列、露光順序を示す経路ＣＡ１，ＣＡ３，ＣＡ２の情報、及び最初に露光されるショットＳＡｄに対する液浸領域ＩＡ（露光領域ＥＡ）の走査方向、ひいては全部のショットＳＡに対する走査方向の情報は、ショットマップとして、図３の記憶装置２７のショットマップファイルＳＭＦに記録される。

次に、図４（Ａ）の複数のショットＳＡを図８（Ａ）の２つのグループ（左群ＧＬＡ及び右群ＧＲＡ）に分けてショットマップを作成する方法の一例につき、図９のフローチャートを参照して説明する。なお、このショットマップの作成において、後述のステップ１２４で定める１番目に露光するショットの位置は、後の動作によって変更される場合がある。さらに、後述のステップ１３２の動作は、実際には例えばステップ１３６の動作の前後で複数回実行されることがある。これに関して、ステップ１３４，１３６の動作をステップ１３０の前に行うことも可能である。このショットマップの作成は、露光装置ＥＸの主制御装置２０が行ってもよいが、露光装置ＥＸの工程管理等を行うホストコンピュータ（不図示）等で行い、得られたショットマップの情報を主制御装置２０に供給するようにしてもよい。

まず、図９のステップ１２２において、ウエハＷの全部のショットＳＡを左群ＧＬ及び右群ＧＲに暫定的に分けるための図４（Ａ）の仮想的な分割線４８（ショットマップにおける分割線）をウエハＷのＸ方向のほぼ中心に設定する。
次に、１番目に露光するショット（ここではショットＳＡａ）に対する液浸領域ＩＡの走査方向を内外走査に設定した後（ステップ１２４）、同じ左群ＧＬ（又は右群ＧＲ）内で露光が済んだある行から隣接する行に液浸領域ＩＡが移動（ステップ移動）するときに、Ｘ方向への移動量がショットＳＡのＸ方向の幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）以上になる複数ショット飛びがあるかどうかを確認する（ステップ１２６）。このようなＸ方向への複数ショット飛びをロングステップと称する。ロングステップがあると、例えばウエハステージＷＳＴの振動を抑制するために、ウエハステージＷＳＴが一時的に静止する場合がある。この後、ウエハＷに対する液浸領域ＩＡの走査を開始すると、液浸領域ＩＡのＸ方向の端部にロングテイルが生じ、ウエハ面に残水及び／又は異物の残留が生じる恐れがある。

そこで、ロングステップがある場合で、かつ露光が済んだ行に対して隣接する行の端部のショットがウエハＷの外側に出ている場合には、その露光が済んだ行の端部に（Ｎ−１）個のダミーショットを付加する（ステップ１２８）。一方、露光が済んだ行に対して隣接する行の端部のショットがウエハＷの内側に位置している場合には、その隣接する行の端部に（Ｎ−１）個のダミーショットを付加する。この動作によって、図４（Ｂ）のショットＳＡの配列に対して、図８（Ａ）に示すように、左群ＧＬＡの１番目の行ＲＬ１にダミーショットＤＳ１，ＤＳ２が付加され、右群ＧＲＡの１７番目の行ＲＲ１７にダミーショットＤＳ３，ＤＳ４が付加される。これによって、ロングステップが防止できる。その後、及びステップ１２６でロングステップがない場合に、動作はステップ１３０に移行する。

ここで、露光が済んだ行（ダミーショットが付加されている場合には、ダミーショットの走査及び通常のショットの露光が済んだ行。以下同様。）から、隣接する行に液浸領域ＩＡが移動することを行替えと称する。また、一例として、図８（Ａ）の左群ＧＬＡの第３の行の端部のショットＳＡｆから隣接する行の端部のショットＳＡｇ（ショットＳＡｆとは列が１列異なるショット）へ移行する場合のように、隣接する行の端部のショットＳＡｇに対して液浸領域ＩＡが外内走査（ここでは方向ＳＹＡに走査される場合）となるときの行替えをＣ型の行替えと称する。

図８（Ｃ）は、図８（Ａ）のショットＳＡｆ，ＳＡｇを含む部分の拡大図である。図８（Ｃ）において、ショットＳＡｆを液浸領域ＩＡが方向ＳＹＢ（ここでは内外走査）に走査しているため、その次の行の最初のショットＳＡｇに対する液浸領域ＩＡの走査方向は逆の方向ＳＹＡ（ここでは外内走査）となっている。この場合、ショットＳＡｆを走査した液浸領域ＩＡは、Ｃ字型の軌跡ＴＲ９に沿って、ウエハＷの外側から内側に向かって次のショットＳＡｇを走査するため、このときの行替えをＣ型と称している。

この場合、液浸領域ＩＡのうちで、図１のノズル部材３２のランド部３２ｂの底面側の圧力の高い部分の液体が、ウエハＷのエッジ部Ｗｆ及びウエハＷとプレート体２８との間のギャップ領域ｇａに接している時間が短くなっている。このため、エッジ部Ｗｆ及びギャップ領域ｇａに対する残水及び／又は異物の残留が低減されて、最終的に製造される電子デバイスの歩留まりが向上する。

なお、図８（Ａ）の隣接する２つの行の端部のショットＳＡｈ，ＳＡｉのように、Ｘ方向の位置（列）が同じショット間で行替えを行う場合には、液浸領域ＩＡは、ショットＳＡｈを走査した後、Ｉ字型の軌跡に沿って走査方向を反転してから、次のショットＳＡｉを走査する。このように端部のショットの列が同じ２つの行間での行替えをＩ型の行替えと称する。Ｉ型の行替えにおいても、図１のノズル部材３２のランド部３２ｂの底面側の圧力の高い部分の液体が、ウエハＷのエッジ部Ｗｆ及びウエハＷとプレート体２８との間のギャップ領域ｇａに接している時間は比較的短いため、エッジ部Ｗｆ及びギャップ領域ｇａに対する残水及び／又は異物の残留が低減される。

これに対して、図８（Ｂ）に示すように、仮に、ショットＳＡｆを液浸領域ＩＡが方向ＳＹＡに走査しているため、その次の行の最初のショットＳＡｇに対する液浸領域ＩＡの走査方向が逆の方向ＳＹＢ（ここでは内外走査）となっている場合の行替えを想定する。このとき、ショットＳＡｆを走査した液浸領域ＩＡは、文字αのような軌跡ＴＲ８に沿って、ウエハＷの内側から外側に向かって次のショットＳＡｇを走査するため、このときの行替えをα型の行替えと称する。

α型の行替えでは、液浸領域ＩＡのうちで、図１のノズル部材３２のランド部３２ｂの底面側の圧力の高い部分の液体が、ウエハＷのエッジ部Ｗｆ及びウエハＷとプレート体２８との間のギャップ領域ｇａに接している時間が長くなる。このため、エッジ部Ｗｆ及びギャップ領域ｇａに対する残水及び／又は異物の残留が増加し、最終的に製造される電子デバイスの歩留まりが低下する恐れがある。そこで、本実施形態では、前の行の最後に露光されるショットＳＡと、次の行で最初に露光されるショットＳＡとがウエハＷのエッジ部の近傍にある場合の行替え時で、かつそれら２つのショットＳＡの列が異なる場合に、行替えがＣ型又はＩ型となるようにしている。

そのため、図９のステップ１３０で、これまでに作成されたショットマップ中にα型の行替えがあるかどうかを検査し、α型の行替えがない場合にはステップ１３４に移行し、α型の行替えがある場合には、ステップ１３２に移行して、そのα型の行替えをＣ型又はＩ型の行替えに変更してから、ステップ１３２に移行する。そのようにＣ型の行替えに変更する方法としては、分割線４８の少なくとも一部のＸ方向の位置をショットＳＡのＸ方向の幅分だけずらす方法がある。また、Ｉ型の行替えに変更する方法としては、ダミーショットの追加がある。なお、この実施形態のようにウエハＷのショット配列が奇数行の場合には、すべてのα型の行替えは分割線４８の少なくとも一部の位置の変更によってＣ型の行替えに変更可能である。

一例として、図８（Ａ）において、左群ＧＬＡの２番目の行の最初に露光されるショットを外内走査にするために、１番目の行ＲＬ１中で最後に走査されるダミーショットＤＳ２に対する走査方向を方向ＳＹＢに設定している。この場合、ステップ１２４で設定したショットＳＡａに対する走査方向も方向ＳＹＢとなってしまうため、この部分の分割線４８（図４（Ａ）参照）の位置を−Ｘ方向にずらして、最初に露光されるショットを位置（１，１３）のショットＳＡｄ（走査方向が方向ＳＹＡ）としている。

一方、後述のように、ウエハＷのショット配列が偶数行の場合には、分割線４８の少なくとも一部の位置の変更によっては必ずしも全部のα型の行替えをＣ型の行替えに変更できないことがあり、このときには、ダミーショットの付加によってＩ型の行替えに変更されることがある（詳細後述）。
次のステップ１３４において、左群ＧＬＡの露光後に液浸領域ＩＡが右群ＧＲＡに移行する際にロングステップがあるかどうかを検査する。この実施形態のようにショット配列が奇数行である場合には、図４（Ｂ）に示すように、単にほぼ中央に分割線４８を設定すると、左群ＧＬから右群ＧＲに液浸領域ＩＡが移行するときに、経路Ｃ３で示すようにロングステップが生じる。このようなロングステップは、上述のように残水及び／又は異物の残留の要因になるとともに、ウエハステージＷＳＴの移動距離が長くなり、スループットも低下する。

そこで、右群ＧＲに移行する際にロングステップがあるときには、ステップ１３６に移行して、図８（Ａ）の第１４〜第１７の行における分割線４８Ａｂのように、分割線４８Ａの一部を階段状に変更する。この際に、隣接する２つの行間での分割線４８Ａｂの段差は、ショットＳＡのＸ方向の幅以下として、隣接する２つの行間で液浸領域ＩＡが移動する際にも、ロングステップが生じないよういしている。この結果、図８（Ａ）の場合には、一例として、第１７の行Ｒ１７における分割線４８Ａｂの位置が、この行Ｒ１７の＋Ｘ方向の端部となり、第１７の行Ｒ１７は、全体として右群ＧＲＡの第１７の行ＲＲ１７となっている。これによって、一例として、左群ＧＬＡの最後（第１６）の行ＲＬ１６で最後に露光されるショットＳＡｊと、右群ＧＲＡの最初に露光される第１７の行ＲＲ１７で最初に露光されるショットＳＡｂとは同じ列となり、ショットＳＡｊからショットＳＡｂに移行する際の経路ＣＡ３は、Ｉ型の行替え時と同じく、Ｘ方向の移動量が０となっている。

なお、実際には、この後、右群ＧＲＡにおいて、α型の行替えをＣ型又はＩ型の行替えに変更する際に、ステップ１３２の動作が実行されて、分割線４８Ａがさらに変更されることになる。これについては、次のショットマップの詳細な作成方法の項で説明する。そして、右群ＧＲＡにおいて、α型の行替えがＣ型又はＩ型の行替えに変更された後に、動作はステップ１３８に移行する。これに対して、後述のようにショット配列が偶数行の場合には、左群から右群に移行する際にロングステップは生じない。このようにロングステップがない場合には、右群ＧＲＡにおいてα型の行替えをＣ型又はＩ型の行替えに変更した後に、動作はステップ１３８に移行する。

ステップ１３８において、最後に露光されるショットＳＡｚ、又は最後に走査されるダミーショットが内外走査であるかどうかを検査する。図８（Ａ）の例では、最後に露光されるショットＳＡｚが内外走査となっているため、動作はステップ１４０に移行して、ショットＳＡｚに隣接してダミーショットＤＳ５を付加することで、図８（Ａ）のショットマップが完成する。この結果、ダミーショットＤＳ５に対して、液浸領域ＩＡは外内走査になるため、ウエハ面に対する残水及び／又は異物の残留が低減される。その後、動作はステップ１４２に移行する。ステップ１３８において、最後に露光されるショットＳＡｚが外内走査となっている場合にも、ショットマップが完成していることになるため、動作はステップ１４２に移行する。

ステップ１４２において、完成したショットマップが露光装置ＥＸの記憶部２７のショットマップファイルＳＭＦに記録される。この後、同じレチクルＲを用いてウエハＷと同じ大きさのウエハの全部のショットに対して露光を行う場合には（ステップ１４４）、ショットマップファイルＳＭＦに記録されたショットマップに基づいて露光順序及び走査方向が制御される。

この実施形態の奇数行のショットに対する分割露光方法によれば、第１の実施形態の効果に加えて、隣接する行間での液浸領域ＩＡの複数ショット飛び（ロングステップ）、α型の行替え、及び左群から右群に液浸領域ＩＡが移行するときのロングステップが防止されているため、液浸方式で例えば４５０ｍｍウエハのような大型のウエハＷを露光する際に残水及び／又は異物の残留をさらに低減できる。

なお、この実施形態において、複数ショット飛びを防止するためにダミーショットを付加することは、分割露光以外の通常の露光方法にも適用できる。この場合の露光方法は、ウエハ面の複数のショットＳＡを、照明光ＩＬ（露光光）によって液浸領域ＩＡを介して走査して順次露光する露光方法であって、複数のショットＳＡは、Ｙ方向（第１方向）に沿って配列された複数の行Ｒ１〜Ｒ１７と、Ｘ方向（第２方向）に沿って配列された複数の列とで区分けされている。

そして、その露光方法は、複数の行Ｒ１〜Ｒ１７のうちの１番目の行Ｒ１（一の行）に属する複数のショットＳＡに対する露光が、ウエハＷの内側から外側に向かってＸ方向に順次行われるとともに、１番目の行Ｒ１で最後に露光されるショットＳＡｅに対して、２番目の行Ｒ２（二の行）のショットＳＡ内で最初に露光されるショットＳＡが、その最後に露光されるショットＳＡｅに対してＸ方向にずれているときに、Ｘ方向に沿ってウエハＷの内側から外側に向かう方向に、ショットＳＡのＸ方向における幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）だけずれているとき、１番目の行Ｒ１の最後に露光されるショットＳＡｅに隣接して（Ｎ−１）個のダミーショットＤＳ１，ＤＳ２を付加し、（Ｎ−１）個のダミーショットに対して液浸領域ＩＡを介して走査する動作を行った後、２番目の行Ｒ２の最初に露光されるショットＳＡに対する露光を行うものである。

この露光方法によれば、ロングステップが防止されるため、残水及び／又は異物の残留を低減できる。なお、付加されるダミーショットの数が多くなると、ウエハステージＷＳＴの走査露光時間が長くなり、露光工程のスループットが低下する。そのため、ロングステップを防止できる範囲内で、付加するダミーショットの個数は少ないことが好ましい。このため、付加するダミーショットの個数を（Ｎ−１）個にしている。

（奇数行のショット用のショットマップの詳細な作成方法の一例）
次に、図４（Ａ）のウエハＷの奇数行のショット配列を図８（Ａ）に示す２つのグループ（左群ＧＬＡ及び右群ＧＲＡ）に分けてショットマップを作成するための方法の一例につき詳細に説明する。
まず、図１０（Ａ）に示すように、ウエハＷのＸ方向の中心（以下、ウエハ中心と言う）に暫定的な分割線４８を設定し、複数ショット飛び（行間のロングステップ）を防止するために、左群ＧＬの行ＲＬ１の端部に経路Ｅ１ａに沿ってダミーショットＤＳ１，ＤＳ２を付加し、右群ＧＲの行ＲＲ１７の端部に経路Ｅ２ａに沿ってダミーショットＤＳ３，ＤＳ４を付加する。ダミーショットＤＳ１〜ＤＳ４には斜線を施している。なお、図１０（Ａ）及び以下で参照する図面において、移動方向ＳＴＹＡ（＋Ｙ方向）は左群ＧＬの隣接する２つの行間の液浸領域ＩＡのステップ移動の方向を示し、移動方向ＳＴＹＢ（−Ｙ方向）は右群ＧＲの隣接する２つの行間の液浸領域ＩＡのステップ移動の方向を示す。

次に、図１０（Ｂ）に示すように、左群ＧＬの１番目の行ＲＬ１で１番目に露光するショットを外内走査（液浸領域ＩＡの走査方向が方向ＳＹＡ（＋Ｙ方向））に設定すると、行ＲＬ１で最後に走査されるダミーショットＤＳ２から次の行への行替えが、液浸領域ＩＡの相対的な軌跡ＴＲ８で示すようにα型となっている。そこで、図１１（Ａ）に示すように、２番目の行ＲＬ２に対する行替えをＣ型にするために、分割線４８を１行分−Ｘ方向にずらして分割線４８Ｂとして、１番目に外内走査で露光されるショットをＳＡｄとすることによって、ダミーショットＤＳ２を内外走査にする。なお、図１１（Ａ）及び以下で参照する図において、一つの行内の複数のショットに対する液浸領域ＩＡの走査方向は交互に反転する。このため、原則として、走査方向が方向ＳＹＡとなるショットにのみその方向ＳＹＡを表す矢印を付している。

次に、図１１（Ｂ）に示すように、左群ＧＬで最後に露光されるショットから右群ＧＲで最初に露光されるショットに対する液浸領域ＩＡの移動がロングステップにならないように、分割線を上部の直線状の分割線４８Ｂ１と、これに続く階段状に変化する分割線４８Ｃとに分ける。これによって、左群ＧＬの最後の行（第１７の行）は一つのショットＳＡｂのみになる。そして、図１２（Ａ）に示すように、左群ＧＬにおいて、第２及び第３の１対の行ＲＬ２，ＲＬ３、第４及び第５の１対の行、〜第１４及び第１５の１対の行をそれぞれ行カップル５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ，５０Ｇ（液浸領域ＩＡがウエハＷの外周から内部を経て外周部に移動する２つの行）と称する。行カップル５０Ａ〜５０Ｇは、後述のように、行替えをＣ型等に最適化する場合に使用される。なお、図１２（Ａ）において、偶数番目の行カップル５０Ｂ等にはハッチングを施してある。

次に、図１２（Ｂ）に示すように、左群ＧＬの第３の行から第４の行への行替えがα型となっている。そこで、第３の行の最後のショットＳＡｆに対する走査方向を反転させるために、分割線４８Ｂ１の第３行以降の部分を＋Ｘ方向（ウエハ中心に近い方向）に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｂ２として、α型の行替えが発生している行カップル５０Ａの右下の１つのショットＳＡを右群ＧＲに移す。これによって、行カップル５０Ａ内のショット数が１個減少して、行カップル５０Ａの最後のショットＳＡｆの走査方向が反転し、図１３（Ａ）に示すように、行替えがＣ型になる。

次に、図１３（Ｂ）に示すように、左群ＧＬの第７の行ＲＬ７から第８の行ＲＬ８への行替えがα型となっている。そこで、今度は、分割線４８Ｂ２の第７行以降の部分を−Ｘ方向（ウエハ中心に近い方向）に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｂ３として、α型の行替えが発生している行カップル５０Ｃに、右群ＧＲの一つのショットＳＡを移す。これによって、行カップル５０Ｃ内のショット数が１個増加して、行カップル５０Ｃの最後のショットＳＡの走査方向が反転し、図１４（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型になる。

なお、図１３（Ｂ）のα型の行替えをＣ型に変更するための分割線４８Ｂ２の第７の行以降の部分の変更後の位置としては、図１４（Ａ）に示すように、ちょうどウエハの中心に位置する位置Ｅ４と、この位置Ｅ４の１つ右に位置する位置Ｅ５（分割線４８Ｂ４及び４８Ｂ３）が考えられる。この場合、ウエハ中心はショットＳＡの境界部（スクライブライン領域）にあるため、一例として、ウエハ中心に対して−Ｘ方向に一つのショットだけずれた位置にある分割線４８Ｂ３を選択するようにする。ここで、図１４（Ａ）の上部の分割線４８Ｂ２、中央部の分割線４８Ｂ３、及び階段状の分割線４８Ｃを合わせた線を図１４（Ｂ）の分割線４８Ｃとする。なお、上記の分割線４８Ｂ４及び４８Ｂ３を選択する理由としては、例えば上述の階段状の分割線を設定するときにウエハの中心に対して左側の群に位置するショット数が右側のショット数の群より少なくなりがちになるためである。このような事情から、本実施形態では左側の群のショット数をできるだけ増やすために位置Ｅ５を選択することとした。

次に、図１５（Ａ）に示すように、左群ＧＬの第１３の行ＲＬ１３から第１４の行ＲＬ１４への行替えがα型（液浸領域ＩＡの軌跡ＴＲ８Ａ）となっている。そこで、分割線４８Ｃの第１２の行の部分を＋Ｘ方向（ウエハ中心に近い方向）に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｃ１として、α型の行替えが発生している行カップル５０Ｆの一つのショットＳＡを右群ＧＲに移す。これによって、行カップル５０Ｆ内のショット数が１個減少して、行カップル５０Ｆの最後のショットＳＡの走査方向が反転し、図１５（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ａ）になる。変更後の分割線を４８Ｄとする。

次に、図１６（Ａ）に示すように、右群ＧＲの第１７の行ＲＲ１７から第１６の行Ｒ６１６への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｂ）となっている。この右群ＧＲの行替えの変更では、既に最適化したショットに対する走査方向をそのまま維持する必要がある。そこで、分割線４８Ｄのうち、第１０の行以降の階段状の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｄ１として、左群ＧＬの行カップル５０Ｅ〜５０Ｇからそれぞれ２つのショットＳＡを右群ＧＲに移す。これにより、左群ＧＬにおける液浸領域ＩＡの走査方向をそれまでの方向に維持しつつ、右群ＧＲの行ＲＲ１７等に１つのショットＳＡを加えることができ、行ＲＲ１７の最後のショット（ダミーショットＤＳ４）の走査方向が反転し、図１７（Ａ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｂ）になる。変更後の分割線を４８Ｅとする。

なお、分割線としては、図１６（Ｂ）の分割線４８Ｄ２のように、段差が２つのショットの幅以上になるものは採用しない。この場合、右群ＧＲの行ＲＲ１２から行ＲＲ１１に移行する際の液浸領域ＩＡの経路Ｅ２Ｂ１がロングステップとなるためである。これは左群ＧＬの露光時にも同様である。これに対して、分割線が図１６（Ｃ）に示す段差が１つのショットの幅以下となる分割線４８Ｄであれば、右群ＧＲの行ＲＲ１２から行ＲＲ１１に移行する際の経路Ｅ２Ｂ２のＸ方向の移動量は１つのショットの幅以下となる。

次に、図１７（Ａ）に示すように、右群ＧＲにおいて、第１６及び第１５の１対の行、第１４及び第１３の１対の行、…、第２及び第１の１対の行をそれぞれ行カップル５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆ，５１Ｇ，５１Ｈと称する。左群ＧＬの行カップル５０Ａ〜５０Ｇと右群ＧＲの行カップル５１Ａ〜５１Ｈとは、Ｙ方向に一つのショットＳＡ分だけ位置がずれている。なお、図１７（Ｂ）において、左群ＧＬの偶数番目の行カップル５０Ｂ等、及び右群ＧＲの奇数番目の行カップル５１Ａ等には互いに異なるハッチングを施してある。

次に、図１７（Ｂ）に示すように、右群ＧＲの第１１の行ＲＲ１１から第１０の行ＲＲ１０への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｂ）となっている。そこで、分割線４８Ｅの第８の行から第１１の行の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｅ１として、α型の行替えが発生している行カップル５１Ｃに左群ＧＬの一つのショットＳＡを移す。この際に、階段状の分割線４８Ｅ１としているのは、段差を２つのショットＳＡの幅以下にするためである。また、左群ＧＬの行カップル５０Ｄ，５０Ｅではそれぞれ２つのショットＳＡが減少するため、左群ＧＬにおける走査方向は反転しない。一方、行カップル５１Ｃの最後のショットＳＡの走査方向が反転し、図１８（Ａ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｂ）になる。変更後の分割線を４８Ｆとする。

次に、図１８（Ｂ）に示すように、右群ＧＲの第３の行ＲＲ３から第２の行ＲＲ２への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｃ）となっている。そこで、分割線４８Ｆの第２の行から第３の行の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４８Ｆ１として、α型の行替えが発生している行カップル５１Ｇに左群ＧＬの一つのショットＳＡを移す。この際に、左群ＧＬの行カップル５０Ａでは２つのショットＳＡが減少するため、左群ＧＬにおける走査方向は反転しない。一方、行カップル５１Ｇの最後のショットＳＡの走査方向が反転し、図１９（Ａ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｃ）になる。変更後の分割線は図８（Ａ）の分割線４８Ａとなる。

なお、行カップル５１Ｇの最後のショットＳＡの走査方向を反転させるためには、図１９（Ｂ）に示すように、分割線４８Ｆの第２の行から第３の行の部分を−Ｘ方向に一つのショットＳＡの幅分だけずらして分割線４８Ｆ２としてもよい。しかしながら、この分割方法では、分割線が右側に偏るため、好ましくない。
次に、図２０（Ａ）に示すように、右群ＧＲで最後に露光されるショットＳＡｚが内外走査になっており、このままでは残水等の恐れがある。そこで、図２０（Ｂ）に示すように、ショットＳＡｚの−Ｘ方向の隣にダミーショットＤＳ５を付加する。このダミーショットＤＳ５は外内走査されるため、残水等が防止できる。これによって、図８（Ａ）のショットマップが完成したことになる。
このショットマップの作成方法によれば、どのような奇数行のショット配列であっても、図９のフローチャートの条件を満たして、最適なショットマップを作成することができる。

［第３の実施形態］
第３の実施形態につき、図２１（Ａ）〜図３２（Ｂ）を参照して説明する。本実施形態においても図１の露光装置ＥＸを用いて露光が行われる。なお、以下で参照する図において図４（Ａ）、（Ｂ）及び図８（Ａ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。

上述の第２の実施形態では、奇数行のショット配列に対して最適な露光方法を説明したが、本実施形態では偶数行のショット配列に対して最適な露光方法を説明する。
（偶数行のショットに対する分割露光の一例）
図２１（Ａ）は、本実施形態のウエハステージＷＳＴ（図２参照）に載置された状態のウエハＷの表面（ウエハ面）におけるショット配列の一例を示す。一例として、ウエハＷは４５０ｍｍウエハである。図２１（Ａ）において、ウエハＷの複数のショットＳＢ（欠けショットを含む）は、一例としてＹ方向（走査方向）に１６行で、かつＸ方向に２３列で配列されている。ショットＳＢ（ショット領域）は上記の第１及び第２の実施形態のショットＳＡに対応しているが、ショットＳＡとは大きさが異なっている。

以下の説明では、ウエハＷの−Ｙ方向の端部の行（図２のウエハステージＷＳＴの計測プレート６０に最も近い位置にある行）を１番目の行Ｒ１、＋Ｘ方向の端部の列を１番目の列として、＋Ｙ方向にｉ番目の行Ｒｉで（ｉは１以上の整数）、−Ｘ方向にｊ番目の列にあるショットＳＢを位置（ｉ，ｊ）のショットとも言う（ｊは１以上の整数）。
本実施形態では、まず最も簡単な露光方法として、図２１（Ａ）の複数のショットＳＢを、計測プレート６０に近いＸ方向の中央にあり、かつＹ方向（走査方向）に平行なスクライブライン領域ＳＬ上にある仮想的な分割線４９によって、＋Ｘ方向の半面側の複数行のショットＳＢを含む左群ＧＬＢ、及び−Ｘ方向の半面側の複数行のショットＳＡを含む右群ＧＲＢに分ける。この場合、第ｉ番目の行Ｒｉ中で（ここではｉ＝１〜１６）、分割線４９よりも＋Ｘ方向の行ＲＬｉ中のショットＳＢが左群ＧＬＢに属し、分割線４９よりも−Ｘ方向の行ＲＲｉ中のショットＳＢが右群ＧＲＢに属する。

そして、計測プレート６０を用いてレチクルＲのレチクルマークの像（不図示）の位置を計測した後、左群ＧＬＢ中の１番目の行ＲＬ１中で、計測プレート６０に最も近い位置（１，１２）にあるショットＳＢａから走査露光を開始し、液浸方式で１番目の行ＲＬ１の走査露光が終了した後、移動経路ＣＢ１に沿って、順次、液浸領域ＩＡを＋Ｙ方向（移動方向ＳＴＹＡ）にステップ移動させながら、２番目、３番目、…１６番目の行ＲＬ１６等のショットＳＢを露光する。本実施形態では、左群ＧＬＢで最後に露光されるショットＳＢｂは、右群ＧＲＢで最初に露光されるショットＳＢｃにＸ方向に隣接している。

このため、左群ＧＬＢの露光後に、連続的に右群ＧＲＢの複数のショットＳＢを経路ＣＢ２に沿って順に露光する。すなわち、１６番目の行ＲＲ１６の複数のショットＳＢの露光が終了した後、順次、液浸領域ＩＡを−Ｙ方向（移動方向ＳＴＹＢ）にステップ移動させながら、１５番目、…１番目の行ＲＲ１等のショットＳＢを露光する。そして、右群ＧＲＢの最後に露光される１番目の行ＲＲ１中で最後に露光されるショットＳＢｚは、計測プレート６０に最も近い位置にある。これ以外の露光動作は図５の露光方法と同様である。このため、この後、ウエハステージＷＳＴをアンローディング位置ＵＰ（図２参照）に短時間で移動でき、露光工程のスループットを高く維持できる。

次に、ウエハ面における残水及び／又は異物の残留をより低減できる分割露光方法の一例につき説明する。
ここでは、複数のショットＳＢを、一例として図２１（Ｂ）に示すように、ウエハＷのＸ方向のほぼ中心に沿って階段状に折れ曲がる仮想的な分割線４９Ａによって、ウエハ面のほぼ＋Ｘ方向側の左群ＧＬＣと、ウエハ面の−Ｘ方向側の右群ＧＲＣとに分ける。左群ＧＬＣは１６個の行ＲＬ１〜ＲＬ１６のショットＳＢを含み、右群ＧＲＣは１６個の行ＲＲ１６〜ＲＲ１のショットＳＢを含んでいる。

図２１（Ｂ）において、元の図２１（Ａ）の複数のショットＳＢに対して斜線を施したダミーショットＤＢ１〜ＤＢ１０が付加されている。ダミーショットＤＢ１等は実際には露光されることなく液浸領域ＩＡで相対的に走査されるだけであるため、その大きさはほぼショットＳＢと同じ程度でよい。
また、左群ＧＬＣにおいては、最初に位置（１，１１）のショットＳＢｄが走査方向ＳＡＹ（ここでは外内走査）で露光され、その後、経路ＣＣ１に沿って第１の行ＲＬ１のショットＳＢｄ等の露光、及び付加されたダミーショットＤＢ１，ＤＢ２の液浸領域ＩＡによる走査が行われる。その後、第２の行から第１６の行ＲＬ１６の最後のショットまで順次、液浸領域ＩＡの走査方向を反転しながら露光が行われる。なお、図２１（Ｂ）及び以下で参照する図において、各行内のショットＳＢ（例えば行ＲＬｉ）に付された矢印は、液浸領域ＩＡの走査方向が方向ＳＹＡ（＋Ｙ方向）又は方向ＳＹＢ（−Ｙ方向）のいずれであるかを表している。また、矢印が付されていないショットに対する走査方向は、同じ行内で隣接するショットの走査方向と逆の方向である。

そして、右群ＧＲＣにおいて、経路ＣＣ２に沿って行ＲＲ１６のショットＳＢ等の露光、及び付加されたダミーショットＤＢ５，ＤＢ６，ＤＢ７の液浸領域ＩＡによる走査が行われる。その後、第１５の行から第１の行ＲＲ１の最後のショットＳＢａ（図２１（Ａ）で最初に露光されたショット）まで順次、液浸領域ＩＡの走査方向を反転しながら露光が行われる。最後のショットＳＢａは外内走査で露光される。また、１番目に露光されるショットから最後に露光されるショットまでの間で、液浸領域ＩＡのロングステップ及びα型の行替えが生じないように、分割線４９Ａの設定及びダミーショットの付加が行われている。これ以外の露光動作は図５の露光方法と同様である。図２１（Ｂ）の複数のショットＳＢ及びダミーショットＤＢ１〜ＤＢ１０の配列、露光順序を示す経路ＣＣ１，ＣＣ２の情報、及び最初に露光されるショットＳＢｄに対する液浸領域ＩＡ（露光領域ＥＡ）の走査方向、ひいては全部のショットＳＢに対する走査方向の情報は、ショットマップとして、図３の記憶装置２７のショットマップファイルＳＭＦに記録される。主制御装置２０はそのショットマップに基づいて各ショットＳＢに対する露光を制御する。

この露光方法によれば、第１の実施形態の効果に加えて、隣接する行間での液浸領域ＩＡの複数ショット飛び（ロングステップ）、及びα型の行替えが防止されているため、液浸方式で例えば４５０ｍｍウエハのような大型のウエハＷを露光する際に残水及び／又は異物の残留をさらに低減できる。
（偶数行のショット用のショットマップの詳細な作成方法の一例）
次に、図２１（Ａ）のウエハＷの偶数行のショット配列を図２１（Ｂ）に示す２つのグループ（左群ＧＬＣ及び右群ＧＲＣ）に分けてショットマップを作成するための方法の一例につき詳細に説明する。

まず、図２２（Ａ）に示すように、ウエハＷのＸ方向の中心（ウエハ中心）に最も近いＹ方向に平行なスクライブライン領域ＳＬ（図２１（Ａ）参照）に沿って暫定的な分割線４９を設定し、複数ショット飛び（行間のロングステップ）を防止するために、左群ＧＬＢの行ＲＬ１の端部にダミーショットＤＢ１，ＤＳ２を付加し、行ＲＬ１６の端部にダミーショットＤＢ３，ＤＢ４を付加し、右群ＧＲＢの行ＲＲ１６の端部にダミーショットＤＢ５，ＤＳ６を付加し、行ＲＲ１の端部にダミーショットＤＢ９を付加する。

次に、図２２（Ｂ）に示すように、左群ＧＬＢにおいて、第２及び第３の１対の行、第４及び第５の１対の行、〜第１４及び第１５の１対の行をそれぞれ行カップル５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆ，５２Ｇ（図１２（Ａ）の行カップル５０Ａ〜５０Ｇと同様に、液浸領域ＩＡがウエハＷの外周から内部を経て外周部に移動する２つの行）と称する。また、右群ＧＲＢにおいて、第１５及び第１４の１対の行、第１３及び第１２の１対の行、〜第３及び第２の１対の行をそれぞれ行カップル５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆ，５３Ｇと称する。左群ＧＬＢの行カップル５２Ａ〜５２Ｇと右群ＧＲＢの行カップル５３Ａ〜５３Ｇとは、Ｙ方向の位置が同じである点が奇数行のショット配列の場合と異なっている。なお、図２２（Ｂ）において、左群ＧＬＢの偶数番目の行カップル５２Ｂ等、及び右群ＧＲＢの奇数番目の行カップル５３Ａ等には互いに異なるハッチングを施してある。

また、左群ＧＬＢにおいて、行カップル５２Ａ〜５２Ｇ間の行替えの型がＩ型である形態が連続している行カップル５２Ｂ〜５２Ｆを、まとめてＩ型の行替えグループ５４Ａと称する。このＩ型の行替えグループ５４Ａは、右群ＧＲＢの行替えの型を変更する際に使用される。
次に、図２３（Ａ）に示すように、左群ＧＬＢの１番目の行ＲＬ１で１番目に露光するショット（ここではショットＳＢａ）を外内走査（液浸領域ＩＡの走査方向が方向ＳＹＡ）に設定すると、行ＲＬ１で最後に走査されるダミーショットＤＢ２から次の行への行替えが、液浸領域ＩＡの相対的な軌跡ＴＲ８で示すようにα型となっている。そこで、分割線４９を１行分＋Ｘ方向（ウエハ中心に近い方向）にずらして分割線４９Ｂとして、１番目に外内走査で露光されるショットをショットＳＢｄとすることによって、ダミーショットＤＢ２を内外走査にする。これによって、図２３（Ｂ）に示すように、第２の行への行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９）となる。

次に、図２４（Ａ）に示すように、左群ＧＬＢの第３の行から第４の行への行替えがα型となっている。そこで、第３の行の最後のショットに対する走査方向を反転させるために、分割線４９Ｂの第３の行以降の部分を−Ｘ方向（ウエハ中心に近い方向。以下同様）に一つのショット分だけシフトさせて分割線４９Ｂ１として、α型の行替えが発生している行カップル５２Ａの右下に右群ＧＲＢの１つのショットＳＢを追加する。これによって、行カップル５２Ａの最後のショットの走査方向が反転し、図２４（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型になる。

次に、図２５（Ａ）に示すように、左群ＧＬＢの第１３の行から第１４の行への行替えがα型（液浸領域ＩＡの軌跡ＴＲ８Ａ）となっている。そこで、今度は、分割線４９Ｂ１の第１３行以降の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４９Ｂ２として、α型の行替えが発生している行カップル５２Ｆの右下の一つのショットＳＢを右群ＧＲＢに移す。これによって、行カップル５２Ｆ内のショット数が１個減少して、行カップル５２Ｆの最後のショットＳＢの走査方向が反転し、図２５（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ａ）になる。

次に、図２６（Ａ）に示すように、左群ＧＬＢの第１５の行ＲＬ１５から第１６の行ＲＬ１６への行替えがα型となっている。そこで、分割線４９Ｂ２の第１５の行以降の部分を−Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４９Ｂ３として、行カップル５２Ｇに右群ＧＲＢの一つのショットＳＢを移す。これによって、行カップル５２Ｇ内のショット数が１個増加して、行カップル５２Ｇの最後のショットＳＢの走査方向が反転し、図２６（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ａ）になる。

次に、図２７（Ａ）に示すように、右群ＧＲＢの第１７の行ＲＲ１７から第１６の行Ｒ６１６への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｂ）となっている。この右群ＧＲＢの行替えの変更では、既に最適化したショットに対する走査方向をそのまま維持する必要がある。しかしながら、仮に、図１６（Ａ）を参照して説明した奇数行のショット配列の場合の方法を適用して、分割線４９Ｂ３のうち、第１２の行以降の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて分割線４９Ｂ４として、左群ＧＬＢの行カップル５２Ｇ等からそれぞれ２つのショットＳＢを右群ＧＲＢに移しても、右群ＧＲＢの走査方向も変化しない。

そこで、偶数行のショット配列では、図２７（Ｂ）に示すように、右群ＧＲＢのα型の行替えが発生している行ＲＲ１６の端部に一つのダミーショットＤＢ７を付加する。これによって、行ＲＲ１６の最後のショット（ダミーショットＤＢ７）の走査方向が反転し、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｂ）になる。
図２８（Ａ）に示すように、奇数行のショットマップでは、左群ＧＬの行カップル５０Ａ〜５０Ｇと右群ＧＲの行カップル５１Ａ〜５１ＨとがＹ方向に一行分ずれているため、分割線４８Ｃ等の部分的なシフトによって、左群ＧＬの行カップル５０Ａ〜５０Ｇから右群ＧＲの行カップル５１Ａ〜５１Ｈの未最適化領域に一つのショットＳＡを移動できる。これに対して、図２８（Ｂ）に示すように、偶数行のショットマップでは、左群ＧＬＢの行カップル５２Ａ〜５２Ｇと右群ＧＲＢの行カップル５３Ａ〜５３ＢとのＹ方向の位置が同じであるため、左群ＧＬＢの行カップル５２Ａ〜５２Ｇから右群ＧＲＢの行カップル５３Ａ〜５３Ｂに偶数個のショットＳＢを移動しても、行カップル５２Ａ〜５２Ｇにおける走査方向は変化しないため、α型の行替えをＣ型に変更することはできないことになる。

次に、図２９（Ａ）に示すように、右群ＧＲＢの第１２の行ＲＲ１２から第１１の行ＲＲ１１への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｂ）となっている。この場合、α型の行替えが発生している行カップル５３Ｂ，５３Ｃは、右群ＧＲＢのＩ型の行替えグループ５４Ａと同じ行の範囲内に入っている。そこで、奇数行のショット配列の場合の分割線の部分的なシフトを適用して、分割線４９Ｂ３の第１１の行から第１２の行の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて、右群ＧＲＢの２つのショットＳＢｆ，ＳＢｅを左群ＧＬＢのＩ型の行替えグループ５４Ａに移す。この際に、行替えグループ５４Ａ内の行カップル５２Ｅ，５２Ｆの境界部では走査方向が反転するが、行替えがＩ型であるため、問題にはならない。そして、右群ＧＲＢの行カップル５３Ｂには右群ＧＲＢから一つのショットＳＢが追加されて、行カップル５３Ｂの最後のショットＳＢの走査方向が反転し、図２９（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｂ）になる。変更後の分割線を４９Ｃとする。

次に、図３０（Ａ）に示すように、右群ＧＲＢの第６の行ＲＲ６から第５の行ＲＲ５への行替えがα型（軌跡ＴＲ８Ｃ）となっている。この場合、α型の行替えが発生している行カップル５３Ｅ，５３Ｆは、右群ＧＲＢのＩ型の行替えグループ５４Ａと同じ行の範囲内に入っている。そこで、分割線４９Ｃの第５の行から第６の行の部分を＋Ｘ方向に一つのショット分だけシフトさせて、右群ＧＲＢの２つのショットＳＢｈ，ＳＢｇを左群ＧＬＢのＩ型の行替えグループ５４Ａに移す。この際に、行替えグループ５４Ａ内の行カップル５２Ｂ，５２Ｃの境界部では走査方向が反転するが、行替えがＩ型であるため、問題にはならない。そして、右群ＧＲＢの行カップル５３Ｅには右群ＧＲＢから一つのショットＳＢが追加されて、行カップル５３Ｅの最後のショットＳＢの走査方向が反転し、図３０（Ｂ）に示すように、行替えがＣ型（軌跡ＴＲ９Ｃ）になる。変更後の分割線は、図２１（Ｂ）の分割線４９Ａとなる。

次に、図３１（Ａ）に示すように、右群ＧＲＢの第４の行ＲＲ４から第３の行ＲＲ３への行替えがα型となっている。この場合、α型の行替えが発生している行カップル５３Ｆ，５３Ｇは、右群ＧＲＢのＩ型の行替えグループ５４Ａと同じ行の範囲から外れているため、Ｉ型の行替えグループ５４Ａを使用する方法は適用できない。そこで、図３１（Ｂ）に示すように、右群ＧＲＢの第３の行ＲＲ３の端部にダミーショットＤＢ８を付加して、第４の行ＲＲ４から第３の行ＲＲ３に液浸領域ＩＡがＹ軸に平行な方向Ｆ４に移動できるように、すなわち行替えをＩ型にする。

次に、図３２（Ａ）に示すように、右群ＧＲＢで最後に露光されるショットＳＢａが内外走査になっており、このままでは残水等の恐れがある。そこで、図３２（Ｂ）に示すように、右群ＧＲＢの第１の行ＲＲ１の−Ｘ方向の端部にダミーショットＤＢ１０を付加する。これによって最後に露光されるショットＳＢａは外内走査されるため、残水等が防止できる。これによって、図２１（Ｂ）のショットマップが完成したことになる。

このショットマップの作成方法によれば、どのような偶数行のショット配列であっても、図９で例示したフローチャートの条件を満たして、最適なショットマップを作成することができる。
なお、上述の各実施形態では、一つのウエハＷで複数のショットＳＡ（又はＳＢ）の大きさは互いに等しい。これに対して、図３２（Ａ）に示すように、例えばウエハＷの−Ｙ方向の端部では、ウエハステージＷＳＴの可動範囲等の関係から、それ以外の領域のショットＳＡに比べてＹ方向の長さが短いショットＳＣが配列されることがある。

この場合、液浸領域ＩＡを軌跡ＴＲ２０に沿って移動させて、液浸領域ＩＡを介して一行の複数のショットＳＣを露光した後、液浸領域ＩＡを軌跡ＴＲ２１に沿って移動させて、次の行の複数のショットＳＡを露光する前に、例えば照明系ＩＬＳ内の固定の視野絞りの開口の形状を変更することがある。この場合、位置Ｐ１のショットＳＣの露光後にα型の行替えを行うものとすると、液浸領域ＩＡは、次の行の最初に露光する位置Ｐ２のショットＳＡの手前の位置Ａ７（ウエハＷ上の位置）で一度停止する。この後で液浸領域ＩＡの相対的な走査を開始すると、ウエハ面にある端部ＩＡａがロングテイルとなり、ウエハ面に残水及び／又は異物の残留が生じる恐れがある。

そこで、このような場合には、図３２（Ｂ）に示すように、−Ｙ方向の端部の行にダミーショットＤＣ１を付加し、次の行の端部にダミーショットＤＣ２を付加して、行替えをＣ型としてもよい。そして、液浸領域ＩＡでダミーショットＤＣ１を内外走査した後、次の行のダミーショットＤＣ２の手前の位置Ａ８（ウエハＷの外部の位置）で液浸領域ＩＡを停止させた後、走査露光を開始する。この際に、液浸領域ＩＡの端部ＩＡａがロングテイルとなっても、その部分はウエハ面の外部にあるため、ウエハ面に残水及び／又は異物の残留が生じることがない。

なお、上記の実施形態では、投影光学系ＰＬを支持するフレーム側に検出ヘッド１４を配置し、ウエハステージＷＳＴ側に回折格子１２Ａ，１２Ｂを配置している。この他の構成として、そのフレーム側に回折格子１２Ａ，１２Ｂを配置し、ウエハステージＷＳＴ側に検出ヘッド１４を配置してもよい。
なお、エンコーダシステム６と並列に、又はエンコーダシステム６の代わりに、ウエハステージＷＳＴ及び／又は計測ステージＭＳＴの３次元的な位置を計測するレーザ干渉計システムを設け、このレーザ干渉計システムの計測値を用いて、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを駆動してもよい。

また、上記の実施形態では、ウエハＷは４５０ｍｍウエハであるが、例えば直径が３００ｍｍのウエハ、又はそれ以外の大きさのウエハを使用する場合にも、上記の実施形態の露光方法又は露光装置が適用できる。
また、上記の各実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図３４に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置（露光方法）によりレチクルのパターンを基板（感光基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。

言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理（現像等）することと、を含んでいる。この際に、上記の実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法によれば、基板を大型にして極めて高いスループット（生産性）を得ることができるとともに、高い歩留まりで電子デバイスを高精度に製造できる。

なお、上記の第１の実施形態の露光方法（分割露光方法）は、液浸方式でないドライ型で走査露光型の投影露光装置（スキャナ）、又はステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ等）で露光する場合にも適用できる。さらに、その走査露光型の投影露光装置としては、露光光として極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いるＥＵＶ露光装置も使用できる。

また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグフィ工程を用いて製造する際の、露光装置にも適用することができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。

ＥＸ…露光装置、Ｒ…レチクル、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＳＡ，ＳＢ…ショット（ショット領域）、ＧＬ，ＧＬＡ，ＧＬＢ…左群、ＧＲ，ＧＲＡ，ＧＲＢ…右群、Ｒｉ…ショットが配列された行、ＲＬｉ…左群の行、ＲＲｉ…右群の行、Ｃ１〜Ｃ３，ＣＡ１〜ＣＡ３…移動経路、ＩＡ…液浸領域、８…局所液浸機構、４８，４８Ａ，４９，４９Ａ…分割線

Claims (41)

1. 複数のショット領域の配列を規定する配列情報に基づいて、基板上の複数の領域に対して液浸領域を介して露光する露光方法であって、
   前記配列情報に含まれる第１配列に属する複数の領域に対し、その液浸領域を介して順次走査して露光を行う第１露光工程と、
   前記第１露光工程の後に、前記第１配列と異なる第２配列に属する複数の領域に対し、前記液浸領域を介して順次走査して露光を行う第２露光工程と、
   前記第２露光工程の後に、前記第１配列に属する領域であって前記第１露光工程で露光した領域と異なる領域に対し、前記液浸領域を介して順次走査して露光する第３露光工程と、
   を含む露光方法。
2. 前記配列情報を含む露光マップにおいて、前記複数のショット領域は第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされてなり、
   前記第１配列および前記第２配列は、前記複数の行のうちそれぞれ異なる行に属する請求項１に記載の露光方法。
3. 前記露光マップは、
   前記第１行に属する一部の領域を含む第１群の領域で最初に露光される領域と、前記第１行に属する前記異なる領域を含む第２群の領域で最初に露光される領域とが、それぞれ異なる行に配置されるよう設定されている請求項２に記載の露光方法。
4. 前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が設定される請求項３に記載の露光方法。
5. 前記露光マップで規定される各行に属する前記領域のうち、前記走査する方向の端部における行を除く複数行の前記領域に関して、前記走査する方向に直交する方向に沿った一方の端部側の前記領域が前記第１群に属し、前記直交する方向に沿った他方の端部側の前記領域が前記第２群に属するように前記分割線が設定される請求項４に記載の露光方法。
6. 前記露光マップにおいて前記第１行と前記第２行とが隣接する場合において、前記第１行の領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記走査する方向と直交する方向にずれているときに、
   前記最初に露光される前記領域に対する露光時の前記基板に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から内側に向かうように、前記分割線が設定されている請求項４に記載の露光方法。
7. 前記露光マップにおいて前記第１行と前記第２行とが隣接する場合において、前記第１行の領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって行われるとともに、前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記走査する方向と直交する方向にずれているとともに、
   前記最後に露光される前記領域に対する露光時の前記基板に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から内側に向かうときに、
   前記第１行の前記最後に露光される前記領域に隣接してダミー領域を付加し、
   前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の内側から外側に相対的に走査した後、
   前記第２行の領域の露光を行う請求項４に記載の露光方法。
8. 前記露光マップで配列された前記複数の領域の行数が奇数であるとき、
   前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける前記分割線は階段状に設定される請求項４〜７のいずれか一項に記載の露光方法。
9. 前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記走査する方向と直交する方向に沿って前記基板の内側から外側に向かう方向に、前記領域の前記直交する方向の幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）だけずれているとき、
   前記第１行の前記最後に露光される前記領域に隣接してダミー領域を（Ｎ−１）個付加し、
   （Ｎ−１）個の前記ダミー領域に対して前記液浸領域を介して走査する動作を行った後、前記第２行の領域の露光を行う請求項４〜８のいずれか一項に記載の露光方法。
10. 前記第２群の領域内で最後に露光される前記領域を露光する際の前記液浸領域の相対的な走査方向が前記基板の内側から外側に向かうときに、
    前記最後に露光される前記領域に前記走査する方向と直交する方向に隣接してダミー領域を付加し、
    前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の外側から内側に相対的に走査した後、前記液浸領域を前記基板から離脱させる請求項４〜９のいずれか一項に記載の露光方法。
11. 前記第１群の領域内で最初に露光される前記領域を露光する際の前記液浸領域の相対的な走査方向が前記基板の外側から内側に向かうように、前記相対的な走査方向が設定されている請求項５〜１０のいずれか一項に記載の露光方法。
12. 前記第１行の領域への露光と、前記第２行の領域への露光との間に、前記液浸領域と前記基板との相対移動がほぼ停止する期間があるとともに、
    前記第１行の領域で最後に露光される前記領域に対する露光時に、前記液浸領域が前記基板に対して前記基板の外側から内側に向かう方向に相対的に走査されるときに、
    前記最後に露光される前記領域、又は前記第２行の領域で最初に露光される前記領域に隣接してダミー領域を付加し、
    前記液浸領域と前記基板との相対移動がほぼ停止する期間の後で、
    前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の外側から内側に向かう方向に相対的に走査した後、前記第２行の領域の露光を行う請求項２〜１１のいずれか一項に記載の露光方法。
13. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して走査して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の行のうちの一の行に属する複数の前記領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、
    前記一の行で最後に露光される前記領域に対して、前記一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記第２方向にずれているときに、
    前記最初に露光される前記領域に対する露光時の前記基板に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から前記基板に向かう露光方法。
14. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して走査して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の行のうちの一の行に属する複数の前記領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、
    前記一の行で最後に露光される前記領域に対して、前記一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記第２方向にずれているときに、前記第２方向に沿って前記基板の内側から外側に向かう方向に、前記領域の前記第２方向における幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）だけずれているとき、
    前記一の行の前記最後に露光される前記領域に隣接してダミー領域を（Ｎ−１）個付加し、
    （Ｎ−１）個の前記ダミー領域に対して前記液浸領域を介して走査する動作を行った後、前記二の行の領域で前記最初に露光される領域に対する露光を行う露光方法。
15. 前記複数の領域は、第１群に属する領域と、前記第１群に隣接する第２群に属する領域に分けられ、
    前記第１群に属する領域の露光が完了した後に、前記第２群に属する領域に対する露光が行われる請求項１３または１４に記載の露光方法。
16. 前記第１群の領域と前記第２群の領域との間に仮想的な分割線が設定されている請求項１５に記載の露光方法。
17. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域のうち、第１方向に配列された複数行の前記領域を含む第１群の領域に関して順次露光することと、
    前記複数の領域のうち、前記第１群の領域に隣接するとともに、前記第１方向に配列された複数行の前記領域を含む第２群の領域に関して順次露光することと、を含み、
    前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が、少なくとも一部の前記分割線により同一の行における前記第１群に属する領域の数と前記第２群に属する領域の数とが異なるように、設定されている露光方法。
18. 少なくとも一部が階段状となるように前記分割線が設定されている請求項１６または１７に記載の露光方法。
19. 前記分割線により、前記第１方向に沿って段階的に前記第１群に属する各行の領域の数が増加または減少する請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の露光方法。
20. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の領域のうち、前記第１方向に配列された複数行の前記領域を含む第１群の領域に関して順次露光を行うことと、
    前記複数の領域のうち、前記第１群の領域に隣接するとともに、前記第１方向に配列された複数行の前記領域を含む第２群の領域に関して順次露光を行うことと、を含み、
    前記第１群に属する行の数と、前記第２群に属する行の数が異なるように、前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が設定されている露光方法。
21. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域のうち最後に露光する領域における前記液浸領域の相対的な走査方向が前記基板の外側から内側に向かう方向となるように、前記最後に露光する領域が属する行の最初または最後にダミー領域を付加する露光方法。
22. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の行のうちの一の行に属する複数の前記領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、
    前記一の行で最後に露光される前記領域に対して、前記一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記第２方向にずれているとき、
    前記一の行で最後に前記液浸領域が走査される領域と、前記二の行の最初に前記液浸領域で走査される領域とが前記第２方向に沿って同じ位置になるように、前記一の行のいずれかの位置にダミー領域が配置される露光方法。
23. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域のうち最初に露光される領域に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から内側に向かう方向となるように、前記最初に露光される領域に隣接してダミー領域が配置される露光方法。
24. 基板上の複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の領域うち一の行に属する複数の前記領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、
    前記一の行で最後に露光される前記領域での前記液浸領域の相対的な走査方向と、前記一の行に隣接する二の行の領域内で最初に露光される前記領域での前記液浸領域の相対的な前記走査方向とが同一の方向となる場合に、前記最後に露光される前記領域と前記最初に露光される領域との間にダミー領域が配置される露光方法。
25. 前記ダミー領域は複数個配置される請求項２４に記載の露光方法。
26. 基板の表面に配列された複数の領域を、露光光によって液浸領域を介して順次露光する露光方法であって、
    前記複数の領域は、第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされ、
    前記複数の領域のうち一の行に属する複数の前記領域に対する露光が、前記基板の内側から外側に向かって順次行われるとともに、
    前記一の行に属する前記領域の前記第２方向における幅と、前記一の行に隣接する二の行に属する前記領域の前記第２方向における幅とが異なるとき、前記一の行のうち最後に露光される領域に隣接する第１ダミー領域と、前記二の行のうち最初に露光される領域に隣接する第２ダミー領域とが、それぞれ配置される露光方法。
27. 前記基板は、直径が３００〜４５０ｍｍの円板状である請求項１〜２６のいずれか一項に記載の露光方法。
28. 請求項１〜２７のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の感光層にパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。
29. 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び液浸領域を介して、基板上の複数の領域を順次露光する露光装置において、
    前記基板を保持して移動するステージと、
    複数のショット領域の配列を規定する配列情報を記憶する記憶部と、
    前記配列情報に従って前記ステージを駆動して、前記基板と前記液浸領域とを相対移動させながら複数の前記領域の露光を制御する制御部と、を備え、
    前記配列情報に含まれる第１配列に属する複数の領域に対し、前記液浸領域を介して順次走査して露光を行う第１露光処理と、
    前記第１露光処理の後に、前記第１配列と異なる第２配列に属する複数の領域に対し、前記液浸領域を介して順次走査して露光を行う第２露光処理と、
    前記第２露光処理の後に、前記第１配列に属する領域であって前記第１露光処理で露光した領域と異なる領域に対し、前記液浸領域を介して順次走査して露光する第３露光処理と、
    を行う露光装置。
30. 前記配列情報を含む露光マップにおいて、前記複数のショット領域は第１方向に沿って配列された複数の行と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列された複数の列とで区分けされてなり、
    前記第１配列および前記第２配列は、前記複数の行のうちそれぞれ異なる行に属する請求項２９に記載の露光装置。
31. 前記露光マップは、
    前記第１行に属する一部の領域を含む第１群の領域で最初に露光される領域と、前記第１行に属する前記異なる領域を含む第２群の領域で最初に露光される領域とが、それぞれ異なる行に配置されるよう設定されている請求項３０に記載の露光装置。
32. 前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける仮想的な分割線が設定される請求項３１に記載の露光装置。
33. 前記基板上に配列される各行に属する前記領域のうち、前記走査する方向における端部の行を除く複数行の前記領域に関して、前記走査する方向に直交する方向に沿った一方の端部側の前記領域が前記第１群に属し、前記走査する方向に直交する方向に沿った他方の端部側の前記領域が前記第２群に属するように前記分割線が設定される請求項３２に記載の露光装置。
34. 前記第１群又は前記第２群の領域内のうち前記第１方向に隣接する第１行及び第２行の領域に順次露光するときに、
    前記第１行の領域の露光が、前記基板の内側から外側に向かって行われるとともに、前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記走査する方向と直交する方向にずれているときに、
    前記露光マップは、
    前記最初に露光される前記領域に対する露光時の前記基板に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から内側に向かうように、前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける前記分割線が設定されている請求項３３に記載の露光装置。
35. 前記第１群又は前記第２群の領域内のうち前記第１方向に隣接する第１行及び第２行の領域に順次露光するときに、
    前記第１行の領域の露光が、前記基板の内側から外側に向かって行われるとともに、前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記最後に露光される前記領域に対して前記走査する方向と直交する方向にずれているとともに、
    前記最後に露光される前記領域に対する露光時の前記基板に対する前記液浸領域の相対的な走査方向が、前記基板の外側から内側に向かうときに、
    前記露光マップは、
    前記第１行の前記最後に露光される前記領域に隣接してダミー領域が付加され、
    前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の内側から外側に相対的に走査した後、
    前記第２行の領域の露光を行うように設定されている請求項３３に記載の露光装置。
36. 前記複数の領域の行数が奇数であるとき、
    前記第１群の領域と前記第２群の領域とを分ける前記分割線が階段状に設定される請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の露光装置。
37. 前記第１行の領域内で最後に露光される前記領域に対して、前記第２行の領域内で最初に露光される前記領域が、前記走査する方向と直交する方向に沿って前記基板の内側から外側に向かう方向に、前記領域の前記直交する方向の幅のＮ倍（Ｎは２以上の整数）だけずれているとき、
    前記露光マップは、
    前記第１行の前記最後に露光される前記領域に隣接してダミー領域が（Ｎ−１）個付加され、
    （Ｎ−１）個の前記ダミー領域に対して前記液浸領域を介して走査露光動作を行った後、前記第２行の領域の露光を行うように設定されている請求項３０〜３６のいずれか一項に記載の露光装置。
38. 前記第２群の領域内で最後に露光される前記領域を露光する際の前記液浸領域の相対的な走査方向が前記基板の内側から外側に向かうときに、
    前記露光マップは、
    前記最後に露光される前記領域に前記第２方向に隣接してダミー領域が付加され、
    前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の外側から内側に相対的に走査した後、前記液浸領域を前記基板から離脱させるように設定されている請求項３１〜３６のいずれか一項に記載の露光装置。
39. 前記露光マップは、
    前記第１群の領域内で最初に露光される前記領域を露光する際の前記液浸領域の相対的な走査方向が前記基板の外側から内側に向かうように、前記相対的な走査方向が設定されている請求項３１〜３６のいずれか一項に記載の露光装置。
40. 前記第１行の領域への露光と、前記第２行の領域への露光との間に、前記液浸領域と前記基板との相対移動がほぼ停止する期間があるとともに、
    前記第１行の領域で最後に露光される前記領域に対する露光時に、前記液浸領域が前記基板に対して前記基板の外側から内側に向かう方向に相対的に走査されるときに、
    前記露光マップは、
    前記最後に露光される前記領域、又は前記第２行の領域で最初に露光される前記領域に隣接してダミー領域が付加され、
    前記液浸領域と前記基板との相対移動がほぼ停止する期間の後で、
    前記ダミー領域に対して前記液浸領域を前記基板の外側から内側に向かう方向に相対的に走査した後、前記第２行の領域の露光を行うように設定されている請求項３０〜３９のいずれか一項に記載の露光装置。
41. 請求項２９〜４０のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の感光層にパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。

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