TW201723621A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示裝置，其包含具有第一基底基板之第一基板、設置在第一基底基板之第一表面上之第一子像素電極、設置在第一子像素電極上之保護層，以及設置在保護層上並部分重疊第一子像素電極之第二子像素電極、面向第一基板之第二基板、以及設置於第一基板和第二基板間之液晶層、其第二子像素電極包含與第一基底基板之第一表面間隔第一距離之第一部分、以及與第一基底基板之第一表面間隔一小於第一距離之第二距離的第二部分。

Description

顯示裝置
本申請案主張於2015年11月11日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2015-0158251號之優先權。
本發明之例示性實施例關於一種顯示裝置。
液晶顯示器(LCD)，其為最廣泛使用之平板顯示器之一種，其通常包含其上產生形成場產生電極，如像素電極、共用電極之兩個基板，以及插入於兩個基板之間的液晶層。液晶顯示器藉由向場產生電極施加電壓而在液晶層產生電場，以決定液晶層之液晶分子的排列，以及控制其上入射光之偏光，從而顯示影像。
在此期間，近來已開發在液晶顯示器之各種模式中的垂直排列「 VA」 模式之液晶顯示器。VA模式之液晶顯示器為其中排列液晶分子的液晶顯示器之類型，致使其主軸可在沒有電場時垂直於基板。
為了期望確保用於VA模式之液晶顯示器的寬視角，因而可使用各種方法，如定義如在場產生電極上之細小狹縫之斷流器。因為斷流器及凸起物決定了液晶分子之傾斜方向，所以VA模式之液晶顯示器的視角可藉由適當地排列斷流器及凸起物而增廣，以使液晶分子之傾斜方向多樣化。
在定義在各像素電極中的細小狹縫，用以提供複數個分支電極的方法中，可能減少液晶顯示器 (LCD) 之孔徑比，且因此亦可能減少液晶顯示器之穿透率。
同樣地，在彼此間隔數微米的複數個分支電極或複數個狹縫提供於每一個像素電極的情況下，可能至少部份改變設置於每一個像素電極下之絕緣層等之折射率或穿透率，且因此可能退化液晶顯示器之顯示品質。
本發明之例示性實施例提供一種具有改良的顯示品質之顯示裝置。
根據本發明之例示性實施例，提供一種顯示裝置。顯示裝置包含含有第一基底基板之第一基板、設置在第一基底基板之第一表面上之第一子像素電極、設置在第一子像素電極上之保護層、設置在保護層上並部份重疊第一子像素電極之第二子像素電極、面向第一基板之第二基板、以及設置在第一基板與第二基板之間之液晶層，其中第二子像素電極具有以第一距離與第一基底基板之第一表面間隔之第一部份，以及以小於第一距離之第二距離與第一基底基板之第一表面間隔的第二部份。
根據本發明之另一例示性實施例，提供一種顯示裝置。顯示裝置包含含有第一基底基板之第一基板、設置在第一基底基板之第一表面上之第一子像素電極、設置在第一子像素電極上之保護層、設置在保護層上並部份重疊第一子像素電極之第二子像素電極、面向第一基板且包含第二基底基板之之第二基板、以及設置於面向第一基板之第二基底基板之第一表面上之共用電極、以及設置在第一基板與第二基板之間之液晶層，其中第二子像素電極具有以第一距離與共用電極間隔之第一部份，以及以大於第一距離之第二距離與共用電極間隔的第二部份。
根據例示性實施例，可提供一種具有改良的顯示品質之顯示裝置。
其他特徵及例示性實施例將自下文之實施方式、圖式以及發明申請專利範圍而顯而易見。
本發明之特徵與完成其之方法可藉由參考下文實施例與之詳細描述及其附圖而更容易理解。惟本發明可以多種不同的形式實施，而不應被理解為侷限於本文所闡述之實施例。相反地，提供這些實施例使得本發明徹底且完整，並充分傳達本發明之概念予所屬技術領域中具有通常知識者，以及本發明將僅由所附之發明申請專利範圍定義。全文中相似之元件符號係指相似之元件。
在此所用之專有名詞係僅為描述特定實施例之目的，而非旨在本發明的限制。當在此使用時，單數型式如「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」亦旨在包含複數型式，除非文中另行明確地表示。更應理解的是，當用語「包含(comprise)」及/或「包含(comprising)」用於說明書中時，係指明所述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一或更多其他的特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在或增添。
將理解的是，當一個元件或層被指為在另一個元件或層「之上(on)」、「連接至(connected to)」或「耦接至(coupled to)」另一個元件或層時，其可為直接地在另一個元件或層之上、直接地連接至或耦接至另一個元件或層，或可存在中間元件或中間層。相對地，當一個元件被指為「直接地」在另一個元件或層「之上(directly on)」、「直接地連接至(directly connected to)」或「直接地耦接至(directly coupled to)」另一個元件或層時，則不存在中間元件或中間層。當在此使用時，用語「及/或 (and/or)」係包含一個或多個相關列舉之項目的任何及所有組合。
將理解的是，雖然用語第一、第二等可用於本文以描述各種元件、構件、區域、層及/或部分，此些元件、構件、區域、層及/或部分不應受此些用語限制。此些用語僅用於辨識一個元件、構件、區域、層或部分與另一個元件、構件、區域、層或部分。因此，下文所述之第一元件、構件、區域、層或部分可被稱為第二元件、構件、區域、層或部分，而不脫離本發明之教示。
空間相關之用語，如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語，可用於本文中以便於描述說明圖式中所繪之元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。將理解的是，除了圖式中所描繪之方位外，空間相關之用語旨在包含使用或操作中之不同方位。例如，如將圖示中之裝置倒轉，描述為在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「上方(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」可包含上方與下方之方位兩者。裝置可另被定向 (旋轉90度或其他方位)，而在本文使用之空間相關描述用語據此作相應地解釋。
如本文所使用的用語「約(About)」或「大約(approximately)」係包含所述數值及所屬技術領域中具有通常知識者藉由考量測量問題及特定數量之測量相關的誤差 (亦即，測量系統之限制性) 所定義之用於特定數值之可接受偏差範圍中的平均值。例如，「約(about)」可表示在一或多個標準偏差之中，或在所述數值的± 30%、20%、10%、5%之中。
除非有其他定義，否則在本文中使用之所有用語 (包含技術用語與科學用語) 皆具有與所屬技術領域中具有通常知識者之通常理解相同之意義。更應理解的是，如那些在通常使用之字典定義的用語應該解釋成具有與相關技術領域及本說明書之上下文中之意義一致之意義，且除非在本文中有明白地定義，否則不應作理想化或過度正式的解釋。
在本文中描述之例示性實施例是參照理想實施例之示意圖的圖式進行說明。因此，如製造技術及/或容許偏差可預期造成說明之形狀的差異。因此，本文所述之實施例不應被解釋為侷限於本文所示之區域的特定形狀，而是應包含例如製造所導致形狀的差異。在一個例示性實施例中，所示或描述為平坦之區域一般而言可具有粗糙及/或非線性的特徵。此外，所示之銳角可為圓角。因此，於圖式所描繪之區域本質為示意性，以及其形狀非旨在描繪區域之精準形狀，且非旨在限制本發明申請專利範圍。
本發明之例示性實施例將在下文中參照所附之圖式進行描述。
第 1 圖為根據本發明之例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別為像素的俯視圖；第 2 圖為沿著第 1 圖之 A-A’ 線截取之具有第 1 圖之第一基板之顯示裝置的剖面圖；第 3 圖為沿著第 1 圖之 B-B’ 線截取之具有第 1 圖之第一基板之顯示裝置的剖面圖；以及第 4 圖為第 3 圖中之 P 部分的放大剖面圖。
參照第 1 圖至第 4 圖，顯示裝置 1 可包含第一基板 10、面向第一基板 10 之第二基板 20 以及設置在第一基板 10 和第二基板 20 之間的液晶層 30。顯示裝置 1 亦可包含各別地接附在第一基板 10 和第二基板 20 之外表面上的一組極化器 (未圖示)。
例如，在一個例示性實施例中，第一基板 10 可為其上設置有薄膜電晶體(TFT)之薄膜電晶體TFT 基板，該TFT為用於驅動液晶層 30 中之液晶分子之開關裝置。第一基板 10 可包含閘極線 121、數據線 171、TFT以及至少部分位於像素區域 PEA 中之像素電極 190。像素區域 PEA 可視為由彼此交叉的閘極線 121 與數據線 171而界定之一部分的區域。
第二基板 20 可為第一基板 10 之相對基板。
液晶層 30 可包含具有介電異向性之複數個液晶分子。液晶分子可為垂直排列(VA)模式液晶分子，其在與第一基板 10 及第二基板 20 垂直之方向垂直排列於第一基板 10 與第二基板 20 之間。回應於施加在第一基板 10 與第二基板 20 之間的電場，液晶分子可在第一基板 10 與第二基板 20 之間之特定方向旋轉，並可因此准許或阻擋光線的透射通過。在本文中使用之用語「旋轉(rotate)」不僅可表示液晶分子之實際旋轉，亦可表示由於電場而改變液晶分子之排列。
將在下文中描述第一基板 10。
第一基底基板 110 可為絕緣基板。例如，在一個例示性實施例中，第一基底基板 110 可為玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。例如，在一個例示性實施例中，第一基底基板 110 可包含具有高熱阻之聚合物材料或塑性材料。在一個例示性實施例中，第一基底基板 110 可具有可撓性。亦即，第一基底基板 110 可經由捲曲、摺疊或彎曲而變形。
閘極線 121 及閘極電極 124 可設置在第一基底基板110的第一表面上。閘極線 121 可傳輸閘極訊號，且可實質上在第一方向 (例如，水平方向或X軸方向) 延伸。閘極電極 124 可從閘極線 121 凸起，並可連接至閘極線 121。例如，在一個例示性實施例中，閘極線 121 及閘極電極 124 可包含鋁(Al)系金屬，如鋁(Al)或鋁(Al)合金；銀(Ag)系金屬，如銀(Ag)或銀(Ag)合金；銅(Cu)系金屬，如銅(Cu)或銅(Cu)合金；鉬(Mo)系金屬，如鉬(Mo)或鉬(Mo)合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。在例示性實施例中，閘極線 121 及閘極電極 124 可具有單層結構或可具有包含具有不同物理性質之兩個導電膜的多層結構，其中兩個導電膜中之一個薄膜可包含低電阻金屬，例如，鋁(Al)系金屬、銀(Ag)系金屬、銅(Cu)系金屬等，用以減少在閘極線 121 及閘極電極 124 中之訊號延遲或電壓降低，以及另一導電膜可包含對於銦錫氧化物(ITO) 及銦鋅氧化物(IZO)具有優異接觸性質之材料，如鉬(Mo)系金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)等。閘極線 121 及閘極電極 124 之多層結構的舉例係包含Cu下薄膜與Al上薄膜之組合，及Al薄膜與Mo上薄膜之組合，惟本發明不侷限於此。亦即，閘極線 121 及閘極電極 124 可藉由使用除了上述內文中提及之外的各種金屬與導電體提供。
凸起部分 SP 亦可設置在第一基底基板 110 上，以及凸起部分 SP 可位於像素區域 PEA 中。由於凸起部分 SP 之存在，台階部分可產生在設置於凸起部分 SP 上之每一個元件上。更具體而言，由於凸起部分 SP，台階部分可提供在第二子像素電極 193 上，且因此像素區域 PEA 可因第二子像素電極 193 之台階部分而可劃分為複數個領域。
第 5 圖為包含於第 1 圖之第一基板10內之凸起部分 SP 的俯視圖。參照第 1 圖至第 5 圖，凸起部分 SP 在俯視圖中可具有包含水平主幹部分 SPa 及垂直主幹部分 SPb之交叉形狀，以及凸起部分 SP 之中心 SC 可與像素區域 PEA 之中心重合，在此狀況下，像素區域 PEA 可被劃分為四個領域。
再次參閱第 1 圖至第 4 圖，凸起部分 SP 可包含凸起圖樣 127。例如，在一個例示性實施例中，凸起圖樣 127 在俯視圖中可為交叉形狀。凸起圖樣 127 可設置於與閘極線 121 及閘極電極 124 之相同層上。例如，在一個例示性實施例中，回應於直接設置在第一基底基板 110 之第一表面上的閘極線 121 及閘極電極 124，凸起圖樣 127 亦可直接設置在第一基底基板 110 之第一表面上。凸起圖樣 127 可包含與閘極線 121 及閘極電極 124 之材料相同之材料。在一個例示性實施例中，凸起圖樣 127、閘極線 121 以及閘極電極 124 可藉由單一光罩製程提供。在本文中使用之用語「單一光罩製程」可表示使用單一光罩之單一光刻製程。在一個例示性實施例中，凸起圖樣 127 可與閘極線 121 及閘極電極 124 電性極物理性隔離。當凸起圖樣 127 與閘極線 121 及閘極電極 124 電性隔離時，提供至閘極線 121 或閘極電極 124 之訊號可不直接地傳輸至凸起圖樣 127。當凸起圖樣 127 與閘極線 121 及閘極電極 124 物理性隔離時，凸起圖樣 127 可不設置成與閘極線 121 及閘極電極 124 直接地接觸。惟本發明並不侷限於上述之例示性實施例。凸起圖樣 127 可包含絕緣材料。
例如，在例示性實施例中，凸起圖樣 127 可具有大約 2 微米(µm)至 10 微米(µm)之充足寬度 W1 ，以將像素區域 PEA 劃分為複數個領域，以及可具有大約 0.3 微米(µm)至 1.5 微米(µm)之厚度 TH1 ，以減少紋理之形成。
閘極絕緣層 140 可設置在閘極線 121、閘極電極 124 及凸起圖樣 127 之上。閘極絕緣層 140 可包含絕緣材料，如無機絕緣材料，例如氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。閘極絕緣層 140 可具有單層結構或可包含具有不同物理性質之兩個絕緣膜的多層結構。
半導體層 154 可設置在閘極絕緣層 140 上，且可部分重疊閘極電極 124。例如，在一個例示性實施例中，半導體層 154 可包含非晶矽、多晶矽或氧化物半導體。
複數個電阻接觸構件 163 及 165 可設置在半導體層 154 上。電阻接觸構件 163 及 165 可包含設置在源極電極 173 下方之源極電阻接觸構件 163 及設置在汲極電極 175 下方之汲極電阻接觸構件 165。例如，在一個例示性實施例中，電阻接觸構件 163 及 165 可包含摻雜有高濃度之 n 型雜質或矽化物的 n+ 氫化非晶矽。
源極電極 173、汲極電極 175 以及數據線 171 可設置在源極電阻接觸構件 163、汲極電阻接觸構件 165 以及閘極絕緣層 140 上。數據線 171 可傳輸數據電壓，且可實質上在與第一方向交叉之第二方向(例如，垂直方向或Y軸方向)延伸，以交叉閘極線 121。在一個例示性實施例中，半導體圖樣 151 可提供在數據線 171 及閘極絕緣層 140 之間，且數據電阻接觸構件 161 可提供在半導體圖樣 151 與數據線 171 之間。半導體圖樣 151 可包含與半導體層 154 之材料相同之材料，且數據電阻接觸構件 161 可包含與源極電阻接觸構件 163 及汲極電阻接觸構件 165 之材料相同之材料。
在例示性實施例中，回應於包含氧化物半導體之半導體層 154 及半導體圖樣 151，可不提供電阻接觸構件 161、163 及 165。
源極電極 173 可連接至數據線 171。在例示性實施例中，源極電極 173 可自數據線 171 延伸而凸出至閘極電極 124 的頂部之上。
汲極電極 175 可與閘極電極 124 上之源極電極 173 隔離。在例示性實施例中，汲極電極 175 可包含實質上與源極電極 173 平行地延伸的條狀部分；以及位於汲極電極 175 之相對側上之延伸部分。
在一個例示性實施例中，數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175 可包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其合金，且可具有包含含有耐火金屬之下薄膜(未圖示)及設置在下層膜上之低電阻上層膜 (未圖示)之多層結構。惟本發明並不侷限於此。
閘極電極 124、源極電極 173 和汲極電極 175 可與半導體層 154 一起提供薄膜電晶體(TFT)，以及薄膜電晶體(TFT)之通道可定義在半導體層 154 中，具體而言是在源極電極 173 與汲極電極 175 之間。
下保護層 180a 可設置在閘極絕緣層 140、半導體層 154、源極電極 173以及汲極電極 175 之上。在一個例示性實施例中，下保護層 180a 可包含無機絕緣材料，如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。下保護層 180a 可保護薄膜電晶體(TFT)，以及防止包含於絕緣層 230 之材料滲入半導體層 154。
絕緣層 230 可設置在下保護層 180a 上。絕緣層 230 可包含有機材料。在一個例示性實施例中，絕緣層 230 可包含感光材料。
絕緣層 230 可進一步包含顏色色素。例如，在一個例示性實施例中，絕緣層 230 可包含可使特定顏色波長通過之光線透射的顏色色素。亦即，絕緣層 230 可為顏色過濾器。例如，在一個例示性實施例中，顏色過濾器可顯示但不限於原色，如紅色、綠色及藍色中的其一。例如，在替代的例示性實施例中，顏色過濾器可顯示青色、洋紅色、黃色以及白色 (或發白顏色) 中之一種。回應於絕緣層 230 包含顏色色素，絕緣層 230 可至少部分重疊在數據線 171 上之相鄰像素的絕緣層 231，惟本發明並不侷限於此。亦即，絕緣層 230 可不包含任何顏色色素。在替代的例示性實施例中，顏色過濾器可額外地提供於第一基板 10 或第二基板 20 上。
雖然在圖式中並未特別地說明，回應於為顏色過濾器的絕緣層 230，被覆層 (未圖示) 可額外地設置在絕緣層 230 上。被覆層可防止顏色過濾器之成分滲入至設置在顏色過濾器上之元件，如液晶層 30。被覆層為可選擇的。
像素電極 190 可設置在對應於像素區域 PEA 之絕緣層 230 的一部份上。像素電極 190 可包含第一子像素電極 191、第二子像素電極 193 以及第三子像素電極 195。
第一子像素電極 191 可設置在絕緣層 230 上。在一個例示性實施 例中，第一子像素電極 191 可包含透明導電材料，如 ITO 或 IZO。
第 6 圖為包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第一子像素電極 191的俯視圖。
參照第 1 圖至第 4 圖及第6圖，第一子像素電極 191 可包含位在像素區域 PEA 中之第一板狀電極 191a、以及連接至第一板狀電極 191a 並延伸至像素區域 PEA 外之第一連接電極 191b。
例如，第一板狀電極 191a 可為板塊狀。在本文中使用之用語「板(plate)」可表示尚未被分離之板。例如，在一個例示性實施例中，第一板狀電極 191a 在俯視圖中可為六角形，惟本發明並不侷限於此。亦即，第一板狀電極 191a 可為多邊形且可佔像素區域 PEA 之一部分。在例示性實施例中，第一板狀電極 191a 可不包含複數個細小分支電極，且狹縫可不界定在此複數個細小分支電極之間。
連接至第一板狀電極 191a 之第一連接電極 191b 可延伸至像素區域 PEA 外。第一連接電極 191b 可物理性並電性地連接至第二子像素電極 193，且可電性地連接至汲極電極 175。在一個例示性實施例中，位於像素區域 PEA 中之第一連接電極 191b 的一部份可實體地平行於數據線 171。
再次參照第 1 圖至第 4 圖，保護層 180c 可設置在絕緣層 230 及第一子像素電極 191 上。在一個例示性實施例中，保護層 180c 可包含無機絕緣材料，如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。保護層 180c 可防止絕緣層 230 從其下之層剝離，且可抑制因有機材料，如出自絕緣層 230 之溶劑造成液晶層 30 之汙染，因此避免如於驅動顯示裝置 1 之期間的可能發生後像(afterimages)的缺陷。
接觸孔洞 CH 可界定在下保護層 180a、絕緣層 230 及保護層 180c 之中，用以經由其至少部分地暴露薄膜電晶體(TFT)，例如，汲極電極 175 之一部分。第一子像素電極 191 之一部分，且具體為第一子像素電極 191 之第一連接電極 191b (參照第 6 圖) 的一部分亦可經由接觸孔洞 CH 暴露。
第二子像素電極 193 及與第二子像素電極 193 隔離之第三子像素電極可設置在保護層 180c 上。在一個例示性實施例中，第二子像素電極 193 及第三子像素電極 195 可包含透明導電材料，如 ITO 或 IZO。在例示性實施例中，第二子像素電極 193 及第三子像素電極 195 可藉由單一光罩製程而包含相同材料。
第二子像素電極 193 可經由接觸孔洞 CH 而物理性並電性連接至汲極電極 175 及第一子像素電極 191。第一子像素電極 191 可被物理性並電性連接至第二子像素電極 193，且第一子像素電極 191 可經由第二子像素電極 193 而電性連接至汲極電極 175。在本文中使用之用詞「一元件物理性連接至另一個元件」可表示兩個元件係配置成以彼此直接接觸方式連接。
第二子像素電極 193 可經由接觸孔洞 CH 而被物理性並電性連接至汲極電極 175，並可接收從汲極電極 175的數據電壓。如前所述，因為第二子像素電極 193 及第一子像素電極 191 係物理性並電性連接，因而數據電壓亦可施加至第一子像素電極 191。亦即，相同之電壓可施加至第一子像素電極 191 及第二子像素電極 193。
第二子像素電極 193 可包含第一部份 1931 及第二部分 1933。第一部分 1931 可為第二子像素電極 193 重疊凸起部分 SP 之部份，用以相對於第二部分 1933 向第二基板 20 凸起，且第二部分 1933 可為第二子像素電極 193 不重疊凸起部分 SP 的部份。由第一基底基板 110 之第一表面 110a 至第一部份 1931 之第一表面的第一距離 H1 可大於由第一基底基板 110 之第一表面 110a 至第二部分 1933 之第一表面的第二距離 H2。亦即，高度差異可提供在第一部份 1931 與第二部分 1933 之間。例如，在例示性實施例中，第一部分 1931 與第二部分 1933 之間的高度差異，即第一距離 H1 與第二距離 H2 之間的差異 H3可具有從約 0.3 微米(μm)至約 1.5 微米(μm)之範圍。
因為第一部份 1931相對於第二部分 1933向第二基板 20 凸起，因此第一部分 1931 與共用電極 270 之第一表面 270a 之間的第一距離 D1 可小於第二部分 1933 與共用電極 270 之第一表面 270a 之間的第二距離 D2。例如，在例示性實施例中，第一距離 D1 與第二距離 D2 之間的差異 D3 可具有從約 0.3 微米(μm)至約 1.5 微米(μm)之範圍。
在俯視圖中，第三子像素電極 195 可與第二子像素電極 193物理性隔離，且可設置相鄰於第二子像素電極 193。在例示性實施例中，第三子像素電極 195 可不物理性連接至任一電極。亦即，第三子像素電極 195 可為浮動電極。
第二子像素電極 193 之面積與第三子像素電極 195 之面積可彼此不同。在例示性實施例中，第三子像素電極 195 可具有大於第二子像素電極 193 之的面積。第三子像素電極 195 之面積及第二子像素電極 193 之面積可考慮顯示裝置 1 之清晰度及透射率而適當地定義。例如，在一個例示性實施例中，第二子像素電極 193 之面積可為第三子像素電極 195 之面積的約 40% 至 80%，惟本發明並不侷限於此。
第 7 圖為包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第二子像素電極 193 及第三子像素電極 195 的俯視圖。
參照第 1 圖至第 4 圖及第 7 圖，第二子像素電極 193 可包含位在像素區域 PEA 中之第二板狀電極 193a，以及連接至第二板狀電極 193a 並延伸至像素區域 PEA 外之第二連接電極 193b。
例如，在一個例示性實施例中，第二板狀電極 193a 之中心可實質地與像素區域 PEA 之中心重合。在例示性實施例中，第二板狀電極 193a 可為沒有特定狹縫或分支電極的板塊狀。例如，在一個例示性實施例中，第二板狀電極 193a 在俯視圖中可為多邊形且可佔像素區域 PEA 之一部分。如第 1 圖所示，第二板狀電極 193a 可重疊凸起部分 SP 之中心 SC。
連接至第二板狀電極 193a 之第二連接電極 193b 可延伸至像素區域 PEA 外。第二連接電極 193b 可物理性並電性地連接至汲極電極 175。並且，第二連接電極 193b 可物理性並電性地連接至第一子像素電極 191 之第一連接電極 191b (參照第 6 圖)。在例示性實施例中，像素區域 PEA 中之第二連接電極193b的一部份可實質地平行於數據線 171。
第三子像素電極 195 可包含複數個浮動電極。在例示性實施例中，第三子像素電極 195 可包含第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c，且第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 可與彼此隔離。
第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 可設置在第二板狀電極 193a 及第二連接電極 193b 之外部上，且第一浮動電極 195a 可相對於第二板狀電極 193a 位在第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 的相對側上。
在例示性實施例中，第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 可為沒有特定狹縫或細小分支電極的板塊狀。第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 在俯視圖中可為多邊形且佔像素區域 PEA 之一部分。第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 可圍繞第二子像素電極 193 之周圍的一部份。
在例示性實施例中，第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 可相對於第二連接電極 193b 呈對稱狀。
在下文中 ，將參照第 8 圖至第 10 圖描述凸起部分 SP、第一子像素電極 191、第二子像素電極 193 及第三子像素電極 195 如何彼此重疊。
第 8 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第一子像素電極 191 與凸起部分 SP 如何彼此重疊的俯視圖。
參照第 1 圖至第 4 圖及第 8 圖，第一子像素電極 191 可具有重疊凸起部分 SP 之部分 (即下文中之第一重疊部分 OL1a)。例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191 包含第一板狀電極 191a 及第一連接電極 191b，第一重疊部分 OL1a 可提供於第一板狀電極 191a 及第一連接電極 191b 中。換言之，第一板狀電極 191a 可至少部分重疊凸起部分 SP，且第一連接電極 191b 亦可重疊凸起部分 SP。惟本發明並不侷限於此。亦即，第一重疊部分 OL1a 之位置可依據凸起部分 SP 之形狀或大小而變動。例如，在一個例示性實施例中，第一重疊部分 OL1a 可不提供於第一連接電極 191b。換言之，凸起部分 SP 可重疊第一板狀電極 191a 但不重疊第一連接電極 191b。第一子像素電極 191 之第一重疊部分 OL1a 可相對於第一子像素電極 191的其餘部分向第二基板 20 凸起。
第 9 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第一子像素電極 191 及第二子像素電極 193 如何彼此重疊，以及包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第一子像素電極 191 及第三子像素電極 195 如何彼此重疊的俯視圖。
參照第 1 圖至第 4 圖及第 9 圖，第一子像素電極 191 可具有重疊第二子像素電極 193 之部分 (即下文中之第二重疊部分 OL1b)。
例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191 包含第一板狀電極 191a 及第一連接電極 191b 且第二子像素電極 193 包含第二板狀電極 193a 及第二連接電極 193b，第二重疊部分 OL1b 可提供於第一板狀電極 191a 及第一連接電極 191b 中。在第一板狀電極 191a 中之第二重疊部分 OL1b 的一部分可為部分重疊第二板狀電極 193a 及第二連接電極 193b 之部分。換言之，第一板狀電極 191a 及第二板狀電極 193a 可彼此部分重疊，且第一板狀電極 191a 及第二連接電極 193b 可彼此部分重疊。
在第一連接電極 191b 中之第二重疊部分 OL1b 的一部分可為部分重疊第二連接電極 193b 之部分。換言之，第一連接電極 191b 及第二連接電極 193b 可彼此重疊。惟本發明並不侷限於此。亦即，第二重疊部分 OL1b 之位置可依據第一子像素電極 191 及第二子像素電極 193 之形狀和配置而變動。
第一子像素電極 191 可具有重疊第三子像素電極 195 之部分 (即下文中之第三重疊部分 OL1c、OL1d 和 OL1e)。
例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191 包含第一板狀電極 191a 及第一連接電極 191b 且第三子像素電極 195 包含第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c，第三重疊部分 OL1c、OL1d 和 OL1e 可包含第一子重疊部分 OL1c、第二子重疊部分 OL1d 及第三子重疊部分 OL1e。第一子重疊部分 OL1c 可為第一板狀電極 191a 重疊第一浮動電極 195a 之部分，第二子重疊部分 OL1d 可為第一板狀電極 191a 重疊第二浮動電極 195b 之部分，以及第三子重疊部分 OL1e 可為第一板狀電極 191a 重疊第三浮動電極 195c 之部分。換言之，第一板狀電極 191a 及第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 與第三浮動電極 195c 中之每一個可彼此部分重疊。在例示性實施例中，第三重疊部分 OL1c、OL1d 和 OL1e 可不提供於第一連接電極 191b。換言之，第一連接電極 191b 可不重疊第三子像素電極 195。
第三子像素電極 195 之整體面積與第三重疊部分 OL1c、OL1d 和 OL1e 之整體面積的比值可藉由多種方法決定，以及藉此可調整提供至第三子像素電極 195 之電壓的位準。
第 10 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板 10 內之第二子像素電極 193、第三子像素電極 105 以及凸起部分 SP 如何彼此重疊的俯視圖。
參照第 1 圖至第 4 圖及第 10 圖，第二子像素電極 193 可具有重疊凸起部分 SP 之部分 (即下文中之第四重疊部分 OL3)。例如，在一個例示性實施例中，回應於第二子像素電極 193 包含第二板狀電極 193a 及第二連接電極 193b，第四重疊部分 OL3 可提供於第二板狀電極 193a 及第二連接電極 193b 中。換言之，第二板狀電極 193a 可至少部分重疊凸起部分 SP，且第二連接電極 193b 可重疊凸起部分SP。惟本發明並不侷限於此。亦即，第四重疊部分 OL3 之位置可依據凸起部分 SP 之形狀或大小而變動。例如，在一個例示性實施例中，第四重疊部分 OL3 可不提供於第二連接電極 193b 中。換言之，凸起部分 SP 可重疊第二板狀電極 193a，但可不重疊第二連接電極 193b。第二子像素電極 193 之第四重疊部分 OL3 可相對於第二子像素電極 193 的其餘部分而向第二基板 20 凸起。亦即，第二子像素電極 193 之第一部分 1931 (參照第 4 圖) 可實質地與第四重疊部分 OL3 相同，或可包含第四重疊部分 OL3。在例示性實施例中，如第 10 圖所示，回應於在俯視圖中呈交叉狀的凸起部分SP，第一部分 1931 (參照第 4 圖) 亦可在俯視圖中呈交叉狀。
第三子像素電極 195 可具有重疊凸起部分 SP 之部分 (即下文中之第五重疊部分 OL5a)。回應於第三子像素電極 195 包含第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c，第五重疊部分 OL5a 可僅提供於第一浮動電極 195a 中，而可不提供於第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 中。換言之，第一浮動電極 195a 及凸起部分 SP 可彼此重疊，且凸起部分 SP 與第二浮動電極 195b 及第三浮動電極 195c 中之每一個可不彼此重疊。
第三子像素電極 195 之第五重疊部分 OL5a 可相對於第三子像素電極 195 的其餘部分而向第二基板 20凸起。
參照第 1 圖至第 4 圖，屏蔽電極 SH 可進一步提供於絕緣層 230與保護層 180c 之間。屏蔽電極 SH 可與第一子像素電極 191物理性隔離，且可設置在與第一子像素電極 191 之相同層上。在例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191直接地設置在絕緣層 230 上，屏蔽電極 SH 亦可直接地設置在絕緣層 230 上，且因此可以與絕緣層 230直接接觸的方式配置。在替代的例示性實施例中，回應於設置在絕緣層 230 上之額外的被覆層，第一子像素電極 191 與屏蔽電極 SH 可直接地設置在被覆層上，亦可因此以與被覆層直接接觸的方式配置。屏蔽電極 SH 可包含透明導電材料，且可包含與第一子像素電極 191 之材料相同之材料。在例示性實施例中，屏蔽電極 SH 與第一子像素電極 191 可藉由使用單一光罩而同時間提供。
屏蔽電極 SH 可設置在對應至數據線 171 之絕緣層 230 的一部分上，且可重疊數據線 171。亦即，屏蔽電極 SH 可設置在數據線 171 之上而重疊數據線 171，且可在數據線 171 延伸的方向 (例如，第 1 圖中之垂直方向或Y軸方向) 延伸。
在例示性實施例中，在俯視圖中的屏蔽電極 SH 可完全覆蓋數據線 171。在例示性實施例中，具有與施加至共用電極 270 之共用電壓相同位準之電壓可施加至屏蔽電極 SH。
產生於像素電極 190 與共用電極 270 之間的電場可在數據線 171 與像素電極 190 之間的區域呈相對地弱，且可出現液晶分子的錯位(misalignment)。
在顯示裝置 1 中，與共用電壓相同位準之電壓，例如共用電壓，可施加至屏蔽電極 SH。因而，於共用電極 270 與屏蔽電極 SH 之間可不產生電場。因此，可降低在鄰近數據線 171 之區域中，液晶分子錯位的可能性，且亦可減少漏光現象。並且，可減少用以防止漏光現象之光屏蔽構件 220 的區域，或者甚至可不需要光屏蔽構件 220。因而，可進一步改善顯示裝置 1 之孔徑比。
並且，於數據線 171 與像素電極 190 之間產生的電場可藉由屏蔽電極 SH 而減弱，並因此可抑制串擾。
第一排列層 ALM1 可進一步提供於保護層 180c、第二子像素電極 193 以及第三子像素電極195上。在例示性實施例中，第一排列層 ALM1 可為垂直排列層，並可包含光反應材料。
將在下文中描述第二基板 20。
第二基板 20 可包含第二基底基板 210、光屏蔽構件 220、保護膜層 250 以及共用電極 270。
第二基底基板 210，如第一基底基板 110 ，可為絕緣基板。第二基底基板 210 可包含具有高熱阻之聚合物或塑性材料。在例示性實施例中，第二基底基板 210 可具有可撓性。
光屏蔽構件 220 可設置在面向第一基底基板 110 之第二基底基板 210 的第一表面上。在例示性實施例中，光屏蔽構件 220 可重疊閘極線 121 與薄膜電晶體(TFT)，且亦可重疊接觸孔洞CH。光屏蔽構件 220 可包含光屏蔽色素，如黑炭，或包含不透明之材料，如鉻(Cr)。惟本發明並不侷限於此。亦即，在替代的例示性實施例中，光屏蔽構件 220 可提供於第一基板 10 上。
保護膜層 250 可設置在第二基底基板 210 之第一表面上，且可覆蓋光屏蔽構件 220。保護膜層 250 可平坦化由光屏蔽構件 220 提供之高度差。在例示性實施例中，可不提供保護膜層 250。
共用電極 270 可設置在保護膜層 250 上。在例示性實施例中，回應於未提供的保護膜層 250 ，共用電極 270 可設置在第二基底基板 210 與光屏蔽構件 220 上。在例示性實施例中，共用電極 270 可包含透明導電材料，如 ITO 或 IZO。在例示性實施例中，共用電極 270 可設置在第二基底基板 210 之整體表面上。回應於施加至共用電極 270的共用電壓，共用電極 270 可與像素電極 190 一起產生電場。在液晶層 30 中之液晶分子的排列可根據電場強度而改變，且因此可控制顯示裝置 1 之光穿透率。
間隔構件 CS 可設置在面向第一基板 10 之共用電極 270 的第一表面上。間隔構件 CS 可朝第一基板 10 凸起，並可藉由以與第一基板 10接觸的方式配置而保持第一基板 10 與第二基板 20 之間的間隙，惟本發明並不侷限於此。在替代的例示性實施例中，間隔構件 CS 可提供於第一基板 10 上。在例示性實施例中，間隔構件 CS 可包含有機絕緣材料，且具有感光性。
第二排列層 ALM2 可設置於面向第一基板 10 之共用電極 270 的第一表面以及間隔構件 CS 上。在例示性實施例中，第二排列層 ALM2 可為垂直排列層，並包含光反應材料。
回應於像素電極 190 包含以數微米之間距間隔並界定於像素電極 190 中的複數個分支電極或狹縫，可必然地執行用以提供分支電極或狹縫之精密圖樣化製程。在精密圖樣化製程期間，壓力可施加至像素電極 190 之下層 (例如，保護層 180c)，且像素電極 190 的下層 (例如，保護層 180c) 的折射率或穿透率可由於壓力而部分地改變。因此，可能降低顯示裝置 1 之顯示品質。在此例示性實施例中，包含第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 之像素電極 190 不具有未界定於第二子像素電極 193之以數微米之間距間隔之複數個分支電極或狹縫，且可降低施加於像素電極 190的下層(例如，保護層 180c)的壓力。因此，可防止顯示裝置 1 之顯示品質的降低。
第11圖為描繪使用可藉由如紫外(UV)光之光聚合的預聚合物製造具有預傾斜角度之液晶分子的製程的剖面圖。
參照第 11 圖，預聚合物 33 與液晶材料一同被注射於第一基板 10 (參照第2圖及第3圖) 與第二基板 20 (參照第2圖及第3圖) 之間，且具體而言是在共用電極 270 與像素電極 190 之間。預聚合物 33 可為因暴露於如紫外光之光線而引起聚合反應之反應性液晶原。
在下文中，數據電壓施加至像素電極 190，且共用電壓施加至共用電極 270，從而產生位於像素電極 190 與共用電極 270 之間的電場。產生在像素電極 190 與共用電極 270 之間的電場可施加至液晶層 30，而在液晶層 30 中之液晶分子 31 可回應於電場而以特定方向傾斜。
如果在特定方向傾斜之液晶層 30 中的液晶分子 31 被如紫外光之光線照射，預聚合物 33 可引起聚合反應，而因此可提供預傾斜提供聚合物35。由於預傾斜提供聚合物 35，可決定液晶分子 31 之排列方向，而使液晶分子 31 可具有在特定方向(例如，朝向凸起部分 SP 之方向)之預傾斜角度。因此，即使當沒有電壓施加至像素電極 190 與共用電極 270 時，液晶分子 31 可排列成具有預傾斜角度。
第12圖為沿著第1圖之C-C’線截取之具有第一基板 10 之顯示裝置1的剖面圖。
參照第1圖至第4圖及第12圖，像素區域 PEA 可藉由凸起部分 SP 劃分為四個區域 (或四個領域)。此四個區域可包含第一子像素電極 191 與第三子像素電極195相對於第三子像素電極 195而彼此不重疊之區域 (即下文中之第一區域 SA1)；第一子像素電極 191 與第三子像素電極 195 重疊彼此之區域 (即下文中之第二區域 SA2)；佔據除了第一區域 SA1 與第二區域 SA2 之外的像素區域 PEA之區域 (即下文中之第三區域 SA3)。第三區域 SA3 可包含第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 彼此重疊之區域 SA3b、以及第二子像素電極 193 與第三子像素電極 195 相對於第一子像素電極 191 而彼此不重疊之區域 SA3a。
共用電壓施加至共用電極 270。回應於包含閘極電極 124、半導體層 154、源極電極 173 以及汲極電極 175 之薄膜電晶體 TFT被開啟，相同之數據電壓施加至第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193。為浮動之第三子像素電極 195 部分重疊第一子像素電極 191，且因此電容可提供在第二區域 SA2 中的第三子像素電極 195 與第一子像素電極 191 之間。亦即，電容器設置在第二區域 SA2 中，且具有作為電容器之兩端子的重疊彼此之第三子像素電極 195 與第一子像素電極 191，以及作為電容器之介電元件的保護層180c。因此，於電容器中充電之電壓可被提供至第二區域 SA2 中之第三子像素電極 195。
因為第三子像素電極 195 在第一區域 SA1 中不重疊第一子像素電極 191，相較於第二區域 SA2 中之第三子像素電極 195 之一部分之電壓，較低電壓提供至第一區域 SA1 中之第三子像素電極 195 之一部分。因此，提供至第二區域 SA2 中之第三子像素電極 195 之一部分的電壓低於施加至第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 的數據電壓，且提供至第一區域 SA1 中之第三子像素電極 195 之一部分的電壓低於提供至第二區域 SA2 中之第三子像素電極 195 之一部分的電壓。
產生於共用電極 270 與像素電極 190 之間的電場在第一區域 SA1 中可為最弱，以及在第三區域 SA3 中可為最強。在第二區域 SA2 中之電場可大於在第一區域 SA1 中之電場，且可小於第三區域 SA3 中之電場。亦即，提供至第一區域 SA1、第二區域 SA2 及第三區域 SA3 之液晶分子 31 的電場強度可彼此不同。因此，第一區域 SA1 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ1、第二區域 SA2 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ2 以及第三區域 SA3 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ3可彼此不同。更具體而言，第一區域 SA1 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ1可小於第二區域 SA2 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ2，以及第二區域 SA2 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ2可小於第三區域 SA3 中之液晶分子 31 的傾斜角度θ3。因為液晶分子 31 之傾斜角度從第一區域 SA1往第二區域 SA2 及第三 區域 SA3改變，因此像素區域 PEA 之輝度可自第一區域 SA1往第二區域 SA2及第三區域 SA3改變。因為像素區域 PEA 被劃分為複數個領域且複數個領域中之每一個領域被劃分為具有不同輝度之區域，因而可將顯示裝置 1 之側可視度改善至接近顯示裝置 1 之前可視度。
在第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 彼此重疊之第三區域 SA3 的區域 SA3b 中，電場產生於第二子像素電極 193 與共用電極 270 之間，以及在第一子像素電極 191 不重疊第二子像素電極 193 與第三子像素電極 195 之第三區域 SA3 的區域 SA3a 中，電場產生於第一子像素電極 191 與共用電極 270 之間。相同之數據電壓可施加至第二子像素電極 193 與第一子像素電極 191，但因為第二子像素電極 193 與共用電極 270 之間的距離小於第一子像素電極 191 與共用電極 270 之間的距離，在第一子像素電極191與第二子像素電極193重疊彼此之第三區域SA3的區域 SA3b 中之電場大於在第一子像素電極 191不重疊第二子像素電極193與第三子像素電極195之第三區域SA3的區域SA3a中之電場。因此，第三區域 SA3之區域SA3a與區域SA3b之液晶分子 31 的傾斜角度可彼此不同。因而，可進一步改善顯示裝置1之側可視度。
因為在顯示裝置 1 中，相同之數據電壓施加至第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193，在俯視圖中的第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 將不需要彼此隔離。因此，因而可防止當於第一子像素電極 191 與第二子像素電極 193 之間具有間隙時可能發生之顯示裝置 1 之穿透率的降低。
在下文之敘述中，如上述之例示性實施例中的相同部件或元件將被賦予相同之元件符號，以及其詳細描述將被省略，以更強調與上述例示性實施例的差異。
第13圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
參照第13圖，顯示裝置 2 與第 1 圖至第 4 圖之顯示裝置 1，除了第一基板 10a ，且特別是凸起部分 SP1之外，可為實質地相同或至少相似。
凸起部分 SP1 可設置在第一基底基板 110 與絕緣層 230 之間。在例示性實施例中，凸起部分 SP1 可直接地設置在閘極絕緣層 140 上、以及閘極絕緣層 140 與下保護層 180a 之間。
凸起部分 SP1 可包含第一凸起圖樣 177、第二凸起圖樣 167 以及第三凸起圖樣 157。第三凸起圖樣 157 可直接地設置在閘極絕緣層 140 上，第二凸起圖樣 167 可直接地設置在第三凸起圖樣 157 上，以及第一凸起圖樣 177 可直接地設置在第二凸起圖樣 167 上。例如，在一個例示性實施例中，第一凸起圖樣 177、第二凸起圖樣 167 以及第三凸起圖樣 157 在俯視圖中呈交叉狀。
第一凸起圖樣 177 可設置於其上設置有數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175 之相同層上，且可包含與數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175 之材料相同之材料。在例示性實施例中，第一凸起圖樣 177、數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175 可藉由單一光罩製程提供。在例示性實施例中，第一凸起圖樣 177 可電性且物理性與數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175 隔離。換言之，第一凸起圖樣 177 可不電性連接至數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175，且亦可與數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175物理性隔離，而不接觸數據線 171、源極電極 173 以及汲極電極 175。
同樣地，第二凸起圖樣 167 可設置於其上設置有源極電阻接觸構件 163 (參照第 2 圖)、汲極電阻接觸構件 165 (參照第 2 圖) 以及數據電阻接觸構件 161 之相同層上，且可包含與源極電阻接觸構件 163、汲極電阻接觸構件 165 以及數據電阻接觸構件161之材料相同之材料。在例示性實施例中，第二凸起圖樣 167、源極電阻接觸構件 163、汲極電阻接觸構件 165 以及數據電阻接觸構件 161 可藉由單一光罩製程提供，且第二凸起圖樣 167 可與源極電阻接觸構件 163、汲極電阻接觸構件 165 以及數據電阻接觸構件 161電性且物理性隔離。
同樣地，第三凸起圖樣 157 可設置於其上設置有半導體層 154 (參照第 2 圖) 以及半導體圖樣 151 之相同層上，且可包含與半導體層 154 以及半導體圖樣 151 之材料相同之材料。在例示性實施例中，第三凸起圖樣 157、半導體層 154 以及半導體圖樣 151 可藉由單一光罩製程而提供。在例示性實施例中，第三凸起圖樣 157 可與半導體層 154 以及半導體圖樣 151電性且物理性隔離。回應於第三凸起圖樣 157 包含氧化物半導體，可不提供第二凸起圖樣 167。
包含在凸起部分 SP1之第一凸起圖樣 177、第二凸起圖樣 167 以及第三凸起圖樣 157中的至少一個可為可選擇的。例如，在一個例示性實施例中，凸起部分 SP1 可僅包含選自於第一凸起圖樣 177、第二凸起圖樣 167 以及第三凸起圖樣 157 中的一個或兩個。
第 14 圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
參照第 14 圖，顯示裝置 3 與第 1 圖至第 4 圖之顯示裝置 1，除了第一基板 10b ，且特別是凸起部分 SP2之外，可為實質地相同或至少相似。
凸起部分 SP2 可設置在第一基底基板 110 與絕緣層 230 之間。在例示性實施例中，凸起部分 SP2 可直接地設置在下保護層 180a 上、以及下保護層 180a 與絕緣層 230 之間。
凸起部分 SP2 可包含凸起圖樣 187，且凸起圖樣 187 在俯視圖中可呈交叉狀。
凸起圖樣 187 可包含絕緣材料，且絕緣材料可為有機絕緣材料或無機絕緣材料。
在例示性實施例中，凸起圖樣 187 可包含有機絕緣材料，並可包含顏色色素。例如，在一個例示性實施例中，回應於絕緣層 230 包含第一顏色色素，凸起圖樣 187 可包含與第一顏色色素不同之第二顏色色素。例如，在一個例示性實施例中，第二顏色色素可與包含在鄰近之絕緣層 231 中之顏色色素相同，在此情況下，鄰近之絕緣層 231 與凸起圖樣可藉由單一光罩製程提供。然而，本發明並不侷限於此。亦即，在替代的例示性實施例中，回應於絕緣層 230 包含第一顏色色素，凸起圖樣 187 亦可包含第一顏色色素。
在其他例示性實施例中，凸起圖樣 187 可包含與下保護層 180a 之材料相同之材料，且可與下保護層 180a 之一體地提供。用以提供凸起圖樣 187 之材料並未具體限定，且可被改變。
第 15 圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
參照第 15 圖，顯示裝置 4 與第 1 圖至第 4 圖之顯示裝置 1，除了第一基板 10c ，且特別是凸起部分 SP3之外，可為實質地相同或至少相似。
凸起部分 SP3可設置在絕緣層 230 上。在例示性實施例中，凸起部分 SP3 可直接地設置在絕緣層 230 上、以及於保護層 180c 與絕緣層 230 之間。
凸起部分 SP3 可包含凸起圖樣 237，且凸起圖樣 237 在俯視圖中可呈交叉狀。
凸起圖樣 237 可包含絕緣材料，且絕緣材料可為有機絕緣材料或無機絕緣材料。
在例示性實施例中，凸起圖樣 237 可包含有機絕緣材料，並可包含顏色色素。例如，在一個例示性實施例中，回應於絕緣層 230 包含第一顏色色素，凸起圖樣 237 亦可包含第一顏色色素。在例示性實施例中，凸起圖樣 237 可包含與絕緣層 230 之材料相同之材料，且可與絕緣層 230一體地提供。絕緣層 230 與凸起圖樣 237 可藉由使用單一光罩，如狹縫光罩或半色調(halftone)光罩之單一光刻製程提供。
第 16 圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
參照第 16 圖，顯示裝置 5 與第 1 圖至第 4 圖之顯示裝置 1，除了第一基板 10d ，且特別是凸起部分 SP4，可為實質地相同或至少相似。
凸起部分 SP4可設置在第一子像素電極 191 上。在例示性實施例中，凸起部分 SP4 可直接地設置在第一子像素電極 191 上、以及於第一子像素電極 191 與保護層 180c 之間。
凸起部分 SP4 可包含凸起圖樣 257，且凸起圖樣 257 在俯視圖中可呈交叉狀。
凸起圖樣 257 可包含絕緣材料，且絕緣材料可為有機絕緣材料或無機絕緣材料。在替代的例示性實施例中，凸起圖樣 257 可包含透明導電材料。在例示性實施例中，凸起圖樣 257 可包含與保護層 180c 之材料相同之材料，且可與保護層 180c 一體地提供。
第 17 圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
參照第 17 圖，顯示裝置 6 與第 1 圖至第 4 圖之顯示裝置 1，除了第一基板 10e ，且特別是凸起部分 SP5之外，可為實質地相同或至少相似。
凸起部分 SP5 可為第 3 圖之凸起部分 SP 與第 13 圖之凸起部分 SP1 的組合。例如，在一個例示性實施例中，凸起部分 SP5 可包含選自於設置在閘極絕緣層 140 與下保護層 180a 之間的第一凸起圖樣 177、第二凸起圖樣 167 以及第三凸起圖樣 157 之中的至少一個，以及設置在第一基底基板 110 與閘極絕緣層 140 之間的凸起部分 127。
顯示裝置 1 之凸起部分 SP ，除了本文中上述之形狀之外，可具有各種形狀。例如，在一個例示性實施例中，顯示裝置 1 之凸起部分 SP 可為選自於第 3 圖之凸起部分 SP、第 13 圖之凸起部分 SP1、第 14 圖之凸起部分 SP2、第 15 圖之凸起部分 SP3 以及第 16 圖之凸起部分 SP4 之中的至少兩個之組合。
第 18 圖為根據本發明之另一個例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別是像素的俯視圖。
參照第 18 圖，顯示裝置 7 與第 1 圖至第 12 圖之顯示裝置，除了界定在第三子像素電極 195 中之開口 OP之外，可為實質地相同或至少相似，且因此將在下文中主要針對於與第 1 圖至第 12 圖之顯示裝置的差異進行描述。
複數個開口 OP 可沿著設置在像素區域 PEA 中之像素電極 190 的邊緣，且特別是沿著第三子像素電極195的邊緣而被界定。超過一個開口 OP 可被界定以提供相對於交叉狀之凸起部分 SP 的對稱性。在例示性實施例中，開口 OP之每一個的內側 OPE 可在俯視圖中界定封閉環形。
回應於共用電壓施加至共用電極 270 且一電壓施加至第三子像素電極 195，在界定開口 OP 之區域中可不產生邊緣場(fringe field)。因而，施加至像素電極 190 之邊緣的邊緣場強度可經由開口 OP控制。當沿著像素電極 190 之邊緣的液晶分子垂直於像素電極 190 之邊緣傾斜時，可能退化顯示裝置 7 之顯示品質。然而，因為在顯示裝置 7 中界定開口 OP ，因而可控制施加至像素電極 190 之邊緣的邊緣場強度，而因此可防止顯示裝置 7 之顯示品質的退化。
第19圖為根據本發明之另一個例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別是像素的俯視圖，第20圖為包含於第19圖之第一基板內之第一子像素電極的俯視圖，第21圖為描繪包含於第19圖之第一基板內之第一子像素電極與凸起部分如何彼此重疊的俯視圖，以及第22圖為描繪包含於第19圖之第一基板內之第一子像素電極與第二子像素電極如何彼此重疊與包含於第19圖之第一基板內之第一子像素電極與第三子像素電極如何彼此重疊的俯視圖。
參照第 19 圖至第 22 圖，顯示裝置 8 與第 1 圖至第 12 圖之顯示裝置，除了像素電極 190-1 ，且特別是第一子像素電極 191-1之外，可為實質地相同或至少相似，且因此將在下文中主要針對於與第 1 圖至第 12 圖之顯示裝置的差異進行描述。
第一子像素電極 191-1 可包含第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d。第一子板狀電極 191-1a、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d 可設置在像素區域 PEA 中，且第一連接電極 191-1b 可部分地設置在像素區域 PEA 中，並可延伸至像素區域 PEA 之外部。
第一主幹電極 191-1d 為連接第一子板狀電極 191-1a 與第二子板狀電極 191-1c 的電極。在例示性實施例中，第一主幹電極 191-1d 可實質上平行於數據線 171。
第一子板狀電極 191-1a 可連接至第一主幹電極 191-1d 之第一端。第一子板狀電極 191-1a 可相對於第一主幹電極 191-1d 而呈對稱。在例示性實施例中，第一子板狀電極 191-1a 可呈兩個平行四邊形之組合的形狀。
第二子板狀電極 191-1c 可連接至第一主幹電極 191-1d 之第二端。第二子板狀電極 191-1c 可相對於第一主幹電極 191-1d 而呈對稱。在例示性實施例中，第二子板狀電極 191-1c 可呈兩個平行四邊形之組合的形狀。
在例示性實施例中，第一子板狀電極 191-1a 與第二子板狀電極 191-1c 可相對於凸起部分 SP 之水平主幹部分而呈對稱。
連接至第一子板狀電極 191-1a 的第一連接電極 191-1b 可延伸至像素區域 PEA 之外部。第一連接電極 191-1b 可物理性且電性連接至第二子像素電極 193，並可電性連接至汲極電極 175。在例示性實施例中，在像素區域 PEA 中之第一連接電極 191-1b 的一部分可實質上平行於數據線 171。
第一子像素電極 191-1 可具有重疊凸起部分 SP 之部分 (即下文中之第一重疊部分 OL11a)。例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191-1 包含第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d，第一重疊部分 OL11a 可提供於第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d 之中。換言之，第一子板狀電極 191-1a 與第二子板狀電極 191-1c 可至少部分地重疊凸起部分 SP，且第一連接電極 191-1b 與第一主幹電極 191-1d 可重疊凸起部分 SP。然而，本發明並不侷限於此。亦即，第一重疊部分 OL11a 之位置可依據凸起部分 SP 之形狀或大小而改變。
第一子像素電極 191-1 可具有重疊第二子像素電極 193 之部分 (即下文中之第二重疊部分 OL11b)。
例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191-1 包含第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d且第二子像素電極 193 包含第二板狀電極 193a 以及第二連接電極 193b，第二重疊部分 OL11b 可提供於第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d 之中。在第一子板狀電極 191-1a 與第二子板狀電極 191-1c 中之第二重疊部分 OL11b 的部分可為部分地重疊第二板狀電極 193a的部分。換言之，第一子板狀電極 191-1a 與第二板狀電極 193a 可部分地彼此重疊，且第二子板狀電極 191-1c 與第二板狀電極 193a 可部分地彼此重疊。
在第一連接電極 191-1b 與第一主幹電極 191-1d 中之第二重疊部分 OL11b 的部分可為部分地重疊第二連接電極 193b 的部分。換言之，第一連接電極 191-1b 與第二連接電極 193b 可部分地彼此重疊，且第一主幹電極 191-1d 與第二連接電極 193b可部分地彼此重疊。
第一子像素電極 191-1 可具有重疊第三子像素電極 195 之部分 (即下文中之第三重疊部分 OL11c、OL11d 以及 OL11e)。
例如，在一個例示性實施例中，回應於第一子像素電極 191-1 包含第一子板狀電極 191-1a、第一連接電極 191-1b、第二子板狀電極 191-1c 以及第一主幹電極 191-1d 且第三子像素電極 195 包含第一浮動電極 195a、第二浮動電極 195b 以及第三浮動電極 195c，第三重疊部分 OL11c、OL11d 以及 OL11e 可包含第一子重疊部分 OL11c、第二子重疊部分 OL11d 以及第三子重疊部分 OL11e。
第一子重疊部分 OL11c 可為重疊第一浮動電極 195a 之第二子板狀電極 191-1c 的部分，第二子重疊部分 OL11d 可為重疊第二浮動電極 195b 之第一子板狀電極 191-1a 的部分，以及第三子重疊部分 OL11e 可為重疊第三浮動電極 195c 之第一子板狀電極 191-1a 的部分。換言之，第一浮動電極 195a 與第二子板狀電極 191-1c 可部分地彼此重疊，且第二浮動電極 195b與第三浮動電極 195c之每一個與第一子板狀電極 191-1a 可部分地彼此重疊。
第三子像素電極 195 之體整面積與第三重疊部分 OL11c、OL11d 以及 OL11e 之整體面積的比值可藉由多種方法決定，以及藉此可調整提供至第三子像素電極 195 之電壓的位準。
第 23 圖為根據本發明之另一種例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別是像素的俯視圖。
參照第 23 圖，顯示裝置 9 與第 19 圖至第 22 圖之顯示裝置 8，除了界定在第三子像素電極 195 中之開口 OP之外，可為實質地相同或至少相似。
複數個開口 OP 可沿著設置在像素區域 PEA 中之像素電極 190-1 的邊緣，特別是沿著第三子像素電極 195 的邊緣而被界定。超過一個開口 OP 可被界定以提供相對於交叉狀之凸起部分 SP 的對稱性。在例示性實施例中，開口 OP之每一個的複數個內側OPE 可在俯視圖中界定封閉環形。
如參照第 18圖所述，因為在顯示裝置 9 中，界定開口 OP ，因而可控制施加至像素電極 190-1 之邊緣的邊緣場的強度，而因此可防止顯示裝置 9 之顯示品質的退化。
第 19 圖至第 22 圖或第 23 圖之顯示裝置 8 或 9 的凸起部分 SP ，除了本文中上述之形狀之外，可具有各種形狀。例如，在一個例示性實施例中，顯示裝置 8 或 9 之凸起部分 SP 可具有與第 3 圖之凸起部分 SP 相同之結構，或可具有與第 13 圖之凸起部分 SP1、第 14 圖之凸起部分 SP2、第 15 圖之凸起部分 SP3 以及第 16 圖之凸起部分 SP4 中之其一相同之結構。在替代的例示性實施例中，顯示裝置 8 或 9 之凸起部分 SP 可為選自於第 3 圖之凸起部分 SP、第 13 圖之凸起部分 SP1、第 14 圖之凸起部分 SP2、第 15 圖之凸起部分 SP3 以及第 16 圖之凸起部分 SP4 之中的至少兩個之組合。
本發明之例示性實施例已參照附圖進行敘述。然而，本發明所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在並未實質上脫離本發明的原理下，對於揭露的實施例可進行許多改變及修改。因此，本發明之揭露的實施例僅為一般性及描述性意義，而不意圖為限制。
θ1、θ2、θ3‧‧‧傾斜角度 ALM1‧‧‧第一排列層 ALM2‧‧‧第二排列層 CH‧‧‧接觸孔洞 CS‧‧‧間隔構件 D1、H1‧‧‧第一距離 D2、H2‧‧‧第二距離 D3、H3‧‧‧差 OL1a、OL11a‧‧‧第一重疊部分 OL1b、OL11b‧‧‧第二重疊部分 OL1c、OL11c‧‧‧第一子重疊部分 OL1d、OL11d‧‧‧第二子重疊部分 OL1e、OL11e‧‧‧第三子重疊部分 OL3‧‧‧第四重疊部分 OL5a‧‧‧第五重疊部分 OP‧‧‧開口 OPE‧‧‧內側 P‧‧‧部分 PEA‧‧‧像素區域 SA1‧‧‧第一區域 SA2‧‧‧第二區域 SA3‧‧‧第三區域 SA3a、SA3b‧‧‧區域 SC‧‧‧中心 SH‧‧‧屏蔽電極 SP、SP1、SP2、SP3、SP4、SP5‧‧‧凸起部分 SPa‧‧‧水平主幹部分 SPb‧‧‧垂直主幹部分 TH1‧‧‧厚度 W1‧‧‧寬度 1、2、3、4、5、6、7、8、9‧‧‧顯示裝置 10、10a、10b、10c、10d、10e‧‧‧第一基板 20‧‧‧第二基板 30‧‧‧液晶層 31‧‧‧液晶分子 33‧‧‧預聚合物 35‧‧‧預傾斜提供聚合物 110‧‧‧第一基底基板 110a、270a‧‧‧第一表面 121‧‧‧閘極線 124‧‧‧閘極電極 127、187、237、257‧‧‧凸起圖樣 140‧‧‧閘極絕緣層 151‧‧‧半導體圖樣 154‧‧‧半導體層 157‧‧‧第三凸起圖樣 161‧‧‧數據電阻接觸構件 163‧‧‧源極電阻接觸構件 165‧‧‧汲極電阻接觸構件 167‧‧‧第二凸起圖樣 171‧‧‧數據線 173‧‧‧源極電極 175‧‧‧汲極電極 177‧‧‧第一凸起圖樣 180a‧‧‧下保護層 180c‧‧‧保護層 190、190-1‧‧‧像素電極 191、191-1‧‧‧第一子像素電極 191-1a‧‧‧第一子板狀電極 191-1b‧‧‧第一連接電極 191-1c‧‧‧第二子板狀電極 191-1d‧‧‧第一主幹電極 191a‧‧‧第一板狀電極 191b‧‧‧第一連接電極 193‧‧‧第二子像素電極 193a‧‧‧第二板狀電極 193b‧‧‧第二連接電極 195‧‧‧第三子像素電極 195a‧‧‧第一浮動電極 195b‧‧‧第二浮動電極 195c‧‧‧第三浮動電極 210‧‧‧第二基底基板 220‧‧‧光屏蔽構件 230‧‧‧絕緣層 231‧‧‧鄰近之絕緣層 250‧‧‧保護膜層 270‧‧‧共用電極 1931‧‧‧第一部分 1933‧‧‧第二部分
此揭露之上述及其他例示性實施例、優點與特徵將藉由進一步詳細描述例示性實施例時一併參考之附圖而變得更顯而易見，其中：
第 1 圖為根據本發明之顯示裝置之第一基板，且特別為像素的例示性實施例的俯視圖。
第 2 圖為沿著第 1 圖之 A-A’ 線截取之具有第1圖的第一基板之顯示裝置的剖面圖。
第 3 圖為沿著第 1 圖之 B-B’ 線截取之具有第1圖的第一基板之顯示裝置的剖面圖。
第 4 圖為第 3 圖中之 P 部分的放大剖面圖。
第 5 圖為包含於第 1 圖之第一基板內之凸起部分的俯視圖。
第 6 圖為包含於第 1 圖之第一基板內之第一子像素電極的俯視圖。
第 7 圖為包含於第 1 圖之第一基板內之第二子像素電極與第三子像素電極的俯視圖。
第 8 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板內之第一子像素電極與凸起部分如何彼此重疊的俯視圖。
第 9 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板內之第一子像素電極與第二子像素電極如何彼此重疊，以及包含於第 1 圖之第一基板內之第一子像素電極與第三子像素電極如何彼此重疊的俯視圖。
第 10 圖為描繪包含於第 1 圖之第一基板內之第二子像素電極、第三子像素電極以及凸起部分如何彼此重疊的俯視圖。
第 11 圖為描繪使用可藉由如紫外(UV)光聚合之預聚合物製造具有預傾斜角度之液晶分子的製程的剖面圖。
第 12 圖為沿著第 1 圖之C-C’線截取之具有第 1 圖的第一基板之顯示裝置的剖面圖。
第 13 圖為顯示裝置之例示性實施例的剖面圖。
第 14 圖為顯示裝置之另一種例示性實施例的剖面圖。
第 15 圖為顯示裝置之另一種例示性實施例的剖面圖。
第 16 圖為顯示裝置之另一種例示性實施例的剖面圖。
第 17 圖為顯示裝置之另一種例示性實施例的剖面圖。
第 18 圖為根據本發明之另一個例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別為像素的俯視圖。
第 19 圖為根據本發明之另一個例示性實施例之顯示裝置之第一基板，且特別為像素的俯視圖。
第 20 圖為包含於第 19 圖之第一基板內之第一子像素電極的俯視圖。
第 21 圖為描繪包含於第 19 圖之第一基板內之第一子像素電極與凸起部分如何彼此重疊的俯視圖。
第 22 圖為描繪包含於第 19 圖之第一基板內之第一子像素電極與第二子像素電極如何彼此重疊，以及包含於第 19 圖之第一基板內之第一子像素電極與第三子像素電極如何彼此重疊的俯視圖。
第 23 圖為根據本發明之顯示裝置之第一基板，且特別為像素的另一例示性實施例的俯視圖。
CH‧‧‧接觸孔洞
PEA‧‧‧像素區域
SC‧‧‧凸起部分之中心
SH‧‧‧保護電極
SP‧‧‧凸起部分
1‧‧‧顯示裝置
121‧‧‧閘極線
124‧‧‧閘極電極
154‧‧‧半導體層
171‧‧‧數據線
173‧‧‧源極電極
175‧‧‧汲極電極
190‧‧‧像素電極
191‧‧‧第一子像素電極
193‧‧‧第二子像素電極
195‧‧‧第三子像素電極

Claims (35)

  1. 一種顯示裝置，其包含： 一第一基板，係包含一第一基底基板、設置在該第一基底基板之一第一表面上之一第一子像素電極、設置在該第一子像素電極上之一保護層及設置在該保護層上並部分重疊該第一子像素電極之一第二子像素電極； 一第二基板，係面向該第一基板；以及 一液晶層，係設置於該第一基板與該第二基板之間， 其中，該第二子像素電極包含與該第一基底基板之該第一表面以一第一距離間隔之一第一部分、以及與該第一基底基板之該第一表面以小於該第一距離之一第二距離間隔之一第二部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一距離與該第二距離之間之差具有從約0.3微米至約1.5微米之範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上並在一第一方向延伸；以及 一凸起圖樣，係設置於其上設置有該閘極線之相同層上，與該閘極線隔離，並重疊該第一部分。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該凸起圖樣包含與該閘極線之材料相同之材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上並在一第一方向延伸； 一數據線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，在與該第一方向交叉之一第二方向延伸，並與該閘極線隔離；以及 一凸起圖樣，係設置於其上設置有該數據線之相同層上，與該數據線隔離，並重疊該第一部分。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該凸起圖樣包含與該數據線之材料相同之材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上並在一第一方向延伸； 一數據線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，在與該第一方向交叉之一第二方向延伸，並與該閘極線隔離； 一下保護層，係設置在該數據線上； 一凸起圖樣，係設置在該下保護層上，重疊該第一部份，並包含一絕緣材料；以及 一絕緣層，係設置在該凸起圖樣上，且該第一子像素電極係設置在該絕緣層上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該凸起圖樣包含與該下保護層之材料相同之材料。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該絕緣層包含一第一顏色色素，且該凸起圖樣包含與該第一顏色色素不同之一第二顏色色素。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上並在一第一方向延伸； 一數據線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，並與該閘極線隔離，且在與該第一方向交叉之一第二方向延伸； 一絕緣層，係設置在該數據線上；以及 一凸起圖樣，係設置在該絕緣層上，重疊該第一部份，並包含一絕緣材料，且該第一子像素電極係設置在該絕緣層上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該凸起圖樣包含與該絕緣層之材料相同之材料。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一凸起圖樣，係設置於該保護層及該第二子像素電極之間，並包含一絕緣材料。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一凸起圖樣，係設置於該第一基底基板之該第一表面與該第二子像素電極之間，並重疊該第一部份，且該第一部份及該凸起圖樣在俯視圖中呈交叉狀。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該凸起圖樣之一中心係重疊該第二子像素電極。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一開關裝置，係設置於該第一基底基板之該第一表面上，且該第一子像素電極及該第二子像素電極係電性連接至該開關裝置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一第三子像素電極，係設置於該保護層上，並與該第二子像素電極隔離，且部分重疊該第一子像素電極。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該第三子像素電極係為一浮動電極。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一凸起圖樣，係設置於該第一基底基板之該第一表面與該第二子像素電極之間，並重疊該第一部分；以及 該第三子像素電極，其包含： 一第一浮動電極，係包含重疊該第一子像素電極之一部分及重疊該凸起圖樣之一部分； 一第二浮動電極，係與該第一浮動電極隔離，並包含重疊該第一子像素電極之一部分；以及 一第三浮動電極，係與該第一浮動電極及該第二浮動電極隔離，並包含重疊該第一子像素電極之一部分。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該第二浮動電極及該第三浮動電極不與該凸起圖樣重疊。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中複數個開口係界定於該第三子像素電極，且各該複數個開口之複數個側面係界定一封閉圈。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該第一子像素電極包含： 一第一板狀電極，包含重疊該第二子像素電極之一部分及重疊該第三子像素電極之一部分；以及 一第一連接電極，係電性連接該第一板狀電極及該開關裝置。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一凸起圖樣，係設置在該第一基底基板之該第一表面與該第二子像素電極之間，並重疊該第一部分，且該第一板狀電極係重疊該凸起圖樣。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之顯示裝置，其中該第一板狀電極係包含： 一第一子板狀電極，係包含重疊該第二子像素電極之一部分及重疊該第三子像素電極之一部分，並連接至該第一連接電極；以及 一第二子板狀電極，係包含重疊該第二子像素電極之一部分及重疊該第三子像素電極之一部分，並與該第一子板狀電極隔離；且 該第一子像素電極更包含： 一第一主幹電極，係包含連接至該第一子板狀電極之一端及連接至該第二子板狀電極之另一端。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一凸起圖樣，係設置於該第一基底基板之該第一表面與該第二子像素電極之間，並重疊該第一部分；且 該第二子像素電極，其包含： 一第二板狀電極，係包含重疊該第一板狀電極之一部分及重疊該凸起圖樣之一部分；以及 一第二連接電極，係電性連接該第二板狀電極及該開關裝置。
  25. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，並在一第一方向延伸； 一數據線，係設置於該第一基底基板之該第一表面上，並與該閘極線隔離，且在與該第一方向交叉之一第二方向延伸；以及 一屏蔽電極，係在該第二方向延伸，並重疊該數據線， 其中，該屏蔽電極係設置於其上設置有該第一子像素電極之相同層上，並與該第一子像素電極隔離。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之顯示裝置，其中該屏蔽電極包含與該第一子像素電極之材料相同之材料。
  27. 一種顯示裝置，其包含： 一第一基板，係包含一第一基底基板、設置在該第一基底基板之一第一表面上之一第一子像素電極、設置在該第一子像素電極上之一保護層及設置在該保護層上並部份重疊該第一子像素電極之一第二子像素電極； 一第二基板，係面向該第一基板，且包含一第二基底基板及設置在該第二基底基板之面向該第一基板的一第一表面上之一共用電極；以及 一液晶層，係設置在該第一基板與該第二基板之間， 其中，該第二子像素電極係包含與該共用電極以一第一距離間隔之一第一部份，以及與該共用電極以大於該第一距離之一第二距離間隔之一第二部份。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之顯示裝置，其中該第一距離與該第二距離之間之異具有從約0.3微米至約1.5微米之範圍。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一開關裝置，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，且該第一子像素電極與該第二子像素電極係電性連接至該開關裝置。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一第三子像素電極，係設置在該保護層上，並與該第二子像素電極隔離，且部份重疊該第一子像素電極。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之顯示裝置，其中該第三子像素電極係為一浮動電極。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之顯示裝置，其中複數個開口係界定於該第三子像素電極，且各該複數個開口之複數個側面係界定一封閉圈。
  33. 如申請專利範圍第27項所述之顯示裝置，其中該第一基板更包含： 一閘極線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，且在一第一方向延伸； 一數據線，係設置在該第一基底基板之該第一表面上，並與該閘極線隔離，且在與該第一方向交叉之一第二方向延伸；以及 一屏蔽電極，係在該第二方向延伸，並重疊該數據線， 其中，該屏蔽電極係設置於其上設置有該第一子像素電極之相同層上，並與該第一子像素電極隔離。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中具有與施加於該共用電極之電壓相同位準之一電壓係施加於該屏蔽電極。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該屏蔽電極包含與該第一子像素電極之材料相同之材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743650B (zh) * 2019-03-22 2021-10-21 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 工件的兩面研磨方法及工件的兩面研磨裝置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102469790B1 (ko) * 2016-07-15 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR102317070B1 (ko) * 2017-08-02 2021-10-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN111308806B (zh) 2020-04-01 2021-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板
CN111338135B (zh) * 2020-04-10 2021-07-06 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189266B1 (ko) * 2004-09-24 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101245119B1 (ko) * 2006-06-01 2013-03-25 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
JP4488001B2 (ja) * 2006-12-20 2010-06-23 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
CN101430439B (zh) * 2007-11-07 2011-04-27 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
KR101425131B1 (ko) * 2008-01-15 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN101978734B (zh) * 2008-03-20 2013-12-25 爱立信电话股份有限公司 Hs-dsch服务小区变更改进的配置
CN102132202A (zh) * 2008-08-27 2011-07-20 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
KR20100071141A (ko) 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 표시 기판, 이를 갖는 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR20100085518A (ko) * 2009-01-21 2010-07-29 삼성전자주식회사 표시기판, 이를 갖는 표시장치 및 표시기판의 제조 방법
WO2011123921A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-13 Consumer Mt Inc. System and method for management of electronic wallet databases
US9052555B2 (en) * 2011-12-28 2015-06-09 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9274377B2 (en) * 2012-03-13 2016-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102082406B1 (ko) * 2012-10-05 2020-02-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101995919B1 (ko) * 2013-01-30 2019-07-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102076757B1 (ko) * 2013-08-26 2020-02-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150026309A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150026481A (ko) 2013-09-03 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150083370A (ko) * 2014-01-09 2015-07-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104238207A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20140110829A (ko) 2014-08-28 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104914634B (zh) * 2015-06-17 2019-04-05 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 液晶显示面板及其像素
KR102367314B1 (ko) 2015-06-22 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743650B (zh) * 2019-03-22 2021-10-21 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 工件的兩面研磨方法及工件的兩面研磨裝置

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