TW201722702A - 分段式轉移膠帶及其製作與使用方法 - Google Patents

分段式轉移膠帶及其製作與使用方法 Download PDF

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馬丁 賓森 渥克
丹尼斯 泰茲克
湯瑪士 喬瑟夫 麥茲勒
米契爾 湯瑪士 諾曼森
山謬爾 約翰 卡本特
蘇曼 卡利安吉 帕堤爾
米克漢爾 里歐尼多維奇 皮庫羅維斯奇
唐勞德 喬治 彼特森
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３Ｍ新設資產公司
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Abstract

本揭露關於分段式轉移膠帶，其可用於該等轉移膠帶之僅一部分區段的轉移，並關於製作該等分段式轉移膠帶之方法。該分段式轉移膠帶包括一具有一結構化表面之可移除模板層；一包含一回填層及一黏著層之轉移層，其中該回填層具有一結構化第一主表面；至少一個於該轉移層中形成之可轉移區段；至少一個於該轉移層中形成之不可轉移區段，該至少一個不可轉移區段包括一黏著表面，其中一鈍化層係設置於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上；以及至少一個截口，其自該黏著層之第一主表面延伸、且進入該可移除模板層之至少一部分中。本揭露亦提供微光學總成，及自該等分段式轉移膠帶製作微光學總成之方法。

Description

分段式轉移膠帶及其製作與使用方法
本揭露關於分段式轉移膠帶、製造方法、及使用方法。
可用於轉移其部分之膜係描述於例如美國專利申請公開案第2014/0066866號；及美國專利第6,461,467號；第5,730,823號；以及第4,919,994號。
本揭露關於分段式轉移膠帶，其可用於該等轉移膠帶之僅一部分區段的轉移，並關於製作該等轉移膠帶之方法。本揭露亦提供微光學總成，及自該等分段式轉移膠帶製作微光學總成之方法。
在一態樣中，本揭露提供一種分段式轉移膠帶，其包括：一可移除模板層，其具有一結構化表面及一相對第二表面；一轉移層，該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及 一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面或與該回填層之該第二主表面接觸；至少一個於該轉移層中形成之可轉移區段，該至少一個可轉移區段包括一黏著表面且具有一相對於該黏著表面之平面之形狀；至少一個於該轉移層中形成之不可轉移區段，該至少一個不可轉移區段包括一黏著表面，其中一鈍化層係設置於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上；及至少一個自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中的截口，該截口之深度小於該轉移膠帶之厚度，且其中該至少一個可轉移區段之該形狀係由該至少一個截口所界定。
在另一態樣中，本揭露提供一種形成一分段式轉移膠帶之方法，其包括：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及 一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸；於該轉移層中形成至少一個截口，藉以於該轉移層中產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中；及於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上設置一鈍化層。
在另一態樣中，本揭露提供一種形成一分段式轉移膠帶之方法，其包括：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸； 於該黏著層之該第一主表面的至少一部分上設置一鈍化層，該鈍化層具有一相對於黏著層之平面的形狀；及於該轉移層中形成至少一個截口，藉以產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面且該黏著表面上設置有該鈍化層之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中。
在又另一態樣中，本揭露提供一種製作一微光學總成之方法，其包括：提供如第一至第十二實施例中任一者之轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構；提供一受體基材，其具有一第一主表面；將該轉移膠帶之該至少一個可轉移區段的該黏著表面設置於該受體基材之該第一主表面上；將該至少一個可轉移區段之該黏著層接合至該受體基材之該第一主表面；及將該轉移膠帶之該可移除模板層及該至少一個不可轉移區段自該受體基材移除，而該至少一個可轉移區段仍保持接合至該受體基材。
重複使用說明書及圖式中之參考元件符號，目的是要呈現本揭露相同或類同之特徵或元件。圖式未必按照比例繪製。如本文中所使用，「介於...之間(between)」一詞除非另外指定，否則當應用在數值範圍時，包括範圍的端點。由端點表述的數值範圍包括在該範圍內的所有數字(例如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及5)以及該範圍內的任何範圍。除非另有所指，本說明書及申請專利範圍中用以表示特徵之尺寸、數量、以及物理特性的所有數字，皆應理解為在所有情況下以「約(about)」一詞修飾之。因此，除非另有相反指示，否則在前述說明書以及隨附申請專利範圍中所提出的數值參數係近似值，其可依據所屬技術領域中具有通常知識者運用本文所揭示之教示所欲獲得的所欲特性而有所不同。
應理解的是，所屬技術領域中具有通常知識者可擬出許多其他修改及實施例，其等仍屬於本揭露原理之範疇及精神。除非另有指明，本文中所用所有科學以及技術詞彙具本發明所屬技術領域中 所通用的意義。本文所提出的定義是要增進對於本文常用之某些詞彙的理解，並不是要限制本揭露的範疇。本說明書與隨附申請專利範圍中所使用的單數形式「一(a,an)」與「該(the)」均包括複數指涉物(referents)，除非上下文中明顯地指示其他情形。本說明書及隨附申請專利範圍中所使用的術語「或(or)」之本義用法一般包括「及/或(and/or)」，除非上下文中明顯地指示其他情形。
在此揭露全文中，若一層或一層之一表面與一第二層或一第二層之一表面「相鄰(adjacent)」，則這兩個層之各者的最接近表面視為面向彼此。其等可能彼此接觸或可能未彼此接觸，有(多個)中介第三層或(多個)基材位於其間。若一層或一層之一表面係與一第二層或一第二層之表面「接觸(in contact)」，則這兩個層之各者的最接近表面的至少一部分係實體接觸的，即沒有位於其間之中介層或基材。若一層或一層之一表面係「設置於(disposed on)」一第二層或一第二層之一表面上，則這兩個層之各者的最接近表面的至少一部分係實體接觸的，即沒有位於其間之中介層。
11‧‧‧步驟
12‧‧‧步驟
13‧‧‧步驟
14‧‧‧步驟
15‧‧‧步驟
16‧‧‧步驟
17‧‧‧步驟
100‧‧‧轉移膠帶
100’‧‧‧轉移膠帶
100”‧‧‧轉移膠帶
100'''‧‧‧轉移膠帶
101‧‧‧轉移膠帶/轉移膜
101’‧‧‧轉移膠帶
102‧‧‧轉移膜/轉移膠帶
103‧‧‧分段式轉移膠帶
104‧‧‧分段式轉移膠帶
105‧‧‧分段式轉移膠帶
110‧‧‧可移除模板層
110a‧‧‧結構化表面
110b‧‧‧第二表面
120‧‧‧回填層
120a‧‧‧第一主表面/表面
120b‧‧‧第二主表面
125‧‧‧形貌特徵
130‧‧‧離型層
140‧‧‧載體膜
150‧‧‧黏著層
150a‧‧‧第一主表面
150a’‧‧‧黏著表面/表面
150a”‧‧‧黏著表面
150b‧‧‧第二主表面
170‧‧‧鈍化層
170’‧‧‧島體
180‧‧‧轉移層
185‧‧‧可轉移區段
187‧‧‧不可轉移區段
188‧‧‧圖案
189‧‧‧邊界區
190‧‧‧截口
195‧‧‧基準標記
195’‧‧‧基準截口標記
196‧‧‧鈍化層基準標記/正鈍化層基準標記
196’‧‧‧正鈍化基準標記
197‧‧‧鈍化層基準標記/負鈍化層基準標記
200‧‧‧總成
210‧‧‧受體基材
210a‧‧‧第一主表面
600‧‧‧微光學總成
Kd‧‧‧截口之深度
D+‧‧‧正偏移
D-‧‧‧負偏移
Tp‧‧‧鈍化層厚度
Tt‧‧‧轉移膠帶之厚度
圖1A係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性橫剖面側視圖。
圖1B係根據本揭露之一個例示性實施例之圖1A例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性俯視圖。
圖1C係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性橫剖面側視圖。
圖1D係根據本揭露之一個例示性實施例之圖1C例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性俯視圖。
圖2A係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性橫剖面側視圖。
圖2B係根據本揭露之一個例示性實施例之圖2A例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性俯視圖。
圖2C係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性橫剖面側視圖。
圖2D係根據本揭露之一個例示性實施例之圖2C例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性俯視圖。
圖3A係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶的示意性橫剖面側視圖。
圖3B係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶的示意性橫剖面側視圖。
圖4A係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶的示意性橫剖面側視圖。
圖4B係根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性微光學總成的示意性橫剖面側視圖。
圖5A係根據本揭露之一個例示性實施例形成一例示性分段式轉移膠帶的示意性程序流程圖。
圖5B係根據本揭露之一個例示性實施例形成一例示性分段式轉移膠帶的示意性程序流程圖。
圖6係根據本揭露之一個例示性實施例形成一例示性微光學總成的示意性程序流程圖。
有許多將微光學元件提供給受體基材之表面的應用可以賦予基材有用的光改變(light altering)性質。舉例而言，微光學元件可用來改善自OLED顯示器中之有機發光二極體(OLED)的光提取、改變OLED顯示器的顏色分布(例如，改善OLED顯示器的廣視角顏色)、及/或提供用於絕緣玻璃(glazing)單元(IGU)的日光重導向光學元件(DRO)，請參見例如美國專利第8,659,221號及美國專利申請公開 案第2009/0015142、2014/0242343、2014/0178646、及2014/0021492號，其全文皆以引用方式併入本文中。在這些應用中常見的是，可能不必要或不需要將微光學元件遍佈在整個受體基材表面上，而是只在受體基材的特定區域中需要微光學元件。舉例而言，就IGU中的日光重導向應用而言，微光學元件可放置於IGU的特定區域中，以只在這些區域提供日光重導向性質，同時讓光線得以未經改變地穿過IGU的其他區域。就具有微光學元件之受體基材的製造而言，微光學元件在受體基材之所欲區域中的切割、放置、和接合都可能是相當耗時且繁瑣的程序，尤其是當這些程序中的一或多者係以手工進行時。如果有許多需要微光學元件的區域而且希望微光學元件呈一特定圖案的情況，尤其如此。因此，對於改良之微光學材料、其製作方法、和將微光學元件轉移至一受體基材之方法存有需求。
在一些實施例中，本揭露關於一種分段式轉移膠帶，其包括一具有一結構化表面之可移除模板層、一轉移層、至少一個於該轉移層中形成之可轉移區段、至少一個於該轉移層中形成之不可轉移區段、及至少一個延伸穿過該轉移層且進入該可移除模板層之至少一部分的截口，其中該截口之深度小於該轉移膠帶之厚度。轉移層包括一回填層，該回填層設置於可移除模板層之結構化表面的至少一部分上且適形於可移除模板層之結構化表面的至少一部分。因為回填層適形於可移除模板層之結構化表面，該回填層具有一相鄰該可移除模板層之結構化表面的結構化第一主表面及一相對第二主表面。回填層之結構化第一主表面通常係模板層之結構化表面的負型複製(negative replication)。回填層及/或可移除模板層之結構可稱為形貌特徵。回填層之相對第二主表面可係平面的，且可包括輕微表面粗糙度。輕微表面粗糙度可具有小於約25%、小於約10%、或甚至小於約5%的回填層之結構化第一主表面之形貌特徵及/或可移除模板層之結構化表面之形貌特徵之平均高度的平均Ra。轉移層亦包括一相鄰回填層之第二主表面或與回填層之第二主表面接觸的黏著層。黏著層將具有一第一主表面及一相鄰回填層之第二主表面的相對第二主表面。
至少一個可轉移區段包含一部分之轉移層，該轉移層包括一部分之對應黏著層及回填層。至少一個可轉移區段之黏著表面(即與該至少一個可轉移區段相關聯的黏著層之第一主表面之部分)係露出的，且可用來將該至少一個可轉移區段接合至受體基材，例如IGU之玻璃板。在一些實施例中，至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。在一些實施例中，至少一個不可轉移區段包括複數個不可轉移區段。至少一個不可轉移區段亦包括一部分之轉移層，該轉移層包括一部分之對應黏著層及回填層。至少一個不可轉移區段之黏著表面包括一設置於此黏著表面之至少一部分上的鈍化層。鈍化層會防止至少一個不可轉移區段之黏著表面接合至受體基材。在將至少一個可轉移區段接合至受體基材之後，其後在將轉移膠帶之殘餘部分自受體基材移除期間，至少一個不可轉移區段仍將留在轉移膠帶上。轉移膠帶之殘餘部分可包括至少一個不可轉移區段及可移除模板層。至少一個截口可自黏著層之第一主表面延伸、穿過轉移層、且進入可移除模板層之至少一部分中。至少一個可轉移區段具有一相對於其黏著表面 之平面的形狀。至少一個可轉移區段之形狀係由至少一個截口所界定。至少一個不可轉移區段之形狀亦由至少一個截口之形狀所界定。舉例而言，圓形截口會產生圓形可轉移區段。在一些實施例中，本揭露之轉移膠帶包括複數個截口。如果有複數個截口存在，則複數個截口之深度可相同或可不同。若干特定、但非限制性的實施例顯示於圖1A至1C、2A至2C、3A、3B、及4A中。
圖1A顯示例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性橫剖面側視圖。分段式轉移膠帶100包括可移除模板層110，該可移除模板層具有結構化表面110a及相對第二表面110b；轉移層180，該轉移層180包括(i)回填層120，該回填層120設置於可移除模板層110之結構化表面110a的至少一部分上且適形於可移除模板層110之結構化表面110a的至少一部分，其中回填層120具有結構化第一主表面120a及相對第二主表面120b，該結構化第一主表面120a具有形貌特徵125且相鄰可移除模板層110之結構化表面110a；以及(ii)黏著層150，其具有第一主表面150a及相對第二主表面150b，其中黏著層150之第二主表面150b係相鄰於回填層120之第二主表面120b或與回填層120之第二主表面120b接觸。轉移膠帶進一步包括至少一個於轉移層180中形成之可轉移區段185，至少一個可轉移區段185包括黏著表面150a’且具有一相對於該黏著表面150a’之平面之形狀；至少一個於轉移層中形成之不可轉移區段187，該至少一個不可轉移區段187包括黏著表面150a”，其中鈍化層170係設置於該至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的至少一部分上；及至少一個自黏著 層150之第一主表面150a延伸、穿過該轉移層180、且進入可移除模板層110之至少一部分中的截口190，該截口之深度Kd小於該轉移膠帶之厚度Tt，且其中該至少一個可轉移區段185之形狀係由該至少一個截口190所界定。分段式轉移膠帶之長度及寬度尺寸並未受到特定限制。至少一個可轉移區段之長度及寬度尺寸並未受到特定限制，除了受限於分段式轉移膠帶之長度及寬度尺寸以外。因此光學元件(例如，微光學元件)之長度及寬度尺寸亦未受到特定限制，除了受限於分段式轉移膠帶之長度及寬度尺寸以外。鈍化層170具有厚度Tp。鈍化層之長度及寬度尺寸並未受到特定限制，除了受限於轉移膠帶之長度及寬度尺寸以外。
在一些實施例中，轉移膠帶可包括可選的載體膜140，該可選的載體膜140相鄰於可移除模板層110之第二表面110b或與可移除模板層110之第二表面110b接觸。如果使用可選的載體膜140，截口190可延伸進入載體膜140中，如圖1A中所示。然而，即便使用可選的載體膜，截口190仍可僅延伸進入可移除模板層110之一部分中，而未進入可選的載體膜140。如果未使用可選的載體膜140，則至少一個截口190自黏著層150之第一主表面150a延伸、穿過轉移層180、且進入可移除模板層110之至少一部分中，如前所述。在一些實施例中，可移除模板層110之結構化表面110a亦可包括可選的離型層130(未顯示)。可移除模板層110之可選的離型層130可係一設置於可移除模板層110之結構化表面110a上且適形於可移除模板層 110之結構化表面110a的塗層。可移除模板層110之離型層130可利於自回填層120移除可移除模板層110。
圖1B顯示圖1A之例示性分段式轉移膠帶之一部分的示意性俯視圖。轉移膠帶100包括至少一個可轉移區段185、至少一個不可轉移區段187、至少一個截口190、該至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’、及鈍化層170。在使用時，該至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’將設置於一基材之一表面上。至少一個可轉移區段185之黏著層150將經由黏著表面150a’接合至基材之表面。可移除模板層110、至少一個不可轉移區段187、及可選的載體層140(如果存在的話)之後會自基材移除，而至少一個可轉移區段185仍保持接合至基材，藉此僅將分段式轉移膠帶100之至少一個可轉移區段185轉移至基材之表面。如圖1A及1B中所繪示，鈍化層170係一在至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”上的連續層。在一些實施例中，鈍化層170係一連續層。在一些實施例中，鈍化層170係一連續層，且覆蓋該至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的整個表面。然而，鈍化層170係一連續層並非必要條件，且鈍化層170覆蓋該至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的整個表面並非必要條件。
圖1C及1D分別顯示例示性分段式轉移膠帶100’之一部分的示意性橫剖面側視圖及示意性俯視圖。轉移膠帶100’相似於圖1A及1B之轉移膠帶100，且圖式中之類似元件採用相同的元件符號。轉移膠帶100’與轉移膠帶100的不同之處在於鈍化層170係非連 續層，該鈍化層170在至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的一部分上包括複數個離散島體170’。圖1D顯示轉移膠帶100’，其包括至少一個可轉移區段185、至少一個不可轉移區段187、至少一個截口190、至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’、及鈍化層170。鈍化層170在至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的一部分上包括複數個離散島體170’。在該等離散島體170’之間，觀察到至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的部分。在至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”上的鈍化層170之離散島體170’的數目、大小、形狀、和面覆蓋率並未受到特定限制，只要在使用期間鈍化層170能夠防止至少一個不可轉移區段187轉移到至少一個可轉移區段將接合之基材即可。在一些實施例中，鈍化層覆蓋約30%至約100%、約40%至約100%、約50%至約100%、約60%至約100%、約70%至約100%、約30%至約90%、約40%至約90%、約50%至約90%、約60%至約90%、約70%至約90%、約30%至約80%、約40%至約80%、約50%至約80%、約60%至約80%、或甚至約70%至約80%的至少一個不可轉移區段之黏著表面。
在一些實施例中，鈍化層170對齊(即對準)該不可轉移區段之表面區域(黏著表面150a”之表面區域)，並且該至少一個可轉移區段185在其表面之一部分(黏著表面150a’之表面區域)上未包括鈍化層。請參見例如圖1A及圖1B，其中鈍化層170覆蓋至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的整個表面，而至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’沒有鈍化層170。因為至少一個截口界 定了轉移膠帶之至少一個可轉移區段及至少一個不可轉移區段之形狀，並隨後界定了至少一個可轉移區段及至少一個不可轉移區段之各別表面之區域，鈍化層與不可轉移區段之表面區域的對齊可對應於鈍化層與至少一個截口的對齊。在整個本揭露中，用語「對準(registry)」意指第一組元件之元件、多個元件、或其對應圖案相對於第二組元件之元件、多個元件、或其對應圖案之間有已界定的位置關係，例如第一組元件之(多個)元件相對於第二組元件之(多個)元件、或(多個)元件的圖案係以特定位置之方式對齊。
在其它實施例中，鈍化層可自至少一個不可轉移區段之表面偏移。圖2A及2B分別顯示例示性分段式轉移膠帶100”之一部分的示意性橫剖面側視圖及示意性俯視圖。轉移膠帶100”相似於轉移膠帶100，且圖式中之類似元件採用相同的元件符號。轉移膠帶100”與轉移膠帶100的不同之處在於鈍化層170自至少一個不可轉移區段187之邊緣(即截口界定至少一個不可轉移區段之邊緣處)偏移。偏移距離定義為D+。當鈍化層170之偏移使至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的一部分露出時，即將該偏移稱為正偏移。圖2C及2D分別顯示例示性分段式轉移膠帶100'''之一部分的示意性橫剖面側視圖及示意性俯視圖。轉移膠帶100'''相似於轉移膠帶100，且圖式中之類似元件採用相同的元件符號。轉移膠帶100'''與轉移膠帶100的不同之處在於鈍化層170自至少一個可轉移區段185之邊緣(即截口界定至少一個可轉移區段之邊緣處)偏移，導致至少一個可轉移區段之周緣表面的一小部分(表面150a’之周緣的一部分)具有鈍化層170 設置於其上。偏移距離定義為D-。當偏移造成該至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’的一部分被鈍化層170所覆蓋時，即將該偏移稱為負偏移。
具有偏移(無論是正或負)的狀況可以在本揭露之轉移膠帶製造期間隨機發生，或者可將偏移設計到製造程序中。偏移會使對於涉及將鈍化層170與至少一個不可轉移區段187之表面對齊的公差能夠留有一些餘裕，可使製造期間之轉移膠帶產率有所改善，且不會對至少一個可轉移區段之可轉移性及/或至少一個不可轉移區段之不可轉移性造成不利影響。請參照圖2A及2B，因正偏移而露出之黏著表面150a”之表面區域並未受到特定限制，只要在使用期間鈍化層170持續使至少一個不可轉移區段187不會轉移到至少一個可轉移區段將接合之基材即可。請參照圖2C及2D，被具有負偏移之鈍化層170所覆蓋的黏著表面150a’之表面區域並未受到特定限制，只要在使用期間被鈍化層170所覆蓋的黏著表面150a’之區域不會防止該至少一個可轉移區段187轉移至將接合之基材即可。在一些實施例中，鈍化層覆蓋小於約30%至約0%、小於約20%至約0%、小於約10%至約0%、小於約5%至約0%、或甚至小於約2%至約0%的該至少一個可轉移區段之黏著表面。在一些實施例中，至少一個可轉移區段之黏著表面沒有鈍化層。
在一些實施例中，鈍化層具有正偏移。這可能會改善該可轉移區段之黏著表面與受體基材形成更佳接觸之能力。同樣地，一低於轉移膠帶厚度Tt或相對轉移膠帶厚度Tt係薄的之鈍化層厚度Tp 亦可能改善可轉移區段之黏著表面與受體基材形成更佳接觸之能力。可能與可轉移區段在接合期間之改善的可轉移性有關的兩個參數係正鈍化參數P+和負鈍化參數P-，該等參數係鈍化層厚度對偏移之比，即P+=Tp/D+，且P-=Tp/D-。在一些實施例中，鈍化參數P+及/或P-可小於約0.5且大於約0.001、小於約0.3且大於約0.001、小於約0.2且大於約0.001、小於約0.1且大於約0.001、小於約0.3且大於約0.01、小於約0.2且大於約0.01、或甚至小於約0.1且大於約0.01。在一些實施例中，鈍化層之厚度係約0.5微米至約50微米、約0.5微米至約25微米、約0.5微米至約10微米、或甚至約0.5微米至約5微米。應注意的是，轉移膠帶可同時具有正偏移及負偏移，因為偏移可能在至少一個不可轉移區段之表面的一個區域中係正的，而在至少一個不可轉移區段之表面的另一個區域中係負的；或者一或多個不可轉移區段可能具有正偏移，且相同的轉移膠帶之一或多個其他不可轉移區段可能具有負偏移。在一些實施例中，鈍化層僅展現正偏移。在一些實施例中，鈍化層僅展現負偏移。在一些實施例中，鈍化層同時展現正偏移及負偏移。在一些實施例中，鈍化層未展現偏移。
本揭露之分段式轉移膠帶的至少一個可轉移區段可包括複數個可轉移區段。複數個可轉移區段之可轉移區段的數目、大小、形狀、及面密度並未受到特定限制。在一些實施例中，複數個可轉移區段係呈一圖案。請參照圖3A，轉移膠帶101包括複數個可轉移區段185(由複數個截口190所界定)、可轉移區段185之黏著表面150a’、不可轉移區段187、及鈍化層170。複數個可轉移區段係呈圖 案188。圖案188顯示一梯度圖案，該梯度圖案具有自遠離轉移膠帶之邊緣的方向面密度變小之複數個可轉移區段185。本揭露之轉移膠帶的圖案並未受到特定限制，且可根據終端使用應用之美觀或功能因素加以選擇。舉例而言，如果轉移膠帶之回填層的結構化第一主表面具有係日光重導向微光學元件(即光折射光學元件)之微光學元件，則圖3A中所示之圖案可係特別有用的，且轉移膠帶將用來將這些微光學元件(以所指示之圖案)轉移至IGU中所使用的玻璃板。
在至少兩層中含有某種類型圖案之多層膜的製造中，第一層之圖案必須對齊或對準多層膜之第二層的圖案時，經常使用一或多個基準標記以利於對齊程序。基準標記可包含於膜之各層中，以使下一層與上一層對齊。基準標記通常係包括於多層基材中之一個層中之有目的地放置的可識別標記或圖案，該基準標記係用以利於基材之一或多個後續層的對齊及放置。如果膜或基材的層係透明的，則可使用在一個層的基準標記來對齊多於一個後續層。在一些多層膜構造中，在需要基準標記的第一層中使用一組主要基準標記，而後續層之基準標記係相對於該主要基準標記組而製造。
取決於用來製造本揭露之轉移膜的製造程序，如果在設置鈍化層之前先製造截口(界定至少一個不可轉移區段及至少一個不可轉移區段)，則要使鈍化層與至少一個截口對齊可能相當具有挑戰性，如果在製造至少一個截口之前先設置鈍化層，則要使至少一個截口與至少一個不可轉移區段之鈍化層對齊也可能相當具有挑戰性。當轉移膠帶中之可轉移區段的數目增加且可轉移區段的圖案變得更加複 雜時，情況尤其如此。為了改善至少一個截口(即由至少一個截口所界定之區域)與鈍化層(即有鈍化層設置於其上之至少一個不可轉移區段之區域)之間的對齊，可使用一或多個基準標記。在一些實施例中，本揭露之轉移膠帶在載體膜(如果存在的話)、可移除模板層、回填層、黏著層、及鈍化層之至少一者中包括至少一個基準標記。至少一個基準標記之數目、大小、形狀、及面密度並未受到特定限制，只要該至少一個截口基準標記不會抑制可轉移區段及不可轉移區段發揮所設計的功用即可。本揭露之轉移膠帶中的基準標記數目並未受到特定限制，可包括至少一個、至少二個、至少三個、或甚至至少四個基準標記。本揭露之轉移膠帶之一層中的基準標記數目並未受到特定限制，可包括至少一個、至少二個、至少三個、或甚至至少四個基準標記。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括複數個基準標記。可在例如載體膜(如果存在的話)、可移除模板層、回填層、黏著層、及鈍化層之至少一者之上或之中印刷或切割出基準標記，例如基準截口標記。
請參照圖3A，轉移膠帶101包括基準標記195。基準標記195係在轉移膠帶101之製造期間形成於其中的基準截口標記，其係用以利於鈍化層170之對齊，使得鈍化層170係大致上設置於對應於至少一個不可轉移區段之表面之轉移膠帶上。在圖3A中，基準截口標記195顯示為不同之菱形，該等菱形係切割於轉移膠帶101之不可轉移區段187的轉移層中。在一些實施例中，基準截口標記係切 割於分段式轉移膠帶之至少一個不可轉移區段中。用來製造截口190之相同方法可用來製造基準截口標記195。
在一些實施例中，轉移膠帶可具有一邊界區189(圖3A)。邊界區至少沒有分段式轉移膠帶之黏著層，且因而係分段式轉移膜之一不可轉移區域。除了沒有黏著層外，邊界區可能沒有鈍化層、回填層、及可移除模板層之一或多者。如果邊界區沒有該可移除模板層，則轉移膠帶需要一載體。顯示出圖3A之邊界區係位於轉移膜101之下緣處。然而，邊界區之位置並未受到特定限制，且可位於分段式轉移膠帶之任何區域中。在一特定實施例中，未將邊界區包括於分段式轉移膠帶之至少一個可轉移區段內，亦即邊界區係在至少一個可轉移區段185之黏著表面150a’外面，且可將邊界區包括為至少一個不可轉移區段之部分。在一些實施例中，邊界區可含有一或多個基準標記。在一些實施例中，邊界區可含有複數個基準標記。除了基準截口標記195外，圖3A顯示在邊界區189中的基準截口標記195’。在圖3A中，基準截口標記195’顯示為不同之十字形，該等十字形係切割於轉移膠帶101之邊界區189中。在一些實施例中，基準截口標記係切割於分段式轉移膠帶之邊界區中。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括至少一個基準截口標記。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括複數個基準截口標記。至少一個截口基準標記之數目、大小、形狀、及面密度並未受到特定限制，只要該至少一個截口基準標記不會抑制可轉移及不可轉移區段發揮所設計的功用即可。
請參照圖3B，轉移膠帶101’係相似於轉移膠帶101，且圖式中之類似元件採用相同的元件符號。轉移膠帶101’與轉移膠帶101的不同之處在於轉移膠帶101’未含有基準截口標記195。取而代之的是，轉移膠帶101’包括鈍化層基準標記196及197。鈍化層基準標記可包括一或多個正鈍化層基準標記196，其係自設置於可轉移區段之一區域中之鈍化層製造的鈍化基準標記。將這些標記稱為「正」以表示將額外鈍化層加至一般不包括鈍化層之轉移膠帶區域(即至少一個可轉移區段)。鈍化層基準標記可包括一或多個負鈍化層基準標記197。將這些標記稱為「負」以表示自鈍化層一般會包括鈍化層之轉移膠帶區域(即至少一個不可轉移區段)移除。圖3B亦顯示邊界區189，其在邊界區內含有正鈍化基準標記196’。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括至少一個鈍化層基準標記。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括複數個鈍化層基準標記。在一些實施例中，至少一個鈍化層基準標記係一正鈍化層基準標記。在一些實施例中，至少一個鈍化層基準標記係一負鈍化層基準標記。在一些實施例中，複數個鈍化層基準標記係正及負鈍化層基準標記兩者。至少一鈍化層基準標記之數目、大小、形狀、及面密度並未受到特定限制，只要該至少一鈍化層基準標記不會抑制可轉移區段及不可轉移區段發揮所設計的功用即可。
本揭露之分段式轉移膠帶的基準標記可係印刷基準標記。印刷基準標記係印刷在本揭露之轉移膜之載體膜(如果存在的話)、可移除模板層、回填層、黏著層、及鈍化層之至少一者上的基 準標記。至少一個印刷基準標記之數目、大小、形狀、及面密度並未受到特定限制，只要該至少一個印刷基準標記不會抑制可轉移區段及不可轉移區段發揮所設計的功用即可。習知技術(例如噴墨印刷)及材料(例如墨水)可用來在本揭露之轉移膜上製造呈所欲形狀及圖案之印刷基準標記。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括至少一個印刷基準標記。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶可包括複數個印刷基準標記。
在一些實施例中，至少一個基準標記係位於分段式轉移膠帶之邊界區中，基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。在一些實施例中，複數個基準標記係位於分段式轉移膠帶之邊界區中，複數個基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。在一些實施例中，至少一個基準標記係位於分段式轉移膠帶之不可轉移區段中，基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。在一些實施例中，複數個基準標記係位於分段式轉移膠帶之不可轉移區段中，複數個基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。在一些實施例中，至少一個基準標記係位於分段式轉移膠帶之可轉移區段中，基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。在一些實施例中，複數個基準標記係位於分段式轉 移膠帶之可轉移區段中，複數個基準標記可係截口基準標記、正鈍化層基準標記、負鈍化層基準標記、及印刷基準標記之至少一者。
本揭露之分段式轉移膜在將至少一個可轉移區段精準轉移至受體基材方面具有相當高的實用性。圖4A顯示轉移膜102，其包括複數個可轉移區段185(該複數個可轉移區段185由複數個截口190所界定)、不可轉移區段187(該不可轉移區段187亦由複數個截口190所界定)、及鈍化層170。複數個可轉移區段係呈圖案188。圖案188顯示一梯度圖案，該梯度圖案具有自遠離轉移膠帶之邊緣的方向面密度變小之複數個可轉移區段185。圖4B顯示使用轉移膠帶102進行轉移程序之結果。圖4B繪示總成200，其包括受體基材210、及以相同圖案188轉移至受體基材210之可轉移區段185。不可轉移區段187已自轉移膠帶102移除乾淨，使得僅有一點或沒有不可轉移區段187殘餘部分留在受體基材210上。
可移除模板層
本揭露之轉移膠帶的可移除模板層(例如可移除模板層110)可例如透過壓紋、複製程序、擠壓、澆鑄、或表面結構化而形成。應瞭解到該可移除模板層可具有一結構化表面(例如，110a)，該結構化表面可包括奈米結構、微結構、或階層式結構。在一些實施例中，該可移除模板層可與圖案化、光化圖案化、壓紋、擠壓、及共擠壓相容。
一般而言，可移除模板層包括光可固化材料，其可在複製程序期間具有低黏度，接著可快速固化以形成「鎖在」複製奈米結構、微結構、或階層式結構內的永久交聯聚合物網絡。可使用在光聚合作用所屬領域中之通常知識者習知之任何光可固化樹脂來作為可移除模板層。用於可移除模板層之樹脂可係在所揭露分段式轉移膠帶使用期間在交聯時能夠自回填層(例如回填層120)離型；或應與分段式轉移膠帶之可選的離型層(例如可選的離型層130)之施加及施加可選的離型層之程序相容。
可用來作為可移除模板層的聚合物亦包括下列：苯乙烯丙烯腈共聚物；苯乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物；聚甲基丙烯酸甲酯；聚碳酸酯；苯乙烯順丁烯二酐共聚物；有核半結晶聚酯；聚萘二申酸乙二酯之共聚物；聚醯亞胺；聚醯亞胺共聚物；聚醚醯亞胺；聚苯乙烯；間規聚苯乙烯；聚伸苯醚；環狀烯烴聚合物；以及丙烯腈、丁二烯和苯乙烯的共聚物。一種較佳的聚合物係Lustran SAN Sparkle材料，可從Ineos ABS(USA)Corporation購得。用於輻射固化可移除模板層的聚合物包括經交聯的丙烯酸酯，諸如多官能性丙烯酸酯或環氧化物以及摻合有單官能性及多官能性單體的丙烯酸酯化胺甲酸酯。
圖案化結構化之可移除模板層可藉由下列方式形成：沉積一層輻射可固化組成物至一輻射透射支撐物之一個表面上，以提供具有一暴露表面的一層，使該層與具有預成形表面的一母版(master)接觸，該預成形表面帶有一圖案，該圖案能賦予一經精確成形及定位的交互式功能性不連續體之三維微結構(包括遠端表面部分及鄰近下壓 表面部分)至該支撐物上的輻射可固化組成物層的暴露表面，該接觸在充足的接觸壓力下足以將該圖案賦予至該層，當輻射可固化組成物層與母版之圖案化表面接觸時，使可固化組成物暴露於穿透過支撐物及/或母版的充足輻射量以固化該組成物。此澆鑄與固化製程可以連續方式進行，其使用一卷支撐物、沉積一層可固化材料至該支撐物上、對著母版層壓該可固化材料、並使用光化輻射固化該可固化材料。所產生之具有圖案化、結構化模板設置於其上之支撐物之卷可接著被捲起。該方法揭示於例如美國專利第6,858,253號(Williams等人)。
對於擠壓或壓紋之可移除模板層，可根據要賦予的頂部結構化表面之特定形貌，來選擇組成模板層之材料。一般而言，材料係經選擇以使結構在材料固化前完全被複製。這將部分取決於在擠壓製程中材料所保持的溫度及用來賦予頂部結構化表面的工具溫度，以及進行擠壓的速度。一般而言，用於頂層之可擠壓的聚合物具有小於約140℃的Tg，或介於約85℃到約120℃之間的Tg，以便能在大多數操作條件下被擠壓複製並壓紋。在一些實施例中，可選的載體膜及可移除模板層可同時共擠壓。此實施例需要至少兩層的共擠壓：一具有聚合物之頂層和具有另一聚合物之底層。若頂層包含第一可擠壓聚合物，則第一可擠壓聚合物可具有小於約140℃之Tg或自約85℃至約120℃之Tg。若頂層包含第二可擠壓聚合物，則可作用為可選的載體膜之第二可擠壓聚合物具有小於約140℃之Tg或自約85℃至約120℃之Tg。其他性質(如分子量及熔融黏度)亦應考慮並且取決於所使用之特定聚合物或多個聚合物。亦應選擇用在該可移除模板層的材料， 以使得該等材料對該可選的載體膜提供良好的黏著性，而使得在物品的生命週期內，兩層間的分層降至最低。
經擠壓或共擠壓之可移除模板層可澆鑄在母版輥上，該母版輥可賦予該可移除模板層圖案化結構。可以批次方式或以持續性卷對卷製程進行。此外，可選的載體膜可擠壓至經擠壓或共擠壓之可移除模板層上。在一些實施例中，這兩個層：可選的載體膜及可移除模板層可同時共擠壓。
可用作為該可移除模板層聚合物的有用聚合物，包括一或多種選自由下列所組成之群組的聚合物：苯乙烯丙烯腈共聚物；苯乙烯(甲基)丙烯酸共聚物；聚甲基丙烯酸甲酯；苯乙烯順丁烯二酐共聚物；有核半結晶聚酯；聚萘二甲酸乙二酯之共聚物；聚醯亞胺；聚醯亞胺共聚物；聚醚醯亞胺；聚苯乙烯；間規聚苯乙烯；聚伸苯醚；以及丙烯腈、丁二烯和苯乙烯的共聚物。能作為第一可擠壓聚合物之特別有用的聚合物包括稱為TYRIL共聚物的苯乙烯丙烯腈共聚物，能從Dow Chemical公司購得；樣品包括TYRIL 880以及125。其他可作為模板層聚合物之特別有用的聚合物包括苯乙烯順丁烯二酸酐共聚物DYLARK 332與苯乙烯丙烯酸酯共聚物NAS 30，二者皆可從Nova Chemical購得。與成核劑混合的聚對苯二甲酸乙二酯亦適用，成核劑諸如矽酸鎂、乙酸鈉或亞甲雙(2,4-二-三級丁基酚)酸磷酸鈉。
其他適用聚合物包括CoPEN(聚萘二甲酸乙二酯之共聚物)、CoPVN(聚乙烯基萘之共聚物)及聚醯亞胺包括聚醚醯亞胺。合適的樹脂組成物包括尺寸穩定、耐用、耐候(weatherable)以及 容易可形塑為所欲組態的透明材料。合適的材料實例包括丙烯酸聚合物，其具有約1.5的折射率，諸如由Rohm and Haas Company生產製造的PLEXIGLAS樹脂；聚碳酸酯，其具有約1.59的折射率；反應性材料，諸如熱固性丙烯酸和環氧丙烯酸鹽；聚乙烯基底的離子聚合物，諸如E.I.Dupont de Nemours and Co.,Inc.以SURLYN品名販售者；(聚)乙烯-共-丙烯酸；聚酯；聚胺甲酸酯；以及醋酸丁酸纖維素。可移除模板層可藉由直接澆鑄至可選的載體膜上而製備，諸如美國專利第5,691,846號(Benson)中所揭示。用於輻射固化結構的聚合物包括經交聯的丙烯酸酯，諸如多官能性丙烯酸酯或環氧化物以及摻合單官能性和多官能性單體的丙烯酸酯化胺基甲酸酯。
就輻射可固化部分而言，使用來製備該可移除模板層的可聚合組成物可係單官能性或多官能性(例如，二、三、及四官能性)。合適單官能性可聚合前驅物之實例包括苯乙烯、α-甲基苯乙烯、經取代之苯乙烯、乙烯基酯、乙烯基醚、(甲基)丙烯酸辛酯、壬基酚乙氧基化物(甲基)丙烯酸酯(nonylphenol ethoxylate(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸β-羧基乙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、環脂族環氧化物、α-環氧化物、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸、N-乙烯基己內醯胺、(甲基)丙烯酸十八酯、羥基官能性(甲基)丙烯酸己內酯(hydroxyl functional caprolactone ester(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基異丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基異丁酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯、及其任何組合。
適合多官能性可聚合前驅物的實例包括乙二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、三甘醇二甲基丙烯酸酯、四甘醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷基三甲基丙烯酸酯、丙三醇三甲基丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、新戊四醇四甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚(1,4-丁二醇)二甲基丙烯酸酯、以上所列材料的任何經取代、乙氧基化或丙氧基化版本、或其任何組合。
該等聚合反應通常會導致形成三維「交聯(crosslinked)」巨分子網絡，在本領域中亦係所屬技術領域中熟知的負型光阻，如Shaw等人，「Negative photoresists for optical lithography」,IBM Journal of Research and Development(1997)41,81-94所回顧。網絡之交聯可經由共價鍵結、離子鍵結、或氫鍵結而發生，或透過物理交聯機制(如鏈纏結)而發生。聚合反應及/或固化反應亦可經由一或多個中間物種來起始，例如生產生自由基之光起始劑、光敏感劑、光酸產生劑、光鹼產生劑、或熱酸產生劑。使用的固化劑種類取決於所使用的可聚合前驅物，且取決於用以固化可聚合前驅物的輻射波長。適合的市售產生自由基之光起始劑的實例包括二苯基酮、安息香醚、以及醯基膦光起始劑，如來自Ciba Specialty Chemicals,Tarrytown,NY以商標名稱「IRGACURE」與「DAROCUR」販售者。其他例示性光起始劑包括2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(DMPAP)、2,2-二甲氧基苯乙酮(DMAP)、氧蔥酮(xanthone)、以及9-氧硫(thioxanthone)。
共起始劑以及胺增效劑亦可被包括以提高固化率。以可聚合前驅物的整個重量為基礎，在交聯基質中之固化劑的適合濃度範圍從大約1wt.%至大約10wt.%，特別適合濃度範圍從大約1wt.%至大約5wt.%。可聚合前驅物亦可包括可選用添加劑，譬如熱穩定劑、紫外光穩定劑、自由基清除劑、以及其組合。適合的市售紫外光穩定劑包括二苯基酮型紫外光吸收劑，其可以商標名稱「UVINOL 400」自BASF Corp.,Florham Park,NJ取得；以商標名稱「CYASORB UV-1164」自Cytec Industries,West Patterson,NJ取得；及以商標名稱「TINUVIN 900」、及「TINUVIN 1130」自BASF Corp.,Florham Park,NJ取得。相對於可聚合前驅物的整個重量，在可聚合前驅物中紫外光穩定劑之適合濃度的實例範圍從大約0.1wt.%至大約10wt.%，特別適合的總濃度範圍從大約1wt.%至大約5wt.%。
適合的自由基清除劑的實例包括受阻胺光穩定劑(HALS)化合物、羥基胺、立體受阻酚、以及其組合。適合的可商購HALS化合物實例包括來自BASF Corp.,Florham Park,NJ以商標名稱「TINUVIN 292」及「TINUVIN 123」販售，以及來自Cytec Industries,West Patterson,NJ以商標名稱「CYASORB UV-24」販 售。在可聚合前驅物中之自由基清除劑之適合濃度的實例範圍從大約0.05wt.%至大約0.25wt.%。
在一些實施例中，該可移除模板層具有約0.01GPa至約10GPa、約0.01GPa至約6GPa、約0.01GPa至約4GPa、約0.01GPa至約2GPa、約0.05GPA至約10GPa、約0.05GPa至約6GPa、約0.05GPa至約4GPa、約0.05GPA至約2GPa、約0.1GPa至約10GPa、約0.1GPA至約6GPa、約0.1GPA至約4GPa、或甚至約0.1GPA至約2GPa的彈性模數。
一般會將可移除模板層自回填層移除，從而得到可轉移區段之最終可轉移部分，即可轉移區段之回填層及對應黏著層。一種降低回填層對可移除模板層之黏著性的方法係讓可移除模板層包括一相鄰回填層之可選的離型層，亦即可選的離型層130。
回填層
回填層(例如，回填層120)一般可滿足數種必要條件。第一，它可適形於其所設置於上方之可移除模板層110的結構化表面110a。例如這意味著將形成該回填層之前驅物液體的黏度應夠低以能夠流入非常小的特徵而無氣泡截留，這將使得所複製結構有良好保真度。回填前驅物液體包括但不限於液體(例如低黏度液體)、膠體、懸浮液、類似凝膠材料、及糊體之至少一者。在一些實施例中，回填層之沉積可在真空下進行，以利於氣泡之移除。若其為基於溶劑之塗佈溶液，其應自不會造成下方可移除模板層溶解的溶劑塗佈，否 則會引起回填層裂開或其他不利的缺陷。所欲的是，溶劑具有低於該可移除模板層之玻璃轉移溫度的沸點。溶劑可包括但不限於異丙醇、丁醇、其他醇系溶劑、酮類(例如甲基乙基酮)、及酯溶劑。第二，如果回填層係可固化前驅物液體之反應產物，該可固化前驅物液體可固化且具有足夠之機械完整性(例如，「生胚強度(green strength)」)。如果形成該回填層之可固化前驅物液體在固化後不具有足夠之生胚強度，該回填層120之結構化表面120a的形貌特徵125可能會傾倒，且複製保真度可能會降低。第三，對於一些實施例而言，回填層之折射率可經調整以產生適當的光學效果。第四，回填層在高於未來程序步驟的溫度上限範圍時可係熱穩定的(例如顯示最少裂開、起泡、或鼓起)。第五，回填層可係UV穩定的。可將習知UV穩定劑包括於回填層中，例如包括於回填前驅物液體及/或可將UV穩定劑包括作為回填層之表面塗層。
在一些實施例中，回填層包含聚合材料。在一些實施例中，回填層之聚合物材料具有大於約30攝氏度、大於約50攝氏度、大於約75攝氏度、大於約100攝氏度、或甚至大於約150攝氏度的玻璃轉移溫度。聚合材料之玻璃轉移溫度可小於400攝氏度。在一些實施例中，回填層之聚合物材料具有約0.01GPa至約80GPa、約0.01GPa至約40GPa、約0.01GPa至約20GPa、約0.01GPa至約10GPa、約0.05GPA至約80GPa、約0.05GPa至約40GPa、約0.05GPa至約20GPa、約0.05GPA至約10GPa、約0.1GPa至約80 GPa、約0.1GPA至約40GPa、約0.1GPA至約20GPa、或甚至約0.1GPA至約10GPa的彈性模數。
在本揭露之一些實施例中，回填層之聚合材料可衍生自聚合物前驅物液體，即聚合材料係聚合物前驅物液體之反應產物。聚合物前驅物液體可係聚合物溶液及反應性聚合物前驅物液體之至少一者，前述各者皆能夠經過聚合、鏈延長、固化、乾燥、及融合之至少一者以形成回填層之聚合材料。聚合物溶液可包括至少一種溶於至少一種溶劑中之聚合物。聚合物溶液可能能夠經過鏈延長、固化、乾燥、及融合之至少一者以形成聚合材料。在一些實施例中，聚合物溶液經過乾燥以形成聚合材料。反應性聚合物前驅物液體包括液體單體及液體寡聚物之至少一者。單體可係單種單體或可係至少兩種不同單體之混合物。寡聚物可係單種寡聚物或可係至少兩種不同寡聚物之混合物。亦可使用一或多種單體及一或多種寡聚物之混合物。反應性聚合物前驅物液體可包括至少一種(可選的)溶劑。反應性聚合物前驅物液體可包括至少一種(可選的)聚合物，其可溶於反應性聚合物前驅物液體之液體組分中。反應性聚合物前驅物液體可能能夠經過聚合、固化、乾燥、及融合之至少一者以形成回填層之聚合材料。在一些實施例中，反應性聚合物前驅物液體經過固化以形成聚合材料。在一些實施例中，反應性聚合物前驅物液體經過聚合以形成聚合材料。在一些實施例中，反應性聚合物前驅物液體經過固化及聚合以形成聚合材料。用語「固化(cure,curing,cured)」及類似者在本文中係用來指，其係透過一或多種反應而增加其分子量之反應性聚合物前驅物液 體，該一或多種反應包括至少一種交聯反應。一般而言，固化會造成可能不可溶於溶劑中之熱固性材料。用語「聚合(polymerize,polymerizing,polymerized)」及類似者一般係指透過一或多種反應而增加其分子量之反應性聚合物前驅物液體，該一或多種反應不包括交聯反應。一般而言，聚合會造成可能可溶於適當溶劑中之熱塑性材料。藉由交聯反應及聚合反應而反應的反應性聚合物前驅物液體可形成熱固性或熱塑性材料，取決於所達到之聚合程度及最終聚合材料之總計交聯量。可用於製備反應性聚合物前驅物液體之單體及/或寡聚物可包括但不限於習知用來形成非黏性聚合物(例如，非黏性熱固性材料、非黏性熱塑性材料、及非黏性熱塑性彈性體)之單體及寡聚物。
聚合物係所屬技術領域中熟知的含有有機及無機部分之組合。聚合物中之有機部分可用於提供可固化性、可撓性等，而無機部分可用於提供更高之耐熱性、耐候性、耐久性等。無機部分亦可使回填層之聚合材料能夠固化，例如縮合矽醇官能基(Si-OH)以形成Si-O-Si部分同時產生作為固化反應副產物的水。一種此類聚合物可自Nagase Co.,Osaka,Japan，以商標名稱「SA-250P」獲得。聚合物可使用所屬技術領域中熟知的方法來固化，如紫外線照射結合例如吸收紫外光之光起始劑。固化之後，此聚合物具有約1.6之折射率，及較高透射率(T>88%)，分別如藉由折射計及UV-Vis分光光度計測量。含有有機及無機部分之組合的其他可固化聚合物在固化之後具有約1.50之折射率。
在一些實施例中，回填層可包括有機矽聚合材料。有機矽聚合材料可包括有機矽寡聚物、有機矽聚合物、或其組合。有機矽聚合材料可進一步包括無機粒子(諸如玻璃或陶瓷)，該等無機粒子可與有機矽材料折射率匹配，形成複合材料(諸如奈米粒子填充之矽倍半氧烷)。
回填層之聚合材料可包含或基本上由具有一通式(如下)之有機矽聚合物所組成，其可藉由Si-OH基團之均縮合、與殘餘可水解基團(例如烷氧基)之異縮合、及/或藉由官能性有機基團(例如烯屬不飽和基團，諸如乙烯基、丙烯酸酯、或甲基丙烯酸酯)之反應而進一步反應以形成交聯網絡。此類聚合材料主要衍生自以下通式之有機矽烷：RxSiZ4-x，其中R係選自：氫、經取代或未經取代C1-C20烷基、經取代或未經取代C2-C10伸烷基、經取代或未經取代C2-C20伸烯基、C2-C20伸炔基、經取代或未經取代C3-C20環烷基、經取代或未經取代C6-C20芳基、經取代或未經取代C6-C20伸芳基、經取代或未經取代C7至C20芳基烷基、經取代或未經取代C1至C20雜烷基、經取代或未經取代C2至C20雜環烷基，及/或彼等之組合。
Z係可水解基團，譬如鹵素(含有元素F、Br、Cl或I)、C1-C20烷氧基、C5-C20芳氧基、及/或彼等之組合。
組成物的大部分可由RSiO3/2單元組成，因此此類材料常被稱為矽倍半氧烷(或T-樹脂)，不過它們亦可含有單-(R3Si-O1/2)、二-(R2SiO2/2)、以及四官能基(Si-O4/2)。下式之有機修飾二矽烷：Z3-n Rn Si-Y-Si Rn Z3-n
常用於可水解組成物，以進一步改質材料之性質(以形成所謂的橋聯矽倍半氧烷)，該R及Z基團係如上文定義。聚合材料可經進一步調配，且與金屬烷氧化物(M(OR)m)反應以形成金屬-矽倍半氧烷。
回填層之聚合材料可包含或由具有以下通式之有機矽寡聚物及聚合物所組成：
R1、R2、R3、R4及R5係獨立地選自：氫、經取代或未經取代C1-C20烷基、經取代或未經取代C2-C10伸烷基、經取代或未經取代C2-C20伸烯基、C2-C20伸炔基、經取代或未經取代C3-C20環烷基、經取代或未經取代C6-C20芳基、經取代或未經取代C6-C20伸芳基、經取代或未經取代C7至C20芳基烷基、經取代或未經取代C1至C20雜烷基、經取代或未經取代C2至C20雜環烷基，及/或彼等之組合； Z係可水解基團，諸如鹵素(含有元素F、Br、Cl、或I)、C1-C20烷氧基、C-C20芳氧基、及/或彼等之組合。
m為0至500之整數；n為1至500之整數；p為0至500之整數；q為0至100之整數。
如本文中所使用，用語「經取代(substituted)」意指化合物之氫經至少一選自由下列所組成之群組的取代基所取代：鹵素(含有元素F、Br、Cl、或I)、羥基、烷氧基、硝基、氰基、胺基、疊氮基、甲脒基、肼基、亞肼基、羰基、胺甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C13芳基烷基、C1至C4氧烷基、C1至C20雜烷基、C3至C20雜芳烷基、C3至C30環烷基、C3至C15環烯基、C6至C15環炔基、雜環烷基、以及其組合。
所得有機矽聚合物具有在150至300,000Da之範圍內、或較佳地在150至30,000Da之範圍內的分子量。
可用於回填層之材料包括聚矽氧烷、聚矽氮烷、聚醯亞胺、矽倍半氧烷(例如，橋型或梯型之矽倍半氧烷)、及矽氧烷混合材料、及許多其他材料。該等分子通常具有無機組分，該無機組分造成材料的高尺寸穩定度、機械強度與化學抗性；以及有機組分，該有機組分有助於溶解度和反應性。在一些實施例中，回填層之聚合材料係共聚物，該共聚物包括至少一種有機部分及至少一種無機部分。在 一些實施例中，無機部分包括Si。在一些實施例中，有機部分包括經取代或未經取代之C1-C20烷基部分。
在一些實施例中，回填層可包括熱穩定分子物種，包括但不限於矽、鉿、鍶、鈦、及鋯。在一些實施例中，熱穩定分子物種包括金屬、金屬氧化物或金屬氧化物前驅物。可使用金屬氧化物前驅物以作為無機奈米粒子之非晶質「黏合劑」，或其可單獨使用。
在一些實施例中，回填層可包括無機奈米粒子。此等奈米粒子可呈各種不同大小與形狀。奈米粒子可具有小於約1000nm、小於約100nm、小於約50nm或小於約35nm的平均粒徑。該等奈米粒子之平均粒徑可為約3nm至約50nm，或約3nm至約35nm，或約5nm至約25nm。若該等奈米粒子凝集，該凝集粒子之最大截面維度可在任何此等範圍內，亦可超過約100nm。主要尺寸小於大約50nm的「發煙(fumed)」奈米粒子(譬如二氧化矽與氧化鋁)亦可被使用，譬如CAB-OSPERSE PG 002發煙二氧化矽、CAB-O-SPERSE 2017A發煙二氧化矽、以及CAB-OSPERSE PG 003發煙氧化鋁，其可購自Cabot Co.Boston，MA。其測量可基於穿透電子顯微術(TEM)。奈米粒子可實質上完全凝聚。完全凝聚之奈米粒子(諸如膠體二氧化矽)通常在其內部實質上沒有羥基。不含二氧化矽之完全凝聚奈米粒子可具有大於55%，較佳大於60%，及更佳大於70%的結晶度(以單離粒子測定)。例如，結晶度可高達約86%或更高。可藉由X射線繞射技術測定結晶度。凝聚之結晶(例如氧化鋯)奈米粒子具有高折射率，然而非晶質奈米粒子一般具有較低之折射率。可使用多 種形狀的無機或有機奈米粒子，譬如球、棒、薄片、管、線、方塊、錐、四面體、以及類似物。
奈米粒子之尺寸通常係經選擇以產生所欲光學效果，諸如透明或散射。回填層之奈米粒子亦可賦予各種不同光學性質(亦即折射率、雙折射率)、電性質(例如導電性)、機械性質(例如堅韌性、鉛筆硬度、抗刮性)、或這些性質之組合。使用有機與無機氧化物粒子種類的混合物來最佳化光學或材料性質並且降低總組成物成本係所欲的。
適合無機奈米粒子的實例包括金屬奈米粒子或它們各自的氧化物，包括元素鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋁(Al)、鐵(Fe)、釩(V)、銻(Sb)、錫(Sn)、金(Au)、銅(Cu)、錄(Ga)、銦(In)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、釔(Y)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎝(Te)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎘(Cd)、鑭(La)、鉭(Ta)、鎢(W)、錸(Rh)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、以及其任何組合。
合適之無機奈米粒子實例包括已知為稀土元素之元素及其氧化物，如：鑭(La)、氧化鈰(CeO2)、氧化鐠(Pr6O11)、氧化釹(Nd2O3)、氧化釤(Sm2O3)、氧化銪(Eu2O3)、氧化釓(Gd2O3)、氧化鋱(Tb4O7)、氧化鏑(Dy2O3)、氧化鈥(Ho2O3)、氧化鉺(Er2O3)、氧化銩(Tm2O3)、氧化鐿(Yb2O3)與氧化鎦(Lu2O3)。
奈米粒子一般經表面處理劑處理。表面處理之奈米尺寸粒子可在回填層之聚合物材料及/或用來形成回填層之聚合物前驅物液體中提供穩定的分散。較佳地，表面處理使奈米粒子安定，以使粒子 良好分散於實質上均質之組成物中。此外，奈米粒子之表面的至少一部分可經表面處理劑改質，以使該經穩定化之粒子可在固化期間與前驅物材料之部分共聚合或反應。在一些實施例中，表面處理劑具有會附接至粒子表面(共價性、離子性、或透過強力物理吸附性)之第一末端，及賦予粒子與組成物之相容性及/或在固化期間與組成物反應之第二末端。在一些實施例中，表面處理劑之第一末端及第二末端皆會附接至粒子，且該劑之末端間的化學部分會賦予粒子與組成物之相容性及/或在固化期間與組成物反應。表面處理劑之實例包括醇類、胺類、羧酸類、磺酸類、膦酸類、矽烷類與鈦酸鹽類。處理劑之較佳型態一部分係由金屬氧化物表面之化學性質來決定。矽烷較佳可用於二氧化矽及其他用於矽質填料。矽烷及羧酸較佳係用於金屬氧化物，例如氧化鋯。表面改質可在與單體混合後或在混合之後進行。就矽烷而言，在導入至組成物中之前使矽烷與粒子或奈米粒子表面反應為較佳的。表面改質劑之需要量係依數種因素決定，如粒子大小、粒子型態、改質劑分子量、與改質劑型態。一般較佳係由約單層之改質劑附接在粒子表面。該附接過程或所需反應條件亦依所使用表面改質劑而定。以矽烷而言，較佳係在加溫及酸性或鹼性條件下處理表面大約1至24hr。諸如羧酸之表面處理劑可能不需要加溫或長時間處理。
適用於組成物之表面處理劑之代表性實施例包括下列化合物，諸如：異辛基三甲氧基-矽烷、N-(3-三乙氧基矽基丙基)甲氧基乙氧基乙氧基乙氧基乙基胺甲酸酯(carbamate)(PEG3TES)、N-(3-三乙氧基矽基丙基)甲氧基乙氧基乙氧基乙基胺甲酸酯(PEG2TES)、3-(甲基 丙烯醯基氧基)丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯酸氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基丙烯醯基氧基)丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基丙烯醯基氧基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(丙烯醯基氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基丙烯醯基氧基)丙基二甲基乙氧基矽烷、3-(甲基丙烯醯基氧基)丙基二甲基乙氧基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、正辛基三甲氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三苯氧基矽烷、乙烯基三-三級丁氧基矽烷、乙烯基三-異丁氧基矽烷、乙烯基三異丙烯氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、苯乙烯基乙基三甲氧基矽烷、巰基丙基三甲氧基矽烷、3-5環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、丙烯酸、甲基丙烯酸、油酸、硬脂酸、十二烷酸、2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙酸(MEEAA)、β-羧基乙基丙烯酸酯、2-(2-甲氧基乙氧基)乙酸、甲氧基苯基乙酸、及其混合物。此外，發現可購自OSI Specialties,Crompton South Charleston,WV商標名稱「Silquest A1230」之矽烷表面改質劑商品尤其合適。
在一些實施例中，回填層之聚合材料包括在複製程序期間可具有低黏度之可光固化前驅物液體，其會形成回填層之結構化第一主表面，之後可迅速固化以形成回填層，此固化係藉由形成「鎖在」回填層之複製奈米結構、微結構、或階層式結構內的永久交聯聚 合網絡。回填層可係能夠藉由光化輻射如紫外線(UV)輻射、電離輻射、熱、或其組合而固化。
在一些實施例中，回填層具有約1.40至2.20、約1.50至約2.20、約1.60至約2.20、約1.65至約2.20、約1.70至約2.20、約1.75至約2.20、約1.40至2.10、約1.50至約2.10、約1.60至約2.10、約1.65至約2.10、1.70至約2.10、約1.75至約2.10、約1.40 and 2.00、約1.50至約2.00、約1.60至約2.00、約1.65至約200、約1.70至約2.00、或甚至約1.75至約2.00的折射率。
回填層120之結構化表面120a的形貌特徵125係由可移除模板層之結構化第一主表面所界定。在一些實施例中，回填層之結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米、約0.05微米至約100微米、約0.05微米至約10微米、約0.1微米至約1000微米、約0.1微米至約100微米、或甚至約0.1微米至約10微米之高度的形貌特徵。在一些實施例中，回填層之結構化第一主表面包括微光學結構。微光學結構係指具有之尺寸及形狀，使其在可見光傳播通過回填層時可改變該可見光的結構。微光學結構可能能夠反射、繞射、準直及/或分散光。在一些實施例中，回填層之結構化第一主表面包括係下列之至少一者的微光學結構：光折射(例如光重導向及廣角顏色分布)；光準直(例如光提取)；及光反射。在一些實施例中，回填層之結構化第一主表面可包括能夠進行下列之至少一者的微光學結構：反射、繞射、準直、及分散至少10%、至少20%、或甚至至少30%的傳播到結構化表面之在電磁譜之可見區之光。在一些實施例中，微光 學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。在回填層之結構化表面中可包括超過一種的微光學結構。微光學結構可包括下列之至少一者：微透鏡陣列、線性稜柱透鏡、線性矩形光學元件、復歸反射器、線性圓柱透鏡、微菲涅耳透鏡(micro-Fresnel lense)、繞射光學元件、光子陣列、及數位或全像光學元件。
在一些實施例中，回填層包括依重量計約60百分比至約100百分比、約70百分比至約100百分比、約80百分比至約100百分比、或甚至約90百分比至約100百分比之聚合材料。
回填層可藉由所屬技術領域中所習知之各式不同技術的任一者而塗佈於可移除模板層上，該等技術包括但不限於手刷塗佈；缺口棒塗佈(notch bar coating)；壓模塗佈(die coating)；繞線棒塗佈(wire-wound rod coating)；刮刀塗佈(例如狹縫饋料刮刀塗佈)；輥塗佈(例如，三輥塗佈、噴灑塗佈)；及擠壓。之後回填層可藉由習用技術固化及/或聚合，包括但不限於熱固化及/聚合、及光化輻射固化及/或聚合。
黏著層
黏著層包括至少一種黏著劑。在一些實施例中，黏著層可包括多個層，多個層之黏著劑可相同或不同。在某些實施例中，該黏著層之黏著劑包括壓敏黏著劑、熱活化黏著劑(例如熱熔性黏著劑)、及B階段化黏著劑(B-staged)之至少一者。B階段化黏著劑係已 初步固化之黏著劑，所以其具有維持其形狀之足夠生胚強度，又可進一步固化以改善其黏著性質及/或強度。在一些實施例中，黏著層可包括背襯，且黏著劑設置於該背襯之兩個主表面上。在一些實施例中，黏著層之黏著劑可係結構黏著劑。在一些實施例中，黏著層之黏著劑可係光學黏著劑。光學黏著劑係光學清透的，且在350至800nm波長範圍內可具有大於約90百分比之發光透射、小於約2或甚至1.5百分比之霧度。霧度一般小於1或0.5%。此外，不透明度一般小於約1%。光透射率和霧度皆可以使用例如ASTM-D 1003-95來測定。一般而言，光學黏著劑可以係目視無氣泡的。光學黏著劑亦所欲地於最初及在加速老化之後不黃化。舉例而言，對於10密耳(約250微米)之厚度，CIELAB b*一般小於1.5、或1.0或0.5。
雖然各式不同光學黏著劑係所屬技術領域中所習知的，但是在一些實施例中，黏著層之光學黏著劑包含有機矽聚合物，諸如聚二有機矽氧烷。用語「聚二有機矽氧烷(polydiorganosiloxane)」指下式之二價片段 其中各R1獨立地係烷基、鹵烷基、芳烷基、烯基、芳基、或經烷基、烷氧基、或鹵基取代之芳基；各Y係獨立地伸烷基、伸芳烷基、或其組合；且下標n係獨立地1至1500之整數。在一些實施例中，n是至少25、50或更大。
在一些實施例中，光學黏著劑包含聚二有機矽烷聚乙二醯胺共聚物，如US 7,947,376及US 8,765,881所描述。
聚二有機矽氧烷具有許多所欲性質如低玻璃轉移溫度、熱穩定性及氧化穩定性、抗紫外線輻射性(resistance to ultraviolet radiation)、低表面能及低疏水性，及對於許多氣體之高滲透性。另外，共聚物展現良好至極好的機械強度。另外，共聚物展現良好至極好的機械強度。
壓敏性黏著劑及熱活化黏著劑可藉由將聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺與增黏劑(如矽酸鹽(silicate)增黏樹脂)組合來配製。如本文中所使用，用語「壓敏性黏著劑(pressure sensitive adhesive)」係指具有如下性質之黏著劑：足夠強力及持久黏性；使轉移層層接合至受體基材(如玻璃)之足夠強度；及在一些實施例中自受體基材完全地移除之典型足夠內聚強度。如本文中所使用，用語「熱活化黏著劑(heat activated adhesive)」係指在室溫下基本上非黏性，但是在活化溫度以上之室溫以上(如高於約30℃)變得有黏性的黏著劑。熱活化黏著劑一般在活化溫度以上具有壓敏性黏著劑之性質。
將增黏樹脂(如矽酸鹽增黏樹脂)添加至聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺共聚物以提供或增強共聚物之黏著劑性質。矽酸鹽增黏樹脂可影響所得黏著劑之物理性質。舉例而言，隨著矽酸鹽增黏樹脂含量增加，黏著劑之玻璃態至橡膠態之轉變會在越來越高的溫度下發生。
合適的矽酸鹽增黏樹脂包括由以下結構單元構成之該等樹脂：M(亦即，一價R'3SiO1/2單元)、D(亦即，二價R'2SiO2/2單元)、T(亦即，三價R'SiO3/2單元)、及Q(亦即，四級SiO4/2單元)、以及其組合。典型矽酸鹽樹脂包括MQ矽酸鹽增黏樹脂、MQD矽酸鹽增黏樹脂、及MQT矽酸鹽增黏樹脂。這些矽酸鹽增黏樹脂通常具有100至50,000範圍內或500至15,000範圍內之數量平均分子量，並且一般而言具有甲基R'基。
MQ矽酸鹽增黏樹脂是具有R'3SiO1/2單元(「M」單元)及SiO4/2單元(「Q」單元)之共聚樹脂，其中M單元接合至Q單元，其中之各者接合至至少一個其他Q單元。一些SiO4/2單元(「Q」單元)接合至羥基自由基，產生HOSiO3/2單元(「TOH」單元)，從而形成矽酸鹽增黏樹脂之矽接合羥基含量，而一些僅接合至其他SiO4/2單元。
合適的矽酸鹽增黏樹脂係市售可得自Dow Corning,Midland,MI及Wacker Chemie AG,Munich,Germany等之來源。尤其適用MQ矽酸鹽增黏樹脂之實例包括可以商標名稱SR-545及SR-1000獲得之彼等，其均可自GE Silicones,Waterford,NY購得。此等樹脂通常在有機溶劑中供應並且可以收到時原狀用於本發明之黏著劑之調配物中。黏著劑中可包括兩種或更多種矽酸鹽樹脂之摻合物。
基於聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及矽酸鹽增黏樹脂之合併重量，黏著劑層之黏著劑可含有20至80重量百分比的聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及20至80重量百分比的矽酸鹽增黏樹脂。舉例而 言，黏著劑可含有：30至70重量百分比之聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及30至70重量百分比之矽酸鹽增黏樹脂、35至65重量百分比之聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及35至65重量百分比之矽酸鹽增黏樹脂、40至60重量百分比之聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及40至60重量百分比之矽酸鹽增黏樹脂、或45至55重量百分比之聚二有機矽氧烷聚乙二醯胺及45至55重量百分比之矽酸鹽增黏樹脂。
黏著劑可不含溶劑或可含有溶劑。適合之溶劑包括(但不限於)甲苯、四氫呋喃、二氯甲烷、脂族烴(例如，烷烴，諸如己烷)，或其混合物。黏著層之黏著劑可進一步包括如所屬技術領域中所習知之其他添加劑。
在一些實施例中，黏著層具有下列範圍之折射率：約1.40至1.80、約1.45至約2.00、約1.50至約2.00、約1.55至約2.00、約1.60至約2.00、約1.40至1.90、約1.45至約1.90、約1.50至約1.90、約1.55至約1.90、約1.60至約1.90、約1.40至1.80、約1.45至約1.80、約1.50至約1.80、約1.55至約1.80、或甚至約1.60至約1.80。在一些實施例中，回填層之折射率高於黏著層之折射率。在一些實施例中，回填層之折射率與黏著層之折射率間的差異係介於約0.03及約0.7之間、介於0.05及約0.6之間、或甚至介於約0.10及約0.50之間。
黏著層可藉由所屬技術領域中所習知之各式不同技術的任一者而塗佈於回填層上，該等技術包括但不限於手刷塗佈；缺口棒塗佈(notch bar coating)；壓模塗佈(die coating)；繞線棒塗佈(wire- wound rod coating)；刮刀塗佈(例如狹縫饋料刮刀塗佈)；輥塗佈(例如，三輥塗佈、噴灑塗佈)；及擠壓。黏著劑亦可作為黏著劑前驅物溶液而塗佈，然後例如藉由熱或光化輻射而聚合及/或固化。
此外，在製造本揭露之分段式轉移膠帶的任何步驟期間，一可選的離型襯墊(圖中未顯示)可相鄰於本揭露之轉移膠帶之黏著層的表面或與本揭露之轉移膠帶之黏著層的表面接觸，以保護該黏著層免於損傷及/或碎屑。可使用所屬技術領域中習知之離型襯墊。在一些實施例中，分段式轉移膠帶包括一離型襯墊，其相鄰於該至少一個可轉移區段之黏著層或與該至少一個可轉移區段之黏著層接觸。在使用分段式轉移膠帶之前，可先移除離型襯墊。
可選的載體膜
本揭露之轉移膠帶之可選的載體膜(例如，可選的載體膜140)可係任何可為其他層提供機械支撐之合適的膜，包括例如熱穩定撓性膜。可選載體膜之厚度並未受到特定限制。在一些實施例中，載體膜之厚度可係約10微米至約2000微米、約10微米至約500微米、約10微米至約250微米、或甚至約10微米至約100微米。可選的載體膜可在高於50℃、或替代地70℃、或替代地高於120℃以上係熱穩定的。可選的載體膜之一個實例係聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。在一些實施例中，可選的載體膜可包括紙、離型塗佈紙、非織物、織物(織品)、金屬膜、及金屬箔。
包含各種熱固性或熱塑性聚合物之各式有機聚合膜基材皆適合用於作為可選的載體膜使用。支撐物可係單層膜或多層膜。可用作為可選的載體膜之聚合物的說明性實例包括(1)氟化聚合物，諸如聚(三氟氯乙烯)、聚(四氟乙烯-共六氟丙烯)、聚(四氟乙烯-共-全氟(烷基)乙烯基醚)、聚(二氟亞乙烯-共六氟丙烯)；(2)具有鈉或鋅離子之離子性乙烯共聚物聚(乙烯-共-甲基丙烯酸)，例如SURLYN-8920以及SURLYN-9910，可從美國德拉瓦州威明頓的E.I.duPont Nemours公司購得；(3)低密度聚乙烯如低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、與非常低密度聚乙烯、增塑性乙烯基鹵化物聚合物如增塑性聚(氯乙烯)；(4)聚乙烯共聚物，包括酸官能性聚合物，例如聚(乙烯-共-丙烯酸)「EAA」、聚(乙烯-共-甲基丙烯酸)「EMA」、聚(乙烯-共-順丁烯二酸)以及聚(乙烯-共-反丁烯二酸)；丙烯酸官能性聚合物，例如聚(乙烯-共-烷基丙烯酸酯)其中烷基為甲基、乙基、丙基、丁基等、或CH3(CH2)n-其中n為0至12，以及聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯)「EVA」；以及(5)(例如)脂族聚胺甲酸酯。可選的載體層可為烯烴聚合材料，一般包含至少50wt-%之具有2至8個碳原子的烯烴，以乙烯及丙烯最常被採用。其他本體層(body layers)包括例如聚(萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯或「PMMA」)、聚烯(例如聚丙烯或「PP」)、聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯或「PET」)、聚醯胺、聚醯亞胺、酚樹脂、二醋酸纖維素、三醋酸纖維素(TAC)、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、環狀烯烴共聚物、環氧化物(epoxies)以及類似物。在一些實施例中，可選 的載體膜可包括紙、離型塗佈紙、非織物、織物(織品)、金屬膜、及金屬箔。
一旦該至少一個可轉移區段轉移至受體基材(例如玻璃板或OLED顯示器之基材)上以形成一總成，即會將可選的載體膜連同可移除模板層移除。因此，一旦至少一個可轉移區段被轉移至受體基材上，便從受體基材移除載體膜、可移除模板層、及至少一不可轉移區段，總成不含有載體膜。
可選的離型層
可移除模板層之可選的離型層(例如，可選的離型層130)可包含所屬技術領域中所習知之任何離型層，只要其利於自轉移層之回填層移除可移除模板層。在一些實施例中，可使用所屬技術領域中所習知之低表面能材料。
一種方法將離型塗層施加至可移除模板層之結構化表面係利用電漿沉積。寡聚物可被用來產生電漿交聯離塗層。該寡聚物在塗佈前可為液體形式或固體形式。一般而言，該寡聚物具有大於1000的分子量。而且寡聚物的分子量通常小於10,000，使得該寡聚物不會太具揮發性。分子量大於10,000的寡聚物通常過於不揮發，導致塗佈過程形成液滴。在一實施例中，寡聚物的分子量大於3000且小於7000。在另一實施例中，寡聚物的分子量大於3500且小於5500。通常寡聚物具有提供低磨擦表面塗佈之特性。合適的寡聚物包括含聚矽氧的烴類、含三烷氧基矽烷的反應性聚矽氧、芳香烴、脂肪烴、氟化 物以及其組合。例如，合適的樹脂包括但不限於二甲基聚矽氧、基於烴之聚醚(hydrocarbon based polyether)、氟化物聚醚、乙烯四氟乙烯及氟矽酮。氟矽烷表面化學法、真空沉積、及表面氟化亦可用以提供離型塗層。
電漿聚合薄膜構成一種與可用作為離型層之習用聚合物不同之材料類別。在電漿聚合物中，聚合係隨機的，交聯程度非常高，且所產生的聚合物膜與對應之「習用」聚合物膜非常不同。因此，電漿聚合物被所屬技術領域中具有通常知識者視為一獨特不同類別的材料，且可用於所揭示的物品中。此外，有其他方法可將離型層施加至可移除模板層，該等方法包括但不限於起霜(blooming)、塗佈、共擠壓、噴灑塗佈、電塗、或浸塗。
可選的離型層可係含氟材料、含矽材料、及低表面能聚合物之至少一者，包括但不限於氟聚合物(例如聚四氟乙烯)、聚矽氧聚合物(例如聚矽氧烷聚合物)、聚烷基(polyalkyl)(例如聚乙烯及聚丙烯)、或衍生自單體之聚(甲基)丙烯酸酯，該單體包含(甲基)丙烯酸烷酯，該(甲基)丙烯酸烷酯具有帶有12至30個碳原子之烷基。在一個實施例中，烷基可係支鏈。有用的氟聚合物及聚矽氧聚合物的說明性實例可見於美國專利第4,472,480號(Olson)、第4,567,073號及第4,614,667號(二者皆為Larson等人)。有用的聚(甲基)丙烯酸酯的說明性實例可見於美國專利申請公開案第2005/118352號(Suwa)。移除可移除模板層不應造成回填層之表面形貌的不利改變。
鈍化層
本發明之鈍化層並未受到特定限制，只要鈍化層可降低不可轉移區段之黏著表面對受體基材的黏著性(例如剝離強度)，使得不可轉移區段不會轉移。在一些實施例中，至少一個不可轉移區段之鈍化黏著表面的黏著性係低於至少一個可轉移區段之黏著表面的黏著性。在一些實施例中，至少一個不可轉移區段之鈍化黏著表面的黏著性係至少30%低於、至少50%低於、至少70%低於、至少80%低於、至少90%低於、或甚至至少95%低於至少一個可轉移區段之黏著表面的黏著性，且該不可轉移區段之鈍化黏著表面在黏著性下限未展現可測量的黏著性。可轉移及不可轉移區段對基材表面的黏著性可藉由標準黏著性測試測定，例如將其接合至基材，然後施以習用之90度或180度剝離測試，如所屬技術領域中所習知。然而測試之基材並未受到特定限制，且可係所欲之受體基材，黏著性測試之基材可係玻璃。剝離測試可以90in/min(229cm/min)的速度執行，且樣本可係呈矩形之形式，具有1英吋(2.54cm)之寬度。矩形樣本的長度並未受到特定限制，一般係針對測試設備而選擇，以確保樣本可於測試設備中適當組態。
在一些實施例中，當鈍化層係非黏性時，不可轉移區段將不會轉移。在一些實施例中，鈍化層係非黏性的，即非黏性鈍化層。在一些實施例中，該鈍化層在約20攝氏度、約30攝氏度、約50攝氏度、約75攝氏度、約100攝氏度、約125攝氏度、或甚至約150攝氏度之溫度下係非黏性的。在一些實施例中，該鈍化層係有機塗層 及無機塗層之至少一者。在一些實施例中，該鈍化層係非黏性有機塗層及非黏性無機塗層之至少一者。在一些實施例中，該非黏性有機塗層及無機塗層在約20攝氏度、約30攝氏度、約50攝氏度、約75攝氏度、約100攝氏度、約125攝氏度、或甚至約150攝氏度之溫度下係非黏性的。無機塗層包括但不限於金屬塗層及陶瓷塗層。有機塗層包括但不限於聚合塗層。在一些實施例中，鈍化層係聚合塗層，其中該聚合塗層具有大於約30攝氏度、大於約50攝氏度、大於約75攝氏度、大於約100攝氏度、或甚至大於約150攝氏度的玻璃轉移溫度。聚合塗層之玻璃轉移溫度可小於400攝氏度。鈍化層可包括下列之至少一者：金屬(例如金屬塗層)；陶瓷(例如陶瓷塗層)；及聚合物(例如聚合物塗層)。聚合塗層可係熱塑性材料、熱固性材料、或熱塑性彈性體，熱固性材料係特別有用的。在一些實施例中，聚合塗層進一步包括無機粒子。在一些實施例中，聚合塗層可係聚合墨水或聚合分散液，例如噴墨印表機之墨水。金屬塗層可包括但不限於金、銀、鋁、銅、鎢、鋅、鎳、鉭、鈦。陶瓷塗層可包括但不限於氧化矽、氧化鋁、碳化矽、氮化矽、(並且對於本揭露而言)鑽石、及類鑽碳之至少一者。在一些實施例中，該鈍化層係非黏性聚合塗層、非黏性金屬塗層、及非黏性陶瓷塗層之至少一者。
鈍化層可藉由所屬技術領域中習知之能進行圖案化沉積之任何技術而設置於黏著層上。舉例而言，鈍化層可使用印刷技術而設置於黏著層之表面上，該等印刷技術包括但不限於活字印刷(letter press printing)、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷(flexographic printing)、噴墨印刷、雷射印刷(即碳粉印刷)、移印(pad printing)、網版印刷、熱印刷、及類似者。在一個實施例中，鈍化層可使用UV固化墨水及噴墨印表機而印刷在黏著層之表面上。印刷技術一般採用液體墨水或粉末，該等墨水或粉末可包括非黏性之聚合材料。在一些實施例中，鈍化層係墨水，其可包括非黏性之聚合材料。鈍化層可藉由CVD塗佈技術而設置於黏著層上，利用適當遮蔽黏著層以將CVD塗層施加至黏著層之表面的所欲區域，例如至少一個不可轉移區段之黏著表面。可進行有機及無機材料之CVD塗佈。
截口
本揭露之分段式轉移膠帶的截口可藉由所屬技術領域中所習知之技術製造，該等技術包括但不限於壓模切割(例如輕觸切割)、雷射切割(例如雷射割劃)、及噴水切割。截口之所欲圖案(即界定至少一個可轉移區段及至少一個不可轉移區段之圖案)可併入模之設計中(如果例如使用壓模切割以形成至少一個截口)，或者可編程入電腦驅動切割技術(例如雷射切割或噴水切割)之軟體中。截口之深度係由分段式轉移膠帶之整體厚度所界定，因此截口之深度將取決於黏著層、回填層、可移除模板層之厚度，且如果存在有可選的載體膜，可取決於可選的載體膜之厚度。至少一個截口必須自黏著層之第一主表面延伸、穿過轉移層、且進入可移除模板層之至少一部分中，而截口之深度小於分段式轉移膠帶之厚度，且至少一個可轉移區段之形狀係由該至少一個截口所界定。
其他添加劑
所屬技術領域中熟知的多種添加劑可包括於轉移膠帶之任何層中(如抗氧化劑、穩定劑、抑制劑及類似物)以防止在膜之儲存、裝運及操作過程期間過早固化。
受體基材
分段式轉移膠帶及施加分段式轉移膠帶之相關程序的特定優點是其將結構(例如具有形貌特微之光學元件)賦予至具有大表面之受體表面(諸如建築玻璃)的能力。大尺寸的層壓轉移膠帶可能藉由使用卷對卷加工與圓柱型主模板的組合而得。本發明所揭示之轉移製程的另一優點為將結構賦予至不平坦受體表面的能力。由於轉移膠帶的撓性形態，受體基材可為彎曲、折彎扭曲或具有凹或凸的特徵。受體基材可係透明受體基材。透明受體基材可具有介於約50%及100%之間、介於約60%及100%之間、介於約70%及約100%之間、介於約80%及約100%之間、介於約85%及約100%之間、介於約90%及約100%之間、介於約95%及約100%之間、或甚至介於約97%及100%之間的入射可見光透射性。受體基材可包括例如汽車玻璃、薄片玻璃、撓性電子基材如電路化撓性膜、顯示器背板、LED或OLED基材、太陽能玻璃、金屬、聚合物、聚合物複合物、及玻璃纖維。再更進一步而言，額外的優點可係能夠將轉移膠帶之可轉移區段以精確界定之圖案施加於受體基材上，該圖案係藉由至少一個截口之 圖案而製造於分段式轉移膠帶中，並且該等區段之可轉移性係得利於將鈍化層施加至轉移膠帶之至少一個不可轉移區段的表面。受體基材及/或受體基材之主表面可包括黏著促進劑(該黏著促進劑可呈塗層之形式)，以促進本揭露之轉移膠帶的可轉移區段(例如微光學元件)對其等之主表面之黏著性。
本揭露之轉移膠帶可藉由各式不同的方法製造。一種用於形成一分段式轉移膠帶的方法包括：提供一可移除模板層及一轉移層，該可移除模板層具有一結構化表面，且該轉移層包括一回填層及黏著層，該回填層具有一結構化第一主表面及一相對第二主表面，該回填層係設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分；於轉移層中形成至少一個截口，藉以於轉移層中產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面之不可轉移區段；以及於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上設置一鈍化層。至少一個可轉移區段具有一相對於其黏著表面之平面之形狀，該形狀係由至少一個截口所界定。該至少一個截口自該黏著層之第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中。
請參照圖5A，其係形成根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶的示意性程序流程圖，形成分段式轉移膠帶103之方法包括：提供可移除模板層110及轉移層180，該可移除模板層110具有一結構化表面110a及一相對第二表面110b，其中該轉移層180包括(i)回填層120，其設置於可移除模板層110之結構 化表面110a的至少一部分上且適形於可移除模板層110之結構化表面110a的至少一部分，其中回填層120具有結構化第一主表面120a及相對第二主表面120b，該結構化第一主表面120a具有形貌特徵125且相鄰可移除模板層110之結構化表面110a；以及(ii)黏著層150，其具有第一主表面150a及相對第二主表面150b，其中黏著層150之第二主表面150b係相鄰於回填層120之第二主表面120b或與回填層120之第二主表面120b接觸。在一些實施例中，回填層係設置於可移除模板層之結構化表面上且適形於可移除模板層之結構化表面，形成一連續回填層，該連續回填層可設置於可移除模板層之整個結構化表面上。在一些實施例中，黏著層係相鄰於回填層之第二主表面或與回填層之第二主表面接觸，形成一連續黏著層，該連續黏著層可相鄰於該回填層之整個第二表面或與該回填層之整個第二表面接觸。在一些實施例中，轉移層可係一連續層。
本方法進一步包括步驟11；於轉移層180中形成至少一個截口190，藉以於轉移層180中產生至少一個具有黏著表面150a’之可轉移區段185及至少一個具有黏著表面150a”之不可轉移區段187，至少一個可轉移區段185具有一相對於其黏著表面150a’之平面之形狀，該形狀係由至少一個截口190所界定，其中至少一個截口190自黏著層150之第一主表面150a延伸、穿過轉移層180、且進入可移除模板層110之至少一部分中。至少一個截口亦可界定至少一個不可轉移區段之相對於該至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面之形狀。
本方法進一步包括步驟12；於至少一個不可轉移區段187之黏著表面150a”的至少一部分上設置鈍化層170。如前所論述，在一些實施例中，鈍化層170對齊(即對準)該不可轉移區段之表面區域(黏著表面150a”之表面區域)，並且該至少一個可轉移區段185在其表面之一部分(黏著表面150a’之表面區域)上未包括鈍化層，除非有負偏移存在。在一些實施例中，至少一個截口界定至少一個不可轉移區段之相對於該至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，且鈍化層之設置係對準至少一個不可轉移區段之形狀而進行。可將一或多個基準標記包括於轉移層中。基準標記有助於使鈍化層與不可轉移區段之表面對齊，即有助於使鈍化層與至少一個不可轉移區段之形狀對齊，而該形狀係相對於至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面。在一些實施例中，形成一分段式轉移膠帶之方法進一步包括在設置鈍化層之前，先於轉移層中提供至少一個基準標記。在一些實施例中，至少一個基準標記係基準截口標記。
另一種用於形成一分段式轉移膠帶的方法包括：提供一可移除模板層及一轉移層，該可移除模板層具有一結構化表面，且該轉移層包括一回填層及黏著層，該回填層係設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分；於該黏著層之至少一部分上設置一鈍化層，該鈍化層具有一相對於該黏著層之平面的形狀；及於該轉移層中形成至少一個截口，藉以產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面且該黏著表面上設置有該鈍化層之不可轉移區段。至 少一個可轉移區段具有一相對於其黏著表面之平面之形狀，該形狀係由至少一個截口所界定。該至少一個截口自該黏著層之第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中。
請參照圖5B，其係形成根據本揭露之一個例示性實施例之一例示性分段式轉移膠帶的示意性程序流程圖，形成分段式轉移膠帶104之方法包括：提供可移除模板層110及轉移層180，該可移除模板層110具有一結構化表面110a及一相對第二表面110b，其中該轉移層180包括(i)回填層120，其設置於可移除模板層110之結構化表面110a的至少一部分上且適形於可移除模板層110之結構化表面110a的至少一部分，其中回填層120具有結構化第一主表面120a及相對第二主表面120b，該結構化第一主表面120a具有形貌特徵125且相鄰可移除模板層110之結構化表面110a；以及(ii)黏著層150，其具有第一主表面150a及相對第二主表面150b，其中黏著層150之第二主表面150b係相鄰於回填層120之第二主表面120b或與回填層120之第二主表面120b接觸。在一些實施例中，回填層係設置於可移除模板層之結構化表面上且適形於可移除模板層之結構化表面，形成一連續回填層，該連續回填層可設置於可移除模板層之整個結構化表面上。在一些實施例中，黏著層係相鄰於回填層之第二主表面或與回填層之第二主表面接觸，形成一連續黏著層，該連續黏著層可相鄰於該回填層之整個第二表面或與該回填層之整個第二表面接觸。在一些實施例中，轉移層可係一連續層。
本方法進一步包括步驟13，於黏著層(150)之第一主表面(150a)的至少一部分上設置鈍化層(170)，該鈍化層(170)具有一相對於黏著表面之平面之形狀；以及步驟14，於轉移層(180)中形成至少一個截口(190)，藉以產生至少一個具有黏著表面(150a’)之可轉移區段(185)及至少一個具有黏著表面(150a”)且該黏著表面(150a”)上設置有該鈍化層之不可轉移區段(187)，至少一個可轉移區段(185)具有一相對於其黏著表面(150a’)之平面之形狀，該形狀係由至少一個截口(190)所界定，其中至少一個截口(190)自黏著層(150)之第一主表面(150a)延伸、穿過轉移層(180)、且進入可移除模板層(110)之至少一部分中。可將一或多個基準標記包括於轉移層中。基準標記有助於使鈍化層與至少一個不可轉移區段之表面對齊，即有助於使鈍化層與至少一個不可轉移區段之形狀對齊，而該形狀係相對於至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面。形成一分段式轉移膠帶之方法可進一步包括在形成至少一個截口之前，先提供至少一個基準標記。在一些實施例中，至少一個基準標記係一基準鈍化層標記。鈍化層基準標記可係正鈍化層基準標記及負鈍化層基準標記之至少一者。在一些實施例中，形成一分段式轉移膠帶之方法可包括至少一個截口之形成係對準鈍化層之形狀而進行。
在製作本揭露之分段式轉移膠帶之方法中，形成至少一個截口可藉由壓模切割、雷射切割、及噴水切割之至少一者進行。在製作本揭露之分段式轉移膠帶之方法中，設置鈍化層可藉由下列之至少一者進行：活字印刷、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、噴墨印 刷、雷射印刷(即碳粉印刷)、移印、網版印刷、熱印刷、及類似者。此外，形成轉移膠帶之方法可進一步包括提供可選的載體膜140，以及施加可選的載體膜140而使之相鄰於該可移除模板層110之第二表面110b或與該可移除模板層110之第二表面110b接觸，如圖5B中所示。
本揭露之分段式轉移膠帶可用來將轉移膠帶之至少一個可轉移區段轉移至受體基材。在一些實施例中，本揭露之轉移膠帶可用來將複數個可轉移區段轉移至受體基材。在一些實施例中，複數個可轉移區段可全都具有相同形狀及尺寸、可全都具有不同形狀及尺寸；或者複數個區段之一部分可全都具有相同形狀及尺寸，且複數個區段之一部分可具有不同形狀及/或尺寸。對於可具有相同形狀及尺寸之區段數目、可具有不同形狀及/或尺寸之數目、及可轉移區段之組數並無特定限制。可以使用具有相同形狀及尺寸之可轉移區段之組，而不同之組的數目並未受到特定限制。至少一個可轉移區段之形狀(該形狀係相對於其黏著表面)並未受到限制。在一些實施例中，至少一個可轉移區段之形狀可係圓形、橢圓形、多邊形、正多邊形、及四邊形之至少一者。正多邊形包括但不限於等邊三角形、正方形、六角形、及八角形。四邊形形狀可包括梯形、不規則四邊形、及鳶形。在一些實施例中，本揭露之分段式轉移膠帶包括複數個可轉移區段。可轉移區段可隨機分布於該轉移膠帶中、或可呈一圖案分布於轉移膠帶中。本揭露之轉移膠帶尤其適用於將可轉移區段之圖案轉移至受體基材。可轉移區段可包括光學元件，例如微光學元件。
本揭露亦提供一種製作一微光學總成之方法。一種製作一微光學總成之方法包括：提供本揭露之分段式轉移膠帶的任一者，其中該回填層之該結構化第一主表面包括微光學結構；提供一受體基材，其具有一第一主表面；將該轉移膠帶之該至少一個可轉移區段的該黏著表面設置於該受體基材之該第一主表面上；將該至少一個可轉移區段之該黏著層接合至該受體基材之該第一主表面；以及將該分段式轉移膠帶之可移除模板層及至少一個不可轉移區段自該受體基材移除，而該至少一個可轉移區段仍保持接合至該受體基材。圖6顯示一種製作一微光學總成600之方法，其包括提供分段式轉移膠帶105，分段式轉移膠帶105包括可移除模板層110、回填層120、黏著層150、鈍化層170、至少一個截口190、至少一個可轉移區段185及至少一個不可轉移區段187，全部皆如先前本文中所述，其中回填層120之結構化表面120a包括形貌特徵125，該等形貌特徵125在本實施例中係微光學結構；提供受體基材210，其具有第一主表面210a；將分段式轉移膠帶105之至少一個可轉移區段185的黏著表面150a’設置於受體基材210之第一主表面上210a上(步驟15)；將至少一個可轉移區段185之黏著層150接合至受體基材210之第一主表面210a(步驟16)；以及將分段式轉移膠帶之可移除模板層110及至少一個不可轉移區段187自受體基材移除，而至少一個可轉移區段185仍保持接合至受體基材210(步驟17)。
該製作一微光學總成之方法可進一步包括：其中該至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。在一些實施例中，複數個可 轉移區段係呈一圖案。在一些實施例中，該製作一微光學總成之方法包括：其中該黏著層之折射率係高於或低於該受體基材之折射率不超過0.15。在一些實施例中，回填層之折射率高於黏著層之折射率。
將黏著層接合至受體基材之步驟，係根據黏著層中所使用之黏著劑類型而進行。在一些實施例中，該黏著層包含至少一種黏著劑，且該黏著劑係壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、及B階段化黏著劑之至少一者。當黏著層包括壓敏性黏著劑時，接合步驟包括施加壓力給受體基材及分段式轉移膠帶之外表面的一或兩者。亦可對受體基材及分段式轉移膠帶的一或兩者施加熱。當接合步驟包括熱活化黏著劑或B階段化黏著劑時，可對受體基材及分段式轉移膠帶的一或兩者施加熱。亦可對受體基材外表面及分段式轉移膠帶外表面的一或兩者施加壓力。當接合步驟包括B階段化黏著劑時，B階段化黏著劑之進一步固化可藉由使用熱及光化輻射之至少一者達成。亦可對受體基材外表面及分段式轉移膠帶外表面的一或兩者施加壓力。
本文中所揭示之用來圖案化及轉移微光學元件之方法可用於在顯示器、半導體、交通、及太陽能應用之用途。一些應用實例包括太陽能模組上之重導向或聚光光學元件的圖案化轉移、LCD背光單元上之準直光學元件用途、標牌上之圖案化復歸反射器用途、或安全文件上之繞射光學元件用途。在一些實施例中，該製作一微光學總成之方法包括：其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構(例如，用於OLED或LED)。在一些實施例中，該製作一微光學總成之方法包 括：其中該受體基材係一用於一絕緣玻璃單元之一玻璃板及/或其中該等微光學結構係日光重導向光學結構。
用語「光化輻射(actinic radiation)」係指可交聯或固化聚合物之輻射波長，其可包括紫外、可見光及紅外波長且可包括從光柵化雷射、熱數位成像及電子束掃描來的數位曝光。
用語「聚矽氧烷(polysiloxane)」係指寡聚或聚合有機矽化合物，其包括矽-氧鍵且可包括碳-碳及/或碳-氫鍵。
在此特以引用之方式將本文所引述之所有參考文件以及出版品之全文明示納入本揭露中，除非其內容可能與本揭露直接抵觸。雖在本文中是以具體實施例進行說明及描述，但所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解可以各種替代及/或均等實施來替換所示及所描述的具體實施例，而不偏離本揭露的範疇。本申請案意欲涵括本文所討論之特定具體實施例的任何調適形式或變化形式。因此，本揭露意圖僅受限於申請專利範圍及其均等者。
本揭露之優選擇實施例(select embodiments)包括但不限於下列：在第一實施例中，本揭露提供一種分段式轉移膠帶，其包含：一可移除模板層，其具有一結構化表面及一相對第二表面；一轉移層，其包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部 分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面或與該回填層之該第二主表面接觸；至少一個於該轉移層中形成之可轉移區段，該至少一個可轉移區段包括一黏著表面且具有一相對於該黏著表面之平面之形狀；至少一個於該轉移層中形成之不可轉移區段，該至少一個不可轉移區段包括一黏著表面，其中一鈍化層係設置於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上；及至少一個自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中的截口，該截口之深度小於該轉移膠帶之厚度，且其中該至少一個可轉移區段之該形狀係由該至少一個截口所界定。
在第二實施例中，本揭露提供如第一實施例之分段式轉移膠帶，其中該至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。
在第三實施例中，本揭露提供如第二實施例之分段式轉移膠帶，其中該複數個可轉移區段係呈一圖案。
在第四實施例中，本揭露提供如第一至第三實施例中任一者之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
在第五實施例中，本揭露提供如第四實施例之分段式轉移膠帶，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
在第六實施例中，本揭露提供如第一至第五實施例之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之形貌特徵。
在第七實施例中，本揭露提供如第一至第六實施例之分段式轉移膠帶，其中該回填層之折射率高於該黏著層之折射率。
在第八實施例中，本揭露提供如第一至第七實施例之分段式轉移膠帶，其中該可移除模板層之該結構化表面包括一離型層。
在第九實施例中，本揭露提供如第一至第八實施例之分段式轉移膠帶，其進一步包含一相鄰於該可移除模板層之該第二表面或與該可移除模板層之該第二表面接觸的載體膜。
在第十實施例中，本揭露提供如第九實施例之分段式轉移膠帶，其中該至少一個截口延伸進入該載體膜中。
在第十一實施例中，本揭露提供如第一至第十實施例之分段式轉移膠帶，其中該黏著層包含至少一種黏著劑，且該黏著劑係壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、及B階段化黏著劑之至少一者。
在第十二實施例中，本揭露提供如第一至第十一實施例之分段式轉移膠帶，其中該至少一個不可轉移區段之該鈍化黏著表面的黏著性係低於該至少一個可轉移區段之該黏著表面的黏著性。
在第十三實施例中，本揭露提供一種形成一分段式轉移膠帶之方法，其包含：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸；於該轉移層中形成至少一個截口，藉以於該轉移層中產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中；及於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上設置一鈍化層。
在第十四實施例中，本揭露提供如第十三實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其進一步包含在設置該鈍化層之前，先於該轉移層中提供至少一個基準標記。
在第十五實施例中，本揭露提供如第十四實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個基準標記係一基準截口標記。
在第十六實施例中，本揭露提供如第十三至第十五實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個截口界定該至少一個不可轉移區段之該相對於該至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，且該鈍化層之設置係對準該至少一個不可轉移區段之該形狀而進行。
在第十七實施例中，本揭露提供如第十三至第十六實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中形成該至少一個截口係藉由壓模切割、雷射切割、及噴水切割之至少一者進行。
在第十八實施例中，本揭露提供如第十三至第十七實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中設置該鈍化層係藉由下列之至少一者進行：活字印刷、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、噴墨印刷、雷射印刷、移印、網版印刷、及熱印刷。
在第十九實施例中，本揭露提供如第十三至第十八實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
在第二十實施例中，本揭露提供如第十九實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
在第二十一實施例中，本揭露提供如第十三至第二十實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之形貌特徵。
在第二十二實施例中，本揭露提供一種形成一分段式轉移膠帶之方法，其包含：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸；於該黏著層之該第一主表面的至少一部分上設置一鈍化層，該鈍化層具有一相對於黏著層之平面的形狀；及於該轉移層中形成至少一個截口，藉以產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面且該黏著表面上設置有該鈍化層之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中。
在第二十三實施例中，本揭露提供如第二十二實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其進一步包含在形成該至少一個截口之前，先提供至少一個基準標記。
在第二十四實施例中，本揭露提供如第二十三實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個基準標記係一基準鈍化層標記。
在第二十五實施例中，本揭露提供如第二十二至第二十四實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個截口之形成係對準該鈍化層之該形狀而進行。
在第二十六實施例中，本揭露提供如第二十二至第二十五實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中形成該至少一個截口係藉由壓模切割、雷射切割、及噴水切割之至少一者進行。
在第二十七實施例中，本揭露提供如第二十二至第二十六實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中設置該鈍化層係藉由下列之至少一者進行：活字印刷、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、噴墨印刷、雷射印刷、移印、網版印刷、及熱印刷。
在第二十八實施例中，本揭露提供如第二十二至第二十七實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
在第二十九實施例中，本揭露提供如第二十八實施例之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該等微光學結構包括下列之至少 一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
在第三十實施例中，本揭露提供如第二十二至第二十九實施例中任一者之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之特徵。
在第三十一實施例中，本揭露提供一種製作一微光學總成之方法，其包含：提供如第一至第十二實施例中任一者之轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構；提供一受體基材，其具有一第一主表面；將該轉移膠帶之該至少一個可轉移區段的該黏著表面設置於該受體基材之該第一主表面上；將該至少一個可轉移區段之該黏著層接合至該受體基材之該第一主表面；及將該轉移膠帶之該可移除模板層及該至少一個不可轉移區段自該受體基材移除，而該至少一個可轉移區段仍保持接合至該受體基材。
在第三十二實施例中，本揭露提供如第三十一實施例之製作一微光學總成之方法，其中該至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。
在第三十三實施例中，本揭露提供如第三十一或第三十二實施例之製作一微光學總成之方法，其中該複數個可轉移區段係呈一圖案。
在第三十四實施例中，本揭露提供如第三十一至第三十三實施例之製作一微光學總成之方法，其中該黏著層之折射率係高於或低於該受體基材之折射率不超過0.15。
在第三十五實施例中，本揭露提供如第三十一至第三十四實施例之製作一微光學總成之方法，其中該回填層之折射率係高於該黏著層之折射率。
在第三十六實施例中，本揭露提供如第三十一至第三十五實施例之製作一微光學總成之方法，其中該黏著層包含至少一種黏著劑，且該黏著劑係壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、及B階段化黏著劑之至少一者。
在第三十七實施例中，本揭露提供如第三十一至第三十六實施例之製作一微光學總成之方法，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
在第三十八實施例中，本揭露提供如第三十一至第三十七實施例之製作一微光學總成之方法，其中該受體基材係一用於一絕緣玻璃單元之一玻璃板。
實例
製備分段式轉移膜。轉移膜之黏著層區域係經鈍化以防止轉移。使用數位(雷射切割)方法以使轉移膜圖案化。將該等膜中的圖案化區域轉移至玻璃基材。
這些實例僅用於闡釋之目的，並非意圖限制隨附申請專利範圍之範疇。實例及說明書其餘部分中之所有份數、百分比、比率等皆依重量計，除非另有說明。
具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜的製備
對於所有實例使用層壓轉移膜之單輸入卷。該卷係含有嵌入之微結構化漫射器之日光重導向光學元件膜。該膜包含一聚合物基材、一微結構化模板層、一離型塗層、一回填塗層、一黏著塗層、及一可移除襯墊。該膜係用來將微光學元件(回填及黏著)轉移至玻璃或類似基材。
日光重導向微結構化模板/離型塗佈膜
所使用之支撐基材係3密耳雙軸定向PET膜，其具有包含AP1之黏著促進底漆塗層。複製樹脂係R1與R2之75/25摻合物，具有0.5%光起始劑PI1。將複製樹脂以使該樹脂均勻地橫跨待複製區域而分布之方式及速率施加至PET基材。樹脂之複製係於加熱至125℉之工具上以30fpm進行。該工具(具有與所欲日光重導向結構相同但互補之形狀)係事先使用鑽石車削程序製成。所欲週期性結構每個週期包含兩個峰及四個刻面，且該函數(function)之每一側具有一個刻面。由於鑽石車削製程，峰稍微經圓化。請參見美國專利申請案序號第62/094626號(代理人案號76063US002)，標題係「OPTICAL STRUCTURES FOR REDIRECTING DAYLIGHT」，其全文特此以引用方式併入本文中。來自以600W/in操作的Fusion「D」燈的輻射穿透該膜以在樹脂與工具接觸時固化該樹脂。接著將所複製的「日光重導向微結構化模板膜」(PET基材上的複製樹脂)自該工具取下，繞成卷以備進一步加工。
為了允許後續移除澆鑄於其中之材料，使所複製的「日光重導向微結構化模板膜」在低壓電漿腔室中進行表面處理。在將空氣自腔室移除之後，分別以600及300sccm之流率將全氟己烷(C6F14)及氧氣引入腔室中，且總腔室壓力係300mTorr。當膜以40ft/min移動通過處理區時，用3000W之RF功率處理該膜。此即形成該「日光重導向微結構化模板/離型塗佈膜」。
嵌入之微結構化漫射器模板/離型塗佈膜
3密耳雙軸定向PET膜(其具有包含AP1之黏著促進底漆塗層)具有自圓柱形複製工具複製至膜上的結構。此即形成「嵌入之微結構化漫射器模板」，其係光重導向光學元件及黏著劑之間的漫射介面(漫射器模板)。圓柱形複製工具係藉由用於WO 2014/081693中所述之「第一工具(First Tool)」的方法製成。複製樹脂係R1、R2、與R6之60/20/20摻合物，且具有包含0.5% PI1之光起始劑包裝(photoinitator package)。將複製樹脂以使該樹脂均勻地橫跨待複製區域而分布之方式及速率施加至PET膜。樹脂之複製係於加熱至125度F之複製工具上以100fpm進行。複製工具(具有如同但互補於所欲漫射器結構之形狀)已事先使用WO 2014/081693中所述之程序製成。來自以600W/in操作之Fusion「D」燈的輻射穿透該膜以在樹脂與工具接觸時固化該樹脂。接著將「嵌入之微結構化漫射器模板」膜(複製樹脂及PET基材)自該工具取下，繞成卷以備進一步加工。使「嵌入之微結構化漫射器模板膜」在低壓電漿腔室中進行離型處理，以使其在重導向光學元件樹脂固化之後能夠移除。在將空氣自腔室移除之後，分別以600及300sccm之流率將全氟己烷(C6F14)及氧氣引入腔室中，且總腔室壓力係300mTorr。當膜以40ft/min移動通過處理區時，用3000W之RF功率處理該膜。此即形成「嵌入之微結構化漫射器模板/離型塗佈膜」。
具有嵌入之微結構化漫射介面之回填塗佈日光重導向微結構化模板/離型膜
在卷對卷加工線上使用壓模塗佈機以69.5%固體樹脂溶液，20ft/min之加工線速度，12英吋之塗佈寬度，及184g/min之流率來填充「嵌入之微結構化漫射器模板/離型塗佈膜」。配方請參見表1。
使膜通過三個對流烘箱區而乾燥，各烘箱區之長度係約10英尺，且分別具有70、80、及90 degC之空氣溫度。在乾燥之後，將「嵌入之微結構化漫射器模板/離型塗佈膜」層壓至未定型未固化之樹脂表面。在將兩個模板保持在適當位置下，藉由使來自600w/in Fusion H-bulb的光透過構造體將樹脂固化。此即形成「具有嵌入之微結構化漫射介面之回填塗佈日光重導向微結構化模板/離型膜」。
黏著劑塗層
透過相同的卷對卷加工線以黏著劑塗佈「具有嵌入之微結構化漫射介面之回填塗佈日光重導向微結構化模板/離型膜」。在加工線中(in-line)且在以黏著劑塗佈之前，將「嵌入之微結構化漫射器模板/離型塗佈膜」移除。使用模塗佈機在20ft/min下以黏著劑塗佈 「回填塗佈日光重導向微結構化模板/離型膜」之露出的微結構化漫射結構。施加15%固體之聚矽氧黏著劑(ADH1)。接著使經塗佈膜通過三個對流烘箱區而乾燥，各烘箱區之長度係約10英尺，且分別具有70、80、及90℃之空氣溫度。在乾燥之後，將襯墊L1層壓至露出之黏著劑，然後將整個構造體繞成卷以備進一步加工。此形成具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜。
實例製備程序
-數位設計準備
在Adobe Illustrator CS5(Adobe Systems,San Jose,CA)中建立一數位設計，其包含具有6列及11欄0.35英吋直徑圓圈之網格陣列。設計包括三個層，該等層對應於圓圈設定圖案外之角落中之基準標記、雷射割劃/截口線、及鈍化區域。設計中包括了鈍化區域之邊緣與雷射割劃/截口線間的偏移。
-玻璃基材清潔
將玻璃基材(4”×6”×3mm)用無絨布擦拭，接著用異丙醇潤洗。在使用於印刷或層壓轉移之前，於空氣中乾燥基材。
-光學元件完整性檢查
使用準直高強度LED閃光燈(Duracell Durabeam Ultra 1000 Lumen閃光燈)作為光源來檢查重導向光學元件之完整 性。對閃光燈前方的透鏡總成進行調整以達最小的可能光點大小。將樣本距白牆約1ft垂直固定。在約1ft的距離，在垂直於牆及樣本的垂直平面中以約45度的仰角，使光源瞄準樣本中央上的點。日光重導向光學元件之對照樣本顯示出一偏折光之漫射亮點，其位於通過樣本上之光點中央的水平面上方約30至45度之牆上。牆上亦可見到透射光的亮點。
-鈍化層噴墨印刷
使用UV噴墨印表機(UJF-3042HG,Mimaki Engineering Co.,LTD.,Japan)，將基準標記及非黏性黏著鈍化層兩者印刷在層壓轉移膜之黏著層的頂部上。在先移除層壓轉移膜之襯墊(L1)、露出黏著層之後，將樣本用膠帶黏貼至印刷床。使用兩卡匣的(I1)UV固化清透墨水印刷鈍化圖案(解析度係720×900，12道)，以在黏著劑之上方產生一連續非黏性圖案化層。使用單卡匣的(I2)UV固化靛青色墨水印刷基準檔案(解析度係720×900，12道)。
-產生雷射割劃/截口
在所印刷之區域內或外藉由雷射切割(ILS 9.75,Universal Laser Systems,Scottsdale,AZ)將層壓轉移膜割劃出所欲之最終轉移圖案，並且使用200至600微米之預定鈍化偏移值。先在黏貼至雷射床之基材上切割出基準標記。接著使層壓轉移膜上之印刷基準標記與雷射切割之基準標記對齊，且運行來自上述之數位設計(以 10%功率之90%速度，0.01”之z高度，每英吋1000次脈衝)以產生僅延伸穿過黏著層及回填層之截口。
-層壓轉移程序
將拋光玻璃基材(4”×6”×3mm)用無塵布擦拭，接著用異丙醇潤洗。用手將層壓轉移膜上的離型襯墊(L1)移除。接著在黏著劑側朝下的情況下，使用滾筒將轉移膜層壓至玻璃基材。將模板膜移除，在玻璃上留下回填層及黏著層。
實例
比較例1(C1)
以上述圓圈陣列圖案對「具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜」的4”×6”片材(襯墊L1已移除)進行雷射割劃。未印刷鈍化層。將「具有日光重導向光學元件之分段式層壓轉移膜」層壓至玻璃，然後將「日光重導向微結構化模板膜」移除。結果是4”×6”層回填及黏著層的完整轉移。未觀察到圖案。執行上述光學元件完整性檢查。在完整性檢查中該實例係與日光重導向光學元件之對照樣本相當的。
比較例2(C2)
以對應於來自以上之數位設計中之66個圓圈的周圍區域之鈍化圖案對「具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜」的4”× 6”片材(襯墊L1已移除)進行印刷。鈍化偏移(D+)係400微米。未進行雷射割劃。將經鈍化之「具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜」層壓至玻璃，然後將「日光重導向微結構化模板膜」移除。結果是圓圈陣列圖案以及大部分經鈍化區的完整轉移，而經鈍化區係被黏著之圓圈拉過去。經鈍化區未黏著至玻璃表面。在完整性檢查中該實例係與日光重導向光學元件之對照樣本相當的。
實例1(E1)
先以一組對齊印刷床上的標記之基準標記對「具有日光重導向光學元件之層壓轉移膜」的4”×6”片材(襯墊L1已移除)進行印刷。接下來，將該膜放置於雷射床上，然後使基準標記對齊。以上述圓圈陣列圖案對該膜進行雷射割劃。接著以對應於數位設計中之圓圈陣列圖案的周圍區域之鈍化圖案且對齊該等基準標記對樣本進行印刷。鈍化偏移(D+)係200微米。將「具有日光重導向光學元件之分段式層壓轉移膜」層壓至玻璃，然後將「日光重導向微結構化模板膜」移除。結果是圓圈陣列圖案的完整轉移並且具有良好邊緣品質。經鈍化區並未轉移。在完整性檢查中該實例係與日光重導向光學元件之對照樣本相當的。
實例2(E2)
此實例與E1相同，但鈍化偏移(D+)係400微米。將「具有日光重導向光學元件之分段式層壓轉移膜」層壓至玻璃，然後 將「日光重導向微結構化模板膜」移除。結果是圓圈陣列圖案的完整轉移並且具有極佳邊緣品質。經鈍化區並未轉移。在完整性檢查中該實例係與日光重導向光學元件之對照樣本相當的。
實例3(E3)
此實例與E1相同，但鈍化偏移(D+)係600微米。將「具有日光重導向光學元件之分段式層壓轉移膜」層壓至玻璃，然後將「日光重導向微結構化模板膜」移除。結果是圓圈陣列圖案的完整轉移並且具有良好邊緣品質。經鈍化區有少量轉移，並且在雷射截口外及鈍化區內之區域中有部分轉移黏著劑的小圈。在完整性檢查中該實例係與日光重導向光學元件之對照樣本相當的。
100‧‧‧轉移膠帶
110‧‧‧可移除模板層
110a‧‧‧結構化表面
110b‧‧‧第二表面
120‧‧‧回填層
120a‧‧‧第一主表面/表面
120b‧‧‧第二主表面
125‧‧‧形貌特徵
140‧‧‧載體膜
150‧‧‧黏著層
150a‧‧‧第一主表面
150a’‧‧‧黏著表面/表面
150b‧‧‧第二主表面
170‧‧‧鈍化層
180‧‧‧轉移層
185‧‧‧可轉移區段
187‧‧‧不可轉移區段
190‧‧‧截口
Kd‧‧‧截口之深度
Tp‧‧‧鈍化層厚度
Tt‧‧‧轉移膠帶之厚度

Claims (38)

  1. 一種分段式轉移膠帶，其包含：一可移除模板層，其具有一結構化表面及一相對第二表面；一轉移層，該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面或與該回填層之該第二主表面接觸；至少一個於該轉移層中形成之可轉移區段，該至少一個可轉移區段包括一黏著表面且具有一相對於該黏著表面之平面之形狀；至少一個於該轉移層中形成之不可轉移區段，該至少一個不可轉移區段包括一黏著表面，其中一鈍化層係設置於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上；及至少一個自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中的截口，該截口之深度小於該轉移膠帶之厚度，且其中該至少一個可轉移區段之該形狀係由該至少一個截口所界定。
  2. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。
  3. 如請求項2之分段式轉移膠帶，其中該複數個可轉移區段係呈一圖案。
  4. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
  5. 如請求項4之分段式轉移膠帶，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
  6. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之形貌特徵。
  7. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該回填層之折射率高於該黏著層之折射率。
  8. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該可移除模板層之該結構化表面包括一離型層。
  9. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其進一步包含一相鄰於該可移除模板層之該第二表面或與該可移除模板層之該第二表面接觸的載體膜。
  10. 如請求項9之分段式轉移膠帶，其中該至少一個截口延伸進入該載體膜中。
  11. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該黏著層包含至少一種黏著劑，且該黏著劑係壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、及B階段化(B-staged)黏著劑之至少一者。
  12. 如請求項1之分段式轉移膠帶，其中該至少一個不可轉移區段之該鈍化黏著表面的黏著性係低於該至少一個可轉移區段之該黏著表面的黏著性。
  13. 一種形成一分段式轉移膠帶之方法，其包含：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及 一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸；於該轉移層中形成至少一個截口，藉以於該轉移層中產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層、且進入該可移除模板層之至少一部分中；以及於該至少一個不可轉移區段之該黏著表面的至少一部分上設置一鈍化層。
  14. 如請求項13之形成一分段式轉移膠帶之方法，其進一步包含在設置該鈍化層之前，先於該轉移層中提供至少一個基準標記。
  15. 如請求項14之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個基準標記係一基準截口標記。
  16. 如請求項13之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個截口界定該至少一個不可轉移區段之該相對於該至少一個不可轉移區段之黏著表面之平面之形狀，且該鈍化層之設置係對準該至少一個不可轉移區段之該形狀而進行。
  17. 如請求項13之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中形成該至少一個截口係藉由壓模切割、雷射切割、及噴水切割之至少一者進行。
  18. 如請求項13之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中設置該鈍化層係藉由下列之至少一者進行：活字印刷、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、噴墨印刷、雷射印刷、移印、網版印刷、及熱印刷。
  19. 如請求項13之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
  20. 如請求項19之分段式轉移膠帶，其中該等微光學結構包括下列之至少 一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
  21. 如請求項13之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之形貌特徵。
  22. 一種形成一轉移膠帶之方法，其包含：提供一具有一結構化表面及一相對第二表面之可移除模板層及一轉移層，其中該轉移層包含：一回填層，其設置於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分上且適形於該可移除模板層之該結構化表面的至少一部分，其中該回填層具有一與該可移除模板層之該結構化表面相鄰的結構化第一主表面及一相對第二主表面；及一具有一第一主表面及一相對第二主表面之黏著層，其中該黏著層之該第二主表面係相鄰於該回填層之該第二主表面之至少一部分或與該回填層之該第二主表面之至少一部分接觸；於該黏著層之該第一主表面的至少一部分上設置一鈍化層，該鈍化層具有一相對於黏著層之平面的形狀；及於該轉移層中形成至少一個截口，藉以產生至少一個具有一黏著表面之可轉移區段及至少一個具有一黏著表面且該黏著表面上設置有該鈍化層之不可轉移區段，該至少一個可轉移區段具有一相對於該至少一個可轉移區段之黏著表面之該平面之形狀，該形狀係由該至少一個截口所界定，其中該至少一個截口自該黏著層之該第一主表面延伸、穿過該轉移層(180)、且進入該可移除模板層之至少一部分中。
  23. 如請求項22之形成一分段式轉移膠帶之方法，其進一步包含在形成該至少一個截口之前，先提供至少一個基準標記。
  24. 如請求項23之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個基準標記係一基準鈍化層標記。
  25. 如請求項22之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該至少一個截口之該形成係對準該鈍化層之該形狀而進行。
  26. 如請求項22之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中形成該至少一個截口係藉由壓模切割、雷射切割、及噴水切割之至少一者進行。
  27. 如請求項22之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中設置該鈍化層係藉由下列之至少一者進行：活字印刷、平版印刷、凹版印刷、快乾印刷、噴墨印刷、雷射印刷、移印、網版印刷、及熱印刷。
  28. 如請求項22之形成一分段式轉移膠帶之方法，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構。
  29. 如請求項28之分段式轉移膠帶，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
  30. 如請求項22之分段式轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包含具有約0.05微米至約1000微米之高度之特徵。
  31. 一種製作一微光學總成之方法，其包含：提供如請求項1之轉移膠帶，其中該回填層之該結構化表面包括微光學結構；提供一受體基材，其具有一第一主表面；將該轉移膠帶之該至少一個可轉移區段的該黏著表面設置於該受體基材之該第一主表面上；將該至少一個可轉移區段之該黏著層接合至該受體基材之該第一主表面；及將該轉移膠帶之該可移除模板層及該至少一個不可轉移區段自該受體基材移除，而該至少一個可轉移區段仍保持接合至該受體基材。
  32. 如請求項31之分段式轉移膠帶，其中該至少一個可轉移區段包括複數個可轉移區段。
  33. 如請求項31之分段式轉移膠帶，其中該複數個可轉移區段係呈一圖案。
  34. 如請求項31之製作一微光學總成之方法，其中該黏著層之折射率係高於或低於該受體基材之折射率不超過0.15。
  35. 如請求項34之製作一微光學總成之方法，其中該回填層之折射率係高於該黏著層之折射率。
  36. 如請求項31之製作一微光學總成之方法，其中該黏著層包含至少一種黏著劑，且該黏著劑係壓敏性黏著劑、熱活化黏著劑、及B階黏著劑之至少一者。
  37. 如請求項31之製作一微光學總成之方法，其中該等微光學結構包括下列之至少一者：日光重導向光學結構、光提取光學結構、及廣角顏色分布光學結構。
  38. 如請求項31之製作一微光學總成之方法，其中該受體基材係一用於一絕緣玻璃(glazing)單元之一玻璃板。
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