TW201718956A - 用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極、電鍍槽及處理基板表面的方法 - Google Patents

Abstract

一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。

Description

用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極、電 鍍槽及處理基板表面的方法

本發明實施例是有關於一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極、一種用以處理基板表面的電鍍槽以及一種處理基板表面的方法。

製造半導體裝置通常需要形成導電體於半導體晶片上。舉例來說，位於晶片上的導電引線通常藉由電鍍(沉積)諸如銅的導電層於晶片上及圖案化溝渠內而形成。

電鍍涉及製造與導電層欲形成於其上的晶片表面(以下稱為「晶片鍍面」)之間的電接觸。然後電流通過位於陽極與晶片鍍面(晶片鍍面為陰極)之間的電鍍溶液(即含有欲沉積的元素離子的溶液，例如含有Cu²⁺的溶液)。這將導致於晶片鍍面上發生電化學反應，沉積出導電層。

為了減少形成於晶片上的裝置在特性上的差異，均勻地沉積(具有均勻的厚度)導電層於晶片鍍面上是 非常重要的。然而，由於「邊緣效應」，常規的電鍍製程製造出的沉積導電層不均勻。邊緣效應傾向讓沉積導電層在晶片邊緣附近比在晶片中央厚。因此，持續尋求避免邊緣效應的改善方法。

根據一些實施例，一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據一些實施例，一種用以處理基板的表面的電鍍槽，包含基板支架、電鍍浴、陽極及高電阻虛擬陽極。基板支架用以支撐基板。陽極位於電鍍浴內。高電阻虛擬陽極位於基板的表面與陽極之間。高電阻虛擬陽極包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據一些實施例，一種處理基板的表面的方法，包含：接收電鍍槽，電鍍槽包含：基板支架，用以支撐基板；電鍍浴；陽極，位於電鍍浴內；以及高電阻虛擬陽極，位於電鍍浴內，高電阻虛擬陽極包含：第一層，包含多個第一孔洞穿透第一層，其中第一層包含可旋轉中央部分及可旋轉周邊部分圍繞可旋轉中央部分；以及第二層，位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層；旋轉可旋轉中央部分及可旋轉周邊部分的至少其中一者；安裝基板至基板支架內； 放置基板支架及基板至電鍍浴內，以使高電阻虛擬陽極位於基板的表面與陽極之間；以及產生位於基板與陽極之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，並形成電鍍層於基板的表面上。

100‧‧‧第一層

100a‧‧‧可旋轉中央部分

100b‧‧‧可旋轉周邊部分

102b、104b、106b‧‧‧可旋轉環狀部分

110‧‧‧第一孔洞

110a‧‧‧第一部分

110b‧‧‧第二部分

200‧‧‧第二層

210‧‧‧第二孔洞

300‧‧‧基板支架

300a‧‧‧基板

310‧‧‧錐體

320‧‧‧杯體

330‧‧‧心軸

400‧‧‧電鍍浴

500‧‧‧陽極

702、704、706、708、710‧‧‧操作

AA'‧‧‧線段

d1、d2‧‧‧直徑

md1、md2‧‧‧最大深度

t1、t2、t3、t4‧‧‧厚度

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示根據本發明數個實施例之第一層的上視示意圖。

第2圖繪示根據本發明數個實施例之第二層的上視示意圖。

第3A圖繪示根據本發明數個實施例之第一層及位於其上的第二層的上視示意圖。

第3B圖繪示根據本發明數個實施例之沿著第3A圖剖面線段AA’的第一層與第二層的剖面示意圖。

第4圖繪示根據本發明數個實施例之第一層的上視示意圖。

第5圖繪示根據本發明數個實施例之第二層的上視示意圖。

第6圖繪示根據本發明數個實施例之包含高電阻虛擬陽極的電鍍槽的剖面示意圖。

第7圖繪示根據本發明數個實施例之使用電鍍槽處理基板表面的方法的流程圖。

以下提供本發明之多種不同的實施例或實例，以實現所提供之標的的不同技術特徵。下述具體實例的元件和設計用以簡化本發明。當然，這些僅為示例，而非用以限定本發明。舉例而言，說明書中揭示形成第一特徵結構於第二特徵結構之上方，其包括第一特徵結構與第二特徵結構形成而直接接觸的實施例，亦包括於第一特徵結構與第二特徵結構之間另有其他特徵結構的實施例，亦即，第一特徵結構與第二特徵結構並非直接接觸。此外，本發明於各個實例中可能用到重複的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述結構之間的關係。

另外，空間相對用語，如「下」、「上」等，是用以方便描述一元件或特徵與其他元件或特徵在圖式中的相對關係。這些空間相對用語旨在包含除了圖式中所示之方位以外，裝置在使用或操作時的不同方位。裝置可被另外定位(例如旋轉90度或其他方位)，而本文所使用的空間相對敘述亦可相對應地進行解釋。

如上所述，為了減少形成於晶片上的裝置在特性上的差異，均勻地沉積(具有均勻的厚度)導電層於晶片鍍面上是非常重要的。然而，由於「邊緣效應」，常規的電鍍製程製造出的沉積導電層不均勻。邊緣效應傾向讓沉積導電層在晶片邊緣附近比在晶片中央厚。

因此，本揭露提供一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極(high resistance virtual anode,HRVA)(亦稱流體擴散板)，其包含第一層及第二層相互堆疊。第一層及第二層分別具有多個第一孔洞及多個第二孔洞，且第一層及/或第二層可旋轉，以調整通孔尺寸。換言之，包含第一層及第二層的高電阻虛擬陽極具有胡椒罐狀結構，以調整通孔尺寸。此外，第一層及/或第二層可具有多個區域，且各個區域可獨立旋轉，以調整在不同區域的通孔尺寸，以任意調整電流通量及電鍍溶液流量，從而形成沉積導電層所需的厚度輪廓於基板(例如半導體晶片)上。因此，本揭露的高電阻虛擬陽極可廣泛應用於電鍍製程中。詳細而言，舉例來說，本揭露的高電阻虛擬陽極不僅可應用在電鍍製程中形成均勻的導電層於300毫米的晶片上，還可應用在更大的晶片上，例如450毫米的晶片，但不限於此。

第1圖繪示根據本發明數個實施例之第一層100的上視示意圖。如第1圖所示，第一層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100。在一些實施例中，各個第一孔洞110具有大致相同或完全相同的直徑。然而，在實際應用中，可以調整第一孔洞110的尺寸及分布，以符合需求，而不限於第1圖例示者。在一些實施例中，第一層100係由電絕緣材料製成。

在一些實施例中，第一層100是可旋轉的。在一些實施例中，第一層100包含可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b。可旋轉周邊部分100b圍繞可旋轉中央部 分100a。在一些實施例中，可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b設置用以控制高電阻虛擬陽極的通孔尺寸，從而調整電鍍製程的電阻及電流通量。在其他實施例中，第一層包含不可旋轉的中央部分及可旋轉的周邊部分圍繞此不可旋轉的中央部分。

在一些實施例中，可旋轉周邊部分100b包含多個可旋轉環狀部分102b、104b、106b共軸圍繞可旋轉中央部分100a。在實際應用中，可調整環狀部分的數量及尺寸(例如上視寬度)，以符合需求，而不限於第1圖例示者。

在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉中央部分100a，第一孔洞110的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉周邊部分100b。在實際應用中，第一孔洞110的第一部分110a的尺寸及分布可與第一孔洞110的第二部分110b的尺寸及分布相同或不同，以符合需求，而不限於第1圖例示者。

第2圖繪示根據本發明數個實施例之第二層200的上視示意圖。如第2圖所示，第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。在一些實施例中，各個第二孔洞210具有大致相同或完全相同的直徑。然而，在實際應用中，可以調整第二孔洞210的尺寸及分布，以符合需求，而不限於第2圖例示者。在一些實施例中，第二層200係由電絕緣材料製成。

在一些實施例中，第1圖的第一孔洞110的其中一者設置用以部分或完全重疊第2圖的第二孔洞210的其中 一者。在一些實施例中，第2圖的第二孔洞210具有一孔洞分布與第1圖的第一孔洞110的孔洞分布相同。然而，在實際應用中，第一層100的孔洞分布可與第二層200的孔洞分布不同，而不限於第1及2圖例示者。

第3A圖繪示根據本發明數個實施例之第一層100與位於其上的第二層200的上視示意圖。如第3A圖所示，第二層200設置於第一層100上方，且第一層100的可旋轉中央部分100a與可旋轉周邊部分100b(例如可旋轉環狀部分102b、104b、106b)可獨立旋轉。在電鍍製程時，電鍍溶液將從第一孔洞110與第二孔洞210的多個重疊部分中流過去，從而形成沉積導電層所需的厚度輪廓於基板上。

在一些實施例中，如第3A圖所示，位於中央的通孔(即第一孔洞110與第二孔洞210的重疊部分)具有一面積大於位於周邊的通孔的面積，因此穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比將高於穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免「邊緣效應」。

第3B圖繪示根據本發明數個實施例之沿著第3A圖剖面線段AA’的第一層100及第二層200的剖面示意圖。如第3B圖所示，第一層100的中央(如可旋轉中央部分100a)具有一厚度t1小於或等於第一層100的周邊(如可旋轉周邊部分100b)的厚度t2。在一些實施例中，厚度t1或t2介於2公分至15公分之間。在一些實施例中，厚度t1或t2介於2公分至5公分之間、5公分至8公分之間、8公分至12公分之間或12公分至15公分之間。在一些實施例中，厚度 t1介於2公分至8公分之間。在一些實施例中，厚度t2介於8公分至15公分之間。在一些實施例中，第一層100的厚度自中央往周邊逐漸增加。在一些實施例中，第一層100的剖面為平凹狀。

在一些實施例中，第一孔洞的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉中央部分100a，第一孔洞的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉周邊部分100b。在一些實施例中，第一孔洞的第一部分110a的其中一者具有一最大深度md1小於第一孔洞的第二部分110b的其中一者的一最大深度md2。

在一些實施例中，第二層200具有均勻的厚度。在一些實施例中，第二層200具有一厚度介於2公分至15公分之間。在一些實施例中，第二層200具有一厚度介於2公分至5公分之間、5公分至8公分之間、8公分至12公分之間或12公分至15公分之間。在一些實施例中，第二層200的一個第二孔洞210大致對準或完全對準第一層100的第一孔洞的第一部分110a的其中一者。在一些實施例中，第二層200的一個第二孔洞210未對準第一層100的第一孔洞的第二部分110b的其中一者。

在其他實施例中，第二層的中央具有一厚度小於第二層的周邊的厚度。在其他實施例中，第二層的厚度自中央往周邊逐漸增加。在其他實施例中，第二層的剖面為平凹狀。

在一些實施例中，高電阻虛擬陽極包含三層或 超過三層。在一些實施例中，參照第3B圖，高電阻虛擬陽極不僅包含第一層100與第二層200，還包含第三層(未繪示)。在一些實施例中，第三層位於第二層200上方或位於第一層100下方。

第4圖繪示根據本發明數個實施例之第一層100的上視示意圖。如第4圖所示，第一層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100。在一些實施例中，位於不同區域的第一孔洞110具有不同的直徑。

在一些實施例中，第一層100包含可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b。可旋轉周邊部分100b圍繞可旋轉中央部分100a。在一些實施例中，可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b設置用以控制高電阻虛擬陽極的通孔尺寸，從而調整電鍍製程的電阻及電流通量。在一些實施例中，可旋轉周邊部分100b包含多個可旋轉環狀部分102b、104b、106b共軸圍繞可旋轉中央部分100a。

在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉中央部分100a，第一孔洞110的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉周邊部分100b。在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a的其中一者具有一直徑d1大於第一孔洞110的第二部分110b的其中一者的直徑d2。在一些實施例中，可旋轉中央部分100a具有一開口率高於可旋轉周邊部分100b的開口率。「開口率」係指在一面積中，孔洞所佔據的面積。

第5圖繪示根據本發明數個實施例之第二層 200的上視示意圖。如第5圖所示，第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。在一些實施例中，在不同位置的第二孔洞210具有不同的直徑。在一些實施例中，第4圖的第一孔洞110的其中一者設置用以部分重疊或完全重疊第5圖的第二孔洞210的其中一者。

第6圖繪示根據本發明數個實施例之包含高電阻虛擬陽極的電鍍槽的剖面示意圖。在一些實施例中，電鍍槽包含用以支撐基板300a(例如半導體晶片)的基板支架300、電鍍浴400、陽極500(即實際陽極)及高電阻虛擬陽極，如第3B圖之包含第一層100及第二層200的高電阻虛擬陽極。在一些實施例中，電鍍槽更包含其他功能性元件，例如擴散板、電鍍溶液導入管、沖洗排水管線、電鍍溶液回流管線、任何其他功能性元件或其組合。

在一些實施例中，電鍍槽被包含在用於電鍍基板(例如半導體晶片)的電鍍工具(未繪示)內。基板會被供應至此電鍍工具中。機器人可以在多維度下，從一個站點收取及移動基板至另一個站點。電鍍工具亦可包含其他設置用以進行其他必要電鍍子製程的模組，電鍍子製程例如旋轉沖洗及乾燥、金屬及矽濕蝕刻、預濕及預化學處理、光阻剝離、表面預活化等。

基板支架300設置用以在電鍍沉積時，接收及支持基板300a。「基板支架」亦可稱為晶片支架、工件支架、蛤殼狀支架、蛤殼狀組件及蛤殼。在一些實施例中，基板支架300為Novellus Systems' Sabre® tool。在一些實 施例中，透過促動器，可使基板支架300垂直上升或下降，以將基板300a浸沒於電鍍槽的電鍍浴400中。在一些實施例中，基板300a具有導電種層(未繪示)於其上方。

在一些實施例中，基板支架(蛤殼)300包含兩個主要部件，其為錐體310及杯體320。在一些實施例中，杯體320設置用以提供基板300a停留於其上方的支撐。在一些實施例中，錐體310位於杯體320上，並設置用以向下壓基板300a的背面，以保持基板300a在位置上。在一些實施例中，基板支架300係透過心軸330而由馬達(未繪示)驅動，如第6圖所示。在一些實施例中，心軸330從馬達傳遞扭矩至基板支架300，使保持在基板支架300內的基板300a在電鍍製程時轉動。在一些實施例中，心軸330內的汽缸還提供用以扣合杯體320於錐體310的垂直力。

在一些實施例中，高電阻虛擬陽極設置用以調整實際陽極500與基板300a表面之間的電流通量及電鍍溶液流量。在一些實施例中，包含第一層100及第二層200的高電阻虛擬陽極的周邊被固定(密封)在電鍍浴(又稱為電鍍腔體)的壁(未標示)上，並且與基板300a之間有一定距離。此距離由沉積於基板300a上的導電層所需的厚度輪廓決定。高電阻虛擬陽極越接近基板300a，高電阻虛擬陽極對於沉積於基板300a上的導電層所造成的厚度輪廓的影響越大。由於高電阻虛擬陽極被固定在電鍍浴的壁上，電鍍溶液會流經高電阻虛擬陽極的第一孔洞110及第二孔洞210。

在一些實施例中，諸如直流電源的電源(未繪示)具有負輸出引線(未繪示)電連接基板300a。在一些實施例中，電源的正輸出引線電連接位於電鍍浴400內的實際陽極500。在使用時，電源施加偏壓至基板300a，使基板300a相對於實際陽極具有負電位，從而引起電流從實際陽極500穿過高電阻虛擬陽極流至基板300a。如在此所述，以相同方向流過的電流作為淨正離子流量及相反的淨電子流量，其中電流定義為每單位時間下流經一面積的電荷量。這也會引起電流通量從實際陽極500穿過高電阻虛擬陽極到達基板300a，其中電流通量被定義為通過一面積的力線(場線)的數量。此引起於基板300a上的電化學反應(例如Cu²⁺+2e^-→Cu)，導致導電層(例如銅)沉積於基板300a上。於電鍍週期時，透過於實際陽極500內溶解金屬(例如Cu→Cu²⁺+2e^-)補充電鍍溶液的離子濃度。

實際陽極500位於電鍍浴400內。在一些實施例中，藉由幫浦(未繪示)，持續供應電鍍溶液至電鍍浴400中。在一些實施例中，電鍍溶液通過位於實際陽極500內的多個孔洞(未繪示)，往上流至基板300a。

在一些實施例中，實際陽極500包含陽極杯(未繪示)、離子源材料(未繪示)及薄膜(未繪示)。在一些實施例中，陽極杯是由電絕緣材料製成，例如聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)。在一些實施例中，陽極杯包含具有多個間隔開的開口的盤狀基座部分位於陽極杯中，電鍍溶液會流經這些開口。當使用時，離子源材料會電 化學溶解，補充電鍍溶液的離子濃度。在一些實施例中，離子源材料被容置在陽極杯及薄膜所圍置的區域內。薄膜覆蓋離子源材料，且具有高電阻，其可產生跨薄膜的壓降。這有利於減少離子源材料在溶解時改變形狀導致的電場變化。

包含第一層100及第二層200的高電阻虛擬陽極位於基板300a表面與實際陽極500之間。在一些實施例中，第一層100面對實際陽極500，第二層200面對基板300a的表面。在一些實施例中，第一層100具有平坦面100c及弧面100d相對設置，且第一層100的弧面100d面對實際陽極500。在一些實施例中，第一層100的平坦面100c面對第二層200。在一些實施例中，第一層100的平坦面100c接觸第二層200。在一些實施例中，高電阻虛擬陽極的中央具有一厚度t3小於高電阻虛擬陽極周邊的厚度t4；因此，在中央的高電阻虛擬陽極的電阻小於在周邊的電阻，且穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比將高於穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免邊緣效應。

第7圖繪示根據本發明數個實施例之使用電鍍槽處理基板表面的方法的流程圖。

在操作702中，如第6圖所示，接收電鍍槽，其包含用以支撐基板300a(例如半導體晶片)的基板支架300、電鍍浴400、位於電鍍浴400內的陽極500(即實際陽極)及位於電鍍浴400內的高電阻虛擬陽極(例如包含第一層100及第二層200的第3A及3B圖的高電阻虛擬陽極)。

在一些實施例中，如第3A及3B圖所示，第一 層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100，其中第一層100包含可旋轉中央部分100a及圍繞可旋轉中央部分100a的可旋轉周邊部分100b。在一些實施例中，如第3A及3B圖所示，第二層200位於第一層100上，且第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。

在操作704中，如第3A圖所示，旋轉高電阻虛擬陽極的可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b的至少其中一者，以調整高電阻虛擬陽極的通孔尺寸。在一些實施例中，旋轉可旋轉中央部分100a及可旋轉環狀部分102b、104b、106b的至少其中一者，以調整高電阻虛擬陽極的通孔尺寸。在一些實施例中，旋轉可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b的至少其中一者係由可編程序控制器進行。在一些實施例中，旋轉可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b的至少其中一者係使用一程序進行。在一些實施例中，旋轉可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b的至少其中一者是根據基板300a的尺寸(例如直徑)、沉積於基板300a上的導電層所需的厚度輪廓及任何其他合適的參數所決定。

在操作706中，如第6圖所示，當基板支架300打開時，安裝基板300a至基板支架300內。詳細而言，基板300a被安裝至杯體320內。在裝載基板300a後，錐體310扣合杯體320，以扣住基板300a並靠在杯體320邊緣。

在操作708中，如第6圖所示，將基板支架300及基板300a放置到包含電鍍溶液的電鍍浴400內，從而使高 電阻虛擬陽極位於基板300a的表面與陽極500之間。在一些實施例中，放置基板支架300及基板300a至電鍍浴400內是在旋轉高電阻虛擬陽極的可旋轉中央部分100a及可旋轉周邊部分100b的至少其中一者之後進行。

在操作710中，如第6圖所示，產生位於基板300a與實際陽極500之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，並形成電鍍層(未繪示)於基板300a的表面上。在一些實施例中，由於高電阻虛擬陽極的中央的厚度t3小於高電阻虛擬陽極的周邊的厚度t4，高電阻虛擬陽極在中央的電阻比在周邊的電阻小。因此，穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比高於穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免邊際效應，從而沉積出均勻的導電層於基板300a上。

在一些具體實施例中，對於450毫米的晶片，使用商用高電阻虛擬陽極形成的導電層的厚度均勻度(等於厚度標準差/厚度平均值)為10%。在一些具體實施例中，使用本揭露的高虛擬陽極形成的導電層的厚度均勻度為2.5%，代表本揭露的高電阻虛擬陽極確實可解決邊緣效應的問題。

根據一些實施例，一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據一些實施例，一種用以處理基板的表面的 電鍍槽，包含基板支架、電鍍浴、陽極及高電阻虛擬陽極。基板支架用以支撐基板。陽極位於電鍍浴內。高電阻虛擬陽極位於基板的表面與陽極之間。高電阻虛擬陽極包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據一些實施例，一種處理基板的表面的方法，包含：接收電鍍槽，電鍍槽包含：基板支架，用以支撐基板；電鍍浴；陽極，位於電鍍浴內；以及高電阻虛擬陽極，位於電鍍浴內，高電阻虛擬陽極包含：第一層，包含多個第一孔洞穿透第一層，其中第一層包含可旋轉中央部分及可旋轉周邊部分圍繞可旋轉中央部分；以及第二層，位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層；旋轉可旋轉中央部分及可旋轉周邊部分的至少其中一者；安裝基板至基板支架內；放置基板支架及基板至電鍍浴內，以使高電阻虛擬陽極位於基板的表面與陽極之間；以及產生位於基板與陽極之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，並形成電鍍層於基板的表面上。

以上扼要地提及多種實施例的特徵，因此熟悉此技藝之人士可較好了解本發明的各方面。熟悉此技藝之人士應意識到，為了落實相同的目的及/或達到在此提出的實施例的相同優點，其可輕易使用本發明以做為設計或修改其他製程及結構的基礎。熟悉此技藝之人士亦應了解的是，這些均等的構造不背離本發明之精神及範圍，以及其人可在此進行各種改變、取代、及替代而不背離本發明之精神及範圍。

100‧‧‧第一層

100a‧‧‧可旋轉中央部分

100b‧‧‧可旋轉周邊部分

102b、104b、106b‧‧‧可旋轉環狀部分

110‧‧‧第一孔洞

110a‧‧‧第一部分

110b‧‧‧第二部分

200‧‧‧第二層

210‧‧‧第二孔洞

AA'‧‧‧線段

Claims (10)

1. 一種用於一電鍍槽的一高電阻虛擬陽極，包含：一第一層，包含多個第一孔洞穿透該第一層；以及一第二層，位於該第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透該第二層。
2. 如請求項1所述之高電阻虛擬陽極，其中該些第一孔洞的其中一者設置用以部分或完全重疊該些第二孔洞的其中一者，並且該第一層包含一可旋轉中央部分及一可旋轉周邊部分圍繞該可旋轉中央部分，且該些第一孔洞的一第一部分穿透該第一層的該可旋轉中央部分，該些第一孔洞的一第二部分穿透該第一層的該可旋轉周邊部分。
3. 如請求項2所述之高電阻虛擬陽極，其中該可旋轉周邊部分包含多個可旋轉環形部分共軸圍繞該可旋轉中央部分。
4. 如請求項2所述之高電阻虛擬陽極，其中該些第一孔洞的該第一部分的其中一者具有一最大深度小於該些第一孔洞的該第二部分的其中一者的一最大深度。
5. 如請求項2所述之高電阻虛擬陽極，其中該可旋轉中央部分具有一開口率高於該可旋轉周邊部分的一開口率。
6. 如請求項1所述之高電阻虛擬陽極，其中該第一層與該第二層的其中一者的中央具有一厚度小於該第一層與該第二層的該者的周邊的一厚度，並且該第一層與該第二層的該者的一厚度自該中央往該周邊逐漸增加。
7. 一種用以處理一基板的一表面的一電鍍槽，包含：一基板支架，用以支撐該基板；一電鍍浴；一陽極，位於該電鍍浴內；以及一高電阻虛擬陽極，位於該基板的該表面與該陽極之間，該高電阻虛擬陽極包含：一第一層，包含多個第一孔洞穿透該第一層；以及一第二層，位於該第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透該第二層。
8. 如請求項7所述之電鍍槽，其中該第一層具有一平坦面及一弧面相對設置，且該第一層的該弧面面對該陽極，該第一層的該平坦面面對該第二層。
9. 一種處理一基板的一表面的方法，包含：接收一電鍍槽，該電鍍槽包含：一基板支架，用以支撐該基板； 一電鍍浴；一陽極，位於該電鍍浴內；以及一高電阻虛擬陽極，位於該電鍍浴內，該高電阻虛擬陽極包含：一第一層，包含多個第一孔洞穿透該第一層，其中該第一層包含一可旋轉中央部分及一可旋轉周邊部分圍繞該可旋轉中央部分；以及一第二層，位於該第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透該第二層；旋轉該可旋轉中央部分及該可旋轉周邊部分的至少其中一者；安裝該基板至該基板支架內；放置該基板支架及該基板至該電鍍浴內，以使該高電阻虛擬陽極位於該基板的該表面與該陽極之間；以及產生位於該基板與該陽極之間且穿過該高電阻虛擬陽極的一電流通量，以形塑該電流通量，並形成一電鍍層於該基板的該表面上。
10. 如請求項9所述之方法，其中穿透該高電阻虛擬陽極的中央的該電流通量的一百分比高於穿透該高電阻虛擬陽極的周邊的該電流通量的一百分比，並且旋轉該可旋轉中央部分及該可旋轉周邊部分的該至少其中一者係由一可編程序控制器進行。