TW201718828A - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件 - Google Patents

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Kazunori Maruyama
Haruki OHISHI
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Dainippon Ink & Chemicals
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Abstract

本發明提供一種液晶顯示元件，其具有：第一基板及第二基板，其等對向地配置；液晶層，其含有夾持於第一基板及第二基板之間之液晶組成物；第一電極，其設置於第一基板上；及第二電極，其設置於第一基板上，且與第一電極之間產生電場；並且，液晶組成物含有1種或2種以上之通式(a)所表示之化合物、及1種或2種以上之通式(i)所表示之化合物，□□且於分子內具有1個或2個以上之□所表示之基之化合物之液晶組成物中之總量中，通式(i)所表示之化合物之含量之總量為0.1~40質量%。

Description

液晶組成物及使用其之液晶顯示元件
本案發明係關於一種使用介電異向性為負之向列型液晶組成物之液晶顯示元件。
液晶顯示元件被應用於鐘錶、計算器以及家庭用各種電子設備、測定裝置、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、印表機、電腦、電視等。作為液晶顯示方式，其代表性之方式可列舉：TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、DS(動態光散射)型、GH(賓主)型、IPS(共平面切換)型、FFS型(邊緣場切換)型、OCB(光學補償雙折射)型、ECB(電控雙折射)型、VA(垂直配向)型、CSH(彩色超垂直配向)型、或FLC(鐵電液晶)等。
該等中，作為智慧型手機用、平板用之液晶顯示器，廣泛地使用高品質且視覺特性優異之IPS型、或作為其一種之FFS型液晶顯示元件。尤其，使用△ε顯示負值之液晶材料之FFS型顯示裝置由於可獲得較高之穿透率，因此近年來被積極開發。作為△ε為負且其絕對值較大之液晶材料，例如已知有使用以下之化合物(A)、化合物(B)及化合物(C)等之液晶組成物(參照專利文獻1)。
該IPS型或FFS型係利用沿相對於基板面水平之方向所產生之電場之橫向電場型，但容易於透明電極之邊緣部分產生強電場，且容易伴隨其而發生液晶之彎電效應(flexoelectric effect)，其結果，成為發生顯示之跳動(閃爍)、或穿透率之降低之重要原因。
又，近年來，由於要求進一步省電化，而較習知之主動式驅動可降低更新頻率之使用氧化物半導體之液晶驅動元件之開發盛行。較習知之60Hz之驅動方法，降低更新頻率之驅動方法更顯著地發生顯示之跳動(閃爍)、或穿透率之降低。
因此，除了對用於電視等用途之液晶組成物通常所要求之高速響應或高可靠性以外，還要求減少跳動之發生或穿透率之降低之液晶組成物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2010/084823號
本發明所欲解決之課題在於提供一種液晶顯示元件，其使用於不使折射率異向性(△n)及向列相-等向性液體相轉移溫度(Tni)降低之情況下具有絕對值較大之負之介電異向性(△ε)之液晶組成物，具有較高之穿透率，且跳動之發生減少，顯示品質優異。
本案發明者等人為了解決上述課題而努力進行研究，研究了對於橫向電場模式之液晶顯示元件最佳之各種液晶組成物之構成，結果發現含有特定之液晶化合物之液晶組成物之有用性，從而完成本案發明。
本案發明提供一種液晶顯示元件，其具有：第一基板及第二基板，其等對向地配置；液晶層，其含有夾持於第一基板及第二基板之間之液晶組成物；第一電極，其設置於第一基板上；及第二電極，其設置於第一基板上，且與第一電極之間產生電場；並且，液晶組成物含有1種或2種以上之通式(a)所表示之化合物、及1種或2種以上之通式(i)所表示之化合物，
(式中，Ra1及Ra2分別獨立地表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-O-或-S-，又，該基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，Ma1及Ma2分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2- 亦可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，Za1及Za2分別獨立地表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-COO-、-OCO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，但1個或2個以上之Za1表示-CH2CH2-，ma1表示1、2或3，ma2表示0、1或2，ma1+ma2為1、2或3，於存在複數個Ma1及Za1之情形時，其等可相同亦可不同，於存在複數個Ma2及Za2之情形時，其等可相同亦可不同)
(式中，Ri1及Ri2分別獨立地表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該基中之1個或2個以上之-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-O-或-S-，又，該基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，Ai1分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-) (b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=，其中，於通式(i)中，通式(a)所表示之化合物除外)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，Zi1表示-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，Zi2表示單鍵、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，但與Rii1直接鍵結之Zii2表示單鍵，mi1表示1~3之整數，於存在複數個Ai1及Zi1之情形時，其等可相同亦可不同)，且於分子內具有1個或2個以上之
所表示之基之化合物之液晶組成物中之總量中，通式(i)所表示之化合物之含量之總量為0.1~40質量%。
本發明之液晶顯示元件具有較高之穿透率，跳動之發生減少，且殘像之產生較少，具有優異顯示特性。
1、8‧‧‧偏光板
2‧‧‧第一基板
3‧‧‧電極層
4‧‧‧配向膜
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧彩色濾光片
7‧‧‧第二基板
11‧‧‧閘極電極
12‧‧‧閘極絕緣膜
13‧‧‧半導體層
14‧‧‧絕緣層
15‧‧‧歐姆接觸層
16‧‧‧汲極電極
17‧‧‧源極電極
18‧‧‧絕緣保護層
21‧‧‧像素電極
22‧‧‧共通電極
23‧‧‧儲存電容器
25‧‧‧資料匯流線
27‧‧‧源極匯流線
29‧‧‧共通線
圖1係模式性地表示本發明之液晶顯示元件之構成之一例 之圖。
圖2係將圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域放大之俯視圖。
圖3係沿圖2中之III-III線方向將圖1中所示之液晶顯示元件切斷之剖視圖。
圖4係模式性地表示由配向膜4所誘發之液晶之配向方向之圖。
圖5係將圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域之另一例放大之俯視圖。
圖6係沿圖2中之III-III線方向將圖1中所示之液晶顯示元件切斷之另一例之剖視圖。
圖7係將液晶顯示元件之電極構成放大之俯視圖。
本發明之液晶組成物含有1種或2種以上之通式(a)所表示之化合物。
通式(a)所表示之化合物較佳為△ε為負且其絕對值大於3之化合物。
通式(a)中，Ra1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，且較佳為 碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，進而較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，進而更佳為碳原子數1~3之烷基或碳原子數2~4之烯基，較佳為直鏈狀。Ra2較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，且較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，進而較佳為碳原子數1~4之烷氧基，進而更佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳為自式(R1)~式(R9)之任一者所表示之基中選擇，尤佳為式(R8)或式(R9)。(各式中之黑點表示Ra1或Ra2所鍵結之環結構中之碳原子)
作為烯氧基，較佳為自式(OR1)~式(OR9)之任一者所表示之基中選擇(各式中之黑點表示Ra1或Ra2所鍵結之環結構中之碳原子)。
Za1或Za2中，1個或2個以上之Za1或Za2表示-CH2CH2-。於ma1表示2或3之情形時，較佳為，存在有複數個之Za1表示單鍵或-CH2CH2-，且較佳為，1個Za1表示-CH2CH2-，剩餘之1個或2個Za1表示單鍵。於ma2表示2之情形時，較佳為，存在有複數個之Za2表示單鍵或-CH2CH2-，且較佳為，1個Za2表示-CH2CH2-，剩餘之1個Za2表示單鍵。更佳為，1個或2個以上之Za1表示-CH2CH2-。
Ma1或Ma2較佳為表示以下之基。
其中，較佳為，Ma1或Ma2之1個或2個以上表示1,4-伸環己基、未經取代之1,4-伸苯基或未經取代之萘-2,6-二基，於存在複數個Ma1或Ma2之情形時，更佳為，全部Ma1或Ma2表示1,4-伸環己基、未經取代之1,4-伸苯基或未經取代之萘-2,6-二基。又，更佳為，Ma1或Ma2之1個或2個以上表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，更佳為表示1,4-伸環己基，於存在複數個Ma1或Ma2之情形時，更佳為，全部Ma1或Ma2表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，尤佳為，所存在之全部Ma1或Ma2表示1,4-伸環己基。
ma1較佳為表示1或2。ma2較佳為表示0或1，更佳為表示0。
通式(a)所表示之化合物較佳為以下之通式(a0)或通式 (a1)所表示之化合物。
(式中，Xa1及Xa2分別獨立地表示氫原子或氟原子，但Xa1及Xa2之至少任一者表示氫原子，Ra1、Ra2、Za1及ma1分別獨立地表示與通式(a)中之Ra1、Ra2、Za1及ma1相同之含義)
Xa1及Xa2更佳為氫原子。
又，作為通式(a0)所表示之化合物，較佳為通式(a01)所表示之化合物，作為通式(a1)所表示之化合物，較佳為通式(a11)所表示之化合物。
(式中，Ra3表示碳原子數1~8之烷基，Xa1及Xa2分別獨立地表示氫原子或氟原子，但Xa1及Xa2之至少任一者表示氫原子，Ra1、Za1及ma1分別獨立地表示與通式(a)中之Ra1、Za1及ma1相同之含義)
又，通式(a)所表示之化合物較佳為以下之通式(a2)所表示之化合物。
(式中，Ma21及Ma22分別獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或萘-2,6-二基，但該基中存在之1個氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，Za2表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-COO-、-OCO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，mi1表示0或1，Ra1及Ra2分別獨立地表示與通式(a)中之Ra1及Ra2相同之含義)
作為通式(a)所表示之化合物，更具體而言，較佳為含有1種或2種以上之以下之通式(a-1)~(a-14)所表示之化合物。
(式中，Ra1及Ra2分別獨立地表示與通式(a)中之Ra1及Ra2相同之含義)
本發明之液晶組成物含有1種或2種以上之通式(a)所表示之化合物，較佳為含有2種~10種。
關於通式(a)所表示之化合物之含量之總量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有0.1質量%(以下組成物中之%表示質量%)以上， 較佳為含有0.5%以上，較佳為含有1%以上，較佳為含有3%以上，較佳為含有4%以上，較佳為含有5%以上，較佳為含有7%以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有90%以下，較佳為含有80%以下，較佳為含有75%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有68%以下，較佳為含有65%以下，較佳為含有63%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下，較佳為含有38%以下，較佳為含有35%以下，較佳為含有33%以下，較佳為含有30%以下，較佳為含有28%以下，較佳為含有25%以下，較佳為含有23%以下，較佳為含有20%以下，較佳為含有18%以下，較佳為含有15%以下，較佳為含有10%以下。
作為通式(a)所表示之化合物，較佳為含有1種或2種以上之選自通式(a-1)、通式(a-3)、通式(a-11)及通式(a-12)中之化合物。關於該等化合物之較佳之含量之下限值，較佳為含有0.1質量%(以下組成物中之%表示質量%)以上，為0.5%、1%、3%、4%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。又，該等化合物之較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
本發明之液晶組成物含有通式(i)所表示之化合物。
通式(i)中，Ri1較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，進而較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，進而更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。Ri2較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，進而較佳為碳原子數1~4之烷氧基。
於Ri1及Ri2為烯基之情形時，較佳為自式(R1)~式(R9)之任一者所表示之基中選擇。(各式中之黑點表示與環之連結點)
通式(i)中，Ai1表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
Zi1表示-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，較佳為-CH2O-或-CF2O-，進而較佳為-CH2O-。
Zi2表示單鍵、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，較佳為 -CH2O-、-CF2O-或單鍵，進而較佳為-CH2O-或單鍵。其中，與Ri1直接鍵結之Zi2表示單鍵。
mi1表示1、2或3，較佳為表示1或2。
通式(i)所表示之化合物較佳為通式(i-1A)或通式(i-1B)所表示之化合物。
(式中，Ri1、Ri2、Ai1及Zi1分別獨立地表示與通式(ii)中之Ri1、Ri2、Ai1及Zi1相同之含義)
(式中，Bi1表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，Ri1、Ri2、Ai1及Zi1分別獨立地表示與通式(ii)中之Ri1、Ri2、Ai1及Zi1相同之含義)
作為通式(i-1A)所表示之化合物，較佳為下述通式(i-1A-1)及通式(i-1A-2)所表示之化合物，進而較佳為通式(i-1A-1)所表示之化合物。又，作為通式(i-1B)所表示之化合物，較佳為下述通式(i-1B-1)~通式(i-1B-3)所表示之化合物，進而較佳為通式(i-1B-1)及通式(i-1B-3)所表示之化合物。
(式中，Ri1及Ri2分別獨立地表示與通式(ii-1)中之Ri1及Ri2相同之含義)
進而，通式(i-1A)所表示之化合物較佳為選自式(i-1A-10.1)~式(i-1A-10.15)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(i-1A-10.1)~(i-1A-10.6)所表示之化合物，且較佳為式(i-1A-10.1)、(i-1A-10.2)、(i-1A-10.5)及式(i-1A-10.6)所表示之化合物。
式(i-1A-10.1)及式(i-1A-10.2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0.1%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。 較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
進而，通式(i-1B)所表示之化合物較佳為選自式(i-1B-11.1)~式(i-1B-11.15)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(i-1B-11.1)~(i-1B-11.15)所表示之化合物，且較佳為式(i-1B-11.2)及式(i-1B-11.4)所表示之化合物。
式(i-1B-11.2)及式(i-1B-11.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物 之較佳之含量之下限值為0.1%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
本發明之液晶組成物可含有至少1種以上之通式(i-1A)及通式(i-1B)所表示之化合物中之任一者，亦可分別含有1種以上之通式(i-1A)及通式(i-1B)所表示之化合物兩者。本發明之液晶組成物較佳為含有1種或2種以上之通式(i-1A)及通式(i-1B)所表示之化合物，更佳為含有2種~10種。
若更加詳細地進行說明，則通式(i-1A)及通式(i-1B)較佳為含有1種或2種以上之選自通式(i-1A-1)及通式(i-1B-1)所表示之化合物群中之化合物，更佳為通式(i-1A-1)所表示之化合物及通式(i-1B-1)所表示之化合物之組合。
本發明之液晶組成物中，於分子內具有1個或2個以上之
所表示之基之化合物之總量中，通式(i)所表示之化合物之含量之總量為0.1~40質量%(以下組成物中之%表示質量%)。更佳為，液晶組成物中之具有負之介電異向性之化合物之總量中，作為通式(i)所表示之化合物之含量之總量，下限值為0.2%、0.3%、0.5%、0.8%、1%、2%、3%、5%、7%、10%、15%、20%。又，上限值為39%、37%、35%、33%、32%、30%、28%、25%、24%、22%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。再者，所謂於分子內具有1個或2個以上之
所表示之基之化合物之總量，大致等於通式(a)所表示之化合物、通式(i)所表示之化合物、及選自通式(N-1)~通式(N-3)所表示之化合物群中之化合物之總量。
又，液晶組成物之總量中，通式(i)所表示之化合物之含量較佳為0.01~40質量%。更具體而言，作為通式(i)所表示之化合物之含量，組成物中之下限值為0.1%、0.5%、1%、5%、10%、15%。又，上限值為40%、39%、37%、35%、33%、32%、30%、28%、25%、24%、22%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
本發明之液晶組成物較佳為進而含有1種或2種以上之選自通式(N-1)~通式(N-3)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被 取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32分別獨立地表示選自由
(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)
(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)
(c)1,4-環己烯基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)及(d)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，ZN11及ZN12分別獨立地表示單鍵、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，ZN21、ZN22、ZN31及ZN32分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，XN21表示氫原子或氟原子，TN31表示-CH2-或氧原子，nN11、nN12、nN21、nN22、nN31及nN32分別獨立地表示0~3之整數，但nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32分別獨立地為1、2或3，於存在複數個AN11~AN32、ZN11~ZN32之情形時，其等可相同亦可不同，其中，於通式(N-1)及通式(N-2) 中，通式(a)所表示之化合物除外，又，於通式(N-2)及通式(N-3)中，通式(N-1)所表示之化合物除外，進而，於通式(N-3)中，通式(N-1)所表示之化合物除外)
通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32較佳為分別獨立地為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，且較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，進而較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，進而更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。
又，於其等所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其等所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，碳原子及存在之情形時之氧原子之合計較佳為5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳為自式(R1)~式(R5)之任一者所表示之基中選擇。(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)
AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32於要求增大△n之情形時 較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，
更佳為表示反式-1,4-伸環己基、或1,4-伸苯基。
ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31及ZN32較佳為分別獨立地表示-CH2O-、-CF2O-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或單鍵，進而較佳為-CH2O-、-CH2CH2-或單鍵，尤佳為-CH2O-或單鍵。
XN21較佳為氟原子。
TN31較佳為氧原子
nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32較佳為1或2，較佳為nN11為1且nN12為0之組合、nN11為2且nN12為0之組合、nN11為1且nN12為1之組合、nN11為2且nN12為1之組合、nN21為1且nN22為0之組合、nN21為2且nN22為0之組合、nN31為1且nN32為0之組合、nN31為2且nN32為0之組合。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、50%、45%、35%、25%、20%。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-3)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1)~式(N-3)所表示之化合物之含量之總量於液晶組成物中較佳為50質量%以下。更具體而言，相對於本發明之組成物之總量之選自式(N-1)~式(N-3)中之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、50%、45%、35%、25%、20%。於需要將本發明之組成物之黏度保持為較低且響應速度較快之組成物之情形時，較佳為，上述下限值較低且上限值較低。進而，於需要將本發明之組成物之Tni保持為較高且溫度穩定性較佳之組成物之情形時，較佳為，上述下限值較低且上限值較低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為，上述下限值較高且上限值較高。
作為通式(N-1)所表示之化合物，較佳為含有1種或2種以上之通式(N-i)所表示之化合物。
(式中，RN11、RN12、AN11及AN12分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11、RN12、AN11及AN12相同之含義，mNi1表示1~3之整數，mNi2表示0~3之整數，mNi1+mNi2為1、2或3，於存在複數個ANi1及ANi2之情形時，其等可相同亦可不同)
mNi1表示1或2，mNi2表示0或1，mNi1+mNi2較佳為1或2。本發明之液晶組成物較佳為含有1種或2種以上之通式(N-i)所表示之化合物。
通式(N-1)及通式(N-i)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-1)~(N-1-7)所表示之化合物群中之化合物。
通式(N-1-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN111及RN112分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，且較佳為丙基或戊基。RN112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫 下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-1)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(N-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-1.1)~式(N-1-1.14)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-1.1)~(N-1-1.6)所表示之化合物，且較佳為式(N-1-1.1)、(N-1-1.3)、(N-1-1.5)及式(N-1-1.6)所表示之化合物。
式(N-1-1.1)~(N-1-1.6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
通式(N-1-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN121及RN122分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基， 且較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。RN122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
通式(N-1-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、37%、40%、42%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、48%、45%、43%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%。
進而，通式(N-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-2.1)~式(N-1-2.13)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-2.3)~式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物，於重視△ε之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.3)~式(N-1-2.7)所表示之化合物，於重視TNI之 改良之情形時，較佳為式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物。
式(N-1-2.1)~式(N-1-2.13)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
通式(N-1-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN131及RN132分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，且較佳為乙基、丙基或丁基。RN132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-3)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
進而，通式(N-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-3.1)~式(N-1-3.11)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-3.1)~(N-1-3.7)所表示之化合物，且較佳為式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物。
式(N-1-3.1)~式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，較佳為式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)之組合、選自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)中之2種或3種之組合。相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-4)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN141及RN142分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN141及RN142較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-4)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。
進而，通式(N-1-4)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-4.1)~式(N-1-4.14)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-4.1)~ (N-1-4.4)所表示之化合物，且較佳為式(N-1-4.1)及式(N-1-4.2)所表示之化合物。
式(N-1-4.1)~(N-1-4.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。
通式(N-1-5)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN151及RN152分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN151及RN152較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種 以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-5)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
進而，通式(N-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-5.1)~式(N-1-5.6)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-3.2)及式(N-1-3.4)所表示之化合物。
式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用，相對於本發明之組成物之總量之單獨或該等化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(N-1-6)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN111及RN112分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，且較佳為丙基或戊基。RN112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之 烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-6)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(N-1-6)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-6.1)~式(N-1-6.14)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-6.1)~(N-1-6.6)所表示之化合物，且較佳為式(N-1-6.1)、(N-1-6.3)、(N-1-6.5)及式(N-1-6.6)所表示之化合物。
通式(N-1-7)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN111及RN112分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
RN111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，且較佳為丙基或戊基。RN112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，且較佳為乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-7)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定得略高， 於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，於重視TNI之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(N-1-7)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為0%、1%、3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(N-1-7)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-7.1)~式(N-1-7.13)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(N-1-7.3)~式(N-1-7.11)及式(N-1-7.13)所表示之化合物，於重視△ε之改良之情形時，較佳為式(N-1-7.3)~式(N-1-7.9)所表示之化合物，於重視TNI之改良之情形時，較佳為式(N-1-7.9)~式(N-1-7.11)及式(N-1-7.13)所表示之化合物。
又，作為通式(N-1)所表示之化合物，較佳為含有1種或2種以上之通式(N-iii)所表示之化合物。
(式中，RN11、RN12、AN11、AN12、ZN11及ZN12分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數2~10之烯基，該基中之1個或2個以上之-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-O-或-S-，又，該基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，ANiii1及ANiii2分別獨立地表示與通式(N-1)中之N11、RN12、AN11、AN12、ZN11及ZN12相同之含義，mNiii1表示1~3之整數，於存在複數個AN11及ZN11之情形時，其等可相同亦可不同)
通式(N-1)及通式(N-ii)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-20)~(N-1-31)所表示之化合物群中之化合物。
通式(N-1-20)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1201及RN1202分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-1-21)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN1211及RN1212分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-1-22)~通式(N-1-31)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN11及RN12分別獨立地表示與通式(N-1)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-2)所表示之化合物較佳為選自通式(N-2-1)~(N-2-3)所表示之化合物群中之化合物。
通式(N-2-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN211及RN212分別獨立地表示與通式(N)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-2-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN221及RN222分別獨立地表示與通式(N)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-2-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN231及RN232分別獨立地表示與通式(N)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-3)所表示之化合物較佳為選自通式(N-3-1)~(N-3-2)所表示之化合物群中之化合物。
通式(N-3-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN311及RN312分別獨立地表示與通式(N)中之RN11及RN12相同之含義)
通式(N-3-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RN321及RN322分別獨立地表示與通式(N)中之RN11及RN12相同之含義)
本發明中之液晶組成物較佳為進而含有1種或2種以上之通式(L)所表示之化合物。通式(L)所表示之化合物相當於介電性大致為中性之化合物(△ε之值為-2~2)。
(式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，nL1表示0、1、2或3，AL1、AL2及AL3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-) (b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，ZL1及ZL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於存在複數個AL2及ZL3之情形時，其等可相同亦可不同，其中，於通式(L)中，通式(a)、通式(i)、通式(N-1)、通式(N-2)及通式(N-3)所表示之化合物除外)
通式(L)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所需之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種。或者，於本發明之另一實施形態中，為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。
於本發明之組成物中，通式(L)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當地進行調整。
相對於本發明之組成物之總量之通式(L)所表示之化合物之含量於液晶組成物中較佳為3質量%~50質量%。具體而言，相對於本發明之組成物之總量之通式(L)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、3%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、50%、45%、35%、25%。
於需要將本發明之組成物之黏度保持為較低且響應速度較快之組成物之情形時，較佳為，上述下限值較高且上限值較高。進而，於需要將本發明之組成物之Tni保持為較高且溫度穩定性較佳之組成物之情形時，較佳為，上述下限值較高且上限值較高。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為，上述下限值較低且上限值較低。
於重視可靠性之情形時，RL1及RL2均較佳為烷基，於重視降低化合物之揮發性之情形時，較佳為烷氧基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為至少一者為烯基。
RL1及RL2於其等所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其等所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，碳原子及存在之情形時之氧原子之合計較佳為5以下，較佳為直鏈狀。
作為烯基，較佳為自式(R1)~式(R9)之任一者所表示 之基中選擇。(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)
nL1於重視響應速度之情形時較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得該等之平衡，較佳為1。又，為了滿足作為組成物所要求之特性，較佳為組合不同之值之化合物。
AL1、AL2及AL3於要求增大△n之情形時較佳為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，
更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
ZL1及ZL2於重視響應速度之情形時較佳為單鍵。
分子內之鹵素原子數較佳為0個或1個。
通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-7)所表示之化合物群中之化合物。
通式(L-1)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL11及RL12分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義)
為了使黏度降低，RL11及RL12較佳為分別獨立地為直鏈狀之碳原子數直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
更佳為RL11及RL12之任一者或兩者為直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。更佳為RL11及RL12之任一者為直鏈狀之碳原子數2~5之烯基，另一者表示直鏈狀之碳原子數1~5之烷基。
通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。較佳之含量之下限值相對於本發明之組成物之總量為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%、21%、23%、25%、28%、30%、35%、36%、37%、38%、39%、40%、45%、50%、55%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。
於需要將本發明之組成物之黏度保持為較低且響應速度較快之組成物之情形時，較佳為，上述下限值較高且上限值較高。進而，於 需要將本發明之組成物之Tni保持為較高且溫度穩定性較佳之組成物之情形時，較佳為，上述下限值居中且上限值居中。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為，上述下限值較低且上限值較低。
通式(L-1)所表示之化合物較佳為通式(ii-1)所表示之化合物。
(式中，Rii11表示氫原子或甲基，Rii2表示與通式(L-1)中之RL21相同之含義)
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-1)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。
通式(ii-1)所表示之化合物較佳為選自式(ii-1.11)~式(ii-1.13)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(ii-1.12)或式(ii-1.13)所表示之化合物，尤佳為式(ii-1.13)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-1.13)所表示之化合 物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為30%、25%、20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
又，通式(ii-1)所表示之化合物較佳為選自式(ii-1.21)~式(ii-1.24)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(ii-1.22)~式(ii-1.24)所表示之化合物。尤其，式(ii-1.22)所表示之化合物由於可尤其改善本發明之組成物之響應速度，故而較佳。又，於較響應速度要求較高之Tni時，較佳為使用式(ii-1.23)或式(ii-1.24)所表示之化合物。關於式(ii-1.23)及式(ii-1.24)所表示之化合物之含量，為了使低溫下之溶解度較佳，將其設為30%以上欠佳。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-1.22)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為10%、15%、16%、17%、18%、20%、21%、22%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、38%、40%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
又，通式(ii-1)所表示之化合物較佳為選自式(ii-1.31)及 式(ii-1.41)所表示之化合物群中之化合物。
可含有至少1種以上之通式(ii-1)所表示之化合物，亦可分別含有1種以上之於通式(ii-i)中Rii11表示氫原子之化合物及Rii11表示甲基之化合物兩者。更具體而言，為了獲得較低之黏度或較低之旋轉黏性，較佳為更多地含有Rii11表示氫原子之化合物，為了獲得較大之彈性常數，較佳為更多地含有Rii11表示甲基之化合物，為了獲得響應速度較快之液晶顯示元件，較佳為儘可能多地同時含有該等。
本發明之組成物較佳為含有式(ii-1.13)所表示之化合物及式(ii-1.22)所表示之化合物，相對於本發明之組成物之總量之式(ii-1.13)所表示之化合物及式(ii-1.22)所表示之化合物之合計之較佳之含量之下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、33%、35%、37%、40%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(ii-2)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，Rii21及Rii22分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1 ~8之烷氧基)
Rii21及Rii22較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基及直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、30%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為60%、55%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、27%、25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。
進而，通式(ii-2)所表示之化合物較佳為選自式(ii-2.1)~式(ii-2.12)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(ii-2.1)、式(ii-2.3)或式(ii-2.4)所表示之化合物。尤其，式(ii-2.1)所表示之化合物由於可尤其改善本發明之組成物之響應速度，故而較佳。又，於較響應速度要求較高之Tni時，較佳為使用式(ii-2.3)、式(ii-2.4)、式(ii-2.11)及式(ii-2.12)所表示之化合物。關於式(ii-2.3)、式(ii-2.4)、式(ii-2.11)及式(ii-2.12)所表示之化合物之合計之含量，為了使低溫下之溶解度較佳，將其設為20%以上欠佳。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-2.1)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。
通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(ii-3)及/或(ii-4)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，Rii31及Rii41分別獨立地表示與通式(L-1)中之RL12相同之含義)
Rii31及Rii32較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-3)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為25%、23%、20%、17%、15%、 13%、10%。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-4)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。
進而，通式(ii-3)及(ii-4)所表示之化合物較佳為選自式(ii-3.1)~式(ii-4.3)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(ii-3.2)或式(ii-4.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之式(ii-3.2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。
較佳為組合選自式(ii-1.13)、式(ii-1.22)、式(ii-2.1)、式(ii-2.3)、式(ii-2.4)、式(ii-2.11)及式(ii-2.12)所表示之化合物中之2 種以上之化合物，較佳為組合選自式(ii-1.13)、式(ii-1.22)、式(ii-2.1)、式(ii-2.3)、式(ii-2.4)及式(ii-3.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物，該等化合物之合計之含量之較佳之含量之下限值相對於本發明之組成物之總量為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%，上限值相對於本發明之組成物之總量為80%、70%、60%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%。於重視組成物之可靠性之情形時，較佳為組合選自式(ii-2.1)、式(ii-2.3)及式(ii-2.4)所表示之化合物中之2種以上之化合物，於重視組成物之響應速度之情形時，較佳為組合選自式(ii-1.13)、式(ii-1.22)所表示之化合物中之2種以上之化合物。
通式(L-2)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL21及RL22分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義)
RL21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、 2種、3種、4種、5種以上。
於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，相反，於重視響應速度之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)~式(L-2.6)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。
通式(L-3)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL31及RL32分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義)
RL31及RL32較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-3)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值相對於本發明之組成物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
於獲得較高之雙折射率之情形時，若將含量設定得略多，則效果較佳，相反，於重視較高之Tni之情形時，若將含量設定得略少，則效果較佳。進而，於改良滴下痕或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為居中。
進而，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)~式(L-3.9)所表示之化合物群中之化合物，且較佳為式(L-3.1)~式(L-3.7)所表示之化合物，且較佳為式(L-3.1)、式(L-3.2)、式(L-3.6)及(L-3.7)所表示之化合物。
通式(L-4)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL41及RL42分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義)
RL41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL42較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、 2種、3種、4種、5種以上。
於本發明之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當地進行調整。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-4)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量之式(L-4)所表示之化合物之較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.1)~式(L-4.3)所表示之化合物。
根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能，可含有式(L-4.1)所表示之化合物，可含有式(L-4.2)所表示之化合物，可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者，亦可包含式(L-4.1)~式(L-4.3)所表示之化合物全部。相對於本發明之組成物之總量之式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%， 較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量之兩化合物之較佳之含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.4)~式(L-4.6)所表示之化合物，且較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。
根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能，可含有式(L-4.4)所表示之化合物，可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物兩者。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
於含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量之兩化合物之較佳之 含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
通式(L-4)所表示之化合物較佳為式(L-4.7)~式(L-4.10)所表示之化合物，尤佳為式(L-4.9)所表示之化合物。
通式(L-5)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL51及RL52分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義)
RL51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
通式(L-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、 2種、3種、4種、5種以上。
於本發明之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當地進行調整。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-5)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量之式(L-5)所表示之化合物之較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，尤佳為式(L-5.1)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之該等化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳之含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之該等化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳之含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-5.5)~式(L-5.7)所表示之化合物群中之化合物，尤佳為式(L-5.7)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之該等化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳之含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-6)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL61及RL62分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義，XL61及XL62分別獨立地表示氫原子或氟原子)
RL61及RL62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為，XL61及XL62中之一者為氟原子，另一者為氫原子。
通式(L-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下 之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當地組合而使用。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種、5種以上。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-6)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量之式(L-6)所表示之化合物之較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。於將重點置於增大△n之情形時，較佳為使含量增多，於將重點置於低溫下之析出之情形時，較佳為含量較少。
通式(L-6)所表示之化合物較佳為式(L-6.1)~式(L-6.9)所表示之化合物。
可組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之1種~3種，進而較佳為含有1種~4種。又，所選擇之化合物之分子量分佈較廣亦有助於溶解性，故而，較佳為，例如自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中選擇1種化合物，並適當地組合該等。其中，較佳為包含式(L-6.1)、式(L-6.3)式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。
進而，通式(L-6)所表示之化合物較佳為例如式(L-6.10)~式(L-6.17)所表示之化合物，其中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。
相對於本發明之組成物之總量之該等化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳之含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
通式(L-7)所表示之化合物為下述化合物。
(式中，RL71及RL72分別獨立地表示與通式(L)中之RL1及RL2相同之含義，AL71及AL72分別獨立地表示與通式(L)中之AL2及AL3相同之含義，AL71及AL72上之氫原子亦可分別獨立地經氟原子取代，ZL71表示與通式(L)中之ZL2相同之含義，XL71及XL72分別獨立地表示氟原子或氫原子)
式中，RL71及RL72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，AL71及AL72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，AL71及AL72上之氫原子亦可分別獨立地經氟原子取代，QL71較佳為單鍵或COO-，且較佳為單鍵，XL71及XL72較佳為氫原子。
可組合之化合物之種類並無特別限制，係根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。作為本發明之一實施形態，所使用之化合物之種類例如為1種、2種、3種、4種。
於本發明之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當地進行調整。
相對於本發明之組成物之總量之式(L-7)所表示之化合物之較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。相對於本發明之組成物之總量之式(L-7)所表示之化合物之較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。
於期待本發明之組成物之Tni較高之實施形態之情形時，較 佳為使式(L-7)所表示之化合物之含量略多，於期待低黏度之實施形態之情形時，較佳為使含量略少。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)~式(L-7.4)所表示之化合物，且較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)~式(L-7.13)所表示之化合物，且較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.21)~式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.31)~式(L-7.34)所表示之化合物，且較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)~式(L-7.44)所表示之化合物，且較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。
於本發明之液晶組成物中，關於通式(a)所表示之化合物及通式(i)所表示之化合物之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有0.5%以上，較佳為含有1%以上，較佳為含有3%以上，較佳為含有4%以上，較佳為含有5%以上，較佳為含有7%以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有90%以下，較佳為含有80%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下，較佳為含有38%以下，較佳為含有35%以下，較佳為含有33%以下，較佳為含有30%以下，較佳為含有28%以下，較佳為含有25%以下，較佳為含有23%以下，較佳為含有20%以下，較佳為含有18%以下，較佳為含有15%以下，較佳為含有10%以下。
本發明之液晶組成物較佳為含有通式(a)、通式(i)及通式(N-1)~通式(N-3)所表示之化合物，於組成物中，作為下限值，較 佳為含有5%以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有95%以下，較佳為含有90%以下，較佳為含有88%以下，較佳為含有85%以下，較佳為含有83%以下，較佳為含有80%以下，較佳為含有78%以下，較佳為含有75%以下，較佳為含有73%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有68%以下，較佳為含有65%以下，較佳為含有63%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下。
本發明之液晶組成物較佳為含有通式(a)、通式(i)及通式(N-i)所表示之化合物，關於該等化合物之合計之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有5%以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有100%以下，較佳為含有99%以下，較佳為含有95%以下，較佳為含有90%以下，較佳為含有85%以下，較佳為含有80%以下，較佳為含有75%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有65%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下，較佳為含有38%以下，較佳為含有35%以下，較佳為含有33%以下，較佳為含有30%以下， 較佳為含有28%以下，較佳為含有25%以下，較佳為含有23%以下，較佳為含有20%以下，較佳為含有18%以下，較佳為含有15%以下，較佳為含有10%以下。
於本發明之液晶組成物中，較佳為含有通式(a)、通式(i)及通式(L)所表示之化合物，關於該等化合物之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有5%以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有80%以下，較佳為含有78%以下，較佳為含有75%以下，較佳為含有73%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有68%以下，較佳為含有65%以下，較佳為含有63%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下。
本發明之液晶組成物較佳為含有通式(a)、通式(i)及通式(L-1)所表示之化合物，關於該等化合物之合計之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有5%(以下組成物中之%表示質量%)以上，較佳為含有10%以上，較佳為含有13%以上，較佳為含有15%以上，較佳為含有18%以上，較佳為含有20%以上，較佳為含有23%以上，較佳為含有25%以上，較佳為含有28%以上，較佳為含有30%以上，較佳為含有33%以上，較佳為含有35%以上，較佳為含有38%以上，較佳為含有40%以上。又，作為上限值，較佳為含有80%以下，較佳為含有78%以下，較佳為含有75% 以下，較佳為含有73%以下，較佳為含有70%以下，較佳為含有68%以下，較佳為含有65%以下，較佳為含有63%以下，較佳為含有60%以下，較佳為含有55%以下，較佳為含有50%以下，較佳為含有40%以下。
於本發明之液晶組成物中，關於通式(a)、通式(i)、通式(N-1)~通式(N-3)及通式(L)所表示之化合物之合計之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有5%以上，較佳為含有80%以上，較佳為含有85%以上，較佳為含有88%以上，較佳為含有90%以上，較佳為含有92%以上，較佳為含有95%以上，較佳為含有97%以上，較佳為含有98%以上，較佳為含有99%以上，較佳為實質上不含其他化合物。又，作為上限值，較佳為含有90%以下，較佳為含有95%以下，較佳為含有98%以下，較佳為含有99%以下，較佳為實質上不含其他化合物。所謂實質上，意指：於製造時無法避免地生成之雜質等無意地含有之化合物除外。
本發明之液晶組成物中，關於通式(a)、通式(i)、通式(N-1)及通式(L)所表示之化合物之合計之含量，於組成物中，作為下限值，較佳為含有5%以上，較佳為含有80%以上，較佳為含有85%以上，較佳為含有88%以上，較佳為含有90%以上，較佳為含有92%以上，較佳為含有95%以上，較佳為含有97%以上，較佳為含有98%以上，較佳為含有99%以上，較佳為實質上不含其他化合物。又，作為上限值，較佳為含有90%以下，較佳為含有95%以下，較佳為含有98%以下，較佳為含有99%以下，較佳為實質上不含其他化合物。
本發明之液晶組成物之於20℃之折射率異向性(△n)為0.08~0.14，更佳為0.09~0.13，尤佳為0.09~0.12。若更加詳細地進行說明，則 於對應較薄之單元間隙之情形時，較佳為0.10~0.13，於對應較厚之單元間隙之情形時，較佳為0.08~0.10。
本發明之液晶組成物之於20℃之黏度(η)為10~30mPa．s，更佳為10~25mPa．s，尤佳為10~22mPa．s。
本發明之液晶組成物之於20℃之旋轉黏性(γ1)為60~130mPa．s，更佳為60~110mPa．s，尤佳為60~100mPa．s。
本發明之液晶組成物之向列相-等向性液體相轉移溫度(Tni)為60℃~120℃，更佳為70℃~100℃，尤佳為70℃~85℃。
本發明之液晶組成物除上述化合物以外，亦可含有通常之向列型液晶、層列型液晶、膽固醇狀液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、聚合性單體或光穩定劑等。
使用本發明之液晶組成物之液晶顯示元件係利用沿相對於基板水平之方向所產生之電場之橫向電場型顯示元件。以下，參照圖1~7，對FFS型及IPS型液晶顯示元件之例進行說明。
圖1係模式性地表示液晶顯示元件之構成之圖。圖1中，為了進行說明，出於方便考慮，將各構成要素隔開而記載。如圖1所記載，本發明之液晶顯示元件10之構成係具有夾持於對向地配置之第一透明絕緣基板2與第二透明絕緣基板7之間之液晶組成物(或液晶層5)的FFS模式之液晶顯示元件，其特徵在於：使用上述本發明之液晶組成物作為該液晶組成物。於第一透明絕緣基板2之液晶層5側之面形成有電極層3。又，於液晶層5與第一透明絕緣基板2及第二透明絕緣基板7各者之間，具有與構成液晶層5之液晶組成物直接抵接而誘發水平配向之一對配向膜4，該液 晶組成物中之液晶分子於未施加電壓時以相對於上述基板2、7大致平行之方式配向。如圖1及圖3所示，上述第一基板2及上述第二基板7亦可由一對偏光板1、8夾持。進而，圖1中，於上述第二基板7與配向膜4之間設置有彩色濾光片6。
即，本發明之液晶顯示元件10為依序積層有第一偏光板1、第一基板2、包含薄膜電晶體之電極層3、配向膜4、包含液晶組成物之液晶層5、配向膜4、彩色濾光片6、第二基板7、及第二偏光板8之構成。第一基板2與第二基板7可使用如玻璃或塑膠般具有柔軟性之透明之材料，另一方面，亦可為矽等不透明之材料。2片基板2、7藉由配置於周邊區域之環氧系熱固性組成物等封閉材料及密封材料而貼合，為了於其間保持基板間距離，例如亦可配置玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔件或藉由光微影法而形成之由樹脂所構成之間隔柱。
圖2係將圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域放大之俯視圖。圖3係沿圖2中之III-III線方向將圖1中所示之液晶顯示元件切斷之剖視圖。如圖2所示，形成於第一基板2之表面之包含薄膜電晶體之電極層3中，用以供給掃描信號之複數條閘極匯流線26與用以供給顯示信號之複數條資料匯流線25相互交叉而呈矩陣狀地配置。再者，圖2中，僅示出一對閘極匯流線25及一對資料匯流線24。
藉由被複數條閘極匯流線26與複數條資料匯流線25包圍之區域，而形成液晶顯示裝置之單位像素，於該單位像素內，形成有像素電極21及共通電極22。於閘極匯流線26與資料匯流線25相互交叉之交叉部附近，設置有包含源極電極27、汲極電極24及閘極電極28之薄膜電晶體。 該薄膜電晶體作為對像素電極21供給顯示信號之開關元件而與像素電極21連結。又，與閘極匯流線26平行地設置有共通線29。該共通線29為了對共通電極22供給共通信號而與共通電極22連結。
例如，如圖3所示，薄膜電晶體之構造之較佳之一態樣具有：閘極電極11，其形成於基板2表面；閘極絕緣層12，其以覆蓋該閘極電極11且覆蓋上述基板2之大致整個面之方式設置；半導體層13，其以與上述閘極電極11對向之方式形成於上述閘極絕緣層12之表面；保護膜14，其以覆蓋上述半導體層17之表面之一部分之方式設置；汲極電極16，其以覆蓋上述保護膜14及上述半導體層13之一者之側端部且與形成於上述基板2表面之上述閘極絕緣層12接觸之方式設置；源極電極17，其以覆蓋上述保護膜14及上述半導體層13之另一者之側端部且與形成於上述基板2表面之上述閘極絕緣層12接觸之方式設置；及絕緣保護層18，其以覆蓋上述汲極電極16及上述源極電極17之方式設置。亦可基於消除與閘極電極之階差等理由而於閘極電極11之表面形成陽極氧化被膜(未圖示)。
對於上述半導體層13，可使用非晶矽、多晶矽等，但若使用ZnO、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITO等之透明半導體膜，則可抑制光吸收所引起之光載子之不良影響，而增大元件之開口率，就該觀點而言亦較佳。
進而，為了降低肖特基能障之寬度或高度，亦可於半導體層13與汲極電極16或源極電極17之間設置歐姆接觸層15。對於歐姆接觸層，可使用n型非晶矽或n型多晶矽等高濃度地添加有磷等雜質之材料。
閘極匯流線26或資料匯流線25、共通線29較佳為金屬膜，更佳為Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金，尤佳為使用 Al或其合金之配線。又，絕緣保護層18係具有絕緣功能之層，係由氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽膜等形成。
於圖2及圖3所示之實施形態中，共通電極22係形成於閘極絕緣層12上之大致整個面之平板狀電極，另一方面，像素電極21係形成於覆蓋共通電極22之絕緣保護層18上之梳形電極。即，共通電極22較像素電極21配置於距第一基板2較近之位置，該等電極介隔絕緣保護層18相互重疊地配置。像素電極21與共通電極22例如係由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)等透明導電性材料而形成。由於像素電極21與共通電極22係由透明導電性材料形成，因此，單位像素面積中開口之面積變大，開口率及穿透率增加。
像素電極21與共通電極22為了於該等電極間形成邊緣電場，而以像素電極21與共通電極22之間之與基板水平之方向之電極間距離：R小於第一基板2與第二基板7之距離：G之方式形成。此處，電極間距離：R表示各電極間之與基板水平之方向之距離。圖3中，由於平板狀之共通電極22與梳形之像素電極21重疊，故而，示出了電極間距離：R=0之例，由於電極間距離：R小於第一基板2與第二基板7之距離(即，單元間隙)：G，故而，形成邊緣之電場E。因此，FFS型液晶顯示元件可利用沿相對於形成像素電極21之梳形之線垂直之方向所形成之水平方向之電場(橫向電場)、及拋物線狀之電場。像素電極21之梳狀部分之電極寬度：l、及像素電極21之梳狀部分之間隙之寬度：m較佳為形成為可藉由所產生之電場驅動液晶層5內之全部液晶分子之程度之寬度。
就防止漏光之觀點而言，彩色濾光片6較佳為於對應於薄膜 電晶體及儲存電容器23之部分形成黑矩陣(未圖示)。
於電極層3、及彩色濾光片6上，設置有與構成液晶層5之液晶組成物直接抵接而誘發水平配向之一對配向膜4。配向膜4例如為經摩擦(rubbing)處理之聚醯亞胺膜，各配向膜之配向方向為平行。此處，使用圖4，對本實施形態中之配向膜4之摩擦方向(液晶組成物之配向方向)進行說明。圖4係模式性地表示由配向膜4所誘發之液晶之配向方向之圖。於本發明中，使用具有負之介電異向性之液晶組成物。因此，較佳為以於將相對於形成像素電極21之梳形之線垂直之方向(形成水平電場之方向)設為x軸時，該x軸與液晶分子30之長軸方向所成之角θ大致為0~45°之方式配向。圖3所示之例中，示出了x軸與液晶分子30之長軸方向所成之角θ大致為0°之例。其原因在於：以此方式誘發液晶之配向方向會提高液晶顯示裝置之最大穿透率。
又，偏光板1及偏光板8係可調整各偏光板之偏光軸而以視野角或對比度變良好之方式進行調整，關於其等之穿透軸，較佳為具有相互正交之穿透軸，以於常黑模式下作動。尤其，較佳為，偏光板1及偏光板8中之任一者以具有與液晶分子30之配向方向平行之穿透軸之方式配置。又，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶之折射率異向性△n與單元厚度d之積。進而，亦可使用用以擴大視野角之相位差膜。
如上所述之構成之FFS型液晶顯示裝置10藉由經由薄膜TFT對像素電極21供給圖像信號(電壓)，而使像素電極21與共通電極22之間產生邊緣電場，並藉由該電場驅動液晶。即，於未施加電壓之狀態下，液晶分子30以其長軸方向與配向膜4之配向方向平行之方式配置。若施加 電壓，則於像素電極21與共通電極22之間，拋物線形之電場之等電位線形成至像素電極21與共通電極22之上部，液晶層5內之液晶分子30沿所形成之電場於液晶層5內旋轉。本發明中，由於使用具有負之介電異向性之液晶分子30，故而以液晶分子30之長軸方向與所產生之電場方向正交之方式旋轉。位於像素電極21之附近之液晶分子30雖然容易受到邊緣電場之影響，但由於具有負之介電異向性之液晶分子30之極化方向位於分子之短軸，故而其長軸方向不會向相對於配向膜4正交之方向旋轉，液晶層5內之全部液晶分子30之長軸方向可維持相對於配向膜4平行之方向。因此，與使用具有正之介電異向性之液晶分子30之FFS型液晶顯示元件相比，可獲得優異之穿透率特性。
使用圖1~圖4所說明之FFS型液晶顯示元件係一例，可於不脫離本發明之技術思想之範圍內以其他各種形態進行實施。例如，圖5係將圖1中之形成於基板2上之電極層3之由II線所包圍之區域放大之俯視圖之另一例。如圖5所示，像素電極21亦可設為具有狹縫之構成。又，亦可以相對於閘極匯流線26或資料匯流線25具有傾斜角之方式形成狹縫之圖案。
又，圖6係沿圖2中之III-III線方向將圖1中所示之液晶顯示元件切斷之剖視圖之另一例。圖6所示之例中，使用梳形或具有狹縫之共通電極22，像素電極21與共通電極22之電極間距離為R=α。進而，圖3中，示出了共通電極22形成於閘極絕緣膜12上之例，但亦可如圖6所示般將共通電極22形成於第一基板2上，介隔閘極絕緣膜12設置像素電極21。像素電極21之電極寬度：l、共通電極22之電極寬度：n、及電極間 距離：R較佳為適當地調整為可藉由所產生之電場驅動液晶層5內之全部液晶分子之程度之寬度。
IPS型液晶顯示元件係以像素電極與共通電極之間之與基板水平之方向之電極間距離：R小於對向之第一基板與第二基板之距離：G之方式形成。因此，IPS型液晶顯示元件可如圖6所示般像素電極較共通電極設置於更偏液晶層側，又，亦可如圖7所示般像素電極41及共通電極42以於同一面上相隔地咬合之狀態設置。
又，FFS模式之液晶顯示元件中，於向第一基板2與第二基板7之間注入液晶層5時，例如實施真空注入法或滴下注入(ODF：One Drop Fill)法等方法，但本案發明中，於ODF法中，可抑制將液晶組成物滴下至基板時之滴下痕之產生。再者，所謂滴下痕，定義為如下現象：於進行黑顯示之情形時，滴下液晶組成物之痕呈白色浮現。
滴下痕之產生係受到所注入之液晶材料較大之影響者，進而，即便基於顯示元件之構成，亦無法避免其影響。於FFS模式之液晶顯示元件中，形成於顯示元件中之薄膜電晶體、及梳形或具有狹縫之像素電極21等中僅存在較薄之配向膜4、或較薄之配向膜4與較薄之絕緣保護層18等將液晶組成物隔開之構件，因此，無法完全阻隔離子性物質之可能性較高，無法避免因構成電極之金屬材料與液晶組成物之相互作用而引起之滴下痕之產生，但藉由於FFS型液晶顯示元件中組合使用本案發明之液晶組成物，可抑制滴下痕之產生。
又，於利用ODF法之液晶顯示元件之製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸而滴下最佳之液晶注入量，但本案發明之液晶組成 物中，例如，對於液晶滴下時所產生之滴下裝置內之急遽之壓力變化或衝擊之影響較少，可長時間穩定地持續滴下液晶，故而亦可將液晶顯示元件之良率保持為較高。尤其，於多用於最近流行之智慧型手機之小型液晶顯示元件中，最佳之液晶注入量較少，故而，將與最佳值之偏差控制為一定範圍內本身較難，但藉由使用本案發明之液晶組成物，即便於小型液晶顯示元件中亦可實現穩定之液晶材料之吐出量。
若將本發明之液晶組成物應用於如FFS型、IPS型之橫向電場型顯示元件中，則跳動(閃爍)減少，液晶顯示元件之穿透率提高。認為其原因在於：於將△ε為負之液晶組成物應用於橫向電場型液晶顯示元件中之情形時，使用誘發水平配向之配向膜等而以液晶分子相對於基板面平行之方式使其配向，但若使用該液晶組成物，則施加電壓時所發生之因彎電效應所致之液晶分子之配向之變化減少。即，若使用本發明之液晶組成物，則因彎電效應所致之液晶分子之配向之變化減少，其結果，跳動(閃爍)減少，又，穿透率提高。
[實施例]
以下，列舉實施例更加詳細地對本發明進行說明，但本發明不限定於該等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中之「%」意指『質量%』。
於實施例中，關於化合物之記載，使用以下之簡稱。再者，n表示自然數。
(側鏈)
-n -CnH2n+1碳原子數n之直鏈狀之烷基
(連結基)
(環結構)
實施例中所測定之特性如下。
Tni：向列相-等向性液體相轉移溫度(℃)
△n：於20℃之折射率異向性
△ε：於20℃之介電異向性
最高穿透率：液晶顯示元件中之穿透率係將液晶組成物注入前之元件之穿透率設為100%而測定液晶組成物注入後之元件之穿透率時之值。又，於△n相差較大之組成物之情形時，調整單元厚度，以△nd變得大致相同之方式進行調整。
跳動(閃爍)評價：於FFS型顯示元件之情形時，施加電壓為6V，施加頻率60Hz之矩形波，又，於IPS型顯示元件之情形時，施加電壓為40V， 施加頻率60Hz之矩形波，利用光電倍增器光接收施加電壓時之穿透光量之變化，將光電倍增器之輸出電壓經由放大器輸入至示波器。藉由示波器測定穿透光量之變化。
將施加波形之1/2圖框間之穿透率之變化除以1/2圖框間之最大穿透率而以百分比表示之值設為閃爍率。
◎：閃爍率未達1.5%(非常良好)
○：閃爍率為1.5~2.5%(可容許之等級)
△：閃爍率為2.5~5%(無法容許之等級)
×：閃爍率為5以上(非常差)
殘像評價：液晶顯示元件之殘像評價係於顯示區域內使特定之固定圖案顯示1000小時後，藉由目視以如下四個階段對進行整個畫面均勻之顯示時之固定圖案之殘像之等級進行評價。
◎無殘像
○存在極少之殘像，可容許之等級
△存在殘像，無法容許之等級
×存在殘像，非常差
滴下痕：液晶顯示裝置之滴下痕之評價係藉由目視以如下四個階段對進行整個面黑顯示之情形時之呈白色浮現之滴下痕進行評價。
◎無殘像
○存在極少之殘像，可容許之等級
△存在殘像，無法容許之等級
×存在殘像，非常差
(實施例1~3及比較例1~3)
製備以下之表1及表2中所示之實施例1~10、比較例1~3之液晶組成物，並測定其物性值。液晶組成物之構成與其物性值之結果如表1所示。再者，表中之「(i)/[(N)+(i)]」表示通式(i)所表示之化合物相對於在分子內具有1個或2個以上之
所表示之基之化合物之總量([(N)+(i)])之比例。
又，將各液晶組成物注入圖1~圖4中所示之FFS型液晶顯示元件用面板，製作FFS型液晶顯示元件，進行最高穿透率、跳動、殘像評價及滴下痕評價。
如實施例1~11所示，本發明之液晶顯示元件係使用Tni較小且△n及△ε顯示足夠大之值之液晶組成物，獲得了跳動受到抑制，具有優異之最高穿透率，又，可抑制殘像及滴下痕之產生，具有優異顯示特性之液晶顯示元件。
(實施例12~14及比較例4)
製備以下之表3中所示之實施例12~14及比較例4之液晶 組成物，將各液晶組成物注入圖1~圖4中所示之FFS型液晶顯示元件用面板，製作FFS型液晶顯示元件，進行最高穿透率、跳動、殘像評價及滴下痕評價。
如實施例12~14所示，本發明之液晶顯示元件獲得了跳動受到抑制，具有優異之最高穿透率，又，可抑制殘像及滴下痕之產生，具 有優異之顯示特性之液晶顯示元件。
(實施例15~16及比較例5)
將實施例2、實施例3、比較例1中所使用之液晶組成物注入線與間隙為5/5μm之IPS單元，以同樣之方式進行評價。
如實施例15、16所示，本發明之液晶顯示元件獲得了跳動受到抑制，具有優異之最高穿透率，又，可抑制殘像及滴下痕之產生，具有優異之顯示特性之液晶顯示元件。
1、8‧‧‧偏光板
2‧‧‧第一基板
3‧‧‧電極層
4‧‧‧配向膜
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧彩色濾光片
7‧‧‧第二基板
11‧‧‧閘極電極
12‧‧‧閘極絕緣膜
13‧‧‧半導體層
14‧‧‧絕緣層
15‧‧‧歐姆接觸層
16‧‧‧汲極電極
17‧‧‧源極電極
18‧‧‧絕緣保護層
21‧‧‧像素電極
22‧‧‧共通電極

Claims (9)

  1. 一種液晶顯示元件，其具有：第一基板及第二基板，其等對向地配置；液晶層，其含有夾持於上述第一基板及第二基板之間之液晶組成物；第一電極，其設置於上述第一基板上；及第二電極，其設置於上述第一基板上，且與上述第一電極之間產生電場；並且，上述液晶組成物含有1種或2種以上之通式(a)所表示之化合物、及1種或2種以上之通式(i)所表示之化合物， (式中，Ra1及Ra2分別獨立地表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-O-或-S-，又，該基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，Ma1及Ma2分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之 -CH=亦可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，Za1及Za2分別獨立地表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-COO-、-OCO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，但1個或2個以上之Za1表示-CH2CH2-，ma1表示1、2或3，ma2表示0、1或2，ma1+ma2為1、2或3，於存在複數個Ma1及Za1之情形時，其等可相同亦可不同，於存在複數個Ma2及Za2之情形時，其等可相同亦可不同) (式中，Ri1及Ri2分別獨立地表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該基中之1個或2個以上之-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-O-或-S-，又，該基中存在之1個或2個以上之氫原子亦可分別獨立地被取代為氟原子或氯原子，Ai1分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=) 所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，Zi1表示-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，Zi2表示單鍵、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-或-CF2O-，但與Ri1直接鍵結之Zi2表示單鍵，mi1表示1~3之整數，於存在複數個Ai1及Zi1之情形時，其等可相同亦可不同；其中，於通式(i)中，通式(a)所表示之化合物除外)，且於分子內具有1個或2個以上之 所表示之基之化合物之液晶組成物中之總量中，通式(i)所表示之化合物之含量之總量為0.1~40質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中，上述液晶組成物進而含有1種或2種以上之選自通式(N-1)~通式(N-3)所表示之化合物群中之化合物， (式中，RN11、RN12、RN21、RN22、RN31及RN32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31及AN32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)(c)1,4-環己烯基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可被取代為-O-)及(d)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代， ZN11及ZN12分別獨立地表示單鍵、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31及ZN32分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，XN21表示氫原子或氟原子，TN31表示-CH2-或氧原子，nN11、nN12、nN21、nN22、nN31及nN32分別獨立地表示0~3之整數，但nN11+nN12、nN21+nN22及nN31+nN32分別獨立地為1、2或3，於存在複數個AN11~AN32、ZN11~ZN32之情形時，其等可相同亦可不同；其中，於通式(N-1)及通式(N-2)中，通式(a)所表示之化合物除外，又，於通式(N-2)及通式(N-3)中，通式(N-1)所表示之化合物除外，進而，於通式(N-3)中，通式(N-1)所表示之化合物除外)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示元件，其中，上述液晶組成物進而含有1種或2種以上之通式(L)所表示之化合物， (式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~10之烷基，該烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH2-亦可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，nL1表示0、1、2或3，AL1、AL2及AL3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中存在之1個-CH2-或不鄰接之2個以上之 -CH2-亦可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(該基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中存在之1個-CH=或不鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，ZL1及ZL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於存在複數個AL2或ZL3之情形時，其等可相同亦可不同；其中，於通式(L)中，通式(a)、通式(i)、通式(N-1)、通式(N-2)及通式(N-3)所表示之化合物除外)。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液晶顯示元件，其中，通式(a)所表示之化合物之含量於液晶組成物中為10質量%~80質量%。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液晶顯示元件，其中，通式(N-1)~通式(N-3)所表示之化合物之含量之總量於液晶組成物中為50質量%以下。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液晶顯示元件，其中，通式(L)所表示之化合物之含量於液晶組成物中為3質量%~50質量%。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之液晶顯示元件，其用於FFS模 式。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之液晶顯示元件，其用於IPS模式。
  9. 一種液晶組成物，其係申請專利範圍第1至8項中任一項中之液晶組成物。
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