TW201715013A - 研磨材及研磨材的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種研磨速率及平坦化精度優異且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降的研磨材。本發明的研磨材包括基材、積層於該基材的表面側且包含研磨粒及其黏合劑的研磨層、及積層於所述基材的背面側的黏接層，其特徵在於：所述研磨粒為金剛石研磨粒，藉由泰伯磨耗試驗而得的所述研磨層的磨耗量為0.03 g以上、0.18 g以下，且自所述研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度為80°以上、98°以下。所述黏合劑的主成分可為無機物。所述黏合劑可含有以無機氧化物為主成分的填充劑。所述研磨層可於表面包括多個槽。所述研磨層可利用印刷法形成。

Description

研磨材及研磨材的製造方法
本發明是有關於一種研磨材及研磨材的製造方法。
近年來，硬碟等電子設備的精密化推進。作為此種電子設備的基板材料，考慮到可對應小型化或薄型化的剛性、耐衝擊性及耐熱性，使用玻璃的情況多。該玻璃基板為脆性材料，由於表面的損傷而明顯地損及機械強度。因此，對於此種基板的研磨，不僅要求研磨速率，而且要求損傷少的平坦化精度。
通常若欲提高精加工的平坦化精度，則存在加工時間變長的傾向，研磨速率與平坦化精度為相互取捨關係。因此，難以使研磨速率與平坦化精度併存。對此，為了研磨速率與平坦化精度的併存，提出了包括分散有研磨粒子與填充劑的研磨部的研磨材（參照日本專利特表2002-542057號公報）。
但是，如上所述的現有研磨材若實施一定時間的研磨，則由於研磨粒的磨平或研磨層表面的堵塞而研磨速率下降。為了使該下降的研磨速率再生，需要進行所謂的修整（dress），即，將研磨材的表面削落而使新的面出現於表面。於該修整前後亦需要進行研磨材的清掃，該修整為需要時間的作業。於修整的期間，玻璃基板的研磨被中斷，因此關於所述現有研磨材，由於進行修整而引起的研磨效率的下降大。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2002-542057號公報
[發明所欲解決的課題] 本發明是鑒於所述不良情況而形成，目的在於提供一種研磨速率及平坦化精度優異、且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降的研磨材。 [解決課題的手段]
為了解決所述課題而形成的發明為一種研磨材，其包括：基材；研磨層，積層於該基材的表面側，且包含研磨粒及其黏合劑；以及黏接層，積層於所述基材的背面側；所述研磨材的特徵在於：所述研磨粒為金剛石研磨粒，藉由泰伯（Taber）磨耗試驗而得的所述研磨層的磨耗量為0.03 g以上、0.18 g以下，且自所述研磨層的表面側測定而得的阿斯卡（Asker）D硬度為80°以上、98°以下。
該研磨材由於將自研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度設為所述範圍內，且將研磨粒設為金剛石研磨粒，故而藉由其硬度，研磨速率及平坦化精度優異。另外，該研磨材由於將藉由泰伯磨耗試驗而得的所述研磨層的磨耗量設為所述範圍內，故而新的研磨粒容易露出於研磨層表面，歷經比較長的期間而研磨速率難以下降。因此，該研磨材不僅可達成優異的研磨速率與平坦化精度的併存，而且可降低進行修整的頻率，故而研磨效率優異。
所述黏合劑的主成分可為無機物。以無機物作為主成分的黏合劑的研磨粒的保持力優異，研磨粒難以脫粒。因此，藉由將所述黏合劑的主成分設為無機物，而進一步提高研磨速率。
所述黏合劑可含有以無機氧化物作為主成分的填充劑。如上所述，藉由所述黏合劑包含以無機氧化物作為主成分的填充劑，則所述黏合劑的彈性模數提高，容易控制研磨層的磨耗。
所述研磨層可於表面包括多個槽。如上所述，藉由於研磨層的表面配設多個槽，則能夠容易控制對所加工的玻璃基板的面壓或研磨作用點數，因此進一步提高平坦化精度。
所述研磨層可利用印刷法來形成。如上所述，藉由利用印刷法來形成研磨層，則形成研磨層時研磨粒容易露出於研磨層表面，因此自使用開始時起便可實現優異的研磨速率。
因此，該研磨材適合用於玻璃等基板的平面研磨。
為了解決所述課題而形成的另一發明為一種研磨材的製造方法，其為包括基材、積層於該基材的表面側且包含研磨粒及其黏合劑的研磨層、以及積層於所述基材的背面側的黏接層的研磨材的製造方法，所述研磨材的製造方法的特徵在於：包括藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層的步驟，並且所述研磨層用組成物含有金剛石研磨粒，於所述研磨層形成步驟中，形成藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量為0.03 g以上、0.18 g以下，且自研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度為80°以上、98°以下的研磨層。
關於該研磨材的製造方法，由於所述研磨層用組成物含有金剛石研磨粒，並且於所述研磨層形成步驟中形成自研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度為所述範圍內、且藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量為所述範圍內的研磨層，故而可製造研磨速率及平坦化精度優異、且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降的研磨材。另外，該研磨材的製造方法由於藉由研磨層用組成物的印刷而形成研磨層，故而於形成研磨層時研磨粒容易露出於研磨層表面。因此，利用該研磨材的製造方法來製造的研磨材可自使用開始時起便實現優異的研磨速率。進而，該研磨材的製造方法由於藉由研磨層用組成物的印刷而形成研磨層，故而製造效率良好。
此處，所謂「阿斯卡D硬度」，是指於將包括基材、研磨層及黏接層的研磨材固定於支持體上的狀態下，依據JIS-K-6253：2012，利用阿斯卡D橡膠硬度計來測定的值。
另外，「磨耗量」是準備試驗片（平均直徑為104 mm、平均厚度300 μm），使用泰伯磨耗試驗機，以磨耗輪H-18、負重4.9 N（500 gf）的條件使所述試驗片旋轉320轉，測定320轉前後的試驗片的質量差而得的值。所謂「主成分」是指含量最多的成分，例如含量為50質量%以上的成分。 [發明的效果]
如以上所說明，本發明的研磨材的研磨速率及平坦化精度優異，且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降。
以下，適當參照圖式來對本發明的實施形態進行詳細說明。
[研磨材] 圖1A及圖1B所示的研磨材1包括：基材10；研磨層20，積層於該基材10的表面側；以及黏接層30，積層於所述基材10的背面側。另外，該研磨材1包括：支持體40，經由所述黏接層30而積層；以及第二黏接層31，積層於所述支持體40的背面側。
＜基材＞ 基材10是用以支持研磨層20的構件。基材10的形狀為板狀。
基材10的材質並無特別限定，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚丙烯（polypropylene，PP）、聚乙烯（polyethylene，PE）、聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate，PEN）、芳族聚醯胺（aramid）、鋁、銅等。其中較佳為與研磨層20的黏接性良好的鋁。另外，亦可對基材10的表面實施化學處理、電暈處理、底塗處理等提高黏接性的處理。
另外，基材10可具有可撓性或者延展性。如上所述，藉由基材10具有可撓性或延展性，則該研磨材1追隨玻璃基板的表面形狀，研磨面與玻璃基板的接觸面積變大，因此研磨速率進一步提高。此種具有可撓性的基材10的材質例如可列舉PET或PI等。另外，具有延展性的基材10的材質可列舉鋁或銅等。
基材10的形狀及大小並無特別限制，例如可設為一邊為140 mm以上、160 mm以下的正方形形狀或外徑為600 mm以上、650 mm以下以及內徑為200 mm以上、250 mm以下的圓環狀。另外，亦可為並置於平面上的多個基材10由單一的支持體所支持的構成。
基材10的平均厚度並無特別限制，例如可設為75 μm以上、1 mm以下。於基材10的平均厚度小於所述下限的情況下，存在該研磨材1的強度或平坦性不足的顧慮。另一方面，於基材10的平均厚度超出所述上限的情況下，存在該研磨材1變得過厚，操作變得困難的顧慮。
＜研磨層＞ 研磨層20包含研磨粒21及其黏合劑22。另外，研磨層20於表面包括多個槽23。研磨層20藉由該槽23而被劃分為多個區域（凸狀部24）。
研磨層20的平均厚度（僅凸狀部24部分的平均厚度）並無特別限制，研磨層20的平均厚度的下限較佳為100 μm，更佳為130 μm。另一方面，研磨層20的平均厚度的上限較佳為1000 μm，更佳為800 μm。於研磨層20的平均厚度小於所述下限的情況下，存在研磨層20的耐久性不足的顧慮。相反，於研磨層20的平均厚度超出所述上限的情況下，存在該研磨材1變得過厚，操作變得困難的顧慮。
研磨層20的藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量的下限為0.03 g，更佳為0.06 g，尤佳為0.12 g。另一方面，研磨層20的藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量的上限為0.18 g，更佳為0.17 g，尤佳為0.16 g。於研磨層20的藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量小於所述下限的情況下，於玻璃基板研磨時新的研磨粒21難以露出於研磨層20的表面，故而存在產生研磨速率的下降的顧慮。相反，於研磨層20的藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量超出所述上限的情況下，玻璃基板研磨時的研磨層20的磨損變快，故而存在該研磨材1的耐久性不足的顧慮。
研磨層20可利用印刷法來形成。如上所述，藉由利用印刷法來形成研磨層20，則於形成研磨層20時，研磨粒21容易露出於研磨層20表面，故而自該研磨材1於玻璃基板研磨中的使用開始時起研磨速率便優異。
（研磨粒） 研磨粒21為金剛石研磨粒。該金剛石研磨粒可為單晶，亦可為多晶，另外，亦可為經Ni塗佈等處理的金剛石。
研磨粒21的平均粒徑的下限較佳為2 μm，更佳為5 μm。另一方面，研磨粒21的平均粒徑的上限較佳為50 μm，更佳為40 μm。於研磨粒21的平均粒徑小於所述下限的情況下，存在玻璃基板研磨時的研磨速率變得不充分的顧慮。相反，於研磨粒21的平均粒徑超出所述上限的情況下，存在玻璃基板研磨的平坦化精度變得不充分的顧慮。此處，所謂「平均粒徑」是指利用雷射繞射法等來測定的體積基準的累積粒度分佈曲線的50%值（50%粒徑、D50）。
研磨粒21相對於研磨層20的含量的下限較佳為3體積%，更佳為5體積%。另一方面，研磨粒21相對於研磨層20的含量的上限較佳為55體積%，更佳為35體積%。於研磨粒21相對於研磨層20的含量小於所述下限的情況下，存在玻璃基板研磨時的研磨速率變得不充分的顧慮。相反，於研磨粒21相對於研磨層20的含量超出所述上限的情況下，存在研磨層20難以保持研磨粒21的顧慮。
（黏合劑） 黏合劑22的主成分並無特別限定，例如可設為無機物或者樹脂。
所述樹脂可列舉：聚胺基甲酸酯、多酚、環氧、聚酯、纖維素、乙烯共聚物、聚乙烯基縮醛、聚丙烯基[丙烯酸]、丙烯酯[丙烯酸酯]、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺等樹脂。其中，較佳為容易確保對基材10的良好密合性的聚丙烯基[丙烯酸]、環氧、聚酯及聚胺基甲酸酯。另外，所述樹脂的至少一部分亦可進行交聯。
所述無機物可列舉：矽酸鹽、磷酸鹽、多價金屬烷氧化物等。
黏合劑22的主成分可設為無機物，其中較佳為研磨粒21的保持力優異的矽酸鹽。此種矽酸鹽可列舉矽酸鈉或矽酸鉀等。
另外，於黏合劑22的主成分為無機物的情況下，黏合劑22可含有以無機氧化物作為主成分的填充劑。如上所述，藉由黏合劑22含有以無機氧化物作為主成分的填充劑，則黏合劑22的彈性模數提高，容易控制研磨層20的磨耗。
所述無機氧化物例如可列舉：氧化鋁、二氧化矽、氧化鈰、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈦等氧化物以及二氧化矽-氧化鋁、二氧化矽-氧化鋯、二氧化矽-氧化鎂等複合氧化物等。該些可單獨使用，亦可視需要將兩種以上組合使用。其中較佳為獲得優異的研磨力的氧化鋁。
所述填充劑的平均粒徑雖亦依存於研磨粒21的平均粒徑，但例如可設為0.01 μm以上、20 μm以下。於所述填充劑的平均粒徑小於所述下限的情況下，存在由所述填充劑引起的黏合劑22的彈性模數下降，研磨層20的磨耗的控制變得不充分的顧慮。相反，於所述填充劑的平均粒徑超出所述上限的情況下，存在填充劑阻礙研磨粒21的研磨力的顧慮。
另外，所述填充劑的平均粒徑可小於研磨粒21的平均粒徑。所述填充劑的平均粒徑相對於研磨粒21的平均粒徑的比的下限較佳為0.1，更佳為0.2。另一方面，所述填充劑的平均粒徑相對於研磨粒21的平均粒徑的比的上限較佳為0.8，更佳為0.6。於所述填充劑的平均粒徑相對於研磨粒21的平均粒徑的比小於所述下限的情況下，存在由所述填充劑引起的黏合劑22的彈性模數下降，研磨層20的磨耗的控制變得不充分的顧慮。相反，於所述填充劑的平均粒徑相對於研磨粒21的平均粒徑的比超出所述上限的情況下，存在填充劑阻礙研磨粒21的研磨力的顧慮。
所述填充劑相對於研磨層20的含量雖亦依存於研磨粒21的含量，但所述填充劑相對於研磨層20的含量的下限較佳為15體積%，更佳為30體積%。另一方面，所述填充劑相對於研磨層20的含量的上限較佳為75體積%，更佳為60體積%。於所述填充劑相對於研磨層20的含量小於所述下限的情況下，存在由所述填充劑引起的黏合劑22的彈性模數下降，研磨層20的磨耗的控制變得不充分的顧慮。相反，於所述填充劑相對於研磨層20的含量超出所述上限的情況下，存在填充劑阻礙研磨粒21的研磨力的顧慮。
進而，於黏合劑22中，亦可視目的而適當含有分散劑、偶合劑、界面活性劑、潤滑劑、消泡劑、著色劑等各種助劑、添加劑等。
（槽） 槽23於研磨層20的表面配設為等間隔的格子狀。即，所述多個凸狀部24的形狀為規則性排列的方塊圖案狀。另外，將凸狀部24加以劃分的槽23的底面是由基材10的表面所構成。
槽23的平均寬度的下限較佳為0.3 mm，更佳為0.5 mm。另一方面，槽23的平均寬度的上限較佳為10 mm，更佳為8 mm。於槽23的平均寬度小於所述下限的情況下，存在藉由研磨而產生的研磨粉於槽23中塞滿的顧慮。另一方面，於槽23的平均寬度超出所述上限的情況下，存在於玻璃基板研磨時在玻璃基板上產生損傷的顧慮。
凸狀部24的平均面積的下限較佳為1 mm2 ，更佳為2 mm2 。另一方面，凸狀部24的平均面積的上限較佳為150 mm2 ，更佳為130 mm2 。於凸狀部24的平均面積小於所述下限的情況下，存在凸狀部24自基材10上剝離的顧慮。相反，於凸狀部24的平均面積超出所述上限的情況下，存在於玻璃基板研磨時研磨層20對玻璃基板的接觸面積過度變大，由於摩擦阻抗而研磨速率下降的顧慮。
多個凸狀部24相對於研磨層20整體的面積佔有率的下限較佳為5%，更佳為10%。另一方面，多個凸狀部24相對於研磨層20整體的面積佔有率的上限較佳為60%，更佳為55%。於多個凸狀部24相對於研磨層20整體的面積佔有率小於所述下限的情況下，由於研磨時施加的壓力過度集中於狹窄的凸狀部24，故而存在凸狀部24自基材10上剝離的顧慮。相反，於多個凸狀部24相對於研磨層20整體的面積佔有率超出所述上限的情況下，存在於玻璃基板研磨時研磨層20對玻璃基板的接觸面積過度變大，由於摩擦阻抗而研磨速率下降的顧慮。此處，「研磨層整體的面積」為亦包含研磨層的槽的面積的概念。
（黏接層） 黏接層30是於用以安裝於研磨裝置中的支持體40上固定該研磨材1的層。
該黏接層30中使用的黏接劑並無特別限定，例如可列舉：反應型黏接劑、瞬間黏接劑、熱熔黏接劑、黏著劑等。
該黏接層30中使用的黏接劑較佳為黏著劑。藉由使用黏著劑來作為黏接層30中使用的黏接劑，可自支持體40上剝離該研磨材1而換貼，因此該研磨材1及支持體40的再利用變得容易。此種黏著劑並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、丙烯酸-橡膠系黏著劑、天然橡膠系黏著劑、丁基橡膠系等合成橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑等。
黏接層30的平均厚度的下限較佳為0.05 mm，更佳為0.1 mm。另外，黏接層30的平均厚度的上限較佳為0.3 mm，更佳為0.2 mm。於黏接層30的平均厚度小於所述下限的情況下，存在黏接力不足，研磨材1自支持體40上剝離的顧慮。另一方面，於黏接層30的平均厚度超出所述上限的情況下，存在例如因黏接層30的厚度而於將該研磨材1切割為所需形狀時帶來故障等作業性下降的顧慮。
（支持體） 支持體40經由黏接層30而積層於基材10的背面側，使該研磨材1的操作變得容易。
所述支持體40的材質可列舉：聚丙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯等具有熱塑性的樹脂，或聚碳酸酯、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯等工程塑膠。藉由對所述支持體40使用如上所述的材質，則所述支持體40具有可撓性，該研磨材1容易追隨玻璃基板的表面形狀，研磨面與玻璃基板變得容易接觸，因此研磨速率進一步提高。
所述支持體40的平均厚度例如可設為0.5 mm以上、3 mm以下。於所述支持體40的平均厚度小於所述下限的情況下，存在該研磨材1的強度不足的顧慮。另一方面，於所述支持體40的平均厚度超出所述上限的情況下，存在難以將所述支持體40安裝於研磨裝置上的顧慮或所述支持體40的可撓性不足的顧慮。
（第二黏接層） 第二黏接層31是將該研磨材1安裝於研磨裝置中並加以固定的層。
第二黏接層31可使用與黏接層30相同的黏接劑。另外，第二黏接層31可設為與黏接層30相同的平均厚度。
（研磨材的硬度） 自研磨層20的表面側測定而得的該研磨材1的阿斯卡D硬度的下限為80°，更佳為82°，尤佳為92°。另一方面，自研磨層20的表面側測定而得的該研磨材1的阿斯卡D硬度的上限為98°，更佳為97°，尤佳為96°。於自研磨層20的表面側測定的該研磨材1的阿斯卡D硬度小於所述下限的情況下，存在於玻璃基板研磨時研磨速率變得不充分的顧慮。另外，由於研磨層20的形狀畸變，研磨層20對玻璃基板的抵接的方法不穩定，於每次研磨時研磨速率容易變動，因此存在難以預先決定應終止的時間來進行研磨的顧慮。相反，於自研磨層20的表面側測定而得的該研磨材1的阿斯卡D硬度超出所述上限的情況下，存在於玻璃基板研磨時產生玻璃基板的缺損或破裂等的顧慮。
如以上所述，該研磨材1不僅達成優異的研磨速率與平坦化精度的併存，而且研磨速率難以下降。因此，該研磨材1可適合用於玻璃等基板的平面研磨。
＜研磨材的製造方法＞ 該研磨材1可藉由以下步驟來製造：準備研磨層用組成物的步驟、藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層20的步驟以及於基材10的背面側積層支持體40的步驟。
首先，於研磨層用組成物準備步驟中，準備包含以無機物作為主成分的黏合劑22的形成材料、填充劑及金剛石研磨粒21的研磨層用組成物作為塗敷液。另外，為了控制塗敷液的黏度或流動性，而添加水、醇等稀釋劑等。
繼而，於研磨層形成步驟中，使用所述研磨層用組成物準備步驟中準備的塗敷液，於基材10表面，利用印刷法來形成包括由槽23所劃分的多個凸狀部24的研磨層20。為了形成該槽23，準備具有與槽23的形狀對應的形狀的遮罩，經由該遮罩而印刷所述塗敷液。該印刷方式例如可使用網版印刷、金屬遮罩印刷等。
藉由使該印刷的塗敷液進行加熱脫水以及加熱硬化而形成研磨層20。具體而言，例如使塗敷液於室溫（25℃）下乾燥30分鐘以上，藉由70℃以上、90℃以下的熱來使其加熱脫水1小時以上，然後藉由140℃以上、160℃以下的熱來使其於2小時以上、4小時以下的範圍內硬化，從而形成黏合劑22。
研磨層20的藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量例如可藉由研磨層用組成物準備步驟的填充劑的含量來調整。具體而言，為了使藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量增大，可增加填充劑的含量。另外，自研磨層20的表面側測定而得的該研磨材1的阿斯卡D硬度例如可藉由研磨層20的平均厚度來調整。具體而言，為了使阿斯卡D硬度增大，亦可增大研磨層20的厚度。藉由進行如上所述的調整，該研磨材的製造方法可於所述研磨層形成步驟中，形成自研磨層20的表面側測定而得的該研磨材1的阿斯卡D硬度以及藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗量為既定範圍內的研磨層20。
最後，於支持體積層步驟中，經由黏接層30來積層支持體40。進而於支持體40的背面貼附第二黏接層31。如上所述可製造該研磨材1。
＜優點＞ 該研磨材1由於將自研磨層20的表面側測定而得的阿斯卡D硬度設為既定範圍內，且將研磨粒21設為金剛石研磨粒，故而研磨速率及平坦化精度優異。另外，該研磨材1由於將藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層20的磨耗量設為既定範圍內，故而新的研磨粒21容易露出於研磨層20表面，歷經比較長的期間而研磨速率難以下降。因此，該研磨材1不僅達成優異的研磨速率與平坦化精度的併存，而且可降低進行修整的頻率，故而研磨效率優異。
另外，該研磨材的製造方法由於可藉由研磨層用組成物的印刷來形成研磨層20，故而製造效率良好。
[其他的實施形態] 本發明並不限定於所述實施形態，除了所述形態以外，能夠以施加了多種變更、改良的形態來實施。
所述實施形態中，雖將槽構成為等間隔的格子狀，但格子的間隔亦可不為等間隔，例如亦可於縱方向與橫方向上改變間隔。但，於槽的間隔不同的情況下，存在研磨中產生各向異性的顧慮，因此較佳為等間隔。
另外，槽的平面形狀亦可不為格子狀，例如亦可為四邊形以外的多邊形重複的形狀、圓形形狀、具有多個平行的線的形狀等，亦可為同心圓狀。
進而，所述實施形態中，雖已對研磨層包括多個槽的情況進行了說明，但該槽並非必需的構成要件，可省略。例如該研磨材亦可設為於基材表面一樣地積層有研磨層的構成。
所述實施形態中，作為研磨層的印刷法，雖已對使用遮罩來同時形成研磨層與槽的方法進行了說明，但亦可於在基材表面的整個面上印刷研磨層用組成物而形成研磨層後，藉由蝕刻加工或雷射加工等來形成槽。
另外，所述實施形態中，雖已對利用印刷法來形成研磨層的情況進行了說明，但研磨層的形成方法亦可利用其他方法、例如噴霧塗佈或棒塗佈等來形成。
所述實施形態中，雖已對在支持體的背面側包括第二黏接層的情況進行了說明，但黏接層並非必需的構成要件，可省略。進而，支持體亦非必需的構成要件，亦可與第二黏接層一併省略。 [實施例]
以下，列舉實施例及比較例來對本發明進一步進行詳細說明，但該發明並不限定於以下的實施例。
[實施例1] 準備金剛石研磨粒（蘭斯（Lans）公司的「LS605FN」），使用日機裝股份有限公司的「麥奇克（Microtrac）MT3300EXII」來測量平均粒徑。該金剛石研磨粒的平均粒徑為7.5 μm。此外，該研磨粒的金剛石的種類為經55質量%鎳塗佈的處理金剛石。
將作為黏合劑的矽酸鈉（富士化學股份有限公司的「3號矽酸鈉」）、所述金剛石研磨粒、以及作為填充劑的氧化鋁（Al2 O3 ，太平洋藍登（Pacific Rundum）股份有限公司的「LA4000」，平均粒徑為4 μm）進行混合，以金剛石研磨粒相對於研磨層的含量成為30體積%以及填充劑相對於研磨層的含量成為40體積%的方式來製備，獲得塗敷液。
準備平均厚度為300 μm的鋁板作為基材，使用所述塗敷液，於該基材的表面，藉由印刷而形成具有格子狀槽的研磨層。此外，藉由使用與槽對應的遮罩作為印刷的圖案，於研磨層上形成槽。表面為由槽所劃分的多個區域的凸狀部設為俯視時為一邊3 mm的正方形形狀，研磨層的平均厚度設為300 μm。所述凸狀部設為規則性排列的方塊圖案狀，凸狀部相對於研磨層整體的面積佔有率設為36%。此外，使塗敷液於室溫（25℃）下乾燥30分鐘以上，於80℃下加熱脫水1小時以上後，於150℃下以2小時以上、4小時以下的時間進行硬化。
另外，作為對基材加以支持而固定於研磨裝置上的支持體，使用平均厚度為1 mm的硬質氯乙烯樹脂板（他喜龍（Takiron）股份有限公司的「SP770」），將所述基材的背面及所述支持體的表面、與所述支持體的背面及後述研磨機的壓盤，分別以平均厚度為130 μm的黏著劑貼合。所述黏著劑使用雙面膠帶（積水化學股份有限公司的「#5605HGD」）。以所述方式獲得實施例1的研磨材。
[實施例2] 除了於實施例1的研磨層的形成中，將凸狀部相對於研磨層整體的面積佔有率設為25%以外，以與實施例1相同的方式獲得實施例2的研磨材。
[實施例3] 準備金剛石研磨粒（蘭斯（Lans）公司的「LS605FN」），使用日機裝股份有限公司的「麥奇克（Microtrac）MT3300EXII」來測量平均粒徑。該金剛石研磨粒的平均粒徑為35 μm。此外，該研磨粒的金剛石的種類為經55質量%鎳塗佈的處理金剛石。
將作為黏合劑的矽酸鈉（富士化學股份有限公司的「3號矽酸鈉」）、所述金剛石研磨粒、以及作為填充劑的氧化鋁（Al2 O3 ，太平洋藍登（Pacific Rundum）股份有限公司的「LA1200」，平均粒徑為12 μm）進行混合，以金剛石研磨粒相對於研磨層的含量成為5體積%以及填充劑相對於研磨層的含量成為71體積%的方式來製備，獲得塗敷液。
除了使用所述的塗敷液以外，以與實施例1相同的方式獲得實施例3的研磨材。
[實施例4] 除了於實施例3的研磨層的形成中，將研磨層的平均厚度設為600 μm以外，以與實施例3相同的方式獲得實施例4的研磨材。
[實施例5] 準備金剛石研磨粒（EID公司的「EDD-X-UM」），使用日機裝股份有限公司的「麥奇克（Microtrac）MT3300EXII」來測量平均粒徑。該金剛石研磨粒的平均粒徑為11 μm。此外，該研磨粒的金剛石的種類為多晶金剛石。
將作為黏合劑的矽酸鈉（富士化學股份有限公司的「3號矽酸鈉」）、所述金剛石研磨粒、以及作為填充劑的氧化鋁（Al2 O3 ，太平洋藍登（Pacific Rundum）股份有限公司的「LA4000」，平均粒徑為4 μm）進行混合，以金剛石研磨粒相對於研磨層的含量成為5體積%以及填充劑相對於研磨層的含量成為62.5體積%的方式來製備，獲得塗敷液。
除了使用所述的塗敷液以外，以與實施例1相同的方式獲得實施例5的研磨材。
[比較例1] 於實施例3的塗敷液製備中，以金剛石研磨粒相對於研磨層的含量成為5體積%以及填充劑相對於研磨層的含量成為71體積%的方式，將作為黏合劑的矽酸鉀（富士化學股份有限公司的「1號矽酸鉀」）以水稀釋來製備。除了所述以外，以與實施例3相同的方式獲得比較例1的研磨材。
[比較例2] 除了於基材的背面與支持體的表面的貼合時使用平均厚度為5 mm的超低硬度凝膠片（gel sheet）（北川工業股份有限公司的「G5VU2」）以外，以與實施例3相同的方式獲得比較例2的研磨材。
[比較例3] 除了於實施例3的塗敷液製備中，以填充劑相對於研磨層的含量成為50體積%的方式來製備以外，以與實施例3相同的方式獲得比較例3的研磨材。
[比較例4] 除了於實施例3的塗敷液製備中，以填充劑相對於研磨層的含量成為89體積%的方式來製備以外，以與實施例3相同的方式獲得比較例4的研磨材。
[比較例5] 將作為黏合劑的矽酸鈉（富士化學股份有限公司的「3號矽酸鈉」）、與研磨粒以及作為填充劑的氧化鋁（Al2 O3 ，太平洋藍登（Pacific Rundum）股份有限公司的「LA8000」，平均粒徑為30 μm）進行混合，以氧化鋁相對於研磨層的含量成為73體積%的方式來製備，獲得塗敷液。
除了使用所述的塗敷液以外，以與實施例1相同的方式獲得比較例5的研磨材。
＜評價方法＞ 使用所述實施例1～實施例5以及比較例1～比較例5中獲得的研磨材，進行藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗評價、硬度測定、以及研磨速率的算出。將評價結果示於表1中。
[藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗評價] 藉由泰伯磨耗試驗而得的磨耗評價中，對於所述實施例1～實施例5以及比較例1～比較例5中獲得每個研磨材，準備試驗片（平均直徑為104 mm、平均厚度為300 μm）。使用泰伯磨耗試驗機（泰伯儀器（Taber Instrument）公司的「MODEL174」），以磨耗輪H-18、負重4.9 N（500 gf）的條件使該試驗片旋轉320轉而使其磨耗。測定該320轉前後的試驗片的質量差[g]，作為磨耗量[g]。
[阿斯卡D硬度測定] 自研磨層的表面側測定而得的研磨材的阿斯卡D硬度測定是以如下狀態來進行：對於所述實施例1～實施例5及比較例1～比較例5中獲得的每個研磨材，於貼附於壓盤上之前，即於基材的背面經由第一黏接層而貼附支持體，進而於所述支持體的背面進一步貼附第二黏接層。測定中使用阿斯卡橡膠硬度計（高分子計器公司的「D型」）。
[研磨速率] 研磨速率是於玻璃基板的每一次研磨時，將研磨前後的基板的重量變化[g]除以玻璃基板的表面積[cm2 ]、玻璃基板的比重[g/cm3 ]以及研磨時間[分鐘]來算出。此外，玻璃基板的研磨條件如以下所述。
（研磨條件） 玻璃基板中，使用直徑為6.25 cm、比重為2.4的3塊鈉鈣玻璃（平岡特殊硝子製作股份有限公司製造）。另外，研磨中，使用市售的雙面研磨機（日本英格斯（Engis Japan）股份有限公司的「EJD-5B-3W」）。雙面研磨機的載體為厚度為0.4 mm的環氧玻璃。研磨是將研磨壓力設為150 g/cm2 ，於上壓盤轉數為60 rpm、下壓盤轉數為90 rpm及SUN齒輪轉數為10 rpm的條件下以15分鐘連續進行5次。此時，作為冷卻劑，以每分鐘120 cc來供給宮化學（Palace Chemical）股份有限公司的「LAP-P-32」。
[表1]
此外，表1中磨耗量的「-」是指未測定。研磨速率的「研磨層磨損」是指研磨層磨損而無法測定，比較例1的第5次的（19）是指於第5次終止時刻確認到研磨層磨損。另外，比較例3及比較例5的研磨速率的「-」是指未測定。比較例3由於與實施例3相比，研磨速率低，另外，第2次相對於第1次的研磨速率比下降至86%，故而未進行以後的測定。另外，比較例5由於第1次的研磨速率極低，故而未進行以後的測定。進而，表1中研磨速率比的「-」是指由於第1次或/及第5次的研磨結果不存在，故而無法算出將第5次的研磨速率除以第1次的研磨速率而得的研磨速率比。
根據表1，實施例1～實施例5的研磨材與比較例1～比較例5的研磨材相比，研磨速率比高，接近於100%。即，於第5次的研磨中亦獲得與第1次的研磨速率同等的研磨速率，可知實施例1～實施例5的研磨材於第5次的研磨中亦維持研磨速率。另外，若將磨耗量為同等的實施例3、實施例4及比較例2進行比較，則可知實施例3及實施例4的研磨速率大。由此認為，藉由將藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量設為既定範圍內，且將自研磨層的表面側測定而得的研磨材的阿斯卡D硬度設為既定範圍內，則實施例1～實施例5的研磨材的研磨速率大，且於第5次的研磨中亦維持研磨速率。
與此相對，比較例1及比較例4的研磨材由於藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量大於既定範圍，故而研磨層的磨耗過度進行，認為產生研磨層的磨損。相反，比較例3的研磨材由於藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量小於既定範圍，故而於玻璃基板研磨時新的研磨粒難以露出於研磨層表面，認為產生研磨速率的下降。另外，比較例2的研磨材由於自研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度小於既定範圍，故而藉由研磨層的形狀畸變，研磨層對玻璃基板的抵接的方法不穩定。因此認為，比較例2的研磨材於每次研磨時，研磨速率大幅度變化。另外，比較例5的研磨材由於研磨粒不為金剛石研磨粒，故而研磨速率小。
根據以上，研磨粒為金剛石研磨粒、藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量為既定範圍內、且自研磨層的表面側測定而得的研磨材的阿斯卡D硬度為既定範圍內的實施例1～實施例5的研磨材可謂研磨速率優異，且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降。 [產業上的可利用性]
依據本發明的研磨材，研磨速率及平坦化精度優異，且歷經比較長的期間而研磨速率難以下降。因此，該研磨材適合用於玻璃等基板的平面研磨。
1‧‧‧研磨材
10‧‧‧基材
20‧‧‧研磨層
21‧‧‧研磨粒
22‧‧‧黏合劑
23‧‧‧槽
24‧‧‧凸狀部
30‧‧‧黏接層
31‧‧‧第二黏接層
40‧‧‧支持體
圖1A是表示本發明的實施形態的研磨材的示意性平面圖。 圖1B是圖1A的A-A線的示意性剖面圖。
1‧‧‧研磨材
10‧‧‧基材
20‧‧‧研磨層
21‧‧‧研磨粒
22‧‧‧黏合劑
23‧‧‧槽
24‧‧‧凸狀部
30‧‧‧黏接層
31‧‧‧第二黏接層
40‧‧‧支持體

Claims (7)

  1. 一種研磨材，其包括：基材；研磨層，積層於所述基材的表面側，且包含研磨粒及其黏合劑；以及黏接層，積層於所述基材的背面側；所述研磨材的特徵在於： 所述研磨粒為金剛石研磨粒， 藉由泰伯磨耗試驗而得的所述研磨層的磨耗量為0.03 g以上、0.18 g以下，且 自所述研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度為80°以上、98°以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的研磨材，其中所述黏合劑的主成分為無機物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的研磨材，其中所述黏合劑含有以無機氧化物作為主成分的填充劑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的研磨材，其中所述研磨層於表面包括多個槽。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的研磨材，其中所述研磨層是利用印刷法而形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的研磨材，其用於基板的平面研磨。
  7. 一種研磨材的製造方法，其為包括基材、積層於所述基材的表面側且包含研磨粒及其黏合劑的研磨層、以及積層於所述基材的背面側的黏接層的研磨材的製造方法，所述研磨材的製造方法的特徵在於： 包括藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層的步驟， 所述研磨層用組成物含有金剛石研磨粒，且 於所述研磨層形成步驟中，形成藉由泰伯磨耗試驗而得的研磨層的磨耗量為0.03 g以上、0.18 g以下，且自研磨層的表面側測定而得的阿斯卡D硬度為80°以上、98°以下的研磨層。
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