TW201714211A - 化學機械硏磨半導體基板之方法 - Google Patents

化學機械硏磨半導體基板之方法 Download PDF

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李振彬
王君芳
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Abstract

提供一種化學機械研磨含氮化鈦與鈦之基板的方法，包含：提供化學機械研磨組成物，其包含下列作為初始成分：水；氧化劑；直線形聚亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧酸；鐵離子來源；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於化學機械研磨墊之研磨表面上，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面；其中該氮化鈦之至少一部分與鈦之至少一部分係以在氮化鈦與鈦之間具選擇性之方式研磨除去。

Description

化學機械研磨半導體基板之方法
本發明相關於化學機械研磨領域。特別是，本發明相關於一種化學機械研磨含氮化鈦與鈦之基板的方法，包含：提供化學機械研磨組成物，其包含下列作為初始成分：水；氧化劑；直線形聚亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧酸；鐵離子來源；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於化學機械研磨墊之研磨表面上，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面；其中該氮化鈦之至少一部分與鈦之至少一部分係以在氮化鈦與鈦之間具選擇性之方式研磨除去。
在製造積體電路與其他電子裝置時，多層導體、半導體與介電材料係沉積於或移除自半導體晶圓表面。導體、半導體與介電材料薄層可藉由數種沉積技術沉積。在現代製程中常見的沉積技術包括物理蒸氣沉積法 (PVD)，亦稱之為濺鍍法、化學蒸氣沉積法(CVD)、電漿增強化學蒸氣沉積法(PECVD)，以及電化學電鍍法(ECP)。
當各層材料依序沉積與移除，晶圓之最上層表面會變得不平坦。由於後續的半導體製程(如金屬化)需要晶圓具有平坦表面，因此該晶圓便需要平坦化。平坦化可移除不希望之表面幾何空間與表面缺陷，如粗糙表面、堆積材料、晶格受損、刮傷，以及受汙染層或材料。
化學機械平坦化，或化學機械研磨(CMP)，為基板如半導體晶圓平坦化之常用技術。在傳統CMP中，晶圓置於載體組合件上，並定位與CMP裝置內之研磨墊接觸。該載體組合件係提供可控制之壓力，使該晶圓抵靠該研磨墊。該墊藉由外在驅動力而相對於該晶圓移動(如轉動)。在此同時，於該晶圓與該研磨墊間提供了一種研磨組成物(漿體)或其它研磨液。因此，經由該墊表面及漿體之化學與機械作用使該晶圓表面被研磨且變得平坦。
用於研磨多層基板上之一或多層之組成物與方法，該基板包括第一金屬層與第二層，係揭示於Wang等人，美國專利號6,867,140。特別的是，Wang等人揭示一種用於研磨多層基板上之一或多層之組成物與方法，該基板包括第一金屬層與第二層，包含：(i)將第一金屬層與研磨系統接觸，該研磨系統包含：(a)液體載體，(b)至少一氧化劑，(c)至少一羧酸，其可增加系統研磨基板之至少一層之速率，(d)聚乙烯亞胺，(e)研磨墊及/或磨料，以及(ii)以該系統研磨該第一金屬層，直至第一金屬層之至少一部 分自基板上移除。
儘管如此，目前仍需要新的化學機械研磨組成物，其顯示增強之鎢研磨速率和移除速率選擇性，以選擇性地移除氮化鈦特徵與鈦特徵。
本發明提供一種研磨基板之方法，包含：提供基板，其中該基板具經曝光之氮化鈦(TiN)特徵，以及經曝光之鈦(Ti)特徵；提供化學機械研磨組成物，其包含下列作為初始成分：水；氧化劑；直線形聚亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧酸；鐵離子來源；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於化學機械研磨墊之研磨表面上，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面；其中該經曝光氮化鈦(TiN)特徵之至少一部分與經曝光鈦(Ti)特徵之至少一部分係自基板上研磨除去；以及其中所提供之化學機械研磨組成物於經曝光氮化鈦(TiN)特徵與經曝光鈦(Ti)特徵間具移除速率選擇性100。
本發明提供一種研磨基板之方法，包含：提供基板，其中該基板具經曝光之氮化鈦(TiN)特徵，以及經曝光之鈦(Ti)特徵；提供化學機械研磨組成物，其包含下列所組成作為初始成分：水；氧化劑；直線形聚亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧 酸；硝酸鐵(Fe(NO3)3)；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨成分具pH值1至4；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於化學機械研磨墊之研磨表面，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面；其中該經曝光氮化鈦(TiN)特徵之至少一部分與經曝光鈦(Ti)特徵之至少一部分係自基板上研磨除去；以及其中所提供之化學機械研磨組成物於經曝光氮化鈦(TiN)特徵與經曝光鈦(Ti)特徵間具移除速率選擇性100。
本發明之基板研磨方法係使用含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物，以及於系統pH值1至4時具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料之增效組成物的化學機械研磨組成物。意外地發現，該含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物與於系統pH值1至4時具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料之增效組合之化學機械研磨組成物，可提供鎢與氮化鈦之快速移除，同時明顯降低鈦之移除。
較佳地，在本發明基板研磨方法中包含：提供基板，其中該基板具經曝光之氮化鈦(TiN)特徵，以及經曝光之鈦(Ti)特徵(較佳地，其中該基板亦具有經曝光之鎢(W)特徵)；提供化學機械研磨組成物，其包含下列作為初始成分(較佳地由下列所組成)：水；氧化劑；直線形聚 亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧酸；鐵離子來源(較佳地為硝酸鐵(Fe(NO3)3))；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨成分具pH值1至4(較佳1.5至3；更佳1.75至2.5；最佳1.9至2.1)；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於化學機械研磨墊之研磨表面上，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面；其中該經曝光氮化鈦(TiN)特徵之至少一部分與經曝光鈦(Ti)特徵之至少一部分係自基板上研磨除去；以及其中所提供之化學機械研磨組成物於經曝光氮化鈦(TiN)特徵與經曝光鈦(Ti)特徵間具移除速率選擇性100。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，該基板具經曝光之氮化鈦(TiN)特徵，以及經曝光之鈦(Ti)特徵。更佳地，所提供之基板為半導體基板，其具有至少一經曝光之氮化鈦(TiN)特徵與至少一經曝光之鈦(Ti)特徵。最佳地，所提供之基板為半導體基板，其具經曝光之鎢特徵、經曝光之氮化鈦(TiN)特徵，以及經曝光之(Ti)特徵。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，化學機械研磨組成物中之水為去離子水與經蒸餾以限制附帶雜質之水之至少一者。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有氧化劑，其中該氧化劑選自於由過氧化氫(H2O2)、單過硫酸鹽、碘酸鹽、過鄰苯二 甲酸鎂、過乙酸和其它酸、過硫酸鹽、溴酸鹽、過溴酸鹽、過硫酸鹽、過乙酸、過碘酸、硝酸鹽、鐵鹽、鈰鹽、錳(III)、錳(IV)和錳(VI)鹽、銀鹽、銅鹽、鉻鹽、鈷鹽、鹵素、次氯酸鹽與其混合物組成之群組。更佳地，該氧化劑選自於過氧化氫、過氯酸鹽、過溴酸鹽；過碘酸鹽、過硫酸鹽和過乙酸。最佳地，該氧化劑選自於過氧化氫。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.01至10wt%(更佳0.1至5wt%，最佳1至3wt%)之氧化劑。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物，其中該直線形聚亞烷基亞胺聚合物為直線形聚乙烯亞胺聚合物。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物，其中該聚亞烷基亞胺聚合物具數目平均分子量MN500至100,000(較佳為750至10,000；更佳為1,000至5,000；最佳為1,500至2,000)道耳頓。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有直線形聚亞烷基亞胺聚合物，其中該直線形聚亞烷基亞胺聚合物為直線形聚乙烯亞胺聚合物，以及其中該直線形聚乙烯亞胺聚合物具數目平均分子量MN500至100,000(較佳為 750至10,000；更佳為1,000至5,000；最佳為1,500至2,000)道耳頓。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.0005至0.1wt%(更佳0.001至0.03wt%；最佳0.0015至0.0025wt%)之直線形聚亞烷基亞胺聚合物。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.0005至0.1wt%(更佳0.001至0.03wt%；最佳0.0015至0.0025wt%)之直線形聚亞烷基亞胺聚合物；其中該直線形聚亞烷基亞胺聚合物為直線形聚乙烯亞胺聚合物。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.0005至0.1wt%(更佳地，0.001至0.03wt%；最佳地，0.0015至0.0025wt%)之直線形聚亞烷基亞胺聚合物；其中該直線形聚亞烷基亞胺聚合物為直線形聚乙烯亞胺聚合物；其中該直線形聚乙烯亞胺聚合物具數目平均分子量MN 500至100,000(較佳750至10,000；更佳1,000至5,000；最佳1,500至2,000)道耳頓。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料，其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4(更佳1.5至3；尤佳1.75至2.5；最佳1.9至2.1)。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料，其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4(更佳1.5至3；尤佳 1.75至2.5；最佳1.9至2.1)，如>1mV之zeta電位所指示。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料，其中該膠體二氧化矽研磨料具平均粒徑100nm(較佳5至100nm；更佳10至60nm；最佳20至60nm)，以動態光線散射技術測量。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.01至40wt%(更佳0.1至10wt%；最佳0.5至1wt%)之具正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有羧酸。較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有羧酸，其中該羧酸選自於由乙酸；檸檬酸；乙醯乙酸乙酯；乙醇酸；乳酸；蘋果酸；草酸；水楊酸；二乙基二硫代胺基甲酸鈉；琥珀酸；酒石酸；巰基乙酸；甘胺酸；丙胺酸；天冬胺酸；丙二酸；戊二酸；3-羥基丁酸；丙酸；鄰苯二甲酸；間苯二甲酸；3-羥基水楊酸；3,5-二羥基水楊酸；沒食子酸；葡萄糖酸；單寧酸；其鹽類與混合物組成之群組。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有羧酸，其中該羧酸選自於由乙酸、檸檬酸、乙醯乙酸乙酯、乙醇酸、乳酸、蘋果酸、丙二酸、琥珀酸、草酸及其組合物組成之群組。尤佳地，在本發明 研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有羧酸，其中該羧酸選自於由丙二酸與琥珀酸組成之群組。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有羧酸，其中該羧酸為丙二酸。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.01至5wt%(更佳0.05至1wt%；最佳0.1至0.5wt%)之羧酸。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有鐵離子來源。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有鐵離子來源，其中該鐵離子來源選自於由鐵(III)鹽類組成之群組。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有鐵離子來源，其中該鐵離子來源為硝酸鐵(Fe(NO3)3)。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.001至1wt%(更佳0.01至0.1wt%；最佳0.03至0.05wt%)之鐵離子來源。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物含有0.001至1wt%(更佳0.01至0.1wt%；最佳0.03至0.05wt%)之硝酸鐵(Fe(NO3)3)。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物具pH值1至4。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物具pH值1.5至3。尤佳地，在本發明研磨基板之方法中， 所提供之化學機械研磨組成物具pH值1.75至2.5。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物具pH值1.9至2.1。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物任擇地含有pH調整劑。較佳地，該pH調整劑選自於由無機與有機pH調整劑組成之群組。較佳地，該pH調整劑選自於由無機酸與無機鹼組成之群組。更佳地，該pH調整劑為無機鹼。最佳地，該pH調整劑為氫氧化鉀。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨墊可為技術上已知之任一適當研磨墊。熟習此技術領域者應可選出適用於本發明方法之化學機械研磨墊。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨墊可選自織物與非織物研磨墊。尤佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研墊包含聚胺甲酸酯研磨層。最佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，其含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。較佳地，所提供之化學機械研磨墊在研磨表面上具至少一溝槽。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之化學機械研磨組成物散佈於化學機械研磨墊之研磨表面上，其位於或鄰近於化學機械研磨墊與基板間之界面。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之動態接觸係於化學機械研磨墊與基板間之界面產生，以正交於待研磨之基板表面之下壓力0.69至34.5kPa進行。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之基板具經曝光之鎢特徵，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘，其中壓盤轉速為80每分鐘轉速、載體轉速為81每分鐘轉速、化學機械研磨組成物流速為125mL/分鐘，下壓力為21.4kPa於200mm研磨機器上；以及，其中該化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，其含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之基板具經曝光之鎢特徵，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘；其中所提供化學機械研磨組成物具鈦移除速率24Å/分鐘，以及其中所提供之化學機械研磨組成物具氮化鈦移除速率2,400Å/分鐘。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之基板具經曝光之鎢特徵，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘、鈦移除速率24Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,400Å/分鐘，其中壓盤轉速為80每分鐘轉速、載體轉速為81每分鐘轉速、化學機械研磨組 成物流速為125mL/分鐘，以及下壓力為21.4kPa於200mm研磨機器上；以及，其中該化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，其含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。
較佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之基板具經曝光之鎢特徵，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘；其中所提供之化學機械研磨組成物具鈦移除速率23Å/分鐘，以及其中所提供之化學機械研磨組成物具氮化鈦移除速率2,500Å/分鐘。更佳地，在本發明研磨基板之方法中，所提供之基板具經曝光鎢特徵，其中所提供之化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘，鈦移除速率23Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,500Å/分鐘，其中壓盤轉速為80每分鐘轉速、載體轉速為81每分鐘轉速、化學機械研磨組成物流速為125mL/分鐘，以及下壓力為21.4kPa於200mm研磨機器上；以及，其中該化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，其含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。
本發明之某些實施例將於下列範例中詳細描述。
比較例C1-C5與範例1 化學機械研磨組成物之製備
比較例C1-C5與範例1之化學機械研磨組成物係以組合表1所列之各成分與量，並以去離子水平衡， 並以氫氧化鉀將組成物之pH值調整至表1所列之最終pH值而製備。
比較例PC1-PC5與範例P1 化學機械研磨移除速率實驗
移除速率研磨測試係於比較例PC1-PC5與範例P1中進行，分別使用比較例C1-C5與範例1製備之化學機械研磨組成物。研磨移除速率實驗係於安裝在Applied Materials 200mm Mirra®研磨機器之200mm氈覆晶圓(blanket wafers)上進行。研磨移除速率實驗係於200mm氈覆1k四乙氧基矽烷(TEOS)薄片晶圓上進行，其得自SEMATECH SVTC進行，鎢(W)氈覆晶圓得自SEMATECH SVTC、鈦(Ti)氈覆晶圓得自SEMATECH SVTC，以及氮化鈦(TiN)氈覆晶圓得自SEMATECH SVTC。所有研磨實驗係使用IC1010TM聚胺甲酸酯研磨墊，搭配有SP2310副墊(購 自Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)進行，下壓力為21.4kPa(3.1psi)、化學機械研磨組成物流速為125mL/分鐘、工作臺轉速為80rpm以及載體轉速為60秒研磨週期。鑽石研磨墊修整器PDA33A-D(購自Kinik Company)係用於修整研磨墊。研磨墊係於修整器中破裂，使用修整下壓力9lbs(4.1kg)15分鐘，之後修整下壓力為7lbs(3.18kg)繼續修整15分鐘。在各研磨實驗之間，研磨墊在研磨前進行進一步易位修整，使用下壓力7lbs(3.18kg)進行24秒。TEOS移除速率係以測量研磨前與研磨後之薄膜厚度而決定，使用KLA-Tencor FX200計量學工具。鎢(W)、鈦(Ti)與氮化鈦(TiN)之移除速率係以Jordan Valley JVX-5200T計量學工具測定。移除速率實驗之結果係提供於表2。

Claims (10)

  1. 一種研磨基板之方法，包含：提供該基板，其中該基板具經曝光氮化鈦(TiN)特徵及經曝光鈦(Ti)特徵；提供化學機械研磨組成物，係包含下列作為初始成分：水；氧化劑；直線形聚亞烷基亞胺聚合物；帶有正表面電荷之膠體二氧化矽研磨料；羧酸；鐵離子來源；以及選擇性pH調整劑；其中該化學機械研磨組成物具pH值1至4；提供具研磨表面之化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之界面產生動態接觸；以及散佈該化學機械研磨組成物於該化學機械研磨墊之該研磨表面上，其位於或鄰近於該化學機械研磨墊與該基板間之界面；其中該經曝光氮化鈦(TiN)特徵之至少一部分與該經曝光鈦(Ti)特徵之至少一部分係自該基板上研磨除去；以及其中所提供之該化學機械研磨組成物於經曝光氮化鈦(TiN)特徵與經曝光鈦(Ti)特徵間具移除速率 選擇性100。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板亦具經曝光鎢特徵；其中該經曝光鎢特徵之至少一部分係研磨移除。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘，其中壓盤轉速為80每分鐘轉速、載體轉速為81每分鐘轉速、化學機械研磨組成物流速為125mL/分鐘，以及下壓力為21.4kPa於200mm研磨機器上；以及，其中該化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，係含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鈦移除速率24Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,400Å/分鐘。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鈦移除速率23Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,500Å/分鐘。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物係由下列所組成作為初始成分：該水；該氧化劑；該直線形聚亞烷基亞胺聚合物；該膠體二氧化矽研磨料；該羧酸； 該鐵離子來源，其中該鐵離子來源為硝酸鐵；以及該選擇性pH調整劑。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該基板亦具有經曝光鎢特徵；其中該經曝光鎢特徵之至少一部分係研磨移除。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鎢移除速率1,500Å/分鐘，其中壓盤轉速為80每分鐘轉速、載體轉速為81每分鐘轉速、化學機械研磨組成物流速為125mL/分鐘、下壓力為21.4kPa於200mm研磨機器上；以及，其中該化學機械研磨墊包含聚胺甲酸酯研磨層，係含有聚合性空心微粒，以及浸漬聚胺甲酸酯之非織物副墊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鈦移除速率24Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,400Å/分鐘。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所提供之該化學機械研磨組成物具鈦移除速率23Å/分鐘，以及氮化鈦移除速率2,500Å/分鐘。
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