TW201712087A - 半導體加工用粘合膠帶和使用該膠帶的半導體晶片或半導體部件的製造方法 - Google Patents

Abstract

提供了在切割步驟中抑制晶片飛散和崩裂，不易發生殘膠的半導體加工用粘合片和通過使用該粘合片的半導體晶片或半導體部件的製造方法。 根據本發明，提供了一種在基材膜上含有粘合劑層的半導體加工用粘合膠帶，構成所述粘合劑層的粘合劑成分為(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，光聚合性化合物為特定成分，所述(甲基)丙烯酸酯聚合物的組成中2~20質量%為含有羧基官能團的單體，重均分子量為10萬~70萬，所述光聚合性化合物為，特定丙烯醯基官能團和甲基丙烯醯基官能團各一個以上，且官能團總數為4~8個，重均分子量為1000~5000，在切割步驟中良好地抑制晶片飛散等的半導體加工用粘合膠帶和通過使用該膠帶的半導體晶片和半導體部件的製造方法。

Description

半導體加工用粘合膠帶和使用該膠帶的半導體晶 片或半導體部件的製造方法

本發明涉及半導體加工用粘合膠帶和使用該膠帶的半導體晶片或半導體部件的製造方法。

半導體晶圓或基板在形成電路之後貼合在粘合片上，然後分割(切割)成元件小片，轉移至粘合片的延展(Expanding)、從粘合片上剝離(拾取、Pickup)元件小片等各個步驟。在這些步驟中所使用的粘合片(切割膠帶)優選在切割時對被切割的元件小片(晶片)具有充分的粘合力，同時在拾取時粘合力減小至不產生殘膠的程度。

作為粘合片，有如下的粘合片：在對紫外線和電子束兩者或紫外線和電子束中的任一活性光線具有透射性的基材膜上塗布有由紫外線等引起聚合固化反應的粘合劑層。該粘合片使用於拾取步驟，亦即在切割步驟後對粘合劑層照射紫外線等，使粘合劑層聚合固化而使粘合力降低後，拾取切割後得到的晶片的步驟。

近年來，隨著電子部件的小型化、薄型化，晶片尺寸的小型化逐步發展，在半導體晶圓或基板的切斷步驟中容易發生晶片飛散以及崩裂(晶片的缺損)，成為成品率降低的主要原因。此外在拾取步驟中，由針腳突起而引發的粘合片粘合劑層發生破損的情況。粘合劑層破損後，破損的粘合劑層附著在晶片(殘膠)上，構成污染，對組裝步驟造成不良影響。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2004-256793號公報

【專利文獻2】日本特開2007-246633號公報

本發明的目的在於提供一種即使是對小型、薄型的電子部件，可以抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂，在拾取步驟中易於剝離且不易發生殘膠等污染的半導體加工用粘合膠帶，以及使用該膠帶半導體晶片或半導體部件的製造方法。

本發明為了解決所述的問題，採用以下手段。

(1)一種半導體加工用粘合膠帶，其在基材膜上具有粘合劑層，其特徵在於：構成所述粘合劑層的粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份、光聚合性化合物20~150質量份、固化劑1~10質量份、光聚合引發劑1~10質量份，所述(甲基)丙烯酸酯聚合物的2~20質量%為含有羧基的單體，重均分子量(重量平均分子量)為10萬~70萬，所述光聚合性化合物含有丙烯醯基和甲基丙烯醯基各至少一個以上，且合計含有4~8個，重均分子量為1000~5000。

(2)如(1)所述的半導體加工用粘合膠帶，其特徵在於，所述含有羧基的單體是丙烯酸。

(3)一種半導體晶片或半導體部件的製造方法，其特徵在於，具有如下步驟：貼附步驟，將(1)或(2)所述的半導體加工用粘合膠帶貼附在半導體晶圓或基板、和環形框上；切割步驟，將所述半導體晶圓或所述基板切割成半導體晶片或半導體部件；光照射步驟，對所述半導體加工用粘合膠帶照射活性光線；延展步驟，為擴大所述半導體晶片或所述半導體部件之間的間隔，對所述半導體加工用粘合膠帶進行拉伸；拾取步驟，從所述半導體加工用粘合膠帶拾取所述半導體晶片或所述半導體部件。

根據本發明，能夠提供即使是小型、薄型的電子部件也可以抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂、便於拾取且不易發生殘膠的半導體加工用粘合膠帶，以及使用該膠帶的半導體晶片或半導體部件的製造方法。

以下，說明本發明的優選實施方式。此外，以下說明的實施方式僅為本發明的代表性實施方式的一個例子，本發明的範圍不會因此而被過窄地解釋。

<用語說明>

本說明書中，如(甲基)丙烯酸等中含有(甲基)的化合物指的是名稱中含“甲基”的化合物和不含“甲基”的化合物的總稱。

本發明的半導體加工用粘合膠帶在基材膜含有粘合劑層，構成上述粘合劑層的粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份、光聚合性化合物20~150質量份、固化劑1~10質量份、光聚合引發劑1~10質量份， 上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的2~20質量%為含有羧基的單體，重均分子量為10萬~70萬，上述光聚合性化合物為含有丙烯醯基和甲基丙烯醯基各至少1個以上，且合計含有4~8個，重均分子量為1000~5000。

((甲基)丙烯酸酯共聚物)

在本發明中，作為(甲基)丙烯酸酯共聚物，有使(甲基)丙烯酸等具有羧基的單體和其酯單體聚合得到的聚合物、使能與這些單體共聚的不飽和單體(例如，乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈)共聚而成的共聚物。對於本實施方式的粘合劑，(甲基)丙烯酸酯聚合物中的2~20質量%是含羧基單體。如果該含羧基單體的混合比小於2質量%，則與被粘合體粘合力不足，造成切割時的晶片保持性降低，發生晶片飛散。相反，如果含羧基單體的混合比大於20質量%，則彈性率過高，粘合劑與被粘體密合不充分，切割時發生晶片飛散。

(甲基)丙烯酸酯聚合物的重均分子量為10萬~70萬，如果(甲基)丙烯酸酯聚合物的重均分子量小於10萬，則彈性率過低，切割時發生崩裂。另一方面，如果(甲基)丙烯酸酯聚合物的重均分子量大於70萬，則彈性率過高，粘合劑與被粘體密合不充分，切割時發生晶片飛散。

作為(甲基)丙烯酸聚合物的酯單體，例如可以列舉(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯，(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯 酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八醯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。

作為含有羧基的單體，例如可以列舉甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺-N-乙醇酸和肉桂酸，優選甲基丙烯酸。對於丙烯酸，通過含有固化劑，可以更精確地調整粘合力，因而特別優選。

(光聚合性化合物)

作為本發明中的光聚合性化合物，使用聚氨酯丙烯酸酯寡聚物。聚氨酯丙烯酸酯寡聚物例如可通過使含有丙烯醯氧基或甲基丙醯氧基的多元異氰酸酯與含有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應而得到。

作為多元異氰酸酯化合物，例如可以使用2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-苯二甲基二異氰酸酯、1，4-苯二甲基二異氰酸酯、4，4-二苯基甲烷二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等。

另外，含有羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊 四醇三丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯等。

光聚合性化合物的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為20~150質量份，優選為50~100質量份。如果光聚合性化合物的混合量少於20質量份，則光照射後粘合片的剝離性下降，容易發生半導體晶片拾取不良。如果光聚合性化合物的混合量多於150質量份，則光照射步驟會引起粘合劑的彈性率過高，拾取步驟中發生膠裂，導致生產率降低。

光聚合性化合物的重均分子量為1000~5000，含有丙烯醯基和甲基丙烯醯基各至少1個以上，且合計含有4~8個。如果光聚合性化合物的重均分子量小於1000，則切割時粘合劑被帶起，在晶片上發生殘膠。另一方面，如果光聚合性化合物的重均分子量大於5000，則紫外線固化造成彈性率過高，拾取時發生晶片鬆動。此外，丙烯醯基和甲基丙烯醯基合計為3個以下時，經紫外線等照射後的粘合劑的固化性下降，容易造成拾取不良，合計為9個以上時，光照射步驟引起粘合劑變得易碎，拾取步驟中會發生膠裂，導致生產率降低。

(固化劑)

作為固化劑，可以列舉多官能異氰酸酯固化劑、多官能環氧固化劑、氮丙烯化合物、三聚氰胺化合物等。

作為多官能異氰酸酯固化劑，例如使用芳香族聚異氰酸酯固化劑、脂肪族聚異氰酸酯固化劑、脂環族聚異氰酸酯固化劑，通常使用二聚體以上的加成物。

對芳香族聚異氰酸酯不做特別限定，例如可以列舉1，3-苯二異氰酸酯、4，4'-二苯基二異氰酸酯，1，4-苯二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷基二異氰酸酯、2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4，4'-甲苯胺二異氰酸酯、2，4，6-三異氰酸酯甲苯、1，3，5-三異氰酸酯苯、聯茴香胺二異氰酸酯、4，4'-二苯基醚二異氰酸酯、4，4'，4'-三苯基甲烷三異氰酸酯、ω，ω'-二異氰酸酯-1，3-二甲基苯、ω，ω'-二異氰酸酯-1，4-二甲基苯、ω，ω'-二異氰酸酯-1，4-二乙基苯、1，4-四甲基亞二甲苯二異氰酸酯和1，3-四甲基二甲苯二異氰酸酯等。

對脂肪族聚異氰酸酯不做特別限定，例如可以列舉三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1，2-亞丙基二異氰酸酯、2，3-亞丁基二異氰酸酯、1，3-亞丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯和2，4，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯。

對脂環族聚異氰酸酯不做特別限定，例如有3-異氰酸根合甲基-3，5，5-三甲基環己基異氰酸酯、1，3-環戊烷二異氰酸酯、1，3-環己烷二異氰酸酯、1，4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2，4-環己烷二異氰酸酯、甲 基-2，6-環己烷二異氰酸酯、4，4'-亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、1，4-雙(異氰酸根合甲基)環己烷和1，4-雙(異氰酸根合甲基)環己烷。

聚異氰酸酯中，優選使用1，3-苯二異氰酸酯、4，4'-二苯基二異氰酸酯、1，4-苯二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4，4'-甲苯胺二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯。

多官能環氧固化劑，主要是含有2個以上環氧基、1個以上叔氮原子的化合物，可以列舉N‧N-縮水甘油基苯胺、N‧N-縮水甘油基甲苯胺、間-N‧N-縮水甘油基氨基苯酚縮水甘油醚、對-N‧N-縮水甘油基氨基苯酚縮水甘油醚、異氰尿酸三縮水甘油酯、N‧N‧N'‧N'-四縮水甘油基二氨基二苯基甲烷、N‧N‧N'‧N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、N‧N‧N'‧N'‧N"-五縮水甘油基二乙烯三胺等。

固化劑的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為1~10質量份，優選為1.5~5質量份。如果固化劑的混合量少於1質量份，則易發生殘膠。另一方面，如果固化劑的混合量多於10質量份，則會造成粘合力不足、晶片鬆動，導致生產率降低。

(光聚合引發劑)

作為光聚合引發劑，使用苯偶姻、苯甲酸烷基醚類、苯乙酮類、蒽醌類、噻噸酮類、縮酮類、二苯甲酮類或氧雜蒽酮類等。

作為苯偶姻，例如有苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚等。

作為苯乙酮，例如有苯偶姻烷基醚類、苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯乙酮、2，2-二乙氧基-2-苯乙酮、1，1-二氯苯乙酮等。

作為蒽醌類，有2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。

作為噻噸酮類，例如有2，4-二甲基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等。

作為縮酮類，例如有苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、聯苄、雙乙醯、β-氯蒽醌等。

光聚合引發劑的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份為1~10質量份，優選為1.5~5質量份。如果混合量少於1質量份，則光照射 後從粘合片剝離性降低，易造成半導體晶片拾取不良。如果混合量多於10質量份，則光聚合引發劑向粘合劑表面滲出，造成污染。

在光聚合引發劑中，根據需要可以組合並用1種或者2種以上現有公知的光聚合促進劑。

光聚合促進劑中，可以使用苯甲酸系或叔胺等。作為叔胺，可以列舉三乙胺、四乙基五胺、二甲氨基醚等。

(粘著付與樹脂)

作為粘著付與樹脂，可以添加對萜烯酚樹脂進行完全或部分氫化而得到的萜烯酚樹脂。

(添加劑等)

粘合劑中例如可以添加軟化劑、抗老化劑、填充劑、導電劑、紫外線吸收劑和光穩定劑等各種添加劑。

粘合劑層的厚度優選為3~7μm。如果粘合劑層厚度過厚，則易造成崩裂。若粘合劑層厚度過薄，則有時導致粘合力變得過低，造成切割時的晶片保持性降低而發生晶片飛散，或者環形框和片間發生剝離。

(基材膜)

作為基材膜的材料，例如可以列舉聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及將乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等用金屬離子金屬交聯而得的離聚物樹脂等。基材膜也可以是這些樹脂的混合物或共聚物。

基材膜可以是由上述材料構成的單層或多層的膜或片，也可以是將不同材料構成的膜等層疊而成的膜。基材膜的厚度優選為50~200μm，最優選為70~150μm。

優選對基材膜實施抗靜電處理。作為抗靜電處理，有在基材膜上混合抗靜電劑的處理、在基材膜表面塗布抗靜電劑的處理、基於電暈放電的處理。

作為抗靜電劑，例如可以使用季銨鹽等。作為季銨鹽單體，例如可以列舉(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯氯化季銨鹽、(甲基)丙烯酸二乙氨基乙酯氯化季銨鹽、(甲基)丙烯酸甲基乙基氨基乙酯氯化季銨鹽、對二甲基氨基苯乙烯氯化季銨鹽和對二乙基氨基苯乙烯氯化季銨鹽。其中，優選甲基丙烯酸二甲氨基乙酯氯化季銨鹽。

對滑動劑和抗靜電劑的使用方法不做特別限定，例如可以在基材膜的一面塗布粘合劑，在其背面塗布滑動劑和抗靜電劑兩者或其中一者，也可以將滑動劑和抗靜電劑兩者或其中一者混入基材膜的樹脂中而形成片。

可以在基材膜的一面層疊粘合劑、另一面成為平均表面粗糙度(Ra)為0.3~1.5μm的壓紋面。通過在延展裝置的機床側設置壓紋面，從而在切割後的延展步驟中可使基材膜易於擴張。

為了提高切割後的延展性，可以在基材膜的粘合劑非接觸面上塗布滑動劑，或者在基材膜內混入滑動劑。

滑動劑只要是使粘合片與延展設備的摩擦係數降低的物質就沒有特別限定，例如可以列舉有機矽樹脂或者(改質)矽油等有機矽化合物、氟樹脂，六方晶氮化硼、炭黑和二硫化鉬等。這些摩擦降低劑也可以混合多種成分。由於電子部件的製造是在潔淨室內進行，優選使用有機矽化合物或氟樹脂。有機矽化合物中，尤其是具有有機矽大分子單體單元的共聚物與抗靜電層的相容性良好，可實現抗靜電性與延展性的平衡，因而優選使用。

對本發明的電子部件的製造方法的步驟進行說明。

(1)貼附步驟

貼附步驟中，將半導體加工用粘合膠帶貼附在半導體晶圓或基板和環形框上。晶片可以是矽晶片、氮化鎵晶片、碳化矽晶片或藍寶石晶片等的現有的通用的晶片。基板可以是用樹脂將晶片封裝而成的封裝基板、LED封裝基板、瓷基板等通用基板。

(2)切割步驟

切割步驟中，切割矽晶圓等形成半導體晶片或半導體部件。

(3)光照射步驟

光照射步驟中，從基材膜側對固化型粘合劑層照射紫外線等活性光線。作為紫外線的光源，可以使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈、黑光燈。此外，也可以替代紫外線使用電子束，作為電子束的光源可以使用α線、β線、γ線。

光照射引起粘合劑層三維網狀化而固化，粘合劑層的粘合力降低。本發明的半導體加工用粘合膠帶即使加熱也不會與晶圓等過渡地密合，因此通過照射紫外線等可充分地降低粘接力。

(4)延展‧拾取步驟

在延展‧拾取步驟中，為擴大半導體晶片相互之間的間距而拉伸粘合片，並且用針銷等將晶片或部件向上推。之後，用真空夾頭或氣動夾架等吸引晶片或部件，使其從半導體加工用粘合膠帶的粘合劑層剝離進行拾 取。本發明的粘合片通過紫外線等的照射可維持粘合劑的彈性率，同時可充分降低粘接力，因此晶片或部件與粘合劑層之間的剝離變得容易，拾取良好，也不會產生殘膠等不良現象。

<半導體加工用粘合膠帶的製造>

在基材膜上塗布粘合劑層製造半導體加工用粘合膠帶。作為其製造方法有，例如使用凹印塗布機、逗點塗布機、棒塗機、刮刀塗布機或輥塗機之類的塗布機在基材膜上直接塗布粘合劑的方法；在剝離膜上塗布粘合劑/乾燥後粘合於基材膜的方法。也可以使用凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、柔性印刷、膠版印刷或絲網印刷等在基材膜上印刷粘合劑。

按如下配方製造了實施例、比較例所涉及的粘合劑組合物和半導體加工用粘合膠帶。將混合成分和結果示於表1~3。

【表1】

表1~3中(甲基)丙烯酸酯聚合物、光聚合性化合物、固化劑、光引發劑相關的數值表示以(甲基)丙烯酸酯共聚物為100份時的質量份。此外，(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、固化劑、光聚合引發劑的具體成分如下。

<(甲基)丙烯酸酯聚合物>

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物a~d：

丙烯酸2-乙基己酯38質量%、丙烯酸甲酯60質量%、丙烯酸2質量%的共聚物，重均分子量調整為10萬、30萬、50萬、70萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物e~h：

丙烯酸2-乙基己酯32質量%、丙烯酸甲酯60質量%、丙烯酸8質量%的共聚物，重均分子量調整為10萬、30萬、50萬、70萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物i~l：

丙烯酸2-乙基己酯18質量%、丙烯酸甲酯68質量%、丙烯酸14質量%的共聚物，重均分子量調整為10萬、30萬、50萬、70萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物m~p：

丙烯酸2-乙基己酯20質量%、丙烯酸甲酯60質量%、丙烯酸20質量%的共聚物，重均分子量調整為10萬、30萬、50萬、70萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物q~s：

丙烯酸2-乙基己酯22質量%、丙烯酸甲酯68質量%、丙烯酸10質量%的共聚物，重均分子量調整為40萬、5萬、80萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物t：

丙烯酸2-乙基己酯39質量%、丙烯酸甲酯60質量%、丙烯酸1質量%的共聚物，重均分子量調整為40萬。

‧(甲基)丙烯酸酯聚合物u：

丙烯酸2-乙基己酯35質量%、丙烯酸甲酯60質量%、丙烯酸21質量%的共聚物，重均分子量調整為40萬。

<光聚合性化合物>

‧光聚合性化合物a：使含有丙烯醯氧基和甲基丙烯醯氧基各一個的二異氰酸化合物(BASF公司所製Laromer LR9000)，與含有丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基和羥基各一個的化合物(共榮社化學所製Light Ester G-201P)反應而得到的具有三個丙烯醯基、三個甲基丙烯醯基且重均分子量為3，000的聚氨酯丙烯酸酯。

‧光聚合性化合物b：使含有2個丙烯醯氧基的二異氰酸化合物與含有甲基丙烯醯氧基和羥基各一個的化合物(三菱瓦斯化學制甲基丙烯酸2-羥乙酯)反應而得到的、含有2個丙烯醯基、2個甲基丙烯醯基且重均分子量為1，000的聚氨酯丙烯酸酯。

‧光聚合性化合物c：使含有丙烯醯氧基和甲基丙烯醯氧基各兩個二異氰酸化合物，與含有丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基和羥基各一個的化合物(共榮社化學制Light Ester G-201P)反應而得到的、含有4個丙烯醯基、4個甲基丙烯醯基且重均分子量為5，000的聚氨酯丙烯酸酯。

‧光聚合性化合物d：使含有1個丙烯醯氧基的二異氰酸化合物與含有甲基丙烯醯氧基和羥基各一個的化合物(三菱瓦斯化學制甲基丙烯酸2-羥乙 酯)反應而得到的、含有1個丙烯醯基官、2個甲基丙烯醯基且重均分子量為500的聚氨酯丙烯酸酯。

‧光聚合性化合物e：使含有2個丙烯醯氧基和3個甲基丙烯醯氧基的二異氰酸化合物，與含有丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基和羥基各一個的化合物(共榮社化學制Light Ester G-201P)反應而得到的、含有4個丙烯醯基、5個甲基丙烯醯基且重均分子量為8，000的聚氨酯丙烯酸酯。

<固化劑>

‧固化劑a：2，4-甲苯二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成物(Tosoh制CORONATE L-45E)。

‧固化劑b：六亞甲基二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成物(Tosoh制CORONATE HL)。

<光聚合引髮劑>

‧光引髮劑a：1-羥基環己基苯酮(BASF制IRGACURE184)。

‧光聚合引髮劑b：芐基二甲基縮酮(BASF制IRGACURE651)。

(1)重均分子量

通過凝膠滲透色譜法(GPC)測定。

裝置：GPC-8020 SEC系統(Tosoh社製)

柱：TSK Guard HZ-L+HZM-N 6.0×150mm×3

流量：0.5ml/min

檢測器：RI-8020

濃度：0.2wt/Vol%

注入量：20μL

柱溫度：40℃

系統溫度：40℃

溶劑：THF

校準曲線：使用標準聚苯乙烯(PL社製)做成。

重均分子量(Mw)：聚苯乙烯換算值。

(2)崩裂、晶片保持性、拾取性和污染性的評價

將半導體加工用粘合膠帶貼合於形成有虛擬電路圖案的直徑8英寸×厚度0.15mm的矽晶片和環形框，進行切割、拾取。

切割步驟的條件如下。

切割裝置：DISCO社製DAD341

切割刀片：DISCO社製NBC-ZH205O-27HEEE

切割刀片形狀：外徑55.56mm、刃寬35μm、內徑19.05mm

切割刀片轉速：40，000rpm

切割刀片進給速度：100mm/秒

切割尺寸：1.0mm見方

對粘合片切入量：30μm

切割水溫度：25℃

切割水量：1.0升/分鐘

拾取步驟的條件如下。

拾取裝置：Canon Machinery社製CAP-300II

延展量：8mm

針銷形狀：70μmR

針銷數：1根

針銷上推高度：0.5mm

在切割步驟和拾取步驟中進行如下評價。

(2-1)崩裂

隨機選擇崩裂所拾取的50晶片，用500倍的顯微鏡觀察觀察晶片背面的4條邊，按如下基準評價最大缺欠的大小。

◎(優)：最大缺欠的大小小於25μm

○(良)：最大缺欠的大小為25μm以上且小於50μm

×(不可)：最大缺欠的大小為50μm以上

(2-2)晶片保持性

晶片保持性根據切割步驟後半導體晶片保持於切割膠帶的半導體晶片的殘留率，按如下基準進行評價。

◎(優)：晶片飛散低於5%

○(良)：晶片飛散為5%以上且低於10%

×(不可)：晶片飛散為10%以上

(2-3)拾取性

拾取性根據拾取步驟中可拾取半導體晶片的比例，按如下基準進行評價。

◎(優)：晶片的拾取成功率為95%以上

○(良)：晶片的拾取成功率為80%以上且低於95%

×(不可)：晶片的拾取成功率低於80%

(2-4)污染性

將粘合片貼附於矽制鏡面晶片，20分鐘後使用高壓汞燈照射150mJ/cm2的紫外線後，將粘合片剝離。使用顆粒計數器測定矽制鏡面晶片的貼附面上殘留的0.28μm以上的粒子數。

◎(優)：粒子數為500個以下

○(良)：粒子數為501個以上且小於2000個。

×(不可)：粒子數為2000個以上。

(2-5)晶片鬆動

晶片鬆動根據拾取步驟中要拾取半導體晶片相鄰的半導體晶片因針銷頂起的衝擊而鬆動的比例，按如下基準進行評價。

◎(優)：晶片鬆動低於1%

○(良)：晶片鬆動為1%以上且低於3%

×(不可)：晶片鬆動為3%以上

(2-6)綜合判定

在上述崩裂到晶片鬆動的評價中，以最差評價結果作為綜合判定。

根據表1、2和3的結果可知，本發明實施例的半導體加工用粘合膠帶可抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂，在拾取步驟中也易於剝離且不易產生殘膠等污染。

Claims (3)

1. 一種半導體加工用粘合膠帶，其在基材膜上具有粘合劑層，其特徵在於：構成所述粘合劑層的粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份、光聚合性化合物20~150質量份、固化劑1~10質量份、光聚合引發劑1~10質量份，所述(甲基)丙烯酸酯聚合物的2~20質量%為含有羧基的單體，重均分子量為10萬~70萬，所述光聚合性化合物含有丙烯醯基和甲基丙烯醯基各至少一個以上，且合計含有4~8個，重均分子量為1000~5000。
2. 根據請求項1所述的半導體加工用粘合膠帶，其特徵在於，所述含有羧基的單體是丙烯酸。
3. 一種半導體晶片或半導體部件的製造方法，其特徵在於，具有如下步驟：貼附步驟，將請求項1或2所述的半導體加工用粘合膠帶貼附在半導體晶圓或基板、和環形框上；切割步驟，將所述半導體晶圓或所述基板切割成半導體晶片或半導體部件；光照射步驟，對所述半導體加工用粘合膠帶照射活性光線；延展步驟，為擴大所述半導體晶片或所述半導體部件之間的間隔，對所述半導體加工用粘合膠帶進行拉伸；拾取步驟，從所述半導體加工用粘合膠帶拾取所述半導體晶片或所述半導體部件。