TW201708934A - 度量衡方法、檢測裝置、微影系統及元件製造方法 - Google Patents

度量衡方法、檢測裝置、微影系統及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201708934A
TW201708934A TW105119220A TW105119220A TW201708934A TW 201708934 A TW201708934 A TW 201708934A TW 105119220 A TW105119220 A TW 105119220A TW 105119220 A TW105119220 A TW 105119220A TW 201708934 A TW201708934 A TW 201708934A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
measurement
target
correction
grating
radiation
Prior art date
Application number
TW105119220A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI626504B (zh
Inventor
彼得 韓森 沃爾登尼爾
法蘭克 史達爾
尚 皮耶 雅格尼司 亨利克司 瑪利 維森
德 蘭恩 漢斯 文
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201708934A publication Critical patent/TW201708934A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI626504B publication Critical patent/TWI626504B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/03—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring coordinates of points
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/93—Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness

Abstract

本發明揭示一種在使用界定一量測場之量測輻射來量測一目標之後判定對自該目標繞射之輻射之經量測值之一校正的方法，該目標包含複數個週期性結構。該校正用以校正該等經量測值中之量測場部位相依性。該方法包含：執行該等週期性結構之一第一量測及一第二量測；及自該第一量測及該第二量測判定一校正。該第一量測係在該目標處於相對於該量測場之一正常量測部位的情況下執行。該第二量測係在該週期性結構處於相對於該量測場之一經移位部位的情況下執行，該經移位部位包含在該目標處於相對於該量測場之該正常量測部位時的該等週期性結構中之另一者之部位。

Description

度量衡方法、檢測裝置、微影系統及元件製造方法
本發明係關於用於可用於(例如)藉由微影技術進行元件製造之度量衡方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
在微影程序中，需要頻繁地進行所產生結構之量測(例如)以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(元件中兩個層之對準準確度)之專門工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等元件將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下之 強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性之繞射「光譜(spectrum)」。
已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型之角解析散射計。由此等散射計使用之目標為相對大(例如，40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於光柵之照明光點(量測場)(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重新建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用如已公佈專利申請案US2006066855A1中所描述之此裝置來量測以繞射為基礎之疊對或以繞射為基礎之焦點。使用繞射階之暗場成像進行的以繞射為基礎之疊對及以繞射為基礎之焦點度量衡使能夠量測較小目標上之疊對、焦點、劑量及其他參數。此等目標可小於量測場且可由基板上之產品結構環繞。來自環境產品結構之強度可藉由影像平面中之暗場偵測與來自疊對目標之強度有效地分離。
可在專利申請案US20100328655A1及US2011069292A1中找到暗場成像度量衡之實例，該等專利申請案之文件之全文據此係以引用方式併入。已公佈專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20120242970A1、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步發展。通常，在此等方法中，需要量測作為該目標之屬性的不對稱性。目標可經設計成使得不對稱性之量測可用以獲得諸如疊對、焦點或劑量之各種效能參數之量測。藉由使用散射計偵測繞射光譜之相對部分之間的強度差來量測目標之不對稱性。舉例而言，可比較+1繞射階與-1繞射階之強度以獲得不對稱性之量測。
在一些此等先前專利申請案中，提議使用不同照明模式及/或不同影像偵測模式來執行暗場度量衡以自目標內之週期性結構(光柵)獲 得+1繞射階及-1繞射階。另一方面，此等方法易受用於不同模式中之光學路徑之不對稱性影響，此將在量測目標之不對稱性時引起誤差。因此，儘管可應用準確的校準及校正以縮減此等誤差，但通常為如下狀況：若在照明及偵測之相同條件下量測目標兩次，則獲得最佳疊對、焦點或劑量量測結果。為進行此操作，在量測之間旋轉基板180度以依次獲得-1及+1繞射階強度。因此，此不對稱性量測模式可被稱作晶圓旋轉模式。針對量測兩者使用確切相同光學路徑會確保經量測強度之間的任何差係歸因於目標屬性，而非散射計之屬性。
預防旋轉晶圓之需要之互補孔徑模式係作為對晶圓旋轉模式的替代例。在互補孔徑模式中，來自兩個相對方向之離軸照明用以依次獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度。
詳言之，暗場成像度量衡可量測包含多個光柵之目標，使得在同一影像中同時地捕捉每一光柵。關於此暗場成像度量衡之一個問題為量測場非均質性問題。此量測場非均質性引起自影像量測之強度值具有量測場部位相依性。
需要提供一種用於判定用於該量測場部位相依性之一校正因數之方法及裝置。
本發明提供一種在使用界定一量測場之量測輻射來量測一目標之後判定對自該目標繞射之輻射之經量測值之一校正的方法，該校正會校正該等經量測值中之量測場部位相依性，該目標包含複數個週期性結構；其中該方法包含：執行該等週期性結構中之至少一者之一第一量測及一第二量測；及自該第一量測及該第二量測判定一校正；其中該第一量測係在該目標處於相對於該量測場之一正常量測部位的情況下執行；且該第二量測係在該週期性結構處於相對於該量測場之一經移位部位的情況下執行，該經移位部位包含在該目標處於相對於該 量測場之該正常量測部位時的該等週期性結構中之另一者之部位。
本發明進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一可程式化處理元件實施如上文所闡述的根據本發明之一方法。該等機器可讀指令可(例如)體現在一非暫時性儲存媒體中。
本發明進一步提供一種微影系統，其包括一微影裝置及如上文所闡述的根據本發明之一檢測裝置。
本發明進一步提供一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用該第一態樣之該方法以判定至少一個校正；將該至少一個校正應用於強度量測且使用該等經校正強度量測以監測一微影程序參數；及根據該微影程序參數針對稍後基板而控制該微影程序。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
11‧‧‧輻射源
12‧‧‧照明系統/透鏡
12a‧‧‧準直使用透鏡系統
12b‧‧‧彩色濾光器
12c‧‧‧偏光器
13‧‧‧孔徑元件
13N‧‧‧孔徑/孔徑板
13S‧‧‧孔徑
15‧‧‧部分反射表面/光束分裂器
16‧‧‧顯微鏡接物鏡/透鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
19‧‧‧光瞳影像偵測器/第一偵測器
20‧‧‧透鏡
21‧‧‧場光闌
22‧‧‧透鏡
23‧‧‧第二二維影像偵測器/場影像偵測器/暗矩形
32‧‧‧目標光柵
33‧‧‧目標光柵
34‧‧‧目標光柵
35‧‧‧目標光柵
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
500‧‧‧第一曲線
510‧‧‧第二曲線
600‧‧‧目標
610‧‧‧量測場
620‧‧‧正常目標部位
700‧‧‧目標
710‧‧‧量測場
720‧‧‧正常目標部位
800‧‧‧步驟
805‧‧‧校準階段
810‧‧‧校準步驟
820‧‧‧校準步驟
830‧‧‧校準步驟
840‧‧‧校準步驟
845‧‧‧校正階段
850‧‧‧步驟
860‧‧‧步驟
870‧‧‧步驟
880‧‧‧步驟
890‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
CP‧‧‧收集路徑
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
H1‧‧‧組件光柵
H2‧‧‧組件光柵
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IP‧‧‧照明路徑
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MEA‧‧‧量測站
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧圖案化元件支撐件或支撐結構
O‧‧‧光軸/軸線
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧影像處理器及控制器/單元
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
S‧‧‧經聚焦光點/量測場
S'‧‧‧圓形區域
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標/光柵
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
V1‧‧‧組件光柵
V2‧‧‧組件光柵
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例的包括檢測裝置之微影製造單元或叢集；圖3包含(a)根據本發明之第一實施例之檢測裝置的示意圖；(b)處於第一定向中之基板及目標的表示；(c)處於第二定向中之基板及目標的表示；(d)在基板處於第一定向中之情況下的+1繞射階之捕捉的 示意性說明；及(e)在基板處於第二定向中之情況下的-1繞射階之捕捉的示意性說明；圖4描繪(a)基板上的目標之已知形式及量測場之輪廓；及(b)在圖3之檢測裝置中獲得的目標之影像；圖5為針對在相對於量測場之兩個部位中之經量測之光柵在y軸上之強度或不對稱性相對於在x軸上之所關注參數(例如，焦點、劑量或疊對)的曲線圖；圖6說明(a)處於正常部位中之目標的第一量測；及(b)至(e)處於經移位部位中之每一光柵的第二量測；圖7說明(a)及(d)處於正常部位中之目標的第一量測；及(b)、(c)、(e)及(f)處於經移位部位中之每一光柵的第二量測；及圖8為描述本發明之一實施例之方法的流程圖。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台)WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且用作用於設定及量測圖案化元件及基板之位置以及圖案化元件及基板上之特徵 之位置的參考件。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化元件支撐件以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可採取許多形式。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中之特定功能層。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化元件)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化元件」同義。術語「圖案化元件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化元件之圖案資訊的元件。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件MT上之圖案化元件MA上，且係由該圖案化元件而圖案化。在已橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案 化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於元件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。
可在多種模式中使用所描繪裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂「無光罩」微影中，使可程式化圖案化元件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。
亦可採用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上 之對準標記之位置。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測該基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等元件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、曝光焦點及劑量、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在檢測可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在 基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
在度量衡系統MET內，檢測裝置係用以判定基板之屬性，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之屬性如何在不同層間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機元件。為了實現最快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
用於小目標暗場度量衡之實例檢測裝置
圖3之(a)中展示適合於執行暗場度量衡之檢測裝置。圖3之(b)及(c)中以不同定向展示基板W與目標T。圖3之(d)及(e)中更詳細地說明目標T之週期性結構或光柵以及經繞射射線。暗場度量衡裝置可為單機元件或(例如)在量測站處併入微影裝置LA中，或併入微影製造單元LC中。
在此類型之檢測裝置中，由照明系統12調節由輻射源11發射之輻射。舉例而言，照明系統12可包括準直使用透鏡系統12a、彩色濾光器12b、偏光器12c及孔徑元件13。經調節輻射遵循照明路徑IP，在照 明路徑IP中該經調節輻射由部分反射表面15(光束分裂器)反射且經由顯微鏡接物鏡16而聚焦至基板W上之光點(量測場)S中。度量衡目標T可形成於基板W上。透鏡16具有高數值孔徑(NA)，其較佳為至少0.9且更佳為至少0.95。可視需要使用浸潤流體以獲得大於1之數值孔徑。
當輻射光束入射於部分反射表面15上時，輻射光束之部分透射通過光束分裂器且遵循參考路徑(圖中未繪示)。偵測參考路徑中之輻射(例如)以量測入射輻射之強度，以允許在散射光譜(繞射光譜)中量測之強度值之正規化。
由基板反射之輻射(包括由任何度量衡目標T繞射之輻射)係由透鏡16收集且遵循收集路徑CP，在收集路徑CP中，輻射通過部分反射表面15而傳遞至偵測器19中。偵測器可位於透鏡16之焦距F處的背向投影式光瞳平面P中。實務上，光瞳平面自身可為不可近接的，且可替代地藉由輔助光學件(圖中未繪示)重新成像至位於所謂的共軛光瞳平面P'中之偵測器上。偵測器較佳為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜或繞射光譜。在光瞳平面或共軛光瞳平面中，輻射之徑向位置定義輻射在經聚焦光點S之平面中之入射角/出射角，且圍繞光軸O之角位置定義輻射之方位角。
可調整照明系統12之各種組件以在同一裝置內實施不同度量衡「配方」。可(例如)由干涉濾光器之集合實施彩色濾光器12b以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的不同所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵來代替干涉濾光器。偏光器12c可為可旋轉的或可調換的以便在量測場S中實施不同偏振狀態。孔徑元件13可經調整以實施不同照明剖面，如下文進一步描述。孔徑元件13位於與接物鏡16之光瞳平面P及偵測器19之平面共軛的平面P"中。以此方式，由 孔徑元件界定之照明輪廓界定傳遞通過孔徑元件13上之不同部位的入射於基板輻射上之光之角分佈。
第二光束分裂器(部分反射表面)17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階及一階繞射光束在第一偵測器19(例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)，如上文所描述。在第二量測分支中，包括透鏡20、22之光學系統在第二二維影像偵測器23(例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供被稱作場光闌21之孔徑板。此平面可被稱作「中間光瞳平面」。場光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於偵測器23上的目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。將由偵測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若存在-1階及+1階中之僅一者，則將不形成光柵線之影像。
在度量衡目標T提供於基板W上的情況下，此度量衡目標可為1-D週期性結構或光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。該目標可為2-D週期性結構或光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PS)中之色像差敏感。照明對稱性及此等像差之存在將顯露於經印刷光柵中之變化中。因此，經印刷光柵之散射量測資料係用以量測光柵之屬性。此等屬性又用以監測在基板上之別處藉由同一程序而形成之功能產品特徵之屬性。
在裝置之一特定應用中，藉由量測產品及/或目標圖案中之特徵之不對稱性來監測程序。不對稱性量測之特定應用係針對疊對之量 測，其中目標包含疊置於另一組週期性特徵上的一組週期性特徵。簡單而言，雖然目標之繞射光譜中的繞射階之位置僅由目標之週期性判定，但繞射光譜中之強度位準之不對稱性指示構成該目標的個別特徵中之不對稱性。不對稱性量測之另一應用係自經曝光目標量測在該目標之曝光期間針對焦點或劑量設定之值。
在第一量測分支中，繞射階中之此不對稱性直接呈現為藉由偵測器19記錄之光瞳影像中的不對稱性。可藉由單元PU中之數位影像處理來量測此不對稱性，且相對於(例如)疊對、焦點或劑量之已知值來校準此不對稱性。然而，對於本發明，最關注使用如現在將描述之裝置之第二量測分支來量測藉由暗場成像技術進行之小目標上之不對稱性(但並不自本發明排除使用第一量測分支之光瞳平面量測之適用性)。
如所提及，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為接物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間提供合適形式之孔徑元件13來進行此選擇。在所說明實例中，改變孔徑元件13允許選擇不同孔徑，且因此選擇不同照明模式。孔徑13N之所說明形式界定來自僅出於描述起見而經指定為「北」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為在所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要量測信號。
如圖3之(b)及(c)中示意性地所展示，可將量測場(亦被稱作量測光點)S置放至目標T上，其中該目標處於不同定向中。為了達成此置放，可在量測操作期間提供基板台以固持基板W。基板台在形式上可 相似於或相同於圖1之微影裝置LA中之基板台WTa、WTb。(在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，基板台可甚至為相同基板台)。粗略定位器及精細定位器可經組態以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至接物鏡16下方之位置中。通常將對橫越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。基板支撐件可在X及Y方向上移動以獲取不同目標，且在Z方向上移動以獲得光學系統在目標上之所要聚焦。亦提供基板台圍繞Z軸之旋轉。方便的是將操作考慮及描述為如同將量測場S帶入至基板上之不同部位一樣。在此等操作之實務實施中，若光學系統在基板移動時保持實質上靜止，則通常更為方便。倘若基板及光學系統之相對位置正確，原則上彼等基板及光學系統中之一或兩者在真實世界中是否移動就不重要。
在圖3之(b)中，我們看到以第一定向而帶入至量測場S中之實例目標T，吾人可藉由零度之旋轉角RZ(RZ=0)來界定該實例目標T。在圖3之(c)中，吾人看到以180度旋轉(按弧度計RZ=π)而帶入至量測場S中之相同目標。應理解，此處出於說明起見極大地誇示量測場及目標之大小。真實基板可具有橫越其而分佈之用於量測該基板上不同位置處之疊對及其他參數之許多目標。量測場S之直徑可(例如)在10微米與50微米之間，而目標T在此類型之小目標度量衡中配合於該量測場直徑內。因此，目標被稱作「填充過度」。
圖3之(d)及(e)示意性地展示在基板W垂直於接物鏡16之光軸O的情況下在目標T之週期性結構(光柵)被置放於量測場S中時所導致的繞射光譜之更多細節。在圖3之(d)中，使用定向RZ=0，而在圖3之(e)中，使用180度旋轉定向(RZ=π)。與軸線O成一角度而照射於光柵T上之照明射線I產生一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(單點虛線+1及雙點虛線-1)。
應記住，所說明之射線中之每一者僅為屬於基板區域之許多平行射線中之一者，該基板包括度量衡目標T且藉由填充過度之小目標光柵可包括與量測程序不相關之其他特徵。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，光柵節距及照明角度可經設計或經調整成使得進入接物鏡之一階射線與中心光軸緊密對準。圖3之(a)、(d)及(e)中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖中被更容易地區分。
由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由接物鏡16收集，且被返回導向通過光束分裂器15。返回至圖3之(a)，藉由指明被標註為北(13N)及南(13S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I來自光軸之北側時，亦即當使用孔徑板13N來施加第一照明模式時，+1繞射射線(其被標註為+1)在目標之定向為第一定向(RZ=0)時進入接物鏡16。相比而言，在第二定向(RZ=π)中，-1繞射射線為進入透鏡16之射線。
可自由光柵繞射之輻射之第一選定部分之強度及由光柵繞射之輻射之第二選定部分之強度，且更具體言之自針對+1及-1繞射階之經偵測輻射之強度計算不對稱性A之量測。在公式中：A=I +1-I -1 方程式(1)
將不對稱性量測計算為針對+1階與-1階所量測之強度之間的差。對於每一強度量測I，下標表示繞射階+1或-1(可使用其他高階來代替一階)。
在偵測器23上形成影像的過程中使用繞射光譜之哪一部分係依據照明孔徑、場光闌、輻射波長及量測場內之週期性結構之節距而變 化。圖3中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹為實例。用以改變繞射光譜之哪一部分進入接物鏡16而不改變目標之定向的另一方式為改變照明模式，例如藉由自孔徑13N改變至孔徑13S。此選項可用於下文所解釋之方法中。代替改變孔徑13或除了改變孔徑13，另外替代例為改變場光闌21。在本發明之其他實施例(其中一些將在下文中說明及描述)中，使用目標之同軸照明且具有離軸孔徑之場光闌用以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦可在量測中使用二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)。
為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。替代地或另外，可提供及調換板13之集合，以達成相同效應。亦可使用諸如可變形鏡面陣列或透射空間光調變器之可程式化照明元件。可使用移動鏡面或稜鏡作為用以調整照明模式之另一方式。
雖然在本發明之實例中用於成像之光學系統具有受到場光闌21限定之寬入口光瞳，但在其他實施例或應用中，成像系統自身之入口光瞳大小可足夠小以限定至所要階，且因此亦用作場光闌。圖3之(c)及(d)中展示不同孔徑板，該等孔徑板可如下文進一步所描述而使用。目前，足以簡單地考慮使用孔徑板13N。
圖4之(a)描繪根據已知實務形成於基板上之複合目標。複合目標包含四個光柵32至35，該等光柵緊密地定位在一起使得其將皆在藉由度量衡裝置之照明光束而形成之量測場S內，且因此同時皆被照明且同時皆成像於偵測器23上。在專用於疊對量測之實例中，光柵32至35自身為由在形成於基板W上之半導體產品之不同層中經圖案化之疊對光柵而形成的複合光柵。光柵32至35以不同方式經偏置，以便促進經形成有複合光柵之不同部分之層之間的疊對之量測。亦在此實例中， 光柵32及34在X方向上具有週期性及疊對偏置，而光柵33及35在Y方向上具有定向及疊對偏置。在一項實例中，光柵32至35分別具有為+d、-d、-d、+d之偏置。偏置+d意謂光柵中之一者使其組件經配置成使得若該等組件兩者確切地印刷於其標稱部位處，則該等組件中之一者將相對於另一者偏移達距離d。偏置-d意謂疊對光柵使其組件經配置成使得若該等組件被完美地印刷，則將存在為d但在與第一光柵等等相對之方向上的偏移。雖然說明四個光柵，但實務實施例可能需要更大矩陣以獲得所要準確度。舉例而言，九個複合光柵之3×3陣列可具有偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由偵測器23捕捉之影像中識別此等光柵之分離影像。
圖4之(b)展示可在圖3之裝置中使用圖4之目標形成於感測器23上且由該感測器偵測到之影像的實例。雖然光瞳影像偵測器19不能解析不同個別光柵32至35，但場影像偵測器23可解析不同個別光柵32至35。被標註為23之暗矩形表示偵測器23上之影像之場，在此場內，基板上之量測場S成像至對應圓形區域S'中。在此場內，矩形區域42至45表示小目標光柵32至35之影像。若光柵位於產品區域中，則產品特徵在此影像中亦可為可見的。影像處理器及控制器PU處理此等影像以識別光柵32至35之分離影像42至45。此可藉由圖案匹配技術進行，使得影像並非必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準。以此方式縮減準確對準之需要極大地改良作為整體之量測裝置之產出率。然而，若成像程序經受橫越量測場之非均一性，則位置變化可在量測結果中引入不準確性。不僅光學路徑中之各種組件之屬性，而且照明之強度及偵測之敏感度可橫越量測場而變化。
一旦已識別光柵之分離影像，就可(例如)藉由對經識別區域內之選定像素強度值進行平均化或求和而量測彼等個別影像之強度。可例如使用方程式(1)將影像之強度及/或其他屬性彼此比較。可組合此等 結果以量測微影程序之不同參數。疊對效能、焦點及/或劑量(其中之每一者可藉由量測光柵目標之不對稱性予以量測)為此參數之重要實例。
不同目標可經設計成使得其不對稱性強烈取決於為了量測微影程序之所關注參數。對於本文所描述之實例，目標可經設計(作為實例)以用於量測作為所關注參數之疊對或焦點及/或劑量。可使用兩個或兩個以上光柵所含有之不同偏置值之知識依據針對該兩個或兩個以上光柵而量測之不對稱性來計算此目標附近之疊對OV之量測。
OV=f(A -d ,A +d ) 方程式(2)
亦即，可結合經偏置光柵中之不同偏置之知識使用該等光柵之不對稱性之量測來計算未知疊對OV。應注意，圖3之(a)之實例目標為在X及Y方向上具有組件光柵且具有兩個偏置值+d及-d的複合目標，應理解，該目標允許根據彼等目標光柵之不對稱性量測來計算在X及Y兩個方向上之疊對量測。在一項實例中，藉由如下公式來計算疊對：
其中d為偏置之量，且p為光柵節距。可(例如)以奈米(nm)為單位來表達偏置及節距。
不對稱性量測之另一特定應用係用於自經印刷為具有焦點及/或劑量相依不對稱性之光柵進行焦點及/或劑量之量測。就此而言，可設計使光柵結構之不對稱性對在微影程序之曝光步驟期間之焦點變化敏感之光柵。在已知焦點與不對稱性之間的關係的情況下，特別藉由使用針對敏感度而具有不同偏置值之光柵，可藉由觀測此類型之光柵中之不對稱性來導出焦點量測。相似地，可設計不對稱性對微影程序中之劑量變化敏感之光柵。在使用此等光柵的情況下，可基於已經描述之類型之不對稱性之量測來量測橫越基板或基板之間的劑量變化。 視需要所有此等不同類型之光柵可提供於同一基板上且甚至在同一複合目標內，以提供關於微影程序之效能之綜合資訊。在使用本文中所描述之以基於影像之繞射為基礎之量測系統的情況下，可提供極緊密目標，使得此等量測並未過度地影響可用於同一基板上之功能產品特徵之空間。
舉例而言，在上文所引證之已公佈專利申請案US2006066855A1中描述使用圖3之器具進行不對稱性量測的概念。簡單而言，雖然目標之繞射光譜中的繞射階之位置僅由目標之週期性判定，但繞射光譜中之強度位準之不對稱性指示構成該目標的個別特徵中之不對稱性。在圖3之器具中(其中偵測器19可為影像感測器)，繞射階之此不對稱性直接呈現為由偵測器19記錄之光瞳影像中的不對稱性。可藉由單元PU中之數位影像處理來量測此不對稱性，且自此不對稱性可判定焦點。
良好地建立此量測之原理，且無需在本文中對其進一步描述。然而，將顯而易見的是，若在光柵中之任一者或兩者之不對稱性量測中存在任何誤差，則彼等不對稱性之疊對或焦點量測計算之函數亦很可能含有誤差。
如所提及，關於同時地量測多個光柵(如圖4中所說明)之問題為量測場(或量測光點)非均質性問題。已知用於以繞射為基礎之疊對、焦點或劑量度量衡之現有系統遭受量測場非均質性，亦即，經量測(疊對/焦點)值受到量測場內之光柵(常常被稱作量測光點)之部位影響，該量測場為在量測目標時由量測輻射界定之場。此情形對量測準確度及效能有消極影響。
光柵之每一量測通常為強度量測。強度量測可關於由光柵繞射之輻射之單一繞射階(例如，+1或-1階)之強度。可展示出，量測場非均質性之影響為在量測場內之不同部位處之強度量測之間的偏移。此 情形藉由圖5之曲線圖來說明。此圖展示y軸上之繞射階或不對稱性之經量測強度(互補非零繞射階之強度差)相對於x軸上之所關注參數(例如，焦點、劑量或疊對)。展示兩個曲線：第一曲線500，其說明針對量測場內之第一量測部位中之實例光柵之關係；及第二曲線510，其說明針對量測場內之第二量測部位中之相同光柵之關係。如可看到，關係500與關係510基本上相似，但分離達偏移δ。提議校準及校正此偏移。
所提議方法根據一實施例包含校準步驟及校正步驟。校準步驟基於偏移δ判定校正且校正步驟將校正應用於後續強度量測。
在一實施例中，校準步驟包含至少執行每一光柵之第一量測及第二量測，以分別獲得第一量測值Iref及第二量測值Ishift。A第一量測可包含量測處於正常部位中之光柵。正常部位可為在目標之典型量測期間之光柵之部位。此正常部位可為在包含光柵之目標在量測場內實質上居中時之光柵之部位。因此，用於每一光柵之此正常部位可為每一光柵相對於如圖4之(a)中所說明之量測場之部位。在一實施例中，可對包含於一目標內之所有光柵同時地執行此第一量測。
對每一光柵執行每一光柵之第二量測，其中該光柵在目標之另一經相似定向光柵之「正常」部位處被量測。在一實施例中，目標包含若干對對應光柵。作為實例(其中目標為疊對目標)，一對對應光柵可包含具有相同定向及不同偏置(例如，互補偏置一具有相等量值及相對方向之偏置)之兩個光柵。該等光柵可替代地具有正常或鏡像特徵抑或不同目標尺寸。在一特定實例中，目標可包含以兩對對應光柵而配置之四個光柵。該兩對對應光柵可包含具有第一定向之第一對光柵及具有第二定向之第二對光柵。該第一定向與該第二定向可相差90°(例如，一對經x定向或水平光柵及一對經y定向或垂直光柵)或相差180°(例如，一對正常光柵及一對鏡面光柵)。
對於焦點及/或劑量光柵，對應光柵可為如下光柵：其包含相似光柵特徵尺寸，使得目標可包含具有光柵特徵尺寸之第一集合之第一對光柵及具有光柵特徵尺寸之第二集合之第二對光柵。光柵結構之單一特徵可包含一線，該線具有自該線之一側垂直地延伸之高解析度子結構。基節距(base pitch)之頂部上之高解析度子結構產生用於每一光柵特徵之不對稱抗蝕劑剖面，其中不對稱度取決於焦點/劑量。變化諸如線寬、高解析度子結構長度及/或高解析度子結構寬度之光柵特徵尺寸會提供不同印刷屬性，且因此，提供不同焦點及/或劑量回應。
每一對對應光柵可包含具有正常特徵之一個光柵及具有鏡面特徵之一第二光柵。鏡面特徵可包含相對於正常特徵橫向地倒轉之光柵特徵。此可使得第二光柵實質上相似於第一光柵，其經定向成相對於第一光柵成180°。正常光柵及鏡面光柵對某些像差(例如，慧形像差)作出相似反應，但具有相對之焦點相依不對稱性敏感度。因此，差信號將為焦點敏感的，但不為慧形像差敏感的。
因此，應理解，一般而言，一對對應光柵之概念可包含在光柵之任一或多個特徵方面對應之光柵，該任一或多個特徵包括(非詳盡地)：定向、任一或多個光柵特徵尺寸、若干對主控及受控光柵、偏移偏置、作用區間循環、節距、標記/空間比率。
亦應理解，本文所揭示之概念同樣適用於包含多於或少於四個光柵之目標。舉例而言，目標可包含單一(對應)對光柵。作為另一實例，可根據本文所描述之概念量測先前所提及之具有九個複合光柵之3×3陣列(具有(例如)偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d)的目標。在此實例中，將尋找每對應對(例如，每偏置對-(+4d、-4d)；(+3d,-3d)；...等等)之校正因數。在此找到之後，可來判定此等校正之幾何平均數，如下文所描述(參見方程式(14)或方程式(15))。 無需尋找對此陣列之中心光柵(在此特定實例中不具有偏置)之校正，此係因為將在正常量測中在量測場之中心量測該中心光柵。
在一特定實施例中，一對應對之每一光柵可相對於2×2陣列中之另一光柵而對角地配置。另一經相似定向光柵之正常部位可為在目標處於其典型量測部位中時之該對應對之另一光柵的部位，例如，在包含光柵之目標在量測場內實質上居中時之該光柵之部位。
以此方式，針對每一光柵獲得一對強度量測值Iref、Ishift：處於相對於量測場之正常部位之每一光柵的第一量測值Iref；及處於相對於量測場之經移位部位之每一光柵的第二量測值Ishift。在每一狀況下，經移位部位為包含於目標內之對應經相似定向光柵的正常部位。
圖6說明此等量測中之每一者。在圖6之(a)中，量測處於正常部位(例如，在量測場610內居中)之目標600。以此方式，在組件光柵H1、H2、V1、V2中之每一者處於其正常部位的情況下獲得用於每一組件光柵H1、H2、V1、V2之強度量測值IrefH1、IrefH2、IrefV1、IrefV2。可同時地進行強度量測。應注意，用於光柵之H及V前綴指示其定向(H針對水平或x定向且V針對垂直或y定向)。所展示之特定配置係純粹例示性的，且其他配置及光柵排序係可能的(包括本文所描述之所有替代例)。
在圖6之(b)中，目標600在量測場610內移動使得光柵V1在量測場610內處於在目標600處於其正常部位時(如圖6之(a)中所說明)由光柵V2佔據的部位。應注意，為了清楚起見，圖6之(b)至圖6之(e)展示(以點線)正常目標部位620。在目標600相對於量測場610處於此部位的情況下，執行對光柵V1之強度量測以獲得強度量測值IshiftV1。
在圖6之(c)中，目標600在量測場610內移動使得光柵H1在量測場610內處於在目標600處於其正常部位時由光柵H2佔據的部位。在目標600相對於量測場610處於此部位的情況下，執行對光柵H1之強度 量測以獲得強度量測值IshiftH1。
在圖6之(d)中，目標600在量測場610內移動使得光柵V2在量測場610內處於在目標600處於其正常部位時由光柵V1佔據的部位。在目標600相對於量測場610處於此部位的情況下，執行對光柵V2之強度量測以獲得強度量測值IshiftV2。
在圖6之(e)中，目標600在量測場610內移動使得光柵H2在量測場610內處於在目標600處於其正常部位時由光柵H1佔據的部位。在目標600相對於量測場610處於此部位的情況下，執行對光柵H2之強度量測以獲得強度量測值IshiftH2。
圖7說明用於對應光柵H1與H2或V1與V2並排地配置(在x方向上鄰近)之目標的替代校準階段。在圖7之(a)中，量測處於正常部位(例如，在量測場710內居中)之目標700。以此方式，在組件光柵H1、H2、V1、V2中之每一者處於其正常部位的情況下獲得用於每一組件光柵H1、H2、V1、V2之強度量測值IrefH1、IrefH2、IrefV1、IrefV2。可同時地進行強度量測。因此，此步驟與由圖6之(a)所說明之步驟基本上相同，其僅在目標佈局方面不同。
在圖7之(b)中，目標700在量測場710內移動使得光柵V2在量測場710內處於在目標700處於其正常部位時由光柵V1佔據的部位，且光柵H2在量測場710內處於在目標700處於其正常部位時由光柵H1佔據的部位。應注意，為了清楚起見，圖7之(b)及圖7之(c)展示(以點線)正常目標部位720。在目標700相對於量測場710處於此部位的情況下，執行對光柵V2之強度量測以獲得強度量測值IshiftV2，且執行對光柵H2之強度量測以獲得強度量測值IshiftH2。
在圖7之(b)中，目標700在量測場710內移動使得光柵V1在量測場710內處於在目標700處於其正常部位時由光柵V2佔據的部位，且光柵H1在量測場710內處於在目標700處於其正常部位時由光柵H2佔據 的部位。在目標700相對於量測場710處於此部位的情況下，執行對光柵V1之強度量測以獲得強度量測值IshiftV1，且執行對光柵H1之強度量測以獲得強度量測值IshiftH1。
以此方式，相比於首先描述之校準實施例，校準時間基本上減半。僅需要量測處於相對於量測場之兩個經移位部位中之目標，其中針對每一經移位部位採取兩個同時量測。
圖7之(d)至(f)展示相似配置，但其中對應光柵在y方向上彼此鄰近地配置。圖7之(d)說明基本上相同於由圖7之(a)所說明之步驟的步驟，其僅在目標佈局方面不同。相似地，圖7之(e)說明基本上相同於由圖7之(b)所說明之步驟的步驟，惟移位係向下來代替向左(自所展示之透視圖)除外，且圖7之(f)說明基本上相同於由圖7之(c)所說明之步驟的步驟，惟移位係向上來代替向右除外。
在目標為用於量測疊對之疊對目標的情況下，光柵H1可為具有第一偏置(例如，正偏置+d)之經水平定向光柵，光柵H2可為具有第二偏置(例如，負偏置-d)之經水平定向光柵，光柵V1可為具有第一偏置之經垂直定向光柵，且光柵V2可為具有第二偏置之經垂直定向光柵。以此方式，量測處於正常部位中及處於具有不同偏置之經相似定向光柵之正常部位中的每一光柵。
在目標為用於量測焦點及/或劑量設定之焦點目標的情況下，光柵H1可為具有光柵特徵尺寸及正常特徵之第一集合之光柵，光柵H2可為具有光柵特徵尺寸及鏡面特徵之第一集合之光柵，光柵V1可為具有光柵特徵尺寸及正常特徵之第二集合之光柵，且光柵V2可為具有光柵特徵尺寸及鏡面特徵之第二集合之光柵。以此方式，量測處於正常部位中及處於具有相似光柵特徵尺寸且具有相對特徵方向之光柵之正常部位中的每一光柵。其他配置係可能的。
在每一狀況下，校準階段係藉由自每一對強度量測值Iref、Ishift判 定校正(例如，校正因數或校正偏移)來完成。此校正可接著在校正階段中用以校正處於相對於量測場之正常部位的光柵之經量測值。
在一特定實施例中，校準階段可包含獲得待應用於光柵量測之偏移之值。此途徑特別適合於焦點/劑量目標，但不限於此。因此，關於具有正常特徵(n個光柵)及鏡像特徵(m個光柵)之焦點/劑量光柵來描述下文之分析。在將圖6用於參考的情況下，正常光柵為被標註為H1及V1之光柵，且鏡面光柵為被標註為H2及V2之光柵。
可展示出，n光柵與m光柵之量測場剖面極相似。現在假設歸因於量測場剖面，處於正常部位處之光柵H1之強度具有偏移α，且處於經移位部位處之光柵H1之強度具有偏移β。在於WR模式中進行量測的情況下，在正常量測中藉由如下方程式獲得光柵H1之經量測不對稱性AH1及光柵H2之經量測不對稱性AH2：A H1=(I H1,WR0+α)-(I H1,WR180+β) A H2=(I H2,WR0+β)-(I H2,WR180+α) 方程式(4)
其中IH1,WR0為在晶圓定向為0°的情況下之光柵H1之強度量測，IH1,WR180為在晶圓定向為180°的情況下之光柵H1之強度量測，IH2,WR0為在晶圓定向為0°的情況下之光柵H2之強度量測，且IH2,WR180為在晶圓定向為180°的情況下之光柵H2之強度量測。假定關於正常光柵及鏡像光柵之偏移相似。
為了縮減來自微影裝置之像差效應，將n目標與m目標之不對稱性平均化：
應注意，應將結果相減，此係因為否則來自H1及H2光柵之強度 量測將歸因於光柵特徵之齒狀物定向而相消。自方程式(5)變得明確的是，量測場相依效應在此量測中並不相消。
現在在考慮到包括校準量測之情形下：
其中下標n係關於來自正常量測之強度，且下標s係關於來自經移位量測之強度。
自方程式(6)變得明確的是，當將兩個不對稱性信號AH1及AH2平均化時，偏移α、β相消。此情形假定在晶圓旋轉之前及之後之偏移相似，此為合理假定。因此，可看到，若緊接著正常量測執行經移位量測，則可移除量測場非均質性之效應。然而，此等額外量測在針對每一量測予以執行的情況下將導致不可接受的量測產出時間。因此，在校準階段中較不頻繁地執行經移位量測(校準之頻率係任憑使用者處理)。在此實施例中，校準階段包含判定在正常部位處量測之強度與平均強度之間的偏移。校正階段接著包含隨後運用此經校準偏移來校正正常量測。可視情況執行每光柵之此校準；且亦可執行每孔徑及/或每晶圓定向之校準。此實施例中之校準係如下：I H1,WR0,n =I H1,WR0+α I H1,WR0,s =I H1,WR0+β I H1,WR180,n =I H1,WR0+β I H1,WR180,s =I H1,WR0+α
其中下標av指示平均強度。
應注意，+1及-1階強度甚至在校準之後仍受到量測場非均質性影響。然而，因為不對稱性量測包含兩個強度之間的差，所以偏移項α、β在不對稱性量測中相消。因此，此實施例中之校準階段包含判定正常量測與平均量測之間的偏移Δ：
因此，可使用如下方程式自校準階段中獲得之正常量測及經移位量測判定此偏移：
原則上可依據光柵及/或量測元件之各種參數判定校正。舉例而言，此等參數可包含如下各者中之一或多者：光柵類型(例如，偏置或光柵特徵尺寸)、晶圓旋轉角(例如，相隔180°之兩個角度)及孔徑(例如，圖3之(a)中之被標註為13N或被標註為13S之孔徑)。此判定包含：在條件(光柵類型、晶圓旋轉角及孔徑剖面)之不同集合下執行校準(正常量測及經移位量測)；且在每一狀況下，判定特定用於彼等條件之校正(此處為校正偏移，但此概念適用於本文所揭示之其他校正方法)。在一實施例(下文更詳細地描述)中，可將此等校正中之一些或全部平均化以縮減雜訊或尋找(例如)對特定參數之平均校正(例如，對不同光柵類型之平均校正)。
校正偏移Δ可接著用以在校正階段中校正個別量測。此校正可藉由將校正偏移應用於經量測信號(例如，強度)值來進行。偏移之應用可包含在適當時將校正偏移與經量測信號相加或自經量測信號減去校 正偏移。具體言之，基於方程式(8)，可自如下方程式尋找經校正強度值：
其中I為關於處於正常部位之光柵之經量測強度值(目標在量測場中居中使得可同時地量測所有光柵)。
在針對不同條件判定多個校正之實施例中，應針對用於獲得經量測強度值之(例如，照明)條件選擇適當經判定校正。在此實施例中，將已自在與用以獲得正經校正之經量測強度值之條件相同之條件下獲得的正常量測及經移位量測判定用於校正步驟中之校正。
在特別適合於疊對目標(但不限於此)之另一特定實施例中，代替校正偏移，校正可包含判定校正因數CF。可使用對應於一光柵之每一對強度量測值Iref、Ishift來計算校正因數。在此實施例中，可藉由如下方程式計算用於光柵之校正因數CF：
因此，校正因數CF之應用將對經量測強度值強加校正使得將量測之經校正強度值使光柵在正常部位與經移位部位之間居中；其中對應目標經對角地對置，此將意謂在量測場內居中。
在有可能判定目標部位x0的情況下(例如，在有可能使用圖案辨識技術的情況下)，可以較大準確度判定校正因數。非零部位xo將意謂目標並不相對於量測場理想地居中。在此狀況下，可藉由如下方程式計算校正因數CF：
其中Δx為參考部位與經移位部位之間的距離。
在用以判定校正因數之校準階段之後，可接著在校正階段中使 用校正因數以校正個別量測。此校正可藉由將校正因數與經量測信號(例如，強度)值相乘來進行。具體言之，可使用如下方程式來尋找經校正強度值：
其中I為關於處於正常部位之光柵之經量測強度值(目標在量測場中居中使得可同時地量測所有光柵)。校正因數CF可為下文所描述之經平均化校正因數中之任一者。應針對用於獲得經量測強度值I之(例如，照明)條件選擇適當校正因數。
如同校正偏移一樣，原則上可依據光柵及/或量測元件之各種參數判定校正因數CF。舉例而言，此等參數可包含如下各者中之一或多者：光柵類型(例如，偏置或光柵特徵尺寸)、晶圓旋轉角(例如，相隔180°之兩個角度)及孔徑剖面(例如，圖3之(a)中之被標註為13N或被標註為13S之孔徑)。此判定可藉由在正常及經移位部位處執行光柵之另外對量測以獲得另外校正因數來進行，該等另外對量測係在不同條件下經執行。不同條件可包含單一參數之變化，或多個變化參數之不同組合。
舉例而言(適用於包括校正偏移及校正因數的任何類型之校正)，可在第一條件下量測處於正常及經移位部位之光柵，且接著可在第二條件下量測處於正常及經移位部位之光柵。可接著針對每一對量測計算校正。可針對一或多個參數針對任何數目個條件重複此計算。出於雜訊抑制之目的，可將經平均化校正判定為針對在不同條件下執行之每一對量測之校正C的平均值。平均值可為幾何平均數，例如：
量測條件之實際數目可經選擇為適合特定校正(亦即，將需要抑制之量測元件之特定非理想性)。同時，量測條件之數目將判定需要 進行之量測之數目，且因此判定量測產出率。若需要極快速產出率，則僅需要判定單一校正以校正照明非均一性。針對使用單一照明條件而量測之單一光柵偏置或光柵類型來判定此單一校正。為了改良雜訊抑制，可量測兩個不同光柵。舉例而言，可量測具有正偏置+d之光柵以判定校正C(+d)，且可量測具有負偏置-d之光柵以判定校正C(-d)。應注意，此平均化同樣適用於其他光柵類型，例如，正常光柵及鏡像光柵或在光柵特徵尺寸方面不同之光柵。經平均化校正將接著為：
此經平均化校正可用作針對所有照明條件之校正。替代地，可在判定校正時考量不同照明條件。在一實施例中，(例如)在晶圓旋轉模式中執行不對稱性量測時針對每一晶圓旋轉角(0°及180°)判定校正。此判定可針對單一光柵類型(針對每一晶圓旋轉角進行之量測)來進行，或可在先前量測之雜訊抑制(針對如下各者中之每一者進行之量測：兩個光柵類型及兩個晶圓旋轉角)來進行。在後一狀況下，在假定不同光柵類型為具有如前所述之相等且相對偏置+d、-d之光柵的情況下，可藉由如下方程式計算校正C(0°)、C(180°)：
其中C(+d,0°)為針對具有在晶圓旋轉角0°下量測之偏置+d之光柵類型而判定的校正，．C(-d,0°)為針對具有在晶圓旋轉角0°下量測之偏置-d之光柵類型而判定的校正，C(+d,180°)為針對具有在晶圓旋轉角180°下量測之偏置+d之光柵類型而判定的校正，且．C(-d,180°)為針對具有在晶圓旋轉角180°下量測之偏置-d之光柵類型而判定的校正。
另外，可針對不同照明孔徑剖面(例如，當在互補孔徑模式中量測不對稱性時)判定校正。可獨立於晶圓旋轉角及/或雜訊抑制來進行此判定。然而，在另一實施例中，判定四個校正，一個校正係針對包 含每一晶圓旋轉角及照明孔徑剖面之不同組合的一不同照明條件。如前所述，晶圓旋轉角可為0°與180°中之一者，而照明孔徑剖面可為圖3之(a)中被標註為13N或被標註為13S中之照明孔徑剖面中之一者。在以改良之雜訊抑制進行此判定的情況下，將針對兩個光柵類型、兩個晶圓旋轉角及兩個照明孔徑剖面中之每一者進行量測。
使用所描述之方法執行校準(以獲得校正)之頻率係任憑使用者處理。此通常將為校正準確度與量測產出率之間的折衷。執行愈多校準(且執行每校準愈多量測)，校正就將愈準確，但此將以產出率為代價。作為特定實例，可執行每工具、每產品層、每批次或每晶圓或此等各者之任何組合之一校準。
在圖6或圖7中可看到，在第二強度量測期間，整個目標可不在量測場內。此可意謂將不能夠使用一些圖案辨識技術，且因此，不可直接量測目標相對於量測場之部位。為了預防使用圖案辨識技術，提議使方法包含：在第一強度量測與第二強度量測之間(且相似地在用於每一光柵之每一後續第二強度量測之間)執行目標相對於量測場之部位之預定移動。可在不使用圖案辨識技術的情況下執行預定移動。亦可在不改變焦點(晶圓高度相對於量測元件之光學件)的情況下執行預定移動。此意謂在不等待焦點/位階量測子系統安排方面節省了時間。其亦幫助確保針對第一量測及每一第二量測之相似量測條件。
在一特定實例中，為了縮短量測時間，預定移動將在每一第二量測之間直接移動。亦即，在(例如)圖6之(b)、圖6之(c)、圖6之(d)及圖6中(e)中所說明之配置之間在每一第二量測之間不居中的情況下將存在直接預定移動。然而，在另一實施例中，目標可在此等移動中之每一者(或一個移動或一些移動)之間居中，以便補償在施加眾多此等預定移動之狀況下(例如，在上文所描述之3×3多偏置實例中)累積定位誤差。
應瞭解，目標或光柵相對於量測場或在量測場內之移動之所有描述包括：移動目標或光柵，同時維持量測場(投影光學件)靜止；移動量測場(投影光學件)，同時維持目標/光柵靜止；或同步地移動目標/光柵及量測場(投影光學件)兩者。
圖8為根據例示性實施例的用於自目標不對稱性量測微影程序之參數之方法之步驟的流程圖。步驟如下，且接著此後予以更詳細地描述：
800-開始。
805-校準
810-在正常量測部位處執行週期性結構(光柵)之第一量測；
820-在經移位量測部位處執行週期性結構(光柵)之第二量測；
830-自該第一量測及該第二量測判定針對每一光柵之校正；
840-視情況判定針對不同量測條件或光柵類型之進一步校正；
845-校正
850-執行自每一光柵散射之輻射之量測以獲得自每一光柵散射之輻射之經量測值；
860-藉由應用適用校正而校正自每一光柵散射之輻射之經量測值；
870-自每一光柵散射之輻射之經校正值判定每一光柵中之不對稱性；
880-自經判定不對稱性判定微影程序之參數；
890-結束。
校準階段805包含校準步驟810至840。可在任何頻率下(例如，每工具、每產品層、每批次或每晶圓或此等各者之任何組合)執行校準階段805。
在步驟810處，在正常量測部位處執行光柵之第一量測。正常量 測部位可為在量測場內居中之目標，如已描述。此第一量測可包含由光柵散射之輻射之零或非零繞射階之強度的量測。
在步驟820處，在經移位量測部位處執行光柵之第二量測。經移位量測部位可為同一目標之對應經相似定向光柵之正常量測部位，如已描述。再次，此第一量測可包含由光柵散射之輻射之零或非零繞射階之強度的量測。
在步驟830處，自在步驟810及步驟820處判定之第一量測及第二量測判定校正。此步驟可使用(例如)方程式(9)、方程式(11)或方程式(12)。
在選用步驟840處，可針對不同條件或光柵類型判定進一步校正。可將此等進一步校正平均化，或此等進一步校正可適用於所使用之某一條件(例如，照明條件)。在後一狀況下，可判定照明條件特定校正，使得在校正階段中取決於照明條件使用適用照明條件特定校正。此步驟可使用(例如)方程式(14)、方程式(15)或方程式(16)。
在校準階段之後，執行校正階段845以校正針對量測場非均質性之效應之量測。
在步驟850處，在目標處於其正常量測部位(例如，在量測場內居中)之情況下進行每一光柵之量測(例如，由每一光柵散射之繞射輻射之互補非零階的強度量測)。可在晶圓旋轉模式或互補孔徑模式中獲得繞射輻射之互補非零階。
在步驟860處，取決於光柵部位及(視情況)其他條件(諸如所使用之照明條件)而將如在校準階段805期間所判定之適用校正應用於強度量測。此步驟可使用(例如)方程式(10)或方程式(13)。
在步驟870處，自經校正強度量測判定每一光柵中之不對稱性。可在此步驟中使用方程式(1)。
在步驟880處，可自經判定不對稱性計算所監測之參數。舉例而 言，參數可為焦點、劑量或疊對。在參數為疊對的情況下，此步驟可使用方程式(3)。
據信所提議方法有效，而不管量測場中之非均質性之源。另外，該所提議方法並不依賴於用於量測場非均質性之原因之假定/模型。所提議方法可用於晶圓旋轉模式或互補孔徑模式中，且不依賴於使用不同孔徑之量測。所提議方法在可執行a)每目標b)每晶圓c)每晶圓批次之所提議校準步驟之意義上係靈活性的。經校準校正主要係目標獨立的，此允許自i)基準目標、ii)測試晶圓或iii)實際晶圓之(週期性、漂移)量測。所提議方法可藉由在無後續圖案辨識的情況下或具有基於個別光柵之後續圖案辨識/影像相關性的情況下使用目標位移來應付部分地在量測場之外部(在校準期間)之目標。
依據校正高階繞射輻射之強度來描述所提議概念。然而，應瞭解，該概念同樣適用於受到量測場非均質性影響的任何量測之校正。因此，可使用本文所描述之方法及裝置來判定用於(例如)臨界尺寸(CD)量測中之零階繞射輻射之校正。因此，此等校正可關於光瞳平面(非暗場)量測。
已將校正描述為校正偏移或校正因數。然而，應瞭解，校正可採取其他形式，且可(例如)為非線性校正。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
以上概念可應用於雙層及多層應用兩者中之以繞射為基礎之疊對目標。其亦可應用於用於量測曝光焦點之以繞射為基礎之焦點目標及/或應用於用於量測劑量之目標。
在組合不對稱性值以計算所關注參數(諸如疊對)之前，在計算不對稱性之階段應用以上校正計算。可根據在不同照明及/或成像模式中之工具光學系統之效能執行上文所描述之該等技術以校準且接著校 正不對稱性量測。若量測程序使用不同波長及/或偏振之輻射，則可針對此等不同波長及/或偏振之輻射分離地執行校準。
雖然實施例中所說明之檢測裝置或工具包含具有用於藉由平行影像感測器使光瞳平面及基板平面同時成像之第一分支及第二分支的特定形式之散射計，但替代配置為可能的。兩個分支可藉由諸如鏡面之可移動光學器件而選擇性地耦接，而非提供藉由光束分光器17永久地耦接至接物鏡16之該等分支。可使光學系統具有單個影像感測器，至感測器之光學路徑藉由可移動器件經重組態以充當光瞳平面影像感測器且接著充當基板平面影像感測器。
應瞭解，本文所描述之概念及校正同樣適用於在中間光瞳平面或光瞳平面(亦即，使用圖3之裝置之任一量測分支)中獲得之量測。光瞳平面量測可(例如)包括使用自目標散射之零階輻射而自該目標之臨界尺寸之量測。
雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在為形成於基板上之元件之功能部件的目標上量測屬性。許多元件具有規則的類光柵結構。本文所使用之術語「目標光柵」及「自標結構」無需已特定地針對所執行之量測來提供結構。
與如在基板及圖案化元件上實現之目標之檢測裝置硬體及合適週期性結構相關聯地，實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，該等機器可讀指令實施上文所說明的類型之量測方法以獲得關於微影程序之資訊。可(例如)在圖3之裝置中之控制器PU內及/或圖2之控制單元LACU內執行此電腦程式。亦可提供經儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影) 中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
在以下編號條項中提供根據本發明之另外實施例：
1.一種在使用界定一量測場之量測輻射來量測一目標之後判定對自該目標繞射之輻射之經量測值之一校正的方法，該校正會校正該等經量測值中之量測場部位相依性，該目標包含複數個週期性結構；其中該方法包含：執行該等週期性結構中之至少一者之一第一量測及一第二量測；及自該第一量測及該第二量測判定一校正；其中該第一量測係在該目標處於相對於該量測場之一正常量測部位的情況下執行；且該第二量測係在該週期性結構處於相對於該量測場之一經移位部位的情況下執行，該經移位部位包含在該目標處於相對於該量測場之該正常量測部位時的該等週期性結構中之另一者之部位。
2.如條項1之方法，其中經量測之該週期性結構與該等週期性結構之該另一者經相似地定向。
3.如條項1或2之方法，其中經量測之該週期性結構與該等週期性結構中之該另一者包含相似光柵特徵尺寸。
4.如條項1、2或3之方法，其中該目標包含一或多對對應週期性結構，且該方法係針對每一對對應週期性結構而執行，使得在該第一量測為該等對對應週期性結構中之一對對應週期性結構之一量測的情況下，該經移位部位為在該目標處於相對於該量測場之該正常量測 部位時的彼對對應週期性結構中之另一者之部位。
5.如條項4之方法，其中該目標包含兩對對應週期性結構。
6.如條項5之方法，其中該兩對對應週期性結構係以一個二乘二陣列之形式而配置。
7.如條項6之方法，其中包含於該等對之對應週期性結構中之每一者內的該等週期性結構經定位成在該陣列中對角地對置。
8.如條項6之方法，其中包含於該等對之對應週期性結構中之每一者內的該等週期性結構經定位成在該陣列中彼此鄰近。
9.如條項8之方法，其中針對處於經移位部位中之兩個週期性結構同時地執行一第二量測。
10.如條項5至9中任一項之方法，其中該兩對對應週期性結構中之一者具有一第一定向，且該兩對對應週期性結構中之另一者具有一第二定向。
11.如條項5至9中任一項之方法，其中該兩對對應週期性結構中之一者具有光柵特徵尺寸之一第一集合，且該兩對對應週期性結構中之該另一者具有光柵特徵尺寸之一第二集合。
12.如條項4至11中任一項之方法，其中該等對之對應週期性結構中之每一者包含兩個或兩個以上層之兩個週期性結構，該兩個週期性結構中之每一者在該等層中之兩者之置放之間具有相同定向但具有一不同偏置。
13.如前述條項中任一項之方法，其中該校正為可操作以藉由乘以該等經量測值而校正該等經量測值中之量測場部位相依性之一校正因數。
14.如前述條項中任一項之方法，其中該校正為可操作以藉由與該等經量測值相加或自該等經量測值減去而校正該等經量測值中之量測場部位相依性之一校正偏移。
15.如前述條項中任一項之方法，其中該第一量測包含同時地量測包含於該目標內之所有該等週期性結構。
16.如前述條項中任一項之方法，其包含如下步驟：執行在用於執行該第一量測之該正常量測部位與用於執行該第二量測之該第一經移位部位之間的該目標相對於該量測場之一預定移動。
17.如條項16之方法，其包含執行複數個第二量測以分別量測包含於一目標內之處於針對彼週期性結構之該適用經移位部位的每一週期性結構，該方法包含如下步驟：執行該目標相對於該量測場在該等經移位部位中之每一者之間之一預定移動。
18.如條項16或17之方法，其中在不使用圖案辨識的情況下且在不改變量測光學件之聚焦的情況下執行該等預定移動中之每一者。
19.如前述條項中任一項之方法，其中該目標包含用於量測焦點之一或多個焦點光柵。
20.如前述條項中任一項之方法，其中該目標包含用於量測劑量之一或多個劑量光柵。
21.如前述條項中任一項之方法，其中該目標包含用於量測臨界尺寸之一或多個光柵。
22.如條項1至19中任一項之方法，其中該目標為用於量測疊對之一疊對目標。
23.如前述條項中任一項之方法，其中對經量測之處於相對於該量測場並不居中之一部位中的一週期性結構之一經量測值應用該校正會校正該經量測值，使得該經校正值實質上為將在已量測處於在該正常量測部位與該經移位部位之間居中的一部位中之該週期性結構的情況下已獲得之值。
24.如前述條項中任一項之方法，其包含在該第一量測及該第二量測期間量測相對於該量測場之該實際目標部位，且使用該目標部 位之此等量測以判定該校正使得其將該經量測值較佳校正為將在已量測處於相對於該量測場而居中之一部位中之該週期性結構的情況下已獲得之值。
25.如前述條項中任一項之方法，其中依據該週期性結構及/或用以執行該第一量測及該第二量測之一量測元件之一或多個參數來判定該校正。
26.如前述條項中任一項之方法，其中判定適用於該量測場內之一單一部位之複數個參數相依校正，每一參數相依校正係針對一不同參數條件。
27.如條項26之方法，其包含計算該等參數相依校正之一平均值以獲得一雜訊抑制之參數相依校正。
28.如條項26或27之方法，其中該參數相依校正所取決於之一參數包含該週期性結構之疊對偏置。
29.如條項26、27或28之方法，其中該不同參數條件可包含一不同照明條件，該不同照明條件包含使用用於該量測輻射之一不同照明孔徑剖面及/或相對於量測輻射之一不同基板定向，該目標包含於該基板上。
30.如前述條項中任一項之方法，其包含將該校正應用於由一週期性結構散射之輻射之一經量測值。
31.如條項1至29中任一項之方法，其中判定複數個校正，每一校正在一目標處於相對於該量測場之該正常量測部位時適用於包含於該目標內之一週期性結構之部位。
32.如條項31之方法，其包含如下將一適用校正應用於由一週期性結構散射之輻射之一經量測值之步驟，該適用校正至少取決於該週期性結構相對於該量測場之該部位。
33.一種量測包含複數個週期性結構之一目標之方法，該方法 包含：同時地量測該目標之每一週期性結構，藉此針對每一週期性結構獲得由該週期性結構散射之輻射之一經量測值；及使用適用於使該經量測強度值對應之該週期性結構之部位之一校正，以校正由該週期性結構散射之輻射之每一經量測值以便補償該等經量測值中之量測場部位相依性的效應；其中使用如條項1至29中任一項之方法來判定每一校正。
34.一種量測一目標中之不對稱性之方法，該目標包含藉由一微影程序而在一基板上形成之複數個週期性結構，該方法包含如下步驟：一第一量測步驟，其包含在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測該等週期性結構中之每一者之一第一影像，該第一影像係使用由每一週期性結構繞射之輻射之一第一選定部分而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第一經量測值；一第二量測步驟，其包含在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測該等週期性結構中之每一者之一第二影像，該第二影像係使用由每一週期性結構繞射之輻射之一第二選定部分而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第二經量測值，輻射之該第二選定部分在該週期性結構之一繞射光譜中與該第一部分對稱地相對；及基於由該週期性結構散射之輻射之該適用第一經量測值及由該週期性結構散射之輻射之該第二經量測值來計算每一週期性結構中之不對稱性之一量測，其中在計算該不對稱性量測之該步驟中，使用一使用如條項1至29中任一項之方法而判定的校正來執行一校正，該校正用以補償由該週期性結構散射之輻射之該等經量測值中之量測場部位相依性的效應。
35.如條項34之方法，其中該基板在該第一量測與該第二量測之間旋轉達180°，以便具有藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第一選定部分而形成的該第一影像，及藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第二選定部分而形成的該第二影像。
36.如條項34之方法，其中該量測輻射之該孔徑剖面在該第一量測與該第二量測之間改變，以便具有藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第一選定部分而形成的該第一影像及藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第二選定部分而形成的該第二影像。
37.如條項34之方法，其中獲得藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第一選定部分而形成的該第一影像及藉由由每一週期性結構繞射之輻射之該第二選定部分而形成的該第二影像，而在該第一影像與該第二影像之獲取之間不具有基板定向或孔徑剖面之一改變，該等目標包含鏡像光柵及/或雙光柵。
38.如條項34至37中任一項之方法，其中由每一週期性結構繞射之輻射之該第一選定部分及由每一週期性結構繞射之經繞射之該第二選定部分包含互補非零繞射階。
39.一種量測包含於一目標內之一或多個週期性結構之一目標參數之方法，該方法包含：在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測每一週期性結構之一影像，該影像係使用由每一週期性結構散射之輻射而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第一經量測值；自該對應影像計算用於每一週期性結構之該目標參數之一量測；其中在計算該目標參數之量測之該步驟中，使用一使用如條項1至23中任一項之方法而判定的校正來執行一校正，該校正用以補償由該週期性結構散射之輻射之該等經量測值中之量測場部位相依性的效 應。
40.如條項39之方法，其中該目標參數為臨界尺寸。
41.一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如條項1至40中任一項之方法。
42.如條項41之度量衡裝置，其包含：用於該基板之一支撐件，該基板上具有一或多個目標；一光學系統，其用於量測每一目標；及一處理器，其可操作以根據如條項1至29中任一項之方法而判定一校正。
43.一種微影系統，其包含：一微影裝置，其包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一如條項41或42之度量衡裝置，其中該微影裝置經配置以為了將該圖案施加至另外基板而使用藉由該度量衡裝置計算之一經判定參數值，其中該經判定參數值係使用強度量測予以判定，該等強度量測係使用該度量衡裝置而進行且該校正已應用於該等強度量測。
44.一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於合適處理器控制裝置上時使該處理器控制裝置執行如條項1至37中任一項之方法。
45.一種電腦程式載體，其包含如條項44之電腦程式。
46.一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：- 使用如條項1至29中任一項之方法以判定至少一個校正； - 將該至少一個校正應用於強度量測，且使用該等經校正強度量測以監測一微影程序參數；及- 根據該微影程序參數針對稍後基板而控制該微影程序。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措詞或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
600‧‧‧目標
610‧‧‧量測場
620‧‧‧正常目標部位
H1‧‧‧組件光柵
H2‧‧‧組件光柵
V1‧‧‧組件光柵
V2‧‧‧組件光柵

Claims (15)

  1. 一種在使用界定一量測場之量測輻射來量測一目標之後判定對自該目標繞射之輻射之經量測值之一校正的方法，該校正會校正該等經量測值中之量測場部位相依性，該目標包含複數個週期性結構；其中該方法包含：執行該等週期性結構中之至少一者之一第一量測及一第二量測；及自該第一量測及該第二量測判定一校正；其中該第一量測係在該目標處於相對於該量測場之一正常量測部位的情況下執行；且該第二量測係在該週期性結構處於相對於該量測場之一經移位部位的情況下執行，該經移位部位包含在該目標處於相對於該量測場之該正常量測部位時的該等週期性結構中之另一者之部位。
  2. 如請求項1之方法，其中該目標包含一或多對對應週期性結構，且該方法係針對每一對對應週期性結構而執行，使得在該第一量測為該等對之對應週期性結構中之一對對應週期性結構之一量測的情況下，該經移位部位為在該目標處於相對於該量測場之該正常量測部位時的彼對對應週期性結構中之另一者之部位。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該校正為可操作以藉由乘以該等經量測值而校正該等經量測值中之量測場部位相依性之一校正因數。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該校正為可操作以藉由與該等經量測值相加或自該等經量測值減去而校正該等經量測值中之量測 場部位相依性之一校正偏移。
  5. 如請求項1或2之方法，其包含如下步驟：執行在用於執行該第一量測之該正常量測部位與用於執行該第二量測之該第一經移位部位之間的該目標相對於該量測場之一預定移動。
  6. 如請求項1或2之方法，其中該目標包含用於量測焦點之一或多個焦點光柵，或用於量測劑量之一或多個劑量光柵，或用於量測臨界尺寸之一或多個光柵，或用於量測疊對之一疊對目標。
  7. 如請求項1或2之方法，其中依據該週期性結構及/或用以執行該第一量測及該第二量測之一量測元件之一或多個參數來判定該校正。
  8. 如請求項1或2之方法，其中判定適用於該量測場內之一單一部位的複數個參數相依校正，每一參數相依校正係針對一不同參數條件。
  9. 一種量測包含複數個週期性結構之一目標之方法，該方法包含：同時地量測該目標之每一週期性結構，藉此針對每一週期性結構獲得由該週期性結構散射之輻射之一經量測值；及使用適用於使該經量測強度值對應之該週期性結構之部位之一校正，以校正由該週期性結構散射之輻射之每一經量測值以便補償該等經量測值中之量測場部位相依性的效應；其中使用如請求項1至8中任一項之方法來判定每一校正。
  10. 一種量測一目標中之不對稱性之方法，該目標包含藉由一微影程序而在一基板上形成之複數個週期性結構，該方法包含如下步驟：一第一量測步驟，其包含在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測該等週期性結構中之每一者之一第一影像，該第一 影像係使用由每一週期性結構繞射之輻射之一第一選定部分而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第一經量測值；一第二量測步驟，其包含在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測該等週期性結構中之每一者之一第二影像，該第二影像係使用由每一週期性結構繞射之輻射之一第二選定部分而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第二經量測值，輻射之該第二選定部分在該週期性結構之一繞射光譜中與該第一部分對稱地相對；及基於由該週期性結構散射之輻射之該適用第一經量測值及由該週期性結構散射之輻射之該第二經量測值來計算每一週期性結構中之不對稱性之一量測，其中在計算該不對稱性量測之該步驟中，使用一使用如請求項1至8中任一項之方法而判定的校正來執行一校正，該校正用以補償由該週期性結構散射之輻射之該等經量測值中之量測場部位相依性的效應。
  11. 一種量測包含於一目標內之一或多個週期性結構之一目標參數之方法，該方法包含：在運用量測輻射照明該目標的同時形成及偵測每一週期性結構之一影像，該影像係使用由每一週期性結構散射之輻射而形成，藉此獲得由每一週期性結構散射之輻射之一第一經量測值；自該對應影像計算用於每一週期性結構之該目標參數之一量測；其中在計算該目標參數之量測之該步驟中，使用一使用如請求項1至6中任一項之方法而判定的校正來執行一校正，該校正 用以補償由該週期性結構散射之輻射之該等經量測值中之量測場部位相依性的效應。
  12. 一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如請求項1至11中任一項之方法。
  13. 一種微影系統，其包含：一微影裝置，其包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一如請求項12之度量衡裝置，其中該微影裝置經配置以為了將該圖案施加至另外基板而使用藉由該度量衡裝置計算之一經判定參數值，其中該經判定參數值係使用強度量測予以判定，該等強度量測係使用該度量衡裝置而進行且該校正已應用於該等強度量測。
  14. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於合適處理器控制裝置上時使該處理器控制裝置執行如請求項1至10中任一項之方法。
  15. 一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如請求項1至8中任一項之方法以判定至少一個校正；將該至少一個校正應用於強度量測，且使用該等經校正強度量測以監測一微影程序參數；及根據該微影程序參數針對稍後基板而控制該微影程序。
TW105119220A 2015-06-18 2016-06-17 判定校正之方法、量測目標之方法、量測不對稱性之方法、量測目標參數之方法、度量衡裝置、微影系統、元件製造方法及相關電腦程式 TWI626504B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??15172709.6 2015-06-18
EP15172709 2015-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201708934A true TW201708934A (zh) 2017-03-01
TWI626504B TWI626504B (zh) 2018-06-11

Family

ID=53442613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105119220A TWI626504B (zh) 2015-06-18 2016-06-17 判定校正之方法、量測目標之方法、量測不對稱性之方法、量測目標參數之方法、度量衡裝置、微影系統、元件製造方法及相關電腦程式

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9958789B2 (zh)
JP (1) JP6567095B2 (zh)
KR (1) KR102048396B1 (zh)
CN (1) CN107750350B (zh)
IL (1) IL256134B (zh)
NL (1) NL2016925A (zh)
TW (1) TWI626504B (zh)
WO (1) WO2016202674A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI668511B (zh) * 2017-03-27 2019-08-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於最佳化產品單元之多階段處理的方法
TWI729334B (zh) * 2018-06-07 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定器件之控制方案的方法、電腦程式和系統及用於判定多個器件處理之基板的方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2011816A (en) * 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
JP6393397B2 (ja) 2014-06-30 2018-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の照射線量決定方法、検査装置およびデバイス製造方法
JP6562626B2 (ja) * 2014-12-10 2019-08-21 キヤノン株式会社 顕微鏡システム
JP6744437B2 (ja) 2016-06-30 2020-08-19 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． オーバーレイおよびクリティカルディメンションセンサにおける瞳照明のための方法およびデバイス
CN110383177B (zh) 2017-02-22 2021-10-29 Asml荷兰有限公司 计算量测法
EP3521930A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3553603A1 (en) * 2018-04-13 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
CN108776406B (zh) * 2018-05-29 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 一种彩色滤光片的制备基板及彩色滤光片基板的制造方法
US11353799B1 (en) * 2019-07-23 2022-06-07 Kla Corporation System and method for error reduction for metrology measurements
CN113325666A (zh) * 2020-02-28 2021-08-31 上海微电子装备（集团）股份有限公司 套刻误差测量装置及方法
CN112614780A (zh) * 2020-12-16 2021-04-06 上海华力微电子有限公司 一种晶圆尖峰退火监控方法
CN112908898B (zh) * 2021-01-27 2022-09-02 长鑫存储技术有限公司 控片量测方法及量测装置
US11774863B2 (en) 2021-10-21 2023-10-03 Kla Corporation Induced displacements for improved overlay error metrology
WO2023126173A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 Asml Netherlands B.V. An optical system implemented in a system for fast optical inspection of targets

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7433039B1 (en) 2004-06-22 2008-10-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for reducing tool-induced shift during overlay metrology
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7724370B2 (en) * 2007-03-01 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
JP5337458B2 (ja) * 2008-11-19 2013-11-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン形状検査方法及びその装置
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) * 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
KR101727783B1 (ko) * 2010-06-15 2017-04-17 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Euv 리소그래피를 위한 마스크, euv 리소그래피 시스템 그리고 마스크의 결상을 최적화하는 방법
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
JP5209012B2 (ja) 2010-09-22 2013-06-12 株式会社東芝 位置合わせ測定方法及び位置合わせ測定装置
JP5661194B2 (ja) 2010-11-12 2015-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
NL2009508A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
US8860941B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool induced shift reduction determination for overlay metrology
JP6077647B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
KR101994385B1 (ko) 2014-12-19 2019-06-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI668511B (zh) * 2017-03-27 2019-08-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於最佳化產品單元之多階段處理的方法
US11150562B2 (en) 2017-03-27 2021-10-19 Asml Netherlands B.V. Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units
US11520238B2 (en) 2017-03-27 2022-12-06 Asml Netherlands B.V. Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units
TWI729334B (zh) * 2018-06-07 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定器件之控制方案的方法、電腦程式和系統及用於判定多個器件處理之基板的方法
US11281110B2 (en) 2018-06-07 2022-03-22 Asml Netherlands B.V. Methods using fingerprint and evolution analysis

Also Published As

Publication number Publication date
IL256134A (en) 2018-02-28
KR20180014098A (ko) 2018-02-07
WO2016202674A1 (en) 2016-12-22
JP2018524632A (ja) 2018-08-30
IL256134B (en) 2021-01-31
KR102048396B1 (ko) 2019-11-25
US9958789B2 (en) 2018-05-01
TWI626504B (zh) 2018-06-11
NL2016925A (en) 2016-12-22
CN107750350A (zh) 2018-03-02
JP6567095B2 (ja) 2019-08-28
CN107750350B (zh) 2020-07-14
US20160370710A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10331041B2 (en) Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10423077B2 (en) Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
KR101994385B1 (ko) 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
TWI626504B (zh) 判定校正之方法、量測目標之方法、量測不對稱性之方法、量測目標參數之方法、度量衡裝置、微影系統、元件製造方法及相關電腦程式
US8797554B2 (en) Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property
US10598483B2 (en) Metrology method, apparatus and computer program
KR102364227B1 (ko) 계측 파라미터 결정 및 계측 레시피 선택
US10416577B2 (en) Position measuring method of an alignment target
EP3435162A1 (en) Metrology method and apparatus and computer program
US20220035255A1 (en) Target for measuring a parameter of a lithographic process
TW201909298A (zh) 量測關注參數的方法、檢測設備、微影系統及器件製造方法
US20230236515A1 (en) A target for measuring a parameter of a lithographic process