CN107750350B - 量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法 - Google Patents

量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107750350B
CN107750350B CN201680035659.8A CN201680035659A CN107750350B CN 107750350 B CN107750350 B CN 107750350B CN 201680035659 A CN201680035659 A CN 201680035659A CN 107750350 B CN107750350 B CN 107750350B
Authority
CN
China
Prior art keywords
measurement
target
correction
grating
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680035659.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107750350A (zh
Inventor
P·H·瓦尔德尼耶
弗兰克·斯塔尔斯
J-P·A·H·M·韦森
H·范德拉恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN107750350A publication Critical patent/CN107750350A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107750350B publication Critical patent/CN107750350B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/03—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring coordinates of points
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/93—Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明公开了在使用限定测量场的测量辐射来测量目标之后，确定对于从所述目标衍射的辐射的测量值的校正的方法，所述目标包括多个周期性结构。所述校正用以校正所述测量值中的测量场部位的依赖性。所述方法包括：执行所述周期性结构的第一测量和第二测量；和从所述第一测量和所述第二测量确定校正。在所述目标处于相对于所述测量场的正常测量部位的情况下执行所述第一测量。在所述周期性结构处于相对于所述测量场的移位后的部位的情况下执行所述第二测量，所述移位后的部位包括当所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时的所述周期性结构中的另一个的部位。

Description

量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年6月18日递交的欧洲申请EP15172709.6的优先权，并且其通过引用全文并入本发明中。
技术领域
本发明涉及用于可用在例如通过光刻技术的器件制造中的量测的方法和设备，且涉及使用光刻技术来制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所要图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可将所述图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。
在光刻过程中，期望频繁地测量所产生的结构，例如用于过程控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括经常用以测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用以量测重叠(即器件中的两个层的对准准确度)的专门工具。近来，已开发用于光刻领域的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导至目标上并且测量散射辐射的一个或多个属性 (例如，为波长的函数的在单一反射角下的强度；为反射角的函数的在一个或更多个波长的强度；或为反射角的函数的偏振)，以获得可以确定目标的感兴趣的属性的衍射“光谱(spectrum)”。
已知的散射仪的示例包括在US2006033921A1和US2010201963A1 中所描述类型的角分辨散射仪。由这些散射仪所使用的目标是相对大的 (例如40μm×40μm)光栅，并且测量束生成比光栅小的(即光栅被欠填充)光斑(测量场)。除了通过重构进行特征形状的测量之外，也可使用如在已公布的专利申请US2006066855A1中所描述的这种设备来测量基于衍射的重叠或基于衍射的聚焦。使用衍射级的暗场成像进行的基于衍射的重叠和基于衍射的聚焦量测使得能够测量较小目标上的重叠、聚焦量、剂量和其他参数。这些目标可以小于测量场且可以由衬底上的产品结构所围绕。可利用图平面中的暗场检测将来自环境产品结构的强度与来自重叠目标的强度有效地分离开。
可在专利申请US20100328655A1和US2011069292A1中找到暗场成像量测的示例，所述专利申请的文件被以引用的方式全文并入。在已公开的专利公开出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、 US20120044470A、US20120123581A、US20120242970A1、 US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步发展。通常，在这些方法中，需要测量作为所述目标的属性的不对称性。目标可被设计成使得不对称性的测量可用以获得诸如重叠、聚焦或剂量的各种性能参数的测量。通过使用散射仪检测所述衍射光谱的相对部分之间的强度差来测量所述目标的不对称性。例如，可以比较+1 衍射级与-1衍射级的强度以获得不对称性的测量。
在这些在先的专利申请的一些中，提出使用不同照射模式和/或不同图像检测模式来执行暗场量测以从目标内的周期性结构(光栅)获得+1 衍射级和-1衍射级。另一方面，这些方法易受用于不同模式中的光学路径的不对称性影响，这将在测量所述目标的不对称性时引起误差。因此，尽管可以应用精准的校准和校正来减小这些误差，但通常是如下情况：如果在照射和检测的相同条件下测量目标两次，则获得最佳重叠、聚焦或剂量测量结果。为此，在测量之间旋转所述衬底180度以依次获得-1和+1 衍射级强度。因此，不对称性测量的这种模式可被称为晶片旋转模式。针对两种测量使用完全相同的光学路径会确保所测量强度之间的任何差异是由于目标属性，而非散射仪的属性。
作为晶片旋转模式的替代方案，互补孔阑模式免除旋转所述晶片的需要。在互补孔阑模式中，来自两个相反方向的离轴照射用以依次获得-1 衍射级强度和+1衍射级强度。
具体地，暗场成像量测可以测量包括多个光栅的目标，使得在同一图像中同时地捕获每一光栅。与此相关的一个问题是测量场非均匀性的问题。这种测量场非均匀性导致从图像所测量的强度值具有测量场部位依赖性。
发明内容
需要提供一种用于确定用于所述测量场部位的依赖性的校正因子或系数的方法和设备。
本发明提供一种在使用限定测量场的测量辐射来测量目标之后确定对从所述目标衍射的辐射的测量值的校正的方法，所述校正会校正所述测量值中的测量场部位的依赖性，所述目标包括多个周期性结构；其中所述方法包括：执行所述周期性结构中的至少一个的第一测量和第二测量；和从所述第一测量与所述第二测量确定校正；其中在所述目标处于相对于所述测量场的正常测量部位的情况下执行所述第一测量；且在所述周期性结构处于相对于所述测量场的移位后的部位的情况下执行第二测量，所述移位后的部位包括在所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时的所述周期性结构中的另一个的部位。
本发明进一步提供一种包括机器可读指令的计算机程序产品，所述机器可读指令用于使可编程处理装置实施如上文所阐述的根据本发明的方法。所述机器可读指令可例如体现在非暂时性储存介质中。
本发明进一步提供一种光刻系统，包括光刻设备和如上文所阐述的根据本发明的检查设备。
本发明进一步提供一种制造器件的方法，其中使用光刻过程将器件图案施加至一系列衬底，所述方法包括：使用所述第一方面的所述方法以确定至少一个校正；将所述至少一个校正应用于强度测量且使用所述校正后的强度测量以监测光刻过程参数；和根据所述光刻过程参数控制之后的衬底的所述光刻过程。
下文参考附图详细地描述本发明的另外特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文所描述的特定实施例。本发明中仅出于例示性目的而提出这些实施例。基于本发明中包含的教导，额外的实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
附图说明
现在将参看附图通过举例的方式来描述本发明的实施例，在附图中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的实施例的包括检查设备的光刻单元或簇；
图3包括(a)根据本发明的第一实施例的检查设备的示意图；(b) 在第一方向上的衬底和目标的表示；(c)在第二方向上的衬底和目标的表示；(d)在衬底处于第一方向上的情况下的+1衍射级的捕获的示意性图示；以及(e)在衬底处于第二方向上的情况下的-1衍射级的捕获的示意性图示；
图4示出(a)衬底上的目标的已知形式和测量场的轮廓；和(b)在图3的检查设备中所获得的目标的图像；
图5是针对在相对于测量场的两个部位中所测量的光栅而言，在y 轴上的强度或不对称性相对于在x轴上的感兴趣参数(例如，聚焦或焦点、剂量或重叠)的曲线图；
图6图示出(a)是在正常部位的目标的第一测量；以及(b)至(e) 是在移位后的部位的每一光栅的第二测量；
图7图示出(a)和(b)是在正常部位的目标的第一测量；以及(b)、 (c)、(e)及和(f)是在移位后的部位的每一光栅的第二测量；和
图8是描述本发明的实施例的方法的流程图。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，有益的是提供可以实施本发明的实施例的示例性环境。
图1示意性地示出一种光刻设备LA。所述光刻设备包括：照射系统 (照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；两个衬底台(例如，晶片台) WTa和WTb，每个构造用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且每个与配置用于根据特定参数精确地定位衬底的第二定位装置PW 相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。参考框架RF连接各种部件，并且用作设定和测量图案形成装置和衬底的位置、以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的基准。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计、以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持所述图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采取许多形式。所述图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分上的所期望的图案精确地对应(例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
如此处所描述的，所述设备是透射型的(例如，采用透射型图案形成装置)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用上文所提及类型的可编程反射镜阵列，或采用反射型掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。所述术语“图案形成装置”也可被解释成是指以数字形式储存用于控制这种可编程图案形成装置的图案信息的装置。
这里使用的术语“投影系统”可以广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。
在操作中，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。所述源和光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO 传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括例如用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在所述图案形成装置支撑件MT上的所述图案形成装置MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过所述图案形成装置(例如掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器、二维编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WTa或 WTb，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(在图1中没有明确地示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。
可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。小的对准标记也可被包括于器件特征之中的管芯内，在此情况下，期望使标识尽可能地小且无需与邻近特征不同的任何成像或工艺条件。下文中进一步描述检测所述对准标识的对准系统。
可以将所描述的设备用于多种模式。在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿扫描方向)。如本领域中公知的，其它类型的光刻设备和操作模式是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓“无掩模”光刻术中，将可编程图案形成装置保持静止，但具有改变的图案，且移动或扫描衬底台 WT。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变形，或完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb 和两个站(station)-曝光站EXP和测量站MEA，在曝光站和测量站之间衬底台可以被进行交换。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站正被曝光时，另一衬底可以被加载到测量站处的另一衬底台上且执行各种预备步骤。这使得实质上或极大地增加设备的生产率。所述预备步骤可以包括使用水平传感器LS对衬底的表面高度轮廓进行绘图和使用对准传感器AS测量衬底上的对准标识的位置。如果在衬底台位于测量站以及位于曝光站时所述位置传感器IF不能测量所述衬底台的位置，则可设置第二位置传感器以使得能够在该两个站处追踪所述衬底台相对于参考框架RF的位置。已知其它布置，并且可用来代替所示的双台布置。例如，已知设置有衬底台和测量台的其它光刻设备。当执行预备测量时这些被对接在一起，并且在所述衬底台经受曝光时则被脱离开对接。
如图2所示，光刻设备LA形成光刻单元LC(有时也称为光刻元或者光刻簇)的一部分，光刻单元LC还包括用以在衬底上执行曝光前和曝光后过程的设备。传统地，这些包括用以沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用以对曝光后的抗蚀剂显影的显影器DE、激冷板CH和烘烤板BK。衬底操纵装置或机械人RO从输入/输出口I/O1、I/O2拾取衬底，将它们在不同的处理设备之间移动，然后将它们传递到光刻设备的进料台LB。经常统称为轨道的这些装置处在轨道控制单元TCU的控制之下，所述轨道控制单元TCU自身由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作用于将生产率和处理效率最大化。
为了由光刻设备曝光的衬底被正确地和一致地曝光，需要检查曝光后的衬底以测量属性，诸如连续层之间的重叠误差、曝光聚焦和剂量、线厚度、临界尺寸(CD)等等。因此，光刻元LC所位于其中的制造设施还包括量测系统MET，所述量测系统MET容纳已经在光刻单元中被处理的一些或所有衬底W。量测结果可以直接或间接地提供至管理控制系统SCS。如果检测到误差，可以对后续衬底的曝光进行调整(尤其是在检查能够很快完成且足够迅速到使同一批次的其它衬底仍处于待曝光状态的情况下)。此外，已经曝光过的衬底也可以被剔除并被重新加工以提高产率，或可以被遗弃，由此避免在已知存在缺陷的衬底上进行进一步处理。在衬底的仅仅一些目标部分存在缺陷的情况下，可以仅对认为是完好的那些目标部分进行进一步曝光。
在量测系统MET内，检查设备被用于确定衬底的属性，且尤其是，用于确定不同的衬底或同一衬底的不同层的属性如何从层到层变化。检查设备可以被集成到光刻设备LA或光刻元LC中，或可以是独立的装置。为了能进行最快速的测量，需要所述检查设备在曝光后立即测量在曝光后的抗蚀剂层的属性。然而，抗蚀剂中的潜像具有非常低的对比度(在已被辐射曝光的抗蚀剂的部分和尚未经过辐射曝光的抗蚀剂部分之间仅有很小的折射率差)，且并非所有的检查设备都具有足够的灵敏度以对潜像进行有效测量。因此，测量可以在曝光后焙烤步骤(PEB)之后进行，所述曝光后焙烤步骤通常是在曝光后的衬底上进行的第一步骤，且增加抗蚀剂的曝光后的部分和未经曝光的部分之间的对比度。在该阶段，抗蚀剂中的图像可以被称为半潜在的。也能够在抗蚀剂的曝光部分或者未曝光部分已经被去除的点处，或者在诸如蚀刻这样的图案转移步骤之后，对经过显影的抗蚀剂图像进行测量。后一种可能性限制了有缺陷的衬底进行重新加工的可能性，但是仍旧可以提供有用的信息。
用于小目标暗场量测的示例检查设备
图3(a)中示出适于执行暗场量测的检查设备。图3(b)和(c)中示出在不同的方向上衬底W与目标T。图3的(d)和(e)中更详细地图示出目标T的周期性结构或光栅以及衍射后的射线。暗场量测设备可以是独立的装置或(例如在测量站处)被包含在光刻设备LA中，或被包含在光刻单元LC中。
在这种类型的检查设备中，由照射系统12调节由辐射源11发射的辐射。例如，照射系统12可以包括使用准直的透镜系统12a、彩色滤光片 12b、偏振器12c及孔阑装置13。调节后的辐射遵循照射路径IP，在照射路径IP中所述调节后的辐射由部分反射表面15(分束器)反射且经由显微镜物镜16聚焦至衬底W上的光斑(测量场)S中。量测目标T可被形成于衬底W上。透镜16具有高数值孔径(NA)，较佳为至少0.9且更优选为至少0.95。如果需要，使用浸没流体来获得大于1的数值孔径。
当辐射束入射到所述部分反射表面15上时，辐射束的部分被透射通过分束器且遵循参考路径(未图示)。检测所述参考路径中的辐射，例如用以测量入射辐射的强度，以允许在散射光谱(衍射光谱)中测量的强度值的归一化。
由衬底反射的辐射(包括由任何量测目标T衍射的辐射)被透镜16 收集且遵循收集路径CP，在收集路径CP中辐射穿过所述部分反射表面 15传递至检测器19中。检测器可位于透镜16的焦距F处的背向投影式光瞳平面P中。实际上，光瞳平面自身可以是不可接近的，且替代地利用辅助光学装置(未图示)重新成像至位于所谓的共轭光瞳平面P′中的检测器上。检测器优选地是二维检测器，使得能够测量衬底目标30的二维角散射光谱或衍射光谱。在光瞳平面或共轭光瞳平面中，辐射的径向位置定义了辐射在聚焦后的光斑S的平面中的入射角/出射角，且围绕光轴O 的角位置定义了辐射的方位角。
可调整所述照射系统12的各种部件以在同一设备内实施不同量测“方案(recipe)”。可例如由一组干涉滤光片来实现彩色滤光片12b以在比如405nm至790nm或甚至更低(诸如200至300nm)的范围内选择感兴趣的不同波长。干涉滤光片可以是可调谐的，而非包括一组不同的滤光片。可使用光栅来代替干涉滤光片。偏振器12c可以是可旋转的或可调换的以便在测量场S中实施不同偏振状态。孔阑装置13可被调整以实施不同照射轮廓，如下文进一步描述的。孔阑装置13位于与物镜16的光瞳平面P以及检测器19的平面共轭的平面P”中。以此方式，由孔阑装置所限定的照射轮廓限定了传递通过孔阑装置13上的不同部位入射到衬底辐射上的光的角分布。
第二分束器(部分反射表面)17将衍射束划分成两个测量分支。在第一测量分支中，光学系统18使用零级和第一级衍射束在第一检测器19 (例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面图像)，如上文所描述。在第二测量分支中，包括透镜20、22的光学系统在第二二维图像检测器23(例如，CCD或CMOS传感器)上形成衬底W上的目标的图像。在第二测量分支中，在与光瞳平面共轭的平面中设置被称作场光阑21的孔阑板。该平面可被称作“中间光瞳平面”。场光阑21用以阻挡零级衍射束，使得形成于检测器23上的目标的图像是仅由-1或+1第一级束形成。将由检测器19和23所捕获的图像输出至图像处理器和控制器 PU，该图像处理器和控制器PU的功能将依赖于正被执行的测量的特定类型。应注意，此处在广义上使用术语“图像”。因而，如果仅存在-1级和 +1级中的一种，则将不形成这样的光栅线的图像。
在量测目标T被设置于衬底W上的情况下，其可以是1-D周期性结构或光栅，其被印刷成使得在显影之后，长条是由固体抗蚀剂线形成。所述目标可以是2-D周期性结构或光栅，其被印刷成使得在显影之后，光栅是由抗蚀剂中的固体抗蚀剂柱或通孔形成。可替代地，在衬底中蚀刻长条、柱或通孔。该图案对光刻投影设备(特别是投影系统PS)中的色差敏感。照射对称性和这些像差的存在将表明它们自己在印刷的光栅中的变化中。因此，印刷的光栅的散射测量数据是用以测量光栅的属性。这些属性又用以监测在衬底上的其他地方通过同一过程形成的功能产品特征的属性。
在设备的特定应用中，通过对产品和/或目标图案中的特征的不对称性的测量来监测过程。不对称性测量的特定应用是用于测量重叠，其中目标包括彼此叠置的一组周期性特征。简言之，虽然目标的衍射光谱中的衍射级的位置仅由目标的周期性确定，但衍射光谱中的强度等级的不对称性表示构成所述目标的单独特征中的不对称性。不对称性测量的另一应用是从曝光后的目标来测量在所述目标的曝光期间针对聚焦或剂量而设定的值。
在第一测量分支中，衍射级中的这种不对称性看上去直接为由检测器 19所记录的光瞳图像中的不对称性。可通过单元PU中的数字图像处理来测量这种不对称性，且针对于例如重叠、聚焦或剂量的已知值来校准这种不对称性。然而，对于本公开，最感兴趣的是使用如现在将描述的设备的第二测量分支，来通过暗场成像技术进行对于小目标上的不对称性的测量(但并不从本公开排除使用第一测量分支的光瞳平面测量的适用性)。
如所提及的，能够通过在呈现出所述衬底平面的空间光谱的平面(此处被称作(共轭)光瞳平面)中限定空间强度分布来选择所述辐射入射到衬底上的角度范围。具体地，可以通过在作为物镜光瞳平面的背向投影式图像的平面中，在透镜12与14之间提供合适形式的孔阑装置13来进行这种选择。在所图示的示例中，改变孔阑装置13允许选择选择不同孔径并且且因此选择不同的照射模式。孔阑13N的所图示的形式限定了来自仅出于描述起见而被指定为“北”的方向的离轴照射。在第二照射模式中，孔阑13S被用以提供相似的、但来自被标注为“南”的相对方向的照射。通过使用不同孔阑，其他照射模式是可能的。光瞳平面的其余部分在理想情况下是暗的，这是因为在所需照射模式外部的任何不必要的光将干扰所需的测量信号。
如图3(b)和(c)中示意性地所示的，可将测量场(也被称作测量光斑)S放置到目标T上，所述目标处于不同方向上。为了实现这种放置，可在测量操作期间提供衬底台以保持所述衬底W。衬底台在形式上可与图1的光刻设备LA中的衬底台WTa、WTb相似或相同。(在检查设备与光刻设备集成的示例中，衬底台甚至可以是同一衬底台)。粗定位器和精细定位器可被配置用以相对于测量光学系统准确地定位所述衬底。提供各种传感器和致动器，例如用以获取感兴趣的目标的位置，且将感兴趣的目标带入至物镜16下方的位置中。通常，将对跨越所述衬底W的不同部位处的目标进行许多测量。衬底支撑件能够在X和Y方向上移动以获取不同目标，且能够在Z方向上移动以获得所述光学系统在所述目标上的所需聚焦。也提供所述衬底台围绕Z轴的旋转。方便的是将操作考虑和描述成如同将测量场S带到衬底上的不同部位。在这些操作的实际实施中，如果光学系统在衬底移动的同时保持实质上静止，则通常是更方便的。在衬底和光学系统的相对位置是正确的情况下，原则上衬底和光学系统中之一或两者在现实世界中是否移动并不重要。
在图3(b)中，我们看到以第一方向上被带入测量场S中的示例性目标T，能够由零度的旋转角RZ(RZ＝0)来限定所述第一方向。在图3 (c)中，我们看到被带入测量场S中且旋转180度(按弧度为RZ＝π) 的相同目标。应理解，此处为图示起见极大地夸大了测量场和目标的大小。实际衬底可具有跨越其分布的、用于测量所述衬底上不同位置处的重叠和其他参数的许多目标。测量场S的直径可例如在10μm与50μm之间，而目标T在这一类型的小目标量测中适配于所述测量场直径内。因此，目标被称作“过度填充的”。
图3(d)和(e)示意性地示出当衬底W垂直于物镜16的光轴O的情况下在目标T的周期性结构(光栅)被放置于测量场S中时所导致的衍射光谱的更多细节。在图3(d)中，使用方向RZ＝0，而在图3(e) 中，使用180度旋转方向(RZ＝π)。与轴线O偏离一角度照射于光栅T上的照射射线I产生一个零级射线(实线0)以及两个第一级射线(单点虚线+1和双点虚线-1)。
应记住，所图示的射线中的每一个仅是落入到衬底的区域的许多平行射线中的一个，所述衬底的区域包括量测目标T且过度填充的小目标光栅可包括与量测过程不相关的其他特征。因为板13中的孔阑具有有限宽度(用以允许有用量的光所必须的)，入射射线I事实上将占据一角度范围，且衍射射线0和+1/-1将略微散布展开。根据小目标的点扩展函数(point spread function)，每一级+1和-1将在一角度范围上进一步散布展开，而非如所示的单一理想射线。应注意，光栅节距和照射角度可被设计或调整成使得进入物镜的第一级射线与中心光轴紧密对准。图3(a)、(d) 和(e)中所图示的射线被图示为稍微偏离轴线，仅用以使这些射线能够在图中被更容易地区分开。
由衬底W上的目标所衍射的至少0级和+1级是由物镜16收集，且被引导返回通过分束器15。返回至图3(a)，通过指定被标注为北(13N) 和南(13S)的在直径方向上相对的孔阑来图示第一照射模式和第二照射模式两者。当入射射线I来自光轴的北侧时，即当使用孔阑板13N来应用第一照射模式时，+1衍射射线(被标注为+1)当目标的方向是第一方向(RZ＝0)时进入物镜16。相比，在第二方向(RZ＝π)，-1衍射射线是进入透镜16的射线。
可从由光栅衍射的辐射的第一选定部分的强度和由光栅衍射的辐射的第二选定部分的强度，且更具体而言从针对+1和-1衍射级的检测后的辐射的强度，来计算出不对称性A的量度或测量结果。在公式中：
A＝I+1-I-1 方程式(1)
将不对称性的测量结果计算为针对+1级与-1级所测量的强度之间的差。对于每一强度测量I，下标表示衍射级+1或-1(另外，可使用更高的级来代替第一级)。
在检测器23上形成图像的过程中使用衍射光谱的哪一部分是根据照射孔径、场光阑、辐射波长及测量场内的周期性结构的节距。图3中所示的孔阑板13和场光阑21的特定形式仅是示例。用以改变衍射光谱的哪一部分进入物镜16而不改变目标的方向的另一方式是改变照射模式，例如通过从孔阑13N改变至孔阑13S。这种选项可用于下文所解释的方法中。作为改变孔阑13的替代、或除了改变孔阑13，另外的替代方案是改变场光阑21。在本发明的其他实施例(其中一些将在下文中图示和描述)中，使用所述目标的同轴照射，并且具有离轴孔径的场光阑被用来将实质上仅一个第一级衍射光传递至传感器。在另外其他的实施例中，代替第一级束、或除了第一级束以外，也可在测量中使用第二级束、第三级束和更高级的束(图3中未图示)。
为了使照射适应于这些不同类型的测量，孔阑板13可包括围绕一圆盘而形成的多个孔阑图案，所述圆盘旋转以使所需图案处于适当位置。替代地或另外，可提供和交换一组板13，以实现相同效果。也可使用诸如可变形的反射镜阵列或透射空间光调制器的可编程照射装置。可使用移动反射镜或棱镜作为用以调整所述照射模式的另一方式。
虽然在本发明的示例中用于成像的光学系统具有受场光阑21限制的宽入射光瞳，但在其他实施例或应用中，成像系统自身的入射光瞳的大小可以足够小以限制至所需的级，且因此也用作场光阑。图3(c)及(d) 中示出不同孔阑板，所述孔阑板可如下文进一步所描述而使用。目前，仅考虑使用孔阑板13N是足够的。
图4(a)示出根据已知的实践形成于衬底上的复合目标。复合目标包括四个光栅32至35，所述四个光栅紧密地定位在一起使得它们将都在通过量测设备的照射束形成的测量场S内，且因此都被同时照射且同时成像于检测器23上。在专用于重叠测量的示例中，光栅32至35自身是由在形成于衬底W上的半导体产品的不同层中形成图案的重叠光栅而形成的复合光栅。光栅32至35以不同方式被偏置/偏移，以便促进对于在形成有复合光栅的不同部分的层之间的重叠的测量。也在这一示例中，光栅32和34在X方向上具有周期性和重叠偏置，而光栅33和35在Y方向上具有方向和重叠偏置。在一个示例中，光栅32至35分别具有+d、-d、 -d、+d的偏置。偏置+d的意思是光栅之一具有的分量被布置成使得如果所述分量都确切地被印刷到它们的名义部位处，则所述分量之一将会相对于另一个偏置一距离d。偏置-d的意思是重叠光栅所具有的分量被布置成使得如果所述分量被完美地印刷，则将会存在在与第一光栅等相反的方向上为d的偏置。虽然图示了四个光栅，但实际的实施例可能需要更大的矩阵以获得所需的准确度。例如，九个复合光栅的3×3阵列可具有偏置-4d、 -3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由检测器23所捕获的图像中识别这些光栅的分离的图像。
图4(b)示出通过在图3的设备中使用图4的目标而可形成于检测器23上的、并且可由所述检测器检测到的图像的示例。虽然光瞳图像检测器19不能分辨不同的单个的光栅32至35，但场图像检测器23能够分辨不同的单个的光栅32至35。被标注为23的暗矩形表示在所述检测器 23上的图像的场，在这个场内，衬底上的测量场S被成像到对应圆形区域S’中。在这个场内，矩形区域42至45表示小目标光栅32至35的图像。如果光栅位于产品区域中，则产品特征在这一图像中也可以是可见的。图像处理器和控制器PU处理这些图像以识别光栅32至35的分离的图像 42至45。这可通过图案匹配技术进行，使得图像并非必须在传感器框架内的特定部位处非常精确地对准。以此方式减少对于准确对准的需要会极大地改善整个测量设备的生产量。然而，如果成像过程经受跨越测量场的非均一性，则位置变化可能在测量结果中引入不准确性。不仅所述光学路径中的各种部件的属性，而且照射的强度和检测的灵敏度可跨越测量场变化。
一旦已识别光栅的分离的图像，就可例如通过对所识别区域内的选定的像素强度值进行平均化或求和来测量那些单个图像的强度。可例如使用方程式(1)将图像的强度和/或其他属性互相比较。可组合这些结果以测量光刻过程的不同参数。重叠性能、焦点(或聚焦)和/或剂量(其中的每一个可通过对光栅目标的不对称性进行测量来测量)是这种参数的重要示例。
不同目标可被设计成使得它们的不对称性强烈地依赖于为了测量光刻过程的感兴趣参数。对于本发明所描述的示例，目标可被设计(通过举例)以用于测量作为感兴趣参数的重叠、或聚焦、和/或剂量。可使用关于两个或两个以上光栅所包含的不同的偏置值的知识，根据针对所述两个或两个以上光栅而测量的不对称性，来计算这个目标附近的重叠OV的量度。
OV＝f(A-d，A+d) 方程式(2)
也就是，可结合关于偏置的光栅中的不同偏置的知识，使用所述光栅的不对称性的量度，来计算未知重叠OV。应注意，图3(a)的示例目标是在X和Y方向上具有分量光栅且具有两个偏置值+d及-d的复合目标，应理解，所述目标允许根据那些目标光栅的不对称性的测量来计算在X 和Y两个方向上的重叠的量度。在一示例中，通过如下公式来计算重叠：
Figure BDA0001512626460000161
其中d是偏置的量，且P是光栅节距。可例如以纳米(nm)为单位来表示偏置和节距。
不对称性测量的另一特定应用是用于从以具有依赖于聚焦和/或剂量的不对称性而印刷的光栅进行聚焦和/或剂量的测量。就此而言，可将光栅设计成使得光栅结构的不对称性对于在光刻过程的曝光步骤期间的聚焦的变化敏感。在已知在聚焦与不对称性之间的关系的情况下，特别地通过使用针对它们的灵敏度而具有不同偏置值的光栅，则可通过观测这一类型的光栅中的不对称性来推导出聚焦的测量结果。相似地，可设计其中不对称性对光刻过程中的剂量变化敏感的光栅。在使用这些光栅的情况下，可基于已经描述的类型的不对称性的测量来测量跨越衬底或在衬底之间的剂量变化。如果需要的话，可将所有这些不同类型的光栅设置于同一衬底上，且甚至在同一复合目标内，以提供关于光刻过程的性能的综合信息。在使用本发明中所描述的以基于图像的衍射为基础的测量系统的情况下，可提供非常紧凑的目标，使得这些测量并未过度地影响可用于在同一衬底上的功能产品特征的空间。
例如，在上文所引用的已公布的专利申请US2006066855A1中描述了使用图3的仪器进行不对称性测量的概念。简言之，虽然目标的衍射光谱中的衍射级的位置仅由目标的周期性确定，但衍射光谱中的强度水平的不对称性指示了构成所述目标的个别特征中的不对称性。在图3的仪器中 (其中检测器19可以是图像传感器)，衍射级的这种不对称性看上去直接为由检测器19所记录的光瞳图像中的不对称性。可通过单元PU中的数字图像处理来测量这种不对称性，且由这种不对称性可确定聚焦。
良好地建立这种测量的原理，且无需在本发明中对其加以进一步描述。然而，将显而易见的是，如果在光栅中的任一个、或两个光栅的不对称性的测量中存在任何误差，则那些不对称性的计算出的重叠或聚焦量度的函数也很可能包含误差。
如所提及的，关于同时地测量多个光栅(如图4中所图示的)的问题是测量场(或测量光斑)的非均匀性问题。已知用于基于衍射的重叠、聚焦或剂量量测的现有系统经受测量场非均匀性，即，所测量的(重叠/聚焦)值受到测量场内的光栅(常常被称作量测光斑)的部位影响，所述测量场是当在测量所述目标时由量测辐射所限定的场。这种情形对测量准确度和性能有消极影响。
光栅的每个测量通常是强度测量。强度测量可以具有关于由光栅所衍射的辐射的单一衍射级(例如，+1或-1级)的强度。示出测量场非均匀性的影响是在测量场内的不同部位处的强度测量之间的偏置。这种情形由图5的曲线图来图示。其示出y轴上的衍射级或不对称性的所测量的强度 (互补的非零衍射级的强度差)相对于x轴上的感兴趣参数(例如，聚焦、剂量或重叠)的关系。示出两个曲线：第一曲线500，其图示出针对测量场内的第一测量部位中的示例光栅的关系；第二曲线510，其图示出针对测量场内的第二测量部位中的相同光栅的关系。如可见的，关系500与关系510实质上相似，但分离开一段偏移δ。提出对这种偏移加以校准和校正。
所提出的方法根据一实施例包括校准步骤和校正步骤。校准步骤基于偏移δ来确定校正，且校正步骤将所述校正应用于后续的强度测量。
在一实施例中，校准步骤包括至少执行每个光栅的第一测量和第二测量，以分别获得第一测量值Iref和第二测量值Ishift。第一测量可包括测量处于正常部位中的光栅。正常部位可以是在目标的典型测量期间的光栅的部位。这种正常部位可以是当包括光栅的目标在所述测量场内实质上居中时的光栅的部位。因此，用于每个光栅的这种正常部位可以是每个光栅相对于如图4(a)中所图示的测量场的部位。在一实施例中，可对于包括于一目标内的所有光栅同时地执行这种第一测量。
对每个光栅执行每个光栅的第二测量，其中所述光栅在目标的另一个被相似地定向的光栅的“正常”部位处被测量。在一实施例中，目标包括成对的对应光栅。作为示例(其中目标是重叠目标)，一对对应光栅可包括具有相同方向和不同偏置(例如，互补偏置，即具有相等量值和相反方向的偏置)的两个光栅。所述光栅可以替代地具有正常的或镜像的特征，或者不同目标尺寸。在一特定示例中，目标可包括被布置成两对对应光栅的四个光栅。所述两对对应光栅可包括具有第一方向的第一对光栅、和具有第二方向的第二对光栅。所述第一方向与所述第二方向可相差90°(例如，一对被定向在x方向的光栅或水平光栅，以及一对被定向在y方向的光栅或垂直光栅)或相差180°(例如，一对正常光栅和一对镜像光栅)。
对于聚焦和/或剂量光栅，对应光栅可以是如下光栅：其包括相似光栅特征尺寸，使得目标可包括具有第一组光栅特征尺寸的第一对光栅和具有第二组光栅特征尺寸的第二对光栅。光栅结构的单一特征可包括一条线，所述线具有从所述线的一侧垂直地延伸的高分辨率子结构。在基底节距的顶部上的高分辨率子结构产生用于每个光栅特征的不对称抗蚀剂轮廓，其中不对称性的程度依赖于聚焦/剂量。改变诸如线宽、高分辨率子结构长度、和/或高分辨率子结构宽度这样的光栅特征尺寸会提供不同印刷属性，且因此，提供不同聚焦和/或剂量响应。
每一对对应光栅可包括具有正常特征的一个光栅和具有镜像特征的第二光栅。镜像特征可包括相对于正常特征横向地翻转的光栅特征。这可使得第二光栅实质上与被定向成相对于第一光栅成180°的第一光栅相似。正常光栅和镜像光栅对某些像差(例如，慧形像差)作出相似反应，但具有依赖于相反聚焦的不对称性灵敏度。因此，差信号将是对于聚焦敏感的，但对于慧形像差不敏感。
因此，应理解，一般而言，一对对应光栅的概念可包括在光栅的任一个或更多个特征方面对应的光栅，所述任一个或更多个特征包括(非穷举地)：方向、任一个或更多个光栅特征尺寸、成对的主控和受控光栅(或主/从光栅)、偏移偏置、占空比、节距、标记/空间比率。
也应理解，本发明所披露的概念同样适用于包括多于或少于四个光栅的目标。例如，目标可包括单一(对应)对的光栅。作为另一示例，可根据本发明所描述的概念来测量先前所提及的具有九个复合光栅的3×3阵列(具有例如偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d)的目标。在这种示例中，将会找出每个对应对(例如，每偏置对，即：(+4d、-4d)； (+3d，-3d)；…等等)的校正因子或系数。在此之后，可如下文所描述(参见方程式(14)或方程式(15))来确定这些校正的几何平均值。无需找出对这种阵列的中心光栅(在这一特定示例中不具有偏置)的校正，这是因为将在正常测量中在测量场的中心测量所述中心光栅。
在一特定实施例中，一个对应对光栅中的每个光栅可被布置成在2×2 阵列中的对角线上与另一光栅相对。另一类似地定向的光栅的正常部位可以是当目标处于其典型的测量部位时的所述对应对的另一光栅的部位，例如，当包括有所述光栅的目标在测量场内实质上居中时所述光栅的部位。
以此方式，针对每个光栅获得一对强度测量值Iref、Ishift：处于相对于测量场的正常部位的每个光栅的第一测量值Iref；和处于相对于测量场的移位后的部位中的每个光栅的第二测量值Ishift。在每种情况下，移位后的部位是包括于目标内的对应的相似地定向的光栅的正常部位。
图6图示出这些测量中的每一个测量。在图6(a)中，测量处于正常部位(例如，在测量场610内居中)的目标600。以此方式，在分量光栅H1、H2、V1、V2中的每一个处于它们的正常部位的情况下，获得用于每个分量光栅H1、H2、V1、V2的强度测量值IrefH1、IrefH2、IrefVl、IrefV2。可同时地进行强度测量。应注意，用于光栅的H和V前缀表示了它们的方向(H针对水平或x定向的，且V针对垂直或y定向的)。所示的特定布置仅是示例性的，并且其他布置和光栅排序是可能的，包括本发明所描述的所有替代方案。
在图6(b)中，目标600在测量场610内移动，使得光栅V1在测量场610内处于当目标600处于其正常部位时(如图6(a)中所图示)由光栅V2所占据的部位。应注意，为了清楚起见，图6(b)至图6(e)(以虚线)示出正常目标部位620。在目标600相对于测量场610处于这一部位的情况下，执行对光栅V1的强度测量以获得强度测量值IshiftV1。
在图6(c)中，目标600在测量场610内移动，使得光栅H1在测量场610内处于当目标600处于其正常部位时由光栅H2所占据的部位。在目标600相对于测量场610处于这一部位的情况下，执行对光栅H1的强度测量以获得强度测量值IshiftH1。
在图6(d)中，目标600在测量场610内移动，使得光栅V2在测量场610内处于当目标600处于其正常部位时由光栅V1所占据的部位。在目标600相对于测量场610处于这一部位的情况下，执行对光栅V2的强度测量以获得强度测量值IshiftV2。
在图6(e)中，目标600在测量场610内移动，使得光栅H2在测量场610内处于当目标600处于其正常部位时由光栅H1所占据的部位。在目标600相对于测量场610处于这一部位的情况下，执行对光栅H2的强度测量以获得强度测量值IshiftH2。
图7图示出对于其中对应光栅H1与H2或V1与V2并排地布置(在 x方向上相邻)的目标而言的替代校准阶段。在图7(a)中，测量了处于正常部位(例如，在测量场710内居中)的目标700。以此方式，在分量光栅H1、H2、V1、V2中的每一个处于它们的正常部位的情况下，获得对于每个分量光栅H1、H2、V1、V2的强度测量值IrefH1、IrefH2、IrefV1、IrefV2。可同时地进行强度测量。因此，这个步骤与由图6(a)所图示的步骤基本上相同，仅在目标布局上不同。
在图7(b)中，目标700在测量场710内移动，使得光栅V2在测量场710内处于当目标700处于其正常部位时由光栅V1所占据的部位，且光栅H2在测量场710内处于当目标700处于其正常部位时由光栅H1所占据的部位。应注意，为了清楚起见，图7(b)和图7(c)(以虚线)示出了正常目标部位720。在目标700相对于测量场710处于这一部位的情况下，执行对光栅V2的强度测量以获得强度测量值IshiftV2，且执行对光栅H2的强度测量以获得强度测量值IshiftH2。
在图7(b)中，目标700在测量场710内移动，使得光栅V1在测量场710内处于当目标700处于其正常部位时由光栅V2所占据的部位，且光栅H1在测量场710内处于当目标700处于其正常部位时由光栅H2所占据的部位。在目标700相对于测量场710处于这一部位的情况下，执行对光栅V1的强度测量以获得强度测量值IshiftV1，且执行对光栅H1的强度测量以获得强度测量值IshiftH1。
以此方式，相比于首先描述的校准实施例，校准时间实质上被减半。仅需要测量处于相对于测量场的两个移位后的部位的目标，且针对每个移位后的部位进行两个同时的测量。
图7(d)至(f)图示出类似布置，但对应光栅在y方向上互相邻近地布置。图7(d)图示出基本上与由图7(a)所图示的步骤相同的步骤，其仅在目标布局上不同。类似地，图7(e)图示出基本上与由图7(b) 所图示的步骤相同的步骤，除了移位是向下，而不是向左(从所示的透视图)以外；且图7(f)图示出基本上与由图7(c)所图示的步骤相同的步骤，除了移位是向上而不是向右以外。
在目标是用于测量重叠的重叠目标的情况下，光栅H1可以是具有第一偏置(例如，正偏置+d)的水平方向的光栅，光栅H2可以是具有第二偏置(例如，负偏置-d)的水平方向的光栅，光栅V1可以是具有第一偏置的垂直方向的光栅，且光栅V2可以是具有第二偏置的垂直方向的光栅。以此方式，测量处于正常部位和处于具有不同偏置的类似地定向的光栅的正常部位的每个光栅。
在目标是用于测量聚焦和/或剂量设定的聚焦目标的情况下，光栅H1 可以是具有第一组光栅特征尺寸和正常特征的光栅，光栅H2可以是具有第一组光栅特征尺寸和镜像特征的光栅，光栅V1可以是具有第二组光栅特征尺寸和正常特征的光栅，且光栅V2可以是具有第二组光栅特征尺寸和镜像特征的光栅。以此方式，测量处于其正常部位中和处于带有具备相反特征方向的类似光栅特征尺寸的光栅的正常部位中的每一光栅。其他布置是可能的。
在每一情况下，校准阶段是通过从每对强度量测值Iref、Ishift确定校正 (例如，校正因子或校正偏差)来完成。这种校正可之后在校正阶段中用以校正处于相对于测量场的它们的正常部位中的光栅的测量值。
在一特定实施例中，校准阶段可包括获得待应用于光栅测量的偏差的值。这种方法特别适合于聚焦/剂量目标，但不限于此。因此，关于具有正常特征(n个光栅)和镜像特征(m个光栅)的聚焦/剂量光栅来描述下文的分析。在将图6用于参考的情况下，正常光栅是被标注为H1和 V1的光栅，且镜像光栅是被标注为H2和V2的光栅。
可以示出n个光栅与m个光栅的测量场轮廓非常相似。现在假设，由于测量场轮廓，处于正常部位处的光栅H1的强度具有偏差α，且处于移位后部位处的光栅H1的强度具有偏差β。在于WR模式中进行测量的情况下，在正常测量中通过如下方程式获得光栅H1的所测量不对称性 AH1和光栅H2的所测量不对称性AH2：
AH1＝(IH1，WR0+α)-(IH1，WR180+β)
AH2＝(IH2，WR0+β)-(IH2，WR180+α) 方程式(4)
其中IH1，WR0是在晶片方向为0°的情况下的光栅H1的强度量度， IH1，WR180是在晶片方向为180°的情况下的光栅H1的强度量度，IH2，WR0是在晶片方向为0°的情况下的光栅H2的强度量度，且IH2，WH180是在晶片方向为180°的情况下的光栅H2的强度量度。假定用于正常光栅和镜像光栅的偏差相似。
为了减少来自光刻设备的像差效应，将n个目标与m个目标的不对称性平均化：
Figure BDA0001512626460000221
应注意，应将结果相减，这是因为否则源自H1和H2光栅的强度量度将由于光栅特征的锯齿/齿状物的方向而相消。从方程式(5)变得明确的是，依赖于测量场的效应在这种测量中并不相消。
当前考虑到其中包括了校准测量的情形：
AH1，n＝(IH1，WR0，n+α)-(IH1，WR180，n+β)
＝(IH1，WR0，n-IH1，WR180，n)+(α-β)
AH1，s＝(IH1，WR0，s+β)-(IH1，WR180，s+α)
＝(IH1，WR0，s-IH1，WR180，s)-(α-β)
Figure BDA0001512626460000222
Figure BDA0001512626460000223
其中下标n是关于来自正常测量的强度，且下标s是关于来自移位后的测量的强度。
从方程式(6)变得明确的是，当将两个不对称性信号AH1和AH2平均化时，偏差α，β相消。这种情形假定在晶片旋转之前和之后的偏差是相似的，这是合理假定。因此，可看到，如果紧接着正常测量执行移位后的测量，则可移除测量场非均匀性的影响。然而，这些额外测量在针对每次测量而被执行的情况下将会导致不可接受的测量产出时间。因此，在校准阶段中较不频繁地执行移位后的测量(校准的频率是由用户决定)。在这种实施例中，校准阶段包括确定在正常部位处所测量的强度与平均强度之间的偏差。所述校正阶段之后包括随后运用这种校准后的偏差来校正正常测量。可以可选地执行每个光栅的这种校准；且也可执行每个孔阑和/ 或每个晶片方向的校准。这种实施例中的校准如下：
IH1，WR0，n＝IH1，WR0+α
IH1，WR0，s＝IH1，WR0+β
IH1，WR180，n＝IH1，WR0+β
IH1，WR180，s＝IH1，WR0+α
Figure BDA0001512626460000231
Figure BDA0001512626460000232
其中下标av表示平均强度。
应注意，+1和-1第一级强度甚至在校准之后仍受到测量场非均匀性影响。然而，因为不对称性测量包括两个强度之间的差，所以偏差项α、β在不对称性测量中相消。因此，这种实施例中的校准阶段包括确定在正常测量与平均测量之间的偏差A：
Figure BDA0001512626460000233
In＝Iav+Δ 方程式(8)
因此，可使用如下方程式从校准阶段中获得的正常测量和移位后的测量来确定这种偏差：
Figure BDA0001512626460000241
原则上可根据光栅和/或测量装置的各种参数来确定所述校正。例如，这些参数可包括如下参数中的一种或多种：光栅类型(例如，偏置或光栅特征尺寸)、晶片旋转角(例如，相隔180°的两个角度)和孔阑(例如，图3(a)中的被标注为13N或被标注为13S的孔阑)。这包括：在条件(光栅类型、晶片旋转角和孔阑分布/轮廓)的不同集合的情况下执行校准(正常测量和移位后的测量)；且在每种情况下，确定对于那些条件特定的校正(此处是校正偏差，但这种概念适用于本发明所披露的其他校正方法)。在一种实施例(下文更详细地描述)中，可将这些校正中的一些或全部平均化以减少噪声或发现例如对特定参数的平均校正(例如，对不同光栅类型的平均校正)。
校正偏差Δ可随后用以在校正阶段中校正单个测量。这种校正可通过将校正偏差施加于所测量信号(例如，强度)值来进行。偏差的施加可包括合适地，将校正偏差与所测量信号相加或从所测量信号减去校正偏差。具体地，基于方程式(8)，可从如下方程式发现校正后的强度值
Figure BDA0001512626460000242
Figure BDA0001512626460000243
其中I是在光栅处于正常部位的情况下的所测量强度值(目标在测量场中居中，使得可同时地测量所有光栅)。
在针对不同条件确定多个校正的实施例中，应针对用于在获得所测量强度值的过程中所使用的(例如，照射)条件选择适当的所确定的校正。在这种实施例中，将已根据在与用来获得正在被校正的测量强度值的条件相同的条件下获得的正常测量和移位后的测量，确定用于校正步骤中的校正。
在特别适合于重叠目标(但不限于此)的另一特定实施例中，代替校正偏差，所述校正可包括确定校正因子CF。可使用与光栅对应的每对强度测量值Iref、Ishift来计算所述校正因子。在这种实施例中，可通过如下方程式计算用于光栅的所述校正因子CF：
Figure BDA0001512626460000244
因此，校正因子CF的应用将对于所测量的强度值施加校正，从而使得所述校正后的强度值基本上是在如果所述光栅已经在正常部位与移位后的部位之间居中的情况下将会测量到的强度值；其中对应目标被对角地对置，这将会意味着在测量场内居中。
在有可能确定所述目标部位x0的情况下(例如，在有可能使用图案辨识技术的情况下)，可以在较大准确度的情况下确定校正因子。非零部位x0将会意味着目标并不相对于所述测量场而理想地居中。在此情况下，可通过如下方程式计算校正因子CF：
Figure BDA0001512626460000251
其中Δx是参考部位与移位后的部位之间的距离。
在用以确定校正因子的校准阶段之后，可随后在校正阶段中使用所述校正因子以校正单个测量。这种校正可通过将校正因子与所测量信号(例如，强度)值相乘来进行。具体地，可使用如下方程式来寻找校正后的强度值
Figure BDA0001512626460000252
Figure BDA0001512626460000253
其中I是关于处于正常部位的光栅的所测量强度值(目标在测量场中居中，使得可同时地测量所有光栅)。校正因子CF可以是下文所描述的平均化的校正因子
Figure BDA0001512626460000254
中的任一个。应针对用于获得所测量强度值I的 (例如，照射)条件而选择适当的校正因子。
如同所述校正偏差的情况，原则上可根据光栅和/或测量装置的各种参数确定所述校正因子CF。例如，这些参数可包括如下中的的一个或多个：光栅类型(例如，偏置或光栅特征尺寸)、晶片旋转角(例如，相隔 180°的两个角度)和孔阑轮廓/分布(例如，图3(a)中的被标注为13N 或被标注为13S的孔阑)。这可通过在正常部位和移位后的部位处执行光栅的另外成对测量以获得另外校正因子来进行，所述另外成对的测量是在不同条件下执行的。不同条件可包括单一参数的变化，或多个变化参数的不同组合。
例如(适用于包括校正偏差和校正因子的任何类型的校正)，可在第一条件下测量处于正常部位和移位后部位处的光栅，且随后可在第二条件下测量处于正常部位和移位后部位处的光栅。可随后针对每对测量计算出校正。可针对一个或更多个参数针对任何数量的条件来重复这种计算。出于抑制噪声的目的，可将平均化的校正确定为针对在不同条件下执行的每对测量的校正C的平均值
Figure BDA0001512626460000261
平均值可以是几何平均值，例如：
Figure BDA0001512626460000262
测量条件的实际数目可被选择成适合于特定校正(即，将会需要抑制的测量装置的特定非理想性)。同时，测量条件的数目将确定需要进行的测量的数目，且因此确定测量生产率。如果需要非常快速的生产率，则仅需要确定单一校正以校正照射非均一性。针对使用单一照射条件而测量的单一光栅偏置或光栅类型来确定这种单一校正。为了改善噪声抑制，可测量两个不同光栅。例如，可测量具有正偏置+d的光栅以确定校正C(+d)，且可测量具有负偏置-d的光栅以确定校正C(-d)。应注意，这种平均化同样适用于其他光栅类型，例如，正常光栅和镜像光栅、或在它们的光栅特征尺寸上不同的光栅。平均化的校正于是将会是：
Figure BDA0001512626460000263
这种平均化的校正可用作针对所有照射条件的校正。替代地，可在确定所述校正时考虑不同照射条件。在一实施例中，例如当在晶片旋转模式中执行不对称性测量时针对每个晶片旋转角(0°和180°)确定校正。这种确定可针对单一光栅类型(针对每个晶片旋转角进行的测量)来进行，或可在先前测量的噪声抑制(针对如下中的每个而进行的测量：两个光栅类型和两个晶片旋转角)的情况下来进行。在后一情况下，在假定不同光栅类型是具有如前所述的相等且相反的偏置+d、-d的光栅的情况下，可通过如下方程式计算校正C(0°)、C(180°)：
Figure BDA0001512626460000264
Figure BDA0001512626460000265
其中C(+d，0°)是针对具有在晶片旋转角0°的情况下测量的偏置+d的光栅类型而确定的校正，C(-d，0°)是针对具有在晶片旋转角0°的情况下测量的偏置-d的光栅类型而确定的校正，C(+d，180°)是针对具有在晶片旋转角180°的情况下测量的偏置+d的光栅类型而确定的校正，且C(-d，180°)是针对具有在晶片旋转角180°的情况下测量的偏置-d的光栅类型而确定的校正。
另外，可针对不同照射孔阑分布/轮廓(例如，当在互补孔阑模式中测量不对称性时)确定校正。可与晶片旋转角和/或噪声抑制不相关地或独立于它们来进行这种确定。然而，在另一实施例中，确定四个校正，一个校正是针对包括每个晶片旋转角和照射孔阑分布/轮廓的不同组合的一种不同照射条件。如前所述，晶片旋转角可以是0°与180°中之一，而照射孔阑分布/轮廓可以是图3(a)中被标注为13N或被标注为13S中的照射孔阑中之一。在以改善的噪声抑制进行这种确定的情况下，将针对两个光栅类型、两个晶片旋转角和两个照射孔阑分布/轮廓中的每个进行测量。
使用所描述的方法执行校准(以获得校正)的频率是由用户决定的。这通常将是在校正准确度与测量生产率之间的折衷。执行的校准越多(且每次校准执行测量越多)，校正就将越准确，但这将以生产率为代价。作为特定示例，可执行每个工具、每个产品层、每批次或每晶片、或这些的任何组合的校准。
在图6或图7中可看到，在第二强度测量期间，整个目标可能不在测量场内。这可以意味着将不能够使用一些图案识别技术，且因此，不可直接测量所述目标相对于测量场的部位。为了避免使用图案识别技术，提出所述方法包括：在第一强度测量与第二强度测量之间(且相似地在用于每个光栅的每个后续第二强度测量之间)执行目标的相对于测量场的部位的预定移动。可在不使用图案识别技术的情况下执行预定移动。也可在不改变聚焦(相对于测量装置的光学装置的晶片高度)的情况下执行所述预定移动。这意味着在不等待聚焦/校平(levelling)测量子系统设定上节省了时间。其也帮助确保针对第一测量和每个第二测量的相似测量条件。
在一特定示例中，为了缩短测量时间，预定移动将在每一第二测量之间直接移动。即，在例如图6(b)、图6(c)、图6(d)和图6(e)中所图示的布置之间在每个第二测量之间不居中的情况下将存在直接的预定移动。然而，在另一实施例中，目标可在这些移动中的每个(或一个移动或一些移动)之间居中，以便补偿在施加众多这些预定移动的情况下(例如，在上文所描述的3×3的多偏置的示例中)累积定位误差。
应了解，目标或光栅相对于测量场或在测量场内的移动的所有描述包括：移动所述目标或光栅，同时维持所述测量场(投影光学装置)静止；移动所述测量场(投影光学装置)，同时维持所述目标/光栅静止；或同步地移动目标/光栅和测量场(投影光学装置)两者。
图8是根据示例性实施例的用于从目标不对称性测量光刻过程的参数的方法的步骤的流程图。所述步骤如下，且随后被更详细地描述：
800-开始；
805-校准；
810-在正常测量部位处执行周期性结构(光栅)的第一测量；
820-在移位后的测量部位处执行周期性结构(光栅)的第二测量；
830-从所述第一测量和所述第二测量确定针对每个光栅的校正；
840-可选地确定针对不同测量条件或光栅类型的进一步校正；
845-校正；
850-执行从每个光栅散射的辐射的测量以获得从每个光栅散射的辐射的测量值；
860-通过施加适用的校正而校正从每个光栅散射的辐射的测量值；
870-从每个光栅散射的辐射的校正值确定每个光栅中的不对称性；
880-从确定的不对称性来确定光刻过程的参数；
890-结束。
校准阶段805包括校准步骤810至840。可在任何频率下(例如，每工具、每个产品层、每批次或每晶片或这些的任何组合)执行校准阶段 805。
在步骤810处，在正常测量部位处执行光栅的第一测量。正常测量部位可以是在测量场内居中的目标，如已经描述的。这种第一测量可包括由光栅散射的辐射的零或非零衍射级的强度的测量。
在步骤820处，在移位后的测量部位处执行光栅的第二测量。移位后测量部位可以是同一目标的对应的相似定向的光栅的正常测量部位，如已描述的。而且，这种第一测量可包括由光栅散射的辐射的零或非零衍射级的强度的测量。
在步骤830处，从在步骤810和步骤820处确定的第一测量和第二测量确定校正。这种步骤可使用例如方程式(9)、方程式(11)或方程式(12)。
在选用步骤840处，可针对不同条件或光栅类型确定进一步校正。可对这些进一步校正进行平均化，或这些进一步校正可适用于所使用的某一条件(例如，照射条件)。在后一情况下，可确定照射条件特定的校正，使得在校正阶段中依赖于照射条件使用适用的照射条件特定的校正。这种步骤可使用例如方程式(14)、方程式(15)或方程式(16)。
在校准阶段之后，执行校正阶段845以校正针对测量场非均匀性的效应的测量。
在步骤850处，在目标处于其正常测量部位(例如，在测量场内居中) 的情况下进行每个光栅的测量，例如，由每个光栅散射的衍射辐射的互补非零级的强度测量。可在晶片旋转模式或互补孔阑模式中获得衍射辐射的互补非零级。
在步骤860处，依赖于光栅部位和(可选地)其他条件(诸如所使用的照射条件)而将如在校准阶段805期间所确定的适用校正施加到强度测量。这种步骤可使用例如方程式(10)或方程式(13)。
在步骤870处，从校正的强度测量确定每个光栅中的不对称性。可在这个步骤中使用方程式(1)。
在步骤880处，可从所确定的不对称性计算出被监测的参数。例如，所述参数可以是聚焦、剂量或重叠。在参数是重叠的情况下，这种步骤可使用方程式(3)。
相信所提出的方法是有效的，而不管测量场中的非均匀性的源。另外，所提出的方法并不依赖于用于所述测量场非均匀性的起因的假定/模型。所提出的方法可用于晶片旋转模式或互补孔阑模式中，且不依赖于使用不同孔阑的测量。所提出的方法在可a)每个目标、b)每个晶片、c)每晶片批次执行所提出的校准步骤的意义上是灵活的。校准的校正在很大程度上是目标独立的，这允许实现从i)基准目标、ii)测试晶片或iii)实际晶片的(周期性、漂移)测量。所提出的方法可通过在无后续图案识别的情况下、或在具有基于单个光栅的后续图案识别/图像相关性的情况下使用目标位移，来应付部分地在测量场的外部(在校准期间)的目标。
在校正较高级的衍射辐射的强度方面上描述所提出的概念。然而，应理解，所述概念同样适用于受到测量场非均匀性影响的任何测量的校正。因此，可使用本发明所描述的方法和设备来确定用于例如临界尺寸(CD) 测量中的零级衍射辐射的校正。因此，这些校正可以是光瞳平面(非暗场) 测量的校正。
已将校正描述为校正偏差或校正因子。然而，应了解，校正可采取其他形式，且可例如是非线性校正。
虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以与所描述方式不同的其他方式来实施本发明。
以上概念可应用于双层和多层应用二者中的基于衍射的重叠目标。其也可被应用于用于测量曝光聚焦的基于衍射的聚焦目标、和/或被应用于用于测量剂量的目标。
在组合不对称性值以计算感兴趣参数(诸如重叠)之前，在计算不对称性的阶段应用了以上校正的计算。可根据在不同照射和/或成像模式中的工具光学系统的性能，执行上文所描述的所述技术以校准且随后校正所述不对称性测量。如果测量过程使用不同波长和/或偏振的辐射，则可针对这些不同波长和/或偏振的辐射分离地执行校准。
虽然实施例中所例示的检查设备或工具包括具有用于通过平行图像传感器使光曈平面和衬底平面同时成像的第一分支和第二分支的特定形式的散射仪，但替代布置是可能的。所述两个分支可通过诸如反射镜的可移动光学元件而选择性地耦接，而非提供利用分束器17而永久地耦接至物镜16的所述两个分支。可使光学系统具有单个图像传感器，则通往传感器的光学路径由可移动元件重新配置成用作光瞳平面图像传感器且随后用作衬底平面图像传感器。
应了解，本发明所描述的概念和校正同样适用于在中间光瞳平面或光瞳平面(即，使用图3的设备的任一测量分支)中所获得的测量。光瞳平面测量可例如包括使用从目标散射的零级辐射从所述目标的临界尺寸的测量。
虽然上文所描述的目标结构是出于测量的目的而特定地设计和形成的量测目标，但在其他实施例中，可在作为形成于衬底上的器件的功能部分的目标上测量属性。许多器件具有规则的类似光栅的结构。本发明所使用的术语“目标光栅”和“目标结构”无需已特定地针对正在执行的测量来提供所述结构。
与如在衬底和图案形成装置上所实现的目标的检查设备硬件与合适周期性结构相关联地，实施例可包括包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序，所述机器可读指令实施上文所例示类型的测量的方法以获得关于光刻过程的信息。可例如在图3的设备中的控制器PU和/或图2 的控制单元LACU内执行这个计算机程序。也可提供储存有这种计算机程序的数据储存介质，例如，半导体存储器、磁盘或光盘。
尽管上文已特定地参考在光学光刻术的情形中对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可用于其他应用(例如，压印光刻术)中，且在情况允许时不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了产生于衬底上的图案。可将所述图案形成装置的形貌压制到被供应至衬底的抗蚀剂层中，在衬底上所述抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后，所述图案形成装置被移出到抗蚀剂的外面，从而在其中留下图案。
在以下编号的方面中描述了根据本发明的另外实施例：
1.一种在使用限定测量场的测量辐射来测量目标之后，确定用于对从所述目标衍射的辐射的测量值的校正的方法，所述校正对在所述测量值中的测量场部位的依赖性进行校正，所述目标包括多个周期性结构；其中所述方法包括：
执行所述周期性结构中的至少一个的第一测量和一第二测量；以及
从所述第一测量和所述第二测量确定一校正；
其中在所述目标处于相对于所述测量场的正常测量部位的情况下执行所述第一测量；且
在所述周期性结构处于相对于所述测量场的移位后的部位的情况下执行所述第二测量，所述移位后的部位包括当所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时的所述周期性结构中的另一个的部位。
2.根据方面1所述的方法，其中所测量的所述周期性结构与所述周期性结构中的所述另一个被相似地定向。
3.根据方面1或2所述的方法，其中所测量的所述周期性结构与所述周期性结构中的所述另一个包括相似的光栅特征尺寸。
4.根据方面1、2或3所述的方法，其中所述目标包括一对或更多对对应的周期性结构，且针对每一对对应的周期性结构执行所述方法，使得在所述第一测量是所述对对应的周期性结构中的一个的测量的情况下，所述移位后的部位是当所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时，该对对应的周期性结构中的另一个的部位。
5.根据方面4所述的方法，其中所述目标包括两对对应的周期性结构。
6.根据方面5所述的方法，其中所述两对对应的周期性结构被布置成二乘二阵列。
7.根据方面6所述的方法，其中包括于所述一对或更多对对应的周期性结构中的每对内的所述周期性结构被定位成在所述阵列中对角地对置。
8.根据方面6所述的方法，其中包括于所述一对或更多对对应的周期性结构中的每对内的所述周期性结构被定位成在所述阵列中互相邻近。
9.根据方面8所述的方法，其中针对处于它们的移位后的部位中的两个周期性结构同时地执行第二测量。
10.根据方面5至9中任一所述的方法，其中所述两对对应的周期性结构中的一对具有第一方向，且所述两对对应的周期性结构中的另一对具有第二方向。
11.根据方面5至9中任一所述的方法，其中所述两对对应的周期性结构中的一对具有第一组光栅特征尺寸，且所述两对对应的周期性结构中的所述另一对具有第二组光栅特征尺寸。
12.根据方面4至11中任一所述的方法，其中所述一对或更多对对应的周期性结构中的每对包括两个或更多层的两个周期性结构，所述两个周期性结构中的每个在所述层中的两层的放置之间具有相同方向但具有不同的偏置。
13.如前述方面中任一所述的方法，其中所述校正是能够操作以通过乘以所述测量值来校正所述测量值中的测量场部位的依赖性的校正因子或校正系数。
14.如前述方面中任一所述的方法，其中所述校正是能够操作以通过与所述测量值相加或从所述测量值减去来校正所述测量值中的测量场部位的依赖性的校正偏差。
15.如前述方面中任一所述的方法，其中所述第一测量包括同时地测量包括于所述目标内的所有所述周期性结构。
16.如前述方面中任一所述的方法，包括步骤：执行在用于执行所述第一测量的所述正常测量部位与用于执行所述第二测量的所述第一移位后的部位之间的所述目标相对于所述测量场的预定移动。
17.根据方面16所述的方法，包括执行多个第二测量以分别测量包括于目标内的处于针对所述周期性结构的在所述适用的移位后的部位上的每个周期性结构，所述方法包括步骤：执行所述目标相对于所述测量场在所述移位后的部位中的每个之间的预定移动。
18.根据方面16或17所述的方法，其中在不使用图案识别的情况下且在不改变测量光学装置的聚焦的情况下执行所述预定移动中的每个。
19.如前述方面中任一所述的方法，其中所述目标包括用于测量聚焦的一个或更多个聚焦光栅。
20.如前述方面中任一所述的方法，其中所述目标包括用于测量剂量的一个或更多个剂量光栅。
21.如前述方面中任一所述的方法，其中所述目标包括用于测量临界尺寸的一个或更多个光栅。
22.根据方面1至19中任一所述的方法，其中所述目标是用于测量重叠的重叠目标。
23.如前述任一方面所述的方法，其中对所测量的处于相对于所述测量场并不居中的部位的周期性结构的测量值应用所述校正来对所述测量值进行校正，使得校正值实质上是将会在已测量处于在所述正常测量部位与所述移位后的部位之间居中的部位的所述周期性结构的情况下获得的值。
24.如前述任一方面所述的方法，包括在所述第一测量和所述第二测量期间测量相对于所述测量场的所述实际目标部位，且使用所述目标部位的这些测量以确定所述校正，使得其将所述测量值更好地校正为将会在已测量处于相对于所述测量场而居中的部位的所述周期性结构的情况下获得的值。
25.如前述任一方面所述的方法，其中根据所述周期性结构和/或用以执行所述第一测量和所述第二测量的测量装置的一个或更多个参数来确定所述校正。
26.如前述任一方面所述的方法，其中确定适用于所述测量场内的单一部位的依赖于多个参数的校正，依赖于多个参数的校正中的每个针对于不同参数条件。
27.根据方面26所述的方法，包括计算所述依赖于参数校正的平均值以获得噪声抑制的依赖于参数的校正。
28.根据方面26或27所述的方法，其中所述依赖于参数的校正所依赖的参数包括所述周期性结构的重叠偏置。
29.根据方面26、27或28所述的方法，其中所述不同参数条件可以包括不同照射条件，所述不同照射条件包括使用用于所述测量辐射的不同照射孔阑轮廓和/或相对于所述测量辐射的不同衬底方向，所述目标包括于所述衬底上。
30.如前述任一方面所述的方法，包括将所述校正应用于由一周期性结构散射的辐射的测量值。
31.根据方面1至29中任一所述的方法，其中确定多个校正，每个校正当一目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时适用于包括于所述目标内的周期性结构的部位。
32.根据方面31所述的方法，包括将适用的校正应用于由周期性结构散射的辐射的测量值的步骤，所述适用的校正至少依赖于所述周期性结构相对于所述测量场的所述部位。
33.一种测量包括多个周期性结构的目标的方法，所述方法包括：
同时地测量所述目标的每个周期性结构，由此针对每个周期性结构获得由所述周期性结构散射的辐射的测量值；和
使用适用于使所测量强度值对应的所述周期性结构的部位的校正，以校正由所述周期性结构散射的辐射的每个测量值以便补偿所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响；
其中使用根据方面1至29中任一所述的方法来确定每个校正。
34.一种测量目标中的不对称性的方法，所述目标包括由光刻过程在衬底上形成的多个周期性结构，所述方法包括步骤：
第一测量步骤，包括在利用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测所述周期性结构中的每个的第一图像，所述第一图像使用由每个周期性结构衍射的辐射的第一选定部分而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第一测量值；
第二测量步骤，包括在利用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测所述周期性结构中的每个的第二图像，所述第二图像使用由每个周期性结构衍射的辐射的第二选定部分而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第二测量值，辐射的所述第二选定部分在所述周期性结构的衍射光谱中与所述第一部分对称地相对；和
基于由所述周期性结构散射的辐射的适用的第一测量值和由所述周期性结构散射的辐射的所述第二测量值来计算每个周期性结构中的不对称性的测量，
其中在计算所述不对称性测量的所述步骤中，通过使用根据方面1 至29中任一所述的方法而确定的校正来执行校正，所述校正用以补偿由所述周期性结构散射的辐射的所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响。
35.根据方面34所述的方法，其中所述衬底在所述第一测量与所述第二测量之间旋转通过180°，以便使得通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第一选定部分而形成所述第一图像，和通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第二选定部分而形成所述第二图像。
36.根据方面34所述的方法，其中所述测量辐射的孔阑轮廓在所述第一测量与所述第二测量之间改变，以便使得通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第一选定部分而形成所述第一图像和通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第二选定部分而形成所述第二图像。
37.根据方面34所述的方法，其中获得通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第一选定部分而形成的所述第一图像和通过由每个周期性结构衍射的辐射的所述第二选定部分而形成的所述第二图像，而在所述第一图像与所述第二图像的获取之间不具有衬底方向或孔阑轮廓的改变，所述目标包括镜像光栅和/或双光栅。
38.根据方面34至37中任一所述的方法，其中由每个周期性结构衍射的辐射的所述第一选定部分和由每个周期性结构衍射的辐射的所述第二选定部分包括互补非零衍射级。
39.一种测量包括于目标内的一个或更多个周期性结构的目标参数的方法，所述方法包括：
在运用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测每个周期性结构的图像，所述图像通过使用由每个周期性结构散射的辐射而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第一测量值；
从所述对应的图像计算用于每个周期性结构的所述目标参数的测量；
其中在计算所述目标参数的测量的所述步骤中，通过使用根据方面1 至23中任一所述的方法而确定的校正来执行校正，所述校正用以补偿由所述周期性结构散射的辐射的所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响。
40.根据方面39所述的方法，其中所述目标参数是临界尺寸。
41.一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，所述量测设备能够操作以执行根据方面1至40中任一所述的方法。
42.根据方面41所述的量测设备，包括：
用于所述衬底的支撑件，所述衬底上具有一个或更多个目标；
光学系统，用于测量每个目标；和
处理器，能够操作以根据方面1至29中任一所述的方法而确定校正。
43.一种光刻系统，包括：
光刻设备，包括：
照射光学系统，被布置用以照射一图案；
投影光学系统，被布置用以将所述图案的图像投影至衬底上；和
根据方面41或42所述的量测设备，
其中所述光刻设备被布置用以在将所述图案施加至另外的衬底时使用由所述量测设备计算的确定后的参数值，其中所述确定后的参数值是使用强度测量而确定的，所述强度测量是使用所述量测设备而进行且所述校正已应用到所述强度测量。
44.一种包括处理器可读指令的计算机程序，所述处理器可读指令当运行于合适处理器控制设备上时使得所述处理器控制设备执行根据方面 1至37中任一所述的方法。
45.一种计算机程序载体，包括根据方面44所述的计算机程序。
46.一种制造器件的方法，其中使用光刻过程将器件图案施加至一系列衬底，所述方法包括：
-使用根据方面1至29中任一所述的方法以确定至少一个校正；
-将所述至少一个校正应用于强度测量，且使用校正的强度测量来监测光刻过程参数；和
-根据所述光刻过程参数控制之后衬底的所述光刻过程。
本发明所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有波长是或大约365纳米、355纳米、248 纳米、193纳米、157纳米或126纳米)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5纳米至20纳米的范围内的波长)，以及粒子束(诸如离子束或电子束)。
术语“透镜”在允许的情况下，可表示各种类型的光学组件中的任一个或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型、和静电型光学部件。
对特定实施例的上文描述如此充分地揭露本发明的一般性质，以致于在不背离本发明的一般概念的情况下，本领域其它技术人员可通过应用本领域的知识针对各种应用而容易地修改和/或调整这些特定实施例，而无需进行过多的实验。因此，基于本发明所提供的教导和指导，这些调整和修改目的是在所披露的实施例的等价物的涵义和范围内。应理解，本发明中的措词或术语是出于例如描述的目的而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞应由本领域技术人员根据所述教导和所述指导进行解译。
本发明的广度和范围不应由上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据以下权利要求及其等价物限定。

Claims (15)

1.一种在使用限定测量场的测量辐射来测量目标之后确定对于从所述目标衍射的辐射的测量值的校正的方法，所述校正对所述测量值中的测量场部位的依赖性进行校正，所述目标包括具有相同方向和不同偏置的一对对应的周期性结构；其中所述方法包括：
执行所述一对对应的周期性结构的第一测量和第二测量；和
从所述第一测量和所述第二测量确定校正；
其中在所述目标处于相对于所述测量场的正常测量部位的情况下执行所述第一测量；且
在所述一对对应的周期性结构中的一个处于相对于所述测量场的移位后的部位的情况下执行所述第二测量，所述移位后的部位包括当所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时的所述一对对应的周期性结构中的另一个的部位。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述目标包括更多对对应的周期性结构时，针对每一对对应的周期性结构执行所述方法，使得在所述第一测量是所述对对应的周期性结构中的一个的测量的情况下，所述移位后的部位是当所述目标处于相对于所述测量场的所述正常测量部位时的该对对应的周期性结构中的另一个的部位。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正是能够操作以通过乘以所述测量值来校正所述测量值中的测量场部位的依赖性的校正因子。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正是能够操作以通过与所述测量值相加或从所述测量值减去而校正所述测量值中的测量场部位的依赖性的校正偏移。
5.根据权利要求1所述的方法，包括步骤：执行在用于执行所述第一测量的所述正常测量部位与用于执行所述第二测量的第一移位后的部位之间的所述目标相对于所述测量场的预定移动。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标包括用于测量聚焦的一个或更多个聚焦光栅，或用于测量剂量的一个或更多个剂量光栅，或用于测量临界尺寸的一个或更多个光栅，或用于测量重叠的重叠目标。
7.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述一对对应的周期性结构和/或用以执行所述第一测量和所述第二测量的测量装置的一个或更多个参数来确定所述校正。
8.根据前述任一权利要求所述的方法，其中确定适用于所述测量场内的单一部位的依赖于多个参数的校正，所述依赖于多个参数的校正中的每一个针对于不同的参数条件。
9.一种测量包括一对对应的周期性结构的目标的方法，其中所述一对对应的周期性结构具有相同的方向和不同的偏置，所述方法包括：
同时地测量所述目标的每个周期性结构，由此针对每个周期性结构获得由所述周期性结构散射的辐射的测量值；和
使用适用于使所测量的强度值对应的所述周期性结构的部位的校正，以校正由所述周期性结构散射的辐射的每个测量值以便补偿所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响；
其中使用根据权利要求1至8中任一项所述的方法来确定每个校正。
10.一种测量在目标中的不对称性的方法，所述目标包括由光刻过程在衬底上形成的具有相同的方向和不同的偏置的一对对应的周期性结构，所述方法包括如下步骤：
第一测量步骤，包括在利用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测所述一对对应的周期性结构中的每个的第一图像，所述第一图像使用由每个周期性结构衍射的辐射的第一选定部分而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第一测量值；
第二测量步骤，包括在利用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测所述一对对应的周期性结构中的每个的第二图像，所述第二图像使用由每个周期性结构衍射的辐射的第二选定部分而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第二测量值，辐射的所述第二选定部分在所述周期性结构的衍射光谱中与第一部分对称地相反；和
基于由所述周期性结构散射的辐射的适用的第一测量值和由所述周期性结构散射的辐射的所述第二测量值来计算每个周期性结构中的不对称性的测量，
其中在计算所述不对称性测量的步骤中，使用一种通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的方法而确定的校正来执行校正，所述校正用以补偿由所述周期性结构散射的辐射的所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响。
11.一种测量包括在目标内的一个或更多对对应的周期性结构的目标参数的方法，所述一对或更多对对应的周期性结构具有相同的方向和不同的偏置，所述方法包括：
在利用测量辐射照射所述目标的同时形成并检测每个周期性结构的图像，所述图像使用由每个周期性结构散射的辐射而形成，由此获得由每个周期性结构散射的辐射的第一测量值；
从对应的图像计算用于每个周期性结构的所述目标参数的测量；
其中在计算所述目标参数的测量的步骤中，使用一种通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的方法而确定的校正来执行校正，所述校正用以补偿由所述周期性结构散射的辐射的所述测量值中的测量场部位的依赖性的影响。
12.一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，所述量测设备能够操作以执行根据权利要求1至11中任一项所述的方法。
13.一种光刻系统，包括：
光刻设备，包括：
照射光学系统，被布置用以照射图案；
投影光学系统，被布置用以将所述图案的图像投影至衬底上；和
根据权利要求12所述的量测设备，
其中所述光刻设备被布置用以在将所述图案施加至另外的衬底时使用由所述量测设备计算的确定后的参数值，其中所述确定的参数值是使用强度测量来确定的，所述强度测量是使用所述量测设备进行的且所述校正已应用于所述强度测量。
14.一种包括处理器可读指令的计算机存储介质，所述处理器可读指令当运行于合适的处理器控制设备上时使所述处理器控制设备执行根据权利要求1至10中任一项所述的方法。
15.一种制造器件的方法，其中使用光刻过程将器件图案施加至一系列衬底，所述方法包括：
使用根据权利要求1至8中任一项所述的方法确定至少一个校正；
将所述至少一个校正应用于强度测量，且使用所述校正的强度测量监测光刻过程参数；和
根据所述光刻过程参数控制之后的衬底的所述光刻过程。
CN201680035659.8A 2015-06-18 2016-06-17 量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法 Active CN107750350B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15172709.6 2015-06-18
EP15172709 2015-06-18
PCT/EP2016/063145 WO2016202674A1 (en) 2015-06-18 2016-06-17 Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107750350A CN107750350A (zh) 2018-03-02
CN107750350B true CN107750350B (zh) 2020-07-14

Family

ID=53442613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680035659.8A Active CN107750350B (zh) 2015-06-18 2016-06-17 量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9958789B2 (zh)
JP (1) JP6567095B2 (zh)
KR (1) KR102048396B1 (zh)
CN (1) CN107750350B (zh)
IL (1) IL256134B (zh)
NL (1) NL2016925A (zh)
TW (1) TWI626504B (zh)
WO (1) WO2016202674A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2011816A (en) * 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
WO2016000914A1 (en) 2014-06-30 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
JP6562626B2 (ja) * 2014-12-10 2019-08-21 キヤノン株式会社 顕微鏡システム
NL2019081A (en) 2016-06-30 2018-01-09 Asml Holding Nv Method and device for pupil illumination in overlay and critical dimension sensors
JP2020509431A (ja) 2017-02-22 2020-03-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． コンピュータによる計測
EP3382606A1 (en) 2017-03-27 2018-10-03 ASML Netherlands B.V. Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units
EP3521930A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3553603A1 (en) * 2018-04-13 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
CN108776406B (zh) * 2018-05-29 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 一种彩色滤光片的制备基板及彩色滤光片基板的制造方法
TWI729334B (zh) * 2018-06-07 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定器件之控制方案的方法、電腦程式和系統及用於判定多個器件處理之基板的方法
US11353799B1 (en) * 2019-07-23 2022-06-07 Kla Corporation System and method for error reduction for metrology measurements
CN113325666A (zh) * 2020-02-28 2021-08-31 上海微电子装备（集团）股份有限公司 套刻误差测量装置及方法
CN112614780A (zh) * 2020-12-16 2021-04-06 上海华力微电子有限公司 一种晶圆尖峰退火监控方法
CN112908898B (zh) * 2021-01-27 2022-09-02 长鑫存储技术有限公司 控片量测方法及量测装置
US11774863B2 (en) 2021-10-21 2023-10-03 Kla Corporation Induced displacements for improved overlay error metrology
WO2023126173A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 Asml Netherlands B.V. An optical system implemented in a system for fast optical inspection of targets

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7433039B1 (en) 2004-06-22 2008-10-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for reducing tool-induced shift during overlay metrology
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7724370B2 (en) * 2007-03-01 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
JP5337458B2 (ja) * 2008-11-19 2013-11-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン形状検査方法及びその装置
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元
KR20120058572A (ko) * 2009-08-24 2012-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판
WO2011157643A1 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
JP5209012B2 (ja) 2010-09-22 2013-06-12 株式会社東芝 位置合わせ測定方法及び位置合わせ測定装置
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
CN103201682B (zh) 2010-11-12 2015-06-17 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法
NL2009508A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2010401A (en) 2012-03-27 2013-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
US8860941B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool induced shift reduction determination for overlay metrology
WO2013178422A1 (en) 2012-05-29 2013-12-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method
KR101994385B1 (ko) 2014-12-19 2019-06-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201708934A (zh) 2017-03-01
TWI626504B (zh) 2018-06-11
IL256134B (en) 2021-01-31
KR20180014098A (ko) 2018-02-07
KR102048396B1 (ko) 2019-11-25
WO2016202674A1 (en) 2016-12-22
CN107750350A (zh) 2018-03-02
IL256134A (en) 2018-02-28
JP2018524632A (ja) 2018-08-30
JP6567095B2 (ja) 2019-08-28
NL2016925A (en) 2016-12-22
US20160370710A1 (en) 2016-12-22
US9958789B2 (en) 2018-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107750350B (zh) 量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
US9786044B2 (en) Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
TWI616642B (zh) 用於量測微影程序之參數的度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統
US10345709B2 (en) Determination of stack difference and correction using stack difference
US8797554B2 (en) Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property
CN110050233B (zh) 用于预测测量方法的性能的方法和设备、测量方法和设备
US10598483B2 (en) Metrology method, apparatus and computer program
KR102128523B1 (ko) 위치 측정 방법, 리소그래피 장치, 리소 셀 및 디바이스 제조 방법
CN111316167B (zh) 校准聚焦测量结果的方法、测量方法和量测设备、光刻系统以及器件制造方法
CN111133384B (zh) 用于确定图案化过程参数的方法
KR102284564B1 (ko) 기판의 속성을 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
CN113168119B (zh) 用于测量光刻过程的参数的目标
CN112352202B (zh) 量测方法、设备和计算机程序
CN113196175A (zh) 测量图案化过程的参数的方法、量测设备、目标
WO2018215177A1 (en) Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant