TW201706634A - 波長轉換構件、其製造方法及發光裝置 - Google Patents

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Masaaki Kadomi
Hideki Asano
Takashi Nishimiya
Yoshimasa Yamaguchi
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Abstract

本發明提供一種能夠小型化及輕量化之波長轉換構件、其製造方法、及使用該波長轉換構件之發光裝置。 本發明之特徵在於具備:玻璃管10、注入至玻璃管10內之螢光體2、及密封玻璃管10之至少一端部10a及10b之密封膜3。較佳為於玻璃管10之端部10a及10b之螢光體2與密封膜3之間設置有樹脂密封部4。

Description

波長轉換構件、其製造方法及發光裝置
本發明係關於一種波長轉換構件、其製造方法、及使用該波長轉換構件之發光裝置。
近年來,於液晶顯示器之背光裝置等之用途中,使用出射藍色光之LED(Light Emitting Diode,發光二極體)及波長轉換構件之白色光源之開發正在盛行。此種白色光源可出射自LED出射且透過波長轉換構件之藍色光與自波長轉換構件出射之黃色光之合成光即白色光。
作為於波長轉換構件中封入螢光體之容器,提出使用玻璃毛細管(專利文獻1及專利文獻2)。又,作為螢光體,近年來正研究量子點,例如正研究:使量子點分散於樹脂中而成之流動體注入至玻璃毛細管,並製成波長轉換構件。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-163798號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-48211號公報
於將上述白色光源使用於智慧型手機等之情形時,期望白色光源之小型化及輕量化。因此,即便於波長轉換構件中,亦要求小型化及輕量化。
本發明之目的在於提供一種能夠小型化及輕量化之波長轉換構件、其製造方法、及使用該波長轉換構件之發光裝置。
本發明之波長轉換構件之特徵在於具備:玻璃管、注入至玻璃管內之螢光體、及密封玻璃管之至少一端部之密封膜。
較佳為密封膜之至少一部分與玻璃管直接接觸。
密封膜較佳為包含選自金屬氧化物膜、金屬氮化物膜、金屬氮氧化物膜、金屬膜、及金剛石狀碳膜中之至少1種。
作為金屬氧化物膜、金屬氮化物膜、金屬氮氧化物膜,分別可列舉氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜。
作為金屬膜,可列舉鋁膜、鈦膜、或鉻膜。
玻璃管之兩個方向之端部可被密封膜密封。
作為螢光體,可列舉量子點。於此情形時,量子點較佳為於分散於樹脂中之狀態下注入至玻璃管內。
較佳為於玻璃管之端部之螢光體與密封膜之間設置有樹脂密封部。於此情形時,樹脂密封部例如可利用熱硬化性樹脂或紫外線硬化性樹脂形成。
於玻璃管中,於入射用以激發螢光體之激發光之入射部、及出射來自螢光體之螢光之出射部以外之部分之至少一部分可設置反射膜。
於玻璃管中,於入射用以激發螢光體之激發光之入射部、及出射來自螢光體之螢光之出射部之至少一者可設置抗反射膜或微細之凹凸構造體。
本發明之發光裝置之特徵在於具備上述本發明之波長轉換構件、及出射用以激發螢光體之激發光之光源。
於本發明之發光裝置中,可設置有複數個光源,且以波長轉換 構件分別對應於各光源之方式設置有複數個波長轉換構件。
本發明之第1製造方法之特徵在於:其係製造上述本發明之波長轉換構件之方法,且具備如下步驟:製作內部注入有螢光體之玻璃管;及於玻璃管之至少一端部,藉由蒸鍍法、濺鍍法、或CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沈積)法形成密封膜。
本發明之第2製造方法之特徵在於:其係製造上述本發明之波長轉換構件之方法,且具備如下步驟:於玻璃管母材中注入螢光體;將注入有螢光體之玻璃管母材按照波長轉換構件之各單元分割,而製成各個注入有螢光體之單元之玻璃管;及於分割出之玻璃管之至少一端部形成密封膜。
較佳為藉由將玻璃管母材折斷而將玻璃管母材進行分割。於此情形時,較佳為於玻璃管母材上形成劃線,並沿著劃線將玻璃管母材折斷。
根據本發明,能夠使波長轉換構件小型化及輕量化。
1、21、31、41、61、62‧‧‧波長轉換構件
2‧‧‧螢光體
2a、2b‧‧‧螢光體2之端部
3‧‧‧密封膜
4‧‧‧樹脂密封部
5‧‧‧激發光
6‧‧‧螢光
7‧‧‧光源
8、9‧‧‧發光裝置
10‧‧‧玻璃管
10a、10b‧‧‧玻璃管10之端部
11‧‧‧第1主壁部
11a‧‧‧第1主壁部11之內壁面
11b‧‧‧第1主壁部11之外壁面
12‧‧‧第2主壁部
12a‧‧‧第2主壁部12之內壁面
12b‧‧‧第2主壁部12之外壁面
13‧‧‧第1側壁部
13a‧‧‧第1側壁部13之內壁面
13b‧‧‧第1側壁部13之外壁面
14‧‧‧第2側壁部
14a‧‧‧第2側壁部14之內壁面
14b‧‧‧第2側壁部14之外壁面
42、43‧‧‧抗反射膜
44、45‧‧‧反射膜
50‧‧‧玻璃管母材
50a‧‧‧玻璃管母材50之一端部
50b‧‧‧玻璃管母材50之另一端部
A‧‧‧劃線位置
x、y、z‧‧‧方向
圖1係表示本發明之第1實施形態之波長轉換構件之沿長度方向之模式性剖視圖。
圖2係沿圖1所示之II-II線之模式性剖視圖。
圖3係表示本發明之第2實施形態之波長轉換構件之沿寬度方向之模式性剖視圖。
圖4係表示本發明之第3實施形態之波長轉換構件之沿寬度方向之模式性剖視圖。
圖5係表示本發明之第4實施形態之波長轉換構件之沿寬度方向之模式性剖視圖。
圖6係用以對製造本發明之第1實施形態之波長轉換構件之方法 進行說明之模式性剖視圖。
圖7係用以對製造本發明之第1實施形態之波長轉換構件之方法進行說明之模式性剖視圖。
圖8係用以對製造本發明之第1實施形態之波長轉換構件之方法進行說明之模式性剖視圖。
圖9係表示對各光源分別配置有波長轉換構件之發光裝置之一例的模式圖。
圖10係表示對各光源配置有1個共用之波長轉換構件之發光裝置之一例的模式圖。
以下,對較佳之實施形態進行說明。但是,以下實施形態僅為例示,本發明並不受以下實施形態所限定。又,於各圖式中,存在如下情況:具有實質上相同之功能之構件按照相同之符號進行參照。
圖1係表示本發明之第1實施形態之波長轉換構件之沿長度方向之模式性剖視圖。如圖1所示,本實施形態之波長轉換構件1具備玻璃管10、注入至玻璃管10內之螢光體2、及分別密封玻璃管10之已開口之端部10a及10b之密封膜3。又,於本實施形態中,於玻璃管10之端部10a及10b之螢光體2與密封膜3之間設置有樹脂密封部4。密封膜3係以覆蓋樹脂密封部4之方式而設置,且密封膜3之端部與玻璃管10直接接觸。如圖1所示,玻璃管10係沿長度方向即y方向延伸。
圖2係沿圖1所示之II-II線之模式性剖視圖。如圖2所示,玻璃管10之沿寬度方向(x方向)之剖面具有矩形形狀。於本實施形態中,玻璃管10之沿寬度方向之內壁面及外壁面均具有矩形形狀。因此,本實施形態之玻璃管10為角形柱狀之玻璃管。玻璃管10係由在z方向上相互對向之第1主壁部11及第2主壁部12、及在x方向上相互對向之第1側壁部13及第2側壁部14所構成。
玻璃管10之尺寸並無特別限定,例如可將第1主壁部11之內壁面11a與第2主壁部12之內壁面12a之間之距離、及第1側壁部13之內壁面13a與第2側壁部14之內壁面14a之間之距離設為0.1~5.0mm左右。又,玻璃管10之壁厚例如可設為0.1~2.5mm左右。又,玻璃管10之y方向之長度可設為0.2~100mm左右。
構成玻璃管10之玻璃之種類並無特別限定。作為玻璃管10,例如可使用包含矽酸鹽系玻璃、硼酸鹽系玻璃、磷酸鹽系玻璃、硼矽酸鹽系玻璃、硼磷酸鹽系玻璃等者。該等之中,尤佳為透明性優異、能夠提昇光之取出效率之矽酸鹽系玻璃、硼矽酸鹽系玻璃。
作為螢光體2,例如可使用量子點。作為量子點,可列舉II-VI族化合物、及III-V族化合物。作為II-VI族化合物,可列舉:CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe等。作為III-V族化合物,可列舉:InP、GaN、GaAs、GaP、AlN、AlP、AlSb、InN、InAs、InSb等。可將選自該等化合物中之至少1種、或該等2種以上之複合體作為量子點而使用。作為複合體,可列舉核殼結構者,例如可列舉CdSe粒子表面被ZnS塗佈之核殼結構者。
量子點之粒徑例如可於100nm以下、50nm以下,特別是1~30nm、1~15nm,進而1.5~12nm之範圍內進行適當選擇。
量子點較佳為於分散於樹脂中之狀態下注入至玻璃管10內。作為樹脂,例如可使用紫外線硬化性樹脂及熱硬化性樹脂等。具體而言,例如可使用環氧系硬化樹脂、丙烯酸系紫外線硬化樹脂、聚矽氧系硬化樹脂等。只要為該等樹脂,則較佳,其原因在於:於注入時,為具有流動性之樹脂。
螢光體2並不限定於量子點,例如亦可使用氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、硫化物螢光體、氧硫化物螢光體、鹵化物螢光體、硫屬化物螢光體、鋁酸 鹽螢光體、鹵磷酸氯化物螢光體、石榴石系化合物螢光體等無機螢光體粒子等。
作為密封膜3,較佳為水分透過性較低之膜。具體而言,較佳為水分透過性為1×10-2(g/m2/day)以下,進而較佳為1×10-4(g/m2/day)以下。藉由使用水分透過性較低之膜作為密封膜3,於使用量子點作為玻璃管10之內部之螢光體2之情形時,能夠抑制螢光體2因水分而劣化。作為水分透過性較低之膜,例如可列舉:金屬氧化物膜、金屬氮化物膜、金屬氮氧化物膜、金屬膜、金剛石狀碳膜等。作為金屬氧化物膜、金屬氮化物膜、金屬氮氧化物膜,可列舉:氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等。作為金屬膜,例如可列舉:鋁膜、鈦膜、鉻膜等。
密封膜3之厚度較佳為0.01~10μm之範圍,進而較佳為0.1~5μm之範圍,尤佳為0.5~3μm之範圍。若密封膜3之厚度過薄,則存在無法獲得較低之水分透過性之情況,若密封膜3之厚度過厚,則存在水分透過性並不根據密封膜3之厚度按比例變低故而經濟上欠佳之情況。又,存在如下情況:密封膜3剝離,或於波長轉換構件1之小型化及輕量化方面欠佳。再者,密封膜3之厚度為平均膜厚。
於本實施形態中,於玻璃管10之端部10a及10b之螢光體2與密封膜3之間設置有樹脂密封部4。由於藉由設置樹脂密封部4能夠防止氣體自分散有螢光體2之樹脂釋出而使樹脂收縮,故而能夠使螢光體2穩定並預先封入至玻璃管10之內部。再者,為了更有效率地防止分散有螢光體2之樹脂之收縮,較佳為以對因分散有螢光體2之樹脂之收縮而形成之凹處部分進行填充之方式設置樹脂密封部4。又,由於樹脂密封部4亦作為於形成密封膜3時之基底層而發揮功能,故而藉由預先形成樹脂密封部4,能夠於其上密接性良好地形成密封膜3。再者,為了於樹脂密封部4上更有效率且密接性良好地形成密封膜3,較佳為以形 成密封膜3之面變得平滑之方式設置樹脂密封部4。
樹脂密封部4例如可由紫外線硬化性樹脂及熱硬化性樹脂等形成。作為構成樹脂密封部4之樹脂,可使用:環氧樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂等。又,亦可視需要使樹脂中含有填料。
於本實施形態中,由於係藉由密封膜3將玻璃管10之已開口之端部10a及10b進行密封,故而與先前之對玻璃管之端部進行加熱使其熔合之情形相比,能夠以簡易之構造進行密封。因此,能夠使波長轉換構件1小型化及輕量化。又,由於無需對玻璃管之端部進行加熱而使其熔合,故而能夠防止因熱而引起之螢光體2之劣化。
又,於本實施形態中,由於密封膜3之至少一部分與玻璃管10直接接觸,故而能夠確保較高之氣密性。
圖3係表示本發明之第2實施形態之波長轉換構件21之沿寬度方向之模式性剖視圖。如圖3所示,本實施形態之玻璃管10係由在z方向上相互對向之第1主壁部11及第2主壁部12、及配置於第1主壁部11與第2主壁部12之間之第1側壁部13及第2側壁部14構成。第1側壁部13及第2側壁部14具有朝x方向之外側鼓起之彎曲形狀。於本實施形態中,具有第1側壁部13之內壁面13a及外壁面13b均朝外側鼓起之彎曲形狀。同樣,具有第2側壁部14之內壁面14a及外壁面14b亦均朝外側鼓起之彎曲形狀。
圖4係表示本發明之第3實施形態之波長轉換構件31之沿寬度方向之模式性剖視圖。如圖4所示,本實施形態之玻璃管10係由在z方向上相互對向之第1主壁部11及第2主壁部12、及配置於第1主壁部11與第2主壁部12之間之第1側壁部13及第2側壁部14構成。第1側壁部13之外壁面13b及第2側壁部14之外壁面14b具有朝x方向之外側鼓起之彎曲形狀。另一方面,第1側壁部13之內壁面13a及第2側壁部14之內壁面 14a具有沿相對於第1主壁部11及第2主壁部12垂直之方向延伸之平面形狀。
本發明之玻璃管10之寬度方向之剖面形狀並不限定於上述實施形態之形狀,例如亦可為圓形形狀、楕圓形形狀等。
圖5係表示本發明之第4實施形態之波長轉換構件41之沿寬度方向之模式性剖視圖。於本實施形態中,於玻璃管10之第1主壁部11之外壁面11b上及第2主壁部12之外壁面12b上分別設置有抗反射膜42及43。於本實施形態中,第2主壁部12成為入射用以激發螢光體2之激發光5之入射部。又,第1主壁部11成為出射來自螢光體2之螢光6之出射部。因此,於本實施形態中,於入射用以激發螢光體2之激發光5之入射部、及出射來自螢光體2之螢光6之出射部分別設置有抗反射膜42及43。
藉由設置抗反射膜43,能夠抑制欲入射至螢光體2之激發光5被第2主壁部12之外壁面12b反射。因此,能夠提高螢光體2之發光效率。又,藉由設置抗反射膜42,能夠抑制欲自螢光體2出射之螢光6被第1主壁部11之外壁面11b反射。因此,能夠提高螢光6之出射效率。
於本實施形態中,於入射激發光5之入射部及出射螢光6之出射部之兩者設置有抗反射膜42及43,但並不必於兩者設置,亦可僅於一者設置。又,亦可於入射激發光5之入射部設置透過激發光5並反射螢光6之過濾膜或微細之凹凸構造體而代替抗反射膜43。又,亦可於出射螢光6之出射部設置透過螢光6並反射激發光5之過濾膜或微細之凹凸構造體而代替抗反射膜42。藉由設置該等過濾膜或微細之凹凸構造體,能夠進一步提高螢光體2之發光效率。
抗反射膜及過濾膜例如可包含多層介電膜等。多層介電膜係由高折射率膜及低折射率膜之積層體所構成之膜。
又,微細之凹凸構造體可藉由蛾眼結構而構成,該蛾眼結構係 藉由於玻璃管10之第1主壁部11之外壁面11b上或第2主壁部12之外壁面12b上設置複數個錐體形狀凸部而形成。蛾眼結構中之錐體形狀並無特別限定,可使用圓錐形狀、角錐形狀、圓錐台形狀、角錐台形狀、吊鐘形狀、橢圓錐台形狀等具有抗反射功能之錐體形狀。再者,抗反射特性可藉由對凹凸之間距及深度等進行適當調節而進行控制。凹凸之間距較佳為400nm以下,凹凸之深度較佳為800nm以下。進而,於本實施形態中,於玻璃管10之第1側壁部13之外壁面13b上及第2側壁部14之外壁面14b上分別設置有反射膜44及45。藉由設置反射膜44及45,能夠抑制螢光6自第1側壁部13及第2側壁部14向外部漏出。因此,能夠提高螢光6之出射效率。本實施形態中,於第1側壁部13之外壁面13b及第2側壁部14之外壁面14b之兩者設置有反射膜,但並不必於兩者設置,亦可僅於一者設置。可如本實施形態般,藉由於入射激發光5之入射部及出射螢光6之出射部以外之部分之至少一部分設置反射膜而提高螢光6之出射效率。
反射膜44及45例如可包含銀、鋁、鉑等之金屬膜、或多層介電膜等。
圖6係用於對製造本發明之第1實施形態之波長轉換構件1之方法進行說明之模式性剖視圖。準備如圖6所示之玻璃管母材50。玻璃管母材50具有能夠於長度方向(y方向)分割並取出複數根圖1所示之玻璃管10之長度。於本實施形態中,玻璃管母材50之一端部50a藉由使玻璃熔合而密封。玻璃管母材50之另一端部50b開口。自該已開口之端部50b注入螢光體2,將螢光體2填充至玻璃管母材50之內部。具體而言,可藉由將玻璃管母材50之內部預先設為已減壓之狀態,並將玻璃管母材50之端部50b浸漬於具有流動性之狀態之螢光體2,而將螢光體2注入至玻璃管母材50之內部。本實施形態中,係使用分散於樹脂中之量子點作為螢光體2,且於注入螢光體2時,樹脂為硬化前之狀態並 且具有流動性。於將螢光體2注入至玻璃管母材50之內部之後,藉由紫外線照射等而使螢光體2之樹脂硬化。
如以上般,能夠製作內部注入有螢光體2之玻璃管母材50。
繼而,如圖7所示,於玻璃管母材50之特定之位置A,使用刻劃器等形成劃線。特定之位置A係以鄰接之A間之距離成為第1實施形態之玻璃管10之長度(y方向之長度)之方式進行設定。於本實施形態中,於圖2所示之玻璃管10之第1主壁部11、第2主壁部12、第1側壁部13、及第2側壁部14之外壁面之各者形成劃線。但是,並不必於所有壁部之外壁面形成劃線,亦可僅於一部分壁部形成劃線。
繼而,以於已形成劃線之特定位置A使玻璃管母材50斷裂之方式將玻璃管母材50折斷。藉此,能夠針對各個第1實施形態之波長轉換構件1之單元將注入有螢光體2之玻璃管母材50分割。本實施形態中,係藉由形成劃線並將玻璃管母材50折斷而將玻璃管母材50進行分割,但本發明並不限定於此。例如亦可藉由切割等而將玻璃管母材50進行分割。然而,藉由按照本實施形態,形成劃線後將玻璃管母材50折斷,能夠獲得平滑之斷裂面。因此,為了獲得平滑之斷裂面,較佳為本實施形態之方法。又,由於無需為了切割而使用水對玻璃管母材50進行分割,故而於使用量子點作為玻璃管10之內部之螢光體2之情形時,亦能夠抑制螢光體2因水分而劣化。
圖8係表示如以上般對玻璃管母材50進行分割而獲得之波長轉換構件之單元之模式性剖視圖。如圖8所示,螢光體2之端部2a及2b係以稍微向內側凹陷之方式而形成。認為其係因如下情況而形成者:於使玻璃管母材50斷裂時,螢光體2之端部2a及2b被打開,且氣體自分散有螢光體2之樹脂釋出等,使樹脂收縮。
繼而,於螢光體2之端部2a及2b上形成圖1所示之樹脂密封部4。如上所述,由於螢光體2之端部2a及2b係以向內側凹陷之方式而形 成,故而樹脂密封部4亦發揮填埋該凹部而使表面平坦之作用。樹脂密封部4可於塗佈樹脂漿料等並乾燥之後藉由紫外線照射或加熱等使其硬化而形成。
繼而,以覆蓋樹脂密封部4之方式形成圖1所示之密封膜3。密封膜3例如可藉由蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等進行成膜而形成。又,亦可使用奈米墨水、溶膠凝膠法、金屬焊料等形成密封膜3。於對複數個玻璃管10同時形成密封膜3之情形時,可將複數個玻璃管10設為已捆束之狀態而形成密封膜3。
關於具有藉由玻璃之熔合而密封之端部50a之波長轉換構件,可藉由僅對另一端部形成樹脂密封部4及密封膜3而製造波長轉換構件。
如以上般,能夠製造圖1所示之第1實施形態之波長轉換構件1。再者,本發明之波長轉換構件並不限定於藉由上述製造方法所製造者,亦可為藉由其他方法所製造者。
圖9係表示對各光源7分別配置波長轉換構件61而成之發光裝置8之模式圖。圖10係表示對各光源7配置1個共用之波長轉換構件62而成之發光裝置9之模式圖。
如圖10所示,於對各光源7配置1個共用之波長轉換構件62之情形時,於波長轉換構件62中,存在來自光源7之激發光5無法照射到之區域。激發光5無法照射到之區域無助於發光,並且成為無用之部分。因此,於智慧型手機等設置空間受到限制之裝置中,較佳為如圖9所示般對各光源7分別配置波長轉換構件61。本發明之波長轉換構件由於為藉由密封膜密封玻璃管之端部者,故而能夠實現小型化及輕量化。又,根據本發明,藉由將注入有螢光體之玻璃管母材分割成複數根,能夠同時製造複數個波長轉換構件,且能夠實現小型化及輕量化,並且能夠製成生產性優異之波長轉換構件。
因此,根據本發明,能夠製成先前難以製造之能夠小型化及輕 量化之波長轉換構件。
再者,本發明之波長轉換構件亦可用作圖10所示之波長轉換構件62。
上述實施形態中,於螢光體2與密封膜3之間設置有樹脂密封部4,但本發明並不限定於此。亦可於螢光體2上直接形成密封膜3。

Claims (18)

  1. 一種波長轉換構件,其具備:玻璃管、注入至上述玻璃管內之螢光體、及密封上述玻璃管之至少一端部之密封膜。
  2. 如請求項1之波長轉換構件,其中上述密封膜之至少一部分與上述玻璃管直接接觸。
  3. 如請求項1或2之波長轉換構件,其中上述密封膜包含選自金屬氧化物膜、金屬氮化物膜、金屬氮氧化物膜、金屬膜、及金剛石狀碳膜中之至少1種。
  4. 如請求項3之波長轉換構件,其中上述金屬氧化物膜、上述金屬氮化物膜、上述金屬氮氧化物膜分別為氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜。
  5. 如請求項3之波長轉換構件,其中上述金屬膜為鋁膜、鈦膜、或鉻膜。
  6. 如請求項1至5中任一項之波長轉換構件,其中上述玻璃管之兩個端部由上述密封膜密封。
  7. 如請求項1至6中任一項之波長轉換構件,其中上述螢光體為量子點。
  8. 如請求項7之波長轉換構件,其中上述量子點係於分散於樹脂中之狀態下注入至上述玻璃管內。
  9. 如請求項1至8中任一項之波長轉換構件,其中於上述玻璃管之端部之上述螢光體與上述密封膜之間設置有樹脂密封部。
  10. 如請求項9之波長轉換構件,其中上述樹脂密封部由熱硬化性樹脂或紫外線硬化性樹脂形成。
  11. 如請求項1至10中任一項之波長轉換構件,其中於上述玻璃管中,於入射用以激發上述螢光體之激發光之入射部、及出射來 自上述螢光體之螢光之出射部以外之部分之至少一部分設置有反射膜。
  12. 如請求項1至11中任一項之波長轉換構件,其中於上述玻璃管中,於入射用以激發上述螢光體之激發光之入射部、及出射來自上述螢光體之螢光之出射部之至少一者設置有抗反射膜或微細之凹凸構造體。
  13. 一種發光裝置,其具備:如請求項1至12中任一項之波長轉換構件、及出射用以激發上述螢光體之激發光之光源。
  14. 如請求項13之發光裝置,其中設置有複數個上述光源,且以上述波長轉換構件分別對應於各光源之方式設置有複數個上述波長轉換構件。
  15. 一種波長轉換構件之製造方法,其係製造如請求項1至12中任一項之波長轉換構件之方法,且具備如下步驟:製作內部注入有螢光體之玻璃管;及於上述玻璃管之至少一端部,藉由蒸鍍法、濺鍍法、或CVD法形成密封膜。
  16. 一種波長轉換構件之製造方法,其係製造如請求項1至12中任一項之波長轉換構件之方法,且具備如下步驟:於玻璃管母材中注入螢光體;將上述注入有螢光體之玻璃管母材按照上述波長轉換構件之各單元進行分割,而製成各個注入有上述螢光體之上述單元之玻璃管;及於分割出之上述玻璃管之至少一端部形成密封膜。
  17. 如請求項16之波長轉換構件之製造方法,其係藉由將上述玻璃管母材折斷而將上述玻璃管母材進行分割。
  18. 如請求項17之波長轉換構件之製造方法,其係於上述玻璃管母材形成劃線,並沿著上述劃線將上述玻璃管母材折斷。
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