TW201705581A - 配合ｏｌｅｄ運作之層狀結構及製造該結構之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種適用為有機發光二極體(OLED)的支撐之層狀結構，該層狀結構包含：(i)透光玻璃基板，(ii)擴散內部提取層(IEL)，其具有含有至少30重量% Bi2O3的玻璃所製成之外層，且形成於該透光玻璃基板之一側上，(iii)抗酸阻障層，其形成於該IEL上，該抗酸阻障層具有雙層結構，其係由以下所製成：- ALD-沉積金屬氧化物層，其係與該IEL接觸，該金屬氧化物係選自由以下所組成之群組：氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)，以及- 濺鍍-沉積SiOxNy層，其係與該ALD-沉積金屬氧化物層接觸，
本發明亦關於一種用於製造如此適用為OLED基板之層狀結構的方法。
Description
本發明係關於一種適用為有機發光二極體(organic light emitting device；OLED)的光散射基板之層狀結構以及用於製造如此層狀結構的方法。
OLED為光電元件，其包含具有夾在二個電極之間的螢光或磷光染料及有機層堆疊，該等電極中至少一者為半透明。當電壓施加於電極時，自陰極射出之電子及自陽極射出之電洞在有機層內重組合，導致來自螢光/磷光層的發光。
一般已知光提取自慣用的OLED係相當差的，大部分的光經由總體內部反射而被捕陷於高折射率有機層及透明導電層(transparent conductive layer；TCL)內。總體內部反射不僅發生在高折射率TCL與下方玻璃基板(折射率約1.5)之間的邊界處，亦發生在玻璃與空氣之間的邊界處。
據估計，在不包含任何額外的光提取層之慣用的OLED中，自有機層發射之光約60%被補陷於TCL/玻璃之邊界處，另外20%部份被捕陷於玻璃/空氣之表面處，而僅約20%離開OLED進入空氣中。
已知利用在TCL與玻璃基板之間的光散射層來降低此問題。此種光散射層具有接近於TCL折射率的高折射率並含有複數個光散射元件。
亦已知藉由結構化(texturing)於玻璃與OLED的高折射率層之間的界面來增加光的輸出耦合(out-coupling)。
該等光提取構件，亦常稱為「內部提取層」(internal extraction layer；IEL)，包含在施加TCL或有機堆疊之前必須先平坦化的凹凸不平處。
本案申請人已研製出一種IEL技術，該技術涉及藉由網印(screen-printed)玻璃料(glass frit)熔化沉積之以Bi2O3為基的平坦化層(planarization layer)。該層必須在照明區域或在照明區附近具有完美的表面品質，以避免在有機堆疊之任何漏電流或電短路。
在IEL和有機層之間構成OLED模組，沉積透明陽極以透過有機層的整個表面驅動電流。陽極通常由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)單層構成，或在某些情況下，ITO層與金屬柵格(metal grid)組合(其促進顯著降低陽極的整體電阻率)。大多是在大尺寸OLED面板的情況下須使用金屬柵格，但在實務上，有時即使是相對小的
OLED面板，面板製造商也使用金屬柵格。
ITO層通常具有100~180nm之厚度並經由真空濺鍍而沉積。金屬柵格通常係Mo-Al-Mo(“MAM”)結構所製之三層結構，其亦經由真空濺鍍程序而沉積，通常具總厚度約700nm(100nm Mo/500nm Al/100nm Mo)。
ITO沉積及藉由真空濺鍍IEL平坦化層上的金屬塗覆後，進行以下兩個圖案化步驟：- 金屬層圖案化：從OLED的活性區域去除金屬的大表面，只留下柵格結構，- ITO層圖案化：在活性區域的邊緣去除ITO線，以阻止陽極和陰極接觸墊之間的電連接，其亦為設計在ITO塗覆靠近(但在外)活性區域。
ITO和金屬層的圖案化通常藉由光微影和濕蝕刻程序進行。
當金屬柵格形成於ITO層下，金屬層的圖案化理當在ITO層濺鍍之前進行。
TCO塗層的濕蝕刻可能需要非常強的酸性溶液，當TCO是氧化銦錫(ITO)時(用於該目的最常見的材料)，通常使用Fe3Cl/HCl/H2O或HNO3/HCl/H2O混合物。
金屬層可以用溫和的酸性溶液進行蝕刻；通常使用H3PO4/HNO3/CH3COOH/H2O混合物。
因其高鉍含量，內部提取層的頂層(平坦化層)之高折射率玻璃對於酸性溶液(用於ITO和金屬層的濕蝕刻)
之耐化學性非常差。因此，若該蝕刻溶液出於任何原因在圖案化程序中與內部提取層的頂表面接觸時，其將滲透至IEL並導致重要損害，例如坑口(crater)高達100μm大，這將嚴重影響最終OLED面板的可靠性(短路/高漏電流/設備故障)。
為了防止此問題，可在IEL之頂部沉積薄的阻障塗層以防止蝕刻溶液和IEL頂表面間的接觸。
在WO2013/187735，厚度為約5~50nm之濺鍍SiO2或Si3N4阻障層形成在內部提取層的頂部，即，內部提取層和導電電極層之間。
然而，由於以下原因，如此真空濺鍍阻障層並非完全令人滿意：當IEL頂層表面具有表面缺陷，諸如以垂直或負斜率固化之敞開氣泡(open air bubble)，濺鍍程序的方向性留下小區，處於突出元件之「陰影」，未覆蓋且未受保護。圖2是此問題的示意圖。當酸性蝕刻溶液接觸到如此一個小、缺乏保護的表面缺陷，較大的坑口將在下方IEL被蝕刻。
圖1是覆蓋有高鉍玻璃層的玻璃基板的照片，濺鍍SiON阻障層且接著暴於強酸諸如稀釋王水：因化學攻擊阻障層之弱點(weak-point)而產生許多凹坑。
在尚未公開之法國申請案1453584(於2014年4月22日申請)，本案申請人試圖藉由原子層沉積(ALD)形成的金屬氧化物層替換真空濺鍍阻障層來解決這個特定問
題。原子層沉積相較於濺鍍係更為有利，因其促成非常密集、緊密、持續和完美的保形表層。如在圖2中所示的，沒有「陰影」區。
用於ALD阻障塗層之典型材料係Al2O3，其沉積厚度為約10至30nm。
雖然ALD塗層具有所需之保形特性以保護IEL表面缺陷之弱點，單一Al2O3層並不總是能夠完全抵抗酸蝕刻，特別是ITO之強酸蝕刻。FR 1453584中呈現了多ALD層(Al2O3係以其它金屬氧化物諸如TiO2、ZrO2和HfO2替換之)的沉積，但此多ALD層需要很長的沉積時間。
另外，單一或多ALD層可能包含由於在ALD塗覆期間及之前附於IEL上之小塵粒所導致的針孔。在相同沉積裝置中，塗層之間沒有任何洗滌步驟所進行之多ALD塗覆步驟中，無法避免如此針孔。
本發明抗酸性濕蝕刻的之酸阻障層係ALD層及濺鍍沉積SiON層的組合，此二層的沉積步驟被洗滌步驟分開。
內部提取層的頂表面先以原子層沉積塗覆金屬氧化物層。此ALD層較佳為單一Al2O3層。接著令金屬氧化物塗覆之基板經歷洗滌步驟。在洗滌步驟中，在ALD步驟之前存在於內部提取層上的塵粒被消除且由此產生的針孔被暴露。儘管有小針孔，ALD層完美地覆蓋在IEL表面缺陷(例如由固化之敞開氣泡所造成)。事實上，由於塵
粒導致之針孔隨機分佈及具有塵粒造成在IEL表面缺陷「陰影」區之針孔的可能性極低。
接著在後續步驟藉由真空濺鍍SiON層將經洗滌之ALD層覆蓋。如此濺鍍層並非完全保形，且不覆蓋在表面缺陷的「陰影」區，但其將完全覆蓋下方ALD層的針孔。
本發明之組合之抗酸阻障層係抗酸性濕蝕刻，因此具有雙層結構：- 第一ALD-沉積金屬氧化物層完全匹配IEL下方外層的表面起伏(surface relief)和表面缺陷，但可能含有一些針孔，- 第二濺鍍沉積SiON層覆蓋下方ALD-沉積金屬氧化物層之針孔，但可能不完全匹配IEL較深的表面缺陷。
本案申請人已進一步觀察到WO2013/187735中所述高鉍IEL和SiON阻障層之間金屬氧化物層的插入導致額外意想不到的優點：申請人憑經驗沒有確認導致的機制但清楚地觀察到其大量減少額外的0.5%的光吸收，其係由濺鍍SiON至高鉍IEL。
因此本發明之一標的為一種適用為有機發光二極體(OLED)的支撐之層狀結構，該層狀結構包含：(i)透光玻璃基板，
(ii)擴散內部提取層(IEL)，其具有含有至少30重量% Bi2O3的玻璃所製成之外層，且形成於該透光玻璃基板之一側上，(iii)抗酸阻障層，其形成於該IEL上，該抗酸阻障層具有雙層結構，其係由以下所製成：- ALD-沉積金屬氧化物層，其係與該IEL接觸，該金屬氧化物係選自由以下所組成之群組：氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)，以及- 濺鍍-沉積SiOxNy層，其係與該ALD-沉積金屬氧化物層接觸。
本發明之另一標的為一種用於製造如上定義之層狀結構的方法，該方法包含以下連續步驟：(a)提供透光玻璃基板，該透光玻璃基板之一側上形成有擴散內部提取層(IEL)，該IEL之外層係由含有至少30重量% Bi2O3的玻璃所製成，(b)藉由原子層沉積(ALD)而將選自由氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)所組成之群組的金屬氧化物，較佳為Al2O3，沉積於IEL層之表面上，(c)洗滌所得ALD-塗覆基板，(d)藉由濺鍍SiOxNy層沉積於該經洗滌之ALD-塗
覆基板。
透光玻璃基板之玻璃係無機玻璃，諸如鹼玻璃、無鹼玻璃、高應變點玻璃、石英玻璃等。其折射率(於550nm)一般介於1.5至1.6間。
擴散(即，光散射)內部提取層係形成於玻璃基板上。如上所述，內部提取層形成於透光玻璃基板之一側上，該層係提供以阻止光(於OLED之發光有機層產生)經總體內部反射而損失。
內部提取層係由高折射率的玻璃材料(藉由將玻璃料糊(frit paste)附加於透光基板的一側並焙燒所得之基板而形成)所製成。內部提取層可包含散射元件，諸如選自由SiO2、TiO2和ZrO2顆粒所組成之群組的固體顆粒或孔。光散射作用亦可藉由以高折射率玻璃層平坦化之下方玻璃基板合適的表面粗糙度而提供，如本案申請人於WO2014/048927實例所描述。
本發明之內部提取層的頂層，或平坦化層，係由含有至少30重量%Bi2O3的玻璃所製成。高Bi2O3含量提供該內部提取層高折射指數(通常介於1.8至2.0之間)，但也強烈地降低了其對酸的耐化學性。
內部提取層之玻璃較佳包含至少50wt%且更佳至少60wt%之Bi2O3。
平坦化層之塗覆較佳係以網版印刷、噴霧塗覆、棒塗法、滾筒塗覆、狹縫式塗覆及可能的旋轉塗覆施用玻璃顆粒的水性或有機懸浮液。適當的高折射率玻璃料及用於塗
覆和燃燒彼之方法的記載可見於例如EP 2 178 343。
此玻璃料須經選擇以具有介於450℃和570℃之間的熔點且應得到具有1.7至2.2的折射率之琺瑯。
較佳的玻璃料具有下列組成：Bi2O3：55-75wt%
BaO：0-20wt%
ZnO：0-20wt%
Al2O3：1-7wt%
SiO2：5-15wt%
B2O3：5-20wt%
Na2O：0.1-1wt%
CeO2：0-0.1wt%
在典型的實施態樣中，將玻璃料粒子(70-80wt%)與20-30wt%之有機媒劑(乙基纖維素及有機溶劑)混合。接著將所得的玻璃料糊以網印或狹縫式塗覆施加於結構化玻璃基板上。將所得之層在120-200℃之溫度下加熱而乾燥。將有機黏結劑(乙基纖維素)在介於350~440℃之間的溫度下燒盡，且得到最終琺瑯的燃燒步驟係在450℃至570℃的溫度下進行。
當以AFM在10μm×10μm之面積上測量時，顯示所得高折射率琺瑯具有少於0.5nm之算數平均偏差Ra(ISO 4287)的表面粗糙度。
如前介紹部分之說明，平坦化層仍可能遭遇表面缺陷，諸如在熔融玻璃料冷卻過程中固化之敞開氣泡，其將
由濺鍍SiON對隨後酸蝕刻作充分保護。
載有內部提取層(具有由含有至少30重量%Bi2O3的玻璃所製成之外層)的透光基板接著形成抗酸雙層，其包含藉由原子層沉積塗覆的第一金屬氧化物層以及藉由真空濺鍍沉積的氮氧化矽第二層。
原子層沉積係用以塗覆基板之相當近期但公知的技術，有完美保形薄金屬氧化物層(參見例如Markku Leskelä et al.«Atomic layer deposition(ALD)：from precursors to thin film structures»,Thin solid film,409(2002)138-146,and Steven M.George“Atomic Layer Deposition：An Overview,Chem.Rev.2010,110,111-131)。
氣態前驅物吸附於基板上而成單層。沉積室抽真空後，製成第二氣態化合物以與吸附之第一組分發生反應。
ALD層之金屬氧化物係選自由氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)所組成之群組。該等金屬氧化物可經以下前驅物及反應中心沉積。
因其高沉積速度，較佳為Al2O3。
金屬氧化物係有利地沉積為厚度介於5至100nm(較佳介於10至50nm)之層。
原子層沉積之後，基板經歷洗滌步驟。該洗滌步驟對本發明而言是必要的：ALD塗覆之前可能已經存在於IEL層上的塵粒被消除，因此暴露在薄保形之ALD層中的針孔。
該洗滌有利地包含將基板浸於含水中性洗滌劑溶液。第一步驟係有利地進行於超聲波輻射下。接著將基板浸漬於一系列含純水之潤洗浴幾分鐘，通常在室溫下。再次地，潤洗係有利地進行於超聲波刺激下。
室溫潤洗步驟之後可有利地實施溫水潤洗步驟。
經洗滌和潤洗之基板可以在室溫下或較佳經暖過濾空氣流進行乾燥。
可替代地，可以洗滌機及刷子(代替超聲波)實施不同洗滌步驟而與塗覆基板接觸，較佳是在水平位置。
經ALD塗覆、洗滌和乾燥之基板接著經反應性真空濺鍍SiOxNy層。術語「SiOxNy層」包括二氧化矽(SiO2)層和化學計量的氮化矽(Si3N4)層以及具有中間組合物之任何層。
SiOxNy層較佳具有介於1.8至2.0，更佳介於1.9至2.0之折射率(於λ=550nm)。
其厚度較佳介於5至200nm，更佳介於10至100
nm。
四層結構包含透光玻璃基板、IEL、ALD金屬氧化物層與濺鍍SiOxNy層，接著承載透明電極層。
如本案介紹部分之說明，該透明電極層可為簡單的透明導電氧化物(TCO)層，或者其可包含與金屬柵格組合的TCO層。為了有效地減少該透明電極層的電阻率，該金屬柵格必須與TCO層接觸。
該金屬柵格可在TCO層下形成。在這種情況下，金屬層先塗覆至SiOxNy層。接著藉由光微影及使用相當溫和的酸性溶液(通常為H3PO4/HNO3/CH3COOH/H2O混合物)之濕蝕刻而圖案化，且最後塗覆TCO層。
在另一實施例中，金屬柵格不在TCO層下而是在上。在這種情況下的SiOxNy層先塗覆TCO層，接著塗覆金屬層。此六層結構(基板/IEL/ALD金屬氧化物層/TCO/金屬層)非常穩定而可出售給根據其所需設計進行TCO及金屬圖案化之OLED面板廠商。
透明導電層適用為OLED之陽極在先前技術係眾所皆知的。最常用的材料是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)。透明導電層應具有至少80%的光透射以及介於1.7至2.2的折射率。其總厚度通常介於50至200nm間。
該金屬層和金屬柵格較佳具有三層結構諸如Mo-Al-Mo或雙層結構諸如Al-Mo，高反射Al層朝向IEL。在另一實施例中，如WO2014/013183中所述，薄Al或Ag塗覆係在金屬柵格面對IEL一側加附。
1‧‧‧敞開氣泡
2‧‧‧區
3‧‧‧IEL之表面
4‧‧‧SiON層
5‧‧‧ALD層
6‧‧‧針孔
圖1是酸蝕刻覆蓋有高鉍玻璃層之玻璃基板和真空濺鍍簡單的SiON阻障後可見的表面缺陷之照片。
圖2示意性呈現沉積在平坦化層的頂表面上的真空濺鍍層。
圖3示意性呈現如圖2相同之平坦化層的頂表面上透過原子層沉積(ALD)而沉積的金屬氧化物層。
圖4示意性呈現如圖2和3相同之平坦化層的頂表面上透過ALD和真空濺鍍而沉積的本發明之抗酸雙層。
藉由示範性實施例參考附圖之詳細說明，本發明之特徵及優點將變得顯而易見，其中圖1a和b闡明本發明之技術問題。基於具有高Bi2O3含量之玻璃的內部提取層已知容易被用於透明導電氧化物和金屬柵格的濕蝕刻之強酸消化。磁控濺鍍SiON層因此被設置於此IEL作為阻障層以對隨後之電極層的TCO酸刻蝕作保護。然而，當以100nm厚濺鍍SiON阻障層保護的此富含Bi2O3之玻璃層浸於40℃下濃強酸(稀釋王水)3分鐘後，表面缺陷變得可見。
圖1a顯示該表面缺陷(倍率約50倍)。圖1b顯示個別表面缺陷(高許多之倍率1000倍)。
於最終OLED，該表面缺陷可能會導致短路和漏電
流。
圖2顯示對SiON層之滲透性一個可能的解釋。真空濺鍍是定向沉積技術，即，大部分從濺鍍源中提取的濺鍍金屬原子及/或氧化物以近90°角撞擊IEL之表面3。當由於敞開氣泡1產生表面缺陷，在完全平坦之前IEL之表面固化，其藉由濺鍍塗覆，金屬原子/氧化物無法達成每一點之表面起伏且小區2在負斜率之“陰影”下將維持未覆蓋狀態。這些未覆蓋陰影區域係SiON阻障4的弱點，其中蝕刻劑溶液直接與下方IEL接觸。
圖3顯示在敞開氣泡缺陷1上係完全保形的、非定向塗覆之阻障層5。已知如此保形塗層可以藉由原子層沉積而獲得。其覆蓋陰影區2，並且，若其未含小針孔(pinhole)6(由於塗覆前IEL表面3存在之塵粒造成)，將會是完美的阻障層。
圖4顯示藉由先將保形之ALD層5塗覆於IEL3，接著洗滌該ALD層以消除可能的塵粒並暴露可能的針孔6，最後以磁控濺鍍SiON層4塗覆該經洗滌之ALD層，而獲得本發明之組合阻障層。其中蝕刻劑溶液可以預先洩漏至下方IEL，各層之弱點因而覆蓋並透過其他層而成防漏。
以高鉍玻璃為基具有內部提取層(IEL)之200×200×0.7mm鹼石灰玻璃板係透過原子層沉積
(ALD)以30nm厚的Al2O3層塗覆。
ALD-塗覆IEL接著經歷以下標準洗滌程序：- 浸入有超聲波輻射的中性洗滌液，- 浸入室溫下有超聲波輻射的純水第一浴，- 浸入室溫下有超聲波輻射的純水第二浴，- 浸入室溫下有超聲波輻射的純水第三浴，- 浸入沒有超聲波輻射的溫水浴，以及- 於過濾熱空氣流中乾燥。
經洗滌之ALD-塗覆IEL接著經由反應式真空濺鍍(熱濺鍍)而先塗覆具有100nm厚度之SiON層再塗覆120nm厚之ITO層。
在接下來之步驟中，所得層結構經ITO圖案化，包含以下步驟：- 旋塗和烘烤1.5μm厚之光阻劑，- 光阻劑透過光微影光罩UV曝曬並顯影光阻劑，- 透過浸入含HCl之標準強酸ITO蝕刻劑而濕蝕刻，- 脫除剩餘之光阻劑
圖案化的樣品接著使用反射模式運作之內部(in-house)裝置-自動光學檢測系統(Automatic Optical Inspection System)進行表面缺陷檢視。此AOI系統測量表面上或附近每平方公分的缺陷總數(至少20μm)。由AOI系統檢測到的所有缺陷接著藉由光學顯微鏡檢視，以致區別蝕刻損害(鉍鹽存在下)(區分因污染和IEL缺陷而未導致表面上蝕刻損害的表面缺陷)。
透過浸漬於丙酮浴中(使用超聲波)洗滌載有高鉍IEL的鹼石灰玻璃板，以水潤洗(無超聲波)並乾燥。
藉由直接反應性濺鍍於洗滌之IEL並濺鍍120nm厚的ITO層而沉積100nm厚的SiON層。如上所述透過光微影和濕蝕刻使ITO圖案化。
以30nm厚之Al2O3層進行ALD塗覆高鉍IEL之後，接著透過上述標準洗滌程序，令基板直接濺鍍ITO層(120nm)。如上所述藉由光刻和濕蝕刻將ITO圖案化。
下表顯示由自動光學檢測系統檢測到的表面缺陷總數以及藉由光學顯微鏡個別確認IEL表面上之蝕刻損害(由AOI-檢測到的缺陷)。
結果顯示根據本發明之實例相較於各比較例顯著地具有較少蝕刻損傷。透過ALD和濺鍍而形成之雙層阻障對下方高鉍IEL對抗酸蝕提供了一個更有效的保護。
1‧‧‧敞開氣泡
2‧‧‧區
3‧‧‧IEL之表面
4‧‧‧SiON層
5‧‧‧ALD層
6‧‧‧針孔
Claims (14)
- 一種適用為有機發光二極體(organic light emitting device；OLED)的支撐之層狀結構，該層狀結構包含：(i)透光玻璃基板，(ii)擴散內部提取層(internal extraction layer；IEL)，其具有含有至少30重量% Bi2O3的玻璃所製成之外層，且形成於該透光玻璃基板之一側上，(iii)抗酸阻障層，其形成於該IEL上，該抗酸阻障層具有雙層結構，其係由以下所製成：- 原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)-沉積金屬氧化物層，其係與該IEL接觸，該金屬氧化物係選自由以下所組成之群組：氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)，以及- 濺鍍-沉積SiOxNy層，其係與該ALD-沉積金屬氧化物層接觸。
- 如請求項1之層狀結構，於該抗酸阻障層上進一步包含(iv)透明電極層。
- 如請求項2之層狀結構，其中該透明電極層包含透明導電氧化物(transparent conductive oxide；TCO)層。
- 如請求項3之層狀結構，其中該透明電極層進一步包含金屬層，其係與該透明導電氧化物層接觸。
- 如請求項3之層狀結構，其中該透明電極層進一步包含金屬柵格(metal grid)，其係與該透明導電氧化物層接觸。
- 如請求項1之層狀結構，其中該ALD-沉積金屬氧化物層具有介於5至100nm之厚度。
- 如請求項1之層狀結構，其中該SiOxNy層具有介於5至200nm之厚度。
- 如請求項1之層狀結構，其中該SiOxNy層具有至少1.8之折射率(於550nm)。
- 一種用於製造如請求項1至8中任一項之層狀結構的方法，該方法包含以下連續步驟：(a)提供透光玻璃基板，該透光玻璃基板之一側上形成有擴散內部提取層(IEL)，該IEL之外層係由含有至少30重量% Bi2O3的玻璃所製成，(b)藉由原子層沉積(ALD)而將選自由氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2)所組成之群組的金屬氧化物沉積一層於IEL之表面上，(c)洗滌所得ALD-塗覆基板，(d)藉由濺鍍SiOxNy層沉積於該經洗滌之ALD-塗覆基板。
- 如請求項9之方法，進一步包含額外步驟(e)將透明導電氧化物(TCO)層沉積於該SiOxNy層上。
- 如請求項10之方法，進一步包含額外步驟(f)將金屬層沉積於該透明導電氧化物層上。
- 如請求項10或11之方法，進一步包含額外步驟：將TCO層及隨意之金屬層藉由光微影及酸性濕蝕刻而圖案化。
- 如請求項9之方法，其中該洗滌步驟包含將該ALD-塗覆基板浸入洗滌劑溶液中，以水潤洗並乾燥。
- 如請求項13之方法，其中該洗滌步驟包含在浸入洗滌劑溶液及以水潤洗期間將該ALD-塗覆基板暴於超音波。
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