TW201703186A - 吸附裝置、真空處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種吸附力不會變弱的吸附裝置。 將吸附裝置(19a)之受電端子(24)配置在受電側凹部(23)內，並構成為能夠藉由蓋部(25a)來作覆蓋。在吸附基板(51~53)時，係將吸附裝置(19a)載置於供電台(18a)上，並使供電端子(64)與受電端子(24)作接觸，而對於基板(51~53)和吸附電極(22)之間的等價電容進行充電。在使吸附裝置(19a)作移動時，係一面藉由等價電容之殘留電荷來吸附基板(51~53)，一面藉由蓋部(25a)來覆蓋受電側凹部(23)，而成為不會使真空槽中之殘留氣體接觸受電端子(24)。係成為不會有受電端子(24)被腐蝕或者是被形成有薄膜的情形，等價電容之殘留電荷係成為不會被放出。

Description

吸附裝置、真空處理裝置
本發明，係有關於吸附裝置和真空處理裝置，特別是有關於具備有能夠在真空氛圍中而於吸附有基板的狀態下進行移動的吸附裝置和被載置有該吸附裝置之供電台的真空處理裝置。
當在真空氛圍中而對於基板進行處理的情況時，係進行有將基板載置於吸附裝置上並使其被吸附於吸附裝置處，且藉由對於吸附裝置之溫度作控制，來間接性地對於基板之溫度作控制的方法。
近年來，係存在有搭載電池並能夠在藉由電池之動作來將基板作了吸附的狀態下而進行移動之吸附裝置，但是，此係為高價，並且體積亦為大。
又，係周知有下述一般之吸附裝置：亦即是，係為無電池之型態，並且，被與吸附裝置之吸附電極作了連接的受電端子、和被與電源作了連接的供電裝置之供電端子，在靜止狀態下係相互接觸，吸附電極與基板之 間之等價電容係被充電，且能夠使受電端子和供電端子相互分離並進行移動，該吸附裝置，係藉由被積蓄在等價電容中之殘留電荷，而就算是在移動中也能夠吸附基板。
然而，在此種吸附裝置中，係會有真空處理中之吸附力或移動中之吸附力降低的情形，而要求對此採取對策。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-53348號公報
[專利文獻2]日本特開2009-99674號公報
[專利文獻3]WO2006-123680號公報
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種能夠並不使真空處理中或移動中之吸附力降低地而吸附基板之技術。
本案發明之發明者們，係發現到：吸附裝置之受電端子，由於係在藉由殘留於等價電容中之殘留電荷而被施加有高電壓之狀態下與真空槽中之導電氣體氛圍作接觸，因此，在移動中，殘留電荷係會被放出，於移動中吸附力係降低。故而，若是防止受電端子之對於導電性氣 體的露出，則係成為不會發生吸附力之降低。
本案發明，係為基於上述之知識所創作者，其係為一種吸附裝置，並具備有：裝置本體；和被設置於前述裝置本體處之受電側凹部；和在前述受電側凹部處而使至少一部分作了露出的受電端子；和被設置在前述裝置本體處並且被與前述受電端子作電性連接之吸附電極，若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，該吸附裝置，其特徵為：前述吸附電極，係若是將被設置在前述吸附裝置所被作載置之供電台處且被與電源裝置作了連接的供電端子插入至前述受電側凹部中，並使前述供電端子與前述受電端子之露出部分作接觸，則係被施加有前述電源裝置所輸出之吸附電壓，在前述吸附電壓被施加於前述吸附電極處之後，若是使前述受電端子與前述供電端子相分離，則殘留電荷係殘留在前述吸附電極處，在使前述受電端子與前述供電端子相分離並使前述吸附裝置作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處，並且藉由被設置在前述裝置本體處之蓋部，而將前述受電側凹部閉塞。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述吸附裝置，係構成為：當前述裝置本體乃身為水平姿勢時，前述蓋部會被開啟並使前述受電端子與前述供電端子之間的接觸成為可能，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔 去並且前述吸附裝置從水平姿勢而成為鉛直姿勢，則前述受電側凹部係被前述蓋部所閉塞。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，在前述蓋部處，係被設置有伸縮構件，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述伸縮構件變形的同時前述蓋部之至少一部分會移動並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述伸縮構件之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述蓋部，係藉由若是被推壓則會變形並且若是推壓被解除則會回復至原本之形狀的材料所形成，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述蓋部係變形並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述蓋部之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
又，本案發明，係為一種吸附裝置，並具備有：裝置本體；和被設置在前述裝置本體處之受電端子；和被設置在前述裝置本體處之整流電路；和被設置在前述裝置本體處，並經由前述整流電路而被與前述受電端子作連接之吸附電極，若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附 電極施加吸附電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，該吸附裝置，其特徵為：前述受電端子，係與前述裝置本體之外部的氛圍相互分離，若是前述吸附裝置被載置於供電台處，則被設置在前述供電台處之供電端子與前述受電端子係以非接觸的狀態而接近，前述受電端子係受電被施加於前述供電端子處之交流電壓，經由前述整流電路，前述吸附電壓係被施加於前述吸附電極處，在使前述吸附裝置從前述供電台而分離並作移動時，係藉由前述吸附電極之殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，係具備有：能夠與被設置於前述供電台處之供電側接地端子作接觸的受電側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之連接作切換的控制裝置，在被施加於前述供電端子處之交流電壓中，係重疊有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號，從前述受電端子所受電了的電壓而抽出前述控制訊號，並輸入至前述控制裝置中。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，係被設置有：能夠與被設置於前述供電台處之供電側接地端子作接觸的受電側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之連接 作切換的控制裝置、和被與前述控制裝置作連接並從被設置在前述供電台處之供電側控制端子而被輸入有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號之受電側控制端子。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由平板電極所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電端子和前述供電端子而形成電容器。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由平行平板型電極所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電側控制端子和前述供電側控制端子而形成電容器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成使前述受電端子和前述供電端子作了磁性耦合之變壓器。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成前述受電側控制端子和前述供電側控制端子作了磁性耦合之變壓器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，在前述吸附電極上，係被載置有複數之前述基板。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，在前述吸附電極上，係被載置有複數之前述基板。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，具有電傳導性之氣體狀的前述物質，係為電漿。
本案發明，係為一種吸附裝置，其中，具有電傳導性之氣體狀的前述物質，係為電漿。
又，本發明，係為一種真空處理裝置，其特徵為，係具備有：被形成有具有電傳導性之氣體狀的物質之真空槽；和被配置在前述真空槽之內部之供電台；和被設置於前述供電台處之供電端子，前述供電台，係以將吸附裝置可分離地作了配置的方式而構成，當前述吸附裝置被配置在前述供電台處時，被設置在前述吸附裝置處之受電端子，係與前述供電端子作接觸，被與前述供電端子作了連接的電源裝置所輸出之吸附電壓，係經由前述供電端子和前述受電端子，而被施加於被設置在前述吸附裝置處之吸附電極處，被配置於前述吸附裝置處之基板，係被作靜電吸附。
本案發明，係為一種具備有前述吸附裝置之真空處理裝置，其特徵為：前述吸附裝置，係具備有：裝置本體；和被設置在前述裝置本體處之受電側凹部，前述受電端子，係於前述受電側凹部處而使至少一部分作露出，吸附電極，係被設置在前述裝置本體處，並被與前述受電端子 作電性連接，構成為若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加前述吸附電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，若是將前述供電端子插入至前述受電側凹部中，並使前述供電端子與前述受電端子之露出部分作接觸，則前述電源裝置所輸出之吸附電壓係經由前述受電端子而被施加於前述吸附電極處，在前述吸附電壓被施加於前述吸附電極處之後，若是使前述受電端子與前述供電端子相分離，則殘留電荷係殘留在前述吸附電極處，在使前述受電端子與前述供電端子相分離並使前述吸附裝置作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處，並且藉由被設置在前述裝置本體處之蓋部，而將前述受電側凹部閉塞。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述吸附裝置，係構成為：當前述裝置本體乃身為水平姿勢時，前述蓋部會被開啟並使前述受電端子與前述供電端子之間的接觸成為可能，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去並且前述吸附裝置從水平姿勢而成為鉛直姿勢，則前述受電側凹部係被前述蓋部所閉塞。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，在前述蓋部處，係被設置有伸縮構件，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述伸縮構件變形的同時前述蓋部之至少一部分會移動並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與 前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述伸縮構件之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述蓋部，係藉由若是被推壓則會變形並且若是推壓被解除則會回復至原本之形狀的材料所形成，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述蓋部係變形並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述蓋部之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其特徵為，係具備有：被形成有具有電傳導性之氣體狀的物質之真空槽；和被配置在前述真空槽之內部之供電台；和被設置於前述供電台處之供電端子，前述供電台，係以將吸附裝置可分離地作了配置的方式而構成，當前述吸附裝置被配置在前述供電台處時，被設置在前述吸附裝置處之受電端子，係以非接觸而接近前述供電端子，被與前述供電端子作了連接的電源裝置所輸出之交流電壓，係經由前述供電端子而被施加於前述受電端子處，藉由被與前述受電端子作了連接的整流電路而被作了整流之整流電壓，係被施加於被設置在前述吸附裝置處之吸附電極處，被配置於前述吸附裝置處之基板，係被作靜電吸附。
本案發明，係為一種具備有前述吸附裝置之真空處理 裝置，其特徵為：前述吸附裝置，係具備有裝置本體，前述整流電路和前述受電端子以及前述吸附電極，係被設置在前述裝置本體處，構成為若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加前述整流電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，前述受電端子，係與前述裝置本體之外部的氛圍相互分離，在對於前述吸附電極施加了前述整流電壓之後，殘留電荷係殘留於前述吸附電極處，在使前述吸附裝置從前述供電台而分離並作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，在前述供電台處，係被設置有供電側接地端子，在前述裝置本體處，係被設置有能夠與前述供電側接地端子作接觸的受電側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之前述導通和前述遮斷作控制的控制裝置，在被施加於前述供電端子處之交流電壓中，係重疊有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號，從前述受電端子所受電了的電壓而抽出前述控制訊號，並輸入至前述控制裝置中。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，在前述供電台處，係被設置有供電側接地端子，在前述裝置本體處，係被設置有能夠與前述供電側接地端子作接觸的受電 側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之前述導通和前述遮斷作控制的控制裝置、和被與前述控制裝置作連接並從被設置在前述供電台處之供電側控制端子而對於前述控制裝置輸入用以對於前述導通和前述遮斷作控制的控制訊號之受電側控制端子。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由平板電極所構成，構成為若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電端子和前述供電端子而形成電容器。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由平行平板型電極所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電側控制端子和前述供電側控制端子而形成電容器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成使前述受電端子和前述供電端子作了磁性耦合之變壓器。
本案發明，係為一種真空處理裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成 前述受電側控制端子和前述供電側控制端子作了磁性耦合之變壓器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
藉由防止受電端子之變質、腐蝕、被形成薄膜，係成為不會發生吸附力的降低，又，吸附裝置之壽命係變長。
5、51~53‧‧‧基板
151、152‧‧‧真空處理裝置
16‧‧‧真空槽
18、18a~18e‧‧‧供電台
19、19a~19e‧‧‧吸附裝置
21‧‧‧裝置本體
24、31、41‧‧‧受電端子
32、42‧‧‧受電側控制端子
34‧‧‧整流電路
35‧‧‧受電側控制裝置
61‧‧‧台本體
64、65、75‧‧‧供電端子
66‧‧‧電源裝置
67、77‧‧‧供電側控制端子
[圖1](a)~(c)：用以對於本發明之真空處理裝置作說明之圖。
[圖2](a)、(b)：用以對於本發明之第1例之吸附裝置作說明的圖。
[圖3]用以對於鉛直姿勢之第1例之吸附裝置作說明的圖。
[圖4](a)、(b)：用以對於本發明之第2例之吸附裝置作說明的圖。
[圖5](a)、(b)：用以對於本發明之第3例之吸附裝置作說明的圖。
[圖6](a)、(b)：用以對於本發明之第4例之吸附裝置作說明的圖。
[圖7](a)、(b)：用以對於本發明之第5例之吸 附裝置作說明的圖。
〈實施形態〉
圖1(a)~(c)之元件符號2，係為本發明之真空裝置。
參考圖1(a)，此真空裝置2，係具有一台或複數台之真空處理裝置151、152。
真空處理裝置151、152，係具備有真空槽16，在真空槽16之內部，係被配置有供電台18、和處理部17。
首先，如同圖1(b)中所示一般，從前段之處理裝置141起來將被載置有複數枚之基板5的吸附裝置19搬入至最初之真空處理裝置151的內部，並載置於供電台18之上。
在供電台18處，係被設置有供電裝置60，在吸附裝置19處，係被設置有受電裝置20。供電裝置60，係被與電源裝置66作連接，受電裝置20，係被與設置在吸附裝置19處之一枚的吸附電極22作連接，若是電源裝置66動作並對於供電裝置60施加電壓，則係從供電裝置60而對於受電裝置20供給有電壓。藉由被供給至受電裝置20處之電壓，係從受電裝置20而對於吸附電極22供給有吸附電壓。真空槽16，係被與接地電位作連接。吸附電極22之電位，係不論是正電位或負電位均能夠進行 吸附。
在被載置於吸附裝置19處之複數之基板5的正下位置處，係構成為被配置有吸附電極22，吸附電極22，於此，係為一枚的導電性之板或膜，各基板5，係被載置在較吸附電極22之外周而更內側的場所處。於此，雖係使用有1枚的吸附電極22，但是，係亦可藉由複數之小徑電極來構成吸附電極，並構成為在各小徑電極處係被供給有相同大小之吸附電壓。
在真空處理裝置151、152之真空槽16處，係分別被連接有真空排氣裝置68，若是在使真空排氣裝置68動作並對真空槽16之內部作真空排氣而形成了真空氛圍之後，在真空槽16之內部形成電漿，則電漿係成為具有導電性之氣體狀的帶電物質，並與被載置於吸附裝置19上之基板5和真空槽16之壁面作接觸，而將基板5電性連接於真空槽16。
各真空槽16，係被與接地電位作連接，基板5，係被與接地電位作連接。
在基板5和吸附電極22之間，係被形成有等價電容，在使基板5經由電漿來與接地電位作了連接的狀態下，若是對於吸附電極22供給有吸附電壓，則等價電容係被充電，基板5和吸附電極22係相互帶電逆極性之電壓，並於兩者之間產生靜電力，基板5係被靜電吸附於吸附電極22處。
在此狀態下，若是使處理部17動作，則基板 5係被進行真空處理。
於此，處理部17，係為噴淋板，從處理部17而導入蝕刻氣體，在真空槽16之內部，係被形成有蝕刻氣體電漿，被吸附於吸附裝置19處之基板5，係成為使形成在基板5之表面上的薄膜被作蝕刻。
在此真空處理時，藉由吸附，基板5和吸附裝置19係相互密著，熱傳導率係變高。故而，藉由在供電台18處設置加熱裝置或冷卻裝置，並藉由該些之加熱裝置或冷卻裝置來對吸附裝置19作加熱或冷卻，係能夠將基板5加熱或冷卻。
在真空處理之期間中，於吸附電極22處，係被供給有吸附電壓，若是真空處理結束，則從供電裝置60所對於受電裝置20之電壓供給係結束，對於吸附電極22之電壓供給係結束。
在該狀態下，藉由搬送裝置等，最初之真空處理裝置151內的吸附裝置19，係被從供電台18而分離，並被移動至下一個的真空處理裝置152之真空槽16的內部，如同圖1(c)中所示一般，新的吸附裝置19係被載置於最初之真空處理裝置151的供電台18處。圖中，元件符號11，係為將真空處理裝置151、152之間和處理裝置141、142之間作連接並在成為了開狀態時使吸附裝置19通過的真空閥。
在移動中之吸附裝置19的受電裝置20處，係並未從供電裝置60而被供給有電壓，但是，就算是對 於吸附電極22之電壓供給結束，在吸附電極22和基板5處係仍殘存有相反極性之殘留電荷，藉由殘留電荷之吸附力，基板5係維持於被吸附在吸附裝置19處之狀態。
針對吸附裝置19和供電台18之具體性的例子作說明。
圖2、圖4~圖7之元件符號19a~19e，係代表具體性之第1例~第5例的吸附裝置，元件符號18a~18e，係代表與第1例~第5例的吸附裝置19a~19e相對應之具體性之第1例~第5例的供電台。
在第1例~第5例之吸附裝置19a~19e中，吸附電極22，係被配置在將絕緣物形成為板狀所成的裝置本體21之內部，吸附電極22之表面，係構成為並未露出於裝置本體21之外部。
在裝置本體21之表面上，係被載置有複數之基板51~53。在各基板51~53之正下方位置處，係構成為配置有吸附電極22。
〈第1例~第3例〉
第1例~第3例之吸附裝置19a~19c的受電裝置20a~20c，係分別具備有：被設置在裝置本體21之裡面側的受電側凹部23、和被配置在受電側凹部23之內部的底面處之受電端子24、以及將受電側凹部23作覆蓋的蓋部25a、25b、25c、25d。受電端子24，係使至少一部分在受電側凹部23內而露出，於此，受電端子24，係藉由金屬 等之具有電性導電性之構件來構成，膜表面係露出於受電側凹部23處。
第1例~第3例之供電台18a~18c，係具備有將絕緣物形成為台狀所成之台本體61，第1例~第3例之供電台18a~18c的供電裝置60a~60c，係具備有供電端子64。
於此，第1例~第3例之供電裝置60a~60c，係具備有被形成於台本體61之表面上的供電側凹部63，供電端子64，係在供電側凹部63之底面處，經由彈簧等之供電側伸縮構件62而被作安裝。
第1例~第3例之供電台18a~18c的供電端子64之上端，係位置在較台本體61之表面而更上方處，供電端子64之上端的從台本體61之表面起之高度，係被設為較受電端子24之下端和裝置本體21之底面之間的距離而更長。於此，受電端子24係為膜，膜表面係成為下端。
在第1例和第2例之吸附裝置19a、19b處，蓋部25a、25b，係被設置在可旋轉地而被安裝於裝置本體21之底面處的旋轉裝置27處。
蓋部25a、25b，係使蓋部25a、25b之邊緣的部份被安裝於旋轉裝置27處，蓋部25a、25b係構成為會與旋轉裝置27一同旋轉。
在第1例之吸附裝置19a中，當裝置本體21為水平姿勢時，蓋部25a係藉由自身重量而使被安裝於旋 轉裝置27處之部分位置在上方並使其之相反側的部份位置在下方，故而，蓋部25a，係成為不會將受電側凹部23之開口關閉，當裝置本體21為水平姿勢時，蓋部25a係成為鉛直姿勢，受電側凹部23之蓋係成為開啟。
另一方面，第1例之吸附裝置19a，當如同圖3中所示一般，以使受電側凹部23之被設置有旋轉裝置27之側成為上方並使相反側成為下方的方式而被作了鉛直配置的情況時，蓋部25a係成為鉛直，又，受電側凹部23之開口亦成為鉛直，因此，受電側凹部23，係成為藉由蓋部25a而被作了覆蓋的狀態。
在第2例之吸附裝置19b中，蓋部25b，係藉由受電側伸縮構件28而被安裝於裝置本體21處，在蓋部25b並未被作推壓的狀態下，第2例之吸附裝置19b的受電側凹部23，係成為藉由蓋部25b而被作覆蓋。
在第3例之吸附裝置19c中，具有柔軟性之2枚的蓋部25c、25d，係以使側面相互接觸並覆蓋受電側凹部23的方式而被作設置，2枚的蓋部25c、25d之接觸部分，係構成為會位置於受電側凹部23之中央附近處。
在第2例、第3例之吸附裝置19b、19c中，受電側凹部23係藉由蓋部25b、25c、25d而被作覆蓋，當第2例、第3例之吸附裝置19b、19c在真空槽16之內部移動時，真空槽16之內部的殘留氣體，係並不會進入至第2例、第3例之吸附裝置19b、19c的受電側凹部23之內部，相對於此，在第1例之吸附裝置19a中，當成為 鉛直姿勢時，由於受電側凹部23係被覆蓋，因此，第1例之吸附裝置19a，若是以鉛直姿勢來作移動，則係能夠成為不會使移動之真空槽16內的殘留氣體進入至受電側凹部23之內部。
針對將第1例~第3例之吸附裝置19a~19c從被分離配置於第1例~第3例之供電台18a~18c之上方處的狀態起來載置於第1例~第3例之供電台18a~18c上的工程作說明。
將第1例~第3例之吸附裝置19a~19c設為水平姿勢，並藉由移動裝置(未圖示)，來分別配置於第1例~第3例之供電台18a~18c之上方。
藉由移動裝置，來使第1例~第3例之吸附裝置19a~19c一面維持水平姿勢一面下降。
藉由下降，在第1例之吸附裝置19a中，鉛直姿勢之蓋部25a，係被插入至供電側凹部63之中。
相較於從鉛直姿勢之蓋部25a的下端起直到裝置本體21之底面為止的高度，供電側凹部63之深度係被設為更長，故而，蓋部25a之下端係並不會與供電側凹部63之底面接觸，而受電端子24之下端和供電端子64之上端係會相互接觸。
在第2例之吸附裝置19b中，供電端子64之上端係與蓋部25b之底面作接觸，若是更進而使第2例之吸附裝置19b下降，則供電端子64係從下方而推壓蓋部25b，受電側伸縮構件28係被作壓縮變形，蓋部25b係被 朝向上方而上推，供電端子64係從受電端子24之正下方位置起而被移動，位置在受電側凹部23之內部的受電端子24，係露出於受電側凹部23之外部氛圍中。
另一方面，在第3例之吸附裝置19c中，供電端子64，係被配置在當第3例之吸附裝置19c作了下降時供電端子64之上端能夠與2枚的蓋部25c、25d之作了接觸的部份作抵接之位置處。
2枚的蓋部25c、25d，係藉由若是被推壓則會變形的材料所形成，在供電端子64之上端與2枚的蓋部25c、25d之彼此相互接觸的部份作了抵接之後，若是更進而使第3例之吸附裝置19c下降，則2枚的蓋部25c、25d之接觸部分係被從下方而推壓並被朝向上方而上推，蓋部25c、25d之形狀係彎曲變形，位置在受電端子24之正下方位置處的蓋部25c、25d之部分係被移動，位置在受電側凹部23之內部的受電端子24，係露出於受電側凹部23之外部氛圍中。
若是從該狀態起而第2例和第3例之吸附裝置19b、19c更進一步下降，則供電端子64之上端係在受電側凹部23內移動並接近受電端子24，供電端子64之上端係與受電端子24之下端作接觸。
當第1例~第3例之吸附裝置19a~19c的受電端子24之下端與第1例~第3例之供電台18a~18c的供電端子64之上端作了接觸時，裝置本體21之底面與台本體61之表面係並未作接觸，若是更進而使第1例~第 3例之吸附裝置19a~19c下降，則供電側伸縮構件62係被壓縮，在供電側伸縮構件62變短的同時，第1例~第3例之吸附裝置19a~19c，係接近第1例~第3例之供電台18a~18c，若是裝置本體21之底面與台本體61之表面相接觸，則第1例~第3例之吸附裝置19a~19c，係成為被載置在第1例~第3例之供電台18a~18c上。
受電端子24，係被與吸附電極22作電性連接，供電端子64，係被與配置在真空槽16之外部的電源裝置66作電性連接。
在第1例~第3例之供電台18a~18c中，於電源裝置66處，係使用有可變直流電壓源，若是電源裝置66啟動並輸出直流之吸附電壓，則係經由供電端子64和受電端子24而對於吸附電極22施加吸附電壓。
之後，如同上述一般，若是在被配置有第1例~第3例之供電台18a~18c之真空槽16的內部，而從處理部17被導入有蝕刻氣體，並產生蝕刻氣體之電漿，則該電漿係成為具有電傳導性之氣體狀的物質，並與第1例~第3例之吸附裝置19a~19c上的基板51~53以及真空槽16之壁面作接觸，基板51~53係被與接地電位作連接，等價電容係被充電，基板51~53，係被吸附在第1例~第3例之吸附裝置19a~19c的吸附電極22處。
若是各基板51~53之表面的薄膜被蝕刻，則蝕刻氣體之導入係被停止，電漿係消滅。
使電源裝置66之動作停止，接著，將吸附電 極22與和真空槽16相同之接地電位作連接，並使被積蓄在等價電容中之電荷放電，之後，藉由移動裝置，來使第1例~第3例之吸附裝置19a~19c從第1例~第3例之供電台18a~18c分離，而使受電端子24與供電端子64相分離。
第1例之吸附裝置19a，在供電端子64被從受電側凹部23而拔去之後，係為了藉由蓋部25a來覆蓋受電側凹部23，而從水平姿勢來成為鉛直姿勢。
在第2例之吸附裝置19b中，若是供電端子64被從受電側凹部23而拔去，則被作了壓縮的受電側伸縮構件28係回復原本的形狀，第2例之吸附裝置19b的受電側凹部23，係成為藉由蓋部25b而被作覆蓋。
又，在第3例之吸附裝置19b中，若是供電端子64被從受電側凹部23而拔去，則作了變形之2枚的蓋部25c、25d係回復原本的形狀，第3例之吸附裝置19c的受電側凹部23，係成為藉由2枚的蓋部25c、25d而被作覆蓋。
在第1例~第3例之吸附裝置19a~19c的吸附電極22處，係連接有接地電位，在從供電端子64而作了分離之後，亦仍殘存有電荷，身為吸附電極22之電位和接地電位之間之差的電壓係身為大的狀態。
在此狀態下，若是使受電端子24與具有反應性之氣體作接觸，則會發生受電端子24之變質或腐蝕或者是被形成薄膜。
在第1例~第3例之吸附裝置19a~19c中，由於受電側凹部23係成為藉由蓋部25a~25d而被作了覆蓋的狀態，因此，當被從第1例~第3例之供電台18a~18c而分離並在被作了覆蓋之狀態下而被搬入至其他的真空槽16中時，所搬入的真空槽16之內部的殘留氣體由於係並無法侵入至受電側凹部23之內部，故而在受電端子24處係難以發生變質、腐蝕、薄膜之形成等的問題。
在第1例~第3例之供電台18a~18c中，由於電源裝置66之輸出電壓係被設為接地電位，供電端子64係被與接地電位作連接，因此，就算是與殘留氣體作接觸，也難以發生變質、腐蝕、薄膜形成等之問題。
〈第4例、第5例〉
接著，參考圖6(a)、(b)和圖7(a)、(b)，來針對第4例、第5例之吸附裝置19d、19e作說明。
首先，針對第4例、第5例之吸附裝置19d、19e之共通的構成和第4例、第5例之供電台18d、18e之共通的構成作說明。
第4例、第5例之吸附裝置19d、19e的受電裝置20d、20e，係除了吸附電極22以外，亦具備有切換裝置36、和整流電路34、和受電側控制裝置35、和受電側接地端子33、和受電側控制端子32、42、以及受電端子31、41。
受電端子31、41和受電側控制端子32、42， 係被配置在裝置本體21之內部的底面近旁處，並構成為不會與裝置本體21之外部的氛圍相接觸。
受電側接地端子33，係被設置在裝置本體21之底面，於此，係在具備有受電側接地端子33之厚度以上的深度之接地用凹部38的內部而被作露出配置。
受電端子31、41，係被與整流電路34作連接，整流電路34和受電側接地端子33，係經由切換裝置36而被與吸附電極22作連接。
亦可構成為將受電端子31、41經由切換裝置36來與整流電路34作連接，並使整流電路34與吸附電極22作連接。
切換裝置36，係藉由受電側控制裝置35而被作控制，並藉由受電側控制裝置35所對於切換裝置36輸出之訊號，來以將吸附電極22與受電側接地端子33和受電端子31之其中一者作連接或者是將吸附電極22從受電側接地端子33和整流電路34之雙方而作遮斷的方式來動作。吸附電極22，係經由整流電路34而被與受電端子31作連接。
於搬送中，吸附電極22係被從雙方而遮斷，並被置於浮動電位。
第4例、第5例之供電台18d、18e的供電裝置60d、60e，係分別具備有供電端子65、75、和供電側控制端子67、77、以及供電側接地端子84。
供電端子65、75，係被與身為交流電壓源之 電源裝置66作連接，供電側控制端子67、77，係被與供電側控制裝置69作連接，供電側接地端子84，係被與接地電位作連接。
若是針對第4例之吸附裝置19d、供電台18d與第5例之吸附裝置19e、供電台18e之間的相異之構成作說明，則第4例之吸附裝置19d的受電端子31與受電側控制端子32和第4例之供電台18d的供電端子65與供電側控制端子67，係分別藉由平板狀之電極所構成，相對於此，第5例吸附裝置19e的受電端子41與受電側控制端子42和第5例之供電台18e的供電端子75與供電側控制端子77，係分別藉由線圈所構成。
若是將第4例、第5例之吸附裝置19d、19e分別乘載於第4例、第5例之供電台18d、18e上，則第4例之吸附裝置19d的受電端子31與第4例之供電台18d的供電端子65，係相互平行地被作近接配置，並形成以受電端子31和供電端子65作為電極的電力側電容，第5例之吸附裝置19e的受電端子41與第5例之供電台18e的供電端子75，係相互被作近接配置，並形成使受電端子41和供電端子75作了磁性耦合的變壓器。
又，若是將第4例、第5例之吸附裝置19d、19e分別乘載於第4例、第5例之供電台18d、18e上，則供電側控制端子67、77與受電側控制端子32、42係相互近接，在第4例之供電台18d和吸附裝置19d處，係藉由供電側控制端子67和受電側控制端子32而形成控制用電 容，在第5例之供電台18e和吸附裝置19e處，係形成使供電側控制端子77和受電側控制端子42作磁性耦合的變壓器。
供電側控制端子67、77，係被與供電側控制裝置69作連接，若是從供電側控制裝置69而將包含有控制訊號之電壓施加於供電側控制端子67、77處，並藉由該電壓而使在供電側控制端子67、77處所流動的電流改變，則在受電側控制端子32、42處，係被激勵有包含控制訊號之電壓，控制訊號係被輸入至受電側控制裝置35處。
受電側控制裝置35，係因應於被輸入了的控制訊號之內容而對於切換裝置36之連接作切換。於此，係使2個的開關37a、37b之其中一方導通，並將另外一方遮斷。
當被載置有基板51~53之吸附裝置19d、19e被乘載於供電台18d、18e上時，若是供電側控制裝置69將使吸附電極22與整流電路34作連接的內容之訊號經由供電側控制端子67、77和受電側控制端子32、42而傳導至受電側控制裝置35處，則受電側控制裝置35，係將吸附電極22與整流電路34作連接。在此狀態下，吸附電極22，係被從受電側接地端子33而切離。
若是在真空槽16之內部而產生有電漿，並藉由電漿而使基板51~53被與接地電位作連接，電源裝置66動作，並輸出交流電壓，則在第4例之供電台18d和 吸附裝置19d處，各基板51~53和吸附電極22之間的等價電容、和電力側電容，係相對於電源裝置66而被作串聯連接，若是電源裝置66輸出交流電壓，則藉由整流電路34而被作了整流的電壓，係被施加於吸附電極22處，等價電容係被充電為正電壓或負電壓之其中一方的極性之電壓。
另一方面，在第5例之供電台18e和吸附裝置19e處，若是電源裝置66輸出交流電壓，並在供電端子75處流動交流電流，則藉由磁性耦合，在受電端子41處係被激勵有交流電壓，該交流電壓係被施加於整流電路34處。
供電側接地端子84係被與接地電位作連接，在使第4例、第5例之吸附裝置19d、19e分別被乘載於第4例、第5例之供電台18d、18e上的狀態下，受電側接地端子33和供電側接地端子84係作接觸，受電側接地端子33係被與接地電位作連接，第5例之身為受電端子41的線圈之其中一端，係被與受電側接地端子33作連接，並經由供電側接地端子84而被與接地電位作連接，另外一端，係被與整流電路34作連接，於受電端子41處所被激勵了的交流電壓，係被施加於整流電路34處，如此一來，藉由整流電路34而作了整流的電流，係流動至等價電容處，等價電容係被充電為正電壓或負電壓之其中一方的極性之電壓。線圈之中點，係亦可被與受電側接地端子33作連接。
故而，在第4例、第5例之吸附裝置19d、19e中，各基板51~53係被吸附於吸附電極22處。
若是藉由被形成於真空槽16之內部的電漿而使各基板51~53被作真空處理，則真空處理係結束。
在被搬送至下一個處理的情況時，若是使電漿消滅，並且亦使電源裝置66、供電側控制裝置69之輸出停止，則吸附電極22係成為浮動電位，在等價電容中係殘留有電荷，基板51~53被吸附在吸附電極22處的狀態係被維持。
當並不存在有下一個處理而亦可從吸附電極22來中止基板51~53之吸附的情況時，係從供電側控制裝置69而輸出包含有將吸附電極22與受電側接地端子33作連接之內容的控制訊號之電壓，並經由供電側控制端子67、77和受電側控制端子32、42而傳導至受電側控制裝置35處，切換裝置36，係將吸附電極22從整流電路34而切離並與受電側接地端子33作連接，並在其與經由有電漿的接地電位之間而使等價電容放電，而能夠將吸附中止，並使電漿消滅，且亦使電源裝置66和供電側控制裝置69之輸出停止，再藉由移動裝置，來使第4例、第5例之吸附裝置19d、19e從第4例、第5例之供電台18d、18e分離並移動。
也就是說，在搬送中，為了朝向下一個製程而在將吸附狀態作了維持的狀態下來將吸附裝置19d、19e整個作搬送，2個的開關37a、37b係被作遮斷。
又，在搬出至大氣中的情況時，係使接地側之開關37a導通，並將受電側之開關37b遮斷，而在將吸附電極22與接地電位作了連接的狀態下來曝露於電漿中，之後搬出至大氣中。
就算是將第4例、第5例之吸附裝置19d、19e之吸附電極22與接地電位作連接，並使其從第4例、第5例之供電台18d、18e而分離，在等價電容中亦係殘留有電荷，基板51~53被吸附在吸附電極22處的狀態係被維持。
受電端子31、41之表面，係被絕緣性之材料所覆蓋，在受電端子31、41與供電端子65、75之間，係至少被配置有將受電端子31、41之表面作覆蓋的絕緣性之材料。於此，將受電端子31、41之表面作覆蓋的絕緣性之材料，係為構成裝置本體21之材料。
受電端子31、41，係藉由殘留電荷而成為高電壓，但是，受電端子31、41，由於係構成為並不會與裝置本體21之外部氛圍相接觸，因此，受電端子31、41係不會發生變質、腐蝕，也不會有被形成薄膜的情形。
受電端子31、41和受電側控制端子32、42和供電端子65、75以及供電側控制端子67、77，由於係被配置在裝置本體21內或者是台本體61內，而並未露出於真空槽16之內部氛圍中，因此係不會發生變質、腐蝕、被形成薄膜等之問題。亦可將各端子31、32、41、42、65、67、75、77之表面藉由薄膜來作被覆而成為不 會露出於真空槽16之內部氛圍中。
由於供電側接地端子84係被與接地電位作連接，受電側接地端子33係被置於接地電位或浮動電位，因此，供電側接地端子84和受電側接地端子33也難以發生變質、腐蝕、薄膜形成等之問題。
(其他例)
另外，在上述各例中，雖係為使用有蝕刻氣體之電漿之例，但是，除此之外，就算是在處理部17乃身為濺鍍靶材，於真空槽16之內部係從濺鍍氣體導入裝置而被導入有濺鍍氣體，在真空槽16之內部被形成有濺鍍氣體之電漿的成膜裝置，亦由於係藉由濺鍍氣體之電漿來使基板51~53被與接地電位作連接並使其被吸附在第1例~第3例之吸附裝置19a~19c的吸附電極22處，因此係被包含於本發明之真空處理裝置中。
於此情況，若是藉由所形成了的濺鍍氣體來使濺鍍靶材被作濺鍍，則在被吸附於第1例~第3例之吸附裝置19a~19c處的各基板51~53之表面上，係被形成薄膜。
又，從處理部17而導入CVD之原料氣體而形成原料氣體之電漿並在基板51~53之表面上形成薄膜的電漿CVD裝置，亦係被包含在本發明之真空處理裝置中。
進而，係並不被限定於電漿，由於只要是具 有電傳導性之氣體狀的物質，便能夠將被載置於吸附裝置19a~19e上之基板51~53與真空槽16之壁面作電性連接，而能夠對等價電容進行充電，因此係能夠使用在本發明中。
成為具有電傳導性之氣體狀的物質之氣體，係亦可從處理部17以外之裝置而作導入。
上述吸附電極22，雖然係被配置在裝置本體21之內部，但是，係亦可配置在裝置本體21之表面上，並將吸附電極22以保護膜來作覆蓋，而與將吸附電極22配置在裝置本體21之內部時同樣的，構成為並不與基板51~53作接觸並且被從真空槽16之氛圍而分離。
在上述例中，雖係將供電側控制端子67、77所輸出的控制訊號藉由受電側控制端子32、42來作了受訊，但是，係亦能夠使控制訊號重疊於供電端子64、65、75所輸出的電壓中，並藉由抽出電路來從被供給至受電端子24、31、41處的電壓而抽出控制訊號，再輸入至受電側控制裝置35處。
51~53‧‧‧基板
18a‧‧‧供電台
19a‧‧‧吸附裝置
20a‧‧‧受電裝置
21‧‧‧裝置本體
22‧‧‧吸附電極
23‧‧‧受電側凹部
24‧‧‧受電端子
25a‧‧‧蓋部
27‧‧‧旋轉裝置
60a‧‧‧供電裝置
61‧‧‧台本體
62‧‧‧伸縮構件
63‧‧‧供電側凹部
64‧‧‧供電端子
66‧‧‧電源裝置

Claims (28)

  1. 一種吸附裝置，係具備有：裝置本體；和被設置於前述裝置本體處之受電側凹部；和在前述受電側凹部處而使至少一部分作了露出的受電端子；和被設置在前述裝置本體處並且被與前述受電端子作電性連接之吸附電極，若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，該吸附裝置，其特徵為：前述吸附電極，係若是將被設置在前述吸附裝置所被作載置之供電台處且被與電源裝置作了連接的供電端子插入至前述受電側凹部中，並使前述供電端子與前述受電端子之露出部分作接觸，則係被施加有前述電源裝置所輸出之吸附電壓，在前述吸附電壓被施加於前述吸附電極處之後，若是使前述受電端子與前述供電端子相分離，則殘留電荷係殘留在前述吸附電極處，在使前述受電端子與前述供電端子相分離並使前述吸附裝置作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處，並且藉由被設置在前述裝置本體處之蓋部，而將前述受電側凹部閉塞。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，前述吸附裝置，係構成為：當前述裝置本體乃身為水平姿勢時，前述蓋部會被開啟並使前述受電端子與前述供電端子之間的接觸成為可能，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去並且前述吸附裝置從水平姿勢而成為鉛直姿勢，則前述受電側凹部係被前述蓋部所閉塞。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，在前述蓋部處，係被設置有伸縮構件，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述伸縮構件變形的同時前述蓋部之至少一部分會移動並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述伸縮構件之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，前述蓋部，係藉由若是被推壓則會變形並且若是推壓被解除則會回復至原本之形狀的材料所形成，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述蓋部係變形並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸， 若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述蓋部之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
  5. 一種吸附裝置，係具備有：裝置本體；和被設置在前述裝置本體處之受電端子；和被設置在前述裝置本體處之整流電路；和被設置在前述裝置本體處，並經由前述整流電路而被與前述受電端子作連接之吸附電極，若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加吸附電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，該吸附裝置，其特徵為：前述受電端子，係與前述裝置本體之外部的氛圍相互分離，若是前述吸附裝置被載置於供電台處，則被設置在前述供電台處之供電端子與前述受電端子係以非接觸的狀態而接近，前述受電端子係受電被施加於前述供電端子處之交流電壓，經由前述整流電路，前述吸附電壓係被施加於前述吸附電極處，在使前述吸附裝置從前述供電台而分離並作移動時，係藉由前述吸附電極之殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，係具備有： 能夠與被設置於前述供電台處之供電側接地端子作接觸的受電側接地端子；和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置；和對於前述切換裝置之連接作切換的控制裝置，在被施加於前述供電端子處之交流電壓中，係重疊有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號，從前述受電端子所受電了的電壓而抽出前述控制訊號，並輸入至前述控制裝置中。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，係被設置有：能夠與被設置於前述供電台處之供電側接地端子作接觸的受電側接地端子；和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置；和對於前述切換裝置之連接作切換的控制裝置；和被與前述控制裝置作連接並從被設置在前述供電台處之供電側控制端子而被輸入有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號之受電側控制端子。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由平板電極所構成， 若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電端子和前述供電端子而形成電容器。
  9. 如申請專利範圍第7項所記載之吸附裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由平行平板型電極所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電側控制端子和前述供電側控制端子而形成電容器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
  10. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成前述受電端子和前述供電端子作了磁性耦合之變壓器。
  11. 如申請專利範圍第7項所記載之吸附裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成前述受電側控制端子和前述供電側控制端子作了磁性耦合之變壓器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳 導至前述受電側控制端子處。
  12. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，在前述吸附電極上，係被載置有複數之前述基板。
  13. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，在前述吸附電極上，係被載置有複數之前述基板。
  14. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，具有電傳導性之氣體狀的前述物質，係為電漿。
  15. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，具有電傳導性之氣體狀的前述物質，係為電漿。
  16. 一種真空處理裝置，其特徵為，係具備有：被形成有具有電傳導性之氣體狀的物質之真空槽；和被配置在前述真空槽之內部之供電台；和被設置於前述供電台處之供電端子，前述供電台，係以將吸附裝置可分離地作了配置的方式而構成，當前述吸附裝置被配置在前述供電台處時，被設置在前述吸附裝置處之受電端子，係與前述供電端子作接觸，被與前述供電端子作了連接的電源裝置所輸出之吸附電壓，係經由前述供電端子和前述受電端子，而被施加於被設置在前述吸附裝置處之吸附電極處，被配置於前述吸附裝置處之基板，係被作靜電吸附。
  17. 一種真空處理裝置，係為具備有前述吸附裝置之如申請專利範圍第16項所記載之真空處理裝置，其特徵為： 前述吸附裝置，係具備有：裝置本體；和被設置在前述裝置本體處之受電側凹部，前述受電端子，係於前述受電側凹部處而使至少一部分作露出，吸附電極，係被設置在前述裝置本體處，並被與前述受電端子作電性連接，構成為若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加前述吸附電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，若是將前述供電端子插入至前述受電側凹部中，並使前述供電端子與前述受電端子之露出部分作接觸，則前述電源裝置所輸出之吸附電壓係經由前述受電端子而被施加於前述吸附電極處，在前述吸附電壓被施加於前述吸附電極處之後，若是使前述受電端子與前述供電端子相分離，則殘留電荷係殘留在前述吸附電極處，在使前述受電端子與前述供電端子相分離並使前述吸附裝置作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處，並且藉由被設置在前述裝置本體處之蓋部，而將前述受電側凹部閉塞。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之真空處理裝置，其中，前述吸附裝置，係構成為： 當前述裝置本體乃身為水平姿勢時，前述蓋部會被開啟並使前述受電端子與前述供電端子之間的接觸成為可能，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去並且前述吸附裝置從水平姿勢而成為鉛直姿勢，則前述受電側凹部係被前述蓋部所閉塞。
  19. 如申請專利範圍第17項所記載之真空處理裝置，其中，在前述蓋部處，係被設置有伸縮構件，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述伸縮構件變形的同時前述蓋部之至少一部分會移動並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸，若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述伸縮構件之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
  20. 如申請專利範圍第17項所記載之真空處理裝置，其中，前述蓋部，係藉由若是被推壓則會變形並且若是推壓被解除則會回復至原本之形狀的材料所形成，當前述供電端子被插入至前述受電側凹部中時，前述蓋部係被前述供電端子所推壓，前述蓋部係變形並成為前述受電側凹部被作了開啟的狀態，前述受電端子與前述供電端子係相接觸， 若是前述供電端子被從前述受電側凹部而拔去，則前述蓋部之變形係回復原狀，藉由前述蓋部，前述受電側凹部係被覆蓋。
  21. 一種真空處理裝置，其特徵為，係具備有：被形成有具有電傳導性之氣體狀的物質之真空槽；和被配置在前述真空槽之內部之供電台；和被設置於前述供電台處之供電端子，前述供電台，係以將吸附裝置可分離地作了配置的方式而構成，當前述吸附裝置被配置在前述供電台處時，被設置在前述吸附裝置處之受電端子，係以非接觸而接近前述供電端子，被與前述供電端子作了連接的電源裝置所輸出之交流電壓，係經由前述供電端子而被施加於前述受電端子處，藉由被與前述受電端子作了連接的整流電路而被作了整流之整流電壓，係被施加於被設置在前述吸附裝置處之吸附電極處，被配置於前述吸附裝置處之基板，係被作靜電吸附。
  22. 一種真空處理裝置，係為具備有前述吸附裝置之如申請專利範圍第21項所記載之真空處理裝置，其特徵為：前述吸附裝置，係具備有裝置本體，前述整流電路和前述受電端子以及前述吸附電極，係被設置在前述裝置本體處，構成為若是使具有電傳導性之氣體狀的物質與被載置 於前述裝置本體之表面上的基板作接觸，並且對於前述吸附電極施加前述整流電壓，則前述基板會被吸附於前述吸附電極處，前述受電端子，係與前述裝置本體之外部的氛圍相互分離，在對於前述吸附電極施加了前述整流電壓之後，殘留電荷係殘留於前述吸附電極處，在使前述吸附裝置從前述供電台而分離並作移動時，係藉由前述吸附電極之前述殘留電荷而使前述基板被吸附於前述吸附電極處。
  23. 如申請專利範圍第22項所記載之真空處理裝置，其中，在前述供電台處，係被設置有供電側接地端子，在前述裝置本體處，係被設置有能夠與前述供電側接地端子作接觸的受電側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之前述導通和前述遮斷作控制的控制裝置，在被施加於前述供電端子處之交流電壓中，係重疊有對於前述切換裝置之導通和遮斷作控制的控制訊號，從前述受電端子所受電了的電壓而抽出前述控制訊號，並輸入至前述控制裝置中。
  24. 如申請專利範圍第22項所記載之真空處理裝置，其中， 在前述供電台處，係被設置有供電側接地端子，在前述裝置本體處，係被設置有能夠與前述供電側接地端子作接觸的受電側接地端子、和將前述吸附電極和前述受電側接地端子之間作導通或遮斷並將前述吸附電極和前述受電端子之間作導通或遮斷之切換裝置、和對於前述切換裝置之前述導通和前述遮斷作控制的控制裝置、和被與前述控制裝置作連接並從被設置在前述供電台處之供電側控制端子而對於前述控制裝置輸入用以對於前述導通和前述遮斷作控制的控制訊號之受電側控制端子。
  25. 如申請專利範圍第24項所記載之真空處理裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由平板電極所構成，構成為若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電端子和前述供電端子而形成電容器。
  26. 如申請專利範圍第25項所記載之真空處理裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由平行平板型電極所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係藉由前述受電側控制端子和前述供電側控制端子而形成電容器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
  27. 如申請專利範圍第24項所記載之真空處理裝置，其中，前述受電端子和前述供電端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成前述受電端子和前述供電端子作了磁性耦合之變壓器。
  28. 如申請專利範圍第27項所記載之真空處理裝置，其中，前述供電側控制端子和前述受電側控制端子，係分別藉由線圈所構成，若是前述吸附裝置被載置於前述供電台處，則係形成前述受電側控制端子和前述供電側控制端子作了磁性耦合之變壓器，前述供電側控制端子所輸出之前述控制訊號，係被傳導至前述受電側控制端子處。
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