JPS63142654A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
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- JPS63142654A JPS63142654A JP61289274A JP28927486A JPS63142654A JP S63142654 A JPS63142654 A JP S63142654A JP 61289274 A JP61289274 A JP 61289274A JP 28927486 A JP28927486 A JP 28927486A JP S63142654 A JPS63142654 A JP S63142654A
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Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体製造装置等においてウェハを保持
する静電吸着装置に関する。
する静電吸着装置に関する。
電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ装置は高集
積半導体装置の製造等に使用されている。
積半導体装置の製造等に使用されている。
第２図は前記プラズマ装置をＣＶＤ装置として構成した
場合の概略縦断面図であり、反応室１４内にはウェハ１
３を保持した試料裁置台１２がウェハ１３を反応室１４
上壁外部に設置したプラズマ生成室１７開ロ部に対向さ
せて設置しである。プラズマ生成室１７上部には導波管
１８が接続され、該導波管１８は他端をマグネトロン１
９に接続し、マグネｌ−ロン１９にて発せられたマイク
ロ波をプラズマ生成室１７内に導く。該プラズマ生成室
１７を囲繞するように配置された励磁コイル１６に直流
電流を通流し、また所要の原料ガスを前記プラズマ生成
室１７内へ供給すると、プラズマ生成室１７内において
プラズマが生成され、前記反応室１４側へ磁束密度が低
くなる発散磁界を形成し、前記プラズマのイオン等を投
射する。これにより試料載置台１２上のウェハ１３表面
に対する成膜等が行われる。
場合の概略縦断面図であり、反応室１４内にはウェハ１
３を保持した試料裁置台１２がウェハ１３を反応室１４
上壁外部に設置したプラズマ生成室１７開ロ部に対向さ
せて設置しである。プラズマ生成室１７上部には導波管
１８が接続され、該導波管１８は他端をマグネトロン１
９に接続し、マグネｌ−ロン１９にて発せられたマイク
ロ波をプラズマ生成室１７内に導く。該プラズマ生成室
１７を囲繞するように配置された励磁コイル１６に直流
電流を通流し、また所要の原料ガスを前記プラズマ生成
室１７内へ供給すると、プラズマ生成室１７内において
プラズマが生成され、前記反応室１４側へ磁束密度が低
くなる発散磁界を形成し、前記プラズマのイオン等を投
射する。これにより試料載置台１２上のウェハ１３表面
に対する成膜等が行われる。
第３図は試料蔵置台１２の構造を示す縦断面図であり、
金属製の基台２０上に絶縁体２１が積層され、その外周
端縁は中心部より高くなっており、中心部には直流電源
２６のプラス側を接続したアルミニウム等の金属板２２
及びシート状の導電性ゴム２３が下から順に前記外周端
縁と同じ高さまで積層しである。
金属製の基台２０上に絶縁体２１が積層され、その外周
端縁は中心部より高くなっており、中心部には直流電源
２６のプラス側を接続したアルミニウム等の金属板２２
及びシート状の導電性ゴム２３が下から順に前記外周端
縁と同じ高さまで積層しである。
また、前記絶縁体２１の外周の基台２ｏ上には他の絶縁
体２４が積層しである。
体２４が積層しである。
前記絶縁体２１の外周端縁及び導電性ゴム２３上にはポ
リイミド等からなるシート状の絶縁体２５が積層してあ
り、その上面にウェハ等の試料１３を載置するようにな
っている。
リイミド等からなるシート状の絶縁体２５が積層してあ
り、その上面にウェハ等の試料１３を載置するようにな
っている。
さて、プラズマ装置内において上述の構造を有する試料
載置台１２上にウェハ１３を保持するには、まず反応室
１４の一側壁外部に設けられたロードロック室１５内に
試料載置台１２を移動し、反応室１４との間の連通口を
閉鎖する。
載置台１２上にウェハ１３を保持するには、まず反応室
１４の一側壁外部に設けられたロードロック室１５内に
試料載置台１２を移動し、反応室１４との間の連通口を
閉鎖する。
そしてロードロック室１５内においてウェハ１３を試料
載置台１２の絶縁体２５上に載置し、図示しないａｂｌ
的手段を用いて仮保持する。
載置台１２の絶縁体２５上に載置し、図示しないａｂｌ
的手段を用いて仮保持する。
次にロードロック室１５内を反応室１４内の圧力と等し
くなるよう、即ち真空状態になるまで減圧した後、反応
室１４との連通口を開放し、試料載置台１２を反応室１
４内のウェハ１３とプラズマ生成室１７開ロ部とが対向
する位置に移動させ、前記連通口を閉鎖する。
くなるよう、即ち真空状態になるまで減圧した後、反応
室１４との連通口を開放し、試料載置台１２を反応室１
４内のウェハ１３とプラズマ生成室１７開ロ部とが対向
する位置に移動させ、前記連通口を閉鎖する。
そして、前記直流電源２６の電圧を図示しないスイッチ
にて導電体２２に印加し、同時にプラズマを投射すると
、導電性ゴム２３上の絶縁体２５には上層部がプラス、
下層部がマイナスの誘電分極が生じる。この結果、ウェ
ハ１３は帯電し、試料載置台１２上に静電吸着し、保持
される。
にて導電体２２に印加し、同時にプラズマを投射すると
、導電性ゴム２３上の絶縁体２５には上層部がプラス、
下層部がマイナスの誘電分極が生じる。この結果、ウェ
ハ１３は帯電し、試料載置台１２上に静電吸着し、保持
される。
ところで、上述した如き従来の静電吸着構造にあっては
、試料を静電吸着させる過程においてプラズマを発生さ
せることが不可欠であり、これに要する時間が大である
という問題があった。
、試料を静電吸着させる過程においてプラズマを発生さ
せることが不可欠であり、これに要する時間が大である
という問題があった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは試料載置台上における試料の保持を
プラズマを必要とせず、迅速に行わしめる静電吸着装置
を提供するにある。
目的とするところは試料載置台上における試料の保持を
プラズマを必要とせず、迅速に行わしめる静電吸着装置
を提供するにある。
本発明に係る静電吸着装置は、プラズマ等の外部媒体を
使用せずに静電吸着するものであり、即ち導電体と絶縁
体とを積層してなり、絶縁体上に被吸着物を吸着すべく
なした静電吸着装置において、前記絶縁体の前記導電体
側の面に接し、該導電体と絶縁された他の導電体を備え
、これら両温電体間に直流電圧を印加すべくなしてある
ことを特徴とする。
使用せずに静電吸着するものであり、即ち導電体と絶縁
体とを積層してなり、絶縁体上に被吸着物を吸着すべく
なした静電吸着装置において、前記絶縁体の前記導電体
側の面に接し、該導電体と絶縁された他の導電体を備え
、これら両温電体間に直流電圧を印加すべくなしてある
ことを特徴とする。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る静電吸着装置の構造を示す縦断面
図であり、金属製の基台１上にシート状の絶縁体２、ア
ルミニウム等の金属板３及びシート状の導電性ゴム４が
下から順に同面積、積層されており、金属板３には直流
型ｌｆ！；ｉｔＯのプラス側が接続されている。
図であり、金属製の基台１上にシート状の絶縁体２、ア
ルミニウム等の金属板３及びシート状の導電性ゴム４が
下から順に同面積、積層されており、金属板３には直流
型ｌｆ！；ｉｔＯのプラス側が接続されている。
また、前記絶縁体２、金属板３及び４電性ゴム４からな
る三層の外周の基台１上にはこれらを囲繞するように絶
縁体５が前記三層と同じ高さまで積層されている。
る三層の外周の基台１上にはこれらを囲繞するように絶
縁体５が前記三層と同じ高さまで積層されている。
絶縁体５の外周にはアルミニウム等の導電性金属からな
る外枠６が短筒状をなし基台ｌ上に外フランジを形成し
て前記絶縁体５と同じ高さまで積層されている。外枠６
のフランジ部の外周の基台１上には絶縁体７が前記フラ
ンジ部の高さまで積層されている。
る外枠６が短筒状をなし基台ｌ上に外フランジを形成し
て前記絶縁体５と同じ高さまで積層されている。外枠６
のフランジ部の外周の基台１上には絶縁体７が前記フラ
ンジ部の高さまで積層されている。
前記導電性ゴム４と絶縁体５と外枠６との上部にはポリ
イミド等からなるシート状の絶縁体８が積層されており
、その上面にウェハ等の被吸着物９を載置するようにな
っている。また外枠６は前記直流電源ＩＯのマイナス側
に接続されている。
イミド等からなるシート状の絶縁体８が積層されており
、その上面にウェハ等の被吸着物９を載置するようにな
っている。また外枠６は前記直流電源ＩＯのマイナス側
に接続されている。
さて上述の構造を有する静電吸着装置にてウェハ９を保
持するには、ウェハ９を絶縁体８に載置後、直流電源１
０の電圧を図示しないスイッチにて金属板３、導電性ゴ
ム４及び外枠６に印加する。
持するには、ウェハ９を絶縁体８に載置後、直流電源１
０の電圧を図示しないスイッチにて金属板３、導電性ゴ
ム４及び外枠６に印加する。
すると絶縁体８は導電性ゴム４上の部分と外周の外枠６
上の部分とにおいて反対の誘電分極が生じる。即ち絶縁
体８の中心部においては上層がプラス、下層がマイナス
に分極し、絶縁体８の外周端縁部においては上層がマイ
ナス、下層がプラスに誘電分極する。
上の部分とにおいて反対の誘電分極が生じる。即ち絶縁
体８の中心部においては上層がプラス、下層がマイナス
に分極し、絶縁体８の外周端縁部においては上層がマイ
ナス、下層がプラスに誘電分極する。
この結果、その上面にｉｌ＋！２置されたウェハ９の中
心部と外周端縁部とにおいても反対に帯電し、つエバ９
は静電吸着し保持される。
心部と外周端縁部とにおいても反対に帯電し、つエバ９
は静電吸着し保持される。
以上の如く本発明装置においては、被吸着物の静電吸着
を瞬時に行なうことが可能であり、プラズマ装置に使用
する場合には従来のプラズマを発生させる過程を省略で
きることから試料のハンドリング時間の短縮が可能とな
り、またプラズマ発生機能を有さない各種装置において
も使用可能となる等、本発明は優れた効果を奏する。
を瞬時に行なうことが可能であり、プラズマ装置に使用
する場合には従来のプラズマを発生させる過程を省略で
きることから試料のハンドリング時間の短縮が可能とな
り、またプラズマ発生機能を有さない各種装置において
も使用可能となる等、本発明は優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る静電吸着装置の構造を示す縦断面
図、第２図はプラズマ装置の構造を示す概略縦断面図、
第３図は従来の静電吸着装置の構造を示す縦断面図であ
る。 １・・・基台 ４・・・導電性ゴム ６・・・外枠８・
・・絶縁体 ９・・・被吸着物 １０・・・直流電源時
許 出願人 住友金属工業株式会社外１名 代理人 弁理士 河 野 登 夫第 １ 聞 弗 ３ 凹 ｌグ 第 ２ 図
図、第２図はプラズマ装置の構造を示す概略縦断面図、
第３図は従来の静電吸着装置の構造を示す縦断面図であ
る。 １・・・基台 ４・・・導電性ゴム ６・・・外枠８・
・・絶縁体 ９・・・被吸着物 １０・・・直流電源時
許 出願人 住友金属工業株式会社外１名 代理人 弁理士 河 野 登 夫第 １ 聞 弗 ３ 凹 ｌグ 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電体と絶縁体とを積層してなり、絶縁体上に被吸
着物を吸着すべくなした静電吸着装置において、 前記絶縁体の前記導電体側の面に接し、該導電体と絶縁
された他の導電体を備え、これら両導電体間に直流電圧
を印加すべくなしてあることを特徴とする静電吸着装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289274A JPS63142654A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289274A JPS63142654A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142654A true JPS63142654A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17741041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61289274A Pending JPS63142654A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215735U (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-31 | ||
| WO2002101816A1 (fr) * | 2001-06-06 | 2002-12-19 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif d'etalonnage de tranche |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61289274A patent/JPS63142654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215735U (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-31 | ||
| WO2002101816A1 (fr) * | 2001-06-06 | 2002-12-19 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif d'etalonnage de tranche |
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