TW201701195A - 特別是被動式的雙頻高頻超高頻辨識裝置 - Google Patents

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Abstract

一種雙頻射頻辨識裝置包括：用於接收高頻電磁場之高頻天線、高頻介面、用於接收超高頻電磁場之超高頻天線、超高頻介面、由第一非依電性記憶體及第二非依電性記憶體形成的非依電性記憶體機構。第一非依電性記憶體可以處於主動狀態而不用供電給第二非依電性記憶體，並比此第二非依電性記憶體消耗實質上更多的功率。第一非依電性記憶體包括允許此裝置執行至少超高頻協定的通訊模式之裝置配置所需的所有資料，此通訊模式可存取第一非依電性記憶體但不存取第二非依電性記憶體。第一非依電性記憶體又包括此通訊模式的配置所需的所有屬性。

Description

特別是被動式的雙頻高頻超高頻辨識裝置
本發明係關於特別是被動式的雙頻高頻-超高頻(HF-UHF)辨識裝置。此類RFID裝置也稱為RFID詢答器或是RFID標籤且可以併入於例如腕錶等任何其它可攜式裝置中的卡片中。
特別地，本發明關於具有HF介面及UHF介面以與UHF讀取器及HF讀取器獨立通訊之雙頻高頻-超高頻(HF-UHF)辨識裝置。
國際專利申請案WO 2011/159171說明被動RFID裝置，其具有包括UHF天線的UHF介面及包括低頻(LF)天線和高頻(HF)天線之雙頻LF-HF介面。雙頻LF-HF介面執行IP-X協定，其中，僅使用LF解調變器及HF調變器。注意，雙頻LF-HF介面是要與單一雙頻讀取器通訊。被動式的RFID裝置又包括UHF整流器及LF整流器，二者都能產生用於此裝置的電源。更特別地，設置決 定電路以用於取決於何者遞送最大的訊號而選取LF整流器或UHF整流器作為電力產生器。
被動式RFID裝置又包括由UHF邏輯單元、IP-X邏輯單元及單一共用非依電性記憶體(EEPROM)形成的控制器。裝置配置成用於偵測何種讀取器存在及用於據此回應。更特別地，取決於哪一能源存在及該能源的強度，控制器會選取UHF邏輯單元或IP-X邏輯單元或二者以及分別地執行UHF協定、IP-X協定或二者。根據文獻WO 2011/159171，相同的資料會遞送給UHF及雙頻讀取器，是重要的態樣。基於此目的，單一的EEPROM記憶體由各協定使用以及在UHF邏輯單元與IP-X邏輯單元之間被完全共用。為了允許單一EEPROM的此完全共用，對於這二協定提供不同的對映。
此習知的RFID裝置具有某些缺點，主要的一缺點是UHF介面的靈敏度因為有單一非依電性記憶體(在下文中也稱為NVM)由二介面存取之事實而相當地低。事實上，當一或其它介面執行其對應的協定時，整個EEPROM記憶體會被供電。由於IP-X協定或更大致而言為LF或HF協定會需要消耗相當高功率的大非依電性記憶體，所以這會是問題。此大NVM的致動及對此記憶體的存取是耗電的，以致於執行UHF協定所需的電力位準遠高於UHF詢答器及UHF讀取器形成的UHF系統。結果，在WO 2011/159171提出的系統中用於UHF通訊的通訊距離比提及的UHF系統的對應距離還要短。
本發明的目的是克服引用之先前技術文獻的缺點並因而提供能夠與HF讀取器及UHF讀取器獨立地通訊之RFID裝置，特別是關於UHF通訊，其中，由RFID裝置從UHF讀取器接收的功率通常低於用於一般用於相對短距離的HF通訊。
本發明關於雙頻RF辨識裝置，其包括：HF天線，用於接收HF電磁場；HF介面；UHF天線，用於接收UHF電磁場；UHF介面；非依電性記憶體機構；裝置重設機構；功率產生器及功率管理單元，HF介面係配置成用於執行HF協定，UHF介面係配置成用於執行UHF協定。非依電性記憶體機構至少由第一非依電性記憶體及第二非依電性記憶體形成，辨識裝置配置成第一非依電性記憶體可以被供電且處於主動狀態而不用致動第二非依電性記憶體，第一非依電性記憶體在讀取模式中實質地消耗第一功率，以及，第二非依電性記憶體在讀取模式中實質地消耗第二功率，第二功率實質地高於第一功率。第一非依電性記憶體包括允許裝置執行至少UHF協定的通訊模式之此裝置配置所需的所有資料，此通訊模式可存取第一非依電性記憶體但不存取第二非依電性記憶體，第一非依電性記憶體又包括UHF協定的通訊模式的配置所需的所有屬性。
然後，功率管理單元配置成用於偵測： - 由功率產生器提供的及由裝置執行UHF協定的通訊模式所要求之第一決定的功率位準，- 由功率產生器提供的及實質上高於第一決定的功率位準之至少第二決定的功率位準，此第二決定的功率位準是由裝置執行之至少對第二非依電性記憶體存取之HF協定的通訊模式所要求的。
辨識裝置又配置成用於允許UHF協定的通訊模式之配置，然後，當功率產生器提供的功率等於或高於第一決定的功率位準、特別是在第一決定的功率位準之上或接近時，執行此通訊模式。最後，此裝置配置成用於允許除非功率產生器提供的功率等於或高於第二決定的功率位準才允許HF介面與第二非依電性記憶體一起完全致動。
根據一般實施例，辨識裝置配置成用於允許裝置重設機構被致動，然後，當功率產生器提供的功率等於或高於第一決定的功率位準、特別是在第一決定的功率位準之上或附近時，允許裝置配置被執行。裝置配置成裝置重設機構的致動發生於UHF協定的通訊模式的配置之前。
根據較佳實施例，UHF協定的通訊模式是有限的UHF通訊模式，亦即，對非依電性記憶體機構有限存取，以及，當由功率產生器提供的功率等於或高於比第一決定的功率位準還高的第三決定的功率位準、特別是在第三決定的功率位準之上或附近時，UHF介面又執行UHF協定的擴充的UHF通訊模式，對第二非依電性記憶體增加存取。功率管理單元配置成用於偵測此第三決定的功率位準 以及用於除非功率產生器提供的功率等於或高於第三決定的功率位準才允許第二非依電性記憶體致動。在本較佳實施例中，用於擴充的UHF通訊模式配置之與第二非依電性記憶體有關的屬性儲存在第二非依電性記憶體中。
根據上述較佳實施例的特定變異，辨識裝置配置成用於當第二非依電性記憶體處於主動模式中時且除非經由UHF介面而接收關於此第二非依電性記憶體的存取命令時，才至少部份地執行擴充的UHF通訊模式的配置。
在另一實施例中，辨識裝置又包括HF場偵測器且此裝置配置成除非功率產生器提供的功率等於或高於第二功率時及HF場由HF場偵測器偵測到，才允許致動HF介面。
根據主實施例，辨識裝置具有被動型式且功率產生器包括用於接收的UHF電磁場之第一整流機構及用於接收的HF電磁場之第二整流機構。至少當第一整流機構產生的功率高於第二整流機構產生的功率時，第一整流機構提供供應電壓給裝置。
本發明也關於發明的辨識裝置之配置方法，其中，當在此辨識裝置的斷電狀態之後由功率管理單元偵測第一決定的功率位準，然後自動地執行裝置配置時，致動裝置重設機構。
在配置方法的特定實施中，此配置方法具有步驟，其中，若由功率產生器提供的功率維持等於或高於第一決定的功率位準時，在裝置配置之後自動及直接執行UHF協 定的通訊模式的配置。
2‧‧‧被動式的高頻超高頻辨識裝置
4‧‧‧高頻天線
6‧‧‧高頻介面
14‧‧‧超高頻天線
16‧‧‧超高頻介面
26‧‧‧非依電性記憶體機構
接著，將以舉例說明而非限定方式，參考附圖，說明本發明，其中：圖1是根據本發明的雙頻RF辨識裝置的實施例之表示；以及圖2是用於圖1的辨識裝置之根據本發明的致動及配置方法的實施之方塊圖。
將參考圖1及2，以非限定方式，說明本發明的實施例以及一些實例和變異。
被動式的HF-UHF辨識裝置2包括用於接收HF電磁場的HF天線4、由HF類比前端8(HF AFE)形成的HF介面6及HF邏輯單元10，HF邏輯單元10是通用邏輯電路12的部份。裝置2也包括用於接收UHF電磁場的UHF天線14、由UHF類比前端18(UHF AFE)形成的UHF介面16及UHF邏輯單元20，UHF邏輯單元20也是邏輯電路12的部份。裝置2又包括非依電性記憶體機構26、由邏輯電路12支援的裝置重設機構、提供供應電壓Vsup的功率產生器22及功率管理單元24。HF介面配置成用於執行HF協定，UHF介面配置成用於執行UHF協定。非依電性記憶體機構至少由第一非依電性記憶體28(第 一NVM 28)及第二非依電性記憶體30(第二NVM 30)形成。邏輯電路12支援介面6及16等二者共同的作業或是專用於這些介面中之一或另一、以及與功率管理單元、非依電性記憶體及持久旗標32有關的一般功能。這些持久旗標是類比電路的部份且由電容器形成。
在主實施例中，UHF協定關於EPC協定及HF協定關於NFC協定，EPC及NFC協定都是習於此技藝者熟知的。
功率產生器配置成被動裝置2可從HF天線接收之進入的HF電磁場、及從從HF天線接收之進入的UHF電磁場獲得功率。如此，功率產生器包括用於接收的UHF電磁場之第一整流機構及用於接收的HF電磁場之第二整流機構。功率產生器及功率產生單元配置成至少當第一整流機構產生的功率高於第二整流機構產生的功率時，第一整流機構提供供應電壓給裝置。功率管理單元配置成用於至少假使可供利用的功率達到某決定的功率位準時用於偵測以及將此資訊傳輸給邏輯電路12，亦即，此功率管理單元會感測功率產生器提供給被動裝置2的功率位準。在第一變異中，功率產生器配置成HF及UHF場同時供電給被動裝置，與介面是否被致動無關。在第二變異中，功率管理單元決定第一及第二整流器中何者遞送較高的功率及選取此整流器以用於供電給被動裝置2。
根據本發明，被動辨識裝置2配置成第一非依電性記憶體28(第1 NVM)被供電並處於主動狀態而不供電給 第二非依電性記憶體30(第2 NVM)。因此，至少在讀取模式中，能夠僅存取第一記憶體。第1 NVM在讀取模式中實質上消耗第一功率，第2 NVM在讀取模式中實質上消耗第二功率，第二功率實質高於第一功率。為達此效果，第1 NVM 28比第2 NVM 30具有更小的尺寸。舉例而言，第1 NVM僅具有576位元，而第2 NVM僅具有2688位元。但是，基於本發明的目的，第一非依電性記憶體28包括允許裝置至少執行UHF協定的第一通訊模式之此裝置配置所需的所有資料，此第一通訊模式存取第一非依電性記憶體但不存取第二非依電性記憶體30。第一非依電性記憶體28又包括UHF協定的第一通訊模式的配置所需的所有屬性。
功率管理單元配置成用於偵測至少下述：由功率產生器提供的及要由裝置執行的UHF協定的第一通訊模式所要求的第一決定功率位準，由功率產生器提供的且實質上高於第一決定功率位準之第二決定功率位準，此第二決定功率位準是要由裝置執行的HF協定的通訊模式所要求的，此通訊模式至少存取第二非依電性記憶體30，當此通訊模式主動時，第二非依電性記憶體30因而需要被供電。
裝置又配置成用於允許第一通訊模式的配置、然後，當功率產生器提供的功率等於或高於第一決定的功率位準時，允許執行此第一通訊模式。最後，裝置配置成用於除非功率產生器提供的功率等於或高於第二決定的功率位準 才允許HF介面與第二非依電性記憶體一起的完全致動。
根據主實施例，裝置配置成用於允許裝置重設機構被致動，然後，當功率產生器提供的功率等於或高於第一決定的功率位準時，允許裝置配置執行，裝置係配置成使得裝置重設機構的致動發生於UHF協定的第一通訊模式的配置之前。此外，在UHF協定配置的初始階段或是在此配置之前(取決於用於此配置的給定定義)或是在裝置重設期間，完成UHF協定重設。
根據較佳實施例，UHF協定的第一通訊模式是有限的UHF通訊模式(也稱為有限UHF協定)，亦即，由於僅有第1 NVM在此模式中是主動的，所以，對非依電性記憶體機構有限存取，以及，UHF介面又執行擴充的UHF通訊模式(也稱為擴充的UHF協定)，當功率產生器提供的功率等於或高於比第一功率位準還高的第三決定的功率位準時，存取第2 NVM。功率管理單元24配置成用於偵測此第三功率位準及用於除非功率產生器提供的功率等於或高於第三功率位準才允許第二非依電性記憶體的供電。在此較佳實施例中，關於用於擴充的UHF通訊模式的配置之第二非依電性記憶體的屬性儲存於此第二非依電性記憶體中。特別地，擴充的UHF協定之配置是有限的UHF協定的配置之額外配置階段，此額外階段主要關於第二非依電性記憶體。在特定實施例中，擴充的UHF協定不同於有限的UHF協定，亦即，不是只有有限的UHF通訊模式的擴充。在此情形中，功率產生器提供的功率一旦 等於或高於第三功率位準時或是除非使收到用於存取第二非依電性記憶體的第一請求才達成擴充的UHF協定之配置。
根據上述較佳實施例的有利變異，裝置配置成用於當第二非依電性記憶體處於主動模式中時且除非UHF介面收到關於此第二非依電性記憶體的存取命令，才至少部份地執行擴充的UHF通訊模式的配置。根據特定變異，辨識裝置2配置成除非UHF介面收到關於此第二非依電性記憶體的存取命令才致動第二非依電性記憶體30，然後，執行擴充的UHF通訊模式的至少部份配置。但是，在另一變異中，為了在擴充的UHF通訊模式中加速對第2 NVM的存取，一旦功率管理單元偵測到第三功率位準時，即自動地致動第2 NVM。
在特定的變異中，第二功率位準及第三功率位準具有相同的值，以及，由功率管理單元所作之這些第二及第三決定的功率位準的偵測對應於相同的事件。
在另一實施例中，辨識裝置又包括HF場偵測器及此裝置配置成用於僅當功率產生器提供的功率等於或高於第二決定的功率位準且假使由HF場偵測器偵測HF電磁場時，允許HF介面的供電。在上述特定變異的情形中，用於第2 NVM的開啟功率與用於HF介面的開始功率是在相同的功率位準。但是，在本實施例中，當偵測此功率位準時，HF介面將不會自動地電力開啟，且由於此裝置又偵測在致動HF介面之前HF場是否存在而增加用於裝置2 的功率消耗。這意指第2 NVM被供電且由擴充的UHF協定使用，即使允許二者致動之功率位準相同，也不會致動HF介面。
在較佳變異中，被動式辨識裝置2配置成用於僅當HF介面處於主動狀態時及當收到根據HF協定的該通訊模式之第一命令時，允許HF協定的配置。在較佳變異中，用於HF通訊模式的的配置之HF協定屬性儲存在第2 NVM 30中。此外，在HF協定配置的初始階段中或是在此配置之前(取決於對此配置的給定定義)，達成HF協定重設。但是，假使部份HF介面，例如HF邏輯單元之前已被致動時，則至少部份HF協定重設發生於先前步驟中，舉例而言，在裝置重設期間或是在裝置重設之後。須注意，HF協定的某些屬性是與UHF協定共同的，以致於這些共同屬性是處於第1 NVM 28中，因而於此未被視為是HF協定配置的部份。此外，由於在HF介面被致動之前，此UHF介面處於主動狀態，所以，除非可能經由UHF介面再程式化這些共同屬性，否則不需要從UHF記憶體要度載入這些共同屬性。將這些共同屬性視為裝置配置的部份是可能的，在此裝置配置的最後階段載入這些屬性。
本發明也關於發明的辨識裝置之配置方法。更一般而言，將參考圖2，說明不同介面及非依電性記憶體的致動的、及可能的協定或通訊模式的配置的方法。
首先，當在此辨識裝置斷電狀態之後由功率管理單元 偵測第一決定的功率位準時，致動裝置重設機構。這意指在電力開啟時達成重設，其中，將此功率開啟選在相對於不同協定的、或是這些不同的協定界定的不同通訊模式的電源之最低位準。在本情形中，選取電力開啟以允許由被動式裝置2執行有限的UHF通訊模式。因此，裝置自動地重設於用於有限的UHF協定之UHF電力開啟，其中，僅有第1 NVM被供電並因而可存取的，此事件由圖2中的「UHF POR」標示。然後，自動地執行裝置配置。根據本發明，裝置配置資料(Device Conf Data)儲存在第1 NVM 28中，在根據EPC協定的有限UHF通訊模式的本情形中，第1 NVM 28特別地設計成與UHF介面相關連且涉及UHF通訊。
裝置配置首先允許執行有限的UHF協定/通訊模式，且進一步攸關與HF通道/協定有關的某些額外配置屬性。裝置配置首先關於裝置的作用所需的、然後對所有協定共用的裝置資源的配置，例如與安全逾時有關的持久旗標。此外，此裝置配置也攸關特定協定，特別是用於此協定的模式選取或甚至是協定選取。在較佳變異中，為了限制用於裝置配置資料的第1 NVM中所需的空間，在此初始配置中，僅有UHF通訊協定所需的裝置屬性會被載入。在特定變異中，在裝置初始化期間也讀取不同之被允許的通訊模式。
舉例而言，在重設步驟或在裝置配置期間，類比持久旗標會根據它們在對應的電容器中的儲存狀態而被更新。 然後，在裝置配置期間，在第1 NVM中讀取修飾值，以及執行UHF振盪器、參考電壓Vref及參考電流Iref的修飾。在有利的變異中，當HF通道被置於靜音狀態時，與此HF通道有關的模式選取已經在第1 NVM中被讀取。因此，在偵測允許HF介面被電力開啟之功率位準之前，裝置2已經知道HF通訊是否被允許或是HF通道是否僅作為功率源，亦即，HF介面是否靜音。在其它變異中，模式選取也攸關安全等級，舉例而言，是否實施隱私權模式或是至少對介面或協定要求界定的安全等級。須注意，例如某些選取資料等與裝置配置有關的某些資料會被保護免於撕裂。因此，對應於這些資料的抗撕裂狀態位元也必須在裝置配置期間被讀取，這些抗撕裂狀態位元係儲存在第1 NVM中。
在裝置配置之後，執行有限的UHF協定/通訊模式的配置。在第一變異中，辨識裝置配置成假使功率產生器提供的功率維持等於或高於功率位準UHF電力開啟(受偵測的及對應於裝置配置、UHF介面的致動、有限的UHF協定的配置及有限的UHF通訊模式的執行所要求的功率位準之第一功率位準)時，則在裝置配置之後自動並直接執行有限的UHF通訊模式之配置。在第二變異中，辨識裝置2包括UHF場偵測器，以及，除非UHF場受偵測以致於除非UHF場存在時UHF協定的此初始配置才會發生時，才執行UHF協定配置。須注意，在裝置配置與UHF協定配置之間的界線並非絕對的；對於某些屬性，其為定 義的問題。在此第二變異中，最好就在UHF場的偵測之後達成上述類比持久旗標的更新。
有限的EPC協定配置關於與第1 NVM有關的抗撕裂保護狀態位元、UHF記憶體鎖位元、持久旗標S2、S3、SL的讀取以知道何者必須被週期地更新以保持它們的持久性、以及儲存的CRC的計算，此清單並非排它的。與引用的持久旗標無關的屬性儲存於第一NVM 28中。
在執行有限UHF協定配置之後，以及，當UHF場存在時，亦即，當來自UHF讀取器的UHF場由辨識裝置2接收時，有限的UHF通訊立即發生。在上述第二變異中，由於有限UHF協定配置僅在偵測到對應於UHF天線的共振頻率之UHF場之後才執行，所以，此情形通常會存在。
在UHF介面致動期間，功率管理單元24又感測功率產生器的功率位準(或至少鏈結至此功率位準的電參數)。關於比UHF介面與第1 NVM一起致動要求更加高的功率之HF介面與第2 NVM 30的一起致動，管理單元會偵測HF電力啟動位準是否達到允許此致動。在較佳變異中，如圖2中所表示般，辨識裝置包括HF場偵測器且此HF場偵測器會偵測對應於HF天線電路的共振頻率之場是否由裝置接收。除非是此情形，HF介面的致動才會與第2 NVM的供電一起達成，實施此致動以致於根據NFC協定的第一命令可以被接收及解碼(這會藉由讀取較佳地儲存在第2 NVM中的某些屬性而要求首先執行HF協 定的第一階段)。
若接收來自通訊系統的HF讀取器之第一請求時，則主要在此第一請求的回應期間，執行NFC協定的配置，第一請求係在此回應期間不需要NFC協定的屬性被載入。儲存在第二非依電性記憶體中的NFC協定的屬性係關於用於第2 NVM的抗撕裂狀態位元、關於第2記憶體的記憶體鎖單元及關於第1 NVM的共用鎖位元。須注意，在此處參考UHF協定及HF協定及二不同的非依電性記憶體而說明的主變異中，各NVM與關於第一協定的「記憶體鎖位元」相關聯、以及也與關於由第二協定存取此NVM之「共用鎖位元」相關聯，此NVM是首先為第一協定而設計。若第一配置階段已經發生，則在回應HF讀取器期間之NFC配置會有關於此NFC協定配置的第二階段。也須一提，某些先前已載入的與UHF協定配置共同的屬性無須再度載入。但是，可能的是，在HF場偵測之前已載入的某些屬性必須再度載入以具有它們分別的真實狀態。在此HF配置期間，由於第1 NVM維持在主動狀態，所以，會讀取儲存在第1 NVM中或是第2 NVM中的資料及屬性。如同已述，本發明的較佳變異是僅將少數資料置於第1 NVM中以將此第1 NVM的尺寸保持得儘可能地低。因此，在較佳變異中，非與UHF協定共用的HF協定的所有屬性儲存於第2 NVM 30中。在執行NFC配置之後，根據NFC協定的標準HF通訊會發生。必須說明，在較佳變異中，第1 NVM是首先被設計成用於FPC協定。 但是，經由適當的對映，此第1 NVM也在HF通訊執行期間由HF介面存取。這也是在寫入模式中的情形，其中，經由HF介面，程式化第1 NVM。
根據較佳實施例，當由功率產生器提供的功率等於或高於對應於第2 NVM加上UHF介面和第1 NVM的致動所需的功率之第三決定的功率位準時，致動擴充的NFC協定，其中，允許對第2 NVM讀取。根據本發明的配置方法之特定變異，除非使由UHF介面接收與第二非依電性記憶體有關的存取命令時，才藉由讀取儲存在此第二非依電性記憶體中的與此第二非依電性記憶體有關的屬性，而執行擴充的UHF通訊模式的部份或全部配置，部份配置係關於存取命令有關的第二非依電性記憶體的至少部份。因此，僅在功率管理單元偵測在上述第一與第二功率位準之間的第三功率位準之後，以及，假使收到用於存取第2 NVM的UHF請求時，亦即，若經由UHF介面(圖2中「UHF Request for Ext UHF Prot」接收用於擴充的UHF協定的實施之請求時，根據此特定變異之擴充的UHF通訊模式才會發生。鏈結至擴充的通訊模式之UHF協定的增加的屬性較佳地儲存在第2 NVM中。界定擴充的UHF配置之此增加的屬性主要關於第2 NVM，特別是共用鎖位元(界定第2 NVM的哪些部份由UHF協定存取)及關於第2 NVM的抗撕裂狀態位元。值得一提，此第2 NVM首先被設計成適配NFC協定。但是，經由此第2 NVM的適當映射，在擴充的UHF通訊期間，可以讀取第2 NVM 30的至少部份。
如同已述，第二及第三功率位準對應於共同的功率位準。但是，在所述的致動及配置方法中，即使在此情形中，當達到此共同功率位準時，假的擴充UHF通訊模式或是假的HF介面致動將不會發生。
UHF場偵測器及HF場偵測器在第一變異中均由頻率偵測器(鑑頻器)形成、或是在第二變異中均由配置在分別在HF整流器之後的UHF整流器之後的電壓偵測器形成(電壓偵測器偵測是否達到給定的電壓位準)。在特定的變異中，場偵測器也包括前置偵測器，前置偵測器會顯示載頻的某調變發生。
2‧‧‧被動式的高頻超高頻辨識裝置
4‧‧‧高頻天線
6‧‧‧高頻介面
8‧‧‧HF類比前端
10‧‧‧HF邏輯單元
12‧‧‧通用邏輯電路
14‧‧‧超高頻天線
16‧‧‧超高頻介面
18‧‧‧UHF類比前端
20‧‧‧UHF邏輯單元
22‧‧‧功率產生器
24‧‧‧功率管理單元
26‧‧‧非依電性記憶體機構
28‧‧‧第一非依電性記憶體
30‧‧‧第二非依電性記憶體
32‧‧‧持久旗標

Claims (16)

  1. 一種雙頻射頻辨識裝置，包括：用於接收高頻電磁場之高頻天線、高頻介面、用於接收超高頻電磁場之超高頻天線、超高頻介面、非依電性記憶體機構、裝置重設機構、功率產生器及功率管理單元，該高頻介面配置成用於執行高頻協定，且該超高頻介面配置成用於執行超高頻協定；其中，該非依電性記憶體機構至少由第一非依電性記憶體及第二非依電性記憶體形成，該辨識裝置配置成該第一非依電性記憶體可以被供電且處於主動狀態而不用致動該第二非依電性記憶體，該第一非依電性記憶體在讀取模式中實質地消耗第一功率，以及，該第二非依電性記憶體在讀取模式中實質地消耗第二功率，該第二功率係實質地高於該第一功率，其中，該第一非依電性記憶體包括允許該裝置執行至少該超高頻協定的通訊模式之裝置配置所需的所有資料，該通訊模式可存取該第一非依電性記憶體但不存取該第二非依電性記憶體，該第一非依電性記憶體又包括該通訊模式的配置所需的所有屬性；其中，該功率管理單元配置成用於偵測：由該功率產生器提供之及由該裝置執行該超高頻協定的該通訊模式所要求之第一決定的功率位準，由該功率產生器提供的及實質上高於該第一決定的功率位準之至少第二決定的功率位準，該第二決定的功率位準是由該裝置執行之至少對該第二非依電性記憶體存取之該高頻協定的通訊模式所要求的； 其中，該辨識裝置又配置成用於允許該超高頻協定的該通訊模式之該配置，然後，當該功率產生器提供的功率等於或高於該第一決定的功率位準時，允許該通訊模式執行；以及，其中，該裝置配置成用於允許除非該功率產生器提供的功率等於或高於該第二決定的功率位準，才允許該高頻介面與該第二非依電性記憶體一起完全致動。
  2. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，該裝置配置成用於允許該裝置重設機構被致動，然後，當該功率產生器提供的功率等於或高於該第一決定的功率位準，允許該裝置配置被執行，該裝置配置成該裝置重設機構的致動發生於該超高頻協定的該通訊模式的該配置之前。
  3. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，該超高頻協定的該通訊模式是有限的超高頻通訊模式；其中，當由該功率產生器提供的功率等於或高於比該第一決定的功率位準還高的第三決定的功率位準時，該超高頻介面又執行該超高頻協定的擴充的超高頻通訊模式，對該第二非依電性記憶體增加存取；其中，該功率管理單元配置成用於偵測該第三決定的功率位準以及用於除非該功率產生器提供的功率等於或高於該第三決定的功率位準才允許該第二非依電性記憶體致動；以及，其中，用於該擴充的超高頻通訊模式配置之與該第二非依電性記憶體有關的屬性儲存在該第二非依電性記憶體中。
  4. 如申請專利範圍第3項之辨識裝置，其中，該辨識裝置配置成用於當該第二非依電性記憶體處於主動狀態 中時且除非經由該超高頻介面而接收關於該第二非依電性記憶體的存取命令，才至少部份地執行該擴充的超高頻通訊模式的該配置。
  5. 如申請專利範圍第3項之辨識裝置，其中，該辨識裝置配置成除非經由該超高頻介面而接收關於該第二非依電性記憶體的存取命令，才致動該第二非依電性記憶體。
  6. 如申請專利範圍第3項之辨識裝置，其中，該第二決定的功率位準及該第三決定的功率位準具有相同的值，以及，其中，由該功率管理單元執行之該些第二及第三決定的功率位準的偵測對應於相同事件。
  7. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，該裝置又包括高頻場偵測器，以及，其中，該裝置又配置成用於除非該高頻場偵測器偵測到高頻場才允許致動該高頻介面。
  8. 如申請專利範圍第3項之辨識裝置，其中，該辨識裝置又包括高頻場偵測器；以及，其中，該裝置又配置成用於除非該高頻場偵測器偵測到高頻場才允許致動該高頻介面。
  9. 如申請專利範圍第7項之辨識裝置，其中，該辨識裝置配置成除非當該高頻介面處於主動狀態且接收根據該高頻協定的該通訊模式之第一命令時，才允許該高頻協定的配置；以及，其中，用於該通訊模式的配置之高頻協定屬性儲存於該第二非依電性記憶體中。
  10. 如申請專利範圍第8項之辨識裝置，其中，該辨識裝置配置成除非當該高頻介面處於主動狀態且接收根據該高頻協定的該通訊模式之第一命令，才允許該高頻協定的配置；以及，其中，用於該通訊模式的配置之高頻協定屬性儲存於該第二非依電性記憶體中。
  11. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，該辨識裝置具有該被動型式；以及，其中，該功率產生器包括用於接收的超高頻電磁場之第一整流機構及用於接收的高頻電磁場之第二整流機構，至少當該第一整流機構產生的功率高於該第二整流機構產生的功率時，該第一整流機構提供供應電壓給該裝置。
  12. 如申請專利範圍第3項之辨識裝置，其中，該辨識裝置具有該被動型式；以及，其中，該功率產生器包括用於接收的超高頻電磁場之第一整流機構及用於接收的高頻電磁場之第二整流機構，至少當該第一整流機構產生的功率高於該第二整流機構產生的功率時，該第一整流機構提供供應電壓給該裝置。
  13. 如申請專利範圍第7項之辨識裝置，其中，該辨識裝置具有該被動型式；以及，其中，該功率產生器包括用於接收的超高頻電磁場之第一整流機構及用於接收的高頻電磁場之第二整流機構，至少當該第一整流機構產生的功率高於該第二整流機構產生的功率時，該第一整流機構提供供應電壓給該裝置。
  14. 一種根據申請專利範圍第11項之雙頻射頻辨識 裝置之配置方法，其中，當在該辨識裝置的斷電狀態之後由該功率管理單元偵測該第一決定的功率位準時，致動該裝置重設機構，然後若功率產生器提供的功率維持等於或高於該第一決定的功率位準，則自動執行該裝置配置。
  15. 如申請專利範圍第14項之雙頻射頻辨識裝置的配置方法，其中，若由該功率產生器提供的功率維持等於或高於該第一決定的功率位準，則在該裝置配置之後，自動及直接執行該超高頻協定的該通訊模式的配置。
  16. 一種根據申請專利範圍第12項之雙頻射頻辨識裝置的配置方法，其中，當該功率產生器提供的功率是等於或高於該第三決定的功率位準以及該第一非依電性記憶體處於主動狀態時，除非經由該超高頻介面接收關於該第二非依電性記憶體的存取命令，才藉由讀取關於儲存在該第二非依電性記憶體中的該第二非依電性記憶體之屬性，執行該擴充的超高頻通訊模式的部份或全部配置，該部份配置係關於該存取命令有關的該第二非依電性記憶體的至少部份。
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