TW201637108A

TW201637108A - 用於檢測光電組件的方法和裝置

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Publication number: TW201637108A
Application number: TW105102200A
Authority: TW
Inventors: Robert Schulz; Anton Vogl; Roland Zeisel
Original assignee: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date: 2015-02-05
Filing date: 2016-01-25
Publication date: 2016-10-16
Also published as: DE112016000626A5; DE102015101671A1; US20180024185A1; WO2016124367A1; US10288671B2; TWI590354B

Abstract

本發明描述一種用於檢測至少一配置在終端載體(100)上之光電組件(10)的方法。本方法包括：激發電磁振盪電路(38、39)，其係由該光電組件(10)和該終端載體(100)形成，使該光電組件(10)受到激發以發出電磁輻射。所述電磁振盪電路(38、39)之激發包括：所述電磁振盪電路(38、39)中經由一平面繞組(52)或一種雙繞組(42、44)以產生一種隨時間變化的交變電磁場(40)而感應一種交流電壓。

Description

用於檢測光電組件的方法和裝置

本發明涉及一種用於檢測一配置在一終端載體上之光電組件的方法和裝置。

依據先前技術，光電組件之電光特性的測量通常是藉由施加直流電壓至該光電組件來達成。光電組件有時至少間歇地以一種形式存在著，此種形式中其終端短路，即，此種形式中在其終端之間存在著可忽略的歐姆電阻。這在當光電組件配置在一終端載體上時，例如，在光電組件製造完成期間，特別是屬此種情況。例如，光電組件安裝在金屬導線架複合物上，於是，光電組件之接觸區就會相對於直流電壓而短路。因此，為了決定其電光特性以便進行程序控制及/或程序監控，其不能以直流電流來操作。

在光電組件於製程結束而被劃分且設有各別可接觸之終端的期間，有利的是至少在製程之一些步驟的期間仍不對光電組件進行劃分及/或仍不可各別地進行接觸。然而，值得期望的是：亦可在此種狀態下測量或至少可觀察光電組件之電光特性，以便例如對所述光電組件預先分類或使最佳化及/或將製程之後續步驟依據所測得的電光特性來調整。於是，次級品下降且節省時間和成本。

特別是像一種轉換材料之及時硬化之類的較費時之製程步驟所需的時間可較佳地被利用。在產生發光二極體時，例如，由於體轉換(volume conversion)而發出白光的發光二極體時，該轉換材料之濃度和填充量由於當時的製程步驟而受到不同之大的波動。現在，光電組件在該材料之澆注及加熱之後依據樣品形式而被劃分及測量且不再用於例如電鍍之類的後續製程步驟中。

由DE 102013102322.3已知一種用於測量至少一配置在一終端載體上之光電組件的方法，其包括至少一電磁振盪電路之激發及至少一光電組件之電光特性的測量，該電磁振盪電路係由至少一光電組件和該終端載體形成，使該至少一光電組件受到激發而發出電磁輻射。該電磁振盪電路之激發可藉由該電磁振盪電路中產生一種隨時間變化的交變電磁場而感應一種交流電壓來達成。此種感應式激發因此所具有的優點為：該激發可以無接觸地達成。該隨時間變化的交變電磁場例如亦可藉由一種感應元件，特別是一種具有一個或多個線圈的繞組來產生。

藉由DE 102013102322.3中所述的方法，可使短路的光電組件在導線架複合物中受到激發而發光。然而，現在若像多種構造形式那樣有多個光電組件並聯，則在以古典的繞組設計來進行感應式激發時多個光電組件會同時發光。各別光電組件之選擇式的測量，例如彩色的測量，因此是不可能的。

在其它構造形式中，待測量的光電組件配屬於較小的區域，所述區域中可藉由DE 102013102322.3中所述的方法感應一種電磁振盪電路。於此，需要較高的磁場密度，以激發各別的光電組件而發光。一種導線繞組的線圈具有傳統幾何形式，以此種導線繞組，在很多情況下只能很困難地達成所需的場密度。此外，期望一種繞組設計，其中所述繞組亦可在只有少的交貨件數下生產且有利地製成。

因此，本發明的至少一目的是提供一種用於檢測一配置在終端載體上之光電組件的方法和裝置，其中在與先前技術比較下所述光電組件之選擇式激發已改良。

上述目的藉由請求項之獨立項所述的方法和裝置來達成。所述方法和裝置之有利的實施形式和其它形式描述在請求項的附屬項中且另外可由隨後的說明和圖式中得知。

依據用於檢測至少一配置在終端載體上之光電組件的第一方法之至少一實施形式，本方法包括至少一電磁振盪電路的激發，該電磁振盪電路由至少一光電組件和該終端載體形成，使該至少一光電組件受到激發而發出電磁輻射。於此，該電磁振盪電路之激發包括「在該電磁振盪電路中感應交流電壓」，這是藉由第一繞組和第二繞組產生隨時間變化的交變電磁場來達成。

藉由第一繞組和第二繞組產生隨時間變化的交變電磁場，這樣在與使用單純的導線繞組(其線圈具有傳統的幾何形式)相比較下可有利地達成光電組件之選擇式激發之改良。該終端載體和所述二個繞組之間的距離可在使用本方法時改變，但較佳是保持成固定值。例如，該二個繞組可在與該終端載體保持成一固定距離下在不同光電組件之區域上延伸。

本發明不限於具有唯一之光電組件之唯一的電磁振盪電路受到激發。反之，已激發之電磁振盪電路亦可包括二個或更多個光電組件，其電光特性可被測量或觀察。此外，分別具有唯一的光電組件之多個電磁振盪電路或分別具有多個光電組件之多個電磁振盪電路亦可受到激發。該些電磁振盪電路可互相獨立或亦可互相耦接著。「直接在位置上靠近該光電組件或該些光電組件來激發該電磁振盪電路或該些電磁振盪電路」亦是不需要的。反之，激發和電磁輻射之發射的區域亦可藉由光電組件而互相隔開。光電組件於此可以特別是一種在進行後續的製程步驟之後以光電組件存在的光電組件或元件。所述光電組件包括至少一構件，其可受到激發以發出電磁輻射，這特別是由於電致發光或磷光所造成。較佳是，上述二個繞組可相對於終端載體而運行，即，相對於該終端載體而移動，以選擇式地激發不同之配置在該終端載體上的光電組件。

依據本方法之至少一實施形式，該光電組件是發光二極體(LED)、雷射二極體、半導體二極體或半導體晶片、或該光電組件包括發光二極體(LED)、雷射二極體、半導體二極體或半導體晶片。雷射二極體是一種半導體二極體，其發出雷射輻射。光電組件中電磁輻射之發出較佳是由於電致發光或磷光所造成。

電磁振盪電路是一種包括電感元件及/或電容元件之電路。此種電路之總阻抗通常是一種複數值。電磁振盪電路特別可包括電感元件及電容元件。在此種情況下，總阻抗之絕對值在以特定頻率來激發時具有最小值。該電磁振盪電路較佳是可以該特定頻率來激發。

依據本方法之至少一實施形式，光電組件包括半導體層序列。較佳是，光電組件包括III-V-化合物半導體材料。III-V-化合物半導體材料特別適合用來在紫外線(Al_x In_y Ga_1-x-y N)中經由可見光(Al_x In_y Ga_1-x-y N，特別是藍色至綠色輻射，或Al_x In_y Ga_1-x-y P，特別是黃色至紅色輻射)直至紅外線(Al_x In_y Ga_1-x-y N As)的光譜區域中產生輻射。此處，各別適用的範圍是0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1，特別是x≠1,y≠1,x≠0及/或y≠0。

依據本方法之至少一實施形式，該終端載體是一種導線架複合物，特別是金屬架複合物。在該終端載體上可配置多個光電組件。該終端載體可包括至少一終端導體區，其中在每一終端導體區中可分別配置一光電組件。該終端導體區是一種形成有終端導體的區域。特別是，在該終端導體區中可形成終端導體，其在光電組件之製造過程的期間及/或在該光電組件製成之後可形成為該光電組件之電性連接用的終端。

依據本方法之至少一實施形式，測量至少一光電組件之至少一電光特性。例如，光電組件之電光特性是該光電組件發出之電磁輻射之亮度、色度座標(chromaticity coordinate)或光譜。由於所測得的電光特性，可決定該光電組件之其它特性。例如，至少可決定該光電組件中或該光電組件之至少一部份中至少一種形式之電荷載體的壽命。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使第一繞組和第二繞組在橫向中互相隔開而配置著。所謂橫向此處特別是指一種與第一繞組及/或第二繞組之對稱軸垂直的方向且特別是指一種與由第一繞組及/或第二繞組產生的磁場之對稱軸成垂直的方向。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使橫向中第一繞組之中間軸和第二繞組之中間軸之間的距離介於1公厘和10公分之間，較佳是介於1公分和5公分之間。較佳是，此二個中間軸分別與所述二個繞組的對稱軸疊合。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使流經第一繞組之電流係與流經第二繞組之電流成比例。較佳是，第一繞組和第二繞組互相串聯，使流經第一繞組之電流等於流經第二繞組之電流。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使交流電流分別流過第一繞組和第二繞組。例如，在該二個繞組上分別施加交流電壓。較佳是，該交流電壓是高頻電壓。該高頻電壓之頻率例如是1MHz至10GHz，更佳是10MHz至1GHz，且特別佳是25MHz至500MHz。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使第一繞組內部中的磁場反向平行於第二繞組內部中的磁場。此種特性可限制在特定有限的時間區段中。較佳是，第一繞組內部中的磁場在大於所述二個繞組中使用的交流電流之時間週期的90%之期間，特別佳是在整個週期的期間，即，在進行本方法之期間的每一時間點，都反向平行於第二繞組內部中的磁場。較佳是，此處藉由第一繞組而產生交變電磁場之與第二繞組中產生者成反相的成份。於是，由所述二個繞組而在終端載體中感應二種流向相反的電流，較佳是二種具有相反旋轉概念之電流。於此，一個電磁振盪電路或多個電磁振盪電路只在該終端載體之縮減的面積區域中受到激發。較佳是，本實施形式中第一和第二繞組具有相同數目的線圈。

藉由電磁振盪電路之位置有限的激發，則可測量或觀察各別的光電組件之電光特性，此時不會使配置在相同的終端載體上的相鄰之光電組件受到激發而同樣都不會發出電磁輻射。藉由所述二個繞組之適當的定位，則特別是可使所述二個繞組中感應的電壓正好相加，以準確地使光電組件發光。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使第一繞組內部中的磁場平行於第二繞組內部中的磁場。此種特性可限制在特定有限的時間區段中。較佳是，第一繞組內部中的磁場在大於所述二個繞組中使用的交流電流之時間週期的90%之期間，特別佳是在整個週期的期間，即，在進行本方法之期間的每一時間點，都平行於第二繞組內部中的磁場。因此，較佳是在第一繞組中產生交變電磁場之與第二繞組中產生者成相同相位的成份。於是，由所述二個繞組而在終端載體中感應二種同步運行的電流，較佳是二種具有相反旋轉概念之電流。於此，一個電磁振盪電路或多個電磁振盪電路在該終端載體之擴大的面積區域(除了中央區以外)中受到激發。該中央區中電磁振盪電路未受激發或只有一個此種具有不足夠高的電流且配置在該中央區周圍之光電組件受到激發以產生電磁輻射。本實施形式中第一和第二繞組具有不同數目的線圈。

由於電磁振盪電路之位置有限的激發，則可測量或觀察多個例如環形配置的光電組件之電光特性，但至少一個配置在中央的組件明確地保持未被激發。

依據本方法之至少一實施形式，其設計成使隨時間變化的交變電磁場之由第一繞組產生的第一成份和隨時間變化的交變電磁場之由第二繞組產生的第二成份分別不適合用來：激發該光電組件或該些光電組件之一以產生電磁輻射。例如，分別由二個繞組之一而感應的電壓可小於光電組件之前向偏壓。

依據至少一實施形式，第一繞組及/或第二繞組分別形成為平面繞組，例如，形成為下述之平面繞組。

依據至少一實施形式，第一繞組及/或第二繞組具有同心線圈。換言之，相關的繞組之每一線圈在製程容許度之範圍中具有相同的中央點或重心。一繞組之線圈例如當其是導線繞組時全部都可具有相同的周長。或是，線圈之周長亦可改變，例如，各別相鄰之線圈之間該周長可連續地縮減。

依據至少一實施形式，第一繞組及/或第二繞組具有可相對移動的線圈。例如，在製程容許度之範圍中相關的線圈之中央點或重心相鄰地位於一在橫向中延伸的直線上。例如，相關的繞組包括n個線圈，其中n是大於1的整數。於是，每一第m(1<m<n)個線圈之中央點或重心例如相對於第m-1個線圈之中央點或重心在橫向中移動一區段△x。第m+1個線圈之中央點或重心較佳是相對於第m個線圈之中央點或重心在相同的橫向中特別優先地移動同樣大的區段△x。例如，△x之值介於1公厘(含)和10公厘之間。

依據至少一實施形式，每一第m個線圈之周長小於每一第m-1個線圈之周長。即，線圈之周長連續地減小。例如，每一第m個線圈之周長是第m-1個線圈之周長的最多90%或最多70%或最多50%。例如，由一線圈之周長至下一線圈之周長所縮減之值係介於2公厘(含)和20公厘之間。

依據至少一實施形式，第一及/或第二繞組具有：線圈密度較高或最大之一區域；以及橫向中相面對的另一區域，其具有較低或最小的線圈密度。較佳是，該一區域中的線圈密度是該相面對的另一區域之至少3倍或至少5倍或至少10倍或至少20倍。這例如可藉由「該些線圈之中央點或重心可相對移動且同時使該些線圈之周長縮減」來達成。沿著橫向中的直線該些中央點或重心可互相移動，線圈密度因此可沿著該直線增加或減少。該直線例如切開線圈密度較高之區域及線圈密度較低之區域。

依據至少一實施形式，第一繞組及第二繞組具有可相對移動的線圈。較佳是，該二個繞組之線圈之中央點或重心位在橫向中之共同的直線上。較佳是，第一繞組及第二繞組分別具有線圈密度較高的一區域及線圈密度較低的另一區域。第一及第二繞組之具有較高線圈密度的該些區域較佳是互相面對著，具有較低線圈密度的該些區域較佳是互相遠離。以此方式，可使該終端載體之用於激發電磁振盪電路的面積進一步下降。

例如，第一繞組之周長最小之線圈的中央點或重心與第二繞組之周長最小之線圈的中央點或重心之距離係介於0.5公厘(含)和5公厘之間。

依據用於檢測至少一配置在終端載體上的光電組件之第二方法的至少一實施形式，本方法包括：激發至少一電磁振盪電路，其係由至少一光電組件和該終端載體形成，使該至少一光電組件受到激發而發出電磁輻射。於此，該電磁振盪電路之激發包括：由平面繞組產生一種隨時間變化的交變電磁場，因此在該電磁振盪電路中感應交流電壓。

該平面繞組典型上至少以區域方式具有阿基米德螺線之形式。較佳是，該平面繞組具有至少二個線圈，特別佳時具有至少五個線圈。該平面繞組例如可具有大於1平方公分之面積，較佳是大於10平方公分。該平面繞組可選擇地具有鐵氧體磁心。

由於使用平面繞組，則可使隨時間變化的交變電磁場達成高的場強度及較良好的成束作用。因此，可使光電組件感應地受到激發而發光，就此而言具有傳統線圈幾何形式的繞組之場強度和場密度不足以造成發光現象。同樣，由於較強的場成束作用，所需的激發功率可下降，在很多情況下可下降大約10%。

該平面繞組可由捲繞之金屬線形成。或是，其可由結構化的電路板形成。以電路板為主的平面繞組可較簡易地在製程中有利地亦以較少的件數製成且可各別地依據該終端載體，特別是導線架複合物，之幾何形式來調整。此外，此種平面繞組之可再生性較以手工捲繞的繞組大很多。

依據本方法之至少一實施形式，須測量至少一光電組件之至少一電光特性。例如，光電組件之電光特性是該光電組件發出之電磁輻射之亮度、色度座標或光譜。由於所測得的電光特性，則可決定該光電組件之其它特性。例如，至少可決定該光電組件中或該光電組件之至少一部份中至少一種形式的電荷載體之壽命。

本發明另外涉及一種用於使光電組件最佳化的方法。依據至少一實施形式，本方法包括：進行本發明之二種用於檢測光電組件的方法之一、該光電組件之已測得的至少一電光特性須與一額定值作比較、以及由於該比較而修改該光電組件。此修改可特別包括：依據該額定值來調整該電光特性。可選擇地或額外地，本方法可包括：由於已測得的電光特性而對光電構件進行分類。

可選擇地或額外地，本方法另外可包括：由於已測得的電光特性與額定值作比較而調整一製程步驟。此製程步驟特別是：施加一種轉換材料至LED上，特別是產生白光的LED。此LED例如可包括殼體、藍色半導體晶片、一種轉換材料及情況需要時包括其它的澆注材料。

因此，該光電組件之電光特性較佳是該光電組件發出之電磁輻射的色度座標。較佳是，在施加該轉換材料時該轉換材料之量及/或該轉換材料中含有的轉換物質之濃度係依據已測得的色度座標來調整，以達成已製成的LED之所期望的彩色特性及/或實現較狹窄的彩色分佈。雖然由LED發出之電磁輻射的光譜具有輕微的溫度相關性且該LED由於以高頻電壓來激發而增溫，但色度座標仍可藉由本發明的方法而足夠準確地被決定。在施加該轉換材料之後，光電組件例如可設有殼體或光學元件。若多個光電組件配置在該終端載體上，則隨後可劃分由該終端載體和多個光電組件構成的複合物。於是，共同的終端載體劃分成多個終端載體，使已製成的光電組件分別具有一終端載體。

本發明另外涉及一種用於檢測光電組件的裝置。依據至少一實施形式，此裝置包括：一終端載體，其上配置著至少一光電組件；以及用於激發一電磁振盪電路之手段，該電磁振盪電路包括該終端載體和至少一光電組件。於此，該手段包括一平面繞組或一第一繞組和一第二繞組。

上述裝置較佳是另外包括一測量裝置，其設計成用於測量該光電組件之至少一電光特性。

上述裝置特別適合用於進行下述的上述方法。與上述方法結合而達成的特徵因此亦可用於上述裝置中且反之亦同。

其它優點、有利的實施形式和其它方式由以下結合各圖式所描述的各實施例中可得知。

10‧‧‧組件

12‧‧‧終端導體區

14‧‧‧中央區

16‧‧‧第一終端導體

18‧‧‧第二終端導體

20‧‧‧第三終端導體

22‧‧‧第四終端導體

24‧‧‧第一居間區

26‧‧‧第二居間區

28‧‧‧第三居間區

30‧‧‧第四居間區

32‧‧‧第一橋接區

34‧‧‧第二橋接區

36‧‧‧接合線

38‧‧‧第一電磁振盪電路

39‧‧‧第二電磁振盪電路

40‧‧‧交變電磁場

42‧‧‧第一繞組

43‧‧‧磁場

44‧‧‧第二繞組

45‧‧‧磁場

46‧‧‧電性接觸區

48‧‧‧電壓

50‧‧‧電壓

52‧‧‧平面繞組

52-1‧‧‧第一平面繞組

52-2‧‧‧第二平面繞組

54‧‧‧鐵氧體磁心

100‧‧‧終端載體

第1圖係終端載體之第一實施例的俯視圖，用於檢測光電組件的方法可用在該終端載體上。

第2圖係終端載體之第二實施例的俯視圖，用於檢測光電組件的方法可用在該終端載體上。

第3圖係用於檢測光電組件的方法之第一實施方式。

第4圖係用於檢測光電組件的方法之第二實施方式。

第5圖和第6圖係磁場之由二個繞組產生的成份。

第7圖和第8圖係分別為檢測光電組件的方法之另一實施方式中所使用的平面繞組。

第9圖至第12圖係平面繞組之其它的實施形式。

各圖式中相同、相同形式或作用相同的各元件分別設有相同的參考符號。各圖式和各圖式中所示的各元件之間的大小比例未必依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理解，各別的元件已予放大地顯示出。

圖中以圓圍繞的叉號顯示一種磁場，其在一特定時間點指向圖面內部。然而，目前使用的磁場會隨著時間而改變，且在特定時間點指向圖面內部的磁場可在另一時間點由圖面指出。只顯示標準的相關磁場線。

第1圖顯示終端載體之整體以100表示之第一實施例，用於檢測光電組件的方法可使用在此終端載體上。終端載體100例如是一種由金屬構成的導線架複合物，其上配置著光電組件10。終端載體100包括三個終端導體區12，其互相以規則的距離配置著且分別具有相同的結構和方位。每一終端導體區12包含一中央區14以及第一至第四終端導體16、18、20、22，其分別具有相同的寬度，其中第一終端導體16和第二終端導體18分別配置在中央區14之第一側且第三終端導體20和第四終端導體22分別配置在中央區14之與第一側相面對的第二側。中央區14之第一側上在第一終端導體16和第二終端導體18之間分別存在著第一居間區24，且在中央區14之第二側上在第三終端導體20和第四終端導體22之間分別存在著第二居間區26，其具有與第一間區24相同的寬度。此外，在每一終端導體區12中，中央區14之第二側上該第四終端導體22分別藉由第三居間區28而與中央區14相隔開；第一至第三終端導體16、18、20分別直接連接至中央區14。

該些終端導體區12整體上藉由第四居間區30而互相隔開。第三居間區28之寬度小於第一和第二居間區24、26之寬度且第一和第二居間區24、26之寬度小於第四居間區30之寬度。終端載體100另外包括第一橋接區32和第二橋接區34，其配置在終端導體區12之相面對的側面上。每一終端導體區12中，中央區14之第一側上第一和第二終端導體16、18分別與第一橋接區32相連接，且中央區14之第二側上第三和第四終端導體20、22分別與第二橋接區34相連接。第一和第二橋接區32、34因此形成該些終端導體區12之間的導電性連接。

每一終端導體區12之中央區14上分別配置一光電組件10，其一終端係與中央區14形成直接之電性接觸。中央區14因此作為光電組件10之終端用的第一終端區。光電組件10之第二終端通常經由接合線36越過第三居間區28而與第四終端導體22相連接。第四終端導體22因此作為光電組件10之終端用的第二終端區。因此，光電組件10、接合線36、第四終端導體22、第二橋接區34之一部份、第三終端導體20及中央區14之一部份此時形成電磁振盪電路38。由於電磁振盪電路38形成在第二居間區26之周圍，則存在於第二居間區26之周圍的電感和電容係用於電磁振盪電路38中。藉由存在於第二居間區26中的隨時間變化的磁場40，則可在電磁振盪電路38中感應一種交流電壓。

第1圖中另外純舉例地顯示第二電磁振盪電路39，其由終端載體100之另一區域形成，該另一區域包括二個相鄰的光電組件10。於是，應可辨認出：一方面依據終端載體100及配置於其上的光電組件10之幾何形式且另一方面依據磁場強度之空間分佈以及該交變場之頻率可激發多個光電組件10以發出電磁輻射。於是，該些光電組件10之間各別發出之輻射的強度可明顯地改變。例如，電磁振盪電路39可由多個終端導體和橋接區之一些部份形成。類似於電磁振盪電路38中的情況，存在於第二居間區26之(其它)周圍中的電感和電容係用於電磁振盪電路39中。由於存在於第二居間區26中之隨時間變化的磁場40，則可在電磁振盪電路39中又感應一種交流電壓。於是，可激發二個被包含在內的相鄰之光電組件10以發出電磁輻射。

第2圖顯示終端載體之整體以100表示之第二實施例，本發明的方法可使用在此終端載體上。終端載體100例如同樣是一種由金屬構成的導線架複合物，其上亦配置著光電組件10。與第1圖所示的實施例相比較下，終端載體100具有另一種幾何形式。更正確而言，每一終端導體區12包括二個終端導體16、18，其形成為橫向中互相隔開的導線架。終端導體之邊緣區例如可形成為框架形式，該邊緣區未顯示在第2圖中，然而，其同樣是振盪電路的一部份，即，其可由電流流過。

第3圖示意地顯示一種用於檢測光電組件的方法之第一實施方式，其顯示第2圖中所示的終端載體100，其上或其下配置著一種雙繞組，其包括第一繞組42和第二繞組44。只示意地顯示雙繞組42、44之配置。雙繞組42、44產生一種隨時間變化的交變電磁場，其在終端載體100之一局部區中感應交流電壓且藉此而激發一電磁振盪電路。此電磁振盪電路之激發因此以類似於與第1圖相結合而描述的方式來進行。第一繞組42和第二繞組44在橫向中互相隔開，更正確而言係在平行於終端載體100之主延伸面且垂直於所述二個繞組42、44之中央軸或對稱軸之方向中互相隔開。橫向中第一繞組42之中央軸和第二繞組44之中央軸之間的距離因此係介於1公厘和10公分之間，較佳是介於1公分和5公分之間。

第一繞組42和第二繞組44互相串聯且在操作時分別流過相等的交流電流。可選擇地，第一繞組42和第二繞組44亦可分別捲繞在鐵氧體磁心周圍，以達成較佳的磁場成束作用(未顯示)。

較佳是，第一繞組42之中央軸和第二繞組44之中央軸之間的距離基本上等於該些終端導體區12之一的寬度B的二倍。於是，可將所述二個繞組42、44配置在二個終端導體區12下方，使一配置在其間的終端導體區位於所述二個繞組42、44之間的中央。配置在終端導體區中的光電組件因此可選擇式地被激發以發出電磁輻射或可選擇式地未被激發，這是依據第一繞組42之內部中的磁場是否平行地或反向平行地對準第二繞組44之內部中的磁場而定

第4圖示意地顯示一種用於檢測光電組件的方法之第二實施方式。本實施方式中，除了繞組42、44以外另設有電性接觸區46，例如，針狀接觸區或尖形接觸區，其配置成使終端載體100中產生短路途徑。於是，可獲得確定的電流途徑且例如使不期望的漏電流途徑縮短。

第5圖和第6圖示意地顯示由所述二個繞組42、44產生之磁場43、45之成份。所述二個繞組42、44以互相成相反的旋轉概念捲繞著，使第一繞組42之內部中的磁場43持續地對準成反向平行於第二繞組44之內部中的磁場45。於是，由所述二個繞組在終端載體中感應二種具有相反的旋轉概念之電壓48、50，其在所述二個繞組42、44之間的中央的區域中相加。因此，一個電磁振盪電路或多個電磁振盪電路只在終端載體之縮減的面積區域中被激發或該處只以感應的電壓來激發，所述感應的電壓適合用於激發光電組件以發出電磁輻射。

第7圖示意地顯示一平面繞組52，其使用在用於檢測光電組件的方法之第三實施方式中。平面繞組52係由捲繞的金屬導線形成、具有阿基米德螺線的形式且目前情況中具有四個線圈。由於線圈的數目較多，可達成更佳的場成束作用。另一方式或額外地，亦可藉由鐵氧體磁心54使所產生的場強度在平面繞組52之中央被放大(請參閱第8圖)。

第9圖至第11圖顯示多個實施形式，其中藉由結構化的電路板而形成平面繞組52。此種配置特別可藉由電路板之光化學蝕刻而製成。依據構件大小和可使用的位置，亦可使用鐵磁元件來進行額外的場成束作用。

第10圖和第11圖於此顯示特殊的實施形式，其中可選擇式地激發該終端載體上的一個或少量的光電組件，這是藉由「二個平面繞組52-1和52-2係由結構化的電路板形成」來達成。各個線圈於此可具有圓形或矩形的基本形式。依據平面繞組52-1和52-2之線圈的旋轉概念及其在操作期間所流過的電流，則例如可在其內部中產生互相平行或反向平行的磁場。

第12圖中顯示二個平面繞組52-1、52-2，其分別具有偏移的線圈。因此，該些線圈的重心分別沿著一直線而相鄰近地配置著。此外，二個平面繞組52-1、52-2中該些線圈的周長分別沿著該直線而縮減。於是，可使所述二個平面繞組52-1、52-2分別具有：一具有較高線圈密度之區域和一具有較低線圈密度之區域。所述二個平面繞組52-1、52-2之具有較高線圈密度之區域互相面對著，具有較低線圈密度之區域互相遠離。

不同於第12圖所示者，具有偏移的線圈之所述二個繞組未必是平面繞組而是亦可為以傳統線圈技術製成的繞組。

本發明不限於依據各實施例所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各請求項中各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各請求項中或各實施例中時亦屬本發明。

本專利申請案主張德國專利申請案10 2015 101 671.0之優先權，其已揭示的整個內容收納於此以作為參考。

42‧‧‧第一繞組

43‧‧‧磁場

44‧‧‧第二繞組

45‧‧‧磁場

Claims

一種用於檢測至少一配置在終端載體(100)上之光電組件(10)的方法，包括：激發至少一電磁振盪電路(38、39)，其係由至少一光電組件(10)和該終端載體(100)形成，使該至少一光電組件(10)受到激發以發出電磁輻射，其中所述電磁振盪電路(38、39)之激發包括：所述電磁振盪電路(38、39)中經由第一繞組(42)及經由第二繞組(44)以產生一種隨時間變化的交變電磁場(40)而感應一種交流電壓。
如請求項1的方法，其中該第一繞組(42)及該第二繞組(44)配置成在橫向中互相隔開。
如請求項1或2的方法，其中該第一繞組(42)之中央軸及該第二繞組(44)之中央軸之間在橫向中的距離係介於1公厘和10公分之間。
如請求項1至3中任一項的方法，其中流經該第一繞組(42)的電流係與流經該第二繞組(44)的電流成比例。
如請求項1至4中任一項的方法，其中該第一繞組(42)及該第二繞組(44)都由交流電流流過。
如請求項1至5中任一項的方法，其中該第一繞組(42)之內部中的磁場係反向平行於該第二繞組(44)之內部中的磁場。
如請求項1至5中任一項的方法，其中該第一繞組(42)之內部中的磁場係平行於該第二繞組(44)之內部中的磁場。
如請求項1至7中任一項的方法，其中該隨時間變化的交變電磁場之由該第一繞組(42)產生的第一成份及該隨時間變化的交變電磁場之由該第二繞組(44)產生的第二成份分別不適合用於：激發該光電組件以發出電磁輻射。
如請求項1至8中任一項的方法，其中- 所述二個繞組(42、44)之每一個繞組都具有：線圈密度較高之一區域；以及橫向中相面對的另一區域，其具有較低的線圈密度，- 所述二個繞組(42、44)之具有較高線圈密度的該些區域互相面對著且所述二個繞組(42、44)之具有較低線圈密度的該些區域互相遠離。
一種用於檢測至少一配置在終端載體(100)上之光電組件(10)的方法，包括：- 激發至少一電磁振盪電路(38、39)，其係由至少一光電組件(10)和該終端載體(100)形成，使該至少一光電組件(10)受到激發以發出電磁輻射，以及- 測量該至少一光電組件(10)之電光特性，其中所述電磁振盪電路(38、39)之該激發包括：所述電磁振盪電路(38、39)中經由一平面繞組(52)以產生一種隨時間變化的交變電磁場(40)而感應一種交流電壓。
如請求項10的方法，其中該平面繞組(52)至少以區域方式具有阿基米德螺線之形式。
如請求項10或11的方法，其中該平面繞組(52)具有至少二個線圈。
如請求項10至12中任一項的方法，其中該平面繞組(52)具有鐵氧體磁心。
如請求項10至13中任一項的方法，其中該平面繞組(52)係由捲繞的金屬導線形成。
如請求項10至14中任一項的方法，其中該平面繞組(52)係由結構化的電路板形成。
如前述請求項中任一項的方法，其中測量所述至少一光電組件(10)之至少一電光特性。
一種用於檢測光電組件(10)的裝置，包括：- 一終端載體(100)，其上配置著待測量的光電組件(10)，以及- 用於激發電磁振盪電路(38、39)之手段(42、44、52)，所述電磁振盪電路(38、39)包括該終端載體(100)和該至少一光電組件(10)，其中所述手段包括第一繞組(42)和第二繞組(44)。
如請求項17的裝置，其中所述第一繞組(42)和第二繞組(44)分別形成為平面繞組。
一種用於檢測光電組件(10)的裝置，包括：- 一終端載體(100)，其上配置著待測量的光電組件(10)，以及- 用於激發電磁振盪電路(38、39)之手段(42、44、52)，所述電磁振盪電路(38、39)包括該終端載體(100)和該至少一光電組件(10)，其中所述手段包括一平面繞組(52)。
如請求項17至19中任一項的裝置，其中所述第一繞組(42)和第二繞組(44)或該平面繞組(52)係由結構化的電路板形成。