TW201636451A - 用於基板熱處理之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種用於處理一或數個基板(2)之裝置及方法，包括製程室(3)及基座(1)，該基座可被具有數個分區加熱裝置(4')之加熱裝置(4)加熱，其中第一分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第一區域(A)，並且第二分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第二區域(B)，其中每個區域(A、B)皆對應一調節裝置(5)，該調節裝置之調節變數為藉由至少一測溫裝置(6)於相應區域(A、B)之第一面(1')所測得的溫度，藉由對提供給對應之分區加熱裝置(4')的加熱功率進行控制，來將該溫度調節至標稱值。本發明提出：該第二區域(B)之調節變數為該基板(2)之自由表面的溫度，且進一步測量該基座(1)之第一面(1')的自由表面在該第二區域(B)之溫度，並且對應於該第一區域(A)之該調節裝置(5)的標稱值在該基座(1)之第一面(1')的自由表面在該第二區域之溫度的值中具有至少一份額。

Description

用於基板熱處理之裝置及方法
本發明係有關於一種用於處理一或數個基板之裝置，包括製程室及基座，該基座具有指向該製程室且用於容置該一或數個基板之第一面及背離該第一面之第二面，該第二面可被具有數個分區加熱裝置之加熱裝置加熱，其中第一分區加熱裝置加熱該基座之第一區域，並且第二分區加熱裝置加熱該基座之第二區域，其中每個區域皆對應一調節裝置，該調節裝置之調節變數為藉由至少一測溫裝置於相應區域之第一面所測得的溫度，藉由對提供給對應之分區加熱裝置的加熱功率進行控制，來將該溫度調節至標稱值。
此外，本發明係有關於一種在製程室中處理一或數個基板之方法，其中基座之指向該製程室的第一面承載一或數個基板，並且背離該第一面之第二面被具有數個分區加熱裝置之加熱裝置加熱，其中第一分區加熱裝置加熱該基座之第一區域，並且第二分區加熱裝置加熱該基座之第二區域，其中每個區域皆對應一調節裝置，該調節裝置之調節變數為藉由至少一測溫裝置於相應區域之第一面所測得的溫度，藉由對提供給對應之分區加熱裝置的加熱功率進行控制，來將該溫度調節至標稱值。
DE 10 2013 109 155及DE 10 2013 114 412描述用於 處理基板之裝置及方法，其中基板平放於基座之第一面上，該第一面形成製程室底部。基座背面被加熱裝置加熱。該加熱裝置形成數個分區加熱裝置，用該等分區加熱裝置加熱若干呈環形圍繞基座中心佈置之區域。徑向內側區域被基板覆蓋。該等區域形成整圓面，該等整圓面具有被基板覆蓋之表面段以及位於該等表面段間且未被基板覆蓋之表面段。徑向外側區域具有至少一未被基板覆蓋之整圓段。徑向外側區域亦可完全不被基板覆蓋，而是僅具有自由基座表面。
如DE 10 2012 101 717 A1所述，在根據該發明之具有前述結構的裝置中，進一步設有進氣機構，該進氣機構具有形成製程室頂部之排氣面。製程氣體透過排氣面進入製程室。該等製程氣體為藉由載氣(例如氫氣)被導入製程室之起始材料。該等起始材料在經加熱之基板的表面分解，但亦在基座之位於基板間的自由表面分解。分解產物相互作用，從而在基板上沉積一層，但亦在自由表面段上沉積塗層。如何在整個塗佈程序期間不形成明顯之橫向溫度梯度地將基板之表面溫度調節至標稱溫度，具有一定的技術挑戰性。
為此，WO 97/28669描述一種可用來單獨調節每個分區加熱裝置之調節裝置。用測溫裝置(例如高溫計)測量基板表面溫度或自由基座表面之表面溫度。該案基於一調節裝置，該調節裝置依照主從原則，在一溫度區域內按預設標稱值調節溫度，並且在與之相鄰的區域內按另一區域之實際值調節溫度。
US 6,492,625 B1同樣揭露一種CVD塗佈裝置，包括數個徑向並置之加熱區，該等加熱區分別具有加熱裝置及測溫裝 置。平放於基座上之晶圓的基板溫度被用作調節變數，以便使此溫度保持配方所規定之標稱值。藉由高溫計在此加熱區內進一步測量基座表面所發射之輻射。徑向外側區域及徑向內側區域亦設有此種基座高溫計，以在該等區域內測量基座所發射之輻射。該案亦依照主從系統，藉由將基座溫度與基座區域之自由表面所發射的輻射進行比較，來調節提供給徑向外側加熱區及徑向內側加熱區之加熱功率，使得所有區域皆為同樣的基座溫度。
WO 99/57751描述一種裝置及一種方法，其中待塗佈基板平放於基座上。該基座上下各被一受單獨調節之加熱裝置加熱。為此使用基板高溫計及基座高溫計，基板高溫計接收基板所發射之輻射，基座高溫計接收基座所發射之輻射。
US 5,790,750揭露一種相似的CVD裝置，其中基座以其指向上方的頂面承載基板且上下皆被紅外線輻射器加熱。該案亦設有兩個高溫計，其中一高溫計測量基板溫度，另一高溫計測量基座溫度。
US 2012/0221138同樣揭露一種CVD塗佈裝置，包括數個分區加熱裝置、對應於每個分區加熱裝置之測溫裝置及調節裝置，其中該等數個調節裝置由中央控制裝置控制。
US 5,875,416描述一種CVD反應器，包括設於反應器殼體中之基板載具及設於反應器殼體外部之加熱器，該加熱器用於加熱基板載具。設於反應器殼體上之第一感測器為調節裝置提供調節變數，以便將此溫度調節至標稱值。第二感測器直接與基板載具配合作用，藉由該第二感測器獲得校正值，用該校正值修正標稱值。該校正值為測溫裝置所測得的兩個測量值之差。
根據該發明之裝置僅可在徑向內側加熱區內，將測得之基板表面溫度用來調節分區加熱裝置。在徑向外側加熱區則無法實現此點。
在根據該發明之裝置中，製程室頂部被主動冷卻，從而使得加熱裝置與製程室頂部之間形成較大的溫度梯度。其結果為，基板表面溫度通常低於基座之位於基板間之自由表面段的表面溫度。在徑向內側區域，對應測溫裝置所測得之基板溫度可用作指令變數。由於徑向外側區域未設基板，該處不存在性質對等的指令變數。
本發明之目的在於提出若干能使該基座之第一區域的表面保持程序最佳化值之措施。
該目的透過申請專利範圍所給出之發明而達成。附屬項為本發明之有益改良方案，但亦為達成該目的之獨立解決方案。
首先且主要提出：該第二區域之調節變數為該處之基板之自由表面的溫度。進一步提出，亦測量該基座之第一面的自由表面在該第二區域之溫度。分別使用配方所規定之同樣的標稱值來調節第一及第二加熱區之溫度。在第二區域按此標稱值調節基板溫度。為了調節基座之表面溫度，在第一加熱區用校正值修正此標稱值。此校正值為在第二區域所測得的基座表面溫度與基板表面溫度之差。將此校正值與配方所規定之標稱值相加。第一區域之標稱溫度一定程度上並非為基座之自由表面的溫度，而是第一區域之假想基板表面溫度。以下述方式計算假想基板溫度：求得在第二區域測得的基座表面溫度與在第二區域測得的基板表面溫度之差，此差歸 因於製程室內之溫度梯度。其優點在於可用規定了統一調節溫度的配方進行工作。在被基板覆蓋之該或該等區域內將基板表面溫度調節至此溫度。在未被基板覆蓋之區域內以上述差修正標稱溫度。測得之基板表面溫度與測得之基座表面溫度間的此溫差會在沉積程序實施過程中發生變化。該溫差會變大，但亦會變小。其原因主要在於基座之自由表面的發射率會發生變化，因為該自由表面在沉積程序實施過程中被反應產物覆蓋。基板表面之發射率亦會變化。既間歇調整標稱值，亦連續調整標稱值。本發明之裝置可具有以下補充性特徵：該基座可受驅動而繞旋轉軸旋轉，故該等區域為環繞該旋轉軸之整圓區。該測溫裝置可為高溫計。該測溫裝置可採用能快速地依次提供數個測量值之設計與佈置方式。此等測量值較佳處於掃描路徑上。該掃描路徑為環繞基座之旋轉軸的整圓線。此掃描路徑在較佳為徑向外側區域之第一區域內僅在基座之自由表面延伸，該基座可由石墨或包覆石墨構成。在一或數個作為徑向內側區域的其他區域內，該掃描路徑既在被基板覆蓋之基座區段上延伸，亦在未被基板覆蓋之基座區段上延伸，因而藉由相應之測溫裝置，既能測定基板表面溫度，亦能測定基座之自由表面的表面溫度。每個區域僅需設置一個測溫裝置。各測溫裝置在徑向位置上測量表面溫度。根據基座的旋轉位置，該表面溫度為基板之表面溫度或者為基座之表面溫度。測溫裝置可藉由旋轉角感測器加以區分，所記錄的測量點是對應基板表面之測量值還是對應基座表面之測量值。亦可根據測量值大小來區分該二溫度，因為基板溫度低於基座溫度。可用來實施該方法之溫度值較佳係藉由求得數個溫度測量單值的平均值而形成。其中可透過基座旋轉一整圈、基座完整旋轉數圈或 者基座僅旋轉不滿一整圈來求得該平均值。因此，藉由同一測溫裝置既能測量一或數個設於該區域之基板的表面溫度，亦能測量此區域內之自由表面段的溫度。故，每個區域僅對應一個測溫裝置(例如高溫計)，即已足夠。基座呈圓盤形且具有數個基板載位。該等載位可為形成於基座表面之圓形凹陷。該等載位亦可由支座界定，該等支座具有供基板之邊緣段貼靠的側邊。根據本發明之較佳技術方案，對應於第一區域之調節裝置的標稱值與基座之第一面的自由表面在第二區域之溫度相當。因此，第一區域之標稱值以基座表面溫度與基板表面溫度之差的程度小於第二區域之調節裝置的標稱值。該二區域較佳直接相鄰。該加熱裝置可採用紅外線加熱器(例如電阻加熱器)或射頻加熱器。該加熱裝置加熱基座之第二面，該第二面與被測量表面溫度的第一面相對設置。較佳設有兩個以上可被單獨加熱之區域，例如三個或四個加熱區，其中第三及第四加熱區在性質上與第二區域相似。基座之較佳呈圓環形的相關表面部分被基板覆蓋。該表面亦具有基座之自由表面段。該等感測器為高溫計，例如紅外線高溫計。亦可為雙色高溫計，即兩色高溫計或雙波長高溫計。亦可使用單色高溫計或者在偵測器發射波長下進行反射率測量的主動發射率補償型高溫計。亦可使用紫外線高溫計。基座受驅動而旋轉以求溫度平均值及生長率平均值。加熱裝置及特別構造為蓮蓬頭之進氣機構則不隨基座一同旋轉，而是位置固定地對應於反應器殼體。該等高溫計(即測溫裝置)同樣位置固定地對應於反應器殼體。其可設於進氣機構背面。進氣機構可具有窗口，透過該等窗口進行測量。特別地，透過進氣機構之排氣孔進行測量。以相當窄的時鐘頻率記錄沿旋轉基座之圓弧上的溫度時間特性曲線。舉 例而言，每轉一圈可獲得500至1000個資料採集點。以一定的時間跨度為單位或者例如以每轉一圈為單位求得所採集之測量值的平均值。此外，測定標稱溫度之溫度偏差以調節第一區域時，不僅使用第二區域之溫度測量值，亦使用第三或第四區域之溫度測量值，其中此等測量值仍包含有基板表面之溫度值及自由基座表面之溫度值。本發明使用高溫計來實現分區調節，並且用另一感測器之計算校正值校正其中一感測器之溫度值。計算差值一定程度上在徑向外側區域上映射虛擬基板之效果。第一區域較佳與第二區域直接相鄰。但亦可在第一區域與第二區域間設置其他區域。
以下結合所附圖式闡述本發明之實施例。
1‧‧‧基座
1'‧‧‧頂面
1"‧‧‧底面
2‧‧‧基板
3‧‧‧製程室
4‧‧‧加熱裝置
4'‧‧‧分區加熱裝置
5‧‧‧調節裝置
6‧‧‧測溫裝置
7‧‧‧排氣孔
8‧‧‧旋轉軸
9‧‧‧掃描路徑(掃描線)
10‧‧‧進氣機構
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
C‧‧‧區域
D‧‧‧區域
T基板‧‧‧溫度
T基座‧‧‧溫度
T基板2‧‧‧溫度
T基座2‧‧‧溫度
T基座3‧‧‧溫度
T基座4‧‧‧溫度
圖1為第一實施例之CVD反應器的製程室橫截面；圖2為圖1所示基座1之第一面1'的視圖；圖3為第二實施例如圖2之視圖；及圖4為第三實施例如圖2之視圖。
在圖中未示出之氣密反應器殼體中，設有製程室3。由石墨構成之基座1的第一面1'形成製程室3之底部。基座1可繞旋轉軸8旋轉，且為此而繞未示出之旋轉驅動器旋轉。
在基座1上方設有進氣機構10之排氣面，該排氣面向上界定製程室3。進氣機構10為一蓮蓬頭，該蓮蓬頭具有被提供製程氣體之容腔。製程氣體經排氣孔7排出至製程室3。
在基座1下方設有加熱裝置4。加熱裝置4可為紅外 線熱源，該紅外線熱源加熱由石墨構成之基座1的底面1"。透過基座1的熱傳導，基座1之頂面1'及平放於基座1之頂面1'上的基板2被加熱。進氣機構10之排氣面被主動冷卻，從而使得加熱裝置4與進氣機構10之間形成豎向溫度梯度。此豎向溫度梯度致使基板2之表面溫度低於基座1之第一面1'之位於基板2間的自由區段之表面溫度。
在圖1及圖2所示之實施例中，圓盤形基座1共具有三個區域A、B、C，該等區域在空間上各對應一分區加熱裝置4'。分區加熱裝置4'為繞旋轉軸8同軸佈置之環形加熱機構，基座1受驅動而繞該旋轉軸旋轉。第一區域A位於徑向外側。第一區域A具有無一處被基板2覆蓋之基座頂面1'。
在第一區域A之徑向內側設有第二區域B，在其基座頂面1'上平放有基板2。第三區域C位於第二區域B之徑向內側。此區域亦載有基板2。
三個區域A、B、C皆各對應一測溫裝置6。測溫裝置6為高溫計且具有穿過排氣孔7之光程。
圖2以虛線示出區域A、B、C間之邊界。
當基座1繞軸線8旋轉時，測溫裝置6分別掃描一條圓形掃描路徑或掃描線9，其中第一區域A之掃描路徑9僅在基座1之表面延伸。然而，第二區域B及第三區域C之掃描路徑9既在基板2之表面延伸，亦在基座1之面1'之裸露於基板間的表面段之表面延伸。掃描線9以點劃線示出。
圖3所示之第二實施例與第一實施例的區別基本上僅在於區域數目。為此，進一步還設有位於第三區域C徑向內側之 第四區域D。如圖所示，第二區域B、第三區域C及第四區域D之掃描路徑或掃描線9既在基板2上延伸，亦在基座1之位於基板間的自由表面段上延伸。而徑向外側的第一區域A之掃描線9則僅在基座1之自由表面延伸。
圖4所示之第三實施例與圖3所示之第二實施例的區別基本上僅在於用於基板2之載位的大小或嵌設於載位中之基板2的大小。
該等載位可為形成於基座1之平整的面1'上之凹陷，其中該凹陷之輪廓與基板輪廓相適配。在實施例中，其呈圓盤形。
設有調節裝置5。此調節裝置5自測溫裝置6接收溫度實際值。每一單個區域A、B、C、D皆單獨對應至少一測溫裝置6及一分區加熱裝置4'。每個區域A、B、C、D皆具有獨立的調節電路，該調節電路為分區加熱裝置4'提供功率，以便將測溫裝置6所測得之實際溫度調節至標稱溫度。
第一區域A之測溫裝置6僅用於測量基座1之自由表面的溫度。此點係藉由求得數個測量單值的平均值而實現。
第二區域B、第三區域C及第四區域D之測溫裝置6能提供兩個測量值，即基板之自由表面的溫度T基板及基座之位於基板2間之自由表面的溫度T基座。由於前述之溫度梯度，T基板與T基座間存在差異，其中T基板低於T基座。
使用在基板之自由表面測得的溫度T基板來控制徑向內側區域B、C、D之分區加熱裝置4'，將該溫度調節至標稱溫度。
在實施例中，可將基座1之第一面1'的自由表面在第二區域B之溫度T基座2作為標稱值用來調節第一區域A之溫度。但 亦可使用T基座3或T基座4，即基座1之第一面1'的自由表面在第三區域C或第四區域D之溫度。
依照規定配方實施基板熱處理，該熱處理尤指沉積塗層於基板2上，藉由該配方對程式控制的調節裝置進行程式設計。其係用於所有調節電路5之統一溫度預設值。區域B、C、D之調節電路5使用此預設溫度來將該等區域內之基板2的表面溫度調節至預設溫度。未被基板2覆蓋之第一區域A的調節電路獲得一減小程度為T基板2與T基座2之差的溫度作為預設溫度。
可以下述方式干預現有調節電路：為第一區域A之基座表面經調節而達到的標稱溫度配置偏差，其中該偏差為T基板2與T基座2之差。此差會在塗佈程序實施過程中發生變化，從而能間歇或連續地進行校正值調整，以便調節第一加熱區A之基座表面的溫度。根據本發明，用於調節徑向外側區域A之分區加熱裝置4'的實際溫度由此而低於調節其餘區域之分區加熱裝置4'所使用的實際溫度。儘管該實際溫度為基板溫度，但該調節係進行而使得基座1之整個表面的基座溫度大體相同。其結果為，基板2之表面溫度的橫向溫度梯度具有足夠低的值。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之進一步方案：一種裝置，其特徵在於，該第二區域B之調節變數為該處之基板2之自由表面的溫度T基板2，且進一步測量該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2，並且對應於該第一區域A之該調節裝置5的標稱值在該基座1之第一面1'的自由 表面在該第二區域B之溫度T基座2的值中具有至少一份額。
一種裝置，其特徵在於，該基座1可受驅動而繞旋轉軸8旋轉，並且該等區域A、B為環繞該旋轉軸8之周區。
一種裝置，其特徵在於，該測溫裝置6特別是高溫計且被構造及佈置成使得藉此既能測量該基板1之自由表面的溫度T基板2，亦能測量該基座1之第一面1'之自由表面的溫度T基座2。
一種裝置，其特徵在於，該測溫裝置6被佈置成使得藉此透過求得在該第二區域B之不同測量點上所測得之溫度的平均值，而獲得該等溫度T基板2、T基座2。
一種裝置，其特徵在於，對應於該第一區域之該調節裝置的標稱值與該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2相當。
一種裝置，其特徵在於，對應於該第二區域B之該調節裝置5的標稱值為配方所規定之溫度，並且對應於該第一區域A之該調節裝置的標稱值為經校正值修正且由該配方所規定之溫度，其中該校正值為該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2與該基板2之自由表面於該處被測得的溫度T基板2之差。
一種裝置，其特徵在於，該第一區域A與該第二區域B直接相鄰。
一種裝置，其特徵在於，該第一區域A為該基座1之邊緣區域。
一種裝置，其特徵在於，該加熱裝置4為紅外線加熱器或射頻加熱器。
一種裝置，其特徵在於沿以該基座1之旋轉軸8為中心的圓弧線延伸之掃描路徑9，藉由該至少一測溫裝置6在該掃描路徑上測量溫度，其中對應於該第一區域A之掃描路徑9不在基板2或用於基板2之載位上延伸，該第二區域B及可能存在之第三或第四區域C、D的掃描路徑9既在基板2或用於基板2之載位上延伸，亦在該基座1之第一面1'的自由表面段上延伸。
一種方法，其特徵在於，該第二區域B之調節變數為該處之基板2之自由表面的溫度T基板2，且進一步測量該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2，並且對應於該第一區域A之該調節裝置5的標稱值由該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2的值至少共同決定。
一種方法，其特徵在於，該基座1受驅動而繞旋轉軸8旋轉，並且該等區域A、B為環繞該旋轉軸8之周區。
一種方法，其特徵在於，該基板1之自由表面的溫度T基板2及該基座1之第一面1'之自由表面的溫度T基座2由同一測溫裝置6測量，該測溫裝置特別是高溫計。
一種方法，其特徵在於，該測溫裝置6被佈置成使得藉此透過求得在該第二區域B之不同測量點上所測得之溫度的平均值，來獲得該等溫度T基板2、T基座2。
一種方法，其特徵在於，對應於該第一區域之該調節裝置的標稱值與該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B之溫度T基座2相當。
一種方法，其特徵在於，對應於該第二區域B之該調節裝置5的標稱值為配方所規定之溫度，並且對應於該第一區域A 之該調節裝置5的標稱值為經校正值修正且由該配方所規定之溫度，其中該校正值為該基座1之第一面1'的自由表面在該第二區域B被測得之溫度T基座2與該處之基板2之自由表面在該第二區域B被測得的溫度T基板2之差。
一種方法，其特徵在於，該第一區域A與該第二區域B直接相鄰，及/或該第一區域A為該基座1之邊緣區域，及/或該加熱裝置4為紅外線加熱器或射頻加熱器。
一種方法，其特徵在於，該第一區域A具有未被基板2覆蓋之整圓段，並且該第二區域B及可能存在之第三或第四區域C、D具有一整圓段，該整圓段既被基板2覆蓋，亦具有該基座1之第一面1'的自由表面。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧基座
1'‧‧‧頂面
1"‧‧‧底面
2‧‧‧基板
3‧‧‧製程室
4‧‧‧加熱裝置
4'‧‧‧分區加熱裝置
5‧‧‧調節裝置
6‧‧‧測溫裝置
7‧‧‧排氣孔
8‧‧‧旋轉軸
10‧‧‧進氣機構
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
C‧‧‧區域

Claims (14)

  1. 一種用於處理一或數個基板(2)之裝置，包括製程室(3)及基座(1)，該基座具有指向該製程室且用於容置該一或數個基板(2)之第一面(1')及背離該第一面之第二面(1")，該第二面可被具有數個分區加熱裝置(4')之加熱裝置(4)加熱，使得在該製程室(3)中形成豎向溫度梯度，其中第一分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第一區域(A)，並且第二分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第二區域(B)，其中每個區域(A、B)皆對應一調節裝置(5)，該調節裝置之調節變數為藉由至少一測溫裝置(6)於相應區域(A、B)之第一面(1')所測得的溫度，藉由對提供給對應之分區加熱裝置(4')的加熱功率進行控制，來將該溫度分別調節至標稱值；其中該第二區域(B)之調節裝置(5)被構造成使得該調節變數為該基板(2)之自由表面的溫度(T基板2)，且其標稱值為配方所規定之溫度；該第一區域(B)之調節裝置(5)被構造成使得該調節變數為該基座(1)之自由表面的溫度(T基座1)，且其標稱值為該經校正值修正且由該配方所規定之溫度；其中該校正值為該基座(1)之第一面(1')的自由表面在該第二區域(B)被該測溫裝置(6)所測得之溫度(T基座2)與該基板(2)之自由表面於該處被測得的溫度(T基板2)之差。
  2. 如請求項1之裝置，其中，該基座(1)可受驅動而繞旋轉軸(8)旋轉，並且該等區域(A、B)為環繞該旋轉軸(8)之周區。
  3. 如請求項1之裝置，其中，該測溫裝置(6)特別是高溫計且被構造及佈置成使得藉此既能測量該基板(1)之自由表面的溫度(T基板 2)，亦能測量該基座(1)之第一面(1')之自由表面的溫度(T基座2)。
  4. 如請求項1之裝置，其中，該測溫裝置(6)被佈置成使得藉此透過求得在該第二區域(B)之不同測量點上所測得之溫度的平均值，而獲得該等溫度(T基板2、T基座2)。
  5. 如請求項1之裝置，其中，該第一區域(A)與該第二區域(B)直接相鄰。
  6. 如請求項1之裝置，其中，該第一區域(A)為該基座(1)之邊緣區域。
  7. 如請求項1之裝置，其中，該加熱裝置(4)為紅外線加熱器或射頻加熱器。
  8. 如請求項1之裝置，其中，沿以該基座(1)之旋轉軸(8)為中心的圓弧線延伸一掃描路徑(9)，藉由該至少一測溫裝置(6)在該掃描路徑上測量溫度，其中對應於該第一區域(A)之掃描路徑(9)不在基板(2)或用於基板(2)之載位上延伸，該第二區域(B)及可能存在之第三或第四區域(C、D)的掃描路徑(9)既在基板(2)或用於基板(2)之載位上延伸，亦在該基座(1)之第一面(1')的自由表面段上延伸。
  9. 一種在製程室(3)中處理一或數個基板(2)之方法，其中基座(1)之指向該製程室的第一面(1')承載一或數個基板(2)，並且背離該第一面之第二面(1")被具有數個分區加熱裝置(4')之加熱裝置(4)加熱，使得在該製程室(3)中形成豎向溫度梯度，其中第一分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第一區域(A)，並且第二分區加熱裝置(4')加熱該基座(1)之第二區域(B)，其中每個區域(A、B)皆對應一調節裝置(5)，該調節裝置之調節變數為藉由至少一測溫裝置(6)於相應區域(A、B)之第一面(1')所測得的溫度，藉由對提供給對應之分區加 熱裝置(4')的加熱功率進行控制，來將該溫度調節至標稱值；其中在該第二區域(B)，該調節變數為該基板(2)之自由表面的溫度(T基板2)，且其標稱值為配方所規定之溫度；在該第一區域(B)，該調節變數為該基座(1)之自由表面的溫度(T基座1)，且其標稱值為該經校正值修正且由該配方所規定之溫度；其中該校正值為該基座(1)之第一面(1')的自由表面在該第二區域(B)被該測溫裝置(6)所測得之溫度(T基座2)與該基板(2)之自由表面於該處被測得的溫度(T基板2)之差。
  10. 如請求項9之方法，其中，該基座(1)受驅動而繞旋轉軸(8)旋轉，並且該等區域(A、B)為環繞該旋轉軸(8)之周區。
  11. 如請求項9之方法，其中，該基板(1)之自由表面的溫度(T基板2)及該基座(1)之第一面(1')之自由表面的溫度(T基座2)由同一測溫裝置(6)測量，該測溫裝置特別是高溫計。
  12. 如請求項9之方法，其中，該測溫裝置(6)被佈置成使得藉此透過求得在該第二區域(B)之不同測量點上所測得之溫度的平均值，來獲得該等溫度(T基板2、T基座2)。
  13. 如請求項9之方法，其中，該第一區域(A)與該第二區域(B)直接相鄰，及/或該第一區域(A)為該基座(1)之邊緣區域，及/或該加熱裝置(4)為紅外線加熱器或射頻加熱器。
  14. 如請求項9之方法，其中，該第一區域(A)具有未被基板(2)覆蓋之整圓段，並且該第二區域(B)及可能存在之第三或第四區域(C、D)具有一整圓段，該整圓段既被基板(2)覆蓋，亦具有該基座(1)之第一面(1')的自由表面。
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