JP2004513510A - 基板の温度均一性を制御するための方法及び装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 57
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0022—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation of moving bodies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【選択図】図3
Description
[発明の分野]
本発明は、基板温度の測定及び制御に関係している。特に、本発明は、基板上に被膜を堆積させている間、同基板の温度均一性を制御するための方法及び装置に関するものである。
【0002】
[発明の背景]
工業界の多方面において、中実基板上に薄い層もしくは膜を形成するプロセスが採用されている。例えば、半導体デバイスの製造に際しては、基板上に様々な材料を堆積させるために、化学蒸着法及びその他の堆積技術が使用されている。半導体デバイスの製造中、プレーナーシリコン又はガリウムヒ素ウェーハ或いはその他の適当な材料の加熱基板は、種々のガスに晒され、該ガスが反応してウェーハの表面上に所望材料を堆積させている。一般的に、堆積材料は、下層のウェーハの結晶格子構造を再現するエピタキシャル膜を形成するものである。
【0003】
その後、これらの被覆ウェーハは、レーザ、トランジスタ、発光ダイオード及びその他多くのデバイスのような半導体デバイスを形成するために、良く知られた更なる処理を受けることになる。例えば、発光ダイオードを製造する場合、ウェーハ上に堆積された諸層は、該ダイオードの能動素子を形成している。堆積層の厚み、組成及び品質は、結果として製造される半導体デバイスの特性を決定するものである。従って、堆積工程は、各ウェーハの前面上に均一な組成及び厚みの膜を堆積させることができねばならない。均一性についての必要性は、より大径のウェーハの使用に伴なって、また、幾枚かのウェーハ上に同時に被膜を堆積させる装置の使用に伴なって、次第により厳しく迫ってきている。
【0004】
図1に示した代表的な従来の堆積装置において、ウェーハ10は、サセプタ14に装着されたウェーハ支持体12に取付けられている。サセプタ14は、ウェーハ支持体の回転を可能にする回転支持スピンドル16に取付けられている。これらサセプタ14、ウェーハ支持体12及びウェーハ10は、囲ったプロセス反応器18内に配置されるのが一般的である。サセプタ14の下方には加熱アセンブリ20が対称的に配置され、該加熱アセンブリがサセプタを加熱しており、従って、これによりサセプタ上に装着されたウェーハ支持体12及びウェーハ10が加熱される結果となる。支持体12の回転は、堆積領域一面に流れる原料物質ガス又は蒸発気の均一性ばかりでなく、堆積領域全体にわたる温度均一性を高めることを企図している。技術的に既知であるように、反応物が反応室に導入され、膜がウェーハの表面上に堆積されるようになっている。
【0005】
図2に示したウェーハ支持体12のような通常のウェーハ支持体は、堆積工程中にウェーハ支持体が回転されるときに、複数のウェーハを所定位置に保持しておくため、同ウェーハ支持体の上側表面に複数の円筒形ポケット22を備えている。また、これらのウェーハ支持体は、通常、環状のフランジ部24も備えており、該フランジ部を使用し、ウェーハ支持体を持ち上げて搬送し反応室に入れたり反応室から出したりしている。ウェーハ支持体は、堆積工程中にアセンブリが回転されるときにウェーハ支持体をサセプタ上に同心円状に配置して保持すると共に、サセプタの上側表面とウェーハ支持体の下側表面との間に間隙28を形成するために、ウェーハ支持体の底部表面に環状壁26を備えており、この間隙により、ウェーハ支持体及びサセプタ間の接触点により結果的に生ずるウェーハ支持体の局部加熱を無くして、サセプタからウェーハ支持体への熱の均一な伝達を一層促進している。
【0006】
重要なのは、ウェーハの温度が再現性を有し、高精度であり、且つプロセス条件と無関係のような態様で正確に測定されて制御されることである。また、処理されつつあるウェーハの表面全体にわたり、且つ各ウェーハの表面の端から端まで均一の温度を維持することも重要である。摂氏で2,3度に過ぎないウェーハ温度の非均一性や目標プロセス温度からの逸脱により、ウェーハから製造された半導体デバイスに異常が生じ、最終製品が不良になる。処理中のウェーハ表面の温度は高温計もしくはパイロメータを使用して測定されるのが一般的である。高温計は、表面から放出される放射又は放熱を検出する非接触の測定装置である。
【0007】
高温計による温度測定の精度は、表面の光学的特性、特に、測定されつつある物体の放射率に大きく左右される。放射率は、実際の表面からの放射を同一温度での“黒体”即ち理想放射物体からの放射と対比して比較するパラメータである。高温計は、黒体放射源を用いて較正されるようになっている。半導体ウェーハの放射率の値は、半導体ウェーハ上に堆積される材料、基板ドーピング、表面粗さ、及びウェーハ温度に依存している。また、放射率は、ウェーハの表面上に成長した膜の厚さにも依存しており、この放射率の値は堆積工程中に変化するものである。従って、半導体ウェーハ温度の測定は、ウェーハの放射率変化により生ずる測定誤差を克服するように設計された、放射率について補正された高温計の使用を望ましくは必要としている。
【0008】
より均一な被覆を各ウェーハの表面全体にわたり堆積させることができるように、ウェーハの表面全体にわたりより均一な温度分布をもたらすシステムの必要性が存在することになる。
【0009】
[発明の概要]
本発明は、基板の制御された加熱を行うための方法及び装置を提供するものである。本発明の一側面では、化学蒸着反応室にある基板を加熱するための装置を備えている。この装置は、反応室にある少なくとも1つの基板を保持するための支持体を備えており、該支持体は第1区域及び第2区域を有している。支持体は中心軸線を有するのが典型的であり、上述の第1区域及び第2区域は、この中心軸線から異なる半径方向距離に配置されている支持体の単なる範囲である。回転装置は、中心軸線の回りに支持体を回転させるために設けられている。
【0010】
また、装置は、支持体及び少なくとも1つの基板を加熱するように配設された第1及び第2加熱要素を備えていることが好ましい。第1加熱要素は、第1区域を優先的に加熱し、即ち、熱を支持体の主に第1区域に作用させるように配設されているのが好ましい。装置は、プロセス温度を測定するため、基板表面に指向される少なくとも1つの基板用高温計を備えていることが更に好ましい。基板用高温計は、プロセス温度の測定値が基板放射率とは関係なく基板温度を表わすように、放射率補償型高温計であることが望ましい。装置は、支持体表面の1つの区域とそれぞれ関連した少なくとも2つの支持体用高温計を更に備えていることが望ましい。この少なくとも2つの支持体用高温計は、非放射率補償型高温計であることが好ましい。各支持体用高温計は、支持体の関連区域からの放射を表わす区域信号を発生するように作動している。
【0011】
最も好ましいのは、装置が第1及び第2の支持体用高温計に接続された第1のコンパレータを備えていることである。この第1のコンパレータは、第1及び第2区域信号間の差を表わす第1差信号を発生するように設けられている。最も好ましいのは、1つ以上のコントローラが少なくとも部分的にプロセス温度に基づいて第2加熱要素の作動を制御するように構成され、かつ配設されていることである。また、このコントローラは、少なくとも部分的に第1差信号に基づいて第1加熱要素の作動も制御することが可能となっている。
【0012】
最も好ましいのは、第2加熱要素が差信号を参照することなくプロセス温度に基づいて制御され、一方、第1加熱要素がプロセス温度に関係なく差信号に基づいて制御されるように、別個のフィードバックループを形成することである。支持体表面の放射率は、未知であり、プロセス中に変化するのが普通である。支持体表面は拡散反射率を有するのが普通であるから、放射率補償型高温計は、支持体の放射率を補正するのに使用することができない。従って、支持体用高温計からの区域信号は、支持体温度の正確な測定値を普通にもたらすものではない。しかし、支持体表面の放射率は、支持体の双方の区域において同一であるから、コンパレータにより発生された差信号は、2つの区域間の温度差を表わすことになる。差信号を最小にすることにより、装置は、支持体の双方の全区域にわたり温度均一性を確保し、それにより基板の温度均一性を向上させている。
【0013】
2つ以上の区域を使用することができる。例えば、第1区域を第2区域の半径方向内方に配置すると共に、支持体は、この第2区域の半径方向外方に第3区域を配置せしめることが可能である。装置は、支持体の第3区域からの放射を表わす第3区域信号を発生するように作動する第3の支持体用高温計を備えていてもよい。第2のコンパレータは、第2及び第3区域信号間の差を表わす第2差信号を発生するように配設されている。1つ以上のコントローラは、少なくとも部分的に第2差信号に基づいて第3加熱要素を制御するように作動している。
【0014】
本発明の別の側面は、化学蒸着装置にある基板の温度を制御するための方法を含んでいる。本発明のこの側面による方法は、化学蒸着装置にある基板を支持するための支持体を用意することを含むのが望ましい。少なくとも1つの加熱要素を使用して、基板及び支持体がプロセス設定点まで加熱される。本発明の一側面によると、基板の温度は、好ましくは放射率補償型高温計を用いて測定される。支持体温度に関連したパラメータの指示は、支持体上の少なくとも2つの区域から得られる。例えば、このようなパラメータの指示は、非放射率補償型高温計により測定される2つの区域からの放射強度を表わしている。次いで、少なくとも2つの区域におけるこのようなパラメータの指示は、2つの区域間の温度の差に関連した差信号を取得するため、互いに比較される。支持体の当該区域の少なくとも1つへの熱伝達は、差信号が所定レベルに達するまで、例えば、1つ以上の加熱要素への電力の入力を調節することによって、調整されている。代表的にはこの所定レベルは実質的にゼロであるから、2つの区域は同一温度に落ち着くことになる。
【0015】
本発明の更なる特徴及び利点は、以下の記載において説明されている。言うまでもなく、前述の全般的な説明及び後述の詳細な説明は、例示的であり、請求項にあるような本発明の更なる記載を規定することを意図している。
【0016】
[詳細説明]
次に、添付図面に一例が示された本発明の好適な実施例について詳細に説明する。本発明の装置の好適な一実施例は、図3に示されている。図示のように、基板支持体110は、中心軸線115の回りに回転自在にスピンドル114に取付けられているサセプタ112上に組み立てた関係で位置決めされている。
【0017】
この基板支持体110は、例えば、モリブデン、グラファイト、又は炭化ケイ素被覆のグラファイトのような耐熱材料から、上側表面150及び下側表面152を有するほぼ円板状部の形態で形成されている。上側表面150は、一つの平面上で通常広がると共に、複数の円筒形凹部又はポケット154を有しており、各ポケット154が基板160を受け入れる大きさに作られている。図4を参照すると分かるように、基板支持体110は、16個の凹部又はポケット154を備えるように示されており、これらのポケットが例えば半導体ウェーハでよい16枚の基板160を保持している。ポケット154は、軸線115近くの4個のポケット154aからなる内側環体と、この内側環体を囲む10個のポケット154bからなる外側環体とに配置されている。しかし、言うまでもなく、基板支持体は、ただ1枚の基板、及び40枚又はそれ以上の基板を保持するように設計してもよい。
【0018】
第1加熱要素120は、基板支持体の第1区域もしくは半径方向内側区域121の直下に配置されているので、この第1加熱要素からの熱は基板支持体の内側区域に優先的に向けられることになる。即ち、内側の加熱要素120により加えられる熱は基板支持体の内側区域121に集中されるが、同内側の加熱要素により放出される熱は、ある程度基板支持体のその他の区域の温度にも影響を及ぼすことになる。第2もしくは中間の加熱要素130は、区域121の半径方向外側にある第2もしくは中間区域131の直下に配置されているので、この加熱要素130は中間区域を優先的に加熱することになる。同様に、第3もしくは外側の加熱要素140は、区域131の半径方向外側にある第3もしくは外側区域141の直下に好ましくは配置されているので、この加熱要素140は外側区域を優先的に加熱することになる。
【0019】
加熱要素120,130及び140は、軸線115を中心として対称的に配置されるのが好ましい。これらの加熱要素は、通常の電気抵抗加熱装置とすることが可能である。中間の加熱要素130は、他の加熱要素よりも出力が高いことが望ましい。また、中間の加熱要素の半径方向スパンrmは、他の加熱要素の対応する寸法よりも大きいことが望ましい。加熱要素120は、第1又は内側の電源122に接続されており、次いでこの電源122は、第1又は内側のコントローラ124に接続され、該コントローラ124が電源122により供給される電力を制御することが可能であり、従って、加熱要素120により放出される熱を制御することが可能となっている。同様に、加熱要素130は、第2又は中間の電源132に接続されており、次いでこの電源132は、第2又は中間のコントローラ134に接続されている。外側の加熱要素140は、第3又は外側の電源142に接続されており、次いでこの電源142は、第3又は外側のコントローラ144に接続されている。
【0020】
この装置は更に、第1又は内側の支持体用高温計126と、第2又は中間の支持体用高温計136と、第3又は外側の支持体用高温計146とを備えている。これらの支持体用高温計は、非放射率補償型高温計である。従って、各支持体用高温計は、その高温計に当る放射を表わす信号を発生するようになっている。支持体用高温計126は、反応室に対して固定の位置にある焦点150aからの放射を受けるように配設されている。この焦点は、基板支持体110の第1又は内側の区域121内で、同基板支持体の上側表面150上にある。図4を参照すると最も良く分かるように、軸線115を中心とする基板支持体110の回転により、焦点150aは、内側区域121内で基板支持体の上側表面上の通路153aに沿って通過もしくはスィ−プをすることになる。この通路153aは、軸線115と同心であり、ポケット150aからなる内側環体よりも内方に位置している。従って、焦点150aは、基板支持体の回転位置に関係なく、常に基板支持体の上側表面上にあり、ポケットに収容された基板上にはない。このようにして、内側の支持体用高温計126は、内側区域121において基板支持体の上側表面150から放出される放射を表わす信号を発生し、この信号は、第1又は内側区域信号と呼ばれる。
【0021】
第2又は中間の支持体用高温計136は、ポケット154aからなる内側環体とポケット154bからなる外側環体との間で中間区域131にある通路153bに沿って通過する焦点150bからの放射を受ける。従って、第2の支持体用高温計136は、第2又は中間区域131における基板支持体の上側表面から放出される放射を表わす第2区域信号を発生することになる。同様にして、第3又は外側の高温計146は、外側ポケット154bの外側にある第3又は外側区域141において外側表面に沿って進む焦点150cからの放射を検出する。従って、高温計146は、第3又は基板支持体の外側区域により放出される放射を表わす第3区域信号を発生することになる。
【0022】
支持体用高温計126,136及び146により発生されるこれらの区域信号は、諸区域における基板支持体の実際温度を正確に表わしていない。基板支持体の各区域からの放射は、温度だけでなく、基板支持体表面の放射率の関数でもある。基板支持体は、未知の放射率を有する材料から形成されているが、この放射率は、種々の材料が基板支持体表面上に堆積されるという事実のため、堆積装置の使用のたびに変化する。更に、基板支持体表面の放射率は、温度の変化に伴って変化する。しかし、基板支持体の温度及び放射率の関係は、基板支持体の上側表面全体にわたり実質的に同一となる。従って、基板支持体表面上の2箇所が同じ強度で放射を出していれば、それらの温度は同一である。更に、放出された放射の強度は、少なくとも、化学蒸着法で使用される温度の範囲内で、温度の変化に伴って単調に変化する。従って、基板支持体表面の第1部分が同表面の第2部分よりも強い強度で放射を出していれば、この第1部分はより高い温度である。そのため、種々の支持体用高温計により発生される区域信号は種々の区域についての絶対的な温度測定値を提供するものではないが、これらの信号は、温度に関係したパラメータ(基板支持体表面からの放射)を表わすものとなる。
【0023】
第1又は内側の支持体用高温計126及び第2又は中間の支持体用高温計136の信号出力は、第1コンパレータ149の入力結合部に接続されており、該第1コンパレータはその出力部に第1差信号を発生する。この第1差信号は、コンパレータ126からの第1区域信号及び高温計136からの第2区域信号の間の差を表わしている。第1差信号の大きさは、両区域信号間の差の大きさに比例しているが、第1差信号の符号は、どちらの区域信号が大きいかを示している。第1コンパレータ149の出力は第1又は内側のコントローラ124に接続されているので、第1差信号は第1コントローラに供給されることになる。第2又は中間の支持体用高温計136及び第3又は外側の支持体用高温計146の信号出力は、第2コンパレータ148の入力結合部に接続されているので、この第2コンパレータは、高温計146からの第3又は外側区域信号及び高温計136からの第2又は中間区域信号の差を表わす第2差信号を発生することになる。第2コンパレータの出力は、第3又は外側のコントローラ144の入力部に接続されている。
【0024】
また、この装置は、放射率補償型高温計である2つの別々の高温計138,139も備えている。用語“放射率補償型高温計”とは、物体からの放射を測定するように配置されると共に、同物体の放射率に関係するその物体のパラメータを測定するように配置された通常の計器を示しており、同計器が物体の放射率の変動に関係なく高精度で物体の温度を表わす信号を発生するようになっている。例えば、放射率補償型高温計は、物体から放出される放射を測定するための通常の諸要素に加えて、測定すべき物体に向けて照準をあてたレーザのような放射放出要素と、物体により反射されるレーザからの放射の割合を求めるための検出器とを備えていてもよい。典型的な放射率補償型高温計は、鏡のような反射率を有する物体についての正確な温度の読みを与えるに過ぎない。
【0025】
基板用高温計138は、スポット133aにおける温度を監視するために配設されている。基板支持体が軸線115を中心として回転するときに、このスポットは、ポケット154aと交差する通路135aに沿って、基板支持体110の上側表面を横切るように進む。従って、スポット133aは図4に示すようにポケットと整列しているが、高温計はポケット内に配置された基板160の温度を測定することになる。基板は、一般的に鏡のような反射率を有しており、基板表面の放射率及び温度は、正確に測定されるようになっている。基板支持体のその他の回転位置で、スポット133aは、ポケット間にある基板支持体自体の表面と整列している。基板支持体表面は拡散反射率を有しているので、高温計138は、基板支持体表面の温度を正確に測定しない。高温計138は、基板160の温度のみを表わす信号を発生するように、上述の回転位置において一時的に動作不能とされることが好ましい。例えば、この装置は、基板支持体及び/又はスピンドル114の回転位置を検出すると共に、スポット133aがポケット154a間の部位と整列する上述の回転位置で高温計からの信号出力を瞬時的に遮断する装置(図示せず)を備えていてもよい。
【0026】
他の基板用高温計139は、ポケット154bに交差する通路135bに沿って進むスポット133bでの温度を測定する。高温計139は、高温計138と同じ方法で作動するが、ポケット154bに収容された基板160の温度を表わす信号を発生する。
【0027】
基板用高温計138及び139は、該高温計からの信号を平均するように設けられた信号処理回路159に接続されており、この信号処理回路が平均基板温度を表わす信号を発生する。この平均基板温度はプロセス温度とも呼ばれる。信号処理回路159の出力は、第2又は中間のコントローラ134の入力に接続されている。
【0028】
作動中、本発明の一実施例による方法においては、ウェーハ支持体110に基板160が負荷されている。第2又は中間のコントローラ134は、信号処理回路159により伝えられる平均基板温度もしくはプロセス温度を設定値と比較して誤差信号を得ると共に、第2又は中間の電源132に補正信号を供給している。コントローラの伝達関数は、比例−積分−微分即ち“PID”制御関数であり、このPID制御関数において、補正信号は、誤差信号に比例する項と、ある時間にわたる誤差信号の積分に比例する項と、誤差信号の一次導関数に比例する項との合成関数である。従って、中間のコントローラ134は、プロセス設定値と平均プロセス温度との間に差があれば、中間の電源132により供給される電力を調整することになる。例えば、プロセス温度が設定値よりも低ければ、コントローラ134は、プロセス温度がプロセス設定値にほぼ等しくなるまで、電源132に信号を出して中間の加熱要素130への電力を増大させる。
【0029】
第3又は外側のコントローラ144は、コンパレータ148からの第2差信号を所望の差信号を表わす所定レベルと比較している。通常、基板支持体の第3又は外側区域131を第2又は中間区域121と同一の温度に維持したい場合、この所定レベルはゼロである。第3又は外側のコントローラは、望ましくは上述したものと同様のPID伝達関数を用いて、制御信号を発生している。この制御信号により、第3又は外側の電源142に外側の加熱要素140への電力を増減させている。
【0030】
例えば、コンパレータ148からの第2差信号の符号は、外側の支持体用高温計146が中間の支持体用高温計136よりも強い放射を検出しつつあることを示している。このため、基板支持体の第3又は外側区域141が第2又は中間区域よりも高温であることを示していれば、第3又は外側のコントローラ144は、差信号が上述の所定レベルに達するまで、外側の電源142に信号を出して外側の加熱要素140への電力出力を減少させることになる。所定レベルがゼロであると仮定すれば、このレベルに達するということは、第2又は中間の支持体用高温計136からの区域信号並びに第3又は外側の支持体用高温計146からの区域信号が実質的に等価であることを示しており、従って、基板支持体の区域131及び141が同一温度であることを示している。もちろん、コンパレータ148からの差信号は、最初に、第3又は外側の高温計146が第2又は中間の高温計136よりも弱い放射を検出しつつあることを示していれば、コントローラ144は、電源142に信号を出して第3又は外側の加熱要素140に供給される電力を増大させ、それにより区域141への熱伝達を向上させている。
【0031】
第1又は内側のコントローラ124は、同コントローラ124がコンパレータ149からの第1差信号に応答する点、及び第1又は内側の加熱要素120による熱の発生を制御して第1又は内側区域121への熱伝達を制御するように電源122を制御する点を除いて、第3又は外側のコントローラ144と実質的に同様に作動している。従って、コントローラ124は、コンパレータ149からの第1差信号を典型的にはゼロである所定レベルと比較し、この比較に基づいて誤差信号を発生し、該誤差信号に基づいて制御信号を発生するが、その際、上述したPID伝達関数を使用するのが望ましい。制御信号は、第1又は内側の電源122に向けられる。中間の支持体用高温計136からの区域信号及び内側の支持体用高温計126からの区域信号が異なっていれば、中間の支持体用高温計136からの区域信号及び内側の支持体用高温計126からの区域信号の差が典型的にはゼロである所定レベルまで減少して、これら高温計の双方が実質的に等価の放射を受けつつあること、並びに第1又は内側区域の温度が第2又は外側区域の温度と実質的に等価であることを指示するまで、コンパレータ149からの第1差信号が、内側のコントローラ124により内側の加熱要素120に供給される電力を変化させている。ここで使用されているように、実質的に等価とは、基板表面上の2箇所間の放射の差が約2%より小さいこと、好ましくは約1%よりも小さいこと、更に好ましくは約0.5%よりも小さいことを意味している。
【0032】
従って、上述した装置及び方法は、基板支持体が放射率補償された測定値を得ることを実現不能にし、同基板支持体の精確な温度測定値を得ることを実現不能にする拡散表面を有しているにも拘わらず、放射率補償型の基板用高温計を使用する基板温度自体の直接測定により実際の基板(ウェーハ)温度の正確な調整を可能にすると共に、基板支持体からの放射の測定値を用いて基板支持体全体にわたり温度を均一に維持している。
【0033】
実験の結果、プロセス温度を維持しながら基板支持体の温度をその半径全域にわたり実質的に均一にすることにより、基板の表面全域にわたり温度均一性をより良くすることが示された。
【0034】
図5は、ウェーハ及び基板支持体の温度均一性間の関係をグラフで描写している。Y軸は温度を摂氏で表わしており、X軸は基板の表面の端から端までの半径方向の距離を任意の単位で表わしている。実験によると、外側の支持体用高温計の読みが内側の支持体用高温計よりも大きい場合、図5の上側曲線により示されるように、ウェーハの表面の端から端までの温度は7.5℃以上の差で変化し得ることを示している。内側の支持体用高温計からの温度表示が外側の支持体用高温計からの温度表示と等しくなるように、基板支持体の温度を本発明の好適な実施例に従って調節する場合、ウェーハ表面の端から端までの温度差は約5℃未満である。
【0035】
言うまでもなく、本発明は、ここに図示して説明したような高温計、加熱要素、電源、コンパレータ又はコントローラの特定の数もしくは配列に限定されるものではない。単なる一例であるが、3個よりも多い支持体用高温計を使用して2つよりも多い差信号を得ることができる。逆に、内側の加熱要素120又は外側の加熱要素140を省略すると共に、当該省略された加熱要素と関連する支持体用高温計、コンパレータ、コントローラ及び電源を省略して、2個のみの加熱要素を備えるシステムを提供することができる。このようなシステムにおいては、省略された加熱要素と関連した基板支持体の区域を加熱するために中間の加熱要素130が使用され、従って、基板支持体は、別個に制御可能な2つのみの区域を有することになろう。更なる変形例において、上述した実施例における第2又は中間の加熱要素は、実質的に基板支持体全体を非選択的に加熱するように配設されているので、この加熱要素は、第2区域131だけでなく、第1区域121及び第3区域141を実質的に加熱するようになっている。このような構成において、第1の加熱要素120及び第3の加熱要素140は、第1区域121及び第3区域141に局限された熱を付加的に供給して、これらの区域に生じる付加的な熱損失を乗り切っている。
【0036】
コンパレータ148,149、プロセッサ159並びにコントローラ124,134及び144は、明確にするために機能ブロックとして示されている。当業者にとっては言うまでもないことであるが、これらの素子は、別々に実装されてもよいし、或いは互いに統合されていてもよい。例えば、コンパレータ及びコントローラのような信号処理素子は、多目的プロセッサ、適当なソフトウエア命令、アナログ/ディジタル変換器及びディジタル/アナログ変換器を有するコンピュータ内に実装し得るものである。また、幾つかの支持体用高温計の諸機能は、1つの放射検出素子を有すると共に、可動ミラー又はその他の光学装置を有する単一計測器において実行することができ、この可動ミラー又はその他の光学装置は、上述の計測器が異なる時間に異なる位置からの放射を検出するように同計測器の焦点位置を移動させている。この場合、装置は、計測器が1つの焦点からの放射を監視して1つの区域信号を得ている間に、もう1つの焦点からの放射又はもう1つの区域信号を表わす値をホールドするためのサンプルホールド回路もしくはディジタルメモリを備えていてもよい。同様に、2つの別個の高温計の機能は単一計測器に統合することができる。それ程好適ではないが、更なる変形例においては、唯1つの基板用高温計を使用して単一焦点からの唯1つの基板温度を得ており、この単一の基板温度がプロセス温度として使用されている。
【0037】
図1〜図4に関連して上述した好適な実施例において、第2又は中間の加熱要素は、プロセス温度もしくは平均基板温度に対してのみ制御されるが、第1及び第3(内側及び外側)の加熱要素は、第2又は中間の加熱要素を制御するのに使用されるフィードバックループとは完全に別個のフィードバックループにより、差信号のみに対して制御されるようになっている。しかし、この解決策の変形例において、加熱要素のうちの幾つか或いは全てについてのフィードバックループは、部分的に差信号を前提とし、部分的にプロセス温度を前提とすることができる。例えば、コントローラは、第1の加熱要素への電力の増大が第2の加熱要素への電力よりも小さいが、第1及び第2の加熱要素の双方への電力を増大することにより、所望プロセス温度は低いが第1又は内側区域が第2又は中間区域よりも高温であるような状況に反応するように準備されている。このようにするための準備の一つは、第2のコントローラ134により供給される制御信号に、第1のコントローラ124により供給される制御信号+1の和を乗じることによって、第1の電源122に対する制御信号を導出することである。しかし、このような複雑さは一般的には必要とされない。
【0038】
基板支持体の特定区域への熱伝達を調節し、従って、かかる区域の温度を上昇又は低下させるために代替手段を利用することができる。例えば、ある区域の温度は、その区域に関連した加熱要素の電力を維持すると共に、同加熱要素を基板支持体により近く移動させることによって、上昇させることができる。同様に、ある区域の温度は、基板支持体のこの区域と加熱要素との間の距離を増すことによって、低下させることができる。別の実施例において、特定の区域に関連した加熱要素は、より小さな複数の加熱要素として提供されることができる。ある区域の温度は、この区域に関連した複数の小さな加熱要素のより多くに電力を供給することによって上昇させることができ、或いは特定区域に関連した複数の加熱要素のより少数に電力を供給することにより低下させることができる。別の実施例において、上述したような制御信号に応答して基板支持体の諸区域を加熱及び冷却するために加熱要素及び冷却要素を組み合わせて使用することができる。更に別の実施例において、基板支持体の特定区域の温度を上昇又は減少させるために、これらの加熱装置の各々及び冷却装置の組合せを用いることができる。
【0039】
本発明は、上述したような円板状基板支持体以外の基板支持体と共に適用することができる。一実施例において、ほぼ円筒形のドラム状基板支持体は、その中心軸線回りに回転自在であると共に、円筒形周面上に複数のウェーハを支持している。基板支持体は、半径方向というよりはむしろ軸方向に離間した複数の区域を備えていてもよく、加熱要素及び支持体用高温計はそれに応じて配設されている。
【0040】
前述した第1及び第3のコントローラ149,148は、差信号を所定レベルと比較して誤差信号を導出している。全ての高温計が同一特性を有していれば、また、コンパレータが差信号にいかなるオフセットも導入していなければ、この所定レベルをゼロに設定することにより基板支持体の種々の区域にわたり最も均一な温度が実現されることになる。しかし、諸高温計が互いに異なっていれば、或いはコンパレータが多少のオフセットを差信号に導入していれば、非ゼロ差信号は最も均一な温度分布を表わすことになる。従って、これらのコンパレータによって用いられる諸所定レベルは、均一な温度分布を維持するために、同じでも異なっていてもよい非ゼロ値に設定してもよい。また、これらのコンパレータによって用いられる諸所定レベルは、基板支持体の種々の区域に非均一の温度を故意に生じさせるために、ゼロ以外の値に設定することもできる。
【0041】
前述した好適な実施例において、基板支持体からの放射強度は、温度に関係するパラメータとして測定されている。基板支持体からの放射の分光組成を放射強度の代わりに監視することができる。化学蒸着装置の環境において測定可能であり、温度に関係するその他のパラメータを使用して本発明を実施することが可能である。例えば、基板支持体自体の電気特性又は基板支持体に装着された変換器の電気特性を基板支持体の異なる区域において監視することができる。
【0042】
当業者にとって明らかであるように、本発明の精神もしくは範囲から逸脱することなく、本発明の種々の改変及び変形が可能である。従って、本発明は、これらの改変及び変形が冒頭の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内にある限り、これら改変及び変形も対象として含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
先行技術による被覆装置の概略正面の断面図である。
【図2】
先行技術によるウェーハ支持体の概略正面の断面図であり、そこに取付けられたウェーハ、サセプタ、このサセプタを支持するのに用いられる支持スピンドル、及びサセプタを加熱するための通常の加熱装置を示している。
【図3】
本発明による装置の一実施例の概略正面の断面図である。
【図4】
図1の実施例において使用されるウェーハ支持体の上部平面図である。
【図5】
ウェーハ温度均一性と支持体温度均一性との間の関係を示す実験的に得られたデータをグラフで表示している。
Claims (18)
- 化学蒸着反応室にある基板の制御された加熱を行うための装置であって、
前記反応室にある少なくとも1つの基板を保持するため、第1区域及び第2区域を含む支持体と、
前記支持体及び前記少なくとも1つの基板を加熱するための第1及び第2加熱要素とを備え、前記第1加熱要素は、前記第1区域を優先的に加熱するように設けられており、
前記1つ以上の基板のうちの少なくとも1つの基板からの放射を測定することによりプロセス温度を測定するための少なくとも1つの基板用高温計と、
前記支持体の前記第1区域からの放射を表わす第1区域信号を発生するように作動する第1の支持体用高温計及び前記支持体の前記第2区域からの放射を表わす第2区域信号を発生するように作動する第2の支持体用高温計と、
を備えている装置。 - 前記第1及び第2の支持体用高温計に接続されると共に、前記第1区域信号及び前記第2区域信号間の差を表わす第1差信号を発生するように設けられた第1のコンパレータと、少なくとも部分的に前記プロセス温度に基づいて前記第2加熱要素の作動を制御すると共に、少なくとも部分的に前記第1差信号に基づいて前記第1加熱要素の作動を制御するように構成されて配置された1つ以上のコントローラとを更に備えている、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの基板用高温計は放射率補償型高温計であり、前記支持体用高温計は非放射率補償型高温計である、請求項1に記載の装置。
- 前記支持体は中心軸線を有しており、前記第1区域及び前記第2区域は、前記中心軸線から異なる半径方向距離のところに配置されている、請求項3に記載の装置。
- 前記第1区域は前記第2区域の半径方向内側に配置されており、前記支持体は前記第2区域の半径方向外側に配置された第3区域も有しており、前記装置は更に、前記支持体の前記第3区域からの放射を表わす第3区域信号を発生するように作動する第3の支持体用高温計と、前記第2及び第3の支持体用高温計に接続されると共に、前記第2区域信号及び前記第3区域信号間の差を表わす第2差信号を発生するように設けられた第2のコンパレータとを備えており、前記1つ以上のコントローラは、少なくとも部分的に前記第2差信号に基づいて前記第3加熱要素を制御するように作動している、請求項4に記載の装置。
- 前記各加熱要素は半径方向に離間している、請求項5に記載の装置。
- 前記軸線回りに前記支持体を回転させる回転装置を更に備えている、請求項5に記載の装置。
- 前記第1加熱要素に電力を供給するための第1電源と、前記第2加熱要素に電力を供給するための第2電源と、前記第3加熱要素に電力を供給するための第3電源とを備え、前記1つ以上のコントローラは前記各電源の作動を制御するように動作している、請求項5に記載の装置。
- 前記1つ以上のコントローラは、前記プロセス温度には応答しないが前記第1差信号に応じて前記第1加熱要素の作動を制御するように動作する第1コントローラと、前記第1差信号には応答しないが前記プロセス温度に応じて前記第2加熱要素を制御するように動作する第2コントローラとを備えている、請求項1に記載の装置。
- 化学蒸着反応室にある基板の制御された加熱を行うための装置であって、
前記反応室にある少なくとも1つの基板を保持するため、第1区域及び第2区域を含む支持体と、
該支持体を加熱するための加熱手段と、
前記1つ以上の基板のうちの少なくとも1つの基板の温度を計測することによりプロセス温度を測定するための手段と、
前記支持体の前記第1区域の温度に関係したパラメータを表わす第1区域信号及び前記支持体の前記第2区域の温度に関係したパラメータを表わす第2区域信号を発生するための手段と、
設定温度との前記測定されたプロセス温度の比較に少なくとも部分的に基づいて前記プロセス温度を目標温度に維持すると共に、前記各区域信号の比較に少なくとも部分的に基づいて前記支持体の前記各区域間の温度均一性を維持するように前記加熱手段を制御するための制御手段と、
を備えている装置。 - 化学蒸着装置にある基板の温度を制御するための方法であって、
前記化学蒸着装置にある前記基板を支持するための支持体を用意するステップと、
前記支持体及び前記基板を加熱するステップと、
前記基板の温度を測定するステップと、
前記支持体の少なくとも2つの区域から支持体温度に関係したパラメータの指示を取得するステップと、
差信号を得るために前記少なくとも2つの区域からの前記パラメータの指示を比較するステップと、
前記測定した温度を設定値に維持し且つ前記差信号を所定レベルに維持するように、前記測定した温度及び前記差信号に応答して前記各区域への熱伝達を調整するステップと、
を含む方法。 - 前記所定レベルは実質的にゼロに等しい、請求項11に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基板は鏡のような表面を有し、前記基板の温度を測定する前記ステップは放射率補償型高温計を使用することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記パラメータの指示を取得する前記ステップは、少なくとも1つの非放射率補償型高温計を使用することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記パラメータの指示を取得する前記ステップは、少なくとも2つの非放射率補償型高温計を使用することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記支持体は拡散表面を有している、請求項15に記載の方法。
- 化学蒸着装置にある1つ以上の半導体ウェーハを熱処理する方法であって、
前記化学蒸着装置にある前記1つ以上の半導体ウェーハを支持するための支持体を用意するステップと、
前記支持体上の前記1つ以上の半導体ウェーハを目標作動温度まで加熱するステップと、
放射率補償型高温計を用いて前記半導体ウェーハの温度を測定するステップと、
前記支持体上の少なくとも2つの区域間の温度差に関係する差信号を発生するステップと、
少なくとも部分的に前記差信号に基づいて前記支持体の前記少なくとも2つの区域の一方における温度を調整するステップと、
を含む方法。 - 前記差信号を発生する前記ステップは、1つ以上の非放射率補償型高温計を用いて前記支持体からの放射を監視することを含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/671,527 | 2000-09-27 | ||
US09/671,527 US6492625B1 (en) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates |
PCT/US2001/024794 WO2002026435A1 (en) | 2000-09-27 | 2001-08-08 | Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004513510A true JP2004513510A (ja) | 2004-04-30 |
JP5004401B2 JP5004401B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=24694873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002530254A Expired - Fee Related JP5004401B2 (ja) | 2000-09-27 | 2001-08-08 | 基板の温度均一性を制御するための方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6492625B1 (ja) |
EP (2) | EP2402108A1 (ja) |
JP (1) | JP5004401B2 (ja) |
KR (1) | KR100803187B1 (ja) |
CN (1) | CN1309524C (ja) |
AU (1) | AU2001279230A1 (ja) |
WO (1) | WO2002026435A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-08-08 EP EP11007339A patent/EP2402108A1/en not_active Withdrawn
- 2001-08-08 AU AU2001279230A patent/AU2001279230A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-08 EP EP01957492A patent/EP1390174A4/en not_active Withdrawn
- 2001-08-08 WO PCT/US2001/024794 patent/WO2002026435A1/en active Application Filing
- 2001-08-08 KR KR1020037003837A patent/KR100803187B1/ko active IP Right Grant
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JP7452458B2 (ja) | 2021-02-16 | 2024-03-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1390174A1 (en) | 2004-02-25 |
AU2001279230A1 (en) | 2002-04-08 |
WO2002026435A1 (en) | 2002-04-04 |
EP2402108A1 (en) | 2012-01-04 |
CN1309524C (zh) | 2007-04-11 |
JP5004401B2 (ja) | 2012-08-22 |
EP1390174A4 (en) | 2009-07-29 |
KR100803187B1 (ko) | 2008-02-14 |
CN1607989A (zh) | 2005-04-20 |
KR20030033068A (ko) | 2003-04-26 |
US6492625B1 (en) | 2002-12-10 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |