TW201633558A - 量子點複合物及包含其之光電子裝置 - Google Patents

量子點複合物及包含其之光電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201633558A
TW201633558A TW105100195A TW105100195A TW201633558A TW 201633558 A TW201633558 A TW 201633558A TW 105100195 A TW105100195 A TW 105100195A TW 105100195 A TW105100195 A TW 105100195A TW 201633558 A TW201633558 A TW 201633558A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
quantum dot
dot composite
scattering particles
group
quantum
Prior art date
Application number
TW105100195A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI589020B (zh
Inventor
李起淵
吳潤錫
李庚珍
楊春逢
曺瑞英
Original Assignee
康寧精密素材股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 康寧精密素材股份有限公司 filed Critical 康寧精密素材股份有限公司
Publication of TW201633558A publication Critical patent/TW201633558A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI589020B publication Critical patent/TWI589020B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/783—Organic host/matrix, e.g. lipid
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

提出一種量子點複合物及包含其之光電子裝置。量子點複合物包含基質層、散佈在基質層內的複數個量子點、以及散佈在基質層內的複數個散射粒子。散射粒子散佈在量子點之間。複數個散射粒子由於形成在其中的中空空間而具有多個折射率。量子點複合物由於其優異的光學特性而改善光電子裝置的發光效率。

Description

量子點複合物及包含其之光電子裝置
本發明係關於一種量子點複合物及包含其之光電子裝置，且特別是關於一種由於其優異光學特性而能夠改善光電子裝置的發光效率的量子點複合物、以及包含其之光電子裝置。
量子點係一種由具有直徑大約10nm或更小的半導體材料所製成的奈米晶體，並且展現量子侷限特性。量子點產生窄波長的強光，其光比從一般螢光材料所產生的光還強。當量子點的激發態電子從傳導帶轉變到價帶時，發生量子點放射(radiation)。就算在同一材料，波長還是會隨量子點的尺寸而改變。量子點之尺寸越小，則光之波長也就越短。因此，可能藉由調整量子點之尺寸來產生預期波長的光。
形成奈米晶體量子點的方法包括氣相沉積法，例如有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)及分子束磊晶(MBE)、以及化學濕製程。
化學濕製程係一種控制量子點的長晶的方法，該方法透過使有機溶液於晶體表面上配位鍵結，使得有機溶液作用為分散劑。化學濕製程與例如MOCVD及MBE的氣相沉積法相比更為簡單，並可透過低成本過程來均勻地調整奈米晶體的尺寸或形狀。
由於其獨特的物理性質，例如奈米尺度的尺寸、可調整尺寸的光學特性、高發光穩定度及廣吸收頻譜，透過以上敘述的方法所製造的量子點係使用於各種領域，比如生醫影像、光電池裝置、發光裝置、記憶體及顯示裝置。
量子點係被混入片狀的一般聚合物應用在各種領域。
在先前技術中，可加入散射劑以獲取高發光效率，像是氧化鈦、氧化鋁、鈦化鋇、或二氧化矽。然而，單加入散射劑對於提高發光效率上僅具有限能力。
在本發明之先前技術章節所揭示的資訊僅提供以對本發明的背景能有更好的理解，且不應視為此資訊形成為所屬技術領域中具有通常知識者所習知之先前技術的明示或任何形式之提示。
相關技術文件：專利文件1：韓國專利申請公開號第10-2013-0136259 (2013年12月12號)。
本發明的多個態樣係提出一種由於優異光學特性而能夠改善光電子裝置的發光效率的量子點複合物、以及包含其之光電子裝置。
本發明的一態樣提出一種量子點複合物，其包含：基質層；散佈在基質層內的複數個量子點；以及散佈在基質層內的複數個散射粒子，其中，散射粒子散佈在量子點之間。複數個散射粒子並因在其間形成的中空空間而具有多個折射率。
根據本發明的一實施例，此複數個散射粒子可為玻璃粒子或聚合物粒子，每顆粒子都具有中空空間於其中。
該複數個散射粒子的含量可介於量子點複合物的重量之0.04%至10%之間。
散射粒子的尺寸可比量子點的尺寸大。
散射粒子的尺寸可介於3μm至100μm之間。
此些量子點可由奈米晶體形成，該奈米晶體可選自由矽奈米晶體、第2族-第6族化合物半導體奈米晶體、第3族-第5族化合物半導體奈米晶體，第4族-第6族化合物半導體奈米晶體及包含以上至少二者的混合物所組成之群組之一奈米晶體。
基質層可由聚合物樹脂形成。
本發明的另一態樣提出一種光電子裝置，其沿著光出入路徑包含上述之量子點複合物。
根據以上敘述之本發明，該複數個散射粒子散佈在基質層中，由於其中之中空空間而具有多個折射率，且佔據了散佈在基質層內的複數個量子點之間的空間，使得由複數個量子點產生的光可被充分的放射出去。複數個散射粒子係被提供作為使由量子點產生的光，光電子裝置發出的光或進入光電子裝置的光之路徑複雜化或多元化之手段。藉此，複數個散射粒子改善了光電子裝置的發光效率。
與先前技術的量子點複合物相比起來，當使用根據本發明的量子點複合物作為LED的色彩轉換基體(color conversion substrate)時，該量子點複合物顯著地改善了色彩轉換效率及亮度(luminance)，因此與先前技術相比減少了所使用的量子點之量。
本發明的方法及設備具有將自一起用於說明本發明之特定原理之於文中併入之附圖及以下的實施方式而顯而易見或更詳盡地解釋之其他特徵及優點。
現將詳細參照根據本發明之量子點複合物以及包含其之光電子裝置之實施例，其將於附圖繪示並於下文中說明，使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易將本發明付諸實行。
整份文件應參照圖式，其中相同參考符號及代碼在所有不同圖式中係用於指示相同或相似組件。在本發明之下列說明中，於本文併入之習知功能及組件的詳細說明將在本發明標的呈現不明確之情況下省略。
參照第1圖至第3圖，根據本發明的例示性實施例的量子點複合物100應用到光電子裝置以改善光電子裝置之發光效率。舉例，當光電子裝置實施為例如發光二極體（LED）或有機發光二極體（OLED）的光電子發射器時，量子點複合物100係設置在由光電子裝置產生之光相沿離開的路徑，以藉由沿著多條光通過的路徑散射光來提高光的輸出強度。當光電子裝置實施為例如光電池的光電子接收器時，量子點複合物100設置在光進入光電子接收器相沿的路徑，以藉由在光通過其中時沿著各種路徑散射光來提高吸收進光電子接收器的光強度。如此，量子點複合物100改善了光電子裝置的效率。
除此之外，根據此實施例的量子點複合物100可為薄片或是基板之形狀。此形狀的量子點複合物100可應用為設置在LED上之構件，以轉換由LED發出的部分光的顏色。具體而言，包含根據此實施例的量子點複合物100及一LED的LED封裝發出藉由混合所產生之白光，例如混合來自藍色LED的藍光及來自量子點複合物100之轉換顏色的光。雖然沒有繪示，但該LED可包含本體及LED晶片。本體係為具有預設形狀的開口的結構，且提供其中容置LED晶片之結構空間。本體配有引線及引線框架藉此使LED晶片電連接到外部電源。此外，LED晶片係為一光源，其響應於自外部施加的電流而發光。LED晶片安置在本體上，並透過引線及引線框架連接到外部電源。LED晶片可配置為提供電子之n型半導體層以及提供電洞之p型半導體層的順向偏壓接面(forward junction)。
根據上述的此實施例的量子點複合物100係應用為多種光電子裝置的光學功能構件，特別是LED的色彩轉換基體，且包括基質層110、複數個量子點120及複數個散射粒子130。
基質層110係作用為保護散佈在其中的複數個量子點120及複數個散射粒子130免受外界環境，例如濕氣的影響。除此之外，基質層110維持複數個量子點120散佈在其中的結構。基質層110可為薄片或基板之形狀，其可透過切割或成型生產，並提供光發射或接收所相沿的路徑。根據本發明的一實施例，基質層110可由熱或紫外線(UV)硬化聚合物樹脂所形成。
複數個量子點120係散佈在基質層110內。基質層110保護複數個量子點120免受外界環境的影響，並使複數個量子點120維持在散佈狀態。
複數個量子點120係由半導體材質製成的奈米晶體，其具有直徑約1至10nm，並且展現量子侷限特性。量子點120透過轉換由LED發射之光的波長而產生轉換波長的光，亦即螢光。舉例而言，當根據此實施例的量子點複合物100使用於作為藍光LED的色彩轉換基體時，複數個量子點120藉由轉換部分自藍光LED產生的藍光為黃光來產生螢光，以透過混合黃光與藍光LED的藍光之色彩來產生白光。
複數個量子點120可由選自由矽(Si)奈米晶體、第2族-第6族化合物半導體奈米晶體、第3族-第5族化合物半導體奈米晶體、第4族-第6族化合物半導體奈米晶體及包含以上至少二者的混合物之一奈米晶體所形成，但奈米晶體並不侷限於此。舉例來說，對於複數個量子點120，硒化鎘(CdSe)可用作第2族-第6族化合物半導體奈米晶體，且磷化銦(InP)可用作第3族-第5族化合物半導體奈米晶體。然而，根據本發明的實施例，量子點120並不特別限於硒化鎘或磷化銦。
複數個散射粒子130就如複數個量子點120一樣散佈在基質層110內。此處，散佈在基質層110內的散射粒子130被設置在量子點120之間。根據本發明的一實施例，散射粒子130的尺寸比量子點120的尺寸還大。例如，散射粒子130的尺寸可介於3至100μm，其比奈米晶體量子點120的尺寸還大。散射粒子130的尺寸可定義為球狀散射粒子130的直徑。
當散射粒子130設置在較小的量子點120之間時，在基質層110內的鄰近量子點120之間定義出用於使自複數個量子點120所產生的光充分地放射之空間，藉此可能達到優異的色彩轉換效率及演色指數(CRI)。根據此實施例，散射粒子130促成了量子點複合物100的優異光學特性，例如色彩轉換效率及演色指數。因此，與先前技術比起來，用於量子點複合物100的量子點120之量可減少。
根據此實施例的複數個散射粒子130具有多個折射率。為此，複數個散射粒子130可為其中具有中空空間131的玻璃粒子或聚合物粒子。此處，散射粒子130中的中空空間131的體積可為散射粒子130整體體積的約80%。特別是，每個散射粒子130可具有芯殼結構(core-shell structure)，其包括由該對應中空空間131形成的中心及環繞中心的玻璃或聚合物外殼，其中該中心佔據散射粒子130的體積的約80%。當散射粒子130由玻璃或聚合物粒子所形成時，每一個散射粒子130都具有芯殼結構，其中，中心及外殼具有不同的折射率，可能使例如由LED發射或由量子點120產生的光的路徑複雜化或多元化，藉此改善光萃取效率，亦即，LED的發光效率。
就光電池而言，透過散射入射光，散射粒子130可提高吸收進入光電池的光吸收層之光強度，藉此提升光電池的光效率。
在此，複數個散射粒子130可依照介於量子點複合物100之重量的0.04%至10%的比例包含在基質層110中。當散佈在基質層110內的複數個散射粒子130的含量按重量小於0.04%時，散射粒子130對色彩轉換效率的改善不具有顯著效果或無效果。在此情況下，添加散射粒子130係毫無用處的。相比之下，當複數個散射粒子130的含量按重量大於10%時，包含量子點複合物100的光電子裝置，例如LED的亮度(luminance)會降低。
示例1
藉由混合量子點6.6g、低粘度紫外線硬化樹脂2g及高粘度紫外線硬化樹脂2g製備第一混合物，且藉由混合散射粒子2g及高粘度紫外線硬化樹脂10g製備第二混合物，其中散射粒子由中空玻璃或聚合物形成。藉由以1:0.2的比例混合第一混合物及第二混合物來製成量子點複合物。因而，散射粒子散佈在所得混合物內，具散射粒子之含量為量子點複合物重量的3.08%。
示例2
藉由以1：0.4的比例混合示例1中的第一混合物及第二混合物來製成量子點複合物。由此，散射粒子散佈在所得混合物內，具散射粒子之含量為量子點複合物重量的5.19%。
示例3
藉由以1：0.6的比例混合示例1中的第一混合物及第二混合物來製成量子點複合物。由此，散射粒子散佈在所得混合物內，具散射粒子之含量為量子點複合物重量的6.74%。
示例4
藉由以1：0.8的比例混合示例1中的第一混合物及第二混合物來製成量子點複合物。由此，散射粒子散佈在所得混合物內，具散射粒子之含量為量子點複合物重量的7.92%。
示例5
藉由以1：1的比例混合示例1中的第一混合物及第二混合物來製成量子點複合物。由此，散射粒子散佈在所得混合物內，具散射粒子之含量為量子點複合物重量的8.85%。
比較例1
以示例1中的第一混合物製成量子點複合物。由此，比較例1的量子點複合物係製備為不含因形成於其中之中空空間而具有多個折射率的散射粒子。
表1
上表1呈現根據示例1至示例5及比較例1的量子點複合物應用在發光二極體(LEDs)後的色度坐標(chromaticity coordinates)及亮度(luminance)。第4圖至第8圖係根據本發明的示例1至示例5的量子點複合物的放射譜，且第9圖係根據比較例1的量子點複合物的放射譜。
參照表1及第4圖至第9圖，顯然包含散射粒子的量子點複合物(示例1至示例5)的亮度顯著高於不含散射粒子的量子點複合物(比較例1)之亮度。這印證了散射粒子有助於提升光學特性。在此，當散射粒子含量按重量為6.74%時，測量為最高亮度。另外，包含散射粒子的量子點複合物(示例1至示例5)的色彩轉換效率幾乎為不含散射粒子的量子點複合物(比較例1)的色彩轉換效率的兩倍。
如上所示，根據本發明的量子點複合物100包含散佈在基質層110內的複數個量子點120及置於量子點120之間的散射粒子130。具有多個折射率的散射粒子130佔據著量子點120之間的空間，以使從量子點120產生的光可充分地放射並且沿著多條路徑散射光。藉此，根據本發明的量子點複合物100可提升其中應用該量子點複合物100之光電子裝置的發光效率。尤其，當根據本發明的量子點複合物100應用為LED的色彩轉換基體時，量子點複合物100與先前技術中不含散射粒子130的量子點複合物相比起來，顯著地改善色彩轉換效率及亮度。因此，與先前技術相比，用於量子點複合物的量子點120之量可減少。
以上本發明之特定例示性實施例之敘述係按照圖式呈現。其非旨在詳盡或限制本發明於所揭示的具體形式，且顯然地依照上述教示，所屬技術領域中具有通常知識者可進行任何修改與變化。
因此本發明之範圍旨在不限定於以上的實施例，而是由以下所附之申請專利範圍及其等效物所定義。
100‧‧‧量子點複合物
110‧‧‧基質層
120‧‧‧量子點
130‧‧‧散射粒子
131‧‧‧中空空間
第1圖係敘述根據本發明的例示性實施例的一量子點複合物之示意圖；
第2圖及第3圖係根據本發明的例示性實施例的一量子點複合物之顯微圖。
第4圖至第8圖分別係根據本發明之示例1至示例5的量子點複合物之放射譜。
第9圖係根據比較例1的量子點複合物之放射譜。
100‧‧‧量子點複合物
110‧‧‧基質層
120‧‧‧量子點
130‧‧‧散射粒子
131‧‧‧中空空間

Claims (8)

  1. 一種量子點複合物，其包含： 一基質層； 複數個量子點，散佈在該基質層；以及 複數個散射粒子，散佈在該基質層，該複數個散射粒子係設置於該複數個量子點之間， 其中該複數個散射粒子之每一個具有一中空空間於其中，從而具有多個折射率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之量子點複合物，其中該複數個散射粒子之每一個包含具有該中空空間於其中之一玻璃粒子或一聚合物粒子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之量子點複合物，其中該複數個散射粒子的含量介於該量子點複合物之重量的0.04至10%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之量子點複合物，其中該複數個散射粒子的尺寸大於該複數個量子點的尺寸。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之量子點複合物，其中該複數個散射粒子的尺寸介於3至100μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之量子點複合物，其中該基質層係由聚合物樹脂所形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之量子點複合物，其中該複數個量子點包含選自由一矽奈米晶體、一第2族-第6族化合物半導體奈米晶體、一第3族-第5族化合物半導體奈米晶體、一第4族-第6族化合物半導體奈米晶體及包含以上至少二者的混合物所組成之群組之一奈米晶體。
  8. 一種沿著光出入路徑包含如申請專利範圍第1項至第7項之任一項所述之量子點複合物之光電子裝置。
TW105100195A 2015-01-06 2016-01-05 量子點複合物及包含其之光電子裝置 TWI589020B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150001053A KR101777596B1 (ko) 2015-01-06 2015-01-06 양자점 복합체 및 이를 포함하는 광전소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201633558A true TW201633558A (zh) 2016-09-16
TWI589020B TWI589020B (zh) 2017-06-21

Family

ID=56356136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105100195A TWI589020B (zh) 2015-01-06 2016-01-05 量子點複合物及包含其之光電子裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20170362502A1 (zh)
EP (1) EP3243887A4 (zh)
JP (1) JP2018510367A (zh)
KR (1) KR101777596B1 (zh)
CN (1) CN107112398A (zh)
TW (1) TWI589020B (zh)
WO (1) WO2016111483A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102291493B1 (ko) * 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102661442B1 (ko) * 2016-11-02 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106601838B (zh) * 2016-12-12 2017-11-14 兰州大学 一种点阵式磁光电器件及其制备方法
KR102466420B1 (ko) * 2017-08-22 2022-11-11 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6973500B2 (ja) * 2017-11-10 2021-12-01 Dic株式会社 インク組成物及びその製造方法、並びに光変換層及びカラーフィルタ
DE102017129917A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
CN108150968A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 中华映管股份有限公司 反射膜
KR20190094628A (ko) * 2018-02-05 2019-08-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11067848B1 (en) * 2018-06-22 2021-07-20 Facebook Technologies, Llc Switchable reflective devices including first and second optically transparent materials with different refractive indexes and methods and systems for fabrication thereof
CN109031754A (zh) * 2018-07-20 2018-12-18 深圳市华星光电技术有限公司 量子点结构、偏光片及液晶显示装置
US11243333B1 (en) * 2018-10-24 2022-02-08 Facebook Technologies, Llc Nanovoided optical structures and corresponding systems and methods
US11526129B1 (en) 2018-12-07 2022-12-13 Meta Platforms Technologies, Llc Nanovoided holographic structures and corresponding systems and methods
US11340386B1 (en) 2018-12-07 2022-05-24 Facebook Technologies, Llc Index-gradient structures with nanovoided materials and corresponding systems and methods
CN111995997B (zh) * 2020-08-05 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光学薄膜的制备方法及光学薄膜
JPWO2022080359A1 (zh) * 2020-10-12 2022-04-21

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006526258A (ja) * 2003-05-09 2006-11-16 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 蛍光体のナノ粒子でコーティングされたｕｖ光源
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2009002512A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2009014590A2 (en) * 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
TW200900764A (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Exploit Technology Co Ltd Light guide plate and the backlight module using the same
JP2010533976A (ja) 2007-07-18 2010-10-28 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 固体照明に有用な量子ドットベースの光シート
WO2009014707A2 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8389958B2 (en) * 2009-03-18 2013-03-05 Duke University Up and down conversion systems for production of emitted light from various energy sources
WO2009137053A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2164302A1 (de) * 2008-09-12 2010-03-17 Ilford Imaging Switzerland Gmbh Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
CN102598313B (zh) * 2009-08-14 2016-03-23 Qd视光有限公司 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
TW201139532A (en) * 2010-04-30 2011-11-16 Styron Europe Gmbh Improved light diffusing composition
US20120113671A1 (en) * 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
WO2012064562A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-18 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101870443B1 (ko) * 2011-10-21 2018-06-22 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013162646A1 (en) 2012-04-22 2013-10-31 Qd Vision, Inc. Coated semiconductor nanocrystals and products including same
JP2013149729A (ja) 2012-01-18 2013-08-01 Fujifilm Corp 量子ドット構造体、波長変換素子および光電変換装置
KR20130136259A (ko) 2012-06-04 2013-12-12 삼성전자주식회사 양자점을 이용한 발광소자 패키지
TW201427893A (zh) * 2013-01-07 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置
EP3033552B1 (en) * 2013-08-16 2023-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for making optical components and products including same
KR101959486B1 (ko) * 2014-08-14 2019-03-18 주식회사 엘지화학 발광 필름

Also Published As

Publication number Publication date
EP3243887A1 (en) 2017-11-15
CN107112398A (zh) 2017-08-29
WO2016111483A1 (ko) 2016-07-14
KR20160084619A (ko) 2016-07-14
KR101777596B1 (ko) 2017-09-13
TWI589020B (zh) 2017-06-21
JP2018510367A (ja) 2018-04-12
EP3243887A4 (en) 2018-08-15
US20170362502A1 (en) 2017-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI589020B (zh) 量子點複合物及包含其之光電子裝置
US6734465B1 (en) Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
JP6631973B2 (ja) 量子ドット複合材料ならびにその製造方法および用途
US9142732B2 (en) LED lamp with quantum dots layer
TWI589034B (zh) 磷光體轉換發光二極體、燈及燈具
EP2837041B1 (en) A light conversion assembly, a lamp and a luminaire
US9508892B2 (en) Group I-III-VI material nano-crystalline core and group I-III-VI material nano-crystalline shell pairing
JP2010533976A (ja) 固体照明に有用な量子ドットベースの光シート
EP2973753B1 (en) Nano-crystalline core and nano-crystalline shell pairing having group i-iii-vi material nano-crystalline core
JP2010533976A5 (zh)
EP2869353A1 (en) White light emitting device with adapted melatonin secretion
KR101330045B1 (ko) 금속 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명을 이용하는 백색 발광 다이오드 소자
KR102397910B1 (ko) 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
JP2014175498A (ja) 発光装置
US8952607B2 (en) Light emitting module and lighting device
JP2005197317A (ja) 固体照明素子
CN113280274B (zh) 采用具有不同含量的氟和氧的钕基材料的led设备
KR101471449B1 (ko) 광산란을 최소화하는 마이크로 사이즈 형광체
US20190058091A1 (en) Whitening method for phosphor's color at off-state in lighting application
Loan et al. The effects of ZnO particles on the color homogeneity of phosphor-converted high-power white led light sources
KR101294996B1 (ko) 양자점 포함하는 파장변환용 나노복합체 및 이의 제조방법
KR101795034B1 (ko) 발광체
JP2013227398A (ja) 複合蛍光体ならびにその製造方法