TW201631382A - 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法 Download PDF

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Abstract

本發明一態樣之多重帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：調變率資料算出部，對成為多重帶電粒子束的每一個射束的照射單位區域之每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位；調變率對映作成部，針對受到多重帶電粒子束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於該像素周圍的前述至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的前述至少1個像素的位置；修正照射量演算部，對每一像素演算修正照射量，該修正照射量係將前述調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為周圍的前述至少1個像素而在前述 調變率對映的該像素位置定義之對於前述至少1個像素的射束調變率乘上對於成為前述至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得之值予以加計而成。

Description

多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法
本發明係多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法，例如有關藉由照射量的調變來修正多射束描繪當中因射束的位置錯位所引起之圖樣的位置錯位、尺寸錯位之方法。
肩負半導體裝置微細化發展的微影技術，在半導體製程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體裝置要求之電路線寬正逐年微細化。當中，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優良的解析性，對光罩底板(blanks)等使用電子線來描繪光罩圖樣係行之已久。
舉例來說，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產能大幅提升。這樣的多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，如此光罩像被縮小並藉 由偏向器被偏向而照射至試料上的所需位置。
在此，多射束描繪中，可能會發生光學系統的失真、形成多射束的孔徑陣列與設計值之偏差、及/或因庫侖效應等引起射束的位置錯位。若構成多射束之射束發生位置錯位，則描繪出的圖樣亦會有發生位置錯位、尺寸錯位這樣的問題。故，理想是對於因被發生了位置錯位的射束照射而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位予以修正。例如，有人提出，對於光學失真所致之位置錯位，演算包含失真量之擊發位置，並因應位於以該包含失真量之擊發位置為前提而構成的區域內之圖樣的面積密度，以調整對該擊發位置照射之射束的劑量(例如參照日本特開2014-007379號公報)。
然而，以往未能建立一種對於因被發生了位置錯位的射束照射而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位予以修正用之足夠有效的手法。
本發明之實施形態，提供一種多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法，可對於因被發生了位置錯位的射束照射而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位予以修正。
本發明一態樣之多重帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：調變率資料算出部，對成為多重帶電粒子束的每一個 射束的照射單位區域之每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位；調變率對映作成部，針對受到多重帶電粒子束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於該像素周圍的前述至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的前述至少1個像素的位置；照射量演算部，對每一像素，演算對於該像素的射束照射量；修正照射量演算部，對每一像素演算修正照射量，該修正照射量係將前述調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為周圍的前述至少1個像素而在前述調變率對映的該像素位置定義之對於前述至少1個像素的射束調變率乘上對於成為前述至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得之值予以加計而成；描繪部，使用多重帶電粒子束對試料描繪圖樣，以使前述修正照射量的射束各自照射至相對應之像素。
本發明一態樣之多重帶電粒子束描繪方法，其特徵 為：對成為多重帶電粒子束的每一個射束的照射單位區域之每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位，針對受到多重帶電粒子束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於該像素周圍的前述至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的前述至少1個像素的位置，對每一像素，演算對於該像素的射束照射量，對每一像素演算修正照射量，該修正照射量係將前述調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為周圍的前述至少1個像素而在前述調變率對映的該像素位置定義之對於前述至少1個像素的射束調變率乘上對於成為前述至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得之值予以加計而成，使用多重帶電粒子束對試料描繪圖樣，以使前述修正照射量的射束各自照射至相對應之像素。
22‧‧‧孔
24‧‧‧控制電極
25‧‧‧通過孔
26‧‧‧對向電極
30‧‧‧薄膜區域
31‧‧‧基板
32‧‧‧外周區域
33‧‧‧支撐台
34‧‧‧照射區域
35‧‧‧條紋區域
41、43‧‧‧控制電路
47‧‧‧個別遮沒機構
50‧‧‧位置錯位資料取得部
52‧‧‧選擇部
54‧‧‧修正資料算出部
55‧‧‧修正對映作成部
56‧‧‧圖形資料取得部
57‧‧‧擊發資料作成部
59‧‧‧修正部
60‧‧‧描繪控制部
61‧‧‧資料處理部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
139‧‧‧平台位置檢測器
140、142、144‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
20a~20e‧‧‧多射束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧遮沒板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧鏡
圖1為實施形態1中描繪裝置的構成示意概念圖。
圖2A與圖2B為實施形態1中孔徑構件的構成示意概念圖。
圖3為實施形態1中遮沒板的構成示意截面圖。
圖4為實施形態1中遮沒板的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。
圖5為實施形態1中描繪方法的主要工程示意流程圖。
圖6A及圖6B為實施形態1中的位置錯位修正方法的一例說明用圖。
圖7A與圖7B為作為實施形態1的比較例之，當無修正的情形下矚目於1個像素時定義著調變率之調變率對映的一例示意圖。
圖8A與圖8B為實施形態1中矚目於1個像素時定義著調變率之調變率對映的一例示意圖。
圖9為實施形態1中調變率對映的一部分的一例示意圖。
圖10為實施形態1中照射量對映的一例示意圖。
圖11為實施形態1中修正照射量對映的一例示意圖。
圖12A至圖12C為作為實施形態1的比較例之調變對映的一部分與照射量調變的方式說明用圖。
圖13為實施形態1中描繪動作的一例說明用概念圖。
圖14為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量 的情形下之模擬結果一例示意圖。
圖15為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。
圖16為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。
圖17為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果一例示意圖。
圖18為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。
圖19為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。
以下，實施形態中，說明一種多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法，可對於因被包含發生了位置錯位的射束在內之多射束照射而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位予以修正。
以下在實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係以使用了電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束並非限於電子束，也可以是離子束等使用了帶電粒子的射束。
實施形態1.
圖1為實施形態1中描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪 裝置100為多重帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部150具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201(帶電粒子束源)、照明透鏡202、孔徑構件203、遮沒板204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、對物透鏡207、及偏向器208。在描繪室103內配置有XY平台105(平台)。在XY平台105上，配置有於描繪時成為描繪對象基板的光罩底板等試料101。試料101係包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或製造出半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。在XY平台105上還配置XY平台105位置測定用的鏡(mirror)210。
控制部160具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台位置檢測器139及磁碟裝置等記憶裝置140，142，144。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台位置檢測器139及記憶裝置140，142，144係透過未圖示之匯流排而彼此連接。描繪資料從外部輸入並存儲於記憶裝置140(記憶部)。
在控制計算機110內，配置有位置錯位資料取得部50、選擇部52、修正資料算出部54、修正對映作成部55、圖形資料取得部56、擊發資料作成部57、修正部59、描繪控制部60、及資料處理部61。位置錯位資料取得部50、選擇部52、修正資料算出部54、修正對映作成部55、圖形資料取得部56、擊發資料作成部57、修正部59、描繪控制部60、及資料處理部61這些一連串的「~部」，各自由處理器電路所構成，它們由電子電路、量子 電路、電腦、電路基板、或半導體裝置等這類1個以上的電路所構成並執行。對於位置錯位資料取得部50、選擇部52、修正資料算出部54、修正對映作成部55、圖形資料取得部56、擊發資料作成部57、修正部59、描繪控制部60、及資料處理部61輸出入之資訊及演算中之資訊會隨時存儲於記憶體112。
此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必須之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。
圖2A與圖2B為實施形態1中孔徑構件的構成示意概念圖。圖2A中，在孔徑構件203，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)22以規定之編排間距形成為矩陣狀。圖2A中，例如形成512×8列的孔22。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同外徑的圓形亦可。在此，舉例於y方向的各列，分別在x方向形成從A至H的8個孔22。電子束200的一部分分別通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束20。在此，雖然舉例於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔22，但並不限於此。除此以外，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的編排方式，亦不限於如圖2A般配置成縱橫為格子狀之情形。如圖2B所示，舉例來說，縱方向(y方向)第1段的列及第2段的列的孔，彼此可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第2 段的列及第3段的列的孔，彼此也可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。
圖3為實施形態1中遮沒板的構成示意截面圖。
圖4為實施形態1中遮沒板的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。另，圖3及圖4中，沒有記載成令控制電極24與相向電極26與控制電路41，43的位置關係一致。遮沒板204，如圖3所示，是在支撐台33上配置由矽等所構成之半導體基板31。基板31的中央部，例如從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域30(第1區域)。圍繞薄膜區域30之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域32(第2區域)。薄膜區域30的上面與外周區域32的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域32的背面而被保持於支撐台33上。支撐台33的中央部係開口，薄膜區域30的位置，位於支撐台33的開口之區域。
在薄膜區域30，於和圖2A(或圖2B)所示之孔徑構件203的各孔22相對應之位置，有供多射束的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。又，在薄膜區域30上，如圖3及圖4所示，於各通過孔25的鄰近位置，包夾著該通過孔25而分別配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在薄膜區域30上的各通過孔25的鄰近，配置有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏 輯電路)。各射束用的相向電極26被接地連接。
此外，如圖4所示，各控制電路41，連接至控制訊號用之例如10位元的平行配線。各控制電路41，除了控制用之例如10位元的平行配線以外，還連接至時脈訊號線及電源用的配線。時脈訊號線及電源用的配線亦可流用平行配線的一部分配線。對於構成多射束之各個射束的每一者，構成由控制電極24及相向電極26及控制電路41所組成之個別遮沒機構47。此外，圖3例子中，控制電極24及相向電極26及控制電路41是配置於基板31的膜厚較薄之薄膜區域30。但，並不限於此。
通過各通過孔25的電子束20，會分別獨立地藉由施加於該成對之2個電極24、26的電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。換言之，控制電極24及相向電極26的組合，會將通過孔徑構件203的複數個孔22(開口部)之多射束當中的相對應射束分別予以遮沒偏向。
接著說明描繪裝置100中描繪部150的動作。從電子槍201(放出部)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對孔徑構件203全體做照明。在孔徑構件203，形成有矩形的複數個孔(開口部)，電子束200係對包含所有複數個孔之區域做照明。照射至複數個孔的位置之電子束200的各一部分，會分別通過該孔徑構件203的複數個孔，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)20a~e。該多射束20a~e會通過遮沒板204的各個相對應之遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構) 內。該遮沒器會分別將個別通過之電子束20予以偏向(進行遮沒偏向)。
通過了遮沒板204的多射束20a~e，會藉由縮小透鏡205而被縮小，朝向形成於限制孔徑構件206之中心的孔行進。此處，藉由遮沒板204的遮沒器而被偏向的電子束20，其位置會偏離限制孔徑構件206的中心的孔，而被限制孔徑構件206遮蔽。另一方面，未受到遮沒板204的遮沒器偏向的電子束20，會如圖1所示般通過限制孔徑構件206的中心的孔。藉由該個別遮沒機構的ON/OFF，來進行遮沒控制，控制射束的ON/OFF。像這樣，限制孔徑構件206，是將藉由個別遮沒機構而被偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。
然後，對每一射束，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑構件206的射束，形成1次份的擊發的射束。通過了限制孔徑構件206的多射束20，會藉由對物透鏡207而合焦，成為所需之縮小率的圖樣像，然後藉由偏向器208，通過了限制孔徑構件206的各射束(多射束20全體)朝同方向統一被偏向，照射至各射束於試料101上各自之照射位置。此外，例如當XY平台105在連續移動時，射束的照射位置會受到偏向器208控制，以便追隨(追蹤)XY平台105的移動。XY平台105的位置，是從平台位置檢測器139將雷射朝向XY平台105上的鏡210照射，利用其反射光來測定。一次所照射之多射束20，理想上會成為以孔徑構件 203的複數個孔的編排間距乘上上述所需之縮小率而得之間距而並排。描繪裝置100，是以逐線掃瞄(raster scan)方式進行描繪動作，即，在各次的追蹤動作中一面跟隨XY平台105的移動一面將作為擊發射束之多射束20藉由偏向器208所致之射束偏向位置的移動而連續地依序照射至一個個像素。當描繪所需的圖樣時，因應圖樣不同必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。
另，試料101的描繪區域，或欲描繪之晶片區域，是以規定寬度分割成長條上的條紋區域。然後，各條紋區域，被假想分割成複數個網目區域(上述的像素)。網目區域(像素)的尺寸，例如合適為射束尺寸、或其以下的尺寸。例如合適是訂為10nm左右的尺寸。網目區域(像素)，成為多射束的每1個射束的照射單位區域。
當以多射束20描繪試料101時，如上述般，在追蹤動作中一面跟隨XY平台105的移動一面將作為擊發射束之多射束20藉由偏向器208所致之射束偏向位置的移動而連續地依序照射至一個個像素。又，多射束的哪個射束會照射試料101上的哪個像素，是由描繪序列(sequence)來決定。利用在多射束的x，y方向各自相鄰射束間的射束間距，試料101面上的於x，y方向分別相鄰射束間的射束間距(x方向)×射束間距(y方向)的區域係由n×n像素的區域(副間距區域)所構成。例如，在1次的追蹤動作中，當XY平台105朝-x方向僅移動射束間距(x方向)的情形下，於x方向或y方向(或斜 方向)藉由1個射束一面偏移照射位置一面描繪n像素。同一n×n像素的區域內的其他n像素，在下次的追蹤動作中藉由和上述射束相異之射束同樣地描繪n像素。像這樣在n次的追蹤動作中藉由各自相異之射束來逐次描繪n像素，藉此描繪1個n×n像素的區域內的所有像素。針對多射束的照射區域內的其他n×n像素的區域，亦在同時期實施同樣的動作，同樣地描繪。
圖5為實施形態1中描繪方法的主要工程示意流程圖。圖5中，實施修正對象資料取得工程(S102)、混合道次(pass)選擇工程(S104)、修正資料算出工程(S106)、修正對映作成工程(S108)、圖形資料取得工程(S202)、擊發資料作成工程(S204)、修正工程(S210)、描繪工程(S212)這一連串工程。從修正對象資料取得工程(S102)至修正對映作成工程(S108)之各工程，亦可作為實施描繪處理之前置處理而預先執行。
在實施描繪處理前，事先測定當在試料101面上照射多射束時在各像素的射束的位置錯位量。只要將塗布有未圖示阻劑的測定用基板配置於平台105上，照射多射束，測定其照射位置即可。例如，可循著描繪序列，每次描繪1像素，或在測定上不致造成問題的程度下每次描繪之彼此遠離的複數個像素，並將測定用基板上的像素的射束照射位置例如使用位置計測裝置予以測定。只要求出設計位置與測定位置之差，便能測定每一像素的位置錯位量。反覆該動作，針對所有像素測定射束的位置錯位量。獲得的 位置錯位資料，從外部輸入，存儲於記憶裝置144。
作為修正對象資料取得工程(S102)，位置錯位資料取得部50，讀出記憶裝置144中存儲的位置錯位資料，對每一像素輸入(取得)位置錯位量。
作為混合道次選擇工程(S104)，選擇部52，對每一像素，為了修正位置錯位量，選擇成為分配照射量的分配對象之多重描繪中的其他道次(第幾描繪處理次數)。欲修正對於像素之射束的位置錯位量，如後述般會將對於該像素的照射量的一部分或全部分配給其他像素。當進行多重描繪的情形下，亦可將1次的描繪處理(道次)中的該像素的照射量分配至其他道次的像素。像這樣，實施形態1中，不僅可在同一道次間分配，亦可分配給其他道次。
作為修正資料算出工程(S106)，修正資料算出部54(調變率資料算出部)，對每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位(CD錯位)。
圖6A及圖6B為實施形態1中的位置錯位修正方法的一例說明用圖。圖6A例子中，揭示照射至座標(x，y)的像素之射束a’朝+x，+y側引發了位置錯位之情形。欲將因該發生了位置錯位的射束a’而形成之圖樣的位 置錯位如圖6B般修正至符合座標(x，y)的像素之位置，能夠藉由將錯位份量的照射量分配至和錯位的周圍的像素的方向相反側之像素來修正。圖6A與圖6B例子中，朝座標(x，y+1)的像素錯位份量的照射量，可分配至座標(x，y-1)的像素。朝座標(x+1，y)的像素錯位份量的照射量，可分配至座標(x-1，y)的像素。朝座標(x+1，y+1)的像素錯位份量的照射量，可分配至座標(x-1，y-1)的像素。
實施形態1中，將說明手法(1)：和射束的位置錯位量成比例，來演算對周圍的至少1個像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)；及手法(2)：藉由射束分佈(profile)函數的迭代(iterative)計算，來演算對周圍的至少1個像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)；及手法(3)：藉由與多重描繪中的描繪道次聯立之射束分佈函數的迭代計算，來演算對周圍的至少1個像素及其他描繪道次的像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)。
手法(1)：手法(1)中，是和射束的位置錯位量成比例來演算對周圍的至少1個像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)。修正資料算出部54，因應由對於該像素的射束的位置錯位所造成之錯位的面積的比率，來演算對於該像素的射束調變率及對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率。具體而言，對於因射束錯位而被射束的一部分重疊之周圍的每一像素，演算將錯位份量的 面積(重疊之射束部分的面積)除以射束面積而得之比例，以作為對於位於和重疊之像素相反側之像素的分配量(射束調變率)。
圖6A例子中，往座標(x，y+1)的像素錯位之面積比，能夠以(x方向射束尺寸-x方向錯位量)×y方向錯位量/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。故，為了修正而用來對於座標(x，y-1)的像素分配之分配量(射束調變率)A，能夠以(x方向射束尺寸-x方向錯位量)×y方向錯位量/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。
圖6A例子中，往座標(x+1，y+1)的像素錯位之面積比，能夠以x方向錯位量×y方向錯位量/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。故，為了修正而用來對於座標(x-1，y-1)的像素分配之分配量(射束調變率)B，能夠以x方向錯位量×y方向錯位量/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。
圖6A例子中，往座標(x+1，y)的像素錯位之面積比，能夠以x方向錯位量×(y方向射束尺寸-y方向錯位量)/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。故，為了修正而用來對於座標(x-1，y-1)的像素分配之分配量(射束調變率)C，能夠以x方向錯位量×(y方向射束尺寸-y方向錯位量)/(x方向射束尺寸×y方向射束尺寸)來演算。
其結果，未被分配而成為剩餘的份量之座標(x，y) 的像素的射束調變率D，能夠以1-A-B-C來演算。
手法(2)：手法(2)中，是藉由射束分佈函數的迭代計算，來演算對周圍的至少1個像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)。修正資料算出部54，演算對於該像素照射之未知的照射量Di(x)、及對於該像素周圍的至少1個像素照射之未知的照射量Di(x)，以使無分配射束分佈函數(第1射束分佈函數)和有分配射束分佈函數(第2射束分佈函數)成為一致，其中，上述無分配射束分佈函數運用了照射量未被分配給該像素周圍的像素而是對該像素照射之未知的照射量Da(x)，上述有分配射束分佈函數則運用了以照射量會被分配給該像素周圍的像素之方式對該像素照射之未知的照射量Di(x)以及對該像素周圍的像素照射之未知的照射量Di(x)。此處，i為表示包含該像素與周圍的像素在內之像素的位置之索引(index)。未知的照射量Di(x)，能夠利用分布函數g(x)，藉由將以下式(1)做迭代計算而求出。另，式(1)中位置x表示向量，xdis表示和考量位置錯位後的射束相關連之位置。此外，成為分配對象之周圍的像素i，可對每一像素依據位置錯位資料來設定。具體而言，可將和因射束位置錯位而被射束的一部分重疊之像素位於相反側之像素訂為對象。
藉由解出式(1)，能夠求出當分配照射量時該像素的照射量、及分配對象之周圍的像素的照射量。只要預定 將該照射量Di以相對於規定值之比例予以定義，則演算出的Di值便可求出作為射束調變率。
手法(3)：手法(3)中，是藉由與多重描繪中的描繪道次聯立之射束分佈函數的迭代計算，來演算對周圍的至少1個像素及其他描繪道次的像素用的射束分配照射量之分配量(射束調變率)。修正資料算出部54，當演算多重描繪中的規定的道次(第幾描繪次數)當中對於該像素照射之未知的照射量Di以及對於該像素周圍的至少1個像素照射之未知的照射量Di的情形下，是在手法(2)的內容中，更求出對於和規定的道次不同之其他道次中的該像素及該像素周圍的像素當中的至少1個像素分配之未知的照射量Di。此處，i為表示包含對象道次與其他道次的該像素及周圍像素在內之像素的位置之索引。未知的照射量Di(x)，能夠利用道次編號pass與分布函數g(x)，藉由將以下式(2)做迭代計算而求出。另，式(2)中位置x表示向量，xdis表示和考量位置錯位後的射束相關連之位置。此外，成為分配對象之周圍的像素i，可對每一像素依據位置錯位資料來設定。具體而言，可將和因射束位置錯位而被射束的一部分重疊之像素位於相反側之像素訂為對象。此外，針對成為分配對象之其他描繪道次的像素，可在選擇出的任意的其他描繪道次中的該像素及和因射束位置錯位而被射束的一部分重疊之像素位於相反側之像素當中選擇任意的像素。
藉由解出式(2)，能夠求出當分配照射量時該像素的照射量、及分配對象之周圍的像素的照射量、以及選擇出的描繪道次中的分配對象之該像素的照射量、及分配對象之周圍的像素的照射量。只要預定將該照射量Di以相對於規定值之比例予以定義，則演算出的Di值便可求出作為射束調變率。
像以上這樣，對每一像素，演算對於該像素的射束調變率、及對於成為分配對象之至少1個周圍的像素的射束調變率。
作為修正對映作成工程(S108)，修正對映作成部55(調變率對映作成部)，針對受到多射束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映(修正對映)，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於成為該像素周圍的分配對象之至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的成為該分配對象之至少1個像素的位置。
圖7A與圖7B為作為實施形態1的比較例之，當無修正的情形下矚目於1個像素時定義著調變率之調變率對映的一例示意圖。圖7A中，矚目於左邊數來第3列、上面數來第3段的像素。圖7B中，矚目於左邊數來第3列、上面數來第4段的像素。當不以射束的位置錯位來進行照射量修正的情形下，圖7A的矚目像素、及圖7B的矚目像素的射束調變率皆成為「1」。
圖8A與圖8B為實施形態1中矚目於1個像素時定 義著調變率之調變率對映的一例示意圖。圖8A中，矚目於左邊數來第3列、上面數來第3段的像素。圖8B中，矚目於左邊數來第3列、上面數來第4段的像素。當對於圖7A所示調變率對映的左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素之射束，例如朝+x，+y方向於射束尺寸以內的範圍內位置錯位了的情形下，實施形態1中，如同圖6A的說明般，對於矚目像素的射束照射量，如圖8A所示會被分配至周圍的左邊數來第2列、上面數來第3段的像素、及周圍的左邊數來第2列、上面數來第4段的像素、及周圍的左邊數來第3列、上面數來第4段的像素。圖8A例子中，例如揭示作為對於周圍的左邊數來第2列、上面數來第3段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.15、作為對於周圍的左邊數來第2列、上面數來第4段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.07、作為對於周圍的左邊數來第3列、上面數來第4段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.14，其結果，矚目像素的射束調變率變為0.64。
當對於圖7B所示調變率對映的左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素之射束，例如朝+x，+y方向於射束尺寸以內的範圍內位置錯位了的情形下，實施形態1中，如同圖6A的說明般，對於矚目像素的射束照射量，如圖8B所示會被分配至周圍的左邊數來第2列、上面數來第4段的像素、及周圍的左邊數來第2列、上面數來第5段的像素、及周圍的左邊數來第3列、上面數來第 5段的像素。圖8B例子中，例如揭示作為對於周圍的左邊數來第2列、上面數來第4段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.08、作為對於周圍的左邊數來第2列、上面數來第5段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.05、作為對於周圍的左邊數來第3列、上面數來第5段的像素的分配量(分配率)之射束調變率為0.14，其結果，矚目像素的射束調變率變為0.73。
圖9為實施形態1中調變率對映的一部分的一例示意圖。實施形態1中的調變率對映，是對每一像素，將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於成為該像素周圍的分配對象之至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的成為該分配對象之至少1個像素的位置。
圖9例子中，對左邊數來第2列、上面數來第3段的像素，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變率0.15。圖9例子中，有關當將左邊數來第2列、上面數來第3段的像素本身訂為矚目像素時的調變率，為求說明簡便係省略圖示。
此外，對左邊數來第2列、上面數來第4段的像素，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變 率0.07。又，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變率0.08。圖9例子中，有關當將左邊數來第2列、上面數來第4段的像素本身訂為矚目像素時的調變率，為求說明簡便係省略圖示。
此外，對左邊數來第2列、上面數來第5段的像素，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變率0.05。圖9例子中，有關當將左邊數來第2列、上面數來第5段的像素本身訂為矚目像素時的調變率，為求說明簡便係省略圖示。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第3段的像素，定義著以＊印所示之左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素本身的調變率0.64。圖9例子中，有關當將左邊數來第3列、上面數來第3段的像素以外之像素訂為矚目像素時被分配之調變率，為求說明簡便係省略圖示。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第4段的像素，定義著以＊印所示之左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素本身的調變率0.74。又，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變率0.14。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第5段的像素，作為和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素有關之周邊像素，是與該左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素建立關連，並定義著被分配之調變率0.14。圖9例子中，有關當將左邊數來第3列、上面數來第5段的像素本身訂為矚目像素時的調變率，為求說明簡便係省略圖示。
上述例子中，是在1個調變率對映中定義所有像素的資訊，但並不限於此。例如，亦可對每一像素分別作成定義著該像素及關連的周邊像素的資訊之調變率對映。
作成的調變率對映(修正對映)會被存儲於記憶裝置144。像以上這樣，作為前置處理，作成了調變率對映後，開始實際的描繪處理。
首先，試料101的描繪區域，或欲描繪之晶片區域，是藉由擊發資料作成部57或資料處理部61以規定寛度被分割成長條上的條紋區域。然後，各條紋區域被假想分割成上述複數個像素(網目區域)。
作為圖形資料取得工程(S202)，圖形資料取得部56從記憶裝置140讀出、取得描繪資料(圖形資料)。圖形資料取得部56，例如對每一條紋區域從記憶裝置140讀出相對應之描繪資料。
作為擊發資料作成工程(S204)，擊發資料作成部57，輸入描繪資料，對每一像素或每一複數個像素群算出配置於其內部之圖樣的面積密度。例如，擊發資料作成部 57，將描繪資料內定義的複數個圖形圖樣劃分給相對應之像素。然後，算出配置於每一像素或每一複數個像素群之圖形圖樣的面積密度即可。
此外，擊發資料作成部57(照射量演算部)，對每一像素，演算對於該像素的射束照射量。此處，對每一像素，算出每一擊發的電子束的照射量(或照射時間T：亦稱為擊發時間或曝光時間，以下同)。當進行多重描繪的情形下，算出各階層中的每一擊發的電子束的照射量即可。作為基準之照射量(或照射時間T)，合適是和算出的圖樣的面積密度成比例來求出。此外，擊發資料作成工程(S204)中最終算出之照射量，合適是訂為和藉由照射量來對未圖示之鄰近效應(proximity effect)、霧化效應(fogging effect)、負載效應(loading effect)等引發尺寸變動之現象的尺寸變動份量予以修正後之修正後照射量相當之時間。定義照射量之複數個像素與定義圖樣的面積密度之複數個網目區域可以是同一尺寸，亦可以不同尺寸來構成。當以不同尺寸來構成的情形下，藉由線性內插法等插補面積密度後，求出各照射量即可。此外，照射時間，能夠以將照射量D除以電流密度J而得之值來定義。
圖10為實施形態1中照射量對映的一例示意圖。圖10中照射量對映是對每一像素定義著照射量。圖10中，針對照射量，是以相對於事先設定好的基準照射量Dbase之比例來表示。圖10中，定義著當在試料101的描繪區域上配置圖形圖樣10之佈局的情形下各像素的照射量。 圖10中，像素a表示圖7A及圖8A所示之矚目像素。像素b表示圖7B及圖8B所示之矚目像素。
作為修正工程(S210)，修正部59(修正照射量演算部)，對每一像素演算修正照射量(或修正照射時間)，該修正照射量(或修正照射時間)係將調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為分配用而被關連之周圍的至少1個像素而在調變率對映的該像素位置定義之對於該至少1個像素(周邊像素)的射束調變率乘上對於成為該至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得之值予以加計而成。
圖11為實施形態1中修正照射量對映的一例示意圖。圖11中，揭示圖10所示之矚目像素a，b及其關連像素。另，圖11例子中，有關左邊數來第4列以後的像素的照射量及從左邊數來第4列以後的像素分配的照射量，為求說明簡便係省略圖示。
圖11例子中，對左邊數來第2列、上面數來第3段的像素，如圖9中說明般，是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素a有關之周邊像素。故，從矚目像素a分配的照射量，會成為矚目像素a的照射量0.8乘上所分配的調變率0.15而得之0.12。故，左邊數來第2列、上面數來第3段的像素的修正照射量，成為0.12。
此外，對左邊數來第2列、上面數來第4段的像素， 如圖9中說明般，是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素a有關之周邊像素，且是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素b有關之周邊像素。故，從矚目像素a分配的照射量，會成為矚目像素a的照射量0.8乘上分配到的調變率0.07而得之0.056。從矚目像素b分配的照射量，會成為矚目像素b的照射量0.3乘上分配到的調變率0.08而得之0.024。故，左邊數來第2列、上面數來第4段的像素的修正照射量，成為合計的0.08(=0.056+0.024)。
此外，對左邊數來第2列、上面數來第5段的像素，如圖9中說明般，是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素b有關之周邊像素。故，從矚目像素b分配的照射量，會成為矚目像素b的照射量0.3乘上分配到的調變率0.05而得之0.015。故，左邊數來第2列、上面數來第5段的像素的修正照射量，成為合計的0.015。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第3段的像素，如圖9中說明般，是＊印所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素b本身。故，將從矚目像素a分配的照射量剔除而得之剩餘照射量，會成為矚目像素a的照射量0.8乘上調變率0.64而得之0.512。故，左邊數來第3列、上面數來第3段的像素的修正照射量，成為合計的0.512。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第4段的像素， 如圖9中說明般，是＊印所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素b本身，且是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第3段的矚目像素a有關之周邊像素。故，將從矚目像素b分配的照射量剔除而得之剩餘照射量，會成為矚目像素b的照射量0.3乘上調變率0.73而得之0.219。此外，從矚目像素a分配的照射量，會成為矚目像素a的照射量0.8乘上分配到的調變率0.14而得之0.112。故，左邊數來第3列、上面數來第4段的像素的修正照射量，成為合計的0.331(=0.219+0.112)。
此外，對左邊數來第3列、上面數來第5段的像素，如圖9中說明般，是和箭頭方向所示左邊數來第3列、上面數來第4段的矚目像素b有關之周邊像素。故，從矚目像素b分配的照射量，會成為矚目像素b的照射量0.3乘上分配到的調變率0.14而得之0.042。故，左邊數來第3列、上面數來第5段的像素的修正照射量，成為合計的0.042。
每一像素的修正照射量(照射時間T)，定義於修正照射量對映(照射時間對映)中，修正照射量對映(照射時間對映)例如存儲於記憶裝置142。
圖12A至圖12C為作為實施形態1的比較例之調變對映的一部分與照射量調變的方式說明用圖。圖12A中，揭示對每一像素單純地定義著單一調變率之調變對映的一部分。在此情形下，若在圖12C所示位置配置描繪對象圖形，則如圖12B所示，於和描繪對象圖形重疊之像素，照 射量會成為100%，但遠離描繪對象圖形之像素，照射量會成為0%。但，描繪對象圖形的左端部的像素A的照射量，若僅依圖12A所示像素A的調變率來修正並不充分，還必須藉由隔壁的像素B來修正。但，圖12A所示之調變對映中，像素B的調變後的照射量會變為零。相對於此，實施形態1中，如圖9所示，針對矚目像素周圍的受到分配之像素也與矚目像素建立關連而定義。故，即使當像素B的調變前照射量為零的情形下，仍能使像素B的調變後照射量成為有限值。這一點，從圖11中左邊數來第2列、上面數來第3~5段的像素之照射量成為了有限值也能看得出來。
作為描繪工程(S212)，描繪部150，使用多射束對試料101描繪圖樣，以使修正照射量的射束各自照射至相對應之像素。首先，資料處理部61，將修正照射量變換成照射時間後，依照循著描繪序列之擊發順序重新排列。然後，重新排列後的照射時間排列資料，會輸出至偏向控制電路130。
偏向控制電路130，對於每一擊發，對各控制電路41輸出照射時間排列資料。然後，在描繪控制部60的控制之下，描繪部150對於各射束的每一擊發，實施該照射時間之描繪。描繪部150的動作如上所述。
圖13為實施形態1中描繪動作的一例說明用概念圖。如圖13所示，試料101的描繪區域31，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域 35。該各條紋區域35便成為描繪單位區域。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20照射所能夠照射之照射區域34位於第1個條紋區域35的左端或更左側之位置，開始描繪。在描繪第1個條紋區域35時，例如使XY平台105朝-x方向移動，藉此便相對地朝x方向逐一進行描繪。令XY平台105以規定速度例如連續移動。第1個條紋區域35描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域34相對地於y方向位於第2個條紋區域35的右端或更右側之位置，這次則使XY平台105例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向進行相同描繪。在第3個條紋區域35朝x方向描繪、在第4個條紋區域35朝-x方向描繪，像這樣一面交互地改變方向一面描繪，藉此能夠縮短描繪時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面描繪之情形，在描繪各條紋區域35時，亦可設計成朝向同方向進行描繪。1次的擊發當中，藉由因通過孔徑構件203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣形成與各孔22相同數量之複數個擊發圖樣。
實施了藉由上述各手法來分配照射量的情形下之模擬。當藉由多射束描繪80nm(x方向尺寸)×200nm(y方向尺寸)的評估圖樣的情形下，針對描繪出的圖樣的位置錯位、線寬尺寸(CD)錯位、及概度(likelihood)(DL)實施了模擬。此處，射束尺寸訂為10nm、射束的擴散度訂為20nm、射束位置變動的最大值訂為5nm。將其結果例如針對手法(1)及手法(3)揭示。
圖14為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量的情形下之模擬結果一例示意圖。手法(1)中，是和射束的位置錯位量成比例來對周圍的至少1個像素用的射束分配照射量。圖14中，揭示評估圖樣的x方向端(左端)之沿著y方向之相對於設計位置的位置錯位量。如圖14所示，於y方向中央部，位置錯位失真雖一度變大，但與不修正的情形相比仍能使位置錯位量變小。
圖15為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。圖15中，揭示評估圖樣的x方向的寬度尺寸(CD)之沿著y方向之相對於設計位置的CD錯位量。如圖15所示，於y方向中央部，位置錯位失真雖一度變大，但與不修正的情形相比仍能使CD錯位變小。
圖16為藉由實施形態1中的手法(1)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。圖16中，揭示評估圖樣的x方向的概度(DL)之沿著y方向之相對於設計位置的概度。圖16中，作為比較例，併予揭示當藉由以單射束做描繪的可變成形型(VSB)描繪裝置來描繪之情形。如圖16所示，雖不及VSB，但能將概度改善至接近VSB的值。
圖17為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果一例示意圖。手法(3)中，是藉由與多重描繪中的描繪道次聯立之射束分佈函數的迭代計算，來對周圍的至少1個像素及其他描繪道次的像素用的 射束分配照射量。圖17中，揭示評估圖樣的x方向端(左端)之沿著y方向之相對於設計位置的位置錯位量。如圖17所示，於y方向中央部，位置錯位失真雖一度變大，但相較於圖15所示手法(1)之情形，能進一步使位置錯位量變小。
圖18為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。圖18中，揭示評估圖樣的x方向的寬度尺寸(CD)之沿著y方向之相對於設計位置的CD錯位量。如圖18所示，於y方向中央部，位置錯位失真雖一度變大，但相較於圖15所示手法(1)之情形，能進一步使CD錯位變小。
圖19為藉由實施形態1中的手法(3)來分配照射量的情形下之模擬結果另一例示意圖。圖19中，揭示評估圖樣的x方向的概度(DL)之沿著y方向之相對於設計位置的概度。圖19中，作為比較例，併予揭示當藉由以單射束做描繪的可變成形型(VSB)描繪裝置來描繪之情形。如圖19所示，雖不及VSB，但相較於圖16所示手法(1)之情形，能進一步將概度改善至接近VSB的值。
像以上這樣，實施形態1中，在照射量(照射時間)對映(bitmap)之外，另行作成在各像素中定義著分配後的調變率，且在周邊像素中定義著示意和分配源頭的關連性的調變率之調變率對映，並與另行作成之照射量(照射時間)對映合成，藉此能夠取得更高精度的修正照射量。特別是，在圖樣端部，能能求出未配置有圖樣之周邊像素 的照射量。此外，由於是將多重描繪中的複數個描繪道次聯立來演算調變率，因此當一面改變用來照射同一像素之射束一面進行多重描繪的情形下，能夠積極地利用性質良好的射束，從這觀點看來也能提升描繪精度。又，藉由進行運用了閾值模型之迭代計算，能夠提升描繪精度。
像以上這樣，按照實施形態1，能夠對於因被包含發生了位置錯位的射束在內之多射束照射而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位予以修正。特別是，在圖樣端部，能夠顯著地發揮其效果。故，能夠進行高精度的描繪。
以上已參照具體例說明了實施形態。但，本發明並非由該些具體例所限定。上述例子中，揭示了例如針對描繪區域31或條紋區域35全體，作成以像素為對映的要素單位之修正對映的情形，但並不限於此。例如，亦可針對多射束一次所能照射的照射區域34份量的像素群，作成以像素為對映的要素單位之修正對映。在此情形下，只要一旦作成照射區域34份量的修正對映，在各描繪位置便能流用照射區域34份量的修正對映。故，能夠削減修正對映作成處理所花費的時間及資源。
此外，上述例子中，揭示輸入10位元的控制訊號以供各控制電路41的控制用之情形，但位元數可適當設定。例如亦可使用2位元、或3位元~9位元的控制訊號。另，亦可使用11位元以上的控制訊號。
此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要 之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構造。
其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有多重帶電粒子束的遮沒裝置、多重帶電粒子束描繪裝置、及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法，均包含於本發明之範圍。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
139‧‧‧平台位置檢測器
140、142、144‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
20a~20e‧‧‧多射束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧遮沒板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧鏡
50‧‧‧位置錯位資料取得部
52‧‧‧選擇部
54‧‧‧修正資料算出部
55‧‧‧修正對映作成部
56‧‧‧圖形資料取得部
57‧‧‧擊發資料作成部
59‧‧‧修正部
60‧‧‧描繪控制部
61‧‧‧資料處理部

Claims (5)

  1. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：調變率資料算出部，對成為多重帶電粒子束的每一個射束的照射單位區域之每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位；調變率對映作成部，針對受到多重帶電粒子束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於該像素周圍的前述至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的前述至少1個像素的位置；照射量演算部，對每一像素，演算對於該像素的射束照射量；修正照射量演算部，對每一像素演算修正照射量，該修正照射量係將前述調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為周圍的前述至少1個像素而在前述調變率對映的該像素位置定義之對於前述至少1個像素的射束調變率乘上對於成為前述至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得 之值予以加計而成；描繪部，使用多重帶電粒子束對試料描繪圖樣，以使前述修正照射量的射束各自照射至相對應之像素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，前述調變率資料算出部，演算對於該像素照射之未知的照射量及對於該像素周圍的至少1個像素照射之未知的照射量，以使第1射束分佈函數和第2射束分佈函數成為一致，上述第1射束分佈函數運用了照射量未被分配給該像素周圍的像素而是對該像素照射之未知的照射量，上述第2射束分佈函數則運用了以照射量會被分配給該像素周圍的像素之方式對該像素照射之未知的照射量以及對該像素周圍的像素照射之未知的照射量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，前述調變率資料算出部，因應由對於該像素的射束的位置錯位所造成之錯位的面積的比率，來演算對於該像素的射束調變率及對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，前述調變率資料算出部，當演算多重描繪中的規定的道次當中對於該像素照射之未知的照射量以及對於該像素周圍的至少1個像素照射之未知的照射量的情形下，是更求出對於和前述規定的道次不同之其他道次中的該像素及該像素周圍的像素當中的至少1個像素分配之未知的照射量。
  5. 一種多重帶電粒子束描繪方法，其特徵為：對成為多重帶電粒子束的每一個射束的照射單位區域 之每一像素，算出對於該像素的射束調變率與對於該像素周圍的至少1個像素的射束調變率，以用來調變對於該像素的射束照射量與對於該像素周圍的至少1個像素的射束照射量，藉此修正因照射至該像素之發生了位置錯位的射束而形成之圖樣的位置錯位、尺寸錯位，針對受到多重帶電粒子束描繪之描繪區域作成定義著調變率之調變率對映，以便對每一像素將算出之對於該像素的射束調變率定義於該像素的位置，且將算出之對於該像素周圍的前述至少1個像素的射束調變率與該像素建立關連，而定義於該像素周圍的前述至少1個像素的位置，對每一像素，演算對於該像素的射束照射量，對每一像素演算修正照射量，該修正照射量係將前述調變率對映中定義之對於該像素的射束調變率乘上對於該像素的射束照射量而得之值、及作為周圍的前述至少1個像素而在前述調變率對映的該像素位置定義之對於前述至少1個像素的射束調變率乘上對於成為前述至少1個像素的關連對象之像素的射束照射量而得之值予以加計而成，使用多重帶電粒子束對試料描繪圖樣，以使前述修正照射量的射束各自照射至相對應之像素。
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