TW201621998A - 蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置 - Google Patents

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Abstract

監控照射至基板之斜角部前的雷射光，並檢出雷射光之輸出值變化。 提供一種蝕刻方法，係使用照射雷射光並蝕刻基板的斜角蝕刻裝置之蝕刻方法，該斜角蝕刻裝置係具備有：雷射產生器；以及功率計量器，係測量從該雷射產生器所輸出之雷射光；該方法含有：在照射雷射光並蝕刻基板前，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器之工序；藉由該功率計量器來測量雷射光輸出值之工序；以及判斷該測量出之雷射光輸出值是否為相對於從該雷射產生器所輸出之雷射光輸出設定值而在既定閾值的範圍內之工序。

Description

蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置
本發明係關於一種蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置。
附著於半導體晶圓(以下，亦僅稱為「晶圓」。)之斜角部(晶圓端部之倒角部分)的斜角/背側聚合物會污染元件表面，或是對製品產率造成影響。
於是，便提議有一種對晶圓斜角部照射雷射光，而從晶圓蝕刻去除斜角/背側聚合物的裝置(例如，參照專利文獻1)。照射至斜角部之雷射光的輸出強度係可藉由監控及控制供給至雷射產生器之電流來加以管理。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
特許文獻1：日本特開2010-141237號公報
然而，即便在供給至雷射產生器之電流為相同的情況，仍會因雷射產生器之故障或與時變化而使得雷射光之輸出強度變化。在雷射光輸出值產生異常的情況，便有在無法檢測其情況下，對晶圓斜角部照射較設定值要高之功率的雷射光，而使得晶圓斜角部被削除，或在斜角部產生缺角之虞。
針對上述課題，一面相中之目的在於監控照射至基板斜角部前的雷射光，並檢出雷射光輸出值變化。
為了解決上述課題，根據一態樣，便提供一種蝕刻處理方法，係使用照射雷射光並蝕刻基板的斜角蝕刻裝置之蝕刻方法，該斜角蝕刻裝置係具備有：雷射產生器；以及功率計量器，係測量從該雷射產生器所輸出之雷 射光；該方法含有：在照射雷射光並蝕刻基板前，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器之工序；藉由該功率計量器來測量雷射光輸出值之工序；以及判斷該測量出之雷射光輸出值是否為相對於從該雷射產生器所輸出之雷射光輸出設定值而在既定閾值的範圍內之工序。
根據一態樣，便可監控照射至基板之斜角部前的雷射光，並檢出雷射光輸出值變化。
1‧‧‧斜角蝕刻裝置
2‧‧‧BSP
11‧‧‧腔室
12‧‧‧旋轉夾具
14‧‧‧BSP去除部
14b1‧‧‧熱電偶
14c‧‧‧盤狀構件
15‧‧‧功率計量器
15a‧‧‧散熱器
15b‧‧‧風扇
18‧‧‧雷射照射頭
30‧‧‧雷射產生器
30d‧‧‧光纖
50‧‧‧控制裝置
51‧‧‧監控部
52‧‧‧控制部
53‧‧‧記憶部
130‧‧‧層疊體
131‧‧‧微透鏡
132‧‧‧定向鏡片
133‧‧‧重定向鏡片
134‧‧‧邊緣鏡片
135‧‧‧聚焦透鏡
142‧‧‧半導體雷射
圖1係顯示一實施形態相關之斜角蝕刻裝置的整體構成之一範例的圖式。
圖2係顯示一實施形態相關之蝕刻處理的一範例之流程圖。
圖3係顯示功率計量器所測量之雷射光輸出值之時間變化一範例之圖式。
圖4係顯示一實施形態相關之功率計量器的測量結果之一範例的圖式。
圖5係顯示一實施形態相關之修正圖表的一範例之圖式。
圖6係用以說明一實施形態相關之功率計量器的測量原理之圖式。
圖7係顯示一實施形態相關之雷射產生器的構成之一範例的圖式。
圖8係顯示一實施形態相關之雷射產生器的內部構成之一範例的圖式。
圖9係一實施形態相關之層疊體(STACK)(半導體雷射)的放大圖。
圖10係顯示一實施形態相關之雷射產生器的輸出之與時變化的一範例之圖式。
以下，便參照圖式就用以實施本發明之形態來加以說明。另外，本說明書及圖式中，關於實質上相同的構成係附加相同符號來省略重複說明。
(首先)
在半導體積體電路之製造中，係在對晶圓進行電漿蝕刻時，電漿中所產生之自由基或離子會捲入至晶圓之斜角面或內面，而使得聚合物會附著於斜角面及內面上。該附著物係被稱為斜角/背側聚合物(Bevel/Backside Polymer，以下，稱為「BSP」)。BSP會相對於半導體積體電路而污染元件表面，或是對製品之產率造成影響。於是，便會藉由使用雷射與臭氧氣體之熱處理來去除BSP。以下，便就去除BSP之斜角蝕刻裝置的一實施形態來加以說明。
[斜角蝕刻裝置之整體構成]
關於一實施形態相關之斜角蝕刻裝置的整體構成之一範例，係參照圖1來加以說明。圖1係顯示一實施形態相關之斜角蝕刻裝置1的整體構成之一範例。斜角蝕刻裝置1係藉由照射雷射光並蝕刻基板，來去除附著於晶圓W之斜角部的BSP2。圖1係顯示在晶圓W內面之斜角部附著有BSP2之狀態。
斜角蝕刻裝置1係具備有為收容晶圓W之容器的腔室11。腔室11內部係設置有可旋轉且水平地保持晶圓W之旋轉夾具12。旋轉夾具12係連接於腔室11下方所設置之旋轉馬達13。旋轉夾具12係在藉由例如真空吸附來保持晶圓W的狀態下，讓晶圓W旋轉。
腔室11內部係在對應於晶圓W周緣部的位置設置有BSP去除部14。BSP去除部14之本體14a係以晶圓W之周緣部會旋轉並且通過的方式來設置有切除部16。切除部16之下方部分係設置有雷射照射頭18。雷射照射頭18係連接於雷射產生器30。雷射照射頭18係將從雷射產生器30所輸出之雷射光照射至晶圓W的斜角部。雷射照射頭18可沿著本體14a之下部來移動於水平方向。又，雷射照射頭18係可改變角度。藉此，便可調節雷射照射位置。
本體14a上部係安裝有功率計量器15。功率計量器15底部係設置有塗布了會吸收從下所照射之雷射光的材料之盤狀構件14c。功率計量器15係可藉由盤狀構件14c之吸收材料所吸收的熱量來測量雷射光輸出值。
雷射照射頭18會移動至雷射光未照射至晶圓W之位置A，並在蝕刻晶圓W前，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器15。之後，雷射照射 頭18便會水平移動至可將雷射光照射至晶圓W之周緣部的位置B，並照射雷射光而去除BSP。
本體14a係設置有將臭氧氣體噴出至BSP2的臭氧氣體噴出噴嘴20以及幾乎100%吸引臭氧氣體的臭氧氣體吸引噴嘴19。臭氧氣體噴出噴嘴20會透過供給臭氧氣體之供給管路(配管)21來連接於臭氧氣體產生器22。從臭氧氣體產生器22所輸出之臭氧氣體會透過供給管路21來從臭氧氣體噴出噴嘴20導入至腔室11內。臭氧氣體吸引噴嘴19係連接有構成主要用來將臭氧氣體排氣之排氣流道的排氣配管31。排氣配管31係連接於工廠氧排氣配管(未圖示)。排氣配管31係連接有分解臭氧氣體之臭氧抑制器41。
腔室11上部係設置有用以吸引大氣，並引入腔室11內部的風扇32以及去除風扇32所吸引之大氣粒子的過濾器33。另一方面，腔室11底部係設置有排氣口34。然後，藉由風扇32並透過過濾器33來將大氣引入至腔室11內，而從排氣口34排氣，來在腔室11內形成清淨空氣之下向流。排氣口34係連接有排氣配管35，排氣配管35係連接於工廠氧排氣配管(未圖示)。
腔室11側壁係設置有晶圓搬出入口11a，晶圓搬出入口11a係可藉由閘閥23來加以開閉。閘閥23係具有閥體24與開閉閥體24之汽缸26。在關閉閥體24時，閥體24與腔室11之間會藉由密封環25來加以密封。
斜角蝕刻裝置1係具有控制斜角蝕刻裝置1之整體的控制裝置50。控制裝置50係具有監控部51、控制部52、記憶部53、輸出入I/F(介面)部54及計時器55。
計時器55會計量雷射光之照射時間。監控部51會監控功率計量器15所測量之雷射光輸出值(功率)。具體而言，監控部51會輸入功率計量器15所測量之雷射光輸出值，而輸出至控制部52。
控制部52係具有微處理器。控制部52係連接於輸出入I/F部54，並透過輸出入I/F部54來連接於鍵盤62、顯示器60及喇叭61。操作者可使用鍵盤62來進行用以管理斜角蝕刻裝置1之指令等的輸入操作。顯示器60會顯示既定資訊。
記憶部53係儲存有用以進行既定控制之控制程式或配方。記憶部53亦可記憶有用以判斷功率計量器15所測量之雷射光輸出值是否在正常範圍內之閾值。記憶部53為了自動修正雷射光輸出值，亦可記憶有如圖5所示表示雷射產生器30之控制電流與雷射光輸出值相關的修正圖表。控制部52會藉由對應於來自輸出入I/F部54之指示等，來從記憶部53叫出任意配方而加以實行，以控制BSP之去除處理。又，控制部52會基於用以實行記憶部53所記憶之自動修正處理的自動修正程式，來對應於功率計量器15所測量之雷射光輸出值而反饋控制雷射光輸出值。
控制部52會基於記憶部53所記憶之閾值，在判斷測量出之雷射光輸出值為閾值範圍外時，實行錯誤處理。此時，控制部52亦可透過輸出入I/F部54來將表示雷射光輸出值的異常訊息顯示於顯示器60。又，控制部52亦可透過輸出入I/F部54來將表示雷射光之輸出值異常之警告音產生於喇叭61。
控制裝置50係具有未圖示之CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等。控制部52之機能會藉由CPU來加以實現。記憶部53之機能會藉由ROM或RAM來加以實現。CPU會依照ROM等之記憶區域所儲存的配方，來控制臭氧氣體之供給、雷射光之入射等，而實行BSP之去除處理。又，CPU會檢出所監控之雷射光的輸出值異常，並管理流通至雷射產生器30之控制電流。另外，控制部2之機能可使用軟體來加以實現，亦可使用硬體來加以實現。以上，便已就本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1的整體構成之一範例來加以說明。
[斜角蝕刻裝置之動作]
接著，便參照圖2，就本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1的動作，亦即，使用斜角蝕刻裝置1之蝕刻處理方法來加以說明。圖2係顯示本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1所進行的蝕刻處理(BSP之去除處理)之一範例的流程圖。
本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1中，首先，開啟閘閥23之閥體24，在藉由未圖示之搬送臂透過搬出入口11a來搬出經處理之晶圓W後，便將 未處理之晶圓搬入至腔室11內部(步驟S10)。關閉閘閥23之閥體24，而讓腔室11內部保持為氣密。搬入之晶圓W會在定位的狀態下被真空吸附於旋轉夾具12(步驟S12)。
接著，雷射照射頭18會在被配置於雷射光未照射至晶圓W的位置(圖1之位置A)的狀態下，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器15(步驟S14)。此時，將雷射光照射至功率計量器15的既定時間較佳地為2秒以上。該既定時間亦可為10秒以下。功率計量器15會測量所照射之雷射光輸出值(步驟S16)。
圖3係顯示功率計量器15所測量之雷射光輸出值之時間變化的一範例。藉此，功率計量器15所測量之雷射光輸出值會在從測量開始約2秒間急遽變化，之後變緩，而在5分鐘~10分鐘左右穩定。對應於相關之功率計量器15的動作特性，例如在等待功率計量器15之動作完全穩定為止，而採用從測量開始經過5分鐘後之功率計量器15的測量值來作為雷射光輸出值的情況，便會使得產率惡化，而讓生產性下降。
另一方面，由於從測量開始2秒間，功率計量器15之測量值的變化過於急遽，故難以採用該期間之功率計量器15的測量值來作為雷射光輸出值。於是，本實施形態中，便採用功率計量器15之輸出值會緩慢地穩定而從測量開始經過2秒~10秒後的功率計量器15之測量值來作為雷射光輸出值。藉此，便可正確地判斷從雷射照射頭18所射出之雷射光的輸出值異常。
回到圖2，接著，控制部52會判斷功率計量器15所測量之雷射光輸出值是否在既定閾值之範圍內(步驟S18)。此時，既定閾值係可為例如±10%。
圖4係顯示本實施形態相關之功率計量器15的測量結果之一範例。圖4(a)係顯示雷射光輸出值相對於晶圓W處理片數。圖4(b)係顯示雷射光輸出值相對於圖4(a)所示之範圍C的晶圓W處理片數(100片為止)。
此時，從雷射產生器30所輸出之雷射光輸出設定值(輸出目標值)為200W。亦即，圖4中，係顯示在以從雷射產生器30輸出200W之雷射光的方式來設定輸出設定值為200W時，在處理各晶圓前藉由功率計量器15所測量之雷射光輸出值。
藉此，如圖4(b)放大顯示般，便可得知在晶圓處理片數為1~3片、26片、51片、76片時所測量出之雷射光輸出值會較其他晶圓處理片數時要低。
通常，一批次係以25片晶圓來加以構成。在功率計量器15之使用開始時及改變批次時，會有功率計量器15未動作之時間，而使得功率計量器15之內部溫度會稍微下降。如後述，功率計量器15會藉由將雷射光照射至光吸收材料而基於吸收材料之溫度變化來測量雷射光輸出值。因此，在功率計量器15之內部溫度下降時，即便所照射之雷射光的強度相同，雷射光輸出值仍會被測量為較低。由上述理由，結果便會是晶圓處理片數為1~3片、26片、51片、76片時所測量的雷射光輸出值會相對於在其以外之晶圓處理片數時所測量之雷射光輸出值要低3、4W左右。
功率計量器15之使用開始時及首批之雷射光輸出值之低落是因外部因素所造成，而雷射產生器30會正常動作。因此，應判斷此般範圍之雷射光輸出值之低落並非異常。於是，如圖4(a)所示，相對於功率計量器15之測量結果，雷射光輸出值若為相對於雷射產生器30之輸出設定值200W而在±10%之範圍內(180W~220W)的話，便會判斷雷射光輸出值無異常。
回到圖2，步驟S18中，在判斷所測量之雷射光輸出值在±10%之範圍內時，控制部52會進行斜角部之蝕刻處理(步驟S20)。斜角部之蝕刻處理中，控制部52會先讓雷射照射頭18水平移動至將雷射光照射至晶圓周緣部的位置(圖1之位置B)。接著，藉由讓旋轉馬達13動作而旋轉旋轉夾具12，來旋轉被吸附保持於旋轉夾具12之晶圓W。然後，如此般，一邊讓晶圓W旋轉，一邊從BSP去除部14之雷射照射頭18朝向晶圓W之斜角部照射雷射，並且從臭氧氣體噴出噴嘴20噴出臭氧氣體，並以臭氧氣體吸引噴嘴19來吸引臭氧氣體。藉此，便可藉由雷射照射之熱量與臭氧氣體之氧化，來去除BSP2。在該BSP去除處理時，會從臭氧氣體噴出噴嘴20來供給臭氧氣體，並從臭氧氣體吸引噴嘴19經由作為排氣流道之排氣配管31來加以排氣。
另一方面，步驟S18中在判斷測量出之雷射光輸出值為±10%之範圍外時，控制部52會自動修正從雷射產生器30所輸出之雷射光輸出值(步驟S22)。
參照圖5來說明步驟S22之自動修正的一範例。圖5係顯示修正圖表之一範例。修正圖表係預先被記憶於記憶部53，並顯示雷射光輸出值相對於供給至雷射產生器30之電流。例如，直線P係顯示雷射光輸出值相對於供給至雷射產生器30之電流的基準值。
直線Q及直線R係顯示因雷射產生器30之故障或使用期限、利用雷射產生器30內之透鏡或鏡片的雷射光集光率變動等，而改變雷射光輸出值的情況。直線Q係顯示雷射光輸出值相對於供給至雷射產生器30之電流會較直線P之基準值要低的狀態。直線R係顯示雷射光輸出值相對於供給至雷射產生器30之電流會較直線P之基準值要高的狀態。
在圖5所例示之修正圖表的情況，於為基準之直線P中電流為50A時，雷射光輸出值為200W。在功率計量器15所測量之雷射光輸出值從200W下降為190W時(圖5之a1)，控制部52為了得到200W之雷射光輸出值，而如直線Q所示，會以將供給至雷射產生器30之電流提高至55A的方式來加以控制(圖5之a2)。
又，在測量出之雷射光輸出值從200W上升至212W時(圖5之b1)，控制部52為了得到200W之雷射光輸出值，而如直線R所示，會以供給至雷射產生器30之電流下降至46A的方式來加以控制(圖5之b2)。如此一來，控制部52便會以基於修正圖表來自動修正雷射光輸出值的方式而進行反饋控制。藉此，便可防止雷射光輸出值較基準值要高，而在將雷射光照射至晶圓W時在晶圓周邊部產生缺陷。又，可迴避雷射光之輸出值會較基準值要低，而無法順利地進行利用斜角部之蝕刻處理的BSP去除。
回到圖2，控制部52會透過輸出入I/F部54來在顯示器60顯示警告訊息(步驟S24)。又，控制部52會在滿足既定條件的情況下停止斜角蝕刻裝置1(步驟S24)。既定條件的一範例係可舉例有在判斷測量出之雷射光輸出值為-(10+α)%~(10+α)%的範圍外時。α為0以上的任意數字。晶圓W之缺陷會在測量出之雷射光輸出值為相對於雷射產生器30之輸出設定值而在±10%之範圍外的情況下產生。由上述理由，本實施形態中，會在判斷測量出之雷射光輸出值為-(10+α)%~(10+α)%的範圍外時，判斷雷射光輸出值有異常，而暫時停止斜角蝕刻裝置1。藉此，便可迴避將較規定值要高功 率之雷射光照射至晶圓之斜角部，而使得晶圓之斜角部被削除，或在斜角部產生缺角。
以上，便已就本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1的動作來加以說明。藉此，藉由設置功率計量器15，而監控晶圓W處理前的雷射光輸出值，來在晶圓W處理前檢出雷射光輸出值的異常，並可藉由進行雷射光輸出值的自動修正等，來防止晶圓W之破損。
另外，步驟S14中，雷射照射頭18會在被配置於雷射光未照射至晶圓W之位置(例如，圖1之位置A)的狀態下，將雷射光照射2秒~10秒左右至功率計量器15。然而，並不限於此，雷射照射頭18亦可在雷射光照射至晶圓W的位置(例如，圖1之位置B)中照射雷射光。該情況，功率計量器15會測量除了被晶圓W周緣部所遮蔽之雷射光以外的雷射光，控制部52會基於測量出之雷射光輸出值來進行圖2之步驟S18以後的雷射光異常判斷處理。
又，上述說明中，功率計量器15之測量值係雷射光輸出值。然而，並不限於此，亦可藉由基於例如為圖5之基準直線P，而進行雷射光輸出值與對雷射產生器30之控制電流的換算，來對雷射產生器30使用控制電流，以取代雷射光輸出值，而進行圖2之雷射光異常判斷。
[功率計量器]
接著，便參照圖6，就功率計量器15之測量原理來加以說明。圖6(a)係顯示功率計量器15之剖面，圖6(b)係顯示功率計量器15的主要吸收構件及其周邊。功率計量器15底部係設置有盤狀構件14c。盤狀構件14c係塗布有吸收雷射光之材料。盤狀構件14c亦可藉由吸收雷射光之材料來加以形成。如圖6(b)所示，盤狀構件14c之內部側面係讓熱電偶14b1在盤狀構件14c之徑向上將內周側與外周側交互地蛇行配置。如圖6(a)所示，熱電偶14b1係成為被盤狀構件14c之光吸收材料與散熱器15a所夾置之構造。散熱器15a之內側係配置有用以吸引大氣而引入至功率計量器15內部的風扇15b。藉由讓風扇15b旋轉來將功率計量器15內部之散熱器15a成為室溫。
在從下方來將雷射光照射至功率計量器15之吸收構件時，雷射光之吸收材料便會在如圖6(b)所示之盤狀構件14c的區域L吸收光線而轉換為熱量。藉此，便會使得熱電偶14b1之區域L(內周側)的溫度變高。熱電偶14b1之外周側會藉由散熱器15a來保持為室溫。因此，熱電偶14b1之內周側與外周側之間便會產生溫度差。功率計量器15便會將該熱電偶14b1所產生之溫度差換算為電流。功率計量器15會將所換算之電流輸出至監控部51。控制部52會從透過監控部51所取得之電流值，輸出基於圖5之基準直線P而轉換後之雷射光輸出值。
[雷射產生器之構成]
接著，便參照圖7，就雷射產生器30之構成的一範例來加以說明。圖7係顯示本實施形態相關之雷射產生器30的構成之一範例。本實施形態相關之雷射產生器30係具有：直流電源30a、電流控制元件30b(IGBT)、控制板30e及震動器30c。震動器30c所設置之二極體係從直流電源30a來供給電流，並藉此來輸出雷射光。電流控制元件30b會控制從直流電源30a供給至震動器30c之二極體的電流(控制電流)。從雷射產生器30所輸出之雷射光會藉由光纖30d來傳遞，而從雷射照射頭18來照射至晶圓W之斜角部。
控制裝置50會監控供給至雷射產生器30之電流，並基於功率計量器15所測量之雷射光輸出值，而相對於所監控之電流，透過控制板30e來反饋控制供給至震動器30c之二極體的電流。
[雷射產生器之內部構成]
接著，便參照圖8，就雷射產生器30之內部構成的一範例來加以說明。圖8(a)係顯示本實施形態相關之雷射產生器30的側面之一範例。圖8(b)係顯示本實施形態相關之雷射產生器30的上面之一範例。圖8(b)之雷射產生器30係圖8(a)之D-D面。本實施形態相關之雷射產生器30係具有：層疊體130、微透鏡131、定向鏡片132、重定向鏡片133、邊緣鏡片134及聚焦透鏡135。
於圖9(a)顯示圖8(a)之層疊體130內的半導體雷射之配置部E的放大圖，於圖9(b)顯示圖8(b)之層疊體130內的導體雷射之配置部E的放大圖。層 疊體130係複數層排列有半導體雷射142。層疊體130係層積有複數層之架子141。複數架子141之前端部(雷射光輸出側)係相對於架子141而一對一地安裝有複數半導體雷射142。如圖8(b)所示，各半導體雷射142係於右端部設置有10~20個左右作為輸出雷射光之元件的二極體142c。藉由從直流電源30a(參照圖7)施加直流電壓至該二極體142c，而讓電流流通於二極體142c來從半導體雷射142朝向紙面右側輸出光線。藉由相關之構成，雷射光便會從各半導體雷射142輸出，而入射至微透鏡131。
回到圖8，入射至微透鏡131的雷射光會以定向鏡片132來加以集光。所集光之雷射光會通過重定向鏡片133→邊緣鏡片134→聚焦透鏡135而被加以集光，並入射至光纖30d。
雷射產生器30係從入口IN導入有乾空氣，而從出口OUT導出。如此般，藉由讓乾空氣充填且循環於雷射產生器30內部，便可使得雷射產生器30內部乾燥。
[雷射產生器之異常檢測]
相關構成之雷射產生器30中，可能會產生(1)雷射產生器30之層疊體130或其他部分之故障、(2)雷射產生器30內部之各透鏡的穿透率變化、(3)聚焦透鏡135之集光後的雷射光被輸入至光纖30d時，聚焦透鏡135與光纖30d的對位變化或光纖30d之狀態變化及(4)乾空氣未流通於雷射產生器30內部等的狀況。
因為該等(1)~(4)之因素，便會使得功率計量器15所測量之雷射光輸出值變化。(1)之範例係舉例有因半導體雷射142的一部分故障而使得雷射光輸出值下降的情況。(3)之範例係舉例有因對位失誤，而無法讓所有集光後之雷射光輸入至光纖，使得雷射光之輸出下降，或是光纖之曲折率變化或光纖斷線的情況。(4)之範例，如圖9所示，係半導體雷射142之兩端部142a、142b會塗布有反射材料，而塗布部分142a、142b會具有鏡片之機能。在未流通乾空氣之情況，水分會附著於塗布部分142a、142b，而使得塗布部分中之鏡片穿透率或反射率變化，並讓半導體雷射142之二極體被破壞，或是讓雷射光輸出值下降。
相對於此，根據本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1，會設置功率計量器15，並監控雷射光輸出值。然後，可藉由測量出之雷射光輸出值變化，來推測出雷射產生器30之故障或與時變化、光纖30d之曲折率變化或光纖30d之斷線等的問題點。藉此，便可預測在雷射產生器30內部產生故障、或是因雷射產生器30之與時變化而使得來自雷射產生器30之雷射光輸出值下降。
例如，在判斷於晶圓W處理前之雷射光輸出值為既定閾值以上的情況，本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1便會判斷雷射光輸出值為異常，而亦可暫時停止斜角蝕刻裝置1之動作。藉此，便可迴避對下一個晶圓W照射高強度之雷射光，並可防止晶圓W之斜角部被削除，而在斜角部產生缺角。
又，從一實施形態相關之雷射產生器30所輸出之雷射光輸出值會與時變化。於圖10顯示從雷射產生器30所輸出之雷射光的與時變化之一範例。藉此，便可推測在雷射產生器30之雷射光輸出值會從全新時之雷射光輸出值下降20%時，亦即，在雷射照射之累積時間達1萬小時以上時，雷射產生器30之半導體雷射142便到達使用期限。
從此般推測看來，根據本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1，便可對應於藉由功率計量器15所測量之雷射光輸出值而從雷射產生器30所輸出之雷射光的與時變化，來自動修正雷射光輸出值。
例如，在判斷功率計量器15所測量之雷射光輸出值變化為既定閾值以內的情況，本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1便會判斷雷射光輸出值的與時變化為正常範圍。在判斷為正常範圍的情況，本實施形態相關之斜角蝕刻裝置1便會控制供給至雷射產生器30之控制電流，而自動修正從雷射照射頭18所輸出之雷射光輸出值。藉此，便可防止晶圓W之斜角部會被削除，或在斜角部產生缺角。又，由於此時斜角蝕刻裝置1之動作不會停止，故不會讓產率下降而可維持生產性。
如上述說明，根據本實施形態之蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置1，便可監控照射至晶圓W之斜角部前的雷射光，並檢出雷射光輸出值的異常或與時變化。
以上，雖已藉由上述實施形態來說明蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置，但本發明相關之蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置並不限於上述實施形態，而可在本發明之範圍內進行各種變形及改良。
本發明相關之斜角蝕刻裝置所處理的基板並不限於晶圓，亦可為例如，平面顯示器(Flat Panel Display)用之大型基板、EL元件或太陽能電池用之基板。
S10‧‧‧晶圓之搬出、搬入
S12‧‧‧晶圓之定位
S14‧‧‧以既定時間來將雷射光照射至功率計量器
S16‧‧‧藉由功率計量器來測量雷射光之輸出值
S18‧‧‧測量出之雷射光輸出值是否在既定閾值範圍內？
S20‧‧‧斜角部之蝕刻處理
S22‧‧‧自動修正雷射光之輸出值
S24‧‧‧輸出警告訊息在滿足既定條件的情況停止裝置

Claims (8)

  1. 一種蝕刻處理方法，係使用照射雷射光並蝕刻基板的斜角蝕刻裝置之蝕刻處理方法，該斜角蝕刻裝置係具備有：雷射產生器；以及功率計量器，係測量從該雷射產生器所輸出之雷射光；該方法含有：在照射雷射光並蝕刻基板前，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器之工序；藉由該功率計量器來測量雷射光輸出值之工序；以及判斷該測量出之雷射光輸出值是否為相對於從該雷射產生器所輸出之雷射光輸出設定值而在既定閾值的範圍內之工序。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中該既定閾值係在±10%之範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中將該雷射光照射至功率產生器之既定時間係2秒~10秒範圍之時間。
  4. 如申請專利範圍第2項之蝕刻方法，其中將該雷射光照射至功率產生器之既定時間係2秒~10秒範圍之時間。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項的蝕刻方法，其係進一步地含有：在判斷該測量出之雷射光輸出值為既定閾值之範圍外時，會自動修正從該雷射光產生器所輸出之雷射光輸出值之工序。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項的蝕刻方法，其係進一步地含有：在判斷該測量出之雷射光輸出值為既定閾值之範圍外時，實行既定錯誤處理之工序。
  7. 如申請專利範圍第5項之蝕刻方法，其係進一步地含有：在判斷該測量出之雷射光輸出值為既定閾值之範圍外時，實行既定錯誤處理之工序。
  8. 一種斜角蝕刻裝置，係照射雷射光並蝕刻基板之斜角蝕刻裝置，具備有：雷射產生器；功率計量器，係測量從該雷射光產生器所輸出之雷射光；以及控制部，其中該控制部係含有：在照射雷射光並蝕刻基板前，以既定時間來將雷射光照射至功率計量器之程序； 藉由該功率計量器來取得測量出之雷射光輸出值之程序；判斷該所取得之雷射光輸出值是否為相對於該雷射光產生器所設定之雷射光輸出設定值而在既定閾值的範圍內之程序；以及在判斷該所取得之雷射光輸出值為既定閾值的範圍外時，會進行自動修正該雷射光產生器所設定之雷射光輸出設定值之程序及實行既定錯誤處理之程序的至少任一者之程序。
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