TW201610429A - 用於聲波氣體濃度感測以及流體控制的改良型罩殼 - Google Patents

用於聲波氣體濃度感測以及流體控制的改良型罩殼 Download PDF

Info

Publication number
TW201610429A
TW201610429A TW104126015A TW104126015A TW201610429A TW 201610429 A TW201610429 A TW 201610429A TW 104126015 A TW104126015 A TW 104126015A TW 104126015 A TW104126015 A TW 104126015A TW 201610429 A TW201610429 A TW 201610429A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acoustic wave
aforementioned
gas
precursor
casing
Prior art date
Application number
TW104126015A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI676027B (zh
Inventor
雷 洛格
唐 西羅塔
卡西可 卡卡拉
艾瑞克 阿莫
克里斯多福Ａ 莫拉斯
亞當 西荷羅伊
Original Assignee
威科精密儀器公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 威科精密儀器公司 filed Critical 威科精密儀器公司
Publication of TW201610429A publication Critical patent/TW201610429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI676027B publication Critical patent/TWI676027B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/40—Static mixers
    • B01F25/42—Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G01N29/024—Analysing fluids by measuring propagation velocity or propagation time of acoustic waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/222—Constructional or flow details for analysing fluids
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/44—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G01N29/4409—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor by comparison
    • G01N29/4436—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor by comparison with a reference signal
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
    • G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/021—Gases
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028—Material parameters
    • G01N2291/02809—Concentration of a compound, e.g. measured by a surface mass change
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/10—Number of transducers
    • G01N2291/102—Number of transducers one emitter, one receiver

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

一種質量傳輸率控制配置以及方法，其中處理前驅物混和物係以包含載氣與處理前驅物氣體的情況下產生。聲學感測處理前驅物混和物所含處理前驅物的含量，以產生感測器輸出。提供稀釋氣體，而處理前驅物混和物以及稀釋氣體分別被輸送至得到前述稀釋氣體與前述處理前驅物混合物的稀釋混和物的稀釋點。載氣與稀釋氣體的相對流率被自動控制，以響應感測器輸出，從而使處於稀釋點的稀釋混和物具有既定的前驅物氣體的質量傳輸率。

Description

用於聲波氣體濃度感測以及流體控制的改良型罩殼
本發明揭露大致上關於聲波感測器，更特定地說，關於用於感測處理媒介中的組成濃度等級的聲波感測器。
聲波感測器可用於化學汽相沉積（CVD）系統，以確定所選組成的濃度。這些設備的基本操作原則為由一聲波訊號穿過測試媒介並比較與僅有載體時的飛行時間的不同，來推想所選組成的濃度。例如，於金屬有機CVD（MOCVD）系統當中，聲波感測二茂鎂（Cp2 Mg）的濃度。聲波感測器在CVD應用上的使用大致上由例如美國公開公報6,116,080、6,199,423、6,279,379與美國申請號13/705,650所敘述，此些揭露內容的敘述除了本身特別表示定義的部分以外在此引用作為文章內容以供參考。
當要精確檢測組成的低濃度時可能會產生問題。因而需要一個系統，其調整為能夠應付聲波感測系統中低濃度檢測的挑戰。
於本案揭露內容的變化的實施例中，聲波感測器中的聲波路徑長度增加，從而增加了穿過測試媒介的飛行時間，並使得僅有載體以及標稱為源／載體混和物（例如二茂鎂與氮載氣的混和物）之間的飛行時間差的時間延遲測量得到較小百分比的標準差。於一實施例當中，聲波路徑較傳統聲波感測器還要增加了三個反摺。於特定的實施例中，實施測量係為避免另行壓縮至測試氣流之外的組成蒸氣的寄生損失。於其他的實施例中，時間延遲測量的標準差藉由所傳輸訊號的循環數量的增加而得以降低，因而增加整體訊號能量。
於本發明的一個方面來看，除了增加聲波路徑長度以及減少寄生凝結損失之外，測量系統係被包圍在一加熱罩殼中。加熱罩殼實質上為升高的溫度，因此引導滑動氣流至聲波感測器的線路仍在組成／載氣混和物的凝結點之上。以此方式因沒有組成物被壓縮至混合物之外，所以聲波感測器能夠獲取氣體源的完整濃度。
關於防止組成氣體的凝結，既有的嘗試致力於使用連接至將進入的滑動氣流傳送至聲波感測器的配管之熱追蹤。熱追蹤方法造成了至少兩種問題：（1）  因追蹤的包覆不均勻（如彎曲部或是外圍輔助結構） 或是追蹤與配管的接觸少於理想值的關係，可能導致冷點（cold spots）發展於配管上（2）能量傳送的氣體可使離開配管並正進入聲波感測器的溫度大於或是小於聲波感測器，因此導致聲波感測器中的熱梯度。
於此揭露的變化的實施例當中，加熱罩殼中的入口以及聲波感測器之間的配管的尺寸，調整到可隨著氣體到達聲波感測器的時間，使得進入氣體的溫度，與加熱罩殼中部件的溫度有效地處於熱平衡。因此，進入混合物以及聲波感測器的差異，以及伴隨的系統中的熱梯度的引入，都可以被減少或是消除。進一步地，加熱罩殼可消除存於熱追蹤系統中的冷點，因而減少或消除凝結的構成。
當增加聲波訊號被傳輸通過的路徑長度時，會有一個問題發生，那就是因熱梯度引起變形所導致的增加的感度。聲波感測器中的熱梯度可能引起發射器與接收器的聲波轉換器（即換能器transducers）之間的另一平行關係變得輕微地歪斜或是導致轉換器變得輕微地非平面。聲波感測器的路徑長度的增加也增加了此些變形的對於所接收到的訊號的品質的影響。據此，為了經由增加聲波感測器的路徑長度而獲得更多的益處，本案設計了幾個特定揭露實施例來減少系統中的熱梯度。
熱梯度的起因之一為「熱分層（thermal stratification）」。熱分層為加熱罩殼中自然發生的自然現象，較溫暖的氣體在罩殼中有上升的傾向，所以罩殼頂部的空氣溫度比罩殼底部的空氣溫度還要溫暖。此分層能引導熱梯度沿著聲波感測器的垂直長度。
依照慣例，熱分層的解決方式為用風扇來混和空氣。此類風扇為該產業所週知的「除層風扇（destratification fans）」。然而，由於爆炸物或是可燃劑的存在使得在CVD環境中，風扇的使用被排除；驅動風扇的馬達提供了可引起危險的點火源。
因此，本案揭露內容的特定實施例建構為以不用風扇的方式，於加熱罩殼中引導氣體的混合。於一實施例當中，藉由留下罩殼中一垂直構件的至少一部分使其不要受熱，在此引為「非加熱部分」或是「非加熱表面」。非加熱部分有運轉地比罩殼加熱部分還要冷的傾向，因此流至與其接觸的氣體，相對於罩殼中氣體的平均溫度來說相對地得到冷卻。較冷、密度較大的氣體往下流竄經非加熱表面並且進入罩殼的中心部。於此，氣體再度被加熱並且升高至遠離非加熱部分的罩殼頂部。藉由此機制，自然的對流建立於罩殼中，而罩殼混和氣體並且提供了除層作用。藉由自然對流循環所引導出的梯度，實質上比熱分層所引導出的梯度還要小，使得罩殼中的空氣溫度較為熱平均。
結構上，一實施例揭露了一種裝置，其用於聲學確定測試媒介的特性，前述裝置包含：具有基部以及蓋部的罩殼，前述基部以及前述蓋部相配合界定出艙體。於此實施例中，聲波感測器安裝於前述基部，前述聲波感測器包括界定第一暴露面的第一聲波轉換器以及界定第二暴露面的第二聲波轉換器。前述第一暴露面以及前述第二暴露面實質上平行，並且適於與前述測試媒介接觸並且界定在其間的溝槽。至少一加熱元件可操作地連接於前述罩殼。於此實施例當中，前述罩殼的第一部分為直接連接於前述至少一加熱元件，前述第一部分為垂直定向。前述至少一加熱元件可實質上圍繞前述聲波感測器。前述罩殼的第二部分未直接連接於前述至少一加熱元件，前述第二部分為垂直定向，且與前述罩殼的前述第一部分對置。於一實施例當中，前述罩殼的前述第一部分係為前述基部。
於一實施例當中，前述罩殼的前述第二部分為可操作地連接至冷卻裝置（例如多個冷卻風扇）；於另一個實施例中，前述罩殼的前述第二部分藉由流至周圍環境的自然對流所冷卻。
於變化的實施例中，前述罩殼實質上界定出矩形盒，前述蓋部界定出頂部部分、底部部分、第一側部分、第二側部分以及第三側部分，前述第二側部分鄰近並且配置於前述第一側部分以及前述第三側部分之間。於一實施例中，前述罩殼的前述第二部分為前述第二側部分。前述聲波感測器可定向使得前述第一聲波轉換器的前述第一暴露面以及前述第二聲波轉換器的前述第二暴露面水準相對。
於一些實施例當中，前述溝槽大於12mm並且小於50mm。於一實施例當中，前述溝槽約為15mm，於另一實施例當中，前述溝槽約為30mm。
於本案揭露內容的變化的實施例當中，一種保持聲波感測器於實質均一溫度的方法，其包括： 　　・提供安裝於罩殼內的聲波感測器，前述聲波感測器包括第一聲波轉換器以及第二聲波轉換器，此兩者實質上互為平行且適於與測試媒介接觸，前述第一聲波轉換器與第二聲波轉換器界定在其間的溝槽； ・提供適於對前述罩殼的某些部分加熱的加熱系統，前述部分實質上圍繞前述聲波感測器；以及 ・在有形媒介上提供的一套指示，前述指示包括： ・加熱實質上圍繞前述聲波感測器的前述罩殼之加熱部分， ・冷卻前述罩殼的實質上豎直部分，以引起前述罩殼中氣體的再循環，前述再循環引起前述罩殼中前述氣體的除層作用。
於一實施例當中，冷卻前述罩殼的實質上豎直部分的步驟，包括使前述罩殼的前述實質上豎直部分以及周圍環境之間的對流自由流動。加熱前述罩殼的部分的步驟，包括控制前述部分的溫度為設置點，前述設置點至少高於圍繞前述罩殼的周圍溫度20 °C 。
於特定的實施例中，氣體的除層作用引起罩殼內氣體的空間上溫度變化於一既定值內。於一實施例中，罩殼內氣體的空間上變化的前述既定值小於0.5 °C。
於本發明的相關方面，提供一用於確定聲學測試媒介特性的設備，其中前述第一聲波換能器電連接發射器電路，前述發射器電路建構為以頻率為2-3兆赫（MHz）之間，且持續時間介於15至50循環的第一產生訊號啟動前述第一聲波換能器，以產生第一聲波訊號，前述第一聲波訊號被導向移動穿過前述換能器之間的前述溝槽。於一特定實施例中使用30循環的持續時間。所述第二聲波換能器電連接接收器電路，前述接收器電路建構為由第一聲波訊號產生第一接收訊號。前述接收器電路電連接至數位化電路，前述數位化電路建構為以每循環20至100的取樣頻率對前述第一接收訊號進行取樣，以產生第一接收數位訊號。於特定的實施例當中，採用每循環32取樣的取樣頻率。
前述數位化電路電連接至控制器電路，所述控制器電路包括：處理器與非暫態資料儲存媒介，前述非暫態資料儲存媒介包含指令，前述指令在執行時使前述處理器將最大似然函數應用至前述第一接收數位訊號以及參考數位訊號，並且確定前述第一接收數位訊號的特徵以及前述參考數位訊號的特徵之間的時間延遲。前述接收數位訊號以及前述參考數位訊號被比較的特徵可為此些電子訊號各自的最大似然函數的峰值。前述時間延遲指示待分析的前述測試媒介的特性。該特性可為材料濃度、壓力或是測量特性。
於一種測量配置類型當中，前述參考數位訊號係產生自前述第一產生訊號。於另一測量配置，前述參考數位訊號係藉由數位化前述第一聲波訊號的較前面部分而產生，而前述第一接收訊號實際上自前述第一聲波訊號的較後面接收部分（前述較前面部分的回音）而產生。
根據關於本發明相關方面的一種用於聲波感測配置的一示範實施例導向為一質量傳輸率控制配置。前述配置包括：載氣源；以及配置為調節來自載氣源的載氣的流率的載氣質流控制器。還包括處理前驅物源，前述處理前驅物源包括前驅物容器，前述前驅物容器具有透過載氣質流控制器與前述載氣源連通的入口，以及配置為傳輸前述處理前驅物源以及前述載氣的混和物的出口。聲波感測器流體連通於前述出口，並且包括艙體，該艙體配置為傳輸前述混和物的流體使其通過前述艙體。前述聲波感測器進一步地包含電氣訊號產生器，其建構為產生代表流經前述艙體的前述混和物中的前述處理前驅物的含量的電訊號。
前述配置進一步地包括稀釋氣體源；以及稀釋氣體質流控制器，該稀釋氣體質流控制器配置為調節來自稀釋氣體源的稀釋氣體的流率，前述稀釋氣體源透過稀釋氣體質流控制器與前述前驅物容器的前述出口流體連通，其中前述稀釋氣體源與前述前驅物容器的前述出口的前述流體連通包括得到前述稀釋氣體與前述處理前驅物與前述載氣的前述混和物的稀釋混和物的稀釋點。
控制器與前述載氣質流控制器、前述稀釋氣體質流控制器、前述聲波感測器的至少其中之一電連接，前述控制器配置為調整前述載氣質流控制器、前述稀釋質流控制器之至少其中之一，以響應來自前述聲波感測器的前述電訊號，從而使處於前述稀釋點的前述稀釋混和物具有既定質流傳輸率。
於本發明的相關方面當中，一種於處理氣體混和物中控制質流傳輸率的方法包括：提供載氣；提供處理前驅物氣體；產生處理前驅物混和物，其包含前述載氣以及處理前驅物氣體。進一步地，此方法尚包括聲學感測前述處理前驅物混合物中前述處理前驅物的含量，以產生感測器輸出。並且提供稀釋氣體。根據此方法，分別地傳輸前述處理前驅物混合物與前述稀釋氣體，至得到前述稀釋氣體與前述處理前驅物混和物的稀釋混和物的稀釋點。自動控制前述載氣與前述稀釋氣體的相對流率，以響應前述感應器輸出，從而使處於稀釋點的前述稀釋混和物具有既定的前述前驅物氣體的質流傳輸率。
圖1為本揭露的實施例所述的除層系統10。除層系統10包括含有聲波感測器14的罩殼12，以及多個可操作地連接至罩殼12的加熱元件16。加熱元件可由控制系統18來控制。於一實施例當中，控制系統18包括輸入-輸出（I/O）介面22，其由如電腦等微處理器類控制器24所控制。I/O介面22可包括一或多個用於控制加熱元件16溫度的溫度控制器（未示出），且可包括用於獲得溫度讀數的溫度感測器訊號調節器（未示出），前述溫度讀數用於藉由控制系統18的監視及／或記錄。
圖2為本案揭露實施例中所描述的罩殼12。罩殼12可包含基部26以及蓋部28，基部26作為安裝板，用於聲波感測器14，也用於控制及調節通過聲波感測器14的氣體30的多種附屬件。同樣於此描述的實施例中，蓋部28的特徵可為包括有鄰近於基部的周邊部分32；以及與基部26相對置的一或多個對置部34。
多個加熱元件16可操作地連接於罩殼12。於一實施例中，加熱元件16包括基部加熱元件42以及蓋部加熱元件組44。蓋部加熱元件組44可包括一個加熱元件，該加熱元件實質上形成為蓋部的周邊部分的形狀（未示出）；亦或是可包括組合為一體的多個加熱元件（如44a至44e），其實質上覆蓋了蓋部的周邊部分。
罩殼12的至少一豎直部分中的至少一部份，在此作為「非加熱部分」，其不直接與加熱源連接。於圖2所描述，非加熱部分為蓋部28的對置部34。於一實施例中，非加熱部分（如對置部34）並非熱絕緣，因而進一步地促進罩殼12周圍的氣體對於非加熱部分的冷卻。
於圖2的實施例中，蓋部加熱元件組44的描述為插入蓋部28之內，也就是可操作地連接至面對蓋部28的內部面。相反地，基部加熱元件42的描述為安裝於基部26的外部面。須注意此構成僅為說明目的而非限定。也就是說，經考慮認為用於覆蓋加熱元件組44的一或多個加熱元件，可配置於蓋部的（一或多個）外部面上，而基部加熱元件42可配置於基部26的內部面上。
進一步地，可考慮到的是各別的罩殼的部分可由多個加熱元件（或是以多個加熱元件區代替）來加熱，如圖2中所述的基部加熱元件42的42a、42b、42c。同樣的多個元件配置雖未於圖中示出，但可實施於周邊部分32的加熱（例如使用多個垂直堆疊的加熱元件，用以加熱周邊部分32）。各個加熱元件以及／或加熱區可由控制系統18控制為在設定點溫度。
於實施例當中，罩殼28中環境的溫度被控制在一設定點。可選的，基部加熱元件42以及加熱元件組44本身控制在既定的溫度。於其他的實施例中可使用多輸入控制模式，其中包括內部氣體溫度、內部部件溫度以及周圍溫度中的兩個或是更多者的輸入。
圖2描述中，所謂「多種附屬件」係包括質流控制器52、背壓控制器54、配管56、氣體混和器58、檢測閥62、多種的控制閥64、以及手動隔離閥66。
於操作間，基部加熱元件42以及加熱元件組44在控制器24的控制之下得到能量供給，使得罩殼內的溫度相對地高於周圍環境。罩殼12的直接被加熱的部分（如圖1以及圖2所述周邊部分32以及基部26）以一高於罩殼12（例如罩殼12未被直接加熱的部分，以圖1及圖2中對置部34表現）非加熱部分的溫度下運作。於加熱能量供給期間，罩殼之中進入與加熱表面直接接觸的氣體容易被加熱至高於罩殼內平均氣體溫度。相反地，罩殼之中進入與非加熱部分接觸的氣體則容易冷卻到比照殼內均氣體溫度還低的溫度。被加熱的氣體往上，而冷卻的氣體則往下竄流，形成了一個自然的對流循環72（圖1）。
在功能上，自然對流循環72運作以除層化罩殼12當中的氣體。若沒有這個除層作用的話，罩殼12頂部的空氣可以實質上高於罩殼12底部的空氣還要高的溫度來運作，而使得罩殼12中的溫度在實質上產生差異化。溫度差異化可引起聲波感測器14中的實質熱梯度。除層之作用為混和氣體，因而溫度實質上為均一（± 0.5 ºC）。混合的、除層化的氣體提供了均一溫度環境，其促進了聲波感測器14的實質均一溫度。
應當理解的是「直接加熱」的表面，可以是加熱元件的表面（例如圖1及圖2的加熱元件44a至44e），也可以是於相對面上安裝有加熱器的受到加熱的構件的相對表面（例如外部（相對）面上直接安裝有基部加熱元件42的基部26的內部表面）。「非加熱表面」為構件中既不直接接觸加熱元件，也不位於其相對面的表面。須注意「非加熱表面」易於經由其他熱傳遞機制而受熱，例如罩殼的內部氣體的對流以及罩殼中受到加熱的構件的外圍傳導。
於一實施例中，評估基部約為65公分（25¾英寸）的高度H1以及約為15公分（6英寸）的寬度W1。另外於此實施例中，評估蓋部約為44公分（173 /8 英寸）的高度H2；約為14公分（5¾英寸）的寬度W2；以及約為16公分（6¼英寸）的深度D。假設蓋部被熱絕緣材料 （未示出）所覆蓋，該熱絕緣材料為約30公釐（1/8英寸）厚並且具有約為0.05 W/m2 K的導熱性，則評估所需用以維持罩殼內部以及周圍環境之間30 °C之差的穩定狀態電源為大約50瓦，若估計到自然對流則在罩殼以及周圍環境需要60瓦的電連結。如此尺寸與構成的罩殼可使用到最高加熱電源100瓦且仍可達到由冷開始加熱的合理的升降溫速率。對應加熱器的瓦特密度轉至約為400 W/m2 。加熱器的源功率視可取得的環境以及基礎設施可為24VDC至240VAC範圍的電源。
參考圖3，其為本發明一實施例的除層系統10的罩殼12中的多種部件的溫度分佈80。溫度分佈80由除層系統10的數值模擬而取得，搭配具有設置對流循環72而呈現穩定狀態運作。溫度分佈80呈現出具有約為50  ºC  及±2 ºC範圍內的中間溫度的部件溫度。須注意聲波感測器的溫度呈現為均一，而聲波感測器14的附近的配管56呈現約為相同。因此，數值模擬指出聲波感測器14中的溫度梯度為邊緣性的，而正由配管56進入聲波感測器14的氣體溫度本質上對聲波感測器14為平衡狀態。
與本發明之用於測量物質濃度，且具有增加的飛行時間的聲波系統的相關的一些方面是與聲波訊號本身，以及訊號的接收有關。圖4為以時間與位置函數來描繪訊號傳遞穿越艙體之圖表。圖表的頂部以及底部，分別代表艙體的接收器端以及傳輸器端。
訊號具有前緣（leading edge）、後緣（trailing edge），並且由多個循環構成於已定義的帶（band）中。於一實施例中，訊號波形為單頻率正弦波。於另一實施例中，單個波形包括唧聲（chirp）部分，於該唧聲部分當中，頻率係以定義好的掃描率往上或下掃描。於一示範性實施例中，由前緣起訊號具有連續頻率波形於其大多的持續期間，其後跟隨於一往上掃的唧聲部分。於一特定的實施情況中，訊號之頻率介於2-3兆赫之間。
接收訊號由接收到的直接路徑訊號所構成，並傳遞穿過艙體。如圖4所述，本例當中穿過艙體的距離為30公釐。訊號的傳輸以及接收之間的時間，其最大部分係為艙體中媒介的一函數（建立聲波傳遞速度的特性）。當中存在著測量電路有關的電子延遲，其有助於較少程度的整體延遲測量。任何此些電子延遲的變化均可促使測量失誤。穿過艙體牆壁的聲波傳遞與其他要素相比微不足道，且通常並非隨時間改變。如圖4所舉例，測量配置比較訊號傳輸時間與訊號接收時間。於此呈現給定媒介用的一示範性時間延遲為86微秒（µs）。此配置容易受到影響測量的傳輸器及接收器電路之間任何電子延遲的影響。
圖5說明一類似的測量配置，其主要於兩方面上有所不同。一個是艙體較小（即由一端至另一端，測聲波的往返的距離），為15公釐（mm）；另一個不同處是延遲測量僅由接收訊號之間決定。如所示般，第一接收訊號為直接路徑訊號，其由傳輸器傳輸穿過艙體。第二接收訊號由同樣的傳輸波所構成，該傳送波反射自其接收器端的艙體牆，以及傳輸器端的艙體牆。因此，第二接收訊號代表著聲波兩次的端對端通過艙體的移動。因此，被比較的訊號之間，同樣的大略時間延遲的例子為86µs。由於排除傳輸器的關係，使得此測量配置能夠避免傳輸器以及接收器之間的電子延遲影響。第一、第二接收訊號的接收器之時間延遲皆為固定。與圖4實施例相較之下，此配置的一個權衡取捨為當波傳遞穿過更長距離以產生第二接收訊號時所伴隨的訊號衰減。
圖6為顯示建構用以根據一實施例來執行圖4以及圖5所述測量配置的系統的方塊圖。傳輸器102包括超音波換能器以及驅動電路。傳輸器102產生聲波訊號104，其導向經過艙體105到達接收器106。接收器106包括換能器，該換能器感測超音波訊號104並且將其轉換為電子訊號，並依需要對該電子訊號進行放大、濾波處理。
接收訊號被輸出至類比數位轉換器（ADC）112以進行取樣、量化、編碼，以用於控制器114。控制器114包括處理器類的電腦系統，該電腦系統可包括微處理器、數位訊號處理器（DSP）、記憶裝置、輸入／輸出硬體，以及用於控制訊號產生器108，並分析收接訊號以確定傳遞時間的的程式指令。
聲波訊號由傳輸器102根據來自訊號產生器108產生的電子訊號而產生。於實施例所述中，參考訊號110被提供給ADC112而最後傳到控制器114，以用作相對於與圖4所示測量配置的接收訊號比較的時間參考。於圖5的測量配置中，參考訊號由第一接收訊號取得。
於變化的實施例當中，訊號產生器108配置為在特定的期間內以特定的頻率產生特定的波形，例如正弦波訊號或是其他例如方形、梯形等適合的波形。於相關的實施例中，訊號為擴展的光譜訊號，例如一直線唧聲，其中所傳輸的訊號的以5至30%頻率線型增加（或是減少）。於一示範性實施例中，訊號頻率介於2至3兆赫，且訊號持續期間設定為產生15至50循環。於一特定實施例中，所產生的訊號為唧聲訊號的頻率為調變型態。例如，於至少信號的一部分，例如整個最後的幾個循環中，頻率可以是往上或往下掃的。
於相關的實施例中，ADC112建構為實質上過採樣（oversample）接收訊號。例如實施於每循環（此例當中為尼奎斯特率的16倍）32採樣的頻率進行採樣。於其他的變化的實施例當中所考量的是根據控制器114的處理能力，採樣率可為每循環範圍20至200或更多取樣。
於此類實施例當中，控制器114編程為執行最大似然（ML）估計演算，以確定訊號傳遞通過艙體的時間延遲。ML估計為周知，其已於兩處揭露：Fisher, R. A., On an Absolute Criterion for Fitting Frequency Curves, Mess. of Math., 41, pp155-160, 1912,  以及 Van Trees, Harry L., Detection, Estimation, and Modulation Theory, Part 1., John Wiley & Sons, Inc., New York, 1968。在此將此兩參考文獻引入本文作為參考。
於圖4的測量配置中，計算傳送訊號以及接收訊號的ML函數，而測量的濃度為傳送訊號以及接收訊號的ML函數之間的最大值或其他特徵的採樣數量（以及分數採樣，若有）的函數。於圖5的測量配置中，計算第一接收訊號以及第二接收訊號的ML函數，而測量到的濃度為第一接收訊號與第二接收訊號的ML函數之間的峰值的採樣數量（以及分數採樣，若有）的函數。
另一個可以併入罩殼12的系統為低濃度氣體傳輸系統。於MOCVD或是原子層沉積（ALD）系統的一些製程步驟，不只期望要精確地偵測例如二茂鎂（Cp2 Mg，例如分子式為雙（環戊二烯)鎂(C5 H5 )2 Mg的二茂鎂）的組成低濃度，另外也很重要的是傳遞上述質量傳輸率（例如分子／秒），其 於MOCVD或是ALD反應器的低濃度組成的沉積步驟過程中，其有時固定，但通常會發生變化，以確保當半導體器件生長於MOCVD或ALD反應器之中時，發生適當數量的摻雜或分層形成。
圖7顯示用以傳輸低濃度組成既定的質量傳輸率至例如MOCVD或是ALD反應器之類的處理艙體之一實施例。如上述般，低濃度組成傳輸系統200具有起泡器202，其包含前驅物處理源。適合的起泡器的例子包括如公開的美國公報公開號20070221127、專利號5603169、專利號6561498等，其內容在此引為本案參考。通常起泡器202包括前驅物容器，該前驅物容器具有用於載氣的入口；以及運載前驅物氣體-載氣的混和物的出口。
前驅物處理源可為例如：二茂鎂（Cp2 Mg）、三烷基鋁（trialkyl aluminum，例如三甲基鋁trimethyl aluminum）、三烷基鎵（trialkyl gallium，例如三乙基鎵triethyl gallium、三甲基鎵trimethyl gallium）、三烷基銻（trialkyl antimony）、二甲基聯胺（dimethyl hydrazine）、三烷基銦（trialkyl indium，例如三甲基銦 trimethyl indium）、四（二甲基醯胺）鈦（TDMAT (tetrakis (dimethylamido) titanium））、五（二甲基醯胺）鉭（PDMAT (pentakis (dimethylamido) tantalum) ）、以及其他典型用於MOCVD以及ALD製程的金屬-有機化合物。
用於前驅物處理源的惰性載氣，例如，氮、氫、氦、氬以及其他類似者由惰性氣體源250填入打泡機202，而其氣流由質量流量調節器204監控。
打泡機202，其具有加熱源（未示出），促進前驅物處理源的蒸氣以及惰性載氣的混和。接著包含前驅物處理源的惰性載氣流出打泡機202外，並且流入聲波感測器206（類似上述聲波感測器14）。聲波感測器206、質量流量調節器208，以及稀釋點A（其可為T型接頭或是靜止混和器）配置於罩殼12之中，其益處已於上文陳述。
如二茂鎂等蒸氣壓力前驅物處理源，有時在其離開打泡機202時，增加打泡機202的溫度至高於周圍溫度（如50°C左右），會有利於增加前驅物濃度。增加的前驅物濃度可藉由聲波感測器206提供更具可再現性、精確的濃度測量。如下所述，接著稀釋氣體於稀釋點A與從聲波感測器206流出的氣體混和物混和（在離開加熱罩殼12之前），以使輸出的混和物在周圍溫度（例如25°C）被輸送至反應器或是排氣歧管210。於此方法下，隨後將供給反應器的氣體線路中的前驅物處理源的凝結可得以避免，並確保前驅物處理源的適當的質量傳送率傳輸至反應器，以及因凝結造成的氣體線路的潛在損傷都能得以避免或是至少降到可忽略的程度。
稀釋氣體例如氮、氫、氦、氬以及其他類似者由稀釋氣體源260流至質量流量調節器208。
惰性載氣包含流出聲波感測器206的前驅物處理源，以及流出質量流量調節器208的稀釋氣體，此兩者在稀釋點A相會形成氣體混和物，而於此處適當的管道網路以及閥（因簡潔原則此處省略詳細說明）引導氣體混和物流至反應器／排氣歧管210。
由於包含前驅物處理源的惰性氣體流經聲波感測器206，聲波感測器206如圖6所述般測量該前驅物處理源濃度。
接著，聲波感測器206所確定的前驅物處理源濃度被提供至控制器240。控制器240包括致動器、以及可選的附加感應器，此些各別都連接至處理器類的控制系統，而該控制系統包括微處理器或是數位訊號處理器（DSP）、記憶裝置、輸入／輸出硬體，以及記憶裝置上的程式指令，該些程式指令可於微處理器或DSP上執行，其用以依照此些用於啟動質量流量調節器204以及208的程式指令，來確定前驅物的質量傳輸率以供給反應器／排氣歧管210。
當用以確定前驅物質量傳輸率的程式指令被啟動時，由於包含前驅物處理源的惰性載氣的流動率以及濃度為已知，抵達反應器／排氣歧管210的前驅物質量傳輸率，可由控制器240透過連結246傳送適當訊號至質量流量調節器204，並／或由自控制器240透過連結244傳送適當訊號至質量流量調節器208的方式來調節。由控制器240送出至質量流量調節器204並且／或是質量流量208的訊號，控制著送進質量流量調節器的載氣量，以及／或是提供至質量流量調節量調節器208的稀釋氣體量。
控制器240中的程式指令進行計算聲波感測器206至稀釋點A的距離，以及從稀釋點A至反應器／排氣歧管210的距離，其中前驅物質量傳輸率對時間比，保持獨立於離開打泡機的前驅物濃度的期望型態。於一相關的實施例中，穿過打泡機202的流動率之增加或減少的依據為：在沉積階段（例如在發光二極體的製造中，生長p-GaN層時提供二茂鎂的梯度摻雜分佈）中反應器所需的前驅物質量傳輸率是否有所上升或是下降。
流向反應器／排氣歧管210的氣體混和物，於元件210為反應器的構成之中，可選擇更進一步地與推氣（例如氮、氫、氦、氬以及其他類似者）混和，以增加氣體混和物達到反應器210時的速度。
當反應器／排氣歧管210設定為排氣狀態時，藉由使用適當程式，來執行聲波感測器206的校準（以質量流量調節器208來防止供自稀釋氣體源260的稀釋物進入稀釋點A）。
所有揭露於本說明書（包括每個附錄的申請專利範圍、摘要以及圖式）的特徵，以及／或是所有如此揭露的任何方法或是製程的步驟，除了那些特徵以及／或是步驟是互相排除的內容以外，皆可結合至任何的技術結合中。
各個揭露於本說明書（包括每個附錄的申請專利範圍、摘要以及圖式）的特徵，除了有另行聲明者之外，都能以作為同樣、均等或是近似目的的代替特徵來代替。因此，除非有另行聲明者之外，每個揭露的特徵都僅為均等物或是類似特徵的泛指通稱的一例。
10‧‧‧除層系統
12‧‧‧罩殼
14‧‧‧聲波感測器
16‧‧‧加熱元件
18‧‧‧控制系統
22‧‧‧I/O介面
24‧‧‧控制器
26‧‧‧基部
28‧‧‧蓋部
30‧‧‧氣體
32‧‧‧周邊部分
34‧‧‧相對部
42‧‧‧基部加熱元件
42a、42b、42c‧‧‧加熱元件
44‧‧‧加熱元件組
44a、44b、44c、44d‧‧‧加熱元件
52‧‧‧質流控制器
54‧‧‧背壓控制器
56‧‧‧配管
58‧‧‧氣體混和器
62‧‧‧檢測閥
64‧‧‧多種的控制閥
66‧‧‧手動隔離閥
72‧‧‧對流循環
80‧‧‧溫度分佈
102‧‧‧傳輸器
104‧‧‧聲波訊號
106‧‧‧接收器
108‧‧‧訊號產生器
110‧‧‧參考訊號
112‧‧‧類比數位轉換器（ADC）
114‧‧‧控制器
200‧‧‧傳輸系統
202‧‧‧打泡機
204‧‧‧質量流量調節器
206‧‧‧聲波感測器
208‧‧‧質量流量調節器
210‧‧‧反應器／排氣歧管
240‧‧‧控制器
244‧‧‧連結
246‧‧‧連結
250‧‧‧惰性氣體源
260‧‧‧稀釋氣體源
A‧‧‧稀釋點
W1、W2‧‧‧寬度
H1、H2‧‧‧高度
D‧‧‧深度
本發明在研討下麵詳細敘述的本發明的變化的實施例並配合附錄的圖式，將得以更完整地理解，其中：
圖1為本案揭露內容的一實施例的加熱罩殼以及除層系統的示意圖。
圖2為本案揭露內容的一實施例的圖1所示加熱罩殼之立體分解示意圖。
圖3為本案揭露內容的一實施例的圖2所示的加熱罩殼中多種部件的溫度預測圖。
圖4為顯示穿過艙體的訊號傳遞的圖表，其根據本案一實施例所確定的傳輸及接收訊號之間的時間延遲的測量配置，並以時間與位置函數描繪。
圖5為顯示穿過艙體的訊號傳遞的圖表，其根據本案一實施例所確定的第一收接訊號及第二接收訊號之間（其為前述第一接收訊號的回音）的時間延遲的另一測量配置，並以時間與位置函數描繪。
圖6為一方塊圖，其顯示根據本案一實施例之系統，該系統建構為用以執行圖4及圖5所述的測量配置。
圖7為一示意圖，其顯示根據本案一實施例之系統，該系統傳送既定質量傳輸率的低濃度組成至處理艙體。
然而本發明以於圖式中顯示範例，並將於後面詳述，其內容　可修改為多樣的修改以及代替形式、特徵。然而應當理解的是，其意圖為覆蓋所有落入在以附錄的專利請求範圍所定義的本發明主旨及範圍內的修改、同等物、代替物。
10‧‧‧除層系統
12‧‧‧罩殼
14‧‧‧聲波感測器
16‧‧‧加熱元件
18‧‧‧控制系統
22‧‧‧I/O介面
24‧‧‧控制器
26‧‧‧基部
28‧‧‧蓋部
30‧‧‧氣體
32‧‧‧周邊部分
34‧‧‧相對部
72‧‧‧對流循環

Claims (10)

  1. 一種裝置，其用以聲學確定測試媒介的特性，其包含： 　　罩殼，包括基部以及蓋部，前述基部以及前述蓋部相配合界定出艙體； 　　聲波感測器，其安裝於前述基部，前述聲波感測器包括界定第一暴露面的第一聲波換能器以及界定第二暴露面的第二聲波換能器，前述第一暴露面以及前述第二暴露面實質上平行，並且適於與前述測試媒介接觸並且界定在其間的溝槽； 　　可操作地連接於前述罩殼的至少一加熱元件， 　　其中前述罩殼的第一部分為可操作地連接於前述至少一加熱元件，前述第一部分為垂直定向， 　　其中前述罩殼的第二部分未可操作地連接於前述至少一加熱元件，前述第二部分為垂直定向，且與前述罩殼的前述第一部分對置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置： 　　前述罩殼的前述第二部分為可操作地連接至冷卻裝置；且 　　前述冷卻裝置包括多個冷卻風扇。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中前述至少一加熱元件實質上圍繞前述聲波感測器。
  4. 一種保持聲波感測器於實質均一溫度的方法，其包括： 　　提供安裝於罩殼內的聲波感測器，前述聲波感測器包括第一聲波換能器以及第二聲波換能器，此兩者實質上互為平行且適於與測試媒介接觸，前述第一聲波換能器與第二聲波換能器界定在其間的溝槽； 　　提供適於對前述罩殼的部分加熱的加熱系統，前述部分實質上圍繞前述聲波感測器；以及 　　在有形媒介上提供一套指示，前述指示包括： 　　加熱實質上圍繞前述聲波感測器的前述罩殼之前述部分， 　　冷卻前述罩殼的實質上豎直部分，以引起前述罩殼中氣體的再循環，前述再循環引起前述罩殼中前述氣體的除層作用。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中： 　　冷卻前述罩殼的實質上豎直部分，包括使前述罩殼的前述實質上豎直部分以及周圍環境之間的對流自由流動，以及 　　加熱前述罩殼的前述部分，包括控制前述部分的溫度為至少高於圍繞前述罩殼的周圍溫度20 °C 的設置點。
  6. 一種用於聲學確定測試媒介性質的設備，其包括： 　　包括基部與蓋部的罩殼，前述基部與前述蓋部共同界定艙體；以及 　　安裝於前述基部之聲波感測器，前述聲波感測器包括界定第一暴露面的第一聲波換能器，以及界定第二暴露面的第二聲波換能器，前述第一暴露面以及前述第二暴露面位元於互相相對配置，並建構為接觸前述測試媒介並且界定出在其間的溝槽， 　　前述第一聲波換能器電連接傳輸器電路，前述傳輸器電路建構為以頻率為2至3兆赫（MHz）之間，且持續時間介於15至50循環之間的第一產生訊號啟動前述第一聲波換能器，以產生第一聲波訊號，前述第一聲波訊號被導向移動穿過前述溝槽； 　　所述第二聲波換能器電連接接收器電路，前述接收器電路建構為由第一聲波訊號產生第一接收訊號； 　　前述接收器電路電連接至數位化電路，前述數位化電路建構為以每循環20至100取樣的取樣頻率對前述第一接收訊號進行取樣，以產生第一接收數位訊號； 　　前述數位化電路電連接至控制器電路，所述控制器電路包括：處理器與非暫態資料儲存媒介，前述非暫態資料儲存媒介包含指令，前述指令在執行時使前述處理器將最大似然函數應用至前述第一接收數位訊號以及參考數位訊號，並且確定前述第一接收數位訊號的特徵以及前述參考數位訊號的特徵之間的時間延遲，前述時間延遲指示前述測試媒介的特性。
  7. 一種質量傳輸率控制配置，其包含： 　　載氣源； 　　載氣質流控制器，配置為調節來自載氣源的載氣的流率； 　　處理前驅物源，其包括前驅物容器，前述前驅物容器具有透過載氣質流控制器與前述流體載氣源連通的入口，以及配置為傳輸前述處理前驅物源與前述載氣之混和物的出口； 　　聲波感測器，其流體連通前述出口，前述聲波感測器包含：艙體，其配置為傳輸前述混和物的流體使其通過前述艙體；並進一步包含電氣訊號產生器，其建構為產生代表流經前述艙體的前述混和物中的前述處理前驅物的含量的電訊號； 　　稀釋氣體源； 　　稀釋氣體質流控制器，其配置為調節來自稀釋氣體源的稀釋氣體的流率，前述稀釋氣體源透過稀釋氣體質流控制器與前述前驅物容器的前述出口流體連通，其中前述稀釋氣體源與前述前驅物容器的前述出口的前述流體連通包括得到前述稀釋氣體與前述處理前述前驅物與載氣之混和物的稀釋混和物的稀釋點； 　　控制器，其與前述載氣質流控制器、前述稀釋氣體質流控制器、前述聲波感測器的至少其中之一電連接，前述控制器配置為調整前述載氣質流控制器、前述稀釋質流控制器之至少其中之一，以響應來自前述聲波感測器的前述電訊號，從而使處於前述稀釋點的前述稀釋混和物具有既定質流傳輸率。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之質量傳輸率控制配置，其中前述稀釋氣體源透過前述聲波感測器下游的前述稀釋氣體質流控制器與前述前驅物容器的前述出口流體連通。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之質量傳輸率控制配置，其中前述稀釋點流動性地連接於處理反應器。
  10. 一種於處理氣體混和物中控制質流傳輸率的方法，前述方法包括： 提供載氣； 提供處理前驅物氣體； 產生處理前驅物混和物，其包含前述載氣以及處理前驅物氣體； 聲學感測前述處理前驅物混合物中前述處理前驅物的含量，以產生感測器輸出； 提供稀釋氣體； 傳輸前述處理前驅物混合物，並另行傳輸前述稀釋氣體至得到前述稀釋氣體與前述處理前驅物混和物的稀釋混和物的稀釋點； 自動控制前述載氣與前述稀釋氣體的相對流率，以響應前述感應器輸出，從而使處於稀釋點的前述稀釋混和物具有既定的前述前驅物氣體的質流傳輸率。
TW104126015A 2014-08-11 2015-08-11 用以聲學確定測試媒介的特性之裝置、保持聲波感測器於實質均一溫度的方法、質量傳輸率控制配置及於處理氣體混和物中控制質流傳輸率的方法 TWI676027B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462035988P 2014-08-11 2014-08-11
US62/035,988 2014-08-11
US201562100285P 2015-01-06 2015-01-06
US62/100,285 2015-01-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201610429A true TW201610429A (zh) 2016-03-16
TWI676027B TWI676027B (zh) 2019-11-01

Family

ID=55267230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104126015A TWI676027B (zh) 2014-08-11 2015-08-11 用以聲學確定測試媒介的特性之裝置、保持聲波感測器於實質均一溫度的方法、質量傳輸率控制配置及於處理氣體混和物中控制質流傳輸率的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10099185B2 (zh)
KR (1) KR20170041884A (zh)
CN (1) CN106796200B (zh)
DE (1) DE112015003719T5 (zh)
TW (1) TWI676027B (zh)
WO (1) WO2016025367A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791504B (zh) * 2017-03-31 2023-02-11 德商愛思強歐洲公司 用於測定蒸氣濃度之裝置及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960010901A (ko) 1994-09-30 1996-04-20 김광호 고체 유기화합물 전용 버블러 장치
US5545252A (en) * 1995-03-01 1996-08-13 The Perkin-Elmer Corporation Flow regulation in gas chromatograph
US6116080A (en) 1998-04-17 2000-09-12 Lorex Industries, Inc. Apparatus and methods for performing acoustical measurements
JP3611796B2 (ja) * 2001-02-28 2005-01-19 松下電器産業株式会社 超音波送受波器、超音波送受波器の製造方法及び超音波流量計
US6561498B2 (en) 2001-04-09 2003-05-13 Lorex Industries, Inc. Bubbler for use in vapor generation systems
RU2384652C2 (ru) 2004-05-20 2010-03-20 Акцо Нобель Н.В. Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката
JP4652822B2 (ja) * 2005-01-07 2011-03-16 学校法人同志社 熱音響装置
US8585377B2 (en) 2006-02-09 2013-11-19 Deka Products Limited Partnership Pumping fluid delivery systems and methods using force application assembly
WO2008045972A2 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US8986456B2 (en) * 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
EP2252077B1 (en) 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
CN102778505B (zh) * 2012-08-16 2014-07-30 河海大学常州校区 基于无线网络检测微量六氟化硫浓度的声学方法及其装置
US9804126B2 (en) 2012-09-04 2017-10-31 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for improved acoustical transformation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791504B (zh) * 2017-03-31 2023-02-11 德商愛思強歐洲公司 用於測定蒸氣濃度之裝置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170041884A (ko) 2017-04-17
WO2016025367A1 (en) 2016-02-18
DE112015003719T5 (de) 2017-04-27
US10099185B2 (en) 2018-10-16
CN106796200B (zh) 2019-10-25
TWI676027B (zh) 2019-11-01
CN106796200A (zh) 2017-05-31
US20160041126A1 (en) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI822439B (zh) Ｐｅｃｖｄ設備與製程
TWI614789B (zh) 具有腔室壁溫度控制的電漿反應器
TW201243955A (en) Apparatus for monitoring and controlling substrate temperature
KR101658276B1 (ko) 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체
KR102147615B1 (ko) 기판 적재대
DuMont et al. Competition between Al2O3 atomic layer etching and AlF3 atomic layer deposition using sequential exposures of trimethylaluminum and hydrogen fluoride
WO2008013087A1 (fr) Unité de mesure d'ondes stationnaires dans un guide d'ondes, procédé de mesure d'ondes stationnaires, dispositif utilisant des ondes électromagnétiques, et dispositif et procédé de traitement au plasma
JP2008258591A (ja) ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積
CN112335342B (zh) 用于远程等离子源的自由基输出监控器和使用方法
US20110206866A1 (en) Deposition apparatus and method
Klug et al. A modular reactor design for in situ synchrotron x-ray investigation of atomic layer deposition processes
TWI676027B (zh) 用以聲學確定測試媒介的特性之裝置、保持聲波感測器於實質均一溫度的方法、質量傳輸率控制配置及於處理氣體混和物中控制質流傳輸率的方法
JP2006324532A (ja) 薄膜堆積方法および薄膜堆積装置
NO333020B1 (no) Innretning for a fjerne belegg pa en metallstruktur, samt en fremgangsmate for det samme.
JP4080392B2 (ja) ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置
JP2017161523A (ja) Ａｌｄシステム用の石英結晶マイクロバランスアセンブリ
US20230223238A1 (en) Increasing plasma uniformity in a receptacle
JP2021516723A (ja) 昇華によって正確な濃度の蒸気を生成する方法および装置
TW202217333A (zh) 透過感測器效應的數位反演之射頻功率的準確判定
US20230175128A1 (en) Heater design solutions for chemical delivery systems
Charles et al. Simple and Accurate Prediction of AlGaN Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy Growth
Heinselman et al. Hot-wall low pressure chemical vapor deposition growth and characterization of AlN thin films
Cho et al. In situ chemical sensing in AlGaN∕ GaN high electron mobility transistor metalorganic chemical vapor deposition process for real-time prediction of product crystal quality and advanced process control
US11029297B2 (en) Method of gas composition determination, adjustment, and usage
US20230070064A1 (en) Raw material feeding device, substrate processing system, and residual estimation method