TW201609876A - 藉由加熱聚合之聚矽烷之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明課題在於藉由將環戊矽烷加熱，作成重量平均分子量較大的聚矽烷，而得到塗佈型聚矽烷組成物，再將彼等塗佈於基板並進行燒成後，提供導電性高的良好之矽薄膜。 解決手段為一種聚矽烷之製造方法，其特徵為將環戊矽烷加熱至50℃至120℃的溫度。尤其是藉由加熱至80℃至100℃，可得到分子量分布較小、重量平均分子量較高的聚合物。可進行0.5小時至6小時的加熱。所得之聚矽烷為環戊矽烷的聚合物，重量平均分子量能以600至3000的範圍獲得。所得之聚矽烷的重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn的Mw/Mn比可成為1.03至1.55。環戊矽烷在總環狀矽烷中係含80莫耳%以上。

Description

藉由加熱聚合之聚矽烷之製造方法
本發明係有關於聚矽烷及其製造方法。又，有關於一種應用於積體電路、薄膜電晶體等用途的矽烷聚合物。
矽半導體係作為薄膜電晶體(TFT)或太陽能電池的材料，為自昔至今經常被拿來研究的材料。
在應用於積體電路或薄膜電晶體之矽薄膜的圖案形成中，一般係藉由CVD法等的真空製程來形成矽膜。就此種方法而言，由於係採用真空製程，而需要大型的裝置，而且，由於是使用氣體作為原料，而有不易取用處理等問題。
為解決此等問題，有一種將溶於有機溶劑的矽烷聚合物塗佈於基板並進行燒成後，藉由脫氫而形成矽膜的手法。
舉例而言，有人揭露一種調製含有環戊矽烷的溶液組成物，對塗佈於基板上的該溶液組成物進行紫外線照射 後，將所得之塗膜加熱而形成矽膜的方法(參照專利文獻1)。
另外，有人揭露一種矽烷聚合物之製造方法，其特徵為對具光聚合性的矽烷化合物照射波長405nm的光線而生成以凝膠滲透層析法測得之聚苯乙烯換算的重量平均分子量為800至5000的矽烷聚合物(參照專利文獻2)。
有人揭露一種半導體薄膜形成用矽烷組成物，其特徵為含有(A)對環戊矽烷照射波長170至600nm的光所合成之固體狀的聚矽烷化合物、(B)環戊矽烷、以及(C)由硼化合物、砷化合物、磷化合物、銻化合物中選出的至少一種化合物，且為使(A)固體狀的聚矽烷化合物溶解而成，(A)聚矽烷化合物相對於(B)環戊矽烷的比例為0.1至100重量%(參照專利文獻3)。
有人揭露一種作為環戊矽烷之開環聚合用自由基起始劑使用的矽烷基環戊矽烷(參照專利文獻4)。
有人揭露一種組成物，其係包含由氫與矽及/或鍺構成之具有450至2300之分子量的寡聚矽烷或聚矽烷的組成物，將該組成物塗佈及/或印刷於基材上而形成寡聚或聚矽烷膜，接著予以硬化後形成具有0.1原子%以下的碳含量之非晶質之氫化半導體膜(專利文獻5)。而且，其記載使用由第7至12族過渡金屬元素或其基材固接衍生物構成的非勻相觸媒來合成寡聚矽烷或聚矽烷。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2001-262058
〔專利文獻2〕日本特開2005-22964
〔專利文獻3〕日本特開2003-124486
〔專利文獻4〕日本特開2001-253706
〔專利文獻5〕日本特表2010-506001
本發明係以藉由將環戊矽烷加熱，作成重量平均分子量較大的聚矽烷，而得到塗佈型聚矽烷組成物為目的。又，以將該組成物塗佈於基板並進行燒成後，得到導電性高的良好之矽薄膜為目的。
就本發明而言，作為第1態樣，係一種聚矽烷之製造方法，其特徵為將環戊矽烷加熱至50℃至120℃的溫度；作為第2態樣，係如第1態樣之製造方法，其係進行0.5小時至6小時的加熱；作為第3態樣，係如第1態樣或第2態樣之製造方法，其中所得之聚矽烷為環戊矽烷的聚合物，重量平均分子量為600至3000； 作為第4態樣，係如第1態樣至第3態樣中任一者之製造方法，其中所得之聚矽烷的重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn的Mw/Mn比為1.03至1.55；作為第5態樣，係如第1態樣至第4態樣之製造方法，其中環戊矽烷係經過下述(A)、及(B)步驟而得之環狀矽烷中所含的主成分；(A)步驟：使式(1)：[化1](SiR1R2)n 式(1)
(式(1)中，R1及R2分別表示氫原子、碳原子數1至6之烷基、或可經取代之苯基，n表示4至6之整數；惟，R1與R2非同時為氫原子)所示之環狀矽烷化合物，在鹵化鋁的存在下於有機溶劑中與鹵化氫反應，而得到式(2)：[化2](SiR3R4)n 式(2)
(式(2)中，R3及R4分別表示鹵素原子，n表示4至6之整數)所示之環狀矽烷化合物的步驟、(B)步驟：將式(2)所示之環狀矽烷化合物以氫或氫化鋰鋁還原而得到式(3)：[化3](SiH2)n 式(3)
(式(3)中，n表示4至6之整數)所示之環狀矽烷的步驟。
作為第6態樣，係如第5態樣之製造方法，其中在前述式(1)中，R1與R2均表示苯基；作為第7態樣，係如第5態樣之製造方法，其中在前述式(2)中，R3及R4均表示氯原子；作為第8態樣，係如第5態樣之製造方法，其中環戊矽烷在總環狀矽烷中係含80莫耳%以上的量。
本發明係有關於一種藉由環戊矽烷的熱聚合之聚矽烷之製造方法。聚矽烷為環戊矽烷的聚合物。熱聚合係加熱至50℃至120℃的溫度。本發明之熱聚合並未進行聚合觸媒的添加及紫外線照射，僅藉由加熱即可進行環戊矽烷的聚合。
又，在本發明中由於無使用觸媒之必要，而不需要生成物與觸媒的分離操作，而且未使用紫外線照射等所需之裝置，僅藉由簡易的加熱裝置即可達成聚矽烷的製造。
有別於一般的直鏈狀氫矽烷，環戊矽烷可藉由熱而發生聚合。茲認為此係因Si及Si所衍生之5員環特有的結構所致。茲認為容易發生根據此結構的脫氫縮合，而生成環戊矽烷的聚合物。就所得之聚矽烷(環戊矽烷的聚合物)而言，可得二聚物或三聚物的含量較少、分子量分布較小且分子量一致的聚合物。
藉由熱聚合而製造的聚矽烷(聚戊矽烷)在溶解於有機溶劑而調成聚矽烷組成物時，與將習知方法所製造的聚矽烷溶解於有機溶劑而成的聚矽烷組成物相比，能以相同濃度的組成物形成薄膜。
本發明係一種以將環戊矽烷加熱至50℃至120℃的溫度為特徵的聚矽烷之製造方法。尤其是藉由加熱至80℃至100℃的溫度，可得到分子量分布較小且重量平均分子量較高的聚合物。
在惰性氣體中阻絕氧的狀態下，將經遮光之玻璃管中的環戊矽烷加熱至既定的溫度，即得到環戊矽烷的聚合物。環戊矽烷的聚合物係透過溶解於有機溶劑(例如環己烷)，其後在減壓下去除揮發成分而得。
作為上述惰性氣體，係使用例如氮氣、氦氣、氬氣等。阻絕氧的狀態係指上述玻璃管中的氧濃度為1ppm以下的狀態。
加熱溫度為50℃至120℃，加熱時間為0.5小時至6小時左右。加熱時間可隨著加熱溫度的上升，從上述加熱時間的範圍中縮短。
所得之聚矽烷為環戊矽烷的聚合物，係以例如1質量%至20質量%之有機溶劑中的溶液獲得。將所得之環戊矽烷的聚合物溶解於溶劑，可獲得聚合物濃度經調製的組成物。例如調成13.5質量%的有機溶劑(環己烷) 溶液時仍可獲得透明的溶液。
所得之環戊矽烷的聚合物其重量平均分子量為600至3000左右，重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn的Mw/Mn比成為1.03至1.55，為分子量分布小的聚合物。
聚合物的產率能以80至90%之較高的範圍獲得。
重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法(GPC)來測定。測定儀器能以例如HLC-8320GPC(TOSOH(股)製；製品名)、管柱為GPC/SEC(PLgel、3μm、300×7.5mm、VARIAN製)、管柱溫度為35℃、檢測器為RI、流量為1.0ml/min、測定時間為15min、洗提液為環己烷、注入量為10μL來測定。又，能以CPS(Mw150、RT=11.040min)、CPS-dimer(Mw298、RT=10.525min)、CPS-Trimer(Mw446、RT=9.725min)為參考物質作成檢量線來測定生成物的重量平均分子量。
以下示出環戊矽烷之直鏈結構的聚合物之實例。
m表示重複單元數，係相當於重量平均分子量的數。就所得之環戊矽烷的聚合物的結構，屬代表性者為直鏈結 構，惟亦有以三維相連而成的結構。
所得之環戊矽烷的聚合物可溶解於有機溶劑成為濃度5至8質量%，調成塗佈型聚矽烷組成物。
塗佈型組成物的有機溶劑係考量聚矽烷的溶解性與對基板的塗佈性來決定，係使用例如環己烷、環辛烷、彼等之混合物等。
所得之聚矽烷生成物可藉由減壓去除揮發成分而加以精製，可使其溶解於溶劑中來保存。作為聚矽烷的保存所使用的溶劑，可舉出如正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、環己烷、環辛烷、二環戊烷、苯、甲苯、二甲苯、四甲基苯、茚、四氫萘、十氫萘、角鯊烷之烴系溶媒；如二丙基醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氫呋喃、四氫哌喃、1,2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二噁烷之醚系溶媒；甚至碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二甲基亞碸等。
上述溶劑中較佳使用環辛烷，可在環辛烷中以5至8質量%含有上述聚矽烷而調成聚矽烷組成物。
上述聚矽烷可添加包含3B族元素、5B族元素的物質作為摻雜物。作為此等物質可舉出磷、硼等的化合物。可將添加有此種摻雜物的聚矽烷組成物塗佈於基材，實施加熱等處理而形成n型、p型的矽膜。
作為矽膜之形成方法，可將上述聚矽烷組成物塗佈於 基板，進行熱處理等而藉由脫氫化得到矽膜。塗佈係利用旋轉塗佈機、輥塗佈機、浸漬塗佈機等裝置進行，於塗佈之後進行加熱處理。例如採用旋轉塗佈法時，係以旋轉塗佈機的旋轉數500至1000rpm來進行。
塗佈步驟較佳在惰性氣體環境下進行，一面流通例如氮氣、氦氣、氬氣等氣體一面進行。
塗佈有組成物之基板的加熱處理係在100至425℃的加熱溫度下，以10至20分鐘進行。
如此得到的矽膜係以膜厚為60至100nm的範圍獲得。
作為上述基板可舉出石英、玻璃、ITO等的透明電極、金、銀、銅、鎳、鈦、鋁、鎢等的金屬電極、玻璃基板、塑膠基板等。
本發明所使用之環戊矽烷可經過上述(A)、及(B)步驟來合成。
在式(1)所示之環狀矽烷化合物中，作為碳原子數1至6之烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基及正戊基等。作為可經取代之苯基的取代基，可舉出例如上述烷基。n為4至6之整數，作為式(1)所示之環狀矽烷化合物，較佳為單僅n=5的環狀矽烷化合物、或者可使用n=5的環狀矽烷化合物作為主成分。當n=5且R1與R2為苯基時，環狀矽烷化合物為十苯基環戊矽烷，可較佳地使用該十苯基環戊矽烷 作為原料。而且，環狀矽烷化合物中亦可包含n=4、n=6的環狀矽烷化合物。
在(A)步驟中，可使式(1)所示之環狀矽烷化合物、與鹵素或鹵化氫反應來合成式(2)所示之環狀矽烷化合物。
此時，可在有機溶媒(例如環己烷、己烷、庚烷、甲苯、苯)中使鹵化鋁(例如氯化鋁、溴化鋁)作為觸媒反應。鹵化氫(例如氯化氫)相對於環狀矽烷化合物1莫耳需要2n莫耳以上，可設為例如2.5n莫耳至3.5n莫耳，又亦可過量地添加。觸媒相對於環狀矽烷1莫耳，能以0.01莫耳至2莫耳的比例添加。在(A)步驟中使用氯化氫時，式(2)中的R3與R4為氯原子。
在(B)步驟中係將式(2)所示之環狀矽烷化合物以氫或氫化鋰鋁還原而得到式(3)所示之環狀矽烷。式(3)中，n為4至6之整數，惟，在所得之總矽烷中n為5的環戊矽烷較佳以80莫耳%以上，例如80至100莫耳%、90至100莫耳%的比例含有。特佳的是，較佳使用高純度的環戊矽烷(100莫耳%)。
在(B)步驟中，可將式(2)所示之環狀矽烷化合物溶解於有機溶劑(例如環己烷、己烷、庚烷、甲苯、苯)，對該溶液緩緩地添加溶解於醚(例如二乙基醚、四氫呋喃、環戊基甲基醚)中的氫化鋰鋁，將式(2)所示之環狀矽烷化合物還原而製造式(3)所示之環狀矽烷。此時所添加的氫化鋰鋁，相對於式(2)所示之環狀矽烷 化合物的1莫耳，能以2至3莫耳的比例添加。
作為合成上述之環戊矽烷時的原料的式(1)所示之環狀矽烷化合物可使用市售品。又，進行合成時可使式(a)：[化5]R1R2SiX2 式(a)
(式(a)中，R1及R2分別表示氫原子、碳原子數1至6之烷基、或可經取代之苯基，X表示鹵素原子；惟，R1與R2非同時為氫原子)所示之矽烷化合物於有機溶劑中在鹼金屬的存在下反應，而得到上述式(1)所示之環狀矽烷化合物。
此處作為碳原子數1至6之烷基及可經取代之苯基可舉出上述之實例。作為鹵素原子可舉出氟、氯、溴、碘，可較佳使用氯。作為鹼金屬，係為鋰、鈉、鉀等鹼金屬。將鹼金屬分散於四氫呋喃等的有機溶劑中，進而添加式(a)所示之矽烷化合物，則生成式(1)所示之環狀矽烷化合物。此時所使用的鹼金屬為式(a)所示之矽烷化合物的1.5至3倍莫耳左右。此反應係於室溫下進行，並對所得生成物進行再結晶等。
作為上述式(a)所示之矽烷化合物可舉出例如二苯基二氯矽烷、二苯基二溴矽烷、二苯基二碘矽烷、二(氯化苯基)二氯矽烷、二甲基二氯矽烷、二甲基二溴矽烷等。
〔實施例〕 實施例1
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將0.6g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在50℃下進行150分鐘的加熱。對生成物添加4.41g環己烷，作成12.0質量%溶液。其後，移至茄型燒瓶中，在減壓(20Torr以下)下得到0.49g的聚矽烷(產率82%)。所得聚矽烷的數量平均分子量Mn為784、重量平均分子量Mw為832、Mw/Mn=1.06，得到透明的溶液。
實施例2
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將0.61g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在80℃下進行150分鐘的加熱。對生成物添加3.87g環己烷，作成13.4質量%溶液。其後，移至茄型燒瓶中，在減壓(20Torr以下)下得到0.43g的聚矽烷(產率72%)。所得聚矽烷的數量平均分子量Mn為979、重量平均分子量Mw為1207、Mw/Mn=1.23，得到透明的溶液。
實施例3
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將1.0g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在100℃下進行240分鐘的加熱。對生成物添加6.43g環己烷，作成13.5質量%溶液。其後，移至茄型燒瓶中，在減壓(20Torr以下)下得到0.82g的聚矽烷(產率82%)。所得聚矽烷的數量平均分子量Mn為1124、重量平均分子量Mw為1458、Mw/Mn=1.30，得到透明的溶液。
實施例4
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將1.0g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在120℃下進行80分鐘的加熱。對生成物添加6.43g環己烷，作成13.5質量%溶液。其後，移至茄型燒瓶中，在減壓(20Torr以下)下得到0.90g的聚矽烷(產率90%)。所得聚矽烷的數量平均分子量Mn為1450、重量平均分子量Mw為2201、Mw/Mn=1.52，得到透明的溶液。
比較例1
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將1.0g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在23℃下進行120分鐘的加熱。無法得到生成物。
比較例2
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將1.01g環戊矽烷裝入20ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在150℃下進行60分鐘的加熱。對生成物添加了6.43g環己烷，但生成物未溶解，而無法測定數量平均分子量Mn、及重量平均分子量Mw。
實施例5
在氬氣氣流中(氧濃度1ppm以下)，將3.51g環戊矽烷裝入50ml的硬質玻璃製試樣管，輕輕地塞上栓塞予以遮光，使用油浴在80℃下進行310分鐘的加熱。加熱後，得到3.23g的聚矽烷(產率92%)。所得聚矽烷的數量平均分子量Mn為1409、重量平均分子量Mw為1353、Mw/Mn=1.29，得到透明的溶液。
對該聚矽烷添加環己烷：環辛烷=95：5之重量比的混合溶劑調成4質量%溶液，以濾器(PTFE製；孔徑0.10μm)加以過濾而作成聚矽烷組成物。將該溶液在UV照射下，以1500rpm藉由旋轉塗佈法塗佈於矽基板上。其後，進行100℃、10分鐘，隨後425℃、20分鐘的加熱處理之後，示出所得之矽膜的外觀觀察結果。矽膜的剖面之SEM觀察的結果，膜厚為70至80nm。
〔產業上可利用性〕
藉由將環戊矽烷加熱，作成重量平均分子量較大的聚矽烷，而得到塗佈型聚矽烷組成物，再將彼等塗佈於基板並進行燒成後，可於基板上製造導電性高的良好之矽薄膜。

Claims (8)

  1. 一種聚矽烷之製造方法，其特徵為將環戊矽烷加熱至50℃至120℃的溫度。
  2. 如請求項1之製造方法，其係進行0.5小時至6小時的加熱。
  3. 如請求項1或請求項2之製造方法，其中所得之聚矽烷為環戊矽烷的聚合物，重量平均分子量為600至3000。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之製造方法，其中所得之聚矽烷的重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn的Mw/Mn比為1.03至1.55。
  5. 如請求項1至請求項4之製造方法，其中環戊矽烷係經過下述(A)、及(B)步驟而得之環狀矽烷中所含的主成分；(A)步驟：使式(1)：[化1](SiR1R2)n 式(1)(式(1)中，R1及R2分別表示氫原子、碳原子數1至6之烷基、或可經取代之苯基，n表示4至6之整數；惟，R1與R2非同時為氫原子)所示之環狀矽烷化合物，在鹵化鋁的存在下於有機溶劑中與鹵化氫反應，而得到式(2)： [化2](SiR3R4)n 式(2)(式(2)中，R3及R4分別表示鹵素原子，n表示4至6之整數)所示之環狀矽烷化合物的步驟、(B)步驟：將式(2)所示之環狀矽烷化合物以氫或氫化鋰鋁還原而得到式(3)：[化3](SiH2)n 式(3)(式(3)中，n表示4至6之整數)所示之環狀矽烷的步驟。
  6. 如請求項5之製造方法，其中在前述式(1)中，R1與R2均表示苯基。
  7. 如請求項5之製造方法，其中在前述式(2)中，R3及R4均表示氯原子。
  8. 如請求項5之製造方法，其中環戊矽烷在總環狀矽烷中係含80莫耳%以上的量。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3424232B2 (ja) * 2000-03-13 2003-07-07 ジェイエスアール株式会社 シリコン膜の形成方法
JP4258646B2 (ja) * 2003-06-13 2009-04-30 Ｊｓｒ株式会社 シラン重合体およびシリコン膜の形成方法
EP2069368A4 (en) * 2006-10-06 2011-06-22 Kovio Inc SILICON POLYMERS, METHODS FOR POLYMERIZING SILICON COMPOUNDS, AND METHODS FOR FORMING THIN FILMS OF SILICON POLYMERS
EP2135844A1 (de) * 2008-06-17 2009-12-23 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
KR20110051182A (ko) * 2008-07-11 2011-05-17 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 폴리실란의 제조 방법

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