TW201603327A - 封裝結構及其製法與承載件 - Google Patents

Abstract

一種封裝結構之製法，係先提供複數導電部與發光元件，再以包覆體包覆該發光元件與該導電部，之後以導電元件連結該發光元件與該導電部，俾藉由先以包覆體使該發光元件之側面絕緣，再形成該導電元件，故可選擇多種方式形成該導電元件。本發明復提供該封裝結構與承載件。

Description

封裝結構及其製法與承載件

本發明係有關一種封裝結構及製法，尤指一種發光式封裝結構及製法。

隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品在型態上趨於輕薄短小，在功能上則逐漸邁入高性能、高功能、高速度化的研發方向。其中，發光二極體(Light Emitting Diode,LED)因具有壽命長、體積小、高耐震性及耗電量低等優點，故廣泛地應用於照光需求之電子產品中，因此，於工業上、各種電子產品、生活家電之應用日趨普及。

第1A至1B圖係揭示一種習知LED封裝件1之製法之剖面示意圖。該製法係先於一基板10上形成一反射杯11，且該反射杯11具有一開口110，再設置一LED元件12於該開口110中，之後利用複數如金線之導線120電性連接該LED元件12與該基板10，最後以具有螢光粉層之封裝膠體13包覆該LED元件12。

然，習知LED封裝件1之製法中，係先進行電性連接製程，再形成該封裝膠體13，故於進行電性連接製程時， 由於該LED元件12之側面並無任何絕緣材質，因而僅能選擇打線作業(如形成該導線120)；若選擇使用導電膠，則導電膠容易溢流至該LED元件12之側面，使該LED元件12之正面(P極)與側面(N極)相電性導通，因而造成短路現象。

因此，習知LED封裝件1之導電元件之選擇種類受限，故如何克服習知技術中之導電元件選擇受限之問題，實已成目前亟欲解決的課題。

鑑於上述習知技術之缺失，本發明提供一種封裝結構，係包括：至少一發光元件，係具有相對之非發光側與發光側、及相鄰該非發光側與該發光側之側面；包覆體，係直接覆蓋該發光元件之側面，使發光元件之發光側係外露於該包覆體；複數導電部，係結合至該包覆體中，使該發光元件之側面與該導電部間之空間為部分該包覆體所充填；以及至少一導電元件，係設於該包覆體表面上並連結該發光元件與該些導電部。

本發明復提供一種封裝結構之製法，係包括：提供複數導電部與至少一發光元件，且該發光元件具有相對之非發光側與發光側、及相鄰該非發光側與該發光側之側面；以包覆體包覆該發光元件與該些導電部，且該包覆體係直接覆蓋該發光元件之側面，使該發光元件之側面與該導電部間之間為該包覆體所充填，使發光元件之發光側與該些導電部係外露於該包覆體；以及形成至少一導電元件於該 包覆體表面，使該導電元件連結該發光元件與該些導電部。

本發明亦提供一種承載件，係包括：至少一置放部；以及複數導電部，係與該置放部位於同一平面基準上，且該導電部之高度係大於該置放部之高度。

由上可知，本發明之封裝結構及其製法，係藉由先以包覆體覆蓋該發光元件之側面，使該發光元件之側面隔絕外界，再形成該導電元件，故可選擇多種方式形成該導電元件，以克服習知技術中之導電元件選擇受限之問題。

1‧‧‧LED封裝件

10‧‧‧基板

11‧‧‧反射杯

110、202、500a‧‧‧開口

12‧‧‧LED元件

120、83‧‧‧導線

13‧‧‧封裝膠體

2、2’、2”‧‧‧封裝結構

20、80、90‧‧‧承載件

20’‧‧‧基材

20a‧‧‧第一側

20b‧‧‧第二側

200、300、400、400’、500、600、700、800、900‧‧‧導電部

200a‧‧‧上表面

400a‧‧‧斜面

201、301、801、901‧‧‧置放部

203‧‧‧槽道

204‧‧‧連結部

205‧‧‧定位孔

21、31、41、51、61、71、81、91‧‧‧發光元件

21a、31a、41a、61a、71a‧‧‧發光側

21b、31b、41b、61b、71b‧‧‧非發光側

21c、31c、41c‧‧‧側面

210、310、410、610、710‧‧‧電極

22、32、42、52、62、72‧‧‧包覆體

22a‧‧‧第一表面

22b‧‧‧第二表面

23、23’‧‧‧導電元件

24、24”、34、44、64、74、84、94‧‧‧螢光層

240‧‧‧螢光顆粒

25、35、45、65、75、85、95‧‧‧透光層

3‧‧‧模具

30‧‧‧離形膜

46、66、76‧‧‧載體

50‧‧‧承載件

500b、803‧‧‧溝槽

611、711‧‧‧基板

671、67、77、771‧‧‧離型膜

802‧‧‧絕緣膠

H、h‧‧‧高度

X‧‧‧水平線

第1A至1B圖係為習知LED封裝件之製法之剖面示意圖；第2A至2G圖係為本發明之封裝結構之製法的剖面示意圖；其中，第2B’圖係為第2B圖之上視示意圖，第2D’圖係為第2D圖之另一實施例，第2E’圖係為第2E圖之不同實施例，第2G’與2G”圖係為第2G圖之不同實施例；第3A至3C圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖；第4A至4C圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖；其中，第4C’圖係為第4C圖之另一實施例；第5A及5B圖係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面及上視示意圖；第6A至6D圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖； 第7A至7D圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖；第8A及8B圖係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面及上視示意圖；以及第9圖係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面示意圖。

以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“第一”、“第二”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。

請參閱第2A至2G圖，係為本發明之封裝結構之製法的剖面示意圖。

如第2A圖所示，提供一金屬基材20’，該基材20’具 有相對之第一側20a與第二側20b。

如第2B及2B’圖所示，利用蝕刻及半蝕刻技術移除該基材20’之第一側20a之部分材質以形成複數置放部201，且該基材20’之第一側20a之未移除部分係作為複數導電部200，並由該基材20’之第一側20a貫穿至該第二側20b以形成複數連通該第一側20a與第二側20b之開口202與槽道203，藉以製作出複數如導線架之承載件20。

於本實施例中，第2B圖係為第2B’圖之B-B剖面線之剖面圖，且因各該承載件20周圍之製程相同，故僅圖示單一該承載件20，以便於說明。

再者，每一該承載件20具有至少一置放部201與複數導電部200，且該置放部201與複數導電部200於同一平面基準(如水平線X)上，該導電部200之高度H係大於該置放部201之高度h，例如，該導電部200之高度H係300μm，該置放部201之高度h係130μm，且該導電部200之高度H不超過300μm。

又，該開口202係位於該置放部201之周圍，且該槽道203係作為切割道。

另外，移除該基材20’之第一側20a部分以形成連結部204，且於該基材20’形成貫穿部分作為定位孔205，以利於後續置放發光元件。

如第2C圖所示，將發光元件21設置於該承載件20之置放部201上。

於本實施例中，該發光元件21係為發光二極體，其具 有一結合至該置放部201之非發光側21b、相對該非發光側21b之一發光側21a、及相鄰該非發光側21b與該發光側21a之側面21c，該發光側21a上具有複數電極210，且該非發光側21b係可作為該發光元件21之散熱側。

再者，該承載件20之導電部200之高度位置係與該發光元件21之發光側21a之高度位置等高。

又，該些導電部200係位於該發光元件21之左、右兩側面21c外圍，如第2B’圖所示，但該些導電部200之位置亦可依需求設計，並不限於上述。

如第2D圖所示，形成包覆體22於該承載件20上，使該包覆體22包覆該發光元件21與該置放部201並直接覆蓋該發光元件21之側面21c，且該包覆體22位於該發光元件21之側面21c與該些導電部200之間。該包覆體22係具有相對之第一表面22a與第二表面22b，而該發光元件21之發光側21a與該導電部200之上表面200a係外露於該包覆體22之第一表面22a。

於本實施例中，該包覆體22係為矽膠，例如為白膠，以使該發光元件21僅由其發光側21a出光；亦或該包覆體22可例如為透明矽膠，以使該發光元件21由其發光側21a及側面21c出光，且該包覆體22復形成於該開口202中(及該槽道203中)。

再者，該導電部200之上表面200a及該發光元件21之發光側21a係與該包覆體22之第一表面22a齊平。

又，如第2D’圖所示，可在一模具3內側表面上貼設 一離形膜30，使該離形膜30覆接於該發光側21a與該導電部200之上表面200a上，以於形成該包覆體22並移除該模具3及其離形膜30後，能確保該發光元件21之發光側21a與該導電部200之上表面200a外露於該包覆體22之第一表面22a。

如第2E圖所示，形成如導電膠或鍍覆金屬線路之導電元件23於該包覆體22之第一表面22a上，使該導電元件23電性連結該發光元件21之電極210與該些導電部200之上表面200a。

於本實施例中，該導電元件23係為如銀膠或銅膏之導電膠，且利用塗佈方式形成者。由於該包覆體22已覆蓋該發光元件21之側面21c(其相鄰該非發光側21b及發光側21a)，故當以導電膠作為該導電元件23時，導電膠無法溢流至該發光元件21之側面21c，使該發光元件21之電極210與側面21c之電極(圖未示)不會電性導通，因而能避免發生短路。

另外，亦可選擇打線作業，即該導電元件23’係為導線，如第2E’圖所示。

如第2F圖所示，形成一具有複數螢光顆粒240之螢光層24於該包覆體22之第一表面22a上，以覆蓋該發光元件21之發光側21a、該導電部200之上表面200a與該導電元件23。

於本實施例中，因使用該導電膠作為連結該發光元件21與該些導電部200之導電元件23，故無需考量習知導線 之弧度，而可依需求薄化該螢光層24，以降低整體結構之高度。

如第2G圖所示，形成一用以保護該螢光層24之保護層(圖略)或一如透鏡之透光層25於該螢光層24上，再沿該槽道203(如第2B’圖所示)進行切割作業，以製得複數個發光式封裝結構2，且該導電部200與連結部204係嵌卡於該包覆體22之側面，以令該導電部200與連結部204係外露於該包覆體22之側面。

再者，若接續第2E’圖所示之製程，將得到如第2G’圖所示之封裝結構2’。

另外，如第2G”圖所示之封裝結構2”，該些螢光顆粒240係可集中位於該螢光層24”之一側。

請參閱第3A至3C圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖。

如第3A圖所示，首先將一金屬基材利用蝕刻及半蝕刻等製程以形成一承載件。該承載件具有複數導電部300及形成於該導電部一端且向側延伸之置放部301，如圖所示，在兩導電部300之一端各自形成相互延伸之置放部301，且該相互延伸之置放部301並未接觸。

如第3B圖所示，將一發光元件31接置於該置於部301，該發光元件31係為發光二極體，其具有一結合至該置放部301之非發光側31b、相對該非發光側31b之一發光側31a、及相鄰該非發光側31b與該發光側31a之側面31c，該非發光側31b上具有複數電極310，以使該發光元 件31以覆晶倒置方式接置並電性連接至該置放部301。

接著形成包覆該發光元件側面31c之包覆體32，例如為矽膠或白膠，且使該發光元件31之發光側31a及導電部300外露出該包覆體32。

如第3C圖所示，之後即可在該發光元件31之發光側31a上形成螢光層34，或再進一步形成保護層或透光層35。

請參閱第4A至4C圖係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖。

如第4A圖所示，將具有複數導電部400之承載件及一發光元件41接置於一載體46上。該載體46例如為離型膜。

該發光元件41係為發光二極體，其具有一結合至該載體46之非發光側41b、相對該非發光側41b之一發光側41a、及相鄰該非發光側41b與該發光側41a之側面41c，該非發光側41b上具有複數電極410。

如第4B圖所示，接著形成包覆該發光元件側面41c之包覆體42，例如為矽膠或白膠，且使該電子元件41之發光側41a及導電部400外露出該包覆體42。

之後即可在該電子元件41之發光側41a上形成螢光層44，或再進一步形成保護層或透光層45。

如第4C圖所示，移除該載體46，並電性連接該發光元件41與導電部400。

另請參閱第4C’圖，係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面示意圖。本實施例之封裝結構與前述大致相同， 主要差異在於在導電部400’對應於發光元件41之一側形成有一曲面或斜面400a，且於該導電部400’與發光元件41間形成一透明包覆體42，以供反射發光元件41側面之光源。

請參閱第5A及5B圖，係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面及上視示意圖。本實施例之封裝結構與前述大致相同，主要差異在於將一金屬基材利用蝕刻製程以形成一承載件。該承載件具有複數開口500a以供容置發光元件51，且於該開口500a兩側設有導電部500，以供發光元件51電性連接至該導電部500。另於該些開口500a間形成有溝槽500b，以供後續在該發光元件51與導電部500間形成包覆體52時，該包覆體52之材料可由該溝槽500b注入而包覆該發光元件51周圍。

請參閱第6A至6D圖，係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖。本實施例之封裝結構之製法與前述大致相同，主要差異在於發光元件上覆蓋有一離型膜。

如第6A圖所示，將一包含有複數發光元件61之基板611接置於一整片之離型膜671上。

之後對應各該發光元件61周圍切割該基板611及整片之離型膜671，以形成複數表面貼附有離型膜67之發光元件61。該發光元件61具有相對之發光側61a及非發光側61b，該發光側具有複數電極610，且該離型膜67係貼附於該發光側61a上。

如第6B圖所示，將該表面貼附有離型膜67之發光元 件61及具有複數導電部600之承載件接置於一載體66上。該發光元件61係以其非發光側61b接置於該載體66上。接著於該發光元件61與導電部600間形成包覆體62。由於該發光元件61之發光側61a上貼附有離型膜67，因此可避免在形成該包覆體62時污染該發光側61a。

如第6C圖所示，移除該發光元件61之發光側61a上之離型膜67，並電性連接該發光元件61之電極610與該導電部600。本實施例係以塗佈導電材料方式電性連接該發光元件61與該導電部600，當然亦可以其它方式進行，例如打線。另外於本實施例中，該導電部600之高度約與該包覆體62相同，而該發光元件61之高度則小於該包覆體62高度而形成一段差。

如第6D圖所示，之後即可在該發光元件61之發光側61a上形成螢光層64，或再進一步形成保護層或透光層65，並移除該載體66。

請參閱第7A至7D圖，係為本發明之封裝結構之製法另一實施例的剖面示意圖。本實施例之封裝結構之製法與前述大致相同，主要差異在於發光元件上覆蓋有一離型膜且以覆晶倒置方式電性連接至承載件。

如第7A圖所示，將一包含有複數發光元件71之基板711接置於一整片之離型膜771上。

之後對應各該發光元件71周圍切割該基板711及整片之離型膜771，以形成複數表面貼附有離型膜77之發光元件71。該發光元件71具有相對之發光側71a及非發光側 71b，該非發光側具有複數電極710，且該離型膜77係貼附於該發光側71a上。

如第7B圖所示，將該表面貼附有離型膜77之發光元件71及具有複數導電部700之承載件接置於一載體76上。該發光元件71係以其非發光側71b接置於該載體76上。接著於該發光元件71與導電部700間形成包覆體72。由於該發光元件71之發光側71a上貼附有離型膜77，因此可避免在形成該包覆體72時污染該發光側71a。

如第7C圖所示，移除該發光元件71之發光側71a上的離型膜77，接著在該發光元件71之發光側71a上形成螢光層74，或再進一步形成保護層或透光層75。

如第7D圖所示，電性連接該發光元件71之電極710與該導電部700。

請參閱第8A及8B圖，係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面及上視示意圖。本實施例之封裝結構與前述大致相同，主要差異在於將一金屬基材利用蝕刻及半蝕刻等製程以形成一承載件80，該承載件80具有一置放部801及複數設於該置放部801兩側之導電部800，其中該置放部801與一側之導電部電性導通與另一側之導電部間填有絕緣膠802，以避免兩側導電部電性短路。另於蝕刻該金屬基材時在該些縱向排列的導電部800間形成有溝槽803。

於該置放部801上接置有一發光元件81，並使該發光元件81透過導線83電性連接至二側之導電部800。並於該發光元件表面形成有螢光層84，以及在該螢光層上形成 有一包覆該螢光層84及導線83之透光層85，該透光層85例如為透明矽膠，並藉由先前形成的溝槽803可有效使該透光層85有效固著於該承載件上。

請參閱第9圖，係為本發明之封裝結構另一實施例的剖面示意圖。本實施例之封裝結構與前述大致相同，主要差異在於提供一承載件900，該承載件具有複數導電部900及形成於該導電部一端且向內側延伸之置放部901，如圖所示，在兩導電部900之一端各自形成相互延伸之置放部901，且該相互延伸之置放部901並未接觸，以供一發光元件91以覆晶倒置方式接置並電性連接至該置放部901。於該發光元件91表面形成有一螢光層94，另可形成有一包覆該螢光層94之透光層95。

另外，於前述各封裝結構中係設有稽納二極體(Zener diode)，以產生穩定電壓功能；同時前述各封裝結構中的導電部對應於發光元件之一側可選擇性形成一曲面或斜面，搭配可從側面出光之發光元件形成三維LED封裝結構；且前述各封裝結構中的發光元件可選擇性以垂直式或覆晶式電性連接至承載件之導電部。

上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

2‧‧‧封裝結構

20‧‧‧承載件

200‧‧‧導電部

201‧‧‧置放部

21‧‧‧發光元件

21a‧‧‧發光側

21b‧‧‧非發光側

21c‧‧‧側面

22‧‧‧包覆體

22a‧‧‧第一表面

22b‧‧‧第二表面

23‧‧‧導電元件

24‧‧‧螢光層

240‧‧‧螢光顆粒

25‧‧‧透光層

Claims (47)

1. 一種封裝結構，係包括：一發光元件，係具有相對之非發光側與發光側、及相鄰該非發光側與該發光側之側面；包覆體，係覆蓋該發光元件之側面，並使發光元件之發光側外露於該包覆體；以及複數導電部，係結合至該包覆體中，使該發光元件之側面與該導電部間之空間為該包覆體所充填。
2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，復包括一具有置放部與該些導電部之承載件，供該發光元件以該非發光側設於該置放部上，且該包覆體形成於該置放部上，該些導電部之高度係大於該置放部之高度。
3. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，其中，該承載件復具有貫穿開口，以供該包覆體復形成於該開口中。
4. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構，其中，該開口形成於該置放部之周圍。
5. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該導電部係與該發光元件之發光側等高。
6. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該發光元件之發光側係與該包覆體等高。
7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該發光元件之發光側高度係與該包覆體等高或低於該包覆體高度。
8. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，復包括有一導電元件，係用以電性連接該發光元件與該些導電部。
9. 如申請專利範圍第8項所述之封裝結構，其中，該導電元件係為導電膠、導線或金屬線路。
10. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，復包括有螢光層，係形成於該發光元件之發光側上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，復包括形成於該螢光層上之保護層或透光層。
12. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該導電部對應於發光元件之一側為曲面或斜面。
13. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該發光元件具有複數電極，且該導電部具有相對之第一表面及第二表面，使該發光元件之電極電性連接至該導電部之第一表面或第二表面。
14. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，復包括一具有置放部與該些導電部之承載件，供該發光元件以該非發光側設於該置放部上，其中該置放部與部分該導電部連接，並與其餘部分該導電部間隔一絕緣膠。
15. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中，該導電部之高度係不超過300μm。
16. 一種封裝結構之製法，係包括：提供複數導電部與至少一發光元件，且該發光元件具有相對之非發光與發光側、及相鄰該非發光側與該發光側之側面；以及 以包覆體包覆該發光元件與該些導電部，且該包覆體係覆蓋該發光元件之側面，使該發光元件之側面與該導電部間之空間為該包覆體所充填，並使發光元件之發光側與該些導電部係外露於該包覆體。
17. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，復包括形成至少一導電元件以電性連接該發光元件與該些導電部。
18. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，復包括提供至少一具有置放部與該些導電部之承載件，令該發光元件設置於該置放部上，且供該包覆體形成於該置放部上，該些導電部之高度係大於該置放部之高度。
19. 如申請專利範圍第18項所述之封裝結構之製法，其中，該承載件之製程係包括：提供一具有相對之第一側與第二側之基材；以及移除該基材之第一側之部分材質以形成該置放部，且該基材之第一側之未移除部分係作為該導電部。
20. 如申請專利範圍第19項所述之封裝結構之製法，其中，該承載件之製程復包括由該基材之第一側貫穿至該第二側，以形成連通該第一側與第二側之開口。
21. 如申請專利範圍第20項所述之封裝結構之製法，其中，該包覆體復形成於該開口中。
22. 如申請專利範圍第20項所述之封裝結構之製法，其中，該開口形成於該置放部之周圍。
23. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該置放部與部分該導電部連接，並與其餘部分該導電部間隔一絕緣膠。
24. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該導電部係與該發光元件之發光側等高。
25. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該發光元件之發光側高度係與該包覆體等高或低於該包覆體高度。
26. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該導電元件係為導電膠、導線或金屬線路。
27. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，復包括形成螢光層於該發光元件之發光側上。
28. 如申請專利範圍第27項所述之封裝結構之製法，復包括形成保護層或透光層於該螢光層上。
29. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該導電部對應於發光元件之一側為曲面或斜面。
30. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該發光元件具有複數電極，且該導電部具有相對之第一表面及第二表面，使該發光元件之電極電性連接至該導電部之第一表面或第二表面。
31. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，復包括提供一具有該些導電部之承載件，該承載件形成有複數開口以令複數該發光元件設置於該些開口中。
32. 如申請專利範圍第31項所述之封裝結構之製法，其中 該些開口間形成有連通之溝槽。
33. 如申請專利範圍第31項所述之封裝結構之製法，其中該些開口兩側各設有複數該導電部，且相鄰兩導電部間形成有溝槽。
34. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該些導電部及發光元件係置於一載體上。
35. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該發光元件之發光側上係設有一離型膜，並在形成該包覆體後移後該離型膜。
36. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構之製法，其中，該導電部之高度係不超過300μm。
37. 一種承載件，係包括：至少一置放部，以供接置發光元件；以及複數導電部，該導電部之高度係大於該置放部之高度，且該導電部之高度係不超過300μm。
38. 如申請專利範圍第37項所述之承載件，復包括有貫穿之開口，係形成於該置放部之周圍。
39. 如申請專利範圍第37項所述之承載件，其中，該置放部與部分該導電部連接，並與其餘部分該導電部間隔一絕緣膠。
40. 如申請專利範圍第37項所述之承載件，其中，該導電部之一側為曲面或斜面。
41. 如申請專利範圍第37項所述之承載件，其中，該承載件形成有複數供設置發光元件之開口。
42. 如申請專利範圍第41項所述之承載件，其中該些開口間形成有連通之溝槽。
43. 如申請專利範圍第41項所述之承載件，其中該些開口兩側各設有複數該導電部，且相鄰兩導電部間形成有溝槽。
44. 一種承載件，係包括：複數開口，以供設置發光元件；以及複數導電部，係設於該開口兩側，且該導電部之高度係不超過300μm。
45. 如申請專利範圍第44項所述之承載件，其中，該導電部之一側為曲面或斜面。
46. 如申請專利範圍第44項所述之承載件，其中該些開口間形成有連通之溝槽。
47. 如申請專利範圍第44項所述之承載件，其中該相鄰兩導電部間形成有溝槽。